JP2009194187A - Polysilicon fuse, method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and photoelectric conversion apparatus using the polysilicon fuse - Google Patents

Polysilicon fuse, method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and photoelectric conversion apparatus using the polysilicon fuse Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polysilicon fuse capable of being melted and cut certainly by a lower voltage and a smaller current, and increasing design flexibility. <P>SOLUTION: The polysilicon fuse has two pairs of resistor bodies 2 and 3 configured of two terminals 5 and a resistor 4 composed of polysilicon and connecting the two terminals 5. The two pairs of resistor bodies 2 and 3 have cross parts 7 arranged so that the resistors 4 cross with each other at a right angle. In the cross part 7, a melted and cut part 8 which is melted and cut when a current is applied is formed. An impurity concentration of the melted and cut part 8 is configured so as to be lower than that of the resistor 4. The melted and cut part 8 is melted and cut by applying a current to the terminal 5 of the one resistor body 3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポリシリコンヒューズと、そのポリシリコンヒューズの製造方法、および、そのポリシリコンヒューズを用いた半導体装置と光電変換装置に関するものである。   The present invention relates to a polysilicon fuse, a method for manufacturing the polysilicon fuse, and a semiconductor device and a photoelectric conversion device using the polysilicon fuse.

半導体集積回路（以下ＩＣと示す）において、ＩＣの特性や機能を調整する際に、ポリシリコンからなるポリシリコンヒューズによって、ＩＣをトリミングする方法が用いられる。これは、例えば、精度の高い基準電圧を発生させるようなＩＣにおいて、所望の基準電圧を得る場合や、光電変換装置に用いられるＩＣにおいて、抵抗値を調整する場合等が挙げられる。   In a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC), a method of trimming an IC with a polysilicon fuse made of polysilicon is used when adjusting the characteristics and functions of the IC. For example, a case where a desired reference voltage is obtained in an IC that generates a highly accurate reference voltage, or a case where a resistance value is adjusted in an IC used in a photoelectric conversion device can be cited.

上述したような場合に用いられるポリシリコンヒューズを溶断する方法としては、レーザを照射することにより溶断する方法と、過電流を流すことにより溶断する方法とが挙げられる。ここで、前者のレーザを照射することにより溶断する方法では、選択するヒューズを光学的に検知して、精度よくレーザを照射するための特別な装置が必要とされ、ＩＣのコストが高くなるという問題があった。また、レーザを照射する際には、選択するヒューズの上部からレーザを照射する必要があるために、ヒューズをＩＣにパッケージした後では、ヒューズを溶断することが出来ず、パッケージ後のＩＣの特性変動を調整することができないという問題を有していた。   As a method of fusing the polysilicon fuse used in the above-described case, there are a method of fusing by irradiating a laser and a method of fusing by passing an overcurrent. Here, in the former method of fusing by irradiating a laser, a special device for optically detecting the selected fuse and irradiating the laser with high accuracy is required, which increases the cost of the IC. There was a problem. In addition, when irradiating a laser, it is necessary to irradiate a laser from the upper part of the selected fuse. Therefore, after the fuse is packaged in the IC, the fuse cannot be blown, and the IC characteristics after packaging. The problem was that the fluctuations could not be adjusted.

そのため、近年、過電流を流すことにより、ヒューズを溶断する方法が用いられる。図１０は、従来におけるポリシリコンヒューズの概略を示す平面図である。図１０に示すように、ポリシリコンヒューズ８０は、配線と接続するための略長方形状の開口部８１ａ、８１ｂが形成された２対の電極部８２ａ、８２ｂと、２対の電極部８２ａ、８２ｂの間に配置される溶断部８３とから構成される。そして、溶断部８３の断面積は、電極部８２ａ、８２ｂの断面積と比較して小さくなるように構成されている。そのため、電流が溶断部８３に集中しやすくなり、容易に溶断部８３を溶断することができる。また、このようなポリシリコンヒューズ８０を備えた半導体装置をさらに改良したものについては、例えば、特許文献１に開示されている。   Therefore, in recent years, a method of blowing a fuse by passing an overcurrent is used. FIG. 10 is a plan view schematically showing a conventional polysilicon fuse. As shown in FIG. 10, the polysilicon fuse 80 includes two pairs of electrode portions 82a and 82b in which substantially rectangular openings 81a and 81b for connection to wirings are formed, and two pairs of electrode portions 82a and 82b. It is comprised from the fusing part 83 arrange | positioned between. And the cross-sectional area of the fusing part 83 is comprised so that it may become small compared with the cross-sectional area of electrode part 82a, 82b. Therefore, the current is easily concentrated on the fusing part 83, and the fusing part 83 can be easily cut. Further, a further improvement of a semiconductor device provided with such a polysilicon fuse 80 is disclosed in Patent Document 1, for example.

特許文献１に開示されているポリシリコンヒューズは、配線と接続するための開口部の形状が、半円形状に切り欠いた形状となっている。そのため、より電流が溶断部に集中しやすく、容易に溶断部を切断することができる。
特開２０００−４０７９０号公報 In the polysilicon fuse disclosed in Patent Document 1, the shape of the opening for connecting to the wiring is cut out into a semicircular shape. Therefore, the current is more likely to concentrate on the melted part, and the melted part can be easily cut.
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-40790

しかしながら、図１０に示した従来のポリシリコンヒューズ８０は、溶断する際に、ＩＣに使用する電圧（例えば、５Ｖ）よりも高い電圧（例えば、１５Ｖ）および大電流（例えば１０ｍＡ）が必要となる。そのため、このような高い電圧や大電流のために、溶断部８３にダメージが生じ易く、ＩＣの製品特性を劣化してしまうという問題が生じる。また、特許文献１に示したポリシリコンヒューズにおいては、上述したような構成を備えるために、従来のポリシリコンヒューズよりは、溶断に必要な電圧および電流の値を小さくすることができるが、ヒューズ部分を溶断しないでＩＣの一部として使用する場合、ヒューズ部分の抵抗値は、ヒューズの溶断特性から決まる抵抗値となるため、設計の自由度が制限されてしまうという問題が生じる。   However, when the conventional polysilicon fuse 80 shown in FIG. 10 is blown, a voltage (for example, 15 V) and a large current (for example, 10 mA) higher than the voltage (for example, 5 V) used for the IC are required. . Therefore, due to such high voltage and large current, the fusing part 83 is likely to be damaged, resulting in a problem that the product characteristics of the IC deteriorate. In addition, since the polysilicon fuse shown in Patent Document 1 has the above-described configuration, the voltage and current values required for fusing can be reduced as compared with the conventional polysilicon fuse. When the part is used as a part of the IC without fusing, the resistance value of the fuse part becomes a resistance value determined from the fusing characteristics of the fuse, and there is a problem that the degree of freedom of design is limited.

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、より低電圧および小電流で確実に溶断することができるとともに、設計の自由度を向上することができるポリシリコンヒューズを提供することである。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the object of the present invention is to make it possible to surely melt at a lower voltage and a smaller current and to improve the degree of freedom in design. It is to provide a silicon fuse.

