JP2009289369A - Photoelectric conversion device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光ディスク用に使用される受光アンプ素子、光ピックアップデバイス、光ディスクドライブといった光電変換装置に関するものである。 The present invention relates to a photoelectric conversion device such as a light receiving amplifier element, an optical pickup device, and an optical disk drive used for an optical disk.
近年、光ディスクにおいては、CD−R、CD±RW、DVD−R、DVD−RAM、DVD±RW及びBD(Blu−ray Disc)などに加え、2層ディスクなど、様々なメディアが規格化されており、各メディアの反射率も多様化している。また、光ディスクの記録スピードの高倍速化が進んでおり、記録時と再生時との光量の差が大きくなっている。このため、受光アンプ素子のゲインを、各メディアの記録時及び再生時のそれぞれに対応するように複数設け、スイッチ回路によりゲインを選択し、切り換えることが求められている。 In recent years, in addition to CD-R, CD ± RW, DVD-R, DVD-RAM, DVD ± RW, BD (Blu-ray Disc), etc., various media such as double-layer discs have been standardized in optical discs. The reflectance of each media is also diversified. In addition, the recording speed of the optical disc has been increased, and the difference in the amount of light between recording and reproduction has increased. For this reason, it is required to provide a plurality of gains of the light receiving amplifier elements so as to correspond to the recording time and the reproducing time of each medium, and to select and switch the gain by a switch circuit.
例えば、受光アンプ素子の回路は、フィードバック抵抗を複数設ける。各メディアの記録時及び再生時のそれぞれに応じて、これら複数のフィードバック抵抗から対応するフィードバック抵抗をスイッチ回路により選択することにより、ゲインを切り換える方法が一般的である。 For example, the circuit of the light receiving amplifier element is provided with a plurality of feedback resistors. In general, a method of switching the gain by selecting a corresponding feedback resistor from the plurality of feedback resistors by a switch circuit in accordance with recording and reproduction of each medium.
図7は、特許文献1に示されるゲイン切り換え機能を有する光電変換装置である受光アンプ素子(以下、PDIC(Photo Detector Integrated Circuit)と記載する)の一例を示す図である。同図の受光アンプ素子700は、フォトダイオード701と、演算増幅器702と、複数のフィードバック抵抗703と、アナログスイッチ705とを備える。
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a light receiving amplifier element (hereinafter referred to as PDIC (Photo Detector Integrated Circuit)) which is a photoelectric conversion device having a gain switching function disclosed in
フォトダイオード701は、アノードが接地され、カソードが演算増幅器702の反転入力端に接続される。フォトダイオード701は、被検出光の光量に応じた信号を出力する受光素子である。
The
複数のフィードバック抵抗703は、抵抗値が各々異なる。複数のフィードバック抵抗703の中で最大抵抗値のフィードバック抵抗704は、一端が演算増幅器の出力端に接続され、他端が演算増幅器の反転入力端に接続される。他のフィードバック抵抗は、一端が演算増幅器702の反転入力端に接続され、他端がアナログスイッチ705に接続される。
The plurality of
アナログスイッチ705は、複数のフィードバック抵抗703のうち、最大抵抗値のフィードバック抵抗704を除く他のフィードバック抵抗の各一端が接続された入力端あるいは最大抵抗値のフィードバック抵抗704の一端に代えて無接続状態とされた入力端を、選択的に演算増幅器702の出力端に接続する。
The
このように構成された受光アンプ素子700は、アナログスイッチ705によってフィードバック抵抗を切り換えることによって、ゲインが切り換わる。
The gain of the light
ここで、最大抵抗値のフィードバック抵抗704は、アナログスイッチ705を介することなく、演算増幅器702の出力端と反転入力端とに接続されている。これにより、当該最大抵抗値のフィードバック抵抗704を用いてゲインを設定した状態から、他のフィードバック抵抗を選択してゲインを切り換えた場合に、アナログスイッチ705が有する静電容量などの寄生素子の影響を受けることなく、出力電圧が高速に定常状態に収束する。よって、スイッチを介さないフィードバック抵抗を動作させることで、スイッチの影響を受けることなく、高速でゲイン切り換えを行うことができる。
しかしながら、上記従来技術では、回路規模が増大し、フィードバック抵抗の寄生容量により特性が劣化するという課題がある。 However, the above-described prior art has a problem that the circuit scale increases and the characteristics deteriorate due to the parasitic capacitance of the feedback resistor.
受光アンプ素子(光電変換装置)において、光ディスクに信号を書き込む記録モード、光ディスクに書かれた信号を読み出す再生モード、及び、各モードにおける各メディアからの反射光に合わせたゲイン設定を行うように受光アンプ素子のフィードバック抵抗を切り換え、受光アンプ素子の出力信号振幅を一定範囲のレベルにすることが一般的である。 In the light receiving amplifier element (photoelectric conversion device), a light receiving mode is set so that a recording mode for writing a signal to the optical disc, a reproduction mode for reading the signal written on the optical disc, and a gain setting in accordance with the reflected light from each medium in each mode. In general, the feedback resistance of the amplifier element is switched, and the output signal amplitude of the light receiving amplifier element is set to a level within a certain range.
ゲインを切り換えるには、光を電流に変換する受光素子と、当該受光素子で変換された電流を電圧に変換する増幅回路において、フィードバック抵抗を複数備え、各メディアの使用時ごとにフィードバック抵抗を切り換える方式が用いられている。 In order to switch the gain, the light receiving element that converts light into current and the amplifier circuit that converts the current converted by the light receiving element into a voltage are provided with a plurality of feedback resistors, and the feedback resistors are switched every time each medium is used. The method is used.
昨今、DVDの2層ディスクなどのような光ディスクメディアの多様化、及び、記録再生の高速化に伴い、受光素子への入射光量が広範囲になり、PDICには多数のゲインを切り換える機能が要望されている。しかしながら、ゲイン設定数が多くなった場合は、フィードバック抵抗及び周波数特性の調整用に変換抵抗に並列に挿入する帰還容量が多数必要になるため、回路規模が増大し、同時に周波数特性、安定度及び応答特性などを最適化することが困難になる。 Recently, with the diversification of optical disc media such as DVD double-layer discs and the speed of recording and reproduction, the amount of light incident on the light receiving element has become widespread, and the PDIC is required to have a function of switching a large number of gains. ing. However, when the number of gain settings increases, a large number of feedback capacitors inserted in parallel with the conversion resistor for adjusting the feedback resistor and the frequency characteristic are required, so that the circuit scale increases, and at the same time, the frequency characteristic, stability and It becomes difficult to optimize response characteristics.
