JP2009218649A - High frequency electronic component - Google Patents

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智之 五井
Nobumi Harada
暢巳 原田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a reception circuit which processes a plurality of reception signals, to use a differential input/output type low-noise amplifier, and to make the reception circuit compact and inexpensive by decreasing the number of low-noise amplifiers. <P>SOLUTION: The high frequency electronic component 10 includes a switch 11 and a balun 12. The switch 11 performs switching between a reception signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received at an input port 11a and a reception signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received at an input port 11b, and outputs one of the signals from an output port 11c. The balun 12 converts the reception signal in the form of an unbalanced signal output form the output port 11c to a reception signal in the form of a balanced signal, and outputs this signal to a differential input/output type low-noise amplifier 14. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品に関する。   The present invention relates to a high-frequency electronic component used in a receiving circuit that processes a plurality of received signals.

近年、複数の周波数帯（マルチバンド）に対応可能な携帯電話機が実用化されている。一方、高速データ通信機能を有する第３世代の携帯電話機も普及している。そのため、携帯電話機には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンドに対応することが求められている。   In recent years, mobile phones that can handle a plurality of frequency bands (multiband) have been put into practical use. On the other hand, third-generation mobile phones having a high-speed data communication function are also widespread. For this reason, mobile phones are required to support multimode (multiple systems) and multiband.

例えば、時分割多重接続（以下、ＴＤＭＡとも記す。）方式でマルチバンド対応の携帯電話機は実用化されている。一方で、広帯域符号分割多重接続（以下、ＷＣＤＭＡとも記す。）方式の携帯電話機も実用化されている。そこで、ＴＤＭＡ方式の既存の基盤（インフラ）を活かしながらＷＣＤＭＡ方式の通信も利用可能にするために、両方式の通信機能を有するマルチモードおよびマルチバンド対応の携帯電話機が求められている。例えば、欧州では、ＴＤＭＡ方式であるＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式の携帯電話機において、ＷＣＤＭＡ方式であるＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）方式の通信を行うことができることが求められている。   For example, a multi-band mobile phone using a time division multiple access (hereinafter also referred to as TDMA) method has been put into practical use. On the other hand, mobile phones using a wideband code division multiple access (hereinafter also referred to as WCDMA) system have been put into practical use. Therefore, in order to make it possible to use WCDMA communication while making use of the existing infrastructure (infrastructure) of TDMA, there is a need for multimode and multiband mobile phones having both types of communication functions. For example, in Europe, GSM (Global System for Mobile Communications) mobile phones that are TDMA systems are required to be able to perform UMTS (Universal Mobile Telecommunications System) system communications that are WCDMA systems.

ところで、携帯電話機のような無線通信装置において受信信号の処理を行う受信回路では、受信信号を増幅する低雑音増幅器が必須の構成要素となる。この低雑音増幅器は、受信回路を構成する電子部品の中で比較すると高価である。   By the way, in a receiving circuit that processes a received signal in a wireless communication device such as a mobile phone, a low noise amplifier that amplifies the received signal is an essential component. This low noise amplifier is more expensive than the electronic components that make up the receiving circuit.

従来、例えば特許文献１に記載されているように、送受信間隔周波数に比べて２つのシステム間の受信周波数帯の間隔が狭いデュアルバンドシステムにおいては、低雑音増幅器と受信用フィルタとを含む受信回路を２つの受信信号で共用することが提案されている。   Conventionally, as described in Patent Document 1, for example, in a dual band system in which the interval between the reception frequency bands between two systems is narrower than the transmission / reception interval frequency, a reception circuit including a low noise amplifier and a reception filter Has been proposed to be shared by two received signals.

一方、特許文献２には、携帯電話機のような無線通信装置の受信回路において、差動入出力型の低雑音増幅器を用いる技術が記載されている。また、特許文献３には、アンテナ共用器より平衡信号の形態の受信信号を出力し、この受信信号を差動入出力型の低雑音増幅器によって増幅する技術が記載されている。一般的に、受信回路では、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いることにより、受信信号におけるコモンモードノイズが低減され、受信感度が向上する。   On the other hand, Patent Document 2 describes a technique using a differential input / output low noise amplifier in a receiving circuit of a wireless communication device such as a mobile phone. Patent Document 3 describes a technique in which a reception signal in the form of a balanced signal is output from an antenna duplexer, and this reception signal is amplified by a differential input / output low noise amplifier. Generally, in a receiving circuit, by using a differential input / output type low noise amplifier that amplifies a received signal in the form of a balanced signal, common mode noise in the received signal is reduced and reception sensitivity is improved.

特開２００５−０６４７７８号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-064778 特開２００５−２３６９７１号公報JP 2005-236971 A 特開２００６−０７４７４９号公報JP 2006-074749 A

近年、携帯電話機では、マルチバンド化やマルチモード化に伴い、低雑音増幅器の数および占有面積が増加し、これが、携帯電話機の小型化の弊害となっている。また、前述のように低雑音増幅器は比較的高価であることから、携帯電話機では、低雑音増幅器の数の増加によりコストが増加している。   In recent years, the number and occupied area of low-noise amplifiers have increased in mobile phones with the increase in multiband and multimode, and this has been an adverse effect of downsizing of mobile phones. In addition, since the low noise amplifier is relatively expensive as described above, the cost of the mobile phone increases due to the increase in the number of low noise amplifiers.

そこで、特許文献１に記載されているように、低雑音増幅器と受信用フィルタとを含む受信回路を２つの受信信号で共用することが考えられる。しかしながら、受信用フィルタが共用できる２つの周波数帯の組み合わせは、非常に限られている。例えば、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信信号（８６９〜８９４ＭＨｚ）と９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ方式の受信信号（９２５〜９６０ＭＨｚ）では、周波数帯が比較的近接していても、受信用フィルタを共用することはできない。そのため、特許文献１に記載された技術には、適用できるシステムが非常に限られるという問題点がある。   Therefore, as described in Patent Document 1, it is conceivable to share a reception circuit including a low noise amplifier and a reception filter with two reception signals. However, the combination of two frequency bands that can be shared by the reception filter is very limited. For example, a 850 MHz GSM reception signal (869 to 894 MHz) and a 900 MHz GSM reception signal (925 to 960 MHz) can share a reception filter even if the frequency bands are relatively close to each other. Can not. Therefore, the technique described in Patent Document 1 has a problem that applicable systems are very limited.

ところで、受信回路では、受信感度向上のために、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いることが好ましい。受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いる場合にも、低雑音増幅器の数および占有面積の増加は、携帯電話機の小型化、低コスト化の妨げとなる。   By the way, in the receiving circuit, it is preferable to use a differential input / output type low noise amplifier that amplifies the received signal in the form of a balanced signal in order to improve the receiving sensitivity. Even when differential input / output type low noise amplifiers are used in the receiving circuit, the increase in the number and occupied area of the low noise amplifiers hinders downsizing and cost reduction of the mobile phone.

特許文献１に記載された技術は、不平衡信号の形態の受信信号を対象としたものであるため、平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器を用いる受信回路に適用することはできない。   Since the technique described in Patent Document 1 is intended for a reception signal in the form of an unbalanced signal, a reception circuit using a differential input / output low noise amplifier that amplifies the reception signal in the form of a balanced signal It cannot be applied to.

複数の受信信号を処理する受信回路において、複数の受信信号で１つの平衡入出力型の低雑音増幅器を共用するために、全ての受信信号について、受信回路内における全ての配線を平衡信号の配線とすることも考えられる。この場合には、１つの平衡入出力型の低雑音増幅器の前段に、平衡信号を切り替えるスイッチを設けることが考えられる。しかし、平衡信号を切り替えるスイッチは、不平衡信号を切り替えるスイッチに比べて高価である。そのため、１つの平衡入出力型の低雑音増幅器の前段に、平衡信号を切り替えるスイッチを設ける構成では、低雑音増幅器の数を少なくすることによってコストが低減されても、平衡信号を切り替えるスイッチを用いることによるコストの増加が生じるという問題点がある。また、全ての受信信号を平衡信号の形態とした場合には、平衡信号の配線が長くなり、平衡信号の平衡度の劣化が生じやすいという問題点がある。   In a receiving circuit that processes a plurality of received signals, in order to share one balanced input / output type low noise amplifier with the plurality of received signals, all the wirings in the receiving circuit for all received signals are wired as balanced signals. It can also be considered. In this case, it is conceivable to provide a switch for switching a balanced signal in front of one balanced input / output type low noise amplifier. However, the switch for switching the balanced signal is more expensive than the switch for switching the unbalanced signal. Therefore, in the configuration in which the switch for switching the balanced signal is provided in front of one balanced input / output type low noise amplifier, the switch for switching the balanced signal is used even if the cost is reduced by reducing the number of low noise amplifiers. There is a problem that the cost increases due to this. Further, when all the received signals are in the form of a balanced signal, there is a problem that the balanced signal wiring becomes long and the balance of the balanced signal is likely to deteriorate.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品であって、受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いることを可能にし、且つ低雑音増幅器の数を少なくして、受信回路の小型化、低コスト化を可能にする高周波電子部品を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is a high-frequency electronic component used in a receiving circuit that processes a plurality of received signals, and a differential input / output type low noise amplifier is provided in the receiving circuit. It is an object of the present invention to provide a high-frequency electronic component that can be used and that can reduce the number of low-noise amplifiers and reduce the size and cost of a receiving circuit.

本発明の高周波電子部品は、複数の受信信号を処理する受信回路に用いられるものであって、スイッチとバランとを備えている。スイッチは、出力ポートとそれぞれ不平衡信号の形態の複数の受信信号が入力される複数の入力ポートとを有し、複数の入力ポートに入力される複数の受信信号を切り替えて出力ポートより出力する。バランは、スイッチの出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力する。   The high-frequency electronic component of the present invention is used in a receiving circuit that processes a plurality of received signals, and includes a switch and a balun. The switch has an output port and a plurality of input ports to which a plurality of reception signals each in the form of an unbalanced signal are input, and switches a plurality of reception signals input to the plurality of input ports to output from the output port . The balun is a differential input / output type low-voltage converter that converts a received signal in the form of an unbalanced signal output from the output port of the switch into a received signal in the form of a balanced signal and amplifies the received signal in the form of the balanced signal. Output to the noise amplifier.

本発明の高周波電子部品は、更に、低雑音増幅器を備えていてもよいし、複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたバンドパスフィルタを備えていてもよい。   The high-frequency electronic component of the present invention may further include a low-noise amplifier or a band-pass filter provided in at least one of signal paths connected to each of the plurality of input ports. Also good.

また、本発明の高周波電子部品は、更に、出力ポートと複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えていてもよい。   The high-frequency electronic component of the present invention may further include a capacitor provided in at least one of signal paths connected to the output port and each of the plurality of input ports.

また、本発明の高周波電子部品は、更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、バランは、積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチは、積層基板に搭載されていてもよい。   The high-frequency electronic component of the present invention further includes a laminated substrate including a plurality of laminated dielectric layers, the balun is configured using a plurality of conductor layers provided in the laminated substrate, and the switch includes: It may be mounted on a multilayer substrate.

本発明の高周波電子部品では、スイッチによって、複数の入力ポートに入力される不平衡信号の形態の複数の受信信号を切り替えて出力ポートより出力し、バランによって、スイッチの出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力する。これにより、本発明によれば、受信回路において差動入出力型の低雑音増幅器を用いることが可能になり、且つ低雑音増幅器の数を少なくして、受信回路の小型化、低コスト化が可能になるという効果を奏する。   In the high-frequency electronic component of the present invention, a plurality of received signals in the form of unbalanced signals input to the plurality of input ports are switched by the switch and output from the output port, and the output from the output port of the switch is performed by the balun. The received signal in the form of a balanced signal is converted into a received signal in the form of a balanced signal, and is output to a differential input / output low noise amplifier that amplifies the received signal in the form of the balanced signal. Thus, according to the present invention, a differential input / output type low noise amplifier can be used in the receiving circuit, and the number of the low noise amplifiers can be reduced to reduce the size and cost of the receiving circuit. There is an effect that it becomes possible.

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例について説明する。図１は、この高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、２つのＧＳＭ方式の信号を処理する。 [First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, an example of a high-frequency circuit of a cellular phone including a high-frequency electronic component according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration of an example of the high-frequency circuit. This high frequency circuit processes two GSM signals.

ここで、ＧＳＭ方式の信号の種類を表１に示す。表１において、「上り」の欄は送信信号の周波数帯を表し、「下り」の欄は受信信号の周波数帯を表している。   Here, Table 1 shows the types of GSM signals. In Table 1, the “uplink” column represents the frequency band of the transmission signal, and the “downlink” column represents the frequency band of the reception signal.

Figure 2009218649
Figure 2009218649

図１に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ１と、集積回路（以下、ＩＣと記す。）２とを備えている。スイッチ１は、４つのポート１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを有し、ポート１ａをポート１ｂ，１ｃ，１ｄのいずれかに選択的に接続する。ポート１ａは、アンテナ１０１に接続されている。   The high-frequency circuit shown in FIG. 1 includes an antenna 101, a switch 1, and an integrated circuit (hereinafter referred to as IC) 2. The switch 1 has four ports 1a, 1b, 1c, and 1d, and selectively connects the port 1a to any one of the ports 1b, 1c, and 1d. The port 1a is connected to the antenna 101.

ＩＣ２は、主に信号の変調および復調を行う回路である。本実施の形態では、ＩＣ２は、２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２を有している。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。   The IC 2 is a circuit that mainly modulates and demodulates signals. In the present embodiment, the IC 2 generates and outputs two GSM transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2. The transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 output from the IC 2 are both in the form of balanced signals. The IC 2 receives two GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2. The reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2 received by the IC 2 are both in the form of balanced signals. The IC 2 has terminals 2a1, 2a2, 2b1, and 2b2. Transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 are output from terminals 2a1 and 2a2. Received signals GSM Rx1 and GSM Rx2 are input to terminals 2b1 and 2b2.

本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。   In the present embodiment, the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are the transmission signal and the reception signal in one of the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) that are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. In this case, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are the transmission signal and the reception signal in the other of the GSM850 (AGSM) and the GSM900 (EGSM). Further, when the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are transmission signals and reception signals in one of the GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS), which are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. The transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are a transmission signal and a reception signal in the other of the GSM1800 (DCS) and the GSM1900 (PCS).

高周波回路は、更に、バラン３と、電力増幅器４と、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。）５と、受信回路６とを備えている。バラン３は、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３の２つの平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ａ１，２ａ２に接続されている。電力増幅器４は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４の不平衡入力端は、バラン３の不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ１のポート１ｂに接続されている。   The high-frequency circuit further includes a balun 3, a power amplifier 4, a low-pass filter (hereinafter referred to as LPF) 5, and a receiving circuit 6. The balun 3 has two balanced input ends and one unbalanced output end. Two balanced input terminals of the balun 3 are connected to terminals 2a1 and 2a2 of the IC2. The power amplifier 4 has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The unbalanced input terminal of the power amplifier 4 is connected to the unbalanced output terminal of the balun 3. The unbalanced output terminal of the power amplifier 4 is connected to the port 1 b of the switch 1 through the LPF 5.

図２は、受信回路６の回路構成を示している。受信回路６は、複数の受信信号、すなわち受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を処理する。受信回路６は、入力端６ａ，６ｂと出力端６ｃ１，６ｃ２とを備えている。入力端６ａは、スイッチ１のポート１ｃに接続されている。入力端６ｂは、スイッチ１のポート１ｄに接続されている。出力端６ｃ１は、ＩＣ２の端子２ｂ１に接続されている。出力端６ｃ２は、ＩＣ２の端子２ｂ２に接続されている。   FIG. 2 shows a circuit configuration of the receiving circuit 6. The reception circuit 6 processes a plurality of reception signals, that is, reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2. The receiving circuit 6 includes input terminals 6a and 6b and output terminals 6c1 and 6c2. The input terminal 6 a is connected to the port 1 c of the switch 1. The input terminal 6 b is connected to the port 1 d of the switch 1. The output terminal 6c1 is connected to the terminal 2b1 of the IC2. The output terminal 6c2 is connected to the terminal 2b2 of the IC2.

また、受信回路６は、スイッチ１１と、バラン１２と、２つのバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）１３Ａ，１３Ｂと、差動入出力型の低雑音増幅器１４とを備えている。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。スイッチ１１の入力ポート１１ａは、ＢＰＦ１３Ａを介して、受信回路６の入力端６ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、ＢＰＦ１３Ｂを介して、受信回路６の入力端６ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。   The receiving circuit 6 includes a switch 11, a balun 12, two band pass filters (hereinafter referred to as BPF) 13A and 13B, and a differential input / output low noise amplifier 14. The switch 11 has two input ports 11a and 11b and one output port 11c, and selectively connects the output port 11c to one of the input ports 11a and 11b. The balun 12 has one unbalanced input end and two balanced output ends. The input port 11a of the switch 11 is connected to the input terminal 6a of the receiving circuit 6 via the BPF 13A. The input port 11b of the switch 11 is connected to the input terminal 6b of the receiving circuit 6 via the BPF 13B. The output port 11 c of the switch 11 is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12.

低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。バラン１２の２つの平衡出力端は、低雑音増幅器１４の２つの差動入力端に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、受信回路６の２つの出力端６ｃ１，６ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４は、バラン１２の平衡出力端より出力される信号を増幅する。本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、図２に示した受信回路６に用いられるものである。   The low noise amplifier 14 has two differential input ends and two differential output ends. Two balanced output terminals of the balun 12 are connected to two differential input terminals of the low noise amplifier 14. The two differential output terminals of the low noise amplifier 14 are connected to the two output terminals 6 c 1 and 6 c 2 of the receiving circuit 6. The low noise amplifier 14 amplifies the signal output from the balanced output terminal of the balun 12. The high-frequency electronic component 10 according to the present embodiment is used for the receiving circuit 6 shown in FIG.

スイッチ１１は、例えば、モノリシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す。）によって構成されていてもよいし、ＰＩＮダイオードを用いて構成されていてもよい。バラン１２は、例えば、インダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成されていてもよいし、共振器を用いて構成されていてもよい。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、例えば弾性表面波素子によって構成されていてもよい。低雑音増幅器１４は、例えばＭＭＩＣによって構成されていてもよい。   The switch 11 may be configured by, for example, a monolithic microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MMIC), or may be configured by using a PIN diode. The balun 12 may be configured by, for example, an LC circuit using an inductor and a capacitor, or may be configured using a resonator. The BPFs 13A and 13B may be constituted by surface acoustic wave elements, for example. The low noise amplifier 14 may be configured by MMIC, for example.

図３は、高周波電子部品１０の回路構成を示す回路図である。高周波電子部品１０は、入力端子１０ａ，１０ｂと出力端子１０ｃ１，１０ｃ２と、上記のスイッチ１１とバラン１２とを備えている。入力端子１０ａは、ＢＰＦ１３Ａの出力端とスイッチ１１の入力ポート１１ａとに接続されている。入力端子１０ｂは、ＢＰＦ１３Ｂの出力端とスイッチ１１の入力ポート１１ｂとに接続されている。また、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２は、バラン１２の２つの平衡出力端と、低雑音増幅器１４の２つの差動入力端とに接続されている。スイッチ１１は、このスイッチ１１を制御するための制御信号ＶＣ１，ＶＣ２が入力される制御端子１１ｄ，１１ｅを有している。   FIG. 3 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the high-frequency electronic component 10. The high-frequency electronic component 10 includes input terminals 10a and 10b, output terminals 10c1 and 10c2, and the switch 11 and the balun 12 described above. The input terminal 10a is connected to the output end of the BPF 13A and the input port 11a of the switch 11. The input terminal 10b is connected to the output end of the BPF 13B and the input port 11b of the switch 11. The output terminals 10c1 and 10c2 are connected to two balanced output terminals of the balun 12 and two differential input terminals of the low noise amplifier 14. The switch 11 has control terminals 11d and 11e to which control signals VC1 and VC2 for controlling the switch 11 are input.

図３には、バラン１２がインダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成された例を示している。この例では、バラン１２は、２つのインダクタＬ１，Ｌ２と２つのキャパシタＣ１，Ｃ２とを有している。インダクタＬ１の一端とキャパシタＣ１の一端は、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。インダクタＬ１の他端は、出力端子１０ｃ２に接続されたバラン１２の平衡出力端に接続されていると共に、キャパシタＣ２を介してグランドに接続されている。キャパシタＣ１の他端は、出力端子１０ｃ１に接続されたバラン１２の平衡出力端に接続されていると共に、インダクタＬ２を介してグランドに接続されている。   FIG. 3 shows an example in which the balun 12 is configured by an LC circuit using an inductor and a capacitor. In this example, the balun 12 has two inductors L1 and L2 and two capacitors C1 and C2. One end of the inductor L1 and one end of the capacitor C1 are connected to the unbalanced input terminal of the balun 12. The other end of the inductor L1 is connected to the balanced output terminal of the balun 12 connected to the output terminal 10c2, and is connected to the ground via the capacitor C2. The other end of the capacitor C1 is connected to the balanced output terminal of the balun 12 connected to the output terminal 10c1, and is connected to the ground via the inductor L2.

