JP2009216419A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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康宏 岡田
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敬一 岩崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device capable of facilitating a test by arranging input and output data from an outside. <P>SOLUTION: This semiconductor integrated circuit device is provided with a first delay regulation circuit 14 for regulating a delay amount of the input data of a test pattern input from the outside, a first memory 15 for storing the input data of the test pattern output from the first delay regulation circuit 14, a device 1 to be tested for processing the input data of the test pattern output in parallel from the first memory 15, to output an output expected value, a second memory 25 for storing an output expected value data output in parallel from the device 1 to be tested, and a second delay regulation circuit 24 for regulating a delay amount of a data output from the second memory 25, and an output from the second delay regulation circuit 24 is output to the outside as an expected value. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体集積回路のテストを行うテスト回路を備えた半導体集積回路装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a test circuit for testing a semiconductor integrated circuit.

従来から半導体集積回路のテストが図4に示すようなシステムにより行われている。図4に示すように、被測定対象である被試験デバイス(DUT:Devuce undertest)100の入力側はバッファ102を介して入力端子103に接続され、出力側はバッファ4を介して出力端子104に接続されている。   Conventionally, a test of a semiconductor integrated circuit has been performed by a system as shown in FIG. As shown in FIG. 4, the input side of a device under test (DUT) 100 to be measured is connected to an input terminal 103 via a buffer 102, and the output side is connected to an output terminal 104 via a buffer 4. It is connected.

試験用LSIテスタ106は、テストパターンをインタフェース107を介して入力端子103に入力する。このテストパターンは入力端子103からバッファ102を介して被測定対象LSIの被試験デバイス(DUT:Devuce undertest)100の入力側に入力されて処理され、その結果である出力期待値が被試験デバイス100の出力側からバッファ104を介して出力端子105に出力される。   The test LSI tester 106 inputs a test pattern to the input terminal 103 via the interface 107. This test pattern is input from the input terminal 103 via the buffer 102 to the input side of a device under test (DUT: Device undertest) 100 of the LSI to be measured and processed, and the output expected value as a result is processed. From the output side to the output terminal 105 via the buffer 104.

出力期待値はインタフェース108を介してLSIテスタ106に入力され、出力期待値と前記テストパターンが比較されて、テスト結果が判明する。   The expected output value is input to the LSI tester 106 via the interface 108, and the test result is determined by comparing the expected output value with the test pattern.

ところで、図4に示すようなシステムにより、LSIの高速テストを行なうためには、高性能の高速LSIテスタを必要とする。しかしながら、高速LSIテスタは非常に高価であり、この高速LSIテスタを用意するだけで多額の費用が掛かってしまうという問題がある。また、実際の測定は、高速LSIテスタの上にテストボード(図示せず)を載せ、更にその上にソケット(図示せず)を載せ、このソケットに被測定対象のLSIを接続して行なうため、テストパターンの高速伝送を実現する為のテストボード(インターフェース107、108に相当)や、LSIをウェハ状態でテストする時に必要なプローブカード(図示せず)等の特性(ノイズ、反射特性等)を高速伝送に適したものにしなくてはならず、満足する性能を有する測定治具の開発費用・開発時間・調整等に多大な費用と膨大な時間が必要になる。   Incidentally, a high-performance high-speed LSI tester is required to perform a high-speed LSI test using the system shown in FIG. However, the high-speed LSI tester is very expensive, and there is a problem that a large amount of cost is required only by preparing this high-speed LSI tester. Actual measurement is performed by placing a test board (not shown) on a high-speed LSI tester, placing a socket (not shown) thereon, and connecting the LSI to be measured to this socket. Characteristics (noise, reflection characteristics, etc.) of test boards (corresponding to interfaces 107 and 108) for realizing high-speed transmission of test patterns, probe cards (not shown) necessary for testing LSIs in a wafer state, etc. Must be suitable for high-speed transmission, and a large amount of time and time are required for the development cost, development time, adjustment, etc. of a measuring jig having satisfactory performance.

