JP2003344873A - Bootstrap circuit and planar display device using the same - Google Patents

Bootstrap circuit and planar display device using the same

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JP2003344873A JP2002151453A JP2002151453A JP2003344873A JP 2003344873 A JP2003344873 A JP 2003344873A JP 2002151453 A JP2002151453 A JP 2002151453A JP 2002151453 A JP2002151453 A JP 2002151453A JP 2003344873 A JP2003344873 A JP 2003344873A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent parasitic capacitance from being formed across a control electrode of a transistor and a counter electrode placed opposite thereto. <P>SOLUTION: A source electrode 53 of a transistor Tr1 is extended up to the position of a gate electrode 51. With this structure, the part of the gate electrode 51 exposed to the counter electrode 14 is covered by the source electrode 53, therefore, the parasitic capacitance Ccom is prevented from being formed across the gate electrode 51 and the counter electrode 14. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタの出
力信号の電位を十分なレベルにするブートストラップ回
路及びこれを用いた平面表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bootstrap circuit for setting the potential of an output signal of a transistor to a sufficient level and a flat panel display using the bootstrap circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に代表される平面表示装置
は、薄型、軽量かつ低消費電力であることから、各種機
器のディスプレイとして用いられている。中でも、画素
毎にトランジスタを配置したアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、ノート型パソコンや携帯型情報端末のデ
ィスプレイとして普及しつつある。近年、従来の液晶表
示装置に用いられていたアモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスタに比べて電子移動度が高いポリシリコン薄膜ト
ランジスタを比較的低温のプロセスで形成する技術が確
立され、液晶表示装置に用いるトランジスタの小型化が
可能となった。これにより、複数の走査線と複数の信号
線が交差する部分に画素トランジスタを配置した画素部
と、画素トランジスタを駆動する駆動回路とを同一の製
造プロセスによってガラス製の電極基板上に一体的に形
成することができるようになった。
2. Description of the Related Art A flat panel display device represented by a liquid crystal display device is used as a display for various devices because of its thinness, light weight and low power consumption. Above all, an active matrix type liquid crystal display device in which a transistor is arranged for each pixel is spreading as a display for a notebook type personal computer and a portable information terminal. In recent years, a technology has been established for forming a polysilicon thin film transistor having a higher electron mobility than a conventional amorphous silicon thin film transistor used in a liquid crystal display device by a relatively low temperature process, and the transistor used in the liquid crystal display device can be miniaturized. It has become possible. As a result, the pixel portion in which the pixel transistor is arranged at the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines and the driving circuit for driving the pixel transistor are integrally formed on the glass electrode substrate by the same manufacturing process. Can be formed.

【0003】更には、製造工程を短縮し低コスト化を実
現するために、駆動回路や画素トランジスタを、pMO
S又はnMOSのいずれか一方のトランジスタのみを用
いて構成することができるようになった。
Further, in order to shorten the manufacturing process and realize the cost reduction, the drive circuit and the pixel transistor are replaced by pMO.
It has become possible to use only one of the S and nMOS transistors.

【0004】しかし、pMOSトランジスタは、低電圧
を出力しようとした場合に、その出力はpMOSトラン
ジスタの閾値電圧Vthの分だけ高くなってしまうた
め、十分な低電圧の出力が困難である。一方、nMOS
トランジスタは、十分な高電圧の出力が困難である。こ
のようなことから、従来よりブートストラップ回路を用
いることによって十分なレベルの出力が得られるように
している。
However, when an attempt is made to output a low voltage, the pMOS transistor has its output increased by the threshold voltage Vth of the pMOS transistor, so that it is difficult to output a sufficiently low voltage. On the other hand, nMOS
It is difficult for a transistor to output a sufficiently high voltage. Therefore, a bootstrap circuit is conventionally used to obtain a sufficient level of output.

【0005】図10は、従来のブートストラップ回路の
概略構成を示す回路図である。同図のトランジスタTr
11,Tr12には、一例としてpMOSトランジスタ
が用いられる。トランジスタTr11のドレインは入力
端子71に接続され、ソースは出力端子72に接続され
る。トランジスタTr12のドレインおよびゲートはロ
ーレベルの電源電圧VSSに接続され、ソースはトラン
ジスタTr11のゲートに接続される。また、出力端子
72とトランジスタTr11のゲートとの間には容量C
が接続される。なお、ここではトランジスタTr11の
ゲートへの導電パスのことをノードn31というものと
する。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a conventional bootstrap circuit. Transistor Tr of the same figure
For example, pMOS transistors are used for 11 and Tr12. The drain of the transistor Tr11 is connected to the input terminal 71, and the source is connected to the output terminal 72. The drain and gate of the transistor Tr12 are connected to the low level power supply voltage VSS, and the source is connected to the gate of the transistor Tr11. In addition, a capacitance C is provided between the output terminal 72 and the gate of the transistor Tr11.
Are connected. Note that here, a conductive path to the gate of the transistor Tr11 is referred to as a node n31.

【0006】図11は、従来のブートストラップ回路の
動作波形を示す図である。まず入力端子71にハイレベ
ルの電源電圧VDDが入力信号INとして入力される
と、電源電圧VSSがゲートに供給されているトランジ
スタTr12はオン状態にあるので、トランジスタTr
12を通じてノードn31に電源電圧VSSとともにト
ランジスタTr12の閾値電圧Vthが供給される。こ
のときノードn31の電位はローレベルなので、トラン
ジスタTr11はオン状態である。よって、出力端子7
2にはハイレベルの入力信号INがトランジスタTr1
1を通じて出力され、ハイレベルの出力信号OUTが出
力される。
FIG. 11 is a diagram showing operation waveforms of a conventional bootstrap circuit. First, when the high-level power supply voltage VDD is input to the input terminal 71 as the input signal IN, the transistor Tr12 whose gate is supplied with the power supply voltage VSS is in the ON state.
Through 12, the threshold voltage Vth of the transistor Tr12 is supplied to the node n31 together with the power supply voltage VSS. At this time, since the potential of the node n31 is low level, the transistor Tr11 is in the on state. Therefore, the output terminal 7
A high level input signal IN is applied to the transistor Tr1.
1 and a high level output signal OUT is output.

【0007】次に、入力端子71にローレベルの電源電
圧VSSが入力信号INが入力されると、トランジスタ
Tr11はオン状態のままであるので、出力信号OUT
の電位はハイレベルからローレベルに向かって低下す
る。このとき、ノードn31には、出力信号OUTの電
位の低下が容量Cを介して伝えられるので、ノードn3
1の電位も出力信号OUTの低下に応じた分だけ低下す
る。よって、ノードn31の電位はVSSよりも低くな
る。このため、トランジスタTr11は、ゲートの電位
がソースの電位よりも低くなるのでオン状態を維持す
る。一方、トランジスタTr12は、ゲートの電位がソ
ースの電位よりも高くなるのでオフ状態となる。よっ
て、出力端子72にはローレベルの入力信号INが出力
され、十分に低電圧の出力信号OUTが出力されること
となる。
Next, when the input signal IN of the low level power supply voltage VSS is input to the input terminal 71, the transistor Tr11 remains in the ON state, and thus the output signal OUT is output.
Potential decreases from high level to low level. At this time, since the decrease in the potential of the output signal OUT is transmitted to the node n31 through the capacitor C, the node n3
The potential of 1 also drops by the amount corresponding to the drop of the output signal OUT. Therefore, the potential of the node n31 becomes lower than VSS. Therefore, the transistor Tr11 maintains the ON state because the potential of the gate becomes lower than the potential of the source. On the other hand, the transistor Tr12 is turned off because the gate potential becomes higher than the source potential. Therefore, the low-level input signal IN is output to the output terminal 72, and the sufficiently low-voltage output signal OUT is output.

【0008】このように、ブートストラップ回路は、ト
ランジスタTr11からの出力信号OUTの電位変化を
容量Cを介してトランジスタTr11のゲートに伝える
ことによって、トランジスタTr11が十分な低電圧を
出力できるようになっている。
As described above, the bootstrap circuit transmits the potential change of the output signal OUT from the transistor Tr11 to the gate of the transistor Tr11 via the capacitor C so that the transistor Tr11 can output a sufficiently low voltage. ing.

