JP2009205412A - Dramコントローラおよびメモリシステム - Google Patents
Dramコントローラおよびメモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009205412A JP2009205412A JP2008046706A JP2008046706A JP2009205412A JP 2009205412 A JP2009205412 A JP 2009205412A JP 2008046706 A JP2008046706 A JP 2008046706A JP 2008046706 A JP2008046706 A JP 2008046706A JP 2009205412 A JP2009205412 A JP 2009205412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- burst
- transfer
- length
- dram
- master
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Memory System (AREA)
Abstract
【課題】バスを介したマスタとDRAMとのバースト転送において長いバースト長の転送が可能であり、メモリの使用効率の向上させることが可能なDRAMコントローラを提供する。
【解決手段】バースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ複数のマスタが接続された状態において一の前記マスタからの処理要求への対応時には他の前記マスタからの処理要求には対応せずにデータの伝送を行うバスと、前記マスタとの間でバースト転送を行うDRAMと、を接続して、前記マスタと前記DRAMとの間のバースト転送を制御するDRAMコントローラであって、前記マスタから不定長バースト転送の要求を受け取った場合に、前記不定長バースト転送の要求を行ったマスタと前記DRAMとの間のバースト転送を、予め決められた模擬的なバースト長だけ実行して不定長バースト転送を終了する。
【選択図】 図2
【解決手段】バースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ複数のマスタが接続された状態において一の前記マスタからの処理要求への対応時には他の前記マスタからの処理要求には対応せずにデータの伝送を行うバスと、前記マスタとの間でバースト転送を行うDRAMと、を接続して、前記マスタと前記DRAMとの間のバースト転送を制御するDRAMコントローラであって、前記マスタから不定長バースト転送の要求を受け取った場合に、前記不定長バースト転送の要求を行ったマスタと前記DRAMとの間のバースト転送を、予め決められた模擬的なバースト長だけ実行して不定長バースト転送を終了する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、DRAMコントローラおよびメモリシステムに関するものである。
近年、不揮発性半導体メモリは、大型コンピュータから、パーソナルコンピュータ、家電製品、携帯電話等、様々な所で利用されている。特に、NAND型フラッシュメモリは、電気的に書き換えが可能であり、不揮発性、大容量化、高集積化が可能な半導体メモリであり、最近では、ハードディスクドライブ(HDD)の置き換え用途としても考えられている。
このような不揮発性半導体メモリを用いたメモリシステムにおいては、データを一時貯蔵するためのバッファメモリが設けられ、メモリシステム内のマスタとバッファメモリとの間でデータの転送処理が行われる。この転送処理を効率的に行うことがメモリシステムの性能向上のために重要である。
このようなバッファメモリとマスタとの間の転送処理に関する技術としては、例えばバスを介して接続された複数のマスタが一つの共有メモリにアクセスしてデータ転送を行うに際し、各マスタのコマンドを先入れ先出しでFIFOに格納した後、FIFOからコマンドを先入れ先出しで取り出して共有メモリに対するデータ転送を実行することで、複数のバスマスタと共有メモリ間のデータ転送を回路規模が小さく簡単な制御回路(FIFO)により行う技術などが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
ここで、バッファメモリ(共有メモリ)としてASICチップ外部に設けられるDRAMを使用し、バスとしてAHBバス(Advanced High-performance Bus)など複数のマスタが接続された状態においてバースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ一のマスタからの処理要求への対応時には他のマスタからの処理要求には対応しないバスを用いてメモリシステムを構成することができる。
AHBバスを使用してマスタとDRAMとの間でバースト転送を行う場合、マスタ側において複数コマンドを先に発行することができないバス、すなわち複数のコマンドに同時に対応することができないバス(AHBバス)においては、バースト長を長くしない限りデータの転送が行われるDRAMの使用効率は著しく悪化する。ここで、バースト転送において連続してデータを転送する転送回数を「バースト長」とする。