上記目的を達成するために本発明は、２つの端子部と、２つの前記端子部間をつなぐポリシリコンからなる抵抗部とで構成される抵抗体を２対備え、２対の前記抵抗体は、前記抵抗部が互いに直角に交差するように配置される交差部を有し、前記交差部は、電流が印加された際に溶断される溶断部が設けられて、前記溶断部の不純物濃度は、前記抵抗部の不純物濃度よりも低くなるように構成されており、一方の前記抵抗体の前記端子部に電流を印加することにより、前記溶断部を溶断することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention includes two pairs of resistors each composed of two terminal portions and a resistor portion made of polysilicon connecting between the two terminal portions. The resistance portion has a crossing portion arranged to cross each other at right angles, and the crossing portion is provided with a fusing portion that is blown when a current is applied, and the impurity concentration of the fusing portion is The resistor portion is configured to be lower than the impurity concentration of the resistor portion, and the fusing portion is blown by applying a current to the terminal portion of one of the resistors.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、２対の前記抵抗体は、第１の抵抗体と、第２の抵抗体とからなり、前記第２の抵抗体は、前記端子部に電流を印加されることにより、前記溶断部を溶断することが好ましい。   In the polysilicon fuse having the above-described configuration, the two pairs of resistors include a first resistor and a second resistor, and the second resistor has a current in the terminal portion. It is preferable that the fusing part is blown by applying.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第１の抵抗体と、第２の抵抗体との２対の抵抗体を備え、２対の抵抗体の抵抗部が互いに直角をなすように交差して配置される。２対の抵抗体が交差する交差部は、電流が印加されることによって切断される溶断部が設けられ、第２の抵抗体に電流を印加することにより、２対の抵抗体が交差する交差部に設けられた溶断部を溶断する。そのため、一方の抵抗体に電流を印加することにより、ヒューズを溶断することができる。これにより、本発明のポリシリコンヒューズは、電流を印加する第２の抵抗体のみがヒューズの溶断特性から決まる抵抗値を有すればよいので、第１の抵抗体を自由に設計することができる。したがって、本発明のポリシリコンヒューズを回路の一部として用いる際に、装置の特性に応じた抵抗値を付与することができるので、ヒューズの設計の自由度を向上することができる。また、溶断部の不純物濃度は、抵抗部の不純物濃度よりも低くなるように構成される。そのため、溶断するために印加される電流が、不純物濃度の低い溶断部に集中するので、電流により発生するジュール熱によって確実に溶断部を溶断することができる。また、溶断部に電界が集中するために、端子部に印加する電圧を低くすることができる。   According to the above configuration, the polysilicon fuse of the present invention includes two pairs of resistors, the first resistor and the second resistor, so that the resistance portions of the two pairs of resistors are perpendicular to each other. It is arranged to intersect. An intersection where two pairs of resistors cross each other is provided with a fusing part that is cut by applying an electric current, and an electric current is applied to the second resistor so that the two pairs of resistors intersect. The fusing part provided in the part is blown out. Therefore, the fuse can be blown by applying a current to one resistor. As a result, in the polysilicon fuse of the present invention, only the second resistor to which the current is applied needs to have a resistance value determined from the fusing characteristics of the fuse, so that the first resistor can be designed freely. . Therefore, when the polysilicon fuse of the present invention is used as a part of a circuit, a resistance value corresponding to the characteristics of the device can be given, so that the degree of freedom in designing the fuse can be improved. In addition, the impurity concentration in the fusing portion is configured to be lower than the impurity concentration in the resistance portion. Therefore, the current applied for fusing concentrates on the fusing part having a low impurity concentration, so that the fusing part can be surely blown by the Joule heat generated by the current. Moreover, since an electric field concentrates on a fusing part, the voltage applied to a terminal part can be made low.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記溶断部の不純物濃度は、前記第２の抵抗体の前記抵抗部の不純物濃度の１０分の１以下とすることが好ましい。   According to the present invention, in the polysilicon fuse having the above-described configuration, it is preferable that an impurity concentration of the fusing portion is 1/10 or less of an impurity concentration of the resistance portion of the second resistor.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、溶断部の不純物濃度を、第２の抵抗体の抵抗部の不純物濃度の１０分の１以下とする。そのため、電圧が印加される第２の抵抗体において、溶断部とそれ以外の部分との不純物濃度の差異を大きくすることができる。これにより、溶断する際に印加される電流を効果的に溶断部に集中することができ、また、電流によって発生するジュール熱も集中することができるので、より小さい電流値で確実に溶断を行うことができる。   According to the above configuration, in the polysilicon fuse of the present invention, the impurity concentration of the blown portion is set to 1/10 or less of the impurity concentration of the resistor portion of the second resistor. Therefore, in the second resistor to which a voltage is applied, the difference in impurity concentration between the melted part and the other part can be increased. As a result, the current applied at the time of fusing can be effectively concentrated on the fusing part, and the Joule heat generated by the current can also be concentrated, so that fusing is reliably performed with a smaller current value. be able to.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記第２の抵抗体の前記抵抗部は、前記交差部から２つの前記端子に向かってそれぞれ１μｍ以上広げた領域が、前記溶断部と略一致する不純物濃度を有することが好ましい。   Further, in the polysilicon fuse having the above-described configuration, the resistance portion of the second resistor is such that a region that is expanded by 1 μm or more from the intersecting portion toward the two terminals is substantially coincident with the fusing portion. It is preferable to have an impurity concentration.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第２の抵抗体の抵抗部において、交差部から２つの端子に向かってそれぞれ１μｍ以上広げた領域が、溶断部と略一致する不純物濃度を有する。そのため、本発明のポリシリコンヒューズを製造する際の製造のばらつきによって溶断部に高濃度のイオンが注入されることを防ぐことができる。また、第１の抵抗体を半導体装置の回路の一部として利用する場合に、溶断部のイオン濃度が不均一であることによって、抵抗値がばらついてしまう。しかしながら、上述したように、第２の抵抗体を構成することによって、溶断部の不純物濃度を一定にすることができ、第１の抵抗体を回路の一部として使用する場合にも、第１の抵抗体の抵抗値を安定させることができる。   According to the above configuration, in the polysilicon fuse of the present invention, in the resistance portion of the second resistor, the regions expanded by 1 μm or more from the intersecting portion toward the two terminals respectively have an impurity concentration that substantially coincides with the fusing portion. . Therefore, it is possible to prevent high-concentration ions from being implanted into the fusing part due to manufacturing variations when manufacturing the polysilicon fuse of the present invention. Further, when the first resistor is used as a part of the circuit of the semiconductor device, the resistance value varies due to the non-uniform ion concentration of the fusing part. However, as described above, by configuring the second resistor, the impurity concentration of the fusing part can be made constant, and even when the first resistor is used as a part of the circuit, the first resistor is used. The resistance value of the resistor can be stabilized.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記第２の抵抗体の前記抵抗部の幅は、前記溶断部側に近づくにつれて徐々に狭まることが好ましい。   In the polysilicon fuse having the above-described configuration, it is preferable that the width of the resistance portion of the second resistor gradually narrows as it approaches the fusing portion side.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第２の抵抗体の抵抗部の幅が、溶断部側に近づくにつれて徐々に狭まることが好ましい。一般にポリシリコンヒューズの溶断に必要な溶断電流の臨界値は、ポリシリコンヒューズの幅および厚さに比例する。つまり、ポリシリコンヒューズの断面積が小さくなるほど、溶断電流の臨界値も小さくなる。そのため、上述したような構成を備えることで、第２の抵抗体側に配置する溶断部の幅を、第１の抵抗体側に配置する溶断部の幅よりも細くすることができるので、溶断部の断面積を小さくすることができる。これにより、溶断電流の臨界値を小さくすることができ、より小さい電流でポリシリコンヒューズを溶断することができる。   According to the above configuration, in the polysilicon fuse of the present invention, it is preferable that the width of the resistance portion of the second resistor gradually narrows as it approaches the fusing portion side. In general, the critical value of the fusing current required for fusing a polysilicon fuse is proportional to the width and thickness of the polysilicon fuse. That is, the smaller the cross-sectional area of the polysilicon fuse, the smaller the critical value of the fusing current. Therefore, by providing the configuration as described above, the width of the fusing part arranged on the second resistor side can be made smaller than the width of the fusing part arranged on the first resistor side. The cross-sectional area can be reduced. As a result, the critical value of the fusing current can be reduced, and the polysilicon fuse can be blown with a smaller current.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記第２の抵抗体は、前記抵抗部と前記交差部とが略クランク形状に構成されていることが好ましい。   In the polysilicon fuse having the above-described configuration, it is preferable that the second resistor is configured so that the resistance portion and the intersecting portion have a substantially crank shape.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第２の抵抗体の抵抗部と交差部とがクランク形状を有する。そのため、交差部に設けられる溶断部に、より電流が集中しやすくなり、電流によって発生する熱を集中させることができるため、溶断効率を高めてより小さい電圧で溶断することが可能となる。   According to the above configuration, in the polysilicon fuse of the present invention, the resistance portion and the intersecting portion of the second resistor have a crank shape. Therefore, the current is more likely to be concentrated at the melted portion provided at the intersection, and the heat generated by the current can be concentrated. Therefore, it is possible to improve the fusing efficiency and to melt at a lower voltage.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記交差部の少なくとも一部には、前記溶断部が設けられて、前記溶断部の幅は、前記交差部の幅よりも細いことが好ましい。   In the polysilicon fuse having the above-described configuration, it is preferable that at least a part of the intersecting portion is provided with the fusing portion, and the width of the fusing portion is narrower than the width of the intersecting portion.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第２の抵抗体の抵抗部と交差部とをクランク形状に設けることによって、交差部の少なくとも一部に、溶断部を設けることができる。そのため、交差部と独立して溶断部を設けることができるので、交差部の幅に制限されることなく、自由に溶断部の幅を決定することができる。これにより、交差部の幅よりも、溶断部の幅が狭くなるように構成することで、溶断部の断面積を小さくすることができ、小さい電流値で溶断を行うことができる。   According to the above configuration, in the polysilicon fuse of the present invention, the fusing part can be provided at least at a part of the intersecting part by providing the resistance part and the intersecting part of the second resistor in a crank shape. Therefore, since the fusing part can be provided independently of the intersecting part, the width of the fusing part can be freely determined without being limited by the width of the intersecting part. Thereby, the cross-sectional area of a fusing part can be made small by comprising so that the width | variety of a fusing part may become narrow rather than the width | variety of a cross | intersection part, and fusing can be performed with a small electric current value.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズにおいて、前記第２の抵抗体の前記端子部に電流を印加して、前記溶断部を溶断する際に、前記第１の抵抗体は、２つの前記端子部がオープン状態、あるいは、ハイインピーダンス状態となっていることが好ましい。   In the polysilicon fuse having the above-described configuration, when the current is applied to the terminal portion of the second resistor and the fusing portion is blown, the first resistor has two It is preferable that the terminal portion is in an open state or a high impedance state.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズは、第２の抵抗体の端子部に電流を印加して溶断部を溶断する際に、第１の抵抗体の２つの端子部が、オープン状態、あるいは、ハイインピーダンス状態となっている。そのため、本発明のポリシリコンヒューズをＩＣに搭載した際に、第２の抵抗体に印加される電流が、交差部を通って、第１の抵抗体から内部回路に流れ込むことを防ぐことができ、ＩＣの製品特性が劣化することを防ぐことができる。   According to the above configuration, when the polysilicon fuse of the present invention blows the fusing part by applying current to the terminal part of the second resistor, the two terminal parts of the first resistor are open, Or, it is in a high impedance state. Therefore, when the polysilicon fuse of the present invention is mounted on an IC, the current applied to the second resistor can be prevented from flowing from the first resistor into the internal circuit through the intersection. It is possible to prevent the product characteristics of the IC from deteriorating.

