JP2009200563A - 電圧変換回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PMOSトランジスタP3のゲートを基準電位VSS(0V)に接続し、ノードND1をPMOSトランジスタP3のドレインに接続した構成を採ることで、PMOSトランジスタP3のゲートには常に基準電位VSSが与えられる構成とする。このため、PMOSトランジスタP3が常にオンしているので、入力端子INの入力信号が「L」レベルになってNMOSトランジスタN7がオフすると、ノードND1の電位は電源電位VPPまで上昇する。
【選択図】図8
Description
発明の実施の形態の説明に先立って、比較例として特許文献1の図1に記載された電圧変換回路について説明する。
図1に示す電圧変換回路は、「L」レベル(第1の論理レベル)が基準電位VSS(0V)であり、「H」レベル(第2の論理レベル)が電源電位VDD(第1の電源電位:例えば1.5V)である入力信号を、「L」レベルが基準電位VSS(0V)であり、「H」レベルが電源電位VPP(第2の電源電位:例えば5.0V)である出力信号に変換する電圧変換回路である。
図2においては、縦軸に電圧(任意単位)を、横軸に時間(任意単位)を示し、上段には入力端子INおよび出力端子OUTの信号電位の時間変化を示し、下段にはノードND1およびND2の電位の時間変化を示している。
以下、図3および図4を用いて、本発明に係る実施の形態1の電圧変換回路について説明する。
図3に実施の形態1の電圧変換回路10の構成を示す。
図3に示すように電圧変換回路10は、「L」レベル(第1の論理レベル)が基準電位VSS(0V)であり、「H」レベル(第2の論理レベル)が電源電位VDD(第1の電源電位:例えば1.5V)である入力信号を、「L」レベルが基準電位VSS(0V)であり、「H」レベルが電源電位VPP(第2の電源電位:例えば5.0V)である出力信号に変換する電圧変換回路である。
電圧変換回路10では、入力端子INの入力信号が「L」レベルになると、NMOSトランジスタN7がオフし、NMOSトランジスタN8がオンするが、ノードND1の電位がVPP−|Vthp3|よりも低い期間はPMOSトランジスタP3がオンしているので、ノードND1はPMOSトランジスタP3により充電される。しかし、入力信号がゲートに与えられるPMOSトランジスタP12もオンするので、ノードND1の電位上昇はVPP−|Vthp3|で止まらずに、電源電位VPPまで上昇する。
図4においては、縦軸に電圧(任意単位)を、横軸に時間(任意単位)を示し、上段には入力端子INおよび出力端子OUTの信号電位の時間変化を示し、下段にはノードND1およびND2の電位の時間変化を示している。
以上説明したように、電圧変換回路10においては、PMOSトランジスタP12を備えることで、入力端子INの入力信号が「L」レベルになった場合に、ノードND1の電位を電源電位VPPにまで高めることができ、PMOSトランジスタP3およびP4のしきい値電圧がずれている場合でも、PMOSトランジスタP4をオフすることができて、PMOSトランジスタP4を介しての電流リークを防止できる。このため、低消費電力化を達成できる。
以上説明した実施の形態1の変形例1として、図5に電圧変換回路10Aの構成を示す。なお、図3に示した電圧変換回路10と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態1の変形例2として、図6に電圧変換回路10Bの構成を示す。なお、図3に示した電圧変換回路10と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態1の変形例3として、図7に電圧変換回路10Cの構成を示す。なお、図3、図5および図6に示した電圧変換回路10、10Aおよび10Bと同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
次に、図8を用いて、本発明に係る実施の形態2の電圧変換回路について説明する。
図8に実施の形態2の電圧変換回路20の構成を示す。なお、図3に示した電圧変換回路10と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
電圧変換回路20では、PMOSトランジスタP3のゲートには常に基準電位VSSが与えられているので、PMOSトランジスタP3が常にオンしている。このため、入力端子INの入力信号が「L」レベルになってNMOSトランジスタN7がオフすると、ノードND1の電位は電源電位VPPまで上昇する。
以上説明したように、電圧変換回路20においては、PMOSトランジスタP3のゲートを基準電位VSSに接続することで、入力端子INの入力信号が「L」レベルになった場合に、ノードND1の電位を電源電位VPPにまで高めることができ、PMOSトランジスタP3およびP4のしきい値電圧がずれている場合でも、PMOSトランジスタP4をオフすることができて、PMOSトランジスタP4を介しての電流リークを防止することができる。このため、低消費電力化を達成できる。
以上説明した実施の形態2の変形例1として、図9に電圧変換回路20Aの構成を示す。なお、図8に示した電圧変換回路20と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態2の変形例2として、図10に電圧変換回路20Bの構成を示す。なお、図8に示した電圧変換回路20と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態2の変形例3として、図11に電圧変換回路20Cの構成を示す。なお、図8、図9および図10に示した電圧変換回路20、20Aおよび20Bと同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
次に、図12を用いて、本発明に係る実施の形態3の電圧変換回路について説明する。
図12に実施の形態3の電圧変換回路30の構成を示す。なお、図3に示した電圧変換回路10と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
電圧変換回路30では、PMOSトランジスタP3のゲートには入力端子INの信号が与えられるので、入力端子INの入力信号が「L」レベルになるとNMOSトランジスタN7がオフするとともに、PMOSトランジスタP3がオン状態となる。そのため、ノードND1の電位は電源電位VPPまで上昇する。
以上説明したように、電圧変換回路30においては、入力端子INの入力信号が「L」レベルになった場合に、ノードND1の電位を電源電位VPPにまで高めることができ、PMOSトランジスタP3およびP4のしきい値電圧がずれている場合でも、PMOSトランジスタP4をオフすることができて、PMOSトランジスタP4を介しての電流リークを防止することができる。このため、低消費電力化を達成できる。
