JP2009197286A - Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll - Google Patents

Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll Download PDF

Info

Publication number
JP2009197286A
JP2009197286A JP2008041558A JP2008041558A JP2009197286A JP 2009197286 A JP2009197286 A JP 2009197286A JP 2008041558 A JP2008041558 A JP 2008041558A JP 2008041558 A JP2008041558 A JP 2008041558A JP 2009197286 A JP2009197286 A JP 2009197286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
forming
film forming
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008041558A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Nakagame
雅己 仲亀
Akihiro Kadota
陽宏 門田
Hiroyuki Nishida
弘幸 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2008041558A priority Critical patent/JP2009197286A/en
Publication of JP2009197286A publication Critical patent/JP2009197286A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a film-forming apparatus which is inexpensive and can prevent malfunctions from occurring when winding up a long substrate; a film-forming method thereof; a functional film; and a film roll. <P>SOLUTION: The film-forming apparatus is directed at forming a predetermined film on the surface of the substrate in a vacuum chamber while transporting the long substrate to the longitudinal direction, and comprises: an evacuation means for controlling the inside of the vacuum chamber to a predetermined degree of vacuum; an end-forming section which is arranged in the vacuum chamber, folds ends in a width direction of the substrate and crimps the ends to form thick parts that are thicker than the central part of the substrate at the both ends of the substrate along the transportation direction of the substrate; and a film-forming section which is arranged in the vacuum chamber and forms the predetermined film on the surface of the substrate by using a vapor deposition film-forming method. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、長尺な基板を巻き取る際の不具合の発生を抑制することができる成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールに関し、特に、低コストで、長尺な基板を巻き取る際の不具合の発生を抑制することができる成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールに関する。   The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, a functional film, and a film roll that can suppress the occurrence of problems when winding a long substrate, and in particular, to wind a long substrate at a low cost. The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, a functional film, and a film roll that can suppress the occurrence of problems when removing the film.

真空装置内を搬送され、表面処理、または成膜等の加工を表面に施した長尺な基板を巻き取る際に、裏面(バック面)の転写、もしくは巻きズレまたは粉塵等の異物の混入が原因となり、基板の加工した表面、または表面処理を施した表面に傷が発生することがある。特に、真空中では、巻取られて積層された基板間に空気が存在しないため、巻きズレおよび異物の混入による傷は、大気中よりも大きなものとなり、傷による基板の表面の損傷は大きい。そこで、基板を巻き取る際における基板の表面の傷の発生を抑制する方法が提案されている(特許文献1参照)。   When winding a long substrate that has been transported in a vacuum device and subjected to processing such as surface treatment or film formation, transfer of the back surface (back surface) or contamination of foreign matter such as winding misalignment or dust This may cause scratches on the processed surface of the substrate or the surface that has been surface-treated. In particular, since air does not exist between the substrates that have been wound and stacked in a vacuum, damage due to winding misalignment and foreign matter is larger than in the atmosphere, and damage to the surface of the substrate due to scratches is large. In view of this, a method for suppressing the occurrence of scratches on the surface of the substrate when winding the substrate has been proposed (see Patent Document 1).

特許文献1には、高分子樹脂基材の幅方向の両端部に真空中で(メタ)アクリル化合物を凝集させた後、電子線あるいはプラズマを照射し、このアクリル化合物を硬化させ活性エネルギー線硬化樹脂層を製造する保護フィルムの製造方法が開示されている。
この特許文献1の保護フィルムは、フィルム幅方向における両端に、製品となる部分(ガスバリア層)よりも厚い層が形成されている。
この特許文献1によれば、高分子樹脂基材の表面の両端部に密着力の優れた有機薄膜を製造することでナーリンク処理と同等な効果、すなわち、両端処理面に巻取張力を集中させることで、塵埃巻き込みによる成膜面への応力集中および巻きズレを阻止し、高分子基材の表面を損傷させることなく安定した巻取成膜および搬送を実現している。
In Patent Document 1, (meth) acrylic compounds are aggregated in vacuum at both ends in the width direction of the polymer resin base material, and then irradiated with an electron beam or plasma to cure the acrylic compounds and cure active energy rays. A method for producing a protective film for producing a resin layer is disclosed.
In the protective film of Patent Document 1, layers thicker than portions (gas barrier layers) to be products are formed at both ends in the film width direction.
According to this Patent Document 1, an organic thin film having excellent adhesion is produced at both ends of the surface of the polymer resin base material, and the effect equivalent to that of the narlink treatment is obtained, that is, the winding tension is concentrated on both end treatment surfaces. By doing so, stress concentration and winding deviation on the film formation surface due to dust entrainment are prevented, and stable winding film formation and conveyance are realized without damaging the surface of the polymer substrate.

特開2006−36904号公報JP 2006-36904 A

しかしながら、特許文献1の保護フィルムにおいては、両端部の膜厚と、中央部の膜厚とが異なるように、蒸発量などの製造条件を変える必要があり、製造工程が複雑になるとともに、両端部に余分な材料が必要になり、その結果コストが嵩むという問題点がある。さらには、製造工程が複雑になるため、製造に時間がかかり、生産効率が低下する。   However, in the protective film of Patent Document 1, it is necessary to change the manufacturing conditions such as the amount of evaporation so that the film thickness at both ends and the film thickness at the center are different. There is a problem that an extra material is required for the part, resulting in an increase in cost. Furthermore, since the manufacturing process becomes complicated, it takes time to manufacture and the production efficiency is lowered.

本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、低コストで、長尺な基板を巻き取る際の不具合の発生を抑制することができる成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールを提供することにある。   An object of the present invention is to solve the problems based on the above-described prior art, and at low cost, can suppress the occurrence of problems when winding a long substrate, a film forming apparatus, a film forming method, and a functional film And providing a film roll.

上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容器内で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜装置であって、前記真空容器内を所定の真空度にする真空排気手段と、前記真空容器内に設けられ、前記基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する端部形成部と、前記真空容器内に設けられ、前記基板の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置を提供するものである。   In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a predetermined film on the surface of a substrate in a vacuum vessel while conveying a long substrate in the longitudinal direction. A vacuum exhaust means for setting the inside of the vacuum vessel to a predetermined degree of vacuum, and a thick-walled portion provided in the vacuum vessel, bent and crimped in the width direction end of the substrate, and thicker than the central portion of the substrate Are formed in the vacuum vessel, and a predetermined film is formed on the surface of the substrate by a vapor deposition method. A film forming apparatus characterized by having a portion.

また、本発明の第2の態様は、長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容器内で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜装置であって、前記真空容器内を所定の真空度にする真空排気手段と、前記真空容器内に設けられ、前記基板の表面に有機層を形成する有機層形成部と、前記真空容器内に設けられ、前記有機層が形成された基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する端部形成部と、前記真空容器内に設けられ、前記有機層の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置を提供するものである。   The second aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a predetermined film on the surface of a substrate in a vacuum vessel while conveying a long substrate in the longitudinal direction, A vacuum evacuation unit for providing a predetermined degree of vacuum, an organic layer forming unit that is provided in the vacuum container and forms an organic layer on the surface of the substrate, and is provided in the vacuum container and the organic layer is formed An end forming portion that bends and crimps an end portion in the width direction of the substrate to form a thicker portion thicker than a central portion of the substrate at both ends of the substrate along the transport direction of the substrate; And a film forming unit for forming a predetermined film on the surface of the organic layer by a vapor phase film forming method.

本発明においては、前記端部形成部は、前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記折り曲げられた部分の表面に凹凸を形成することが好ましい。
さらに、本発明においては、前記端部形成部は、前記基板を圧着するヒートロールを有することが好ましい。
さらに、本発明においては、前記有機層は、所定の温度に加熱されると接着性を発現するものであることが好ましい。
In this invention, it is preferable that the said edge part formation part forms an unevenness | corrugation in the surface of the said bent part, when crimping | bonding the said board | substrate or after crimping | bonding.
Furthermore, in this invention, it is preferable that the said edge part formation part has a heat roll which crimps | bonds the said board | substrate.
Furthermore, in the present invention, the organic layer preferably exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature.

本発明の第3の態様は、長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容中で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜方法であって、前記基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する工程と、前記基板の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供するものである。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a film forming method for forming a predetermined film on the surface of the substrate in a vacuum while conveying a long substrate in the longitudinal direction, wherein the end of the substrate in the width direction is formed. Forming a thick portion thicker than the central portion of the substrate along both sides of the substrate along the transport direction of the substrate, and forming a predetermined thickness on the surface of the substrate by a vapor deposition method And a step of forming the film.

本発明においては、前記基板の幅方向の端部は、前記膜が形成される成膜面側に折り曲げられることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the edge part of the width direction of the said board | substrate is bend | folded to the film-forming surface side in which the said film | membrane is formed.

また、本発明においては、前記厚肉部を前記基板の両端に形成する前、または前記厚肉部を前記基板の両端に形成した後に、前記基板の表面に有機層を形成する工程を有することが好ましい。
さらに、本発明においては、前記厚肉部を形成するために前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記折り曲げられた部分の表面に凹凸を形成することが好ましい。
また、本発明においては、前記厚肉部を形成するために前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記所定の温度に加熱して圧着することが好ましい。
Moreover, in this invention, it has the process of forming an organic layer on the surface of the said board | substrate before forming the said thick part in the both ends of the said board | substrate, or after forming the said thick part in the both ends of the said board | substrate. Is preferred.
Furthermore, in the present invention, it is preferable to form irregularities on the surface of the bent portion when the substrate is pressure bonded or after pressure bonding to form the thick portion.
Further, in the present invention, it is preferable that the substrate is heated to the predetermined temperature for pressure bonding when the substrate is pressure bonded or after pressure bonding in order to form the thick portion.

また、本発明においては、前記有機層は、所定の温度に加熱されると接着性を発現するものであることが好ましい。   In the present invention, the organic layer preferably exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature.

本発明の第4の態様は、長尺の基板と、前記基板の表面に形成された機能性膜とを有し、前記基板は、その幅方向の端部が折り曲げられて圧着されて前記基板の中央部よりも厚い厚肉部が前記基板の両端に前記基板の幅方向と直交する長手方向に沿って形成されていることを特徴とする機能性フィルムを提供するものである。   A fourth aspect of the present invention has a long substrate and a functional film formed on the surface of the substrate, and the substrate is bent and crimped by bending its end in the width direction. The present invention provides a functional film characterized in that thick portions thicker than the central portion are formed at both ends of the substrate along a longitudinal direction perpendicular to the width direction of the substrate.

本発明においては、前記基板と前記機能性膜との間に有機層が形成されていることが好ましい。
また、本発明においては、前記厚肉部は、前記機能性膜が形成されている側の面に凹凸が形成されていることが好ましい。
In the present invention, an organic layer is preferably formed between the substrate and the functional film.
In the present invention, it is preferable that the thick portion has irregularities on the surface on which the functional film is formed.

本発明の第5の態様は、本発明の第4の態様の機能性フィルムと、ロールとを有し、前記機能性フィルムは前記ロールに巻き取られていること特徴とするフィルムロールを提供するものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a film roll comprising the functional film of the fourth aspect of the present invention and a roll, wherein the functional film is wound around the roll. Is.

本発明の成膜装置および成膜方法によれば、基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、この基板の中央部よりも厚い厚肉部を基板の両端に基板の搬送方向に沿って形成することにより、搬送の際、基板を巻き取る際に、基板の膜の間に隙間を生じさせることができ、基板の膜は非接触状態とされる。このことから、巻取り時に長尺の基板を巻締めても膜を非接触状態とすることができる。このため、成膜後に基板の膜の表面に塵埃などの異物が付着したり、巻取り時に基板の膜の表面に塵埃などの異物が混入した場合でも、隙間ができるため、塵埃等の異物によって膜が傷つくこと、さらには膜が割れることなどの発生が抑制される。このように、巻取り時に不具合を生じさせることなく、膜を保護することができる。
しかも、厚肉部は、基板の端部を折り曲げて圧着することにより形成されており、厚肉部を形成するために別の部材を貼り合せること、または厚肉部を形成するために塗布、露光などの煩雑なプロセスも用いていない。このように、簡単なプロセスを用い、かつ外部からの材料を供給して形成するものではないことから、装置構成および製造工程も簡素化できるとともに、材料コストの上昇も抑制することができる。
According to the film forming apparatus and the film forming method of the present invention, the end in the width direction of the substrate is bent and pressure-bonded, and thick portions thicker than the central portion of the substrate are formed at both ends of the substrate along the transport direction of the substrate. By forming the gap, a gap can be generated between the films of the substrate when the substrate is wound up during transportation, and the film of the substrate is brought into a non-contact state. For this reason, the film can be brought into a non-contact state even when a long substrate is wound up during winding. For this reason, even if foreign matter such as dust adheres to the surface of the substrate film after film formation, or foreign matter such as dust enters the surface of the substrate film during winding, a gap is formed. Generation | occurrence | production of a film | membrane being damaged, and also a film | membrane cracking is suppressed. In this way, the film can be protected without causing problems during winding.
Moreover, the thick portion is formed by bending and crimping the end portion of the substrate, and another member is bonded to form the thick portion, or applied to form the thick portion, No complicated process such as exposure is used. As described above, since the material is not formed by using a simple process and supplying materials from the outside, the apparatus configuration and the manufacturing process can be simplified, and an increase in material cost can be suppressed.

