JP2009212235A

JP2009212235A - 有機電界発光素子

Info

Publication number: JP2009212235A
Application number: JP2008052505A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Kitamura; 吉隆北村; Manabu Hise; 学飛世; Masaji Kinoshita; 正兒木下
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2008-03-03
Filing date: 2008-03-03
Publication date: 2009-09-17

Abstract

【課題】本発明の課題は、発光効率が高く耐久性に優れた有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を提供することである。
【解決手段】陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減するか、もしくは該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする有機電界発光素子。
【選択図】なし

Description

本発明は有機電界発光素子に関する。特に、発光効率が高く耐久性に優れた有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子（以後、有機ＥＬ素子と略記する。）は、発光層もしくは発光層を含む複数の有機機能層と、これらの層を挟んだ対向電極とから構成されている。有機ＥＬ素子は、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが発光層において再結合し、生成した励起子からの発光及び他の分子の励起子からエネルギー移動して生成した励起子からの発光を利用した、発光を得るための素子である。

これまで有機ＥＬ素子は、機能を分離した積層構造を用いることにより、輝度及び素子効率が大きく改善され発展してきた。例えば、正孔輸送層と発光兼電子輸送層を積層した二層積層型素子や正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを積層した三層積層型素子や、正孔輸送層と発光層と正孔阻止層と電子輸送層とを積層した四層積層型素子がよく用いられる（例えば、非特許文献１参照）。

しかしながら、有機ＥＬ素子の実用化には未だ多くの課題が残されている。第１に高い発光効率を達成すること、第２に高い駆動耐久性を達成することである。特に、連続駆動時の品質低下は最大の課題である。

発光層と電子輸送層との間に、発光層を構成する化合物と電子輸送層を構成する化合物とを含有する領域を設けることにより、電子輸送層より発光層に電子が流れる障壁を下げる試みが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この領域の中で、発光層を構成する化合物の濃度が発光層の方向に向かって高くすることが障壁を低下するのにより好ましいことも開示されている。しかしながら、これらの手段は隣接層のキャリア移動抵抗を低下させることは出来るが、発光効率を高める手段、および高い駆動耐久性を共に満足する手段としては充分ではない。

また、有機ＥＬ素子を積層構造とした場合、各層間の障壁のためにキャリア注入性が低下し、駆動電圧の上昇かつ耐久性の低下の問題があった。このような各層間の障壁を低減する手段として各層が含有する正孔輸送（注入）材料、電子輸送（注入）材料の各層における濃度に傾斜を設けることが提案されている（例えば、特許文献２、３参照）。この構成においては、発光層における発光材料はバイポーラー性混合層から形成される発光層内の限定された領域に一定の濃度で配置されている。この構成においても発光材料の配置された領域のうち限られた領域のみで発光すると考えられ、高い発光効率の素子を得る手段としては十分ではない。

高い外部量子効率と高い駆動耐久性とを両立させることは、実用的に有用な有機ＥＬ素子を設計する上で極めて重要な課題であり、常に改良を求められている課題であった。
サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ），２６７巻，３号，１９９５年，１３３２頁特開２００２−３２４６８０号公報特開２００２−３１３５８３号公報特開２００２−３１３５８４号公報

本発明は、発光効率が高く耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。

本発明の上記課題は、下記の手段によって解決する事を見出された。
＜１＞陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、
（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していることを特徴とする有機電界発光素子。
＜２＞前記発光層の前記陽極に近接する領域（前記発光層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域（前記発光層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域（前記電子輸送層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送材料の濃度が、前記陽極に近接する領域（前記電子輸送層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送材料の濃度の０％以上５０％以下であることを特徴とする＜１＞に記載の有機電界発光素子。
＜３＞前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度に対して０％以上２０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、前記電子輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする＜２＞に記載の有機電界発光素子。
＜４＞陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、
（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする有機電界発光素子。
＜５＞前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜４＞に記載の有機電界発光素子。
＜６＞前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜５＞に記載の有機電界発光素子。
＜７＞前記発光層における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していることを特徴とする＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
＜８＞前記発光層の前記陽極側に近接する領域における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜７＞に記載の有機電界発光素子。
＜９＞前記発光層の前記陽極側に近接する領域における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜８＞に記載の有機電界発光素子。
＜１０＞前記電子輸送層における前記正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減し、且つ前記電子輸送層における前記電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
＜１１＞陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、
（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする有機電界発光素子。
＜１２＞前記発光層の前記陰極に近接する領域（前記発光層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域（前記発光層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、前記正孔輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする＜１１＞に記載の有機電界発光素子。
＜１３＞前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、前記正孔輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする＜１２＞に記載の有機電界発光素子。
＜１４＞陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、
（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減することを特徴とする有機電界発光素子。
＜１５＞前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜１４＞に記載の有機電界発光素子。
＜１６＞前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする＜１５＞に記載の有機電界発光素子。
＜１７＞前記発光層における前記電子輸送性ホスト材料の濃度が前記陰極側から前記陽極側に向かって漸減していることを特徴とする＜１１＞〜＜１６＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
＜１８＞前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性ホスト材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性ホスト材料の濃度の０％以上５０％以下であることを特徴とする＜１７＞に記載の有機電界発光素子。
＜１９＞前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性ホスト材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性ホスト材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする＜１８＞に記載の有機電界発光素子。
＜２０＞前記正孔輸送層における前記正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減し、且つ前記正孔輸送層における前記電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする＜１１＞〜＜１９＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。
＜２１＞前記発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする＜１＞〜＜２０＞のいずれかに記載の有機電界発光素子。

本発明により、発光効率が高く耐久性に優れた有機ＥＬ素子が提供される。
特に、燐光発光材料を用いて、発光効率が高く且つ高電流領域においても発光効率の低下がなく、低電流領域から高電流領域に渉って高い発光効率で優れた駆動耐久性を有する有機ＥＬ素子が提供される。

本発明の第１の態様は、陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していることを特徴とする。

本発明の第２の態様は、陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする。

本発明の第３の態様は、陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする。

本発明の第４の態様は、陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減することを特徴とする。

本発明においては、「漸減」又は「漸増」が意味するところは、総体的に、陰極側から陽極側に向かって減少または増加していることが本発明の主旨であって、連続的に変化しても、階段状に変化しても良い。あるいは、一部で増加または減少している領域があっても総体的に減少または増加していれば本願の意図する範囲内である。

本発明に於ける物質Ａが「漸減」するが意味するところは、好ましくは、一方の界面領域における物質Ａの濃度に対して他方の「漸減」する界面領域の物質Ａの濃度が、０％以上５０％以下であり、より好ましくは、０％以上３０％以下であり、更に好ましくは、０％以上２０％以下である。

なお、本願明細書において、発光層、電子輸送層、あるいは正孔輸送層の「陰極側界面付近の領域」とは、該層の陰極側界面から該層全体の厚みの１０％の厚みの領域を指すものと定義し、「陽極側界面付近の領域」とは、該層の陽極側界面から該層全体の厚みの１０％の厚みの領域を指すものと定義する。また、その領域における濃度とは、その領域における平均濃度を指すものとして定義される。さらに、該層の「陰極側（陽極側）界面付近の領域」における各材料の濃度は、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）、エッチングＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ／ＥＳＣＡ）などの方法によって測定することができる。

本発明者らが従来の構成における有機ＥＬ素子における発光層内の発光分布を解析した結果、発光層が均一に発光しているのではなく、発光層の隣接層との界面で集中して発光していることが判明した。従って、発光層全体が発光に寄与していないため、発光効率の低下、および局所に発光負荷が集中することによって耐久性の悪化をもたらしていたと本発明者らは考えた。そこで、発光層全体が均一に発光する構成を鋭意探索した結果、本発明の構成に到達した。
１つには、発光層における発光材濃度を濃度傾斜させることにより発光効率および耐久性の向上が観測された。発光層内におけるキャリアの移動が適性化され、発光層全体に渉って再結合が起こるようになったとものと推定される。

しかしながら、上記の構成としても発光層から隣接する層に電子もしくは正孔が漏れることがあり、電子輸送層に正孔が侵入し、あるいは正孔輸送層に電子が侵入して素子の劣化の原因となることがあった。本発明者らはさらなる改良手段を探索した結果、隣接する電子輸送層もしくは正孔輸送層あるいはその両層において、電子輸送材料および正孔輸送材料を濃度傾斜させて含有させることによって上記原因による劣化を防いで一段と耐久性を向上できることを見出した。

１．有機ＥＬ素子構造
本発明における有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層を有することが好ましく、陰極と電子輸送層との間に電子注入層を有するのが好ましい。発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層を有してもよく、また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を有してもよい。

上記正孔輸送性中間層は、発光層への正孔注入を促進する機能及び電子をブロックする機能の少なくとも一方を有しても良い。
また、上記電子輸送性中間層は、発光層への電子注入を促進する機能及び正孔をブロックする機能の少なくとも一方を有しても良い。
更に、上記正孔輸送性中間層及び上記電子輸送性中間層を有する場合は、発光層で生成する励起子をブロックする機能を有することが好ましい。
上記の正孔注入促進、電子注入促進、正孔ブロック、電子ブロック、励起子ブロックといった機能を有効に発現させるためには、該正孔輸送性中間層および該電子輸送性中間層は、発光層に隣接していることが好ましい。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。

本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。
共振器構造を有する場合の計算式は特開平９−１８０８８３号明細書に記載されている。別の好ましい態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号明細書に記載されている。

有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子を構成する要素について詳細に説明する。

２．発光層
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層または正孔輸送性中間層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、電子輸送層または電子輸送性中間層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明に於ける発光層の１つの態様は、電子輸送性発光材料と正孔輸送性ホスト材料を含有する。本発明に於ける発光層の別の態様は、正孔輸送性発光材料と電子輸送性ホスト材料を含有する。

なお、本発明における電子輸送性発光材料及び電子輸送性材料は、その材料の電子移動度とホール移動度を測定したときに電子移動度の方が値が大きいものと定義し、正孔輸送性発光材料及び正孔輸送性材料は、同様に測定したときにホール移動度の方が値が大きいものと定義する。
ただし、２種類以上の材料を同じ層に混合させる場合は、各材料を比較して電子移動度がより高いものを電子輸送性発光材料又は電子輸送性材料、ホール移動度がより高いものを正孔輸送性発光材料又は正孔輸送性材料と定義する。
電子移動度及びホール移動度はタイムオブフライト（ＴＯＦ）法の光パルス法を用いて測定する。詳細には、堀江一之・谷口彬雄編集代表の光・電子機能有機材料ハンドブック（朝倉書店、１９９５年発行）の２８７頁〜２８８頁に書いてある方法を用いる。

（電子輸送性発光材料）
本発明における電子輸送性発光材料は、下記に詳細を示す金属錯体が好ましい。

金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、亜鉛イオン、ニッケルイオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、希土類金属イオン（例えば、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、又はテルビウムイオンなど）が好ましく、更に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、又はテルビウムイオンであり、該金属錯体を発光材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、又はテルビウムイオンが特に好ましく、該金属錯体を電荷輸送材料や発光層中のホスト材料として用いる場合には、イリジウムイオン、白金イオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、又はガリウムイオンが特に好ましい。

該金属錯体において金属イオンに配位する原子は特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、炭素原子、硫黄原子又はリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子又は炭素原子がより好ましく、窒素原子又は炭素原子が更に好ましい。

本発明における金属錯体の配位子は発光効率向上、耐久性向上の観点から、鎖状、又は、環状であることが好ましく、中心金属（例えば、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物の場合であればＭ^１１を表す。）に窒素で配位する含窒素へテロ環（例えば、ピリジン環、キノリン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、又はトリアゾール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素６員ヘテロ環、含窒素５員ヘテロ環であることがより好ましい。これらのヘテロ環は他の環と縮合環を形成してもよい。

本発明における金属錯体としては３座以上の配位子を有する金属錯体が好ましく、発光効率向上、耐久性向上の観点から、３座以上６座以下の配位子を有する金属錯体が好ましく、イリジウムイオンに代表される６配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、３座、４座、または６座の配位子を有する金属錯体がより好ましく、白金イオンに代表される４配位型錯体を形成しやすい金属イオンの場合には、３座または４座の配位子を有する金属錯体がより好ましく、４座の配位子を有する金属錯体が更に好ましい。

本発明における金属錯体としては、以下に詳述する一般式（Ｉ）、一般式（II）または一般式（III）で表される化合物であることが好ましい。

先ず、一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。

一般式（Ｉ）中、Ｍ^１１は金属イオンを表し、Ｌ^１１〜Ｌ^１５はそれぞれＭ^１１に配位する配位子を表す。Ｌ^１１とＬ^１４との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成してもよい。Ｌ^１５はＬ^１１及びＬ^１４の両方と結合して環状配位子を形成してもよい。Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^１３はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Ｙ^１１、Ｙ^１２、又はＹ^１３が連結基である場合、Ｌ^１１とＹ^１２、Ｙ^１２とＬ^１２、Ｌ^１２とＹ^１１、Ｙ^１１とＬ^１３、Ｌ^１３とＹ^１３、Ｙ^１３とＬ^１４の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ^１１は０〜４を表す。Ｍ^１１とＬ^１１〜Ｌ^１５との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。

一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｉ）中、Ｍ^１１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、又はテルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、又はイリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｌ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４は、それぞれ独立に、Ｍ^１１に配位する配位子を表す。Ｌ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４に含まれ、かつ、Ｍ^１１に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子、又はリン原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又は炭素原子がより好ましく、窒素原子、酸素原子、又は炭素原子が更に好ましい。

Ｍ^１１とＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４でそれぞれ形成される結合は、それぞれ独立に、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。本発明における配位子とは、説明の便宜上、配位結合のみならず他のイオン結合、共有結合により形成された場合においても用いるものとする。
Ｌ^１１、Ｙ^１２、Ｌ^１２、Ｙ^１１、Ｌ^１３、Ｙ^１３、及びＬ^１４から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２がさらに好ましい。

Ｍ^１１に炭素原子で配位するＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４としては、特に限定されないが、それぞれ独立にイミノ配位子、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばフラン配位子、チオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など）およびこれらの互変異性体）が挙げられる。

