JP2009199669A - Photodetector, optical pickup, and optical recording and reproduction device - Google Patents

Photodetector, optical pickup, and optical recording and reproduction device Download PDF

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和彦 柳瀬
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodetector that is improved in low-noise operating characteristics. <P>SOLUTION: A disclosed photodetector 1 is used in an optical pickup for generating a signal from a light beam being emitted from a semiconductor laser and reflected on an optical disk. The photodetector includes a plurality of photodiodes PD1<SB>A</SB>, PD1<SB>B</SB>, PD1<SB>C</SB>and PD1<SB>D</SB>, a signal adder 13, and a plurality of current detectors 12A-12D. The photodiode PD1<SB>A</SB>, PD1<SB>B</SB>, PD1<SB>C</SB>, PD1<SB>D</SB>receives reflected light from the optical disk, and outputs respective light receiving currents I<SB>A</SB>, I<SB>B</SB>, I<SB>C</SB>, I<SB>D</SB>. The signal adder 13 adds the light receiving currents I<SB>A</SB>, I<SB>B</SB>, I<SB>C</SB>, I<SB>D</SB>. Respective current detectors 12A-12D are provided corresponding to photodiodes PD1<SB>A</SB>, PD1<SB>B</SB>, PD1<SB>C</SB>, PD1<SB>D</SB>, so as to detect respective light receiving currents I<SB>A</SB>, I<SB>B</SB>, I<SB>C</SB>, I<SB>D</SB>of the respective photodiodes PD1<SB>A</SB>, PD1<SB>B</SB>, PD1<SB>C</SB>, PD1<SB>D</SB>. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、CD(Compact Disk)やDVD(Digital Versatile Disk)あるいはブルーレイディスク(Blue-ray Disc:登録商標)等の光ディスクに情報の記録又は再生を行う光ピックアップに用いられ、光ディスクで反射された光ビームを受光する受光器(光電素子)及び光信号(Optical signal)と上記受光器から出力される電気信号(Electrical signal)の両方を処理する電子回路を有する光検出装置(OEIC:Optical Electrical Integrated Circuit)、この光検出装置を備えた光ピックアップ及びこの光ピックアップを搭載した光記録再生装置に関する。   The present invention is used in an optical pickup for recording or reproducing information on an optical disk such as a CD (Compact Disk), a DVD (Digital Versatile Disk), or a Blu-ray Disc (registered trademark), and is reflected by the optical disk. Photodetector (OEIC: Optical Electrical Integrated) having a light receiver (photoelectric element) that receives a light beam and an electronic circuit that processes both an optical signal and an electrical signal output from the light receiver. Circuit), an optical pickup provided with the optical detection device, and an optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup.

従来の光検出装置を備えた光ピックアップには、光ディスクからの反射光に含まれるノイズ等の低減を図るために、対物レンズによって集光した光ビームを受光するフォトディテクタ内に、上記光スポットの中心部を受光する所定個数の内側の受光器と、上記内側の受光器の外側を取り囲むように設けられ、上記光スポットの周辺部を受光する上記所定個数の外側の受光器とからなる受光器集合体を有しているものがある。この光ピックアップは、上記フォトディテクタの後段に設けられる演算部内に、各受光器が受光する光量に応じて生成する電流信号を加算した後に電圧信号に変換するI−V増幅器(電流電圧変換増幅器)を有している(例えば、特許文献1参照。)。以下、この技術を第1の従来例と呼ぶ。   In an optical pickup equipped with a conventional light detection device, the center of the light spot is placed in a photodetector that receives a light beam collected by an objective lens in order to reduce noise contained in light reflected from an optical disk. A set of light receivers including a predetermined number of inner light receivers that receive the light and a predetermined number of outer light receivers that are provided so as to surround the outer side of the inner light receiver and that receive the periphery of the light spot. Some have a body. This optical pickup includes an I-V amplifier (current-voltage conversion amplifier) that converts a current signal generated according to the amount of light received by each light receiver into a calculation signal provided in the subsequent stage of the photodetector and then converts it to a voltage signal. (For example, refer to Patent Document 1). Hereinafter, this technique is referred to as a first conventional example.

また、従来の光検出装置には、光学系を複雑にすることなく、再生信号検出系の増幅器ノイズを低下させるために、光ビームを複数の受光素子又は複数の分割受光領域を有する受光素子で受光した後、それぞれの受光信号を電流電圧変換して出力するものもある。この光検出装置では、複数の受光信号の一部又は全部を電流電圧変換前に電流加算するか、あるいはそれぞれの受光信号を電流加算せずにそのまま電流電圧変換するかを切り換える切換手段を具備している(例えば、特許文献2参照。)。以下、この技術を第2の従来例と呼ぶ。   Further, in the conventional photodetector, in order to reduce the amplifier noise of the reproduction signal detection system without complicating the optical system, the light beam is received by a light receiving element having a plurality of light receiving elements or a plurality of divided light receiving regions. In some cases, after receiving light, each received light signal is converted from current to voltage. This photodetector includes switching means for switching whether a part or all of a plurality of received light signals are added before current-voltage conversion, or whether each received light signal is directly converted into current-voltage without adding current. (For example, refer to Patent Document 2). Hereinafter, this technique is referred to as a second conventional example.

特開平11−162003号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-162003 特開2006−59428号公報JP 2006-59428 A

上記した第1の従来例では、受光器の構造を物理的、製造プロセス的な方法で分割してRF信号や各受光部(チャンネル)のサーボ信号を同時に生成しているため、光電流をすべてRF信号に割り当てられない。この結果、S/Nが悪化し、電流加算の利点を活かしきれないという問題があった。また、上記した第1の従来例では、物理的、プロセス的な受光器の構造変更が必要であるという問題があった。   In the first conventional example described above, the structure of the light receiver is divided by a physical and manufacturing process method to generate RF signals and servo signals for each light receiving section (channel) at the same time. Not assigned to RF signal. As a result, there is a problem that S / N deteriorates and the advantage of current addition cannot be fully utilized. Further, the first conventional example described above has a problem that it is necessary to change the structure of the light receiver in a physical and process manner.

一方、上記した第2の従来例では、複数の受光信号の一部又は全部を電流電圧変換前に電流加算するか、あるいはそれぞれの受光信号を電流加算せずにそのまま電流電圧変換するかを切り換えているため、電流加算のRF信号と各受光部(チャンネル)のサーボ信号とを同時に得ることができないという問題があった。
以上のことから、上記した第1及び第2の従来例には、特に、低雑音動作特性が良好でないという問題があった。
On the other hand, in the second conventional example described above, switching is performed between whether or not a part or all of a plurality of light reception signals are subjected to current addition before current-voltage conversion, or each light reception signal is subjected to current-voltage conversion without adding current. Therefore, there is a problem that it is not possible to simultaneously obtain the RF signal for current addition and the servo signal of each light receiving unit (channel).
From the above, the first and second conventional examples described above have a problem that the low noise operation characteristics are not particularly good.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、上述のような問題を解決することを課題の一例とするものであり、これらの課題を解決することができる光検出装置、光ピックアップ及び光記録再生装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an example of an object is to solve the above-described problems, and a photodetecting device and an optical pickup that can solve these problems And an optical recording / reproducing apparatus.

上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明に係る光検出装置は、光源から射出され光記録媒体により反射された光ビームから信号を生成する光ピックアップに用いられる光検出装置であって、光記録媒体からの反射光を受光して受光電流を出力する複数のフォトダイオードと、前記複数のフォトダイオードの各前記受光電流を加算する信号加算器と、前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードの前記受光電流を検出する複数の電流検出器とを有することを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, a light detection device according to a first aspect of the present invention is a light detection device used for an optical pickup that generates a signal from a light beam emitted from a light source and reflected by an optical recording medium. A plurality of photodiodes that receive reflected light from the optical recording medium and output a light receiving current; a signal adder that adds the light receiving currents of the plurality of photodiodes; and a plurality of photodiodes. And a plurality of current detectors for detecting the light receiving currents of the corresponding photodiodes.

また、請求項13に記載に係る光ピックアップは、請求項1乃至12のいずれかに記載の光検出装置を備えることを特徴としている。
また、請求項14に記載の発明に係る光記録再生装置は、請求項13に記載の光ピックアップを搭載したことを特徴としている。
According to a thirteenth aspect of the present invention, an optical pickup includes the photodetection device according to any one of the first to twelfth aspects.
An optical recording / reproducing apparatus according to the invention described in claim 14 is characterized in that the optical pickup according to claim 13 is mounted.

実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る光検出装置(OEIC)1の概略構成を示す回路図である。また、図2は、図1に示す4分割受光器(4象限受光器)11を構成するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dそれぞれの受光面の配置の一例を示す図である。本実施の形態1に係る光検出装置1は、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。この光検出装置1は、4分割受光器(4象限受光器)11と、電流検出器12A、12B、12C及び12Dと、信号加算器13とを有している。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 1 according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing an example of the arrangement of the light receiving surfaces of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D constituting the four-divided light receiver (four quadrant light receiver) 11 shown in FIG. . The photodetector 1 according to the first embodiment has a configuration that should be called a current addition type. The light detection device 1 includes a four-divided light receiver (four-quadrant light receiver) 11, current detectors 12 </ b> A, 12 </ b> B, 12 </ b> C and 12 </ b> D, and a signal adder 13.