また、図３に示した例では、高周波電子部品１０は、スイッチ１１の出力ポート１１ｃとバラン１２の不平衡入力端との間の信号経路に設けられたキャパシタＣ３を備えている。キャパシタＣ３は、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が、出力ポート１１ｃに接続された信号経路に流れることを防止するためのものである。なお、図３に示した例では、スイッチ１１の入力ポート１１ａと入力端子１０ａとの間の信号経路およびスイッチ１１の入力ポート１１ｂと入力端子１０ｂとの間の信号経路にはキャパシタが設けられていない。これは、入力端子１０ａ，１０ｂに接続されたＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流の通過を阻止する機能を有しているためである。入力ポート１１ａ，１１ｂより、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が発生する場合であって、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流の通過を阻止する機能を有していない場合やＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂが直流電流に対する耐性が小さい場合には、スイッチ１１の入力ポート１１ａと入力端子１０ａとの間の信号経路およびスイッチ１１の入力ポート１１ｂと入力端子１０ｂとの間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けてもよい。また、出力ポート１１ｃに接続された信号経路において、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がない場合には、キャパシタＣ３を設けなくてもよい。スイッチ１１のポート１１ａ，１１ｂ，１１ｃに接続された各信号経路には、その信号経路において制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がある場合にキャパシタが設けられる。スイッチ１１のポート１１ａ，１１ｂ，１１ｃに接続された各信号経路にキャパシタを設けることの要否については、後で詳しく説明する。なお、図１および図２では、キャパシタＣ３の図示を省略している。   In the example shown in FIG. 3, the high-frequency electronic component 10 includes a capacitor C <b> 3 provided in a signal path between the output port 11 c of the switch 11 and the unbalanced input terminal of the balun 12. The capacitor C3 is for preventing a direct current caused by the control signals VC1 and VC2 from flowing through a signal path connected to the output port 11c. In the example shown in FIG. 3, capacitors are provided in the signal path between the input port 11a and the input terminal 10a of the switch 11 and the signal path between the input port 11b and the input terminal 10b of the switch 11. Absent. This is because the BPFs 13A and 13B connected to the input terminals 10a and 10b have a function of blocking the passage of a direct current. When direct current due to the control signals VC1 and VC2 is generated from the input ports 11a and 11b, and the BPF 13A and 13B do not have a function of blocking the passage of the direct current, or the BPF 13A and 13B In the case where the resistance to the switch 11 is small, the passage of the direct current is blocked in the signal path between the input port 11a of the switch 11 and the input terminal 10a and the signal path between the input port 11b of the switch 11 and the input terminal 10b. A capacitor may be provided. Further, in the signal path connected to the output port 11c, the capacitor C3 may not be provided when it is not necessary to block the passage of the direct current due to the control signals VC1 and VC2. Each signal path connected to the ports 11a, 11b, and 11c of the switch 11 is provided with a capacitor when it is necessary to prevent the direct current from passing through the control signals VC1 and VC2 in the signal path. Whether or not it is necessary to provide a capacitor in each signal path connected to the ports 11a, 11b, and 11c of the switch 11 will be described in detail later. In FIG. 1 and FIG. 2, the capacitor C3 is not shown.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を生成し出力する。送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   Next, the operation of the high frequency circuit including the high frequency electronic component 10 according to the present embodiment will be described. The IC 2 generates and outputs transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 that are both in the form of balanced signals. When transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 1 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１およびＢＰＦ１３Ａを通過して、高周波電子部品１０のスイッチ１１の入力ポート１１ａに入力される。   When receiving the received signal GSM Rx1, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1c. In this state, the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1 and the BPF 13A and is input to the input port 11a of the switch 11 of the high-frequency electronic component 10.

受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１およびＢＰＦ１３Ｂを通過して、高周波電子部品１０のスイッチ１１の入力ポート１１ｂに入力される。   When receiving the reception signal GSM Rx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1d. In this state, the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1 and the BPF 13B and is input to the input port 11b of the switch 11 of the high-frequency electronic component 10.

スイッチ１１は、制御端子１１ｄ，１１ｅに入力される制御信号ＶＣ１，ＶＣ２の状態に応じて、入力ポート１１ａに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1と入力ポート１１ｂに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2とを切り替えて、出力ポート１１ｃより出力する。バラン１２は、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力された不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号は、低雑音増幅器１４によって増幅され、平衡信号の形態の受信信号として、ＩＣ２に入力される。   The switch 11 receives the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal input to the input port 11a and the input to the input port 11b according to the state of the control signals VC1 and VC2 input to the control terminals 11d and 11e. The received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal is switched and output from the output port 11c. The balun 12 converts a received signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 11c of the switch 11 into a received signal in the form of a balanced signal, and amplifies the received signal in the form of this balanced signal. Output to a low noise amplifier 14 of the type. The reception signal input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC 2 as a reception signal in the form of a balanced signal.

本実施の形態に係る高周波電子部品１０では、スイッチ１１によって、入力ポート１１ａに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1と入力ポート１１ｂに入力される不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2とを切り替えて出力ポート１１ｃより出力し、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。これにより、本実施の形態によれば、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2を処理する受信回路６において、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることが可能になり、その結果、受信感度を向上させることが可能になる。また、本実施の形態によれば、受信回路６に含まれる低雑音増幅器の数を少なくでき、その結果、受信回路６の小型化、低コスト化が可能になる。   In the high-frequency electronic component 10 according to the present embodiment, the switch 11 receives the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal input to the input port 11a and the received signal GSM in the form of an unbalanced signal input to the input port 11b. Rx2 is switched and output from the output port 11c. The balun 12 converts the received signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 11c of the switch 11 into a received signal in the form of a balanced signal. Is output to the differential input / output low noise amplifier 14 that amplifies the received signal. Thereby, according to the present embodiment, the differential input / output type low noise amplifier 14 can be used in the reception circuit 6 that processes the two reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2, and as a result, the reception Sensitivity can be improved. Further, according to the present embodiment, the number of low noise amplifiers included in the receiving circuit 6 can be reduced, and as a result, the receiving circuit 6 can be reduced in size and cost.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０の構造について説明する。図４は、高周波電子部品１０の外観を示す斜視図である。図５は、高周波電子部品１０の平面図である。図４および図５に示したように、高周波電子部品１０は、高周波電子部品１０の各要素を一体化する積層基板２０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板２０は、積層された複数の誘電体層を含んでいる。また、積層基板２０は、上面２０ａと底面２０ｂと４つの側面とを有し、直方体形状をなしている。   Next, the structure of the high frequency electronic component 10 according to the present embodiment will be described. FIG. 4 is a perspective view showing the appearance of the high-frequency electronic component 10. FIG. 5 is a plan view of the high-frequency electronic component 10. As shown in FIGS. 4 and 5, the high-frequency electronic component 10 includes a laminated substrate 20 that integrates the elements of the high-frequency electronic component 10. As will be described in detail later, the laminated substrate 20 includes a plurality of laminated dielectric layers. The laminated substrate 20 has a top surface 20a, a bottom surface 20b, and four side surfaces, and has a rectangular parallelepiped shape.

高周波電子部品１０における回路は、積層基板２０内に設けられた導体層と、上記誘電体層と、積層基板２０の上面２０ａに搭載された素子とを用いて構成されている。ここでは、一例として、上面２０ａに、スイッチ１１とキャパシタＣ３が搭載されているものとする。   A circuit in the high-frequency electronic component 10 is configured using a conductor layer provided in the multilayer substrate 20, the dielectric layer, and an element mounted on the upper surface 20 a of the multilayer substrate 20. Here, as an example, it is assumed that the switch 11 and the capacitor C3 are mounted on the upper surface 20a.

次に、図６ないし図１０を参照して、積層基板２０における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図６において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から１層目、２層目の誘電体層の上面を示している。図７において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から３層目、４層目の誘電体層の上面を示している。図８において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から５層目、６層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から７層目、８層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ａ）は、上から９層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ｂ）は、上から９層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。図６ないし図１０において、丸印はスルーホールを表している。   Next, with reference to FIG. 6 thru | or FIG. 10, the dielectric material layer and conductor layer in the laminated substrate 20 are demonstrated in detail. 6A and 6B respectively show the top surfaces of the first and second dielectric layers from the top. 7A and 7B show the top surfaces of the third and fourth dielectric layers from the top, respectively. 8A and 8B respectively show the top surfaces of the fifth and sixth dielectric layers from the top. 9A and 9B respectively show the top surfaces of the seventh and eighth dielectric layers from the top. FIG. 10A shows the top surface of the ninth dielectric layer from the top. FIG. 10B shows the ninth dielectric layer from the top and the conductor layer therebelow as seen from above. 6 to 10, circles represent through holes.

図６（ａ）に示した１層目の誘電体層２１の上面には、スイッチ１１が接続される導体層２１１Ａ〜２１１Ｇと、キャパシタＣ３が接続される導体層２１３Ａ，２１３Ｂとが形成されている。導体層２１１Ａはスイッチ１１のポート１１ａに接続されている。導体層２１１Ｃはスイッチ１１のポート１１ｂに接続されている。導体層２１１Ｅはスイッチ１１のポート１１ｃに接続されている。導体層２１１Ｆはスイッチ１１の制御端子１１ｄに接続されている。導体層２１１Ｄはスイッチ１１の制御端子１１ｅに接続されている。導体層２１１Ｂ，２１１Ｇは、スイッチ１１のグランドに接続されている。また、誘電体層２１には、上記各導体層に接続された複数のスルーホールが形成されている。   Conductor layers 211A to 211G to which the switch 11 is connected and conductor layers 213A and 213B to which the capacitor C3 is connected are formed on the top surface of the first dielectric layer 21 shown in FIG. 6A. Yes. The conductor layer 211A is connected to the port 11a of the switch 11. The conductor layer 211C is connected to the port 11b of the switch 11. The conductor layer 211E is connected to the port 11c of the switch 11. The conductor layer 211F is connected to the control terminal 11d of the switch 11. The conductor layer 211D is connected to the control terminal 11e of the switch 11. The conductor layers 211B and 211G are connected to the ground of the switch 11. The dielectric layer 21 has a plurality of through holes connected to the conductor layers.

図６（ｂ）に示した２層目の誘電体層２２の上面には、導体層２２１，２２２，２２３，２２４，２２５が形成されている。導体層２２１には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ａが接続されている。導体層２２２には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｄが接続されている。導体層２２３には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｆが接続されている。導体層２２４には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｃが接続されている。導体層２２５には、それぞれ誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｅ，２１３Ｂが接続されている。また、誘電体層２２には、それぞれ導体層２２１，２２２，２２３，２２４に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Conductor layers 221, 222, 223, 224, and 225 are formed on the top surface of the second dielectric layer 22 shown in FIG. 6B. The conductor layer 221 is connected to the conductor layer 221 through a through hole formed in the dielectric layer 21. The conductor layer 211 </ b> D is connected to the conductor layer 222 through a through hole formed in the dielectric layer 21. A conductor layer 211 </ b> F is connected to the conductor layer 223 through a through hole formed in the dielectric layer 21. A conductor layer 211 </ b> C is connected to the conductor layer 224 through a through hole formed in the dielectric layer 21. Conductive layers 211E and 213B are connected to the conductive layer 225 via through holes formed in the dielectric layer 21, respectively. The dielectric layer 22 has through holes connected to the conductor layers 221, 222, 223, and 224, and a plurality of other through holes, respectively.

図７（ａ）に示した３層目の誘電体層２３の上面には、キャパシタ用導体層２３１とグランド用導体層２３２が形成されている。導体層２３１には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１３Ａが接続されている。導体層２３２には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１１Ｂ，２１１Ｇが接続されている。また、誘電体層２３には、それぞれ導体層２３１，２３２に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   A capacitor conductor layer 231 and a ground conductor layer 232 are formed on the top surface of the third dielectric layer 23 shown in FIG. The conductor layer 231 is connected to the conductor layer 213A through through holes formed in the dielectric layers 21 and 22. Conductive layers 211B and 211G are connected to the conductive layer 232 through through holes formed in the dielectric layers 21 and 22. The dielectric layer 23 has through holes connected to the conductor layers 231 and 232 and a plurality of other through holes, respectively.

図７（ｂ）に示した４層目の誘電体層２４の上面には、キャパシタ用導体層２４１，２４２と導体層２４３が形成されている。導体層２３１，２４１と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ１を構成する。導体層２３２，２４２と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ２を構成する。導体層２４３には、誘電体層２３に形成された２つのスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。また、誘電体層２４には、それぞれ導体層２４１，２４２，２４３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Capacitor conductor layers 241 and 242 and a conductor layer 243 are formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 24 shown in FIG. 7B. The conductor layers 231 and 241 and the dielectric layer 23 arranged therebetween constitute the capacitor C1 in FIG. The conductor layers 232 and 242 and the dielectric layer 23 disposed therebetween constitute the capacitor C2 in FIG. A conductor layer 232 is connected to the conductor layer 243 through two through holes formed in the dielectric layer 23. The dielectric layer 24 is formed with through holes connected to the conductor layers 241, 242, and 243 and a plurality of other through holes.

図８（ａ）に示した５層目の誘電体層２５の上面には、インダクタ用導体層２５１，２５２と導体層２５３，２５４が形成されている。導体層２５１には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層２５２には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４１が接続されている。導体層２５３には、誘電体層２４に形成された２つのスルーホールを介して導体層２４３が接続されている。導体層２５４には、誘電体層２３，２４に形成されたスルーホールを介して導体層２３１が接続されている。また、誘電体層２５には、それぞれ導体層２５１，２５２，２５３，２５４に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Inductor conductor layers 251 and 252 and conductor layers 253 and 254 are formed on the upper surface of the fifth dielectric layer 25 shown in FIG. A conductor layer 242 is connected to the conductor layer 251 through a through hole formed in the dielectric layer 24. The conductor layer 241 is connected to the conductor layer 252 through a through hole formed in the dielectric layer 24. The conductor layer 243 is connected to the conductor layer 253 through two through holes formed in the dielectric layer 24. The conductor layer 231 is connected to the conductor layer 254 via through holes formed in the dielectric layers 23 and 24. The dielectric layer 25 has through holes connected to the conductor layers 251, 252, 253, and 254, and a plurality of other through holes, respectively.

図８（ｂ）に示した６層目の誘電体層２６の上面には、インダクタ用導体層２６１，２６２と導体層２６３が形成されている。導体層２６１には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５１が接続されている。導体層２６２には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５２が接続されている。導体層２６３には、誘電体層２５に形成された２つのスルーホールを介して導体層２５３が接続されている。また、誘電体層２６には、それぞれ導体層２６１，２６２，２６３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Inductor conductor layers 261 and 262 and a conductor layer 263 are formed on the top surface of the sixth dielectric layer 26 shown in FIG. 8B. The conductor layer 251 is connected to the conductor layer 261 through a through hole formed in the dielectric layer 25. The conductor layer 252 is connected to the conductor layer 262 through a through hole formed in the dielectric layer 25. The conductor layer 263 is connected to the conductor layer 263 through two through holes formed in the dielectric layer 25. The dielectric layer 26 has through holes connected to the conductor layers 261, 262, and 263, and a plurality of other through holes.

図９（ａ）に示した７層目の誘電体層２７の上面には、インダクタ用導体層２７１，２７２と導体層２７３が形成されている。導体層２７１には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６１が接続されている。導体層２７２には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６２が接続されている。導体層２７３には、誘電体層２６に形成された２つのスルーホールを介して導体層２６３が接続されている。また、誘電体層２７には、それぞれ導体層２７１，２７２，２７３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Inductor conductor layers 271 and 272 and a conductor layer 273 are formed on the top surface of the seventh dielectric layer 27 shown in FIG. The conductor layer 261 is connected to the conductor layer 271 through a through hole formed in the dielectric layer 26. The conductor layer 262 is connected to the conductor layer 272 through a through hole formed in the dielectric layer 26. The conductor layer 263 is connected to the conductor layer 273 through two through holes formed in the dielectric layer 26. The dielectric layer 27 is formed with through holes connected to the conductor layers 271, 272, and 273 and a plurality of other through holes.

図９（ｂ）に示した８層目の誘電体層２８の上面には、インダクタ用導体層２８１，２８２と導体層２８３が形成されている。導体層２８１には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７１が接続されている。また、導体層２８１には、誘電体層２３〜２７に形成されたスルーホールおよび導体層２５４を介して導体層２３１が接続されている。導体層２８２には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７２が接続されている。導体層２８３には、誘電体層２７に形成された２つのスルーホールを介して導体層２７３が接続されている。また、誘電体層２８には、それぞれ導体層２８２，２８３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   Inductor conductor layers 281 and 282 and a conductor layer 283 are formed on the top surface of the eighth dielectric layer 28 shown in FIG. 9B. The conductor layer 271 is connected to the conductor layer 281 through a through hole formed in the dielectric layer 27. In addition, the conductor layer 231 is connected to the conductor layer 281 through through holes formed in the dielectric layers 23 to 27 and the conductor layer 254. The conductor layer 272 is connected to the conductor layer 282 through a through hole formed in the dielectric layer 27. The conductor layer 273 is connected to the conductor layer 283 through two through holes formed in the dielectric layer 27. The dielectric layer 28 is formed with through holes connected to the conductor layers 282 and 283 and a plurality of other through holes, respectively.

図３に示したインダクタＬ１は、導体層２５１，２６１，２７１，２８１と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。図３に示したインダクタＬ２は、導体層２５２，２６２，２７２，２８２と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。   The inductor L1 shown in FIG. 3 includes conductor layers 251, 261, 271, 281 and through-holes connecting them in series. The inductor L2 shown in FIG. 3 includes conductor layers 252, 262, 272, and 282 and through holes that connect them in series.

図１０（ａ）に示した９層目の誘電体層２９の上面には、グランド用導体層２９１と、導体層２９２，２９３が形成されている。導体層２９１には、それぞれ誘電体層２８に形成されたスルーホールを介して導体層２８２，２８３が接続されている。また、導体層２９１には、誘電体層２３〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。導体層２９２には、誘電体層２４〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層２９３には、誘電体層２５〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２５２が接続されている。また、誘電体層２９には、導体層２９１，２９２，２９３に接続された複数のスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。   A ground conductor layer 291 and conductor layers 292 and 293 are formed on the top surface of the ninth dielectric layer 29 shown in FIG. Conductive layers 282 and 283 are connected to the conductive layer 291 through through holes formed in the dielectric layer 28, respectively. In addition, a conductor layer 232 is connected to the conductor layer 291 through through holes formed in the dielectric layers 23 to 28. The conductor layer 242 is connected to the conductor layer 292 through through holes formed in the dielectric layers 24 to 28. The conductor layer 252 is connected to the conductor layer 293 through through holes formed in the dielectric layers 25 to 28. The dielectric layer 29 has a plurality of through holes connected to the conductor layers 291, 292, and 293 and a plurality of other through holes.

図１０（ｂ）に示したように、誘電体層２９の下面、すなわち積層基板２０の底面２０ｂには、入力端子１０ａ，１０ｂを構成する導体層３１０ａ，３１０ｂと、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２を構成する導体層３１０ｃ１，３１０ｃ２と、制御端子１１ｄ，１１ｅを構成する導体層３１１ｄ，３１１ｅと、グランド端子を構成する導体層Ｇ１〜Ｇ１１とが形成されている。   As shown in FIG. 10B, conductor layers 310a and 310b constituting the input terminals 10a and 10b and output terminals 10c1 and 10c2 are formed on the lower surface of the dielectric layer 29, that is, the bottom surface 20b of the multilayer substrate 20. Conductive layers 310c1 and 310c2, conductive layers 311d and 311e constituting the control terminals 11d and 11e, and conductive layers G1 to G11 constituting the ground terminals are formed.

導体層３１０ａには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２１を介して導体層２１１Ａが接続されている。導体層３１０ｂには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２４を介して導体層２１１Ｃが接続されている。導体層３１０ｃ１には、誘電体層２５〜２９に形成されたスルーホールと導体層２９３を介して導体層２５２が接続されている。導体層３１０ｃ２には、誘電体層２４〜２９に形成されたスルーホールと導体層２９２を介して導体層２４２が接続されている。導体層３１１ｄには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２３を介して導体層２１１Ｆが接続されている。導体層３１１ｅには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２２を介して導体層２１１Ｄが接続されている。導体層Ｇ１〜Ｇ１１には、誘電体層２９に形成されたスルーホールを介して導体層２９１が接続されている。また、導体層Ｇ１〜Ｇ１１は、グランドに接続されるようになっている。   Conductive layer (211 </ b> A) is connected to conductive layer (310 a) through through holes formed in dielectric layers (21-29) and conductive layer (221). A conductor layer 211C is connected to the conductor layer 310b through a through hole formed in the dielectric layers 21 to 29 and the conductor layer 224. The conductor layer 252 is connected to the conductor layer 310c1 through the through holes formed in the dielectric layers 25 to 29 and the conductor layer 293. The conductor layer 242 is connected to the conductor layer 310c2 via the through holes formed in the dielectric layers 24 to 29 and the conductor layer 292. A conductor layer 211F is connected to the conductor layer 311d through a through hole formed in the dielectric layers 21 to 29 and the conductor layer 223. A conductor layer 211 </ b> D is connected to the conductor layer 311 e through through holes formed in the dielectric layers 21 to 29 and the conductor layer 222. A conductor layer 291 is connected to the conductor layers G1 to G11 through through holes formed in the dielectric layer 29. The conductor layers G1 to G11 are connected to the ground.

