JP2009205707A - Shift register circuit, display unit, and electronic system - Google Patents

Shift register circuit, display unit, and electronic system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve performance stability by alleviating a load of clock wiring, reducing power consumption, and regulating voltage variation in a transistor gate. <P>SOLUTION: In a shift register circuit comprising a first transistor Tr1 in which a gate is provided with an input signal, a source is provided with a clock signal, and a drain is connected with an output line, the first transistor Tr1 has a gate-drain capacity larger than a gate-source capacity. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、シフトレジスタ回路および表示装置に関し、特に、ソースにクロックが入力されるトランジスタを備えたシフトレジスタ回路および表示装置ならびに電子機器に関する。   The present invention relates to a shift register circuit and a display device, and more particularly to a shift register circuit, a display device, and an electronic device each including a transistor whose clock is input to a source.

液晶素子や有機EL(Electro Luminescence)素子などの電気光学素子を画素アレイ部に適用した表示装置では、画素アレイ部の各画素を順次駆動するための信号をシフトレジスタ回路によって生成している(例えば、特許文献1参照。)。   In a display device in which an electro-optical element such as a liquid crystal element or an organic EL (Electro Luminescence) element is applied to a pixel array unit, a signal for sequentially driving each pixel of the pixel array unit is generated by a shift register circuit (for example, , See Patent Document 1).

ここで、表示装置の駆動回路のうち水平駆動回路においては、共通の信号線にシリアル転送される映像信号を画素アレイ部の各信号線に設けたラッチ回路へ順次に書き込むために、シフトレジスタで生成したパルス信号が用いられている。また、垂直駆動回路においては、一垂直走査期間に各々の水平走査線を順次選択するために、シフトレジスタで生成したパルス信号が用いられている。   Here, in the horizontal drive circuit among the drive circuits of the display device, a shift register is used to sequentially write the video signal serially transferred to the common signal line to the latch circuit provided in each signal line of the pixel array unit. The generated pulse signal is used. In the vertical drive circuit, a pulse signal generated by a shift register is used to sequentially select each horizontal scanning line in one vertical scanning period.

特開2005−149624号公報JP 2005-149624 A

しかしながら、従来のシフトレジスタ回路において、トランジスタのソースにクロックが入力される構成では、クロック配線の時定数によって消費電力の低減を図ることが困難となっている。また、シフトレジスタ回路を構成する複数のトランジスタとして同一導電型のものを用いる単一チャネル型シフトレジスタ回路においては、クロックからのカップリングノイズにより、クロック−出力間のスイッチングを行っているトランジスタのゲート電位の変動による誤動作が問題となる。さらに、単一チャネル型シフトレジスタ回路においては、トランジスタのゲートがON電位のフローティングとなるノードの存在によってリークを回避する手段を設けることもあるが、そのリーク回避手段としてクロックを用いた回路を用いる場合など、クロック配線の負荷が大きくなるという問題が生じている。   However, in a conventional shift register circuit in which a clock is input to the source of a transistor, it is difficult to reduce power consumption due to the time constant of the clock wiring. In a single channel shift register circuit using the same conductivity type as a plurality of transistors constituting the shift register circuit, the gate of the transistor that performs switching between the clock and the output due to coupling noise from the clock Malfunctions due to potential fluctuations are a problem. Further, in a single channel type shift register circuit, means for avoiding leakage may be provided due to the presence of a node in which the gate of the transistor is floating at ON potential. A circuit using a clock is used as the means for avoiding leakage. In some cases, there is a problem that the load on the clock wiring becomes large.

よって、本発明は、クロック配線の負荷を軽減し、動作安定性の高いシフトレジスタ回路および表示装置ならびに電子機器を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a shift register circuit, a display device, and an electronic device that reduce the load on the clock wiring and have high operational stability.

本発明は、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えたシフトレジスタ回路において、このトランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられているシフトレジスタ回路である。   The present invention provides a shift register circuit including a transistor in which an input signal is applied to a gate, a clock is input to a source, and an output line is connected to a drain. This is a shift register circuit having a larger capacity.

このような本発明では、ソースにクロックが入力されるトランジスタを備えるシフトレジスタ回路において、トランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   According to the present invention, in a shift register circuit including a transistor in which a clock is input to the source, since the gate-drain capacitance is larger than the gate-source capacitance of the transistor, the source and drain of the transistor Therefore, it is possible to adopt a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input becomes smaller than the capacitance on the drain side, and the addition of the clock wiring connected to the source can be reduced.

また、本発明は、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、次の前段出力が入力されるまでトランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、このトランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられているシフトレジスタ回路である。   The present invention also provides a transistor in which an input signal is applied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain, and a means for setting the gate of the transistor to the floating state of the ON potential by the output of the previous stage; The basic circuit includes means for resetting the gate of the transistor to the floating state of the OFF potential by the output of the subsequent stage, and a potential holding function for keeping the gate of the transistor at the OFF potential until the next output of the previous stage is input. A shift register circuit having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used.

このような本発明では、ソースにクロックが入力されるトランジスタを基本回路に備えるシフトレジスタ回路において、トランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   In such a present invention, in a shift register circuit including a transistor whose clock is input to the source in a basic circuit, the gate-drain capacitance is larger than the gate-source capacitance of the transistor. In the source and drain, it is possible to take a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input becomes smaller than the capacitance on the drain side, and the addition of the clock wiring connected to the source can be reduced.

また、本発明は、複数の画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、この信号によって画素を駆動する駆動回路とを備える表示装置において、シフトレジスタ回路が、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えており、このトランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている表示装置である。   The present invention also includes a pixel array unit in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by this signal The shift register circuit includes a transistor in which an input signal is applied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain. As this transistor, a gate-source capacitance is provided. A display device having a larger gate-drain capacitance is used.

このような本発明では、表示装置の駆動回路に用いられるシフトレジスタ回路において、ソースにクロックが入力されるトランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   In such a present invention, in the shift register circuit used in the drive circuit of the display device, the gate-drain capacitance is larger than the gate-source capacitance of the transistor whose clock is input to the source. In the source and drain of the transistor, a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input becomes smaller than the capacitance on the drain side can be taken, and the addition of the clock wiring connected to the source can be reduced. .

また、本発明は、複数の画素が行列状に配置されて成る画素アレイ部と、画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、この信号によって画素を駆動する駆動回路とを備える表示装置において、シフトレジスタ回路が、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、次の前段出力が入力されるまでトランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている表示装置である。   The present invention also includes a pixel array unit in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by this signal In the display device, the shift register circuit includes a transistor in which an input signal is supplied to the gate, a clock is input to the source, an output line is connected to the drain, and the transistor gate is floated at the ON potential by the output of the previous stage. The basic circuit includes means for setting the state, means for resetting the gate of the transistor to the floating state of the OFF potential by the output of the subsequent stage, and a potential holding function for keeping the gate of the transistor at the OFF potential until the next output of the previous stage is input. As a transistor, the gate-drain capacitance is greater than the gate-source capacitance. A display device as the larger of is used.

このような本発明では、表示装置の駆動回路に用いられるシフトレジスタ回路の基本回路において、ソースにクロックが入力されるトランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   In the present invention as described above, in the basic circuit of the shift register circuit used in the drive circuit of the display device, the gate-drain capacitance is larger than the gate-source capacitance of the transistor whose clock is input to the source. Therefore, the source and drain of the transistor can have a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input becomes smaller than the capacitance on the drain side, and the addition of the clock wiring connected to the source can be reduced. It becomes like this.

また、本発明は、画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、この信号によって画素を駆動する駆動回路を備える表示装置と、表示装置が組み込まれる筐体とを備える電子機器において、シフトレジスタ回路が、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えており、このトランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている電子機器である。   In addition, the present invention includes a display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array portion, a drive circuit that drives the pixel by this signal, and a housing in which the display device is incorporated. In an electronic device, a shift register circuit includes a transistor in which an input signal is supplied to a gate, a clock is input to a source, and an output line is connected to a drain. As the transistor, a gate- An electronic device having a larger drain-to-drain capacitance is used.

このような本発明では、電子機器の筐体に組み込まれる表示装置の駆動回路に用いられるシフトレジスタ回路において、ソースにクロックが入力されるトランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   According to the present invention, in the shift register circuit used in the drive circuit of the display device incorporated in the housing of the electronic device, the gate-drain capacitance is more than the gate-source capacitance of the transistor whose clock is input to the source. Therefore, the source and drain of the transistor can have a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input becomes smaller than the capacitance on the drain side, and the clock wiring connected to the source Can be reduced.

また、本発明は、画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、この信号によって画素を駆動する駆動回路を備える表示装置と、表示装置が組み込まれる筐体とを備える電子機器において、シフトレジスタ回路が、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、次の前段出力が入力されるまでトランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、このトランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている電子機器である。   In addition, the present invention includes a display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array portion, a drive circuit that drives the pixel by this signal, and a housing in which the display device is incorporated. In an electronic device, a shift register circuit sets a transistor in which an input signal is supplied to a gate, a clock is input to a source, an output line is connected to a drain, and a gate of the transistor is set to a floating state of an ON potential by an output of the previous stage. And a means for resetting the gate of the transistor to a floating state of an OFF potential by a subsequent output, and a potential holding function for keeping the gate of the transistor at an OFF potential until the next previous output is input as a basic circuit, This transistor has a gate-drain capacitance rather than a gate-source capacitance. Which is an electronic device that is what is used the larger of.