以上説明した実施の形態3の変形例1として、図13に電圧変換回路30Aの構成を示す。なお、図12に示した電圧変換回路30と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態3の変形例2として、図14に電圧変換回路30Bの構成を示す。なお、図13に示した電圧変換回路30と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態3の変形例3として、図15に電圧変換回路30Cの構成を示す。なお、図12、図13および図14に示した電圧変換回路30、30Aおよび30Bと同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
次に、図16を用いて、本発明に係る実施の形態4の電圧変換回路について説明する。
図16に実施の形態4の電圧変換回路40の構成を示す。なお、図12に示した電圧変換回路30と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
電圧変換回路40では、PMOSトランジスタP3のゲートには入力端子INの信号が与えられるので、入力端子INの入力信号が「L」レベルになるとNMOSトランジスタN7がオフするとともに、PMOSトランジスタP3がオン状態となる。そのため、ノードND1の電位は電源電位VPPまで上昇する。
以上説明したように、電圧変換回路40においては、入力端子INの入力信号が「L」レベルになった場合に、ノードND1の電位を電源電位VPPにまで高めることができ、PMOSトランジスタP3およびP4のしきい値電圧がずれている場合でも、PMOSトランジスタP4をオフすることができて、PMOSトランジスタP4を介しての電流リークを防止することができる。このため、低消費電力化を達成できる。
Claims (7)
- 第1の論理レベルが基準電位であり、第2の論理レベルが第1の電源電位である入力信号を、第1の論理レベルが前記基準電位であり、第2の論理レベルが第2の電源電位である出力信号に変換する電圧変換回路であって、
前記第2の電源電位と前記基準電位との間に、前記第2の電源電位側から順に直列に接続された、第1、第2および第3のMOSトランジスタと、
前記第2の電源電位と前記基準電位との間に、前記第2の電源電位側から順に直列に接続された、第4および第5のMOSトランジスタと、
前記第4および第5のMOSトランジスタの接続ノードである第2のノードに接続され、前記入力信号が前記第1の論理レベルから、前記第2の論理レベルに変化する場合にオンして、前記第2のノードの電位を第2の電源電位に固定する第6のトランジスタと、
前記第3のMOSトランジスタのゲートに入力端が接続され、前記第5のMOSトランジスタのゲートに出力端が接続され、前記第1の電源電位で駆動する第1のインバータと、
前記第2のノードに入力端が接続され、前記第2の電源電位で駆動する第2のインバータと、
前記第2のインバータの出力端に入力端が接続され、出力端が、前記出力信号を出力する出力端子となる前記第2の電源電位で駆動する第3のインバータとを、備え、
前記第1、第4および第6のMOSトランジスタは第1導電型、前記第2、第3および第5のMOSトランジスタは第2導電型であって、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のインバータの出力端に接続され、
前記入力信号が入力される入力端子は、前記第1のインバータの前記入力端に接続され、
前記第4のMOSトランジスタのゲートである第1のノードは、前記第1のMOSトランジスタのドレインに接続され、
前記第1のMOSトランジスタのゲートには、少なくとも前記入力信号が前記第1の論理レベルである場合に、前記第1のMOSトランジスタをオン状態とする第1の信号が与えられ、
前記第2のMOSトランジスタのゲートには、前記入力信号が前記第1の論理レベルである場合に前記第2のMOSトランジスタをオン状態とする第2の信号が与えられる、電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第1のMOSトランジスタのゲートは前記基準電位に接続され、前記第1の信号は、前記第1の論理レベルの信号である、請求項1記載の電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第1のMOSトランジスタのゲートは前記入力端子に接続され、前記第1の信号は、前記入力信号である、請求項1記載の電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第2のMOSトランジスタは前記第2導電型であって、
前記第2のMOSトランジスタに並列に接続された第1導電型の第7のMOSトランジスタをさらに備え、
前記第2のMOSトランジスタのゲートは、前記第2のインバータの前記出力端に接続され、前記第2の信号として前記第2のインバータの出力が与えられ、
前記第7のMOSトランジスタのゲートは、前記第2のインバータの前記入力端に接続される、請求項1記載の電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第2のMOSトランジスタは前記第1導電型であって、
前記第2のMOSトランジスタのゲートは、前記出力端子に接続され、前記第2の信号として前記出力信号が与えられる、請求項2または請求項3に記載の電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第2の電源電位と、前記第6のMOSトランジスタのソースとの間に接続された、第1導電型の第8のMOSトランジスタをさらに備え、
前記第8のMOSトランジスタのゲートは、前記第1のインバータの前記出力端に接続される、請求項2または請求項3記載の電圧変換回路。 - 前記第1および第2導電型は、それぞれP型およびN型であって、
前記第2のMOSトランジスタは前記第1導電型であって、
前記第2のMOSトランジスタのゲートは、前記出力端子に接続され、前記第2の信号として前記出力信号が与えられ
前記第2の電源電位と、前記第6のMOSトランジスタのソースとの間に接続された、第1導電型の第8のMOSトランジスタをさらに備え、
前記第8のMOSトランジスタのゲートは、前記第1のインバータの前記出力端に接続される、請求項2または請求項3に記載の電圧変換回路。
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