上述の１層目ないし９層目の誘電体層２１〜２９および導体層が積層されて、図４に示した積層基板２０が形成される。この積層基板２０の上面２０ａには、スイッチ１１とキャパシタＣ３が搭載される。バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成されている。なお、本実施の形態において、積層基板２０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板２０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。   The above-mentioned first to ninth dielectric layers 21 to 29 and the conductor layer are laminated to form the laminated substrate 20 shown in FIG. A switch 11 and a capacitor C3 are mounted on the upper surface 20a of the multilayer substrate 20. The balun 12 is configured using a plurality of conductor layers provided in the multilayer substrate 20. In the present embodiment, as the laminated substrate 20, various materials such as a material using a resin, ceramic, or a composite material of both can be used as the material of the dielectric layer. However, as the laminated substrate 20, it is particularly preferable to use a low-temperature co-fired ceramic multilayer substrate having excellent high-frequency characteristics.

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１１は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１に示した高周波回路におけるスイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの代りにＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに２つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂを備えている。ＢＰＦ１５Ａは平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を出力し、ＢＰＦ１５Ｂは平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。比較例の高周波回路では、スイッチ１のポート１ｃより出力された受信信号GSM Rx1は、ＢＰＦ１５Ａを通過して、低雑音増幅器３４Ａに入力される。また、スイッチ１のポート１ｄより出力された受信信号GSM Rx2は、ＢＰＦ１５Ｂを通過して、低雑音増幅器３４Ｂに入力される。比較例の高周波回路では、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂおよび低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂが受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１に示した高周波回路と同様である。   Next, the effects of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example. FIG. 11 is a block diagram illustrating a circuit configuration of a high-frequency circuit of a comparative example. The high-frequency circuit of this comparative example does not include the switch 11 and the balun 12 in the high-frequency circuit shown in FIG. 1, but includes BPFs 15A and 15B instead of the BPFs 13A and 13B in the high-frequency circuit shown in FIG. Two low noise amplifiers 34A and 34B are provided in place of the low noise amplifier 14 in the high frequency circuit shown. The BPF 15A outputs a reception signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and the BPF 15B outputs a reception signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal. The low noise amplifiers 34A and 34B are both differential input / output types. In the high frequency circuit of the comparative example, the reception signal GSM Rx1 output from the port 1c of the switch 1 passes through the BPF 15A and is input to the low noise amplifier 34A. The received signal GSM Rx2 output from the port 1d of the switch 1 passes through the BPF 15B and is input to the low noise amplifier 34B. In the high frequency circuit of the comparative example, the BPFs 15A and 15B and the low noise amplifiers 34A and 34B constitute a receiving circuit. Other configurations of the high-frequency circuit of the comparative example are the same as those of the high-frequency circuit shown in FIG.

図１１に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が２つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路６に含まれる低雑音増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を１つ減らすことができるが、新たに、不平衡信号を切り替えるスイッチ１１が必要になる。しかし、不平衡信号を切り替えるスイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。   In the comparative example shown in FIG. 11, two relatively expensive low noise amplifiers are required. As a result, it is difficult to reduce the size and cost of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. On the other hand, in the present embodiment, since one low noise amplifier 14 is shared by two received signals GSM Rx1 and GSM Rx2, the number of low noise amplifiers included in the receiving circuit 6 is one as compared with the comparative example. As a result, the receiving circuit 6 and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit 6 can be reduced in size and cost. In the present embodiment, the balun 12 converts the reception signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 11 c of the switch 11 into a reception signal in the form of a balanced signal and outputs the received signal to the low noise amplifier 14. Therefore, the differential input / output low noise amplifier 14 can be used, and as a result, the receiving sensitivity can be improved. In the present embodiment, the number of low-noise amplifiers can be reduced by one as compared with the comparative example, but a switch 11 for switching an unbalanced signal is newly required. However, since the switch for switching the unbalanced signal is less expensive than the low noise amplifier, the cost can be reduced in this embodiment compared to the comparative example.

なお、図１１に示した比較例において、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で低雑音増幅器を共用するために、平衡信号を切り替えるスイッチを設けることが考えられる。この場合には、平衡信号を切り替えるスイッチの各入力ポートにＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂが接続され、平衡信号を切り替えるスイッチの出力ポートに１つの低雑音増幅器が接続されることになる。しかし、このような平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成では、平衡信号を切り替えるスイッチが不平衡信号を切り替えるスイッチに比べて高価であることから、コストの増加が生じる。また、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成では、平衡信号の配線が長くなり、平衡信号の平衡度の劣化が生じやすい。   In the comparative example shown in FIG. 11, it is conceivable to provide a switch for switching the balanced signal so that the two received signals GSM Rx1 and GSM Rx2 share the low noise amplifier. In this case, the BPFs 15A and 15B are connected to the input ports of the switch for switching the balanced signal, and one low noise amplifier is connected to the output port of the switch for switching the balanced signal. However, in such a configuration using a switch for switching the balanced signal, the switch for switching the balanced signal is more expensive than the switch for switching the unbalanced signal. Further, in the configuration using the switch for switching the balanced signal as described above, the wiring of the balanced signal becomes long and the balance of the balanced signal is likely to deteriorate.

これに対し、本実施の形態では、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べると、バランが１つ必要になるが、平衡信号を切り替える高価なスイッチではなく、不平衡信号を切り替える安価なスイッチを用いることができる。また、バランは低コストで構成することができる。そのため、本実施の形態によれば、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べて、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の低コスト化が可能になる。また、本実施の形態によれば、上記のように平衡信号を切り替えるスイッチを用いた構成に比べて、平衡信号の配線が短くなるため、平衡信号の平衡度の劣化を防止することが可能になる。   On the other hand, in the present embodiment, one balun is required as compared with the configuration using the switch for switching the balanced signal as described above. However, the balun is not an expensive switch for switching the balanced signal. An inexpensive switch for switching can be used. Moreover, the balun can be configured at a low cost. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to reduce the cost of the receiving circuit 6 and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit 6 as compared with the configuration using the switch for switching the balanced signal as described above. In addition, according to the present embodiment, since the balanced signal wiring is shortened as compared with the configuration using the switch for switching the balanced signal as described above, it is possible to prevent the balance signal from being deteriorated in balance. Become.

また、本実施の形態のように、スイッチ１１とバラン１２を含む１つの高周波電子部品１０を構成することにより、スイッチ１１とバラン１２を別個の素子として構成して、これらを基板に実装する場合に比べて、受信回路６におけるスイッチ１１とバラン１２の占有面積を小さくすることが可能になる。この点からも、本実施の形態によれば、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化が可能になる。   Further, as in the present embodiment, by configuring one high-frequency electronic component 10 including the switch 11 and the balun 12, the switch 11 and the balun 12 are configured as separate elements, and these are mounted on the substrate. As compared with the above, the area occupied by the switch 11 and the balun 12 in the receiving circuit 6 can be reduced. Also from this point, according to the present embodiment, the receiving circuit 6 and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit 6 can be downsized.

また、本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、積層基板２０を備え、バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチ１１は、積層基板２０に搭載されている。図６ないし図１０に示したように、バラン１２は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて容易に構成することが可能である。そのため、本実施の形態のように、バラン１２を、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成し、スイッチ１１を積層基板２０に搭載することにより、特に、受信回路６における高周波電子部品１０の占有面積を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、受信回路６およびそれを含む携帯電話機の高周波回路をより一層小型化することが可能になる。   The high-frequency electronic component 10 according to the present embodiment includes a multilayer substrate 20, the balun 12 is configured using a plurality of conductor layers provided in the multilayer substrate 20, and the switch 11 is connected to the multilayer substrate 20. It is installed. As shown in FIGS. 6 to 10, the balun 12 can be easily configured using a plurality of conductor layers provided in the laminated substrate 20. Therefore, as in the present embodiment, the balun 12 is configured by using a plurality of conductor layers provided in the multilayer substrate 20 and the switch 11 is mounted on the multilayer substrate 20. The area occupied by the high-frequency electronic component 10 can be reduced. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to further reduce the size of the receiving circuit 6 and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit 6.

ここで、本実施の形態に係る高周波電子部品１０におけるスイッチ１１の構成と、スイッチ１１に接続された信号経路にキャパシタを設けることの要否について詳しく説明する。まず、スイッチ１１としては、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチや、ＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いることができる。ＭＭＩＣによって構成されたスイッチには、デプレッション型の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと記す。）を用いたものと、エンハンスメント型のＦＥＴを用いたものとがある。デプレッション型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０でもドレイン電流が流れる。エンハンスメント型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０のときにはドレイン電流は流れない。デプレッション型のＦＥＴとしては、例えばＧａＡｓ系のｐＨＥＭＴ（シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ）がある。エンハンスメント型のＦＥＴとしては、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）がある。   Here, the configuration of the switch 11 in the high-frequency electronic component 10 according to the present embodiment and the necessity of providing a capacitor in the signal path connected to the switch 11 will be described in detail. First, as the switch 11, a switch configured by an MMIC or a switch configured using a PIN diode can be used. The switches configured by the MMIC include those using a depletion type field effect transistor (hereinafter referred to as FET) and those using an enhancement type FET. In the depletion type FET, the drain current flows even when the gate voltage is zero. In the enhancement type FET, no drain current flows when the gate voltage is zero. An example of a depletion type FET is a GaAs-based pHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor). As an enhancement type FET, for example, there is a CMOS (complementary metal oxide semiconductor).

スイッチ１１として、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってデプレッション型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合、またはＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いる場合には、原則として、スイッチ１１の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要がある。ただし、上記信号経路に接続される素子が、直流電流の通過を阻止する機能を有し、且つ直流電流に対する耐性が大きい場合には、その信号経路には、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。   In the case of using a switch constituted by an MMIC and using a depletion type FET as the switch 11 or using a switch constituted by using a PIN diode, in principle, the switch 11 It is necessary to provide a capacitor for preventing the passage of a direct current in each signal path connected to each port. However, when the element connected to the signal path has a function of blocking the passage of a direct current and has a high resistance to direct current, a capacitor for blocking the passage of the direct current is provided in the signal path. It does not have to be provided.

スイッチ１１としてＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってエンハンスメント型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合には、スイッチ１１の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要はない。   When a switch configured by an MMIC and using an enhancement type FET is used as the switch 11, a direct current is prevented from passing through each signal path connected to each port of the switch 11. There is no need to provide a capacitor.

次に、図１２を参照して、バラン１２の他の構成について説明する。図１２に示したバラン１２は、共振器を用いて構成されたものである。このバラン１２は、１つの不平衡入力端１２１と、２つの平衡出力端１２２，１２３と、４つの１／４波長共振器１２４，１２５，１２６，１２７とを有している。１／４波長共振器１２４の一端は不平衡入力端１２１に接続され、１／４波長共振器１２４の他端は１／４波長共振器１２５の一端に接続されている。１／４波長共振器１２６の一端は平衡出力端１２２に接続され、１／４波長共振器１２６の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１２７の一端は平衡出力端１２３に接続され、１／４波長共振器１２７の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１２６は１／４波長共振器１２４と結合し、１／４波長共振器１２７は１／４波長共振器１２５と結合している。   Next, another configuration of the balun 12 will be described with reference to FIG. The balun 12 shown in FIG. 12 is configured using a resonator. The balun 12 has one unbalanced input terminal 121, two balanced output terminals 122 and 123, and four quarter-wave resonators 124, 125, 126, and 127. One end of the quarter wavelength resonator 124 is connected to the unbalanced input end 121, and the other end of the quarter wavelength resonator 124 is connected to one end of the quarter wavelength resonator 125. One end of the quarter wavelength resonator 126 is connected to the balanced output end 122, and the other end of the quarter wavelength resonator 126 is connected to the ground. One end of the quarter wavelength resonator 127 is connected to the balanced output end 123, and the other end of the quarter wavelength resonator 127 is connected to the ground. The quarter wavelength resonator 126 is coupled to the quarter wavelength resonator 124, and the quarter wavelength resonator 127 is coupled to the quarter wavelength resonator 125.

図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１２は、挿入損失は小さいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は狭い。一方、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２は、挿入損失はやや大きいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は広い。また、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２では、不平衡入力端１２１と平衡出力端１２２，１２３との間において直流電流の通過が阻止される。そのため、図１２に示したバラン１２を用いる場合には、スイッチ１１として原則として各ポートに接続された各信号経路に直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要のあるスイッチを用いる場合であっても、スイッチ１１とバラン１２との間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。   The balun 12 configured by the LC circuit shown in FIG. 3 has a small insertion loss but a narrow frequency band with a good amplitude balance characteristic. On the other hand, the balun 12 configured using the resonator shown in FIG. 12 has a slightly large insertion loss but a wide frequency band with a good amplitude balance characteristic. Further, in the balun 12 configured using the resonator shown in FIG. 12, a direct current is prevented from passing between the unbalanced input terminal 121 and the balanced output terminals 122 and 123. Therefore, when the balun 12 shown in FIG. 12 is used, as a switch 11, in principle, a switch that needs to be provided with a capacitor that blocks the passage of a direct current in each signal path connected to each port is used. However, the signal path between the switch 11 and the balun 12 may not be provided with a capacitor that blocks the passage of direct current.

図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１２は、図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１２と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成することができる。   The balun 12 configured using the resonator illustrated in FIG. 12 is configured using a plurality of conductor layers provided in the multilayer substrate 20 in the same manner as the balun 12 configured by the LC circuit illustrated in FIG. can do.

次に、図１３を参照して、本実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例について説明する。図１３は、受信回路６のうち各変形例の高周波電子部品に含まれる部分を示している。第１の変形例の高周波電子部品１０Ａは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて低雑音増幅器１４を備えている。この高周波電子部品１０Ａにおいて、低雑音増幅器１４は積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、低雑音増幅器１４の入力端はバラン１２の平衡出力端に接続され、低雑音増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ａの出力端に接続される。すなわち、低雑音増幅器１４は、バラン１２の平衡出力端と高周波電子部品１０Ａの出力端との間に設けられる。   Next, first to third modifications of the high-frequency electronic component according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 shows a portion included in the high-frequency electronic component of each modified example in the receiving circuit 6. The high frequency electronic component 10 </ b> A of the first modification includes a low noise amplifier 14 in addition to the switch 11 and the balun 12. In the high frequency electronic component 10 </ b> A, the low noise amplifier 14 may be mounted on the upper surface 20 a of the multilayer substrate 20. The input terminal of the low noise amplifier 14 is connected to the balanced output terminal of the balun 12, and the output terminal of the low noise amplifier 14 is connected to the output terminal of the high frequency electronic component 10A. That is, the low noise amplifier 14 is provided between the balanced output terminal of the balun 12 and the output terminal of the high frequency electronic component 10A.

第２の変形例の高周波電子部品１０Ｂは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて２つのＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えている。この高周波電子部品１０Ｂにおいて、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、ＢＰＦ１３Ａの入力端は受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ａの出力端はスイッチ１１の入力ポート１１ａに接続される。すなわち、ＢＰＦ１３Ａは、入力ポート１１ａと受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子との間に設けられる。また、ＢＰＦ１３Ｂの入力端は受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ｂの出力端はスイッチ１１の入力ポート１１ｂに接続される。すなわち、ＢＰＦ１３Ｂは、入力ポート１１ｂと受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子との間に設けられる。なお、高周波電子部品１０Ｂは、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂのうちの一方のみを備えている構成でもよい。   The high-frequency electronic component 10 </ b> B of the second modification includes two BPFs 13 </ b> A and 13 </ b> B in addition to the switch 11 and the balun 12. In the high-frequency electronic component 10 </ b> B, the BPFs 13 </ b> A and 13 </ b> B may be mounted on the upper surface 20 a of the multilayer substrate 20. The input end of the BPF 13A is connected to the input terminal of the high frequency electronic component 10B to which the received signal GSM Rx1 is input, and the output end of the BPF 13A is connected to the input port 11a of the switch 11. That is, the BPF 13A is provided between the input port 11a and the input terminal of the high-frequency electronic component 10B to which the reception signal GSM Rx1 is input. The input end of the BPF 13B is connected to the input terminal of the high-frequency electronic component 10B to which the received signal GSM Rx2 is input, and the output end of the BPF 13B is connected to the input port 11b of the switch 11. That is, the BPF 13B is provided between the input port 11b and the input terminal of the high-frequency electronic component 10B to which the reception signal GSM Rx2 is input. The high-frequency electronic component 10B may be configured to include only one of the BPFs 13A and 13B.

第３の変形例の高周波電子部品１０Ｃは、スイッチ１１およびバラン１２に加えて低雑音増幅器１４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えている。この高周波電子部品１０Ｃにおいて、低雑音増幅器１４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。低雑音増幅器１４の入力端はバラン１２の平衡出力端に接続され、低雑音増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ｃの出力端に接続される。ＢＰＦ１３Ａの入力端は受信信号GSM Rx1が入力される高周波電子部品１０Ｃの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ａの出力端はスイッチ１１のポート１１ａに接続される。また、ＢＰＦ１３Ｂの入力端は受信信号GSM Rx2が入力される高周波電子部品１０Ｃの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３Ｂの出力端はスイッチ１１のポート１１ｂに接続される。   The high-frequency electronic component 10C of the third modified example includes a low noise amplifier 14 and BPFs 13A and 13B in addition to the switch 11 and the balun 12. In the high frequency electronic component 10 </ b> C, the low noise amplifier 14 and the BPFs 13 </ b> A and 13 </ b> B may be mounted on the upper surface 20 a of the multilayer substrate 20. The input terminal of the low noise amplifier 14 is connected to the balanced output terminal of the balun 12, and the output terminal of the low noise amplifier 14 is connected to the output terminal of the high frequency electronic component 10C. The input end of the BPF 13A is connected to the input terminal of the high frequency electronic component 10C to which the reception signal GSM Rx1 is input, and the output end of the BPF 13A is connected to the port 11a of the switch 11. The input end of the BPF 13B is connected to the input terminal of the high-frequency electronic component 10C to which the reception signal GSM Rx2 is input, and the output end of the BPF 13B is connected to the port 11b of the switch 11.

［第２の実施の形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１４は、本実施の形態に係る高周波電子部品４０を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。 [Second Embodiment]
Next, with reference to FIG. 14, the high frequency electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 14 is a block diagram showing a circuit configuration of an example of a high frequency circuit including the high frequency electronic component 40 according to the present embodiment. This high-frequency circuit processes two GSM signals and one UMTS signal.

ここで、ＵＭＴＳ方式の信号の種類について表２に示す。表２において、「上り」の欄は送信信号の周波数帯を表し、「下り」の欄は受信信号の周波数帯を表している。   Here, Table 2 shows the types of UMTS signals. In Table 2, the “uplink” column represents the frequency band of the transmission signal, and the “downlink” column represents the frequency band of the reception signal.

Figure 2009218649
Figure 2009218649

図１４に示した高周波回路は、第１の実施の形態と同様に、アンテナ１０１と、スイッチ１と、ＩＣ２とを備えている。本実施の形態では、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２，２ｄ，２ｅ１，２ｅ２を有している。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。送信信号UMTS Txは端子２ｄより出力される。受信信号UMTS Rxは端子２ｅ１，２ｅ２に入力される。   The high-frequency circuit shown in FIG. 14 includes an antenna 101, a switch 1, and an IC 2 as in the first embodiment. In the present embodiment, the IC 2 generates and outputs a UMTS transmission signal UMTS Tx and two GSM transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2. The transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is in the form of an unbalanced signal, and the two transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 output from the IC 2 are both in the form of a balanced signal. The IC 2 also receives a UMTS reception signal UMTS Rx and two GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2. The reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2 received by the IC 2 are all in the form of balanced signals. The IC 2 has terminals 2a1, 2a2, 2b1, 2b2, 2d, 2e1, and 2e2. Transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 are output from terminals 2a1 and 2a2. Received signals GSM Rx1 and GSM Rx2 are input to terminals 2b1 and 2b2. The transmission signal UMTS Tx is output from the terminal 2d. The reception signal UMTS Rx is input to terminals 2e1 and 2e2.

本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM850(AGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM850(AGSM)と周波数帯の近いGSM900(EGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)と周波数帯が同一のバンドＶにおける送信信号および受信信号である。   In the present embodiment, when the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are the transmission signal and the reception signal in the GSM850 (AGSM) of the four systems shown in Table 1, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal are received. The signal GSM Rx2 is a transmission signal and a reception signal in the GSM850 (AGSM) whose frequency band is close to that of the GSM850 (AGSM). The transmission signal UMTS Tx and the reception signal UMTS Rx are the GSM850 among the 10 bands shown in Table 2. (AGSM) is a transmission signal and a reception signal in the same band V as the frequency band.

