JP2009200345A - Processing apparatus - Google Patents

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和之 春見
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus which has superior pattern transfer property and low mold forming cost while actualizing high-speed transfer. <P>SOLUTION: The processing apparatus presses a mold with a pattern against a material to be processed which is applied to a body to be transferred to transfer the pattern to a substrate WF, and includes a tilting mechanism which tilts the mold ML, a moving mechanism which puts the tilted mold ML and substrate WF close to each other, a rotating mechanism which rotates the mold ML so that the mold ML becomes parallel to the substrate WF when an end of the tilted mold ML comes into contact with the substrate WF, and a control mechanism which controls the position of the end of the mold ML not to move relatively to the substrate WF while the mold ML is rotated by the rotating mechanism. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は加工装置に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウエハ等の基板に転写する加工装置に関する。     The present invention relates to a processing apparatus, and more particularly to a processing apparatus that transfers a pattern of a mold as an original to a substrate such as a wafer.

リソグラフィー技術を用いて微細な構造(電子回路、MEMS、グレーティングレンズなどのデバイス)を製造する際には、従来から、投影露光装置が用いられている。投影露光装置は、レチクル(マスク)に描画されたパターンを、レジスト(感光剤)を塗布した基板(シリコンやガラス)に縮小投影してパターンを転写する。投影露光装置は、非常に微細な構造を形成することができるが、非常に高価であり、手軽に利用できるものではない。     Conventionally, when a fine structure (device such as an electronic circuit, a MEMS, or a grating lens) is manufactured using a lithography technique, a projection exposure apparatus has been used. The projection exposure apparatus transfers a pattern by reducing and projecting a pattern drawn on a reticle (mask) onto a substrate (silicon or glass) coated with a resist (photosensitive agent). A projection exposure apparatus can form a very fine structure, but is very expensive and cannot be easily used.

一方、非常に微細な構造を形成可能で、且つ、低コストのパターニング法であるナノインプリントが注目されている。ナノインプリントとは、電子ビーム露光等によって微細なパターンが形成されたモールド(雛型)を、レジストとしての樹脂材料を塗布したウエハに押し付ける(押印する)ことによって、レジスト上にパターンを写し取るものである。ナノインプリントは、モールドを準備すれば、モールドを樹脂材料に押し付ける押印機構があればよいため、微細加工を低コストで実現することができる。     On the other hand, nanoimprint, which can form a very fine structure and is a low-cost patterning method, has attracted attention. Nanoimprint is a method of copying a pattern onto a resist by pressing (imprinting) a mold (template) on which a fine pattern is formed by electron beam exposure or the like onto a wafer coated with a resin material as a resist. . In the nanoimprint, if a mold is prepared, it is only necessary to have a stamping mechanism that presses the mold against a resin material, so that fine processing can be realized at low cost.

現在、ナノインプリントは、10nm程度の微細な形状を転写することが可能であり、微細化については十分な性能を有する。ナノインプリントは、投影露光装置では採算が合わなかったために製造されなかった新しいデバイスへの適用が期待されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の形成手段として期待されている。     Currently, nanoimprints can transfer a fine shape of about 10 nm and have sufficient performance for miniaturization. The nanoimprint is expected to be applied to a new device that has not been manufactured because the projection exposure apparatus is not profitable, and is particularly expected as a means for forming a fine periodic structure of a magnetic recording medium.

ナノインプリントにおいては、転写方法として、熱サイクル法や光硬化法(「UV硬化型」とも言われる)などが提案されている。熱サイクル法とは、加工対象の樹脂(熱可塑性材料)をガラス転移温度以上に加熱して(即ち、樹脂の流動性を高めて)モールドを押印し、冷却した後に離型する方法である。一方、光硬化法とは、紫外線硬化型の樹脂(UV硬化樹脂)を利用し、透明なモールドで押印した状態で感光及び硬化させてからモールドを剥離(離型)する方法である。     In nanoimprinting, a thermal cycle method, a photocuring method (also referred to as “UV curing type”), and the like are proposed as a transfer method. The thermal cycle method is a method in which a resin to be processed (thermoplastic material) is heated to a glass transition temperature or higher (that is, the fluidity of the resin is increased), a mold is imprinted, and the mold is released after being cooled. On the other hand, the photocuring method is a method in which an ultraviolet curable resin (UV curable resin) is used, and the mold is peeled (released) after being exposed and cured in a state of being stamped with a transparent mold.

このうち光硬化法は、比較的容易に温度を制御することができるため、半導体素子の製造に適している。半導体素子の製造には、高精度な重ね合わせ精度(基板にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度)が必要となる。光硬化法は、透明なモールド越しに基板上のアライメントマークを観察することができる。このように、アライメントの観点からも、光硬化法は半導体素子の製造に適している。一方、熱サイクル法は、加熱する工程を含むため、基板及びモールドの温度上昇によって熱膨張し、重ね合わせ精度を維持することが困難である。     Among these, the photocuring method is suitable for manufacturing a semiconductor element because the temperature can be controlled relatively easily. In manufacturing a semiconductor element, high overlay accuracy (accuracy when overlaying several patterns on a substrate) is required. In the photocuring method, the alignment mark on the substrate can be observed through a transparent mold. Thus, also from the viewpoint of alignment, the photocuring method is suitable for manufacturing a semiconductor element. On the other hand, since the thermal cycle method includes a heating step, it is difficult to maintain the overlay accuracy by thermal expansion due to the temperature rise of the substrate and the mold.

また、半導体素子の製造に限らず、商品を大量に生産する生産現場では、製造装置の生産性も要求される。製造装置のコストが低くても、生産能力が低ければ、トータルの生産コストが低くならないからである。     Further, not only in the manufacture of semiconductor elements, but also in production sites where products are produced in large quantities, the productivity of manufacturing equipment is also required. This is because even if the cost of the manufacturing apparatus is low, the total production cost is not lowered if the production capacity is low.

現在、一般的に用いられている露光装置(ステッパー又はスキャナー)において、単位時間当たりに処理できるウエハの枚数(スループット)は、150枚程度である。このため、露光装置が1回の転写に要する時間は、1秒以下である。     Currently, in a generally used exposure apparatus (stepper or scanner), the number of wafers (throughput) that can be processed per unit time is about 150. Therefore, the time required for one transfer by the exposure apparatus is 1 second or less.

上述のとおり、ナノインプリントの転写には、押印工程、硬化工程、及び、離型工程の三つの工程が含まれる。従って、ナノインプリントで露光装置と同等のスループットを実現しようとする場合には、上記三つの工程を1秒程度で行う必要がある。     As described above, the transfer of the nanoimprint includes three steps: a stamping step, a curing step, and a release step. Therefore, in order to achieve a throughput equivalent to that of the exposure apparatus by nanoimprinting, it is necessary to perform the above three steps in about 1 second.

特許文献1には、転写工程を高速に行うため、押印工程において、モールドを斜めにして基板に接触させ、その後、モールドを基板に平行にして押し付ける方法が提案されている。かかる方法によれば、滴下したUV硬化樹脂がパターン面全面に広がる工程を促進させることができるため、高速な転写が可能となる。     Patent Document 1 proposes a method in which in a stamping process, a mold is inclined and brought into contact with a substrate, and then the mold is pressed parallel to the substrate in order to perform the transfer process at high speed. According to such a method, the process of spreading the dropped UV curable resin over the entire pattern surface can be promoted, so that high-speed transfer is possible.

また、特許文献2には、モールドのパターン面を湾曲させ、硬化させながらモールドを基板上で転動させて転写を行う方法が提案されている。
特表2004−505439号公報 特開2005−268779号公報
Patent Document 2 proposes a method of performing transfer by rolling the mold on the substrate while curving and hardening the pattern surface of the mold.
JP-T-2004-505439 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-268779

しかしながら、特許文献1に示される押印動作を行う場合には、次のような問題が生じる。     However, when performing the stamping operation disclosed in Patent Document 1, the following problem occurs.

図14(a)〜(c)は、特許文献1にも示される従来の加工装置における押印動作を示す概略図である。本図は、平面上にパターン形成されたモールドを用いて、平面の基板にパターン転写を行うときの押印動作を示している。     14 (a) to 14 (c) are schematic diagrams showing a stamping operation in a conventional processing apparatus shown in Patent Document 1. FIG. This figure shows a stamping operation when pattern transfer is performed on a flat substrate using a mold having a pattern formed on the flat surface.

