JP2009200078A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which can make smooth shift from a development stage to a mass-production stage and enables the productivity thereof to be improved. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus 11 is used to manufacture an organic EL device, a liquid crystal device, a semiconductor device, etc., each having a substrate 12 to be processed. The substrate processing apparatus 11 has a first processing chamber 13a to a fifth processing chamber 13e, and a conveyance chamber 14 and, for example, the processing chambers 13a to 13e are arranged linearly along a side surface of the conveyance chamber 14. Each of the processing chambers 13a to 13e can deliver and receive the substrate 12 to and from the conveyance chamber 14 through first gate valves 15. Further, each of the processing chambers 13a to 13e is connected to its adjacent processing chambers 13 through second gate valves 16. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、大気と異なる雰囲気下で被処理基板に処理を施す基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed in an atmosphere different from air.

上記した基板処理装置は、有機EL(Electro Luminescence)装置、液晶装置、半導体装置などを製造する際に用いられ、被処理基板に処理(加熱や成膜など)を施す処理室を複数有している。基板処理装置は、処理室の配置構成としてインライン方式と、特許文献1に記載のようなクラスタ方式がある。   The above-described substrate processing apparatus is used when manufacturing an organic EL (Electro Luminescence) device, a liquid crystal device, a semiconductor device, and the like, and has a plurality of processing chambers that perform processing (heating, film formation, etc.) on a substrate to be processed. Yes. In the substrate processing apparatus, there are an in-line method and a cluster method as described in Patent Document 1 as an arrangement configuration of processing chambers.

図4は、インライン方式の基板処理装置101の構成を示す模式平面図である。インライン方式の基板処理装置101は、例えば、大気と異なる雰囲気(例えば、真空雰囲気)に調整された複数の処理室102が処理順かつ直線状に並べられて配置されている。この基板処理装置101は、大量の被処理基板103に決められた処理を施すことができるメリットがある反面、試作や開発段階において膜種類が限定されない少数の処理には向かないというデメリットがある。   FIG. 4 is a schematic plan view showing the configuration of the inline-type substrate processing apparatus 101. In the in-line type substrate processing apparatus 101, for example, a plurality of processing chambers 102 adjusted to an atmosphere different from the atmosphere (for example, a vacuum atmosphere) are arranged in a processing order and linearly. The substrate processing apparatus 101 has a merit that a predetermined amount of processing can be performed on a large number of substrates to be processed 103, but has a demerit that it is not suitable for a small number of processes in which film types are not limited in a trial production or development stage.

図5は、クラスタ方式の基板処理装置111の構成を示す模式平面図である。クラスタ方式の基板処理装置111は、例えば、真空雰囲気に調整されており、各処理室112に被処理基板113を搬送する搬送ロボット114を有する。この基板処理装置111は、処理の種類(処理室)を自由に決められるなど、条件を独立して制御できるメリットがある反面、生産(量産)効率が悪いというデメリットがある。   FIG. 5 is a schematic plan view showing the configuration of the cluster type substrate processing apparatus 111. The cluster-type substrate processing apparatus 111 is adjusted to a vacuum atmosphere, for example, and includes a transfer robot 114 that transfers the target substrate 113 to each processing chamber 112. This substrate processing apparatus 111 has a merit that the conditions (processing chambers) can be freely determined and can control the conditions independently, but has a demerit that production (mass production) efficiency is low.

これらのことから、試作や開発段階ではクラスタ方式の基板処理装置111を使用し、量産段階になったらインライン方式の基板処理装置101を使用するようにして、処理効率を向上させている。   Therefore, the processing efficiency is improved by using the cluster type substrate processing apparatus 111 in the trial production or development stage and using the inline type substrate processing apparatus 101 in the mass production stage.

特開2006−190894号公報JP 2006-190894 A

しかしながら、クラスタ方式の基板処理装置111からインライン方式の基板処理装置101に装置を変更すると、装置の構造や搬送方法の違いなどから、処理条件が変わってしまい品質が再現できない。これにより、処理条件の検証及びやり直しが発生し、生産が遅延するという問題がある。加えて、2つの基板処理装置101,111を使用するため、設備費用がかかるという問題がある。   However, if the apparatus is changed from the cluster type substrate processing apparatus 111 to the inline type substrate processing apparatus 101, the processing conditions change due to the difference in the structure of the apparatus or the transfer method, and the quality cannot be reproduced. As a result, processing conditions are verified and re-executed, and production is delayed. In addition, since the two substrate processing apparatuses 101 and 111 are used, there is a problem that equipment costs are required.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る基板処理装置は、大気と異なる雰囲気に調整された複数の処理室と、前記複数の処理室に被処理基板を搬送する搬送ロボットを有する搬送室と、を有し、前記複数の処理室は、互いが隣接して配置されていると共に隣接する処理室同士が前記被処理基板を授受可能に接続されており、かつ、前記複数の処理室のそれぞれと前記搬送室とが前記被処理基板を授受可能に接続されていることを特徴とする。   Application Example 1 A substrate processing apparatus according to this application example includes a plurality of processing chambers adjusted to an atmosphere different from the atmosphere, and a transfer chamber having a transfer robot for transferring a substrate to be processed to the plurality of processing chambers. And the plurality of processing chambers are arranged adjacent to each other and are connected so that adjacent processing chambers can exchange the substrate to be processed, and each of the plurality of processing chambers and the A transfer chamber is connected to the substrate to be transferred.

