JP2009216456A - Current sensor - Google Patents

Current sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2009216456A
JP2009216456A JP2008058268A JP2008058268A JP2009216456A JP 2009216456 A JP2009216456 A JP 2009216456A JP 2008058268 A JP2008058268 A JP 2008058268A JP 2008058268 A JP2008058268 A JP 2008058268A JP 2009216456 A JP2009216456 A JP 2009216456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor package
housing
current sensor
bus bar
housing space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008058268A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Usui
進二 臼井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP2008058268A priority Critical patent/JP2009216456A/en
Publication of JP2009216456A publication Critical patent/JP2009216456A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small current sensor capable of detection with stable accuracy. <P>SOLUTION: A current sensor 1 made of a conductor includes a bus bar 2 having a U-shaped conductor part 23 formed thereon and a Hall element 41 for magnetically detecting current flowing through the bus bar 2. In the current sensor 1, a semiconductor package 4 is housed in a housing space 31 in a semiconductor package housing body 3, wherin the semiconductor package 4 houses the Hall element 41, a processing circuit for processing output from the Hall element 41, and a connection terminal 44 connecting the processing circuit with the outside, and is formed by molding a resin material, and the semiconductor package housing body 3 allows both ends of the bus bar 2 to be exposed, and includes a housing space 31 for housing the semiconductor package 4 with the Hall element 41 located inside the conductor part 23, and formed by molding a resin material. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、バスバーに流れる電流を検知する電流センサに関する。   The present invention relates to a current sensor that detects a current flowing through a bus bar.

従来、この種の電流センサとして、バスバーに流れた電流により生じた磁界の強度を磁気センサにより検出することで、バスバーに流れた電流を検出するものがある。同電流センサは、検出可能な磁束を得るために、磁束を集めるためのコアが設けられている(例えば、特許文献1参照。)。しかしながら、特許文献1に記載の電流センサでは、コアを設けるための配置スペースが必要であり、電流センサの大型化を招いていた。   Conventionally, as this type of current sensor, there is one that detects the current flowing in the bus bar by detecting the intensity of the magnetic field generated by the current flowing in the bus bar by the magnetic sensor. The current sensor is provided with a core for collecting magnetic flux in order to obtain a detectable magnetic flux (see, for example, Patent Document 1). However, the current sensor described in Patent Document 1 requires an arrangement space for providing a core, which leads to an increase in the size of the current sensor.

そこで、コアをなくした電流センサが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。特許文献2に記載の電流センサでは、バスバーをコ字形状とすることで、対向配置されて互いに逆方向に電流が流れる導体部が形成され、それら導体部の中間位置に磁気センサが設けられている。このように構成することで、対向配置された導体部に流れる電流(バスバーに流れる電流)により発生する磁界は、導体部の中間位置において増幅されるため、コアを設けなくても磁気の検出が可能となり、磁気センサからの検出信号に基づく電流検知が可能となる。
特開2002−243768号公報 特開2007−218729号公報
Thus, a current sensor without a core has been proposed (see, for example, Patent Document 2). In the current sensor described in Patent Document 2, by forming the bus bar in a U shape, conductor portions that are arranged to face each other and in which currents flow in opposite directions are formed, and a magnetic sensor is provided at an intermediate position between the conductor portions. Yes. By configuring in this way, the magnetic field generated by the current flowing in the conductor section arranged oppositely (current flowing in the bus bar) is amplified at the intermediate position of the conductor section, so that the magnetism can be detected without providing a core. Thus, current detection based on the detection signal from the magnetic sensor becomes possible.
JP 2002-243768 A JP 2007-218729 A

ところで、上記特許文献2に記載の電流センサは、前記磁気センサを構成する磁気検出素子が収容されたパッケージが磁気センサからの検出信号に基づき電流値を演算する演算装置等が設けられる基板に設けられてなる。この基板はバスバーの側方へ大きく突出して設けられることから、電流センサの大型化を招いていた。また、上記特許文献1に記載の電流センサにおいても、磁気検出素子は基板に設けられており、同様に電流センサの大型化を招いていた。これらの電流センサは、バスバーに対して磁気検出素子が設けられた基板を組み付けて使用するものであり、組み付ける際にバスバーに対して磁気検出素子がずれて、検出精度が低下するおそれがあった。そのため、小型であるととともに、検出精度が安定した電流センサが求められていた。   By the way, the current sensor described in Patent Document 2 is provided on a substrate on which a package in which a magnetic detection element constituting the magnetic sensor is accommodated is provided with an arithmetic unit that calculates a current value based on a detection signal from the magnetic sensor. It will be. Since this substrate is provided so as to protrude greatly to the side of the bus bar, the current sensor has been increased in size. Also in the current sensor described in Patent Document 1, the magnetic detection element is provided on the substrate, and similarly, the current sensor is increased in size. These current sensors are used by assembling a board on which a magnetic detection element is provided on the bus bar. When the magnetic sensor is assembled, the magnetic detection element may be displaced with respect to the bus bar, which may reduce detection accuracy. . Therefore, there has been a demand for a current sensor that is small in size and has stable detection accuracy.

この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型であるとともに、検出精度が安定した電流センサを提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a current sensor that is small in size and has stable detection accuracy.

以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。
請求項1に記載の発明は、導電体からなり、コ字状の導体部が形成されたバスバーと、同バスバーに流れる電流を磁気的に検出する磁気検出素子とを備えた電流センサにおいて、前記磁気検出素子と、同磁気検出素子からの出力を処理する処理回路と、同処理回路と外部との接続端子とが収容された半導体パッケージが樹脂材料によるモールド成形により形成され、前記バスバーの両端部が露出するとともに、前記導体部の内部に同磁気検出素子が位置するように前記半導体パッケージが収容される収容空間が設けられる半導体パッケージ収容体が樹脂材料によるモールド成形により形成され、前記半導体パッケージ収容体の収容空間に前記半導体パッケージが収容されることをその要旨としている。
Hereinafter, means for achieving the above-described object and its operation and effects will be described.
The invention according to claim 1 is a current sensor comprising a bus bar made of a conductor and having a U-shaped conductor portion formed therein, and a magnetic detection element that magnetically detects a current flowing through the bus bar. A semiconductor package containing a magnetic detection element, a processing circuit for processing an output from the magnetic detection element, and a connection terminal between the processing circuit and the outside is formed by molding with a resin material, and both ends of the bus bar A semiconductor package housing body is formed by molding with a resin material, and is provided with a housing space in which the semiconductor package is housed so that the magnetic detection element is located inside the conductor portion. The gist is that the semiconductor package is housed in a body housing space.