モールドの姿勢(傾斜)を調整するときの回転中心は、モールド1001のパターンが形成された面の中心1004である。図14(a)に示されるように、押印の初期状態(初期位置)では、基板1002とは非平行な状態で、UV硬化樹脂1003が滴下された基板1002に対して垂直にモールド1001を降下させる。     The rotation center when adjusting the posture (tilt) of the mold is the center 1004 of the surface on which the pattern of the mold 1001 is formed. As shown in FIG. 14A, in the initial state (initial position) of the seal, the mold 1001 is lowered perpendicularly to the substrate 1002 onto which the UV curable resin 1003 has been dropped in a state that is not parallel to the substrate 1002. Let

モールド1001がさらに降下すると、モールド1001の最も下がった点である端部1005(図14(b)中の左端下)が、最初に基板1002と接触する。さらに、押印動作(モールド下降動作)を続けていくと、最初に接触した接触線1005が基板1002上を擦りながら移動し、最終的には、基板1002とモールド1001の表面が平行になる(図14(c))。     When the mold 1001 is further lowered, an end portion 1005 (below the left end in FIG. 14B) which is the lowest point of the mold 1001 comes into contact with the substrate 1002 first. Further, when the stamping operation (mold lowering operation) is continued, the contact line 1005 that first comes into contact moves while rubbing on the substrate 1002, and finally the surface of the substrate 1002 and the mold 1001 becomes parallel (see FIG. 14 (c)).

この場合、上述のように、モールド1001の角部(端部1005)が基板1002上を擦るため、基板1002とモールドの角との擦れによってゴミが発生したり、モールドの角が破損してしまうという可能性がある。ゴミの発生やモールドの破損を防止するために、非常に低速で押印動作(モールドの下降動作)を行うということも考えられる。しかしその場合には、転写動作を高速に行うという目的を達成することができない。     In this case, as described above, the corner portion (end portion 1005) of the mold 1001 rubs on the substrate 1002, so that rubbing occurs between the substrate 1002 and the corner of the mold, or the corner of the mold is damaged. There is a possibility. In order to prevent generation of dust and breakage of the mold, it is conceivable to perform a stamping operation (mold lowering operation) at a very low speed. However, in that case, the purpose of performing the transfer operation at high speed cannot be achieved.

一方、特許文献2に示されるように、湾曲したパターン面を基板上で転動させる方法では、基板上をモールドが擦れることがないため、ゴミの発生などの問題は生じない。しかし、湾曲した面上に転写パターンを形成しなくてはならないため、モールドの作成工程が複雑になり、モールド作成コストが増大してしまう。また、UV硬化樹脂が硬化していない状態において、硬化から離型までの一連の動作が、連続的に同じ位置で行われることになる。このため、転写性が著しく劣化してしまうという問題が生じる。     On the other hand, as shown in Patent Document 2, in the method of rolling a curved pattern surface on a substrate, the mold does not rub on the substrate, so that problems such as generation of dust do not occur. However, since the transfer pattern must be formed on the curved surface, the mold production process becomes complicated and the mold production cost increases. Further, in a state where the UV curable resin is not cured, a series of operations from curing to release is continuously performed at the same position. For this reason, the problem that transferability will deteriorate remarkably arises.

そこで、本発明は、高速な転写を実現しつつ、パターン転写性及びモールド作成コストに優れた加工装置を提供することを例示的目的とする。     Accordingly, an object of the present invention is to provide a processing apparatus that is excellent in pattern transferability and mold creation cost while realizing high-speed transfer.

本発明の一側面としての加工装置は、パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布された被加工材料に押し付け、該パターンを該被転写体に転写する加工装置であって、前記モールドを傾斜させる傾斜機構と、傾斜した前記モールドを前記被転写体に近接させる移動機構と、傾斜した前記モールドの端部が前記被転写体に接触したとき、該モールドが前記被転写体と平行になるように該モールドを回転させる回転機構と、前記回転機構により前記モールドが回転する間、前記モールドの前記端部の位置が前記被転写体に対して動かないように制御する制御機構とを有する。     A processing apparatus according to an aspect of the present invention is a processing apparatus that presses a mold on which a pattern is formed against a material to be processed applied to a transfer object, and transfers the pattern to the transfer object. A tilting mechanism for tilting, a moving mechanism for bringing the tilted mold close to the transferred body, and an end of the tilted mold contacting the transferred body, the mold becomes parallel to the transferred body. And a control mechanism for controlling the position of the end of the mold so as not to move with respect to the transfer target while the mold is rotated by the rotation mechanism.

本発明のその他の特徴及び目的は、以下の実施例において説明される。     Other features and objects of the present invention are illustrated in the following examples.

本発明によれば、高速な転写を実現しつつ、パターン転写性及びモールド作成コストに優れた加工装置を提供することができる。     ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the processing apparatus excellent in pattern transfer property and mold creation cost can be provided, implement | achieving high-speed transcription | transfer.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。     Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

本実施例の加工装置は、パターンが形成されたモールド(原版)を被転写体(基板)に塗布された被加工材料に押し付け、パターンを被転写体に転写する加工装置である。本実施例の加工装置は、例えば、ナノインプリント技術を利用する加工装置であり、半導体やMEMS(Micro Electro−Mechanical Systems)などの微細加工を行うために適して用いられる。     The processing apparatus of the present embodiment is a processing apparatus that presses a mold (original plate) on which a pattern is formed against a material to be processed applied to a transfer target (substrate) and transfers the pattern to the transfer target. The processing apparatus of the present embodiment is, for example, a processing apparatus that uses nanoimprint technology, and is suitably used for performing fine processing such as semiconductors and MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems).

図1は、本実施例の加工装置(インプリント装置)における押印動作を示す概要図である。図1(a)〜図1(c)は、それぞれ、(a)押印開始時、(b)接触時、(c)押印完了時、におけるモールドMLと基板WFの位置関係を示している。     FIG. 1 is a schematic diagram showing a stamping operation in the processing apparatus (imprint apparatus) of the present embodiment. FIGS. 1A to 1C show the positional relationship between the mold ML and the substrate WF at the time of (a) the start of stamping, (b) at the time of contact, and (c) at the time of completion of stamping, respectively.

図1(a)において、UVRは、基板WF上に滴下されたUV硬化樹脂である。UV硬化樹脂UVRを滴下した基板WFから離れた位置(下方)にモールドMLが位置している。このとき、モールドMLは、基板WFに対して所定の角度で傾斜している。モールドMLの下面には、微細なパターン(不図示)が形成されている。     In FIG. 1A, UVR is a UV curable resin dropped on the substrate WF. The mold ML is located at a position (downward) away from the substrate WF onto which the UV curable resin UVR has been dropped. At this time, the mold ML is inclined at a predetermined angle with respect to the substrate WF. A fine pattern (not shown) is formed on the lower surface of the mold ML.

モールドMLを基板WFに近づけていくと、図1(b)に示されるように、モールドMLは、モールドMLの端部(端点、端線)を接触点として、基板WFに接触する。この接触点(接触部)を回転中心(軸)として、モールドMLを右回りに回転させながら、モールドMLのパターン面を基板WFに平行にする。     When the mold ML is brought closer to the substrate WF, as shown in FIG. 1B, the mold ML contacts the substrate WF with the end portion (end point, end line) of the mold ML as a contact point. With this contact point (contact portion) as the rotation center (axis), the pattern surface of the mold ML is made parallel to the substrate WF while rotating the mold ML clockwise.

図1(c)に示されるように、モールドMLが基板WFと平行になったとき、押印動作は完了する。     As shown in FIG. 1C, the stamping operation is completed when the mold ML is parallel to the substrate WF.

最初、モールドMLと基板WFの接触点(接触部)を中心としてモールドMLを回転させながら押印動作を行う。このため、図1(b)に示されるように、UV硬化樹脂UVRは、図中の右方向に徐々に広がっていく。同時に、樹脂中に混入している気泡は右方向に押し出される。このように、本実施例の加工装置では、一方向に向けてUV硬化樹脂UVRを広げていくため、樹脂の中に気泡が混入する可能性は低く、良好な転写パターンを短時間に得ることができる。     First, a stamping operation is performed while rotating the mold ML around the contact point (contact portion) between the mold ML and the substrate WF. For this reason, as shown in FIG. 1B, the UV curable resin UVR gradually spreads in the right direction in the figure. At the same time, bubbles mixed in the resin are pushed rightward. As described above, in the processing apparatus of this embodiment, the UV curable resin UVR is spread in one direction, so that there is a low possibility that bubbles are mixed in the resin, and a good transfer pattern can be obtained in a short time. Can do.

また、基板WFとモールドMLの接触点が回転中心となるため、両者が接触点で接触した後、この接触点が擦れることがない。このため、パーティクルの発生が低減され、歩留まり向上が期待できる。また、モールドが摩擦によって破壊する可能性も低減される。     Further, since the contact point between the substrate WF and the mold ML is the center of rotation, the contact point is not rubbed after both contact at the contact point. For this reason, generation | occurrence | production of a particle is reduced and the yield improvement can be anticipated. In addition, the possibility of the mold breaking due to friction is reduced.