また、上記目的を達成するために本発明は、上述したポリシリコンヒューズにおいて、ポリシリコン膜に、ボロンをイオン注入する第１の工程と、前記ポリシリコン膜の一部に、前記第１の工程よりも高濃度なボロンをイオン注入する第２の工程とを、含むことを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the present invention, in the polysilicon fuse described above, the first step of ion-implanting boron into the polysilicon film and the first step in a part of the polysilicon film are provided. And a second step of ion-implanting a higher concentration of boron.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズの製造方法は、上述した構成を備えるポリシリコンヒューズにおいて、ポリシリコン膜に、ボロンをイオン注入する第１の工程と、ポリシリコン膜の一部に、第１の工程よりも高濃度なボロンをイオン注入する第２の工程とを備える。そのため、単層のポリシリコン膜において、低濃度部と高濃度部とを構成することにより、ポリシリコンヒューズを製造することができるので、コストが安くすみ、簡便に製造することが出来る。また、ポリシリコン膜に、ボロンをイオン注入していることにより、本発明のポリシリコンヒューズを半導体装置に用いた際に、動作速度の速い半導体装置を実現することができる。   According to the above configuration, the method for manufacturing a polysilicon fuse of the present invention includes a first step of ion-implanting boron into the polysilicon film and a part of the polysilicon film in the polysilicon fuse having the above-described configuration. And a second step of ion-implanting boron at a higher concentration than in the first step. Therefore, since the polysilicon fuse can be manufactured by forming the low concentration portion and the high concentration portion in the single layer polysilicon film, the cost can be reduced and it can be manufactured easily. In addition, since boron is ion-implanted into the polysilicon film, a semiconductor device having a high operation speed can be realized when the polysilicon fuse of the present invention is used in a semiconductor device.

また、本発明は上記構成のポリシリコンヒューズの製造方法において、前記第１の工程において、イオン注入される前記ポリシリコン膜のシート抵抗は、１ｋΩ／□以上４ｋΩ／□以下であり、前記第２の工程において、イオン注入される前記ポリシリコン膜のシート抵抗は、１００Ω／□以上４００Ω／□以下であることが好ましい。   In the method for manufacturing a polysilicon fuse having the above-described configuration, the sheet resistance of the polysilicon film to be ion-implanted in the first step is 1 kΩ / □ or more and 4 kΩ / □ or less. In this step, the sheet resistance of the polysilicon film to be ion-implanted is preferably 100Ω / □ or more and 400Ω / □ or less.

上記構成によると、本発明のポリシリコンヒューズの製造方法は、第１の工程においてイオン注入されるポリシリコン膜のシート抵抗は、１ｋΩ／□以上４ｋΩ／□以下であり、第２の工程においてイオン注入されるポリシリコン膜のシート抵抗は、１００Ω／□以上４００Ω／□以下である。そのため、ポリシリコン膜には、第１の工程において形成されるイオン濃度が低い低濃度部と、第２の工程において形成されるイオン濃度が高い高濃度部とが設けられて、低濃度部におけるイオン濃度（不純物濃度）は、高濃度部におけるイオン濃度（不純物濃度）の１０分の１以下とすることができる。これにより、ポリシリコン膜の低濃度部と高濃度部との不純物濃度の差異を大きくすることで、溶断する際に印加される電流を、効果的に低濃度部に集中することができる。また、電流が溶断部に集中することにより、電流によって発生する熱も集中することができるために、より小さい電流値で確実に溶断を行うことができるポリシリコンヒューズを製造することができる。   According to the above configuration, in the method for manufacturing a polysilicon fuse of the present invention, the sheet resistance of the polysilicon film ion-implanted in the first step is 1 kΩ / □ or more and 4 kΩ / □ or less, and the ion resistance in the second step is The sheet resistance of the implanted polysilicon film is 100Ω / □ or more and 400Ω / □ or less. Therefore, the polysilicon film is provided with a low concentration portion having a low ion concentration formed in the first step and a high concentration portion having a high ion concentration formed in the second step. The ion concentration (impurity concentration) can be set to 1/10 or less of the ion concentration (impurity concentration) in the high concentration portion. Thereby, by increasing the difference in impurity concentration between the low concentration portion and the high concentration portion of the polysilicon film, the current applied when fusing can be effectively concentrated on the low concentration portion. In addition, since the current concentrates on the blown portion, the heat generated by the current can also be concentrated, so that a polysilicon fuse that can be reliably blown with a smaller current value can be manufactured.

また、上記目的を達成するために本発明は、半導体装置において、上述したポリシリコンヒューズを備えることを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the present invention, a semiconductor device includes the above-described polysilicon fuse.

また、上記目的を達成するために本発明は、光電変換装置において、上述したポリシリコンヒューズを備えることを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that the photoelectric conversion device includes the above-described polysilicon fuse.

本発明によると、ポリシリコンヒューズは、第１の抵抗体および第２の抵抗体からなり、第１の抵抗体と第２の抵抗体とが、互いに直角に交差する交差部を備える。そして、交差部に、電流が印加された際に溶断する溶断部を設ける。ここで、溶断部の不純物濃度の値が、それ以外の部分の不純物濃度の値よりも低くなるように構成する。これにより、第２の抵抗体にポリシリコンヒューズを溶断するための電流を印加すると、電流は、不純物濃度の低い溶断部に集中する。そのため、電流が発生するジュール熱を、溶断部に集中させることができるため、従来のポリシリコンヒューズと比較して小さい電流値で確実に溶断することができる。また、第２の抵抗体に電流を印加すれば溶断を行うことができるので、第１の抵抗体は、溶断特性から決まる抵抗値にしばられることがなく自由に設計することができる。したがって、回路構成の目的に応じて、自由にポリシリコンヒューズを設計することができる。   According to the present invention, the polysilicon fuse includes a first resistor and a second resistor, and the first resistor and the second resistor have a crossing portion that intersects at right angles to each other. And the melt | fusion part which melts | melts when an electric current is applied is provided in an intersection part. Here, it is configured such that the value of the impurity concentration in the fusing part is lower than the value of the impurity concentration in the other part. As a result, when a current for fusing the polysilicon fuse is applied to the second resistor, the current concentrates on the fusing portion having a low impurity concentration. For this reason, since Joule heat generated by current can be concentrated in the fusing portion, fusing can be reliably performed with a smaller current value as compared with the conventional polysilicon fuse. In addition, since fusing can be performed by applying a current to the second resistor, the first resistor can be freely designed without being limited to the resistance value determined from the fusing characteristics. Therefore, a polysilicon fuse can be freely designed according to the purpose of the circuit configuration.

以下に本発明の実施形態について、図面を用いながら説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（第１実施形態）
第１実施形態におけるポリシリコンヒューズについて図１と図２に示す。図１は、第１実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。図１に示すように、本実施形態のポリシリコンヒューズ１は、第１の抵抗体２と第２の抵抗体３とからなり、第１の抵抗体２と第２の抵抗体３とが互いに直角に交差する略十字型となるように配置されている。 (First embodiment)
The polysilicon fuse in the first embodiment is shown in FIGS. FIG. 1 is a plan view of the polysilicon fuse in the first embodiment. As shown in FIG. 1, the polysilicon fuse 1 of this embodiment includes a first resistor 2 and a second resistor 3, and the first resistor 2 and the second resistor 3 are mutually connected. They are arranged so as to form a substantially cross shape that intersects at right angles.

第１の抵抗体２は、配線が配置するための電極孔６ｂ、６ｄが形成された対向する２つの端子部５ｂ、５ｄと、２つの端子部５ｂ、５ｄの間に配置する抵抗部４ｂ、４ｄと、第２の抵抗体３と交差する交差部７とからなる。なお、本実施形態では、交差部７が、電流により溶断される溶断部８となる。端子部５ｂ、５ｄに形成される電極孔６ｂ、６ｄは、それぞれ抵抗部４ｂ、４ｄから離間した位置に配置されて、交差部７を中心として略対称な形状を有している。また、抵抗部４ｂ、４ｄの断面積は、端子部５ｂ、５ｄの断面積よりも小さくなるように構成されている。   The first resistor 2 includes two opposing terminal portions 5b and 5d in which electrode holes 6b and 6d for wiring are formed, and a resistance portion 4b disposed between the two terminal portions 5b and 5d, 4d and an intersecting portion 7 intersecting with the second resistor 3. In the present embodiment, the intersecting portion 7 becomes the melted portion 8 that is melted by an electric current. The electrode holes 6b and 6d formed in the terminal portions 5b and 5d are arranged at positions spaced from the resistance portions 4b and 4d, respectively, and have a substantially symmetrical shape with the intersection 7 as a center. Further, the cross-sectional areas of the resistor portions 4b and 4d are configured to be smaller than the cross-sectional areas of the terminal portions 5b and 5d.