そこで、高価な高速LSIテスタや測定治具を用いず且つ、短時間の準備で安価にLSIの高速テストを実施することができるLSIの高速テストシステムとして、テストを行う内部回路の入力側に第1の記憶手段を出力側に第2の記憶手段を設け、外部から入力される低速のテストパターンを低速のクロックにより低速で第1の記憶手段へ記憶し、記憶したテストパターンを前記発振回路で発生される高速のクロックにより高速で読み出して内部回路に入力させる。そして、前記内部回路から出力される高速の出力期待値を高速のクロックにより高速で第2の記憶手段に記憶し、記憶した出力期待値を低速のクロックにより低速で読み出すものが提案されている(特許文献1参照)。   Therefore, as an LSI high-speed test system that does not use an expensive high-speed LSI tester or measurement jig and can perform high-speed LSI testing at a low cost with a short preparation time, the first side is connected to the input side of the internal circuit to be tested. The first storage means is provided with the second storage means on the output side, and a low-speed test pattern inputted from the outside is stored in the first storage means at a low speed by a low-speed clock, and the stored test pattern is stored in the oscillation circuit. Reading is performed at high speed by the generated high-speed clock and input to the internal circuit. Then, a high-speed output expected value output from the internal circuit is stored in the second storage means at high speed with a high-speed clock, and the stored output expected value is read out at low speed with a low-speed clock ( Patent Document 1).

ところで、パラレルデータの入出力を必要とする回路のテストを行う場合、テスト用外部端子を通常動作用外部端子として兼用する場合がある。図4に、テスト用外部端子を通常動作用外部端子として兼用する場合の回路例を示す。図4に示すように、被測定対象である被試験デバイス(DUT:Devuce undertest)100の入力側はバッファ102、セレクタ111を介して入力端子103に接続され、出力側はセレクタ112、バッファ4を介して出力端子104に接続されている。図示はしないが、入力端子103と出力端子104との間に、図4と同様に試験用LSIテスタが接続される。   By the way, when testing a circuit that requires input / output of parallel data, the test external terminal may also be used as a normal operation external terminal. FIG. 4 shows a circuit example when the test external terminal is also used as the normal operation external terminal. As shown in FIG. 4, an input side of a device under test (DUT) 100 to be measured is connected to an input terminal 103 via a buffer 102 and a selector 111, and a selector 112 and a buffer 4 are connected to an output side. Via the output terminal 104. Although not shown, a test LSI tester is connected between the input terminal 103 and the output terminal 104 as in FIG.

そして、セレクタ112は制御回路110aにより、テストモード切替信号が与えられ、入力端子102がテスト用と通常動作用とに切り替えられる。また、セレクタ112は、制御回路制御回路110bにより、テストモード切替信号が与えられ、出力端子105がテスト用と通常動作用とに切り替えられる。従来ではパラレルデータの入出力用に外部入出力端子103、105を通常動作用と兼用すると外部入出力端子103、105の位置により配線遅延が生じる。さらに、入出力端子103の被試験デバイス100までに色々な遅延回路120が存在する。図4においては、遅延回路120をバッファの個数で現している。図4に示すように、入力端子103の位置により、バッファの個数が異なり、遅延量が相違する。この結果、動作が高速になると同一クロックで取り込むことが難しくなっていた。
特開2003−4809号公報
The selector 112 is given a test mode switching signal by the control circuit 110a, and the input terminal 102 is switched between a test mode and a normal mode. Further, the selector 112 is given a test mode switching signal by the control circuit control circuit 110b, and the output terminal 105 is switched between the test use and the normal operation use. Conventionally, when the external input / output terminals 103 and 105 are also used for normal operation for input / output of parallel data, wiring delay occurs depending on the positions of the external input / output terminals 103 and 105. Further, various delay circuits 120 exist up to the device under test 100 at the input / output terminal 103. In FIG. 4, the delay circuit 120 is represented by the number of buffers. As shown in FIG. 4, the number of buffers differs depending on the position of the input terminal 103, and the delay amount differs. As a result, it has become difficult to capture with the same clock as the operation becomes faster.
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-4809

パラレルデータの入出力を必要とする回路のテストを行う場合、図4に示すように、テスト用の外部端子を通常動作用外部端子と兼用していると、テスト対象回路への入力データの遅延がそろわず、また出力されるデータのスキューがそろわず期待値を揃えることが困難となる。また、パラレルデータの入出力を行う場合、テスト用外部端子が多く必要となる。また、上記した特許文献1のものにおいては、テスト対象回路への入力データの遅延を解消することについては考慮されていない。   When testing a circuit that requires input / output of parallel data, as shown in FIG. 4, if the test external terminal is also used as a normal operation external terminal, the delay of the input data to the test target circuit However, the skew of the output data is not uniform and it is difficult to align the expected values. Further, when inputting / outputting parallel data, many external test terminals are required. Further, in the above-mentioned Patent Document 1, no consideration is given to eliminating the delay of input data to the test target circuit.