次に、実施例1における加工装置(ナノインプリント装置)の構成を説明する。図2は、実施例1における加工装置の概略構成図である。本実施例の加工装置は、光硬化型のナノインプリント装置である。     Next, the structure of the processing apparatus (nanoimprint apparatus) in Example 1 is demonstrated. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a processing apparatus according to the first embodiment. The processing apparatus of the present embodiment is a photo-curing nanoimprint apparatus.

本実施例のナノインプリント装置1では、三次元パターンが形成されたモールドMLが、UV硬化樹脂UVRを塗布した基板WFに押し付けられる。モールドMLを基板WFに押し付けた状態で紫外線を照射することにより、UV硬化樹脂UVRを硬化させる。UV硬化樹脂UVRが硬化した後、モールドMLを引き上げて基板WFから離すと、モールドMLに形成されていたパターンが基板WF上に転写される。     In the nanoimprint apparatus 1 of this example, the mold ML on which the three-dimensional pattern is formed is pressed against the substrate WF coated with the UV curable resin UVR. The UV curable resin UVR is cured by irradiating ultraviolet rays in a state where the mold ML is pressed against the substrate WF. After the UV curable resin UVR is cured, when the mold ML is pulled up and separated from the substrate WF, the pattern formed on the mold ML is transferred onto the substrate WF.

なお、本実施例では、基板WF上に複数のモールドパターンのショットを転写するステップアンドリピート方式の装置であり、基板WFとモールドML上のパターンの位置合わせを行う位置合わせ機構も有する。     In this embodiment, the apparatus is a step-and-repeat type apparatus that transfers a plurality of mold pattern shots onto the substrate WF, and also includes an alignment mechanism that aligns the substrate WF and the pattern on the mold ML.

本実施例のナノインプリント装置1の構成について、図2を参照して説明する。ナノインプリント装置1は、モールドMLを保持及び駆動するモールド駆動機構、及び、基板WFを保持及び駆動する基板駆動機構を備える。     The configuration of the nanoimprint apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG. The nanoimprint apparatus 1 includes a mold driving mechanism that holds and drives the mold ML, and a substrate driving mechanism that holds and drives the substrate WF.

モールド駆動機構は、モールドMLの姿勢(傾斜角)を調整する傾斜機構、及び、モールドMLをZ方向(上下方向)に移動させて基板WF(被転写体)にモールドMLを押し付ける(接触させる)移動機構を有する。     The mold driving mechanism includes an inclination mechanism that adjusts the posture (inclination angle) of the mold ML, and moves the mold ML in the Z direction (up and down direction) to press (contact) the mold ML against the substrate WF (transfer object). It has a moving mechanism.

基板駆動機構は、被転写体としての基板WFを装置内で保持する機能、及び、位置決めなどに伴って基板WFを移動させる機能を有する。     The substrate driving mechanism has a function of holding the substrate WF as a transfer target in the apparatus and a function of moving the substrate WF in accordance with positioning.

ナノインプリント装置1には、上記機構以外に、UV硬化樹脂UVRを硬化させる紫外線を照射する照明光学系、基板WFとモールドMLの位置を精密に計測するための顕微鏡、及び、基板WF上にUV硬化樹脂UVRを塗布する塗布装置などが設けられている。     In addition to the above mechanism, the nanoimprint apparatus 1 includes an illumination optical system for irradiating ultraviolet rays for curing the UV curable resin UVR, a microscope for accurately measuring the positions of the substrate WF and the mold ML, and UV curing on the substrate WF. A coating apparatus for coating the resin UVR is provided.

ナノインプリント装置1は、定盤上に構成されている。定盤上には、基板搬送機構が設置される。さらに、定盤上に設置されたフレームに、モールド駆動機構、顕微鏡、照明光学系、及び、塗布装置などが固定されている。     The nanoimprint apparatus 1 is configured on a surface plate. A substrate transport mechanism is installed on the surface plate. Further, a mold driving mechanism, a microscope, an illumination optical system, a coating device, and the like are fixed to a frame installed on the surface plate.

以下、本実施例のナノインプリント装置1における各部について、詳細に説明する。     Hereafter, each part in the nanoimprint apparatus 1 of a present Example is demonstrated in detail.

100はモールドステージである。モールドステージ100は、モールドMLを保持し、モールドMLの姿勢(傾斜角)を変化させるために用いられる。モールドステージ100は、少なくとも、後述のモールドチルトステージ101を有する。     Reference numeral 100 denotes a mold stage. The mold stage 100 is used to hold the mold ML and change the posture (inclination angle) of the mold ML. The mold stage 100 has at least a mold tilt stage 101 described later.

MLは、転写パターンの原盤であるモールドである。モールドMLは、その下面(基板WFとの対向面)において、微細な転写パターンが三次元的に形成されている。モールドMLに形成されたパターンは、例えば、幅50nm、深さ100nmの溝が複数形成されたラインアンドスペースパターンなどである。     ML is a mold that is a master of a transfer pattern. A fine transfer pattern is three-dimensionally formed on the lower surface of the mold ML (the surface facing the substrate WF). The pattern formed on the mold ML is, for example, a line and space pattern in which a plurality of grooves having a width of 50 nm and a depth of 100 nm are formed.

モールドMLは、石英などの紫外線を透過する材質で構成されている。これは、モールドMLの裏面(パターンが形成された面とは反対側の面)から照射された紫外線がモールドMLを透過して、紫外線をUV硬化樹脂UVRに照射させるためである。     The mold ML is made of a material that transmits ultraviolet rays, such as quartz. This is because the ultraviolet rays irradiated from the back surface of the mold ML (the surface opposite to the surface on which the pattern is formed) pass through the mold ML and irradiate the UV curable resin UVR with the ultraviolet rays.

モールドMLは、モールドチルトステージ101(モールド保持手段)に保持されている。モールドチルトステージ101は、真空吸着、静電吸着、又は、機械的なクランプにより、モールドMLを保持する。モールドチルトステージ101は、後述するモールドZ駆動部103の下部に位置しており、モールドMLの姿勢(傾斜角)を図中のX軸、Y軸の回りの方向に自在に変えることが可能である。     The mold ML is held on a mold tilt stage 101 (mold holding means). The mold tilt stage 101 holds the mold ML by vacuum chucking, electrostatic chucking, or mechanical clamping. The mold tilt stage 101 is located below a mold Z driving unit 103 described later, and the posture (tilt angle) of the mold ML can be freely changed in directions around the X axis and Y axis in the drawing. is there.

モールドチルトステージ101には、その右側面において、モールド位置基準ミラー102が取り付けられている。モールド位置基準ミラー102は、レーザー測長器によってモールドMLの姿勢(傾斜角)を計測するための基準ミラーである。モールド位置基準ミラー102は、Z方向に離れた二箇所の位置を計測し、その差分からモールドチルトステージ101の姿勢(傾斜角)を検出する。このように、モールド位置基準ミラー102は、モールドMLの傾斜を計測する計測部として用いられる。     A mold position reference mirror 102 is attached to the mold tilt stage 101 on the right side surface. The mold position reference mirror 102 is a reference mirror for measuring the posture (tilt angle) of the mold ML with a laser length measuring device. The mold position reference mirror 102 measures two positions separated in the Z direction, and detects the posture (tilt angle) of the mold tilt stage 101 from the difference therebetween. Thus, the mold position reference mirror 102 is used as a measurement unit that measures the inclination of the mold ML.

109はモールド計測用レーザー光である。モールド計測用レーザー光109は、不図示のレーザー測長器の計測光である。     Reference numeral 109 denotes a mold measurement laser beam. The mold measuring laser beam 109 is a measuring beam of a laser length measuring device (not shown).

103はモールドZ駆動部(移動機構)である。モールドZ駆動部103は、直動ガイド108によって保持されており、モールドステージ100をZ方向(上下方向)に移動させることができるように構成されている。モールドZ駆動部103は、その上部において、荷重センサ105を介してモールドZ駆動部104に連結されている。     Reference numeral 103 denotes a mold Z driving unit (moving mechanism). The mold Z driving unit 103 is held by a linear motion guide 108 and is configured to be able to move the mold stage 100 in the Z direction (up and down direction). The mold Z drive unit 103 is connected to the mold Z drive unit 104 via a load sensor 105 at the upper part thereof.

モールドZ駆動部104は、モールドZ駆動部103と同様に、直動ガイド108によってフレームに保持されており、Z方向に移動可能に構成されている。また、モールドZ駆動部104は、Z方向以外の移動及び回転移動ができないように、剛に保持されている。モールドZ駆動部は、ボールナット(不図示)を介して、ボールネジ106に連結されている。     Similar to the mold Z drive unit 103, the mold Z drive unit 104 is held on the frame by the linear motion guide 108, and is configured to be movable in the Z direction. The mold Z drive unit 104 is held rigidly so that it cannot move or rotate in directions other than the Z direction. The mold Z drive unit is connected to the ball screw 106 via a ball nut (not shown).