ここで、図２は、図１に示すポリシリコンヒューズ１の第１の抵抗体２を、ＡＢ線で切断した際の断面図である。上述したように、第１の抵抗体２は、端子部５ｂ、５ｄと、抵抗部４ｂ、４ｄと、溶断部８（交差部７）とから構成されている。溶断部８および抵抗部４ｂ、４ｄは、表面にフィールド酸化膜１１が構成されたシリコン基板からなる半導体基板１０に、ポリシリコンからなる抵抗層１３が積層されて、抵抗層１３の表面には、ＢＰＳＧ（Boron phosphorus silicate glass）等からなる絶縁層１２が配置される構成を備える。また、端子部５ｂ、５ｄにおいては、表面にフィールド酸化膜１１が構成された半導体基板１０の所定領域に抵抗層１３が積層して、抵抗層１３およびフィールド酸化膜１１には、表面を覆うための絶縁層１２が形成される構成を備える。ここで、端子部５ｂ、５ｄにおいては、絶縁層１２の一部に、抵抗層１３まで貫通された開口部１５ａ、１５ｂが形成されており、開口部１５ａ、１５ｂの内部はＡｌ−Ｓｉ等により覆われて、電極孔６ｂ、６ｄを構成する。   Here, FIG. 2 is a cross-sectional view when the first resistor 2 of the polysilicon fuse 1 shown in FIG. 1 is cut along an AB line. As described above, the first resistor 2 includes the terminal portions 5b and 5d, the resistor portions 4b and 4d, and the fusing portion 8 (intersection portion 7). The fusing part 8 and the resistance parts 4b and 4d are formed by laminating a resistance layer 13 made of polysilicon on a semiconductor substrate 10 made of a silicon substrate having a field oxide film 11 formed on the surface. An insulating layer 12 made of BPSG (Boron phosphorus silicate glass) or the like is disposed. In the terminal portions 5b and 5d, a resistance layer 13 is laminated in a predetermined region of the semiconductor substrate 10 on the surface of which the field oxide film 11 is configured, and the resistance layer 13 and the field oxide film 11 are covered with the surface. The insulating layer 12 is formed. Here, in the terminal portions 5b and 5d, openings 15a and 15b penetrating to the resistance layer 13 are formed in a part of the insulating layer 12, and the insides of the openings 15a and 15b are made of Al-Si or the like. Covered to form electrode holes 6b and 6d.

第２の抵抗体３は、第１の抵抗体２と同様の構成を有し、配線が配置するための電極孔６ａ、６ｃが形成された対向する２つの端子部５ａ、５ｃと、２つの端子部５ａ、５ｃの間に配置する抵抗部４ａ、４ｃと、第１の抵抗体２と交差する交差部７とからなる。端子部５ａ、５ｃに形成される電極孔６ａ、６ｃは、それぞれ抵抗部４ａ、４ｃから離間した位置に配置されて、交差部７を中心として略対称な形状を有している。なお、本実施形態では、交差部７が、端子部５ａ、５ｂに印加された電流により溶断される溶断部８となる。また、第２の抵抗体３の断面形状も、図２で示した第１の抵抗体２の断面形状と同様であるため、説明を省略する。   The second resistor 3 has the same configuration as that of the first resistor 2, two opposing terminal portions 5 a and 5 c in which electrode holes 6 a and 6 c for arranging wirings are formed, and two It consists of resistance parts 4a and 4c arranged between the terminal parts 5a and 5c, and an intersecting part 7 intersecting with the first resistor 2. The electrode holes 6a and 6c formed in the terminal portions 5a and 5c are arranged at positions spaced from the resistance portions 4a and 4c, respectively, and have a substantially symmetric shape with the intersecting portion 7 as the center. In the present embodiment, the intersecting portion 7 becomes the fusing portion 8 that is fused by the current applied to the terminal portions 5a and 5b. The sectional shape of the second resistor 3 is also the same as the sectional shape of the first resistor 2 shown in FIG.

ここで、第１の抵抗体２および第２の抵抗体３は、溶断部８と抵抗部４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）とで異なる不純物濃度を有しており、溶断部８の不純物濃度の値が、抵抗部４の不純物濃度の値と比較して１０分の１以下となるように構成されている。そして、第２の抵抗体３の抵抗部４ａ、４ｃにおいては、溶断部８（交差部７）から２つの端子部５ａ、５ｃに向かってそれぞれ１μｍ以上広げた領域９ａ、９ｂが、溶断部８と略一致する不純物濃度を有する。なお、第１の抵抗体２の抵抗部４ｂ、４ｄは、溶断部８と同じ不純物濃度を備えてもよく、搭載するＩＣに応じて適宜変更することができるものである。   Here, the first resistor 2 and the second resistor 3 have different impurity concentrations in the fusing part 8 and the resistor part 4 (4a, 4b, 4c, 4d). The concentration value is configured to be 1/10 or less as compared with the impurity concentration value of the resistance portion 4. And in resistance part 4a, 4c of the 2nd resistor 3, area | region 9a, 9b each extended 1 micrometer or more toward two terminal parts 5a, 5c from fusing part 8 (intersection part 7) is fusing part 8 The impurity concentration is approximately the same. The resistance portions 4b and 4d of the first resistor 2 may have the same impurity concentration as that of the fusing portion 8, and can be appropriately changed according to the IC to be mounted.

上述した構成を備えることによって、第２の抵抗体３に電流を印加することにより、不純物濃度の低い溶断部８に電流が集中する。そのため、集中する電流から発生する熱によって、溶断部８に配置するポリシリコンからなる抵抗層１３が溶断されることにより、第１の抵抗体２を切断することができる。   With the above-described configuration, by applying a current to the second resistor 3, the current concentrates on the fusing part 8 having a low impurity concentration. Therefore, the first resistor 2 can be cut by fusing the resistance layer 13 made of polysilicon disposed in the fusing part 8 by heat generated from the concentrated current.

これにより、本発明のポリシリコンヒューズ１は、一方の抵抗体（本実施形態では、第２の抵抗体３）に電流を印加することにより、ヒューズを溶断することができるため、電流を印加する一方の抵抗体がヒューズの溶断特性から決まる抵抗値を有すればよいので、他方の抵抗体（第１の抵抗体２）を自由に設計することができ、ヒューズの設計の自由度を向上することができる。また、溶断部８の不純物濃度は、抵抗部４の不純物濃度の１０分の１以下となるように構成される。そのため、溶断するために印加される電流が、不純物濃度の低い溶断部８に集中するので、電流を印加することにより発生する熱を、溶断部８に集中することができるため、より小さい電流値で溶断を行うことができる。   Thereby, the polysilicon fuse 1 of the present invention can blow the fuse by applying a current to one resistor (in this embodiment, the second resistor 3). Since one resistor only needs to have a resistance value determined from the fusing characteristics of the fuse, the other resistor (first resistor 2) can be freely designed, and the degree of freedom in designing the fuse is improved. be able to. Further, the impurity concentration of the fusing part 8 is configured to be 1/10 or less of the impurity concentration of the resistance part 4. Therefore, since the current applied for fusing is concentrated on the fusing part 8 having a low impurity concentration, the heat generated by applying the current can be concentrated on the fusing part 8, so that a smaller current value is obtained. Fusing can be performed.

そして、第２の抵抗体３の抵抗部４ａ、４ｃにおいては、溶断部８から２つの端子部５ａ、５ｂに向かってそれぞれ１μｍ以上広げた領域９ａ、９ｂが、溶断部８と略一致する不純物濃度を有するように構成する。   In the resistance portions 4 a and 4 c of the second resistor 3, the regions 9 a and 9 b that are expanded by 1 μm or more from the fusing portion 8 toward the two terminal portions 5 a and 5 b are substantially the same as the fusing portion 8. Configure to have concentration.

そのため、後述する本発明のポリシリコンヒューズ１を製造する際の製造のばらつきによって、溶断部８に高濃度のイオンが注入されることを防ぐことができる。また、第１の抵抗体２を半導体装置の回路の一部として利用する場合に、溶断部８のイオン濃度が不均一であることによって、抵抗値がばらついてしまう。しかしながら、上述したように、第２の抵抗体３を構成することによって、溶断部８の不純物濃度を一定に保つことができ、第１の抵抗体２を回路の一部として使用する場合にも、第１の抵抗体２の抵抗値を安定させることができる。   Therefore, it is possible to prevent high-concentration ions from being implanted into the fusing portion 8 due to manufacturing variations when manufacturing the polysilicon fuse 1 of the present invention described later. Further, when the first resistor 2 is used as a part of the circuit of the semiconductor device, the resistance value varies due to the non-uniform ion concentration of the fusing part 8. However, as described above, by configuring the second resistor 3, the impurity concentration of the fusing part 8 can be kept constant, and even when the first resistor 2 is used as a part of a circuit. The resistance value of the first resistor 2 can be stabilized.

それでは、本発明のポリシリコンヒューズ１の製造方法の詳細について、以下図３と図４を用いて説明する。   The details of the method for manufacturing the polysilicon fuse 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ｅ）〜（ｈ）は、本発明のポリシリコンヒューズ１の製造工程を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、シリコンからなる基板１０の表面に、ＬＯＣＯＳ法あるいはＳＴＩ法等を用いてフィールド酸化膜１１を構成する。フィールド酸化膜１１は、半導体基板１０の内部に向けて酸化を行うために、酸化膜１１が埋め込まれた状態となり、素子分離を行うことができる。そして、フィールド酸化膜１１が形成された基板１０に、ＣＶＤ法により、厚さ１５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度のポリシリコン膜２０を堆積させる。なお、本発明のポリシリコン膜２０は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極や、抵抗を想定したものであるが、使用する半導体装置に応じて、ポリシリコン膜２０の膜厚等の設計を、適宜変更することができる。   FIGS. 3A to 3D and FIGS. 4E to 4H are cross-sectional views showing the manufacturing process of the polysilicon fuse 1 of the present invention. As shown in FIG. 3A, a field oxide film 11 is formed on the surface of a substrate 10 made of silicon by using a LOCOS method, an STI method, or the like. Since the field oxide film 11 is oxidized toward the inside of the semiconductor substrate 10, the oxide film 11 is buried, and element isolation can be performed. Then, a polysilicon film 20 having a thickness of about 150 nm to 400 nm is deposited on the substrate 10 on which the field oxide film 11 is formed by a CVD method. Note that the polysilicon film 20 of the present invention assumes a gate electrode of a MOS transistor and a resistance, but the design of the film thickness and the like of the polysilicon film 20 is appropriately changed according to the semiconductor device to be used. be able to.