4分割受光器11は、4つの受光領域A、B、C及びDを有している。4つの受光領域A、B、C及びDは、それぞれフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dにより構成されている。4分割受光器11は、各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dのアノードが共通接続され、接地されたアノードコモン型である。フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、後述する光ディスク2(図3参照)によって反射された光ビーム(主ビーム)を受光して、それぞれ受光電流IA、IB、IC及びIDを出力する。 The four-divided light receiver 11 has four light receiving areas A, B, C, and D. Four light receiving regions A, B, C and D is composed of a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, respectively. The quadrant light receiver 11 is an anode common type in which the anodes of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D are connected in common and grounded. The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive a light beam (main beam) reflected by an optical disk 2 (see FIG. 3) described later, and receive light currents I A , I B , I C respectively. And ID are output.

電流検出器12A、12B、12C及び12Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに対応して設けられている。電流検出器12A、12B、12C及び12Dは、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dからそれぞれ出力される受光電流IA、IB、IC及びIDを検出し、対応する受光電流IA、IB、IC及びIDに対しそれぞれ線形的に変化する電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、後述する信号処理回路7(図3参照)に供給される。 Current detector 12A, 12B, 12C and 12D are provided corresponding to the photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D. The current detectors 12A, 12B, 12C and 12D detect the light receiving currents I A , I B , I C and I D output from the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D , respectively. receiving current I a, I B, I C and I D for each linearly varying voltage signals V a, V B, and outputs a V C and V D to. These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to a signal processing circuit 7 (see FIG. 3) which will be described later.

以上説明した電流検出器12A、12B、12C及び12Dにおいて、受光電流IA、IB、IC及びIDを対応する電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換する際の線形性は、光検出装置(OEIC)1に求められる基本的な特性である。すなわち、受光電流IA、IB、IC及びIDの変化は、光ピックアップ2のフォーカシング及びトラッキング制御(サーボ制御)に必要な情報であり、対応する電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換された後もその情報が維持されている必要がある。したがって、各電圧信号VA、VB、VC及びVDが対応する受光電流IA、IB、IC及びIDに対しそれぞれ線形的に変化することにより、信号処理回路7は、正確なサーボ信号処理を行うことができ、光記録再生装置が光記録再生装置として成立するのである。 In the current detectors 12A, 12B, 12C and 12D described above, the linearity when the received light currents I A , I B , I C and I D are converted into the corresponding voltage signals V A , V B , V C and V D. The characteristic is a basic characteristic required for the photodetection device (OEIC) 1. That is, changes in the light receiving currents I A , I B , I C, and I D are information necessary for focusing and tracking control (servo control) of the optical pickup 2, and corresponding voltage signals V A , V B , V C And that information needs to be maintained after conversion to V D. Therefore, each voltage signal V A , V B , V C and V D changes linearly with respect to the corresponding received light currents I A , I B , I C and I D, so that the signal processing circuit 7 can accurately Servo signal processing can be performed, and the optical recording / reproducing apparatus is established as an optical recording / reproducing apparatus.

信号加算器13は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dからそれぞれ出力される受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。すなわち、信号加算器13は、I−V増幅器(電流電圧変換増幅器)としても機能している。 The signal adder 13 adds the light receiving currents I A , I B , I C and I D output from the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D , respectively, to obtain an RF current signal I RF . The RF current signal I RF is converted into an RF voltage signal V RF and output. That is, the signal adder 13 also functions as an IV amplifier (current / voltage conversion amplifier).

なお、光検出装置1は、実際には、上記構成要素の他、後述するトラッキングエラー信号TEを得るために、2つの副ビームを受光する2つの副受光器及び、各副受光器から射出される受光電流を処理する回路等を備えている。しかし、これらの構成要素は、本発明の特徴とは直接関係しないので、その説明を省略する。   In addition to the above components, the photodetector 1 is actually emitted from two sub-receivers that receive two sub-beams and each sub-receiver in order to obtain a tracking error signal TE described later. A circuit for processing the received light current. However, since these components are not directly related to the features of the present invention, the description thereof is omitted.

次に、図1に示す光検出装置1を備えた光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置の構成について、図3を参照して説明する。光記録再生装置は、光記録媒体に記録された情報を読み取って再生する光再生装置、光記録媒体に記録すべき情報を記録する光記録装置又は、その両者の機能を有する装置である。本実施の形態1では、光記録媒体として光ディスク3を用いる光ディスク記録再生装置(以下「光ディスク装置」という。)の場合を例にとって説明する。   Next, the configuration of the optical pickup 2 provided with the photodetecting device 1 shown in FIG. 1 and the optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup 2 will be described with reference to FIG. The optical recording / reproducing apparatus is an optical reproducing apparatus that reads and reproduces information recorded on an optical recording medium, an optical recording apparatus that records information to be recorded on an optical recording medium, or an apparatus having both functions. In the first embodiment, a case of an optical disk recording / reproducing apparatus (hereinafter referred to as “optical disk apparatus”) using the optical disk 3 as an optical recording medium will be described as an example.

この光ディスク装置は、光ピックアップ2と、コントローラ4と、レーザ・ドライバ5と、回折ユニット・ドライバ6と、信号処理回路7と、イコライザ8と、ピックアップ・ドライバ(PUドライバ)9とから概略構成されている。光ピックアップ2は、上記した光検出装置(OEIC)1と、光源である半導体レーザ21と、回折ユニット22と、ハーフミラー23と、対物レンズ24と、集光レンズ25とを有している。また、光ピックアップ2は、図示しないが、フォーカシング及びトラッキング調整を行うアクチュエータを備えている。   This optical disk apparatus is roughly composed of an optical pickup 2, a controller 4, a laser driver 5, a diffraction unit driver 6, a signal processing circuit 7, an equalizer 8, and a pickup driver (PU driver) 9. ing. The optical pickup 2 includes the above-described optical detection device (OEIC) 1, a semiconductor laser 21 as a light source, a diffraction unit 22, a half mirror 23, an objective lens 24, and a condenser lens 25. The optical pickup 2 includes an actuator that performs focusing and tracking adjustment, although not shown.

コントローラ4は、この光ディスク装置の全体の制御を行う。例えば、コントローラ4は、所定のアルゴリズム、設定等に従って、接続モード指定信号MCを生成して信号処理回路7に供給する。さらに、コントローラ4は、光ディスク3から情報を読み取るためのレーザ駆動信号LDD又は、外部から供給される光ディスク3に記録すべき情報に関する情報信号WDに対応したレーザ駆動信号LDDを生成し、レーザ・ドライバ5に供給する。レーザ・ドライバ5は、レーザ駆動信号LDDに基づいて半導体レーザ21を駆動する。   The controller 4 controls the entire optical disk device. For example, the controller 4 generates a connection mode designation signal MC according to a predetermined algorithm, setting, etc., and supplies it to the signal processing circuit 7. Further, the controller 4 generates a laser drive signal LDD corresponding to the laser drive signal LDD for reading information from the optical disc 3 or the information signal WD related to information to be recorded on the optical disc 3 supplied from the outside, and the laser driver 5 is supplied. The laser driver 5 drives the semiconductor laser 21 based on the laser drive signal LDD.

半導体レーザ21から射出された光ビームは、マルチビーム生成素子として機能する回折ユニット22に入射される。回折ユニット22は、例えば、液晶ポリマ(LCP)等からなる回折素子を有している。コントローラ4は、回折ユニット駆動信号DUDを回折ユニット・ドライバ6に供給する。回折ユニット22は、回折ユニット・ドライバ6によって駆動され、半導体レーザ21から射出される光ビームを3つの光ビームに分割、生成して、ハーフミラー23に供給する。   The light beam emitted from the semiconductor laser 21 enters the diffraction unit 22 that functions as a multi-beam generating element. The diffraction unit 22 includes a diffraction element made of, for example, a liquid crystal polymer (LCP). The controller 4 supplies the diffraction unit drive signal DUD to the diffraction unit driver 6. The diffraction unit 22 is driven by the diffraction unit driver 6, splits and generates a light beam emitted from the semiconductor laser 21 into three light beams, and supplies the light beam to the half mirror 23.

回折ユニット22には図示せぬアクチュエータが結合されている。このアクチュエータが回折ユニット・ドライバ6によって駆動されることにより、3つの光ビームの生成及びビームの位置調整等のビーム調整がなされる。ハーフミラー23は、回折ユニット22で分割生成された主ビーム及び2つの副ビームを対物レンズ24に導く。対物レンズ24は、これらのビームを集光して、光ディスク3の情報記録面に照射する。   An actuator (not shown) is coupled to the diffraction unit 22. When this actuator is driven by the diffraction unit driver 6, beam adjustments such as generation of three light beams and beam position adjustment are performed. The half mirror 23 guides the main beam and the two sub beams divided and generated by the diffraction unit 22 to the objective lens 24. The objective lens 24 collects these beams and irradiates the information recording surface of the optical disc 3.

具体的には、上記主ビームのビームスポットが光ディスク3の記録トラック上に位置するように照射される。この際、光ディスク3により反射された3つの反射光ビームは、対物レンズ24、ハーフミラー23、集光レンズ25を介して光検出装置1に導かれる。光検出装置1は、上記した処理を行い、RF電圧信号VRF、電圧信号VA、VB、VC及びVD等を生成し、信号処理回路7に供給する。 Specifically, the beam spot of the main beam is irradiated so as to be positioned on the recording track of the optical disc 3. At this time, the three reflected light beams reflected by the optical disk 3 are guided to the light detection device 1 through the objective lens 24, the half mirror 23, and the condenser lens 25. The photodetector 1 performs the above-described processing, generates an RF voltage signal V RF , voltage signals V A , V B , V C, V D and the like, and supplies them to the signal processing circuit 7.