この発明は、上記した従来の問題点に鑑みなされたものにして、外部からの入出力データを揃えることでテストを容易にする半導体集積回路装置を提供することを課題とする。また、この発明は、テスト用外部入出力端子(兼用端子含む)を削減することを課題とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that can be easily tested by aligning input / output data from the outside, in view of the above-described conventional problems. Another object of the present invention is to reduce the number of external test input / output terminals (including dual-purpose terminals).

この発明の半導体集積回路装置は、外部から入力されるテストパターンの入力データの遅延量を調整する第1の遅延調整回路と、この第1の遅延回路から出力されるテストパターンの入力データを記憶する第1の記憶手段と、この第1の記憶手段からパラレルに出力されるテストパターンの入力データを処理して出力期待値を出力する内部回路と、この内部回路からパラレルに出力される出力期待値データを記憶する第2の記憶手段と、この第2の記憶手段から出力されるデータの遅延量を調整する第2の遅延調整回路と、この第2の遅延調整回路からの出力を期待値として外部へ出力することを特徴とする。   A semiconductor integrated circuit device according to the present invention stores a first delay adjustment circuit for adjusting a delay amount of input data of a test pattern inputted from the outside, and test pattern input data outputted from the first delay circuit. First storage means for processing, an internal circuit for processing input data of the test pattern output in parallel from the first storage means and outputting an expected output value, and an output expectation output in parallel from the internal circuit A second storage means for storing value data, a second delay adjustment circuit for adjusting a delay amount of data output from the second storage means, and an output from the second delay adjustment circuit as an expected value. As an external output.

また、前記第1の遅延回路にテストパターンの入力データがパラレルに与えられ、この第1の遅延回路から第1の記憶手段にテストパターンの入力データがパラレルに与えられ、前記第2の記憶手段から第2の遅延調整回路に出力期待値がパラレルに出力され、前記第2の遅延調整回路から期待値をパラレルに出力するように構成すればよい。   Further, test pattern input data is given in parallel to the first delay circuit, test pattern input data is given in parallel from the first delay circuit to the first storage means, and the second storage means is provided. The output expected value may be output in parallel to the second delay adjustment circuit, and the expected value may be output in parallel from the second delay adjustment circuit.

また、前記第1及び第2遅延調整回路は、フリップフロップを複数段持つように構成できる。   The first and second delay adjustment circuits can be configured to have a plurality of flip-flops.

また、この発明は、前記第1の遅延回路にテストパターンの入力データがシリアルに与えられ、前記第1の記憶手段にデータを格納後内部回路にパラレルに出力すると共に、前記第2の記憶手段から前記第2の遅延回路に出力期待値をシリアルに出力し、パラレルデータをデータ幅よりも少ない外部入出力端子数でデータの入出力を行うように構成できる。   According to the present invention, test pattern input data is serially given to the first delay circuit, and the data is stored in the first storage means and then output in parallel to the internal circuit. The output expected value is serially output to the second delay circuit, and parallel data can be input / output with the number of external input / output terminals smaller than the data width.

この発明は、入力データをクロックに同期した第1の遅延調整回路で受け取ることにより、タイミングの調整を容易にすることができる。また、同様に出力側のクロックに同期した第2の遅延調整回路にて外部出力パラレルデータのスキュー調整を容易にすることができる。   According to the present invention, the timing can be easily adjusted by receiving the input data by the first delay adjustment circuit synchronized with the clock. Similarly, the skew adjustment of the external output parallel data can be facilitated by the second delay adjustment circuit synchronized with the clock on the output side.

また、遅延調整回路フリップフロップを複数段挿入して構成することで、長い配線距離に対しても調整が可能となる。   Further, by configuring the delay adjustment circuit flip-flops in a plurality of stages, adjustment is possible even for a long wiring distance.

また、第1の記憶手段にシリアルで入力し、第2の記憶手段からシリアルで出力することで、パラレルデータの入出力を1本の外部入出力端子で行うことができ、テスト用外部入出力端子を削減することができ、チップサイズの小さくすることができる。   In addition, by inputting serially to the first storage means and outputting serially from the second storage means, parallel data can be input / output via a single external input / output terminal. Terminals can be reduced, and the chip size can be reduced.