同構成によれば、磁気検出素子及び処理回路等が収容されて半導体パッケージが形成されるため、従来のように磁気検出素子と基板に設けられた処理回路とが別々に配置されるものと比較して、小型にすることができる。そして、半導体パッケージは、磁気検出素子がバスバーのコ字状の導体部の内部に位置するように半導体パッケージ収容体の収容空間に収容されるため、従来のように磁気検出素子をバスバー或いは基板に組み付ける際に、バスバーに対して磁気検出素子がずれることがなく、検出精度を安定させることができる。また、電流センサの検査時において、半導体パッケージに収容される磁気検出素子等に起因して所定の検出精度が得られない際には、半導体パッケージ収容体は再度使用して半導体パッケージのみを交換することができるため、材料の廃棄を少なくすることができる。さらに、磁気検出素子等は半導体パッケージにモールドされ、バスバーは半導体パッケージ収容体にモールドされており、防水性及び防塵性がある。   According to this configuration, the magnetic detection element and the processing circuit are accommodated to form the semiconductor package, so that the magnetic detection element and the processing circuit provided on the substrate are separately arranged as in the conventional case. And it can be made small. And since a semiconductor package is accommodated in the accommodation space of a semiconductor package container so that a magnetic detection element may be located inside the U-shaped conductor part of a bus bar, a magnetic detection element is conventionally attached to a bus bar or a board | substrate. When assembled, the magnetic detection element does not shift with respect to the bus bar, and the detection accuracy can be stabilized. In addition, when a predetermined detection accuracy cannot be obtained due to a magnetic detection element accommodated in the semiconductor package at the time of inspection of the current sensor, the semiconductor package container is reused and only the semiconductor package is replaced. Therefore, the material disposal can be reduced. Further, the magnetic detection element and the like are molded in a semiconductor package, and the bus bar is molded in a semiconductor package housing body, which is waterproof and dustproof.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の電流センサにおいて、前記半導体パッケージと前記半導体パッケージ収容体とは、これらの一部が弾性的に係合して相互に固定されることをその要旨としている。   According to a second aspect of the present invention, in the current sensor according to the first aspect, the semiconductor package and the semiconductor package container are fixed to each other by elastically engaging a part thereof. This is the gist.

半導体パッケージと半導体パッケージ収容体とは樹脂材料により形成されるため、弾性がある。そこで、上記構成によれば、半導体パッケージと半導体パッケージ収容体とはこれらの一部が弾性的に係合して相互に固定される、すなわちスナップフィットによるため、容易に組み付けることができる。   Since the semiconductor package and the semiconductor package container are formed of a resin material, they are elastic. Therefore, according to the above-described configuration, the semiconductor package and the semiconductor package container are partly elastically engaged and fixed to each other, that is, by snap fitting, and thus can be easily assembled.

スナップフィットとしては、請求項3に記載のように、半導体パッケージ収容体の収容空間の内側面と半導体パッケージの外側面とに、凸部と凹部とが形成され、同凹部に同凸部が嵌装することにより固定するようにしてもよい。   As the snap fit, as described in claim 3, a convex portion and a concave portion are formed on the inner side surface of the housing space of the semiconductor package container and the outer surface of the semiconductor package, and the convex portion is fitted in the concave portion. It may be fixed by wearing.

請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記半導体パッケージ収容体の収容空間の内側面と、前記半導体パッケージの外側面とのいずれか一方には同半導体パッケージを同半導体パッケージ収容体の収容空間に誘導するための溝が形成され、これらの他方には同溝に案内される凸部が形成されることをその要旨としている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the current sensor according to any one of the first to third aspects, either the inner side surface of the housing space of the semiconductor package housing body or the outer side surface of the semiconductor package The gist is that a groove for guiding the semiconductor package to the accommodation space of the semiconductor package container is formed, and a convex portion guided by the groove is formed on the other of these grooves.

同構成によれば、半導体パッケージ収容体の収容空間の内側面と半導体パッケージの外側面とのいずれか一方に形成された溝にこれらの他方に形成された凸部が位置して、同凸部が同溝に誘導されて、半導体パッケージ収容体の収容空間に半導体パッケージに容易に組み付けられる。   According to the configuration, the convex portion formed on the other side of the groove formed in one of the inner side surface of the housing space of the semiconductor package housing body and the outer side surface of the semiconductor package is located on the other side. Are guided into the groove and can be easily assembled to the semiconductor package in the housing space of the semiconductor package housing.

請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記半導体パッケージ収容体の収容空間は、前記半導体パッケージの接続端子を囲繞するコネクタハウジングとなることをその要旨としている。   According to a fifth aspect of the present invention, in the current sensor according to any one of the first to fourth aspects, the housing space of the semiconductor package housing is a connector housing that surrounds the connection terminals of the semiconductor package. Is the gist.

同構成によれば、半導体パッケージ収容体の収容空間がコネクタハウジングとして兼用されるため、接続端子の保護と、接続時の接続端子への外部機器の接続端子の誘導を行うことができ、コネクタハウジングを別途形成することなく、形成工程の増加を抑制することができる。   According to this configuration, since the housing space of the semiconductor package housing is also used as a connector housing, the connection terminal can be protected and the connection terminal of the external device can be guided to the connection terminal at the time of connection. The formation process can be suppressed without being separately formed.