また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM900(EGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM900(EGSM)と周波数帯の近いGSM850(AGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM900(EGSM)と周波数帯が同一のバンドVIIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are transmission signals and reception signals in GSM900 (EGSM) of the four systems shown in Table 1, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are , GSM900 (EGSM) and transmission signal and reception signal in GSM850 (AGSM) close in frequency band, and transmission signal UMTS Tx and reception signal UMTS Rx are the same as GSM900 (EGSM) among the 10 bands shown in Table 2. A transmission signal and a reception signal in band VIII having the same frequency band.

また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)と周波数帯の近いGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)と周波数帯が同一のバンドIIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are the transmission signal and reception signal in the GSM1800 (DCS) of the four systems shown in Table 1, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are , GSM1800 (DCS) and transmission signal and reception signal in GSM1900 (PCS) in a frequency band close to each other, and transmission signal UMTS Tx and reception signal UMTS Rx are the same as GSM1800 (DCS) among the 10 bands shown in Table 2. A transmission signal and a reception signal in band III having the same frequency band.

また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうちのGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1900(PCS)と周波数帯の近いGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1900(PCS)と周波数帯が同一のバンドIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are transmission signals and reception signals in GSM1900 (PCS) of the four systems shown in Table 1, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are , GSM1900 (PCS) and GSM1800 (DCS), which are close in frequency band, are transmission signals and reception signals, and transmission signal UMTS Tx and reception signal UMTS Rx are the same as GSM1900 (PCS) among the 10 bands shown in Table 2. A transmission signal and a reception signal in band II having the same frequency band.

本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態におけるＢＰＦ１３Ａを備えていない。また、本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４０を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、第１の実施の形態における高周波回路の構成要素に加え、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９、低雑音増幅器４２およびＢＰＦ４３を備えている。   The high-frequency circuit in the present embodiment does not include the BPF 13A in the first embodiment. The high-frequency circuit according to the present embodiment includes a high-frequency electronic component 40 according to the present embodiment instead of the high-frequency electronic component 10 according to the first embodiment. The high-frequency circuit in this embodiment includes a BPF 7, a power amplifier 8, a duplexer 9, a low-noise amplifier 42, and a BPF 43 in addition to the components of the high-frequency circuit in the first embodiment.

高周波電子部品４０は、入力端子４０ａ，４０ｂと、出力端子４０ｃ１，４０ｃ２，４０ｄと、スイッチ４１と、スイッチ１１と、バラン１２とを備えている。スイッチ４１は、１つの入力ポート４１ａと２つの出力ポート４１ｂ，４１ｃとを有し、入力ポート４１ａを出力ポート４１ｂ，４１ｃのいずれかに選択的に接続する。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。スイッチ１１，４１のうち、スイッチ１１が本発明におけるスイッチに対応する。   The high-frequency electronic component 40 includes input terminals 40a and 40b, output terminals 40c1, 40c2, and 40d, a switch 41, a switch 11, and a balun 12. The switch 41 has one input port 41a and two output ports 41b and 41c, and selectively connects the input port 41a to one of the output ports 41b and 41c. The switch 11 has two input ports 11a and 11b and one output port 11c, and selectively connects the output port 11c to one of the input ports 11a and 11b. The balun 12 has one unbalanced input end and two balanced output ends. Of the switches 11 and 41, the switch 11 corresponds to the switch in the present invention.

スイッチ４１の入力ポート４１ａは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。スイッチ４１の出力ポート４１ｂは、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。スイッチ４１の出力ポート４１ｃは、スイッチ１１の入力ポート１１ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。   The input port 41 a of the switch 41 is connected to the input terminal 40 a of the high frequency electronic component 40. The output port 41 b of the switch 41 is connected to the output terminal 40 d of the high frequency electronic component 40. The output port 41 c of the switch 41 is connected to the input port 11 a of the switch 11. The input port 11 b of the switch 11 is connected to the input terminal 40 b of the high frequency electronic component 40. The output port 11 c of the switch 11 is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12. The two balanced output terminals of the balun 12 are connected to the output terminals 40c1 and 40c2 of the high frequency electronic component 40.

デュプレクサ９は、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９ａ，９ｂとを有している。第１のポートは、スイッチ１のポート１ｂに接続されている。ＢＰＦ９ａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９ｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。   The duplexer 9 has first to third ports and two BPFs 9a and 9b. The first port is connected to the port 1 b of the switch 1. The BPF 9a is provided between the first port and the second port. The BPF 9b is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 9 is connected to the output terminal of the power amplifier 8. The third port of the duplexer 9 is connected to the input terminal 40 a of the high frequency electronic component 40.

ＢＰＦ７は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ７の平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ｄに接続されている。ＢＰＦ７の不平衡出力端は、電力増幅器８の入力端に接続されている。   The BPF 7 has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The balanced input terminal of the BPF 7 is connected to the terminal 2d of the IC2. The unbalanced output terminal of the BPF 7 is connected to the input terminal of the power amplifier 8.

バラン３は、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３の２つの平衡入力端は、ＩＣ２の端子２ａ１，２ａ２に接続されている。電力増幅器４は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４の不平衡入力端は、バラン３の不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ１のポート１ｄに接続されている。   The balun 3 has two balanced input ends and one unbalanced output end. Two balanced input terminals of the balun 3 are connected to terminals 2a1 and 2a2 of the IC2. The power amplifier 4 has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The unbalanced input terminal of the power amplifier 4 is connected to the unbalanced output terminal of the balun 3. The unbalanced output terminal of the power amplifier 4 is connected to the port 1 d of the switch 1 via the LPF 5.

ＢＰＦ１３Ｂは、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ｂの不平衡入力端は、スイッチ１のポート１ｃに接続されている。ＢＰＦ１３Ｂの不平衡出力端は、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。   The BPF 13B has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The unbalanced input terminal of the BPF 13B is connected to the port 1c of the switch 1. The unbalanced output terminal of the BPF 13B is connected to the input terminal 40b of the high frequency electronic component 40.

低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品４０の２つの出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、ＩＣ２の端子２ｂ１，２ｂ２に接続されている。   The low noise amplifier 14 has two differential input ends and two differential output ends. Two differential input terminals of the low noise amplifier 14 are connected to the two output terminals 40 c 1 and 40 c 2 of the high frequency electronic component 40. Two differential output terminals of the low noise amplifier 14 are connected to terminals 2b1 and 2b2 of the IC2.

低雑音増幅器４２は、１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。また、ＢＰＦ４３は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。低雑音増幅器４２の不平衡入力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。低雑音増幅器４２の不平衡出力端は、ＢＰＦ４３の不平衡入力端に接続されている。ＢＰＦ４３の２つの平衡出力端は、ＩＣ２の端子２ｅ１，２ｅ２に接続されている。   The low noise amplifier 42 has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The BPF 43 has one unbalanced input end and two balanced output ends. The unbalanced input terminal of the low noise amplifier 42 is connected to the output terminal 40 d of the high frequency electronic component 40. The unbalanced output terminal of the low noise amplifier 42 is connected to the unbalanced input terminal of the BPF 43. Two balanced output terminals of the BPF 43 are connected to terminals 2e1 and 2e2 of the IC2.

本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品４０、ＢＰＦ１３Ｂ，４３および低雑音増幅器１４，４２が受信回路を構成する。   In the high frequency circuit according to the present embodiment, the BPF 9b of the duplexer 9, the high frequency electronic component 40, the BPFs 13B and 43, and the low noise amplifiers 14 and 42 constitute a receiving circuit.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。   Next, the operation of the high frequency circuit including the high frequency electronic component 40 according to the present embodiment will be described. The IC 2 generates and outputs transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 both in the form of balanced signals and a transmission signal UMTS Tx in the form of unbalanced signals.

送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1d. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 1 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS Tx, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b. In this state, the transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7, the power amplifier 8, the BPF 9 a of the duplexer 9 and the switch 1 in this order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ４１の入力ポート４１ａは出力ポート４１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、スイッチ４１およびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the received signal GSM Rx1, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b, the input port 41a of the switch 41 is connected to the output port 41c, and the output port 11c of the switch 11 is connected to the input port 11a. In this state, the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 9b of the duplexer 9, the switch 41, and the switch 11 in this order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11 into a received signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx1 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM Rx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1c, and the output port 11c of the switch 11 is connected to the input port 11b. In this state, the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 13B, and the switch 11 in order and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11 into a received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output type low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx2 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ４１の入力ポート４１ａは出力ポート４１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ４１を順に通過して、低雑音増幅器４２に入力される。低雑音増幅器４２に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器４２によって増幅され、ＢＰＦ４３を通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換されて、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b, and the input port 41a of the switch 41 is connected to the output port 41b. In this state, the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 9 b of the duplexer 9 and the switch 41 in order, and is input to the low noise amplifier 42. The reception signal UMTS Rx input to the low noise amplifier 42 is amplified by the low noise amplifier 42, passes through the BPF 43, is converted into a reception signal UMTS Rx in the form of a balanced signal, and is input to the IC 2.

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１５は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１４に示した高周波回路におけるスイッチ４１、スイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１４に示した高周波回路におけるスイッチ１の代りにスイッチ５１を備え、図１４に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｂの代りに２つのＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１４に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに２つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂを備えている。   Next, the effects of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example. FIG. 15 is a block diagram showing a circuit configuration of a high-frequency circuit of a comparative example. The high-frequency circuit of this comparative example does not include the switch 41, the switch 11, and the balun 12 in the high-frequency circuit shown in FIG. 14, but includes a switch 51 instead of the switch 1 in the high-frequency circuit shown in FIG. Two BPFs 15A and 15B are provided in place of the BPF 13B in the high frequency circuit shown in FIG. 14, and two low noise amplifiers 34A and 34B are provided in place of the low noise amplifier 14 in the high frequency circuit shown in FIG.

スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。ポート５１ｂは、デュプレクサ９の第１のポートに接続されている。ポート５１ｃは、ＢＰＦ１５Ａの入力端に接続されている。ポート５１ｄは、ＢＰＦ１５Ｂの入力端に接続されている。ポート５１ｅは、ＢＰＦ５の出力端に接続されている。   The switch 51 has five ports 51a, 51b, 51c, 51d, and 51e, and selectively connects the port 51a to any of the ports 51b, 51c, 51d, and 51e. The port 51a is connected to the antenna 101. The port 51 b is connected to the first port of the duplexer 9. The port 51c is connected to the input end of the BPF 15A. The port 51d is connected to the input end of the BPF 15B. The port 51e is connected to the output end of the BPF 5.

デュプレクサ９の第３のポートは、低雑音増幅器４２の入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａの出力端は、低雑音増幅器３４Ａの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ｂの出力端は、低雑音増幅器３４Ｂの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。   The third port of the duplexer 9 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 42. The output end of the BPF 15A is connected to the input end of the low noise amplifier 34A. The output end of the BPF 15B is connected to the input end of the low noise amplifier 34B. Each of the BPFs 15A and 15B outputs a reception signal in the form of a balanced signal. The low noise amplifiers 34A and 34B are both differential input / output types.

比較例の高周波回路では、送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   In the high-frequency circuit of the comparative example, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51e when transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 51 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101. When transmitting the transmission signal UMTS Tx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b. In this state, the transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7, the power amplifier 8, the BPF 9 a of the duplexer 9 and the switch 51 in order, and is transmitted from the antenna 101.

また、受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ａを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換され、低雑音増幅器３４Ａによって増幅されてＩＣ２に入力される。   Further, when receiving the reception signal GSM Rx1, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51c. In this state, the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, passes through the BPF 15A, and is converted into the received signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and the low noise amplifier 34A. And is input to IC2.

また、受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換され、低雑音増幅器３４Ｂによって増幅されてＩＣ２に入力される。   Further, when receiving the reception signal GSM Rx2, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51d. In this state, the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, passes through the BPF 15B, and is converted into the received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal, and the low noise amplifier 34B. And is input to IC2.

また、受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１およびデュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよび低雑音増幅器４２を順に通過し、更に、ＢＰＦ４３を通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換されて、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b. In this state, the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 sequentially passes through the switch 51, the BPF 9b of the duplexer 9, and the low noise amplifier 42, and further passes through the BPF 43 to form a balanced signal. Received signal UMTS Rx and input to IC2.

比較例の高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂ，４３および低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，４２が受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１４に示した高周波回路と同様である。   In the high-frequency circuit of the comparative example, the BPF 9b, BPF 15A, 15B, and 43 of the duplexer 9 and the low noise amplifiers 34A, 34B, and 42 constitute a receiving circuit. Other configurations of the high-frequency circuit of the comparative example are the same as those of the high-frequency circuit shown in FIG.

図１５に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が３つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を１つ減らすことができるが、新たに、不平衡信号を切り替えるスイッチ４１，１１が必要になる。しかし、不平衡信号を切り替えるスイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。   In the comparative example shown in FIG. 15, three relatively expensive low-noise amplifiers are required, and as a result, miniaturization and cost reduction of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit are hindered. On the other hand, in the present embodiment, since one low noise amplifier 14 is shared by two reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2, the number of low noise amplifiers included in the reception circuit is one compared to the comparative example. As a result, it is possible to reduce the size and cost of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. In the present embodiment, the balun 12 converts the reception signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 11 c of the switch 11 into a reception signal in the form of a balanced signal and outputs the received signal to the low noise amplifier 14. Therefore, the differential input / output low noise amplifier 14 can be used, and as a result, the receiving sensitivity can be improved. In the present embodiment, the number of low-noise amplifiers can be reduced by one as compared with the comparative example, but switches 41 and 11 for switching unbalanced signals are newly required. However, since the switch for switching the unbalanced signal is less expensive than the low noise amplifier, the cost can be reduced in this embodiment compared to the comparative example.

また、本実施の形態では、２つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1で１つのＢＰＦ９ｂを共用している。そのため、本実施の形態によれば、図１５に示した比較例に比べて、ＢＰＦを１つ減らすことができ、これによっても、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。   In the present embodiment, one BPF 9b is shared by the two reception signals UMTS Rx and GSM Rx1. Therefore, according to the present embodiment, the BPF can be reduced by one as compared with the comparative example shown in FIG. 15, and this also reduces the size and the size of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. Cost can be reduced.

ところで、図１５に示した比較例では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅している。このような構成の場合には、低雑音増幅器４２とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にはＢＰＦ４３が必要となる。その理由は、以下の通りである。ＴＤＭＡ方式では送信信号と受信信号が時分割されるが、ＵＭＴＳ方式では送信信号と受信信号が時分割されない。そのため、ＵＭＴＳ方式では、送信信号と受信信号の間における非常に高いアイソレーションが必要とされる。この高いアイソレーションを実現するために、低雑音増幅器４２とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にＢＰＦ４３が必要となる。   By the way, in the comparative example shown in FIG. 15, the reception signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal output from the BPF 9 b of the duplexer 9 is amplified by the low noise amplifier 42. In such a configuration, the BPF 43 is required for the signal path of the reception signal UMTS Rx between the low noise amplifier 42 and the IC 2. The reason is as follows. In the TDMA system, the transmission signal and the reception signal are time-divisioned, but in the UMTS system, the transmission signal and the reception signal are not time-divisional. Therefore, the UMTS system requires very high isolation between the transmission signal and the reception signal. In order to realize this high isolation, the BPF 43 is required in the signal path of the reception signal UMTS Rx between the low noise amplifier 42 and the IC 2.

上述のように不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅する構成の場合には、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとで低雑音増幅器を共用することは好ましくない。それは、このように低雑音増幅器を共用した場合には、ＵＭＴＳ方式における送信信号と受信信号の間における高いアイソレーションを実現するために、共用する低雑音増幅器とＩＣ２との間の信号経路にＢＰＦが必要となり、このＢＰＦによってＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2の損失が増加するためである。そのため、不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器４２によって増幅する構成の場合には、図１４に示したように、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとでは低雑音増幅器を共用せず、ＧＳＭ方式の２つの受信信号GSM Rx1，GSM Rx2で低雑音増幅器１４を共用する構成とすることが好ましい。   As described above, when the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal is amplified by the low noise amplifier 42, the GSM received signals GSM Rx1 and GSM Rx2 and the UMTS received signal UMTS Rx are low noise. It is not preferable to share an amplifier. When the low noise amplifier is shared in this way, in order to realize high isolation between the transmission signal and the reception signal in the UMTS system, the BPF is provided in the signal path between the shared low noise amplifier and the IC 2. This is because the loss of GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2 is increased by this BPF. Therefore, in the case where the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal is amplified by the low noise amplifier 42, as shown in FIG. 14, the GSM received signals GSM Rx1 and GSM Rx2 and the UMTS received signal It is preferable that the low noise amplifier is not shared with UMTS Rx, and the low noise amplifier 14 is shared by two GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2.

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ４１，１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ｂのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。また、本実施の形態に係る高周波電子部品は、低雑音増幅器４２を備えていてもよいし、低雑音増幅器４２およびＢＰＦ４３を備えていてもよい。   In addition to the switches 41 and 11 and the balun 12, the high-frequency electronic component according to the present embodiment includes the low noise amplifier 14 and the BPF 13B, as in the first to third modifications in the first embodiment. At least one of them may be provided. Further, the high frequency electronic component according to the present embodiment may include the low noise amplifier 42, or may include the low noise amplifier 42 and the BPF 43.

次に、図１６を参照して、本実施の形態に係る高周波電子部品４０の変形例について説明する。図１６は、高周波回路のうち高周波電子部品４０に含まれる部分を示している。変形例の高周波電子部品４０は、図１４における２つのスイッチ１１，４１の代りに、双極双投型のスイッチ４５を備えている。スイッチ４５は２つの入力ポート４５ａ，４５ｂと、２つの出力ポート４５ｃ，４５ｄを有し、入力ポート４５ａを出力ポート４５ｃ，４５ｄのいずれかに選択的に接続すると共に、入力ポート４５ｂを出力ポート４５ｃ，４５ｄのいずれかに選択的に接続する。   Next, a modification of the high-frequency electronic component 40 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 16 shows a portion included in the high-frequency electronic component 40 in the high-frequency circuit. The high-frequency electronic component 40 of the modified example includes a double-pole double-throw switch 45 instead of the two switches 11 and 41 in FIG. The switch 45 has two input ports 45a and 45b and two output ports 45c and 45d. The input port 45a is selectively connected to one of the output ports 45c and 45d, and the input port 45b is connected to the output port 45c. , 45d is selectively connected.

スイッチ４５の入力ポート４５ａは、高周波電子部品４０の入力端子４０ａに接続されている。スイッチ４５の入力ポート４５ｂは、高周波電子部品４０の入力端子４０ｂに接続されている。スイッチ４５の出力ポート４５ｃは、高周波電子部品４０の出力端子４０ｄに接続されている。スイッチ４５の出力ポート４５ｄは、バラン１２の不平衡出力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４０の出力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。   The input port 45 a of the switch 45 is connected to the input terminal 40 a of the high frequency electronic component 40. The input port 45 b of the switch 45 is connected to the input terminal 40 b of the high frequency electronic component 40. The output port 45 c of the switch 45 is connected to the output terminal 40 d of the high frequency electronic component 40. The output port 45 d of the switch 45 is connected to the unbalanced output terminal of the balun 12. The two balanced output terminals of the balun 12 are connected to the output terminals 40c1 and 40c2 of the high frequency electronic component 40.

受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ａは出力ポート４５ｃに接続される。受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ａは出力ポート４５ｄに接続される。受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ４５の入力ポート４５ｂは出力ポート４５ｄに接続される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the input port 45a of the switch 45 is connected to the output port 45c. When receiving the reception signal GSM Rx1, the input port 45a of the switch 45 is connected to the output port 45d. When receiving the reception signal GSM Rx2, the input port 45b of the switch 45 is connected to the output port 45d.

図１４に示した高周波電子部品４０では、受信信号GSM Rx1は２つのスイッチ１１，４１を経由するのに対し、図１６に示した変形例の高周波電子部品４０では、受信信号GSM Rx1は１つのスイッチ４５を通過する。そのため、図１４に示した高周波電子部品４０に比べて、図１６に示した変形例の高周波電子部品４０によれば、受信信号GSM Rx1の損失を低減することができる。   In the high frequency electronic component 40 shown in FIG. 14, the received signal GSM Rx1 passes through the two switches 11 and 41, whereas in the modified high frequency electronic component 40 shown in FIG. Pass through switch 45. Therefore, compared with the high frequency electronic component 40 shown in FIG. 14, according to the high frequency electronic component 40 of the modification shown in FIG. 16, the loss of the reception signal GSM Rx1 can be reduced.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

［第３の実施の形態］
次に、図１７を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１７は、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、第２の実施の形態と同様に、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。 [Third Embodiment]
Next, with reference to FIG. 17, a high-frequency electronic component according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 17 is a block diagram showing a circuit configuration of an example of a high frequency circuit including the high frequency electronic component 10 according to the present embodiment. As in the second embodiment, this high-frequency circuit processes two GSM signals and one UMTS signal.