【0009】図12は、図10に示した容量Cをトラン
ジスタTr11のゲート・ドレイン間に接続するように
したブートストラップ回路の構成を示す図である。この
構成のブートストラップ回路も図10の回路と同様に、
十分に低電圧の出力信号OUTを出力することができ
る。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a bootstrap circuit in which the capacitor C shown in FIG. 10 is connected between the gate and drain of the transistor Tr11. The bootstrap circuit of this configuration is similar to the circuit of FIG.
A sufficiently low voltage output signal OUT can be output.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置は、アレイ基板(第1電極基板)に対向して配置
されたガラス製の対向基板(第2電極基板)を有する構
造であり、その対向基板の表面にはアレイ基板上の画素
電極に対して電気的に相対する対向電極が形成される。
However, the liquid crystal display device has a structure including a counter substrate (second electrode substrate) made of glass which is arranged so as to face the array substrate (first electrode substrate). A counter electrode that electrically faces the pixel electrodes on the array substrate is formed on the surface of the substrate.

【0011】このため、図13の平面図に示すような従
来のブートストラップ回路の基板上のレイアウトでは、
図14の断面図に示すように、アレイ基板上のトランジ
スタのゲート電極(制御電極)61と、対向基板16上
の対向電極14との間で寄生容量Ccomが形成されて
しまう。この場合のブートストラップ回路の等価回路は
図15のようになる。図15示すトランジスタTr11
のゲート電位の変化は次式で表すことができる。
Therefore, in the layout on the substrate of the conventional bootstrap circuit as shown in the plan view of FIG.
As shown in the cross-sectional view of FIG. 14, a parasitic capacitance Ccom is formed between the gate electrode (control electrode) 61 of the transistor on the array substrate and the counter electrode 14 on the counter substrate 16. The equivalent circuit of the bootstrap circuit in this case is as shown in FIG. Transistor Tr11 shown in FIG.
The change in the gate potential of can be expressed by the following equation.

【0012】[0012]

【数1】 ΔVg = C/(C+Ccom)・ΔVout ・・(式1) ここで、 ΔVg:トランジスタTr11のゲート電位
変化 C:ブートストラップ回路の容量 Ccom:トランジスタTr11のゲート電極と対向電
極間の寄生容量 ΔVout:出力信号OUTの電位変化 このように、寄生容量Ccomが形成されてしまうと、
出力信号OUTの電位変化がトランジスタTr11のゲ
ートに十分に伝わらなくなってしまう。このため、図1
6の動作波形に示すように、ブートストラップ回路の出
力信号OUTのパルスの立ち下がり時間が遅くなってし
まうという問題があった。
[Formula 1] ΔVg = C / (C + Ccom) · ΔVout ··· (Equation 1) where ΔVg: Change in gate potential of the transistor Tr11 C: Bootstrap circuit capacitance Ccom: Parasitic between the gate electrode of the transistor Tr11 and the counter electrode Capacitance ΔVout: Change in potential of output signal OUT When the parasitic capacitance Ccom is formed in this way,
The change in the potential of the output signal OUT is not sufficiently transmitted to the gate of the transistor Tr11. For this reason,
As shown in the operation waveform of No. 6, there is a problem that the fall time of the pulse of the output signal OUT of the bootstrap circuit is delayed.

【0013】本発明は、上記に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、トランジスタの制御電極
とこれに対向して配置される対向電極との間に寄生容量
が形成されることを防止し得るブートストラップ回路を
提供することにある。
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to form a parasitic capacitance between a control electrode of a transistor and a counter electrode arranged to face the control electrode of the transistor. It is to provide a bootstrap circuit capable of preventing the above.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】第1の本発明に係るブー
トストラップ回路は、トランジスタの制御電極と入力電
極又は出力電極との間に容量が設けられたブートストラ
ップ回路において、前記出力電極が前記制御電極の位置
まで延出されたことを特徴とする。
A bootstrap circuit according to a first aspect of the present invention is a bootstrap circuit in which a capacitance is provided between a control electrode of a transistor and an input electrode or an output electrode of the transistor. It is characterized in that it is extended to the position of the control electrode.

【0015】本発明にあっては、トランジスタの出力電
極を制御電極に対応する位置まで延出するようにしたこ
とで、対向電極に対して制御電極の露出している部分が
出力電極で覆われるようにし、制御電極と対向電極との
間に寄生容量が形成されることを防止するようにしてい
る。
In the present invention, the output electrode of the transistor is extended to the position corresponding to the control electrode, so that the exposed portion of the control electrode with respect to the counter electrode is covered with the output electrode. Thus, the formation of parasitic capacitance between the control electrode and the counter electrode is prevented.

【0016】第2の本発明に係る平面表示装置は、トラ
ンジスタの制御電極と入力電極又は出力電極との間に容
量が設けられ、前記出力電極が前記制御電極の位置まで
延出されたブートストラップ回路を備えた第1電極基板
と、前記第1電極基板に対向配置された第2電極基板
と、前記第1電極基板と前記第2電極基板との間に保持
された表示層と、を有することを特徴とする。
A flat panel display device according to a second aspect of the present invention is a bootstrap in which a capacitance is provided between a control electrode of a transistor and an input electrode or an output electrode, and the output electrode extends to the position of the control electrode. A first electrode substrate provided with a circuit, a second electrode substrate arranged to face the first electrode substrate, and a display layer held between the first electrode substrate and the second electrode substrate. It is characterized by

【0017】上記平面表示装置において、前記ブートス
トラップ回路は、画素トランジスタに用いられることを
特徴とする。
In the above flat panel display device, the bootstrap circuit is used for a pixel transistor.

【0018】上記平面表示装置において、前記ブートス
トラップ回路は、駆動回路に含まれるシフトレジスタの
出力回路に用いられることを特徴とする。
In the above flat panel display device, the bootstrap circuit is used as an output circuit of a shift register included in a driving circuit.

【0019】上記平面表示装置において、前記ブートス
トラップ回路は、駆動回路に含まれるレベルシフタの出
力回路に用いられることを特徴とする。
In the above flat panel display device, the bootstrap circuit is used for an output circuit of a level shifter included in a drive circuit.

【0020】上記平面表示装置において、前記シフトレ
ジスタは、第1クロック端子と出力端子間の導電パスを
もつ第1トランジスタと、前記出力端子と第1電圧電極
間の導電パスをもつ第2トランジスタとを有する出力回
路と、入力端子と前記第1トランジスタの制御電極間の
導電パスをもつ第3トランジスタと、前記第1電圧電極
と前記第2トランジスタの制御電極間の導電パスと前記
入力端子への導電パスをもつ第4トランジスタとを有す
る入力回路と、第2クロック端子と前記第2トランジス
タの制御電極間の導電パスをもつ第5トランジスタと、
前記第1電圧電極と前記第1トランジスタの制御電極間
の導電パスと前記第2トランジスタの制御電極への導電
パスをもつ第6トランジスタとを有するリセット回路
と、前記第1トランジスタの制御電極への導電パスと前
記第1電圧電極への導電パスをもつ第7トランジスタ
と、前記第7トランジスタと前記第2トランジスタの制
御電極間の導電パスと前記第1クロック端子への導電パ
スをもつ第8トランジスタを有する反転防止回路と、を
有することを特徴とする。
In the above flat panel display device, the shift register includes a first transistor having a conductive path between the first clock terminal and the output terminal, and a second transistor having a conductive path between the output terminal and the first voltage electrode. A third transistor having a conductive path between the input terminal and the control electrode of the first transistor, a conductive path between the first voltage electrode and the control electrode of the second transistor and the input terminal to the input terminal. An input circuit having a fourth transistor having a conductive path; a fifth transistor having a conductive path between the second clock terminal and the control electrode of the second transistor;
A reset circuit having a sixth transistor having a conductive path between the first voltage electrode and the control electrode of the first transistor and a conductive path to the control electrode of the second transistor; and a reset circuit to the control electrode of the first transistor. A seventh transistor having a conductive path and a conductive path to the first voltage electrode, an eighth transistor having a conductive path between the control electrodes of the seventh transistor and the second transistor, and a conductive path to the first clock terminal. And an inversion prevention circuit including.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】図1は、一実施の形態におけるブートスト
ラップ回路の基板上のレイアウトを示す平面図であり、
図2は、図1のA'−A'部分の断面図である。本ブート
ストラップ回路の回路図は基本的には図10と同様であ
るが、図10のトランジスタTr11,Tr12を、ト
ランジスタTr1,Tr2にそれぞれ置き換えた構成と
なっている。トランジスタTr1,Tr2には、一例と
してpMOSトランジスタが用いられる。
FIG. 1 is a plan view showing a layout of a bootstrap circuit on a substrate according to one embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the A′-A ′ portion of FIG. The circuit diagram of this bootstrap circuit is basically the same as that in FIG. 10, but the transistors Tr11 and Tr12 in FIG. 10 are replaced with transistors Tr1 and Tr2, respectively. For example, pMOS transistors are used for the transistors Tr1 and Tr2.