信号処理回路7は、光検出装置1から供給されるRF電圧信号VRF、電圧信号VA、VB、VC及びVD等に基づいて、後述するフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TE、ビーム調整信号BA、読取信号RS等を生成する。信号処理回路7は、読取信号RSを、読取信号RSの再生、記憶等の処理を行う外部回路(図示略)に供給するとともに、ビーム調整信号BAをコントローラ4に供給する。また、信号処理回路7は、フォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEをイコライザ8に供給する。 Based on the RF voltage signal V RF , the voltage signals V A , V B , V C, and V D supplied from the light detection device 1, the signal processing circuit 7 performs a focus error signal FE, a tracking error signal TE, A beam adjustment signal BA, a read signal RS, and the like are generated. The signal processing circuit 7 supplies the read signal RS to an external circuit (not shown) that performs processing such as reproduction and storage of the read signal RS, and supplies a beam adjustment signal BA to the controller 4. Further, the signal processing circuit 7 supplies a focus error signal FE and a tracking error signal TE to the equalizer 8.

イコライザ8は、コントローラ4の制御の下、上記した光ピックアップ2が備えるアクチュエータ(図示略)の駆動信号を生成し、PUドライバ9に供給する。PUドライバ9は、供給された駆動信号に基づいて、光ピックアップ2が備えるアクチュエータ(図示略)を駆動する。これにより、光ピックアップ2のフォーカシング及びトラッキング制御(サーボ制御)が行われる。   Under the control of the controller 4, the equalizer 8 generates a drive signal for an actuator (not shown) included in the optical pickup 2 and supplies the drive signal to the PU driver 9. The PU driver 9 drives an actuator (not shown) included in the optical pickup 2 based on the supplied drive signal. Thereby, focusing and tracking control (servo control) of the optical pickup 2 is performed.

なお、信号処理回路7の全部又は一部の機能を光検出装置が果たすように構成しても良い。一部の機能としては、例えば、フォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TE等を生成する機能がある。   In addition, you may comprise so that the photodetection apparatus may fulfill | perform all or one part of the signal processing circuit 7. FIG. Some functions include, for example, a function that generates a focus error signal FE, a tracking error signal TE, and the like.

次に、上記構成を有する電流加算型の光検出装置1におけるノイズレベルと、図4に示す従来の光検出装置31におけるノイズレベルとを比較する。図4において、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。光検出装置31は、いわば電圧加算型と呼ぶべき構成を有している。この光検出装置31は、図1に示す光検出装置1と同様に4分割受光器(4象限受光器)11を有するともに、I−V増幅器(電流電圧変換増幅器)32A、32B、32C及び32Dと、信号加算器33とを有している。   Next, the noise level in the current addition type photodetector 1 having the above configuration is compared with the noise level in the conventional photodetector 31 shown in FIG. 4, parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. The photodetection device 31 has a configuration to be called a voltage addition type. This photodetector 31 has a four-divided photodetector (four quadrant photodetector) 11 as well as the photodetector 1 shown in FIG. 1, and IV amplifiers (current-voltage conversion amplifiers) 32A, 32B, 32C, and 32D. And a signal adder 33.

I−V増幅器32A、32B、32C及び32Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに対応して設けられている。I−V増幅器32A、32B、32C及び32Dは、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dからそれぞれ出力される受光電流IA、IB、IC及びIDを電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。信号加算器33は、電圧信号VA、VB、VC及びVDを加算してRF電圧信号VRFとして出力する。 I-V amplifier 32A, 32B, 32C and 32D are provided corresponding to the photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D. The I-V amplifiers 32A, 32B, 32C and 32D respectively apply the received light currents I A , I B , I C and I D output from the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D to the voltage signal V Convert to A , V B , V C and V D and output. The signal adder 33 adds the voltage signals V A , V B , V C and V D and outputs the result as an RF voltage signal V RF .

ここで、各I−V増幅器32A、32B、32C及び32Dの出力のノイズレベルをいずれもNとするとともに、信号加算器33のゲインを4とし、光検出装置31の出力のノイズレベルをNRF1とした場合、ノイズレベルNRF1は、4つのI−V増幅器32A、32B、32C及び32Dの出力のノイズレベルの2乗平均値と、信号加算器33のゲインとの積であり、式(1)で表される。
NRF1=4×√{(N/4)2+(N/4)2+(N/4)2+(N/4)2
=2N ・・・(1)
Here, the noise levels of the outputs of the respective IV amplifiers 32A, 32B, 32C and 32D are all set to N, the gain of the signal adder 33 is set to 4, and the noise level of the output of the photodetector 31 is set to NRF1. In this case, the noise level NRF1 is the product of the mean square value of the noise levels of the outputs of the four IV amplifiers 32A, 32B, 32C, and 32D and the gain of the signal adder 33. expressed.
NRF1 = 4 × √ {(N / 4) 2 + (N / 4) 2 + (N / 4) 2 + (N / 4) 2 }
= 2N (1)

以下、ノイズレベルNRF1が式(1)で表される根拠について説明する。例えば、I−V増幅器32AのノイズレベルNは、信号加算器33の正側入力端子では、加算抵抗の抵抗分割によって{N×(1/4)}となる。このノイズレベル{N×(1/4)}がI−V増幅器32A、32B、32C及び32Dの4チャンネル分加算されるので、信号加算器33の正側入力端子におけるノイズレベルNRF1(+)はこれらの2乗平均となり、式(2)で表される。
NRF1(+)=√{(N/4)2+(N/4)2+(N/4)2+(N/4)2
=N/2 ・・・(2)
信号加算器33では、正側入力端子におけるノイズレベルNRF1(+)が信号加算器33のゲイン(今の場合、ゲイン4)により増幅される。以上のことから、信号加算器33の出力のノイズNRF1は、上記式(1)で表されるのである。
Hereinafter, the reason why the noise level NRF1 is expressed by the equation (1) will be described. For example, the noise level N of the I-V amplifier 32A is {N × (1/4)} at the positive input terminal of the signal adder 33 due to resistance division of the addition resistor. Since this noise level {N × (1/4)} is added for four channels of the IV amplifiers 32A, 32B, 32C and 32D, the noise level NRF1 (+) at the positive input terminal of the signal adder 33 is These are the root mean square and are expressed by equation (2).
NRF1 (+) = √ {(N / 4) 2 + (N / 4) 2 + (N / 4) 2 + (N / 4) 2 }
= N / 2 (2)
In the signal adder 33, the noise level NRF1 (+) at the positive input terminal is amplified by the gain of the signal adder 33 (in this case, gain 4). From the above, the noise NRF1 output from the signal adder 33 is expressed by the above equation (1).

一方、図1に示す本実施の形態1に係る光検出装置1において、信号加算器13のI−V増幅器としての出力のノイズレベルをNとするとともに、光検出装置1の出力のノイズレベルをNRF2とした場合、ノイズレベルNRF2は、信号加算器13のI−V増幅器としての出力のノイズレベルNに等しいので、式(3)で表される。
NRF2=N ・・・(3)
On the other hand, in the photodetector 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1, the noise level of the output as the IV amplifier of the signal adder 13 is N, and the noise level of the output of the photodetector 1 is set to N. In the case of NRF2, since the noise level NRF2 is equal to the noise level N of the output as the IV amplifier of the signal adder 13, it is expressed by Expression (3).
NRF2 = N (3)

式(1)及び式(3)より、式(4)が導き出される。
NRF2=(1/2)・NRF1 ・・・(4)
以上のことから、電流加算型である光検出装置1の出力のノイズレベルNRF2は、電圧加算型である従来の光検出装置31の出力のノイズレベルNRF1の1/2となる、すなわち、少なくとも−6dBのノイズ低減が可能となる。
Equation (4) is derived from Equation (1) and Equation (3).
NRF2 = (1/2) · NRF1 (4)
From the above, the noise level NRF2 of the output of the photodetection device 1 of the current addition type is ½ of the noise level NRF1 of the output of the conventional photodetection device 31 of the voltage addition type, that is, at least −. Noise reduction of 6 dB is possible.

以上説明したように、本発明の実施の形態1による光検出装置1は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置1は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、電流検出器12A、12B、12C及び12Dと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 1 according to the first embodiment of the present invention provides the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetecting device 1 includes photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D , current detectors 12A, 12B, 12C and 12D, and a signal adder 13.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。電流検出器12A、12B、12C及び12Dは、受光電流IA、IB、IC及びIDを検出し、対応する受光電流IA、IB、IC及びIDに対しそれぞれ線形的に変化する電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. Current detector 12A, 12B, 12C and 12D are received photocurrent I A, I B, detects the I C and I D, the corresponding light-receiving current I A, I B, respectively linearly to I C and I D The changing voltage signals V A , V B , V C and V D are output. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態1によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態1によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態1によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the first embodiment of the present invention, servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to convert all the received light currents I A , I B , I C and I D into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the first embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

実施の形態2.
図5は、本発明の実施の形態2に係る光検出装置(OEIC)41の概略構成を示す回路図である。図5において、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図5に示す光検出装置41においては、図1に示す電流検出器12A、12B、12C及び12Dに換えて、電圧検出器42A、42B、42C及び42D並びに検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdが新たに設けられている。言い換えれば、電流検出器12Aは電圧検出器42Aと検出抵抗Raとにより構成され、電流検出器12Bは電圧検出器42Bと検出抵抗Rbとにより構成されている。同様に、電流検出器12Cは電圧検出器42Cと検出抵抗Rcとにより構成され、電流検出器12Dは電圧検出器42Dと検出抵抗Rdとにより構成されている。すなわち、本実施の形態2に係る光検出装置41は、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置41を新たに設けるものとする。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 41 according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 5, parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and explanation thereof is omitted. In the photodetector 41 shown in FIG. 5, instead of the current detectors 12A, 12B, 12C and 12D shown in FIG. 1, voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D and detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd are provided. Newly provided. In other words, the current detector 12A is constituted by the voltage detector 42A and the detection resistor Ra, and the current detector 12B is constituted by the voltage detector 42B and the detection resistor Rb. Similarly, the current detector 12C includes a voltage detector 42C and a detection resistor Rc, and the current detector 12D includes a voltage detector 42D and a detection resistor Rd. That is, the photodetection device 41 according to the second embodiment has a configuration that should be called a current addition type, similarly to the photodetection device 1 according to the first embodiment. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus in which the optical pickup 2 is mounted, a light detection device 41 is newly provided in place of the light detection device 1.