請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、前記半導体パッケージと前記半導体パッケージ収容体とは常温硬化型の接着剤により固定されることをその要旨としている。   According to a sixth aspect of the present invention, in the current sensor according to any one of the first to fifth aspects, the semiconductor package and the semiconductor package container are fixed by a room temperature curable adhesive. It is a summary.

半導体パッケージと半導体パッケージ収容体とを常温硬化型の接着剤を用いて固定してもよい。ここで、熱変化によって硬化する接着剤では、熱変化を与える工程を要し、簡易でないため、常温硬化型を用いている。   The semiconductor package and the semiconductor package container may be fixed using a room temperature curing adhesive. Here, an adhesive that cures by a heat change requires a step of giving a heat change, and is not simple, so a room temperature curing type is used.

本発明によれば、小型であるとともに、検出精度が安定した電流センサを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a current sensor that is small in size and stable in detection accuracy.

以下、本発明の一実施形態について図1〜図4を参照して説明する。
図1に示されるように、車両のバッテリーに接続される電流検出対象である電路上に設けられる電流センサ1は、導電体としての帯状の金属板(本実施形態では銅板とする。)の中央部がコ字状に塑性変形されてなるバスバー2が電気絶縁性を有する樹脂材料によって覆われた半導体パッケージ収容体3と、同バスバー2に流れる電流を磁気的に検出する磁気検出素子等が電気絶縁性を有する樹脂材料によって覆われた半導体パッケージ4とを備えている。半導体パッケージ4は、半導体パッケージ収容体3に収容固定されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, a current sensor 1 provided on an electric circuit that is a current detection target connected to a battery of a vehicle is the center of a strip-shaped metal plate (a copper plate in this embodiment) as a conductor. A semiconductor package housing 3 in which a bus bar 2 whose portion is plastically deformed in a U-shape is covered with an electrically insulating resin material, and a magnetic detection element that magnetically detects a current flowing through the bus bar 2 are electrically connected. And a semiconductor package 4 covered with an insulating resin material. The semiconductor package 4 is housed and fixed in the semiconductor package housing 3.

バスバー2のコ字状をなす導体部23の両端には、第1接続孔21aが形成された第1接続部21と、第2接続孔22aが形成された第2接続部22とが設けられている。これら第1接続部21及び第2接続部22は、直方体状の半導体パッケージ収容体3の外面から突出するとともに、同軸上で逆方向へ延出している。なお、バスバー2の導体部23の形成方法としては、コ字状の型を用いて鋳造によって形成してもよい。   At both ends of the U-shaped conductor portion 23 of the bus bar 2, a first connection portion 21 having a first connection hole 21a and a second connection portion 22 having a second connection hole 22a are provided. ing. The first connection portion 21 and the second connection portion 22 protrude from the outer surface of the rectangular parallelepiped semiconductor package housing 3 and extend in the opposite direction on the same axis. In addition, as a formation method of the conductor part 23 of the bus-bar 2, you may form by casting using a U-shaped type | mold.

図2に示されるように、半導体パッケージ4は、磁気検出素子としてのホール素子41と、バスバー2の温度を検出するサーミスタ42と、これらホール素子41及びサーミスタ42からの出力を処理する処理回路43とが導電性ペーストにより図示しないリードフレームに実装され、絶縁性を有する樹脂材料により直方体状にモールド成形されてなる。リードフレームの一部は、外部の接続端子に接続される接続端子44として半導体パッケージ4の外部へ突出している。   As shown in FIG. 2, the semiconductor package 4 includes a Hall element 41 as a magnetic detection element, a thermistor 42 that detects the temperature of the bus bar 2, and a processing circuit 43 that processes outputs from the Hall element 41 and the thermistor 42. Are mounted on a lead frame (not shown) with a conductive paste and molded into a rectangular parallelepiped shape with an insulating resin material. A part of the lead frame protrudes outside the semiconductor package 4 as a connection terminal 44 connected to an external connection terminal.

図2に示されるように、半導体パッケージ収容体3は、バスバー2が絶縁性を有する樹脂材料によりモールド成形されてなる。半導体パッケージ収容体3において導体部23に対応する部位には、半導体パッケージ4が収容される収容空間31が開口形成されている。そして、この半導体パッケージ収容体3の収容空間31に半導体パッケージ4が収容されて、電流センサ1が構成される。半導体パッケージ4が半導体パッケージ収容体3の収容空間31に収容された状態において、ホール素子41がバスバー2の導体部23の内部に位置するように収容空間31の深さ等が設定されている。ここで、ホール素子41は、磁界を検出できる感磁軸(感磁方向)が半導体パッケージ4の幅の大きい長側面4aに垂直に設けられている。このため、図1に示されるように、半導体パッケージ4は、バスバー2に流れる電流Iによって発生する磁束がホール素子41の長側面41aを垂直となるように通過するように配置されている。   As shown in FIG. 2, the semiconductor package housing 3 is formed by molding the bus bar 2 with a resin material having an insulating property. In the semiconductor package housing 3, a housing space 31 in which the semiconductor package 4 is housed is formed in a portion corresponding to the conductor portion 23. And the semiconductor package 4 is accommodated in the accommodation space 31 of this semiconductor package accommodating body 3, and the current sensor 1 is comprised. In a state where the semiconductor package 4 is housed in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3, the depth of the housing space 31 is set so that the Hall element 41 is positioned inside the conductor portion 23 of the bus bar 2. Here, the Hall element 41 is provided so that a magnetic sensing axis (magnetic sensing direction) capable of detecting a magnetic field is perpendicular to the long side surface 4 a having a large width of the semiconductor package 4. For this reason, as shown in FIG. 1, the semiconductor package 4 is arranged so that the magnetic flux generated by the current I flowing through the bus bar 2 passes through the long side surface 41 a of the Hall element 41 so as to be vertical.