しかしながら、通常、バースト長が予め決められている定長バースト転送においては、バースト長は16や32となどの比較的小さいサイズが上限とされている場合が多い。この場合、データのサイズの大きいひとまとまりのデータを転送したい場合には、定長バースト転送だけでは所望のひとまとまりのデータを送りきれないケースが発生する。
また、バースト長が予め決められていない不定長バースト転送の場合は、バースト長が決められていないためデータ長に起因して、バースト転送するデータのサイズが制限されることはない。しかし、AHBバスにおいてバースト転送を行うマスタは、1データ転送毎に要求情報をDRAMコントローラに送信する必要があり、また、DRAMはSRAMとは異なりレイテンシが大きいため、DRAMコントローラは不定長バーストをシングルアクセスの連続に分解することとなり、やはり、DRAMの使用効率が著しく低下する、という問題がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、バスを介したマスタとDRAMとのバースト転送において長いバースト長の転送が可能であり、メモリの使用効率の向上させることが可能なDRAMコントローラおよびメモリシステムを提供することを目的とする。
本願発明の一態様によれば、バースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ複数のマスタが接続された状態において一の前記マスタからの処理要求への対応時には他の前記マスタからの処理要求には対応せずにデータの伝送を行うバスと、前記マスタとの間でバースト転送を行うDRAMと、を接続して、前記マスタと前記DRAMとの間のバースト転送を制御するDRAMコントローラであって、前記マスタから不定長バースト転送の要求を受け取った場合に、前記不定長バースト転送の要求を行ったマスタと前記DRAMとの間のバースト転送を、予め決められた模擬的なバースト長だけ実行して不定長バースト転送を終了すること、を特徴とするDRAMコントローラが提供される。
本発明によれば、バスを介したマスタとDRAMとのバースト転送において、複数のマスタが接続された状態においてバースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ一のマスタからの処理要求への対応時には他のマスタからの処理要求には対応しないバスにおいても長いバースト長の転送が可能となり、メモリの使用効率を向上させることができる、という効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるDRAMコントローラおよびメモリシステムの実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態にかかるメモリシステム1を備えた計算機システムの一例を示す概略図である。本実施の形態にかかるメモリシステム1は、ホスト装置(PCなど)に接続される記憶デバイスである。
図1は、本発明の実施の形態にかかるメモリシステム1を備えた計算機システムの一例を示す概略図である。本実施の形態にかかるメモリシステム1は、ホスト装置(PCなど)に接続される記憶デバイスである。
計算機システムは、中央演算処理装置(CPU:Central Processing Unit)2、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等のメインメモリ3、メインメモリ3を制御するメモリコントローラ4、及び本実施の形態にかかるメモリシステム1を備えている。CPU2、メインメモリ3、及びメモリシステム1は、アドレスを扱うアドレスバス5、及びデータを扱うデータバス6を介して接続されている。
このような計算機システムでは、CPU2からの転送要求(読み出し要求、或いは書き込み要求)に応じて、書き込み要求であればCPU2のデータ(外部から入力されたデータを含む)、或いはメインメモリ3のデータがメモリシステム1に転送され、読み出し要求であればメモリシステム1のデータがCPU2、或いはメインメモリ3に転送される。
メモリシステム1は、不揮発性半導体メモリの一種であるNAND型フラッシュメモリ10、及びこのNAND型フラッシュメモリ10を制御するNANDコントローラ11を備えている。以下に、メモリシステム1の構成の一例について説明する。
図2は、メモリシステム1の構成を示す概略図である。メモリシステム1は、NAND型フラッシュメモリ10、DRAM12、ASICチップ13を有する。NAND型フラッシュメモリ10は、データ消去の単位であるブロックを複数配列して構成されている。
DRAM12は、ASICチップ13の外部に配置され、ホスト装置とのデータ転送や、NAND型フラッシュメモリ10へのデータ読み書き用のバッファとして使用する。NAND型フラッシュメモリ10に書き込むデータはすべてDRAM12に存在する。
ASICチップ13内には、ホストインターフェース(ホストI/F)21、演算処理装置(MPU:Micro Processing Unit)22、NANDコントローラ11、DRAMコントローラ23、ROM24、RAM25およびバス26を備えている。