電圧検出器42A〜42D並びに検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに対応して設けられている。電圧検出器42A、42B、42C及び42Dの入力インピーダンスは、ハイインピーダンスである必要がある。電圧検出器42A、42B、42C及び42Dの各第1の入力端子は、信号加算器13の負側入力端子にそれぞれ接続されている。各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdは、信号加算器13の負側入力端子と、対応する対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各カソードと対応する電圧検出器42A、42B、42C及び42Dの各第2の入力端子との接続点の間に、すなわち、電流加算前の各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの電流経路にそれぞれ介挿されている。 Voltage detector 42A~42D and detection resistor Ra, Rb, Rc and Rd are provided corresponding to the photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D. The input impedance of the voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D needs to be high impedance. The first input terminals of the voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D are connected to the negative input terminal of the signal adder 13, respectively. Each detection resistor Ra, Rb, Rc and Rd is a voltage detector 42A corresponding to the negative input terminal of the signal adder 13 and the corresponding cathodes of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D. , 42B, 42C, and 42D, which are inserted between the connection points of the respective second input terminals, that is, the current paths of the respective photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C, and PD1 D before the current addition. Yes.

電圧検出器42A、42B、42C及び42Dは、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに流れる受光電流IA、IB、IC及びIDにより対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下を入力して検出、増幅し、この電圧降下に対しそれぞれ線形的に変化する電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、図3に示す信号処理回路7に供給される。なお、上記構成を有する電流加算型の光検出装置41におけるノイズレベルは、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様であるので、その説明を省略する。 The voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D are respectively connected to the corresponding detection resistors Ra, Rb by the received light currents I A , I B , I C and I D flowing through the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D. , Rc and Rd are input to detect and amplify voltage drops generated at both ends, and voltage signals V A , V B , V C and V D which change linearly with respect to the voltage drops are output. These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to the signal processing circuit 7 shown in FIG. The noise level in the current addition type photodetecting device 41 having the above-described configuration is the same as that of the photodetecting device 1 according to the above-described first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

以上説明した電流検出器42A、42B、42C及び42Dにおいて、受光電流IA、IB、IC及びIDと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとによる電圧降下を対応する電圧信号VA、VB、VC及びVDとして出力する際の線形性は、光検出装置(OEIC)1に求められる基本的な特性である。すなわち、受光電流IA、IB、IC及びIDと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとによる電圧降下の変化は、光ピックアップ2のフォーカシング及びトラッキング制御(サーボ制御)に必要な情報であり、出力される電圧信号VA、VB、VC及びVDにもその情報が維持されている必要がある。したがって、各電圧信号VA、VB、VC及びVDが対応する受光電流IA、IB、IC及びIDと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとによる電圧降下に対しそれぞれ線形的に変化することにより、信号処理回路7は、正確なサーボ信号処理を行うことができ、光記録再生装置が光記録再生装置として成立するのである。 In the current detectors 42A, 42B, 42C and 42D described above, the voltage signal V corresponding to the voltage drop caused by the detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd corresponding to the light receiving currents I A , I B , I C and ID. The linearity when outputting as A , V B , V C and V D is a basic characteristic required for the photodetection device (OEIC) 1. That is, the change in voltage drop caused by the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd corresponding to the light receiving currents I A , I B , I C, and I D is necessary for focusing and tracking control (servo control) of the optical pickup 2. This is information, and the information needs to be maintained in the output voltage signals V A , V B , V C and V D. Therefore, each voltage signal V A , V B , V C and V D corresponds to the voltage drop caused by the corresponding detection currents I A , I B , I C and I D and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd. By changing linearly, the signal processing circuit 7 can perform accurate servo signal processing, and the optical recording / reproducing apparatus is established as an optical recording / reproducing apparatus.

以上説明したように、本発明の実施の形態2による光検出装置41は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置41は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、電圧検出器42A、42B、42C及び42Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 41 according to the second embodiment of the present invention is the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 41 includes photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D , voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D, detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd, a signal adder 13, have.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。電圧検出器42A、42B、42C及び42Dは、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下を入力して検出、増幅し、電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The voltage detectors 42A, 42B, 42C, and 42D receive and detect and amplify voltage drops generated across the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd, and voltage signals V A , V B , V C, and V D is output. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態2によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態2によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態2によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the second embodiment of the present invention, the servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the second embodiment of the present invention, all the received light currents I A , I B , I C and I D can be converted into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the second embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

実施の形態3.
図6は、本発明の実施の形態3に係る光検出装置(OEIC)51の概略構成を示す回路図である。図6において、図5の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図6に示す光検出装置51においては、図5に示す電圧検出器42A、42B、42C及び42Dに換えて、非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dが新たに設けられている。本実施の形態3に係る光検出装置51は、上記した光検出装置1及び41と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置51を新たに設けるものとする。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 51 according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 6, parts corresponding to those in FIG. In the photodetector 51 shown in FIG. 6, non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D are newly provided in place of the voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D shown in FIG. The light detection device 51 according to the third embodiment has a configuration that should be called a current addition type, like the light detection devices 1 and 41 described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus in which the optical pickup 2 is mounted, a light detection device 51 is newly provided in place of the light detection device 1.

非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに対応して設けられている。非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの各正側入力端子は、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各カソードと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されている。非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの各負側入力端子には、それぞれ基準電圧Vrefが印加されている。 The non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D are provided corresponding to the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D. Each positive input terminal of the noninverting amplifier 52A, 52B, 52C and 52D are corresponding photodiodes PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 detection resistor Ra and the corresponding respective cathodes of D, Rb, and Rc and Rd Connected to each connection point. A reference voltage V ref is applied to each negative input terminal of the non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D.

非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dは、各負側入力端子にそれぞれ印加されている基準電圧Vrefに対する、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点における電圧を入力して増幅し、当該電圧に対しそれぞれ線形的に変化する電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。電圧信号VA、VB、VC及びVDは、基準電圧Vrefに対してマイナス側となる。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、図3に示す信号処理回路7に供給される。なお、上記構成を有する電流加算型の光検出装置51におけるノイズレベルは、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様であるので、その説明を省略する。 The non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D respectively detect the detection resistors Ra corresponding to the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D with respect to the reference voltage V ref applied to each negative side input terminal. , Rb, Rc, and Rd are input and amplified, and voltage signals V A , V B , V C, and V D that change linearly with respect to the voltages are output. The voltage signals V A , V B , V C and V D are on the negative side with respect to the reference voltage V ref . These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to the signal processing circuit 7 shown in FIG. The noise level in the current addition type photodetecting device 51 having the above-described configuration is the same as that of the photodetecting device 1 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

以上説明したように、本発明の実施の形態3による光検出装置51は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置51は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 51 according to the third embodiment of the present invention is an optical pickup 2 that reproduces a signal from a light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 51 comprises a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, a non-inverting amplifier 52A, 52B, and 52C and 52D, the detection resistor Ra, Rb, and Rc and Rd, and the signal adder 13 have.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dは、各基準電圧Vrefに対する、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点における電圧を入力して増幅し、電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D are connected to the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd for each reference voltage V ref . Is input and amplified to output voltage signals V A , V B , V C and V D. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態3によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態3によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態3によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to Embodiment 3 of the present invention, servo signals for the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the third embodiment of the present invention, it is possible to convert all the received light currents I A , I B , I C and I D into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the third embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

実施の形態4.
図7は、本発明の実施の形態4に係る光検出装置(OEIC)61の概略構成を示す回路図である。図7において、図6の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図7に示す光検出装置61においては、図6に示す非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの各出力端子に、それぞれ反転増幅器62A、62B、62C及び62Dが新たに設けられている。本実施の形態4に係る光検出装置61は、上記した光検出装置1、41及び51と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置61を新たに設けるものとする。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 61 according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 7, parts corresponding to those in FIG. 6 are given the same reference numerals, and explanation thereof is omitted. In the photodetector 61 shown in FIG. 7, inverting amplifiers 62A, 62B, 62C, and 62D are newly provided at the output terminals of the non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C, and 52D shown in FIG. The light detection device 61 according to the fourth embodiment has a configuration that should be called a current addition type, like the light detection devices 1, 41, and 51 described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup 2, a photodetecting device 61 is newly provided in place of the photodetecting device 1.