図１７に示した高周波回路は、第１の実施の形態および第２の実施の形態と同様に、アンテナ１０１と、スイッチ１と、ＩＣ２とを備えている。本実施の形態では、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ１，２ａ２，２ｂ１，２ｂ２，２ｄを有している。送信信号UMTS Txは端子２ｄより出力される。送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は端子２ａ１，２ａ２より出力される。受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は端子２ｂ１，２ｂ２に入力される。本実施の形態における送信信号UMTS Tx，GSM Tx1，GSM Tx2および受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2のシステムおよびバンドの組み合わせは、第２の実施の形態と同様である。   The high-frequency circuit shown in FIG. 17 includes an antenna 101, a switch 1, and an IC 2, as in the first and second embodiments. In the present embodiment, the IC 2 generates and outputs a UMTS transmission signal UMTS Tx and two GSM transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2. The transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is in the form of an unbalanced signal, and the two transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 output from the IC 2 are both in the form of a balanced signal. The IC 2 also receives a UMTS reception signal UMTS Rx and two GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2. The reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2 received by the IC 2 are all in the form of balanced signals. Further, the IC 2 has terminals 2a1, 2a2, 2b1, 2b2, and 2d. The transmission signal UMTS Tx is output from the terminal 2d. Transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 are output from terminals 2a1 and 2a2. Received signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2 are input to terminals 2b1 and 2b2. The system and band combination of transmission signals UMTS Tx, GSM Tx1, GSM Tx2 and reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, GSM Rx2 in the present embodiment are the same as those in the second embodiment.

本実施の形態における高周波回路は、第２の実施の形態に係る高周波電子部品４０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品１０を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、図１４における低雑音増幅器４２とＢＰＦ４３を備えていない。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図１４に示した第２の実施の形態における高周波回路と同様である。   The high-frequency circuit in the present embodiment includes a high-frequency electronic component 10 according to the present embodiment instead of the high-frequency electronic component 40 according to the second embodiment. Further, the high frequency circuit in the present embodiment does not include the low noise amplifier 42 and the BPF 43 shown in FIG. Other configurations of the high-frequency circuit in the present embodiment are the same as those of the high-frequency circuit in the second embodiment shown in FIG.

高周波電子部品１０は、入力端子１０ａ，１０ｂと、出力端子１０ｃ１，１０ｃ２と、スイッチ１１と、バラン１２とを備えている。スイッチ１１は、２つの入力ポート１１ａ，１１ｂと１つの出力ポート１１ｃとを有し、出力ポート１１ｃを入力ポート１１ａ，１１ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high-frequency electronic component 10 includes input terminals 10a and 10b, output terminals 10c1 and 10c2, a switch 11, and a balun 12. The switch 11 has two input ports 11a and 11b and one output port 11c, and selectively connects the output port 11c to one of the input ports 11a and 11b. The balun 12 has one unbalanced input end and two balanced output ends.

デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品１０の入力端子１０ａに接続されている。また、ＢＰＦ１３Ｂの不平衡出力端は、高周波電子部品１０の入力端子１０ｂに接続されている。   The third port of the duplexer 9 is connected to the input terminal 10 a of the high frequency electronic component 10. Further, the unbalanced output terminal of the BPF 13B is connected to the input terminal 10b of the high frequency electronic component 10.

スイッチ１１の入力ポート１１ａは、高周波電子部品１０の入力端子１０ａに接続されている。スイッチ１１の入力ポート１１ｂは、高周波電子部品１０の入力端子１０ｂに接続されている。スイッチ１１の出力ポート１１ｃは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０の出力端子１０ｃ１，１０ｃ２に接続されている。   The input port 11 a of the switch 11 is connected to the input terminal 10 a of the high frequency electronic component 10. The input port 11 b of the switch 11 is connected to the input terminal 10 b of the high frequency electronic component 10. The output port 11 c of the switch 11 is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12. The two balanced output terminals of the balun 12 are connected to the output terminals 10 c 1 and 10 c 2 of the high frequency electronic component 10.

低雑音増幅器１４は、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品１０の２つの出力端子１０ｃ１，１０ｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動出力端は、ＩＣ２の端子２ｂ１，２ｂ２に接続されている。   The low noise amplifier 14 has two differential input ends and two differential output ends. Two differential input terminals of the low noise amplifier 14 are connected to two output terminals 10 c 1 and 10 c 2 of the high frequency electronic component 10. Two differential output terminals of the low noise amplifier 14 are connected to terminals 2b1 and 2b2 of the IC2.

本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品１０、ＢＰＦ１３Ｂおよび低雑音増幅器１４が受信回路を構成する。   In the high frequency circuit according to the present embodiment, the BPF 9b of the duplexer 9, the high frequency electronic component 10, the BPF 13B, and the low noise amplifier 14 constitute a receiving circuit.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。   Next, the operation of the high frequency circuit including the high frequency electronic component 10 according to the present embodiment will be described. The IC 2 generates and outputs transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 both in the form of balanced signals and a transmission signal UMTS Tx in the form of unbalanced signals.

送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1d. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 1 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS Tx, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b. In this state, the transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7, the power amplifier 8, the BPF 9 a of the duplexer 9 and the switch 1 in this order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the received signal GSM Rx1, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b, and the output port 11c of the switch 11 is connected to the input port 11a. In this state, the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 9b of the duplexer 9, and the switch 11 in this order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11 into a received signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx1 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM Rx2, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1c, and the output port 11c of the switch 11 is connected to the input port 11b. In this state, the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 13B, and the switch 11 in order and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11 into a received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output type low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx2 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続され、スイッチ１１の出力ポート１１ｃは入力ポート１１ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ１１を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ１１より出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the port 1a of the switch 1 is connected to the port 1b, and the output port 11c of the switch 11 is connected to the input port 11a. In this state, the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 1, the BPF 9 b of the duplexer 9 and the switch 11 in this order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 11 into a received signal UMTS Rx in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output type low noise amplifier 14. . The received signal UMTS Rx input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC 2.

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１８は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１７に示した高周波回路におけるスイッチ１１およびバラン１２を備えておらず、図１７に示した高周波回路におけるスイッチ１の代りにスイッチ５１を備え、図１７に示した高周波回路におけるデュプレクサ９の代りにデュプレクサ１９を備え、図１７に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｂの代りに２つのＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂを備え、図１７に示した高周波回路における低雑音増幅器１４の代りに３つの低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，５４を備えている。   Next, the effects of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example. FIG. 18 is a block diagram showing a circuit configuration of a high-frequency circuit of a comparative example. The high-frequency circuit of this comparative example does not include the switch 11 and the balun 12 in the high-frequency circuit shown in FIG. 17, but includes a switch 51 instead of the switch 1 in the high-frequency circuit shown in FIG. A duplexer 19 is provided in place of the duplexer 9 in the high-frequency circuit, two BPFs 15A and 15B are provided in place of the BPF 13B in the high-frequency circuit shown in FIG. 17, and three low-noise amplifiers 14 in the high-frequency circuit shown in FIG. Low noise amplifiers 34A, 34B, and 54 are provided.

スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。デュプレクサ１９は、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９ａ，１９ｂとを有している。   The switch 51 has five ports 51a, 51b, 51c, 51d, and 51e, and selectively connects the port 51a to any of the ports 51b, 51c, 51d, and 51e. The port 51a is connected to the antenna 101. The duplexer 19 has first to third ports and two BPFs 19a and 19b.

ポート５１ｂは、デュプレクサ１９の第１のポートに接続されている。ポート５１ｃは、ＢＰＦ１５Ａの入力端に接続されている。ポート５１ｄは、ＢＰＦ１５Ｂの入力端に接続されている。ポート５１ｅは、ＢＰＦ５の出力端に接続されている。   The port 51 b is connected to the first port of the duplexer 19. The port 51c is connected to the input end of the BPF 15A. The port 51d is connected to the input end of the BPF 15B. The port 51e is connected to the output end of the BPF 5.

デュプレクサ１９において、ＢＰＦ１９ａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９ｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。デュプレクサ１９の第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９の第３のポートは、低雑音増幅器５４の入力端に接続されている。低雑音増幅器５４は、差動入出力型である。   In the duplexer 19, the BPF 19a is provided between the first port and the second port, and the BPF 19b is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 19 is connected to the output terminal of the power amplifier 8. The third port of the duplexer 19 outputs a received signal in the form of a balanced signal. The third port of the duplexer 19 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 54. The low noise amplifier 54 is a differential input / output type.

ＢＰＦ１５Ａの出力端は、低雑音増幅器３４Ａの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ｂの出力端は、低雑音増幅器３４Ｂの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂは、いずれも、差動入出力型である。   The output end of the BPF 15A is connected to the input end of the low noise amplifier 34A. The output end of the BPF 15B is connected to the input end of the low noise amplifier 34B. Each of the BPFs 15A and 15B outputs a reception signal in the form of a balanced signal. The low noise amplifiers 34A and 34B are both differential input / output types.

比較例の高周波回路では、送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   In the high-frequency circuit of the comparative example, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51e when transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 51 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101. When transmitting the transmission signal UMTS Tx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b. In this state, the transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is sequentially supplied to the antenna 101 through the BPF 7, the power amplifier 8, the BPF 19 a of the duplexer 19, and the switch 51, and is transmitted from the antenna 101.

また、受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ａを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換され、低雑音増幅器３４Ａによって増幅されてＩＣ２に入力される。   Further, when receiving the reception signal GSM Rx1, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51c. In this state, the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, passes through the BPF 15A, and is converted into the received signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and the low noise amplifier 34A. And is input to IC2.

また、受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１を通過し、ＢＰＦ１５Ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換され、低雑音増幅器３４Ｂによって増幅されてＩＣ２に入力される。   Further, when receiving the reception signal GSM Rx2, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51d. In this state, the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, passes through the BPF 15B, and is converted into the received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal, and the low noise amplifier 34B. And is input to IC2.

また、受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１を通過し、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換され、低雑音増幅器５４によって増幅されてＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b. In this state, the received signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, passes through the BPF 19b of the duplexer 19, and is converted into a received signal UMTS Rx in the form of a balanced signal. Amplified by the noise amplifier 54 and input to the IC 2.

比較例の高周波回路では、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂ、ＢＰＦ１５Ａ，１５Ｂおよび低雑音増幅器３４Ａ，３４Ｂ，５４が受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１４に示した高周波回路と同様である。   In the high frequency circuit of the comparative example, the BPF 19b, BPF 15A, 15B and the low noise amplifiers 34A, 34B, 54 of the duplexer 19 constitute a receiving circuit. Other configurations of the high-frequency circuit of the comparative example are the same as those of the high-frequency circuit shown in FIG.

図１８に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が３つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、３つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を２つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ１１の出力ポート１１ｃより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を２つ減らすことができるが、新たにスイッチ１１が必要になる。しかし、スイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。   In the comparative example shown in FIG. 18, three relatively expensive low-noise amplifiers are required. As a result, it is difficult to reduce the size and cost of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. On the other hand, in the present embodiment, since one low noise amplifier 14 is shared by the three reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2, the number of low noise amplifiers included in the reception circuit compared to the comparative example. As a result, it is possible to reduce the size and cost of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. In the present embodiment, the balun 12 converts the reception signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 11 c of the switch 11 into a reception signal in the form of a balanced signal and outputs the received signal to the low noise amplifier 14. Therefore, the differential input / output low noise amplifier 14 can be used, and as a result, the receiving sensitivity can be improved. In the present embodiment, two low noise amplifiers can be reduced as compared with the comparative example, but a new switch 11 is required. However, since the switch is less expensive than the low noise amplifier, the cost can be reduced in this embodiment compared to the comparative example.

ところで、図１８に示した比較例では、デュプレクサ１９のＢＰＦ１９ｂより出力される平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器５４によって増幅している。このような構成の場合には、受信信号UMTS Rxにおけるコモンモードノイズが低減されて、受信信号UMTS Rxの受信感度が向上するため、低雑音増幅器５４とＩＣ２との間の受信信号UMTS Rxの信号経路にＢＰＦを設ける必要がない。   In the comparative example shown in FIG. 18, the reception signal UMTS Rx in the form of a balanced signal output from the BPF 19 b of the duplexer 19 is amplified by the low noise amplifier 54. In such a configuration, the common mode noise in the reception signal UMTS Rx is reduced and the reception sensitivity of the reception signal UMTS Rx is improved. Therefore, the signal of the reception signal UMTS Rx between the low noise amplifier 54 and the IC 2 is improved. There is no need to provide a BPF in the route.

上述のように平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを低雑音増幅器によって増幅する構成の場合には、本実施の形態のように、ＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxとで低雑音増幅器１４を共用しても、低雑音増幅器１４とＩＣ２との間の受信信号の信号経路にＢＰＦを設ける必要がなく、ＢＰＦによるＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2の損失の増加も発生しない。   In the case where the reception signal UMTS Rx in the form of the balanced signal is amplified by the low noise amplifier as described above, the GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2 and the UMTS reception signal are used as in the present embodiment. Even if the low noise amplifier 14 is shared by the UMTS Rx, it is not necessary to provide a BPF in the signal path of the reception signal between the low noise amplifier 14 and the IC 2, and the GSM reception signals GSM Rx 1 and GSM Rx 2 by the BPF are not required. There is no increase in loss.

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ｂの少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。   In addition to the switch 11 and the balun 12, the high-frequency electronic component according to the present embodiment includes at least one of the low noise amplifier 14 and the BPF 13B, as in the first to third modifications in the first embodiment. May be provided. Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the second embodiment.

［第４の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１９は、本実施の形態に係る高周波電子部品４６を含む高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、第２および第３の実施の形態と同様に、２つのＧＳＭ方式の信号と、１つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。 [Fourth Embodiment]
Next, with reference to FIG. 19, the high frequency electronic component which concerns on the 4th Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 19 is a block diagram showing a circuit configuration of an example of a high frequency circuit including the high frequency electronic component 46 according to the present embodiment. As in the second and third embodiments, this high-frequency circuit processes two GSM signals and one UMTS signal.

図１９に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ５１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ５１は、５つのポート５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを有し、ポート５１ａをポート５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのいずれかに選択的に接続する。ポート５１ａは、アンテナ１０１に接続されている。   The high-frequency circuit shown in FIG. 19 includes an antenna 101, a switch 51, and IC2. The switch 51 has five ports 51a, 51b, 51c, 51d, and 51e, and selectively connects the port 51a to any of the ports 51b, 51c, 51d, and 51e. The port 51a is connected to the antenna 101.

本実施の形態では、ＩＣ２は、第３の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Txと２つのＧＳＭ方式の送信信号GSM Tx1，GSM Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する２つの送信信号GSM Tx1，GSM Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、第３の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxと２つのＧＳＭ方式の受信信号GSM Rx1，GSM Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。   In the present embodiment, the IC 2 generates and outputs a UMTS transmission signal UMTS Tx and two GSM transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 as in the third embodiment. The transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is in the form of an unbalanced signal, and the two transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 output from the IC 2 are both in the form of a balanced signal. Similarly to the third embodiment, the IC 2 receives a UMTS reception signal UMTS Rx and two GSM reception signals GSM Rx1 and GSM Rx2. The reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2 received by the IC 2 are all in the form of balanced signals.

本実施の形態では、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、この場合、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯が近いバンドＶ，VI，VIIIのいずれかにおける送信信号および受信信号である。   In the present embodiment, the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are the transmission signal and the reception signal in one of the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) that are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. In this case, the transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are a transmission signal and a reception signal in the other of the GM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM). In this case, the transmission signal UMTS Tx and the reception signal UMTS Rx are any one of the bands V, VI, and VIII that are close in frequency band to the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) among the 10 bands shown in Table 2. The transmission signal and the reception signal in FIG.

また、送信信号GSM Tx1および受信信号GSM Rx1が、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM Tx2および受信信号GSM Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、この場合には、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯が近いバンドI，II，III，IV，IX，Ｘのいずれかにおける送信信号および受信信号である。   Further, when the transmission signal GSM Tx1 and the reception signal GSM Rx1 are transmission signals and reception signals in one of the GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS), which are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. The transmission signal GSM Tx2 and the reception signal GSM Rx2 are a transmission signal and a reception signal in the other of the GSM1800 (DCS) and the GSM1900 (PCS). In this case, the transmission signal UMTS Tx and the reception signal UMTS Rx are the bands I, II, III, and GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS) of the 10 bands shown in Table 2 that are close in frequency band. A transmission signal and a reception signal in any one of IV, IX, and X.

本実施の形態における高周波回路は、第３の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４６を備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、ＢＰＦ１３Ａを備えている。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図１７に示した第３の実施の形態における高周波回路と同様である。   The high-frequency circuit in the present embodiment includes a high-frequency electronic component 46 according to the present embodiment instead of the high-frequency electronic component 10 according to the third embodiment. In addition, the high-frequency circuit in the present embodiment includes a BPF 13A. The other configuration of the high-frequency circuit in the present embodiment is the same as that of the high-frequency circuit in the third embodiment shown in FIG.

高周波電子部品４６は、入力端子４６ａ，４６ｂ，４６ｃと、出力端子４６ｄ１，４６ｄ２と、スイッチ４７と、バラン１２とを備えている。スイッチ４７は、３つの入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃと１つの出力ポート４７ｄとを有し、出力ポート４７ｄを入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high frequency electronic component 46 includes input terminals 46 a, 46 b, 46 c, output terminals 46 d 1, 46 d 2, a switch 47, and the balun 12. The switch 47 has three input ports 47a, 47b, 47c and one output port 47d, and selectively connects the output port 47d to any one of the input ports 47a, 47b, 47c. The balun 12 has one unbalanced input end and two balanced output ends.

デュプレクサ９の第１のポートは、スイッチ５１のポート５１ｂに接続されている。また、デュプレクサ９の第２のポートは、電力増幅器８の出力端に接続されている。また、デュプレクサ９の第３のポートは、高周波電子部品４６の入力端子４６ａに接続されている。   The first port of the duplexer 9 is connected to the port 51 b of the switch 51. The second port of the duplexer 9 is connected to the output terminal of the power amplifier 8. The third port of the duplexer 9 is connected to the input terminal 46 a of the high frequency electronic component 46.

送信信号GSM Tx1，GSM Tx2を増幅する電力増幅器４の不平衡出力端は、ＬＰＦ５を介して、スイッチ５１のポート５１ｅに接続されている。   The unbalanced output terminal of the power amplifier 4 that amplifies the transmission signals GSM Tx1 and GSM Tx2 is connected to the port 51e of the switch 51 via the LPF 5.

ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの入力端は、それぞれスイッチ５１のポート５１ｃ，５１ｄに接続されている。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６の入力端子４６ｂ，４６ｃに接続されている。   Each of the BPFs 13A and 13B has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The input ends of the BPFs 13A and 13B are connected to the ports 51c and 51d of the switch 51, respectively. The output ends of the BPFs 13A and 13B are connected to input terminals 46b and 46c of the high frequency electronic component 46, respectively.

スイッチ４７の入力ポート４７ａ，４７ｂ，４７ｃは、それぞれ高周波電子部品４６の入力端子４６ａ，４６ｂ，４６ｃに接続されている。スイッチ４７の出力ポート４７ｄは、バラン１２の不平衡入力端に接続されている。バラン１２の２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６の出力端子４６ｄ１，４６ｄ２に接続されている。低雑音増幅器１４の２つの差動入力端は、高周波電子部品４６の２つの出力端子４６ｄ１，４６ｄ２に接続されている。   The input ports 47a, 47b, 47c of the switch 47 are connected to input terminals 46a, 46b, 46c of the high frequency electronic component 46, respectively. The output port 47 d of the switch 47 is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12. The two balanced output terminals of the balun 12 are connected to the output terminals 46 d 1 and 46 d 2 of the high frequency electronic component 46. Two differential input terminals of the low noise amplifier 14 are connected to two output terminals 46 d 1 and 46 d 2 of the high frequency electronic component 46.

本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂ、高周波電子部品４６、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂおよび低雑音増幅器１４が受信回路を構成する。   In the high frequency circuit according to the present embodiment, the BPF 9b of the duplexer 9, the high frequency electronic component 46, the BPFs 13A and 13B, and the low noise amplifier 14 constitute a receiving circuit.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM Tx1，送信信号GSM Tx2と、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを生成し出力する。   Next, the operation of the high frequency circuit including the high frequency electronic component 46 according to the present embodiment will be described. The IC 2 generates and outputs a transmission signal GSM Tx1, a transmission signal GSM Tx2 that are in the form of balanced signals, and a transmission signal UMTS Tx that is in the form of an unbalanced signal.