また、CD、DVD及びBDなどの光ディスクメディア毎に受光部を有し、受光部を切り換えて動作させ、増幅回路を共通化する場合には、最大抵抗値のフィードバック抵抗にアナログスイッチを介することなく、演算増幅器の出力端と反転入力端とに接続すると、最大ゲイン以外のゲイン設定時は、最大抵抗値のフィードバックとその他のフィードバック抵抗とを並列に接続した状態で動作することになる。このため、例えば、最大ゲインの半分のゲインを作るためには、最大抵抗値となるフィードバック抵抗を2つ並列に動作させることとなる。これは、最大ゲインの半分のゲインを単独のフィードバック抵抗で動作させる場合に比べて、フィードバック抵抗の面積が4倍になるため抵抗の寄生容量により特性劣化が生じる。 In addition, when each optical disk medium such as CD, DVD, and BD has a light receiving unit and is operated by switching the light receiving unit to share an amplifier circuit, the feedback resistor having the maximum resistance value is not connected via an analog switch. When connected to the output terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier, when a gain other than the maximum gain is set, the feedback is performed with the feedback of the maximum resistance value and other feedback resistors connected in parallel. Therefore, for example, in order to produce a gain that is half of the maximum gain, two feedback resistors having the maximum resistance value are operated in parallel. This is because the area of the feedback resistor is quadrupled compared to the case where a gain that is half the maximum gain is operated by a single feedback resistor, and the characteristic deterioration occurs due to the parasitic capacitance of the resistor.
また、受光部と増幅器とを複数有し、動作する増幅器を切り換える構成の場合も、スイッチの影響を受けずゲインを高速に切り換えるためには、スイッチを介さないフィードバック抵抗を接続する必要がある。このため、受光部のみを切り換える場合と同様に、例えば、最大ゲインの半分のゲインを作るためには、最大抵抗値となるフィードバック抵抗を2つ並列に動作させることとなる。これは、最大ゲインの半分のゲインを単独のフィードバック抵抗で動作させる場合に比べて、フィードバック抵抗の寄生容量により特性劣化が生じる。 Also, in the case of a configuration having a plurality of light receiving units and amplifiers and switching between operating amplifiers, it is necessary to connect a feedback resistor not through the switch in order to switch the gain at high speed without being affected by the switch. For this reason, as in the case of switching only the light receiving unit, for example, in order to create a gain that is half of the maximum gain, two feedback resistors having the maximum resistance value are operated in parallel. This is because the characteristic degradation occurs due to the parasitic capacitance of the feedback resistance as compared with the case where a gain half the maximum gain is operated by a single feedback resistance.
そこで、本発明は、回路規模の増大、及び、抵抗の寄生容量による特性劣化を軽減することのできる光電変換装置を提供することを目的とする。 In view of the above, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion device capable of reducing an increase in circuit scale and characteristic deterioration due to a parasitic capacitance of a resistor.
上記課題を解決するため、本発明の光電変換装置は、光を電流に変換して増幅する光電変換装置であって、光を受光し、受光した光を電流に変換する第1受光素子と、前記第1受光素子が受光する光とは波長が異なる光を受光し、受光した光を電流に変換する第2受光素子と、前記第1受光素子で変換され、入力端に入力された電流を増幅し、出力端から出力する第1増幅回路と、前記第2受光素子で変換され、入力端に入力された電流を増幅し、出力端から出力する第2増幅回路と、前記第1増幅回路の入力端と出力端との間に互いに並列接続される複数の第1フィードバック回路と、前記第2増幅回路の入力端と出力端との間に互いに並列接続される複数の第2フィードバック回路と、前記複数の第1フィードバック回路の中の1つを除く残りの第1フィードバック回路のそれぞれに接続される第1スイッチと、前記複数の第2フィードバック回路のそれぞれに接続される第2スイッチと、前記第1増幅回路及び前記第2増幅回路を選択的に動作させることで、前記第1受光素子と前記第2受光素子との出力を切り換える受光部切換回路とを備える。 In order to solve the above-described problems, a photoelectric conversion device of the present invention is a photoelectric conversion device that converts light into current and amplifies the light, and receives the light, and converts the received light into current. The second light receiving element that receives light having a wavelength different from that of the light received by the first light receiving element, converts the received light into current, and the current that is converted by the first light receiving element and input to the input terminal. A first amplifier circuit that amplifies and outputs from the output terminal, a second amplifier circuit that amplifies the current that is converted by the second light receiving element and is input to the input terminal, and outputs from the output terminal, and the first amplifier circuit A plurality of first feedback circuits connected in parallel between the input terminal and the output terminal of the first amplifier circuit; and a plurality of second feedback circuits connected in parallel between the input terminal and the output terminal of the second amplifier circuit; Removing one of the plurality of first feedback circuits. A first switch connected to each of the remaining first feedback circuits; a second switch connected to each of the plurality of second feedback circuits; and the first amplifier circuit and the second amplifier circuit selectively. A light-receiving unit switching circuit that switches the output of the first light-receiving element and the second light-receiving element by being operated is provided.
これにより、1つのフィードバック回路群では、常時接続するフィードバック回路を接続することで、スイッチ回路が有する静電容量の影響を受けることなく、高速に定常状態に静定する。また、他のフィードバック回路群では、全てのフィードバック回路をスイッチ回路に接続することで、寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を低減する。さらに、他のフィードバック回路群は、常時接続するフィードバック回路に接続されているために、スイッチ回路が有する静電容量の影響を受けることなく、高速に定常状態に静定する。 As a result, in one feedback circuit group, a feedback circuit that is always connected is connected, so that the feedback circuit group is stabilized in a steady state at high speed without being affected by the capacitance of the switch circuit. In another feedback circuit group, all the feedback circuits are connected to the switch circuit to reduce the deterioration of the frequency characteristic and the response characteristic due to the parasitic capacitance. Furthermore, since the other feedback circuit group is connected to a feedback circuit that is always connected, the feedback circuit group is settled in a steady state at high speed without being affected by the capacitance of the switch circuit.