この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、説明の重複を避けるためにその説明は繰返さない。   Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated in order to avoid duplication of description.

図1は、この発明の第1の実施形態の構成を示す回路図である。   FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention.

図1に示すように、内部回路である被測定対象である被試験デバイス(DUT:Devuce undertest)1の入力側はバッファ12、セレクタ13を介して入力端子11に接続される。また、出力側はセレクタ23、バッファ22を介して出力端子21に接続されている。セレクタ13は入力データの第1の遅延調整回路14と接続される。この遅延調整回路14は、外部からの入力データを受け取り、第1のメモリ15にデータを出力する。遅延調整回路14は、フリップフロップを多段に接続したようなクロックに同期した回路で構成され、各入力端子11間の遅延量を調整してセレクタ14から与えられる入力テストパターンのデータをメモリ15に与える。メモリ15に格納された入力テストパターンのデータが被試験デバイス1に入力される。   As shown in FIG. 1, the input side of a device under test (DUT: Device undertest) 1 that is an object to be measured, which is an internal circuit, is connected to an input terminal 11 via a buffer 12 and a selector 13. The output side is connected to the output terminal 21 via the selector 23 and the buffer 22. The selector 13 is connected to a first delay adjustment circuit 14 for input data. The delay adjustment circuit 14 receives external input data and outputs the data to the first memory 15. The delay adjustment circuit 14 is configured by a circuit synchronized with a clock such as flip-flops connected in multiple stages. The delay adjustment circuit 14 adjusts the delay amount between the input terminals 11 and stores the input test pattern data provided from the selector 14 in the memory 15. give. Data of an input test pattern stored in the memory 15 is input to the device under test 1.

セレクタ13、メモリ15は制御回路16により制御される。制御回路16は、通常動作時とテスト時の外部入力端子11の切り替えやメモリ15のリード/ライトの切り換え制御を行う。   The selector 13 and the memory 15 are controlled by the control circuit 16. The control circuit 16 performs switching control of the external input terminal 11 and read / write switching of the memory 15 during normal operation and test.

メモリ15から被試験デバイス1に入力され、被試験デバイス1で処理された出力期待値のデータが第2のメモリ25に格納される。メモリ25に格納されたデータは、第2の遅延調整回路24に与えられ、セレクタ23からバッファ22を介して出力端子21に出力される。遅延調整回路24は、フリップフロップを多段に接続したようなクロックに同期した回路で構成され、各出力端子21間の遅延量を調整してメモリ25から読み出されたデータをセレクタ23、バッファ21を介して出力端子21に与える。   Data of the expected output value input from the memory 15 to the device under test 1 and processed by the device under test 1 is stored in the second memory 25. The data stored in the memory 25 is supplied to the second delay adjustment circuit 24 and is output from the selector 23 to the output terminal 21 via the buffer 22. The delay adjustment circuit 24 is configured by a circuit synchronized with a clock such as flip-flops connected in multiple stages. The delay adjustment circuit 24 adjusts the amount of delay between the output terminals 21 and converts the data read from the memory 25 into the selector 23 and the buffer 21. To the output terminal 21.

セレクタ23、メモリ25は制御回路26により制御される。制御回路26は、通常動作時とテスト時の外部出力端子21の切り替えやメモリ25のリード/ライトの切り換え制御を行う。   The selector 23 and the memory 25 are controlled by the control circuit 26. The control circuit 26 performs switching control of the external output terminal 21 during normal operation and testing and switching control of read / write of the memory 25.

なお、制御回路16、制御回路26および遅延調整回路14、24には、制御用のクロックが与えられている。   Note that a control clock is supplied to the control circuit 16, the control circuit 26, and the delay adjustment circuits 14 and 24.

図示はしないが、入力端子13と出力端子21との間に、図4と同様に試験用LSIテスタが接続される。LSIテスタからテストパターンが入力端子11に与えられる。このテストパターンは入力端子11からバッファ12、セレクタ13、遅延調整回路14を介してメモリ15に格納される。メモリ15から被測定対象LSIの被試験デバイス1の入力側に入力されて処理され、その結果である出力期待値が被試験デバイス1の出力側からメモリ25に格納し、格納が完了した後、遅延調整回路24、セレクタ23、バッファ22を介して出力端子21に出力される。出力端子21から出力された出力期待値はLSIテスタに入力され、出力期待値とテストパターンが比較されて、テストが行われる。   Although not shown, a test LSI tester is connected between the input terminal 13 and the output terminal 21 as in FIG. A test pattern is applied to the input terminal 11 from the LSI tester. This test pattern is stored in the memory 15 from the input terminal 11 through the buffer 12, the selector 13, and the delay adjustment circuit 14. After being input from the memory 15 to the input side of the device under test 1 of the LSI under test 1 and processed, the expected output value is stored in the memory 25 from the output side of the device under test 1, and after the storage is completed, The signal is output to the output terminal 21 via the delay adjustment circuit 24, the selector 23, and the buffer 22. The output expected value output from the output terminal 21 is input to the LSI tester, and the test is performed by comparing the output expected value with the test pattern.