また、本発明の機能性フィルムにおいては、基板の中央部よりも厚い厚肉部が、基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着したものであり、搬送の際、または巻き取る際に、基板の膜は非接触状態にできる。このため、搬送時および巻取り時に不具合を生じさせることなく、膜を保護することができる。
さらに、本発明のフィルムロールにおいても、基板の中央部よりも厚い厚肉部が、基板の幅方向の端に形成されており、巻取り時に長尺の基板を巻締めても膜を非接触状態とすることができる。
Further, in the functional film of the present invention, the thick part thicker than the central part of the substrate is one obtained by bending and crimping the end portion in the width direction of the substrate. This film can be in a non-contact state. For this reason, a film | membrane can be protected, without producing a malfunction at the time of conveyance and winding.
Furthermore, even in the film roll of the present invention, a thick part thicker than the central part of the substrate is formed at the end in the width direction of the substrate, and the film is not contacted even if a long substrate is wound up during winding State.

以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールを詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。
Hereinafter, a film forming apparatus, a film forming method, a functional film, and a film roll of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view showing a film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す成膜装置10は、ロール・ツー・ロール(Roll to Roll)の成膜装置であり、基板Zの表面Zf、または基板Zの表面Zfに有機層が形成されていれば、その表面に、所定の機能を有する膜を形成して、例えば、光学フィルム、またはガスバリアフィルム等の機能性フィルムの製造に利用されるものである。
成膜装置10は、長尺の基板Z(ウェブ状の基板Z)に連続で成膜を行う装置であって、基本的に、長尺な基板Zを供給する供給室12と、長尺な基板Zに膜fを形成する成膜室14と、膜fが形成された長尺な基板Zを巻き取る巻取り室16と、真空排気部(真空排気手段)32と、制御部36と、端部形成部50とを有する。この制御部36により、成膜装置10における各要素の動作が制御される。
また、成膜装置10においては、供給室12と成膜室14とを区画する壁15a、および成膜室14と巻取り室16とを区画する壁15bには、基板Zが通過するスリット状の開口15cが形成されている。
The film forming apparatus 10 shown in FIG. 1 is a roll-to-roll film forming apparatus. If an organic layer is formed on the surface Zf of the substrate Z or the surface Zf of the substrate Z, the film forming apparatus 10 shown in FIG. A film having a predetermined function is formed on the surface and used for the production of a functional film such as an optical film or a gas barrier film.
The film forming apparatus 10 is an apparatus that continuously forms a film on a long substrate Z (web-like substrate Z), and basically includes a supply chamber 12 for supplying the long substrate Z, A film forming chamber 14 for forming a film f on the substrate Z; a winding chamber 16 for winding the long substrate Z on which the film f is formed; a vacuum exhausting unit (vacuum exhausting means) 32; a control unit 36; And an end portion forming portion 50. The operation of each element in the film forming apparatus 10 is controlled by the control unit 36.
In the film forming apparatus 10, the wall 15 a that partitions the supply chamber 12 and the film forming chamber 14 and the wall 15 b that partitions the film forming chamber 14 and the winding chamber 16 are slit-shaped through which the substrate Z passes. The opening 15c is formed.

成膜装置10においては、供給室12、成膜室14および巻取り室16には、真空排気部32が配管34を介して接続されている。この真空排気部32により、供給室12、成膜室14および巻取り室16の内部が所定の真空度にされる。
なお、供給室12、成膜室14および巻取り室16には、それぞれ大気開放(ベント)または排気量の調節などをするバルブ(図示せず)が設けられており、このバルブも制御部36で制御され、供給室12、成膜室14および巻取り室16が大気開放される。
In the film forming apparatus 10, a vacuum exhaust unit 32 is connected to the supply chamber 12, the film forming chamber 14, and the winding chamber 16 through a pipe 34. The inside of the supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the winding chamber 16 is set to a predetermined degree of vacuum by the vacuum exhaust unit 32.
The supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the winding chamber 16 are each provided with a valve (not shown) for opening the atmosphere (venting) or adjusting the exhaust amount. The supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the winding chamber 16 are opened to the atmosphere.

真空排気部32は、供給室12、成膜室14および巻取り室16を排気して所定の真空度に保つものであり、ドライポンプおよびターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有するものである。
また、供給室12、成膜室14および巻取り室16には、それぞれ、図示はしないが、供給室12、成膜室14および巻取り室16の内部の圧力を測定する圧力センサが設けられている。
なお、真空排気部32による供給室12、成膜室14および巻取り室16の到達真空度には、特に限定はなく、実施する成膜方法等に応じて、十分な真空度を保てればよい。この真空排気部32は、制御部36により制御される。
The evacuation unit 32 evacuates the supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the take-up chamber 16 to maintain a predetermined degree of vacuum, and includes a vacuum pump such as a dry pump and a turbo molecular pump.
The supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the take-up chamber 16 are each provided with a pressure sensor (not shown) that measures the pressure inside the supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the take-up chamber 16. ing.
In addition, there is no limitation in the ultimate vacuum degree of the supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the winding chamber 16 by the vacuum exhaust part 32, and it should just maintain sufficient vacuum degree according to the film-forming method etc. to implement. . The evacuation unit 32 is controlled by the control unit 36.

供給室12は、長尺な基板Zを供給する部位であり、基板ロール20、およびガイドローラ21が設けられている。
基板ロール20は、長尺な基板Zを、その長手方向に連続的に送り出すものであり、例えば、反時計回りに基板Zが巻回されている。
基板ロール20は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータによって基板ロール20が基板Zを巻き戻す方向rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、基板Zが長手方向に沿って連続的に送り出される。基板Zの搬送方向Dは、基板Zの長手方向と同じである。
The supply chamber 12 is a part that supplies a long substrate Z, and is provided with a substrate roll 20 and a guide roller 21.
The substrate roll 20 is for continuously sending out a long substrate Z in the longitudinal direction thereof. For example, the substrate Z is wound counterclockwise.
For example, a motor (not shown) is connected to the substrate roll 20 as a drive source. By this motor, the substrate roll 20 is rotated in the direction r to rewind the substrate Z, and in this embodiment, the substrate roll 20 is rotated clockwise to continuously send out the substrate Z along the longitudinal direction. The transport direction D of the substrate Z is the same as the longitudinal direction of the substrate Z.

ガイドローラ21は、基板Zを所定の搬送経路で端部形成部50に案内するものである。このガイドローラ21は、公知のガイドローラにより構成される。
本実施形態の成膜装置10においては、ガイドローラ21は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。また、ガイドローラ21は、基板Zの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
The guide roller 21 guides the substrate Z to the end forming unit 50 through a predetermined transport path. The guide roller 21 is a known guide roller.
In the film forming apparatus 10 of the present embodiment, the guide roller 21 may be a driving roller or a driven roller. Further, the guide roller 21 may be a roller that acts as a tension roller that adjusts the tension when the substrate Z is transported.

ここで、図2は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の端部形成部50を示す模式的斜視図である。
端部形成部50は、基板Zの長手方向と直交する幅方向Wにおける両端Zv(図2参照)に厚さが他の部分、例えば、中央部Zcよりも厚い厚肉部αを形成するものであり、折曲部52と、圧着部54とを有する。
図2に示すように、折曲部52は、基板Zの幅方向Wにおける両方の端部Zeを、基板Zの幅方向Wの中央部Zcに向けて折るものである。この折曲部52は、基板Zの搬送経路に設けられるものである。折曲部52は、搬送方向Dに沿って幅方向Wの長さが順次短くなる台形状の基部52a、すなわち、搬送方向Dに沿って幅が順次狭くなる台形状の基部52aと、この基部52aの平行ではない残りの各辺に沿って、それぞれ設けられたガイド板52bとを有する。
Here, FIG. 2 is a schematic perspective view showing the end portion forming unit 50 of the film forming apparatus according to the first embodiment of the present invention.
The end portion forming portion 50 forms thick portions α that are thicker than other portions, for example, the central portion Zc, at both ends Zv (see FIG. 2) in the width direction W orthogonal to the longitudinal direction of the substrate Z. And has a bent portion 52 and a crimping portion 54.
As shown in FIG. 2, the bent portion 52 folds both end portions Ze in the width direction W of the substrate Z toward the center portion Zc of the substrate Z in the width direction W. The bent portion 52 is provided in the transport path of the substrate Z. The bent portion 52 includes a trapezoidal base 52a whose length in the width direction W is sequentially shortened along the transport direction D, that is, a trapezoidal base 52a whose width is sequentially narrowed along the transport direction D, and the base A guide plate 52b is provided along each remaining side of 52a that is not parallel.

基部52aの幅広側の端部53aから、2つのガイド板52bの間に、基板Zの表面Zfを基部52aとは反対側に向けて、基板Zを挿通させる。このとき、基板Zの両側の端部Zeがそれぞれガイド板52bに当接し、更に基板Zが搬送方向Dに搬送されると、端部Zeがガイド板52bに沿って、成膜される基板Zの表面Zfの中央部Zcに向けて折り曲げられる。そして、折曲部52の基部52aの幅狭側の端部53bから基板Zの端部Zeが基板Zの表面Zfに接した状態(図3(a)参照)で排出される。   The substrate Z is inserted through the wide end 53a of the base 52a between the two guide plates 52b with the surface Zf of the substrate Z facing away from the base 52a. At this time, the end portions Ze on both sides of the substrate Z are in contact with the guide plates 52b, respectively, and when the substrate Z is further transported in the transport direction D, the end portions Ze are formed along the guide plates 52b. It is bent toward the central portion Zc of the surface Zf. And it discharges | emits in the state which edge part Ze of the board | substrate Z touched the surface Zf of the board | substrate Z from the edge part 53b of the narrow side of the base 52a of the bending part 52 (refer Fig.3 (a)).

圧着部54は、折り曲げられた端部Zeを基板Zの表面Zfに固定し一体化させるものである。
この圧着部54は、例えば、熱圧着を用いるものであり、ヒートローラ56と、プレッシャーローラ58とを備えるローラ対を有するものである。このヒートローラ56とプレッシャーローラ58と間を、端部Zeが折り曲げられた基板Zの端Zvを通過させることにより、端部Zeを基板Zの表面Zfに固定し一体化されて厚肉部αが形成される(図3(b)参照)。
The crimping part 54 fixes and integrates the bent end Ze to the surface Zf of the substrate Z.
The crimping part 54 uses, for example, thermocompression bonding, and has a roller pair including a heat roller 56 and a pressure roller 58. By passing the end Zv of the substrate Z with the end portion Ze bent between the heat roller 56 and the pressure roller 58, the end portion Ze is fixed to the surface Zf of the substrate Z and integrated into the thick portion α Is formed (see FIG. 3B).

ヒートローラ56は、熱圧着に際して、必要な所定の温度に加熱し、その温度を保持することができるものであり、その内部に加熱手段(図示せず)が設けられているものである。このヒートローラ56の加熱の開始、保持温度なども、制御部36に制御される。
プレッシャーローラ58は、ヒートローラ56とともに基板Zを搬送するものであり、基板Zの搬送に際して、基板Zの端部Zeをヒートローラ56に押し付けるものである。
本実施形態においては、このようにして、基板Zに厚肉部αが形成される。なお、基板Zは、端部Zeが折り込まれるため、最終的に得られるサイズよりも、折曲げる分だけ、大きいものを用意する必要がある。
この圧着部54から、成膜室14(ガイドローラ24)に搬送される。
The heat roller 56 can be heated to a required predetermined temperature and maintained at the time of thermocompression bonding, and is provided with heating means (not shown) therein. The start of heating of the heat roller 56, the holding temperature, and the like are also controlled by the control unit 36.
The pressure roller 58 conveys the substrate Z together with the heat roller 56, and presses the end Ze of the substrate Z against the heat roller 56 when the substrate Z is conveyed.
In the present embodiment, the thick portion α is formed on the substrate Z in this way. Since the end portion Ze is folded, it is necessary to prepare a substrate Z larger than the finally obtained size by the amount of bending.
From this crimping part 54, it is conveyed to the film-forming chamber 14 (guide roller 24).

本発明の成膜装置において、基板Zは、特に限定されるものではなく、気相成膜法による膜の形成が可能な各種の基板が全て利用可能である。基板Zとしては、例えば、PETフィルム等の各種の樹脂フィルム等を用いることができる。更には、樹脂フィルムの表面に、有機層が形成されているものであってもよい。   In the film forming apparatus of the present invention, the substrate Z is not particularly limited, and any of various substrates capable of forming a film by a vapor phase film forming method can be used. As the substrate Z, for example, various resin films such as a PET film can be used. Furthermore, an organic layer may be formed on the surface of the resin film.

図1に示すように、成膜室14は、真空チャンバとして機能するものであり、基板Zを搬送しつつ連続的に、基板Zの表面Zfに、気相成膜法のうち、例えば、プラズマCVDによって、所定の膜fを形成する部位である。
成膜室14は、例えば、ステンレス、アルミニウムまたはアルミニウム合金など、各種の真空チャンバで利用されている材料を用いて構成されている。
As shown in FIG. 1, the film formation chamber 14 functions as a vacuum chamber, and continuously transfers the substrate Z onto the surface Zf of the substrate Z by, for example, plasma. This is a part where a predetermined film f is formed by CVD.
The film forming chamber 14 is configured by using materials used in various vacuum chambers such as stainless steel, aluminum, or aluminum alloy.