また、前記複数の第1フィードバック回路の中で、抵抗値が最大である第1フィードバック回路は、前記第1スイッチを介さずに、前記第1増幅回路の入力端と出力端とに接続されてもよい。 The first feedback circuit having the maximum resistance value among the plurality of first feedback circuits is connected to the input terminal and the output terminal of the first amplifier circuit without going through the first switch. Also good.
これにより、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路の抵抗値を最大にすることで、当該フィードバック回路に並列接続される抵抗の合計値を最小にすることができる。よって、抵抗と基板との間に発生する寄生容量を最小にすることができ、フィードバックループ内の寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を最小にすることができる。 Thus, by maximizing the resistance value of the feedback circuit connected without using the switch, the total value of the resistors connected in parallel to the feedback circuit can be minimized. Therefore, the parasitic capacitance generated between the resistor and the substrate can be minimized, and the deterioration of the frequency characteristics and response characteristics due to the parasitic capacitance in the feedback loop can be minimized.
また、前記第1受光素子は、前記第2受光素子が受光する光が前記第2増幅回路に必要とする周波数特性より、前記第1増幅回路に必要とする周波数特性が低い光を受光してもよい。 The first light receiving element receives light having lower frequency characteristics required for the first amplifier circuit than frequency characteristics required for the second amplifier circuit by light received by the second light receiving element. Also good.
これにより、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も周波数特性が低い光信号を入射させるように設定することで、高い周波数特性を必要とする他の光信号を、より周波数特性の高い回路で処理することができる。 This allows other optical signals that require high frequency characteristics to be set so that the optical signal with the lowest frequency characteristics is incident on the light receiving element connected to the feedback circuit that is connected without going through the switch. Can be processed by a circuit with higher frequency characteristics.
また、前記第1受光素子は、前記第2受光素子が受光する光より波長の長い光を受光してもよい。 The first light receiving element may receive light having a longer wavelength than light received by the second light receiving element.
これにより、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も長い波長の光信号を入射させるように設定することで、高い周波数特性を必要とする波長が短い光信号を、より周波数特性の高い回路で処理することができる。 As a result, an optical signal with a short wavelength that requires high frequency characteristics is set by making the light signal of the longest wavelength incident on the light receiving element connected to the feedback circuit connected without going through the switch. Can be processed by a circuit with higher frequency characteristics.
また、前記第1フィードバック回路は、抵抗とキャパシタとが並列接続された回路であってもよい。 The first feedback circuit may be a circuit in which a resistor and a capacitor are connected in parallel.
これにより、フィードバック用の抵抗に並列にキャパシタを接続することにより、フィードバックループの動作を安定化させることができる。 Thereby, the operation of the feedback loop can be stabilized by connecting a capacitor in parallel with the feedback resistor.
また、前記光電変換装置は、さらに、前記複数の第1フィードバック回路と同じ抵抗で構成された第1オフセットキャンセル回路と、前記複数の第2フィードバック回路と同じ抵抗で構成された第2オフセットキャンセル回路と、前記第1及び第2オフセットキャンセル回路の一端に接続され、所定の基準電圧を供給する基準電圧源とを備え、前記第1増幅回路は、差動増幅回路であり、反転入力端に前記第1受光素子と前記複数の第1フィードバック回路群の一端とが接続され、非反転入力端に前記第1オフセットキャンセル回路の他端が接続され、前記第2増幅回路は、差動増幅回路であり、反転入力端に前記第2受光素子と前記複数の第2フィードバック回路群の一端とが接続され、非反転入力端に前記第2オフセットキャンセル回路の他端が接続されてもよい。 The photoelectric conversion device further includes a first offset cancel circuit configured with the same resistance as the plurality of first feedback circuits, and a second offset cancel circuit configured with the same resistance as the plurality of second feedback circuits. And a reference voltage source connected to one end of the first and second offset cancel circuits and supplying a predetermined reference voltage, the first amplifier circuit is a differential amplifier circuit, and the inverting input terminal A first light receiving element is connected to one end of the plurality of first feedback circuit groups, the other end of the first offset cancel circuit is connected to a non-inverting input terminal, and the second amplifier circuit is a differential amplifier circuit. And the second light receiving element and one end of the plurality of second feedback circuit groups are connected to the inverting input terminal, and the second offset cancel circuit is connected to the non-inverting input terminal. The other end may be connected.
これにより、増幅回路に発生するオフセット電圧をキャンセルすることができる。
また、前記光電変換装置は、さらに、前記第2受光素子に並列に接続され、所定の電流を出力する第1電流源と、前記第1増幅回路及び前記第2増幅回路の非反転入力端に接続され、所定の電流を出力する第2電流源とを備えてもよい。
Thereby, the offset voltage generated in the amplifier circuit can be canceled.
In addition, the photoelectric conversion device is further connected to the second light receiving element in parallel, a first current source that outputs a predetermined current, and a non-inverting input terminal of the first amplifier circuit and the second amplifier circuit. And a second current source that is connected and outputs a predetermined current.
これにより、ゲイン切換の遅延及びオフセット電圧をキャンセルすることができる。 Thereby, delay of gain switching and offset voltage can be canceled.