107はモーターである。モーター107は、ボールネジ106を回転することにより、モールドZ駆動部104、荷重センサ105、及び、モールドZ駆動部103をZ方向に移動させるように構成されている。このように、モールドZ駆動部103、モールドZ駆動部104、荷重センサ105、ボールネジ106、及び、モーター107は、傾斜したモールドMLを基板WFに近接させる移動機構として機能する。     Reference numeral 107 denotes a motor. The motor 107 is configured to move the mold Z driving unit 104, the load sensor 105, and the mold Z driving unit 103 in the Z direction by rotating the ball screw 106. Thus, the mold Z driving unit 103, the mold Z driving unit 104, the load sensor 105, the ball screw 106, and the motor 107 function as a moving mechanism that brings the inclined mold ML close to the substrate WF.

荷重センサ105は、モールドZ駆動部103とモールドZ駆動部104の間に配置されていることにより、モールドMLにかかる荷重を検出することができる。     Since the load sensor 105 is disposed between the mold Z drive unit 103 and the mold Z drive unit 104, the load sensor 105 can detect a load applied to the mold ML.

モールドZ駆動部103の内部には、照明光学系401が保持されている。照明光学系401は、その内部において、紫外線を発生する光源及びレンズ群を有し、光源から照射された紫外線をUV硬化樹脂UVRに照射する。紫外線からなる照明光は、照明光学系401から発して、モールドZ駆動部103に設けられた開口(不図示)を通じて、モールドMLの裏面(上面)からモールドMLを透過し、UV硬化樹脂UVRを硬化させる。     An illumination optical system 401 is held inside the mold Z driving unit 103. The illumination optical system 401 includes a light source and a lens group that generate ultraviolet rays therein, and irradiates the UV curable resin UVR with ultraviolet rays emitted from the light source. Illumination light composed of ultraviolet rays is emitted from the illumination optical system 401, passes through the mold ML from the back surface (upper surface) of the mold ML through an opening (not shown) provided in the mold Z driving unit 103, and uses the UV curable resin UVR. Harden.

200はウエハステージである。ウエハステージ200は、被転写体である基板WFを装置内に保持し、XY方向に移動させるためのものである。基板WFは、ウエハチャック201に真空吸着により脱着可能に保持され、ウエハチャック201は、ウエハステージ本体202の上に取り付けられている。ウエハステージ200は、少なくとも、ウエハチャック201及びウエハステージ本体202を含む。     Reference numeral 200 denotes a wafer stage. The wafer stage 200 is for holding the substrate WF, which is a transfer target, in the apparatus and moving it in the XY directions. The substrate WF is detachably held on the wafer chuck 201 by vacuum suction, and the wafer chuck 201 is attached on the wafer stage main body 202. The wafer stage 200 includes at least a wafer chuck 201 and a wafer stage main body 202.

ウエハステージ本体202の上部には、ウエハチャック201以外に、モールド高さセンサ205が設けられている。また、ウエハステージ本体202の右側面には、ウエハ位置基準ミラー203が保持されている。204はウエハ計測用レーザー光である。ウエハ計測用レーザー光204は、レーザー測長器(不図示)の計測光である。ウエハ計測用レーザー光204により、ウエハ位置基準ミラー203の位置が計測される。このため、基板WFの位置を精密に検出することが可能となる。     In addition to the wafer chuck 201, a mold height sensor 205 is provided on the upper part of the wafer stage main body 202. A wafer position reference mirror 203 is held on the right side surface of the wafer stage main body 202. Reference numeral 204 denotes a wafer measurement laser beam. Wafer measurement laser light 204 is measurement light from a laser length measuring device (not shown). The position of the wafer position reference mirror 203 is measured by the wafer measurement laser beam 204. For this reason, the position of the substrate WF can be accurately detected.

302はフレームである。フレーム302は、定盤301上に固定されている。フレーム302は、上述のモールドZ駆動部103、104、顕微鏡601、及び、塗布装置501を保持し、ナノインプリント装置1の全体を支える役割を有する。     Reference numeral 302 denotes a frame. The frame 302 is fixed on the surface plate 301. The frame 302 holds the above-described mold Z driving units 103 and 104, the microscope 601, and the coating apparatus 501, and has a role of supporting the entire nanoimprint apparatus 1.

ナノインプリント装置1は、除振装置303を介して、床に設置されている。除振装置303は、ナノインプリント装置1の全体を支え、床に設置されることで、床からの振動を遮断し、振動による位置決めエラーを小さくする役割を有する。     The nanoimprint apparatus 1 is installed on the floor via a vibration isolation device 303. The vibration isolation device 303 supports the entire nanoimprint apparatus 1 and is installed on the floor, thereby blocking vibration from the floor and reducing positioning errors due to vibration.

次に、モールドチルトステージ101について詳細に説明する。図3は、本実施例の加工装置におけるモールドステージ周辺部の拡大図である。     Next, the mold tilt stage 101 will be described in detail. FIG. 3 is an enlarged view of the periphery of the mold stage in the processing apparatus of this embodiment.

図3に示されるように、モールドチルトステージ101は、モールドチャック111、モールドアクチュエータ112、及び、モールドステージ支持部113から構成されている。     As shown in FIG. 3, the mold tilt stage 101 includes a mold chuck 111, a mold actuator 112, and a mold stage support portion 113.

モールドチャック111(傾斜機構)は、Y軸回りの方向に回転可能なように、ベアリング機構によってモールドステージ支持部113に支持されている。回転位置を制御するために、モールドアクチュエータ112(回転機構)は、モールドチャック111とモールドステージ支持部113の間に設置されている。モールドアクチュエータ112が伸縮することによって、モールドMLの姿勢をY軸回りに回転可能となっている。     The mold chuck 111 (tilting mechanism) is supported by the mold stage support 113 by a bearing mechanism so as to be rotatable in the direction around the Y axis. In order to control the rotation position, the mold actuator 112 (rotation mechanism) is installed between the mold chuck 111 and the mold stage support part 113. By extending and contracting the mold actuator 112, the posture of the mold ML can be rotated around the Y axis.

図3から明らかなように、回転中心は、モールドのパターン面からZ方向に離れている。このため、モールドの姿勢によって、モールドパターン面の位置は、X方向にもずれることになる。しかし、この構成は、ベアリングを用いて容易に高い剛性を実現できるため、コスト的に優れている構成である。ここでは、Y軸回りの姿勢についてのみ記載しているが、X軸回りにも同様の構成とすることで、任意の姿勢を実現できる。     As is apparent from FIG. 3, the center of rotation is away from the pattern surface of the mold in the Z direction. For this reason, the position of the mold pattern surface also shifts in the X direction depending on the posture of the mold. However, this configuration is excellent in cost because it can easily achieve high rigidity using a bearing. Although only the posture around the Y axis is described here, an arbitrary posture can be realized by adopting the same configuration around the X axis.

次に、加工装置(ナノインプリント装置1)の動作について、図2及び図3を参照しながら説明をする。     Next, the operation of the processing apparatus (nanoimprint apparatus 1) will be described with reference to FIGS.

不図示のモールド搬送系によって、モールドMLが装置内に搬入され、モールドMLがモールドチャック111に装着される。モールドチャック111の表面(パターンが形成された面)の高さをウエハステージ200に搭載されたモールド高さセンサ205によって計測する。そして、モールドMLがXY平面に平行になるように、モールドMLの姿勢を調整する。     The mold ML is carried into the apparatus by a mold conveyance system (not shown), and the mold ML is mounted on the mold chuck 111. The height of the surface (the surface on which the pattern is formed) of the mold chuck 111 is measured by a mold height sensor 205 mounted on the wafer stage 200. Then, the posture of the mold ML is adjusted so that the mold ML is parallel to the XY plane.

その後、被転写基板である基板WFを装置内に搬入し、基板WFをウエハチャック201に保持する。モールドMLと基板WFとの位置合わせを行う場合には、顕微鏡601によって基板WFの装置上の位置を計測し、ウエハステージの位置決め指令値を補正する。そして、塗布装置501によって基板WF上にUV硬化樹脂UVRを滴下し、転写位置へ基板WFを移動させる。     Thereafter, the substrate WF as a transfer substrate is carried into the apparatus, and the substrate WF is held on the wafer chuck 201. When aligning the mold ML and the substrate WF, the position of the substrate WF on the apparatus is measured by the microscope 601 and the wafer stage positioning command value is corrected. Then, the UV curable resin UVR is dropped on the substrate WF by the coating device 501 and the substrate WF is moved to the transfer position.