また、半導体パッケージ4が収容空間31に収容された状態において、半導体パッケージ4の接続端子44は、収容空間31の開口部側の内側面31aに囲繞されて露出した状態となっている。すなわち、収容空間31は半導体パッケージ4の外部へ突出した接続端子44を覆うコネクタハウジングとなっており、半導体パッケージ4の接続端子44はコネクタ端子となっている。   Further, in a state where the semiconductor package 4 is accommodated in the accommodation space 31, the connection terminals 44 of the semiconductor package 4 are surrounded and exposed by the inner side surface 31 a on the opening side of the accommodation space 31. In other words, the housing space 31 is a connector housing that covers the connection terminals 44 protruding to the outside of the semiconductor package 4, and the connection terminals 44 of the semiconductor package 4 are connector terminals.

図3(a)に示されるように、半導体パッケージ収容体3の収容空間31のバスバー2に近い両内側面31a,31aには、溝32,32が形成されている。これら溝32,32は、内側面31aの深さ方向へ延びており、これらの中央部分の内底面には、スナップフィット用の凹部33,33がそれぞれ形成されている。一方、図3(b)に示されるように、半導体パッケージ4の幅の狭い短側面4bには、溝32,32に嵌装して誘導されるとともに、半導体パッケージ4が半導体パッケージ収容体3の収容空間31に収容された状態において凹部33,33に係合固定されるスナップフィット用の凸部45,45が形成されている。   As shown in FIG. 3A, grooves 32, 32 are formed on both inner side surfaces 31 a, 31 a near the bus bar 2 of the accommodation space 31 of the semiconductor package housing 3. The grooves 32, 32 extend in the depth direction of the inner side surface 31a, and recesses 33, 33 for snap fitting are formed on the inner bottom surface of these central portions, respectively. On the other hand, as shown in FIG. 3B, the semiconductor package 4 is guided by being fitted into the grooves 32, 32 on the narrow side surface 4 b having a narrow width. Protrusions 45 and 45 for snap fitting that are engaged and fixed to the recesses 33 and 33 in the state of being accommodated in the accommodation space 31 are formed.

次に、半導体パッケージ収容体3と、同半導体パッケージ収容体3に収容される半導体パッケージ4とからなる電流センサ1の製造方法について図4を参照して説明する。
まず、外部との接続端子44が形成されたリードフレームにホール素子41、サーミスタ42、及び処理回路43を導電性ペーストにより実装する。リードフレームに実装されたホール素子41、サーミスタ42、及び処理回路43を接続端子44が突出するように、直方体状に絶縁性を有する樹脂材料によりモールド成形する。これにより、前述した半導体パッケージ4が形成される。
Next, a method for manufacturing the current sensor 1 including the semiconductor package housing 3 and the semiconductor package 4 housed in the semiconductor package housing 3 will be described with reference to FIG.
First, the Hall element 41, the thermistor 42, and the processing circuit 43 are mounted on a lead frame on which an external connection terminal 44 is formed using a conductive paste. The Hall element 41, the thermistor 42, and the processing circuit 43 mounted on the lead frame are molded in a rectangular parallelepiped shape with an insulating resin material so that the connection terminals 44 protrude. Thereby, the semiconductor package 4 described above is formed.

一方、半導体パッケージ4の工程とは別に、半導体パッケージ収容体3の製造を行う。すなわち、バスバー2の導体部23の内部に半導体パッケージ4を収容する収容空間31が形成されるように絶縁性を有する樹脂材料によりバスバー2をモールド成形する。ここで、半導体パッケージ4が半導体パッケージ収容体3に収容された状態において、収容空間31は、導体部23を流れる電流によって発生する磁束が半導体パッケージ4の長側面4aを通過するように形成される。これにより、前述した半導体パッケージ収容体3が形成される。   On the other hand, the semiconductor package housing 3 is manufactured separately from the process of the semiconductor package 4. That is, the bus bar 2 is molded from an insulating resin material so that the housing space 31 for housing the semiconductor package 4 is formed inside the conductor portion 23 of the bus bar 2. Here, in a state where the semiconductor package 4 is accommodated in the semiconductor package housing 3, the accommodation space 31 is formed so that the magnetic flux generated by the current flowing through the conductor portion 23 passes through the long side surface 4 a of the semiconductor package 4. . Thereby, the semiconductor package housing 3 described above is formed.

そして、このように別々に製造された半導体パッケージ収容体3と半導体パッケージ4とを組み立てることにより電流センサ1を製造する。すなわち、半導体パッケージ4の凸部45,45が半導体パッケージ収容体3の収容空間31の溝32,32に一致させた状態で半導体パッケージ4の接続端子44と反対側の端部を収容空間31に挿入する。この際、凸部45,45が溝32,32に誘導されるため、半導体パッケージ4は半導体パッケージ収容体3の収容空間31に円滑に挿入される。半導体パッケージ4の接続端子44と反対側の端部は、半導体パッケージ収容体3の収容空間31の内底面に当接する位置まで挿入されると、半導体パッケージ4の凸部45,45が収容空間31の凹部33,33に係合し、半導体パッケージ4が半導体パッケージ収容体3に固定され、脱落防止が図られる。この挿入位置において、半導体パッケージ4の接続端子44は収容空間31の内側面31aに囲繞された状態となり、収容空間31の内側面31aの一部はコネクタハウジングとして機能する。また、バスバー2の導体部23の内部にホール素子41が位置する。以上で、電流センサ1の製造が完了となる。   Then, the current sensor 1 is manufactured by assembling the semiconductor package housing 3 and the semiconductor package 4 separately manufactured as described above. That is, the end of the semiconductor package 4 opposite to the connection terminal 44 is formed in the housing space 31 in a state where the convex portions 45, 45 of the semiconductor package 4 are aligned with the grooves 32, 32 of the housing space 31 of the semiconductor package housing 3. insert. At this time, since the convex portions 45 and 45 are guided into the grooves 32 and 32, the semiconductor package 4 is smoothly inserted into the housing space 31 of the semiconductor package housing 3. When the end of the semiconductor package 4 opposite to the connection terminal 44 is inserted to a position where it abuts against the inner bottom surface of the housing space 31 of the semiconductor package housing 3, the convex portions 45, 45 of the semiconductor package 4 are placed in the housing space 31. The semiconductor package 4 is fixed to the semiconductor package housing 3 and is prevented from falling off. At this insertion position, the connection terminal 44 of the semiconductor package 4 is surrounded by the inner side surface 31a of the accommodation space 31, and a part of the inner side surface 31a of the accommodation space 31 functions as a connector housing. In addition, the Hall element 41 is located inside the conductor portion 23 of the bus bar 2. This completes the manufacture of the current sensor 1.