この構成によれば、各処理室のそれぞれに被処理基板を搬送する搬送室を備え、更に隣接する処理室同士が被処理基板を授受可能に接続されているので、搬送ロボットを用いて複数の処理室の中から選択して処理を行うことができ(例えば、クラスタ方式に相当)、かつ、搬送ロボットを用いずに複数の処理室の端から順に被処理基板を搬送させて処理を行うこともできる(例えば、インライン方式に相当)。これにより、例えば、試作や開発段階において処理室を選択して処理条件を見極めた後、処理室の端から順に処理を行う量産段階に、同じ処理室(基板処理装置)で処理を行うことができる。よって、開発段階とほぼ同じ処理条件で行うことが可能となり、処理の条件出しから生産性の検証、更に量産へと、スムーズに開発段階から量産段階に移行ができる。その結果、生産性を向上させることができる。   According to this configuration, each processing chamber is provided with a transfer chamber for transferring the substrate to be processed, and the adjacent processing chambers are connected to each other so that the substrate to be processed can be exchanged. Processing can be performed by selecting from among processing chambers (e.g., equivalent to a cluster method), and processing is performed by transporting substrates to be processed in order from the end of a plurality of processing chambers without using a transfer robot. (For example, it corresponds to an inline method). Thus, for example, after selecting a processing chamber in the prototype or development stage and determining processing conditions, processing can be performed in the same processing chamber (substrate processing apparatus) in a mass production stage in which processing is performed sequentially from the end of the processing chamber. it can. Therefore, it is possible to carry out under almost the same processing conditions as in the development stage, and it is possible to smoothly shift from the development stage to the mass production stage from processing condition determination to productivity verification and further to mass production. As a result, productivity can be improved.

[適用例2]上記適用例に係る基板処理装置において、前記複数の処理室のそれぞれと前記搬送室とは、第1ゲートバルブを介して連通可能に接続されており、前記隣接する処理室同士は、第2ゲートバルブを介して連通可能に接続されていることが好ましい。   Application Example 2 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, each of the plurality of processing chambers and the transfer chamber are connected to each other through a first gate valve so that the adjacent processing chambers are connected to each other. Are preferably connected to each other via a second gate valve.

この構成によれば、ゲートバルブを介して搬送室と処理室、及び、処理室と処理室が接続されているので、例えば、処理室のメンテナンスを行う際、搬送室や他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができる。また、上記の場合、各処理室の雰囲気を急激に変化させることなく所定の雰囲気に保つことができる。   According to this configuration, since the transfer chamber and the processing chamber and the processing chamber and the processing chamber are connected via the gate valve, for example, when the maintenance of the processing chamber is performed, the transfer chamber and other processing chambers are adversely affected. Maintenance can be performed without giving In the above case, the atmosphere in each processing chamber can be maintained at a predetermined atmosphere without abruptly changing.

[適用例3]上記適用例に係る基板処理装置において、前記複数の処理室は、直線状に配置されていることが好ましい。   Application Example 3 In the substrate processing apparatus according to the application example, it is preferable that the plurality of processing chambers are arranged linearly.

この構成によれば、直線状に処理室が並んでいることにより、例えば、決められた処理を連続して行うような量産において、搬送性を高めることが可能となり、効率よく処理することができる。   According to this configuration, since the processing chambers are arranged in a straight line, for example, in mass production in which a predetermined processing is continuously performed, it is possible to improve the transportability and to perform the processing efficiently. .

[適用例4]上記適用例に係る基板処理装置において、前記搬送室は、前記直線状に配置された前記複数の処理室の長さに合わせて略長方形に形成されており、前記搬送ロボットは、前記搬送室における前記複数の処理室の端から端までの方向を直線移動可能に設けられていることが好ましい。   Application Example 4 In the substrate processing apparatus according to the application example, the transfer chamber is formed in a substantially rectangular shape according to the length of the plurality of process chambers arranged in a straight line, and the transfer robot is It is preferable that the transfer chamber is provided so as to be linearly movable in the direction from end to end of the plurality of processing chambers.

この構成によれば、搬送ロボットが直線移動の往復によって各処理室に被処理基板を搬送できるので、比較的簡単な動作で移動させることができ、更に余計な動作が少ないので早く被処理基板を各処理室に搬送させることができる。   According to this configuration, since the transfer robot can transfer the substrate to be processed to each processing chamber by the reciprocation of the linear movement, it can be moved by a relatively simple operation. It can be conveyed to each processing chamber.

[適用例5]上記適用例に係る基板処理装置において、前記処理室に、予備室が接続されていることが好ましい。   Application Example 5 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, it is preferable that a preliminary chamber is connected to the processing chamber.

この構成によれば、処理室に予備室が接続されているので、例えば、予備室を処理室として利用したり、処理を行った後の被処理基板を評価したり、処理を行うにあたっての準備を行ったりすることができる。   According to this configuration, since the preliminary chamber is connected to the processing chamber, for example, the preliminary chamber is used as the processing chamber, the substrate to be processed after the processing is evaluated, and the preparation for performing the processing is performed. Can be done.