反転増幅器62A、62B、62C及び62Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D、非反転増幅器52A、52B、52C及び52D並びに検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdに対応して設けられている。反転増幅器62A、62B、62C及び62Dを構成する各入力抵抗Riには、対応する非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの各出力端子がそれぞれ接続されている。 Inverting amplifier 62A, 62B, 62C and 62D are provided corresponding to the photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, a non-inverting amplifier 52A, 52B, 52C and 52D and the detection resistor Ra, Rb, Rc and Rd It has been. The respective output terminals of the corresponding non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D are connected to the input resistors Ri constituting the inverting amplifiers 62A, 62B, 62C and 62D, respectively.

反転増幅器62A、62B、62C及び62Dは、対応する非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの出力電圧を、帰還抵抗Rf及び入力抵抗Riで定まる増幅度(Rf/Ri)で反転増幅し、電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。電圧信号VA、VB、VC及びVDは、基準電圧Vrefに対してプラス側となる。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、図3に示す信号処理回路7に供給される。なお、上記構成を有する電流加算型の光検出装置61におけるノイズレベルは、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様であるので、その説明を省略する。 The inverting amplifiers 62A, 62B, 62C, and 62D invert and amplify the output voltages of the corresponding non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C, and 52D with the amplification degree (Rf / Ri) determined by the feedback resistor Rf and the input resistor Ri. Signals V A , V B , V C and V D are output. The voltage signals V A , V B , V C and V D are on the positive side with respect to the reference voltage V ref . These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to the signal processing circuit 7 shown in FIG. The noise level in the current addition type photodetecting device 61 having the above-described configuration is the same as that of the photodetecting device 1 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

以上説明したように、本発明の実施の形態4による光検出装置61は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置61は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dと、反転増幅器62A、62B、62C及び62Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 61 according to the fourth embodiment of the present invention is an optical pickup 2 that reproduces a signal from a light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 61 comprises a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, a non-inverting amplifier 52A, 52B, and 52C and 52D, the inverting amplifier 62A, 62B, and 62C and 62D, the detection resistor Ra, Rb , Rc and Rd, and a signal adder 13.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dは、各基準電圧Vrefに対する、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点における電圧を入力して増幅して出力する。反転増幅器62A、62B、62C及び62Dは、対応する非反転増幅器52A、52B、52C及び52Dの出力電圧を、増幅度(Rf/Ri)で反転増幅し、電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C and 52D are connected to the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd for each reference voltage V ref . The voltage at is input, amplified and output. The inverting amplifiers 62A, 62B, 62C, and 62D invert and amplify the output voltages of the corresponding non-inverting amplifiers 52A, 52B, 52C, and 52D with the amplification degree (Rf / Ri), and the voltage signals V A , V B , V C And V D are output. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態4によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態4によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態4によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the fourth embodiment of the present invention, servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the fourth embodiment of the present invention, it is possible to convert all the received currents I A , I B , I C and I D into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the fourth embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

実施の形態5.
図8は、本発明の実施の形態5に係る光検出装置(OEIC)71の概略構成を示す回路図である。図8において、図5の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図8に示す光検出装置71においては、図5に示す電圧検出器42A、42B、42C及び42Dに換えて、gm増幅器(トランスコンダクタンス増幅器)72A、72B、72C及び72D並びにI−V増幅器(電流電圧変換増幅器)73A、73B、73C及び73Dが新たに設けられている。本実施の形態5に係る光検出装置71は、上記した光検出装置1、41、51及び61と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置71を新たに設けるものとする。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 71 according to Embodiment 5 of the present invention. In FIG. 8, parts corresponding to those in FIG. In the photodetector 71 shown in FIG. 8, instead of the voltage detectors 42A, 42B, 42C and 42D shown in FIG. 5, gm amplifiers (transconductance amplifiers) 72A, 72B, 72C and 72D and IV amplifiers (currents) Voltage conversion amplifiers) 73A, 73B, 73C and 73D are newly provided. The light detection device 71 according to the fifth embodiment has a configuration that should be called a current addition type, like the light detection devices 1, 41, 51, and 61 described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup 2, a photodetection device 71 is newly provided in place of the photodetection device 1.

gm増幅器72A、72B、72C及び72D並びにI−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D並びに検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdに対応して設けられている。gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子は、信号加算器13の負側入力端子と対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されている。gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各正側入力端子は、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各カソードと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されている。 gm amplifier 72A, 72B, 72C and 72D, as well as I-V amplifier 73A, 73B, 73C and 73D, the photo diode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D and detection resistor Ra, Rb, corresponding to the Rc and Rd Is provided. Each negative side input terminal of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D is connected to a connection point between the negative side input terminal of the signal adder 13 and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd. gm amplifier 72A, 72B, each positive input terminal of the 72C and 72D, the corresponding photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 detection resistor Ra and the corresponding respective cathodes of D, Rb, connected to the Rc and Rd Each point is connected.

gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子の入力電圧は、信号加算器13の基準電圧VR1によって決定される。しかし、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに流れる受光電流IA、IB、IC及びIDにより対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して増幅し、電流信号に変換して出力する。 The input voltages at the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are determined by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. However, the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are not affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13, and receive light current I A flowing through the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D. , I B , I C, and I D detect and amplify only the voltage drop generated at both ends of the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd, and convert and output the current signal.

I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、対応するgm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各電流信号を電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。電圧信号VA、VB、VC及びVDは、基準電圧VR2に対してプラス側となる。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、図3に示す信号処理回路7に供給される。なお、上記構成を有する電流加算型の光検出装置71におけるノイズレベルは、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様であるので、その説明を省略する。 The IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D convert the current signals of the corresponding gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D into voltage signals V A , V B , V C, and V D and output them. The voltage signals V A , V B , V C and V D are on the positive side with respect to the reference voltage V R2 . These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to the signal processing circuit 7 shown in FIG. Note that the noise level in the current addition type photodetection device 71 having the above configuration is the same as that of the photodetection device 1 according to the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted.

以上説明したように、本発明の実施の形態5による光検出装置71は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置71は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dと、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 71 according to the fifth embodiment of the present invention is used in the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 71 comprises a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, gm amplifier 72A, 72B, and 72C and 72D, I-V amplifier 73A, 73B, and 73C and 73D, the detection resistor Ra, Rb, Rc, and Rd, and a signal adder 13 are included.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。gm増幅器72A、72B、72C及び72Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して増幅し、電流信号に変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D detect and amplify only the voltage drops that occur across the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd without being affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Then, it is converted into a current signal and output.

I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、対応するgm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各電流信号を電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D convert the current signals of the corresponding gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D into voltage signals V A , V B , V C, and V D and output them. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態5によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態5によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態5によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the fifth embodiment of the present invention, the servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the fifth embodiment of the present invention, all the received light currents I A , I B , I C and I D can be converted into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the fifth embodiment of the present invention, it is not necessary to change the optical receiver physically and process like the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

また、本発明の実施の形態5によれば、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して電流信号に変換している。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1の電圧値は、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dの基準電圧VR2の電圧値とは異なる電圧値に設定することができる。なお、一般に、図3に示す信号処理回路7では、光検出装置(OEIC)からのRF電圧信号VRFをACカップリングで使用されるため、信号加算器13の基準電圧VR1の電圧値は、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dの基準電圧VR2の電圧値と一致させる必要はない。 Further, according to the fifth embodiment of the present invention, the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are not affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13, and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Only a voltage drop generated at both ends of Rd is detected and converted into a current signal. Therefore, the voltage value of the reference voltage V R1 of the signal adder 13 can be set to a voltage value different from the voltage value of the reference voltage V R2 of the IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D. In general, in the signal processing circuit 7 shown in FIG. 3, the RF voltage signal V RF from the photodetection device (OEIC) is used for AC coupling, so the voltage value of the reference voltage V R1 of the signal adder 13 is It is not necessary to match the voltage value of the reference voltage V R2 of the IV amplifiers 73A, 73B, 73C and 73D.

また、本発明の実施の形態5では、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各逆バイアス電圧は、信号加算器13の基準電圧VR1によって決定されている。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各寄生容量を減少させることができる。このように信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下に起因して、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dで生じる各逆バイアス電圧の低下を補償することができる。さらに、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの設計値もより広く選択することが可能となる。 In the fifth embodiment of the present invention, the reverse bias voltages of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D are determined by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Therefore, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the parasitic capacitances of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D can be reduced. In this way, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the corresponding photodiode PD1 A , due to the voltage drop that occurs across the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd. It is possible to compensate for a decrease in each reverse bias voltage generated in PD1 B , PD1 C and PD1 D. Furthermore, the design values of the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd can be selected more widely.