次に、電流センサ1の作用について説明する。前述したように、電流センサ1はバッテリーに接続される電路上に第1接続部21及び第2接続部22を介して設けられ、また接続端子44には図示しない外部機器の接続端子が接続された状態で使用される。   Next, the operation of the current sensor 1 will be described. As described above, the current sensor 1 is provided on the electric circuit connected to the battery via the first connection portion 21 and the second connection portion 22, and the connection terminal 44 is connected to a connection terminal of an external device (not shown). Used in the state.

さて、図1に示されるように、バスバー2に電流Iが流れると、バスバー2の導体部23の周囲には、右ねじの法則に基づき磁界MFが形成される。このとき、バスバー2の導体部23の内部には、磁束が集中することとなる。すなわち、導体部23の内部では、磁界の向きが同じであることから、磁界が密になり、磁界が強められる。そして、このように磁束が集中する導体部23内にホール素子41が配置されていることからホール素子41(正確には、その長側面41a。)を垂直に通過する磁束密度、すなわち磁界強度が十分に確保され、バスバー2に流れる電流を磁気的に検出することができる。すなわち、電流によって発生した磁界をホール素子41により電圧に変換して検出する。   As shown in FIG. 1, when a current I flows through the bus bar 2, a magnetic field MF is formed around the conductor portion 23 of the bus bar 2 based on the right-hand rule. At this time, the magnetic flux is concentrated inside the conductor portion 23 of the bus bar 2. That is, since the direction of the magnetic field is the same inside the conductor portion 23, the magnetic field becomes dense and the magnetic field is strengthened. Since the Hall element 41 is arranged in the conductor portion 23 where the magnetic flux is concentrated in this way, the magnetic flux density that passes vertically through the Hall element 41 (more precisely, the long side surface 41a), that is, the magnetic field strength is high. Sufficiently secured, the current flowing through the bus bar 2 can be detected magnetically. That is, the magnetic field generated by the current is converted into a voltage by the Hall element 41 and detected.

ホール素子41は磁界強度に応じた電圧を処理回路43に出力する。また、サーミスタ42は、バスバー2の温度を検出し、その温度に応じた電圧を処理回路43に出力する。正確には、バスバー2に電流が流れることにより発生するジュール熱が半導体パッケージ収容体3及び半導体パッケージ4を介してサーミスタ42に伝達され、同サーミスタ42が温度を検出する。バスバー2の温度を検出することにより、バスバー2に接続されたバッテリーの異常発熱等を検知することができるようになる。処理回路43はホール素子41の出力値及びサーミスタ42の出力値を演算して接続端子(リードフレーム)44を介して図示しない外部機器の制御装置等に出力する。   The hall element 41 outputs a voltage corresponding to the magnetic field strength to the processing circuit 43. The thermistor 42 detects the temperature of the bus bar 2 and outputs a voltage corresponding to the temperature to the processing circuit 43. Precisely, Joule heat generated by current flowing through the bus bar 2 is transmitted to the thermistor 42 via the semiconductor package housing 3 and the semiconductor package 4, and the thermistor 42 detects the temperature. By detecting the temperature of the bus bar 2, abnormal heat generation of the battery connected to the bus bar 2 can be detected. The processing circuit 43 calculates the output value of the Hall element 41 and the output value of the thermistor 42 and outputs them to a control device or the like of an external device (not shown) via a connection terminal (lead frame) 44.

以上、説明した実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
(1)磁気検出素子としてのホール素子41及び演算装置としての処理回路43等が収容されて半導体パッケージ4が形成されるため、従来のように磁気検出素子と基板に設けられた演算装置とが別々に配置されるものと比較して、小型にすることができる。そして、半導体パッケージ4は、ホール素子41がバスバー2の導体部23の内部に位置するように半導体パッケージ収容体3の収容空間31に収容されるため、従来のようにバスバーに組み付ける際に、バスバーに対して磁気検出素子がずれることがなく、検出精度を安定させることができる。また、製造された電流センサ1の検査時において、半導体パッケージに収容されるホール素子41等に起因して所定の検出精度が得られない際には、半導体パッケージ収容体3は再度使用して半導体パッケージ4のみを交換することができるため、材料の廃棄を少なくすることができる。さらに、ホール素子41等は半導体パッケージ4にモールドされ、バスバー2は半導体パッケージ収容体3にモールドされており、防水性及び防塵性がある。
As described above, according to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) Since the semiconductor package 4 is formed by accommodating the Hall element 41 as the magnetic detection element and the processing circuit 43 as the arithmetic device, the magnetic detection element and the arithmetic device provided on the substrate as in the prior art Compared to those arranged separately, the size can be reduced. The semiconductor package 4 is housed in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3 so that the Hall element 41 is positioned inside the conductor portion 23 of the bus bar 2. However, the magnetic detection element does not shift and the detection accuracy can be stabilized. When the manufactured current sensor 1 is inspected and the predetermined detection accuracy cannot be obtained due to the Hall element 41 or the like housed in the semiconductor package, the semiconductor package housing 3 is used again for the semiconductor. Since only the package 4 can be exchanged, material waste can be reduced. Further, the Hall element 41 and the like are molded in the semiconductor package 4, and the bus bar 2 is molded in the semiconductor package housing 3, which is waterproof and dustproof.