ホストI/F21は、ホスト装置とのデータ転送を行なうため、NANDコントローラ11とホスト装置(図1のCPU2、メインメモリ3)との間のインターフェース処理を行う。
MPU22は、メモリシステム1全体の動作を制御する。MPU22は、例えば、メモリシステム1が電源供給を受けたときに、ROM24に格納されているファームウェア(制御プログラム)をRAM25上に読み出して所定の処理を実行することにより、各種のテーブルをRAM25上に作成する。また、MPU22は、ホスト装置から書き込み要求、読み出し要求、消去要求を受け、これらの要求に応じてNAND型フラッシュメモリ10に所定の処理を実行する。MPU22は、NANDコントローラ11を介してNAND型フラッシュメモリ10のやりとりを行うことができる。
図3は、NANDコントローラ11の構成例を示す図である。NANDコントローラ11は、図3に示すようにDMA転送制御用のDMAコントローラ41と、ECC回路42と、NANDインターフェース(I/F)43と、を備える。DMA転送制御用のDMAコントローラ41は、バス26から読み込んだNAND型フラッシュメモリ10へ書き込むデータをECCとともにNAND型フラッシュメモリ10へ転送するための書き込みデータ転送機能、NAND型フラッシュメモリ10からページ単位で記憶データおよびECCの読み込みを行い、読み込んだデータをバス26に出力する読み込みデータ転送機能を有する。
ECC回路42は、NAND型フラッシュメモリ10に書き込むデータにECCを付加する書き込む機能と、NAND型フラッシュメモリ10から読み込まれたデータとECCとから読み込んだデータの誤りを訂正する機能を有する。NAND型フラッシュメモリ10はデータが誤る可能性が高いため、NAND型フラッシュメモリ10に格納されるデータは、データの書き込み時にECC回路42でECC(Error Check and Correct、エラー訂正符号)が付加されて格納され、読み込み時にECC回路42でECCを用いてエラー訂正が行なわれる。
NANDインターフェース(I/F)43は、NAND型フラッシュメモリ10にアクセスするためにNANDコントローラ11とNAND型フラッシュメモリ10との間のインターフェース処理を行う機能を有する。
DRAMコントローラ23は、DRAM12のデータの読み出し、書き出しのリフレッシュなどのDRAM12のインターフェース処理機能を統括する。また、後述する図4のSSD100においてはバースト転送機能を有するため、DRAMコントローラ23は、バースト転送処理も行う。そして、DRAMコントローラ23は、各マスタから初回の不定長バースト転送要求を受け取った場合、予め決められた所定のバースト長(例えば128や256など)での不定長バースト転送と解釈し、DRAM12に読み書きを行う。
ROM24は、MPU22により制御される制御プログラム等を格納する。RAM25は、MPU22の作業エリアとして使用され、ROM24からロードされた制御プログラムや各種のテーブルを記憶する。
バス26は、不定長バースト転送に対応可能なバスが使用されている。このようなバス26としては、例えばAMBA(Advanced Microcontroller Bus Architecture)プロトコルに準拠した広帯域デバイス用の仕様として規定されたAHBバス(Advanced High-performance Bus)が用いられる。バス26には、マスタとしてホストI/F21、MPU22、NANDコントローラ11、DRAMコントローラ23、が接続されており、これらのマスタからの要求によりバースト転送可能とされている。また、バス26は、あるマスタからの要求に対応している時は、他のマスタからの要求に対応することができず、その機能が占有される。
AHBバスはSoC(System On a Chip)で良く利用されるバスであるが、このAHBプロトコルでは、バースト転送時には1データ転送毎に転送要求の情報を送信しなければならず、最後のデータ要求を受理しない限り、その次の転送要求を知ることはできない。また、DRAMはレイテンシが長いため、不定長バースト転送においてはバースト長が長い方がDRAMの使用効率を上げることができる。ただし、AHBバスでは定長バーストは16が最大となっており、また上述した次の転送要求を知ることができない点と、DRAMのレイテンシが大きいという点から、不定長バースト転送ではシングルアクセスの連続に分解することとなり、DRAMの使用効率が低下してしまう。
そこで、本実施の形態においては、不定長バーストを利用して各マスタとDRAMコントローラ23に次の機能を持たせることで、DRAM12の使用効率を上昇させる。DRAMコントローラ23は、マスタから不定長バースト転送の要求が送信されてきた場合には、予め決められた大きなバースト長(128や256など)を持つ転送と解釈し、DRAM12に対してのデータの転送を行って読み書きを行なう。すなわち、マスタから不定長バースト転送の要求を受け取った場合に、DRAMコントローラ23は、不定長バースト転送の要求を行ったマスタとDRAM12との間のバースト転送を、予め決められた模擬的なバースト長だけ実行して不定長バースト転送を終了する。