【0023】図1に示すように、トランジスタTr1の
ゲート電極51とソース電極53との間には容量Cが電
気的に接続される。トランジスタTr1のゲート電極5
1は制御電極、ドレイン電極52は入力電極、ソース電
極53は出力電極にそれぞれ対応する。また、トランジ
スタTr2のソース電極はトランジスタTr1のゲート
電極51に電気的に接続され、トランジスタTr2のゲ
ート電極とドレイン電極は電源電圧VSSに電気的に接
続される。
As shown in FIG. 1, a capacitor C is electrically connected between the gate electrode 51 and the source electrode 53 of the transistor Tr1. Gate electrode 5 of transistor Tr1
Reference numeral 1 corresponds to a control electrode, drain electrode 52 corresponds to an input electrode, and source electrode 53 corresponds to an output electrode. In addition, the source electrode of the transistor Tr2 is electrically connected to the gate electrode 51 of the transistor Tr1, and the gate electrode and drain electrode of the transistor Tr2 are electrically connected to the power supply voltage VSS.

【0024】図2に示すように、チャネル層54、ゲー
ト絶縁膜55、層間絶縁膜56がこの順で積層され、ゲ
ート絶縁膜55と層間絶縁膜56の接触面の一部にゲー
ト電極51が配置される。このゲート電極51を挟むよ
うにしてドレイン電極52およびソース電極53が層間
絶縁膜56の表面からチャネル層54まで貫通した状態
で配置される。
As shown in FIG. 2, the channel layer 54, the gate insulating film 55, and the interlayer insulating film 56 are laminated in this order, and the gate electrode 51 is formed on a part of the contact surface between the gate insulating film 55 and the interlayer insulating film 56. Will be placed. The drain electrode 52 and the source electrode 53 are arranged so as to sandwich the gate electrode 51 from the surface of the interlayer insulating film 56 to the channel layer 54.

【0025】本実施の形態の特徴は、図1,2に示すよ
うに、ソース電極53を層間絶縁膜56の表面に沿って
ゲート電極51に対応する位置まで延出したことにあ
る。この構成により、対向基板16上の対向電極14に
対してゲート電極51が露出している部分がソース電極
53で覆われるようになるので、対向電極14とゲート
電極51との間に寄生容量Ccomが形成されることが
防止される。
The feature of this embodiment is that the source electrode 53 extends to a position corresponding to the gate electrode 51 along the surface of the interlayer insulating film 56, as shown in FIGS. With this configuration, the exposed portion of the gate electrode 51 with respect to the counter electrode 14 on the counter substrate 16 is covered with the source electrode 53, so that the parasitic capacitance Ccom between the counter electrode 14 and the gate electrode 51. Are prevented from being formed.

【0026】図3は、本ブートストラップ回路の動作波
形を示す図である。本ブートストラップ回路では寄生容
量Ccomの形成が防止されることから、出力信号OU
Tの電位変化が容量Cを介してトランジスタTr1のゲ
ートに十分伝わるようになるので、入力信号INがロー
レベルに反転したときのトランジスタTr1の出力信号
OUTは、立下り時間が速くなり、かつ十分に低い電圧
を出力できるようになる。
FIG. 3 is a diagram showing operation waveforms of the bootstrap circuit. Since the formation of the parasitic capacitance Ccom is prevented in the bootstrap circuit, the output signal OU
Since the potential change of T is sufficiently transmitted to the gate of the transistor Tr1 via the capacitor C, the output signal OUT of the transistor Tr1 when the input signal IN is inverted to the low level has a short fall time and is sufficient. It becomes possible to output a low voltage.

【0027】次に、本ブートストラップ回路を液晶表示
装置に適用した場合について説明する。図4は本実施の
形態における液晶表示装置の構成を示す回路ブロック図
であり、図5は本液晶表示装置の断面図である。
Next, a case where the present bootstrap circuit is applied to a liquid crystal display device will be described. FIG. 4 is a circuit block diagram showing the configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment, and FIG. 5 is a sectional view of the present liquid crystal display device.

【0028】図4に示すように、ガラス製のアレイ基板
10上に設けられた画素部11には、複数本の走査線G
1、G2、〜Gn(以下、総称G)と複数本の信号線S
1、S2、〜Sm(以下、総称S)が互いに交差するよ
うに配線され、これら各走査線Gと各信号線Sとの各交
差部には画素トランジスタ12および画素電極13が配
置される。画素トランジスタ12には、例えばポリシリ
コン薄膜トランジスタが用いられる。各画素トランジス
タ12のゲートは走査線Gに接続され、ソースは信号線
Sに接続され、ドレインは画素電極13及び補助容量C
sに接続される。画素トランジスタ12を駆動する走査
線駆動回路21および信号線駆動回路31が、画素部1
1とともにアレイ基板10上に同一の製造プロセスによ
り一体的に形成される。
As shown in FIG. 4, the pixel portion 11 provided on the glass array substrate 10 has a plurality of scanning lines G.
1, G2 to Gn (hereinafter collectively referred to as G) and a plurality of signal lines S
1, S2, ..., Sm (hereinafter, collectively referred to as S) are arranged so as to intersect with each other, and the pixel transistor 12 and the pixel electrode 13 are arranged at each intersection of each scanning line G and each signal line S. For the pixel transistor 12, for example, a polysilicon thin film transistor is used. The gate of each pixel transistor 12 is connected to the scanning line G, the source is connected to the signal line S, and the drain is connected to the pixel electrode 13 and the auxiliary capacitance C.
connected to s. The scanning line drive circuit 21 and the signal line drive circuit 31 that drive the pixel transistors 12 are arranged in the pixel unit 1.
1 and 1 are integrally formed on the array substrate 10 by the same manufacturing process.

【0029】図5に示すように、画素電極13に対して
電気的に相対する対向電極14が、アレイ基板10に対
向して配置されたガラス製の対向基板16の表面に形成
される。アレイ基板10と対向基板16との間には液晶
層15が保持されており、両基板の周囲はシール材17
により封止される。なお、本実施の形態では、アレイ基
板10は第1電極基板に相当し、対向基板16は第2電
極基板に、液晶層15は表示層にそれぞれ相当する。
As shown in FIG. 5, a counter electrode 14 electrically opposed to the pixel electrode 13 is formed on the surface of a glass counter substrate 16 arranged so as to face the array substrate 10. A liquid crystal layer 15 is held between the array substrate 10 and the counter substrate 16, and a sealing material 17 is provided around both substrates.
It is sealed by. In this embodiment, the array substrate 10 corresponds to the first electrode substrate, the counter substrate 16 corresponds to the second electrode substrate, and the liquid crystal layer 15 corresponds to the display layer.

【0030】走査線駆動回路21は、垂直シフトレジス
タ22とレベルシフタ25とバッファ回路(図示せず)
を有する構成である。レベルシフタ25は、外部から入
力されてきた垂直クロック信号(CKV)と垂直スター
ト信号(STV)の電圧を昇圧させる。垂直シフトレジ
スタ22は、垂直クロック信号に同期させた垂直スター
ト信号を走査線G1〜Gnに1段づつ位相をシフトさせ
て垂直走査パルスとして出力する。
The scanning line drive circuit 21 includes a vertical shift register 22, a level shifter 25, and a buffer circuit (not shown).
It is a structure having. The level shifter 25 boosts the voltages of the vertical clock signal (CKV) and the vertical start signal (STV) input from the outside. The vertical shift register 22 shifts the phase of the vertical start signal synchronized with the vertical clock signal to the scanning lines G1 to Gn by one stage and outputs it as a vertical scanning pulse.