成膜室14には、2つのガイドローラ24、28と、ドラム26と、成膜部40とが設けられている。
ガイドローラ24と、ガイドローラ28とが、所定の間隔を設けて対向して、平行に配置されており、また、ガイドローラ24、およびガイドローラ28は、基板Zの搬送方向Dに対して、その長手方向を直交させて配置されている。
In the film forming chamber 14, two guide rollers 24 and 28, a drum 26, and a film forming unit 40 are provided.
The guide roller 24 and the guide roller 28 are arranged in parallel so as to face each other at a predetermined interval. The guide roller 24 and the guide roller 28 are arranged with respect to the transport direction D of the substrate Z. The longitudinal directions are arranged orthogonally.

ガイドローラ24は、供給室12に設けられた搬送装置50から搬送された基板Zをドラム26に搬送するものである。このガイドローラ24は、例えば、基板Zの搬送方向Dと直交する方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ24は、軸方向の長さが基板Zの幅方向Wの長さよりも長い。   The guide roller 24 transports the substrate Z transported from the transport device 50 provided in the supply chamber 12 to the drum 26. For example, the guide roller 24 has a rotation axis in a direction orthogonal to the transport direction D of the substrate Z and is rotatable, and the guide roller 24 has an axial length longer than a length of the substrate Z in the width direction W. Also long.

ガイドローラ28は、ドラム26に巻き掛けられた基板Zを巻取り室16に設けられたガイドローラ31に搬送するものである。このガイドローラ28は、例えば、軸方向に回転軸を有し回転可能であり、かつガイドローラ28は、軸方向の長さが基板Zの幅よりも長い。
また、ガイドローラ24、ガイドローラ28は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。さらには、ガイドローラ24、ガイドローラ28は、基板Zの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
The guide roller 28 conveys the substrate Z wound around the drum 26 to a guide roller 31 provided in the winding chamber 16. For example, the guide roller 28 has a rotation shaft in the axial direction and is rotatable, and the guide roller 28 has an axial length longer than the width of the substrate Z.
Further, the guide roller 24 and the guide roller 28 may be a driving roller or a driven roller. Furthermore, the guide roller 24 and the guide roller 28 may be rollers that act as tension rollers for adjusting the tension during conveyance of the substrate Z.

ドラム26は、ガイドローラ24と、ガイドローラ28との間の空間Hの下方に設けられている。ドラム26は、その長手方向を、ガイドローラ24およびガイドローラ28の長手方向に対して平行にして配置されている。さらには、ドラム26は接地されている。
このドラム26は、例えば、円筒状を呈し、軸方向に回転軸を有し、回転可能なものである。かつドラム26は、軸方向における長さが基板Zの幅よりも長い。ドラム26においては、基板Zの幅方向における中心と、ドラム26の軸方向の中心とを合わせて、基板Zを、その表面(周面)に巻き掛けた場合、その両側の端部は、基板Zが掛からない領域となる。
ドラム26は、その表面(周面)に基板Zが巻き掛けられて、回転することにより、基板Zを所定の成膜位置に保持しつつ、搬送方向Dに基板Zを搬送するものである。
The drum 26 is provided below the space H between the guide roller 24 and the guide roller 28. The drum 26 is arranged with its longitudinal direction parallel to the longitudinal directions of the guide roller 24 and the guide roller 28. Furthermore, the drum 26 is grounded.
The drum 26 has, for example, a cylindrical shape, has a rotation shaft in the axial direction, and is rotatable. The length of the drum 26 in the axial direction is longer than the width of the substrate Z. In the drum 26, when the center in the width direction of the substrate Z and the center in the axial direction of the drum 26 are aligned, and the substrate Z is wound around the surface (circumferential surface), the end portions on both sides of the substrate Z are This is a region where Z is not applied.
The drum 26 is configured to transport the substrate Z in the transport direction D while holding the substrate Z at a predetermined film forming position by rotating the substrate Z around the surface (circumferential surface).

図1に示すように、成膜部40は、ドラム26の下方に設けられており、基板Zがドラム26に巻き掛けられた状態で、ドラム26が回転して、基板Zが搬送方向Dに搬送されつつ、基板Zの表面Zfに膜fを形成するものである。なお、表面Zfに膜fが形成された基板Zを、機能性フィルムFともいう。
成膜部40は、気相成膜法のうち、例えば、プラズマCVDを用いて膜を形成するものであり、成膜電極42、高周波電源44、原料ガス供給部46および仕切部48を有する。制御部36により、成膜部40の高周波電源44、および原料ガス供給部46が制御される。
As shown in FIG. 1, the film forming unit 40 is provided below the drum 26. With the substrate Z wound around the drum 26, the drum 26 rotates and the substrate Z moves in the transport direction D. The film f is formed on the surface Zf of the substrate Z while being conveyed. Note that the substrate Z on which the film f is formed on the surface Zf is also referred to as a functional film F.
The film forming unit 40 forms a film using, for example, plasma CVD among vapor phase film forming methods, and includes a film forming electrode 42, a high frequency power supply 44, a source gas supply unit 46, and a partition unit 48. The high frequency power supply 44 and the source gas supply unit 46 of the film forming unit 40 are controlled by the control unit 36.

成膜部40においては、成膜室14の下方に、ドラム26において基板Zが巻き掛けられる領域に対向して、所定の隙間Sを設けて成膜電極42が設けられている。成膜電極42は、例えば、平面視長方形の平板状に形成されており、広い面に複数の穴(図示せず)が等間隔で形成されている。成膜電極42は、この広い面をドラム26に向けて配置されている。この成膜電極42は、一般的にシャワー電極と呼ばれるものである。
また、成膜電極42は、高周波電源44が接続されており、この高周波電源44により、成膜電極42に高周波電圧が印加される。
In the film forming unit 40, a film forming electrode 42 is provided below the film forming chamber 14 so as to face a region where the substrate Z is wound around the drum 26 with a predetermined gap S. The film forming electrode 42 is formed in, for example, a rectangular plate shape in plan view, and a plurality of holes (not shown) are formed at equal intervals on a wide surface. The film forming electrode 42 is arranged with this wide surface facing the drum 26. The film forming electrode 42 is generally called a shower electrode.
The film forming electrode 42 is connected to a high frequency power supply 44, and a high frequency voltage is applied to the film forming electrode 42 by the high frequency power supply 44.

原料ガス供給部46は、例えば、配管47を介して、成膜電極42の複数の穴を通して隙間Sに、膜を形成する原料ガスを供給するものである。ドラム26と成膜電極42との隙間Sがプラズマの発生空間になる。
本実施形態においては、原料ガスは、例えば、SiO膜を形成する場合、TEOSガス、および活性種ガスとして酸素ガスが用いられる。
The source gas supply unit 46 supplies, for example, a source gas for forming a film into the gap S through a plurality of holes of the film formation electrode 42 via a pipe 47. A gap S between the drum 26 and the film forming electrode 42 becomes a plasma generation space.
In the present embodiment, for example, when forming a SiO 2 film, the source gas uses TEOS gas and oxygen gas as the active species gas.

原料ガス供給部46は、プラズマCVD装置で用いられている各種のガス導入手段が利用可能である。
また、原料ガス供給部46においては、原料ガスのみならず、アルゴンガスまたは窒素ガスなどの不活性ガス、および酸素ガス等の活性種ガス等、プラズマCVDで用いられている各種のガスを、原料ガスと共に、隙間Sに供給してもよい。このように、複数種のガスを導入する場合には、各ガスを同じ配管で混合して、成膜電極42の複数の穴を通して隙間Sに供給しても、各ガスを異なる配管から成膜電極42の複数の穴を通して隙間Sに供給してもよい。
さらに、原料ガスまたはその他、不活性ガスおよび活性種ガスの種類または導入量も、形成する膜の種類、または目的とする成膜レート等に応じて、適宜、選択/設定すればよい。
As the source gas supply unit 46, various gas introduction means used in a plasma CVD apparatus can be used.
Further, in the source gas supply unit 46, not only the source gas but also various gases used in plasma CVD such as an inert gas such as an argon gas or a nitrogen gas and an active species gas such as an oxygen gas are used as the source gas. You may supply to the clearance gap S with gas. As described above, when a plurality of types of gases are introduced, each gas is formed through a different pipe even if the gases are mixed in the same pipe and supplied to the gap S through the plurality of holes of the film formation electrode 42. The gap 42 may be supplied through a plurality of holes in the electrode 42.
Further, the types or introduction amounts of the source gas or other inert gas and active species gas may be appropriately selected / set according to the type of film to be formed, the target film formation rate, or the like.

仕切部48は、成膜電極42を成膜室14内において区画するものである。
この仕切部48は、例えば、一対の仕切板48aにより構成されており、一対の仕切板48aで、成膜電極42を挟むようにして配置されている。
各仕切板48aは、それぞれドラム26の長さ方向に伸びた板状部材であり、ドラム26側の端部が、成膜電極42とは反対側に折曲している。この仕切部48により、隙間S、すなわち、プラズマ発生空間が、成膜室14内において区画されている。
The partition 48 partitions the film forming electrode 42 in the film forming chamber 14.
The partition 48 includes, for example, a pair of partition plates 48a, and is disposed so that the film formation electrode 42 is sandwiched between the pair of partition plates 48a.
Each partition plate 48 a is a plate-like member extending in the length direction of the drum 26, and an end portion on the drum 26 side is bent to the opposite side to the film forming electrode 42. The partition 48 divides the gap S, that is, the plasma generation space in the film forming chamber 14.

成膜電極42は、平板状に限定されるものではなく、例えば、ドラム26の軸方向に分割した複数の電極を配列した構成等、プラズマCVDによる成膜が可能なものであれば、各種の電極の構成が利用可能である。なお、基板Zに対する電界およびプラズマなどの均一性等の点で、成膜電極42は、本実施形態のような平面視長方形の平板状のシャワー電極であることが好ましい。
また、成膜電極42と高周波電源44とは、必要に応じて、インピーダンス整合をとるためのマッチングボックスを介して接続してもよい。
The film forming electrode 42 is not limited to a flat plate shape. For example, various film forming electrodes can be used as long as the film can be formed by plasma CVD, such as a configuration in which a plurality of electrodes divided in the axial direction of the drum 26 are arranged. An electrode configuration is available. In view of uniformity of the electric field and plasma with respect to the substrate Z, the film-forming electrode 42 is preferably a flat-plate shower electrode having a rectangular shape in plan view as in the present embodiment.
In addition, the film forming electrode 42 and the high frequency power supply 44 may be connected via a matching box for impedance matching, if necessary.

また、ドラム26には、温度を調節する温度調節部(図示せず)を設けてもよい。この温度調節部は、例えば、ドラム26の中心に設けられるヒータである。
なお、高周波電源44は、プラズマCVDによる成膜に利用される公知の高周波電源を用いることができる。また、高周波電源44は、最大出力等にも、特に限定はなく、形成する膜または成膜レート等に応じて、適宜、選択/設定すればよい。
The drum 26 may be provided with a temperature adjusting unit (not shown) for adjusting the temperature. This temperature adjustment unit is, for example, a heater provided at the center of the drum 26.
The high frequency power supply 44 can be a known high frequency power supply used for film formation by plasma CVD. Further, the high-frequency power supply 44 is not particularly limited in the maximum output and the like, and may be appropriately selected / set according to the film to be formed or the film formation rate.

巻取り室16は、成膜室14で、表面Zfに膜が形成された基板Zを巻き取る部位であり、巻取りロール30、およびガイドローラ31が設けられている。   The winding chamber 16 is a part for winding the substrate Z having a film formed on the surface Zf in the film forming chamber 14, and is provided with a winding roll 30 and a guide roller 31.

巻取りロール30は、成膜された基板Zをロール状に、例えば、時計回りに巻き取るものである。
この巻取りロール30は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータにより巻取りロール30が回転されて、成膜済の基板Zが巻き取られる。
巻取りロール30においては、モータによって基板Zを巻き取る方向Rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、成膜済の基板Zを連続的に、例えば、時計回りに巻き取る。
The winding roll 30 is for winding the film-formed substrate Z in a roll shape, for example, clockwise.
For example, a motor (not shown) is connected to the winding roll 30 as a drive source. The take-up roll 30 is rotated by this motor, and the film-formed substrate Z is taken up.
The take-up roll 30 is rotated in the direction R for taking up the substrate Z by a motor. In this embodiment, the take-up roll 30 is rotated clockwise to continuously wind the film-formed substrate Z, for example, clockwise. take.

ガイドローラ31は、成膜室14から搬送された基板Zを、所定の搬送経路で巻取りロール30に案内するものである。このガイドローラ31は、公知のガイドローラにより構成される。なお、ガイドローラ31は、駆動ローラまたは従動ローラでもよく、また、ガイドローラ31は、テンションローラとして作用するローラであってもよい。   The guide roller 31 guides the substrate Z transported from the film forming chamber 14 to the take-up roll 30 through a predetermined transport path. The guide roller 31 is a known guide roller. The guide roller 31 may be a driving roller or a driven roller, and the guide roller 31 may be a roller that acts as a tension roller.

本実施形態においては、成膜される表面Zf側の幅方向Wにおける両側の端Zvに、所定の厚さを有する厚肉部αが基板Zの長手方向に沿って形成されている。
この構成の基板Zを、基板Zの表面Zfを巻取りロール30の表面30aに向けて、巻取りロール30に巻き取った場合、厚肉部αにより、基板Zと巻取りロール30との間、および基板Z間に隙間βが生じ、基板Zの膜fと、基板Zの裏面Zbとは直接接触することがない(図3(d)参照)。
In the present embodiment, thick portions α having a predetermined thickness are formed along the longitudinal direction of the substrate Z at both ends Zv in the width direction W on the surface Zf side to be formed.
When the substrate Z having this configuration is wound around the winding roll 30 with the surface Zf of the substrate Z facing the surface 30a of the winding roll 30, the thick wall portion α causes the gap between the substrate Z and the winding roll 30. And a gap β is generated between the substrate Z and the film f of the substrate Z and the back surface Zb of the substrate Z are not in direct contact (see FIG. 3D).