Ｍ^１１に窒素原子で配位するＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、含窒素へテロ環配位子（例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体（なお、本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、特開２００７−１０３４９３化合物番号「化２４」に記載の例示化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物番号「化２８」に記載の例示化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物番号「化３７」に記載の例示化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。）など、アミノ配位子（アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ配位子など）が挙げられる。これらの配位子はさらに置換されていてもよい。

Ｍ^１１に酸素原子で配位するＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、及び２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル配位子（例えばケトン配位子、エステル配位子、又はアミド配位子など）、エーテル配位子（例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など）などが挙げられる。これらの配位子は更に置換されていてもよい。

Ｍ^１１に硫黄原子で配位するＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、及び２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など）、又はチオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など）などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。

Ｍ^１１にリン原子で配位するＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＬ^１４としては特に限定されないが、それぞれ独立に、ジアルキルホスフィノ配位子、ジアリールホスフィノ配位子、トリアルキルホスフィン配位子、トリアリールホスフィン配位子、及びホスフィニン配位子等が挙げられる。これらの配位子は更に置換されてもよい。

Ｌ^１１及びＬ^１４は、それぞれ独立に、芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子（例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、又は、それらを含む縮環配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、フタラジン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体など）が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、ピラゾール配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮環配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、フタラジン配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、ピラゾール配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮環配位子体がさらに好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、ピラゾール配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮環配位子体が特に好ましい。

Ｌ^１２及びＬ^１３は、それぞれ独立に、Ｍ^１１と配位結合を形成する配位子が好ましく、Ｍ^１１と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、キノキサリン配位子、フタラジン配位子、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、、インドール環など）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）がさらに好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体（例えば、キノリン環など）が特に好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｌ^１５はＭ^１１に配位する配位子を表す。Ｌ^１５は１〜４座の配位子が好ましく、１〜４座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜４座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ^１１、Ｙ^１２、Ｌ^１２、Ｙ^１１、Ｌ^１３、Ｙ^１３、及びＬ^１４で形成される４座配位子が好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ^１１、Ｙ^１２、Ｌ^１２、Ｙ^１１、Ｌ^１３、Ｙ^１３、及びＬ^１４で形成される４座配位子がより好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）がさらに好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。但し、Ｌ^１５はＬ^１１及びＬ^１４の両方と結合して環状配位子を形成することはない。

一般式（Ｉ）中、Ｙ^１１、Ｙ^１２、及びＹ^１３は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。連結基としては、特に限定されないが、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。このような連結基の具体例としては、例えば下記のものが挙げられる。

また、Ｙ^１１、Ｙ^１２、又はＹ^１３が連結基である場合、Ｌ^１１とＹ^１２、Ｙ^１２とＬ^１２、Ｌ^１２とＹ^１１、Ｙ^１１とＬ^１３、Ｌ^１３とＹ^１３、Ｙ^１３とＬ^１４の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。

Ｙ^１１、Ｙ^１２、及びＹ^１３は、それぞれ独立に、単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基、又はアミノ連結基が好ましい。Ｙ^１１は、単結合、アルキレン基、アミノ連結基がより好ましく、アルキレン基がさらに好ましい。Ｙ^１２及びＹ^１３は、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。

Ｙ^１２、Ｌ^１１、Ｌ^１２、及びＭ^１１で形成される環、Ｙ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１３、及びＭ^１１で形成される環、Ｙ^１３、Ｌ^１３、Ｌ^１４、及びＭ^１１で形成される環は、それぞれ環員数４〜１０が好ましく、環員数５〜７がより好ましく、環員数５又は６がさらに好ましい。

一般式（Ｉ）中、ｎ^１１は０〜４を表す。Ｍ^１１が配位数４の金属の場合、ｎ^１１は０であり、Ｍ^１１が配位数６の金属の場合、ｎ^１１は１、２が好ましく、１がより好ましい。Ｍ^１１が配位数６でｎ^１１が１の場合Ｌ^１５は２座配位子を表し、Ｍ^１１が配位数６でｎ^１１が２の場合Ｌ^１５は単座配位子を表す。Ｍ^１１が配位数８の金属の場合、ｎ^１１は１〜４が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ^１１が配位数８でｎ^１１が１の場合Ｌ^１５は４座配位子を表し、Ｍ^１１が配位数８でｎ^１１が２の場合Ｌ^１５は２座配位子を表す。ｎ^１１が複数のときは、複数のＬ^１５は同じであっても異なっていてもよい。

前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下に挙げる、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）及び一般式（５）で表される各化合物である。
一般式（１）で表される化合物について説明する。

一般式（１）中、Ｍ^２１は金属イオンを表し、Ｙ^２１は連結基、単結合、または二重結合を表す。Ｙ^２２、Ｙ^２３はそれぞれ単結合または連結基を表す。Ｑ^２１、Ｑ^２２はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ^２１で形成される環とＹ^２１の間の結合およびＱ^２２で形成される環とＹ^２１の間の結合は、単結合または二重結合を表す。Ｘ^２１、Ｘ^２２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、及びＲ^２４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２１及びＲ^２２並びにＲ^２３及びＲ^２４は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ^２５はＭ^２１に配位する配位子を表す。ｎ^２１は０〜４の整数を表す。

一般式（１）について詳細に説明する。
一般式（１）中、Ｍ^２１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^２１、Ｑ^２２は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ^２１に配位する窒素を含む環）を形成する原子群を表す。Ｑ^２１、Ｑ^２２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、インドール環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。

Ｑ^２１、Ｑ^２２で形成される含窒素ヘテロ環としては、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、インドール環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環など）及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）及び、これらの互変異性体であり、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、その縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。

Ｘ^２１、Ｘ^２２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子であり、酸素原子、硫黄原子、置換された窒素原子がより好ましく、酸素原子、硫黄原子がさらに好ましく、酸素原子が特に好ましい。

Ｙ^２１は、前記一般式（Ｉ）におけるＹ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ^２２、Ｙ^２３は、それぞれ独立に、単結合、連結基を表し、単結合が好ましい。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、硫黄原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

Ｙ^２２又はＹ^２３として表される連結基としては、カルボニル連結基、アルキレン連結基、又はアルケニレン連結基が好ましく、カルボニル連結基、アルケニレン連結基がより好ましく、カルボニル連結基がさらに好ましい。

Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、及びＲ^２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、及びアントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジトリルアミノなどが挙げられる。）、

アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、及び２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、及びピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、

アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、及びフェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、及びフェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、及びフェニルウレイドなどが挙げられる。）、

リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、及びアゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、及びＲ^２４は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、Ｒ^２１とＲ^２２またはＲ^２３とＲ^２４が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、Ｒ^２１とＲ^２２又はＲ^２３とＲ^２４が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましい。

Ｌ^２５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ^１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^２１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（１）において、Ｑ^２１、Ｑ^２２が形成する環がピリジン環のとき、Ｙ^２１は連結基を表す金属錯体であること、Ｑ^２１、Ｑ^２２が形成する環がピリジン環で、Ｙ^２１が単結合または二重結合で、Ｘ^２１、Ｘ^２２が硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す金属錯体であること、或いは、Ｑ^２１、Ｑ^２２が形成する環が含窒素ヘテロ５員環、または、窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環を表す金属錯体であることが好ましい。

前記一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（１−Ａ）で表される化合物である。

一般式（１−Ａ）について説明する。
一般式（１−Ａ）中、Ｍ^３１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^３３、Ｚ^３４、Ｚ^３５、及びＺ^３６は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^２１で説明した基が挙げられ、また、Ｚ^３１とＺ^３２、Ｚ^３２とＺ^３３、Ｚ^３３とＺ^３４、Ｚ^３４とＺ^３５、Ｚ^３５とＺ^３６が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよく、Ｚ^３１とＴ^３１、Ｚ^３６とＴ^３８が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよい。

前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。

Ｔ^３１、Ｔ^３２、Ｔ^３３、Ｔ^３４、Ｔ^３５、Ｔ^３６、Ｔ^３７、及びＴ^３８は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。
炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^２１で説明した基が挙げられ、また、Ｔ^３１とＴ^３２、Ｔ^３２とＴ^３３、Ｔ^３３とＴ^３４、Ｔ^３５とＴ^３６、Ｔ^３６とＴ^３７、Ｔ^３７とＴ^３８が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。

前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子がより好ましく、アリール基、ハロゲン原子がさらに好ましく、アリール基が特に好ましい。

Ｘ^３１、Ｘ^３２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ^２１、Ｘ^２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（２）で表される化合物について説明する。

一般式（２）中、Ｍ^５１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^５１、Ｑ^５２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＱ^２１、Ｑ^２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^５３、Ｑ^５４は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ^５１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ^５３、Ｑ^５４で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール誘導体の互変異性体（例えば、特開２００７−１０３４９３化合物番号「化２４」に記載の例示化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物番号「化２８」に記載の例示化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物番号「化３７」に記載の例示化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子など）、イミダゾール誘導体の互変異性体（例えば、特開２００７−１０３４９３化合物番号「化２４」に記載の例示化合物（２９）のヘテロ５員環配位子など）、チアゾール誘導体の互変異性体（例えば、特開２００７−１０３４９３化合物番号「化２４」に記載の例示化合物（３０）のヘテロ５員環配位子など）、オキサゾール誘導体の互変異性体（例えば、特開２００７−１０３４９３化合物番号「化２４」に記載の例示化合物（３１）のヘテロ５員環配位子など）が好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体、チアゾール誘導体の互変異性体がより好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体がさらに好ましく、ピロール誘導体の互変異性体が特に好ましい。

Ｙ^５１は前記一般式（Ｉ）におけるＹ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^５５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ^１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^５１は前記ｎ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｗ^５１、Ｗ^５２は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、無置換の炭素原子がより好ましい。

一般式（３）で表される化合物について説明する。

一般式（３）中、Ｍ^Ａ１、Ｑ^Ａ１、Ｑ^Ａ２、Ｙ^Ａ１、Ｙ^Ａ２、Ｙ^Ａ３、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、Ｒ^Ａ３、Ｒ^Ａ４、Ｌ^Ａ５、及びｎ^Ａ１は、前記一般式（１）におけるＭ^２１、Ｑ^２１、Ｑ^２２、Ｙ^２１、Ｙ^２２、Ｙ^２３、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｌ^２５、及びｎ^２１とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（３）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物である。

一般式（３−Ｂ）で表される化合物について説明する。

一般式（３−Ｂ）中、Ｍ^７１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ^７１、Ｙ^７２、及びＹ^７３は、それぞれ一般式（１）におけるＹ^２１、Ｙ^２２、Ｙ^２３と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^７５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ^１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^７１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ^７１、Ｚ^７２、Ｚ^７３、Ｚ^７４、Ｚ^７５、及びＺ^７６は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^２１で説明した基が挙げられる。また、Ｒ^７１とＲ^７２、Ｒ^７３とＲ^７４が連結基を介して結合し、環（例えばベンゼン環、ピリジン環）を形成してもよい。Ｒ^７１〜Ｒ^７４は前記一般式（１）におけるＲ^２１〜Ｒ^２４の置換基と同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（３−Ｂ）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（３−Ｃ）で表される化合物について説明する。

一般式（３−Ｃ）中、Ｒ^Ｃ１、Ｒ^Ｃ２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^２１ないしＲ^２４の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基（これら基は更に置換されても良い。その場合の置換基としては例えば前記一般式（１）におけるＲ^２１で表される置換基として挙げた基が適用できる。）、ハロゲン原子を表す。Ｒ^Ｃ３、Ｒ^Ｃ４、Ｒ^Ｃ５、及びＲ^Ｃ６が表す置換基も前記一般式（１）におけるＲ^２１ないしＲ^２４の置換基と同義である。ｎ^Ｃ３、ｎ^Ｃ６は０〜３の整数、ｎ^Ｃ４、ｎ^Ｃ５は０〜４の整数を表し、Ｒ^Ｃ３、Ｒ^Ｃ４、Ｒ^Ｃ５、及びＲ^Ｃ６をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^Ｃ３、Ｒ^Ｃ４、Ｒ^Ｃ５、Ｒ^Ｃ６は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。Ｒ^Ｃ３、Ｒ^Ｃ４、Ｒ^Ｃ５、及びＲ^Ｃ６は、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、又はハロゲン原子である。

一般式（４）で表される化合物について説明する。

一般式（４）中、Ｍ^Ｂ１、Ｙ^Ｂ２、Ｙ^Ｂ３、Ｒ^Ｂ１、Ｒ^Ｂ２、Ｒ^Ｂ３、Ｒ^Ｂ４、Ｌ^Ｂ５、ｎ^Ｂ３、Ｘ^Ｂ１、及びＸ^Ｂ２は、前記一般式（１）におけるＭ^２１、Ｙ^２２、Ｙ^２３、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｌ^２５、ｎ^２１、Ｘ^２１、及びＸ^２２とそれぞれ同義であり好ましい範囲も同様である。
Ｙ^Ｂ１は連結基を表し、前記一般式（１）におけるＹ^２１と同様であり、好ましくは１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数２〜８のアルキレン基を表す。
Ｒ^Ｂ５、Ｒ^Ｂ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては前記一般式（１）におけるＲ^２１ないしＲ^２４の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。ただし、Ｙ^Ｂ１はＲ^Ｂ５またはＲ^Ｂ６と連結することはない。ｎ^Ｂ１、ｎ^Ｂ２は、それぞれ独立に、０ないし１の整数を表す。

前記一般式（４）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（４−Ａ）で表される化合物である。
一般式（４−Ａ）で表される化合物について説明する。

一般式（４−Ａ）中、Ｒ^Ｄ３、Ｒ^Ｄ４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２はそれぞれ置換基を表す。Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^Ｄ３、及びＲ^Ｄ４が表す置換基としては、前記一般式（４）におけるＲ^Ｂ５、Ｒ^Ｂ６が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。ｎ^Ｄ１、ｎ^Ｄ２は０〜４の整数を表し、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。Ｙ^Ｄ１は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のアルキレン基を表す。

一般式（５）で表される化合物について説明する

一般式（５）中、Ｍ^６１は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^６１、Ｑ^６２は、それぞれ独立に、環を形成する基を表す。Ｑ^６１、Ｑ^６２で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、チオフェン環、イソチアゾール環、フラン環、イソオキサゾ−ル環、及び、その縮環体が挙げられる。

Ｑ^６１、Ｑ^６２で形成される環は、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、チアゾール環、及び、その縮環体であり、ベンゼン環、ピリジン環、及び、その縮環体がより好ましく、ベンゼン環、及び、その縮環体がさらに好ましい。