次に、図３（ｂ）に示すように、ポリシリコン膜２０全体にボロン（Ｂ＋）をイオン注入する。この際、イオン注入の条件は、加速度２０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１４atoms/cm2程度とする。これにより、イオン注入されたポリシリコン膜２１のシート抵抗の値は、１ｋΩ／□〜４ｋΩ／□となる。 Next, as shown in FIG. 3B, boron (B +) is ion-implanted into the entire polysilicon film 20. At this time, the ion implantation conditions are an acceleration of 20 keV and a dose of about 1E14 atoms / cm 2 . As a result, the sheet resistance value of the ion-implanted polysilicon film 21 is 1 kΩ / □ to 4 kΩ / □.

そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、抵抗層１３（図２参照）となる領域のポリシリコン膜２１にフォトレジストマスク（不図示）を形成することにより、抵抗層１３となる領域以外のポリシリコン膜２１をエッチングして除去し、図３（ｃ）に示すように、ポリシリコン膜２２を形成する。   Then, by using a photolithography technique, a photoresist mask (not shown) is formed on the polysilicon film 21 in the region to be the resistance layer 13 (see FIG. 2), so that the polysilicon film other than the region to be the resistance layer 13 is formed. 21 is removed by etching, and a polysilicon film 22 is formed as shown in FIG.

その後、図３（ｄ）に示すように、抵抗部４（４ａ〜４ｄ）（図１参照）となる以外の領域にフォトレジストマスク２３ａ〜２３ｃを形成することにより、抵抗部４となる領域のポリシリコン膜２２にボロンをイオン注入する。この際、イオン注入の条件は、加速度２０ｋｅＶ〜６５ｋｅＶ、ドーズ量５Ｅ１４atoms/cm2程度とする。これにより、抵抗部４となる領域のポリシリコン膜２４ａ、２４ｂのシート抵抗を決定する。抵抗部４となるポリシリコン膜２４ａ、２４ｂのシート抵抗の値は、１００Ω／□〜４００Ω／□となる。 Thereafter, as shown in FIG. 3D, by forming photoresist masks 23a to 23c in regions other than the resistor 4 (4a to 4d) (see FIG. 1), the region to be the resistor 4 is formed. Boron ions are implanted into the polysilicon film 22. At this time, the ion implantation conditions are an acceleration of 20 keV to 65 keV and a dose of about 5E14 atoms / cm 2 . Thereby, the sheet resistance of the polysilicon films 24a and 24b in the region to be the resistance portion 4 is determined. The sheet resistance values of the polysilicon films 24a and 24b to be the resistance portion 4 are 100Ω / □ to 400Ω / □.

上述した工程を終えたポリシリコンヒューズの構成を図４（ｅ）に示す。図４（ｅ）に示すように、フィールド酸化膜１１が構成された基板１０の上には、溶断部８となる領域のシート抵抗の値と、抵抗部４となる領域のシート抵抗の値とを有するポリシリコン膜２２、２４ａ、２４ｂが形成される。なお、本発明は、上述したシート抵抗の値に限ったものではなく、ＩＣの設計に応じて変更されるものである。また、図示しないが、第１の抵抗体２の抵抗部４ｂ、４ｄのシート抵抗をさらに変えたい場合は、シート抵抗を変えたい領域以外にフォトレジストマスクを形成して、イオンを注入することにより、シート抵抗を変化させることもできる。   FIG. 4E shows the structure of the polysilicon fuse that has been subjected to the above-described steps. As shown in FIG. 4E, on the substrate 10 on which the field oxide film 11 is formed, the sheet resistance value in the region to be the fusing part 8 and the sheet resistance value in the region to be the resistance part 4 are The polysilicon films 22, 24a and 24b having the above are formed. The present invention is not limited to the above-described sheet resistance value, but is changed according to the IC design. Although not shown, when it is desired to further change the sheet resistance of the resistance portions 4b and 4d of the first resistor 2, a photoresist mask is formed in a region other than the region where the sheet resistance is to be changed, and ions are implanted. The sheet resistance can also be changed.

次に、図４（ｆ）に示すように、溶断部８となる領域のポリシリコン膜２２と、抵抗部４となる領域のシート抵抗の値を有するポリシリコン膜２４ａ、２４ｂの一部とに、フォトレジストマスク２５ａ〜２５ｃを構成する。そして、フォトレジストマスク２５ａ〜２５ｃが形成されていないポリシリコン膜２４ａ、２４ｂの一部に、高濃度のボロン（ＢＦ２＋）をイオン注入する。この際、イオン注入の条件は、加速度８０ｋｅＶ、ドーズ量１Ｅ１５atoms/cm2程度とする。これにより、端子部５（５ａ〜５ｄ）となる領域のシート抵抗の値を有するポリシリコン膜２６ａ、２６ｂを形成する。 Next, as shown in FIG. 4 (f), the polysilicon film 22 in the region to be the fusing part 8 and the polysilicon films 24 a and 24 b having the sheet resistance value in the region to be the resistance part 4 are formed. The photoresist masks 25a to 25c are configured. Then, high-concentration boron (BF2 +) is ion-implanted into part of the polysilicon films 24a and 24b where the photoresist masks 25a to 25c are not formed. At this time, the ion implantation conditions are an acceleration of 80 keV and a dose of about 1E15 atoms / cm 2 . Thereby, the polysilicon films 26a and 26b having the sheet resistance value in the region to be the terminal portion 5 (5a to 5d) are formed.

上述した工程を終えたポリシリコンヒューズは、図４（ｇ）に示すように、フィールド酸化膜１１が構成された基板１０の上に、シート抵抗の値が１ｋΩ／□〜４ｋΩ／□を有する溶断部８となる領域のポリシリコン膜２２と、シート抵抗の値が１００Ω／□〜４００Ω／□を有する抵抗部４となる領域のポリシリコン膜２４ａ、２４ｂと、それ以外のシート抵抗の値を有する端子部５となる領域のポリシリコン膜２６ａ、２６ｂとが存在する。   As shown in FIG. 4G, the polysilicon fuse which has been subjected to the above-described process is blown on the substrate 10 on which the field oxide film 11 is formed having a sheet resistance value of 1 kΩ / □ to 4 kΩ / □. The polysilicon film 22 in the region to be the portion 8, the polysilicon films 24 a and 24 b in the region to be the resistance portion 4 having a sheet resistance value of 100Ω / □ to 400Ω / □, and other sheet resistance values. There are polysilicon films 26 a and 26 b in the region to be the terminal portion 5.

そして、図４（ｈ）に示すように、端子部５（図１参照）となる領域のポリシリコン膜２６ａ、２６ｂおよびフィールド酸化膜１１の表面に、ＢＰＳＧ等の絶縁膜１２をＣＶＤ法により堆積した後、フォトリソグラフィ技術、あるいはドライエッチング技術を用いて端子部５となる領域に堆積する絶縁膜１２の一部を除去することにより開口部２８を形成する。そして、スパッタを用いてＡｌ−Ｓｉ等の配線金属２９を開口部２８に形成することにより、電極孔６ａ〜６ｄを形成して配線パターンを構成する。   Then, as shown in FIG. 4H, an insulating film 12 such as BPSG is deposited on the surfaces of the polysilicon films 26a and 26b and the field oxide film 11 in the region to be the terminal portion 5 (see FIG. 1) by the CVD method. After that, the opening 28 is formed by removing a part of the insulating film 12 deposited in the region to be the terminal portion 5 by using a photolithography technique or a dry etching technique. Then, by forming a wiring metal 29 such as Al-Si in the opening 28 by sputtering, the electrode holes 6a to 6d are formed to form a wiring pattern.

以上のような工程を経ることにより、本発明のポリシリコンヒューズ１が製造される。なお、第１実施形態のポリシリコンヒューズ１のように、溶断部８と当接する位置から、それぞれ１μｍ以上広げた領域に配置する第２の抵抗体３の抵抗部９ａ、９ｂ（図１参照）が、溶断部８と同じ不純物濃度を備えるように構成する場合には、以下のようにポリシリコンヒューズを製造すればよい。つまり、図３（ｄ）に示すように、抵抗部４となる以外の領域にフォトレジストマスク２３ａ〜２３ｃを形成する際に、抵抗部４ａ、４ｃとなる領域においては、溶断部８となる領域からそれぞれ１μｍ以上広げた領域にまで、フォトレジストマスク２３ａを構成する。これにより、フォトレジストマスク２３ａ〜２３ｃを構成した領域には、高濃度なボロンが注入されないので、溶断部８と当接する位置から、それぞれ１μｍ以上広げた領域に配置する第２の抵抗体３の抵抗部９ａ、９ｂが、溶断部８と同じ不純物濃度を備えるように、ポリシリコンヒューズを製造することができる。   Through the above-described steps, the polysilicon fuse 1 of the present invention is manufactured. In addition, like the polysilicon fuse 1 of the first embodiment, the resistance portions 9a and 9b of the second resistor 3 disposed in the regions expanded by 1 μm or more from the position where they contact the fusing portion 8 (see FIG. 1). However, when it is configured to have the same impurity concentration as that of the fusing part 8, a polysilicon fuse may be manufactured as follows. That is, as shown in FIG. 3D, when the photoresist masks 23 a to 23 c are formed in the region other than the resistance portion 4, the regions to be the fusing portions 8 in the regions to be the resistance portions 4 a and 4 c. The photoresist mask 23a is formed from 1 to a region widened by 1 μm or more. As a result, since high-concentration boron is not implanted into the regions constituting the photoresist masks 23a to 23c, the second resistor 3 disposed in the region expanded by 1 μm or more from the position in contact with the fusing part 8 respectively. The polysilicon fuse can be manufactured so that the resistance portions 9a and 9b have the same impurity concentration as that of the fusing portion 8.