次に、本実施形態の成膜装置10の動作について説明する。
成膜装置10においては、供給室12から成膜室14を経て巻取り室16に至る所定の経路で長尺な基板Zを通した後、供給室12、成膜室14および巻取り室16の内部を真空排気部32により、所定の真空度に保ち、この状態で、供給室12から巻取り室16まで長尺な基板Zを通して搬送しつつ、成膜室14において、基板Zに膜を形成するものである。
Next, the operation of the film forming apparatus 10 of this embodiment will be described.
In the film forming apparatus 10, after passing a long substrate Z through a predetermined path from the supply chamber 12 through the film formation chamber 14 to the winding chamber 16, the supply chamber 12, the film formation chamber 14, and the winding chamber 16 are passed. The inside of the chamber is kept at a predetermined degree of vacuum by the evacuation unit 32, and in this state, a film is deposited on the substrate Z in the deposition chamber 14 while being transported from the supply chamber 12 to the winding chamber 16 through the long substrate Z. To form.

成膜装置10においては、成膜室14および巻取り室16の内部を真空排気部32により、所定の真空度にする。
次に、長尺な基板Zが、例えば、反時計回り巻回された基板ロール20から搬送装置50を経て、成膜室14に搬送させる。成膜室14においては、ガイドローラ24、ドラム26、ガイドローラ28を経て、巻取り室16に搬送される。巻取り室16においては、ガイドローラ31を経て、巻取りロール30に、長尺な基板Zが巻き取られる。
In the film forming apparatus 10, the insides of the film forming chamber 14 and the winding chamber 16 are brought to a predetermined degree of vacuum by the vacuum exhaust unit 32.
Next, the long substrate Z is transferred from the substrate roll 20 wound, for example, counterclockwise to the film forming chamber 14 via the transfer device 50. In the film forming chamber 14, the film is conveyed to the winding chamber 16 through the guide roller 24, the drum 26, and the guide roller 28. In the winding chamber 16, the long substrate Z is wound around the winding roll 30 through the guide roller 31.

成膜に際して、端部形成部50においては、折曲部52の基部52aの幅広側の端部53aから、2つのガイド板52bの間に基板Zが挿通され、基板Zの端部Zeがガイド板52bに沿って、図3(a)に示すように、基板Zの表面Zfに向けて折り曲げられて、折曲部52の基部52aの幅狭側の端部53bから基板Zの端部Zeが基板Zの表面Zfに接した状態で排出される。
そして、端部Zeが折り曲げられた状態で、図3(b)に示すように、基板Zの端Zvを、圧着部54のヒートローラ56とプレッシャーローラ58と間に通過させることにより、端部Zeを基板Zの表面Zfに固定し一体化させて厚肉部αを形成する。
At the time of film formation, in the end portion forming unit 50, the substrate Z is inserted between the two guide plates 52b from the wide end portion 53a of the base portion 52a of the bent portion 52, and the end portion Ze of the substrate Z is guided. As shown in FIG. 3A, the plate 52b is bent toward the surface Zf of the substrate Z, and from the narrow end 53b of the base 52a of the bent portion 52 to the end Ze of the substrate Z. Is discharged in contact with the surface Zf of the substrate Z.
Then, as shown in FIG. 3B, the end Zv of the substrate Z is passed between the heat roller 56 and the pressure roller 58 of the pressure-bonding portion 54 in a state where the end Ze is bent. Ze is fixed to the surface Zf of the substrate Z and integrated to form the thick portion α.

このように、基板Zの端Zvに基板の中央部Zcよりも厚い厚肉部αを形成した状態で、次に、成膜部40において、成膜電極42に、高周波電源44から高周波電圧を印加するとともに、原料ガス供給部46から配管47を介して隙間Sに、所定の膜fを形成するための原料ガスを供給する。
成膜電極42の周囲に電磁波を放射させると、隙間Sで、成膜電極42の近傍に局在化したプラズマが生成され、原料ガスが励起・解離される。これにより、図3(c)に示すように、基板Zにおいて、厚肉部αに挟まれた中央部Zcの表面Zfに所定の膜fが形成される。
In this way, with the thick portion α thicker than the central portion Zc of the substrate Z formed at the end Zv of the substrate Z, next, in the film forming unit 40, a high frequency voltage is applied to the film forming electrode 42 from the high frequency power supply 44. While being applied, a raw material gas for forming a predetermined film f is supplied from the raw material gas supply unit 46 to the gap S through the pipe 47.
When electromagnetic waves are radiated around the film forming electrode 42, plasma localized in the vicinity of the film forming electrode 42 is generated in the gap S, and the source gas is excited and dissociated. As a result, as shown in FIG. 3C, a predetermined film f is formed on the surface Zf of the central portion Zc sandwiched between the thick portions α in the substrate Z.

順次、長尺な基板Zが反時計回り巻回された基板ロール20をモータにより時計回りに回転させて、長尺な基板Zを連続的に送り出し、ドラム26で基板Zをプラズマが生成される位置に保持しつつ、ドラム26を所定の速度で回転させて、成膜部40により、基板Zにおいて、厚肉部αに挟まれた中央部Zcの表面Zfに連続的に膜を形成する。そして、ガイドローラ28、およびガイドローラ31を経て、巻取りロール30に、成膜された長尺な基板Zが、巻取りロール30の表面30aに成膜した膜fを向けて巻き取られ、図3(d)に示すように、巻取部材(フィルムロール)100を得る。この巻取部材100に巻き取られた、膜fが成膜された長尺な基板Z(機能性フィルムF)は、そのまま機能性フィルムFなどの最終製品として用いられるものであっても、また、更に成膜、裁断などの加工が施されるものであってもよい。加工される場合には、機能性フィルムロールとして、次の工程に供される。   Sequentially, the substrate roll 20 on which the long substrate Z is wound counterclockwise is rotated clockwise by the motor, and the long substrate Z is continuously fed out, and the drum 26 generates plasma on the substrate Z. The film 26 is continuously formed on the surface Zf of the central portion Zc sandwiched between the thick portions α in the substrate Z by rotating the drum 26 at a predetermined speed while maintaining the position. Then, through the guide roller 28 and the guide roller 31, the long substrate Z formed on the take-up roll 30 is taken up with the film f formed on the surface 30a of the take-up roll 30 being directed, As shown in FIG.3 (d), the winding member (film roll) 100 is obtained. Even if the long substrate Z (functional film F) wound around the winding member 100 and having the film f formed thereon is used as a final product such as the functional film F as it is, Further, processing such as film formation and cutting may be performed. When processed, it is provided to the next step as a functional film roll.

本実施形態の成膜装置10においては、表面Zfに成膜された基板Zが巻取りロール30に巻き取った後、得られた巻取部材100を取り出すために、巻取り室16を真空状態から大気開放する。その後、巻取り室16が大気圧になった後、巻取部材100を取り出す。
このようにして、基板Zの端部Zeが折り曲げられて圧着されて厚肉部αが基板Zの端Zvに形成されて、中央部Zcの表面Zfに所定の膜fが形成された機能性フィルムFが得られて、さらにこの機能性フィルムFが巻き取られて巻取部材(フィルムロール)100が得られる。
In the film forming apparatus 10 of this embodiment, after the substrate Z formed on the surface Zf is wound on the winding roll 30, the winding chamber 16 is in a vacuum state in order to take out the obtained winding member 100. From the atmosphere. Thereafter, after the winding chamber 16 reaches atmospheric pressure, the winding member 100 is taken out.
In this way, the end portion Ze of the substrate Z is bent and pressure-bonded to form the thick portion α at the end Zv of the substrate Z, and the predetermined film f is formed on the surface Zf of the central portion Zc. A film F is obtained, and the functional film F is further wound to obtain a winding member (film roll) 100.

本実施形態においては、基板Zの端Zvに厚肉部αを形成することにより、膜fを形成した後、搬送する際に、ガイドローラ、パスローラなどとの接触により擦れて膜fに傷が付くことが抑制される。
また、基板Zの端Zvに厚肉部αを形成することにより、基板Zと巻取りロール30の表面30aとの間、および基板Z間に隙間βが形成されるため、基板Zの膜fは非接触状態とされる。このことから、巻取り時に長尺の基板Zを巻締めても膜fを非接触状態とすることができる。このため、成膜後に基板Zの膜fの表面に塵埃などの異物が付着したり、巻取り時に基板Zの膜fの表面に塵埃などの異物が混入した場合でも、隙間βができるため、塵埃等の異物によって膜fが傷つくこと、さらには膜fが割れることなどの発生が抑制される。
In this embodiment, by forming the thick part α at the end Zv of the substrate Z, the film f is rubbed by contact with a guide roller, a pass roller, and the like when being transported after the film f is formed. Sticking is suppressed.
Further, by forming the thick portion α at the end Zv of the substrate Z, gaps β are formed between the substrate Z and the surface 30a of the take-up roll 30, and between the substrates Z. Is in a non-contact state. For this reason, the film f can be brought into a non-contact state even when the long substrate Z is wound at the time of winding. For this reason, even if foreign matter such as dust adheres to the surface of the film f of the substrate Z after film formation or foreign matter such as dust enters the surface of the film f of the substrate Z during winding, a gap β is formed. Generation | occurrence | production of the film | membrane f being damaged by foreign materials, such as dust, and also the film | membrane f cracking is suppressed.

しかも、本実施形態においては、厚肉部αを、基板Zの端部Zeを折り曲げて圧着することにより形成しており、厚肉部αを形成するために、別の部材を貼り合せること、または厚肉部αを形成するために塗布、露光などの煩雑なプロセスを用いていない。
このように、簡単なプロセスを用い、かつ外部からの材料を供給して形成するものではないことから、装置構成を簡素化できるとともに、材料コストの上昇も抑制することができる。本実施形態においては、基板Zの表面Zfに形成した膜fについて、コストをかけることなく、かつ簡単な工程で、厚肉部αを形成して、上述のように成膜後、および巻取り時に不具合を生じさせることなく、膜fを保護することができる。
Moreover, in the present embodiment, the thick portion α is formed by bending and crimping the end portion Ze of the substrate Z, and another member is bonded to form the thick portion α, Or, complicated processes such as coating and exposure are not used to form the thick portion α.
Thus, since it is not formed by using a simple process and supplying materials from the outside, it is possible to simplify the apparatus configuration and to suppress an increase in material cost. In this embodiment, the film f formed on the surface Zf of the substrate Z is formed with a thick portion α in a simple process without incurring costs, and after film formation and winding as described above. Sometimes the film f can be protected without causing problems.

このように、低コストで、搬送時、または巻取り時などにおける不具合を抑制することができるため、例えば、樹脂フィルムの表面に薄膜を形成して光学フィルムを製造する場合、傷または変形により、光の散乱の発生、および透過率の低下を防ぐことができ、所定の品質の光学フィルムを製造することができる。   Thus, since it is possible to suppress problems at the time of transportation or winding at low cost, for example, when producing an optical film by forming a thin film on the surface of a resin film, due to scratches or deformation, Generation of light scattering and a decrease in transmittance can be prevented, and an optical film having a predetermined quality can be manufactured.

なお、本実施形態においては、厚肉部αは、単に厚いものとしたが、本発明においては、これに限定されるものではない。例えば、幅方向Wに通気性を有するものでもよい。
この幅方向Wに通気性を有するものは、例えば、図4(a)および(b)に示すような第2の圧着部54aにより形成することができる。
In the present embodiment, the thick portion α is simply thick. However, the present invention is not limited to this. For example, it may have air permeability in the width direction W.
What has air permeability in this width direction W can be formed by the 2nd crimping | compression-bonding part 54a as shown to Fig.4 (a) and (b), for example.

第2の圧着部54aは、圧着部54のヒートローラ56に代えて、表面60aに、軸線方向から見た断面が三角形状の凸部62が形成されているヒートローラ60を用いる点が異なるだけであり、それ以外の構成は、圧着部54と同様の構成である。
この第2の圧着部54aにより、図4(c)に示すように、折り曲げられた基板Zの端部Zeの表面、すなわち、厚肉部αにおいて、成膜する側(基板Zの表面Zf側)の表面に凸部62の形状を反映した凹凸パターン64が、長手方向に沿って形成される。このギザギザのパターン64を厚肉部αに形成した場合、基板Zを積層すると、ギザギザの先端により基板Z同士に接触が防止され隙間β(図3(d)参照)が形成される。また、ギザギザのパターン64の凹部が隙間βと連通する。このため、幅方向Wの通気性が確保され、気体Gがこの凹部から基板Z間の隙間βを通り、巻取部材100は幅方向Wに通気性を有する。
なお、凹凸パターン64は、図4(b)に示すような断面が三角形状のものに限定されるものではない。例えば、図5(a)および図5(b)に示すような凹凸パターン64a、64bであってもよい。
The second pressure-bonding portion 54a is different from the heat-roller 56 of the pressure-bonding portion 54 only in that a heat roller 60 in which a convex portion 62 having a triangular cross section as viewed from the axial direction is formed on the surface 60a. Other than that, the configuration is the same as that of the crimping portion 54.
As shown in FIG. 4C, the surface of the bent end Z of the substrate Z, that is, the thick portion α, is formed by the second crimping portion 54a (the surface Zf side of the substrate Z). ), A concave / convex pattern 64 reflecting the shape of the convex portion 62 is formed along the longitudinal direction. When this jagged pattern 64 is formed in the thick part α, when the substrates Z are stacked, the jagged tips prevent contact between the substrates Z and form a gap β (see FIG. 3D). Further, the concave portion of the jagged pattern 64 communicates with the gap β. For this reason, the air permeability in the width direction W is ensured, the gas G passes through the gap β between the concave portion and the substrate Z, and the winding member 100 has air permeability in the width direction W.
In addition, the uneven | corrugated pattern 64 is not limited to a thing with a triangular cross section as shown in FIG.4 (b). For example, uneven patterns 64a and 64b as shown in FIGS. 5A and 5B may be used.