本発明の構成により、アナログスイッチが有する静電容量などの寄生素子の影響を受けることなく、高速にゲインを切り換えることができ、かつ、フィードバック抵抗の寄生容量による特性劣化を軽減することができる。 According to the configuration of the present invention, the gain can be switched at high speed without being affected by parasitic elements such as the capacitance of the analog switch, and characteristic deterioration due to the parasitic capacitance of the feedback resistor can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態1)
実施の形態1の光電変換装置は、複数の受光素子と、当該複数の受光素子のそれぞれに対応する複数の増幅回路を備える。複数のフィードバック回路を含むフィードバック回路群が、複数の増幅回路のそれぞれに接続されており、1つのフィードバック回路群の1つのフィードバック回路はスイッチ回路を介さずに接続され、残りのフィードバック回路の全てにはスイッチ回路を介して接続されている。
(Embodiment 1)
The photoelectric conversion device of
図1は、実施の形態1の光電変換装置を示す回路図である。同図の光電変換装置100は、受光素子101と、受光素子102と、増幅回路103と、増幅回路104と、フィードバック回路群105と、フィードバック回路群106と、出力回路107と、受光部切換回路108とを備える。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating the photoelectric conversion device according to the first embodiment. The
受光素子101及び102は、互いに波長の異なる光を受光し、受光した光を電流に変換する。ここでは、受光素子101及び102はフォトダイオードであり、アノードが接地され、カソードは、それぞれ増幅回路103及び104の入力に接続される。
The
増幅回路103及び104は、それぞれ、受光素子101及び102で変換され、入力端に入力された電流を増幅し、出力端から出力する。同図に示すように、例えば、差動増幅回路である。差動増幅回路である増幅回路103の反転入力端子は、受光素子101とフィードバック回路群105とに接続され、非反転入力端子は、例えば、接地される。出力端子は、出力回路107に接続される。
The
フィードバック回路群105は、増幅回路103の入力端と出力端との間に並列接続される複数のフィードバック回路の集合である。図1に示すように、フィードバック回路群105は、複数のフィードバック回路105a、105b及び109と、スイッチ回路群110とを含む。スイッチ回路群110は、スイッチ回路110a及び110bを含む。フィードバック回路の詳細については、図面を用いて後述する。
The
フィードバック回路105a及び105bは、それぞれ、スイッチ回路110a及び110bと直列接続されている。フィードバック回路109は、スイッチ回路を介さずに、増幅回路103の入力端と出力端との間に接続されている。スイッチ回路群110は、含まれるスイッチ回路を切り換えることで、フィードバックループの動作を選択する。
The
なお、図1には、フィードバック回路群105は、3つのフィードバック回路と2つのスイッチ回路とを含む構成を示したが、スイッチ回路を介さないフィードバック回路と、スイッチ回路を介したフィードバック回路とを含む構成であれば、フィードバック回路及びスイッチ回路の個数は、いくつであってもよい。
1 shows a configuration in which the
フィードバック回路群106は、増幅回路104の入力端と出力端との間に並列接続される複数のフィードバック回路の集合である。図1に示すように、フィードバック回路群106は、複数のフィードバック回路106a、106b及び106cと、スイッチ回路群111とを含む。スイッチ回路群111は、スイッチ回路111a、111b及び111cを含む。複数のフィードバック回路106a、106b及び106cは、それぞれ、スイッチ回路111a、111b及び111cに直列接続される。スイッチ回路群111は、含まれるスイッチ回路を切り換えることで、フィードバックループの動作を選択する。
The
出力回路107は、増幅回路103の出力端と増幅回路104の出力端とに接続される出力回路である。
The
受光部切換回路108は、いずれの受光素子に光信号が入射されるかに応じて、動作する増幅回路を選択する。
The light receiving
続いて、実施の形態1の光電変換装置100の動作について説明する。まず、受光素子101に光信号が入射される場合について説明する。なお、いずれの受光素子に光信号が入射されるかは、例えば、CD又はDVDなどのメディアに応じて切り換えることができる。
Next, the operation of the
受光素子101に光信号が入射される場合、受光部切換回路108は、増幅回路103にのみ電流を供給し、増幅回路103を動作状態にする。また、スイッチ回路群110は、入射光に対応するように、接続状態となるフィードバック回路を選択することで、ゲインを設定する。例えば、再生モードから記録モード、若しくは、記録モードから再生モードに切り換わり、入射光の強度が変わる際には、再びスイッチ回路群110は、接続状態となるフィードバック回路を選択することで、ゲインを切り換える。
When an optical signal is incident on the
このとき、フィードバック回路109は、スイッチ回路を介さず、全てのゲイン設定において接続状態となっている。このため、フィードバック回路を選択してゲインを切り換えた場合に、スイッチ回路群110が有する静電容量の影響を受けることなく、出力電圧は高速に定常状態に静定する。
At this time, the
次に、受光素子102に光信号が入射される場合について説明する。
受光素子102に光信号が入射される場合、受光部切換回路108は、増幅回路104にのみ電流を供給し、増幅回路104を動作状態にする。また、スイッチ回路群111は、入射光に対応するように、接続状態となるフィードバック回路を選択することで、ゲインを設定する。例えば、再生モードから記録モード、若しくは、記録モードから再生モードに切り換わり、入射光の強度が変わる際には、再びスイッチ回路群111は、接続状態となるフィードバック回路を選択し、ゲインを切り換える。
Next, a case where an optical signal is incident on the
When an optical signal is incident on the
このとき、スイッチ回路群111は、フィードバック回路109を介して、常時受光素子101に接続されている。常時受光素子101に接続されていないと、ゲインを切り換える際にスイッチ回路の静電容量に電荷がチャージされ、ゲインが切り換わってディスチャージされる時間分の遅延が、ゲインの切り換え時に発生する。これは、フィードバック回路群106に含まれるフィードバック回路は、全てのフィードバックループにスイッチ回路を介しているためである。
At this time, the
本実施の形態においては、スイッチ回路群111は、フィードバック回路109を介して、常時受光素子101に接続されているため、スイッチ回路群111でチャージされた電荷は、受光素子101に入射された迷光又は暗電流などにより発生した電流によって引き抜かれる。このため、出力電圧は高速に定常状態に静定し、ゲインを高速に切り換えることができる。
In the present embodiment, since the
図2は、実施の形態1のフィードバック回路109の内部回路を示す図である。なお、フィードバック回路群105及び106に含まれる他のフィードバック回路も同じ構成である。図2に示すように、フィードバック回路109は、フィードバック抵抗201と、帰還容量202とを含む。
FIG. 2 is a diagram illustrating an internal circuit of the
フィードバック抵抗201は、受光部で発生した電流を電圧に変換するための抵抗である。帰還容量202は、フィードバックを安定化させるための帰還容量である。
The
上述したように複数のゲインを設定するためには、様々な抵抗値を持つフィードバック抵抗201が必要である。スイッチ回路を介してフィードバック抵抗201を並列に接続し、スイッチ回路によって、接続されるフィードバック抵抗を切り換えることで、複数のゲインを設定する。
As described above, in order to set a plurality of gains, the
ここで、フィードバック回路群105において、n個のフィードバック抵抗を並列接続する場合、各フィードバック抵抗の値をRf1、Rf2、・・・、Rfnとし、その中でもフィードバック回路109のフィードバック抵抗の値をRf1とする。スイッチ回路群110に含まれるスイッチ回路が全てオープン状態では、フィードバック回路群105のゲインRfは、Rf1となる。
Here, when n feedback resistors are connected in parallel in the
次に、Rf2に接続されたスイッチ回路を接続状態にすると、ゲインRfは、
Rf=(Rf1×Rf2)/(Rf1+Rf2)
となる。
Next, when the switch circuit connected to Rf2 is connected, the gain Rf is
Rf = (Rf1 × Rf2) / (Rf1 + Rf2)
It becomes.