本発明のポリシリコンヒューズの製造方法においては、ポリシリコン膜２０全体に、ボロンをイオンを注入してポリシリコン膜２２を構成する工程と、ポリシリコン膜２２の一部に、上述した工程よりも高濃度なボロンをイオン注入してポリシリコン膜２４ａ、２４ｂを構成する工程とを備える。そのため、単層のポリシリコン膜２０において、低濃度部と高濃度部とを構成することにより、ポリシリコンヒューズを製造することができるので、コストが安くすみ、簡便に製造することが出来る。また、ポリシリコン膜２０に、ボロンをイオン注入していることにより、本発明のポリシリコンヒューズ１を半導体装置に用いた際に、動作速度の速い半導体装置を実現することができる。   In the method for manufacturing a polysilicon fuse according to the present invention, a step of implanting boron into the entire polysilicon film 20 to form the polysilicon film 22, and a part of the polysilicon film 22 in the steps described above. And a step of forming polysilicon films 24a and 24b by ion implantation of high-concentration boron. Therefore, since the polysilicon fuse can be manufactured by forming the low concentration portion and the high concentration portion in the single layer polysilicon film 20, the cost can be reduced and the manufacture can be easily performed. In addition, since boron is ion-implanted into the polysilicon film 20, a semiconductor device having a high operating speed can be realized when the polysilicon fuse 1 of the present invention is used in a semiconductor device.

また、ポリシリコン膜２２のシート抵抗の値は、１ｋΩ／□以上４ｋΩ／□以下であり、ポリシリコン膜２４ａ、２４ｂのシート抵抗の値は、１００Ω／□以上４００Ω／□以下である。そのため、ポリシリコン膜には、ポリシリコン膜２２のように、イオン濃度が低い低濃度部と、ポリシリコン膜２４ａ、２４ｂのように、イオン濃度が高い高濃度部とが設けられて、低濃度部におけるイオン濃度（不純物濃度）は、高濃度部におけるイオン濃度（不純物濃度）の１０分の１以下とすることができる。これにより、ポリシリコン膜の低濃度部と高濃度部との不純物濃度の差異を大きくすることで、溶断する際に印加される電流を、効果的に低濃度部に集中することができる。また、電流が溶断部に集中することにより、電流によって発生する熱も集中することができるために、より小さい電流値で確実に溶断を行うことができるポリシリコンヒューズを製造することができる。   The sheet resistance value of the polysilicon film 22 is 1 kΩ / □ or more and 4 kΩ / □ or less, and the sheet resistance values of the polysilicon films 24a and 24b are 100Ω / □ or more and 400Ω / □ or less. Therefore, the polysilicon film is provided with a low concentration portion having a low ion concentration like the polysilicon film 22 and a high concentration portion having a high ion concentration like the polysilicon films 24a and 24b. The ion concentration (impurity concentration) in the portion can be set to 1/10 or less of the ion concentration (impurity concentration) in the high concentration portion. Thereby, by increasing the difference in impurity concentration between the low concentration portion and the high concentration portion of the polysilicon film, the current applied when fusing can be effectively concentrated on the low concentration portion. In addition, since the current concentrates on the blown portion, the heat generated by the current can also be concentrated, so that a polysilicon fuse that can be reliably blown with a smaller current value can be manufactured.

（第２実施形態）
次に第２実施形態におけるポリシリコンヒューズについて図５を用いて、以下に説明する。図５は、第２実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。 (Second Embodiment)
Next, the polysilicon fuse in the second embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a plan view of the polysilicon fuse in the second embodiment.

本実施形態におけるポリシリコンヒューズ３０は、図５に示すように、第２の抵抗体３１の抵抗部３４ａ、３４ｂと、溶断部３３とが第１実施形態と異なっており、後の構成は、第１実施形態と同様である。なお、説明のため、第１実施形態のポリシリコンヒューズ１と同様の部分には、同一の符号を付し、説明を省略する。   As shown in FIG. 5, the polysilicon fuse 30 according to the present embodiment is different from the first embodiment in the resistance portions 34 a and 34 b of the second resistor 31 and the fusing portion 33. This is the same as in the first embodiment. For the sake of explanation, parts similar to those of the polysilicon fuse 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

第２実施形態のポリシリコンヒューズ３０は、第２の抵抗体３１の抵抗部３４ａ、３４ｂの幅が、溶断部３３（交差部３２）側に近づくにつれて徐々に狭まる構成を備える。そのため、第２の抵抗体３１側に配置する溶断部３３の幅は、第１の抵抗体２側に配置する溶断部３３の幅と比較すると狭くなっている。   The polysilicon fuse 30 of the second embodiment has a configuration in which the widths of the resistance portions 34a and 34b of the second resistor 31 are gradually narrowed toward the fusing portion 33 (intersection portion 32). Therefore, the width of the fusing part 33 arranged on the second resistor 31 side is narrower than the width of the fusing part 33 arranged on the first resistor 2 side.

ここで、一般にポリシリコンヒューズの溶断に必要な溶断電流の臨界値は、ポリシリコンヒューズの幅および厚さに比例する。つまり、ポリシリコンヒューズの断面積が小さくなるほど、溶断電流の臨界値も小さくなる。   Here, the critical value of the fusing current generally required for fusing the polysilicon fuse is proportional to the width and thickness of the polysilicon fuse. That is, the smaller the cross-sectional area of the polysilicon fuse, the smaller the critical value of the fusing current.

第２実施形態のポリシリコンヒューズ３０は、上述したような構成を備えることで、第２の抵抗体３１側に配置する溶断部３３の幅が、第１の抵抗体２側に配置する溶断部３３の幅よりも細くすることができるので、溶断部３３の断面積を小さくすることができる。これにより、溶断電流の臨界値を小さくすることができ、より小さい電流でポリシリコンヒューズ３０を溶断することができる。   The polysilicon fuse 30 according to the second embodiment has the above-described configuration, so that the width of the fusing part 33 arranged on the second resistor 31 side is the fusing part arranged on the first resistor 2 side. Since it can be made thinner than the width of 33, the cross-sectional area of the fusing part 33 can be reduced. As a result, the critical value of the fusing current can be reduced, and the polysilicon fuse 30 can be blown with a smaller current.

（第３実施形態）
第３実施形態におけるポリシリコンヒューズについて図６を用いて、以下に説明する。図６は、第３実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。 (Third embodiment)
The polysilicon fuse in the third embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 6 is a plan view of a polysilicon fuse in the third embodiment.

本実施形態におけるポリシリコンヒューズ４０は、図６に示すように、第２の抵抗体４１の形状が、第１の実施形態および第２の実施形態と異なっており、後の構成は、第１実施形態および第２の実施形態と同様である。なお、説明のため、第１実施形態および第２実施形態のポリシリコンヒューズと同様の部分には、同一の符号を付し、説明を省略する。   As shown in FIG. 6, the polysilicon fuse 40 in the present embodiment is different from the first embodiment and the second embodiment in the shape of the second resistor 41. This is the same as the embodiment and the second embodiment. For the sake of explanation, parts similar to those of the polysilicon fuses of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

第３実施形態のポリシリコンヒューズ４０は、第２の抵抗体４１における抵抗部４３と交差部４４（４４ａ、４４ｂ、４５）とがクランク形状に構成されている。つまり、第１の抵抗体２と、第２の抵抗体４１とが交差する交差部４４の一方の端部４４ａが、抵抗部４３ａと互いに直角をなすように配置されて、交差部４４の他方の端部４４ｂが、抵抗部４３ｂと互いに直角をなすように配置されている。そして、交差部４４の両端部４４ａ、４４ｂの間に位置する領域に、溶断部４５が設けられる。   In the polysilicon fuse 40 of the third embodiment, the resistance portion 43 and the intersecting portion 44 (44a, 44b, 45) in the second resistor 41 are configured in a crank shape. That is, one end portion 44a of the intersecting portion 44 where the first resistor 2 and the second resistor 41 intersect is disposed so as to be perpendicular to the resistor portion 43a, and the other end of the intersecting portion 44 The end portion 44b is arranged so as to be perpendicular to the resistance portion 43b. A fusing portion 45 is provided in a region located between both end portions 44 a and 44 b of the intersecting portion 44.

本実施形態のポリシリコンヒューズ４０は、第２の抵抗体４１の形状を、抵抗部４３ａ、４３ｂおよび交差部４４が、クランク形状となるように構成し、抵抗部４３ａ、４３ｂから離間した位置に配置する交差部４４に、溶断部４５を設けたことにより、さらに確実に電流を溶断部４５に集中させることができ、溶断効率を高めて、より小さい電圧で溶断することが可能となる。   In the polysilicon fuse 40 of this embodiment, the shape of the second resistor 41 is configured such that the resistor portions 43a and 43b and the intersecting portion 44 have a crank shape, and the second resistor 41 is spaced from the resistor portions 43a and 43b. By providing the fusing part 45 at the intersecting part 44 to be arranged, the current can be more reliably concentrated on the fusing part 45, so that fusing efficiency can be improved and fusing can be performed with a smaller voltage.