次に、被試験デバイス1のテストを行う際の動作を説明する。テスタから与えられる入力データが入力端子11に与えられ、バッファ12、セレクタ13を介して、メモリ15へデータを出力する遅延調整回路14で遅延を調整し、メモリ15へ入力テストパターンを格納する。このとき、制御回路16は、セレクタ13をテスト時の切り替え制御を行うと共にメモリ15をライト状態に制御している。   Next, the operation when the device under test 1 is tested will be described. Input data given from the tester is given to the input terminal 11, the delay is adjusted by the delay adjustment circuit 14 that outputs the data to the memory 15 via the buffer 12 and the selector 13, and the input test pattern is stored in the memory 15. At this time, the control circuit 16 controls the selector 13 during the test and controls the memory 15 to the write state.

そして、メモリ15にデータが格納された後、制御回路16により、メモリ15をリードするための動作へ切り替えを行い、メモリ15のデータを被試験デバイス1へパラレルに入力させる。被試験デバイス1の出力期待値のパラレル出力は出力側メモリ25へ格納し、被試験デバイス1出力が完了後、制御回路26により出力側メモリ25をリードしていきフリップフロップのようなクロックに同期した遅延調整回路24を通して、セレクタ23、バッファ22を介して出力端子21へ出力する。   After the data is stored in the memory 15, the control circuit 16 switches to the operation for reading the memory 15, and inputs the data in the memory 15 to the device under test 1 in parallel. The parallel output of the output expected value of the device under test 1 is stored in the output side memory 25, and after the output of the device under test 1 is completed, the output side memory 25 is read by the control circuit 26 and synchronized with a clock like a flip-flop. The output is output to the output terminal 21 via the selector 23 and the buffer 22 through the delay adjustment circuit 24.

従来ではパラレルデータの入出力用に外部入出力端子を通常動作用と兼用すると、上述したように、外部入出力端子の位置により配線遅延がそれぞれ異なり、またテスト対象回路までのセレクタ等により遅延が付き、動作が高速になると同一クロックでとりこむことが難しくなっていた。   Conventionally, when the external input / output terminal is also used for normal operation for parallel data input / output, the wiring delay varies depending on the position of the external input / output terminal as described above, and the delay is caused by the selector etc. to the test target circuit. In addition, it was difficult to capture with the same clock as the operation speed increased.

これに対し、この実施形態においては、図1に示す通り、入力データをフリップフロップのようなクロックに同期した遅延調整回路14で受け取ることにより、タイミングの調整を容易にすることができる。また、同様に出力側のフリップフロップのようなクロックに同期した遅延調整回路24は外部出力パラレルデータのスキュー調整を容易にすることができる。   In contrast, in this embodiment, as shown in FIG. 1, timing adjustment can be facilitated by receiving input data by a delay adjustment circuit 14 synchronized with a clock such as a flip-flop. Similarly, a delay adjustment circuit 24 synchronized with a clock such as an output side flip-flop can easily adjust the skew of external output parallel data.

そして、大規模回路の場合には、より配線が長くなり遅延調整が困難なる。そこで、図1に示すように、大規模回路のように遅延調整が困難な場合は、遅延調整回路14、24として、フリップフロップを複数段挿入して構成する。このように、フリップフロップを複数段挿入することにより、長い配線距離に対しても調整が可能となる。また、図1に示す回路構成を使用することにより、テスト時の入出力データのタイミングの調整を容易にし、入出力データをそろえることができるため、高速でのパラレルデータの入出力テストが可能となる。   In the case of a large-scale circuit, the wiring becomes longer and delay adjustment becomes difficult. Therefore, as shown in FIG. 1, when delay adjustment is difficult as in a large-scale circuit, the delay adjustment circuits 14 and 24 are configured by inserting a plurality of flip-flops. As described above, by inserting a plurality of flip-flops, adjustment is possible even for a long wiring distance. In addition, by using the circuit configuration shown in FIG. 1, it is possible to easily adjust the timing of the input / output data during the test and to align the input / output data, thereby enabling high-speed parallel data input / output testing. Become.