このような本発明では、電子機器の筐体に組み込まれる表示装置の駆動回路に用いられるシフトレジスタ回路の基本回路において、ソースにクロックが入力されるトランジスタのゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなっていることから、トランジスタのソース、ドレインにおいて、クロックが入力されるソース側の容量がドレイン側の容量に比べて小さくなる容量非対称構造をとることができ、ソースに接続されるクロック配線の付加を軽減できるようになる。   In the present invention, in the basic circuit of the shift register circuit used in the drive circuit of the display device incorporated in the housing of the electronic device, the gate-drain capacitance is determined by the gate-source capacitance of the transistor whose clock is input to the source. Since the capacitance is larger, the source and drain of the transistor can have a capacitance asymmetric structure in which the capacitance on the source side to which the clock is input is smaller than the capacitance on the drain side, and is connected to the source. It is possible to reduce the addition of clock wiring.

本発明によれば、シフトレジスタ回路においてソースにクロックが入力されるトランジスタに容量非対称トランジスタを用いることで、クロック配線の付加を軽減でき、消費電力の低減を図ることが可能となる。また、トランジスタのゲートの電位変動を抑制し、長期間ON電位のフローティングとなるノードを削減できることから、回路の安定性向上およびリークマージンの増大を図ることが可能となる。これにより、低消費電力で高安定性のシフトレジスタ回路および表示装置ならびに電子機器を提供することが可能となる。   According to the present invention, by using a capacitor asymmetric transistor as a transistor to which a clock is input to a source in a shift register circuit, it is possible to reduce the addition of clock wiring and to reduce power consumption. In addition, since fluctuations in the potential of the gate of the transistor can be suppressed and the number of nodes in which the ON potential is floating for a long time can be reduced, it is possible to improve the stability of the circuit and increase the leakage margin. Accordingly, it is possible to provide a shift register circuit, a display device, and an electronic device with low power consumption and high stability.

以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<シフトレジスタ回路の全体の構成例>
図1は、本実施形態に係るシフトレジスタ回路の構成例を示すブロック図である。図1に示すように、本実施形態に係るシフトレジスタ回路は、ポリシリコンプロセスまたはアモルファスシリコンプロセスにより、絶縁性基板(図示せず)上に単一チャネル(同じ導電型)のトランジスタによって構成されてなるシフトレジスタ回路であって、N段のレジスタ(S/R)11−1〜11−Nと、必要に応じて2つのトランスファーゲート回路12、13とを有し、いくつかのデータを並列に記憶しておき、定められた順番で直列に出力し、レジスタ11−1〜11−Nの各々に格納されたデータを最下位桁から1ビットずつ加算処理する機能を持っている。
<Example of overall configuration of shift register circuit>
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the shift register circuit according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the shift register circuit according to the present embodiment is configured by a single channel (same conductivity type) transistor on an insulating substrate (not shown) by a polysilicon process or an amorphous silicon process. The shift register circuit includes N-stage registers (S / R) 11-1 to 11-N and two transfer gate circuits 12 and 13 as necessary, and some data is parallelized. The data is stored and output in series in a predetermined order, and the data stored in each of the registers 11-1 to 11-N is added one bit at a time from the least significant digit.

本シフトレジスタ回路には、入力パルスSTと2相のクロックパルスCK1、CK2が入力される。図2に、入力パルス(入力信号)ST、クロックパルスCK1、CK2およびレジスタ11−1〜11−Nの各入出力IN1(1)、IN2(N)、OUT(1)〜OUT(N)のタイミング関係を示す。図2から明らかなように、入力パルスSTは1フィールド期間に2回、具体的には1フィールド期間の開始部分と終了部分でアクティブな状態となる。ここでは便宜上、1フィールド期間の開始部分でアクティブとなる入力パルスSTをST1、1フィールド期間の終了部分でアクティブとなる入力パルスSTをST2とする。   The shift register circuit receives an input pulse ST and two-phase clock pulses CK1 and CK2. FIG. 2 shows an input pulse (input signal) ST, clock pulses CK1 and CK2, and inputs / outputs IN1 (1), IN2 (N), and OUT (1) to OUT (N) of the registers 11-1 to 11-N. The timing relationship is shown. As is clear from FIG. 2, the input pulse ST is activated twice in one field period, specifically, at the start and end parts of one field period. Here, for the sake of convenience, the input pulse ST that is active at the start of one field period is ST1, and the input pulse ST that is active at the end of one field period is ST2.

N段のレジスタ11−1〜11−Nにおいて、あるn段目のレジスタ11−nを基準にして説明すると、レジスタ11−nは前段のレジスタ11−n-1の出力OUT(n−1)を第1の入力IN1とするとともに、後段のレジスタ11−n+1の出力OUT(n+1)を第2の入力IN2とする。そして、前段の出力OUT(n−1)の入力によって2相のクロックパルスCK1、CK2に同期して転送(シフト)動作を行い、後段の出力OUT(n+1)の入力によって初期化を行う。   The N-stage registers 11-1 to 11-N will be described with reference to a certain n-th register 11-n. The register 11-n outputs the output OUT (n-1) of the previous-stage register 11-n-1. Is the first input IN1, and the output OUT (n + 1) of the subsequent register 11-n + 1 is the second input IN2. Then, a transfer (shift) operation is performed in synchronization with the two-phase clock pulses CK1 and CK2 by the input of the output OUT (n-1) at the previous stage, and initialization is performed by the input of the output OUT (n + 1) at the subsequent stage.

正側の電源電圧をVDD、負側の電源電圧をVSSとすると、入力パルスSTおよびクロックパルスCK1、CK2のパルス振幅はVDD〜VSSであり、トランスファーゲート回路12は、入力パルスSTとクロックパルスCK1の立ち下がりでアクティブになることによって1つ目の入力パルスSTを選択し、当該パルスSTを初段のレジスタ11−1に第1の入力IN1として与える。トランスファーゲート回路13は、入力パルスSTとクロックパルスCK2の立ち下がりでアクティブになることによって2つ目の入力パルスSTを選択し、当該パルスSTを最終段のレジスタ11−Nに第2の入力IN2として与える。この入出力関係を実現するためには、本シフトレジスタ回路の総段数Nは偶数である必要がある。   When the positive side power supply voltage is VDD and the negative side power supply voltage is VSS, the pulse amplitudes of the input pulse ST and the clock pulses CK1 and CK2 are VDD to VSS, and the transfer gate circuit 12 includes the input pulse ST and the clock pulse CK1. The first input pulse ST is selected by becoming active at the falling edge of the signal, and the pulse ST is supplied to the first-stage register 11-1 as the first input IN1. The transfer gate circuit 13 becomes active at the falling edge of the input pulse ST and the clock pulse CK2 to select the second input pulse ST, and the pulse ST is input to the final stage register 11-N as the second input IN2. Give as. In order to realize this input / output relationship, the total number of stages N of this shift register circuit needs to be an even number.

なお、ここでは、トランスファーゲート回路12で生成したパルスSTを初段のレジスタ11−1に第1の入力IN1として与え、トランスファーゲート回路13で生成したパルスSTを最終段のレジスタ11−Nに第2の入力IN2として与える構成を採っているが、これらパルスSTを外部から与える構成を採る場合には、トランスファーゲート回路12、13を設ける必要がない。また、シフトレジスタの総段数Nも偶数である必要がなくなる。   Here, the pulse ST generated by the transfer gate circuit 12 is given to the first-stage register 11-1 as the first input IN1, and the pulse ST generated by the transfer gate circuit 13 is supplied to the second-stage register 11-N. However, it is not necessary to provide the transfer gate circuits 12 and 13 when adopting a configuration in which these pulses ST are given from the outside. Also, the total number N of shift registers need not be an even number.

このような構成からなるシフトレジスタ回路において、本実施形態では、シフトレジスタ回路を構成するトランジスタのうち、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタのゲート−ソース間容量とゲート−ドレイン間容量とを非対称にしている点に特徴がある。   In the shift register circuit having such a configuration, in the present embodiment, among the transistors constituting the shift register circuit, an input signal is applied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain. This is characterized in that the gate-source capacitance and the gate-drain capacitance are asymmetric.

<シフトレジスタ回路の基本回路の構成例>
図3は、本実施形態に係るシフトレジスタ回路の基本回路の構成例を説明する図である。この基本回路1は、図1に示すレジスタの1段に対応するもので、前段からの出力信号および次段からの出力信号を受けてノードAの電位を制御する制御回路2と、ノードAの電位を保持する電位保持回路3と、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続される第1のトランジスタTr1とを備えた構成となっている。
<Configuration example of basic circuit of shift register circuit>
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a basic circuit of the shift register circuit according to the present embodiment. The basic circuit 1 corresponds to one stage of the register shown in FIG. 1, and includes a control circuit 2 that receives the output signal from the previous stage and the output signal from the next stage and controls the potential of the node A, and The configuration includes a potential holding circuit 3 for holding a potential, a first transistor Tr1 to which an input signal is applied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain.

制御回路2は、第1のトランジスタTr1のゲート(ノードA)を前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、第1のトランジスタTr1のゲート(ノードA)を後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段とが含まれる。また、電位保持回路3は、次段の出力信号が入力されてから前段の次の出力が入力されるまで第1のトランジスタTr1のゲート(ノードA)をOFF電位に保つ機能を備えている。   The control circuit 2 includes a means for setting the gate (node A) of the first transistor Tr1 to the floating state of the ON potential by the output of the previous stage, and the OFF potential of the gate (node A) of the first transistor Tr1 by the output of the subsequent stage. Means for resetting to a floating state. Further, the potential holding circuit 3 has a function of keeping the gate (node A) of the first transistor Tr1 at the OFF potential from the time when the output signal of the next stage is input to the time when the next output of the previous stage is input.

第1のトランジスタTr1は、制御回路2の出力がゲートに入力され、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されたもので、制御回路2から出力される信号によってゲートが制御され、ソースに入力されるクロックのタイミングによってドレインに出力信号を発生させる。   In the first transistor Tr1, the output of the control circuit 2 is input to the gate, the clock is input to the source, and the output line is connected to the drain. The gate is controlled by the signal output from the control circuit 2, An output signal is generated at the drain according to the timing of the clock input to the source.