送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2の送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2は、バラン３によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Tx1または送信信号GSM Tx2に変換された後、電力増幅器４、ＬＰＦ５およびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51e. In this state, the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of a balanced signal output by the IC 2 is converted into the transmission signal GSM Tx1 or the transmission signal GSM Tx2 in the form of an unbalanced signal by the balun 3, and then the power The signal passes through the amplifier 4, the LPF 5 and the switch 51 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ７、電力増幅器８、デュプレクサ９のＢＰＦ９ａおよびスイッチ５１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS Tx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b. In this state, the transmission signal UMTS Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7, the power amplifier 8, the BPF 9 a of the duplexer 9 and the switch 51 in order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM Rx1の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｃに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号GSM Rx1は、スイッチ５１、ＢＰＦ１３Ａおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx1は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM Rx1, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51c, and the output port 47d of the switch 47 is connected to the input port 47b. In this state, the received signal GSM Rx1 received by the antenna 101 passes through the switch 51, the BPF 13A, and the switch 47 in order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47 into a received signal GSM Rx1 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx1 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号GSM Rx2の受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｄに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号GSM Rx2は、スイッチ５１、ＢＰＦ１３Ｂおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号GSM Rx2は、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM Rx2, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51d, and the output port 47d of the switch 47 is connected to the input port 47c. In this state, the received signal GSM Rx2 received by the antenna 101 passes through the switch 51, the BPF 13B, and the switch 47 in order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the received signal GSM Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47 into a received signal GSM Rx2 in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output type low noise amplifier 14. . The received signal GSM Rx2 input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC2.

受信信号UMTS Rxの受信時には、スイッチ５１のポート５１ａはポート５１ｂに接続され、スイッチ４７の出力ポート４７ｄは入力ポート４７ａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxは、スイッチ５１、デュプレクサ９のＢＰＦ９ｂおよびスイッチ４７を順に通過して、バラン１２に入力される。バラン１２は、スイッチ４７より出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４に対して出力する。低雑音増幅器１４に入力された受信信号UMTS Rxは、低雑音増幅器１４によって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS Rx, the port 51a of the switch 51 is connected to the port 51b, and the output port 47d of the switch 47 is connected to the input port 47a. In this state, the reception signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 51, the BPF 9b of the duplexer 9, and the switch 47 in order, and is input to the balun 12. The balun 12 converts the reception signal UMTS Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 47 into a reception signal UMTS Rx in the form of a balanced signal, and outputs it to the differential input / output type low noise amplifier 14. . The received signal UMTS Rx input to the low noise amplifier 14 is amplified by the low noise amplifier 14 and input to the IC 2.

本実施の形態では、３つの受信信号UMTS Rx，GSM Rx1，GSM Rx2で１つの低雑音増幅器１４を共用するため、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を１つにすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２によって、スイッチ４７の出力ポート４７ｄより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４に対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４を用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。   In the present embodiment, since one low noise amplifier 14 is shared by three reception signals UMTS Rx, GSM Rx1, and GSM Rx2, the number of low noise amplifiers included in the reception circuit can be reduced to one. As a result, it is possible to reduce the size and cost of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit. Further, in the present embodiment, the balun 12 converts the reception signal in the form of an unbalanced signal output from the output port 47d of the switch 47 into a reception signal in the form of a balanced signal and outputs it to the low noise amplifier 14. Therefore, the differential input / output low noise amplifier 14 can be used, and as a result, the receiving sensitivity can be improved.

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１およびバラン１２に加えて、低雑音増幅器１４とＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。   Note that the high-frequency electronic component according to the present embodiment includes the low noise amplifier 14 and the BPFs 13A and 13B in addition to the switch 11 and the balun 12, as in the first to third modifications of the first embodiment. At least one of them may be provided. Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the third embodiment.

［第５の実施の形態］
次に、図２０を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２０は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈを含む高周波回路を示している。この高周波回路は、４つのＧＳＭ方式の信号と、２つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。 [Fifth Embodiment]
Next, with reference to FIG. 20, the high frequency electronic component which concerns on the 5th Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 20 shows a high-frequency circuit including two high-frequency electronic components 10L and 10H according to the present embodiment. This high-frequency circuit processes four GSM signals and two UMTS signals.

図２０に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ６１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ６１は、７つのポート６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆ，６１ｇを有し、ポート６１ａをポート６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆ，６１ｇのいずれかに選択的に接続する。ポート６１ａは、アンテナ１０１に接続されている。   The high-frequency circuit shown in FIG. 20 includes an antenna 101, a switch 61, and IC2. The switch 61 has seven ports 61a, 61b, 61c, 61d, 61e, 61f, and 61g, and selectively connects the port 61a to any of the ports 61b, 61c, 61d, 61e, 61f, and 61g. The port 61a is connected to the antenna 101.

本実施の形態では、ＩＣ２は、２つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txと４つのＧＳＭ方式の送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する２つの送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txは、いずれも不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する４つの送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の２つ受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rxと４つのＧＳＭ方式の受信信号GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。   In the present embodiment, the IC 2 includes two UMTS transmission signals UMTS-L Tx and UMTS-H Tx and four GSM transmission signals GSM-L Tx1, GSM-L Tx2, GSM-H Tx1, and GSM- H Tx2 is generated and output. The two transmission signals UMTS-L Tx and UMTS-H Tx output from the IC 2 are both in the form of an unbalanced signal, and the four transmission signals GSM-L Tx1, GSM-L Tx2 and GSM-H output from the IC 2 are used. Tx1 and GSM-H Tx2 are both in the form of balanced signals. Further, the IC 2 receives two UMTS reception signals UMTS-L Rx and UMTS-H Rx and four GSM reception signals GSM-L Rx1, GSM-L Rx2, GSM-H Rx1, and GSM-H Rx2. receive. The reception signals UMTS-L Rx, UMTS-H Rx, GSM-L Rx1, GSM-L Rx2, GSM-H Rx1, and GSM-H Rx2 received by the IC 2 are all in the form of balanced signals.

本実施の形態では、送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号である。   In the present embodiment, the transmission signal GSM-L Tx1 and the reception signal GSM-L Rx1 are transmitted in one of the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) that are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. Signal and received signal.

送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1が、GSM850(AGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GSM850(AGSM)と周波数帯の近いGSM900(EGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)と周波数帯が同一のバンドＶにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM-L Tx1 and the reception signal GSM-L Rx1 are transmission signals and reception signals in the GSM850 (AGSM), the transmission signal GSM-L Tx2 and the reception signal GSM-L Rx2 are GSM850 (AGSM) The transmission signal and the reception signal in GSM900 (EGSM), which are close to the frequency band, and the transmission signal UMTS-L Tx and the reception signal UMTS-L Rx are the same as GSM850 (AGSM) and the frequency among the 10 bands shown in Table 2. A transmission signal and a reception signal in the same band V.

送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1が、GSM900(EGSM)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GSM900(EGSM)と周波数帯の近いGSM850(AGSM)おける送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM900(EGSM)と周波数帯が同一のバンドVIIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM-L Tx1 and the reception signal GSM-L Rx1 are transmission signals and reception signals in GSM900 (EGSM), the transmission signal GSM-L Tx2 and the reception signal GSM-L Rx2 are GSM900 (EGSM) The transmission signal and the reception signal in the GSM850 (AGSM), which are close to the frequency band, and the transmission signal UMTS-L Tx and the reception signal UMTS-L Rx are the frequencies of the GSM900 (EGSM) and the frequency among the 10 bands shown in Table 2 A transmission signal and a reception signal in the same band VIII.

また、送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号である。   Further, the transmission signal GSM-H Tx1 and the reception signal GSM-H Rx1 are the transmission signal and the reception signal in one of the four systems shown in Table 1 in the GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS) that are close in frequency band. It is.

送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1が、GSM1800(DCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1800(DCS)と周波数帯の近いGSM1900(PCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)と周波数帯が同一のバンドIIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM-H Tx1 and the reception signal GSM-H Rx1 are transmission signals and reception signals in the GSM1800 (DCS), the transmission signal GSM-H Tx2 and the reception signal GSM-H Rx2 are GSM1800 (DCS) The transmission signal and the reception signal in GSM1900 (PCS), which are close to the frequency band, and the transmission signal UMTS-H Tx and the reception signal UMTS-H Rx are GSM1800 (DCS) and frequency in the 10 bands shown in Table 2. It is a transmission signal and a reception signal in the same band III.

送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1が、GSM1900(PCS)における送信信号および受信信号である場合には、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1900(PCS)と周波数帯の近いGSM1800(DCS)における送信信号および受信信号であり、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1900(PCS)と周波数帯が同一のバンドIIにおける送信信号および受信信号である。   When the transmission signal GSM-H Tx1 and the reception signal GSM-H Rx1 are transmission signals and reception signals in the GSM1900 (PCS), the transmission signal GSM-H Tx2 and the reception signal GSM-H Rx2 are GSM1900 (PCS) The transmission signal and the reception signal in GSM1800 (DCS), which are close to the frequency band, and the transmission signal UMTS-H Tx and the reception signal UMTS-H Rx are GSM1900 (PCS) and frequency in the 10 bands shown in Table 2 A transmission signal and a reception signal in the same band II.

本実施の形態における高周波回路は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈと、２つのデュプレクサ９Ｌ，９Ｈと、４つのＢＰＦ７Ｌ，７Ｈ，１３Ｌ，１３Ｈと、２つのＬＰＦ５Ｌ，５Ｈと、２つのバラン３Ｌ，３Ｈと、４つの電力増幅器４Ｌ，４Ｈ，８Ｌ，８Ｈと、２つの低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈとを備えている。   The high-frequency circuit in the present embodiment includes two high-frequency electronic components 10L and 10H according to the present embodiment, two duplexers 9L and 9H, four BPFs 7L, 7H, 13L, and 13H, and two LPFs 5L and 5H. Two baluns 3L, 3H, four power amplifiers 4L, 4H, 8L, 8H and two low noise amplifiers 14L, 14H are provided.

高周波電子部品１０Ｌは、入力端子１０Ｌａ，１０Ｌｂと、出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２と、スイッチ１１Ｌと、バラン１２Ｌとを備えている。スイッチ１１Ｌは、２つの入力ポート１１Ｌａ，１１Ｌｂと１つの出力ポート１１Ｌｃとを有し、出力ポート１１Ｌｃを入力ポート１１Ｌａ，１１Ｌｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｌは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high frequency electronic component 10L includes input terminals 10La and 10Lb, output terminals 10Lc1 and 10Lc2, a switch 11L, and a balun 12L. The switch 11L has two input ports 11La and 11Lb and one output port 11Lc, and selectively connects the output port 11Lc to one of the input ports 11La and 11Lb. The balun 12L has one unbalanced input end and two balanced output ends.

スイッチ１１Ｌの入力ポート１１Ｌａは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌａに接続されている。スイッチ１１Ｌの入力ポート１１Ｌｂは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌｂに接続されている。スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは、バラン１２Ｌの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｌの２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｌの出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２に接続されている。   The input port 11La of the switch 11L is connected to the input terminal 10La of the high frequency electronic component 10L. The input port 11Lb of the switch 11L is connected to the input terminal 10Lb of the high frequency electronic component 10L. The output port 11Lc of the switch 11L is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12L. The two balanced output terminals of the balun 12L are connected to the output terminals 10Lc1 and 10Lc2 of the high frequency electronic component 10L.

高周波電子部品１０Ｈは、入力端子１０Ｈａ，１０Ｈｂと、出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２と、スイッチ１１Ｈと、バラン１２Ｈとを備えている。スイッチ１１Ｈは、２つの入力ポート１１Ｈａ，１１Ｈｂと１つの出力ポート１１Ｈｃとを有し、出力ポート１１Ｈｃを入力ポート１１Ｈａ，１１Ｈｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｈは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high-frequency electronic component 10H includes input terminals 10Ha and 10Hb, output terminals 10Hc1 and 10Hc2, a switch 11H, and a balun 12H. The switch 11H has two input ports 11Ha and 11Hb and one output port 11Hc, and selectively connects the output port 11Hc to one of the input ports 11Ha and 11Hb. The balun 12H has one unbalanced input end and two balanced output ends.

スイッチ１１Ｈの入力ポート１１Ｈａは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈａに接続されている。スイッチ１１Ｈの入力ポート１１Ｈｂは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈｂに接続されている。スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは、バラン１２Ｈの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｈの２つの平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｈの出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２に接続されている。   The input port 11Ha of the switch 11H is connected to the input terminal 10Ha of the high frequency electronic component 10H. The input port 11Hb of the switch 11H is connected to the input terminal 10Hb of the high frequency electronic component 10H. The output port 11Hc of the switch 11H is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12H. The two balanced output terminals of the balun 12H are connected to the output terminals 10Hc1 and 10Hc2 of the high frequency electronic component 10H.

デュプレクサ９Ｌは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９Ｌａ，９Ｌｂとを有している。第１のポートは、スイッチ６１のポート６１ｂに接続されている。ＢＰＦ９Ｌａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９Ｌｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。デュプレクサ９Ｌの第３のポートは、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌａに接続されている。   The duplexer 9L has first to third ports and two BPFs 9La and 9Lb. The first port is connected to the port 61 b of the switch 61. The BPF 9La is provided between the first port and the second port. The BPF 9Lb is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 9L is connected to the output terminal of the power amplifier 8L. The third port of the duplexer 9L is connected to the input terminal 10La of the high frequency electronic component 10L.

デュプレクサ９Ｈは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ９Ｈａ，９Ｈｂとを有している。第１のポートは、スイッチ６１のポート６１ｅに接続されている。ＢＰＦ９Ｈａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ９Ｈｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。デュプレクサ９Ｈの第３のポートは、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈａに接続されている。   The duplexer 9H has first to third ports and two BPFs 9Ha and 9Hb. The first port is connected to the port 61 e of the switch 61. The BPF 9Ha is provided between the first port and the second port. The BPF 9Hb is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 9H is connected to the output terminal of the power amplifier 8H. The third port of the duplexer 9H is connected to the input terminal 10Ha of the high frequency electronic component 10H.

ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈは、いずれも１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈの不平衡入力端には、それぞれＩＣ２より出力される不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txが入力される。ＢＰＦ７Ｌ，７Ｈの不平衡出力端は、それぞれ電力増幅器８Ｌ，８Ｈの入力端に接続されている。   The BPFs 7L and 7H each have one unbalanced input end and one unbalanced output end. Transmission signals UMTS-L Tx and UMTS-H Tx in the form of unbalanced signals output from the IC 2 are input to unbalanced input terminals of the BPFs 7L and 7H, respectively. The unbalanced output ends of the BPFs 7L and 7H are connected to the input ends of the power amplifiers 8L and 8H, respectively.

バラン３Ｌ，３Ｈは、いずれも、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン３Ｌの２つの平衡入力端には、ＩＣ２より出力される送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2が入力される。バラン３Ｈの２つの平衡入力端には、ＩＣ２より出力される送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2が入力される。電力増幅器４Ｌ，４Ｈは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。電力増幅器４Ｌ，４Ｈの不平衡入力端は、それぞれバラン３Ｌ，３Ｈの不平衡出力端に接続されている。電力増幅器４Ｌ，４Ｈの不平衡出力端は、それぞれＬＰＦ５Ｌ，５Ｈを介して、スイッチ６１のポート６１ｄ，６１ｇに接続されている。   Each of the baluns 3L and 3H has two balanced input ends and one unbalanced output end. The transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2 output from the IC 2 is input to the two balanced input terminals of the balun 3L. The transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2 output from the IC 2 is input to the two balanced input terminals of the balun 3H. Each of the power amplifiers 4L and 4H has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The unbalanced input terminals of the power amplifiers 4L and 4H are connected to the unbalanced output terminals of the baluns 3L and 3H, respectively. The unbalanced output terminals of the power amplifiers 4L and 4H are connected to the ports 61d and 61g of the switch 61 via the LPFs 5L and 5H, respectively.

ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈの不平衡入力端は、それぞれスイッチ１のポート６１ｃ，６１ｆに接続されている。ＢＰＦ１３Ｌの不平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｌの入力端子１０Ｌｂに接続され、ＢＰＦ１３Ｈの不平衡出力端は、高周波電子部品１０Ｈの入力端子１０Ｈｂに接続されている。   Each of the BPFs 13L and 13H has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The unbalanced input ends of the BPFs 13L and 13H are connected to the ports 61c and 61f of the switch 1, respectively. The unbalanced output end of the BPF 13L is connected to the input terminal 10Lb of the high frequency electronic component 10L, and the unbalanced output end of the BPF 13H is connected to the input terminal 10Hb of the high frequency electronic component 10H.

低雑音増幅器１４Ｌは、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動入力端は、高周波電子部品１０Ｌの２つの出力端子１０Ｌｃ１，１０Ｌｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動出力端は、ＩＣ２に対して平衡信号の形態の受信信号を出力する。   The low noise amplifier 14L has two differential input ends and two differential output ends. Two differential input terminals of the low noise amplifier 14L are connected to two output terminals 10Lc1 and 10Lc2 of the high frequency electronic component 10L. The two differential output terminals of the low noise amplifier 14L output a reception signal in the form of a balanced signal to the IC2.

低雑音増幅器１４Ｈは、２つの差動入力端と２つの差動出力端とを有している。低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動入力端は、高周波電子部品１０Ｈの２つの出力端子１０Ｈｃ１，１０Ｈｃ２に接続されている。低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動出力端は、ＩＣ２に対して平衡信号の形態の受信信号を出力する。   The low noise amplifier 14H has two differential input ends and two differential output ends. Two differential input terminals of the low noise amplifier 14H are connected to two output terminals 10Hc1 and 10Hc2 of the high frequency electronic component 10H. The two differential output terminals of the low noise amplifier 14H output a reception signal in the form of a balanced signal to the IC2.

本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂ、高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈ、ＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈおよび低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈが受信回路を構成する。   In the high frequency circuit according to the present embodiment, the BPF 9Lb of the duplexer 9L, the BPF 9Hb of the duplexer 9H, the high frequency electronic components 10L and 10H, the BPFs 13L and 13H, and the low noise amplifiers 14L and 14H constitute a receiving circuit.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈを含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2と、いずれも不平衡信号の形態である送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txとを生成し出力する。   Next, the operation of the high frequency circuit including the high frequency electronic components 10L and 10H according to the present embodiment will be described. The IC 2 includes transmission signals GSM-L Tx1, GSM-L Tx2, GSM-H Tx1, and GSM-H Tx2 that are all in the form of balanced signals, and transmission signals UMTS-L Tx that are all in the form of unbalanced signals. Generate and output UMTS-H Tx.

送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｄに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61d. In this state, the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3L in the form of the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, it passes through the power amplifier 4L, the LPF 5L, and the switch 61 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌａおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS-L Tx, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61b. In this state, the transmission signal UMTS-L Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7L, the power amplifier 8L, the BPF 9La of the duplexer 9L, and the switch 61 in this order, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｇに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61g. In this state, the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3H in the form of the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, the power passes through the power amplifier 4H, the LPF 5H, and the switch 61 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈａおよびスイッチ６１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS-H Tx, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61e. In this state, the transmission signal UMTS-H Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7H, the power amplifier 8H, the BPF 9Ha of the duplexer 9H, and the switch 61 in this order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ６１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx1は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-L Rx1, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61b, and the output port 11Lc of the switch 11L is connected to the input port 11La. In this state, the received signal GSM-L Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 sequentially passes through the switch 61, the BPF 9Lb of the duplexer 9L, and the switch 11L, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal GSM-L Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11L into a received signal GSM-L Rx1 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14L. Output. The received signal GSM-L Rx1 input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｃに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ６１、ＢＰＦ１３Ｌおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx2は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-L Rx2, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61c, and the output port 11Lc of the switch 11L is connected to the input port 11Lb. In this state, the received signal GSM-L Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 61, the BPF 13L, and the switch 11L in order, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal GSM-L Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11L into a received signal GSM-L Rx2 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14L. Output. The received signal GSM-L Rx2 input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｂに接続され、スイッチ１１Ｌの出力ポート１１Ｌｃは入力ポート１１Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ６１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ１１Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ１１Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号UMTS-L Rxは、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS-L Rx, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61b, and the output port 11Lc of the switch 11L is connected to the input port 11La. In this state, the reception signal UMTS-L Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 61, the BPF 9Lb of the duplexer 9L, and the switch 11L in order, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal UMTS-L Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 11L into a received signal UMTS-L Rx in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output low noise amplifier 14L. Output. The received signal UMTS-L Rx input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ６１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx1は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-H Rx1, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61e, and the output port 11Hc of the switch 11H is connected to the input port 11Ha. In this state, the received signal GSM-H Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 sequentially passes through the switch 61, the BPF 9Hb of the duplexer 9H, and the switch 11H, and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal GSM-H Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11H into a received signal GSM-H Rx1 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14H. Output. The received signal GSM-H Rx1 input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｆに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ６１、ＢＰＦ１３Ｈおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx2は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-H Rx2, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61f, and the output port 11Hc of the switch 11H is connected to the input port 11Hb. In this state, the received signal GSM-H Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 61, the BPF 13H, and the switch 11H in order and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal GSM-H Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 11H into a received signal GSM-H Rx2 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output low noise amplifier 14H. Output. The received signal GSM-H Rx2 input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ６１のポート６１ａはポート６１ｅに接続され、スイッチ１１Ｈの出力ポート１１Ｈｃは入力ポート１１Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ６１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ１１Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ１１Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号UMTS-H Rxは、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS-H Rx, the port 61a of the switch 61 is connected to the port 61e, and the output port 11Hc of the switch 11H is connected to the input port 11Ha. In this state, the received signal UMTS-H Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 61, the BPF 9Hb of the duplexer 9H, and the switch 11H in this order, and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal UMTS-H Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 11H into a received signal UMTS-H Rx in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14H. Output. The reception signal UMTS-H Rx input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図２１は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図２０に示した高周波回路におけるスイッチ１１Ｌ，１１Ｈおよびバラン１２Ｌ，１２Ｈを備えておらず、図２０に示した高周波回路におけるスイッチ６１の代りにスイッチ７１を備え、図２０に示した高周波回路におけるデュプレクサ９Ｌ，９Ｈの代りにデュプレクサ１９Ｌ，１９Ｈを備えている。また、比較例の高周波回路は、図２０に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｌの代りに２つのＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢを備え、図２０に示した高周波回路におけるＢＰＦ１３Ｈの代りに２つのＢＰＦ１５ＨＡ，１５ＨＢを備え、図２０に示した高周波回路における低雑音増幅器１４Ｌの代りに３つの低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢ，５４Ｌを備え、図２０に示した高周波回路における低雑音増幅器１４Ｈの代りに３つの低雑音増幅器３４ＨＡ，３４ＨＢ，５４Ｈを備えている。   Next, the effects of the present embodiment will be described in comparison with a comparative example. FIG. 21 is a block diagram illustrating a circuit configuration of a high-frequency circuit of a comparative example. The high-frequency circuit of this comparative example does not include the switches 11L and 11H and the baluns 12L and 12H in the high-frequency circuit shown in FIG. 20, but includes a switch 71 instead of the switch 61 in the high-frequency circuit shown in FIG. Duplexers 19L and 19H are provided instead of the duplexers 9L and 9H in the high-frequency circuit shown in FIG. Further, the high frequency circuit of the comparative example includes two BPFs 15LA and 15LB instead of the BPF 13L in the high frequency circuit shown in FIG. 20, and includes two BPFs 15HA and 15HB instead of the BPF 13H in the high frequency circuit shown in FIG. 20 includes three low noise amplifiers 34LA, 34LB, 54L instead of the low noise amplifier 14L in the high frequency circuit shown in FIG. 20, and three low noise amplifiers 34HA, 34HB instead of the low noise amplifier 14H in the high frequency circuit shown in FIG. , 54H.