このとき、RfとRf1及びRf2との大きさを比較すると、
Rf<Rf1
Rf<Rf2
となる。複数のフィードバック抵抗を接続状態にして並列動作させた場合も同様である。
At this time, comparing the magnitudes of Rf and Rf1 and Rf2,
Rf <Rf1
Rf <Rf2
It becomes. The same applies when a plurality of feedback resistors are connected and operated in parallel.
以上のように、フィードバック回路群105においては、ゲインRfを設計するには、常にフィードバック回路109内の抵抗値Rf1と、Rfより大きい値の抵抗Rf2とを用いて構成することが必要となる。
As described above, in order to design the gain Rf in the
次に、フィードバック回路群106においては、フィードバック回路109のような常時接続の抵抗が存在しないため、任意のゲイン値Rfは、抵抗値がRfとなるフィードバック回路のみを選択することにより構成できる。
Next, in the
すなわち、フィードバック回路群106の構成は、フィードバック回路群105の構成よりも使用する抵抗を小さくすることができる。
That is, the configuration of the
フィードバック回路の抵抗を小さくできるということは、フィードバック抵抗と半導体の基板(GND)と間に発生する寄生容量を低減することができる。このため、フィードバックループ内の寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を低減することができる。 The fact that the resistance of the feedback circuit can be reduced can reduce the parasitic capacitance generated between the feedback resistor and the semiconductor substrate (GND). For this reason, it is possible to reduce deterioration of frequency characteristics and response characteristics due to parasitic capacitance in the feedback loop.
次に、スイッチ回路の構成について説明する。
図3は、バイポーラトランジスタを用いてスイッチ回路を構成する場合の光電変換装置の構成図である。同図に示す光電変換装置300は、図1の光電変換装置100と比較して、スイッチ回路群110の代わりにスイッチ回路群310を、スイッチ回路群111の代わりにスイッチ回路群311を備える。さらに、光電変換装置300は、ゲイン切換回路312を備える。
Next, the configuration of the switch circuit will be described.
FIG. 3 is a configuration diagram of a photoelectric conversion device when a switch circuit is configured using bipolar transistors. The
スイッチ回路群310は、フィードバック回路群105のフィードバック回路に含まれる抵抗と増幅回路103の出力端との間に設けられたバイポーラトランジスタである。それぞれのバイポーラトランジスタのベースはゲイン切換回路312に接続され、コレクタは出力回路107に接続され、エミッタはフィードバック回路の抵抗に接続される。
The
スイッチ回路群311は、フィードバック回路群106のフィードバック回路に含まれる抵抗と増幅回路104の出力端との間に設けられたバイポーラトランジスタである。それぞれのバイポーラトランジスタのベースはゲイン切換回路312に接続され、コレクタは出力回路107に接続され、エミッタはフィードバック回路の抵抗に接続される。
The
ゲイン切換回路312は、スイッチ回路群310及び311を制御する。いずれの受光素子に光信号が入射されるか、及び、どのようなゲインが必要か(例えば、再生モードか記録モードか)に応じて、各スイッチ回路群のバイポーラトランジスタへのベース電流の供給を切り換える。
The
ゲイン切換回路312は、バイポーラトランジスタのベース電流の供給を選択するため、ベース電流が供給されたバイポーラトランジスタは、出力側からコレクタ電流を供給し、エミッタに接続された受光素子に電流が流れる。ゆえに、スイッチ回路をバイポーラトランジスタで構成する場合には、フィードバック回路の抵抗と増幅回路の出力端の間に配置することにより、動作が安定する。
Since the
なお、スイッチ回路は、電界効果トランジスタで構成してもよい。
図4は、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを用いてスイッチ回路を構成する場合の光電変換装置の構成図である。同図に示す光電変換装置400は、図1の光電変換装置100と比較して、スイッチ回路群110の代わりにスイッチ回路群410を、スイッチ回路群111の代わりにスイッチ回路群411を備える。さらに、光電変換装置400は、ゲイン切換回路412を備える。
Note that the switch circuit may be formed of a field effect transistor.
FIG. 4 is a configuration diagram of a photoelectric conversion device in a case where a switch circuit is configured using a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor. Compared with the
スイッチ回路群410は、フィードバック回路群105のフィードバック回路に含まれる抵抗と受光素子101との間に設けられたMOSトランジスタである。
The
スイッチ回路群411は、フィードバック回路群106のフィードバック回路に含まれる抵抗と受光素子102との間に設けられたMOSトランジスタである。
The
ゲイン切換回路412は、スイッチ回路群410及び411を制御する。各スイッチ回路群のMOSトランジスタのゲート電圧の供給を切り換える。
The
MOSトランジスタを用いる場合は、その特性上、バイポーラトランジスタと異なり、フィードバック抵抗と受光素子との間にスイッチ回路を配置する必要がある。 When a MOS transistor is used, it is necessary to dispose a switch circuit between the feedback resistor and the light receiving element, unlike the bipolar transistor, due to its characteristics.
以上のように、本実施の形態の光電変換装置では、1つのフィードバック回路群では、常時接続するフィードバック回路により、スイッチ回路が有する静電容量の影響を受けることなく、高速に定常状態に静定する。また、他のフィードバック回路群では、全てのフィードバック回路をスイッチ回路に接続することで、寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を低減する。さらに、他のフィードバック回路群は、常時接続するフィードバック回路に接続されているために、スイッチ回路が有する静電容量の影響を受けることなく、高速に定常状態に静定する。 As described above, in the photoelectric conversion device of this embodiment, in one feedback circuit group, the feedback circuit that is always connected is stabilized at a high speed in a steady state without being affected by the capacitance of the switch circuit. To do. In another feedback circuit group, all the feedback circuits are connected to the switch circuit to reduce the deterioration of the frequency characteristic and the response characteristic due to the parasitic capacitance. Furthermore, since the other feedback circuit group is connected to a feedback circuit that is always connected, the feedback circuit group is settled in a steady state at high speed without being affected by the capacitance of the switch circuit.