図4は、図3に示す基本回路の動作を説明するタイミングチャートである。なお、ここでは、基本回路を構成する第1のトランジスタのチャネル型をNチャネルとし、H、LはH>Lの関係を持つ電源電圧を示すものとする。   FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the basic circuit shown in FIG. Here, the channel type of the first transistor constituting the basic circuit is an N channel, and H and L indicate power supply voltages having a relationship of H> L.

先ず、前段からの出力信号であるOUTpreパルス(図1、図2におけるOUT(n−1)に対応)によりノードAがH−Vthまで充電された後、H電位(ON電位)のフローティング状態となる。ここで、Vthは第1のトランジスタTr1の閾値電圧である。次に、クロックCK1がLからHになると同時に第1のトランジスタの容量を介してノードAの電位が上昇し、クロックCK1のH電位がVth降下せずに出力線であるOUTへ出力される。   First, after the node A is charged to H-Vth by an OUTpre pulse (corresponding to OUT (n-1) in FIGS. 1 and 2) which is an output signal from the previous stage, the floating state of the H potential (ON potential) is set. Become. Here, Vth is the threshold voltage of the first transistor Tr1. Next, at the same time as the clock CK1 changes from L to H, the potential of the node A rises through the capacitance of the first transistor, and the H potential of the clock CK1 is output to the output line OUT without dropping by Vth.

次に、クロックCK1がHからLになり出力線であるOUTもHからLになる。同時にノードAの電位もH−Vthに戻る。その後、次段からの出力信号であるOUTnextパルス(図1、図2におけるOUT(n+1)に対応)によりノードAがLにリセットされる。OUTnextパルスの立下り後はノードAがL電位(OFF電位)のフローティング状態となる。このL電位は、電位保持回路によって前段の次の出力信号が入力されるまで保持される。   Next, the clock CK1 changes from H to L, and the output line OUT also changes from H to L. At the same time, the potential of the node A also returns to H-Vth. Thereafter, the node A is reset to L by an OUTnext pulse (corresponding to OUT (n + 1) in FIGS. 1 and 2) which is an output signal from the next stage. After the fall of the OUTnext pulse, the node A is in a floating state with an L potential (OFF potential). This L potential is held by the potential holding circuit until the next output signal of the previous stage is input.

本実施形態では、この第1のトランジスタTr1に容量非対称トランジスタを用いることにより、ノードAがL電位(OFF電位)でフローティング状態の時、クロックCK1から受けるカップリング量を小さくでき、誤動作に対するマージンを増加させることができる。   In this embodiment, by using a capacitor asymmetric transistor as the first transistor Tr1, when the node A is in the floating state at the L potential (OFF potential), the amount of coupling received from the clock CK1 can be reduced, and a margin for malfunction is provided. Can be increased.

ここで、容量非対称トランジスタを第1のトランジスタに適用する場合、ソースにクロックCK1が入力されることから、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きくなるよう設定する。これによって、同じチャネル領域サイズであって容量対象トランジスタを用いる場合に比べ、ゲート−ソース間容量が小さくなり、ゲートのノードAがL電位でフローティングの状態でソースに入力されるクロックCK1のカップリングの影響を抑制できるようになる。   Here, when the capacitor asymmetric transistor is applied to the first transistor, since the clock CK1 is input to the source, the gate-drain capacitance is set to be larger than the gate-source capacitance. As a result, the gate-source capacitance is reduced as compared with the case of using the transistor having the same channel region size and the capacitance target, and the coupling of the clock CK1 input to the source with the gate node A floating at the L potential is performed. The influence of can be suppressed.

<シフトレジスタ回路の基本回路の具体的な構成例>
図5は、本実施形態に係るシフトレジスタ回路の基本回路の具体的な構成例を説明する回路図である。この回路図は、図3に示す基本回路の具体的な回路構成の一つであり、図1に示すレジスタの1段に対応している。なお、以下で説明する基本回路の具体的な回路構成は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
<Specific configuration example of basic circuit of shift register circuit>
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of the basic circuit of the shift register circuit according to the present embodiment. This circuit diagram is one of the specific circuit configurations of the basic circuit shown in FIG. 3, and corresponds to one stage of the register shown in FIG. The specific circuit configuration of the basic circuit described below is an example, and the present invention is not limited to this.

すなわち、このシフトレジスタ回路は、ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロック(ここではCK1)が入力され、ドレインに出力線が接続される第1のトランジスタTr1と、第1のトランジスタTr1のゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、第1のトランジスタTr1のゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、次の前段出力が入力されるまで第1のトランジスタTr1のゲートをOFF電位に保つ容量Cとを備えている。この第1のトランジスタTr1として、先に説明した容量非対称トランジスタを適用する。   That is, in this shift register circuit, an input signal is supplied to the gate, a clock (here, CK1) is input to the source, and an output line is connected to the drain, and the gate of the first transistor Tr1 Is set to the floating state of the ON potential by the output of the previous stage, the means of resetting the gate of the first transistor Tr1 to the floating state of the OFF potential by the output of the subsequent stage, and the first until the next previous stage output is input. And a capacitor C that keeps the gate of the transistor Tr1 at an OFF potential. As the first transistor Tr1, the capacitor asymmetric transistor described above is applied.

第1のトランジスタTr1のゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段は、例えば第4のトランジスタTr4と第3のトランジスタTr3とを含み、ダイオード接続となっている第4のトランジスタTr4のゲートに前段からの出力信号OUTpreが入力される。また、第3のトランジスタTr3のゲートにはON電位が印加され、ドレインが第1のトランジスタTr1のゲートに接続されている。   The means for setting the gate of the first transistor Tr1 to the floating state of the ON potential by the output of the previous stage includes, for example, a fourth transistor Tr4 and a third transistor Tr3, and is a diode-connected fourth transistor Tr4. The output signal OUTpre from the previous stage is input to the gate of the first stage. Further, the ON potential is applied to the gate of the third transistor Tr3, and the drain is connected to the gate of the first transistor Tr1.

第1のトランジスタTr1のゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段は、例えば第5のトランジスタTr5と第3のトランジスタTr3とを含み、第5のトランジスタTr5のゲートには後段からの出力信号OUTnextが入力される。また、第5のトランジスタTr5のソースは第4のトランジスタTr4のドレインと接続され、第5のトランジスタTr5のドレインはOFF電位に接続される。   The means for resetting the gate of the first transistor Tr1 to the floating state of the OFF potential by the output of the subsequent stage includes, for example, the fifth transistor Tr5 and the third transistor Tr3, and the gate of the fifth transistor Tr5 is connected to the gate from the subsequent stage. Output signal OUTnext is input. The source of the fifth transistor Tr5 is connected to the drain of the fourth transistor Tr4, and the drain of the fifth transistor Tr5 is connected to the OFF potential.

電位保持機能を備える容量C1は、第1のトランジスタTr1のゲート−ドレイン間に接続されており、ノードAの電位を保持する役目を果たす。また、第1のトランジスタTr1のドレインには第2のトランジスタTr2が接続され、第2のトランジスタTr2のゲートに出力線OUTの信号がインバータInvを介して反転入力される。   The capacitor C1 having a potential holding function is connected between the gate and the drain of the first transistor Tr1, and plays a role of holding the potential of the node A. The second transistor Tr2 is connected to the drain of the first transistor Tr1, and the signal of the output line OUT is inverted and input to the gate of the second transistor Tr2 via the inverter Inv.

図6は、図4に示す基本回路の動作を説明するタイミングチャートである。なお、ここでは、基本回路を構成する第1トランジスタのチャネル型をNチャネルとし、H、LはH>Lの関係を持つ電源電圧を示すものとする。   FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the basic circuit shown in FIG. Here, the channel type of the first transistor constituting the basic circuit is an N channel, and H and L indicate power supply voltages having a relationship of H> L.

先ず、前段からの出力信号であるOUTpreがHになると、第4のトランジスタのドレインからH信号が出力される。これにより、ノードA、BがH−Vthまで充電され、第1のトランジスタがON状態となる。ノードA、Bが充電された後は、H電位のフローティング状態となる。   First, when OUTpre, which is an output signal from the previous stage, becomes H, an H signal is output from the drain of the fourth transistor. As a result, the nodes A and B are charged to H-Vth, and the first transistor is turned on. After the nodes A and B are charged, the H potential is in a floating state.

次に、前段の出力信号OUTpreがLになると、第4のトランジスタがダイオード接続のためにノードA、BはH−Vthに保たれる状態となる。その後、クロックCK1がHになると、ノードAはフローティングのため、クロックCK1の電位上昇とともにカップリングにより電位上昇する。これにより、第1のトランジスタはゲート−ソース間電位Vgsを閾値以上に保つことができ、クロックCK1のH信号(ON電位)をドレイン側の出力線OUTへ通すことができる(ブートストラップ構造)。   Next, when the output signal OUTpre at the previous stage becomes L, the nodes A and B are kept at H-Vth because the fourth transistor is diode-connected. After that, when the clock CK1 becomes H, since the node A is floating, the potential rises due to the coupling as the potential of the clock CK1 rises. As a result, the first transistor can keep the gate-source potential Vgs equal to or higher than the threshold, and can pass the H signal (ON potential) of the clock CK1 to the output line OUT on the drain side (bootstrap structure).