【0031】信号線駆動回路31は、水平シフトレジス
タ32と映像信号バス33と各信号線S毎に設けられた
複数のアナログスイッチ34とレベルシフタ35を有す
る構成である。レベルシフタ35は、外部から入力され
てきた水平クロック信号(CKH)と水平スタート信号
(STH)の電圧を昇圧する。水平シフトレジスタ32
は、水平クロック信号に同期させた水平スタート信号を
各アナログスイッチ34に1段づつ位相をシフトさせて
水平走査パルスとして出力する。アナログスイッチ34
は、映像信号バス33に供給されてきた映像信号(DA
TA)を水平走査パルスに従ってサンプリングして信号
線Sに出力する。
The signal line drive circuit 31 has a horizontal shift register 32, a video signal bus 33, a plurality of analog switches 34 provided for each signal line S, and a level shifter 35. The level shifter 35 boosts the voltages of the horizontal clock signal (CKH) and the horizontal start signal (STH) input from the outside. Horizontal shift register 32
Outputs a horizontal start signal synchronized with the horizontal clock signal to each analog switch 34 as a horizontal scanning pulse by shifting the phase by one stage. Analog switch 34
Is a video signal (DA that has been supplied to the video signal bus 33.
TA) is sampled according to the horizontal scanning pulse and output to the signal line S.

【0032】図6に示す3位相シフトレジスタは、走査
線駆動回路21の垂直シフトレジスタ22又は信号線駆
動回路31の水平シフトレジスタ32のうちの少なくと
も一方に用いることができるものである。
The three-phase shift register shown in FIG. 6 can be used for at least one of the vertical shift register 22 of the scanning line drive circuit 21 and the horizontal shift register 32 of the signal line drive circuit 31.

【0033】この3位相シフトレジスタは、電気的に縦
列接続された複数のシフトレジスタSR1,SR2,〜
SRn(以下、総称SR)と、各シフトレジスタSRに
位相をずらした3本のクロック信号C1、C2、C3の
うちのいずれか2本を入力するクロック線36と、各シ
フトレジスタSRからの出力信号を出力する出力線37
を有する構成である。クロック信号C1〜C3は、垂直
シフトレジスタ22においては垂直クロック信号CKV
であり、水平シフトレジスタ32においては水平クロッ
ク信号CKHである。
This three-phase shift register comprises a plurality of shift registers SR1, SR2, ...
SRn (hereinafter, generically SR), a clock line 36 for inputting any two of the three clock signals C1, C2, and C3 whose phases are shifted to each shift register SR, and an output from each shift register SR Output line 37 for outputting a signal
It is a structure having. The clock signals C1 to C3 are the vertical clock signals CKV in the vertical shift register 22.
And the horizontal clock signal CKH in the horizontal shift register 32.

【0034】シフトレジスタSR1、SR2、〜SRn
は、それぞれ第1ステージ、第2ステージ、〜第nステ
ージに対応する。各シフトレジスタSRは、第1クロッ
ク端子41、第2クロック端子42を有する。例えば、
シフトレジスタSR1では、第1クロック信号としてC
1が第1クロック端子41に入力され、第2クロック信
号としてC3が第2クロック端子42に入力される。シ
フトレジスタSR2では、第1クロック信号としてC3
が第1クロック端子41に入力され、第2クロック信号
としてC2が第2クロック端子42に入力される。
Shift registers SR1, SR2, to SRn
Correspond to the first stage, the second stage, to the nth stage, respectively. Each shift register SR has a first clock terminal 41 and a second clock terminal 42. For example,
In the shift register SR1, C is used as the first clock signal.
1 is input to the first clock terminal 41, and C3 is input to the second clock terminal 42 as the second clock signal. In the shift register SR2, C3 is used as the first clock signal.
Is input to the first clock terminal 41, and C2 is input to the second clock terminal 42 as the second clock signal.

【0035】シフトレジスタSR1にはスタート信号S
TPが入力信号INとして入力され、第2〜第nステー
ジのシフトレジスタSRには前段のシフトレジスタから
の出力信号が入力信号INとして入力される。スタート
信号STPは、垂直シフトレジスタ22では垂直スター
ト信号STVであり、水平シフトレジスタ32では水平
スタート信号STHである。
The start signal S is applied to the shift register SR1.
TP is input as the input signal IN, and the output signal from the shift register in the previous stage is input as the input signal IN in the shift registers SR in the second to nth stages. The start signal STP is the vertical start signal STV in the vertical shift register 22 and the horizontal start signal STH in the horizontal shift register 32.

【0036】各シフトレジスタSRは、入力信号INの
位相を2つのクロック信号に同期してシフトさせた出力
信号OUTを出力する。垂直シフトレジスタ22は、各
シフトレジスタSRからの出力信号OUTを垂直走査パ
ルスとして各走査線Gに出力し、水平シフトレジスタ3
2は、各シフトレジスタSRからの出力信号OUTを水
平走査パルスとして各アナログスイッチ34に出力す
る。
Each shift register SR outputs an output signal OUT obtained by shifting the phase of the input signal IN in synchronization with two clock signals. The vertical shift register 22 outputs the output signal OUT from each shift register SR to each scanning line G as a vertical scanning pulse, and the horizontal shift register 3
2 outputs the output signal OUT from each shift register SR to each analog switch 34 as a horizontal scanning pulse.

【0037】図7は、シフトレジスタの構成を示す回路
図である。本シフトレジスタは、出力回路、入力回路、
リセット回路、反転防止回路を有する構成であり、9個
のトランジスタで形成される。一例として、トランジス
タは全てpMOSトランジスタとする。
FIG. 7 is a circuit diagram showing the structure of the shift register. This shift register has an output circuit, an input circuit,
It has a reset circuit and an inversion prevention circuit, and is formed by nine transistors. As an example, all the transistors are pMOS transistors.

【0038】出力回路は、第1トランジスタT1と第2
トランジスタT2により構成される。第1トランジスタ
T1のドレインは第1クロック端子41に、ソースは出
力端子44にそれぞれ電気的に接続される。この第1ト
ランジスタT1は、本ブートストラップ回路に相当す
る。すなわち、第1トランジスタT1は、そのゲート・
ドレイン間に容量Cが接続され、さらにソース電極がゲ
ート電極の位置まで延出された構成である。第2トラン
ジスタT2のソースは電圧電極46に、ドレインは出力
端子44にそれぞれ電気的に接続される。第1クロック
端子41には第1クロック信号C1が入力され、電圧電
極46にはハイレベルの電源電圧VDDが供給される。
出力回路は、第1トランジスタT1がオンで第2トラン
ジスタT2がオフのときは、第1クロック信号C1を出
力端子44へ出力し、第1トランジスタT1がオフで第
2トランジスタT2がオンのときは、電源電圧VDDを
出力端子44へ出力する。
The output circuit includes a first transistor T1 and a second transistor T1.
It is composed of a transistor T2. The drain of the first transistor T1 is electrically connected to the first clock terminal 41, and the source thereof is electrically connected to the output terminal 44. The first transistor T1 corresponds to the bootstrap circuit. That is, the first transistor T1 has its gate
The capacitor C is connected between the drains, and the source electrode is extended to the position of the gate electrode. The source of the second transistor T2 is electrically connected to the voltage electrode 46, and the drain thereof is electrically connected to the output terminal 44. The first clock signal C1 is input to the first clock terminal 41, and the high-level power supply voltage VDD is supplied to the voltage electrode 46.
The output circuit outputs the first clock signal C1 to the output terminal 44 when the first transistor T1 is on and the second transistor T2 is off, and when the first transistor T1 is off and the second transistor T2 is on. , And outputs the power supply voltage VDD to the output terminal 44.