実施の形態6.
図9は、本発明の実施の形態6に係る光検出装置(OEIC)81の概略構成を示す回路図である。図9において、図8の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図9に示す光検出装置81においては、図8に示すgm増幅器72A、72B、72C及び72Dに換えて、gm増幅器(トランスコンダクタンス増幅器)82A、82B、82C及び82Dが新たに設けられている。本実施の形態6に係る光検出装置81は、上記した光検出装置1、41、51、61及び71と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置81を新たに設けるものとする。
Embodiment 6 FIG.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 81 according to Embodiment 6 of the present invention. 9, parts corresponding to those in FIG. 8 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. In the photodetector 81 shown in FIG. 9, gm amplifiers (transconductance amplifiers) 82A, 82B, 82C and 82D are newly provided in place of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D shown in FIG. The light detection device 81 according to the sixth embodiment has a configuration that should be called a current addition type, like the light detection devices 1, 41, 51, 61, and 71 described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup 2, a photodetection device 81 is newly provided in place of the photodetection device 1.

gm増幅器82A、82B、82C及び82Dは、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D並びに検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdに対応して設けられている。gm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各正側入力端子は、信号加算器13の負側入力端子と対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されている。gm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各負側入力端子は、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各カソードと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されている。すなわち、本発明の実施の形態6では、本発明の実施の形態5と比較して、gm増幅器82A、82B、82C及び82Dの極性を反転させているのである。 gm amplifier 82A, 82B, 82C and 82D, the photo diode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D and detection resistor Ra, Rb, are provided corresponding to Rc and Rd. The positive input terminals of the gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D are connected to the connection points between the negative input terminal of the signal adder 13 and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd, respectively. gm amplifier 82A, 82B, each negative input terminal of the 82C and 82D, the corresponding photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 detection resistor Ra and the corresponding respective cathodes of D, Rb, connected to the Rc and Rd Each point is connected. That is, in the sixth embodiment of the present invention, the polarities of the gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D are reversed as compared with the fifth embodiment of the present invention.

gm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各正側入力端子の入力電圧は、信号加算器13の基準電圧VR1によって決定される。しかし、gm増幅器82A、82B、82C及び82Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dに流れる受光電流IA、IB、IC及びIDにより対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して増幅し、電流信号に変換して出力する。 The input voltages at the positive input terminals of the gm amplifiers 82A, 82B, 82C and 82D are determined by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. However, the gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D are not affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13, and receive light current I A that flows through the corresponding photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C, and PD1 D. , I B , I C, and I D detect and amplify only the voltage drop generated at both ends of the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd, and convert and output the current signal.

I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、対応するgm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各電流信号を電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。電圧信号VA、VB、VC及びVDは、基準電圧VR2に対してマイナス側となる。これら電圧信号VA、VB、VC及びVDは、図3に示す信号処理回路7に供給される。なお、上記構成を有する電流加算型の光検出装置81におけるノイズレベルは、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様であるので、その説明を省略する。 The IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D convert the current signals of the corresponding gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D into voltage signals V A , V B , V C, and V D and output them. The voltage signals V A , V B , V C and V D are on the negative side with respect to the reference voltage V R2 . These voltage signals V A , V B , V C and V D are supplied to the signal processing circuit 7 shown in FIG. Note that the noise level in the current addition type photodetector 81 having the above-described configuration is the same as that of the photodetector 1 according to the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted.

以上説明したように、本発明の実施の形態6による光検出装置81は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置81は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、gm増幅器82A、82B、82C及び82Dと、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 81 according to the sixth embodiment of the present invention provides the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 81 comprises a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, gm amplifier 82A, 82B, and 82C and 82D, I-V amplifier 73A, 73B, and 73C and 73D, the detection resistor Ra, Rb, Rc, and Rd, and a signal adder 13 are included.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。gm増幅器82A、82B、82C及び82Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して増幅し、電流信号に変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D detect and amplify only the voltage drops that occur across the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd without being affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Then, it is converted into a current signal and output.

I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、対応するgm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各電流信号を電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D convert the current signals of the corresponding gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D into voltage signals V A , V B , V C, and V D and output them. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態6によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態6によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態6によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the sixth embodiment of the present invention, it is possible to generate servo signals for the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the sixth embodiment of the present invention, it is possible to convert all the received currents I A , I B , I C and I D into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the sixth embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

また、本発明の実施の形態6によれば、gm増幅器82A、82B、82C及び82Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して電流信号に変換している。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1の電圧値は、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dの基準電圧VR2の電圧値とは異なる電圧値に設定することができる。 Further, according to the sixth embodiment of the present invention, the gm amplifiers 82A, 82B, 82C and 82D are not affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13, and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Only a voltage drop generated at both ends of Rd is detected and converted into a current signal. Therefore, the voltage value of the reference voltage V R1 of the signal adder 13 can be set to a voltage value different from the voltage value of the reference voltage V R2 of the IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D.

また、本発明の実施の形態6では、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各逆バイアス電圧は、信号加算器13の基準電圧VR1によって決定されている。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各寄生容量を減少させることができる。このように信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下に起因して、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dで生じる各逆バイアス電圧の低下を補償することができる。さらに、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの設計値もより広く選択することが可能となる。 In the sixth embodiment of the present invention, the reverse bias voltages of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D are determined by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Therefore, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the parasitic capacitances of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D can be reduced. In this way, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the corresponding photodiode PD1 A , due to the voltage drop that occurs across the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd. It is possible to compensate for a decrease in each reverse bias voltage generated in PD1 B , PD1 C and PD1 D. Furthermore, the design values of the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd can be selected more widely.

実施の形態7.
図10は、本発明の実施の形態7に係る光検出装置(OEIC)91の概略構成を示す回路図である。図10において、図8の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図8に示すgm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子が対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各カソードと対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdとの接続点にそれぞれ接続されているのに対し、図10に示す光検出装置91においては、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子が信号加算器13の正側入力端子にそれぞれ接続されている。すなわち、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子には、基準電圧VR1が印加されている。本実施の形態7に係る光検出装置91は、上記した光検出装置1、41、51、61、71及び81と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置91を新たに設けるものとする。
Embodiment 7 FIG.
FIG. 10 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 91 according to Embodiment 7 of the present invention. 10, parts corresponding to those in FIG. 8 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted. The detection resistors Ra, Rb, Rc and Rd corresponding to the cathodes of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D to which the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D shown in FIG. 10, the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are the positive input terminals of the signal adder 13 in the photodetector 91 shown in FIG. Are connected to each. That is, the reference voltage V R1 is applied to each negative side input terminal of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D. The light detection device 91 according to the seventh embodiment has a configuration that should be called a current addition type, similarly to the light detection devices 1, 41, 51, 61, 71, and 81 described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus equipped with the optical pickup 2, a photodetection device 91 is newly provided in place of the photodetection device 1.

以下、上記したように光検出装置91を構成した理由について説明する。上記した実施の形態5では、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの負側入力端子における寄生容量(例えば、配線やトランジスタ等に起因するもの)がRF電圧信号VRFの交流特性(特に、ノイズ)の悪化を招くおそれがある。そこで、本実施の形態7では、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子を信号加算器13の正側入力端子にそれぞれ接続することにより、RF電圧信号VRFの交流特性(特に、ノイズ)の悪化の危険要因を予め取り除いているのである。なお、信号加算器13の正側入力端子及び負側入力端子は、仮想接地(イマジナリショート)の原理から同電位であるので、上記光検出装置91の動作原理は、上記した実施の形態5に係る光検出装置71と略同様である。したがって、上記光検出装置91の動作原理に関する説明を省略する。 Hereinafter, the reason why the photodetection device 91 is configured as described above will be described. In the fifth embodiment described above, the parasitic capacitance (for example, due to wiring, transistors, etc.) at the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D is the AC characteristic (particularly noise) of the RF voltage signal VRF. ) May be worsened. Thus, in the seventh embodiment, the negative characteristics of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are connected to the positive input terminal of the signal adder 13, respectively, so that the AC characteristics of the RF voltage signal V RF ( In particular, the risk factor of noise) is removed in advance. Since the positive side input terminal and the negative side input terminal of the signal adder 13 are at the same potential due to the principle of virtual ground (imaginary short), the operating principle of the photodetecting device 91 is the same as that of the fifth embodiment. This is substantially the same as the photodetection device 71. Therefore, the description regarding the operation principle of the photodetection device 91 is omitted.

以上説明したように、本発明の実施の形態7による光検出装置91は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置91は、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dと、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dと、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dと、検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 91 according to the seventh embodiment of the present invention provides the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disc 3. It is used. The photodetector 91 comprises a photodiode PD1 A, PD1 B, PD1 C and PD1 D, gm amplifier 72A, 72B, and 72C and 72D, I-V amplifier 73A, 73B, and 73C and 73D, the detection resistor Ra, Rb, Rc, and Rd, and a signal adder 13 are included.

フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。gm増幅器72A、72B、72C及び72Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して増幅し、電流信号に変換して出力する。 The photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. The gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D detect and amplify only the voltage drops that occur across the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd without being affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Then, it is converted into a current signal and output.

I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dは、対応するgm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各電流信号を電圧信号VA、VB、VC及びVDに変換して出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D convert the current signals of the corresponding gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D into voltage signals V A , V B , V C, and V D and output them. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態7によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態7によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態7によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the seventh embodiment of the present invention, the servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the seventh embodiment of the present invention, all the received currents I A , I B , I C and I D can be converted into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the seventh embodiment of the present invention, it is not necessary to change the light receiver physically and in process as in the first conventional example. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

また、本発明の実施の形態7によれば、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dは、信号加算器13の基準電圧VR1の影響を受けることなく、対応する検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下のみを検出して電流信号に変換している。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1の電圧値は、I−V増幅器73A、73B、73C及び73Dの基準電圧VR2の電圧値とは異なる電圧値に設定することができる。 Further, according to the seventh embodiment of the present invention, the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are not affected by the reference voltage V R1 of the signal adder 13, and the corresponding detection resistors Ra, Rb, Rc and Only a voltage drop generated at both ends of Rd is detected and converted into a current signal. Therefore, the voltage value of the reference voltage V R1 of the signal adder 13 can be set to a voltage value different from the voltage value of the reference voltage V R2 of the IV amplifiers 73A, 73B, 73C, and 73D.