図4は、押印動作開始時におけるモールドステージの状態を示したものである。図4に示されるように、押印動作では、最初、モールドチャック111(傾斜機構)がモールドMLを傾斜させることにより、モールドMLの姿勢が傾けられる。その後、モールドZ駆動部103(移動機構)により、傾斜したモールドMLを基板WFに近接させる。本実施例では、移動機構としてのモーター107が、傾斜したモールドMLを下方へ駆動させる。モールドMLが傾斜した状態で基板WFと接触したとき、モールドアクチュエータ112(回転機構)は、モールドMLが基板WFの表面と平行になるようにモールドMLを回転させる。本実施例の加工装置は、モールドMLの端部と基板WFとの相対的な位置関係を一定に保つための制御機構を備える。     FIG. 4 shows the state of the mold stage at the start of the stamping operation. As shown in FIG. 4, in the stamping operation, the mold chuck 111 (tilting mechanism) first tilts the mold ML, so that the posture of the mold ML is tilted. Thereafter, the mold Z that is tilted is brought close to the substrate WF by the mold Z drive unit 103 (movement mechanism). In the present embodiment, the motor 107 as a moving mechanism drives the inclined mold ML downward. When the mold ML comes into contact with the substrate WF in an inclined state, the mold actuator 112 (rotation mechanism) rotates the mold ML so that the mold ML is parallel to the surface of the substrate WF. The processing apparatus of the present embodiment includes a control mechanism for keeping the relative positional relationship between the end of the mold ML and the substrate WF constant.

図13は、本実施例における加工装置の制御機構を示すブロック図である。図13に示されるように、モールドMLは移動機構及び回転機構により位置又は傾斜角が変化する。制御機構は、モールドMLの傾斜角を検出し、検出した傾斜角に基づいて、被転写体である基板WFの位置を変化させる。このような制御機構によれば、回転機構によりモールドMLが回転する間、モールドMLの端部の位置が基板WF(ウエハステージ200)に対して動かないように制御することが可能になる。     FIG. 13 is a block diagram showing a control mechanism of the machining apparatus in the present embodiment. As shown in FIG. 13, the position or the inclination angle of the mold ML is changed by the moving mechanism and the rotating mechanism. The control mechanism detects the tilt angle of the mold ML, and changes the position of the substrate WF, which is a transfer target, based on the detected tilt angle. According to such a control mechanism, it is possible to control the position of the end portion of the mold ML so as not to move with respect to the substrate WF (wafer stage 200) while the mold ML is rotated by the rotation mechanism.

以下、押印動作について詳細に説明する。図5(A)乃至図5(E)は、本実施例の押印動作における状態を順に示したものである。     Hereinafter, the stamping operation will be described in detail. FIGS. 5A to 5E sequentially show states in the stamping operation of this embodiment.

図5(A)は、押印開始前の状態(第1の状態)を示している。このとき、モールドMLは、基板WLの平面に対して角度θだけ傾いている。この第1の状態において、モールドMLに対してモーター107によりZ駆動が行われ、モールドMLを下降させていく。図5(B)は、モールドMLの下降中における第2の状態を示したものである。     FIG. 5A shows a state (first state) before the start of stamping. At this time, the mold ML is inclined by an angle θ with respect to the plane of the substrate WL. In this first state, Z driving is performed on the mold ML by the motor 107, and the mold ML is lowered. FIG. 5B shows a second state during the lowering of the mold ML.

モールドMLを下降させていくと、モールドMLの端部が基板WFに接触する。図5(C)は、モールドMLの端部が着地地点(接触点)において基板WFに接触している第3の状態を示している。     As the mold ML is lowered, the end of the mold ML comes into contact with the substrate WF. FIG. 5C shows a third state in which the end portion of the mold ML is in contact with the substrate WF at the landing point (contact point).

モールドMLの端部が基板WFに接触した時点で、回転機構を用いてモールドMLを回転させる。モールドアクチュエータ112(回転機構)は、接触点(線)を回転中心として、モールドMLが基板WFの表面に平行になるようにモールドMLを回転させ、モールドMLの姿勢を補正する。     When the end of the mold ML comes into contact with the substrate WF, the mold ML is rotated using a rotation mechanism. The mold actuator 112 (rotation mechanism) rotates the mold ML around the contact point (line) as the rotation center so that the mold ML is parallel to the surface of the substrate WF, and corrects the posture of the mold ML.

ここで、モールドステージ100の回転中心と接触点(着地地点)の位置は一致していない。このため、モールドMLの姿勢変化に合わせて、ウエハステージ200を−X方向に移動させる必要がある。     Here, the rotation center of the mold stage 100 and the position of the contact point (landing point) do not match. For this reason, it is necessary to move the wafer stage 200 in the −X direction in accordance with the posture change of the mold ML.

具体的には、制御機構は、モールドMLの傾斜を計測するモールド位置基準ミラー102(計測部)、及び、不図示の駆動部を備える。駆動部は、計測部による計測結果に基づいて、ウエハステージ200(基板WL)を移動させる。     Specifically, the control mechanism includes a mold position reference mirror 102 (measurement unit) that measures the inclination of the mold ML, and a drive unit (not shown). The drive unit moves the wafer stage 200 (substrate WL) based on the measurement result by the measurement unit.

図5(D)は、その途中の第4の状態を示している。第4の状態では、角度θだけ傾いていたモールドMLの初期姿勢から角度αだけ回転している。このとき、ウエハステージ200(基板WF)はΔXαだけ移動している。UV硬化樹脂は、図中の左側から右側へ順時押し出されるように、モールドMLのパターン面に充填されていく。     FIG. 5D shows a fourth state in the middle. In the fourth state, the mold ML is rotated by an angle α from the initial posture of the mold ML that is inclined by the angle θ. At this time, wafer stage 200 (substrate WF) has moved by ΔXα. The UV curable resin is filled in the pattern surface of the mold ML so as to be pushed out from the left side to the right side in the drawing.

図5(E)は、押印動作が完了した第5の状態を示している。この状態では、モールドMLと基板WFが平行になっており、UV硬化樹脂UVRは、モールドMLのパターン全面に充填されている。ウエハステージ200(基板WF)は、ΔXだけ移動している。     FIG. 5E shows a fifth state in which the stamping operation is completed. In this state, the mold ML and the substrate WF are parallel to each other, and the UV curable resin UVR is filled on the entire pattern of the mold ML. Wafer stage 200 (substrate WF) has moved by ΔX.

以上のとおり、移動機構によりZ方向にモールドMLを下降させながら、モールドMLの回転方向の姿勢(Y軸回り)とウエハステージ200(X方向)を協調して動作させる。このため、モールドMLと基板WFが最初に接触した接触点(線)を回転中心とした押印動作を実現できる。本実施例の構成によれば、押印の途上で、モールドMLと基板WFが擦れることが無いため、パーティクルの発生やモールドMLの破損を防ぐことが可能となる。     As described above, while the mold ML is lowered in the Z direction by the moving mechanism, the posture of the mold ML in the rotation direction (around the Y axis) and the wafer stage 200 (X direction) are operated in a coordinated manner. Therefore, it is possible to realize a stamping operation with the contact point (line) where the mold ML and the substrate WF first contact each other as the rotation center. According to the configuration of the present embodiment, the mold ML and the substrate WF are not rubbed during the stamping process, so that generation of particles and damage to the mold ML can be prevented.

次に、押印時における各部の動作について、図6(A)及び図6(B)を参照しながら詳細に説明する。図6(A)及び図6(B)は、それぞれ、モールドの姿勢、モールドのZ位置、及び、ウエハステージのX位置についての変化を示している。     Next, the operation of each part at the time of stamping will be described in detail with reference to FIGS. 6 (A) and 6 (B). FIGS. 6A and 6B show changes in the mold posture, the Z position of the mold, and the X position of the wafer stage, respectively.

図6(A)は、押印動作における制御方法を説明する図である。図6(A)において、モールドMLが初期状態の位置を点線で表し、モールド接触した時点を実線で示している。初期状態において、モールドMLは、基板WFからZ0だけ離れた位置にある。また、モールドMLは、Z軸に対して、角度θだけ傾いている。モールドMLが基板WFに接触した後の姿勢変化量をαと定義する。     FIG. 6A is a diagram for explaining a control method in the stamping operation. In FIG. 6A, the position of the mold ML in the initial state is indicated by a dotted line, and the time when the mold ML comes into contact is indicated by a solid line. In the initial state, the mold ML is at a position separated from the substrate WF by Z0. Further, the mold ML is inclined by an angle θ with respect to the Z axis. The posture change amount after the mold ML contacts the substrate WF is defined as α.

図6(B)は、押印動作における各軸の移動量(制御量)の一例を示すグラフである。モールドMLの姿勢は、接触前は角度θで一定であり、接触後、徐々に傾きが小さくなるように補正していく。モールドのZ位置は、接触前及び接触後のいずれにおいても、等速で下降していく。ウエハステージのX方向は、接触前は変化せず、接触後に変化を開始する。このとき、ウエハステージ200は、モールドのZ位置及びモールドの姿勢に応じて−X方向に移動する。     FIG. 6B is a graph showing an example of the movement amount (control amount) of each axis in the stamping operation. The posture of the mold ML is constant at an angle θ before contact, and is corrected so that the inclination gradually decreases after contact. The Z position of the mold descends at a constant speed before and after contact. The X direction of the wafer stage does not change before contact and starts to change after contact. At this time, the wafer stage 200 moves in the −X direction according to the Z position of the mold and the attitude of the mold.