また、各マスタのバス要求においては、各マスタが不定長バースト転送の要求を行なう場合、予め決められた大きなバースト長のデータ転送を必ず行なう。予め決めたサイズ以外の転送であって、定長バーストではバースト数が表わせない場合には、シングル転送で行なう。例えば、定長バースト転送におけるバースト数が16であり、データを連続した17回の転送で送信したい場合には、17回のシングル転送を要求するか、または定長バースト転送にシングル転送を1回追加した転送を要求する。
そして、DRAMコントローラ23へ要求を発行する全マスタは、不定長バースト転送を行なう場合は、必ず予め決めた数のバースト転送を行ない、DRAMコントローラ23は、不定長バースト転送が発生した場合には、予め決めた大きなバースト長を持つ転送と解釈して処理を行う。この結果、上述したAHBバスにおいても、長いバースト長の転送が可能となるため、オーバーヘッドを低減してDRAM12へのデータ転送時のバンド幅を大きくすることができ、DRAM12の使用効率を向上させることができる。
次に、以上のように構成されたメモリシステム1においてNAND型フラッシュメモリ10に記憶されたデータを読み込んでDRAM12に書き込む際の処理について説明する。
例えばMPU22は、ホスト装置からのNAND型フラッシュメモリ10に記憶されたデータを読み出す旨の読み出し要求情報を受け取ると、該読み出し要求情報に基づいて、NANDコントローラ11に対してデータの読み出し指示情報を送信する。NANDコントローラ11では、DMAコントローラ41が該指示情報に基づいてNAND型フラッシュメモリ10からデータを読み出し、DRAMコントローラ23を介してDRAM12に転送する。そして、DRAM12に書き込みが行われる。
ここで、NANDコントローラ11のDMAコントローラ41は、DRAM12に転送するデータのサイズに基づいて、NAND型フラッシュメモリ10から読み出したデータをシングル転送、定長バースト転送、不定長バースト転送、またはこれらの組み合わせのうちのどの方式により転送するかを判断してデータの転送を行う。以下では、不定長バースト転送によるデータ転送を行う場合について説明する。
マスタであるNANDコントローラ11のDMAコントローラ41は、DRAM12に対して不定長バースト転送を行う場合、DRAMコントローラ23に対して不定長バースト転送を要求するために、初回の不定長バースト転送要求を送信する。初回の不定長バースト転送要求には、予め決められた擬似的なバースト長(例えば128や256など)、バースト転送されるデータの先頭の転送アドレスなどの情報が含まれる。なお、他のマスタがDRAMコントローラ23に対して初回の不定長バースト転送を要求する同様である。そして、DMAコントローラ41は、予め決められた擬似的なバースト長のデータ転送を行う。
DRAMコントローラ23は、マスタであるNANDコントローラ11のDMAコントローラ41から初回の不定長バースト転送要求を受け取った場合、予め決められた擬似的なバースト長(例えば128や256など)での不定長バースト転送と解釈する。そして、NANDコントローラ11から転送されるデータを受け取って、DRAMコントローラ23は予め決められた模擬的なバースト長だけDRAM12に対してデータの転送、書き込みを実行し、不定長バースト転送を終了する。なお、DRAMコントローラ23が、他のマスタから初回の不定長バースト転送要求を受け取った場合も同様である。
ここで、予め決められた擬似的なバースト長は、定長バースト転送におけるバースト長(例えば16や32となどの比較的小さいサイズ)よりも大きな値に設定されている。これにより、バースト長が比較的小さいサイズである定長バースト転送よりも多くの連続したバースト転送を行うことができる。
また、この予め決められた擬似的なバースト長が大きすぎる場合には、特定のマスタによりバス26が占有されてしまう可能性がある。したがって、このバースト長は、ASICチップがシステムのバンド幅として求めるバス性能等により設定することが好ましい。また、バス26側からどのマスタが有効になっているかの情報法を得ることができる場合には、マスタ毎に擬似的なバースト長を変えて処理を行うことも可能である。
以上のような、本実施の形態によれば、マスタは、DRAM12に対して不定長バースト転送を行う場合、予め決められた擬似的なバースト長のデータ転送を行う。そして、DRAMコントローラ23は、マスタから不定長バースト転送要求を受け取った場合、予め決められた擬似的なバースト長での不定長バースト転送と解釈し、転送されるデータを受け取ってDRAM12への転送、書き込みを行う。これにより、マスタ側において複数コマンドを先に発行することができないであるバス26(AHBバス)、すなわち複数のコマンドに同時に対応することができないバス26においても長いバースト長の転送が可能となるためオーバーヘッドを低減してDRAM12へのデータ転送時のバンド幅を大きくすることができ、DRAM12の使用効率を向上させることができる。
なお、上記においては、NANDコントローラ11がDRAMコントローラ23に対して不定長バースト転送を要求してDRAM12にデータを不定長バースト転送する場合を例に説明したが、他のマスタがDRAMコントローラ23に対して不定長バースト転送を要求する場合も同様である。