図5(a)に示す凹凸パターン64aは、断面が矩形状の凸部66aと断面が矩形状の凹部66bとが連続して基板Zの搬送方向D、すなわち、基板Zの長手方向に沿って形成されたものでもよい。
このパターン64aにおいては、凸部66aにより基板Z同士に接触が防止され、凹部66bにより幅方向Wの通気性が確保される。気体Gがこの凹部66bから基板Z間の隙間βに供給され、巻取部材100は幅方向Wに通気性を有する。
5 (a), a convex / concave pattern 64a having a rectangular cross section and a concave section 66b having a rectangular cross section are continuously provided along the transport direction D of the substrate Z, that is, along the longitudinal direction of the substrate Z. It may be formed.
In this pattern 64a, the projections 66a prevent the substrates Z from contacting each other, and the recesses 66b ensure the air permeability in the width direction W. The gas G is supplied from the recess 66b to the gap β between the substrates Z, and the winding member 100 has air permeability in the width direction W.

さらには、図5(b)に示すように、四角錐状の凸部68を複数備えるパターン64bでもよい。この場合、凸部68により基板Z同士に接触が防止される。加えて、四角錐状の各凸部68同士の斜面の間に隙間が生じるため、この隙間を気体Gが通り、これにより、幅方向Wの通気性が確保される。各凸部68間の隙間から基板Z間の隙間βに気体Gが供給され、巻取部材100は幅方向Wに通気性を有する。   Furthermore, as shown in FIG. 5B, a pattern 64b having a plurality of quadrangular pyramidal projections 68 may be used. In this case, the projections 68 prevent the substrates Z from contacting each other. In addition, since a gap is generated between the inclined surfaces of the respective quadrangular pyramidal projections 68, the gas G passes through the gap, thereby ensuring the air permeability in the width direction W. The gas G is supplied from the gap between the convex portions 68 to the gap β between the substrates Z, and the winding member 100 has air permeability in the width direction W.

図5(b)に示すパターン64bにおいては、凸部68は、四角錐状としたが、これに限定されるものではなく、三角錐、円錐などであってもよく、凸部が円柱、四角柱である場合には、各凸部を隙間を設けて配置する。   In the pattern 64b shown in FIG. 5B, the convex portion 68 has a quadrangular pyramid shape, but is not limited thereto, and may be a triangular pyramid, a cone, or the like. In the case of a prism, each convex portion is arranged with a gap.

本実施形態においては、以上のように、巻取部材100について幅方向Wに通気性を有する構成とすることにより、所定の真空度に保たれた巻取り室16内で、基板Zを巻取りロール30に巻き取った後、大気開放して、得られた巻取部材100を取り出す際に、巻取り室16を真空状態から大気開放するとき、基板Zの隙間βにガスGが通ることができる。このため、巻取部材100の隙間βの圧力が、巻取部材100の外部の圧力よりも低くなる程度が抑えられる。このため、大気開放時における巻取部材100外部の圧力変動よって、巻取部材100において、基板Zの中央部Zcが巻取りロール30の表面30a側に落ち込むことが抑制される。このため、基板Zにしわが発生すること、成膜された膜fに割れが発生することなどが抑制される。このように、大気開放時における基板Zの変形、損傷なども抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, the substrate Z is wound in the winding chamber 16 maintained at a predetermined degree of vacuum by adopting a configuration in which the winding member 100 has air permeability in the width direction W. When the take-up member 100 is taken out from the vacuum after being wound on the roll 30 and released to the atmosphere, the gas G may pass through the gap β of the substrate Z when the take-up chamber 16 is released from the vacuum to the atmosphere. it can. For this reason, the grade by which the pressure of the clearance gap β of the winding member 100 becomes lower than the pressure outside the winding member 100 is suppressed. For this reason, the central portion Zc of the substrate Z in the winding member 100 is prevented from falling to the surface 30a side of the winding roll 30 due to the pressure fluctuation outside the winding member 100 when the atmosphere is released. For this reason, generation | occurrence | production of the wrinkle in the board | substrate Z, the generation | occurrence | production of a crack in the formed film | membrane f, etc. are suppressed. In this way, deformation and damage of the substrate Z when the atmosphere is released can be suppressed.

次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。
なお、本実施形態においては、図1〜図5に示す第1の実施形態の成膜装置と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a schematic view showing a film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention.
In the present embodiment, the same components as those in the film forming apparatus of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図6に示すように、本実施形態の成膜装置10aは、第1の実施形態の成膜装置10(図1参照)に比して、端部形成部50の配置位置が、搬送方向Dにおけるガイドローラ21の直ぐ下流ではなく、巻取り室16に設けられたガイドローラ31の直ぐ下流に設けられており、基板Zに厚肉部αを形成するのが、基板Zの表面Zfに膜fを形成した後である点が異なり、それ以外の構成は、第1の実施形態の成膜装置10と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。   As shown in FIG. 6, in the film forming apparatus 10 a of this embodiment, the arrangement position of the end forming unit 50 is different from the film forming apparatus 10 of the first embodiment (see FIG. 1) in the transport direction D. Is formed immediately downstream of the guide roller 31 provided in the take-up chamber 16, not immediately downstream of the guide roller 21, and the thick portion α is formed on the substrate Z on the surface Zf of the substrate Z. The difference is that after f is formed, and the rest of the configuration is the same as that of the film forming apparatus 10 of the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

本実施形態の成膜装置10においては、その成膜方法についても、基板Zの表面Zfに膜fを形成した後に、厚肉部αを形成する点が異なり、それ以外の製造方法は、第1の実施形態の成膜方法と同様の方法であるため、その詳細な説明は省略する。
本実施形態においては、基板Zの表面Zfに膜fを形成した後に、厚肉部αを形成する点が異なるだけであるため、第1の実施形態の成膜装置および成膜方法と同様の効果を得ることができる。
本実施形態においては、厚肉部αを形成する前に、膜fを形成するため、膜fが形成された状態で、基板Zの端部Zeを折曲げることになる。このため、成膜部40において、マスクを設け、基板Zの端部Zeに膜fが形成されないようにしてもよい。
In the film forming apparatus 10 of the present embodiment, the film forming method is different in that the thick part α is formed after the film f is formed on the surface Zf of the substrate Z. Since the film forming method is the same as that of the first embodiment, detailed description thereof is omitted.
In the present embodiment, the only difference is that the thick part α is formed after the film f is formed on the surface Zf of the substrate Z. Therefore, the film forming apparatus and the film forming method of the first embodiment are the same. An effect can be obtained.
In the present embodiment, since the film f is formed before the thick part α is formed, the end part Ze of the substrate Z is bent in a state where the film f is formed. Therefore, a mask may be provided in the film forming unit 40 so that the film f is not formed on the end portion Ze of the substrate Z.

次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。
なお、本実施形態においては、図1〜図5に示す第1の実施形態の成膜装置と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a schematic view showing a film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention.
In the present embodiment, the same components as those of the film forming apparatus of the first embodiment shown in FIGS.

図7に示すように、本実施形態の成膜装置10bは、第1の実施形態の成膜装置10(図1参照)に比して、供給室12と成膜室14との間に有機層形成室70および端部形成室72が設けられていることが異なり、さらには供給室12、成膜室14および巻取り室16内の各要素のレイアウトが異なり、それ以外の構成は、第1の実施形態の成膜装置10と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。   As shown in FIG. 7, the film forming apparatus 10 b of this embodiment is organic between the supply chamber 12 and the film forming chamber 14 as compared with the film forming apparatus 10 of the first embodiment (see FIG. 1). The layer forming chamber 70 and the end forming chamber 72 are provided, and the layout of each element in the supply chamber 12, the film forming chamber 14, and the winding chamber 16 is different. Since it is the same structure as the film-forming apparatus 10 of 1 embodiment, the detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態において、供給室12は、基板ロール20から基板Zが下方に引き出されるように配置されており、ガイドローラ21が設けられていない点が異なるだけであり、それ以外の基板ロール20の構成は、第1の実施形態と同様である。   In the present embodiment, the supply chamber 12 is arranged so that the substrate Z is drawn downward from the substrate roll 20, except that the guide roller 21 is not provided. The configuration is the same as in the first embodiment.

供給室12と有機層形成室70とは、壁74により区画されており、基板Zが通過するスリット状の開口74aが形成されている。
有機層形成室70は、基板Zの表面Zfにポリマーを主成分とする有機層(有機膜)90を形成するところであって、ガイドローラ21aと、有機層形成部80とを有する。
この有機層形成部80は、フラッシュ蒸着法によって有機層90を成膜するものであり、ポリマーノズル82およびUV照射装置84を有する。このため、有機層形成室70は、内部が真空にされるものであり、真空排気部32に接続されている。
本実施形態のフラッシュ蒸着法は、モノマー中の溶存酸素を低下させる効果を有し、重合率を高めることができるため特に有用である。
The supply chamber 12 and the organic layer forming chamber 70 are partitioned by a wall 74, and a slit-shaped opening 74a through which the substrate Z passes is formed.
The organic layer forming chamber 70 is for forming an organic layer (organic film) 90 mainly composed of a polymer on the surface Zf of the substrate Z, and includes a guide roller 21 a and an organic layer forming unit 80.
The organic layer forming unit 80 forms an organic layer 90 by flash vapor deposition, and includes a polymer nozzle 82 and a UV irradiation device 84. For this reason, the inside of the organic layer forming chamber 70 is evacuated, and is connected to the vacuum exhaust part 32.
The flash vapor deposition method of this embodiment is particularly useful because it has the effect of reducing dissolved oxygen in the monomer and can increase the polymerization rate.

ガイドローラ21aは、基板ロール20に巻き取られた基板Zを有機層形成部80に搬送するものである。このガイドローラ21aは、第1の実施形態のガイドローラ21と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。   The guide roller 21 a conveys the substrate Z wound up by the substrate roll 20 to the organic layer forming unit 80. The guide roller 21a has the same configuration as the guide roller 21 of the first embodiment, and detailed description thereof is omitted.

有機層90を形成する際には、有機層形成室70内は、真空排気部32によって所定の圧力(真空度)に減圧される。
モノマーノズル82は、このような減圧下において、基板Zの表面に、予め調製した後述するモノマーを含む塗料を塗布するものである。これにより、基板Zの表面にフラッシュ蒸着による塗膜が成膜される。
When forming the organic layer 90, the inside of the organic layer forming chamber 70 is depressurized to a predetermined pressure (degree of vacuum) by the vacuum exhaust part 32.
The monomer nozzle 82 applies a paint containing a monomer, which will be described later, prepared in advance to the surface of the substrate Z under such a reduced pressure. Thereby, the coating film by flash vapor deposition is formed on the surface of the substrate Z.

UV照射装置84は、フラッシュ蒸着した塗膜にUV光(紫外線)を照射することにより、モノマーを重合させて、有機層90を成膜するものである。
なお、利用可能な光源、および照射エネルギーは、後述のとおりである。さらに、モノマーの重合法も、本実施形態のUV照射に限定はされず、各種の方法が利用可能である。
The UV irradiation device 84 is for irradiating UV light (ultraviolet rays) onto the flash-deposited coating film to polymerize the monomer and form the organic layer 90.
The available light sources and irradiation energy are as described later. Further, the monomer polymerization method is not limited to the UV irradiation of the present embodiment, and various methods can be used.

ここで、有機層90は、ポリマーを主成分とする膜である。
有機層90に用いるポリマーとしては、具体的には、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂(以下、アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を併せてアクリレート重合物ともいう)、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、などの熱可塑性樹脂、あるいはポリシロキサン、その他有機珪素化合物の膜である。
有機層90は単独の材料からなっていても混合物からなっていてもよい。2層以上の有機膜を積層してもよい。この場合、各層は同じ組成でも異なる組成であってもよい。また、米国公開特許2004−46497号明細書に開示してあるように無機層との界面が明確で無く、組成が膜さ方向で連続的に変化する膜であってもよい。
Here, the organic layer 90 is a film containing a polymer as a main component.
Specifically, as the polymer used for the organic layer 90, polyester, acrylic resin, methacrylic resin (hereinafter, acrylic resin and methacrylic resin are also referred to as acrylate polymer), methacrylic acid-maleic acid copolymer, polystyrene, Transparent fluororesin, polyimide, fluorinated polyimide, polyamide, polyamideimide, polyetherimide, cellulose acylate, polyurethane, polyetheretherketone, polycarbonate, alicyclic polyolefin, polyarylate, polyethersulfone, polysulfone, fluorene ring-modified polycarbonate A film of thermoplastic resin such as alicyclic modified polycarbonate, fluorene ring modified polyester, acryloyl compound, or polysiloxane or other organic silicon compound.
The organic layer 90 may be made of a single material or a mixture. Two or more organic films may be stacked. In this case, each layer may have the same composition or a different composition. Further, as disclosed in US Patent Publication No. 2004-46497, a film in which the interface with the inorganic layer is not clear and the composition continuously changes in the film thickness direction may be used.