これらの3つの制御量は一意的に決まり、移動機構、回転機構、及び、駆動部により、それぞれ協調して駆動される。モールドMLのパターンと基板WF上に予め形成されたパターンとの重ね合せが必要な場合には、ウエハステージ200の位置は、押印終了時にアライメントが一致するようにウエハステージ200の初期位置が修正される。     These three control amounts are uniquely determined and are driven in a coordinated manner by a moving mechanism, a rotating mechanism, and a driving unit. When it is necessary to superimpose the pattern of the mold ML and the pattern previously formed on the substrate WF, the initial position of the wafer stage 200 is corrected so that the alignment of the wafer stage 200 coincides at the end of the stamping. The

ここでは、3つの制御量を移動機構、回転機構、及び、駆動部からなる駆動系によって制御する前提で説明を行った。ただし、これに限定されるものではない。例えば、後述の実施例3のように、モールドのZ駆動を行うことで、他の軸を自由に駆動できる状態としてもよい。     Here, the description has been made on the assumption that the three control amounts are controlled by a driving system including a moving mechanism, a rotating mechanism, and a driving unit. However, it is not limited to this. For example, as in Example 3 to be described later, another mold may be driven freely by performing Z driving of the mold.

上述の制御により押印動作が完了すると、照明光学系401によって、照明光が照射され、UV硬化樹脂UVRを硬化させる。UV硬化樹脂UVRの硬化後は、モールドZ駆動部103(移動機構)の駆動により、モールドMLを基板WFから離型する。離型後は、モールドMLに形成されたパターンのレプリカパターンが基板WFの上に形成される。     When the stamping operation is completed by the above-described control, the illumination optical system 401 irradiates illumination light to cure the UV curable resin UVR. After the UV curable resin UVR is cured, the mold ML is released from the substrate WF by driving the mold Z driving unit 103 (moving mechanism). After the mold release, a replica pattern of the pattern formed on the mold ML is formed on the substrate WF.

以上で基板上の1ショット分の転写が完了する。一枚の基板上に複数の転写を行う場合には、ウエハステージ200を駆動し、次のショット位置へUV硬化樹脂を塗布し、上記の動作を繰り返し行うことで基板全面に転写を行うことができる。基板上に全ての転写を完了した場合には、基板を搬出し、次の転写基板を搬入し、上記と同様の動作を繰り返す。     Thus, the transfer for one shot on the substrate is completed. When performing a plurality of transfers on a single substrate, the wafer stage 200 is driven, a UV curable resin is applied to the next shot position, and the above operation is repeated to perform the transfer over the entire surface of the substrate. it can. When all the transfer is completed on the substrate, the substrate is unloaded, the next transfer substrate is loaded, and the same operation as described above is repeated.

次に、本発明の実施例2における加工装置について説明する。     Next, a processing apparatus in Embodiment 2 of the present invention will be described.

図7は、実施例2における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。図7に示される加工装置は、実施例1と同様のインプリント装置である。図7では、図3と同様に、モールドステージ周辺のみを示している。なお、実施例1と同様の機能を表す部材には、同一の符号を付しており、その説明を省略する。     FIG. 7 is an enlarged view around the mold stage of the processing apparatus according to the second embodiment. The processing apparatus shown in FIG. 7 is an imprint apparatus similar to that of the first embodiment. FIG. 7 shows only the periphery of the mold stage as in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member showing the function similar to Example 1, and the description is abbreviate | omitted.

実施例2において実施例1と異なる部分は、モールドMLが基板WFとほぼ同じ大きさであり、一回の転写動作で基板WFの全面にパターンを転写できるという点である。     The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the mold ML is approximately the same size as the substrate WF, and the pattern can be transferred to the entire surface of the substrate WF by a single transfer operation.

モールドMLは、基板WFと全面を一括で転写できる大きさである。モールドMLの下面は、転写されるパターンが形成されており、裏面(上面)は、モールドチャック111によって保持されている。モールドチャック111は、真空吸着手段、静電吸着手段、メカニカルクランプなどの保持手段を備えている。     The mold ML has such a size that the entire surface of the substrate WF can be transferred at once. A pattern to be transferred is formed on the lower surface of the mold ML, and the back surface (upper surface) is held by the mold chuck 111. The mold chuck 111 includes holding means such as a vacuum suction means, an electrostatic suction means, and a mechanical clamp.

モールドチャック111(傾斜機構)は、ベアリング等の回転案内機構を介してモールドYステージ121に保持されている。モールドチャック111は、回転案内を軸として、Y軸回りの方向に回転可能となっている。     The mold chuck 111 (tilting mechanism) is held by the mold Y stage 121 via a rotation guide mechanism such as a bearing. The mold chuck 111 is rotatable in the direction around the Y axis with the rotation guide as an axis.

モールドYステージ121とモールドチャック111との間には、モールドアクチュエータ112(回転機構)が配置されている。モールドアクチュエータ112は、Z方向に伸縮するアクチュエータであり、モールドアクチュエータ112が伸縮することで、モールドチャック111がY軸回りの方向に姿勢を変えることができる。     A mold actuator 112 (rotating mechanism) is disposed between the mold Y stage 121 and the mold chuck 111. The mold actuator 112 is an actuator that expands and contracts in the Z direction. When the mold actuator 112 expands and contracts, the posture of the mold chuck 111 can be changed in the direction around the Y axis.

モールドYステージ121は、モールドYガイド122を介して、モールドXステージ123に取り付けられている。モールドYガイド122は、直動ガイドである。モールドXステージ123は、モールドXガイド124を介して、モールドZ駆動部103に連結されている。     The mold Y stage 121 is attached to the mold X stage 123 via a mold Y guide 122. The mold Y guide 122 is a linear motion guide. The mold X stage 123 is connected to the mold Z driving unit 103 via the mold X guide 124.

モールドXガイド124もモールドYガイド122と同様の直動ガイドであり、モールドXステージ123のX方向の移動の案内である。以上のとおり、モールドZ駆動部103の下部にXY方向とチルト方向のモールドステージが構成される。     The mold X guide 124 is also a linear motion guide similar to the mold Y guide 122, and is a guide for movement of the mold X stage 123 in the X direction. As described above, the mold stage in the XY direction and the tilt direction is configured below the mold Z driving unit 103.

実施例2における押印動作は、実施例1と同様である。初期状態では、モールドMLは、基板WFに対して傾斜した状態である。押印は、移動機構(モールドZ駆動部103)により、モールドMLを下降させることで開始する。モールドMLの端部(端点、端線)が基板WFに接触すると、モールドアクチュエータ112(回転機構)は、この接触点(線)を回転中心軸として、モールドMLが基板WFに平行になるように駆動する。同時に、モールドXステージ123(駆動部)は、接触点が動かないように、モールドMLをX方向に駆動する。     The stamping operation in the second embodiment is the same as that in the first embodiment. In the initial state, the mold ML is inclined with respect to the substrate WF. The stamping is started by lowering the mold ML by the moving mechanism (mold Z driving unit 103). When the end (end point, end line) of the mold ML comes into contact with the substrate WF, the mold actuator 112 (rotation mechanism) causes the mold ML to be parallel to the substrate WF with the contact point (line) as the rotation center axis. To drive. At the same time, the mold X stage 123 (driving unit) drives the mold ML in the X direction so that the contact point does not move.

このように、本実施例では、モールドXステージ123とモールドアクチュエータ112が、モールドZ駆動量に応じてモールドMLを移動させながら押印動作を行う。     As described above, in this embodiment, the mold X stage 123 and the mold actuator 112 perform the stamping operation while moving the mold ML according to the mold Z driving amount.

モールドのZ方向の駆動量、モールドXステージの移動量、モールドチルト移動量は、図6(B)に示されるグラフと同様である。同時に3つの制御量を制御することによって、モールドが最初に基板に接した点が擦れることが無い。このため、パーティクルの発生やモールドの破損を防ぐことができ、押印動作を安定して行うことが可能となる。     The driving amount of the mold in the Z direction, the moving amount of the mold X stage, and the moving amount of the mold tilt are the same as those in the graph shown in FIG. By simultaneously controlling the three control amounts, the point where the mold first contacts the substrate is not rubbed. For this reason, generation | occurrence | production of a particle and damage to a mold can be prevented, and it becomes possible to perform a stamping operation stably.

次に、本発明の実施例3における加工装置について説明する。     Next, a processing apparatus in Embodiment 3 of the present invention will be described.