(実施の形態2)
実施の形態2の光電変換装置は、実施の形態1の光電変換装置の構成において、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路の抵抗が、並列接続された他のフィードバック回路のいずれの抵抗よりも大きい抵抗値を有する。
(Embodiment 2)
In the photoelectric conversion device according to the second embodiment, in the configuration of the photoelectric conversion device according to the first embodiment, the resistance of the feedback circuit connected without a switch is higher than the resistance of any other feedback circuit connected in parallel. Has a large resistance value.
実施の形態2の光電変換装置は、様々な抵抗値を持つフィードバック抵抗201を、スイッチ回路群110を介して並列に接続し、スイッチ回路群110によって、接続されるフィードバック抵抗を切り換えることで、複数のゲインを設定する。すなわちn個のフィードバック抵抗を並列接続する場合、実施の形態1の場合と同様に、各フィードバック抵抗の値をRf1、Rf2、・・・、Rfnとし、その中でもフィードバック回路109のフィードバック抵抗の値をRf1とする。スイッチ回路群110に含まれるスイッチ回路が全てオープン状態では、フィードバック回路群105のゲインRfはRf1となる。
In the photoelectric conversion device according to the second embodiment,
次に、Rf2に接続されたスイッチ回路を接続状態にすると、ゲインRfは、
Rf=(Rf1×Rf2)/(Rf1+Rf2)
となる。
Next, when the switch circuit connected to Rf2 is connected, the gain Rf is
Rf = (Rf1 × Rf2) / (Rf1 + Rf2)
It becomes.
このとき、RfとRf1との大きさを比較すると、
Rf<Rf1
となる。複数のフィードバック抵抗を接続状態にして並列動作させた場合も同様である。
At this time, comparing the magnitudes of Rf and Rf1,
Rf <Rf1
It becomes. The same applies when a plurality of feedback resistors are connected and operated in parallel.
よって、スイッチ回路群110を介さずに常時接続するRf1を、Rf1、Rf2、・・・、Rfnの中で最大抵抗値となるように設計すれば、抵抗の合計値Rsum(=Rf1+Rf2+・・・+Rfn)を最小にすることができる。
Therefore, if Rf1, which is always connected without going through the
抵抗の合計値を最小にするとフィードバック抵抗と半導体の基板(GND)との間に発生する寄生容量を最小にすることができる。このため、フィードバックループ内の寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を最小にすることができる。 When the total value of the resistors is minimized, the parasitic capacitance generated between the feedback resistor and the semiconductor substrate (GND) can be minimized. For this reason, it is possible to minimize the deterioration of the frequency characteristic and the response characteristic due to the parasitic capacitance in the feedback loop.
以上のように、実施の形態2の光電変換装置では、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路の抵抗の抵抗値を、並列接続された他のフィードバック回路のいずれの抵抗よりも大きくすることで、抵抗と基板との間に発生する寄生容量を最小にすることができる。よって、フィードバックループ内の寄生容量による周波数特性及び応答特性の劣化を最小にすることができる。 As described above, in the photoelectric conversion device according to the second embodiment, the resistance value of the resistance of the feedback circuit connected without using the switch is made larger than any resistance of the other feedback circuits connected in parallel. The parasitic capacitance generated between the resistor and the substrate can be minimized. Therefore, it is possible to minimize the deterioration of the frequency characteristic and the response characteristic due to the parasitic capacitance in the feedback loop.
(実施の形態3)
実施の形態3の光電変換装置は、実施の形態1の光電変換装置の構成において、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も周波数特性が低い光信号を入射させる。
(Embodiment 3)
The photoelectric conversion device according to the third embodiment is configured such that an optical signal having the lowest frequency characteristic is incident on the light receiving element connected to the feedback circuit connected without using the switch in the configuration of the photoelectric conversion device according to the first embodiment. Let
受光素子101に接続されるフィードバック回路群105は、常時接続状態となっているフィードバック回路109を有している。このため、受光素子102に接続されるフィードバック回路群106の構成と比較すると、使用する抵抗値が大きくなるため、フィードバック抵抗と半導体の基板(GND)との間に発生する寄生容量が大きく、周波数特性が低くなる。
The
そこで、受光素子101に最も入力信号の周波数特性が低い光信号が入射するように設定し、高い周波数特性が必要とされる他の光信号を受光素子102に入射することで、高速に処理することが可能となる。
Therefore, it is set so that an optical signal having the lowest frequency characteristic of the input signal is incident on the
以上のように、実施の形態3の光電変換装置では、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も周波数特性が低い光信号を入射させるように設定される。これにより、高い周波数特性を必要とする他の光信号を、より周波数特性の高い回路で処理することができる。 As described above, in the photoelectric conversion device according to the third embodiment, the optical signal having the lowest frequency characteristic is set to be incident on the light receiving element connected to the feedback circuit connected without using the switch. As a result, other optical signals requiring high frequency characteristics can be processed by a circuit having higher frequency characteristics.
(実施の形態4)
実施の形態4の光電変換装置は、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も長い波長の光信号を入射させる。
(Embodiment 4)
The photoelectric conversion device according to the fourth embodiment causes an optical signal having the longest wavelength to enter a light receiving element connected to a feedback circuit connected without using a switch.