また、第３実施形態においては、第２実施形態と同様に溶断部４５の断面積を小さくなるように設計することもできる。その一例を図７に示す。   Moreover, in 3rd Embodiment, it can also design so that the cross-sectional area of the fusing part 45 may become small similarly to 2nd Embodiment. An example is shown in FIG.

図７は、第３実施形態におけるポリシリコンヒューズの別の構成例を示す平面図である。第３実施形態の別の構成例におけるポリシリコンヒューズ５０は、図７に示すように、溶断部５５の幅が、交差部５４（５４ａ、５４ｂ）の幅よりも狭くなるように構成される。その他の部分は、第３実施形態と同様であるため、説明を省略する。   FIG. 7 is a plan view showing another configuration example of the polysilicon fuse in the third embodiment. As shown in FIG. 7, the polysilicon fuse 50 in another configuration example of the third embodiment is configured such that the width of the fusing part 55 is narrower than the width of the intersecting parts 54 (54a, 54b). Since other parts are the same as those of the third embodiment, description thereof is omitted.

上述したように構成することにより、第３実施形態の別の構成を有するポリシリコンヒューズ５０は、溶断部５５の幅および溶断部５５の長さ（つまり、交差部５４ａと交差部５４ｂとの間の距離）を設計に応じて自由に決定することができる。また、第２の抵抗体５１をクランク形状に構成することにより、交差部５４の領域を第１実施形態あるいは第２実施形態よりも広くとることができるので、交差部５４と溶断部５５とを別々に構成することもできる。そのため、溶断部５５を、第１の抵抗体２および第２の抵抗体５１の形状に限定されることなく構成することができ、溶断部５５の断面積を第１実施形態および第２実施形態の溶断部よりも更に小さくすることができる。これにより、第２の抵抗体５１に印加される電流を、第１実施形態および第２実施形態の印加される電流値よりもさらに小さくすることができる。   By configuring as described above, the polysilicon fuse 50 having another configuration according to the third embodiment is configured such that the width of the fusing part 55 and the length of the fusing part 55 (that is, between the intersecting part 54a and the intersecting part 54b). Can be freely determined according to the design. Moreover, since the area | region of the crossing part 54 can be taken wider than 1st Embodiment or 2nd Embodiment by comprising the 2nd resistor 51 in a crank shape, the crossing part 54 and the fusing part 55 are made. It can also be configured separately. Therefore, the fusing part 55 can be configured without being limited to the shapes of the first resistor 2 and the second resistor 51, and the cross-sectional area of the fusing part 55 is set to the first embodiment and the second embodiment. It can be made smaller than the fusing part. Thereby, the electric current applied to the 2nd resistor 51 can be made still smaller than the electric current value applied to 1st Embodiment and 2nd Embodiment.

（実施例）
本発明のポリシリコンヒューズは、様々な半導体装置に使用することができるが、その中でも、光電変換装置のように、フォトダイオードから出力する光電流を増幅させる増幅回路のゲイン抵抗部分のトリミングに特に適している。そこで、その実施例について、以下に図面を用いて詳細に説明する。 (Example)
The polysilicon fuse of the present invention can be used for various semiconductor devices, and among them, particularly for trimming the gain resistance portion of an amplifier circuit that amplifies the photocurrent output from a photodiode, such as a photoelectric conversion device. Is suitable. Therefore, the embodiment will be described in detail below with reference to the drawings.

ここで、本発明のポリシリコンヒューズ１との比較のために、従来のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置を図９に示す。図９は、従来のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置の回路図である。従来のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置７０は、図９に示すように、本発明の光電変換装置６０と同様に、フォトダイオード７１と、接地端子７２と、増幅回路７５とを備えている。増幅回路７５は、図９に示すように、フォトダイオード７１からの光電流を入力するバイポーラトランジスタ７３を含む増幅部（不図示）と、従来のポリシリコンヒューズ８０（８０ａ〜８０ｃ）（図１０参照）と、抵抗７４ａ〜７４ｃとからなる。従来のポリシリコンヒューズ８０ａ〜８０ｃおよび抵抗７４ａ〜７４ｃは、それぞれ並列に接続されてゲイン抵抗値を決定する。   Here, for comparison with the polysilicon fuse 1 of the present invention, a conventional photoelectric conversion device using a polysilicon fuse is shown in FIG. FIG. 9 is a circuit diagram of a photoelectric conversion device using a conventional polysilicon fuse. As shown in FIG. 9, a conventional photoelectric conversion device 70 using a polysilicon fuse includes a photodiode 71, a ground terminal 72, and an amplifier circuit 75 as in the photoelectric conversion device 60 of the present invention. . As shown in FIG. 9, the amplifying circuit 75 includes an amplifying unit (not shown) including a bipolar transistor 73 for inputting a photocurrent from the photodiode 71, and a conventional polysilicon fuse 80 (80a to 80c) (see FIG. 10). ) And resistors 74a to 74c. Conventional polysilicon fuses 80a-80c and resistors 74a-74c are connected in parallel to determine the gain resistance value.

上述したような構成を備えることにより、従来のポリシリコンヒューズを備える光電変換装置７０は、光信号が入力されると、フォトダイオード７１からその光量に応じた光電流が出力されて、増幅回路７５に入力する。そして、増幅回路７５は、ゲイン抵抗値に従った増幅率で信号を増加する。この際、ゲイン抵抗値は、増幅率を一定にするためにトリミングする必要がある。そこで、従来のポリシリコンヒューズ８０ａ〜８０ｃの両電極部８２ａ、８２ｂに高電圧を強制的に印加することにより、溶断部８３を溶断してゲイン抵抗をトリミングする。   With the configuration as described above, the photoelectric conversion device 70 including the conventional polysilicon fuse outputs a photocurrent corresponding to the light amount from the photodiode 71 when an optical signal is input, and the amplifier circuit 75. To enter. Then, the amplifier circuit 75 increases the signal with an amplification factor according to the gain resistance value. At this time, the gain resistance value needs to be trimmed to make the amplification factor constant. Therefore, by forcing a high voltage to both electrode portions 82a and 82b of the conventional polysilicon fuses 80a to 80c, the fusing portion 83 is blown to trim the gain resistance.

しかしながら、ゲイン抵抗をトリミングする際にポリシリコンヒューズ８０ａ〜８０ｃに印加する電圧が、図９の矢印で示すように、ポリシリコンヒューズ８０ａに接続されているバイポーラトランジスタ７３のベース端子にも印加されることになる。そのため、従来のポリシリコンヒューズ８０ａ〜８０ｃを備える光電変換装置７０では、バイポーラトランジスタ７３がダメージを受けて、最悪の場合には、破壊するという問題が生じていた。   However, the voltage applied to the polysilicon fuses 80a to 80c when trimming the gain resistor is also applied to the base terminal of the bipolar transistor 73 connected to the polysilicon fuse 80a as shown by the arrow in FIG. It will be. Therefore, in the photoelectric conversion device 70 including the conventional polysilicon fuses 80a to 80c, the bipolar transistor 73 is damaged, and in the worst case, there is a problem of destruction.

図８は、本発明のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置の回路図である。図８に示すように、光電変換装置６０は、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１に接続される接地端子６２と、フォトダイオード６１からの光電流を増幅させる増幅回路６５とを備える。増幅回路６５は、フォトダイオード６１からの光電流を入力するバイポーラトランジスタ６３を含む増幅部（不図示）と、本発明の第１実施形態のポリシリコンヒューズ１ａ〜１ｃと、抵抗６４ａ〜６４ｃとからなる。本発明のポリシリコンヒューズ１ａ〜１ｃおよび抵抗６４ａ〜６４ｃは、それぞれ並列に接続されてゲイン抵抗値を決定する。なお、本実施例は、上述した構成にとらわれるものではない。   FIG. 8 is a circuit diagram of a photoelectric conversion device using the polysilicon fuse of the present invention. As shown in FIG. 8, the photoelectric conversion device 60 includes a photodiode 61, a ground terminal 62 connected to the photodiode 61, and an amplifier circuit 65 that amplifies the photocurrent from the photodiode 61. The amplifier circuit 65 includes an amplifier (not shown) including a bipolar transistor 63 that inputs the photocurrent from the photodiode 61, the polysilicon fuses 1a to 1c of the first embodiment of the present invention, and the resistors 64a to 64c. Become. The polysilicon fuses 1a to 1c and the resistors 64a to 64c of the present invention are respectively connected in parallel to determine the gain resistance value. In addition, a present Example is not restricted to the structure mentioned above.

ここで、本発明のポリシリコンヒューズ１ａ〜１ｃは、第２の抵抗部３ａ〜３ｃが内部回路に対して接続されていないオープンな状態となっており、また、第２の抵抗体３ａ〜３ｃに電流を印加して溶断部を溶断する際には、第１の抵抗部２ａ〜２ｃが、内部回路に対してオープンな状態、あるいは、ハイインピーダンスな状態となるように構成されている。   Here, the polysilicon fuses 1a to 1c according to the present invention are in an open state in which the second resistor portions 3a to 3c are not connected to the internal circuit, and the second resistors 3a to 3c. When the current is applied to the fusing part to cut the fusing part, the first resistance parts 2a to 2c are configured to be in an open state or a high impedance state with respect to the internal circuit.