スイッチ７１は、９つのポート７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉを有し、ポート７１ａをポート７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉのいずれかに選択的に接続する。ポート７１ａは、アンテナ１０１に接続されている。デュプレクサ１９Ｌは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９Ｌａ，１９Ｌｂとを有している。デュプレクサ１９Ｈは、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ１９Ｈａ，１９Ｈｂとを有している。   The switch 71 has nine ports 71a, 71b, 71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 71h, 71i, and the port 71a is any of the ports 71b, 71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 71h, 71i. Selectively connect to. The port 71a is connected to the antenna 101. The duplexer 19L has first to third ports and two BPFs 19La and 19Lb. The duplexer 19H has first to third ports and two BPFs 19Ha and 19Hb.

ポート７１ｂは、デュプレクサ１９Ｌの第１のポートに接続されている。ポート７１ｃは、ＢＰＦ１５ＬＡの入力端に接続されている。ポート７１ｄは、ＢＰＦ１５ＬＢの入力端に接続されている。ポート７１ｅは、ＢＰＦ５Ｌの出力端に接続されている。ポート７１ｆは、デュプレクサ１９Ｈの第１のポートに接続されている。ポート７１ｇは、ＢＰＦ１５ＨＡの入力端に接続されている。ポート７１ｈは、ＢＰＦ１５ＨＢの入力端に接続されている。ポート７１ｉは、ＢＰＦ５Ｈの出力端に接続されている。   The port 71b is connected to the first port of the duplexer 19L. The port 71c is connected to the input end of the BPF 15LA. The port 71d is connected to the input end of the BPF 15LB. The port 71e is connected to the output end of the BPF 5L. The port 71f is connected to the first port of the duplexer 19H. The port 71g is connected to the input end of the BPF 15HA. The port 71h is connected to the input end of the BPF 15HB. The port 71i is connected to the output end of the BPF 5H.

デュプレクサ１９Ｌにおいて、ＢＰＦ１９Ｌａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９Ｌｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。デュプレクサ１９Ｌの第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９Ｌの第３のポートは、低雑音増幅器５４Ｌの入力端に接続されている。低雑音増幅器５４Ｌは、差動入出力型である。   In the duplexer 19L, the BPF 19La is provided between the first port and the second port, and the BPF 19Lb is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 19L is connected to the output terminal of the power amplifier 8L. The third port of the duplexer 19L outputs a reception signal in the form of a balanced signal. The third port of the duplexer 19L is connected to the input terminal of the low noise amplifier 54L. The low noise amplifier 54L is a differential input / output type.

デュプレクサ１９Ｈにおいて、ＢＰＦ１９Ｈａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられ、ＢＰＦ１９Ｈｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ１９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。デュプレクサ１９Ｈの第３のポートは、平衡信号の形態の受信信号を出力する。デュプレクサ１９Ｈの第３のポートは、低雑音増幅器５４Ｈの入力端に接続されている。低雑音増幅器５４Ｈは、差動入出力型である。   In the duplexer 19H, the BPF 19Ha is provided between the first port and the second port, and the BPF 19Hb is provided between the first port and the third port. The second port of the duplexer 19H is connected to the output terminal of the power amplifier 8H. The third port of the duplexer 19H outputs a received signal in the form of a balanced signal. The third port of the duplexer 19H is connected to the input terminal of the low noise amplifier 54H. The low noise amplifier 54H is a differential input / output type.

ＢＰＦ１５ＬＡの出力端は、低雑音増幅器３４ＬＡの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＬＢの出力端は、低雑音増幅器３４ＬＢの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢは、いずれも、差動入出力型である。   The output end of the BPF 15LA is connected to the input end of the low noise amplifier 34LA. The output end of the BPF 15LB is connected to the input end of the low noise amplifier 34LB. Each of the BPFs 15LA and 15LB outputs a reception signal in the form of a balanced signal. The low noise amplifiers 34LA and 34LB are both differential input / output types.

ＢＰＦ１５ＨＡの出力端は、低雑音増幅器３４ＨＡの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＨＢの出力端は、低雑音増幅器３４ＨＢの入力端に接続されている。ＢＰＦ１５ＨＡ，１５ＨＢは、いずれも平衡信号の形態の受信信号を出力する。低雑音増幅器３４ＨＡ，３４ＨＢは、いずれも、差動入出力型である。   The output end of the BPF 15HA is connected to the input end of the low noise amplifier 34HA. The output end of the BPF 15HB is connected to the input end of the low noise amplifier 34HB. Each of the BPFs 15HA and 15HB outputs a reception signal in the form of a balanced signal. The low noise amplifiers 34HA and 34HB are both differential input / output types.

比較例の高周波回路では、送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   In the high-frequency circuit of the comparative example, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71e when transmitting the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2. In this state, the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3L in the form of the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, the power passes through the power amplifier 4L, the LPF 5L, and the switch 71 in order, supplied to the antenna 101, and transmitted from the antenna 101. When transmitting the transmission signal UMTS-L Tx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71b. In this state, the transmission signal UMTS-L Tx output from the IC 2 sequentially passes through the BPF 7L, the power amplifier 8L, the BPF 19La of the duplexer 19L, and the switch 71, and is supplied to the antenna 101 and transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＬＡを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換され、低雑音増幅器３４ＬＡによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｄに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＬＢを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換され、低雑音増幅器３４ＬＢによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ７１を通過し、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換され、低雑音増幅器５４Ｌによって増幅されてＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-L Rx1, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71c. In this state, the received signal GSM-L Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 15LA, and is converted into a received signal GSM-L Rx1 in the form of a balanced signal, Amplified by the low noise amplifier 34LA and input to the IC2. When receiving the reception signal GSM-L Rx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71d. In this state, the received signal GSM-L Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 15LB, and is converted into a received signal GSM-L Rx2 in the form of a balanced signal, Amplified by the low noise amplifier 34LB and input to the IC2. When receiving the reception signal UMTS-L Rx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71b. In this state, the received signal UMTS-L Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 19Lb of the duplexer 19L, and becomes a received signal UMTS-L Rx in the form of a balanced signal. It is converted, amplified by the low noise amplifier 54L, and input to the IC2.

また、送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｉに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   Further, when transmitting the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71i. In this state, the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3H in the form of the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, the power passes through the power amplifier 4H, the LPF 5H, and the switch 71 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101. When transmitting the transmission signal UMTS-H Tx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71f. In this state, the transmission signal UMTS-H Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7H, the power amplifier 8H, the BPF 19Ha of the duplexer 19H, and the switch 71 in this order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｇに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＨＡを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換され、低雑音増幅器３４ＨＡによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｈに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ７１を通過し、ＢＰＦ１５ＨＢを通過して平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換され、低雑音増幅器３４ＨＢによって増幅されてＩＣ２に入力される。受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ７１を通過し、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈｂを通過して平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換され、低雑音増幅器５４Ｈによって増幅されてＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-H Rx1, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71g. In this state, the received signal GSM-H Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 15HA, and is converted into a received signal GSM-H Rx1 in the form of a balanced signal, Amplified by the low noise amplifier 34HA and input to the IC2. When receiving the reception signal GSM-H Rx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71h. In this state, the received signal GSM-H Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 15HB, and is converted into a received signal GSM-H Rx2 in the form of a balanced signal, Amplified by the low noise amplifier 34HB and input to the IC2. When receiving the reception signal UMTS-H Rx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71f. In this state, the received signal UMTS-H Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, passes through the BPF 19Hb of the duplexer 19H, and becomes a received signal UMTS-H Rx in the form of a balanced signal. It is converted, amplified by the low noise amplifier 54H, and input to the IC2.

比較例の高周波回路では、デュプレクサ１９ＬのＢＰＦ１９Ｌｂ、デュプレクサ１９ＨのＢＰＦ１９Ｈｂ、ＢＰＦ１５ＬＡ，１５ＬＢ，１５ＨＡ，１５ＨＢおよび低雑音増幅器３４ＬＡ，３４ＬＢ，３４ＨＡ，３４ＨＢ，５４Ｌ，５４Ｈが受信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図２０に示した高周波回路と同様である。   In the high-frequency circuit of the comparative example, the BPF 19Lb of the duplexer 19L, the BPF 19Hb of the duplexer 19H, BPF 15LA, 15LB, 15HA, and 15HB and the low noise amplifiers 34LA, 34LB, 34HA, 34HB, 54L, and 54H constitute a receiving circuit. Other configurations of the high-frequency circuit of the comparative example are the same as those of the high-frequency circuit shown in FIG.

図２１に示した比較例では、比較的高価な低雑音増幅器が６つ必要となり、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、３つの受信信号UMTS-L Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｌを共用し、３つの受信信号UMTS-H Rx，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｈを共用するため、比較例に比べて、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を４つ少なくすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２Ｌ，１２Ｈによって、スイッチ１１Ｌ，１１Ｈの出力ポート１１Ｌｃ，１１Ｌｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈに対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈを用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、低雑音増幅器を４つ減らすことができるが、新たにスイッチ１１Ｌ，１１Ｈが必要になる。しかし、スイッチは低雑音増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。   The comparative example shown in FIG. 21 requires six relatively expensive low-noise amplifiers, and as a result, miniaturization and cost reduction of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit are hindered. On the other hand, in this embodiment, one low noise amplifier 14L is shared by three received signals UMTS-L Rx, GSM-L Rx1, and GSM-L Rx2, and three received signals UMTS-H Rx, GSM- Since H Rx1 and GSM-H Rx2 share one low noise amplifier 14H, the number of low noise amplifiers included in the receiving circuit can be reduced by four compared to the comparative example. It is possible to reduce the size and cost of the high-frequency circuit of the mobile phone including it. In the present embodiment, the baluns 12L and 12H convert the received signal in the form of an unbalanced signal output from the output ports 11Lc and 11Lb of the switches 11L and 11H into the received signal in the form of a balanced signal, thereby reducing the noise. Since the signals are output to the amplifiers 14L and 14H, the differential input / output low noise amplifiers 14L and 14H can be used, and as a result, the reception sensitivity can be improved. In the present embodiment, four low-noise amplifiers can be reduced as compared with the comparative example, but switches 11L and 11H are newly required. However, since the switch is less expensive than the low noise amplifier, the cost can be reduced in this embodiment compared to the comparative example.

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｌは、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ１１Ｌおよびバラン１２Ｌに加えて、低雑音増幅器１４ＬとＢＰＦ１３Ｌの少なくとも一方を備えていてもよい。同様に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０Ｈは、スイッチ１１Ｈおよびバラン１２Ｈに加えて、低雑音増幅器１４ＨとＢＰＦ１３Ｈの少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。   In addition to the switch 11L and the balun 12L, the high-frequency electronic component 10L according to the present embodiment includes at least the low noise amplifier 14L and the BPF 13L, as in the first to third modifications in the first embodiment. One may be provided. Similarly, the high frequency electronic component 10H according to the present embodiment may include at least one of the low noise amplifier 14H and the BPF 13H in addition to the switch 11H and the balun 12H. Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

［第６の実施の形態］
次に、図２２を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２２は、本実施の形態に係る２つの高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを含む高周波回路を示している。この高周波回路は、第５の実施の形態と同様に、４つのＧＳＭ方式の信号と、２つのＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。 [Sixth Embodiment]
Next, with reference to FIG. 22, the high frequency electronic component which concerns on the 6th Embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 22 shows a high-frequency circuit including two high-frequency electronic components 46L and 46H according to the present embodiment. As in the fifth embodiment, this high-frequency circuit processes four GSM signals and two UMTS signals.

図２２に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ７１と、ＩＣ２とを備えている。スイッチ７１は、９つのポート７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉを有し、ポート７１ａをポート７１ｂ，７１ｃ，７１ｄ，７１ｅ，７１ｆ，７１ｇ，７１ｈ，７１ｉのいずれかに選択的に接続する。ポート７１ａは、アンテナ１０１に接続されている。   The high-frequency circuit shown in FIG. 22 includes an antenna 101, a switch 71, and IC2. The switch 71 has nine ports 71a, 71b, 71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 71h, 71i, and the port 71a is any of the ports 71b, 71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 71h, 71i. Selectively connect to. The port 71a is connected to the antenna 101.

本実施の形態では、ＩＣ２は、第５の実施の形態と同様に、２つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txと４つのＧＳＭ方式の送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2とを生成し出力する。ＩＣ２が出力する２つの送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txは、いずれも不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する４つの送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2は、いずれも平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、第５の実施の形態と同様に、ＵＭＴＳ方式の２つ受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rxと４つのＧＳＭ方式の受信信号GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2とを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS-L Rx，UMTS-H Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2は、いずれも平衡信号の形態である。   In the present embodiment, as in the fifth embodiment, the IC 2 has two UMTS transmission signals UMTS-L Tx and UMTS-H Tx and four GSM transmission signals GSM-L Tx1 and GSM- L Tx2, GSM-H Tx1, and GSM-H Tx2 are generated and output. The two transmission signals UMTS-L Tx and UMTS-H Tx output from the IC 2 are both in the form of an unbalanced signal, and the four transmission signals GSM-L Tx1, GSM-L Tx2 and GSM-H output from the IC 2 are used. Tx1 and GSM-H Tx2 are both in the form of balanced signals. Similarly to the fifth embodiment, the IC 2 has two UMTS reception signals UMTS-L Rx and UMTS-H Rx and four GSM reception signals GSM-L Rx1, GSM-L Rx2, and GSM. -H Rx1 and GSM-H Rx2 are received. The reception signals UMTS-L Rx, UMTS-H Rx, GSM-L Rx1, GSM-L Rx2, GSM-H Rx1, and GSM-H Rx2 received by the IC 2 are all in the form of balanced signals.

本実施の形態では、送信信号GSM-L Tx1および受信信号GSM-L Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの一方における送信信号および受信信号であり、送信信号GSM-L Tx2および受信信号GSM-L Rx2は、GM850(AGSM)とGSM900(EGSM)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号UMTS-L Txおよび受信信号UMTS-L Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯が近いバンドＶ，VI，VIIIのいずれかにおける送信信号および受信信号である。   In the present embodiment, the transmission signal GSM-L Tx1 and the reception signal GSM-L Rx1 are transmitted in one of the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) that are close in frequency band among the four systems shown in Table 1. The transmission signal GSM-L Tx2 and the reception signal GSM-L Rx2 are transmission signals and reception signals in the other of the GM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM). Further, the transmission signal UMTS-L Tx and the reception signal UMTS-L Rx are any of the bands V, VI, and VIII that are close in frequency band to the GSM850 (AGSM) and GSM900 (EGSM) among the 10 bands shown in Table 2. A transmission signal and a reception signal.

また、送信信号GSM-H Tx1および受信信号GSM-H Rx1は、表１に示した４つのシステムのうち周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの一方における送信信号および受信信号であり、送信信号GSM-H Tx2および受信信号GSM-H Rx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)のうちの他方における送信信号および受信信号である。また、送信信号UMTS-H Txおよび受信信号UMTS-H Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯が近いバンドI，II，III，IV，IX，Ｘのいずれかにおける送信信号および受信信号である。   Further, the transmission signal GSM-H Tx1 and the reception signal GSM-H Rx1 are the transmission signal and the reception signal in one of the four systems shown in Table 1 in the GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS) that are close in frequency band. The transmission signal GSM-H Tx2 and the reception signal GSM-H Rx2 are a transmission signal and a reception signal in the other of the GSM1800 (DCS) and the GSM1900 (PCS). Further, the transmission signal UMTS-H Tx and the reception signal UMTS-H Rx are the bands I, II, III, and IV of the 10 bands shown in Table 2 that are close in frequency band to GSM1800 (DCS) and GSM1900 (PCS). , IX, and X are a transmission signal and a reception signal.

本実施の形態における高周波回路は、第５の実施の形態に係る２つの高周波電子部品１０Ｌ，１０Ｈの代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを備えている。また、本実施の形態における高周波回路は、第５の実施の形態における２つのＢＰＦ１３Ｌ，１３Ｈの代りに４つのＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢを備えている。本実施の形態における高周波回路のその他の構成は、図２０に示した第５の実施の形態における高周波回路と同様である。   The high-frequency circuit according to the present embodiment includes high-frequency electronic components 46L and 46H according to the present embodiment instead of the two high-frequency electronic components 10L and 10H according to the fifth embodiment. The high-frequency circuit according to the present embodiment includes four BPFs 13LA, 13LB, 13HA, and 13HB instead of the two BPFs 13L and 13H according to the fifth embodiment. The other configuration of the high-frequency circuit in the present embodiment is the same as that of the high-frequency circuit in the fifth embodiment shown in FIG.

高周波電子部品４６Ｌは、入力端子４６Ｌａ，４６Ｌｂ，４６Ｌｃと、出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２と、スイッチ４７Ｌと、バラン１２Ｌとを備えている。スイッチ４７Ｌは、３つの入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃと１つの出力ポート４７Ｌｄとを有し、出力ポート４７Ｌｃを入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｌは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high-frequency electronic component 46L includes input terminals 46La, 46Lb, and 46Lc, output terminals 46Ld1 and 46Ld2, a switch 47L, and a balun 12L. The switch 47L has three input ports 47La, 47Lb, 47Lc and one output port 47Ld, and selectively connects the output port 47Lc to any one of the input ports 47La, 47Lb, 47Lc. The balun 12L has one unbalanced input end and two balanced output ends.

高周波電子部品４６Ｈは、入力端子４６Ｈａ，４６Ｈｂ，４６Ｈｃと、出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２と、スイッチ４７Ｈと、バラン１２Ｈとを備えている。スイッチ４７Ｈは、３つの入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃと１つの出力ポート４７Ｈｄとを有し、出力ポート４７Ｈｃを入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃのいずれかに選択的に接続する。バラン１２Ｈは、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。   The high frequency electronic component 46H includes input terminals 46Ha, 46Hb, and 46Hc, output terminals 46Hd1 and 46Hd2, a switch 47H, and a balun 12H. The switch 47H has three input ports 47Ha, 47Hb, 47Hc and one output port 47Hd, and selectively connects the output port 47Hc to any one of the input ports 47Ha, 47Hb, 47Hc. The balun 12H has one unbalanced input end and two balanced output ends.

デュプレクサ９Ｌの第１のポートは、スイッチ７１のポート７１ｂに接続されている。また、デュプレクサ９Ｌの第２のポートは、電力増幅器８Ｌの出力端に接続されている。また、デュプレクサ９Ｌの第３のポートは、高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌａに接続されている。   The first port of the duplexer 9L is connected to the port 71b of the switch 71. The second port of the duplexer 9L is connected to the output terminal of the power amplifier 8L. The third port of the duplexer 9L is connected to the input terminal 46La of the high frequency electronic component 46L.