Ｙ^６１は前記一般式（Ｉ）におけるＹ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ^６２、Ｙ^６３は、それぞれ独立に、連結基または単結合を表す。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

Ｙ^６２、Ｙ^６３は、それぞれ独立に、単結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。

Ｌ^６５は前記一般式（Ｉ）におけるＬ^１５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^６１は前記一般式（Ｉ）におけるｎ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ^６１、Ｚ^６２、Ｚ^６３、Ｚ^６４、Ｚ^６５、Ｚ^６６、Ｚ^６７、及びＺ^６８は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^２１で説明した基が挙げられ、また、Ｚ^６１とＺ^６２、Ｚ^６２とＺ^６３、Ｚ^６３とＺ^６４、Ｚ^６５とＺ^６６、Ｚ^６６とＺ^６７、Ｚ^６７とＺ^６８が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。Ｑ^６１、Ｑ^６２で形成される環がそれぞれＺ^６１、Ｚ^６８と連結基を介して結合し、環を形成してもよい。

前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。

本発明における３座配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、下記一般式（II）で表される化合物である。
一般式（II）で表される化合物について説明する。

一般式（II）中、Ｍ^８１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^８１、Ｌ^８２、及びＬ^８３は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＬ^１１、Ｌ^１２、Ｌ^１４と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ^８１、Ｙ^８２は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＹ^１２、Ｙ^１３と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^８５はＭ^８１に配位する配位子を表す。Ｌ^８５は１〜３座の配位子が好ましく、１〜３座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜３座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、Ｌ^８１、Ｙ^８１、Ｌ^８２、Ｙ^８２、及びＬ^８３で形成される３座配位子が好ましく、Ｌ^８１、Ｙ^８１、Ｌ^８２、Ｙ^８２、及びＬ^８３で形成される３座配位子がより好ましい。Ｌ^８５が金属を介さずにＬ^８１、Ｌ^８３と連結することはない。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。

ｎ^８１は０〜５を表す。Ｍ^８１が配位数４の金属の場合、ｎ^８１は１であり、Ｌ^８５は単座配位子を表す。Ｍ^８１が配位数６の金属の場合、ｎ^８１は１〜３が好ましく、１、３がより好ましく、１がさらに好ましい。Ｍ^８１が配位数６でｎ^８１が１の場合Ｌ^８５は３座配位子を表し、Ｍ^８１が配位数６でｎ^８１が２の場合Ｌ^８５は単座配位子１つと２座配位子１つを表し、Ｍ^８１が配位数６でｎ^８１が３の場合Ｌ^８５は単座配位子を表す。Ｍ^８１が配位数８の金属の場合、ｎ^８１は１〜５が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ^８１が配位数８でｎ^８１が１の場合Ｌ^８５は５座配位子を表し、ｎ^８１が２の場合Ｌ^８５は３座配位子１つと２座配位子１つを表し、ｎ^８１が３の場合Ｌ^８５は３座配位子１つと単座配位子２つ、または、２座配位子２つと単座配位子１つを表し、ｎ^８１が４の場合Ｌ^８５は２座配位子１つと単座配位子３つを表し、ｎ^８１が５の場合Ｌ^８５は単座配位子５つを表す。ｎ^８１が複数のときは、複数のＬ^８５は同じであっても異なっていてもよい。

前記一般式（II）の好ましい形態は、前記一般式（II）のＬ^８１、Ｌ^８２、及びＬ^８３が炭素原子でＭ^８１に配位する芳香族炭素環またはヘテロ環、または窒素原子でＭ^８１に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ^８１、Ｌ^８２、及びＬ^８３のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環である。これら炭素原子で配位する芳香族炭素環、ヘテロ環および窒素原子で配位する含窒素ヘテロ環は前記一般式（Ｉ）で説明したＭ^１１に炭素原子で配位する配位子および窒素原子で配位する例が挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙ^８１、Ｙ^８２は好ましくは単結合ないしはメチレン基を表す。
前記一般式（II）で表される化合物の他の好ましい形態は、下記一般式（II−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（II−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（II−Ａ）で表される化合物について説明する。

一般式（II−Ａ）中、Ｍ^９１は前記一般式（II）におけるＭ^８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^９１、Ｑ^９２は含窒素へテロ環（Ｍ^９１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ^９１、Ｑ^９２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。

Ｑ^９１、Ｑ^９２で形成される含窒素ヘテロ環は、好ましくは、ピリジン環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）、及び、これらの互変異性体、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。

Ｑ^９３は含窒素へテロ環（Ｍ^９１に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ^９３で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環の互変異性体、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロールなど）が好ましく、ピロール環の互変異性体及びピロール環を含む縮環体（例えばベンズピロールなど）の互変異性体がより好ましい。

Ｗ^９１、Ｗ^９２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＷ^５１、Ｗ^５２と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^９５は前記一般式（II）におけるＬ^８５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^９１は前記一般式（II）におけるｎ^８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（II−Ｂ）で表される化合物について説明する。

一般式（II−Ｂ）中、Ｍ^１０１は、前記一般式（II）におけるＭ^８１と同義であり、好まし範囲も同じである。

Ｑ^１０２は、前記一般式（１）におけるＱ^２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^１０１は前記一般式（II−Ａ）におけるＱ^９１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^１０３は芳香環を形成する基を表す。Ｑ^１０３で形成される芳香環としては特に限定されないが、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環など）が好ましく、ベンゼン環及びベンゼン環を含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

Ｙ^１０１、Ｙ^１０２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＹ^２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ^１０５は前記一般式（II）におけるＬ^８５と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ^１０１は前記一般式（II）におけるｎ^８１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｘ^１０１は前記一般式（１）におけるＸ^２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

本発明における三座配位子を有する金属錯体の他の好ましい態様は、下記一般式（II−Ｃ）で表される化合物である。

一般式（II−Ｃ）中、Ｍ^Ｘ１は金属イオンを表す。Ｑ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６はＭ^Ｘ１に配位する原子またはＭ^Ｘ１に配位する原子を含んだ原子群を表す。Ｌ^Ｘ１１〜Ｌ^Ｘ１４は単結合、二重結合または連結基を表す。すなわち、Ｑ^Ｘ１１−Ｌ^Ｘ１１−Ｑ^Ｘ１２−Ｌ^Ｘ１２−Ｑ^Ｘ１３からなる原子群およびＱ^Ｘ１４−Ｌ^Ｘ１３−Ｑ^Ｘ１５−Ｌ^Ｘ１４−Ｑ^Ｘ１６からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。Ｍ^Ｘ１とＱ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。

一般式（II−Ｃ）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（II−Ｃ）中、Ｍ^Ｘ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンがさらに好ましい。具体的には、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、又はテルビウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、イリジウムイオンがさらに好ましい。

Ｑ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６は、Ｍ^Ｘ１に配位する原子又はＭ^Ｘ１に配位する原子を含んだ原子群を表す。
Ｑ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６がＭ^Ｘ１に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、及び硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はリン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
Ｑ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６がＭ^Ｘ１に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、Ｍ^Ｘ１に炭素原子で配位するものとしては、例えば、イミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。

Ｍ^Ｘ１に窒素原子で配位するものとしては、例えば、含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよい。

Ｍ^Ｘ１に酸素原子で配位するものとしては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。

Ｍ^Ｘ１に珪素原子で配位するものとしては、アルキルシリル基（好ましくは炭素数３〜３０であり、たとえば、トリメチルシリル基などが挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは炭素数１８〜３０であり、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。

Ｍ^Ｘ１に硫黄原子で配位するものとしては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、及びチオフリル基など）などが挙げられる。

Ｍ^Ｘ１にリン原子で配位するものとしては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン基、トリアリールホスフィン基、又はホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。

Ｑ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６で表される原子群として好ましくは、Ｍ^Ｘ１に、炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はジアルキルホスフィノ基であり、より好ましくは炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基である。
Ｍ^Ｘ１とＱ^Ｘ１１〜Ｑ^Ｘ１６との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。

一般式（II−Ｃ）中、Ｌ^Ｘ１１〜Ｌ^Ｘ１４は、単結合、二重結合、又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。該連結基の具体例を下記に示すが、これらに限定されることはない。

これらの連結基はさらに置換されてもよく、置換基としては前記一般式（２）におけるＲ^２１〜Ｒ^２４で表される置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。Ｌ^Ｘ１１〜Ｌ^Ｘ１４として好ましくは、単結合、ジメチルメチレン基、又はジメチルシリレン基である。

一般式（II−Ｃ）で表される化合物のうち、より好ましくは下記一般式（Ｘ２）で表される化合物であり、更に好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
先ず、一般式（Ｘ２）で表される化合物について説明する。

一般式（Ｘ２）中、Ｍ^Ｘ２は金属イオンを表す。Ｙ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６はＭ^Ｘ２に配位する原子を表し、Ｑ^Ｘ２１〜Ｑ^Ｘ２６は、それぞれＹ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６と共に芳香環もしくは芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ^Ｘ２１〜Ｌ^Ｘ２４は単結合、二重結合または連結基を表す。Ｍ^Ｘ２とＹ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。

一般式（Ｘ２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｘ２）中、Ｍ^Ｘ２は、前記一般式（II−Ｃ）におけるＭ^Ｘ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６はＭ^Ｘ２に配位する原子を表す。Ｙ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６とＭ^Ｘ２との結合は配位結合、イオン結合、共有結合のいずれでもよい。Ｙ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。Ｑ^Ｘ２１〜Ｑ^Ｘ２６は、それぞれＹ^Ｘ２１〜Ｙ^Ｘ２６を含んで芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、及びフラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、又はトリアゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、又はトリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらはさらに縮環を有していても置換基を有していても良い。

Ｌ^Ｘ２１〜Ｌ^Ｘ２４は前記一般式（II−Ｃ）におけるＬ^Ｘ１１〜Ｌ^Ｘ１４と同義であり好ましい範囲も同様である。

前記一般式（II−Ｃ）で表される化合物は、さらに好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
一般式（Ｘ３）について説明する。

一般式（Ｘ３）中、Ｍ^Ｘ３は金属イオンを表す。Ｙ^Ｘ３１〜Ｙ^Ｘ３６は、炭素原子、窒素原子、リン原子を表す。Ｌ^Ｘ３１〜Ｌ^Ｘ３４は単結合、二重結合または連結基を表す。Ｍ^Ｘ３とＹ^Ｘ３１〜Ｙ^Ｘ３６との結合は、それぞれ配位結合、イオン結合共有結合のいずれでもよい。

Ｍ^Ｘ３は前記一般式（II−Ｃ）におけるＭ^Ｘ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^Ｘ３１〜Ｙ^Ｘ３６はＭ^Ｘ３に配位する原子を表す。Ｙ^Ｘ３１〜Ｙ^Ｘ３６としては、炭素原子、窒素原子、リン原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。Ｌ^Ｘ３１〜Ｌ^Ｘ３４は前記一般式（II−Ｃ）におけるＬ^Ｘ１１〜Ｌ^Ｘ１４と同義であり好ましい範囲も同様である。

前記一般式（Ｉ）、及び一般式（II）で表される化合物の具体例としては、例えば特開２００７−１０３４９３号明細書に記載の化合物（１）〜化合物（２４７）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

上記化合物例で代表される化合物のうち、ビピリジル又はフェナントロリンを部分構造に含む４座配位子、シッフ塩基型４座配位子、フェニルビピリジル３座配位子、ジフェニルピリジン３座配位子、ターピリジン３座配位子から選ばれる配位子を有する化合物を除いた化合物がより好ましい。

（本発明における金属錯体の合成方法）
本発明における金属錯体〔前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（II）、（II−Ａ）、（II−Ｂ）、（II−Ｃ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、及び水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、及び炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明の金属錯体を合成する際の反応時間は反応原料の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。

本発明の金属錯体合成の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。

本発明の金属錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を適宜選択することで、前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（II）、（II−Ａ）、（II−Ｂ）、（II−Ｃ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物は合成できる。
例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成する際は、６，６’−ビス（２−ヒ
ドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子またはその誘導体（例えば、２，９−
ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６’−ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。

６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子の誘導体は種々の公知の方法を用いて合成することができる。
例えば、２，２’−ビピリジル誘導体（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）と
アニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，７４１，１１，（１９４６）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２’−ビピリジ
ル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，７４１，１１，（１９４６）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２’−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２’−ビピリジル
など）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，７４１，１１，（１９４６）に記載の方法、または、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。

以下、下記一般式（III）で表される化合物について説明する。

一般式（III）中、Ｑ^１１は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ^１１、Ｚ^１２、及びＺ^１３はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、Ｍ^Ｙ１は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。

一般式（III）中、Ｑ^１１は、Ｑ^１１が結合する炭素原子２つとこれらの炭素原子に直接結合している窒素原子とを含んで、含窒素へテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ^１１で形成される含窒素へテロ環の環員数としては特に限定されないが、環員数１２〜２０が好ましく、環員数１４〜１６がより好ましく、環員数１６がさらに好ましい。

Ｚ^１１、Ｚ^１２、及びＺ^１３はそれぞれ独立に、置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ^１１、Ｚ^１２、及びＺ^１３の組合せとしては、Ｚ^１１、Ｚ^１２、及びＺ^１３の少なくとも１つが窒素原子であることが好ましい。

炭素原子上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、及び３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、及びアントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、及び２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、及びピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、

アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、及びフェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、及び２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、

スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、

シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、及びアゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
これらの置換基の中でも、炭素原子上の置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はハロゲン原子が好ましく、より好ましくはアリール基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはフェニル基、フッ素原子である。

窒素原子上の置換基としては、前記炭素原子上の置換基として例示した置換基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。

一般式（III）中、Ｍ^Ｙ１は配位子を更に有してもよい金属イオンを表し、他に配位子を有さない金属イオンがより好ましい。

Ｍ^Ｙ１で表される金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、イリジウムイオン、又はユーロピウムイオンが好ましく、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、又は鉛イオンがより好ましく、銅イオン、白金イオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。Ｍ^Ｙ１は、Ｑ^１１に含まれる原子と結合していても結合していなくてもよく、結合している方が好ましい。

Ｍ^Ｙ１が、さらに有していてもよい配位子としては、特に限定されないが、単座、もしくは、２座の配位子が好ましく、２座の配位子がより好ましい。配位する原子としては、特に限定されないが、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素原子、又はリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子、又は炭素原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましい。

