JP2009194309A - Thermoelectric module - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、熱電材料のゼーベック効果を利用したものとして、例えば外気と体温など小さな温度差による発電、自動車の排熱を利用した発電、その他、焼却炉や暖房器具、家庭排熱を利用した発電に利用できる熱電モジュールに関するものである。また、熱電材料のペルチェ効果を利用したものとして、例えばCPUの冷却、レーザ媒質の冷却等、局所的な冷却・温度制御に利用できる熱電モジュールに関するものである。更に、その他、微小な温度変化を検知する温度センサとして、例えば高感度な温度センサ、光センサ、ガスセンサに利用できる熱電モジュールに関するものである。 The present invention uses the Seebeck effect of a thermoelectric material, for example, power generation using a small temperature difference such as outside air and body temperature, power generation using exhaust heat from an automobile, other incinerators and heating appliances, power generation using household exhaust heat It is related with the thermoelectric module which can be utilized for. Further, the present invention relates to a thermoelectric module that can be used for local cooling and temperature control, such as cooling of a CPU, cooling of a laser medium, etc., as a device that uses the Peltier effect of a thermoelectric material. Further, the present invention relates to a thermoelectric module that can be used for, for example, a highly sensitive temperature sensor, optical sensor, and gas sensor as a temperature sensor that detects minute temperature changes.
従来より、熱電材料の性能は、一般に性能指数ZTを用いて表されている。ここで、Zは、ゼーベック係数αと抵抗率ρと熱伝導率κを用いて、Z=α2/(ρ、κ)で表され、Tは絶対温度である。 Conventionally, the performance of thermoelectric materials is generally expressed using the figure of merit ZT. Here, Z is expressed by Z = α 2 / (ρ, κ) using Seebeck coefficient α, resistivity ρ, and thermal conductivity κ, and T is an absolute temperature.
この熱電材料が広く実用化されるためには、ZT>2が必要であるといわれているが、代表的な熱電材料であるBiTe系熱電材料でもZTは1程度であり、更なる性能の向上を求め、様々な材料で研究がなされてきた。 It is said that ZT> 2 is necessary for this thermoelectric material to be put into practical use, but ZT is about 1 even in a BiTe thermoelectric material, which is a typical thermoelectric material, and further performance improvement Research has been conducted on various materials.
その中で、ある量子井戸熱電材料(超格子熱電材料)においては、バルクの熱電材料に比べ著しく大きなZT=2.4が報告されている(非特許文献1参照)。この量子井戸熱電材料とは、エネルギーギャップの異なる2種の材料を、薄膜的手法により基板上に数〜数10nmの厚みで交互に積層させることにより形成されるものである。 Among them, in a certain quantum well thermoelectric material (superlattice thermoelectric material), ZT = 2.4, which is significantly larger than that of a bulk thermoelectric material, has been reported (see Non-Patent Document 1). The quantum well thermoelectric material is formed by alternately stacking two kinds of materials having different energy gaps on a substrate with a thickness of several to several tens of nanometers by a thin film technique.
しかしながら、この量子井戸熱電材料は、熱電素子が気相成長プロセスで形成されて薄膜となるため、モジュール化するのが困難であり、それに伴う各種の問題がある。具体的には、量子井戸熱電材料は基板上に形成される薄膜であるため、モジュール化することが困難であるという問題があった。 However, this quantum well thermoelectric material is difficult to be modularized because thermoelectric elements are formed by a vapor phase growth process to form a thin film, and there are various problems associated therewith. Specifically, since the quantum well thermoelectric material is a thin film formed on a substrate, there is a problem that it is difficult to make a module.