有機層90は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。有機層90の平滑性は10μm角の平均粗さ(Ra値)として10nm以下であることが好ましく、2nm以下であることがより好ましい。
有機層90の膜硬度はある程度以上の硬さを有することが好ましい。好ましい硬さとしては、ナノインデンテーション法で測定したときの押し込み硬度として100N/mm2以上が好ましく、200N/mm2以上がより好ましい。また、鉛筆硬度としてはHB以上の硬さを有することが好ましく、H以上の硬さを有することがより好ましい。
有機層90の厚さについては特に限定はないが、薄すぎると膜の均一性を得ることが困難となるし、厚すぎると外力によりクラックを発生し、バリア性能が低下する。かかる観点から、有機層90の厚みは、10nm〜2μmが好ましく、100nm〜1μmがさらに好ましい。
The organic layer 90 is preferably smooth and has a high film hardness. The smoothness of the organic layer 90 is preferably 10 nm or less, and more preferably 2 nm or less, as an average roughness (Ra value) of 10 μm square.
It is preferable that the film hardness of the organic layer 90 has a certain degree of hardness. Preferred hardness, 100 N / mm 2 or more is preferable as the indentation hardness as measured by nanoindentation method, 200 N / mm 2 or more is more preferable. The pencil hardness is preferably HB or higher, more preferably H or higher.
The thickness of the organic layer 90 is not particularly limited, but if it is too thin, it will be difficult to obtain film uniformity, and if it is too thick, cracks will be generated due to external forces and the barrier performance will be reduced. From this viewpoint, the thickness of the organic layer 90 is preferably 10 nm to 2 μm, and more preferably 100 nm to 1 μm.

なお、有機層90の成膜方法としては、特に限定されるものではなく、通常の溶液塗布法、あるいは真空成膜法等を用いることもできる。
溶液塗布法としては、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第2681294号明細書に記載のホッパ−を使用するエクストル−ジョンコート法により塗布することができる。有機層は、市販の重合性接着剤を塗布、硬化させて形成することもできる。
真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマCVD等の成膜方法が好ましい。また、フラッシュ蒸着法においても、米国特許第4842893号、米国特許第4954371号、米国特許第5032461号の各明細書に記載の方法が、特に好ましい。
本発明において、有機層90の成膜方法としては、ポリマーを溶液塗布して形成しても良いし、特開2000−323273号、特開2004−25732号の各公報に開示されているような無機物を含有するハイブリッドコーティング法を用いてもよい。さらには、有機層90の成膜方法としては、ポリマーの前駆体、例えば、モノマーを成膜後、重合することによりポリマー層を形成する方法でも良い。
The method for forming the organic layer 90 is not particularly limited, and a normal solution coating method, a vacuum film forming method, or the like can also be used.
Examples of the solution coating method include a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a roller coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, a slide coating method, or a hopper described in US Pat. No. 2,681,294. It can apply | coat by the extrusion-coating method which uses-. The organic layer can also be formed by applying and curing a commercially available polymerizable adhesive.
Although there is no restriction | limiting in particular as a vacuum film-forming method, Film-forming methods, such as vapor deposition and plasma CVD, are preferable. Also in the flash vapor deposition method, the methods described in US Pat. No. 4,842,893, US Pat. No. 4,954,371 and US Pat. No. 5,034,461 are particularly preferable.
In the present invention, as a method for forming the organic layer 90, a polymer may be formed by applying a solution, or as disclosed in JP 2000-323273 A and JP 2004-25732 A. A hybrid coating method containing an inorganic substance may be used. Further, the organic layer 90 may be formed by a method of forming a polymer layer by polymerizing a polymer precursor, for example, a monomer, after forming the film.

本発明において、有機層90の成膜に用いることができる好ましいモノマーとしては、アクリレートおよびメタクリレート、市販の接着剤が挙げられる。すなわち、本発明において、有機層90は、エチレン性不飽和結合を有するアクリレートモノマーおよび/またはメタクリレートモノマーを重合してなるポリマーを主成分とするのが好ましい。特に、後述する真空中での不都合を回避できる等の理由で、アクリレートモノマーおよび/またはメタクリレートモノマーを用いる場合には、分子量が700以下、中でも特に150〜600の物を用いるのが好ましい。
市販の接着剤としては、ナガセケムテックス製XNR−5000シリーズ等が挙げられる。
アクリレートおよびメタクリレートの好ましい例としては、例えば、米国特許第6083628号、米国特許第6214422号の各明細書に記載の化合物が挙げられる。
In the present invention, preferred monomers that can be used for forming the organic layer 90 include acrylates and methacrylates, and commercially available adhesives. That is, in the present invention, the organic layer 90 is preferably composed mainly of a polymer obtained by polymerizing an acrylate monomer and / or a methacrylate monomer having an ethylenically unsaturated bond. In particular, when an acrylate monomer and / or a methacrylate monomer are used for the purpose of avoiding inconvenience in a vacuum described later, it is preferable to use a monomer having a molecular weight of 700 or less, particularly 150 to 600.
Examples of commercially available adhesives include Nagase ChemteX XNR-5000 series.
Preferable examples of acrylates and methacrylates include, for example, compounds described in US Pat. No. 6,083,628 and US Pat. No. 6,214,422.

モノマーの重合法には特に限定はないが、加熱重合、光(紫外線、可視光線)重合、電子ビーム重合、プラズマ重合、あるいはこれらの組み合わせが好ましく用いられる。加熱重合を行う場合、基板Bは相応の耐熱性を有する必要がある。この場合、少なくとも、加熱温度よりも基板Bのガラス転移温度(Tg)が高いことが必要である。
光重合を行う場合は、光重合開始剤を併用するのが好ましい。光重合開始剤としてはチバ・スペシャルティー・ケミカルズ社から市販されているイルガキュア(Irgacure)シリーズ(例えば、イルガキュア651、イルガキュア754、イルガキュア184、イルガキュア2959、イルガキュア907、イルガキュア369、イルガキュア379、イルガキュア819など)、ダロキュア(Darocure)シリーズ(例えば、ダロキュアTPO、ダロキュア1173など)、クオンタキュア(Quantacure)PDO、サートマー(Sartomer)社から市販されているエザキュア(Ezacure)シリーズ(例えば、エザキュアTZM、エザキュアTZTなど)、同じくオリゴマー型のエザキュアKIPシリーズ等が挙げられる。
Although there is no particular limitation on the monomer polymerization method, heat polymerization, light (ultraviolet ray, visible light) polymerization, electron beam polymerization, plasma polymerization, or a combination thereof is preferably used. When performing heat polymerization, the substrate B needs to have appropriate heat resistance. In this case, at least the glass transition temperature (Tg) of the substrate B needs to be higher than the heating temperature.
When carrying out photopolymerization, it is preferable to use a photopolymerization initiator in combination. As the photopolymerization initiator, Irgacure series (for example, Irgacure 651, Irgacure 754, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 907, Irgacure 369, Irgacure 379, Irgacure 819, etc., commercially available from Ciba Specialty Chemicals. ), Darocure series (eg, Darocur TPO, Darocur 1173, etc.), Quantacure PDO, Ezacure series (eg, Ezacure TZM, Ezacure TZT, etc.) commercially available from Sartomer. Similarly, oligomer type Ezacure KIP series and the like can be mentioned.

UV照射装置84において、照射する光は、通常、高圧水銀灯もしくは低圧水銀灯による紫外線である。照射エネルギーは0.5J/cm以上が好ましく、2J/cm以上がより好ましい。
なお、アクリレートやメタクリレートは、空気中の酸素によって重合阻害を受ける。従って、本発明において、有機層90としてこれらを利用する場合には、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は2%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が1000Pa以下であることが好ましく、100Pa以下であることがより好ましい。また、100Pa以下の減圧条件下で2J/cm以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
In the UV irradiation device 84, the light to be irradiated is usually ultraviolet light from a high pressure mercury lamp or a low pressure mercury lamp. The irradiation energy is preferably 0.5 J / cm 2 or more, and more preferably 2 J / cm 2 or more.
In addition, acrylate and methacrylate are subject to polymerization inhibition by oxygen in the air. Therefore, in the present invention, when these are used as the organic layer 90, it is preferable to lower the oxygen concentration or oxygen partial pressure during polymerization. When the oxygen concentration during polymerization is lowered by the nitrogen substitution method, the oxygen concentration is preferably 2% or less, and more preferably 0.5% or less. When the oxygen partial pressure during polymerization is reduced by the decompression method, the total pressure is preferably 1000 Pa or less, and more preferably 100 Pa or less. In addition, it is particularly preferable to perform ultraviolet polymerization by irradiating energy of 2 J / cm 2 or more under a reduced pressure condition of 100 Pa or less.

本発明において、モノマーの重合率は80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。ここでいう重合率とはモノマー混合物中の全ての重合性基(例えばアクリレートやメタクリレートであれば、アクリロイル基およびメタクリロイル基)のうち、反応した重合性基の比率を意味する。   In the present invention, the polymerization rate of the monomer is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and further preferably 90% or more. The polymerization rate here means the ratio of the reacted polymerizable groups among all polymerizable groups in the monomer mixture (for example, acrylate and methacrylate, acryloyl group and methacryloyl group).

ここで、有機層90として、アクリレート系モノマー、および/または、メタクリレート系モノマーを重合してなる有機層90を成膜する場合には、重合時の酸素濃度を低くすることが好ましいのは、前述のとおりである。   Here, when the organic layer 90 formed by polymerizing an acrylate monomer and / or a methacrylate monomer is formed as the organic layer 90, it is preferable to reduce the oxygen concentration during the polymerization. It is as follows.

なお、有機層90は、単層に限定はされず、2層以上でもよい。この場合、各有機層90が、同じ組成であっても異なる組成であってもよい。また、有機層90を2層以上形成する場合は、各々の有機膜が前述の好ましい範囲内となるようにするのが好ましい。   The organic layer 90 is not limited to a single layer and may be two or more layers. In this case, each organic layer 90 may have the same composition or a different composition. When two or more organic layers 90 are formed, it is preferable that each organic film is within the above-described preferable range.

有機層形成室70で有機層90を成膜された基板Zは、次いで、端部形成室72に搬送される。有機層形成室70と端部形成室72は、壁76により区画されており、基板Zが通過するスリット状の開口76aが形成されている。   The substrate Z on which the organic layer 90 is formed in the organic layer forming chamber 70 is then transferred to the end portion forming chamber 72. The organic layer forming chamber 70 and the end portion forming chamber 72 are partitioned by a wall 76, and a slit-like opening 76a through which the substrate Z passes is formed.

端部形成室70は、ガイドローラ21bと端部形成部50とが設けられている。
ガイドローラ21bは、有機層90を成膜された基板Zを端部形成部50の折曲部52に搬送するものである。このガイドローラ21bは、第1の実施形態のガイドローラ21と同様の構成であり、その詳細な説明は省略する。
端部形成部50は、第1の実施形態に比して、折曲部52および圧着部54のレイアウトが異なるだけであり、それ以外の折曲部52および圧着部54の構成は、第1の実施形態の端部形成部50と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
The end portion forming chamber 70 is provided with a guide roller 21 b and an end portion forming portion 50.
The guide roller 21 b conveys the substrate Z on which the organic layer 90 is formed to the bent portion 52 of the end portion forming unit 50. The guide roller 21b has the same configuration as the guide roller 21 of the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted.
The end portion forming portion 50 is different from the first embodiment only in the layout of the bent portion 52 and the crimping portion 54, and the other configurations of the bent portion 52 and the crimping portion 54 are the first. Since it is the structure similar to the edge part formation part 50 of this embodiment, the detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態においては、折曲部52が、ガイド板52b(図2参照)が上向きとなるように配置されている。
また、圧着部54は、第1の実施形態に比して、ヒートローラ56が上側で、プレッシャーローラ58が下側に配置されている。
In the present embodiment, the bent portion 52 is disposed so that the guide plate 52b (see FIG. 2) faces upward.
Further, in the crimping portion 54, the heat roller 56 is disposed on the upper side and the pressure roller 58 is disposed on the lower side as compared with the first embodiment.

本実施形態においては、端部形成部50の折曲部52により、表面Zfに有機層90が形成された基板Zの端部Zeを、基板Zの成膜面側(有機層90の表面90a側)に折り曲げ、この状態で基板Zの端Zeを、圧着部54を通過させることにより、端部Zeを基板Zの表面Zfに固定し一体化させて厚肉部αを形成する。   In the present embodiment, the end portion Ze of the substrate Z on which the organic layer 90 is formed on the surface Zf by the bent portion 52 of the end portion forming portion 50 is changed to the film formation surface side of the substrate Z (the surface 90a of the organic layer 90). The end Ze of the substrate Z is allowed to pass through the crimping part 54 in this state, whereby the end Ze is fixed to the surface Zf of the substrate Z and integrated to form the thick part α.

端部形成室72で厚肉部αが形成された基板Zは、成膜室14に搬送される。端部形成室72と成膜室14とは、壁78により区画されており、基板Zが通過するスリット状の開口78aが形成されている。   The substrate Z on which the thick portion α is formed in the end portion forming chamber 72 is transferred to the film forming chamber 14. The edge forming chamber 72 and the film forming chamber 14 are partitioned by a wall 78, and a slit-shaped opening 78a through which the substrate Z passes is formed.