[実施例]
上記実施の形態のメモリシステム1をSSD(Solid State Drive)として構成した場合の実施例について説明する。図4は、SSD100の構成を示すブロック図である。
上記実施の形態のメモリシステム1をSSD(Solid State Drive)として構成した場合の実施例について説明する。図4は、SSD100の構成を示すブロック図である。
SSD100は、データ保存用の複数のNAND型フラッシュメモリ(NANDメモリ)10、データ転送用または作業領域用のDRAM101、これらを制御するドライブ制御回路102、及び電源回路103を備えている。ドライブ制御回路102は、SSD100の外部に設けられる状態表示用LEDを制御するための制御信号を出力する。
SSD100は、ATAインターフェース(ATA I/F)を介して、パーソナルコンピュータ等のホスト装置との間でデータを送受信する。また、SSD100は、RS232Cインターフェース(RS232C I/F)を介して、デバッグ用機器との間でデータを送受信する。
電源回路103は、外部電源を受け、この外部電源を用いて複数の内部電源を生成する。これらの内部電源は、SSD100内の各部に供給される。また、電源回路103は、外部電源の立ち上がりまたは立ち下りを検知して、パワーオンリセット信号またはパワーオフリセット信号を生成する。これらパワーオンリセット信号及びパワーオフリセット信号は、ドライブ制御回路102に送られる。
図5は、ドライブ制御回路102の構成を示すブロック図である。ドライブ制御回路102は、データアクセス用バス104、第1の回路制御用バス105、及び第2の回路制御用バス106を備えている。
第1の回路制御用バス105には、ドライブ制御回路102全体を制御するプロセッサ107が接続されている。また、第1の回路制御用バス105には、各管理プログラム(FW:firmware)のブート用プログラムが格納されたブートROM108がROMコントローラ109を介して接続されている。また、第1の回路制御用バス105には、電源回路103からのパワーオン/オフリセット信号を受けて、リセット信号及びクロック信号を各部に供給するクロックコントローラ110が接続されている。
第2の回路制御用バス106は、第1の回路制御用バス105に接続されている。第2の回路制御用バス106には、状態表示用LEDにステータス表示用信号を供給するパラレルIO(PIO)回路111、RS232Cインターフェースを制御するシリアルIO(SIO)回路112が接続されている。
ATAインターフェースコントローラ(ATAコントローラ)113、第1のECC(Error Check and Correct)回路114、NANDコントローラ115、及びDRAMコントローラ119は、データアクセス用バス104と第1の回路制御用バス105との両方に接続されている。ATAコントローラ113は、ATAインターフェースを介してホスト装置との間でデータを送受信する。データアクセス用バス104には、データ作業領域として使用されるSRAM120がSRAMコントローラ121を介して接続されている。
NANDコントローラ115は、4つのNANDメモリ10とのインターフェース処理を行うNAND I/F118、第2のECC回路117、及びNANDメモリ−DRAM間のアクセス制御を行うDMA転送制御用DMAコントローラ116を備えている。
図6は、プロセッサ107の構成を示すブロック図である。プロセッサ107は、データ管理部122、ATAコマンド処理部123、セキュリティ管理部124、ブートローダ125、初期化管理部126、デバッグサポート部127を備えている。
データ管理部122は、NANDコントローラ115、第1のECC回路114を介して、NANDメモリ−DRAM間のデータ転送、NANDチップに関する各種機能を制御する。
ATAコマンド処理部123は、ATAコントローラ113、及びDRAMコントローラ119を介して、データ管理部122と協動してデータ転送処理を行う。セキュリティ管理部124は、データ管理部122及びATAコマンド処理部123と協動して各種のセキュリティ情報を管理する。ブートローダ125は、パワーオン時、各管理プログラム(FW)をNANDメモリ10からSRAM120にロードする。
初期化管理部126は、ドライブ制御回路102内の各コントローラ/回路の初期化を行う。デバッグサポート部127は、外部からRS232Cインターフェースを介して供給されたデバッグ用データを処理する。
図7は、SSD100を搭載したポータブルコンピュータ200の一例を示す斜視図である。ポータブルコンピュータ200は、本体201と、表示ユニット202とを備えている。表示ユニット202は、ディスプレイハウジング203と、このディスプレイハウジング203に収容された表示装置204とを備えている。
本体201は、筐体205と、キーボード206と、ポインティングデバイスであるタッチパッド207とを備えている。筐体205内部には、メイン回路基板、ODDユニット(Optical Disk Device)、カードスロット、SSD100等が収容されている。