(2)半導体パッケージ4と半導体パッケージ収容体3とはこれらの一部が弾性的に係合して相互に固定される、すなわちスナップフィットによるため、容易に組み付けることができる。   (2) Since the semiconductor package 4 and the semiconductor package container 3 are partly elastically engaged and fixed to each other, that is, by snap fitting, they can be easily assembled.

(3)半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3の収容空間31に挿入する際に、半導体パッケージ収容体3の収容空間31の内側面31aに形成された溝32,32に半導体パッケージ4の短側面4b,4bに形成された凸部45,45が誘導されるため、半導体パッケージ収容体3の収容空間31に半導体パッケージ4を容易に組み付けることができる。   (3) When the semiconductor package 4 is inserted into the housing space 31 of the semiconductor package housing 3, the short side surface of the semiconductor package 4 is formed in the grooves 32 and 32 formed in the inner surface 31 a of the housing space 31 of the semiconductor package housing 3. Since the convex portions 45, 45 formed on 4 b, 4 b are guided, the semiconductor package 4 can be easily assembled in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3.

(4)半導体パッケージ収容体3の収容空間31がコネクタハウジングとして兼用されるため、接続端子44の保護と、接続時の接続端子44への外部機器の接続端子の誘導を行うことができ、コネクタハウジングを別途形成することなく、形成工程の増加を抑制することができる。   (4) Since the housing space 31 of the semiconductor package housing 3 is also used as a connector housing, the connection terminal 44 can be protected and the connection terminal of an external device can be guided to the connection terminal 44 at the time of connection. An increase in the formation process can be suppressed without forming the housing separately.

(5)半導体パッケージ4の接続端子44をコネクタ端子としたことにより、従来のように外部の基板等への接続が不要である。
(6)バスバー2の両端に取付部としての第1接続部21及び第2接続部22が設けられたことにより、電流センサ1をバスバー2と一体に電路に取り付けることができる。
(5) Since the connection terminal 44 of the semiconductor package 4 is a connector terminal, connection to an external substrate or the like is not required as in the prior art.
(6) By providing the first connection part 21 and the second connection part 22 as attachment parts at both ends of the bus bar 2, the current sensor 1 can be attached to the electric path integrally with the bus bar 2.

(7)車両のバッテリー及びその電路は雨水に曝されることが有り得るが本実施形態の電流センサ1は防水性及び防塵性があるため、耐久性を向上させることができる。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することができる。
(7) Although the vehicle battery and its electric circuit may be exposed to rainwater, the current sensor 1 of the present embodiment is waterproof and dustproof, so that durability can be improved.
In addition, the said embodiment can be implemented with the following forms which changed this suitably.

・上記実施形態では、車両のバッテリーに接続される電路に電流センサ1を適用したが、車両のバッテリーに接続される電路に限らず他の電路に適用してもよい。
・上記実施形態では、バスバー2は銅板で形成されているものとしたが、バスバー2は例えばアルミニウム等の他の金属板で形成してもよい。
-In above-mentioned embodiment, although the current sensor 1 was applied to the electric circuit connected to the battery of a vehicle, you may apply not only to the electric circuit connected to the battery of a vehicle but to another electric circuit.
In the above embodiment, the bus bar 2 is formed of a copper plate. However, the bus bar 2 may be formed of another metal plate such as aluminum.

・上記実施形態では、半導体パッケージ4にホール素子41と、サーミスタ42と、処理回路43とを収容したが、これらの他に必要な回路を収容してもよい。
・上記実施形態では、サーミスタ42を半導体パッケージ4に収容したが、温度検出が必要なければ、省略した構成を採用してもよい。
In the above embodiment, the Hall element 41, the thermistor 42, and the processing circuit 43 are accommodated in the semiconductor package 4. However, other necessary circuits may be accommodated.
In the above embodiment, the thermistor 42 is housed in the semiconductor package 4. However, if temperature detection is not necessary, the omitted configuration may be adopted.

・上記実施形態では、コネクタハウジングは、バスバー2をモールド成形する際に収容空間31として形成したが、半導体パッケージ4をモールド成形する際に接続端子44を囲繞する部分を形成してコネクタハウジングとしてもよい。すなわち、接続端子44を半導体パッケージ収容体3から露出させる。   In the above embodiment, the connector housing is formed as the accommodating space 31 when the bus bar 2 is molded. However, when the semiconductor package 4 is molded, a portion surrounding the connection terminal 44 is formed as the connector housing. Good. That is, the connection terminal 44 is exposed from the semiconductor package housing 3.

・上記実施形態では、ホール素子41の接続端子44をコネクタハウジングで覆ったが、コネクタハウジングを省略した構成にしてもよい。
・上記実施形態では、磁気検出素子としてホール素子41を用いたが、ホール素子41に限らずGMR(Giant Magneto Resistive)素子等の磁気検出素子を用いてもよい。
In the above embodiment, the connection terminal 44 of the hall element 41 is covered with the connector housing, but the connector housing may be omitted.
In the above embodiment, the Hall element 41 is used as the magnetic detection element. However, the magnetic detection element is not limited to the Hall element 41 and may be a GMR (Giant Magneto Resistive) element or the like.

・上記実施形態では、半導体パッケージ収容体3の収容空間31に溝32,32を形成するとともに、半導体パッケージ4に凸部45,45を形成することにより、半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3の収容空間31に誘導するようにしたが、半導体パッケージ4に溝を形成するとともに、半導体パッケージ収容体3に凸部を形成するようにしてもよい。   In the above embodiment, the grooves 32, 32 are formed in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3, and the convex portions 45, 45 are formed in the semiconductor package 4, so that the semiconductor package 4 is mounted on the semiconductor package housing 3. Although it is guided to the accommodation space 31, a groove may be formed in the semiconductor package 4 and a convex portion may be formed in the semiconductor package housing 3.