この薄膜を如何にしてモジュール化するかという課題に対して、量子井戸熱電材料を用い、それぞれ所定の工夫を加えて熱電発電モジュールを作製する方法が提案されている(特許文献1〜3参照)。なお、その他、一部に薄膜を用いた熱電モジュールの作製方法も提案されている(特許文献4〜6参照)。
また、基板上に形成された量子井戸材料からなる薄膜(量子井戸薄膜)を熱電素子として用いる場合、その膜面方向(基板に平行)に温度差をつけて用いる方法と、膜厚方向(基板に垂直)に温度差をつけて用いる方法の、2通りの使用方法が考えられる。 In addition, when a thin film (quantum well thin film) made of a quantum well material formed on a substrate is used as a thermoelectric element, a method of using a temperature difference in the film surface direction (parallel to the substrate) and the film thickness direction (substrate Two methods of use are conceivable: a method using a temperature difference in the direction perpendicular to
まず、膜面方向に温度差をつけて用いる場合は、薄膜の熱電素子に与えられる温度差は基板の熱伝導率に依存するため、熱伝導率の低い基板を用いて、熱電素子に与えられる温度差を大きくする必要がある。 First, in the case of using a temperature difference in the film surface direction, the temperature difference given to the thin film thermoelectric element depends on the thermal conductivity of the substrate, so it is given to the thermoelectric element using a substrate having a low thermal conductivity. It is necessary to increase the temperature difference.
この膜面方向に用いる方法として、前記特許文献1の技術では、熱伝導率の低い基板として、長い帯状のカプトンフィルムを用い、その第1、第2の表面にそれぞれP型とN型の量子井戸薄膜を不連続に形成し、基板の側面を介してP型とN型の熱電素子を直列に接続し、これをロール状に巻くことにより熱電モジュールとしている。
As a method used in the film surface direction, in the technique of
しかしながら、カプトンの耐熱性は400℃程度と低く、熱電材料の性能を発現させるために作製過程において高温(>400℃)のプロセスが必要である場合、カプトンは用いることができない。しかも、薄膜形成された熱電素子の断面積は小さく、熱電モジュール全体の抵抗値が大きくなり電流値が小さくなる。 However, the heat resistance of Kapton is as low as about 400 ° C., and Kapton cannot be used when a high temperature (> 400 ° C.) process is required in the production process in order to develop the performance of the thermoelectric material. Moreover, the cross-sectional area of the thin thermoelectric element is small, the resistance value of the entire thermoelectric module increases, and the current value decreases.
また、膜面方向に温度差をつけて用いる場合は、熱流に対するモジュール断面積のうち、薄膜形成された熱電材料の断面積が占める割合は低く、温度差と電力の変換を効率よく行うことが困難であるという問題もある。 In addition, when using with a temperature difference in the film surface direction, the ratio of the cross-sectional area of the thermoelectric material formed in a thin film to the module cross-sectional area with respect to the heat flow is low, and the temperature difference and power can be converted efficiently. There is also the problem that it is difficult.
一方、膜厚方向に温度差をつけて用いる場合は、基板の熱伝導率は高い方が望ましい。また、熱流に対するモジュール断面積のうち熱電材料が占める割合が大きいので、より効率的に温度差と電力の変換を行うことができる。 On the other hand, when a temperature difference is used in the film thickness direction, it is desirable that the substrate has a higher thermal conductivity. Moreover, since the ratio which a thermoelectric material occupies is large among the module cross-sectional areas with respect to a heat flow, it can convert a temperature difference and electric power more efficiently.
しかし、この技術の場合は、薄膜の厚みという小さな距離の間に温度差をつけて用いるため、大きな温度差は得られ難いなどの問題がある。
なお、前記特許文献2には、マスキングにより、所定の形状に下部電極、熱電素子、上部電極を連続的に形成する技術が開示されているが、P型又はN型のどちらか一方の熱電素子のみを用いる技術に過ぎない。
However, this technique has a problem that a large temperature difference is difficult to obtain because it is used with a temperature difference between a small distance of the thickness of the thin film.
The above-mentioned Patent Document 2 discloses a technique for continuously forming a lower electrode, a thermoelectric element, and an upper electrode in a predetermined shape by masking. However, either P-type or N-type thermoelectric element is disclosed. It's just a technology that uses only.
また、これとは別に、何層もの量子井戸熱電材料をバルクの熱電材料と同等の厚みまで積層させ、これを一つの素子として用いる技術(特許文献3参照)がある。しかしながら、この方法で得られる熱電モジュールは非常に高価なものとなる。 In addition to this, there is a technique (see Patent Document 3) in which multiple layers of quantum well thermoelectric materials are laminated to a thickness equivalent to that of bulk thermoelectric materials and used as one element. However, the thermoelectric module obtained by this method is very expensive.