カードスロットは、筐体205の周壁に隣接して設けられている。周壁には、カードスロットに対向する開口部208が設けられている。ユーザは、この開口部208を通じて筐体205の外部から追加デバイスをカードスロットに挿抜することが可能である。
SSD100は、従来のHDDの置き換えとして、ポータブルコンピュータ200内部に実装された状態として使用してもよいし、ポータブルコンピュータ200が備えるカードスロットに挿入した状態で、追加デバイスとして使用してもよい。
尚、上記実施の形態のメモリシステム1は、SSDに限らず、例えば、SDTMカードに代表されるメモリカードとして構成することも可能である。メモリシステム1をメモリカードとして構成する場合、ポータブルコンピュータに限らず、携帯電話、PDA、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等、各種電子機器に対して適用可能である。
1 メモリシステム、2 CPU、3 メインメモリ、4 メモリコントローラ、10 NAND型フラッシュメモリ、11 NANDコントローラ、12 DRAM、13 ASICチップ、21 ホストインターフェース(ホストI/F)、22 演算処理装置(MPU)、23 DRAMコントローラ、24 ROM、25 RAM、26 バス、41 DMAコントローラ、42 ECC回路、43 NAND I/F。
Claims (3)
- バースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ複数のマスタが接続された状態において一の前記マスタからの処理要求への対応時には他の前記マスタからの処理要求には対応せずにデータの伝送を行うバスと、前記マスタとの間でバースト転送を行うDRAMと、を接続して、前記マスタと前記DRAMとの間のバースト転送を制御するDRAMコントローラであって、
前記マスタから不定長バースト転送の要求を受け取った場合に、前記不定長バースト転送の要求を行ったマスタと前記DRAMとの間のバースト転送を、予め決められた模擬的なバースト長だけ実行して不定長バースト転送を終了すること、
を特徴とするDRAMコントローラ。 - 前記模擬的なバースト長は、バースト長が予め決められている定長バースト転送のバースト長よりも大きいこと、
を特徴とする請求項1に記載のDRAMコントローラ。 - 請求項1または2に記載のDRAMコントローラと、
前記DRAMコントローラに対して不定長バースト転送を行う場合に、予め決められた模擬的なバースト長だけデータ転送を実行する複数のマスタと、
前記複数のマスタが接続され、バースト転送におけるデータ転送の繰り返し数であるバースト長が予め決められていない不定長バースト転送に対応可能であり且つ一の前記マスタからの処理要求への対応時には他のマスタからの要求には対応しないバスと、
前記マスタのうちの1つがアクセスしてデータの読み出しおよび書き込みを行うフラッシュメモリと、
前記DRAMコントローラにより前記マスタとの間のバースト転送が制御されるDRAMと、
を備えること、
ことを特徴とするメモリシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008046706A JP2009205412A (ja) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Dramコントローラおよびメモリシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008046706A JP2009205412A (ja) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Dramコントローラおよびメモリシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009205412A true JP2009205412A (ja) | 2009-09-10 |
Family
ID=41147607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008046706A Pending JP2009205412A (ja) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | Dramコントローラおよびメモリシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009205412A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210042978A (ko) * | 2018-08-14 | 2021-04-20 | 아미크로 세미컨덕터 씨오., 엘티디. | 이진화 알고리즘 기반의 액셀러레이션 제어 시스템, 칩 및 로봇 |
-
2008