・また、半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3の収容空間31に誘導する構成である上記溝と凸部とを省略してもよい。
・上記実施形態では、半導体パッケージ収容体3の収容空間31に凹部33,33を形成するとともに、半導体パッケージ4に凸部45,45を形成することにより、半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3の収容空間31に収容した状態で固定するスナップフィットを採用したが、スナップフィットを省略した構成を採用してもよい。例えば、圧入等により半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3の収容空間31に挿入固定するようにしてもよい。
-Moreover, you may abbreviate | omit the said groove | channel and convex part which are the structures which guide the semiconductor package 4 to the accommodation space 31 of the semiconductor package container 3. FIG.
In the above embodiment, the recesses 33 and 33 are formed in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3, and the protrusions 45 and 45 are formed in the semiconductor package 4, so that the semiconductor package 4 is mounted on the semiconductor package housing 3. Although the snap fit fixed in the state accommodated in the accommodation space 31 was employ | adopted, the structure which abbreviate | omitted the snap fit may be employ | adopted. For example, the semiconductor package 4 may be inserted and fixed in the housing space 31 of the semiconductor package housing 3 by press fitting or the like.

・上記構成において、半導体パッケージ収容体3に対して半導体パッケージ4を常温硬化型の接着剤によって固定するようにしてもよい。例えば、図4に示されるように、半導体パッケージ4の上面4cに常温硬化型の接着剤50を塗布して半導体パッケージ4を半導体パッケージ収容体3に挿入して固定させるようにしてもよい。   In the above configuration, the semiconductor package 4 may be fixed to the semiconductor package housing 3 with a room temperature curing adhesive. For example, as shown in FIG. 4, a room temperature curable adhesive 50 may be applied to the upper surface 4 c of the semiconductor package 4, and the semiconductor package 4 may be inserted into the semiconductor package housing 3 and fixed.

電流センサの構成を示す透過斜視図。The transmission perspective view which shows the structure of a current sensor. 電流センサのA−A断面図。AA sectional drawing of a current sensor. (a)半導体パッケージ収容体の下面図、(b)半導体パッケージの下面図。(A) The bottom view of a semiconductor package container, (b) The bottom view of a semiconductor package. 半導体パッケージ収容体及び半導体パッケージを示す斜視図。The perspective view which shows a semiconductor package container and a semiconductor package.

符号の説明Explanation of symbols

1…電流センサ、2…バスバー、3…半導体パッケージ収容体、4…半導体パッケージ、4a…長側面、4b…短側面、4c…上面、21…第1接続部、21a…第1接続孔、22…第2接続部、22a…第2接続孔、23…導体部、31…収容空間、31a…内側面、32…溝、33…凹部、41…ホール素子、42…サーミスタ、43…処理回路、44…接続端子、45…凸部、50…接着剤、I…電流、MF…磁界。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Current sensor, 2 ... Bus bar, 3 ... Semiconductor package container, 4 ... Semiconductor package, 4a ... Long side surface, 4b ... Short side surface, 4c ... Upper surface, 21 ... 1st connection part, 21a ... 1st connection hole, 22 2nd connection part, 22a ... 2nd connection hole, 23 ... Conductor part, 31 ... Housing space, 31a ... Inner side surface, 32 ... Groove, 33 ... Recessed part, 41 ... Hall element, 42 ... Thermistor, 43 ... Processing circuit, 44 ... connecting terminal, 45 ... convex, 50 ... adhesive, I ... current, MF ... magnetic field.

Claims (6)

導電体からなり、コ字状の導体部が形成されたバスバーと、同バスバーに流れる電流を磁気的に検出する磁気検出素子とを備えた電流センサにおいて、
前記磁気検出素子と、同磁気検出素子からの出力を処理する処理回路と、同処理回路と外部との接続端子とが収容された半導体パッケージが樹脂材料によるモールド成形により形成され、
前記バスバーの両端部が露出するとともに、前記導体部の内部に同磁気検出素子が位置するように前記半導体パッケージが収容される収容空間が設けられる半導体パッケージ収容体が樹脂材料によるモールド成形により形成され、
前記半導体パッケージ収容体の収容空間に前記半導体パッケージが収容される
ことを特徴とする電流センサ。
In a current sensor comprising a bus bar formed of a conductor and having a U-shaped conductor portion and a magnetic detection element that magnetically detects a current flowing through the bus bar,
A semiconductor package containing the magnetic detection element, a processing circuit for processing an output from the magnetic detection element, and a connection terminal between the processing circuit and the outside is formed by molding with a resin material,
A semiconductor package housing body is formed by molding with a resin material in which both end portions of the bus bar are exposed and a housing space for housing the semiconductor package is provided so that the magnetic detection element is located inside the conductor portion. ,
The current sensor, wherein the semiconductor package is housed in a housing space of the semiconductor package housing body.
請求項1に記載の電流センサにおいて、
前記半導体パッケージと前記半導体パッケージ収容体とは、これらの一部が弾性的に係合して相互に固定される
ことを特徴とする電流センサ。
The current sensor according to claim 1.
A part of the semiconductor package and the semiconductor package container are elastically engaged and fixed to each other.
請求項2に記載の電流センサにおいて、
前記半導体パッケージ収容体の収容空間の内側面と、前記半導体パッケージの外側面とのいずれか一方には凸部が形成され、これらの他方の同凸部に対向する位置には凹部が形成され、同凹部に凸部が嵌装することにより固定される
ことを特徴とする電流センサ。
The current sensor according to claim 2,
A convex portion is formed on one of the inner side surface of the housing space of the semiconductor package container and the outer side surface of the semiconductor package, and a concave portion is formed at a position facing these other convex portions, A current sensor characterized by being fixed by fitting a convex part into the concave part.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、
前記半導体パッケージ収容体の収容空間の内側面と、前記半導体パッケージの外側面とのいずれか一方には同半導体パッケージを同半導体パッケージ収容体の収容空間に誘導するための溝が形成され、これらの他方には同溝に案内される凸部が形成される
ことを特徴とする電流センサ。
In the current sensor according to any one of claims 1 to 3,
Grooves for guiding the semiconductor package to the housing space of the semiconductor package housing are formed on either the inner surface of the housing space of the semiconductor package housing or the outer surface of the semiconductor package. The current sensor is characterized in that a convex portion guided in the groove is formed on the other side.
請求項1〜4のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、
前記半導体パッケージ収容体の収容空間は、前記半導体パッケージの接続端子を囲繞するコネクタハウジングとなる
ことを特徴とする電流センサ。
In the current sensor according to any one of claims 1 to 4,
The current sensor, wherein the housing space of the semiconductor package housing is a connector housing that surrounds the connection terminals of the semiconductor package.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の電流センサにおいて、
前記半導体パッケージと前記半導体パッケージ収容体とは常温硬化型の接着剤により固定される
ことを特徴とする電流センサ。
In the current sensor according to any one of claims 1 to 5,
The current sensor, wherein the semiconductor package and the semiconductor package container are fixed by a room temperature curing adhesive.
JP2008058268A 2008-03-07 2008-03-07 Current sensor Pending JP2009216456A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008058268A JP2009216456A (en) 2008-03-07 2008-03-07 Current sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008058268A JP2009216456A (en) 2008-03-07 2008-03-07 Current sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009216456A true JP2009216456A (en) 2009-09-24