[適用例6]上記適用例に係る基板処理装置において、前記処理室又は前記予備室には、前記処理室を拡張することが可能な拡張部が設けられていることが好ましい。   Application Example 6 In the substrate processing apparatus according to the application example described above, it is preferable that an extension unit capable of expanding the processing chamber is provided in the processing chamber or the spare chamber.

この構成によれば、処理室に拡張部が設けられているので、更に別の処理室を設けて処理を行いたい場合など、容易に追加させていくことができる。   According to this configuration, since the expansion portion is provided in the processing chamber, it is possible to easily add a processing chamber when another processing chamber is provided and processing is desired.

図1は、基板処理装置の構造を示す模式平面図である。以下、基板処理装置の構造を、図1を参照しながら説明する。   FIG. 1 is a schematic plan view showing the structure of the substrate processing apparatus. Hereinafter, the structure of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIG.

図1に示すように、基板処理装置11は、被処理基板12を備えた有機EL装置、液晶装置、半導体装置などを製造する際に用いられる装置であり、複数の処理室13(第1処理室13a〜第5処理室13e)と、搬送室14とを有する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 11 is an apparatus used when manufacturing an organic EL device, a liquid crystal device, a semiconductor device, and the like provided with a substrate to be processed 12, and includes a plurality of processing chambers 13 (first processing). A chamber 13a to a fifth processing chamber 13e) and a transfer chamber 14;

ここで、被処理基板12に施す処理について説明する。例えば、有機EL装置を製造する場合、被処理基板12としての素子基板に対し、真空雰囲気下でのCVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタ法、蒸着法など金属膜の成膜工程及び封止工程、フォトリソグラフィ技術を利用したパターンニング工程、窒素雰囲気下での有機膜の封止工程、更に、インクジェット技術を利用した印刷工程などの処理が行われる。以下、例えば、真空蒸着処理を行う基板処理装置11の構造を説明する。   Here, processing performed on the substrate 12 to be processed will be described. For example, in the case of manufacturing an organic EL device, a metal film forming process and a sealing process such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, and a vapor deposition method in a vacuum atmosphere with respect to an element substrate as the substrate 12 to be processed. A patterning process using a photolithography technique, an organic film sealing process under a nitrogen atmosphere, and a printing process using an inkjet technique are performed. Hereinafter, for example, the structure of the substrate processing apparatus 11 that performs vacuum deposition processing will be described.

第1処理室13a〜第5処理室13eは、それぞれが搬送室14との間で被処理基板12の授受が可能になっている。具体的には、処理室13a〜13eは、第1ゲートバルブ15(仕切り弁)を介して搬送室14と連通可能に接続されている。また、処理室13a〜13eは、搬送室14の側面に沿って直線状に並んで配置されており、第2ゲートバルブ16を介して、隣接する処理室13同士が連通可能に接続されている。   Each of the first processing chamber 13 a to the fifth processing chamber 13 e can exchange the substrate 12 to be processed with the transfer chamber 14. Specifically, the processing chambers 13a to 13e are connected to the transfer chamber 14 through a first gate valve 15 (a partition valve) so as to be able to communicate therewith. The processing chambers 13 a to 13 e are arranged in a straight line along the side surface of the transfer chamber 14, and the adjacent processing chambers 13 are connected to each other via the second gate valve 16. .

第1処理室13a〜第5処理室13eは、大気と異なる雰囲気としての真空雰囲気に調整されている。具体的には、第1処理室13a〜第5処理室13eのぞれぞれに、真空雰囲気にするための真空引き機構(図示せず)が設けられている。また、第1処理室13a〜第5処理室13eは、基板処理装置11をインライン方式として使用した場合、被処理基板12を隣接する処理室13に載置して搬送する図示しないホルダ(トレイ)が設けられている。   The first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e are adjusted to a vacuum atmosphere as an atmosphere different from the air. Specifically, each of the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e is provided with a vacuuming mechanism (not shown) for creating a vacuum atmosphere. Further, the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e are holders (trays) (not shown) that place and transfer the substrate 12 to be processed in the adjacent processing chamber 13 when the substrate processing apparatus 11 is used as an inline system. Is provided.

詳述すると、処理室13a〜13eのそれぞれには、ホルダを第1処理室13aから第5処理室13eの順に搬送するための搬送ローラ(直線搬送機構)が設けられている。ホルダは、この搬送ローラが回転することにより第1処理室13aから第5処理室13eに向かって直線的に搬送される。なお、処理室13a〜13eの間に設けられた第2ゲートバルブ16の部分には、搬送ローラが設けられていない構造となっている。つまり、2つの処理室13の間を通過する際、どちらかの処理室13の搬送ローラがホルダと接触すればよく、ホルダを搬送させることができる。   More specifically, each of the processing chambers 13a to 13e is provided with a transport roller (linear transport mechanism) for transporting the holder in order from the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e. The holder is linearly conveyed from the first processing chamber 13a toward the fifth processing chamber 13e by the rotation of the conveyance roller. In addition, it has the structure where the conveyance roller is not provided in the part of the 2nd gate valve 16 provided between process chambers 13a-13e. That is, when passing between the two processing chambers 13, the transport roller in one of the processing chambers 13 may be in contact with the holder, and the holder can be transported.