【0039】入力回路は、第3トランジスタT3と第4
トランジスタT4により構成される。第3トランジスタ
T3のドレイン及びゲートは入力端子43に、ソースは
第1トランジスタT1の制御電極にそれぞれ電気的に接
続される。また、第4トランジスタT4のソースは電圧
電極46に、ドレインは第2トランジスタT2の制御電
極に、ゲートは入力端子43にそれぞれ電気的に接続さ
れる。入力回路は、入力端子43を通じて入力信号IN
を受ける。ここでは、第1トランジスタT1の制御電極
への導電パスのことをノードn11、第2トランジスタ
T2の制御電極への導電パスのことをノードn12と表
す。
The input circuit includes a third transistor T3 and a fourth transistor T3.
It is composed of a transistor T4. The drain and gate of the third transistor T3 are electrically connected to the input terminal 43, and the source thereof is electrically connected to the control electrode of the first transistor T1. The source of the fourth transistor T4 is electrically connected to the voltage electrode 46, the drain thereof is electrically connected to the control electrode of the second transistor T2, and the gate thereof is electrically connected to the input terminal 43. The input circuit inputs the input signal IN through the input terminal 43.
Receive. Here, the conductive path to the control electrode of the first transistor T1 is represented as a node n11, and the conductive path to the control electrode of the second transistor T2 is represented as a node n12.

【0040】リセット回路は、第5トランジスタT5と
第6トランジスタT6により構成される。第5トランジ
スタT5のドレイン及びゲートは第2クロック端子42
に、ソースは第2トランジスタT2の制御電極にそれぞ
れ電気的に接続される。また、第6トランジスタT6の
ドレインは、第1トランジスタT1の制御電極に、ゲー
トは第2トランジスタT2の制御電極に、ソースは電圧
電極46にそれぞれ電気的に接続される。第2クロック
端子42には第2クロック信号C2が入力される。リセ
ット回路は、第1トランジスタT1又は第2トランジス
タT2のいずれか一方をオンし、他方をオフする。
The reset circuit is composed of a fifth transistor T5 and a sixth transistor T6. The drain and gate of the fifth transistor T5 are the second clock terminal 42.
The source is electrically connected to the control electrode of the second transistor T2. The drain of the sixth transistor T6 is electrically connected to the control electrode of the first transistor T1, the gate is electrically connected to the control electrode of the second transistor T2, and the source is electrically connected to the voltage electrode 46. The second clock signal C2 is input to the second clock terminal 42. The reset circuit turns on one of the first transistor T1 and the second transistor T2 and turns off the other.

【0041】反転防止回路は、第7トランジスタT7と
第8トランジスタT8により構成される。第7トランジ
スタT7のゲートは第1トランジスタT1の制御電極
に、ソースは電圧電極46にそれぞれ電気的に接続され
る。第8トランジスタT8のゲートは第1クロック端子
41に、ドレインは第2トランジスタT2の制御電極
に、ソースは第7トランジスタT7のドレインにそれぞ
れ電気的に接続される。反転防止回路は、第1トランジ
スタT1がオンで第2トランジスタT2がオフの状態に
おいて、第1クロック信号C1の電圧がハイレベルから
ローレベルに反転する場合に、第2トランジスタT2の
制御電極がフローティング状態であることに起因して第
2トランジスタT2の制御電極における電圧レベルが反
転してしまうことを防止する。ここで、フローティング
状態とは、電源電圧が供給されていないために電位が変
動しやすくなっている状態をいう。
The inversion prevention circuit is composed of a seventh transistor T7 and an eighth transistor T8. The gate of the seventh transistor T7 is electrically connected to the control electrode of the first transistor T1, and the source thereof is electrically connected to the voltage electrode 46. The gate of the eighth transistor T8 is electrically connected to the first clock terminal 41, the drain thereof is electrically connected to the control electrode of the second transistor T2, and the source thereof is electrically connected to the drain of the seventh transistor T7. The inversion prevention circuit causes the control electrode of the second transistor T2 to float when the voltage of the first clock signal C1 is inverted from high level to low level when the first transistor T1 is on and the second transistor T2 is off. It is prevented that the voltage level at the control electrode of the second transistor T2 is inverted due to the state. Here, the floating state means a state in which the potential easily changes because the power supply voltage is not supplied.

【0042】第9トランジスタT9は、ノードn11上
に配置され、そのソースは第3トランジスタT3のソー
スと第6トランジスタT6のドレインの接続点に、ドレ
インは第1トランジスタT1の制御電極に、ゲートは電
源電圧VSSにそれぞれ電気的に接続される。第9トラ
ンジスタT9は常にオン状態である。ここでは、第9ト
ランジスタT9のソースへの導電パスのことをノードn
13と表す。
The ninth transistor T9 is arranged on the node n11, the source of which is the connection point between the source of the third transistor T3 and the drain of the sixth transistor T6, the drain is the control electrode of the first transistor T1, and the gate is the gate. Each is electrically connected to the power supply voltage VSS. The ninth transistor T9 is always on. Here, the conductive path to the source of the ninth transistor T9 is referred to as the node n.
It is expressed as 13.

【0043】次に、このように構成されたシフトレジス
タの動作について図8のタイミングチャートを用いて説
明する。
Next, the operation of the shift register thus configured will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0044】時刻t1以前では、入力信号INの電位が
ハイレベルであるため、第3トランジスタT3および第
4トランジスタT4はオフ状態である。このため、第2
クロック信号C2の電位がハイレベルかローレベルかに
関係なく、ノードn12の電位はローレベルであり、第
2トランジスタT2はオン状態である。また、第6トラ
ンジスタT6および第9トランジスタT9もオン状態で
あり、ノードn11およびノードn13の電位はハイレ
ベルであるので、第1トランジスタT1はオフ状態であ
る。このように、第1トランジスタT1がオフ状態で、
第2トランジスタT2がオン状態であるので、第1クロ
ック信号C1がハイレベルかローレベルかに関わらず、
出力端子44には第2トランジスタT2を通じて電源電
圧VDDが出力される。
Before the time t1, the potential of the input signal IN is at the high level, so that the third transistor T3 and the fourth transistor T4 are in the off state. Therefore, the second
Regardless of whether the potential of the clock signal C2 is high level or low level, the potential of the node n12 is low level and the second transistor T2 is on. Further, the sixth transistor T6 and the ninth transistor T9 are also in the ON state, and the potentials of the nodes n11 and n13 are at the high level, so the first transistor T1 is in the OFF state. In this way, when the first transistor T1 is off,
Since the second transistor T2 is on, regardless of whether the first clock signal C1 is at high level or low level,
The power supply voltage VDD is output to the output terminal 44 through the second transistor T2.

【0045】時刻t1〜t2の期間では、入力信号IN
の電位がローレベルとなり、クロック信号C1,C2の
電位はハイレベルを維持する。このため、第3トランジ
スタT3および第4トランジスタT4がオンする。第4
トランジスタT4を通じてノードn12の電位がハイレ
ベルになるので、第2トランジスタT2および第6トラ
ンジスタT6がオフする。第3トランジスタT3を通じ
てノードn13およびノードn11の電位がローレベル
となるので、第1トランジスタT1はオンする。このよ
うに、第1トランジスタT1がオンし、第2トランジス
タT2がオフするので、出力端子44には第1トランジ
スタT1を通じてハイレベルのクロック信号C1が出力
される。
During the period from time t1 to t2, the input signal IN
Becomes a low level, and the potentials of the clock signals C1 and C2 maintain a high level. Therefore, the third transistor T3 and the fourth transistor T4 are turned on. Fourth
Since the potential of the node n12 becomes high level through the transistor T4, the second transistor T2 and the sixth transistor T6 are turned off. Since the potentials of the node n13 and the node n11 become low level through the third transistor T3, the first transistor T1 is turned on. Since the first transistor T1 is turned on and the second transistor T2 is turned off in this way, the high-level clock signal C1 is output to the output terminal 44 through the first transistor T1.