Family

ID=41188478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008058268A Pending JP2009216456A (en) 2008-03-07 2008-03-07 Current sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009216456A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014077682A (en) * 2012-10-10 2014-05-01 Tokai Rika Co Ltd Current sensor
WO2014132785A1 (en) * 2013-02-27 2014-09-04 株式会社村田製作所 Current sensor and electronic device containing same
JP2015159224A (en) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社東海理化電機製作所 sensor structure
JP2017093221A (en) * 2015-11-13 2017-05-25 トヨタ自動車株式会社 Power converter
JP2019102612A (en) * 2017-11-30 2019-06-24 富士電機株式会社 Interface unit and semiconductor device
JP2019152466A (en) * 2018-03-01 2019-09-12 Tdk株式会社 Sensor
CN112345811A (en) * 2019-08-07 2021-02-09 英飞凌科技股份有限公司 Apparatus and method for mounting magnetic field sensor chip to bus bar

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097879A (en) * 1996-09-20 1998-04-14 Yazaki Corp Current sensor-incorporated connector
JPH10267965A (en) * 1997-03-24 1998-10-09 Nana Electron Kk Current sensor
JP2002148284A (en) * 2000-11-15 2002-05-22 Jeco Co Ltd Current detector and its production method
JP2007171156A (en) * 2005-11-22 2007-07-05 Asahi Kasei Corp Current-detecting element, and manufacturing method therefor
JP2007218729A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Tokai Rika Co Ltd Current sensor
JP2008020404A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current detection mechanism and method of assembling the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097879A (en) * 1996-09-20 1998-04-14 Yazaki Corp Current sensor-incorporated connector
JPH10267965A (en) * 1997-03-24 1998-10-09 Nana Electron Kk Current sensor
JP2002148284A (en) * 2000-11-15 2002-05-22 Jeco Co Ltd Current detector and its production method
JP2007171156A (en) * 2005-11-22 2007-07-05 Asahi Kasei Corp Current-detecting element, and manufacturing method therefor
JP2007218729A (en) * 2006-02-16 2007-08-30 Tokai Rika Co Ltd Current sensor
JP2008020404A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current detection mechanism and method of assembling the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014077682A (en) * 2012-10-10 2014-05-01 Tokai Rika Co Ltd Current sensor
WO2014132785A1 (en) * 2013-02-27 2014-09-04 株式会社村田製作所 Current sensor and electronic device containing same
US20150355241A1 (en) * 2013-02-27 2015-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Current sensor and electronic device incorporating the same
JP5971398B2 (en) * 2013-02-27 2016-08-17 株式会社村田製作所 Current sensor and electronic device incorporating the same
JPWO2014132785A1 (en) * 2013-02-27 2017-02-02 株式会社村田製作所 Current sensor and electronic device incorporating the same
US9714959B2 (en) 2013-02-27 2017-07-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Current sensor and electronic device incorporating the same
JP2015159224A (en) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社東海理化電機製作所 sensor structure
JP2017093221A (en) * 2015-11-13 2017-05-25 トヨタ自動車株式会社 Power converter
JP2019102612A (en) * 2017-11-30 2019-06-24 富士電機株式会社 Interface unit and semiconductor device
JP2019152466A (en) * 2018-03-01 2019-09-12 Tdk株式会社 Sensor
CN112345811A (en) * 2019-08-07 2021-02-09 英飞凌科技股份有限公司 Apparatus and method for mounting magnetic field sensor chip to bus bar

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5524540B2 (en) Current sensor
JP5098855B2 (en) Current sensor
JP5403789B2 (en) Current detector assembly structure
JP5225878B2 (en) Current detector assembly structure
US9714959B2 (en) Current sensor and electronic device incorporating the same
JP2009216456A (en) Current sensor
JP5403792B2 (en) Current detector assembly structure
US20090039880A1 (en) Electric current detector having detector element holder coupled to magnetic core casing
JP5598559B2 (en) Current sensor
JP2011064648A (en) Current sensor
JP2016206195A (en) Current transducer with integrated primary conductor bar
US20180321281A1 (en) Current sensor
WO2019117169A1 (en) Current sensor
JP4891217B2 (en) Current sensor
JP2013120177A (en) Current detector
JP2015132534A (en) Current detection device
US20100090685A1 (en) Wide-range open-loop current sensor
JP5225884B2 (en) Assembling structure and assembling method of current detection device
JP2014010012A (en) Current sensor
JP2009156802A (en) Current sensor
JP2005174595A (en) Fuse device with current sensor incorporated therein
JP2015159224A (en) sensor structure
JP2010223868A (en) Assembly structure of electric current detecting device
JP5683511B2 (en) Current sensor
JP2016109601A (en) Current sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120417

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120807