また、ホルダの上部には、ホルダを保持して被処理基板12と共に回転させる回転機構が設けられている。処理室13a〜13eのそれぞれには、ホルダを回転可能に保持する保持機構が設けられている。ホルダに固定された被処理基板12は、直線移動したり回転したりしながら、第1処理室13aから順に第5処理室13eを通過して処理が施される。   In addition, a rotation mechanism that holds the holder and rotates it together with the substrate to be processed 12 is provided on the upper part of the holder. Each of the processing chambers 13a to 13e is provided with a holding mechanism that holds the holder rotatably. The substrate 12 to be processed fixed to the holder is subjected to processing through the fifth processing chamber 13e in order from the first processing chamber 13a while linearly moving or rotating.

処理室13a〜13eの両サイドには、第1予備室21と第2予備室22とが配置されている。第1予備室21及び第2予備室22は、例えば、処理室として被処理基板12に施す処理を新たに追加したり、更に複数の処理室13を接続して拡張したりするために用いられる。   A first preliminary chamber 21 and a second preliminary chamber 22 are arranged on both sides of the processing chambers 13a to 13e. The first preliminary chamber 21 and the second preliminary chamber 22 are used, for example, to newly add a process to be performed on the substrate 12 as a processing chamber, or to connect and expand a plurality of processing chambers 13. .

第1予備室21は、基板処理装置11をインライン方式として用いた場合、例えば、ホルダと被処理基板12とを組み合わせたり、被処理基板12とマスク(図示せず)とを組み合わせたりする場合に用いるようにしてもよい。この場合、第2予備室22を、ホルダから被処理基板12を取り外す場合に用いるようにしてもよい。   When the substrate processing apparatus 11 is used as an inline method, the first preliminary chamber 21 is used, for example, when a holder and the substrate to be processed 12 are combined, or when the substrate to be processed 12 and a mask (not shown) are combined. You may make it use. In this case, the second preliminary chamber 22 may be used when the substrate 12 to be processed is removed from the holder.

第1予備室21は、2つのゲートバルブ15,16を介して、搬送室14と第1処理室13aとに連通可能に接続されている。第2予備室22も同様に、2つのゲートバルブ15,16を介して、搬送室14と第5処理室13eとに連通可能に接続されている。また、第2予備室22には、処理室13を拡張させるための拡張部としての第2ゲートバルブ16及び第3ゲートバルブ23が設けられている。   The first preliminary chamber 21 is connected to the transfer chamber 14 and the first processing chamber 13a through the two gate valves 15 and 16 so as to communicate with each other. Similarly, the second preliminary chamber 22 is connected to the transfer chamber 14 and the fifth processing chamber 13e via the two gate valves 15 and 16 so as to communicate with each other. The second preliminary chamber 22 is provided with a second gate valve 16 and a third gate valve 23 as expansion portions for expanding the processing chamber 13.

搬送室14は、例えば、略長方形に形成されており、第1予備室21〜第2予備室22までの長さと同等の長さを有する。搬送室14は、大気と異なる雰囲気としての真空雰囲気に設定されている。より具体的には、処理室13a〜13eと同様に、搬送室14を真空雰囲気にするための真空引き機構(図示せず)が搬送室14に設けられている。   The transfer chamber 14 is formed, for example, in a substantially rectangular shape, and has a length equivalent to the length from the first preliminary chamber 21 to the second preliminary chamber 22. The transfer chamber 14 is set to a vacuum atmosphere as an atmosphere different from the atmosphere. More specifically, similarly to the processing chambers 13a to 13e, a evacuation mechanism (not shown) for making the transfer chamber 14 in a vacuum atmosphere is provided in the transfer chamber 14.

また、搬送室14の中には、真空雰囲気下で処理室13a〜13eに被処理基板12を搬送する搬送ロボット24が配置されている。詳述すると、搬送ロボット24は、搬送室14に隣接して配置された第1予備室21から第2予備室22までの方向(距離)を直線的に往復移動することが可能に配置されている。また、搬送ロボット24は、被処理基板12を取り上げたり載置したりすることが可能なアーム24aを備えている。この搬送ロボット24を用いることにより、処理室13a〜13eに被処理基板12を搬送させることができる。   In the transfer chamber 14, a transfer robot 24 that transfers the substrate 12 to be processed to the process chambers 13a to 13e in a vacuum atmosphere is disposed. More specifically, the transfer robot 24 is arranged so as to be capable of linearly reciprocating in the direction (distance) from the first auxiliary chamber 21 to the second auxiliary chamber 22 arranged adjacent to the transfer chamber 14. Yes. In addition, the transfer robot 24 includes an arm 24a that can pick up and place the substrate 12 to be processed. By using the transfer robot 24, the substrate 12 to be processed can be transferred to the processing chambers 13a to 13e.