図8は、実施例3における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。図8に示される加工装置は、実施例1と同様のインプリント装置である。図8では、図3と同様に、モールドステージ周辺のみを示している。なお、実施例1と同様の機能を表す部材には、同一の符号を付しており、その説明を省略する。     FIG. 8 is an enlarged view around the mold stage of the processing apparatus according to the third embodiment. The processing apparatus shown in FIG. 8 is an imprint apparatus similar to that of the first embodiment. FIG. 8 shows only the periphery of the mold stage as in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member showing the function similar to Example 1, and the description is abbreviate | omitted.

実施例1及び実施例2では、モールドZ駆動量、モールド回転駆動量、ウエハステージのXの移動量(もしくはモールドXステージの駆動量)の3つの量を同時に制御する必要がある。これに対し、実施例3では、モールドZ駆動量のみを駆動し、モールドMLの姿勢の変化を検知する。そして、モールドMLの姿勢変化に応じて、ウエハステージを駆動する。     In the first and second embodiments, it is necessary to simultaneously control three amounts of the mold Z driving amount, the mold rotation driving amount, and the X movement amount of the wafer stage (or the mold X stage driving amount). On the other hand, in the third embodiment, only the mold Z driving amount is driven to detect a change in the posture of the mold ML. Then, the wafer stage is driven according to the change in the posture of the mold ML.

加工装置全体の構成は、実施例1と同様であるが、モールドチルトステージ101の構成が実施例1とは異なる。具体的には、モールドチルトステージ101を構成するモールドアクチュエータ112の代わりに、スプリング141が設けられている。このため、本実施例のモールドステージは、定常状態では、ウエハステージの走り面(XY面)に対して、常に傾く構成となっている。     The overall configuration of the processing apparatus is the same as that of the first embodiment, but the configuration of the mold tilt stage 101 is different from that of the first embodiment. Specifically, a spring 141 is provided instead of the mold actuator 112 constituting the mold tilt stage 101. For this reason, the mold stage of the present embodiment is always inclined with respect to the running surface (XY plane) of the wafer stage in a steady state.

図8において、141はモールドチャック111(傾斜機構)とモールドステージ支持部113との間に設置されたスプリング(回転機構)である。モールドチャック111に外力がかからない状態では、スプリング141は伸びているため、モールドMLは傾く。本実施例では、モールドMLの姿勢制御機構(回転機構)にアクチュエータは存在しない。     In FIG. 8, reference numeral 141 denotes a spring (rotation mechanism) installed between the mold chuck 111 (tilting mechanism) and the mold stage support portion 113. In a state where no external force is applied to the mold chuck 111, the spring 141 is extended, so that the mold ML is inclined. In this embodiment, there is no actuator in the posture control mechanism (rotation mechanism) of the mold ML.

押印時には、モールドMLが基盤WFに対して、傾いた状態で開始する。モールドZ駆動部103(移動機構)により、モールドMLがZ方向に駆動されていくと、モールドMLの端部(図中の左下の角)が基板WFに接触する。     At the time of stamping, the mold ML starts in a state of being inclined with respect to the substrate WF. When the mold ML is driven in the Z direction by the mold Z drive unit 103 (moving mechanism), the end portion (lower left corner in the drawing) of the mold ML contacts the substrate WF.

端部が接触した後、さらにモールドがZ方向に駆動されると、接触点からの反力でモールドMLに回転モーメントが発生し、モールドMLが回転する。この状態を図9に示す。     When the mold is further driven in the Z direction after the end portions contact, a rotational moment is generated in the mold ML by the reaction force from the contact point, and the mold ML rotates. This state is shown in FIG.

モールドMLの傾きは、モールドの傾斜を計測する計測部によって計測されている。モールドMLが回転した場合には、その値に応じてウエハステージへ移動の指令を出す。ウエハステージの位置は、モールドの姿勢によって一意的に決められている。計測部によるモールドMLの傾斜計測結果に基づいて、駆動部がウエハステージを移動させる。     The inclination of the mold ML is measured by a measuring unit that measures the inclination of the mold. When the mold ML rotates, a movement command is issued to the wafer stage according to the value. The position of the wafer stage is uniquely determined by the posture of the mold. The drive unit moves the wafer stage based on the tilt measurement result of the mold ML by the measurement unit.

ウエハステージの位置は、モールドMLと基板WFが平行にある状態を0とし、モールドの傾きをβとしたとき、
X(β)=L−L×cos(β)+H×sin(β) ‥‥ (1)
で表される。式(1)において、X(β)は、ウエハステージの位置を表している。Lは、モールドステージの回転中心からモールドの角(接触点)までのX方向の距離、Hは、Z方向の距離である(図10を参照)。
When the position of the wafer stage is 0 when the mold ML and the substrate WF are in parallel, and the inclination of the mold is β,
X (β) = L−L × cos (β) + H × sin (β) (1)
It is represented by In equation (1), X (β) represents the position of the wafer stage. L is the distance in the X direction from the rotation center of the mold stage to the corner (contact point) of the mold, and H is the distance in the Z direction (see FIG. 10).

初期状態では、モールドMLは、角度θだけ傾いている。このため、ウエハステージは、X(β)=L−L×cos(θ)+H×sin(θ)の位置に設定される。     In the initial state, the mold ML is inclined by the angle θ. Therefore, the wafer stage is set at a position of X (β) = L−L × cos (θ) + H × sin (θ).

上記の構成及び制御によれば、モールドZ駆動とウエハステージの駆動についての同期制御が不要となるため、システム構成が簡略化できるというメリットがある。さらに、モールドZ駆動量の初期位置から接触するまでの距離を正確に把握する必要が無く、シーケンスも簡略化できるため、装置の低コスト化を図ることができる。     According to the above configuration and control, there is an advantage that the system configuration can be simplified because synchronous control for the mold Z drive and the wafer stage drive is not required. Further, it is not necessary to accurately grasp the distance from the initial position of the mold Z driving amount to the contact, and the sequence can be simplified, so that the cost of the apparatus can be reduced.

次に、本発明の実施例4における加工装置について説明する。     Next, a processing apparatus in Embodiment 4 of the present invention will be described.

図11は、実施例4における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。図11に示される加工装置は、実施例1と同様のインプリント装置である。図11では、図3と同様に、モールドステージ周辺のみを示している。なお、実施例1と同様の機能を表す部材には、同一の符号を付しており、その説明を省略する。     FIG. 11 is an enlarged view around the mold stage of the processing apparatus according to the fourth embodiment. The processing apparatus shown in FIG. 11 is an imprint apparatus similar to that of the first embodiment. FIG. 11 shows only the periphery of the mold stage as in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member showing the function similar to Example 1, and the description is abbreviate | omitted.

実施例4は、実施例1と比較して、モールドステージの構成が異なる。実施例1においては,モールドMLと基板WFとの初期接触点が相対的に不動となるように、モールドMLのZ位置、姿勢(Y軸回りの回転方向)とウエハステージの位置を協調して位置制御した。一方、本実施例では、モールドMLが傾斜した場合でも、モールドMLの端部(接触点)の絶対的な位置を不変にするモールドステージが用いられる。     Example 4 differs from Example 1 in the configuration of the mold stage. In the first embodiment, the Z position and posture (rotation direction about the Y axis) of the mold ML and the position of the wafer stage are coordinated so that the initial contact point between the mold ML and the substrate WF is relatively stationary. The position was controlled. On the other hand, in the present embodiment, a mold stage is used that makes the absolute position of the end (contact point) of the mold ML unchanged even when the mold ML is inclined.

図11に示されるように、本実施例のモールドチルトステージは、リンク機構を有するモールドチルトステージである。モールドステージ133は、図2に示されるモールドZ駆動部104(移動機構)に接続され、上下方向(Z方向)に移動可能である。     As shown in FIG. 11, the mold tilt stage of the present embodiment is a mold tilt stage having a link mechanism. The mold stage 133 is connected to the mold Z drive unit 104 (moving mechanism) shown in FIG. 2, and is movable in the vertical direction (Z direction).

モールドステージ133の下部には、リンク機構を介してアーム132Lとアーム132Rが配置されている。他端は、リンク機構を介してモールドステージ131に接続されている。リンク機構は、図中Y軸回りに自由に回転可能なベアリング等で構成されており、Y軸回り以外の方向については高い剛性で保持されている。この構成によって、モールドステージ131は、Y軸回りに回転する構成となる。     An arm 132L and an arm 132R are arranged below the mold stage 133 via a link mechanism. The other end is connected to the mold stage 131 via a link mechanism. The link mechanism is composed of a bearing or the like that can freely rotate around the Y axis in the figure, and is held with high rigidity in directions other than around the Y axis. With this configuration, the mold stage 131 is configured to rotate around the Y axis.