【0046】時刻t2〜t3の期間では、入力信号IN
の電位がハイレベルとなり、クロック信号C1,C2の
電位はハイレベルを維持する。このため、第3トランジ
スタT3および第4トランジスタT4がオフする。これ
によって、ノードn11およびノードn12はフローテ
ィング状態となる。ノードn11は、第1トランジスタ
T1のゲート・ドレイン間あるいはゲート・ソース間の
寄生容量によって、ローレベルの電位が維持される。ノ
ードn12は、同様に第2トランジスタT2の寄生容量
によってハイレベルの電位が維持される。よって、第1
トランジスタT1はオン状態、第2トランジスタT2は
オフ状態をそれぞれ維持するので、出力端子44には第
1トランジスタT1を通じて第1クロック信号C1によ
るハイレベルの電位が出力される。
During the period from time t2 to t3, the input signal IN
Becomes high level, and the potentials of the clock signals C1 and C2 maintain high level. Therefore, the third transistor T3 and the fourth transistor T4 are turned off. As a result, the nodes n11 and n12 are brought into a floating state. The node n11 maintains a low level potential due to the parasitic capacitance between the gate and drain or between the gate and source of the first transistor T1. Similarly, the node n12 maintains a high level potential due to the parasitic capacitance of the second transistor T2. Therefore, the first
Since the transistor T1 maintains the ON state and the second transistor T2 maintains the OFF state, a high-level potential according to the first clock signal C1 is output to the output terminal 44 through the first transistor T1.

【0047】時刻t3〜t4の期間では、クロック信号
C1の電位がローレベルとなり、入力信号IN、クロッ
ク信号C2の電位はハイレベルを維持する。第1トラン
ジスタT1には寄生容量Ccomが形成されていないこ
とから、第1クロック信号C1の電位変動が容量Cを介
してフローティング状態にあるノードn11に十分に伝
えられるので、第1トランジスタT1のゲートの電位
は、VSSよりもさらに低い電位へ引き下げられる。こ
れにより、出力端子44には第1トランジスタT1を通
じて第1クロック信号C1によるローレベルの電位が十
分に低い状態で出力される。
During the period from time t3 to t4, the potential of the clock signal C1 becomes low level, and the potentials of the input signal IN and the clock signal C2 maintain high level. Since the parasitic capacitance Ccom is not formed in the first transistor T1, the potential fluctuation of the first clock signal C1 is sufficiently transmitted to the node n11 in the floating state via the capacitance C, and thus the gate of the first transistor T1 is Is pulled down to a potential lower than VSS. As a result, the low-level potential of the first clock signal C1 is output to the output terminal 44 through the first transistor T1 in a sufficiently low state.

【0048】ところで、出力信号OUTがハイレベルか
らローレベルに反転すると、フローティング状態にある
n12がこの影響を受けてローレベルに反転してしま
い、第2トランジスタT2がオンするという不具合が生
じる。これを防止するため、反転防止回路では、ノード
n11がハイレベルのときに第7トランジスタT7がオ
ンし、第1クロック信号C1がローレベルのときに第8
トランジスタT8がオンするようになっている。これに
より、トランジスタT7,T8を通じて電源電圧VDD
をノードn12に供給するようにして、ノードn12の
電位が反転することを防止している。
By the way, when the output signal OUT is inverted from the high level to the low level, the floating state n12 is affected by this and is inverted to the low level, and the second transistor T2 is turned on. In order to prevent this, in the inversion prevention circuit, the seventh transistor T7 is turned on when the node n11 is at high level, and the eighth transistor T7 is turned on when the first clock signal C1 is at low level.
The transistor T8 is turned on. This causes the power supply voltage VDD to pass through the transistors T7 and T8.
Are supplied to the node n12 to prevent the potential of the node n12 from being inverted.

【0049】時刻t4〜t5の期間では、クロック信号
C1の電位がハイレベルとなり、入力信号IN、クロッ
ク信号C2の電位はハイレベルを維持する。このとき、
第1トランジスタT1の容量Cを介してノードn11の
電位は通常のローレベルに引き戻される。第1トランジ
スタT1は依然としてオン状態であり、出力端子44に
は第1トランジスタT1を通じて第1クロック信号C1
によるハイレベルの電位が出力される。
During the period from time t4 to t5, the potential of the clock signal C1 becomes high level, and the potentials of the input signal IN and the clock signal C2 maintain high level. At this time,
The potential of the node n11 is returned to the normal low level via the capacitance C of the first transistor T1. The first transistor T1 is still on, and the output terminal 44 receives the first clock signal C1 through the first transistor T1.
The high level electric potential is output.

【0050】時刻t5〜t6の期間では、クロック信号
C2の電位がローレベルとなり、入力信号IN、クロッ
ク信号C2の電位はハイレベルを維持する。このとき、
第5トランジスタT5がオンし、ノードn12の電位が
ローレベルとなる。
During the period from time t5 to t6, the potential of the clock signal C2 becomes low level, and the potentials of the input signal IN and the clock signal C2 maintain high level. At this time,
The fifth transistor T5 is turned on, and the potential of the node n12 becomes low level.

【0051】時刻t6以降では、入力信号INがローレ
ベルにならない限り、ノードn11はハイレベルの電位
を維持し、ノードn12はローレベルの電位を維持す
る。よって、出力端子44には第2トランジスタT2を
通じて電源電圧VDDが出力される。以上の動作にて、
一連のパルス動作が完了する。
After the time t6, the node n11 maintains the high level potential and the node n12 maintains the low level potential unless the input signal IN becomes the low level. Therefore, the power supply voltage VDD is output to the output terminal 44 through the second transistor T2. With the above operation,
A series of pulse operations is completed.

【0052】次に、本ブートストラップ回路をレベルシ
フタ25,35の出力回路に適用した場合について図9
の回路図を用いて説明する。
Next, the case where this bootstrap circuit is applied to the output circuits of the level shifters 25 and 35 is shown in FIG.
This will be described with reference to the circuit diagram of FIG.

【0053】同図のレベルシフタは、7個のトランジス
タにより構成される。各トランジスタには全てpMOS
トランジスタが用いられる。
The level shifter shown in the figure is composed of seven transistors. All transistors have pMOS
A transistor is used.

【0054】レベルシフタの出力回路は、第11トラン
ジスタT11と第12トランジスタT12により構成さ
れる。この第11トランジスタT11に本ブートストラ
ップ回路が適用される。すなわち、第11トランジスタ
T11のゲート・ソース間に容量Cが接続され、そのソ
ース電極がゲート電極の位置まで延出された構成となっ
ている。第11トランジスタT11のソースと第12ト
ランジスタT12のドレインの接続点から出力信号OU
Tが出力される。第11トランジスタT11のドレイン
には電源電圧VSSが接続され、第12トランジスタT
12のソースには電源電圧VDDが接続される。
The output circuit of the level shifter is composed of an eleventh transistor T11 and a twelfth transistor T12. The bootstrap circuit is applied to the eleventh transistor T11. That is, the capacitance C is connected between the gate and the source of the eleventh transistor T11, and the source electrode thereof extends to the position of the gate electrode. The output signal OU is output from the connection point between the source of the eleventh transistor T11 and the drain of the twelfth transistor T12.
T is output. The power supply voltage VSS is connected to the drain of the eleventh transistor T11,
The power source voltage VDD is connected to the source of 12.

【0055】レベルシフタの入力回路は、第15トラン
ジスタT15、第16トランジスタT16、第17トラ
ンジスタT17により構成される。第16トランジスタ
T16のゲートおよび第17トランジスタT17のゲー
トには入力信号INが入力され、第15トランジスタT
15のゲートには入力信号INを反転させた反転入力信
号/INが入力される。第15トランジスタT15のソ
ースと第16トランジスタT16のドレインの接続点は
第12トランジスタT12のゲートに接続される。この
導電パスのことをここではn21という。第15トラン
ジスタT15のドレインは電源電圧VSSに接続され、
第16トランジスタT16のソースは電源電圧VDDに
接続される。第17トランジスタT17のソースは第1
1トランジスタのゲートに接続される。この導電パスの
ことをここではノードn22という。第17トランジス
タT17のドレインは電源電圧VSSに接続される。
The input circuit of the level shifter is composed of a fifteenth transistor T15, a sixteenth transistor T16 and a seventeenth transistor T17. The input signal IN is input to the gates of the sixteenth transistor T16 and the seventeenth transistor T17, and
An inverted input signal / IN obtained by inverting the input signal IN is input to the gate of 15. The connection point between the source of the fifteenth transistor T15 and the drain of the sixteenth transistor T16 is connected to the gate of the twelfth transistor T12. This conductive path is referred to as n21 here. The drain of the fifteenth transistor T15 is connected to the power supply voltage VSS,
The source of the 16th transistor T16 is connected to the power supply voltage VDD. The source of the seventeenth transistor T17 is the first
Connected to the gate of one transistor. This conductive path is referred to as a node n22 here. The drain of the seventeenth transistor T17 is connected to the power supply voltage VSS.