図2は、基板処理装置をクラスタ方式として運用した場合の動作を示す模式図である。以下、クラスタ方式で運用した場合の基板処理装置の動作を、図2を参照しながら説明する。   FIG. 2 is a schematic diagram showing an operation when the substrate processing apparatus is operated as a cluster system. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus when operated in the cluster system will be described with reference to FIG.

なお、以下に説明するクラスタ方式の基板処理装置11は、従来のクラスタ方式と同様の使い方をしたものであり、試作や開発段階のように成膜状態を評価しながら使用する場合に用いるものとする。以下、被処理基板12を、例えば、第1処理室13a、一つ飛ばして第3処理室13c、戻って第2処理室13b、第4処理室13d、第5処理室13eの順に搬送して処理するものとして説明する。また、第1ゲートバルブ15及び第2ゲートバルブ16は、通常において閉状態となっている。   Note that the cluster type substrate processing apparatus 11 described below is used in the same manner as the conventional cluster type, and is used when the film forming state is used while evaluating the film formation state in a trial production or development stage. To do. Hereinafter, the substrate 12 to be processed is transferred, for example, in the order of the first processing chamber 13a, one third processing chamber 13c, the second processing chamber 13b, the fourth processing chamber 13d, and the fifth processing chamber 13e. It will be described as processing. Further, the first gate valve 15 and the second gate valve 16 are normally closed.

まず、図示しないロードロック室から搬送室14内に被処理基板12を搬入する。搬送室14内は、真空雰囲気に調整されている。   First, the substrate 12 to be processed is carried into the transfer chamber 14 from a load lock chamber (not shown). The inside of the transfer chamber 14 is adjusted to a vacuum atmosphere.

次に、第1処理室13aにおいて被処理基板12に処理を施す。まず、搬送室14から第1処理室13aに被処理基板12を搬送する。このとき、第1ゲートバルブ15を閉状態から開状態にして連通状態にする。また、被処理基板12を、搬送ロボット24を用いて搬送する。搬送後、第1ゲートバルブ15を開状態から閉状態にする。以下、第1ゲートバルブ15の動作説明は省略する。そして、第1処理室13aにおいて、例えば、被処理基板12に蒸着処理が施される。   Next, the target substrate 12 is processed in the first processing chamber 13a. First, the substrate 12 to be processed is transferred from the transfer chamber 14 to the first processing chamber 13a. At this time, the first gate valve 15 is changed from the closed state to the open state to be in a communication state. Further, the substrate 12 to be processed is transferred using the transfer robot 24. After the conveyance, the first gate valve 15 is changed from the open state to the closed state. Hereinafter, description of the operation of the first gate valve 15 is omitted. In the first processing chamber 13a, for example, the substrate to be processed 12 is subjected to vapor deposition.

次に、第3処理室13cにおいて被処理基板12に処理を施す。まず、第1処理室13aから搬送室14に、搬送ロボット24を用いて被処理基板12を搬送し、その後、搬送ロボット24を第3処理室13cの近い位置まで直線移動させる。そして、被処理基板12を第3処理室13cに搬送する。その後、第3処理室13cにおいて、例えば、被処理基板12に蒸着処理が施される。   Next, the target substrate 12 is processed in the third processing chamber 13c. First, the substrate 12 to be processed is transferred from the first processing chamber 13a to the transfer chamber 14 using the transfer robot 24, and then the transfer robot 24 is linearly moved to a position near the third processing chamber 13c. Then, the substrate 12 to be processed is transferred to the third processing chamber 13c. Thereafter, in the third processing chamber 13c, for example, a deposition process is performed on the substrate 12 to be processed.

以降、同様にして、第2処理室13b、第4処理室13d、第5処理室13eの順に、被処理基板12に処理を施す。処理が終了したら、図示しないアンロードロック室から被処理基板12を外部に搬出する。   Thereafter, similarly, the substrate to be processed 12 is processed in the order of the second processing chamber 13b, the fourth processing chamber 13d, and the fifth processing chamber 13e. When the processing is completed, the substrate 12 to be processed is unloaded from an unload lock chamber (not shown).

このように、基板処理装置11をクラスタ方式として運用することにより、処理室13a〜13eを自由に選択したり順序を変えたりして行うことができ、少ない処理数量に対応できると共に、蒸着処理の条件出し(具体的には、膜厚、寸法、パーティクルなどに対する処理条件や品質管理項目の確定)を効率よく行うことができる。   In this way, by operating the substrate processing apparatus 11 as a cluster system, the processing chambers 13a to 13e can be freely selected or changed in order, which can cope with a small processing quantity and can perform the deposition process. Conditions can be efficiently determined (specifically, processing conditions and quality control items for film thickness, dimensions, particles, etc. are determined).

図3は、基板処理装置をインライン方式として運用した場合の動作を示す模式図である。以下、インライン方式で運用した場合の基板処理装置の動作を、図3を参照しながら説明する。   FIG. 3 is a schematic diagram showing an operation when the substrate processing apparatus is operated as an inline method. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus when operated in an inline manner will be described with reference to FIG.