図1に示すように、遅延調整回路14、24として、フリップフロップを複数段挿入した回路構成を使用することにより、大規模回路においても同様にテスト時の入出力データのタイミングの調整を容易にし、入出力データを揃えることができるため、高速でのパラレルデータの入出力テストが可能となる。   As shown in FIG. 1, by using a circuit configuration in which a plurality of stages of flip-flops are inserted as the delay adjustment circuits 14 and 24, it is possible to easily adjust the timing of input / output data at the same time even in a large-scale circuit. Since the input / output data can be aligned, the parallel data input / output test can be performed at a high speed.

次に、この発明の第2の実施形態につき図2に従い説明する。図2に示す構成は、外部端子の削減を可能としたものである。図2に示すように、被試験デバイス1の入力側には、記憶装置としてのメモリ15aが接続され、このメモリ15aに蓄えられた外部からのテスト入力パターンをパラレルに被試験デバイス1に与える。メモリ15aには、入出力端子31からバッファ12a、セレクタ13a及び遅延調整回路14aを介して外部からのテスト入力をシリアルで入力し、メモリ15aに格納する。遅延調整回路14aは、フリップフロップを多段に接続したようなクロックに同期した回路で構成され、入出力端子31の遅延量を調整してセレクタ13aから与えられる入力テストパターンをシリアルデータとしてをメモリ15aに与える。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration shown in FIG. 2 makes it possible to reduce the number of external terminals. As shown in FIG. 2, a memory 15a as a storage device is connected to the input side of the device under test 1, and external test input patterns stored in the memory 15a are given to the device under test 1 in parallel. A test input from the outside is serially input from the input / output terminal 31 to the memory 15a via the buffer 12a, the selector 13a, and the delay adjustment circuit 14a, and is stored in the memory 15a. The delay adjustment circuit 14a is composed of a circuit synchronized with a clock such as a multi-stage connection of flip-flops. The delay adjustment circuit 14a adjusts the delay amount of the input / output terminal 31 and converts the input test pattern provided from the selector 13a as serial data into the memory 15a. To give.

被測定対象である被試験デバイス1の出力側には、記憶装置としてのメモリ25aが接続され、メモリ15aから被測定対象LSIの被試験デバイス1の入力側に入力されて処理され、その結果である出力期待値が被試験デバイス1の出力側からメモリ25aにパラレルに出力され、メモリ25aに格納される。   A memory 25a serving as a storage device is connected to the output side of the device under test 1 that is the object to be measured, and is input from the memory 15a to the input side of the device under test 1 of the LSI to be measured and processed. A certain expected output value is output in parallel to the memory 25a from the output side of the device under test 1, and stored in the memory 25a.

メモリ25aからは出力期待値データがシリアルに読み出され、遅延調整回路24aで遅延調整され、セレクタ23a、バッファ22aを介して入出力端子31aに出力される。   Expected output value data is read serially from the memory 25a, delayed by the delay adjusting circuit 24a, and output to the input / output terminal 31a via the selector 23a and the buffer 22a.

セレクタ13a、23a、メモリ15a、25aは制御回路16により制御される。制御回路16は、通常動作時とテスト時の入出力端子11の切り替え、データの入力と出力の切り替えのためのセレクタ13a、23aの制御、メモリ15a、25aのリード/ライトの切り換え制御を行う。   The selectors 13 a and 23 a and the memories 15 a and 25 a are controlled by the control circuit 16. The control circuit 16 performs switching of the input / output terminal 11 during normal operation and testing, control of the selectors 13a and 23a for switching between input and output of data, and switching control of read / write of the memories 15a and 25a.

図2に示すように、メモリ15aを持つことにより、入出力端子31から与えられる外部からのテスト入力をシリアルで入力し、メモリ15aで蓄え、パラレルで被試験デバイス1に出力することにより、外部の入出力端子31の削減が可能となる。同様に、外部へのテスト出力は被試験デバイス1からパラレルデータをメモリ25aへ蓄えた後、シリアルで外部へ出力することにより、外部の入出力端子31の削減が可能となる。   As shown in FIG. 2, by having the memory 15a, an external test input given from the input / output terminal 31 is serially input, stored in the memory 15a, and output to the device under test 1 in parallel. The number of input / output terminals 31 can be reduced. Similarly, external test output can be reduced by storing parallel data from the device under test 1 in the memory 25a and then outputting the data serially to the outside.