なお、この際、ノードAとノードBとは導通していないため、ノードBがカップリングの影響を受けることはない。これにより、第4、第5のトランジスタに高いVds電位がかからずに済む。また、出力線OUTがH状態となると、ノードCがL状態となり、第2のトランジスタがOFF状態となる。   At this time, since the node A and the node B are not conductive, the node B is not affected by the coupling. As a result, a high Vds potential is not applied to the fourth and fifth transistors. When the output line OUT is in the H state, the node C is in the L state, and the second transistor is in the OFF state.

次に、クロックCK1がLになると、電位上昇していたノードAはH−Vthに戻り、出力線OUTがLに下がるにつれてノードCがHに上がり、第2のトランジスタがON状態となる。   Next, when the clock CK1 becomes L, the node A whose potential has risen returns to H-Vth, the node C rises to H as the output line OUT falls to L, and the second transistor is turned on.

次いで、次段の出力信号OUTnextがHになると、第5のトランジスタがONとなり、OFF電位に接続されることからノードA、BがLとなる。その後、次段の出力信号OUTnextがLになると、第5のトランジスタがOFFとなり、ノードA、BはL電位でフローティング状態となる。このL電位でのフローティング状態は、容量Cによって次の前段からの出力信号OUTpreがHとなるまで保持されることになる。   Next, when the output signal OUTnext of the next stage becomes H, the fifth transistor is turned on and connected to the OFF potential, so that the nodes A and B become L. Thereafter, when the output signal OUTnext of the next stage becomes L, the fifth transistor is turned OFF, and the nodes A and B are in a floating state at the L potential. This floating state at the L potential is held by the capacitor C until the output signal OUTpre from the next previous stage becomes H.

このような回路構成から成る本実施形態のシフトレジスタ回路では、クロックCK1の入力が第1のトランジスタのソースのみであるため、クロック配線の負荷を軽減することが可能となる。また、長期間ON電位でフローティングとなるノードが存在せず、また長期間OFF電位でフローティングとなるノードにつながるトランジスタからのリーク先が同じOFF電位となるため、リークに対するマージンを増加でき、電圧保持回路の簡略化を図ることが可能となる。   In the shift register circuit of the present embodiment having such a circuit configuration, the input of the clock CK1 is only the source of the first transistor, so that the load on the clock wiring can be reduced. In addition, there is no node that floats at the ON potential for a long period of time, and the leakage destination from the transistor connected to the node that floats at the OFF potential for a long period of time is the same OFF potential. It becomes possible to simplify the circuit.

<容量非対称トランジスタの構成例>
図7は、本実施形態のシフトレジスタ回路で適用される容量非対称トランジスタの構造を説明する模式断面図で、(a)はボトムゲート構造、(b)はトップゲート構造である。
<Configuration example of capacitive asymmetric transistor>
7A and 7B are schematic cross-sectional views illustrating the structure of a capacitor asymmetric transistor applied in the shift register circuit of this embodiment. FIG. 7A is a bottom gate structure, and FIG. 7B is a top gate structure.

図7(a)に示すボトムゲート構造では、ゲート電極10gの上に絶縁膜30を介してポリシリコン40が形成され、このポリシリコン40に形成されたソース領域およびドレイン領域にソース電極10sおよびドレイン電極10dが形成されている。本実施形態では、ドレイン電極10dと導通するシールドメタル(図中破線参照)20をチャネル上まで延出させる一方、ソース電極10sにはシールドメタル20を設けない構造を採用している。このようなシールドメタル20の構造によって、ソース−ゲート間容量Cgsよりドレイン−ゲート間容量(Cgd+Cgd2)の方が大きくなる。   In the bottom gate structure shown in FIG. 7A, the polysilicon 40 is formed on the gate electrode 10g via the insulating film 30, and the source electrode 10s and the drain are formed in the source region and the drain region formed in the polysilicon 40, respectively. An electrode 10d is formed. In the present embodiment, a structure is adopted in which a shield metal (see the broken line in the figure) 20 that is electrically connected to the drain electrode 10d is extended over the channel, while the source electrode 10s is not provided with the shield metal 20. Due to such a structure of the shield metal 20, the drain-gate capacitance (Cgd + Cgd2) is larger than the source-gate capacitance Cgs.

図7(b)に示すトップゲート構造では、ポリシリコン40の上に絶縁膜30を介してゲート電極10gが形成され、ポリシリコン40に形成されたソース領域およびドレイン領域にソース電極10sおよびドレイン電極10dが形成されている。本実施形態では、ドレイン電極10dと導通するシールドメタル(図中破線参照)20をゲート電極10g上まで延出させる一方、ソース電極10sにはシールドメタル20を設けない構造を採用している。このようなシールドメタル20の構造によって、ソース−ゲート間容量Cgsよりドレイン−ゲート間容量(Cgd+Cgd2)の方が大きくなる。   In the top gate structure shown in FIG. 7B, the gate electrode 10g is formed on the polysilicon 40 via the insulating film 30, and the source electrode 10s and the drain electrode are formed in the source region and the drain region formed in the polysilicon 40. 10d is formed. In the present embodiment, a structure is adopted in which the shield metal 20 (see the broken line in the figure) 20 that is electrically connected to the drain electrode 10d extends to the gate electrode 10g, while the source electrode 10s is not provided with the shield metal 20. Due to such a structure of the shield metal 20, the drain-gate capacitance (Cgd + Cgd2) is larger than the source-gate capacitance Cgs.

図8は、容量非対称トランジスタの構造を説明する模式平面図である。図8(a)に示す例は、図7に示すシールドメタルの構造を平面から見たもので、ドレイン電極に接続されるシールドメタルがチャネル領域(ゲート電極)上まで延出した状態となっている。   FIG. 8 is a schematic plan view illustrating the structure of the capacitor asymmetric transistor. The example shown in FIG. 8A is a plan view of the shield metal structure shown in FIG. 7, and the shield metal connected to the drain electrode extends over the channel region (gate electrode). Yes.

ここで、トランジスタがOFFの時のソース−ゲート間容量Cgsおよびドレイン−ゲート間容量Cgdは、主にゲート電極のフリンジ部分で発生する。したがって、トランジスタがOFFの時のソース−ゲート間容量Cgsを小さくしたい場合、ソース側のゲート長を小さくすれば良い。この時、トランジスタのON電流を下げないためには、ドレイン側のゲート長を大きくする必要がある。この例が、図8(b)となっている。図8(b)では、平面でみたときにチャネル領域においてソース電極側のゲート長を短く、ドレイン電極側のゲート長を長くしたものである。結果としてソース−ゲート間容量Cgsが小さく、ドレイン−ゲート間容量Cgdが大きいトランジスタとなる。   Here, the source-gate capacitance Cgs and the drain-gate capacitance Cgd when the transistor is OFF are mainly generated in the fringe portion of the gate electrode. Therefore, in order to reduce the source-gate capacitance Cgs when the transistor is OFF, the source-side gate length may be reduced. At this time, in order not to reduce the ON current of the transistor, it is necessary to increase the gate length on the drain side. This example is shown in FIG. In FIG. 8B, the gate length on the source electrode side is shortened and the gate length on the drain electrode side is lengthened in the channel region when viewed in a plan view. As a result, a transistor having a small source-gate capacitance Cgs and a large drain-gate capacitance Cgd is obtained.

図8(c)は、チャネル領域におけるソース電極側のゲート長が短く、ドレイン電極側のゲート長が長くなっているとともに、ドレイン電極に接続されるシールドメタルをチャネル領域まで延出した構造である。ソース側のゲート長が短い構造に加え、ドレイン側のシールドメタルが長く延出されていることから、ソース−ゲート間容量Cgsをドレイン−ゲート間容量Cgdに比べてより小さくできることになる。   FIG. 8C shows a structure in which the gate length on the source electrode side in the channel region is short, the gate length on the drain electrode side is long, and the shield metal connected to the drain electrode extends to the channel region. . In addition to the structure in which the gate length on the source side is short and the shield metal on the drain side is extended long, the source-gate capacitance Cgs can be made smaller than the drain-gate capacitance Cgd.

図8(d)は、ゲート電極の形状をドーナツ型にしたもので、ドーナツ型の内側にソース電極、外側にドレイン電極を配置した構造となっている。また、図8(e)は、図8(d)の構造に加え、ドレイン側のシールドメタルを大きくした構造となっている。このような構造であっても、ソース−ゲート間容量Cgsよりドレイン−ゲート間容量Cgdの方を大きくすることができる。   FIG. 8D shows a structure in which the shape of the gate electrode is a donut shape, and the source electrode is arranged inside the donut shape and the drain electrode is arranged outside. 8E has a structure in which the drain side shield metal is enlarged in addition to the structure of FIG. 8D. Even with such a structure, the drain-gate capacitance Cgd can be made larger than the source-gate capacitance Cgs.

なお、上記説明した容量非対称トランジスタの構造は一例であり、本発明はこれらの構造に限定されるものではない。   The structure of the capacitor asymmetric transistor described above is an example, and the present invention is not limited to these structures.

図9は、図5に示す反転ユニットの回路例を説明する図である。反転ユニットとは、シフトレジスタ回路に入力される前段の出力OUTpreと次段の出力OUTnextとの切り換えを行う回路であり、信号の転送方向を反転させる際に用いられる。図9(a)、(b)いずれの例でも、in1に例えば前段の出力OUTpreが入力され、in2に例えば次段の出力OUTnextが入力された場合、DWN信号およびDWN信号の反転の”H”、”L”によってout1、out2への出力切り換えを行うことができる。   FIG. 9 is a diagram illustrating a circuit example of the inverting unit shown in FIG. The inversion unit is a circuit that switches between the output OUTpre of the previous stage and the output OUTnext of the next stage input to the shift register circuit, and is used when inverting the signal transfer direction. 9A and 9B, when the output OUTpre of the previous stage is input to in1 and the output OUTnext of the next stage is input to in2, for example, “H” of the inversion of the DWN signal and the DWN signal. , “L” can switch the output to out1 and out2.