なお、以下に説明するインライン方式の基板処理装置11は、従来のインライン方式と同様の使い方をしたものであり、試作や開発などにおいて成膜条件を決定した後、生産性の検証及び量産において使用するものとする。以下、被処理基板12を、第1処理室13aから第5処理室13eの順に処理するものとして説明する。なお、第1ゲートバルブ15及び第2ゲートバルブ16は、連通するときに閉状態から開状態となる。以下、ゲートバルブ15,16の動作説明は省略する。   The in-line substrate processing apparatus 11 described below is used in the same manner as the conventional in-line method, and is used in productivity verification and mass production after determining the film formation conditions in prototyping and development. It shall be. Hereinafter, the description will be made assuming that the substrate 12 is processed in the order of the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e. Note that the first gate valve 15 and the second gate valve 16 change from a closed state to an open state when communicating. Hereinafter, description of the operation of the gate valves 15 and 16 is omitted.

まず、図示しないロードロック室から搬送室14内に被処理基板12を搬入する。搬送室14内は、真空雰囲気に調整されている。   First, the substrate 12 to be processed is carried into the transfer chamber 14 from a load lock chamber (not shown). The inside of the transfer chamber 14 is adjusted to a vacuum atmosphere.

次に、処理室13a〜13eで処理を行うための準備を第1予備室21で行う。まず、搬送ロボット24を用いて搬送室14から第1予備室21に被処理基板12を搬送する。ここで、被処理基板12とマスクとを組み合わせると共に、被処理基板12をホルダにセットする。   Next, preparation for processing in the processing chambers 13 a to 13 e is performed in the first preliminary chamber 21. First, the substrate to be processed 12 is transferred from the transfer chamber 14 to the first preliminary chamber 21 using the transfer robot 24. Here, the target substrate 12 and the mask are combined, and the target substrate 12 is set in a holder.

次に、第1処理室13aにおいて被処理基板12に処理を施す。まず、第1予備室21から第1処理室13aに被処理基板12を搬送する。被処理基板12を載せたホルダは、第1予備室21に設けられた直線搬送機構としての搬送ローラの回転力によって、第1予備室21から第1処理室13aに送られる。被処理基板12は、第1処理室13aにおいて所定の処理が施される。また、必要に応じて、保持機構にホルダを保持すると共に、回転機構によってホルダを回転させながら被処理基板12に処理を施すようにしてもよい。   Next, the target substrate 12 is processed in the first processing chamber 13a. First, the substrate 12 to be processed is transferred from the first preliminary chamber 21 to the first processing chamber 13a. The holder on which the substrate 12 to be processed is placed is sent from the first preliminary chamber 21 to the first processing chamber 13 a by the rotational force of the transport roller as a linear transport mechanism provided in the first preliminary chamber 21. The substrate 12 to be processed is subjected to predetermined processing in the first processing chamber 13a. If necessary, the holder 12 may be held by the holding mechanism, and the substrate to be processed 12 may be processed while the holder is rotated by the rotating mechanism.

以降、同様にして、第1処理室13aから第5処理室13eの順に被処理基板12を搬送(通過)させると共に、被処理基板12に処理を施す。第5処理室13eにおける処理が終了したら、被処理基板12を第2予備室22に引き続き搬送する。そして、第2予備室22において、ホルダから被処理基板12を取り外す。   Thereafter, similarly, the substrate to be processed 12 is transferred (passed) in the order from the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e, and the substrate to be processed 12 is processed. When the processing in the fifth processing chamber 13e is completed, the substrate 12 to be processed is continuously transferred to the second preliminary chamber 22. And in the 2nd preliminary | backup chamber 22, the to-be-processed substrate 12 is removed from a holder.

最後に、図示しないアンロードロック室から被処理基板12を外部に搬出する。まず、搬送ロボット24が第2予備室22から被処理基板12を取り上げる。そのあと、搬送ロボット24がアンロードロック室に被処理基板12を搬送し、アンロードロック室から外部に被処理基板12を搬出する。   Finally, the substrate 12 to be processed is unloaded from an unload lock chamber (not shown). First, the transfer robot 24 picks up the substrate 12 to be processed from the second preliminary chamber 22. After that, the transfer robot 24 transfers the target substrate 12 to the unload lock chamber, and carries the target substrate 12 out of the unload lock chamber.

上記したように、基板処理装置11をインライン方式として運用することにより、クラスタ方式で実験して得た処理条件を基に、生産性や品質及び工程管理の検証を行うことができる。また、同じ基板処理装置11を用いてクラスタ方式及びインライン方式として運用するので、処理条件が変わることを抑えることが可能となり、処理条件の再検証を行うことを少なくすることができる。   As described above, by operating the substrate processing apparatus 11 as an inline method, it is possible to verify productivity, quality, and process management based on processing conditions obtained by experiments using the cluster method. In addition, since the same substrate processing apparatus 11 is used as a cluster method and an inline method, it is possible to suppress changes in processing conditions, and it is possible to reduce re-verification of processing conditions.