前記一般式（III）で表される化合物の好ましい例は、下記一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物、又はそれらの互変異性体である。
一般式（III）で表される化合物はとしては、一般式（ａ）及び一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい。
また、一般式（III）で表される化合物としては、一般式（ｃ）または一般式（ｇ）で表される化合物も好ましい。
一般式（ｃ）で表される化合物としては、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｆ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。

一般式（ｇ）で表される化合物としては、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｊ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｈ）表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。

以下、一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物について詳細に説明する。

一般式（ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（ａ）中、Ｚ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４、Ｚ^２５、Ｚ^２６、及びＭ^２１はそれぞれ対応する前記一般式（III）におけるＺ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^１３、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^１３、及びＭ^Ｙ１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ^２１、Ｑ^２２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ^２１、Ｑ^２２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロール）、及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（ｂ）において、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、及びＲ^４６が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が好ましく、ピロール環及びピロール環を含む縮環体（例えば、ベンズピロール）がより好ましい。

Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、及びＸ^２４は、それぞれ独立に、置換または無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、無置換の、炭素原子、窒素原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。

一般式（ｂ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｂ）中、Ｚ^４１、Ｚ^４２、Ｚ^４３、Ｚ^４４、Ｚ^４５、Ｚ^４６、Ｘ^４１、Ｘ^４２、Ｘ^４３、Ｘ^４４、及びＭ^４１は前記一般式（ａ）におけるＺ^２１、Ｚ^２２、Ｚ^２３、Ｚ^２４、Ｚ^２５、Ｚ^２６、Ｘ^２１、Ｘ^２２、Ｘ^２３、Ｘ^２４、及びＭ^２１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６はそれぞれ独立に水素原子、または前記一般式（）におけるＺ^１１又はＺ^１２上の置換基として例示したアルキル基、アリール基、Ｒ^４３とＲ^４４またはＲ^４５とＲ^４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、アルキル基、アリール基、Ｒ^４３とＲ^４４またはＲ^４５とＲ^４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、Ｒ^４３とＲ^４４またはＲ^４５とＲ^４６が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましい。

Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、及びＲ^４６はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては前記一般式（III）におけるＺ^１１又はＺ^１２について炭素原子上の置換基で説明した基が挙げられる。

一般式（ｃ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｃ）中、Ｚ^１０１、Ｚ^１０２、及びＺ^１０３はそれぞれ独立に置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ^１０１、Ｚ^１０２、及びＺ^１０３の少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。

Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、及びＬ^１０４はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。連結としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、アミノ連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、及びＬ^１０４はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アミノ連結基、又はイミノ連結基が好ましく、単結合、アルキレン連結基、アルケニレン連結基、又はイミノ連結基がより好ましく、単結合、アルキレン連結基がさらに好ましい。

Ｑ^１０１、Ｑ^１０３はそれぞれ独立にＭ^１０１に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、リン原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表す。

Ｍ^１０１に炭素原子で配位する基としては、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する６員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基がさらに好ましい。

Ｍ^１０１に窒素原子で配位する基としては、窒素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましい。

Ｍ^１０１にリン原子で配位する基としては、リン原子で配位するアルキルホスフィン基、リン原子で配位するアリールホスフィン基、リン原子で配位するアルコキシホスフィン基、リン原子で配位するアリールオキシホスフィン基、リン原子で配位するヘテロアリールオキシホスフィン基、リン原子で配位するホスフィニン基、リン原子で配位するホスホール基が好ましく、リン原子で配位するアルキルホスフィン基、リン原子で配位するアリールホスフィン基がより好ましい。

Ｍ^１０１に酸素原子で配位する基としては、オキシ基、酸素原子で配位するカルボニル基が好ましく、オキシ基がさらに好ましい。

Ｍ^１０１に硫黄原子で配位する基としては、スルフィド基、チオフェン基、又はチアゾール基が好ましく、チオフェン基がより好ましい。

Ｑ^１０１、Ｑ^１０３はＭ^１０１に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、酸素原子で配位する基が好ましく、炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基がより好ましく、炭素原子で配位する基がさらに好ましい。

Ｑ^１０２はＭ^１０１に窒素原子で配位する基、リン原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表し、窒素原子で配位する基がより好ましい。

Ｍ^１０１は前記一般式（Ｉ）におけるＭ^１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（ｄ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｄ）中、Ｚ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｌ^２０１、Ｌ^２０２、Ｌ^２０３、Ｌ^２０４、及びＭ^２０１はそれぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ^１０１、Ｚ^１０２、Ｚ^１０３、Ｚ^１０１、Ｚ^１０２、Ｚ^１０３、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｚ^２０４、Ｚ^２０５、Ｚ^２０６、Ｚ^２１０、Ｚ^２１１、及びＺ^２１２はそれぞれ置換または無置換の炭素原子又は窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。

一般式（ｅ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｅ）中、Ｚ^３０１、Ｚ^３０２、Ｚ^３０３、Ｚ^３０４、Ｚ^３０５、Ｚ^３０６、Ｚ^３０７、Ｚ^３０８、Ｚ^３０９、Ｚ^３１０、Ｌ^３０１、Ｌ^３０２、Ｌ^３０３、Ｌ^３０４、及びＭ^３０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０４、Ｚ^２０６、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｚ^２１０、Ｚ^２１２、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（ｆ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｆ）中、Ｚ^４０１、Ｚ^４０２、Ｚ^４０３、Ｚ^４０４、Ｚ^４０５、Ｚ^４０６、Ｚ^４０７、Ｚ^４０８、Ｚ^４０９、Ｚ^４１０、Ｚ^４１１、Ｚ^４１２、Ｌ^４０１、Ｌ^４０２、Ｌ^４０３、Ｌ^４０４、及びＭ^４０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０４、Ｚ^２０５、Ｚ^２０６、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｚ^２１０、Ｚ^２１１、Ｚ^２１２、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｘ^４０１、Ｘ^４０２はそれぞれ独立に酸素原子、置換又は無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。

一般式（ｇ）で表される化合物について説明する

一般式（ｇ）中、Ｚ^５０１、Ｚ^５０２、Ｚ^５０３、Ｌ^５０１、Ｌ^５０２、Ｌ^５０３、Ｌ^５０４、Ｑ^５０１、Ｑ^５０２、Ｑ^５０３、及びＭ^５０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ^１０１、Ｚ^１０２、Ｚ^１０３、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、Ｑ^１０１、Ｑ^１０３、Ｑ^１０２、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（ｈ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｈ）中、Ｚ^６０１、Ｚ^６０２、Ｚ^６０３、Ｚ^６０４、Ｚ^６０５、Ｚ^６０６、Ｚ^６０７、Ｚ^６０８、Ｚ^６０９、Ｚ^６１０、Ｚ^６１１、Ｚ^６１２、Ｌ^６０１、Ｌ^６０２、Ｌ^６０３、Ｌ^６０４、及びＭ^６０１は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｚ^２０４、Ｚ^２０５、Ｚ^２０６、Ｚ^２１０、Ｚ^２１１、Ｚ^２１２、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（ｉ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｉ）中、Ｚ^７０１、Ｚ^７０２、Ｚ^７０３、Ｚ^７０４、Ｚ^７０５、Ｚ^７０６、Ｚ^７０７、Ｚ^７０８、Ｚ^７０９、Ｚ^７１０、Ｌ^７０１、Ｌ^７０２、Ｌ^７０３、Ｌ^７０４、及びＭ^７０１はそれぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｚ^２０４、Ｚ^２０６、Ｚ^２１０、Ｚ^２１２、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、及びＭ^１０１と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（ｊ）で表される化合物について説明する。

一般式（ｊ）中、Ｚ^８０１、Ｚ^８０２、Ｚ^８０３、Ｚ^８０４、Ｚ^８０５、Ｚ^８０６、Ｚ^８０７、Ｚ^８０８、Ｚ^８０９、Ｚ^８１０、Ｚ^８１１、Ｚ^８１２、Ｌ^８０１、Ｌ^８０２、Ｌ^８０３、Ｌ^８０４、Ｍ^８０１、Ｘ^８０１、及びＸ^８０２は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）、（ｆ）におけるＺ^２０１、Ｚ^２０２、Ｚ^２０３、Ｚ^２０７、Ｚ^２０８、Ｚ^２０９、Ｚ^２０４、Ｚ^２０５、Ｚ^２０６、Ｚ^２１０、Ｚ^２１１、Ｚ^２１２、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２、Ｌ^１０３、Ｌ^１０４、Ｍ^１０１、Ｘ^４０１、及びＸ^４０２と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（III）で表される化合物の具体例としては、特表２００６−５２６２７８号公報に記載の化合物（２）〜化合物（８）、化合物（１５）〜化合物（２０）、化合物（２７）〜化合物（３２）、化合物（３６）〜化合物（３８）、化合物（４２）〜化合物（４４）、化合物（５０）〜化合物（５２）、及び、化合物（５７）〜化合物（１５４）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

さらに、本発明における金属錯体の好ましい例としては、下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ｂ−１）、下記一般式（Ｃ−１）、下記一般式（Ｄ−１）、下記一般式（Ｅ−１）、及び下記一般式（Ｆ−１）で表される各化合物が挙げられる。
一般式（Ａ−１）について説明する。

一般式（Ａ−１）中、Ｍ^Ａ１は金属イオンを表す。Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５およびＹ^Ａ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６およびＹ^Ａ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４は連結基を表し、これらの連結基は、同一構造であっても異なる構造であっても良い。Ｑ^Ａ１１、Ｑ^Ａ１２はＭ^Ａ１に配位結合、イオン結合、又は共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。

一般式（Ａ−１）で表される化合物について、詳細に説明する。
Ｍ^Ａ１は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されることはないが、２価の金属イオンが好ましく、Ｐｔ^２＋、Ｐｄ^２＋、Ｃｕ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｃｏ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｍｇ^２＋、又はＰｂ^２＋が好ましく、Ｐｔ^２＋、Ｃｕ^２＋がより好ましく、Ｐｔ^２＋が特に好ましい。
Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５およびＹ^Ａ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５およびＹ^Ａ１８として好ましくは、炭素原子である。
Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６およびＹ^Ａ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６およびＹ^Ａ１７として好ましくは、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子である。
Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４は二価の連結基を表す。Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基としては、それぞれ独立に単結合のほか、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、単結合、置換または無置換のメチレン基である、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基は、さらに置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、及び３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、及びアントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、及び２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、

ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、

アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、

スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、及びフェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、及びフェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、及び２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、

ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、

ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、及びアゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。

これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、又はシリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、又はフッ素原子である。

Ｑ^Ａ１１、Ｑ^Ａ１２はＭ^Ａ１に配位結合、イオン結合、又は共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。Ｑ^Ａ１１、Ｑ^Ａ１２はそれぞれ独立にＭ^Ａ１に炭素原子で結合する基、窒素原子で結合する基、珪素原子で結合する基、リン原子で結合する基、酸素原子で結合する基、硫黄原子で結合する基が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子で結合する基がより好ましく、炭素原子、窒素原子で結合する基がさらに好ましく、炭素原子で結合する基が特に好ましい。

炭素原子で結合する基としては、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する六員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する含窒素五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する含窒素六員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で結合するアリール基が特に好ましい。

窒素原子で結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で結合する含窒素ヘテロ五員環へテロアリール基が特に好ましい。

リン原子で結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。珪素原子で結合する基としては、置換シリル基が好ましい。酸素原子で結合する基としてはオキシ基、硫黄原子で結合する基としてはスルフィド基が好ましい。

前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ａ−２）、一般式（Ａ−３）、又は一般式（Ａ−４）で表される化合物である。

一般式（Ａ−２）中、Ｍ^Ａ２は金属イオンを表す。Ｙ^Ａ２１、Ｙ^Ａ２４、Ｙ^Ａ２５およびＹ^Ａ２８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ａ２２、Ｙ^Ａ２３、Ｙ^Ａ２６およびＹ^Ａ２７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ａ２１、Ｌ^Ａ２２、Ｌ^Ａ２３、及びＬ^Ａ２４は連結基を表す。Ｚ^Ａ２１、Ｚ^Ａ２２、Ｚ^Ａ２３、Ｚ^Ａ２４、Ｚ^Ａ２５およびＺ^Ａ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ａ−３）中、Ｍ^Ａ３は金属イオンを表す。Ｙ^Ａ３１、Ｙ^Ａ３４、Ｙ^Ａ３５およびＹ^Ａ３８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ａ３２、Ｙ^Ａ３３、Ｙ^Ａ３６およびＹ^Ａ３７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ａ３１、Ｌ^Ａ３２、Ｌ^Ａ３３、Ｌ^Ａ３４は連結基を表す。Ｚ^Ａ３１、Ｚ^Ａ３２、Ｚ^Ａ３３およびＺ^Ａ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ａ−４）中、Ｍ^Ａ４は金属イオンを表す。Ｙ^Ａ４１、Ｙ^Ａ４４、Ｙ^Ａ４５およびＹ^Ａ４８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ａ４２、Ｙ^Ａ４３、Ｙ^Ａ４６およびＹ^Ａ４７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ａ４１、Ｌ^Ａ４２、Ｌ^Ａ４３、及びＬ^Ａ４４は連結基を表す。Ｚ^Ａ４１、Ｚ^Ａ４２、Ｚ^Ａ４３、Ｚ^Ａ４４、Ｚ^Ａ４５およびＺ^Ａ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｘ^Ａ４１、Ｘ^Ａ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。