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、薄膜熱電材料の膜厚方向に温度差をつけて用いることができ、その製造が容易で実用的な熱電モジュールを提供することである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a thermoelectric module that can be used with a temperature difference in the film thickness direction of the thin film thermoelectric material and that is easy to manufacture and practical. Is to provide.
(1)請求項1の発明は、P型熱電素子とN型熱電素子とを交互に直列に接続することにより形成される熱電モジュールにおいて、少なくとも表面が電気絶縁性を有する基板と、前記基板上に、平面方向に相互に離間して、気相成長プロセスによって形成された複数の下部電極と、前記下部電極上に、平面方向に相互に離間して、気相成長プロセスによって形成された一対のP型熱電素子及びN型熱電素子と、隣接した一対の前記下部電極間にて、一方の下部電極上のP型熱電素子と他方の下部電極上のN型熱電素子とを、電気的に接続する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極とを、電気的に絶縁する絶縁層と、を備えたことを特徴とする。
(1) The invention of
本発明は、P型及びN型の熱電素子を配置した下部電極と、隣接する一方の下部電極のP型熱電素子と他方の下部電極のN型熱電素子とを接続する上部電極(即ち隣接する下部電極上の熱電素子を接続する場合に、種類の異なる熱電素子同士を接続する上部電極)と、その下部電極と上部電極を電気的に絶縁する絶縁層とを備えた構成であるので、薄膜熱電材料の膜厚方向(即ち熱電素子等の厚み方向)に温度差をつける実用的な熱電モジュールを容易に作製できる。 The present invention relates to a lower electrode in which P-type and N-type thermoelectric elements are arranged, and an upper electrode that connects a P-type thermoelectric element of one adjacent lower electrode and an N-type thermoelectric element of the other lower electrode (ie, adjacent to each other). When connecting the thermoelectric elements on the lower electrode, the thin film has a structure including an upper electrode that connects different types of thermoelectric elements) and an insulating layer that electrically insulates the lower electrode from the upper electrode. A practical thermoelectric module that makes a temperature difference in the film thickness direction of the thermoelectric material (that is, the thickness direction of the thermoelectric element or the like) can be easily manufactured.
つまり、本発明によれば、より広い範囲の熱源から効率的に熱を回収して電力に変換できる実用的な熱電モジュールを容易に実現できる。
また、本発明では、下部電極及び両熱電素子は、気相成長プロセスによって形成されるので、熱電モジュールの製造プロセスを簡易化できる。
That is, according to the present invention, a practical thermoelectric module that can efficiently recover heat from a wider range of heat sources and convert it into electric power can be easily realized.
In the present invention, since the lower electrode and both thermoelectric elements are formed by a vapor phase growth process, the manufacturing process of the thermoelectric module can be simplified.
更に、本発明は、(気相成長プロセスで形成された)薄膜の熱電素子の膜厚方向に温度差をつけるものであるので、熱電素子の電流に対する断面積を大きくでき、よって、電流値を大きく取ることができる。 Furthermore, since the present invention creates a temperature difference in the film thickness direction of the thin film thermoelectric element (formed by the vapor phase growth process), the cross-sectional area with respect to the current of the thermoelectric element can be increased. Can take big.
しかも、熱電モジュールは、基板上に(気相成長プロセスによって)形成される薄膜材料を基本としているので、フォトリソグラフィー等の手法により各素子や電極を微細化することで、一定の面積内に形成される熱電素子の対数を大きくすることができ、熱電モジュールの電圧値を大きく取ることができる。 In addition, thermoelectric modules are based on thin film materials that are formed on a substrate (by a vapor phase growth process), so they can be formed within a certain area by miniaturizing each element and electrode using a technique such as photolithography. The logarithm of the thermoelectric element to be increased can be increased, and the voltage value of the thermoelectric module can be increased.