以上詳述したように、本実施形態の基板処理装置11によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the substrate processing apparatus 11 of the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態によれば、処理室13a〜13eのそれぞれに被処理基板12を搬送する搬送室14を備え、更に隣接する処理室13a〜13e同士が被処理基板12を授受可能に接続されているので、搬送ロボット24を用いて処理室13a〜13eの中から選択して処理を行うことができ(例えば、クラスタ方式)、かつ、搬送ロボット24を用いずに処理室13a〜13eの端から順に被処理基板12を搬送させて処理を行うこともできる(例えば、インライン方式)。これにより、例えば、試作や開発段階において処理室13a〜13eなどを選択して処理条件を見極めた後、処理室13a〜13eの端から順に処理を行う量産段階に、同じ処理室13(基板処理装置11)で処理を行うことができる。よって、開発段階とほぼ同じ処理条件で行うことが可能となり、処理の条件出しから生産性の検証、更に量産へと、スムーズに開発段階から量産段階に移行ができる。その結果、生産性を向上させることができる。   (1) According to this embodiment, each of the processing chambers 13a to 13e includes the transfer chamber 14 for transferring the substrate 12 to be processed, and the adjacent processing chambers 13a to 13e are connected to each other so that the substrate 12 can be exchanged. Therefore, processing can be performed by selecting from the processing chambers 13 a to 13 e using the transfer robot 24 (for example, a cluster method), and the processing chambers 13 a to 13 e can be selected without using the transfer robot 24. It is also possible to carry out processing by conveying the substrate 12 to be processed in order from the end (for example, in-line method). Thereby, for example, after selecting the processing chambers 13a to 13e in the trial production or development stage and determining the processing conditions, the same processing chamber 13 (substrate processing) is performed in the mass production stage in which processing is sequentially performed from the end of the processing chambers 13a to 13e. Processing can be carried out in the apparatus 11). Therefore, it is possible to carry out under almost the same processing conditions as in the development stage, and it is possible to smoothly shift from the development stage to the mass production stage from processing condition determination to productivity verification and further to mass production. As a result, productivity can be improved.

(2)本実施形態によれば、1台の基板処理装置11で開発段階から量産段階への検証実験、更に量産まで対応できるので、かかる設備投資を抑えることができる。更に、処理条件の再検討にかかる評価工数を抑えることができる。   (2) According to the present embodiment, since one substrate processing apparatus 11 can cope with the verification experiment from the development stage to the mass production stage and further mass production, it is possible to suppress such capital investment. Furthermore, the evaluation man-hours required for reexamination of processing conditions can be suppressed.

(3)本実施形態によれば、処理室13a〜13e同士や、処理室13a〜13eと搬送室14とが、第1ゲートバルブ15又は第2ゲートバルブ16を介して接続されているので、例えば、メンテナンスを行う際、メンテナンスを行う処理室13以外の処理室13や搬送室14の真空雰囲気を低下させることなくメンテナンスを行うことができる。   (3) According to the present embodiment, the processing chambers 13a to 13e and the processing chambers 13a to 13e and the transfer chamber 14 are connected via the first gate valve 15 or the second gate valve 16, For example, when performing maintenance, the maintenance can be performed without lowering the vacuum atmosphere in the processing chambers 13 and the transfer chamber 14 other than the processing chamber 13 in which maintenance is performed.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記した基板処理装置11は、搬送室14の一側面に処理室13a〜13eを配置することに限定されず、例えば、搬送室14の周囲に処理室13を配置するようにしてもよい。この場合、搬送ロボット24のアーム24aに回転機構をもたせることにより、処理室13に被処理基板12を搬送することができる。
(Modification 1)
The substrate processing apparatus 11 described above is not limited to disposing the processing chambers 13 a to 13 e on one side surface of the transfer chamber 14. For example, the processing chamber 13 may be disposed around the transfer chamber 14. In this case, by providing the arm 24 a of the transfer robot 24 with a rotation mechanism, the substrate 12 to be processed can be transferred to the processing chamber 13.

(変形例2)
上記した第1予備室21及び第2予備室22は、ホルダと被処理基板12とを組み合わせたり処理室13を拡張させたりすることに限定されず、例えば、成膜された被処理基板12の評価を行うようにしてもよい。
(Modification 2)
The first preliminary chamber 21 and the second preliminary chamber 22 described above are not limited to the combination of the holder and the substrate 12 to be processed or the processing chamber 13 is expanded. An evaluation may be performed.

(変形例3)
上記した基板処理装置11は、真空雰囲気下での処理に限定されず、例えば、窒素雰囲気下での処理、又は、それ以外の雰囲気下での処理に適用するようにしてもよい。また、蒸着処理に限定されず、例えば、過熱処理、冷却処理、プラスマ処理などを行うようにしてもよい。
(Modification 3)
The above-described substrate processing apparatus 11 is not limited to processing in a vacuum atmosphere, and may be applied to processing in a nitrogen atmosphere or processing in other atmospheres, for example. Moreover, it is not limited to a vapor deposition process, For example, you may make it perform a heat treatment, a cooling process, a plasma process, etc.

(変形例4)
上記したインライン方式で運用した基板処理装置11は、被処理基板12を搬送室14を介して外部と受け渡しをすることに限定されず、搬送室14を介さずに外部と直接受け渡すようにしてもよい。
(Modification 4)
The substrate processing apparatus 11 operated in the above-described inline method is not limited to delivering the substrate 12 to be processed to the outside via the transfer chamber 14, but directly to the outside without passing the transfer chamber 14. Also good.