また、図10は、図5に示すインバータの回路例を説明する図である。インバータは、図5に示す第2のトランジスタのゲートと接続され、出力線OUTの信号を反転して第2のトランジスタのゲートに入力するものである。図10(a)、(b)いずれの例でも、in側に図5の出力線OUTが入力され、これが”H”になった際、outを”L”にラッチすることができる。   FIG. 10 is a diagram for explaining a circuit example of the inverter shown in FIG. The inverter is connected to the gate of the second transistor shown in FIG. 5, and inverts the signal of the output line OUT and inputs it to the gate of the second transistor. 10A and 10B, when the output line OUT of FIG. 5 is input to the in side and becomes “H”, out can be latched to “L”.

<適用例:表示装置>
上記説明した本実施形態に係るシフトレジスタ回路は、液晶表示装置や有機EL(Electro Luminescence)あるいはLED(Light Emitting Diode)表示装置に代表されるパネル型表示装置や、CMOSイメージセンサに代表されるX−Yアドレス型固体撮像装置において、画素を選択するための垂直駆動回路や水平駆動回路を構成するシフトレジスタ回路として用いることができる。ただし、この適用例は一例に過ぎず、本発明によるシフトレジスタ回路はこの適用例に限られるものではなく、一般的なシフトレジスタ回路として広く用いることができる。
<Application example: Display device>
The shift register circuit according to the present embodiment described above includes a liquid crystal display device, a panel display device typified by an organic EL (Electro Luminescence) or LED (Light Emitting Diode) display device, and an X typified by a CMOS image sensor. In a −Y address type solid-state imaging device, it can be used as a shift register circuit constituting a vertical drive circuit or a horizontal drive circuit for selecting a pixel. However, this application example is only an example, and the shift register circuit according to the present invention is not limited to this application example, and can be widely used as a general shift register circuit.

図11に示すように、本発明の適用例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素1001が行列状に多数配置されてなる画素アレイ部1002と、この画素アレイ部1002の各画素1001を行単位で順次選択する垂直駆動回路1003と、この垂直駆動回路1003によって選択された行の各画素に映像信号を書き込む水平駆動回路1004とを少なくとも有する構成となっている。垂直駆動回路1003および水平駆動回路1004は、画素アレイ部1002と共に表示パネル1005上に集積されて当該画素アレイ部1002を駆動する駆動回路を構成している。   As shown in FIG. 11, an active matrix liquid crystal display device according to an application example of the present invention includes a pixel array unit 1002 in which a large number of pixels 1001 are arranged in a matrix, and each pixel 1001 of the pixel array unit 1002 is arranged in a row. The configuration includes at least a vertical drive circuit 1003 that sequentially selects in units, and a horizontal drive circuit 1004 that writes a video signal to each pixel in a row selected by the vertical drive circuit 1003. The vertical drive circuit 1003 and the horizontal drive circuit 1004 constitute a drive circuit that is integrated on the display panel 1005 together with the pixel array unit 1002 and drives the pixel array unit 1002.

表示パネル1005には、垂直スタートパルスVST、垂直クロックパルスVCK,xVCKおよび水平スタートパルスHST、水平クロックパルスHCK,xHCKがパネル外部から入力される。垂直スタートパルスVSTおよび水平スタートパルスHSTは、レベルシフト(L/S)回路群1006およびインバータ回路群1007を経た後、垂直駆動回路1003および水平駆動回路1004に与えられる。   A vertical start pulse VST, vertical clock pulses VCK and xVCK, a horizontal start pulse HST, and horizontal clock pulses HCK and xHCK are input to the display panel 1005 from the outside of the panel. The vertical start pulse VST and the horizontal start pulse HST are given to the vertical drive circuit 1003 and the horizontal drive circuit 1004 after passing through the level shift (L / S) circuit group 1006 and the inverter circuit group 1007.

垂直クロックパルスVCK,xVCKおよび水平クロックパルスHCK,xHCKは、レベルシフト回路群1006およびインバータ回路群1007を経た後、バッファ回路1008,1009およびバッファ回路1010,1011を介して直接垂直駆動回路1003および水平駆動回路1004に与えられる。レベルシフト回路群1006は、低電圧振幅の垂直スタートパルスVST、垂直クロックパルスVCK,xVCKおよび水平スタートパルスHST、水平クロックパルスHCK,xHCKの各々を、高電圧振幅のパルス信号にレベルシフト(レベル変換)する。   The vertical clock pulses VCK and xVCK and the horizontal clock pulses HCK and xHCK pass through the level shift circuit group 1006 and the inverter circuit group 1007, and then directly pass through the buffer circuits 1008 and 1009 and the buffer circuits 1010 and 1011 and the horizontal drive pulse 1003 and the horizontal circuit. This is supplied to the drive circuit 1004. The level shift circuit group 1006 performs level shift (level conversion) on each of the low voltage amplitude vertical start pulse VST, the vertical clock pulses VCK and xVCK, the horizontal start pulse HST, and the horizontal clock pulses HCK and xHCK to a high voltage amplitude pulse signal. )

なお、本例では、垂直スタートパルスVST、垂直クロックパルスVCK,xVCKおよび水平スタートパルスHST、水平クロックパルスHCK,xHCKを表示パネル1005の外部から入力する構成としているが、これらの各種のタイミングパルスを生成するタイミングジェネレータを表示パネル1005上に集積し、垂直スタートパルスVSTおよび水平スタートパルスHSTについては当該タイミングジェネレータから垂直駆動回路1003および水平駆動回路1004に直接に与え、垂直クロックパルスVCK,xVCKおよび水平クロックパルスHCK,xHCKについてはバッファ回路1008〜1011を介して垂直駆動回路1003および水平駆動回路1004に与える構成を採ることも可能である。   In this example, the vertical start pulse VST, the vertical clock pulses VCK and xVCK, the horizontal start pulse HST, and the horizontal clock pulses HCK and xHCK are input from the outside of the display panel 1005. The generated timing generator is integrated on the display panel 1005, and the vertical start pulse VST and the horizontal start pulse HST are directly supplied from the timing generator to the vertical drive circuit 1003 and the horizontal drive circuit 1004, and the vertical clock pulses VCK, xVCK and horizontal The clock pulses HCK and xHCK may be provided to the vertical drive circuit 1003 and the horizontal drive circuit 1004 via the buffer circuits 1008 to 1011.

表示パネル1005は、画素アレイ部1002において、2枚の透明な絶縁性基板(例えば、ガラス基板)の一方の基板に、画素アレイ部1002の行数m分の走査線1012(1012−1〜1012−m)と列数n分の信号線1013(1013−1〜1013−n)とがマトリクス状に配線されるとともに、所定の間隙をもって対向配置された他方の基板との間に液晶層が保持され、例えばその裏面側にバックライトが配置された構造となっている。そして、走査線1012と信号線1013との交点部分に画素1001が配されることになる。   In the display panel 1005, in the pixel array unit 1002, scanning lines 1012 (1012-1 to 1012) corresponding to the number m of rows of the pixel array unit 1002 are formed on one of two transparent insulating substrates (for example, glass substrates). -M) and signal lines 1013 (1013-1 to 1013 -n) corresponding to the number n of columns are wired in a matrix, and a liquid crystal layer is held between the other substrate opposed to each other with a predetermined gap For example, the backlight is arranged on the back side. Then, the pixel 1001 is arranged at the intersection of the scanning line 1012 and the signal line 1013.

画素1001は、図11から明らかなように、ゲートが走査線1012に接続され、ソースが信号線1013に接続された薄膜トランジスタからなる画素トランジスタTFTと、この画素トランジスタTFTのドレインに画素電極が接続された液晶セルLCと、画素トランジスタTFTのドレインに一方の電極が接続された保持容量CSとを有す構成となっている。ここでは、液晶セルLCは、画素トランジスタTFTで形成される画素電極とこれに対向して形成される対向電極との間で発生する容量を意味する。液晶セルLCの対向電極は、例えば保持容量CSの他方の電極と共にコモン線1014に接続されている。   As is apparent from FIG. 11, the pixel 1001 has a pixel transistor TFT composed of a thin film transistor having a gate connected to the scanning line 1012 and a source connected to the signal line 1013, and a pixel electrode connected to the drain of the pixel transistor TFT. The liquid crystal cell LC and the storage capacitor CS having one electrode connected to the drain of the pixel transistor TFT are provided. Here, the liquid crystal cell LC means a capacitance generated between a pixel electrode formed by the pixel transistor TFT and a counter electrode formed facing the pixel electrode. The counter electrode of the liquid crystal cell LC is connected to the common line 1014 together with the other electrode of the storage capacitor CS, for example.

図12は、垂直駆動回路の具体的な構成の一例を示すブロック図である。図12から明らかなように、垂直駆動回路1003はシフトレジスタ1021などによって構成され、垂直スタートパルスVSTが与えられると、当該垂直スタートパルスVSTを垂直クロックパルスVCKに同期して順次シフトし、画素アレイ部1002の各画素1001を行単位で順次選択するための垂直走査パルスφV1〜φVmを各段から出力する。垂直走査パルスφV1〜φVmは、バッファ回路1022−1〜1022−mを介して画素アレイ部102の走査線1022−1〜1022−mに与えられる。   FIG. 12 is a block diagram illustrating an example of a specific configuration of the vertical drive circuit. As is apparent from FIG. 12, the vertical drive circuit 1003 includes a shift register 1021 and the like. When the vertical start pulse VST is given, the vertical start pulse VST is sequentially shifted in synchronization with the vertical clock pulse VCK, and the pixel array Vertical scanning pulses φV1 to φVm for sequentially selecting each pixel 1001 of the unit 1002 in units of rows are output from each stage. The vertical scanning pulses φV1 to φVm are applied to the scanning lines 1022-1 to 1022-m of the pixel array unit 102 through the buffer circuits 1022-1 to 1022-m.