一般式（Ａ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ^Ａ２、Ｙ^Ａ２１、Ｙ^Ａ２４、Ｙ^Ａ２５、Ｙ^Ａ２８、Ｙ^Ａ２２、Ｙ^Ａ２３、Ｙ^Ａ２６、Ｙ^Ａ２７、Ｌ^Ａ２１、Ｌ^Ａ２２、Ｌ^Ａ２３、及びＬ^Ａ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭ^Ａ１、Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５、Ｙ^Ａ１８、Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６、Ｙ^Ａ１７、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ａ２１、Ｚ^Ａ２２、Ｚ^Ａ２３、Ｚ^Ａ２４、Ｚ^Ａ２５およびＺ^Ａ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ａ２１、Ｚ^Ａ２２、Ｚ^Ａ２３、Ｚ^Ａ２４、Ｚ^Ａ２５およびＺ^Ａ２６として好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ａ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ^Ａ３、Ｙ^Ａ３１、Ｙ^Ａ３４、Ｙ^Ａ３５、Ｙ^Ａ３８、Ｙ^Ａ３２、Ｙ^Ａ３３、Ｙ^Ａ３６、Ｙ^Ａ３７、Ｌ^Ａ３１、Ｌ^Ａ３２、Ｌ^Ａ３３、及びＬ^Ａ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭ^Ａ１、Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５、Ｙ^Ａ１８、Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６、Ｙ^Ａ１７、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ａ３１、Ｚ^Ａ３２、Ｚ^Ａ３３、およびＺ^Ａ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ａ３１、Ｚ^Ａ３２、Ｚ^Ａ３３、およびＺ^Ａ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ａ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ^Ａ４、Ｙ^Ａ４１、Ｙ^Ａ４４、Ｙ^Ａ４５、Ｙ^Ａ４８、Ｙ^Ａ４２、Ｙ^Ａ４３、Ｙ^Ａ４６、Ｙ^Ａ４７、Ｌ^Ａ４１、Ｌ^Ａ４２、Ｌ^Ａ４３、及びＬ^Ａ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭ^Ａ１、Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５、Ｙ^Ａ１８、Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６、Ｙ^Ａ１７、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ａ４１、Ｚ^Ａ４２、Ｚ^Ａ４３、Ｚ^Ａ４４、Ｚ^Ａ４５およびＺ^Ａ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ａ４１、Ｚ^Ａ４２、Ｚ^Ａ４３、Ｚ^Ａ４４、Ｚ^Ａ４５およびＺ^Ａ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
Ｘ^Ａ４１、Ｘ^Ａ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。Ｘ^Ａ４１、Ｘ^Ａ４２として好ましくはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。

一般式（Ａ−１）で表される化合物の具体例として特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ａ１）〜（Ａ８０）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である。

一般式（Ｂ−１）中、Ｍ^Ｂ１は金属イオンを表す。Ｙ^Ｂ１１、Ｙ^Ｂ１４、Ｙ^Ｂ１５およびＹ^Ｂ１８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ｂ１２、Ｙ^Ｂ１３、Ｙ^Ｂ１６およびＹ^Ｂ１７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ｂ１１、Ｌ^Ｂ１２、Ｌ^Ｂ１３、Ｌ^Ｂ１４は連結基を表す。Ｑ^Ｂ１１、Ｑ^Ｂ１２はＭ^Ｂ１に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。

一般式（Ｂ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−１）中、Ｍ^Ｂ１、Ｙ^Ｂ１１、Ｙ^Ｂ１４、Ｙ^Ｂ１５、Ｙ^Ｂ１８、Ｙ^Ｂ１２、Ｙ^Ｂ１３、Ｙ^Ｂ１６、Ｙ^Ｂ１７、Ｌ^Ｂ１１、Ｌ^Ｂ１２、Ｌ^Ｂ１３、Ｌ^Ｂ１４、Ｑ^Ｂ１１、及びＱ^Ｂ１２は、それぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中における、Ｍ^Ａ１、Ｙ^Ａ１１、Ｙ^Ａ１４、Ｙ^Ａ１５、Ｙ^Ａ１８、Ｙ^Ａ１２、Ｙ^Ａ１３、Ｙ^Ａ１６、Ｙ^Ａ１７、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、Ｌ^Ａ１４、Ｑ^Ａ１１、及びＱ^Ａ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｂ−２）、一般式（Ｂ−３）、又は一般式（Ｂ−４）で表される化合物である。

一般式（Ｂ−２）中、Ｍ^Ｂ２は金属イオンを表す。Ｙ^Ｂ２１、Ｙ^Ｂ２４、Ｙ^Ｂ２５およびＹ^Ｂ２８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ｂ２２、Ｙ^Ｂ２３、Ｙ^Ｂ２６およびＹ^Ｂ２７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ｂ２１、Ｌ^Ｂ２２、Ｌ^Ｂ２３、及びＬ^Ｂ２４は連結基を表す。Ｚ^Ｂ２１、Ｚ^Ｂ２２、Ｚ^Ｂ２３、Ｚ^Ｂ２４、Ｚ^Ｂ２５およびＺ^Ｂ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｂ−３）中、Ｍ^Ｂ３は金属イオンを表す。Ｙ^Ｂ３１、Ｙ^Ｂ３４、Ｙ^Ｂ３５およびＹ^Ｂ３８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ｂ３２、Ｙ^Ｂ３３、Ｙ^Ｂ３６およびＹ^Ｂ３７は、それぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ｂ３１、Ｌ^Ｂ３２、Ｌ^Ｂ３３、及びＬ^Ｂ３４は連結基を表す。Ｚ^Ｂ３１、Ｚ^Ｂ３２、Ｚ^Ｂ３３およびＺ^Ｂ３４は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｂ−４）中、Ｍ^Ｂ４は金属イオンを表す。Ｙ^Ｂ４１、Ｙ^Ｂ４４、Ｙ^Ｂ４５およびＹ^Ｂ４８は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ^Ｂ４２、Ｙ^Ｂ４３、Ｙ^Ｂ４６およびＹ^Ｂ４７はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｌ^Ｂ４１、Ｌ^Ｂ４２、Ｌ^Ｂ４３、及びＬ^Ｂ４４は連結基を表す。Ｚ^Ｂ４１、Ｚ^Ｂ４２、Ｚ^Ｂ４３、Ｚ^Ｂ４４、Ｚ^Ｂ４５およびＺ^Ｂ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｘ^Ｂ４１、Ｘ^Ｂ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。

一般式（Ｂ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−２）中、Ｍ^Ｂ２、Ｙ^Ｂ２１、Ｙ^Ｂ２４、Ｙ^Ｂ２５、Ｙ^Ｂ２８、Ｙ^Ｂ２２、Ｙ^Ｂ２３、Ｙ^Ｂ２６、Ｙ^Ｂ２７、Ｌ^Ｂ２１、Ｌ^Ｂ２２、Ｌ^Ｂ２３、及びＬ^Ｂ２４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭ^Ｂ１、Ｙ^Ｂ１１、Ｙ^Ｂ１４、Ｙ^Ｂ１５、Ｙ^Ｂ１８、Ｙ^Ｂ１２、Ｙ^Ｂ１３、Ｙ^Ｂ１６、Ｙ^Ｂ１７、Ｌ^Ｂ１１、Ｌ^Ｂ１２、Ｌ^Ｂ１３、及びＬ^Ｂ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｂ２１、Ｚ^Ｂ２２、Ｚ^Ｂ２３、Ｚ^Ｂ２４、Ｚ^Ｂ２５およびＺ^Ｂ２６は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｂ２１、Ｚ^Ｂ２２、Ｚ^Ｂ２３、Ｚ^Ｂ２４、Ｚ^Ｂ２５およびＺ^Ｂ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、Ｌ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ｂ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−３）中、Ｍ^Ｂ３、Ｙ^Ｂ３１、Ｙ^Ｂ３４、Ｙ^Ｂ３５、Ｙ^Ｂ３８、Ｙ^Ｂ３２、Ｙ^Ｂ３３、Ｙ^Ｂ３６、Ｙ^Ｂ３７、Ｌ^Ｂ３１、Ｌ^Ｂ３２、Ｌ^Ｂ３３、及びＬ^Ｂ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭ^Ｂ１、Ｙ^Ｂ１１、Ｙ^Ｂ１４、Ｙ^Ｂ１５、Ｙ^Ｂ１８、Ｙ^Ｂ１２、Ｙ^Ｂ１３、Ｙ^Ｂ１６、Ｙ^Ｂ１７、Ｌ^Ｂ１１、Ｌ^Ｂ１２、Ｌ^Ｂ１３、及びＬ^Ｂ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｂ３１、Ｚ^Ｂ３２、Ｚ^Ｂ３３、およびＺ^Ｂ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｂ３１、Ｚ^Ｂ３２、Ｚ^Ｂ３３、およびＺ^Ｂ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ｂ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−４）中、Ｍ^Ｂ４、Ｙ^Ｂ４１、Ｙ^Ｂ４４、Ｙ^Ｂ４５、Ｙ^Ｂ４８、Ｙ^Ｂ４２、Ｙ^Ｂ４３、Ｙ^Ｂ４６、Ｙ^Ｂ４７、Ｌ^Ｂ４１、Ｌ^Ｂ４２、Ｌ^Ｂ４３、及びＬ^Ｂ４４はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭ^Ｂ１、Ｙ^Ｂ１１、Ｙ^Ｂ１４、Ｙ^Ｂ１５、Ｙ^Ｂ１８、Ｙ^Ｂ１２、Ｙ^Ｂ１３、Ｙ^Ｂ１６、Ｙ^Ｂ１７、Ｌ^Ｂ１１、Ｌ^Ｂ１２、Ｌ^Ｂ１３、及びＬ^Ｂ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｂ４１、Ｚ^Ｂ４２、Ｚ^Ｂ４３、Ｚ^Ｂ４４、Ｚ^Ｂ４５およびＺ^Ｂ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｂ４１、Ｚ^Ｂ４２、Ｚ^Ｂ４３、Ｚ^Ｂ４４、Ｚ^Ｂ４５およびＺ^Ｂ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
Ｘ^Ｂ４１、Ｘ^Ｂ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。Ｘ^Ｂ４１、Ｘ^Ｂ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。

一般式（Ｂ−１）で表される化合物として、特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ｂ１）〜（Ｂ５５）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、一般式（Ｃ−１）で表される化合物である。

一般式（Ｃ−１）中、Ｍ^Ｃ１は金属イオンを表す。Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。Ｇ^Ｃ１１、Ｇ^Ｃ１２は、それぞれ独立に、窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２は連結基を表す。Ｑ^Ｃ１１、Ｑ^Ｃ１２はＭ^Ｃ１に配位結合、イオン結合、又は共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。

一般式（Ｃ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−１）中、Ｍ^Ｃ１、Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２、Ｑ^Ｃ１１、及びＱ^Ｃ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、Ｍ^Ａ１、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｑ^Ａ１１、及びＱ^Ａ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｇ^Ｃ１１、Ｇ^Ｃ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは窒素原子、無置換の炭素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２は互いに連結して五員環を形成してもよい。Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃ１３、Ｒ^Ｃ１４は互いに連結して五員環を形成してもよい。

Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３およびＲ^Ｃ１４で表される置換基としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、及び３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、及び２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、及び２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、

ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、及びピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、及び２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、

Ｒ^Ｃ１１、Ｒ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３およびＲ^Ｃ１４で表される置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、Ｒ^Ｃ１１とＲ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３とＲ^Ｃ１４が互いに結合して五員環を形成する基であり、特に好ましくはＲ^Ｃ１１とＲ^Ｃ１２、Ｒ^Ｃ１３とＲ^Ｃ１４が互いに結合して五員環を形成する基である。

一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ｃ−２）で表される化合物である。

一般式（Ｃ−２）中、Ｍ^Ｃ２は金属イオンを表す。
Ｙ^Ｃ２１、Ｙ^Ｃ２２、Ｙ^Ｃ２３およびＹ^Ｃ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｇ^Ｃ２１、Ｇ^Ｃ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｌ^Ｃ２１、Ｌ^Ｃ２２は連結基を表す。Ｑ^Ｃ２１、Ｑ^Ｃ２２はＭ^Ｃ２に配位結合、イオン結合、又は共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。

一般式（Ｃ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−２）中、Ｍ^Ｃ２、Ｌ^Ｃ２１、Ｌ^Ｃ２２、Ｑ^Ｃ２１、Ｑ^Ｃ２２、Ｇ^Ｃ２１、及びＧ^Ｃ２２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）におけるＭ^Ｃ１、Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２、Ｑ^Ｃ１１、Ｑ^Ｃ１２、Ｇ^Ｃ１１、及びＧ^Ｃ１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｙ^Ｃ２１、Ｙ^Ｃ２２、Ｙ^Ｃ２３およびＹ^Ｃ２４は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。

一般式（Ｃ−２）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｃ−３）、一般式（Ｃ−４）又は一般式（Ｃ−５）で表される化合物である。

一般式（Ｃ−３）中、Ｍ^Ｃ３は金属イオンを表す。
Ｙ^Ｃ３１、Ｙ^Ｃ３２、Ｙ^Ｃ３３およびＹ^Ｃ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｇ^Ｃ３１、Ｇ^Ｃ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｌ^Ｃ３１、Ｌ^Ｃ３２は連結基を表す。Ｚ^Ｃ３１、Ｚ^Ｃ３２、Ｚ^Ｃ３３、Ｚ^Ｃ３４、Ｚ^Ｃ３５およびＺ^Ｃ３６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｃ−４）中、Ｍ^Ｃ４は金属イオンを表す。Ｙ^Ｃ４１、Ｙ^Ｃ４２、Ｙ^Ｃ４３およびＹ^Ｃ４４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｇ^Ｃ４１、Ｇ^Ｃ４２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｌ^Ｃ４１、Ｌ^Ｃ４２は連結基を表す。Ｚ^Ｃ４１、Ｚ^Ｃ４２、Ｚ^Ｃ４３およびＺ^Ｃ４４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｃ−５）中、Ｍ^Ｃ５は金属イオンを表す。
Ｙ^Ｃ５１、Ｙ^Ｃ５２、Ｙ^Ｃ５３およびＹ^Ｃ５４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｇ^Ｃ５１、Ｇ^Ｃ５２は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｌ^Ｃ５１、Ｌ^Ｃ５２は連結基を表す。Ｚ^Ｃ５１、Ｚ^Ｃ５２、Ｚ^Ｃ５３、Ｚ^Ｃ５４、Ｚ^Ｃ５５およびＺ^Ｃ５６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｘ^Ｃ５１、Ｘ^Ｃ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。

一般式（Ｃ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−３）中、Ｍ^Ｃ３、Ｌ^Ｃ３１、Ｌ^Ｃ３２、Ｇ^Ｃ３１、及びＧ^Ｃ３２はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）における、Ｍ^Ｃ１、Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２、Ｇ^Ｃ１１、及びＧ^Ｃ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｃ３１、Ｚ^Ｃ３２、Ｚ^Ｃ３３、Ｚ^Ｃ３４、Ｚ^Ｃ３５およびＺ^Ｃ３６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｃ３１、Ｚ^Ｃ３２、Ｚ^Ｃ３３、Ｚ^Ｃ３４、Ｚ^Ｃ３５およびＺ^Ｃ３６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。