このように、図2に示す回路構成を使用することにより、被試験デバイス1にメモリ15a、25aを接続するため、パラレルデータの入出力を1本の外部入出力端子31でも可能となり、テスト用外部入出力端子を削減することができ、チップサイズの小さくすることができる。   In this way, by using the circuit configuration shown in FIG. 2, the memories 15a and 25a are connected to the device under test 1, so that parallel data input / output can be performed by a single external input / output terminal 31. External input / output terminals can be reduced, and the chip size can be reduced.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

この発明の第1の実施形態の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention. この発明の第1の実施形態の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a first embodiment of the present invention. 半導体集積回路のテストを行うシステムを示すブロック図である。1 is a block diagram showing a system for testing a semiconductor integrated circuit. 従来のテスト用外部端子を通常動作用外部端子として兼用する場合の回路図である。It is a circuit diagram in the case of using the conventional test external terminal also as an external terminal for normal operation.

符号の説明Explanation of symbols

1 被試験デバイス(DUT)、11 入力端子、12 バッファ、13 セレクタ、14 第1の遅延回路、15 第1のメモリ、16 制御回路、21 出力端子、22 バッファ、23 セレクタ、24 第2の遅延回路、25 第2のメモリ、26 制御回路。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device under test (DUT), 11 input terminal, 12 buffer, 13 selector, 14 1st delay circuit, 15 1st memory, 16 control circuit, 21 output terminal, 22 buffer, 23 selector, 24 2nd delay Circuit, 25 second memory, 26 control circuit.

Claims (4)

外部から入力されるテストパターンの入力データの遅延量を調整する第1の遅延調整回路と、この第1の遅延回路から出力されるテストパターンの入力データを記憶する第1の記憶手段と、この第1の記憶手段からパラレルに出力されるテストパターンの入力データを処理して出力期待値を出力する内部回路と、この内部回路からパラレルに出力される出力期待値データを記憶する第2の記憶手段と、この第2の記憶手段から出力されるデータの遅延量を調整する第2の遅延調整回路と、この第2の遅延調整回路からの出力を期待値として外部へ出力することを特徴とする半導体集積回路装置。   A first delay adjusting circuit for adjusting a delay amount of test pattern input data input from the outside, a first storage means for storing test pattern input data output from the first delay circuit, and An internal circuit that processes input data of a test pattern output in parallel from the first storage means and outputs an expected output value, and a second storage that stores output expected value data output in parallel from the internal circuit And a second delay adjustment circuit for adjusting a delay amount of data output from the second storage means, and an output from the second delay adjustment circuit is output to the outside as an expected value. A semiconductor integrated circuit device. 前記第1の遅延回路にテストパターンの入力データがパラレルに与えられ、この第1の遅延回路から第1の記憶手段にテストパターンの入力データがパラレルに与えられ、前記第2の記憶手段から第2の遅延調整回路に出力期待値がパラレルに出力され、前記第2の遅延調整回路から期待値をパラレルに出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。   Test pattern input data is given in parallel to the first delay circuit, test pattern input data is given in parallel from the first delay circuit to the first storage means, and from the second storage means, 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein an output expected value is output in parallel to the second delay adjustment circuit, and an expected value is output in parallel from the second delay adjustment circuit. 前記第1及び第2遅延調整回路は、フリップフロップを複数段持つことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。   3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein each of the first and second delay adjustment circuits has a plurality of flip-flops. 前記第1の遅延回路にテストパターンの入力データがシリアルに与えられ、前記第1の記憶手段にデータを格納後内部回路にパラレルに出力すると共に、前記第2の記憶手段から前記第2の遅延回路に出力期待値をシリアルに出力し、パラレルデータをデータ幅よりも少ない外部入出力端子数でデータの入出力を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。   Test pattern input data is serially applied to the first delay circuit, and after the data is stored in the first storage means, the data is output in parallel to the internal circuit and from the second storage means to the second delay. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein an expected output value is serially output to the circuit, and parallel data is input / output with the number of external input / output terminals smaller than the data width.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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