よって、熱電素子の断面積、膜厚を任意に変えることで、目的に応じた様々な出力の熱電モジュールの設計が可能である。
その上、本発明では、高い熱電特性を有する熱電材料を、バルクの大きさ(>数百μm厚)まで堆積させることなく、薄膜(〜数μm厚)としてモジュール化が可能であり、熱電モジュールの小型化、低コスト化が容易になる。
Therefore, it is possible to design thermoelectric modules with various outputs according to the purpose by arbitrarily changing the cross-sectional area and film thickness of the thermoelectric element.
In addition, in the present invention, a thermoelectric material having high thermoelectric properties can be modularized as a thin film (up to several μm thick) without depositing up to a bulk size (> several hundred μm thick). Can be easily reduced in size and cost.
なお、本発明において、下部電極や熱電素子は、気相成長プロセスによって形成される薄膜であり、ここでは、気相成長プロセスであれば特に制限はなく、例えばスパッタリング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、真空蒸着など、材料に応じて適宜任意に選ぶことができる。 In the present invention, the lower electrode and the thermoelectric element are thin films formed by a vapor phase growth process. Here, there is no particular limitation as long as it is a vapor phase growth process, for example, sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), It can be arbitrarily selected depending on the material such as vacuum deposition.
(2)請求項2の発明では、前記直列に接続されたP型熱電素子とN型熱電素子とに対し、一方の端部のP型熱電素子と他方の端部のN型熱電素子に、それぞれ取出電極を電気的に接続したことを特徴とする。 (2) In the invention of claim 2, for the P-type thermoelectric element and the N-type thermoelectric element connected in series, the P-type thermoelectric element at one end and the N-type thermoelectric element at the other end are Each of the extraction electrodes is electrically connected.
本発明は、取出電極の接続箇所を例示したものである。従って、取出電極に負荷を接続し、熱電モジュールで発生した電力を取り出すことができる。
(3)請求項3の発明では、前記絶縁層の熱伝導率は、前記基板、前記上部電極、及び前記下部電極のいずれの熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
The present invention exemplifies connection locations of extraction electrodes. Therefore, a load can be connected to the extraction electrode, and the electric power generated by the thermoelectric module can be extracted.
(3) The invention of
本発明では、薄膜の膜厚方向という微小な距離に温度差をつけるにあたり、絶縁層による熱バイパスロスの影響を抑制するために、絶縁層の熱伝導率として比較的熱伝導率の小さい材料を選択する。これにより、熱電素子の膜厚方向に温度差をつけるときの熱バイパスロスをより低減することができ、熱電素子により大きな温度差を付加することができる。 In the present invention, a material having a relatively small thermal conductivity is used as the thermal conductivity of the insulating layer in order to suppress the influence of the thermal bypass loss due to the insulating layer when making a temperature difference in a minute distance in the film thickness direction of the thin film. select. Thereby, the thermal bypass loss when making a temperature difference in the film thickness direction of a thermoelectric element can be reduced more, and a big temperature difference can be added to a thermoelectric element.
つまり、本発明では、熱電モジュールの変換効率を低減させる熱バイパスロスを抑制することができるので、熱電モジュールの効率を改善することができる。
(4)請求項4の発明では、前記絶縁層は、多孔質よりなることを特徴とする。
That is, in this invention, since the thermal bypass loss which reduces the conversion efficiency of a thermoelectric module can be suppressed, the efficiency of a thermoelectric module can be improved.
(4) The invention of claim 4 is characterized in that the insulating layer is made of a porous material.
本発明では、絶縁層は多孔質であるので(中実の場合と比べて)熱伝導率が小さく、よって、熱電素子の膜厚方向に温度差をつけるときの熱バイパスロスをより低減することができ、熱電素子により大きな温度差を付加することができる。 In the present invention, since the insulating layer is porous, the thermal conductivity is small (compared to the solid case), and therefore the thermal bypass loss when making a temperature difference in the film thickness direction of the thermoelectric element is further reduced. And a large temperature difference can be added to the thermoelectric element.