水平駆動回路104も、少なくともシフトレジスタを有する構成となっている。この水平駆動回路1004において、シフトレジスタは水平スタートパルスHSTが与えられると、当該水平スタートパルスHSTを水平クロックパルスHCKに同期して順次シフトし、各段から順次サンプリングパルスを出力する。そして、水平駆動回路1004では、このサンプリングパルスを用いて表示パネル1005の外部から供給される映像信号をサンプリングし、垂直駆動回路1003によって選択された行の各画素1001に対して点順次で、あるいは線順次で書き込む動作が行われる。   The horizontal drive circuit 104 is also configured to include at least a shift register. In the horizontal drive circuit 1004, when a horizontal start pulse HST is given to the shift register, the horizontal start pulse HST is sequentially shifted in synchronization with the horizontal clock pulse HCK, and sampling pulses are sequentially output from each stage. The horizontal driving circuit 1004 samples a video signal supplied from the outside of the display panel 1005 using this sampling pulse, and performs dot sequential processing for each pixel 1001 in the row selected by the vertical driving circuit 1003, or An operation of writing in line sequential order is performed.

上記構成の液晶表示装置において、例えば、画素アレイ部1002の各画素1001を行単位で順次選択するための垂直走査パルスφV1〜φVmを各段から出力するシフトレジスタ1021として、先述した本実施形態に係るシフトレジスタ回路が用いられる。この実施形態に係るシフトレジスタ回路は、先述したように、第1のトランジスタとして容量非対称トランジスタが適用され、トランジスタのゲートの電位変動を抑制し、回路の安定性向上およびクロック配線の付加の軽減による低消費電力化を図ることができる。したがって、本実施形態に係るシフトレジスタ回路を、垂直駆動回路1003のシフトレジスタ1021として用いることにより、走査線1012−1〜1012−mを少ない消費電力で、かつ安定した動作で駆動することができるため本液晶表示装置の低消費電力化および動作信頼性向上を図ることができる。   In the liquid crystal display device having the above-described configuration, for example, the shift register 1021 that outputs the vertical scanning pulses φV1 to φVm for sequentially selecting the pixels 1001 of the pixel array unit 1002 in units of rows is used as the shift register 1021 in the above-described embodiment. Such a shift register circuit is used. In the shift register circuit according to this embodiment, as described above, a capacitive asymmetric transistor is applied as the first transistor, and the potential fluctuation of the gate of the transistor is suppressed, thereby improving the stability of the circuit and reducing the addition of the clock wiring. Low power consumption can be achieved. Therefore, by using the shift register circuit according to this embodiment as the shift register 1021 of the vertical drive circuit 1003, the scanning lines 1012-1 to 1012-m can be driven with low power consumption and stable operation. Therefore, it is possible to reduce power consumption and improve operation reliability of the liquid crystal display device.

なお、本適用例では、本実施形態に係るシフトレジスタ回路を垂直駆動回路1003を構成するシフトレジスタ1021として用いる場合を例に挙げて説明したが、この適用例は一例に過ぎず、水平駆動回路1004を構成するシフトレジスタとして用いることも可能である。   In this application example, the case where the shift register circuit according to this embodiment is used as the shift register 1021 constituting the vertical drive circuit 1003 has been described as an example. However, this application example is only an example, and the horizontal drive circuit It can also be used as a shift register constituting 1004.

また、本適用例では、画素1001の表示エレメントとして液晶セルを用いた液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、この適用例に限られるものではなく、画素1001の表示エレメントとして例えば有機EL素子を用いた有機EL表示装置など、他のアクティブマトリクス型表示装置にも同様に適用可能である。   In this application example, the case where the present invention is applied to a liquid crystal display device using a liquid crystal cell as a display element of the pixel 1001 has been described as an example. However, the application example is not limited thereto, and the display element of the pixel 1001 is used as a display element. For example, the present invention can be similarly applied to other active matrix display devices such as an organic EL display device using organic EL elements.

<適用例:電子機器>
本実施形態に係るシフトレジスタ回路を適用した表示装置は、図13に示すようにフラット型のモジュール形状のものを含む。例えば絶縁性の基板上2002に、液晶素子、薄膜トランジスタ、薄膜容量、受光素子等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部2002aを設ける、この画素アレイ部(画素マトリックス部)2002aを囲むように接着剤2021を配し、ガラス等の対向基板2006を貼り付けて表示モジュールとする。この透明な対向基板2006には必要に応じて、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部2002aへの信号等を入出力するためのコネクタとして例えばFPC(フレキシブルプリントサーキット)2023を設けてもよい。
<Application example: Electronic equipment>
A display device to which the shift register circuit according to this embodiment is applied includes a flat module-shaped display as shown in FIG. For example, a pixel array portion 2002a in which pixels made up of a liquid crystal element, a thin film transistor, a thin film capacitor, a light receiving element and the like are integrated and formed in a matrix is provided on an insulating substrate 2002 so as to surround the pixel array portion (pixel matrix portion) 2002a. An adhesive 2021 is disposed on the substrate, and a counter substrate 2006 such as glass is attached to form a display module. The transparent counter substrate 2006 may be provided with a color filter, a protective film, a light shielding film, and the like as necessary. For example, an FPC (flexible printed circuit) 2023 may be provided in the display module as a connector for inputting / outputting a signal or the like to / from the pixel array unit 2002a from the outside.

以上説明した本実施形態に係る表示装置は、図14〜図18に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。   The display device according to the present embodiment described above is input to various electronic devices shown in FIGS. 14 to 18 such as a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, and a video camera. The video signal generated or the video signal generated in the electronic device can be applied to a display device of an electronic device in any field for displaying as an image or a video. Below, an example of the electronic device to which this embodiment is applied is demonstrated.

図14は、本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作成される。   FIG. 14 is a perspective view showing a television to which the present embodiment is applied. The television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102, a filter glass 103, and the like, and is created by using the display device according to this embodiment as the video display screen unit 101.

図15は、本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 15 is a perspective view showing a digital camera to which the present embodiment is applied. FIG. 15A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 15B is a perspective view seen from the back side. The digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114, and the like, and is manufactured by using the display device according to the present embodiment as the display unit 112. .

図16は、本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 16 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present embodiment is applied. A notebook personal computer according to this application example includes a main body 121 including a keyboard 122 that is operated when characters or the like are input, a display unit 123 that displays an image, and the like, and the display unit 123 includes a display device according to the present embodiment. It is produced by using.

図17は、本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 17 is a perspective view showing a video camera to which the present embodiment is applied. The video camera according to this application example includes a main body 131, a subject shooting lens 132 on a side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of shooting, a display unit 134, and the like. It is manufactured by using the display device according to the above.

図18は、本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。   FIG. 18 is a diagram showing a mobile terminal device to which the present embodiment is applied, for example, a mobile phone, in which (A) is a front view in an opened state, (B) is a side view thereof, and (C) is closed. (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view. The mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, and the like. In addition, the display device according to this embodiment is used as the sub display 145.

<適用例:表示撮像装置>
本実施形態に係る表示装置は、以下のような表示撮像装置に適用可能である。また、この表示撮像装置は、先に説明した各種電子機器に適用可能である。図19には、表示撮像装置の全体構成を表すものである。この表示撮像装置は、I/Oディスプレイパネル2000と、バックライト1500と、表示ドライブ回路1200と、受光ドライブ回路1300と、画像処理部1400と、アプリケーションプログラム実行部1100とを備えている。
<Application example: Display imaging device>
The display device according to the present embodiment is applicable to the following display imaging device. In addition, the display imaging device can be applied to the various electronic devices described above. FIG. 19 illustrates the overall configuration of the display imaging apparatus. The display imaging apparatus includes an I / O display panel 2000, a backlight 1500, a display drive circuit 1200, a light receiving drive circuit 1300, an image processing unit 1400, and an application program execution unit 1100.

I/Oディスプレイパネル2000は、複数の画素が全面に渡ってマトリクス状に配置された液晶パネル(LCD(Liquid Crystal Display))からなり、線順次動作をしながら表示データに基づく所定の図形や文字などの画像を表示する機能(表示機能)を有すると共に、後述するようにこのI/Oディスプレイ2000に接触または近接する物体を撮像する機能(撮像機能)を有するものである。また、バックライト1500は、例えば複数の発光ダイオードが配置されてなるI/Oディスプレイパネル2000の光源であり、後述するようにI/Oディスプレイ2000の動作タイミングに同期した所定のタイミングで、高速にオン・オフ動作を行うようになっている。   The I / O display panel 2000 is composed of a liquid crystal panel (LCD (Liquid Crystal Display)) in which a plurality of pixels are arranged in a matrix over the entire surface, and a predetermined figure or character based on display data while performing line sequential operation. As well as a function (imaging function) for imaging an object that is in contact with or close to the I / O display 2000 as will be described later. The backlight 1500 is a light source of the I / O display panel 2000 in which, for example, a plurality of light emitting diodes are arranged, and at a high speed at a predetermined timing synchronized with the operation timing of the I / O display 2000 as described later. An on / off operation is performed.

表示ドライブ回路1200は、I/Oディスプレイパネル2000において表示データに基づく画像が表示されるように(表示動作を行うように)、このI/Oディスプレイパネル2000の駆動を行う(線順次動作の駆動を行う)回路である。   The display drive circuit 1200 drives the I / O display panel 2000 (drives line-sequential operation) so that an image based on display data is displayed on the I / O display panel 2000 (so as to perform a display operation). Circuit).