【0056】レベルシフタはさらに第13トランジスタ
T13と第14トランジスタT14を備える。第13ト
ランジスタT13のドレインはノードn22に接続さ
れ、ゲートは電源電圧VSSに接続される。第14トラ
ンジスタT14のドレインは第13トランジスタT13
のソースに接続され、ゲートはノードn21に接続さ
れ、ソースは電源電圧VDDに接続される。
The level shifter further includes a thirteenth transistor T13 and a fourteenth transistor T14. The thirteenth transistor T13 has a drain connected to the node n22 and a gate connected to the power supply voltage VSS. The drain of the fourteenth transistor T14 is the thirteenth transistor T13.
, The gate is connected to the node n21, and the source is connected to the power supply voltage VDD.

【0057】このような構成のレベルシフタの第16ト
ランジスタT16に入力信号INが入力され、第15ト
ランジスタT15に反転入力信号/INが入力される
と、ノードn21にはトランジスタT15及びT16に
よって増幅された入力信号INの反転信号が出力され、
第14トランジスタT14に増幅された入力信号INの
反転信号が入力される。第17トランジスタT17には
入力信号INが入力されるので、ノードn22には入力
信号INが増幅して出力される。これによって、第11
トランジスタT11に入力信号INの増幅信号が入力さ
れ、第12トランジスタT12に増幅された入力信号I
Nの反転信号が入力されることとなり、さらに増幅され
た入力信号INが出力信号OUTとして出力される。こ
の際、出力信号OUTの電位がローレベルとなるときに
は、本ブートストラップ回路が適用された第11トラン
ジスタT11により、出力信号OUTを十分に低い電位
で出力することが可能となる。
When the input signal IN is input to the sixteenth transistor T16 and the inverted input signal / IN is input to the fifteenth transistor T15 of the level shifter having such a configuration, the node n21 is amplified by the transistors T15 and T16. An inverted signal of the input signal IN is output,
The inverted signal of the amplified input signal IN is input to the fourteenth transistor T14. Since the input signal IN is input to the seventeenth transistor T17, the input signal IN is amplified and output to the node n22. By this, the eleventh
The amplified signal of the input signal IN is input to the transistor T11, and the amplified input signal I is input to the twelfth transistor T12.
The inverted signal of N is input, and the further amplified input signal IN is output as the output signal OUT. At this time, when the potential of the output signal OUT becomes low level, the eleventh transistor T11 to which the present bootstrap circuit is applied can output the output signal OUT at a sufficiently low potential.

【0058】したがって、本実施の形態によれば、pM
OSトランジスタのソース電極53をゲート電極51に
対応する位置まで延出するようにしたことで、対向電極
14に対してゲート電極51の露出している部分がソー
ス電極53で覆われるようなるので、ゲート電極51と
対向電極14との間に寄生容量Ccomが形成されるこ
とを防止することができる。
Therefore, according to the present embodiment, pM
Since the source electrode 53 of the OS transistor is extended to the position corresponding to the gate electrode 51, the exposed portion of the gate electrode 51 with respect to the counter electrode 14 is covered with the source electrode 53. It is possible to prevent the parasitic capacitance Ccom from being formed between the gate electrode 51 and the counter electrode 14.

【0059】これによって、出力信号OUTの電位変化
が容量Cを介してpMOSトランジスタのゲート電極5
1に十分伝わるようになるので、出力信号OUTがロー
レベルとなるときには、その立下り時間が速くなり、か
つ十分に低い電圧で出力することができる。
As a result, the potential change of the output signal OUT changes via the capacitance C into the gate electrode 5 of the pMOS transistor.
Therefore, when the output signal OUT has a low level, the fall time is short and the output signal OUT can be output at a sufficiently low voltage.

【0060】なお、本実施の形態においては、シフトレ
ジスタやレベルシフタを構成するトランジスタとして全
てpMOSトランジスタを用いることとしたが、pMO
Sトランジスタに代えてnMOSトランジスタを用いる
ようにしてもよい。この場合には、pMOSトランジス
タに対して各信号のハイレベルとローレベルを反転させ
て用いるようにする。この構成によっても、上記と同様
の効果を奏することができる。
In the present embodiment, pMOS transistors are used as the transistors forming the shift register and the level shifter.
An nMOS transistor may be used instead of the S transistor. In this case, the high level and low level of each signal are inverted and used for the pMOS transistor. With this configuration, the same effect as described above can be obtained.

【0061】また、本実施の形態においては、本ブート
ストラップ回路の平面表示装置への適用例として、本ブ
ートストラップ回路をアレイ基板上に備えた液晶表示装
置について説明したが、本ブートストラップ回路は、対
向配置された第1電極基板と第2電極基板の間に有機E
Lを保持した構造の平面表示装置にも適用することがで
きる。この場合、有機ELは表示層に相当する。
In the present embodiment, the liquid crystal display device having the bootstrap circuit on the array substrate has been described as an application example of the bootstrap circuit to the flat display device. , Organic E between the first electrode substrate and the second electrode substrate which are arranged opposite to each other.
It can also be applied to a flat display device having a structure holding L. In this case, the organic EL corresponds to the display layer.

【0062】更に、シフトレジスタやレベルシフタの回
路構成は請求項を満足する範囲において、本実施の形態
に記載された構成に限られないことは言うまでもない。
Further, it goes without saying that the circuit configurations of the shift register and the level shifter are not limited to the configurations described in the present embodiment as long as the claims are satisfied.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係るブ
ートストラップ回路、平面表示装置によれば、トランジ
スタの出力電極を制御電極に対応する位置まで延出する
ようにしたことで、対向電極に対して制御電極の露出し
ている部分が出力電極で覆われるようになるので、制御
電極と対向電極との間に寄生容量が形成されることを防
止することができる。
As described above, according to the bootstrap circuit and the flat panel display device of the present invention, the output electrode of the transistor is extended to the position corresponding to the control electrode. On the other hand, since the exposed portion of the control electrode is covered with the output electrode, it is possible to prevent parasitic capacitance from being formed between the control electrode and the counter electrode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】一実施の形態におけるブートストラップ回路の
基板上のレイアウトを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a layout of a bootstrap circuit on a substrate according to an embodiment.

【図2】図1に示すブートストラップ回路のA'−A'部
分の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of an A′-A ′ portion of the bootstrap circuit shown in FIG.

【図3】上記ブートストラップ回路の動作を示すタイミ
ングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the bootstrap circuit.

【図4】上記ブートストラップ回路を適用した液晶表示
装置の構成を示す回路ブロック図である。
FIG. 4 is a circuit block diagram showing a configuration of a liquid crystal display device to which the bootstrap circuit is applied.

【図5】上記液晶表示装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device.

【図6】上記液晶表示装置の駆動回路に用いられる3位
相シフトレジスタの構成を示す回路ブロック図である。
FIG. 6 is a circuit block diagram showing a configuration of a three-phase shift register used in a drive circuit of the liquid crystal display device.

【図7】上記3位相シフトレジスタに用いられるシフト
レジスタの構成を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a shift register used in the three-phase shift register.

【図8】上記シフトレジスタの動作を示すタイミングチ
ャートである。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the shift register.

【図9】上記液晶表示装置の駆動回路に用いられるレベ
ルシフタの構成を示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a level shifter used in a drive circuit of the liquid crystal display device.

【図10】従来のブートストラップ回路の概略構成を示
す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a conventional bootstrap circuit.

【図11】従来のブートストラップ回路の動作波形を示
す図である。
FIG. 11 is a diagram showing operation waveforms of a conventional bootstrap circuit.

【図12】従来のブートストラップ回路の別の概略構成
を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing another schematic configuration of a conventional bootstrap circuit.

【図13】従来のブートストラップ回路の基板上のレイ
アウトを示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing a layout of a conventional bootstrap circuit on a substrate.

【図14】図13に示すブートストラップ回路のB−
B'部分の断面図である。
FIG. 14 is a B- of the bootstrap circuit shown in FIG.
It is a sectional view of a B'portion.