(5)請求項5の発明では、前記絶縁層は、気相成長プロセスによって形成された薄膜であることを特徴とする。
本発明では、絶縁層は、気相成長プロセスによって形成されるので、熱電モジュールの製造プロセスを簡易化できる。また、本発明によって、より微細な熱電素子対を形成することができ、一定の面積内により多くの熱電素子対を形成することにより、熱電モジュールの発電電圧を大きくすることができる。
(5) The invention of
In the present invention, since the insulating layer is formed by a vapor phase growth process, the manufacturing process of the thermoelectric module can be simplified. In addition, according to the present invention, finer thermoelectric element pairs can be formed, and the power generation voltage of the thermoelectric module can be increased by forming more thermoelectric element pairs within a certain area.
(6)請求項6の発明では、前記上部電極は、気相成長プロセスによって形成された薄膜であることを特徴とする。
本発明では、上部電極は、気相成長プロセスによって形成されるので、熱電モジュールの製造プロセスを簡易化できる。また、本発明によって、より微細な熱電素子対を形成することができ、一定の面積内により多くの熱電素子対を形成することにより、熱電モジュールの発電電圧を大きくすることができる。
(6) The invention of claim 6 is characterized in that the upper electrode is a thin film formed by a vapor phase growth process.
In the present invention, since the upper electrode is formed by a vapor phase growth process, the manufacturing process of the thermoelectric module can be simplified. In addition, according to the present invention, finer thermoelectric element pairs can be formed, and the power generation voltage of the thermoelectric module can be increased by forming more thermoelectric element pairs within a certain area.
(7)請求項7の発明では、前記P型熱電素子及びN型熱電素子は、量子井戸熱電材料からなることを特徴とする。
本発明は、P型熱電素子及びN型熱電素子の構成を例示したものである。本発明では、熱電材料として量子井戸材料を用いることにより、熱電素子の熱伝導率を低減させることができ、熱電素子により大きな温度差を付加することができる。
(7) The invention of
The present invention exemplifies configurations of a P-type thermoelectric element and an N-type thermoelectric element. In the present invention, by using a quantum well material as the thermoelectric material, the thermal conductivity of the thermoelectric element can be reduced, and a large temperature difference can be added to the thermoelectric element.
例えばバンドギャップが異なる量子井戸熱電材料薄膜であるP(リン)ドープSi薄膜とノンドープSiGe薄膜とを交互に積層することにより、N型熱電素子を形成できる。また、バンドギャップが異なる量子井戸熱電材料薄膜であるB(ボロン)ドープSi薄膜とノンドープSiGe薄膜とを交互に積層することによりP型熱電素子を形成できる。 For example, an N-type thermoelectric element can be formed by alternately stacking P (phosphorus) -doped Si thin films and non-doped SiGe thin films, which are quantum well thermoelectric material thin films having different band gaps. Further, a P-type thermoelectric element can be formed by alternately laminating B (boron) -doped Si thin films and non-doped SiGe thin films, which are quantum well thermoelectric material thin films having different band gaps.
次に、本発明の最良の形態の例(実施例)について説明する。 Next, an example (example) of the best mode of the present invention will be described.
a)まず、本実施例の熱電モジュールについて説明する。
図1及びそのA−A’断面を拡大した図2に示す様に、本実施例の熱電モジュール1は、板厚方向(膜厚方向:図2の上下方向)の温度差によって発電するものである。
a) First, the thermoelectric module of the present embodiment will be described.