受光ドライブ回路1300は、I/Oディスプレイパネル2000において受光データが得られるように(物体を撮像するように)、このI/Oディスプレイパネル2000の駆動を行う(線順次動作の駆動を行う)回路である。なお、各画素での受光データは、例えばフレーム単位でフレームメモリ1300Aに蓄積され、撮像画像として画像処理部14へ出力されるようになっている。   The light receiving drive circuit 1300 is a circuit that drives the I / O display panel 2000 (drives line-sequential operation) so that light reception data can be obtained in the I / O display panel 2000 (so as to image an object). It is. The light reception data at each pixel is accumulated in the frame memory 1300A, for example, in units of frames, and is output to the image processing unit 14 as a captured image.

画像処理部1400は、受光ドライブ回路1300から出力される撮像画像に基づいて所定の画像処理(演算処理)を行い、I/Oディスプレイ2000に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)を検出し、取得するものである。なお、この検知する処理の詳細については後述する。   The image processing unit 1400 performs predetermined image processing (arithmetic processing) based on the captured image output from the light receiving drive circuit 1300, and information (position coordinate data, object of the object) that is in contact with or close to the I / O display 2000. Data on the shape and size, etc.) are detected and acquired. The details of the detection process will be described later.

アプリケーションプログラム実行部1100は、画像処理部1400による検知結果に基づいて所定のアプリケーションソフトに応じた処理を実行するものであり、例えば検知した物体の位置座標を表示データに含むようにし、I/Oディスプレイパネル2000上に表示させるものなどが挙げられる。なお、このアプリケーションプログラム実行部1100で生成される表示データは表示ドライブ回路1200へ供給されるようになっている。   The application program execution unit 1100 executes processing according to predetermined application software based on the detection result of the image processing unit 1400. For example, the display data includes the position coordinates of the detected object, and the I / O What is displayed on the display panel 2000 is mentioned. The display data generated by the application program execution unit 1100 is supplied to the display drive circuit 1200.

次に、図20を参照してI/Oディスプレイパネル2000の詳細構成例について説明する。このI/Oディスプレイパネル2000は、表示エリア(センサエリア)2100と、表示用Hドライバ2200と、表示用Vドライバ2300と、センサ読み出し用Hドライバ2500と、センサ用Vドライバ2400とを有している。   Next, a detailed configuration example of the I / O display panel 2000 will be described with reference to FIG. The I / O display panel 2000 includes a display area (sensor area) 2100, a display H driver 2200, a display V driver 2300, a sensor readout H driver 2500, and a sensor V driver 2400. Yes.

表示エリア(センサエリア)2100は、バックライト1500からの光を変調して表示光を出射すると共にこのエリアに接触または近接する物体を撮像する領域であり、発光素子(表示素子)である液晶素子と後述する受光素子(撮像素子)とがそれぞれマトリクス状に配置されている。   A display area (sensor area) 2100 is a region that modulates light from the backlight 1500 to emit display light and images an object that is in contact with or close to this area, and is a light emitting element (display element). And light receiving elements (imaging elements) described later are arranged in a matrix.

表示用Hドライバ2200は、表示ドライブ回路1200から供給される表示駆動用の表示信号および制御クロックに基づいて、表示用Vドライバ2300と共に表示エリア2100内の各画素の液晶素子を線順次駆動するものである。   The display H driver 2200 line-sequentially drives the liquid crystal elements of each pixel in the display area 2100 together with the display V driver 2300 based on the display drive display signal and the control clock supplied from the display drive circuit 1200. It is.

センサ読み出し用Hドライバ2500は、センサ用Vドライバ2400と共にセンサエリア2100内の各画素の受光素子を線順次駆動し、受光信号を取得するものである。   The sensor readout H driver 2500 drives the light receiving element of each pixel in the sensor area 2100 together with the sensor V driver 2400 to obtain a light reception signal.

次に、図21を参照して、表示エリア2100における各画素の詳細構成例について説明する。この図21に示した画素3100は、表示素子である液晶素子と受光素子とから構成されている。   Next, a detailed configuration example of each pixel in the display area 2100 will be described with reference to FIG. A pixel 3100 shown in FIG. 21 includes a liquid crystal element as a display element and a light receiving element.

具体的には、表示素子側には、水平方向に延在するゲート電極3100hと垂直方向に延在するドレイン電極3100iとの交点に薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)などからなるスイッチング素子3100aが配置され、このスイッチング素子3100aと対向電極との間に液晶を含む画素電極3100bが配置されている。そしてゲート電極3100hを介して供給される駆動信号に基づいてスイッチング素子3100aがオン・オフ動作し、オン状態のときにドレイン電極3100iを介して供給される表示信号に基づいて画素電極3100bに画素電圧が印加され、表示状態が設定されるようになっている。   Specifically, on the display element side, a switching element 3100a made of a thin film transistor (TFT) or the like is disposed at the intersection of a gate electrode 3100h extending in the horizontal direction and a drain electrode 3100i extending in the vertical direction. A pixel electrode 3100b including liquid crystal is disposed between the switching element 3100a and the counter electrode. Then, the switching element 3100a is turned on / off based on a drive signal supplied via the gate electrode 3100h, and the pixel voltage is applied to the pixel electrode 3100b based on a display signal supplied via the drain electrode 3100i in the on state. Is applied and the display state is set.

一方、表示素子に隣接する受光素子側には、例えばフォトダイオードなどからなる受光用のセンサ3100cが配置され、電源電圧VDDが供給されるようになっている。また、この受光センサ3100cには、リセットスイッチ3100dとコンデンサ3100eが接続され、リセットスイッチ3100dによってリセットされながら、コンデンサ3100eにおいて受光量に対応した電荷が蓄積されるようになっている。そして蓄積された電荷は読み出しスイッチ3100gがオンとなるタイミングで、バッファアンプ3100fを介して信号出力用電極3100jに供給され、外部へ出力される。また、リセットスイッチ3100dのオン・オフ動作はリセット電極3100kにより供給される信号により制御され、読み出しスイッチ3100gのオン・オフ動作は、読出し制御電極3100kにより供給される信号により制御される。   On the other hand, on the side of the light receiving element adjacent to the display element, a light receiving sensor 3100c made of, for example, a photodiode or the like is disposed, and the power supply voltage VDD is supplied. Further, a reset switch 3100d and a capacitor 3100e are connected to the light receiving sensor 3100c, and charges corresponding to the amount of received light are accumulated in the capacitor 3100e while being reset by the reset switch 3100d. The accumulated charge is supplied to the signal output electrode 3100j via the buffer amplifier 3100f at the timing when the readout switch 3100g is turned on, and is output to the outside. The on / off operation of the reset switch 3100d is controlled by a signal supplied from the reset electrode 3100k, and the on / off operation of the readout switch 3100g is controlled by a signal supplied from the readout control electrode 3100k.

次に、図22を参照して、表示エリア2100内の各画素とセンサ読み出し用Hドライバ2500との接続関係について説明する。この表示エリア2100では、赤(R)用の画素3100と、緑(G)用の画素3200と、青(B)用の画素3300とが並んで配置されている。   Next, a connection relationship between each pixel in the display area 2100 and the sensor readout H driver 2500 will be described with reference to FIG. In this display area 2100, a red (R) pixel 3100, a green (G) pixel 3200, and a blue (B) pixel 3300 are arranged side by side.

各画素の受光センサ3100c,3200c,3300cに接続されたコンデンサに蓄積された電荷は、それぞれのバッファアンプ3100f,3200f,3300fで増幅され、読み出しスイッチ3100g,3200g,3300gがオンになるタイミングで、信号出力用電極を介してセンサ読み出し用Hドライバ2500へ供給される。なお、各信号出力用電極には定電流源4100a,4100b,4100cがそれぞれ接続され、センサ読み出し用Hドライバ2500で感度良く受光量に対応した信号が検出されるようになっている。   The charges accumulated in the capacitors connected to the light receiving sensors 3100c, 3200c, and 3300c of each pixel are amplified by the respective buffer amplifiers 3100f, 3200f, and 3300f, and the signals are output at the timing when the readout switches 3100g, 3200g, and 3300g are turned on. It is supplied to the sensor reading H driver 2500 via the output electrode. Each signal output electrode is connected to a constant current source 4100a, 4100b, 4100c, and a signal corresponding to the amount of received light is detected with high sensitivity by the sensor reading H driver 2500.

次に、本実施の形態の表示撮像装置の動作について詳細に説明する。   Next, the operation of the display imaging device of the present embodiment will be described in detail.

まず、この表示撮像装置の基本動作、すなわち画像の表示動作および物体の撮像動作について説明する。   First, a basic operation of the display imaging apparatus, that is, an image display operation and an object imaging operation will be described.

この表示撮像装置では、アプリケーションプログラム実行部1100から供給される表示データに基づいて、表示用ドライブ回路1200において表示用の駆動信号が生成され、この駆動信号により、I/Oディスプレイ2000に対して線順次表示駆動がなされ、画像が表示される。また、このときバックライト1500も表示ドライブ回路1200によって駆動され、I/Oディスプレイ2000と同期した点灯・消灯動作がなされる。   In this display imaging device, a display drive circuit 1200 generates a display drive signal based on display data supplied from the application program execution unit 1100, and the drive signal generates a line for the I / O display 2000. Sequential display drive is performed to display an image. At this time, the backlight 1500 is also driven by the display drive circuit 1200, and is turned on / off in synchronization with the I / O display 2000.

ここで、図23を参照して、バックライト1500のオン・オフ状態とI/Oディスプレイパネル2000の表示状態との関係について説明する。   Here, the relationship between the on / off state of the backlight 1500 and the display state of the I / O display panel 2000 will be described with reference to FIG.