成膜室14は、有機層90の表面90aに真空成膜法によって所定の膜fを形成するところである。
本実施形態の成膜室14には、第1の実施形態と同様に、2つのガイドローラ24a、28aと、ドラム26と、成膜部40とが設けられている。これらのガイドローラ24a、28aと、ドラム26と、成膜部40とは、それぞれ第1の実施形態と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
The film forming chamber 14 is a place where a predetermined film f is formed on the surface 90a of the organic layer 90 by a vacuum film forming method.
In the film forming chamber 14 of the present embodiment, two guide rollers 24a and 28a, a drum 26, and a film forming unit 40 are provided as in the first embodiment. Since the guide rollers 24a and 28a, the drum 26, and the film forming unit 40 have the same configuration as that of the first embodiment, detailed description thereof is omitted.

2つのガイドローラ24a、28aが垂直方向に離間して配置されており、この2つのガイドローラ24a、28aの間の空間Hの側方にドラム26が配置されている。
本実施形態の成膜室14においては、ドラム26に対して、水平方向に基板Zが搬送されて巻き掛けられて、成膜室14の側方で成膜される。このため、成膜電極42a、および仕切部48が、第1の実施形態のように成膜室14の下方ではなく、側方に設けられている。
The two guide rollers 24a and 28a are spaced apart in the vertical direction, and the drum 26 is disposed on the side of the space H between the two guide rollers 24a and 28a.
In the film forming chamber 14 of the present embodiment, the substrate Z is transported and wound around the drum 26 in the horizontal direction, and the film is formed on the side of the film forming chamber 14. For this reason, the film-forming electrode 42a and the partition part 48 are provided not on the lower side of the film-forming chamber 14 but on the side as in the first embodiment.

本実施形態においては、隙間Sで、成膜電極42の近傍に局在化したプラズマが生成され、原料ガスが励起・解離される。これにより、基板Zにおいて、厚肉部αに挟まれた基板Zの中央部Zcの表面Zfの有機膜90の表面90aに所定の膜fが形成される。   In the present embodiment, plasma localized in the vicinity of the deposition electrode 42 is generated in the gap S, and the source gas is excited and dissociated. Thereby, in the substrate Z, a predetermined film f is formed on the surface 90a of the organic film 90 of the surface Zf of the central portion Zc of the substrate Z sandwiched between the thick portions α.

成膜室14で有機膜90の表面90aに所定の膜fが形成された基板Zは、巻取り室16に搬送される。成膜室14と巻取り室16とは、壁15bにより区画されており、基板Zが通過するスリット状の開口15dが形成されている。巻取り室16のガイドローラ31aによって案内されて巻取りロール30により、基板Zが巻き取られる。この場合、基板Zの裏面Zbを巻取りロール30の表面30aに向けて巻き取られ、巻取部材(フィルムロール)102(図8(d)参照)を得る。この巻取部材102に巻き取られた、膜fが成膜された長尺な基板Z(機能性フィルムF)は、そのまま機能性フィルムF等の最終製品として用いられるものであっても、また、更に成膜、裁断などの加工が施されるものであってもよい。加工される場合には、機能性フィルムロールとして、次の工程に供される。   The substrate Z on which the predetermined film f is formed on the surface 90 a of the organic film 90 in the film forming chamber 14 is transferred to the winding chamber 16. The film forming chamber 14 and the winding chamber 16 are partitioned by a wall 15b, and a slit-shaped opening 15d through which the substrate Z passes is formed. The substrate Z is taken up by the take-up roll 30 while being guided by the guide roller 31 a in the take-up chamber 16. In this case, the back surface Zb of the substrate Z is wound toward the front surface 30a of the winding roll 30, and a winding member (film roll) 102 (see FIG. 8D) is obtained. Even if the long substrate Z (functional film F) wound around the winding member 102 and having the film f formed thereon is used as a final product such as the functional film F as it is, Further, processing such as film formation and cutting may be performed. When processed, it is provided to the next step as a functional film roll.

本実施形態においては、基板Zの表面Zfに有機層90を形成した後、基板Zの両方の端Zvに厚肉部αを形成し、有機層90の表面90aに膜fを形成し、機能性フィルムFを得る点が異なるだけであるため、第1の実施形態の成膜装置および成膜方法と同様の効果を得ることができる。   In this embodiment, after forming the organic layer 90 on the surface Zf of the substrate Z, the thick portions α are formed on both ends Zv of the substrate Z, and the film f is formed on the surface 90a of the organic layer 90. Since the only difference is that the conductive film F is obtained, the same effects as those of the film forming apparatus and the film forming method of the first embodiment can be obtained.

本実施形態の成膜方法においては、図8(a)に示すように、基板Zの表面Zfに有機層90を形成した後、基板Zの端部Zeを、有機層90が形成された側(基板Zの表面Zf側)に折り曲げる。そして、図8(b)に示すように、圧着部54で基板Zの両方の端Zvに厚肉部αを形成する。そして、図8(c)に示すように、この有機層90の表面90aに膜fを形成し、機能性フィルムFを得る。そして、この機能性フィルムFの基板Zの裏面Zbをロール30の表面30aに向けて巻き取られ、巻取部材(フィルムロール)102(図8(d)参照)を得る。   In the film forming method of the present embodiment, as shown in FIG. 8A, after the organic layer 90 is formed on the surface Zf of the substrate Z, the end Ze of the substrate Z is disposed on the side where the organic layer 90 is formed. Bend to the surface Zf side of the substrate Z. Then, as shown in FIG. 8B, thick portions α are formed at both ends Zv of the substrate Z by the crimping portion 54. And as shown in FIG.8 (c), the film | membrane f is formed in the surface 90a of this organic layer 90, and the functional film F is obtained. And the back surface Zb of the board | substrate Z of this functional film F is wound toward the surface 30a of the roll 30, and the winding member (film roll) 102 (refer FIG.8 (d)) is obtained.

本実施形態においては、基板Zの表面Zfに有機層90が形成されており、この有機層90が、ヒートローラ56の熱により接着性を発現するものであれば、端部Zeの密着性が高くなり、厚肉部αの厚さの均一性が高くなる。このため、本実施形態においては、有機層90は、所定の温度に加熱した場合、接着性を発現するものであることが好ましい。   In the present embodiment, if the organic layer 90 is formed on the surface Zf of the substrate Z and the organic layer 90 exhibits adhesiveness due to the heat of the heat roller 56, the adhesion of the end Ze is high. The thickness is increased, and the thickness uniformity of the thick portion α is increased. For this reason, in this embodiment, it is preferable that the organic layer 90 exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature.

所定の温度に加熱した場合、接着性を発現するものとしては、例えば、ダイゾーニチモリ製エポテックシリーズ、スリーボンド製3000シリーズ等の市販の接着剤が挙げられる。ダイゾーニチモリ製エポテックシリーズには、UV照射および加熱の併用硬化タイプのものがあり、スリーボンド製3000シリーズには、加熱硬化タイプのものがある。これらを用いて有機層90を形成する場合には、いずれも基板Zの表面Zfに接着剤を塗布した後、この接着剤が未硬化状態で基板Zを搬送し、更に基板Zの端部Zeを折り込んで厚肉部αを形成する必要がある。この場合、搬送時に、接着剤がローラなどに付着する虞がある。このため、加熱硬化タイプのスリーボンド製3000シリーズを用いる場合には、本実施形態の有機形成部80および端部形成部50の構成を変えて、基板Zの端部Zeの折り曲げる領域には有機層90となる接着剤を塗布せずに、接着剤が塗布された基板Zを段差ローラにより搬送し、折曲部52で端部Zeを折り曲げた後、圧着部54で厚肉部αを形成する。   Examples of materials that exhibit adhesiveness when heated to a predetermined temperature include commercially available adhesives such as Daizonichimo Epotech series and ThreeBond 3000 series. The Ezonec series made by Daizonichimori has a UV curing and heating combined curing type, and the ThreeBond 3000 series has a heating curing type. In the case where the organic layer 90 is formed using these, after applying an adhesive to the surface Zf of the substrate Z, the adhesive Z is transported in an uncured state, and the end portion Ze of the substrate Z is further transferred. Must be folded to form the thick portion α. In this case, there is a possibility that the adhesive adheres to the roller or the like during conveyance. For this reason, when using the 3000 series made of heat-curing type three bond, the configuration of the organic forming portion 80 and the end portion forming portion 50 of the present embodiment is changed, and the organic layer is formed in the region where the end portion Ze of the substrate Z is bent. The substrate Z coated with the adhesive is conveyed by the step roller without applying the adhesive 90, and the end portion Ze is bent by the bent portion 52, and then the thick portion α is formed by the crimping portion 54. .

さらには、UV照射および加熱の併用硬化タイプのダイゾーニチモリ製エポテックシリーズを用いる場合にも、本実施形態の有機形成部80および端部形成部50の構成を変えて、基板Zの端部Zeの折り曲げる領域には有機層90となる接着剤を塗布せずに、接着剤が塗布された基板Zを段差ローラにより搬送し、折曲部52で端部Zeを折り曲げた後、圧着部54において、接着剤にUV照射をしつつ厚肉部αを形成する。   Furthermore, also when using the EPOTEC series made by Daizonichimori, which is a combined curing type of UV irradiation and heating, the configuration of the organic forming unit 80 and the end forming unit 50 of the present embodiment is changed, and the end Ze of the substrate Z is changed. The substrate Z to which the adhesive is applied is conveyed by the step roller without applying the adhesive that becomes the organic layer 90 to the region to be bent, and the end portion Ze is bent at the bent portion 52, and then the crimping portion 54 The thick part α is formed while the adhesive is irradiated with UV.

また、本実施形態においても、有機層90を形成した後に、厚肉部αを形成したが、本発明は、これに限定されるものではない。有機層90を形成し、その表面90aに膜fを形成した後、第2の実施形態のように、基板Zの端部Zeを折り曲げて厚肉部αを形成することもできる。
さらには、本実施形態においても、第1の実施形態のように、厚肉部αにおいて、成膜する側(有機層90の表面90a側)の表面に凸部62の形状を反映した凹凸パターン64を長手方向に沿って形成してもよい。
Also in this embodiment, the thick portion α is formed after the organic layer 90 is formed, but the present invention is not limited to this. After the organic layer 90 is formed and the film f is formed on the surface 90a, the end portion Ze of the substrate Z can be bent to form the thick portion α as in the second embodiment.
Furthermore, also in this embodiment, as in the first embodiment, in the thick portion α, the uneven pattern reflecting the shape of the convex portion 62 on the surface on the film forming side (the surface 90a side of the organic layer 90). 64 may be formed along the longitudinal direction.

上述のいずれの第1の実施形態〜第3の実施形態において、成膜する膜fは、特に限定されるものではなく、真空成膜法によって成膜可能なものであれば、製造する機能性フィルムFに応じて要求される機能を有するものが適宜形成することができる。また、膜fの厚さにも、特に限定はなく、成膜する膜fおよび機能性フィルムFに応じて要求される性能に応じて、必要な膜さを適宜決定すればよい。   In any of the first to third embodiments described above, the film f to be formed is not particularly limited, and the functionality to be manufactured is as long as it can be formed by a vacuum film forming method. What has the function requested | required according to the film F can be formed suitably. Further, the thickness of the film f is not particularly limited, and a necessary film thickness may be appropriately determined according to performance required according to the film f and the functional film F to be formed.

膜fとしては、例えば、無機膜である。
例えば、機能性フィルムFとして、ガスバリアフィルム(水蒸気バリアフィルム)を製造する際には、膜fとして、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ケイ素膜等の無機を成膜する。
また、機能性フィルムFとして、有機ELディスプレイおよび液晶ディスプレイのような表示装置などの各種のデバイスまたは装置の保護フィルムを製造する際には、膜fとして、酸化ケイ素膜等の無機膜を成膜する。
さらに、機能性フィルムFとして、光反射防止フィルム、光反射フィルム、各種のフィルタ等の光学フィルムを製造する際には、膜fとして、目的とする光学特性を有する膜、または目的とする光学特性を発現する材料からなる膜を成膜する。
中でも特に、有機層90の優れた表面平滑性および表面性状によって、緻密で、かつ、割れや抜け極めて少なく、さらに平滑性に優れ、ガスバリア性の優れた無機膜を成膜できる等の点で、本発明は、ガスバリアフィルムの製造には最適である。
An example of the film f is an inorganic film.
For example, when a gas barrier film (water vapor barrier film) is manufactured as the functional film F, an inorganic film such as a silicon nitride film, an aluminum oxide film, or a silicon oxide film is formed as the film f.
When manufacturing protective films for various devices or devices such as display devices such as organic EL displays and liquid crystal displays as the functional film F, an inorganic film such as a silicon oxide film is formed as the film f. To do.
Further, when an optical film such as a light reflection preventing film, a light reflection film, and various filters is manufactured as the functional film F, the film f has a film having a desired optical characteristic or a desired optical characteristic. A film made of a material that expresses is formed.
Among them, in particular, due to the excellent surface smoothness and surface properties of the organic layer 90, it is possible to form an inorganic film that is dense and has very few cracks and missing, and that is excellent in smoothness and gas barrier properties. The present invention is optimal for the production of gas barrier films.

さらに、形成する膜fは、単層に限定はされず、複数層であってもよい。膜fを複数層形成する場合には、各層は、同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。   Furthermore, the film f to be formed is not limited to a single layer, and may be a plurality of layers. When a plurality of layers of the film f are formed, each layer may be the same or different from each other.