また、本発明の実施の形態7では、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各逆バイアス電圧は、信号加算器13の基準電圧VR1によって決定されている。したがって、信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dの各寄生容量を減少させることができる。このように信号加算器13の基準電圧VR1を可能な限り高く設定することにより、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの両端に生じる電圧降下に起因して、対応するフォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1Dで生じる各逆バイアス電圧の低下を補償することができる。さらに、各検出抵抗Ra、Rb、Rc及びRdの設計値もより広く選択することが可能となる。また、本発明の実施の形態7では、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子を信号加算器13の正側入力端子にそれぞれ接続しているので、RF電圧信号VRFの交流特性(特に、ノイズ)の悪化を軽減することができる。 In the seventh embodiment of the present invention, the reverse bias voltages of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D are determined by the reference voltage V R1 of the signal adder 13. Therefore, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the parasitic capacitances of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D can be reduced. In this way, by setting the reference voltage V R1 of the signal adder 13 as high as possible, the corresponding photodiode PD1 A , due to the voltage drop that occurs across the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd. It is possible to compensate for a decrease in each reverse bias voltage generated in PD1 B , PD1 C and PD1 D. Furthermore, the design values of the detection resistors Ra, Rb, Rc, and Rd can be selected more widely. In the seventh embodiment of the present invention, since the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C and 72D are connected to the positive input terminal of the signal adder 13, respectively, the RF voltage signal V RF Deterioration of AC characteristics (particularly noise) can be reduced.

実施の形態8.
図11は、本発明の実施の形態8に係る光検出装置(OEIC)101の概略構成を示す回路図である。また、図12は、図11に示す4分割受光器(4象限受光器)102を構成するフォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dそれぞれの受光面の配置の一例を示す図である。図11において、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図11に示す光検出装置101においては、図1及び図2に示すアノードコモン型の4分割受光器11に換えて、カソードコモン型の4分割受光器102が新たに設けられている。
Embodiment 8 FIG.
FIG. 11 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a photodetection device (OEIC) 101 according to Embodiment 8 of the present invention. FIG. 12 is a diagram showing an example of the arrangement of the light receiving surfaces of the photodiodes PD2 A , PD2 B , PD2 C and PD2 D constituting the four-divided light receiver (four quadrant light receiver) 102 shown in FIG. . In FIG. 11, parts corresponding to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and explanation thereof is omitted. In the photodetector 101 shown in FIG. 11, a cathode common type quadrant light receiver 102 is newly provided in place of the anode common type quadrant light receiver 11 shown in FIGS. 1 and 2.

4分割受光器102は、4つの受光領域A、B、C及びDを有している。4つの受光領域A、B、C及びDは、それぞれフォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dにより構成されている。4分割受光器102は、各フォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dのカソードが共通接続され、電源電圧VCCが印加されたカソードコモン型である。フォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dは、上記した光ディスク2(図3参照)によって反射された光ビーム(主ビーム)を受光して、それぞれ受光電流IA、IB、IC及びIDを出力する。 The quadrant light receiver 102 has four light receiving areas A, B, C, and D. Four light receiving regions A, B, C and D is composed of a photodiode PD2 A, PD2 B, PD2 C and PD2 D, respectively. The quadrant photoreceiver 102 is a cathode common type in which the cathodes of the photodiodes PD2 A , PD2 B , PD2 C and PD2 D are connected in common and the power supply voltage V CC is applied. The photodiodes PD2 A , PD2 B , PD2 C and PD2 D receive the light beam (main beam) reflected by the optical disc 2 (see FIG. 3) and receive light reception currents I A , I B , I C respectively. And ID are output.

本実施の形態8に係る光検出装置101は、上記した本実施の形態1に係る光検出装置1と同様、いわば電流加算型と呼ぶべき構成を有している。また、図3に示す光ピックアップ2及びこの光ピックアップ2を搭載した光記録再生装置においては、光検出装置1に換えて、光検出装置101を新たに設けるものとする。   The photodetection device 101 according to the eighth embodiment has a configuration that should be called a current addition type, like the photodetection device 1 according to the first embodiment described above. Further, in the optical pickup 2 shown in FIG. 3 and the optical recording / reproducing apparatus in which the optical pickup 2 is mounted, a photodetecting device 101 is newly provided in place of the photodetecting device 1.

以上説明したように、本発明の実施の形態8による光検出装置101は、光源である半導体レーザ21から射出され光ディスク3の情報記録面により反射された光ビームから信号を再生する光ピックアップ2に用いられるものである。この光検出装置101は、フォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dと、電流検出器12A、12B、12C及び12Dと、信号加算器13とを有している。 As described above, the photodetector 101 according to the eighth embodiment of the present invention is the optical pickup 2 that reproduces a signal from the light beam emitted from the semiconductor laser 21 that is a light source and reflected by the information recording surface of the optical disk 3. It is used. The photodetector 101 includes photodiodes PD2 A , PD2 B , PD2 C and PD2 D , current detectors 12A, 12B, 12C and 12D and a signal adder 13.

フォトダイオードPD2A、PD2B、PD2C及びPD2Dは、光ディスク3からの反射光を受光して受光電流IA、IB、IC及びIDをそれぞれ出力する。電流検出器12A、12B、12C及び12Dは、受光電流IA、IB、IC及びIDを検出し、対応する受光電流IA、IB、IC及びIDに対しそれぞれ線形的に変化する電圧信号VA、VB、VC及びVDを出力する。信号加算器13は、受光電流IA、IB、IC及びIDを加算してRF電流信号IRFとするとともに、このRF電流信号IRFをRF電圧信号VRFに変換して出力する。 The photodiodes PD2 A , PD2 B , PD2 C and PD2 D receive the reflected light from the optical disc 3 and output received light currents I A , I B , I C and I D , respectively. Current detector 12A, 12B, 12C and 12D are received photocurrent I A, I B, detects the I C and I D, the corresponding light-receiving current I A, I B, respectively linearly to I C and I D The changing voltage signals V A , V B , V C and V D are output. The signal adder 13 adds the received light currents I A , I B , I C and I D to form an RF current signal I RF, and converts the RF current signal I RF into an RF voltage signal V RF and outputs it. .

したがって、本発明の実施の形態8によれば、RF電圧信号VRFと同時に各フォトダイオードPD1A、PD1B、PD1C及びPD1D(チャンネル)のサーボ信号を生成することができる。また、本発明の実施の形態8によれば、すべての受光電流IA、IB、IC及びIDをRF電圧信号VRFに変換することができる。さらに、本発明の実施の形態8によれば、上記した第1の従来例のように、受光器を物理的、プロセス的に変更する必要がない。この結果、電流加算の利点を十分に活かすことができ、低雑音動作特性の向上を実現することができる。 Therefore, according to the eighth embodiment of the present invention, the servo signals of the photodiodes PD1 A , PD1 B , PD1 C and PD1 D (channel) can be generated simultaneously with the RF voltage signal V RF . Further, according to the eighth embodiment of the present invention, all the received currents I A , I B , I C and I D can be converted into the RF voltage signal V RF . Furthermore, according to the eighth embodiment of the present invention, unlike the first conventional example described above, it is not necessary to change the light receiver physically and processically. As a result, the advantages of current addition can be fully exploited, and low noise operating characteristics can be improved.

以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
また、上述の各実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの技術を流用することができる。例えば、実施の形態7では、図10に示すように、gm増幅器72A、72B、72C及び72Dの各負側入力端子を信号加算器13の正側入力端子にそれぞれ接続しているが、実施の形態6において、図9に示すgm増幅器82A、82B、82C及び82Dの各正側入力端子を信号加算器13の正側入力端子にそれぞれ接続しても良い。
また、上記した実施の形態2〜7では、アノードコモン型の4分割受光器11を用いる例を示したが、これに限定されず、上記した実施の形態8と同様に、カソードコモン型の4分割受光器102を用いても良い。
As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to these embodiments, and the design can be changed without departing from the scope of the present invention. Is included in the present invention.
In addition, each of the above-described embodiments can divert each other's technology as long as there is no particular contradiction or problem in the purpose, configuration, or the like. For example, in the seventh embodiment, as shown in FIG. 10, the negative input terminals of the gm amplifiers 72A, 72B, 72C, and 72D are connected to the positive input terminal of the signal adder 13, respectively. In the sixth embodiment, the positive input terminals of the gm amplifiers 82A, 82B, 82C, and 82D shown in FIG. 9 may be connected to the positive input terminal of the signal adder 13, respectively.
In the second to seventh embodiments described above, an example using the anode common type four-divided light receiver 11 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the cathode common type 4 is similar to the eighth embodiment described above. A split light receiver 102 may be used.