- 2008-02-27 JP JP2008046706A patent/JP2009205412A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210042978A (ko) * | 2018-08-14 | 2021-04-20 | 아미크로 세미컨덕터 씨오., 엘티디. | 이진화 알고리즘 기반의 액셀러레이션 제어 시스템, 칩 및 로봇 |
JP2021536051A (ja) * | 2018-08-14 | 2021-12-23 | 珠海一微半導体股▲ふん▼有限公司Amicro Semiconductor Co., Ltd. | 二値化アルゴリズムに基づくアクセラレーション制御システム、チップ及びロボット |
JP7104448B2 (ja) | 2018-08-14 | 2022-07-21 | 珠海一微半導体股▲ふん▼有限公司 | 二値化アルゴリズムに基づくアクセラレーション制御システム、チップ及びロボット |
KR102520983B1 (ko) | 2018-08-14 | 2023-04-12 | 아미크로 세미컨덕터 씨오., 엘티디. | 이진화 알고리즘 기반의 액셀러레이션 제어 시스템, 칩 및 로봇 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4672742B2 (ja) | メモリコントローラおよびメモリシステム | |
US11151027B2 (en) | Methods and apparatuses for requesting ready status information from a memory | |
US9886194B2 (en) | NVDIMM adaptive access mode and smart partition mechanism | |
KR20110097438A (ko) | 메모리 시스템, 그리고 그것의 동작 방법 | |
US20080010418A1 (en) | Method for Accessing a Non-Volatile Memory via a Volatile Memory Interface | |
US10733122B2 (en) | System and method for direct memory access in a flash storage | |
KR20160049200A (ko) | 데이터 저장 장치의 작동 방법, 이를 포함하는 모바일 컴퓨팅 장치, 및 이의 작동 방법 | |
JP5090819B2 (ja) | メモリーカード及び該データ格納方法 | |
KR20120017831A (ko) | 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 | |
KR101925870B1 (ko) | Ssd 콘트롤러 및 그의 제어 방법 | |
US20080010419A1 (en) | System and Method for Issuing Commands | |
US11204833B1 (en) | NVM endurance group controller using shared resource architecture | |
TW201714090A (zh) | 記憶體裝置、記憶體定址方法與包括有形儲存媒體的物品 | |
US9575887B2 (en) | Memory device, information-processing device and information-processing method | |
US20150081953A1 (en) | Ssd (solid state drive) device | |
KR20210098717A (ko) | 컨트롤러, 컨트롤러의 동작 방법 및 이를 포함하는 저장 장치 | |
US20080007569A1 (en) | Control protocol and signaling in a new memory architecture | |
US20190354483A1 (en) | Controller and memory system including the same | |
US10853255B2 (en) | Apparatus and method of optimizing memory transactions to persistent memory using an architectural data mover | |
US11748025B2 (en) | Nonvolatile memory device, data storage device including the same and operating method thereof | |
US9990311B2 (en) | Peripheral interface circuit | |
TW201344444A (zh) | 主機板及應用於該主機板的資料處理方法 | |
WO2009115058A1 (zh) | 提供闪存存储功能的主板及其存储方法 | |
JP2009205412A (ja) | Dramコントローラおよびメモリシステム | |
JP2009205410A (ja) | メモリコントローラおよびメモリシステム |