As shown in FIG. 1 and FIG. 2 in which the AA ′ section is enlarged, the
この熱電モジュール1では、電気絶縁性を有する平板形の基板3上に、複数の短冊状の下部電極5が形成され、その各下部電極5上に、P型熱電素子7及びN型熱電素子9が形成されている。また、隣接する下部電極5間において異なる種類の熱電素子(即ちP型熱電素子7とN型熱電素子9)同士を電気的に接続する短冊状の上部電極11が形成され、更に、下部電極5と上部電極11とを電気的に絶縁する絶縁層13と、熱電モジュール1から外部に電力を取り出す一対の短冊状の取出電極15、17とが形成さている。
In this
つまり、前記熱電モジュール1では、1つの下部電極5により、一対のP型熱電素子7及びN型熱電素子9が電気的に接続されるとともに、1つの上部電極11によって、隣合う一対の下部電極5において一方の下部電極5上のP型熱電素子7と他方の下部電極5のN型熱電素子9とが電気的に接続されることにより、順次、P型→N型→P型→N型となる様に直列接続され、その両端の各熱電素子7、9に取出電極15、17が接続されている。即ち、全てのP型熱電素子7とN型熱電素子9とが、各下部電極5及び上部電極11を介して、直列に接続されている。
That is, in the
特に、本実施例では、下部電極5と上部電極11とが電気的に絶縁されるように、前記絶縁層13が配置されている。具体的には、絶縁層13は、各下部電極5の間にて基板3上に配置されて、上部電極11が下部電極5に接しないようにされている。また、下部電極5上では、上部電極11と各熱電素子7、9との接続部分以外を覆って、上部電極11が下部電極5に接しないようにされている。なお、絶縁層13は、基板表面の外周部分も覆っている。
In particular, in this embodiment, the insulating
前記絶縁層13としては、その熱伝導率が、基板3、下部電極5、及び上部電極11のいずれの熱伝導率よりも低い材料(例えば2W/mK以下)を採用している。これは、薄膜の膜厚方向という微小な距離に温度差をつけるにあたり、絶縁層13による熱バイパスロスの影響を抑制するためである。
As the insulating
また、前記下部電極5、P型熱電素子7、N型熱電素子9、上部電極11、絶縁層13、取出電極15、17は、後述する様に、気相成長プロセス(詳しくはスパッタ)によって作製された薄膜である。
The
このうち、前記P型熱電素子7とN型熱電素子9は、量子井戸材料からなる薄膜(量子井戸薄膜)を積層したものである。詳しくは、N型熱電素子9は、バンドギャップが異なるP(リン)ドープSi層9AとノンドープSiGe層9B(図5(4b)参照)とが積層されたN型Si/SiGe量子井戸熱電材料薄膜であり、P型熱電素子7は、バンドギャップが異なるB(ボロン)ドープSi層7AとノンドープSiGe層7B(図5(4b)参照)とが積層されたN型Si/SiGe量子井戸熱電材料薄膜である。
Among these, the P-type
なお、下記表1に、熱電モジュール1を構成する材料として使用した種類及びその熱伝導率を挙げる。
Table 1 below lists the types used as materials constituting the
本実施例では、以下に詳述する様に、スパッタによる成膜により熱電モジュール1を製造する。
In this embodiment, as will be described in detail below, the
以下、図3〜図5を用いて、熱電モジュール1の製造工程を詳細に説明する。なお、各図の左図(1a)〜(5a)は平面図であり、右図(1b)〜(5b)は各左図を左右方向に破断した断面図である。
Hereinafter, the manufacturing process of the
(1)まず、基板3上に下部電極5を形成する工程を説明する。
本実施例に用いる基板3は、少なくとも表面が電気絶縁性であり、熱伝導率の高いものが望ましい。本実施例ではサファイア基板を用いたが(図3(1a)、(1b)参照)、この他にも、この後のプロセス上問題が無ければ、例えば銅基板の表面にアルミナ酸化膜を形成したもの等を用いてもよい。また、下部電極5の材料は、導電率及び熱伝導率が高く、後のプロセス上、耐薬品性、耐熱性などの点で問題が無ければ任意である。
(1) First, the process of forming the
It is desirable that the
本実施例では、まず、スパッタにより、厚さ0.1μmの白金からなる下部電極用薄膜21を形成した(図3(2a)、(2b)参照)。
次に、下部電極5のパターニングを行った。具体的には、白金表面にレジスト(図示せず)を塗布し、フォトリソグラフィーにより所望の形状にレジストをパターニングした。その後、基板3を70℃〜80℃の王水中に浸漬することにより、白金のエッチングを行って、下部電極5を形成した(図3(3a)、(3b)参照)。
In this example, first, a lower electrode
Next, the
下部電極5のパターニングは、本実施例のようにエッチングにより行ってもよいし、薄膜形成時に、基板表面をメタルマスク等によりマスキングすることによりパターニングを行ってもよい。また、レーザーを用いて下部電極5を所望の形状に切断し、パターニングを行ってもよい。
The patterning of the
(2)次に、下部電極5上にP型熱電素子7を形成する工程を説明する。
P型熱電素子7として、BドープSi層7A及びノンドープSiGe層7Bを、10nmの厚みで交互に積層させることにより作製したP型Si/SiGe量子井戸熱電材料を用いた(図5(4b)参照)。
(2) Next, a process of forming the P-type
As the P-type
積層数は各50層とし、スパッタにより、全体の厚みが1μmのP型熱電素子用薄膜23を形成した(図3(4a)、(4b)参照)。
次に、以下の手順でP型熱電素子7のパターニングを行った。
The number of laminated layers was 50, and a