本発明の実施の形態1に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photon detection apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1に示す4分割受光器を構成するフォトダイオードそれぞれの受光面の配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of arrangement | positioning of the light-receiving surface of each photodiode which comprises the 4-part dividing light receiver shown in FIG. 図1に示す光検出装置を備えた光ピックアップ及びこの光ピックアップを搭載した光記録再生装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the optical pick-up provided with the optical detection apparatus shown in FIG. 1, and the optical recording / reproducing apparatus carrying this optical pick-up. 従来の光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the conventional photon detection apparatus. 本発明の実施の形態2に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photon detection apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photon detection apparatus which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photodetector which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photodetector which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photon detection apparatus which concerns on Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態7に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photon detection apparatus which concerns on Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態8に係る光検出装置の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the photodetector which concerns on Embodiment 8 of this invention. 図11に示す4分割受光器を構成するフォトダイオードそれぞれの受光面の配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of arrangement | positioning of the light-receiving surface of each photodiode which comprises the 4-part dividing light receiver shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,41,51,61,71,81,91,101…光検出装置(OEIC)、2…光ピックアップ、3…光ディスク(光記録媒体)、4…コントローラ、5…レーザ・ドライバ、6…回折ユニット・ドライバ、7…信号処理回路、8…イコライザ、9…ピックアップ・ドライバ(PUドライバ)、11,102…4分割受光器(4象限受光器)、12A,12B,12C,12D…電流検出器、13…信号加算器、21…半導体レーザ(光源)、22…回折ユニット、23…ハーフミラー、24…対物レンズ、25…集光レンズ、42A〜42D…電圧検出器、52A,52B,52C,52D…非反転増幅器、62A,62B,62C,62D…反転増幅器、72A,72B,72C,72D,82A,82B,82C,82D…gm増幅器(トランスコンダクタンス増幅器)、73A,73B,73C,73D…I−V増幅器(電流電圧変換増幅器)、A,B,C,D…受光領域、IA,IB,IC,ID…受光電流、IRF…RF電流信号、PD1A,PD1B,PD1C,PD1D,PD2A,PD2B,PD2C,PD2D…フォトダイオード、R1…入力抵抗、Ra,Rb,Rc,Rd…検出抵抗、Rf…帰還抵抗、VA,VB,VC,VD…電圧信号、VR1,VR2,Vref…基準電圧、VRF…RF電圧信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,41,51,61,71,81,91,101 ... Optical detection apparatus (OEIC), 2 ... Optical pick-up, 3 ... Optical disk (optical recording medium), 4 ... Controller, 5 ... Laser driver, 6 ... Diffraction Unit driver, 7 ... Signal processing circuit, 8 ... Equalizer, 9 ... Pickup driver (PU driver), 11,102 ... 4-divided light receiver (4-quadrant light receiver), 12A, 12B, 12C, 12D ... Current detector , 13 ... Signal adder, 21 ... Semiconductor laser (light source), 22 ... Diffraction unit, 23 ... Half mirror, 24 ... Objective lens, 25 ... Condensing lens, 42A-42D ... Voltage detector, 52A, 52B, 52C, 52D: non-inverting amplifier, 62A, 62B, 62C, 62D: inverting amplifier, 72A, 72B, 72C, 72D, 82A, 82B, 82C, 82D ... gm increase Vessel (transconductance amplifier), 73A, 73B, 73C, 73D ... I-V amplifier (current-voltage conversion amplifier), A, B, C, D ... light receiving region, I A, I B, I C, I D ... receiving current, I RF ... RF current signal, PD1 A, PD1 B, PD1 C, PD1 D, PD2 A, PD2 B, PD2 C, PD2 D ... photodiode, R 1 ... input resistor, Ra, Rb, Rc, Rd ... Detection resistor, Rf: feedback resistor, V A , V B , V C , V D ... voltage signal, V R1 , V R2 , V ref ... reference voltage, V RF ... RF voltage signal

Claims (14)

光源から射出され光記録媒体により反射された光ビームから信号を生成する光ピックアップに用いられる光検出装置であって、
光記録媒体からの反射光を受光して受光電流を出力する複数のフォトダイオードと、
前記複数のフォトダイオードの各前記受光電流を加算する信号加算器と、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードの前記受光電流を検出する複数の電流検出器と
を有することを特徴とする光検出装置。
A photodetector for use in an optical pickup that generates a signal from a light beam emitted from a light source and reflected by an optical recording medium,
A plurality of photodiodes that receive reflected light from the optical recording medium and output a received light current;
A signal adder for adding the light receiving currents of the plurality of photodiodes;
A plurality of current detectors provided corresponding to the plurality of photodiodes and detecting the light reception currents of the corresponding photodiodes.
前記信号加算器は、
加算された前記受光電流を電圧信号に変換する電流電圧変換増幅器である
ことを特徴とする請求項1に記載の光検出装置。
The signal adder is
The photodetection device according to claim 1, wherein the photodetection device is a current-voltage conversion amplifier that converts the added light reception current into a voltage signal.
前記複数の電流検出器は、
対応する前記受光電流に対しそれぞれ線形的に変化する前記電圧信号を出力する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出装置。
The plurality of current detectors are:
The photodetection device according to claim 1, wherein the voltage signal that linearly changes with respect to the corresponding light receiving current is output.
前記複数の電流検出器は、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードと前記信号加算器との間に介挿された複数の検出抵抗と、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードに流れる電流により対応する前記検出抵抗に生じる電圧降下を検出する複数の電圧検出器と
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出装置。
The plurality of current detectors are:
A plurality of detection resistors provided corresponding to the plurality of photodiodes and interposed between the corresponding photodiodes and the signal adder;
A plurality of voltage detectors provided corresponding to the plurality of photodiodes and detecting a voltage drop generated in the corresponding detection resistor due to a current flowing through the corresponding photodiode. 3. The light detection device according to 2.
前記複数の電圧検出器は、
対応する前記電圧降下に対しそれぞれ線形的に変化する前記電圧信号を出力する
ことを特徴とする請求項4に記載の光検出装置。
The plurality of voltage detectors are:
The light detection device according to claim 4, wherein the voltage signals that change linearly with respect to the corresponding voltage drop are output.
前記複数の電流検出器は、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードと前記信号加算器との間に介挿された複数の検出抵抗と、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードと対応する前記検出抵抗との接続点における、基準電圧に対する電圧を増幅する複数の非反転増幅器と
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出装置。
The plurality of current detectors are:
A plurality of detection resistors provided corresponding to the plurality of photodiodes and interposed between the corresponding photodiodes and the signal adder;
And a plurality of non-inverting amplifiers that are provided corresponding to the plurality of photodiodes and amplify a voltage with respect to a reference voltage at a connection point between the corresponding photodiode and the detection resistor. Item 3. The light detection device according to Item 1 or 2.
前記複数の非反転増幅器に対応して設けられ、対応する前記非反転増幅器の出力電圧を反転増幅する複数の反転増幅器
を有することを特徴とする請求項6に記載の光検出装置。
The photodetecting device according to claim 6, further comprising: a plurality of inverting amplifiers provided corresponding to the plurality of non-inverting amplifiers and inverting and amplifying output voltages of the corresponding non-inverting amplifiers.
前記複数の電流検出器は、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードと前記信号加算器との間に介挿された複数の検出抵抗と、
前記複数のフォトダイオードに対応して設けられ、対応する前記フォトダイオードに流れる電流により対応する前記検出抵抗に生じる電圧降下を電流信号に変換する複数のgm増幅器と、
前記複数のgm増幅器に対応して設けられ、対応する前記gm増幅器の前記電流信号を電圧信号に変換する複数の電流電圧変換増幅器と
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出装置。
The plurality of current detectors are:
A plurality of detection resistors provided corresponding to the plurality of photodiodes and interposed between the corresponding photodiodes and the signal adder;
A plurality of gm amplifiers provided corresponding to the plurality of photodiodes, and converting a voltage drop generated in the corresponding detection resistor by a current flowing through the corresponding photodiode into a current signal;
The light according to claim 1, further comprising: a plurality of current-voltage conversion amplifiers provided corresponding to the plurality of gm amplifiers and converting the current signals of the corresponding gm amplifiers into voltage signals. Detection device.
各前記gm増幅器は、正側入力端子が対応する前記フォトダイオードと対応する前記検出抵抗との接続点に接続され、負側入力端子が前記信号加算器の入力端子と対応する前記検出抵抗との接続点に接続されている
ことを特徴とする請求項8に記載の光検出装置。
Each gm amplifier has a positive input terminal connected to a connection point between the corresponding photodiode and the detection resistor, and a negative input terminal connected to the detection resistor corresponding to the input terminal of the signal adder. The photodetection device according to claim 8, wherein the photodetection device is connected to a connection point.
各前記gm増幅器は、負側入力端子が対応する前記フォトダイオードと対応する前記検出抵抗との接続点に接続され、正側入力端子が前記信号加算器の入力端子と対応する前記検出抵抗との接続点に接続されている
ことを特徴とする請求項8に記載の光検出装置。
Each gm amplifier has a negative input terminal connected to a connection point between the corresponding photodiode and the detection resistor, and a positive input terminal connected to the detection resistor corresponding to the input terminal of the signal adder. The photodetection device according to claim 8, wherein the photodetection device is connected to a connection point.
各前記gm増幅器は、正側入力端子及び負側入力端子のうち、一方が対応する前記フォトダイオードと対応する前記検出抵抗との接続点に接続され、他方に基準電圧が印加されている
ことを特徴とする請求項8に記載の光検出装置。
In each of the gm amplifiers, one of a positive input terminal and a negative input terminal is connected to a connection point between the corresponding photodiode and the corresponding detection resistor, and a reference voltage is applied to the other. The photodetection device according to claim 8, wherein
各前記フォトダイオードは、
カソードコモン接続又はアノードコモン接続されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の光検出装置。
Each photodiode is
The photodetecting device according to claim 1, wherein the common cathode connection or the common anode connection is used.
請求項1乃至12のいずれかに記載の光検出装置を備えることを特徴とする光ピックアップ。   An optical pickup comprising the light detection device according to claim 1. 請求項13に記載の光ピックアップを搭載したことを特徴とする光記録再生装置。   An optical recording / reproducing apparatus comprising the optical pickup according to claim 13.
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