本実施形態の成膜装置10においては、プラズマCVDを例にして、説明したが、プラズマCVDに限定されるものではない。本発明の成膜部は、気相成膜法を用いるものであれば、各種の物理的気相成長法(PVD:Physical Vapor Deposition)、化学的気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いることもできる。   The film forming apparatus 10 of the present embodiment has been described by taking plasma CVD as an example, but is not limited to plasma CVD. As long as the film-forming part of this invention uses a vapor-phase film-forming method, various physical vapor deposition methods (PVD: Physical Vapor Deposition), chemical vapor deposition method (CVD: Chemical Vapor Deposition), A sputtering method, a vapor deposition method, an ion plating method, or the like can also be used.

以上、本発明の成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロールについて詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのは、もちろんである。   As described above, the film forming apparatus, the film forming method, the functional film, and the film roll of the present invention have been described in detail. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various types can be made without departing from the gist of the present invention. Of course, improvements and changes may be made.

本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the film-forming apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る成膜装置の端部形成部を示す模式的斜視図である。It is a typical perspective view which shows the edge part formation part of the film-forming apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. (a)〜(d)は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置による成膜工程を工程順に示す模式図である。(A)-(d) is a schematic diagram which shows the film-forming process by the film-forming apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention in process order. (a)は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の第2の圧着部を示す模式図であり、(b)は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の第2の圧着部を示す模式的側面図であり、(c)は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の第2の圧着部により形成されるパターンを示す模式的斜視図である。(A) is a schematic diagram which shows the 2nd crimping | compression-bonding part of the film-forming apparatus of the 1st Embodiment of this invention, (b) is 2nd of the film-forming apparatus of the 1st Embodiment of this invention. It is a typical side view which shows this crimping | compression-bonding part, (c) is a typical perspective view which shows the pattern formed by the 2nd crimping | compression-bonding part of the film-forming apparatus of the 1st Embodiment of this invention. (a)は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の圧着部により形成されるパターンの一例を示す模式的斜視図であり、(b)は、本発明の第1の実施形態の成膜装置の圧着部により形成されるパターンの他の例を示す模式的斜視図である。(A) is a typical perspective view which shows an example of the pattern formed by the crimping | compression-bonding part of the film-forming apparatus of the 1st Embodiment of this invention, (b) is the 1st Embodiment of this invention. It is a typical perspective view which shows the other example of the pattern formed by the crimping | compression-bonding part of the film-forming apparatus. 本発明の第2の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the film-forming apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the film-forming apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. (a)〜(d)は、本発明の第3の実施形態に係る成膜装置による成膜工程を工程順に示す模式図である。(A)-(d) is a schematic diagram which shows the film-forming process by the film-forming apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention in process order.

符号の説明Explanation of symbols

10 成膜装置
12 供給室
14 成膜室
16 巻取り室
20 基板ロール
21、21a、24、24a、28、28a、31、31a ガイドローラ
30 巻取りロール
32 真空排気部
36 制御部
40 成膜部
42 成膜電極
44 高周波電源
46 原料ガス供給部
50 端部形成部
52 折曲部
54 圧着部
70 有機層形成室
72 端部形成室
80 有機層形成部
82 モノマーノズル
84 UV照射部
100 巻取部材
D 搬送方向
Z 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Film-forming apparatus 12 Supply chamber 14 Film-forming chamber 16 Wind-up chamber 20 Substrate roll 21, 21a, 24, 24a, 28, 28a, 31, 31a Guide roller 30 Wind-up roll 32 Vacuum exhaust part 36 Control part 40 Film-forming part DESCRIPTION OF SYMBOLS 42 Film-forming electrode 44 High frequency power supply 46 Source gas supply part 50 End part formation part 52 Bending part 54 Crimp part 70 Organic layer formation room 72 End part formation room 80 Organic layer formation part 82 Monomer nozzle 84 UV irradiation part 100 Winding member D Transport direction Z Substrate

Claims (15)

長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容器内で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜装置であって、
前記真空容器内を所定の真空度にする真空排気手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する端部形成部と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a predetermined film on the surface of the substrate in a vacuum vessel while conveying a long substrate in the longitudinal direction,
Vacuum evacuation means for making the inside of the vacuum vessel a predetermined degree of vacuum;
An end that is provided in the vacuum vessel and that is bent and crimped in the widthwise end portion of the substrate to form thicker portions thicker than the center portion of the substrate along the transport direction of the substrate at both ends of the substrate. A part forming part;
A film forming apparatus, comprising: a film forming unit which is provided in the vacuum container and forms a predetermined film on the surface of the substrate by a vapor phase film forming method.
長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容器内で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜装置であって、
前記真空容器内を所定の真空度にする真空排気手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板の表面に有機層を形成する有機層形成部と、
前記真空容器内に設けられ、前記有機層が形成された基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する端部形成部と、
前記真空容器内に設けられ、前記有機層の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する成膜部とを有することを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a predetermined film on the surface of the substrate in a vacuum vessel while conveying a long substrate in the longitudinal direction,
Vacuum evacuation means for making the inside of the vacuum vessel a predetermined degree of vacuum;
An organic layer forming part that is provided in the vacuum vessel and forms an organic layer on the surface of the substrate;
The end portion in the width direction of the substrate on which the organic layer is formed provided in the vacuum vessel is bent and pressure-bonded, and thick portions thicker than the center portion of the substrate are provided at both ends of the substrate in the transport direction of the substrate. An end forming part formed along
A film forming apparatus, comprising: a film forming unit which is provided in the vacuum container and forms a predetermined film on a surface of the organic layer by a vapor phase film forming method.
前記端部形成部は、前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記折り曲げられた部分の表面に凹凸を形成する請求項1または2に記載の成膜装置。   3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the end portion forming portion forms irregularities on a surface of the bent portion when the substrate is pressure-bonded or after pressure-bonding. 4. 前記端部形成部は、前記基板を圧着するヒートロールを有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。   The said edge part formation part is a film-forming apparatus of any one of Claims 1-3 which has a heat roll which crimps | bonds the said board | substrate. 前記有機層は、所定の温度に加熱されると接着性を発現するものである請求項2〜4のいずれか1項に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 2, wherein the organic layer exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature. 長尺の基板を長手方向に搬送しながら、真空容中で前記基板の表面に所定の膜を形成する成膜方法であって、
前記基板の幅方向の端部を折り曲げて圧着し、前記基板の中央部よりも厚い厚肉部を前記基板の両端に前記基板の搬送方向に沿って形成する工程と、
前記基板の表面に、気相成膜法により所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
A film forming method for forming a predetermined film on the surface of the substrate in a vacuum while conveying a long substrate in the longitudinal direction,
Bending and crimping the widthwise end of the substrate, and forming thick portions thicker than the central portion of the substrate at both ends of the substrate along the transport direction of the substrate;
And a step of forming a predetermined film on the surface of the substrate by a vapor deposition method.
前記基板の幅方向の端部は、前記膜が形成される成膜面側に折り曲げられる請求項6に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 6, wherein an end in the width direction of the substrate is bent toward a film forming surface on which the film is formed. 前記厚肉部を前記基板の両端に形成する前、または前記厚肉部を前記基板の両端に形成した後に、前記基板の表面に有機層を形成する工程を有する請求項6または7に記載の成膜方法。   8. The method according to claim 6, further comprising a step of forming an organic layer on a surface of the substrate before the thick portion is formed on both ends of the substrate or after the thick portion is formed on both ends of the substrate. Film forming method. 前記厚肉部を形成するために前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記折り曲げられた部分の表面に凹凸を形成する請求項6〜8のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 6, wherein unevenness is formed on a surface of the bent portion when the substrate is pressure-bonded to form the thick-walled portion or after the substrate is pressure-bonded. 前記厚肉部を形成するために前記基板を圧着する際または圧着した後に、前記所定の温度に加熱して圧着する請求項6〜9のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film forming method according to claim 6, wherein the substrate is heated at the predetermined temperature for pressure bonding when the substrate is pressure-bonded or formed after pressure bonding in order to form the thick portion. 前記有機層は、所定の温度に加熱されると接着性を発現するものである請求項6〜10のいずれか1項に記載の成膜方法。   The film formation method according to claim 6, wherein the organic layer exhibits adhesiveness when heated to a predetermined temperature. 長尺の基板と、前記基板の表面に形成された機能性膜とを有し、
前記基板は、その幅方向の端部が折り曲げられて圧着されて前記基板の中央部よりも厚い厚肉部が前記基板の両端に前記基板の幅方向と直交する長手方向に沿って形成されていることを特徴とする機能性フィルム。
Having a long substrate and a functional film formed on the surface of the substrate;
The substrate is formed such that a thick portion thicker than a central portion of the substrate is formed at both ends of the substrate along a longitudinal direction perpendicular to the width direction of the substrate. A functional film characterized by
前記基板と前記機能性膜との間に有機層が形成されている請求項12に記載の機能性フィルム。   The functional film according to claim 12, wherein an organic layer is formed between the substrate and the functional film. 前記厚肉部は、前記機能性膜が形成されている側の面に凹凸が形成されている請求項12または13に記載の機能性フィルム。   The functional film according to claim 12 or 13, wherein the thick part has irregularities formed on the surface on which the functional film is formed. 前記請求項12〜14のいずれか1項に記載の機能性フィルムと、ロールとを有し、前記機能性フィルムは前記ロールに巻き取られていること特徴とするフィルムロール。   A film roll comprising the functional film according to any one of claims 12 to 14 and a roll, wherein the functional film is wound around the roll.
JP2008041558A 2008-02-22 2008-02-22 Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll Withdrawn JP2009197286A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008041558A JP2009197286A (en) 2008-02-22 2008-02-22 Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008041558A JP2009197286A (en) 2008-02-22 2008-02-22 Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009197286A true JP2009197286A (en) 2009-09-03

Family

ID=41141113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008041558A Withdrawn JP2009197286A (en) 2008-02-22 2008-02-22 Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009197286A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020852A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 株式会社神戸製鋼所 Web substrate roll-forming device and web substrate roll
KR20180032280A (en) * 2016-09-22 2018-03-30 주식회사 토바 The System for Non-contact Double ALD Vacuum Evaporation using Roll to Roll
JP2018085274A (en) * 2016-11-25 2018-05-31 スタンレー電気株式会社 Assembly structure of light guide rod in vehicular lighting fixture
KR20180070074A (en) * 2016-12-16 2018-06-26 주식회사 토바 Roll-To-Roll ALD System using Air Conditioner
KR101879293B1 (en) * 2016-07-20 2018-07-17 주식회사 토바 Three Dimensional High Precision Control for Flexible Thin Film in Roll to Roll System
KR101902257B1 (en) * 2016-09-02 2018-09-28 주식회사 토바 The Device for Material Double ALD Vacuum Evaporation using Roll to Roll
KR101902258B1 (en) * 2016-09-22 2018-09-28 주식회사 토바 The System for ALD Vacuum Evaporation using Dual Structure Roll to Roll

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014020852A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 株式会社神戸製鋼所 Web substrate roll-forming device and web substrate roll
KR101879293B1 (en) * 2016-07-20 2018-07-17 주식회사 토바 Three Dimensional High Precision Control for Flexible Thin Film in Roll to Roll System
KR101902257B1 (en) * 2016-09-02 2018-09-28 주식회사 토바 The Device for Material Double ALD Vacuum Evaporation using Roll to Roll
KR20180032280A (en) * 2016-09-22 2018-03-30 주식회사 토바 The System for Non-contact Double ALD Vacuum Evaporation using Roll to Roll
KR101879297B1 (en) * 2016-09-22 2018-07-17 주식회사 토바 The System for Non-contact Double ALD Vacuum Evaporation using Roll to Roll
KR101902258B1 (en) * 2016-09-22 2018-09-28 주식회사 토바 The System for ALD Vacuum Evaporation using Dual Structure Roll to Roll
JP2018085274A (en) * 2016-11-25 2018-05-31 スタンレー電気株式会社 Assembly structure of light guide rod in vehicular lighting fixture
KR20180070074A (en) * 2016-12-16 2018-06-26 주식회사 토바 Roll-To-Roll ALD System using Air Conditioner
KR101902260B1 (en) * 2016-12-16 2018-09-28 주식회사 토바 Roll-To-Roll ALD System using Air Conditioner

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5081712B2 (en) Deposition equipment
JP4536784B2 (en) Method for producing functional film
JP5255856B2 (en) Method for producing functional film
US8540837B2 (en) Functional film and method for manufacturing the functional film
JP2009197286A (en) Film-forming apparatus, film-forming method, functional film and film roll
JP5770122B2 (en) Method for producing functional film
KR101819402B1 (en) Functional film and method for producing functional film
JP5318020B2 (en) Method for producing functional film
JP5274342B2 (en) Method for producing functional film
JP2009269193A (en) Laminate and method of manufacturing the same
JP5331740B2 (en) Functional film
JP5364001B2 (en) Method for producing functional film
KR101730780B1 (en) Functional film and process for manufacturing functional film
JP5461245B2 (en) Manufacturing method of laminate
JP5335720B2 (en) Method for producing functional film
JP2009269192A (en) Method of manufacturing laminate, laminate, multilayer film, and laminated sheet
JP2010070309A (en) Optical film and its manufacturing method
JP5069174B2 (en) Gas barrier film manufacturing apparatus and gas barrier film manufacturing method
US20100068528A1 (en) Laminate and laminate production apparatus
JP5374104B2 (en) Manufacturing method of laminate
JP2013208855A (en) Method and device for producing functional film
JP2010076198A (en) Method for manufacturing laminate
JP2009241255A (en) Functional film manufacturing apparatus
JP2010069838A (en) Film and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110510