モールドステージ131は、モールドMLを傾斜させてモールドMLを保持する保持機能を有する。モールドMLのパターン面の角(図中では左下の端部)は、モールドステージの回転中心に一致するように配置されている。モールドMLがXY平面と平行な姿勢にあるとき、アーム132Lの両端のリンク機構を結んだ直線とアーム132Rの両端のリンク機構を結んだ直線との交点がモールドMLのパターン面の角(端部)と一致する位置に、モールドMLは保持される。     The mold stage 131 has a holding function of holding the mold ML by inclining the mold ML. The corner (bottom left end in the figure) of the pattern surface of the mold ML is arranged so as to coincide with the rotation center of the mold stage. When the mold ML is in a posture parallel to the XY plane, the intersection of the straight line connecting the link mechanisms at both ends of the arm 132L and the straight line connecting the link mechanisms at both ends of the arm 132R is the corner (end part) of the pattern surface of the mold ML. ) Is held at a position coinciding with ().

次に、実施例4における押印動作について説明する。図12は、実施例4におけるモールドステージの初期状態を示す図である。     Next, the stamping operation in the fourth embodiment will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating an initial state of the mold stage in the fourth embodiment.

モールドステージ131(傾斜機構)の姿勢は、不図示のアクチュエータによって、傾斜している。この傾斜角を維持しながらモールドステージ131を下降させて、モールドMLと基板WFを接触させる。その後は、アーム132R、132L(回転機構)を用いてモールドMLを回転させることで、モールドMLと基板WFを平行にする。このような制御により、押印動作は実行される。     The posture of the mold stage 131 (tilting mechanism) is tilted by an actuator (not shown). The mold stage 131 is lowered while maintaining this tilt angle, and the mold ML and the substrate WF are brought into contact with each other. After that, the mold ML and the substrate WF are made parallel by rotating the mold ML using the arms 132R and 132L (rotation mechanism). The stamping operation is executed by such control.

上記のように、本実施例では、アーム132R、132Lを用いることにより、モールドステージ131の回転中心をモールドMLのパターン面の初期設定点に一致させている。すなわち、本実施例では、アーム132R,132LがモールドMLの端部の位置を回転中心としてモールドMLを回転させる制御機構をも備える。     As described above, in this embodiment, by using the arms 132R and 132L, the rotation center of the mold stage 131 is matched with the initial set point of the pattern surface of the mold ML. That is, in this embodiment, the arms 132R and 132L also include a control mechanism that rotates the mold ML around the position of the end of the mold ML.

このため、ウエハステージ(基板WF)を押印時に移動させることなく、モールドMLと基板WFとの初期接地点を回転中心とした回転移動で平行合わせ(つまり押印動作)を行うことができる。その結果、基板WFとモールドMLが擦れることがないため、パーティクルの発生やモールドの破損を防止することが可能となる。     For this reason, it is possible to perform parallel alignment (that is, a stamping operation) by rotational movement about the initial grounding point between the mold ML and the substrate WF without moving the wafer stage (substrate WF) at the time of stamping. As a result, since the substrate WF and the mold ML are not rubbed, generation of particles and damage to the mold can be prevented.

上記の実施例1乃至4によれば、ナノインプイリント装置において、転写性能が高く、パーティクルの発生を抑制しつつ、高速押印を実現することができ、生産性の高い微細加工装置を実現できる。     According to the first to fourth embodiments, in the nano-imprint apparatus, the transfer performance is high, and high-speed stamping can be realized while suppressing generation of particles, and a highly productive microfabrication apparatus can be realized. .

以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内において、適宜変更が可能である。     The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

本実施例の加工装置における押印動作を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the stamping operation | movement in the processing apparatus of a present Example. 実施例1における加工装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing apparatus in Example 1. 実施例1における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of the periphery of a mold stage of the processing apparatus in Example 1. 実施例1における押印動作開始時のモールドステージの状態を示したものである。The state of the mold stage at the time of the stamping operation start in Example 1 is shown. 実施例1の押印動作における第1の状態を示す図である。It is a figure which shows the 1st state in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における第2の状態を示す図である。It is a figure which shows the 2nd state in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における第3の状態を示す図である。It is a figure which shows the 3rd state in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における第4の状態を示す図である。It is a figure which shows the 4th state in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における第5の状態を示す図である。It is a figure which shows the 5th state in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における制御方法を説明する図である。It is a figure explaining the control method in the stamping operation | movement of Example 1. FIG. 実施例1の押印動作における各軸の移動量を示すグラフである。6 is a graph showing the amount of movement of each axis in the stamping operation of the first embodiment. 実施例2における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。It is an enlarged view of the mold stage periphery of the processing apparatus in Example 2. FIG. 実施例3における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view around a mold stage of a processing apparatus in Example 3. 実施例3の動作原理を説明する図である。It is a figure explaining the operation principle of Example 3. 実施例3の制御量を説明する図である。It is a figure explaining the controlled variable of Example 3. FIG. 実施例4における加工装置のモールドステージ周辺の拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view around a mold stage of a processing apparatus in Example 4. 実施例4におけるモールドステージの初期状態を示す図である。It is a figure which shows the initial state of the mold stage in Example 4. FIG. 本実施例における加工装置の制御機構を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control mechanism of the processing apparatus in a present Example. 従来の加工装置における押印動作を示す概略図である。It is the schematic which shows the stamping operation | movement in the conventional processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

ML: モールド
WF: 基板
UVR: UV硬化樹脂
1: ナノインプリント装置
100: モールドステージ
101: モールドチルトステージ
102: モールド位置基準ミラー
103、104: モールドZ駆動部
105: 荷重センサ
106: ボールネジ
107: モーター
108: 直動ガイド
109: モールド計測用レーザー光
111: モールドチャック
112: モールドアクチュエータ
113: モールドステージ支持部
121: モールドYステージ
122: モールドYガイド
123: モールドXステージ
124: モールドXガイド
131、133: モールドステージ
132R、132L: アーム
200: ウエハステージ
201: ウエハチャック
202: ウエハステージ本体
203: ウエハ位置基準ミラー
204: ウエハ計測用レーザー光
205: モールド高さセンサ
301: 定盤
302: フレーム
303: 除振装置
401: 照明光学系
501: 塗布装置
601: 顕微鏡
1001: モールド
1002: 基板
1003: UV硬化樹脂
1004: 初期接触点

ML: Mold WF: Substrate UVR: UV curable resin 1: Nanoimprint apparatus 100: Mold stage 101: Mold tilt stage 102: Mold position reference mirror 103, 104: Mold Z drive unit 105: Load sensor 106: Ball screw 107: Motor 108: Linear guide 109: Laser beam 111 for mold measurement: Mold chuck 112: Mold actuator 113: Mold stage support 121: Mold Y stage 122: Mold Y guide 123: Mold X stage 124: Mold X guide 131, 133: Mold stage 132R, 132L: Arm 200: Wafer stage 201: Wafer chuck 202: Wafer stage main body 203: Wafer position reference mirror 204: Wafer measurement lever Heather light 205: mold height sensor 301: a surface plate 302: Frame 303: anti-vibration device 401: an illumination optical system 501: the coating apparatus 601 Microscope 1001: mold 1002: substrate 1003: UV curable resin 1004: initial contact point

Claims (3)

パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布された被加工材料に押し付け、該パターンを該被転写体に転写する加工装置であって、
前記モールドを傾斜させる傾斜機構と、
傾斜した前記モールドを前記被転写体に近接させる移動機構と、
傾斜した前記モールドの端部が前記被転写体に接触したとき、該モールドが前記被転写体と平行になるように該モールドを回転させる回転機構と、
前記回転機構により前記モールドが回転する間、前記モールドの前記端部の位置が前記被転写体に対して動かないように制御する制御機構と、を有することを特徴とする加工装置。
A processing apparatus for pressing a mold on which a pattern is formed to a work material applied to a transfer object, and transferring the pattern to the transfer object,
An inclination mechanism for inclining the mold;
A moving mechanism for bringing the inclined mold close to the transfer target;
A rotating mechanism that rotates the mold so that the mold is parallel to the transferred body when the inclined end of the mold comes into contact with the transferred body;
And a control mechanism for controlling the position of the end of the mold so as not to move with respect to the transfer target while the mold is rotated by the rotation mechanism.
前記制御機構は、
前記モールドの傾斜を計測する計測部と、
前記計測部による計測結果に基づいて、前記被転写体を移動させる駆動部と、を有することを特徴とする請求項1記載の加工装置。
The control mechanism is
A measuring unit for measuring the inclination of the mold;
The processing apparatus according to claim 1, further comprising: a drive unit that moves the transfer object based on a measurement result by the measurement unit.
前記制御機構は、前記モールドの前記端部の位置を回転中心として該モールドを回転させることを特徴とする請求項1記載の加工装置。



The processing apparatus according to claim 1, wherein the control mechanism rotates the mold around the position of the end of the mold as a rotation center.



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