上記構成の光電変換装置６０においては、ゲイン抵抗をトリミングする際に、ポリシリコンヒューズ１ａ〜１ｃの第２の抵抗体３ａ〜３ｃの両端子部に電圧を印加する。ここで、第２の抵抗体３ａ〜３ｃは、内部回路に対して接続されていないオープンな状態となっており、第１の抵抗体２ａ〜２ｃは、オープンな状態、あるいは、ハイインピーダンスな状態となっている。そのため、第２の抵抗体３ａ〜３ｃに印加される電圧が、溶断部（不図示）を介して第１の抵抗体２ａ〜２ｃに印加されることにより、第１の抵抗体２ａ〜２ｃを介してバイポーラトランジスタ６３のベース端子に印加されることを防ぐことができる。これにより、本発明のポリシリコンヒューズ１ａ〜１ｃを備えた光電変換装置６０は、従来のポリシリコンヒューズ８０を備えた光電変換装置７０とは異なり、ゲイン抵抗をトリミングするために電圧を印加する際にも、バイポーラトランジスタにダメージを与えることを防ぎ、バイポーラトランジスタが破壊することを防ぐことができる。   In the photoelectric conversion device 60 configured as described above, when trimming the gain resistance, a voltage is applied to both terminal portions of the second resistors 3a to 3c of the polysilicon fuses 1a to 1c. Here, the second resistors 3a to 3c are in an open state not connected to the internal circuit, and the first resistors 2a to 2c are in an open state or a high impedance state. It has become. Therefore, the voltage applied to the second resistors 3a to 3c is applied to the first resistors 2a to 2c via the fusing part (not shown), so that the first resistors 2a to 2c are changed. Thus, application to the base terminal of the bipolar transistor 63 can be prevented. Thus, unlike the photoelectric conversion device 70 having the conventional polysilicon fuse 80, the photoelectric conversion device 60 including the polysilicon fuses 1a to 1c according to the present invention applies a voltage to trim the gain resistance. In addition, the bipolar transistor can be prevented from being damaged and the bipolar transistor can be prevented from being destroyed.

なお、上述した本発明のポリシリコンヒューズは、上記実施例にとらわれず、様々な半導体装置において実施できるものである。   The polysilicon fuse of the present invention described above can be implemented in various semiconductor devices without being limited to the above embodiments.

第１実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。It is a top view of the polysilicon fuse in a 1st embodiment. 第１実施形態におけるポリシリコンヒューズの断面図である。It is sectional drawing of the polysilicon fuse in 1st Embodiment. （ａ）〜（ｄ）本発明のポリシリコンヒューズの製造工程を示す断面図である。(A)-(d) It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the polysilicon fuse of this invention. （ｅ）〜（ｈ）本発明のポリシリコンヒューズの製造工程を示す断面図である。(E)-(h) It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the polysilicon fuse of this invention. 第２実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。It is a top view of the polysilicon fuse in 2nd Embodiment. 第３実施形態におけるポリシリコンヒューズの平面図である。It is a top view of the polysilicon fuse in 3rd Embodiment. 第３実施形態におけるポリシリコンヒューズの別の構成例を示す平面図である。It is a top view which shows another structural example of the polysilicon fuse in 3rd Embodiment. 本発明のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置の回路図である。It is a circuit diagram of the photoelectric conversion apparatus using the polysilicon fuse of this invention. 従来のポリシリコンヒューズを用いた光電変換装置の回路図である。It is a circuit diagram of the photoelectric conversion apparatus using the conventional polysilicon fuse. 従来のポリシリコンヒューズを示す平面図である。It is a top view which shows the conventional polysilicon fuse.

符号の説明Explanation of symbols

１、３０、４０、５０ ポリシリコンヒューズ
２ 第１の抵抗体
３、３１、４１、５１ 第２の抵抗体
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、３４ａ、３４ｂ、４３ａ、４３ｂ、５３ａ、５３ｂ 抵抗部
５（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ） 端子部
７、３２、４４（４４ａ、４４ｂ）、５４（５４ａ、５４ｂ） 交差部
８、３３、４５、５５ 溶断部 1, 30, 40, 50 Polysilicon fuse 2 First resistor 3, 31, 41, 51 Second resistor 4a, 4b, 4c, 4d, 34a, 34b, 43a, 43b, 53a, 53b Resistor 5 (5a, 5b, 5c, 5d) Terminal portion 7, 32, 44 (44a, 44b), 54 (54a, 54b) Crossing portion 8, 33, 45, 55 Fusing portion

Claims (12)

２つの端子部と、２つの前記端子部間をつなぐポリシリコンからなる抵抗部とで構成される抵抗体を２対備え、
２対の前記抵抗体は、前記抵抗部が互いに直角に交差するように配置される交差部を有し、
前記交差部は、電流が印加された際に溶断される溶断部が設けられて、
前記溶断部の不純物濃度は、前記抵抗部の不純物濃度よりも低くなるように構成されており、
一方の前記抵抗体の前記端子部に電流を印加することにより、前記溶断部を溶断することを特徴とするポリシリコンヒューズ。 Two pairs of resistors composed of two terminal portions and a resistor portion made of polysilicon connecting between the two terminal portions,
The two pairs of resistors have crossing portions arranged such that the resistance portions cross each other at right angles,
The crossing portion is provided with a fusing portion that is blown when a current is applied,
The impurity concentration of the fusing portion is configured to be lower than the impurity concentration of the resistance portion,
A polysilicon fuse, wherein the fusing part is blown by applying a current to the terminal part of one of the resistors. ２対の前記抵抗体は、第１の抵抗体と、第２の抵抗体とからなり、
前記第２の抵抗体は、前記端子部に電流を印加されることにより、前記溶断部を溶断することを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンヒューズ。 The two pairs of resistors are composed of a first resistor and a second resistor,
2. The polysilicon fuse according to claim 1, wherein the second resistor blows the fusing part by applying a current to the terminal part. 3. 前記溶断部の不純物濃度は、前記第２の抵抗体の前記抵抗部の不純物濃度の１０分の１以下とすることを特徴とする請求項２に記載のポリシリコンヒューズ。   3. The polysilicon fuse according to claim 2, wherein an impurity concentration of the fusing portion is set to 1/10 or less of an impurity concentration of the resistance portion of the second resistor. 前記第２の抵抗体の前記抵抗部は、前記交差部から２つの前記端子部に向かってそれぞれ１μｍ以上広げた領域が、前記溶断部と略一致する不純物濃度を有することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のポリシリコンヒューズ。   The resistance portion of the second resistor has an impurity concentration in which regions expanded by 1 μm or more from the intersecting portion toward the two terminal portions have substantially the same concentration as the fusing portion. A polysilicon fuse according to claim 2 or claim 3. 前記第２の抵抗体の前記抵抗部の幅は、前記溶断部側に近づくにつれて徐々に狭まることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載のポリシリコンヒューズ。   5. The polysilicon fuse according to claim 2, wherein the width of the resistance portion of the second resistor is gradually narrowed toward the fusing portion side. 6. 前記第２の抵抗体は、前記抵抗部と前記交差部とが略クランク形状に構成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のポリシリコンヒューズ。   4. The polysilicon fuse according to claim 2, wherein the second resistor is configured such that the resistance portion and the intersecting portion have a substantially crank shape. 5. 前記交差部の少なくとも一部には、前記溶断部が設けられて、
前記溶断部の幅は、前記交差部の幅よりも細いことを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンヒューズ。 At least a part of the intersection is provided with the fusing part,
The polysilicon fuse according to claim 6, wherein a width of the fusing part is narrower than a width of the intersecting part. 前記第２の抵抗体の前記端子部に電流を印加して前記溶断部を溶断する際に、
前記第１の抵抗体は、２つの前記端子部がオープン状態、あるいは、ハイインピーダンス状態となっていることを特徴とする請求項２〜請求項７のいずれかに記載のポリシリコンヒューズ。 When fusing the fusing part by applying a current to the terminal part of the second resistor,
8. The polysilicon fuse according to claim 2, wherein two terminal portions of the first resistor are in an open state or a high impedance state. 9. 請求項１〜請求項８のいずれかに記載のポリシリコンヒューズにおいて、
ポリシリコン膜に、ボロンをイオン注入する第１の工程と、
前記ポリシリコン膜の一部に、前記第１の工程よりも高濃度なボロンをイオン注入する第２の工程とを、含むことを特徴とするポリシリコンヒューズの製造方法。 In the polysilicon fuse in any one of Claims 1-8,
A first step of ion-implanting boron into the polysilicon film;
A method of manufacturing a polysilicon fuse, comprising: a second step of ion-implanting boron having a higher concentration than the first step into a part of the polysilicon film. 前記第１の工程において、イオン注入される前記ポリシリコン膜のシート抵抗は、１ｋΩ／□以上４ｋΩ／□以下であり、
前記第２の工程において、イオン注入される前記ポリシリコン膜のシート抵抗は、１００Ω／□以上４００Ω／□以下であることを特徴とする請求項９に記載のポリシリコンヒューズの製造方法。 In the first step, the sheet resistance of the polysilicon film to be ion-implanted is 1 kΩ / □ or more and 4 kΩ / □ or less,
10. The method for manufacturing a polysilicon fuse according to claim 9, wherein in the second step, the sheet resistance of the polysilicon film to be ion-implanted is 100Ω / □ or more and 400Ω / □ or less. 請求項１〜請求項８のいずれかに記載のポリシリコンヒューズを備えることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device comprising the polysilicon fuse according to claim 1. 請求項１〜請求項８のいずれかに記載のポリシリコンヒューズを備えることを特徴とする光電変換装置。   A photoelectric conversion device comprising the polysilicon fuse according to claim 1.
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