一般的に、CD用のレーザー光の波長は780ns、DVD用のレーザー光の波長は650nm、BD用のレーザー光の波長は405nmであり、光ディスクに記録できる情報の大容量化と高速処理のためにレーザー光の波長を短くし、スポット径を小さくすることで対応してきた。ゆえに、光ディスクを回転させるモーターの回転数が等しい場合は、短波長時の方が光信号の周波数は高くなるため、受光素子101に波長の長い光信号が入射するように設定することで、周波数特性が必要とされる短波長の光信号を受光素子102に入射し、高速に処理することが可能となる。
In general, the wavelength of the laser beam for CD is 780 ns, the wavelength of the laser beam for DVD is 650 nm, and the wavelength of the laser beam for BD is 405 nm. In addition, the laser beam wavelength has been shortened and the spot diameter has been reduced. Therefore, when the number of rotations of the motor for rotating the optical disk is equal, the frequency of the optical signal is higher at the short wavelength, and therefore, by setting the optical signal having a long wavelength to be incident on the
以上のように、実施の形態4の光電変換装置では、スイッチを介さずに接続されたフィードバック回路に接続されている受光素子に、最も長い波長の光信号を入射させるように設定される。これにより、高い周波数特性を必要とする波長が短い光信号を、より周波数特性の高い回路で処理することができる。 As described above, the photoelectric conversion device according to the fourth embodiment is set so that the optical signal having the longest wavelength is incident on the light receiving element connected to the feedback circuit connected without using the switch. Thus, an optical signal having a short wavelength that requires high frequency characteristics can be processed by a circuit having higher frequency characteristics.
(実施の形態5)
実施の形態5の光電変換装置は、増幅回路の非反転入力端子側に、反転入力端子側に接続されるフィードバック回路群と同じ構成のオフセットキャンセル回路が接続される。
(Embodiment 5)
In the photoelectric conversion device according to the fifth embodiment, an offset cancel circuit having the same configuration as that of the feedback circuit group connected to the inverting input terminal side is connected to the non-inverting input terminal side of the amplifier circuit.
図5は、本実施の形態の光電変換装置を示す回路図である。同図の光電変換装置500は、実施の形態1の光電変換装置100と比較して、新たに、オフセットキャンセル回路513及び514を備える点が異なっている。以下では、実施の形態1と異なる点を中心に説明し、同じ点についての説明を省略する。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating the photoelectric conversion device of this embodiment. The
オフセットキャンセル回路513及び514は、それぞれ、増幅回路103及び104に発生するオフセット電圧をキャンセルするための回路である。
The offset cancel
オフセットキャンセル回路513は、フィードバック回路群105と同じ回路構成である。オフセットキャンセル回路513の一端は、増幅回路103の差動入力の非反転入力端子側に接続される。他端は、予め定められた電圧を供給する基準電圧源に接続される。
The offset cancel
オフセットキャンセル回路514は、フィードバック回路群106と同じ回路構成である。オフセットキャンセル回路514の一端は、増幅回路104の差動入力の非反転入力端子側に接続される。他端は、オフセットキャンセル回路513と同様に、基準電圧源に接続される。
The offset cancel
受光素子101及びフィードバック回路群105が接続された増幅回路103において、反転入力端子側のトランジスタのベース電流はフィードバック回路群105を介して供給されるため、フィードバック抵抗において電圧降下が発生し、オフセット電圧が発生する。このとき、図5に示すように、増幅回路103の差動入力の非反転入力端子側にフィードバック回路群105と同じ構成の抵抗を介して基準電圧源に接続する。これにより、フィードバック回路群105で発生する電圧降下と同値の電圧が発生し、オフセット電圧が打ち消される。
In the
以上のように、実施の形態5の光電変換装置では、増幅回路の非反転入力端子側に、反転入力端子側に接続されるフィードバック回路群と同じ構成のオフセットキャンセル回路が接続されることで、増幅回路に発生するオフセット電圧をキャンセルすることができる。 As described above, in the photoelectric conversion device of the fifth embodiment, the offset cancel circuit having the same configuration as the feedback circuit group connected to the inverting input terminal side is connected to the non-inverting input terminal side of the amplifier circuit. The offset voltage generated in the amplifier circuit can be canceled.
(実施の形態6)
実施の形態6の光電変換装置は、受光素子に並列に接続された電流源と、当該受光素子に対応する増幅回路の非反転入力端子側に、オフセットキャンセル回路を介して接続される電流源とを備える。
(Embodiment 6)
The photoelectric conversion device according to the sixth embodiment includes a current source connected in parallel to the light receiving element, a current source connected to the non-inverting input terminal side of the amplifier circuit corresponding to the light receiving element via an offset cancel circuit, Is provided.
図6は、本実施の形態の光電変換装置を示す回路図である。同図の光電変換装置600は、実施の形態5の光電変換装置500と比較して、新たに、電流源615及び616を備える点が異なっている。以下では、実施の形態5と異なる点を中心に説明し、同じ点についての説明を省略する。
FIG. 6 is a circuit diagram illustrating the photoelectric conversion device of this embodiment. The
電流源615は、受光素子102のカソードに接続され、予め定められた電流を出力する電流源である。
The
電流源616は、増幅回路104の非反転入力端子に接続されたオフセットキャンセル回路514の基準電圧源側に接続された電流源である。電流源616は、電流源615と同じ値の電流を出力する。
The
実施の形態1で、受光素子102に光信号が入射されたときの動作を説明したが、受光素子101での迷光又は暗電流が小さく、スイッチ回路群111での静電容量によるゲイン切換に遅延が発生する場合、受光素子102に電流源615を接続し、常に電流を引っ張る。これにより、スイッチ回路群111での静電容量によるゲイン切換の遅延をキャンセルすることができる。
In the first embodiment, the operation when an optical signal is incident on the
このとき、電流源615によって発生した電流は、フィードバック回路群106に流れ、フィードバック抵抗において、電圧降下が生じ、オフセット電圧が発生する。そのため、増幅回路104の非反転入力端子側にオフセットキャンセル回路514を介して電流源616を接続し、電流源615と同じ電流を引っ張る。これにより、オフセット電圧をキャンセルすることができる。
At this time, the current generated by the
以上のように、実施の形態6の光電変換装置では、増幅回路の反転入力端子側と非反転入力端子側とに、それぞれ電流源を接続することで、ゲイン切換の遅延及びオフセット電圧をキャンセルすることができる。 As described above, in the photoelectric conversion device according to the sixth embodiment, the gain switching delay and the offset voltage are canceled by connecting the current sources to the inverting input terminal side and the non-inverting input terminal side of the amplifier circuit, respectively. be able to.
以上、本発明の光電変換装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を各実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。 Although the photoelectric conversion device of the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. Unless it deviates from the meaning of this invention, the form which carried out the various deformation | transformation which those skilled in the art will think to each embodiment, and the form constructed | assembled combining the component in different embodiment is also contained in the scope of the present invention. .