(変形例5)
上記したインライン方式で運用した場合において、第1処理室13aから第5処理室13eまでの1回で処理を終了することに限定されず、必要に応じて、例えば、搬送ロボット24を用いて再度、第1処理室13aから第5処理室13eまで処理を繰り返し行うようにしてもよい。
(Modification 5)
In the case of operating in the above-described inline method, the process is not limited to one end from the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e, and if necessary, for example, using the transfer robot 24 again. The processing may be repeated from the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e.

(変形例6)
上記した基板処理装置11は、第1処理室13a〜第5処理室13eまでの1列に配置した構成に限定されず、例えば、更に処理室13を設け2列に配置した構成であってもよい。
(Modification 6)
The above-described substrate processing apparatus 11 is not limited to the configuration in which the first processing chamber 13a to the fifth processing chamber 13e are arranged in one row. For example, the processing chamber 13 may be further provided in two rows. Good.

(変形例7)
上記した搬送室14は、長方形であることに限定されず、例えば、円形状でもいいし、楕円形状でも多角形状でもよい。この場合であっても、搬送室14の周囲に処理室が配置されていると共に、隣り合う処理室13が互いに連通可能に設けられている。
(Modification 7)
The transfer chamber 14 described above is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape. Even in this case, the processing chambers are arranged around the transfer chamber 14 and the adjacent processing chambers 13 are provided so as to communicate with each other.

基板処理装置の構造を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the structure of a substrate processing apparatus. 基板処理装置をクラスタ方式で運用した場合の動作を示す模式図。The schematic diagram which shows operation | movement at the time of operating a substrate processing apparatus by a cluster system. 基板処理装置をインライン方式で運用した場合の動作を示す模式図。The schematic diagram which shows operation | movement at the time of operating a substrate processing apparatus by an in-line system. 従来のインライン方式の基板処理装置の構造を示す模式平面図。The schematic top view which shows the structure of the conventional in-line system substrate processing apparatus. 従来のクラスタ方式の基板処理装置の構造を示す模式平面図。FIG. 6 is a schematic plan view showing the structure of a conventional cluster type substrate processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

11…基板処理装置、12…被処理基板、13…処理室、13a…第1処理室、13b…第2処理室、13c…第3処理室、13d…第4処理室、13e…第5処理室、14…搬送室、15…第1ゲートバルブ、16…第2ゲートバルブ、21…第1予備室、22…第2予備室、23…第3ゲートバルブ、24…搬送ロボット、24a…アーム。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Substrate processing apparatus, 12 ... Substrate to be processed, 13 ... Processing chamber, 13a ... First processing chamber, 13b ... Second processing chamber, 13c ... Third processing chamber, 13d ... Fourth processing chamber, 13e ... Fifth processing Chamber, 14 ... transfer chamber, 15 ... first gate valve, 16 ... second gate valve, 21 ... first reserve chamber, 22 ... second reserve chamber, 23 ... third gate valve, 24 ... transfer robot, 24a ... arm .

Claims (6)

大気と異なる雰囲気に調整された複数の処理室と、
前記複数の処理室に被処理基板を搬送する搬送ロボットを有する搬送室と、
を有し、
前記複数の処理室は、互いが隣接して配置されていると共に隣接する処理室同士が前記被処理基板を授受可能に接続されており、かつ、前記複数の処理室のそれぞれと前記搬送室とが前記被処理基板を授受可能に接続されていることを特徴とする基板処理装置。
A plurality of processing chambers adjusted to an atmosphere different from the atmosphere;
A transfer chamber having a transfer robot for transferring a substrate to be processed to the plurality of process chambers;
Have
The plurality of processing chambers are arranged adjacent to each other, and adjacent processing chambers are connected to be able to exchange the substrate to be processed, and each of the plurality of processing chambers and the transfer chamber Is connected so as to be able to exchange the substrate to be processed.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理室のそれぞれと前記搬送室とは、第1ゲートバルブを介して連通可能に接続されており、
前記隣接する処理室同士は、第2ゲートバルブを介して連通可能に接続されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
Each of the plurality of processing chambers and the transfer chamber are connected to be able to communicate with each other via a first gate valve.
The adjacent processing chambers are connected to each other through a second gate valve so as to communicate with each other.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、直線状に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of processing chambers are linearly arranged.
請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記搬送室は、前記直線状に配置された前記複数の処理室の長さに合わせて略長方形に形成されており、
前記搬送ロボットは、前記搬送室における前記複数の処理室の端から端までの方向を直線移動可能に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The transfer chamber is formed in a substantially rectangular shape according to the length of the plurality of processing chambers arranged in a straight line,
The substrate processing apparatus, wherein the transfer robot is provided so as to be linearly movable in a direction from end to end of the plurality of processing chambers in the transfer chamber.
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記処理室に、予備室が接続されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A substrate processing apparatus, wherein a preliminary chamber is connected to the processing chamber.
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記処理室又は前記予備室には、前記処理室を拡張することが可能な拡張部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the processing chamber or the preliminary chamber is provided with an expansion unit capable of expanding the processing chamber.
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