一般式（Ｃ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−４）中、Ｍ^Ｃ４、Ｌ^Ｃ４１、Ｌ^Ｃ４２、Ｇ^Ｃ４１、及びＧ^Ｃ４２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、Ｍ^Ｃ１、Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２、Ｇ^Ｃ１１、及びＧ^Ｃ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｃ４１、Ｚ^Ｃ４２、Ｚ^Ｃ４３、およびＺ^Ｃ４４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｃ４１、Ｚ^Ｃ４２、Ｚ^Ｃ４３、およびＺ^Ｃ４４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。

一般式（Ｃ−５）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ^Ｃ５、Ｌ^Ｃ５１、Ｌ^Ｃ５２、Ｇ^Ｃ５１、及びＧ^Ｃ５２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、Ｍ^Ｃ１、Ｌ^Ｃ１１、Ｌ^Ｃ１２、Ｇ^Ｃ１１、及びＧ^Ｃ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｃ５１、Ｚ^Ｃ５２、Ｚ^Ｃ５３、Ｚ^Ｃ５４、Ｚ^Ｃ５５およびＺ^Ｃ５６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｃ５１、Ｚ^Ｃ５２、Ｚ^Ｃ５３、Ｚ^Ｃ５４、Ｚ^Ｃ５５およびＺ^Ｃ５６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
Ｘ^Ｃ５１、Ｘ^Ｃ５２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。Ｘ^Ｃ５１、Ｘ^Ｃ５２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。

一般式（Ｃ−１）で表される化合物の具体例として、特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ｃ１）〜（Ｃ６３）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である。

一般式（Ｄ−１）中、Ｍ^Ｄ１は金属イオンを表す。
Ｇ^Ｄ１１、Ｇ^Ｄ１２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。Ｊ^Ｄ１１、Ｊ^Ｄ１２、Ｊ^Ｄ１３およびＪ^Ｄ１４は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ^Ｄ１１、Ｌ^Ｄ１２は連結基を表す。

一般式（Ｄ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−１）中、Ｍ^Ｄ１、Ｌ^Ｄ１１、及びＬ^Ｄ１２はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、Ｍ^Ａ１、Ｌ^Ａ１１、及びＬ^Ａ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｇ^Ｄ１１、Ｇ^Ｄ１２は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＧ^Ｃ１１、Ｇ^Ｃ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｊ^Ｄ１１、Ｊ^Ｄ１２、Ｊ^Ｄ１３およびＪ^Ｄ１４は、これらが結合している原子群と共に、含窒素へテロ五員環を形成するのに必要な原子群を表す。

一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｄ−２）、一般式（Ｄ−３）、又は一般式（Ｄ−４）で表される化合物である。

一般式（Ｄ−２）中、Ｍ^Ｄ２は金属イオンを表す。
Ｇ^Ｄ２１、Ｇ^Ｄ２２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
Ｙ^Ｄ２１、Ｙ^Ｄ２２、Ｙ^Ｄ２３およびＹ^Ｄ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
Ｘ^Ｄ２１、Ｘ^Ｄ２２、Ｘ^Ｄ２３およびＸ^Ｄ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｄ２１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ２２）Ｒ^Ｄ２３−を表す。
Ｒ^Ｄ２１、Ｒ^Ｄ２２およびＲ^Ｄ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｄ２１、Ｌ^Ｄ２２は連結基を表す。

一般式（Ｄ−３）中、Ｍ^Ｄ３は金属イオンを表す。
Ｇ^Ｄ３１、Ｇ^Ｄ３２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
Ｙ^Ｄ３１、Ｙ^Ｄ３２、Ｙ^Ｄ３３およびＹ^Ｄ３４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
Ｘ^Ｄ３１、Ｘ^Ｄ３２、Ｘ^Ｄ３３およびＸ^Ｄ３４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｄ３１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ３２）Ｒ^Ｄ３３−を表す。
Ｒ^Ｄ３１、Ｒ^Ｄ３２およびＲ^Ｄ３３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｄ３１、Ｌ^Ｄ３２は連結基を表す。

一般式（Ｄ−４）中、Ｍ^Ｄ４は金属イオンを表す。
Ｇ^Ｄ４１、Ｇ^Ｄ４２は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
Ｙ^Ｄ４１、Ｙ^Ｄ４２、Ｙ^Ｄ４３およびＹ^Ｄ４４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
Ｘ^Ｄ４１、Ｘ^Ｄ４２、Ｘ^Ｄ４３およびＸ^Ｄ４４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｄ４１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ４２）Ｒ^Ｄ４３−を表す。Ｒ^Ｄ４１、Ｒ^Ｄ４２およびＲ^Ｄ４３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ^Ｄ４１、Ｌ^Ｄ４２は連結基を表す。

一般式（Ｄ−２）について詳細に説明する。
Ｍ^Ｄ２、Ｌ^Ｄ２１、Ｌ^Ｄ２２、Ｇ^Ｄ２１、及びＧ^Ｄ２２は、一般式（Ｄ−１）におけるＭ^Ｄ１、Ｌ^Ｄ１１、Ｌ^Ｄ１２、Ｇ^Ｄ１１、Ｇ^Ｄ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｙ^Ｄ２１、Ｙ^Ｄ２２、Ｙ^Ｄ２３およびＹ^Ｄ２４は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
Ｘ^Ｄ２１、Ｘ^Ｄ２２、Ｘ^Ｄ２３およびＸ^Ｄ２４は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｄ２１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ２２）Ｒ^Ｄ２３−を表し、好ましくは硫黄原子、−ＮＲ^Ｄ２１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ２２）Ｒ^Ｄ２３−であり、より好ましくは−ＮＲ^Ｄ２１−、−Ｃ（Ｒ^Ｄ２２）Ｒ^Ｄ２３−であり、さらに好ましくは−ＮＲ^Ｄ２１−である。
Ｒ^Ｄ２１、Ｒ^Ｄ２２およびＲ^Ｄ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｄ２１、Ｒ^Ｄ２２およびＲ^Ｄ２３で表される置換基としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、及び３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、

アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、及びナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、及びフェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、

ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、及びトリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。Ｒ^Ｄ２１、Ｒ^Ｄ２２およびＲ^Ｄ２３は好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくはアリール基である。

一般式（Ｄ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−３）中、Ｍ^Ｄ３、Ｌ^Ｄ３１、Ｌ^Ｄ３２、Ｇ^Ｄ３１、及びＧ^Ｄ３２は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−１）におけるＭ^Ｄ１、Ｌ^Ｄ１１、Ｌ^Ｄ１２、Ｇ^Ｄ１１、及びＧ^Ｄ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｘ^Ｄ３１、Ｘ^Ｄ３２、Ｘ^Ｄ３３およびＸ^Ｄ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＸ^Ｄ２１、Ｘ^Ｄ２２、Ｘ^Ｄ２３およびＸ^Ｄ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｙ^Ｄ３１、Ｙ^Ｄ３２、Ｙ^Ｄ３３およびＹ^Ｄ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹ^Ｄ２１、Ｙ^Ｄ２２、Ｙ^Ｄ２３およびＹ^Ｄ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｄ−４）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−４）中、Ｍ^Ｄ４、Ｌ^Ｄ４１、Ｌ^Ｄ４２、Ｇ^Ｄ４１、及びＧ^Ｄ４２は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−１）におけるＭ^Ｄ１、Ｌ^Ｄ１１、Ｌ^Ｄ１２、Ｇ^Ｄ１１、及びＧ^Ｄ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｘ^Ｄ４１、Ｘ^Ｄ４２、Ｘ^Ｄ４３およびＸ^Ｄ４４は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−２）におけるＸ^Ｄ２１、Ｘ^Ｄ２２、Ｘ^Ｄ２３およびＸ^Ｄ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^Ｄ４１、Ｙ^Ｄ４２、Ｙ^Ｄ４３およびＹ^Ｄ４４は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹ^Ｄ２１、Ｙ^Ｄ２２、Ｙ^Ｄ２３およびＹ^Ｄ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｄ−１）で表される化合物の具体例として、特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ｄ１）〜（Ｄ２４）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。

一般式（Ｅ−１）中、Ｍ^Ｅ１は金属イオンを表す。Ｊ^Ｅ１１、Ｊ^Ｅ１２は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｇ^Ｅ１１、Ｇ^Ｅ１２、Ｇ^Ｅ１３およびＧ^Ｅ１４は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｙ^Ｅ１１、Ｙ^Ｅ１２、Ｙ^Ｅ１３およびＹ^Ｅ１４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｅ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−１）中、Ｍ^Ｅ１は一般式（Ａ−１）におけるＭ^Ａ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｇ^Ｅ１１、Ｇ^Ｅ１２、Ｇ^Ｅ１３およびＧ^Ｅ１４は一般式（Ｃ−１）におけるＧ^Ｃ１１、Ｇ^Ｃ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｊ^Ｅ１１、Ｊ^Ｅ１２は、一般式（Ｄ−１）におけるＪ^Ｄ１２〜Ｊ^Ｄ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^Ｅ１１、Ｙ^Ｅ１２、Ｙ^Ｅ１３およびＹ^Ｅ１４はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−２）におけるＹ^Ｃ２１〜Ｙ^Ｃ２４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｅ−２）、又は一般式（Ｅ−３）で表される化合物である。

一般式（Ｅ−２）中、Ｍ^Ｅ２は金属イオンを表す。Ｇ^Ｅ２１、Ｇ^Ｅ２２、Ｇ^Ｅ２３およびＧ^Ｅ２４はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｙ^Ｅ２１、Ｙ^Ｅ２２、Ｙ^Ｅ２３、Ｙ^Ｅ２４、Ｙ^Ｅ２５およびＹ^Ｅ２６はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
Ｘ^Ｅ２１およびＸ^Ｅ２２は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｅ２１−、−Ｃ（Ｒ^Ｅ２２）Ｒ^Ｅ２３−を表す。Ｒ^Ｅ２１、Ｒ^Ｅ２２およびＲ^Ｅ２３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

一般式（Ｅ−３）中、Ｍ^Ｅ３は金属イオンを表す。Ｇ^Ｅ３１、Ｇ^Ｅ３２、Ｇ^Ｅ３３およびＧ^Ｅ３４はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｙ^Ｅ３１、Ｙ^Ｅ３２、Ｙ^Ｅ３３、Ｙ^Ｅ３４、Ｙ^Ｅ３５およびＹ^Ｅ３６はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｘ^Ｅ３１およびＸ^Ｅ３２は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ^Ｅ３１−、−Ｃ（Ｒ^Ｅ３２）Ｒ^Ｅ３３−を表す。Ｒ^Ｅ３１、Ｒ^Ｅ３２およびＲ^Ｅ３３は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

一般式（Ｅ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−２）中、Ｍ^Ｅ２、Ｇ^Ｅ２１、Ｇ^Ｅ２２、Ｇ^Ｅ２３、Ｇ^Ｅ２４、Ｙ^Ｅ２１、Ｙ^Ｅ２２、Ｙ^Ｅ２３、及びＹ^Ｅ２４は、それぞれ対応する一般式（Ｅ−１）におけるＭ^Ｅ１、Ｇ^Ｅ１１、Ｇ^Ｅ１２、Ｇ^Ｅ１３、Ｇ^Ｅ１４、Ｙ^Ｅ１１、Ｙ^Ｅ１２、Ｙ^Ｅ１３、及びＹ^Ｅ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘ^Ｅ２１、Ｘ^Ｅ２２は一般式（Ｄ−２）におけるＸ^Ｄ２１、Ｘ^Ｄ２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｅ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−３）中、Ｍ^Ｅ３、Ｇ^Ｅ３１、Ｇ^Ｅ３２、Ｇ^Ｅ３３、Ｇ^Ｅ３４、Ｙ^Ｅ３１、Ｙ^Ｅ３２、Ｙ^Ｅ３３、及びＹ^Ｅ３４は、それぞれ対応する、一般式（Ｅ−１）におけるＭ^Ｅ１、Ｇ^Ｅ１１、Ｇ^Ｅ１２、Ｇ^Ｅ１３、Ｇ^Ｅ１４、Ｙ^Ｅ１１、Ｙ^Ｅ１２、Ｙ^Ｅ１３、及びＹ^Ｅ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｘ^Ｅ３１、Ｘ^Ｅ３２は対応する、一般式（Ｅ−２）におけるＸ^Ｅ２１、Ｘ^Ｅ２２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（Ｅ−１）で表される化合物の具体例として、特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ｅ１）〜（Ｅ１５）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である。

一般式（Ｆ−１）中、Ｍ^Ｆ１は金属イオンを表す。Ｌ^Ｆ１１、Ｌ^Ｆ１２およびＬ^Ｆ１３は連結基を表す。Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ｒ^Ｆ１１とＲ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１２とＲ^Ｆ１３、Ｒ^Ｆ１３とＲ^Ｆ１４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、Ｒ^Ｆ１１とＲ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３とＲ^Ｆ１４が形成する環は五員環である。Ｑ^Ｆ１１、Ｑ^Ｆ１２はＭ^Ｆ１に配位結合、イオン結合、又は共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。

一般式（Ｆ−１）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−１）中、Ｍ^Ｆ１、Ｌ^Ｆ１１、Ｌ^Ｆ１２、Ｌ^Ｆ１３、Ｑ^Ｆ１１、及びＱ^Ｆ１２はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）におけるＭ^Ａ１、Ｌ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、Ｑ^Ａ１１、及びＱ^Ａ１２と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ^Ｆ１１とＲ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１２とＲ^Ｆ１３、Ｒ^Ｆ１３とＲ^Ｆ１４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、Ｒ^Ｆ１１とＲ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３とＲ^Ｆ１４が形成する環は五員環である。Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４で表される置換基としては、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＲ^Ｃ１１〜Ｒ^Ｃ１４で表される置換基として挙げたものが適用できる。Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４として好ましくは、Ｒ^Ｆ１１とＲ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３とＲ^Ｆ１４が互いに結合して五員環を形成する基もしくは、Ｒ^Ｆ１２とＲ^Ｆ１３が互いに結合して芳香環を形成する基である。