本発明の光電変換装置は、受光素子への大振幅の光信号入力に対して、オペアンプのゲイン切換速度、周波数特性及び応答特性を低下させることなく、CD−R、CD±RW、DVD−R、DVD±RW、DVD−RAM及びBDなどの多種にわたる記録メディアの反射率に対応したゲイン設定及び受光部切換を可能とする記録再生型装置などへの用途として利用することができる。 The photoelectric conversion device according to the present invention is capable of CD-R, CD ± RW, DVD-R without reducing the gain switching speed, frequency characteristics, and response characteristics of an operational amplifier with respect to a large amplitude optical signal input to a light receiving element. , DVD ± RW, DVD-RAM, BD, etc., can be used as a recording / reproducing type device that enables gain setting and light receiving unit switching corresponding to the reflectivity of various recording media.
100、300、400、500、600 光電変換装置
101、102 受光素子
103、104 増幅回路
105、106 フィードバック回路群
105a、105b、106a、106b、106c、109 フィードバック回路
107 出力回路
108 受光部切換回路
110、111、310、311、410、411 スイッチ回路群
110a、110b、111a、111b、111c スイッチ回路
201、703、704 フィードバック抵抗
202 帰還容量
312、412 ゲイン切換回路
513、514 オフセットキャンセル回路
615、616 電流源
700 受光アンプ素子
701 フォトダイオード
702 演算増幅器
705 アナログスイッチ
100, 300, 400, 500, 600
Claims (7)
光を受光し、受光した光を電流に変換する第1受光素子と、
前記第1受光素子が受光する光とは波長が異なる光を受光し、受光した光を電流に変換する第2受光素子と、
前記第1受光素子で変換され、入力端に入力された電流を増幅し、出力端から出力する第1増幅回路と、
前記第2受光素子で変換され、入力端に入力された電流を増幅し、出力端から出力する第2増幅回路と、
前記第1増幅回路の入力端と出力端との間に互いに並列接続される複数の第1フィードバック回路と、
前記第2増幅回路の入力端と出力端との間に互いに並列接続される複数の第2フィードバック回路と、
前記複数の第1フィードバック回路の中の1つを除く残りの第1フィードバック回路のそれぞれに接続される第1スイッチと、
前記複数の第2フィードバック回路のそれぞれに接続される第2スイッチと、
前記第1増幅回路及び前記第2増幅回路を選択的に動作させることで、前記第1受光素子と前記第2受光素子との出力を切り換える受光部切換回路とを備える
光電変換装置。 A photoelectric conversion device that converts light into current and amplifies it,
A first light receiving element that receives light and converts the received light into a current;
A second light receiving element that receives light having a wavelength different from that of the light received by the first light receiving element and converts the received light into a current;
A first amplifier circuit that amplifies a current converted by the first light receiving element and input to an input terminal and outputs the current from an output terminal;
A second amplifier circuit that amplifies the current converted by the second light receiving element and input to the input end, and outputs the current from the output end;
A plurality of first feedback circuits connected in parallel between an input terminal and an output terminal of the first amplifier circuit;
A plurality of second feedback circuits connected in parallel between an input terminal and an output terminal of the second amplifier circuit;
A first switch connected to each of the remaining first feedback circuits except one of the plurality of first feedback circuits;
A second switch connected to each of the plurality of second feedback circuits;
A photoelectric conversion apparatus comprising: a light receiving unit switching circuit that selectively outputs the first light receiving element and the second light receiving element by selectively operating the first amplifier circuit and the second amplifier circuit.
請求項1記載の光電変換装置。 The first feedback circuit having a maximum resistance value among the plurality of first feedback circuits is connected to an input terminal and an output terminal of the first amplifier circuit without passing through the first switch. 1. The photoelectric conversion device according to 1.
請求項1又は2記載の光電変換装置。 The first light receiving element receives light having lower frequency characteristics required for the first amplifier circuit than frequency characteristics required for the second amplifier circuit by light received by the second light receiving element. Or the photoelectric conversion apparatus of 2.
請求項1又は2記載の光電変換装置。 The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the first light receiving element receives light having a longer wavelength than light received by the second light receiving element.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the first feedback circuit is a circuit in which a resistor and a capacitor are connected in parallel.
前記複数の第1フィードバック回路と同じ抵抗で構成された第1オフセットキャンセル回路と、
前記複数の第2フィードバック回路と同じ抵抗で構成された第2オフセットキャンセル回路と、
前記第1及び第2オフセットキャンセル回路の一端に接続され、所定の基準電圧を供給する基準電圧源とを備え、
前記第1増幅回路は、差動増幅回路であり、反転入力端に前記第1受光素子と前記複数の第1フィードバック回路群の一端とが接続され、非反転入力端に前記第1オフセットキャンセル回路の他端が接続され、
前記第2増幅回路は、差動増幅回路であり、反転入力端に前記第2受光素子と前記複数の第2フィードバック回路群の一端とが接続され、非反転入力端に前記第2オフセットキャンセル回路の他端が接続される
請求項1〜5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 The photoelectric conversion device further includes:
A first offset cancellation circuit configured with the same resistance as the plurality of first feedback circuits;
A second offset cancellation circuit configured with the same resistance as the plurality of second feedback circuits;
A reference voltage source connected to one end of each of the first and second offset cancellation circuits and supplying a predetermined reference voltage;
The first amplifier circuit is a differential amplifier circuit, the first light receiving element and one end of the plurality of first feedback circuit groups are connected to an inverting input terminal, and the first offset cancel circuit is connected to a non-inverting input terminal. The other end of the
The second amplifier circuit is a differential amplifier circuit, the second light receiving element and one end of the plurality of second feedback circuit groups are connected to an inverting input terminal, and the second offset cancel circuit is connected to a non-inverting input terminal. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the other end of the photoelectric conversion device is connected.
前記第2受光素子に並列に接続され、所定の電流を出力する第1電流源と、
前記第1増幅回路及び前記第2増幅回路の非反転入力端に接続され、所定の電流を出力する第2電流源とを備える
請求項6記載の光電変換装置。 The photoelectric conversion device further includes:
A first current source connected in parallel to the second light receiving element and outputting a predetermined current;
The photoelectric conversion apparatus according to claim 6, further comprising: a second current source connected to a non-inverting input terminal of the first amplifier circuit and the second amplifier circuit and outputting a predetermined current.
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