Next, the P-type
まず、エッチングマスク層として、厚さ0.1μmのSiO2層(図示せず)をプラズマCVDにより薄膜形成し、SiO2層上にレジスト(図示せず)を塗布し、フォトリソグラフィーにより、所望の形状にレジストをパターニングした。その後、基板3を常温のフッ酸に浸漬することによりSiO2層をエッチングし、更に、基板3を85℃のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)に浸漬することで、P型熱電素子用薄膜23をエッチングし、P型熱電素子7を形成した(図3(5a)、(5b)参照)。
First, as an etching mask layer, a SiO 2 layer (not shown) having a thickness of 0.1 μm is formed into a thin film by plasma CVD, a resist (not shown) is applied on the SiO 2 layer, and a desired layer is formed by photolithography. The resist was patterned into a shape. Thereafter, the SiO 2 layer is etched by immersing the
また、P型熱電素子7を形成した後に、前記エッチングマスク用SiO2層をフッ酸に浸漬して除去し、保護層として厚さ1μmのSiO2保護層薄膜25を、プラズマCVDにより薄膜形成した(図4(1a)、(1b)参照)。その後、SiO2保護層薄膜25上にレジスト(図示せず)を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングし、N型熱電材料を設ける位置のSiO2保護層薄膜25をフッ酸によりエッチングすることにより、保護層27を形成した(図4(2a)、(2b)参照)。
Further, after forming the P-type
なお、この保護層27は、次に形成するN型熱電素子9を、P型熱電素子7と離間させて成膜するために設けたものである。
(3)次に、下部電極5上にN型熱電素子9を形成する工程を説明する。
The
(3) Next, a process of forming the N-type
N型熱電素子9として、P(リン)ドープSi層9A及びノンドープSiGe層9Bを、10nmの厚みで交互に積層させることにより作製したN型Si/SiGe量子井戸熱電材料を用いた(図5(4b)参照)。
As the N-type
積層数は各50層とし、スパッタにより、全体の厚みが1μmのN型熱電素子用薄膜29を形成した(図4(3a)、(3b)参照)。
そして、P型熱電素子7と同様の手順でパターニングを行い、N型熱電素子9を形成した(図4(4a)、(4b)参照)。
The number of stacked layers was 50, and an N-type thermoelectric element
Then, patterning was performed in the same procedure as for the P-type
次に、保護層27を、常温のフッ酸に浸漬することによりエッチング除去した。
以上の工程により、基板3上に、下部電極5及びP型熱電素子7及びN型熱電素子9を形成した(図4(5a)、(5b)参照)。
Next, the
Through the above steps, the
なお、本実施例では、P型熱電素子7及びN型熱電素子9を、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)を用いたウェットプロセスによりエッチングしたが、RIE(Reactive Ion Etching)等を用いたドライエッチングを行ってもよい。
In this example, the P-type
(4)次に、絶縁層13を形成する工程を説明する。
本実施例では、基板全面を覆うように、厚さ0.5umのSiO2薄膜31をプラズマCVDにより形成した(図5(1a)、(1b)参照)。そして、レジスト(図示せず)を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングし、基板3を常温のフッ酸に浸漬して、SiO2薄膜31をエッチングすることにより、絶縁層13を形成した(図5(2a)、(2b)参照)。
(4) Next, the process of forming the insulating
In this example, a SiO 2
(5)次に、上部電極11を形成する工程を説明する。
本実施例では、厚さ0.1umのアルミニウム薄膜33をスパッタにより形成した(図5(3a)、(3b)参照)。そして、レジスト(図示せず)の塗布及びフォトリソグラフィーによりパターニングし、基板3を55℃のリン酸、酢酸、硝酸の混合溶液に浸漬することで、アルミニウム薄膜33をエッチングし、上部電極11を形成した(図5(4a)、(4b)参照)。
(5) Next, a process of forming the
In this example, an aluminum
なお、取出電極15、17も、上部電極11と同様な手法により形成した。
以上の工程により、サファイア製の基板3上にて、P型熱電素子7及びN型熱電素子9を、その基板3に平行な上下面において、下部電極5及び上部電極11を用いて交互に直列に電気的接続した熱電モジュール1が得られた。
The
Through the above steps, the P-type
c)この様にして製造された熱電モジュール1においては、図6に示す様に、基板3を熱源に接触させ、熱電モジュール1の表面(上面)を空冷することにより、熱電素子7、9の膜厚方向に温度差を付加して、発電することができる。
c) In the
本実施例によれば、量子井戸熱電材料のような薄膜の熱電材料を、その膜厚方向に温度差をつけて用いることができ、より広範囲の熱源から効率的に熱を回収し電力に変換することが可能な熱電モジュール1を実現できる。即ち、その製造が容易で優れた性能を有する実用的な熱電モジュール1を得ることができる。