一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｆ−２）、一般式（Ｆ−３）、又は一般式（Ｆ−４）で表される化合物である。

一般式（Ｆ−２）中、Ｍ^Ｆ２は金属イオンを表す。Ｌ^Ｆ２１、Ｌ^Ｆ２２およびＬ^Ｆ２３は連結基を表す。Ｒ^Ｆ２１、Ｒ^Ｆ２２、Ｒ^Ｆ２３およびＲ^Ｆ２４は置換基を表し、Ｒ^Ｆ２１とＲ^Ｆ２２、Ｒ^Ｆ２２とＲ^Ｆ２３、Ｒ^Ｆ２３とＲ^Ｆ２４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、Ｒ^Ｆ２１とＲ^Ｆ２２、Ｒ^Ｆ２３とＲ^Ｆ２４が形成する環は五員環である。Ｚ^Ｆ２１、Ｚ^Ｆ２２、Ｚ^Ｆ２３、Ｚ^Ｆ２４、Ｚ^Ｆ２５およびＺ^Ｆ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｆ−３）中、Ｍ^Ｆ３は金属イオンを表す。Ｌ^Ｆ３１、Ｌ^Ｆ３２およびＬ^Ｆ３３は連結基を表す。Ｒ^Ｆ３１、Ｒ^Ｆ３２、Ｒ^Ｆ３３およびＲ^Ｆ３４は置換基を表し、Ｒ^Ｆ３１とＲ^Ｆ３２、Ｒ^Ｆ３２とＲ^Ｆ３３、Ｒ^Ｆ３３とＲ^Ｆ３４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、Ｒ^Ｆ３１とＲ^Ｆ３２、Ｒ^Ｆ３３とＲ^Ｆ３４が形成する環は五員環である。Ｚ^Ｆ３１、Ｚ^Ｆ３２、Ｚ^Ｆ３３およびＺ^Ｆ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。

一般式（Ｆ−４）中、Ｍ^Ｆ４は金属イオンを表す。Ｌ^Ｆ４１、Ｌ^Ｆ４２およびＬ^Ｆ４３は連結基を表す。Ｒ^Ｆ４１、Ｒ^Ｆ４２、Ｒ^Ｆ４３およびＲ^Ｆ４４は置換基を表し、Ｒ^Ｆ４１とＲ^Ｆ４２、Ｒ^Ｆ４２とＲ^Ｆ４３、Ｒ^Ｆ４３とＲ^Ｆ４４は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、Ｒ^Ｆ４１とＲ^Ｆ４２、Ｒ^Ｆ４３とＲ^Ｆ４４が形成する環は五員環である。Ｚ^Ｆ４１、Ｚ^Ｆ４２、Ｚ^Ｆ４３、Ｚ^Ｆ４４、Ｚ^Ｆ４５、およびＺ^Ｆ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｘ^Ｆ４１、Ｘ^Ｆ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。

一般式（Ｆ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
Ｍ^Ｆ２、Ｌ^Ｆ２１、Ｌ^Ｆ２２、Ｌ^Ｆ２３、Ｒ^Ｆ２１、Ｒ^Ｆ２２、Ｒ^Ｆ２３およびＲ^Ｆ２４はそれぞれ対応する一般式（Ｆ−１）におけるＭ^Ｆ１、Ｌ^Ｆ１１、Ｌ^Ｆ１２、Ｌ^Ｆ１３、Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｆ２１、Ｚ^Ｆ２２、Ｚ^Ｆ２３、Ｚ^Ｆ２４、Ｚ^Ｆ２５およびＺ^Ｆ２６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｆ２１、Ｚ^Ｆ２２、Ｚ^Ｆ２３、Ｚ^Ｆ２４、Ｚ^Ｆ２５およびＺ^Ｆ２６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、Ｌ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ｆ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−３）中、Ｍ^Ｆ３、Ｌ^Ｆ３１、Ｌ^Ｆ３２、Ｌ^Ｆ３３、Ｒ^Ｆ３１、Ｒ^Ｆ３２、Ｒ^Ｆ３３およびＲ^Ｆ３４はそれぞれ対応する、一般式（Ｆ−１）におけるＭ^Ｆ１、Ｌ^Ｆ１１、Ｌ^Ｆ１２、Ｌ^Ｆ１３、Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^Ｆ３１、Ｚ^Ｆ３２、Ｚ^Ｆ３３およびＺ^Ｆ３４はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｆ３１、Ｚ^Ｆ３２、Ｚ^Ｆ３３およびＺ^Ｆ３４として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。

一般式（Ｆ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−４）中、Ｍ^Ｆ４、Ｌ^Ｆ４１、Ｌ^Ｆ４２、Ｌ^Ｆ４３、Ｒ^Ｆ４１、Ｒ^Ｆ４２、Ｒ^Ｆ４３およびＲ^Ｆ４４は一般式（Ｆ−１）におけるＭ^Ｆ１、Ｌ^Ｆ１１、Ｌ^Ｆ１２、Ｌ^Ｆ１３、Ｒ^Ｆ１１、Ｒ^Ｆ１２、Ｒ^Ｆ１３およびＲ^Ｆ１４と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｚ^Ｆ４１、Ｚ^Ｆ４２、Ｚ^Ｆ４３、Ｚ^Ｆ４４、Ｚ^Ｆ４５およびＺ^Ｆ４６はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。Ｚ^Ｆ４１、Ｚ^Ｆ４２、Ｚ^Ｆ４３、Ｚ^Ｆ４４、Ｚ^Ｆ４５およびＺ^Ｆ４６として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬ^Ａ１１、Ｌ^Ａ１２、Ｌ^Ａ１３、及びＬ^Ａ１４で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
Ｘ^Ｆ４１、Ｘ^Ｆ４２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。Ｘ^Ｆ４１、Ｘ^Ｆ４２として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。

一般式（Ｆ−１）で表される化合物の具体例として、特開２００７−１０３４９３号に記載の化合物（Ｆ１）〜（Ｆ５２）の化合物が挙げられるが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

前記一般式（Ａ−１）〜（Ｆ−１）で表される化合物は公知の方法により合成することができる。

（正孔輸送性発光材料）
本発明の発光層に用いられる正孔輸送性発光材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が５．１ｅＶ以上６．４ｅＶ以下であることが好ましく、５．４ｅＶ以上６．２ｅＶ以下であることがより好ましく、５．６ｅＶ以上６．０ｅＶ以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力（Ｅａ）が１．２ｅＶ以上３．１ｅＶ以下であることが好ましく、１．４ｅＶ以上３．０ｅＶ以下であることがより好ましく、１．８ｅＶ以上２．８ｅＶ以下であることが更に好ましい。

このような正孔輸送性発光材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピロール系化合物、インドール系化合物、カルバゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ポリアリールアルカン系化合物、アリールアミン系化合物、スチリル系化合物、スチリルアミン系化合物、チオフェン系化合物、芳香族多環縮合系化合物などのほか、金属錯体などが挙げられる。

前記金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、発光効率向上、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、遷移金属イオン、希土類金属イオンであることが好ましく、より好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、銅イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、鉛イオン、希土類金属イオン（例えば、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンなど）が好ましく、更に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、特に好ましくは、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンであり、最も好ましくは、イリジウムイオンである。イリジウムイオンを有する金属錯体の中でも特に好ましくは、炭素−Ｉｒ結合、窒素−Ｉｒ結合（この場合の結合は、配位結合、イオン結合、共有結合のいずれであってもよい）を有する金属錯体である。

このような正孔輸送性発光材料の例としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

（電子輸送性ホスト材料）
本発明に用いられる電子輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Ｅａが２．５ｅＶ以上３．５ｅＶ以下であることが好ましく、２．６ｅＶ以上３．４ｅＶ以下であることがより好ましく、２．８ｅＶ以上３．３ｅＶ以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルＩｐが５．７ｅＶ以上７．５ｅＶ以下であることが好ましく、５．８ｅＶ以上７．０ｅＶ以下であることがより好ましく、５．９ｅＶ以上６．５ｅＶ以下であることが更に好ましい。

このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、およびそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等を挙げることができる。

電子輸送性ホストとして好ましくは、金属錯体、アゾール誘導体（ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等）、アジン誘導体（ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等）であり、中でも、本発明においては耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも１つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、またはパラジウムイオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、亜鉛イオン、またはパラジウムイオンである。

前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「ＰｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓｏｆＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｏｍｐｏｕｎｄｓ」、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著、１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられる。

前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座以上６座以下の配位子である。また、２座以上６座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。
配位子としては、例えばアジン配位子（例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる。）、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる。）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２及び−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、及び４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、

ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、およびキノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、および２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、およびトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。）、芳香族炭化水素アニオン配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、およびアントラニルアニオンなどが挙げられる。）、芳香族ヘテロ環アニオン配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２５、特に好ましくは炭素数２〜２０であり、例えばピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、およびベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる。）、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、または芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。

金属錯体電子輸送性ホストの例としては、例えば特開２００２−２３５０７６、特開２００４−２１４１７９、特開２００４−２２１０６２、特開２００４−２２１０６５、特開２００４−２２１０６８、特開２００４−３２７３１３等に記載の化合物が挙げられる。

このような電子輸送性ホストとしては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

電子輸送層ホストとしては、Ｅ−１〜Ｅ−６、Ｅ−８、Ｅ−９、Ｅ−１０、Ｅ−２１、またはＥ−２２が好ましく、Ｅ−３、Ｅ−４、Ｅ−６、Ｅ−８、Ｅ−９、Ｅ−１０、Ｅ−２１、またはＥ−２２がより好ましく、Ｅ−３、Ｅ−４、Ｅ−２１、またはＥ−２２が更に好ましい。

本発明における発光層において、発光性ドーパントとして燐光発光性ドーパントを用いたとき、該燐光発光性ドーパントの最低三重項励起エネルギーＴ１（Ｄ）と前記複数のホスト化合物の最低励起三重項エネルギーのうち最小のもの前記Ｔ１（Ｈ）ｍｉｎとが、Ｔ１（Ｈ）ｍｉｎ＞Ｔ１（Ｄ）の関係を満たすことが色純度、外部量子効率、駆動耐久性の点で好ましい。

（正孔輸送性ホスト材料）
本発明の発光層に用いられる正孔輸送性ホスト材料としては、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、イオン化ポテンシャルＩｐが５．１ｅＶ以上６．４ｅＶ以下であることが好ましく、５．４ｅＶ以上６．２ｅＶ以下であることがより好ましく、５．６ｅＶ以上６．０ｅＶ以下であることが更に好ましい。また、耐久性向上、駆動電圧低下の観点から、電子親和力Ｅａが１．２ｅＶ以上３．１ｅＶ以下であることが好ましく、１．４ｅＶ以上３．０ｅＶ以下であることがより好ましく、１．８ｅＶ以上２．８ｅＶ以下であることが更に好ましい。

このような正孔輸送性ホスト材料としては、具体的には、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、カルバゾール、アザカルバゾール、インドール、アザインドール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマチオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等が挙げられる。
中でも、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、特に分子内にカルバゾール骨格、インドール骨格および／または芳香族第三級アミン骨格を複数個有するものが好ましい。
このような正孔輸送性ホスト材料としての具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

＜発光材料とホスト材料の混合比＞
−正孔輸送性ホスト材料および電子輸送性発光材料の混合比−
発光層の陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度は、前記領域において、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下が更に好ましく、５０質量％以下が特に好ましい。特に燐光材料においては濃度が高くなると会合発光による色度悪化、電荷輸送能力の低下による高電圧化のため上記範囲外では好ましくない。

発光層の陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度は、前記領域において０質量％以上３５質量％以下が好ましく、より好ましくは０質量％以上２０質量％以下である。本発明においては、「発光層の陰極に近接する領域」とは発光層の陰極に近接する側で、発光層厚みの１０％の厚み領域を指し、「発光層の陽極に近接する領域」とは発光層の陽極に近接する側で、発光層厚みの１０％の厚み領域を指すものとし、その領域における平均濃度を上記好ましい範囲に設定するものとする。

また、上記の条件に加えて、発光層内で電子輸送性発光材料の最も濃度が低い領域の濃度は、最も高い領域の濃度の５０％以下が更に好ましく、３０％以下が更に好ましく、２０％以下が最も好ましい。
更に正孔輸送性ホストの濃度も発光層内で傾斜していることが好ましい。また、正孔輸送性ホストに加えて、電気的に不活性な希釈剤を含んでいても良い。

−電子輸送性ホスト材料および正孔輸送性発光材料の混合比−
発光層の陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度は、前記領域において、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下が更に好ましく、５０質量％以下が特に好ましい。特に燐光材料においては濃度が高くなると会合発光による色度悪化、電荷輸送能力の低下による高電圧化のため上記範囲外では好ましくない。

発光層の陰極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度は、前記領域において０質量％以上３０質量％以下が好ましく、より好ましくは０質量％以上１０質量％以下である。本発明においては、「発光層の〜に近接する領域」とは発光層の〜に近接する側で、発光層厚みの１０％の厚み領域を指すものとし、その領域における平均濃度を上記好ましい範囲に設定するものとする。

また、上記の条件に加えて、発光層内で正孔輸送性発光材料の最も濃度が低い領域の濃度は、最も高い領域の濃度の５０％以下が更に好ましく、３０％以下が更に好ましく、２０％以下が最も好ましい。
更に電子輸送性ホストの濃度も発光層内で傾斜していることが好ましい。また、電子輸送性ホストに加えて電気的に不活性な希釈剤を含んでいても良い。

＜膜厚＞
発光層の膜厚としては、輝度ムラ、駆動電圧、輝度の観点から、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが特に好ましい。発光層の膜厚が薄いと、発光領域が発光層外まで広がったり、効率が下がったりするため好ましくない。発光層の膜厚が厚いと、駆動電圧が高くなり、用途を限定する原因となってしまう。

＜層構成＞
発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。また、発光層が積層構造である場合については、積層構造を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、各発光層の合計膜厚が前述の範囲になるようにすることが好ましい。

３．正孔輸送層
正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層であり、例えば下記に示す正孔輸送材料を有する。陽極からの正孔の注入を良くするために、正孔輸送層を２層以上に分け、分けた層のうち一つに正孔注入の役割を持たせても良い。
本発明の第３又は第４の態様に於ける正孔輸送層のうち、少なくとも１層は、正孔輸送材料と電子輸送材料を含有する。
正孔輸送材料としては、具体的には、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等が好ましい。あるいは、前述の発光層の正孔輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。