デュプレクサ９Ｈの第１のポートは、スイッチ７１のポート７１ｆに接続されている。また、デュプレクサ９Ｈの第２のポートは、電力増幅器８Ｈの出力端に接続されている。また、デュプレクサ９Ｈの第３のポートは、高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈａに接続されている。   The first port of the duplexer 9H is connected to the port 71f of the switch 71. The second port of the duplexer 9H is connected to the output terminal of the power amplifier 8H. The third port of the duplexer 9H is connected to the input terminal 46Ha of the high frequency electronic component 46H.

送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2を増幅する電力増幅器４Ｌの不平衡出力端は、ＬＰＦ５Ｌを介して、スイッチ７１のポート７１ｅに接続されている。また、送信信号GSM-H Tx1，GSM-H Tx2を増幅する電力増幅器４Ｈの不平衡出力端は、ＬＰＦ５Ｈを介して、スイッチ７１のポート７１ｉに接続されている。   The unbalanced output terminal of the power amplifier 4L that amplifies the transmission signals GSM-L Tx1 and GSM-L Tx2 is connected to the port 71e of the switch 71 via the LPF 5L. The unbalanced output terminal of the power amplifier 4H that amplifies the transmission signals GSM-H Tx1 and GSM-H Tx2 is connected to the port 71i of the switch 71 via the LPF 5H.

ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢは、それぞれ１つの不平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢの入力端は、それぞれスイッチ１のポート７１ｃ，７１ｄ，７１ｇ，７１ｈに接続されている。ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌｂ，４６Ｌｃに接続されている。ＢＰＦ１３ＨＡ，１３ＨＢの出力端は、それぞれ高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈｂ，４６Ｈｃに接続されている。   Each of the BPFs 13LA, 13LB, 13HA, and 13HB has one unbalanced input end and one unbalanced output end. The input ends of the BPFs 13LA, 13LB, 13HA, and 13HB are connected to the ports 71c, 71d, 71g, and 71h of the switch 1, respectively. The output ends of the BPFs 13LA and 13LB are connected to the input terminals 46Lb and 46Lc of the high frequency electronic component 46L, respectively. The output ends of the BPFs 13HA and 13HB are connected to input terminals 46Hb and 46Hc of the high frequency electronic component 46H, respectively.

スイッチ４７Ｌの入力ポート４７Ｌａ，４７Ｌｂ，４７Ｌｃは、それぞれ高周波電子部品４６Ｌの入力端子４６Ｌａ，４６Ｌｂ，４６Ｌｃに接続されている。スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは、バラン１２Ｌの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｌの２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６Ｌの出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２に接続されている。   The input ports 47La, 47Lb, 47Lc of the switch 47L are connected to the input terminals 46La, 46Lb, 46Lc of the high frequency electronic component 46L, respectively. The output port 47Ld of the switch 47L is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12L. The two balanced output terminals of the balun 12L are connected to the output terminals 46Ld1 and 46Ld2 of the high frequency electronic component 46L.

スイッチ４７Ｈの入力ポート４７Ｈａ，４７Ｈｂ，４７Ｈｃは、それぞれ高周波電子部品４６Ｈの入力端子４６Ｈａ，４６Ｈｂ，４６Ｈｃに接続されている。スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは、バラン１２Ｈの不平衡入力端に接続されている。バラン１２Ｈの２つの平衡出力端は、高周波電子部品４６Ｈの出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２に接続されている。   The input ports 47Ha, 47Hb, 47Hc of the switch 47H are connected to the input terminals 46Ha, 46Hb, 46Hc of the high frequency electronic component 46H, respectively. The output port 47Hd of the switch 47H is connected to the unbalanced input terminal of the balun 12H. The two balanced output terminals of the balun 12H are connected to output terminals 46Hd1 and 46Hd2 of the high-frequency electronic component 46H.

低雑音増幅器１４Ｌの２つの差動入力端は、高周波電子部品４６Ｌの２つの出力端子４６Ｌｄ１，４６Ｌｄ２に接続されている。また、低雑音増幅器１４Ｈの２つの差動入力端は、高周波電子部品４６Ｈの２つの出力端子４６Ｈｄ１，４６Ｈｄ２に接続されている。   Two differential input terminals of the low noise amplifier 14L are connected to two output terminals 46Ld1 and 46Ld2 of the high frequency electronic component 46L. The two differential input terminals of the low noise amplifier 14H are connected to the two output terminals 46Hd1 and 46Hd2 of the high frequency electronic component 46H.

本実施の形態における高周波回路では、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂ、高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈ、ＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢ，１３ＨＡ，１３ＨＢおよび低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈが受信回路を構成する。   In the high frequency circuit according to the present embodiment, the BPF 9Lb of the duplexer 9L, the BPF 9Hb of the duplexer 9H, the high frequency electronic components 46L and 46H, the BPF 13LA, 13LB, 13HA, and 13HB and the low noise amplifiers 14L and 14H constitute a receiving circuit.

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌ，４６Ｈを含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、いずれも平衡信号の形態である送信信号GSM-L Tx1，GSM-L Tx2，GSM-H Tx1，GSM-H Tx2と、いずれも不平衡信号の形態である送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Txとを生成し出力する。   Next, the operation of the high-frequency circuit including the high-frequency electronic components 46L and 46H according to the present embodiment will be described. The IC 2 includes transmission signals GSM-L Tx1, GSM-L Tx2, GSM-H Tx1, and GSM-H Tx2 that are all in the form of balanced signals, and transmission signals UMTS-L Tx that are all in the form of unbalanced signals. Generate and output UMTS-H Tx.

送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｅに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2は、バラン３Ｌによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Tx1または送信信号GSM-L Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｌ、ＬＰＦ５Ｌおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71e. In this state, the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3L in the form of the transmission signal GSM-L Tx1 or the transmission signal GSM-L in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, the power passes through the power amplifier 4L, the LPF 5L, and the switch 71 in order, supplied to the antenna 101, and transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS-L Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７Ｌ、電力増幅器８Ｌ、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS-L Tx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71b. In this state, the transmission signal UMTS-L Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7L, the power amplifier 8L, the BPF 9La of the duplexer 9L, and the switch 71 in order, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2の送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｉに接続される。この状態では、ＩＣ２によって出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2は、バラン３Ｈによって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Tx1または送信信号GSM-H Tx2に変換された後、電力増幅器４Ｈ、ＬＰＦ５Ｈおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71i. In this state, the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H Tx2 in the form of the balanced signal output by the IC 2 is transmitted by the balun 3H in the form of the transmission signal GSM-H Tx1 or the transmission signal GSM-H in the form of an unbalanced signal. After being converted to Tx2, the power passes through the power amplifier 4H, the LPF 5H, and the switch 71 in order, is supplied to the antenna 101, and is transmitted from the antenna 101.

送信信号UMTS-H Txの送信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続される。この状態では、ＩＣ２より出力された送信信号UMTS-H Txは、ＢＰＦ７Ｈ、電力増幅器８Ｈ、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈａおよびスイッチ７１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。   When transmitting the transmission signal UMTS-H Tx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71f. In this state, the transmission signal UMTS-H Tx output from the IC 2 is supplied to the antenna 101 through the BPF 7H, the power amplifier 8H, the BPF 9Ha of the duplexer 9H, and the switch 71 in order, and is transmitted from the antenna 101.

受信信号GSM-L Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｃに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＬＡおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx1は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-L Rx1, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71c, and the output port 47Ld of the switch 47L is connected to the input port 47Lb. In this state, the received signal GSM-L Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 13LA, and the switch 47L in order, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal GSM-L Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47L into a received signal GSM-L Rx1 in the form of a balanced signal, and converts the received signal GSM-L Rx1 into a differential input / output type low noise amplifier 14L. Output. The received signal GSM-L Rx1 input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号GSM-L Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｄに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＬＢおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-L Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号GSM-L Rx2は、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-L Rx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71d, and the output port 47Ld of the switch 47L is connected to the input port 47Lc. In this state, the received signal GSM-L Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 13LB, and the switch 47L in order, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal GSM-L Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47L into a received signal GSM-L Rx2 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14L. Output. The received signal GSM-L Rx2 input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号UMTS-L Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｂに接続され、スイッチ４７Ｌの出力ポート４７Ｌｄは入力ポート４７Ｌａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxは、スイッチ７１、デュプレクサ９ＬのＢＰＦ９Ｌｂおよびスイッチ４７Ｌを順に通過して、バラン１２Ｌに入力される。バラン１２Ｌは、スイッチ４７Ｌより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-L Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｌに入力された受信信号UMTS-L Rxは、低雑音増幅器１４Ｌによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS-L Rx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71b, and the output port 47Ld of the switch 47L is connected to the input port 47La. In this state, the reception signal UMTS-L Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 9Lb of the duplexer 9L, and the switch 47L in order, and is input to the balun 12L. The balun 12L converts the received signal UMTS-L Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 47L into a received signal UMTS-L Rx in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14L. Output. The received signal UMTS-L Rx input to the low noise amplifier 14L is amplified by the low noise amplifier 14L and input to the IC2.

受信信号GSM-H Rx1の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｇに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈｂに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＨＡおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx1に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx1は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-H Rx1, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71g, and the output port 47Hd of the switch 47H is connected to the input port 47Hb. In this state, the received signal GSM-H Rx1 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 13HA, and the switch 47H in order, and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal GSM-H Rx1 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47H into a received signal GSM-H Rx1 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14H. Output. The received signal GSM-H Rx1 input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

受信信号GSM-H Rx2の受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｈに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈｃに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2は、スイッチ７１、ＢＰＦ１３ＨＢおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2を平衡信号の形態の受信信号GSM-H Rx2に変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号GSM-H Rx2は、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal GSM-H Rx2, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71h, and the output port 47Hd of the switch 47H is connected to the input port 47Hc. In this state, the received signal GSM-H Rx2 in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 13HB, and the switch 47H in order and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal GSM-H Rx2 in the form of an unbalanced signal output from the switch 47H into a received signal GSM-H Rx2 in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14H. Output. The received signal GSM-H Rx2 input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

受信信号UMTS-H Rxの受信時には、スイッチ７１のポート７１ａはポート７１ｆに接続され、スイッチ４７Ｈの出力ポート４７Ｈｄは入力ポート４７Ｈａに接続される。この状態では、アンテナ１０１によって受信された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxは、スイッチ７１、デュプレクサ９ＨのＢＰＦ９Ｈｂおよびスイッチ４７Ｈを順に通過して、バラン１２Ｈに入力される。バラン１２Ｈは、スイッチ４７Ｈより出力された不平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxを平衡信号の形態の受信信号UMTS-H Rxに変換して、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｈに対して出力する。低雑音増幅器１４Ｈに入力された受信信号UMTS-H Rxは、低雑音増幅器１４Ｈによって増幅され、ＩＣ２に入力される。   When receiving the reception signal UMTS-H Rx, the port 71a of the switch 71 is connected to the port 71f, and the output port 47Hd of the switch 47H is connected to the input port 47Ha. In this state, the received signal UMTS-H Rx in the form of an unbalanced signal received by the antenna 101 passes through the switch 71, the BPF 9Hb of the duplexer 9H, and the switch 47H in this order, and is input to the balun 12H. The balun 12H converts the received signal UMTS-H Rx in the form of an unbalanced signal output from the switch 47H into a received signal UMTS-H Rx in the form of a balanced signal, and converts it to a differential input / output type low noise amplifier 14H. Output. The reception signal UMTS-H Rx input to the low noise amplifier 14H is amplified by the low noise amplifier 14H and input to the IC2.

本実施の形態では、３つの受信信号UMTS-L Rx，GSM-L Rx1，GSM-L Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｌを共用し、３つの受信信号UMTS-H Rx，GSM-H Rx1，GSM-H Rx2で１つの低雑音増幅器１４Ｈを共用するため、受信回路に含まれる低雑音増幅器の数を２つにすることができ、その結果、受信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。また、本実施の形態では、バラン１２Ｌ，１２Ｈによって、スイッチ１１Ｌ，１１Ｈの出力ポート１１Ｌｃ，１１Ｌｂより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈに対して出力するため、差動入出力型の低雑音増幅器１４Ｌ，１４Ｈを用いることができ、その結果、受信感度を向上させることができる。   In the present embodiment, one low noise amplifier 14L is shared by three received signals UMTS-L Rx, GSM-L Rx1, and GSM-L Rx2, and three received signals UMTS-H Rx, GSM-H Rx1, GSM -H Rx2 shares one low-noise amplifier 14H, so that the number of low-noise amplifiers included in the receiving circuit can be reduced to two. As a result, the size of the receiving circuit and the high-frequency circuit of the mobile phone including the receiving circuit can be reduced. And cost reduction. In the present embodiment, the baluns 12L and 12H convert the received signal in the form of an unbalanced signal output from the output ports 11Lc and 11Lb of the switches 11L and 11H into the received signal in the form of a balanced signal, thereby reducing the noise. Since the signals are output to the amplifiers 14L and 14H, the differential input / output low noise amplifiers 14L and 14H can be used, and as a result, the reception sensitivity can be improved.

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｌは、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、スイッチ４７Ｌおよびバラン１２Ｌに加えて、低雑音増幅器１４ＬとＢＰＦ１３ＬＡ，１３ＬＢのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。同様に、本実施の形態に係る高周波電子部品４６Ｈは、スイッチ４７Ｈおよびバラン１２Ｈに加えて、低雑音増幅器１４ＨとＢＰＦ１３ＨＡ，１３ＨＢのうちの少なくとも１つを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第５の実施の形態と同様である。   In addition to the switch 47L and the balun 12L, the high frequency electronic component 46L according to the present embodiment includes the low noise amplifier 14L and the BPFs 13LA and 13LB, as in the first to third modifications in the first embodiment. May be provided. Similarly, the high frequency electronic component 46H according to the present embodiment may include at least one of the low noise amplifier 14H and the BPFs 13HA and 13HB in addition to the switch 47H and the balun 12H. Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the fifth embodiment.

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、携帯電話機における受信回路に限らず、複数の受信信号を処理する受信回路全般に適用することができる。   In addition, this invention is not limited to said each embodiment, A various change is possible. For example, the present invention can be applied not only to a receiving circuit in a mobile phone but also to all receiving circuits that process a plurality of received signals.

本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit structure of an example of the high frequency circuit of the mobile telephone containing the high frequency electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１に示した高周波回路における受信回路の回路構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a circuit configuration of a receiving circuit in the high frequency circuit illustrated in FIG. 1. 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the high frequency electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の斜視図である。1 is a perspective view of a high frequency electronic component according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の平面図である。1 is a plan view of a high-frequency electronic component according to a first embodiment of the present invention. 図４に示した積層基板における１層目および２層目の誘電体層の上面を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the top surfaces of the first and second dielectric layers in the multilayer substrate shown in FIG. 4. 図４に示した積層基板における３層目および４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the top surfaces of the third and fourth dielectric layers in the multilayer substrate shown in FIG. 4. 図４に示した積層基板における５層目および６層目の誘電体層の上面を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the top surfaces of the fifth and sixth dielectric layers in the multilayer substrate shown in FIG. 4. 図４に示した積層基板における７層目および８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the top surfaces of the seventh and eighth dielectric layers in the multilayer substrate shown in FIG. 4. 図４に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面および９層目の誘電体層の下の導体層を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an upper surface of a ninth dielectric layer and a conductor layer under the ninth dielectric layer in the multilayer substrate shown in FIG. 4. 本発明の第１の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit of the comparative example with respect to the high frequency circuit in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態におけるバランの他の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other structure of the balun in the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the 1st thru | or 3rd modification of the high frequency electronic component which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit containing the high frequency electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit of the comparative example with respect to the high frequency circuit in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品の変形例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the modification of the high frequency electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit containing the high frequency electronic component which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit of the comparative example with respect to the high frequency circuit in the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit containing the high frequency electronic component which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit containing the high frequency electronic component which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit of the comparative example with respect to the high frequency circuit in the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品を含む高周波回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high frequency circuit containing the high frequency electronic component which concerns on the 6th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…スイッチ、２…ＩＣ、３…バラン、４…電力増幅器、５…ＢＰＦ、６…受信回路、１０…高周波電子部品、１１…スイッチ、１２…バラン、１３Ａ，１３Ｂ…ＢＰＦ、１４…低雑音増幅器、２０…積層基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Switch, 2 ... IC, 3 ... Balun, 4 ... Power amplifier, 5 ... BPF, 6 ... Reception circuit, 10 ... High frequency electronic component, 11 ... Switch, 12 ... Balun, 13A, 13B ... BPF, 14 ... Low noise Amplifier, 20 ... laminated substrate.

Claims (5)

複数の受信信号を処理する受信回路に用いられる高周波電子部品であって、
出力ポートとそれぞれ不平衡信号の形態の複数の受信信号が入力される複数の入力ポートとを有し、複数の入力ポートに入力される複数の受信信号を切り替えて前記出力ポートより出力するスイッチと、
前記出力ポートより出力される不平衡信号の形態の受信信号を平衡信号の形態の受信信号に変換して、この平衡信号の形態の受信信号を増幅する差動入出力型の低雑音増幅器に対して出力するバランと
を備えたことを特徴とする高周波電子部品。 A high-frequency electronic component used in a receiving circuit that processes a plurality of received signals,
A switch that has an output port and a plurality of input ports to which a plurality of reception signals in the form of unbalanced signals are input, and that switches a plurality of reception signals to be input to the plurality of input ports and outputs from the output port; ,
A differential input / output type low noise amplifier that converts a received signal in the form of an unbalanced signal output from the output port into a received signal in the form of a balanced signal and amplifies the received signal in the form of the balanced signal. A high-frequency electronic component comprising: 更に、前記低雑音増幅器を備えたことを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。   2. The high frequency electronic component according to claim 1, further comprising the low noise amplifier. 更に、前記複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたバンドパスフィルタを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の高周波電子部品。   The high-frequency electronic component according to claim 1, further comprising a band-pass filter provided in at least one of signal paths connected to each of the plurality of input ports. 更に、前記出力ポートと複数の入力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波電子部品。   4. The high-frequency electron according to claim 1, further comprising a capacitor provided in at least one of signal paths connected to each of the output port and the plurality of input ports. 5. parts. 更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、前記バランは、前記積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、前記スイッチは、前記積層基板に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。   And a laminated substrate including a plurality of laminated dielectric layers, wherein the balun is configured using a plurality of conductor layers provided in the laminated substrate, and the switch is mounted on the laminated substrate. The high-frequency electronic component according to claim 1, wherein
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011037085A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 アイシン精機株式会社 Shift device for vehicle
JP2012034049A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Ntt Docomo Inc Portable radio device
JP2016092827A (en) * 2014-10-31 2016-05-23 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with switching network
KR20180004699A (en) * 2015-06-01 2018-01-12 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 Systems, devices and methods related to diversity receivers

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160766A (en) * 1999-09-21 2001-06-12 Murata Mfg Co Ltd Duplexer and communication machine equipment
JP2002171198A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp Transmission/reception control circuit
JP2002261651A (en) * 2000-12-26 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-frequency switch, high-frequency laminate, high- frequency radio, and high-frequency switching method
JP2004166258A (en) * 2002-10-25 2004-06-10 Hitachi Metals Ltd Balanced/unbalanced multiband filter module
JP2004297633A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Hitachi Ltd Antenna duplexer and radio terminal using it
JP2005064778A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc Front end module
JP2005236971A (en) * 2004-01-23 2005-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Low-noise bias circuit for differential, and differential signal processor
JP2006074749A (en) * 2004-08-04 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna duplexer, and rf module and communication apparatus using the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160766A (en) * 1999-09-21 2001-06-12 Murata Mfg Co Ltd Duplexer and communication machine equipment
JP2002171198A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp Transmission/reception control circuit
JP2002261651A (en) * 2000-12-26 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-frequency switch, high-frequency laminate, high- frequency radio, and high-frequency switching method
JP2004166258A (en) * 2002-10-25 2004-06-10 Hitachi Metals Ltd Balanced/unbalanced multiband filter module
JP2004297633A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Hitachi Ltd Antenna duplexer and radio terminal using it
JP2005064778A (en) * 2003-08-11 2005-03-10 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc Front end module
JP2005236971A (en) * 2004-01-23 2005-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Low-noise bias circuit for differential, and differential signal processor
JP2006074749A (en) * 2004-08-04 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Antenna duplexer, and rf module and communication apparatus using the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011037085A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 アイシン精機株式会社 Shift device for vehicle
JP2012034049A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Ntt Docomo Inc Portable radio device
JP2016092827A (en) * 2014-10-31 2016-05-23 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with switching network
KR20180004699A (en) * 2015-06-01 2018-01-12 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 Systems, devices and methods related to diversity receivers
JP2020065282A (en) * 2015-06-01 2020-04-23 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. Receiving system, radio-frequency module, and wireless device
JP2021145375A (en) * 2015-06-01 2021-09-24 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. Reception system, radio-frequency module, and wireless device
JP7042949B2 (en) 2015-06-01 2022-03-28 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド Receiving system, radio frequency module and radio device
KR102559431B1 (en) * 2015-06-01 2023-07-26 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 Systems, devices and methods related to diversity receivers

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