まず、例えば1/60秒のフレーム周期で画像表示がなされている場合、各フレーム期間の前半期間(1/120秒間)にバックライト1500が消灯し(オフ状態となり)、表示が行われない。一方、各フレーム期間の後半期間には、バックライト1500が点灯し(オン状態となり)、各画素に表示信号が供給され、そのフレーム期間の画像が表示されるようになっている。   First, for example, when an image is displayed with a frame period of 1/60 seconds, the backlight 1500 is turned off (turned off) in the first half of each frame period (1/120 seconds), and display is not performed. On the other hand, in the second half of each frame period, the backlight 1500 is turned on (turned on), a display signal is supplied to each pixel, and an image in that frame period is displayed.

このように、各フレーム期間の前半期間は、I/Oディスプレイパネル2000から表示光が出射されない無光期間である一方、各フレーム期間の後半期間は、I/Oディスプレイパネル2000から表示光が出射される有光期間となっている。   Thus, the first half period of each frame period is a non-light period in which display light is not emitted from the I / O display panel 2000, while the display light is emitted from the I / O display panel 2000 in the second half period of each frame period. It has become a light period.

ここで、I/Oディスプレイパネル2000に接触または近接する物体(例えば、指先など)がある場合、受光ドライブ回路1300による線順次受光駆動により、このI/Oディスプレイパネル2000における各画素の受光素子においてその物体が撮像され、各受光素子からの受光信号が受光ドライブ回路1300へ供給される。受光ドライブ回路1300では、1フレーム分の画素の受光信号が蓄積され、撮像画像として画像処理部14へ出力される。   Here, when there is an object (for example, a fingertip) in contact with or close to the I / O display panel 2000, the light receiving element of each pixel in the I / O display panel 2000 is driven by line sequential light receiving driving by the light receiving drive circuit 1300. The object is imaged, and a light receiving signal from each light receiving element is supplied to the light receiving drive circuit 1300. In the light receiving drive circuit 1300, the light receiving signals of the pixels for one frame are accumulated and output to the image processing unit 14 as a captured image.

そして画像処理部1400では、この撮像画像に基づいて、以下説明する所定の画像処理(演算処理)を行い、I/Oディスプレイ2000に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)が検出される。   The image processing unit 1400 performs predetermined image processing (arithmetic processing) described below based on the captured image, and information (position coordinate data, object shape, and the like) related to an object in contact with or close to the I / O display 2000. Size data) is detected.

本実施形態に係るシフトレジスタ回路の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the shift register circuit which concerns on this embodiment. 入力パルスST、クロックパルスCK1、CK2およびレジスタ11−1〜11−Nの各入出力IN1(1)、IN2(N)、OUT(1)〜OUT(N)のタイミングチャートである。It is a timing chart of input / output IN1 (1), IN2 (N), and OUT (1) to OUT (N) of input pulse ST, clock pulses CK1 and CK2, and registers 11-1 to 11-N. 本実施形態に係るシフトレジスタ回路の基本回路の構成例を説明する図である。It is a figure explaining the structural example of the basic circuit of the shift register circuit which concerns on this embodiment. 図3に示す基本回路の動作を説明するタイミングチャートである。4 is a timing chart for explaining the operation of the basic circuit shown in FIG. 3. 本実施形態に係るシフトレジスタ回路の基本回路の具体的な構成例を説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the specific structural example of the basic circuit of the shift register circuit which concerns on this embodiment. 図4に示す基本回路の動作を説明するタイミングチャートである。5 is a timing chart for explaining the operation of the basic circuit shown in FIG. 4. 本実施形態のシフトレジスタ回路で適用される容量非対称トランジスタの構造を説明する模式断面図である。It is a schematic cross section explaining the structure of a capacitive asymmetric transistor applied in the shift register circuit of this embodiment. 容量非対称トランジスタの構造を説明する模式平面図である。It is a model top view explaining the structure of a capacity asymmetric transistor. 図5に示す反転ユニットの回路例を説明する図である。It is a figure explaining the circuit example of the inversion unit shown in FIG. 図5に示すインバータの回路例を説明する図である。It is a figure explaining the circuit example of the inverter shown in FIG. 本発明の適用例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置を説明する図である。It is a figure explaining the active matrix type liquid crystal display device concerning the example of application of the present invention. 垂直駆動回路の具体的な構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a specific structure of a vertical drive circuit. フラット型のモジュール形状の例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of a flat type module shape. 本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the television with which this embodiment is applied. 本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the digital camera to which this embodiment is applied. 本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the notebook type personal computer to which this embodiment is applied. 本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the video camera to which this embodiment is applied. 本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図である。It is a figure which shows the portable terminal device to which this embodiment is applied, for example, a mobile telephone. 本発明の第1の実施の形態に係る表示撮像装置の構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the structure of the display imaging device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1に示したI/Oディスプレイパネルの構成例を表すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of an I / O display panel illustrated in FIG. 1. 各画素の構成例を表す回路図である。It is a circuit diagram showing the structural example of each pixel. 各画素とセンサ読み出し用Hドライバとの接続関係を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the connection relation of each pixel and the sensor reading H driver. バックライトのオン・オフ状態と表示状態との関係について説明するためのタイミング図である。It is a timing diagram for demonstrating the relationship between the ON / OFF state of a backlight, and a display state.

符号の説明Explanation of symbols

1…基本回路、2…制御回路、3…電位保持回路、211−1〜11−N…レジスタ、12…トランスファーゲート回路、13…トランスファーゲート回路、C1…容量、Tr1…第1のトランジスタ、Tr2…第2のトランジスタ、Tr3…第3のトランジスタ、Tr4…第4のトランジスタ、Tr5…第5のトランジスタ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Basic circuit, 2 ... Control circuit, 3 ... Potential holding circuit, 211-1 to 11-N ... Register, 12 ... Transfer gate circuit, 13 ... Transfer gate circuit, C1 ... Capacitor, Tr1 ... First transistor, Tr2 ... Second transistor, Tr3 ... Third transistor, Tr4 ... Fourth transistor, Tr5 ... Fifth transistor

Claims (7)

ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えたシフトレジスタ回路において、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
In a shift register circuit including a transistor in which an input signal is given to a gate, a clock is inputted to a source, and an output line is connected to a drain,
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、
前記トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、
次の前段出力が入力されるまで前記トランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
A transistor having an input signal applied to the gate, a clock input to the source, and an output line connected to the drain;
Means for setting the gate of the transistor to a floating state of ON potential by the output of the previous stage;
Means for resetting the gate of the transistor to a floating state of an OFF potential by a subsequent output;
A potential holding function that keeps the gate of the transistor at the OFF potential until the next previous stage output is input as a basic circuit,
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
前記基本回路を構成する複数のトランジスタが同一の導電型によって構成されている
ことを特徴とする請求項2記載のシフトレジスタ回路。
The shift register circuit according to claim 2, wherein the plurality of transistors constituting the basic circuit are formed of the same conductivity type.
複数の画素が配置されて成る画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、当該信号によって前記画素を駆動する駆動回路とを備える表示装置において、
前記シフトレジスタ回路は、
ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えており、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とする表示装置。
A pixel array unit in which a plurality of pixels are arranged;
In a display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by the signal.
The shift register circuit includes:
An input signal is supplied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain.
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
複数の画素が配置されて成る画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、当該信号によって前記画素を駆動する駆動回路とを備える表示装置において、
前記シフトレジスタ回路は、
ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、
前記トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、
次の前段出力が入力されるまで前記トランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とする表示装置。
A pixel array unit in which a plurality of pixels are arranged;
In a display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by the signal.
The shift register circuit includes:
A transistor having an input signal applied to the gate, a clock input to the source, and an output line connected to the drain;
Means for setting the gate of the transistor to a floating state of ON potential by the output of the previous stage;
Means for resetting the gate of the transistor to a floating state of an OFF potential by a subsequent output;
A potential holding function that keeps the gate of the transistor at the OFF potential until the next previous stage output is input as a basic circuit,
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、当該信号によって前記画素を駆動する駆動回路を備える表示装置と、
前記表示装置が組み込まれる筐体とを備える電子機器において、
前記シフトレジスタ回路は、
ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタを備えており、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とする電子機器。
A display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by the signal;
In an electronic device comprising a housing in which the display device is incorporated,
The shift register circuit includes:
An input signal is supplied to the gate, a clock is input to the source, and an output line is connected to the drain.
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
画素アレイ部の各画素に送る信号を転送するシフトレジスタ回路を有し、当該信号によって前記画素を駆動する駆動回路を備える表示装置と、
前記表示装置が組み込まれる筐体とを備える電子機器において、
前記シフトレジスタ回路は、
ゲートに入力信号が与えられ、ソースにクロックが入力され、ドレインに出力線が接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートを前段の出力によってON電位のフローティング状態にセットする手段と、
前記トランジスタのゲートを後段の出力によってOFF電位のフローティング状態にリセットする手段と、
次の前段出力が入力されるまで前記トランジスタのゲートをOFF電位に保つ電位保持機能とを基本回路として備え、
前記トランジスタとして、ゲート−ソース間容量よりゲート−ドレイン間容量の方が大きいものが用いられている
ことを特徴とする電子機器。
A display device including a shift register circuit that transfers a signal to be sent to each pixel of the pixel array unit, and a drive circuit that drives the pixel by the signal;
In an electronic device comprising a housing in which the display device is incorporated,
The shift register circuit includes:
A transistor having an input signal applied to the gate, a clock input to the source, and an output line connected to the drain;
Means for setting the gate of the transistor to a floating state of ON potential by the output of the previous stage;
Means for resetting the gate of the transistor to a floating state of an OFF potential by a subsequent output;
A potential holding function that keeps the gate of the transistor at the OFF potential until the next previous stage output is input as a basic circuit,
A transistor having a larger gate-drain capacitance than a gate-source capacitance is used as the transistor.
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