本発明の第２の態様に於ける正孔輸送層に用いられる電子輸送材料としては、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が好ましい。あるいは、前述の発光層の電子輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。

正孔輸送層中で正孔輸送材料と電子輸送材料を含有する層においては、電子輸送材料の濃度は、陽極に近接する領域で陰極に近接する領域の濃度の０％以上５０％以下であることが好ましく、０％以上２０％以下であることが更に好ましい。更には、電子輸送材料の陰極に近接する領域の濃度は０質量％以上５０質量％以下が好ましく、０質量％以上３０質量％以下が更に好ましい。
また、正孔輸送材料の濃度は、陽極に近接する領域で５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましい。

また、本発明の有機ＥＬ素子の正孔輸送層は低電圧化、駆動耐久性の観点から、電子受容性ドーパントを含有してもよい。
特に前述の正孔注入の役割を持たせた層（正孔注入層）を有する場合、その層に含有させることが好ましい。
正孔注入層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。

具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。あるいは、前述の発光層の電子輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。

この他にも、特開平６−２１２１５３、特開平１１−１１１４６３、特開平１１−２５１０６７、特開２０００−１９６１４０、特開２０００−２８６０５４、特開２０００−３１５５８０、特開２００１−１０２１７５、特開２００１−１６０４９３、特開２００２−２５２０８５、特開２００２−５６９８５、特開２００３−１５７９８１、特開２００３−２１７８６２、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４、特開２００５−７２０１２、特開２００５−１６６６３７、特開２００５−２０９６４３等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。

このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、またはフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、または２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。

これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子輸送性材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。

正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜６０ｎｍであるのが更に好ましい。

また、正孔輸送層も、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

４．電子輸送層
電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層であり、例えば下記に示す電子輸送材料を有する。陰極からの電子の注入を良くするために、電子輸送層を２層以上に分け、分けた層のうち一つに電子注入の役割を持たせても良い。
本発明の第１又は第２の態様に於ける電子輸送層のうち、少なくとも１層は、電子輸送材料と正孔輸送材料とを含有する。
電子輸送材料としては、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が好ましい。あるいは、前述の発光層の電子輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。

正孔輸送材料としては、具体的には、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等が好ましい。あるいは、前述の発光層の正孔輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。

電子輸送層中で正孔輸送材料と電子輸送材料を含有する電子輸送層においては、正孔輸送材料の濃度は、陽極側から陰極側に向かって暫減し、陰極に近接する領域では陽極に近接する領域の濃度の０％以上５０％以下であることが好ましく、０％以上２０％以下であることが更に好ましい。更には、正孔輸送材料の陽極に近接する領域における濃度は０質量％以上５０質量％以下が好ましく、０質量％以上３０質量％以下が更に好ましい。
また、電子輸送材料の濃度は、陰極に近接する領域で５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層は、低電圧化、駆動耐久性向上の観点から電子供与性ドーパントを含有してもよい。
特に前述の電子注入の役割を持たせた層（電子注入層）を有する場合、その層に含有させることが好ましい。
電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。

金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。あるいは、前述の発光層の正孔輸送性ホスト材料として説明された材料も好ましく用いることができる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。

これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。

電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍであることが更に好ましい。
電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

５．基板
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

６．電極
（陽極）
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０^３Ω／□以下が好ましく、１０^２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

（陰極）
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

７．保護層
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の金属酸化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

８．封止
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、及び酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、及びシリコーンオイル類が挙げられる。

９．駆動
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

１０．用途
本発明の有機ＥＬ素子の用途は特に限定されないが、携帯電話ディスプレイ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、コンピュータディスプレイ、自動車の情報ディスプレイ、ＴＶモニター、あるいは一般照明等広い分野に適用できる。

以下に、本発明の有機ＥＬ素子の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。

実施例１
１．有機ＥＬ素子の作製
１）本発明の素子１の作製
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角の酸化インジウム錫（ＩＴＯと略記）を蒸着したガラス基板（ジオマテック（株）製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極上に真空蒸着法にて以下の層を蒸着した。本発明の実施例における蒸着速度は特に断りのない場合は０．２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。

正孔注入層：４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡと略記する）および２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱと略記する）を２−ＴＮＡＴＡに対してＦ４−ＴＣＮＱが１．０質量％となるように共蒸着した。厚み１６０ｎｍであった。

正孔輸送層１：正孔輸送材料Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記する）を厚み１０ｎｍに蒸着した。
正孔輸送層２（濃度勾配を有する正孔輸送層）：正孔輸送層１の上に、正孔輸送材料Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記する）と電子輸送材料Ａｌｕｍｉｎｕｍ（III）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する）を共蒸着し、これらの共蒸着比を蒸着進行と共に増加させた。蒸着初期の正孔注入層に近接した領域ではＢＡｌｑの混合比率が０質量％、蒸着終了段階の発光層と近接する領域ではＢＡｌｑの混合比率が３０質量％となるように各成分の蒸着速度を調整した。これらの領域の間では連続的に各成分の混合比率を変化させた。正孔輸送層２の膜厚は３０ｎｍであった。

発光層：電子輸送性ホスト４，４’−ｄｉ−（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）−ｂｉｐｈｅｎｙｌ（ＣＢＰと略称）と正孔輸送性発光材料Ｉｒ（ｐｐｙ）_３を共蒸着し、これらの共蒸着比を蒸着進行と共に増加させた。蒸着初期の正孔輸送層に近接した領域ではＩｒ（ｐｐｙ）_３の混合比率が３０質量％、蒸着終了段階の電子輸送層と近接する領域ではＩｒ（ｐｐｙ）_３の混合比率が０質量％となるように各成分の蒸着速度を調整した。これらの領域の間では連続的に各成分の混合比率を変化させた。発光層の膜厚は５０ｎｍであった。

電子輸送層：Ａｌｕｍｉｎｕｍ（III）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ（ＢＡｌｑと略記する）を蒸着した、厚みは４０ｎｍであった。
さらに電子注入層ＬｉＦを蒸着した。厚みは１ｎｍであった。

さらに、シャドウマスクによりパターニングして陰極として厚み１００ｎｍのＡｌを設けた。
各層はいずれも抵抗加熱真空蒸着により設けた。

作製した積層体を、窒素ガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、乾燥剤を貼り付けたステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止した。

２）本発明の素子２の作製
本発明の素子１の作製において、正孔輸送層１の膜厚を４０ｎｍに変更し、正孔輸送層２を除き、発光層及び電子輸送層を下記に変更し、その他は同様にして本発明の素子２を作製した。

発光層：正孔輸送性ホストＣＢＰと電子輸送性発光材料Ｐｔ−１を共蒸着し、これらの共蒸着比を蒸着進行と共に増加させた。蒸着初期の正孔輸送層に近接した領域ではＰｔ−１の混合比率が０質量％、蒸着終了段階の電子輸送層と近接する領域ではＰｔ−１の混合比率が３０質量％となるように各成分の蒸着速度を調整した。これらの領域の間では連続的に各成分の混合比率を変化させた。発光層の膜厚は５０ｎｍであった。

電子輸送層１（濃度勾配を有する電子輸送層）：電子輸送性材料ＥＴＭ１と正孔輸送性材料α−ＮＰＤを共蒸着し、これらの共蒸着比を蒸着進行と共に減少させた。蒸着初期の発光層に近接した領域ではα−ＮＰＤの混合比率が３０質量％、蒸着終了段階の電子注入層と近接する領域ではα−ＮＰＤの混合比率が０質量％となるように各成分の蒸着速度を調整した。これらの領域の間では連続的に各成分の混合比率を変化させた。発光層の膜厚は３０ｎｍであった。

電子輸送層２：電子輸送層１の上にＢＡｌｑを厚みは１０ｎｍ蒸着した。

３）本発明の素子３の作製
本発明の素子２の作製において、電子輸送層１を以下のように変更し、その他は同様にして本発明の素子３を作製した。

電子輸送層１：電子輸送性材料バソクプロイン（ＢＣＰと略称する）と正孔輸送性材料α−ＮＰＤを共蒸着し、これらの共蒸着比を蒸着進行と共に減少させた。蒸着初期の発光層に近接した領域ではα−ＮＰＤの混合比率が３０質量％、蒸着終了段階の電子注入層と近接する領域ではα−ＮＰＤの混合比率が０質量％となるように各成分の蒸着速度を調整した。これらの領域の間では連続的に各成分の混合比率を変化させた。発光層の膜厚は３０ｎｍであった。

４）比較の素子Ａ１、Ａ２、Ａ３の作製
本発明の素子１〜３の作製において、発光層および正孔輸送層、電子輸送層を全て均一濃度となるように変更し、その他は本発明の素子１〜３と同様にして比較例Ａ１，Ａ２、Ａ３の素子を作製した。
比較の素子Ａ１：本発明の素子１で発光層をＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）_３をＣＢＰに対してＩｒ（ｐｐｙ）_３の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。また、正孔輸送層は、α−ＮＰＤとＢＡｑをα−ＮＰＤに対してＢＡｌｑの混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。
比較の素子Ａ２：本発明の素子２で発光層をＣＢＰとＰｔ−１をＣＢＰに対してＰｔ−１の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。また、電子輸送層は、ＥＴＭ１とα−ＮＰＤをＥＴＭ１に対してα−ＮＰＤの混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。
比較の素子Ａ３：本発明の素子３で発光層をＣＢＰとＰｔ−１をＣＢＰに対してＰｔ−１の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。また、電子輸送層は、ＢＣＰとα−ＮＰＤをＢＣＰに対してα−ＮＰＤの混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。

５）比較の素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３の作製
本発明の素子１〜３の作製において、発光層を全て均一濃度となるように変更し、その他は本発明の素子１〜３と同様にして比較例Ｂ１，Ｂ２、Ｂ３の素子を作製した。
比較の素子Ｂ１：本発明の素子１で発光層をＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）_３をＣＢＰに対してＩｒ（ｐｐｙ）_３の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。
比較の素子Ｂ２：本発明の素子２で発光層をＣＢＰとＰｔ−１をＣＢＰに対してＰｔ−１の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した。
比較の素子Ｂ３：本発明の素子３で発光層をＣＢＰとＰｔ−１をＣＢＰに対してＰｔ−１の混合比率が１５質量％となるように均一に共蒸着した

実施例に用いた化合物の構造を下記に示す。

２．性能評価
得られた比較の有機ＥＬ素子および本発明の有機ＥＬ素子を同一条件で下記の手段によって外部量子効率および駆動耐久性を測定した。

《駆動電圧》
輝度３６０ｃｄ／ｍ^２に達する直流電圧を駆動電圧とした。

《外部量子効率の測定方法》
作製した発光素子をＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を発光素子に印加し発光させた。電圧を調整して、輝度１００ｃｄ／ｍ^２になるように発光させ、その発光スペクトルと光量をトプコン社製輝度計ＳＲ−３を用いて測定し、発光スペクトル、光量と測定時の電流から外部量子効率を計算した。

《駆動耐久性率の測定方法》
各素子を輝度３６０ｃｄ／ｍ^２になるように直流電圧を印加し、一定電流で連続駆動して輝度が１８０ｃｄ／ｍ^２になるまでの輝度半減時間を測定した。この輝度半減時間をもってして駆動耐久性の指標とした。本発明の素子１の輝度半減時間を１としたときの比較の素子Ａ１Ｂ１の輝度半減時間を相対比で示した。
また、同様に、本発明の素子２の輝度半減時間を１としたときの比較の素子Ａ２、Ｂ２の輝度半減時間を相対比で示し、本発明の素子３と比較の素子Ａ３、Ｂ３も同様に比較した。

本発明の素子と比較の素子を比較して得られた結果を表１に示した。
その結果、本発明の素子は外部量子効率が高くかつ駆動耐久性に優れていた。これは、発光層及び電荷輸送層に電子輸送性材料及び正孔輸送性材料を混合させ、さらに濃度勾配をつけることによって、比較例の素子に比較して、本発明の素子の励起子の分布及び電荷密度の分布の局在化が改善され、非効率が解消された結果だと考えられる。

Claims

陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、
（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していることを特徴とする有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極に近接する領域（前記発光層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域（前記発光層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域（前記電子輸送層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送材料の濃度が、前記陽極に近接する領域（前記電子輸送層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送材料の濃度の０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度に対して０％以上２０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、前記電子輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陰極の間に電子輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が電子輸送性発光材料および正孔輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該電子輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していて、
（２）前記電子輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記電子輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記電子輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記電子輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
前記発光層における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極側に近接する領域における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陽極側に近接する領域における前記正孔輸送性ホスト材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
前記電子輸送層における前記正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減し、且つ前記電子輸送層における前記電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、
（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域（前記発光層の前記陽極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域（前記発光層の前記陰極側の厚み１０％の領域を意味する）の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、前記正孔輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度が、前記正孔輸送層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送材料の濃度の０％以上２０％以下であることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子。
陽極および陰極の間に少なくとも発光層および該発光層と該陽極の間に正孔輸送層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
（１）前記発光層が正孔輸送性発光材料および電子輸送性ホスト材料を含有し、前記発光層における該正孔輸送性発光材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減していて、
（２）前記正孔輸送層が正孔輸送材料および電子輸送材料を含有し、前記正孔輸送層における該正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減することを特徴とする有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上５０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、該領域の５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記正孔輸送性発光材料の濃度が、前記発光層の前記陽極に近接する領域の前記正孔輸送性発光材料の濃度の０％以上２０％以下であり、且つ、前記正孔輸送層の前記陽極に近接する領域における前記正孔輸送材料の濃度が、該領域の８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
前記発光層における前記電子輸送性ホスト材料の濃度が前記陰極側から前記陽極側に向かって漸減していることを特徴とする請求項１１〜請求項１６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送性ホスト材料の濃度が、５０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の前記陰極に近接する領域における前記電子輸送性ホスト材料の濃度が、８０質量％以上１００質量％以下であることを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光素子。
前記正孔輸送層における前記正孔輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸減し、且つ前記正孔輸送層における前記電子輸送材料の濃度が前記陽極側から前記陰極側に向かって漸増していることを特徴とする請求項１１〜請求項１９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
前記発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする請求項１〜請求項２０のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。