According to this embodiment, a thin-film thermoelectric material such as a quantum well thermoelectric material can be used with a temperature difference in the film thickness direction, and heat is efficiently recovered from a wider range of heat sources and converted into electric power. The
また、前記表1に示す様に、絶縁層13として熱伝導率が他の構成材料よりも低いものを用いることにより、熱電素子7、9の膜厚方向により温度差を付加し易くすることができる。つまり、熱電モジュール1の熱電変換効率を低減させる熱バイパスロスを抑制することができるので、熱電モジュール1の効率を改善することができる。
Further, as shown in Table 1, it is possible to easily add a temperature difference in the film thickness direction of the
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
例えば、前記説明では、基板上に1つの熱電モジュールを作製する例について説明したが、1度のプロセスで複数個の熱電モジュールを形成することもできる。
In addition, this invention is not limited to the said Example at all, and it cannot be overemphasized that it can implement with a various aspect in the range which does not deviate from the summary of this invention.
For example, in the above description, an example in which one thermoelectric module is manufactured on a substrate has been described. However, a plurality of thermoelectric modules can be formed by one process.
1…熱電モジュール
3…基板
5…下部電極
7…P型熱電素子
9…N型熱電素子
11…上部電極
13…絶縁層
DESCRIPTION OF
Claims (7)
少なくとも表面が電気絶縁性を有する基板と、
前記基板上に、平面方向に相互に離間して、気相成長プロセスによって形成された複数の下部電極と、
前記下部電極上に、平面方向に相互に離間して、気相成長プロセスによって形成された一対のP型熱電素子及びN型熱電素子と、
隣接した一対の前記下部電極間にて、一方の下部電極上のP型熱電素子と他方の下部電極上のN型熱電素子とを、電気的に接続する上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極とを、電気的に絶縁する絶縁層と、
を備えたことを特徴とする熱電モジュール。 In a thermoelectric module formed by alternately connecting P-type thermoelectric elements and N-type thermoelectric elements in series,
A substrate having at least an electrically insulating surface;
A plurality of lower electrodes formed by a vapor deposition process on the substrate, spaced apart from each other in a planar direction;
A pair of P-type thermoelectric elements and N-type thermoelectric elements formed by a vapor phase growth process on the lower electrode and spaced apart from each other in a plane direction;
An upper electrode electrically connecting a P-type thermoelectric element on one lower electrode and an N-type thermoelectric element on the other lower electrode between a pair of adjacent lower electrodes;
An insulating layer for electrically insulating the lower electrode and the upper electrode;
A thermoelectric module comprising:
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US8940995B2 (en) | 2009-07-06 | 2015-01-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thermoelectric device and method for fabricating the same |
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-
2008
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