【図15】従来のブートストラップ回路を平面表示装置
に適用したときの等価回路を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing an equivalent circuit when a conventional bootstrap circuit is applied to a flat panel display device.

【図16】従来のブートストラップ回路を平面表示装置
に適用したときの動作を示すタイミングチャートであ
る。
FIG. 16 is a timing chart showing an operation when a conventional bootstrap circuit is applied to a flat panel display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…アレイ基板 11…画素部 12…画素トランジスタ 13…画素電極 14…対向基板 15…液晶層 16…対向基板 17…シール材 21…走査線駆動回路 22…垂直シフトレジスタ 31…信号線駆動回路 32…水平シフトレジスタ 33…映像信号バス 34…アナログスイッチ 25,35…レベルシフタ 41…第1クロック端子 42…第2クロック端子 46…電圧電極 51…ゲート電極 52…ドレイン電極 53…ソース電極 54…チャネル層 55…ゲート絶縁膜 56…層間絶縁膜 43,71…入力端子 44,72…出力端子 C…容量 Ccom…寄生容量 Cs…補助容量 G1〜Gn…走査線 S1〜Sn…信号線 Tr1,Tr2…トランジスタ Tr11,Tr12…トランジスタ T1〜T9…トランジスタ T11〜T17…トランジスタ T21〜…トランジスタ SR1〜SRn…シフトレジスタ VDD…ハイレベルの電源電圧 VSS…ローレベルの電源電圧 Vth…閾値電圧 10 ... Array substrate 11 ... Pixel part 12 ... Pixel transistor 13 ... Pixel electrode 14 ... Counter substrate 15 ... Liquid crystal layer 16 ... Counter substrate 17 ... Sealing material 21 ... Scan line drive circuit 22 ... Vertical shift register 31 ... Signal line drive circuit 32 ... Horizontal shift register 33 ... Video signal bus 34 ... Analog switch 25, 35 ... Level shifter 41 ... First clock terminal 42 ... Second clock terminal 46 ... Voltage electrode 51 ... Gate electrode 52 ... Drain electrode 53 ... Source electrode 54 ... Channel layer 55 ... Gate insulating film 56 ... Interlayer insulating film 43, 71 ... Input terminals 44, 72 ... Output terminals C ... capacity Ccom ... parasitic capacitance Cs ... auxiliary capacity G1 to Gn ... scanning lines S1 to Sn ... Signal line Tr1, Tr2 ... Transistor Tr11, Tr12 ... Transistor T1 to T9 ... Transistor T11 to T17 ... Transistor T21 -... transistor SR1 to SRn ... Shift register VDD ... High-level power supply voltage VSS: Low level power supply voltage Vth ... threshold voltage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 G09G 3/20 621M 5J056 622 622E 623 623H 624 624B 3/36 3/36 H03K 19/0175 H03K 19/094 C 19/094 19/00 101A Fターム(参考) 2H092 GA59 JA25 JA29 JA46 JB13 JB32 JB35 JB38 JB58 KA04 MA12 MA35 MA37 NA25 NA29 NA30 2H093 NA16 NC34 NC90 ND12 ND36 ND48 ND55 5C006 AF46 AF50 BB16 BC03 BC11 BC20 BF03 BF46 EB05 FA18 FA21 FA37 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 DD08 DD09 DD25 DD28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5C094 AA21 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 EA05 FA01 5J056 AA05 BB05 CC18 CC21 DD12 DD28 DD52 FF01 FF08 GG13 KK01 KK02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/20 G09G 3/20 621M 5J056 622 622E 623 623H 624 624B 3/36 3/36 H03K 19/0175 H03K 19/094 C 19/094 19/00 101A F term (reference) 2H092 GA59 JA25 JA29 JA46 JB13 JB32 JB35 JB38 JB58 KA04 MA12 MA35 MA37 NA25 NA29 NA30 2H093 NA16 NC34 NC90 ND12 ND36 ND48 ND55 5C006 AF46 BC11 BC20 BC03 AF46 BC11 BC20 EB05 FA18 FA21 FA37 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 DD08 DD09 DD25 DD28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5C094 AA21 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 EA05 FA01 5J056 AA05 BB05 CC18 CC21 DD12 DD28 DD52 FF01 KK08 KK KK

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランジスタの制御電極と入力電極又は
出力電極との間に容量が設けられたブートストラップ回
路において、 前記出力電極が前記制御電極の位置まで延出されたこと
を特徴とするブートストラップ回路。
1. A bootstrap circuit in which a capacitance is provided between a control electrode of a transistor and an input electrode or an output electrode, wherein the output electrode extends to a position of the control electrode. circuit.
【請求項2】 トランジスタの制御電極と入力電極又は
出力電極との間に容量が設けられ、前記出力電極が前記
制御電極の位置まで延出されたブートストラップ回路を
備えた第1電極基板と、 前記第1電極基板に対向配置された第2電極基板と、 前記第1電極基板と前記第2電極基板との間に保持され
た表示層と、 を有することを特徴とする平面表示装置。
2. A first electrode substrate having a bootstrap circuit, wherein a capacitance is provided between a control electrode of a transistor and an input electrode or an output electrode, and the output electrode extends to a position of the control electrode. A flat display device comprising: a second electrode substrate that is arranged to face the first electrode substrate; and a display layer that is held between the first electrode substrate and the second electrode substrate.
【請求項3】 前記ブートストラップ回路は、画素トラ
ンジスタに用いられることを特徴とする請求項2記載の
平面表示装置。
3. The flat panel display device according to claim 2, wherein the bootstrap circuit is used for a pixel transistor.
【請求項4】 前記ブートストラップ回路は、駆動回路
に含まれるシフトレジスタの出力回路に用いられること
を特徴とする請求項2又は3記載の平面表示装置。
4. The flat panel display device according to claim 2, wherein the bootstrap circuit is used in an output circuit of a shift register included in a driving circuit.
【請求項5】 前記ブートストラップ回路は、駆動回路
に含まれるレベルシフタの出力回路に用いられることを
特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の平面表示
装置。
5. The flat panel display device according to claim 2, wherein the bootstrap circuit is used in an output circuit of a level shifter included in a drive circuit.
【請求項6】 前記シフトレジスタは、第1クロック端
子と出力端子間の導電パスをもつ第1トランジスタと、
前記出力端子と第1電圧電極間の導電パスをもつ第2ト
ランジスタとを有する出力回路と、 入力端子と前記第1トランジスタの制御電極間の導電パ
スをもつ第3トランジスタと、前記第1電圧電極と前記
第2トランジスタの制御電極間の導電パスと前記入力端
子への導電パスをもつ第4トランジスタとを有する入力
回路と、 第2クロック端子と前記第2トランジスタの制御電極間
の導電パスをもつ第5トランジスタと、前記第1電圧電
極と前記第1トランジスタの制御電極間の導電パスと前
記第2トランジスタの制御電極への導電パスをもつ第6
トランジスタとを有するリセット回路と、 前記第1トランジスタの制御電極への導電パスと前記第
1電圧電極への導電パスをもつ第7トランジスタと、前
記第7トランジスタと前記第2トランジスタの制御電極
間の導電パスと前記第1クロック端子への導電パスをも
つ第8トランジスタを有する反転防止回路と、を有する
ことを特徴とする請求項4記載の平面表示装置。
6. The shift register includes a first transistor having a conductive path between a first clock terminal and an output terminal,
An output circuit having a second transistor having a conductive path between the output terminal and a first voltage electrode, a third transistor having a conductive path between the input terminal and a control electrode of the first transistor, and the first voltage electrode An input circuit having a conductive path between the control electrode of the second transistor and a conductive path to the input terminal, and a conductive path between the second clock terminal and the control electrode of the second transistor. A sixth transistor having a fifth transistor, a conductive path between the first voltage electrode and the control electrode of the first transistor, and a conductive path to the control electrode of the second transistor.
A reset circuit having a transistor, a seventh transistor having a conductive path to the control electrode of the first transistor and a conductive path to the first voltage electrode, and a control electrode between the seventh transistor and the control electrode of the second transistor. 5. The flat panel display device according to claim 4, further comprising: an inversion prevention circuit having an eighth transistor having a conductive path and a conductive path to the first clock terminal.
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