JP2009192831A - Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009192831A
JP2009192831A JP2008033567A JP2008033567A JP2009192831A JP 2009192831 A JP2009192831 A JP 2009192831A JP 2008033567 A JP2008033567 A JP 2008033567A JP 2008033567 A JP2008033567 A JP 2008033567A JP 2009192831 A JP2009192831 A JP 2009192831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel electrode
liquid crystal
conductive film
electro
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008033567A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatsugu Nakagawa
雅嗣 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008033567A priority Critical patent/JP2009192831A/en
Publication of JP2009192831A publication Critical patent/JP2009192831A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a display defect such as light absence due to alignment disorder of liquid crystal between, for example, adjacent pixel electrodes. <P>SOLUTION: Step portions 27 and 28 are formed at pixel electrodes 9a1 and 9a2 respectively, so that even when potentials of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are set to mutually different potentials during operation of a liquid crystal device 1, an influence of a lateral electric field produced along a substrate surface between the step portions 27 and 28 on an alignment state of liquid crystal between the pixel electrodes is reducible. More specifically, the step portions 27 and 28 are provided to make a range wherein the alignment state of the liquid crystal is disordered by the electric field between those step portions less than that of a liquid crystal device as an example to be compared. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びにそのような電気光学装置をライトバルブとして具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of, for example, an electro-optical device such as a liquid crystal device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus such as a projector including the electro-optical device as a light valve.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、表示される画像のコントラストを高めることを目的として、これら画素電極を相互に電気的に絶縁する段差部を備えた液晶表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。また、電極材料の非対称性を一因として発生する内部起電力を低減するために段差部が形成された反射型液晶装置が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。   In a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, a liquid crystal display device having a stepped portion for electrically insulating these pixel electrodes from each other has been proposed for the purpose of increasing the contrast of a displayed image. (For example, refer to Patent Document 1). In addition, a reflection type liquid crystal device in which a step portion is formed has been proposed in order to reduce internal electromotive force generated due to the asymmetry of the electrode material (see, for example, Patent Document 2).

特開平10−31228号公報JP 10-31228 A 特開2004−170604号公報JP 2004-170604 A

しかしながら、特許文献1及び2に開示された液晶装置では、画素電極の縁の形状が、当該画素電極の表面から下地膜に向かって切り立った端面を有する形状であるため、これら画素電極間の領域において画素電極の表面より下地膜に向かって窪んだ凹部が形成されてしまい、画素電極上に形成される配向膜の表面が平坦な面とならない。このような配向膜によれば、配向膜に対するラビング処理が均一に行われず、画素電極間の領域で液晶の配向状態に乱れが生じ、光抜け等の表示不良が生じてしまう。   However, in the liquid crystal devices disclosed in Patent Documents 1 and 2, since the edge shape of the pixel electrode is a shape having an end face that stands up from the surface of the pixel electrode toward the base film, a region between the pixel electrodes is used. In this case, a recess that is recessed from the surface of the pixel electrode toward the base film is formed, and the surface of the alignment film formed on the pixel electrode is not flat. According to such an alignment film, the rubbing process is not uniformly performed on the alignment film, and the alignment state of the liquid crystal is disturbed in the region between the pixel electrodes, and display defects such as light leakage occur.

加えて、画素電極の縁の形状が切り立った端面を有する形状であるため、例えば、隣り合う画素電極の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合、これら画素電極間に生じる横電界によって、画素電極間領域における液晶の配向状態が乱される。特に、表示される画像の高精細化を目的として画素電極のピッチが狭められた場合、相互に隣り合う画素電極間の間隔が狭まるため、横電界に起因する液晶の配向の乱れはより一層顕著になる。   In addition, since the shape of the edge of the pixel electrode has a sharp end face, for example, when the potentials of adjacent pixel electrodes are set to different potentials, a lateral electric field generated between these pixel electrodes causes The alignment state of the liquid crystal in the region between the pixel electrodes is disturbed. In particular, when the pitch of the pixel electrodes is narrowed for the purpose of increasing the resolution of the displayed image, the spacing between the adjacent pixel electrodes is narrowed, so the liquid crystal orientation disorder due to the transverse electric field becomes even more pronounced. become.

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、隣り合う画素電極間における液晶の配向乱れを一因とする光抜け等の表示不良を低減できる液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法、並びに、プロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems. For example, an electro-optical device such as a liquid crystal device that can reduce display defects such as light leakage due to liquid crystal alignment disorder between adjacent pixel electrodes. It is an object to provide an apparatus, a method of manufacturing an electro-optical device that can manufacture such an electro-optical device, and an electronic apparatus such as a projector.

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の表示領域を構成する複数の画素の一の画素に形成された第1画素電極と、前記複数の画素のうち前記一の画素に隣り合う他の画素に形成された第2画素電極とを備え、第1画素電極の複数の縁のうち前記第2画素電極に向かい合う縁に、前記第1画素電極の中央部より厚みが薄い部分を含む第1段差部が設けられている。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a substrate, a first pixel electrode formed on one pixel of a plurality of pixels constituting a display region on the substrate, and the plurality of pixels. A second pixel electrode formed on another pixel adjacent to the one pixel, and a center of the first pixel electrode is disposed at an edge facing the second pixel electrode among a plurality of edges of the first pixel electrode. A first step portion including a portion thinner than the portion is provided.

本発明に係る電気光学装置によれば、基板は、例えば、画素スイッチング素子等の半導体素子が形成された素子基板である。素子基板等の基板上の表示領域を構成する複数の画素は、例えばマトリクス状に配列された領域であり、一の画素電極は、これら画素に形成された複数の画素電極の一つである。第2画素電極は、第1画素電極と相互に隣り合う画素電極である。   According to the electro-optical device of the invention, the substrate is an element substrate on which a semiconductor element such as a pixel switching element is formed. A plurality of pixels constituting a display region on a substrate such as an element substrate are regions arranged in a matrix, for example, and one pixel electrode is one of the plurality of pixel electrodes formed on these pixels. The second pixel electrode is a pixel electrode adjacent to the first pixel electrode.

第1段差部は、前記前記第1画素電極の中央部より厚みが薄い部分を含んであり、第1画素電極の複数の縁のうち前記第2画素電極に向かい合う縁に設けられた段差部である。より具体的には、第1画素電極の複数の縁のうち第2画素電極に向かい合う縁は、第1画素電極の中央部の厚みと等しい高さから第1画素電極の下地に向かって切り立った形状を有する端面から構成されているのではなく、中央部の高さから一旦低くなった部分、即ち、中央部より厚みが薄い部分と、中央部との夫々の厚みの違いに応じて形成された段差形状を有している。   The first step portion includes a portion that is thinner than a central portion of the first pixel electrode, and is a step portion provided on an edge facing the second pixel electrode among a plurality of edges of the first pixel electrode. is there. More specifically, of the plurality of edges of the first pixel electrode, the edge facing the second pixel electrode is raised toward the base of the first pixel electrode from a height equal to the thickness of the central portion of the first pixel electrode. It is not composed of an end surface having a shape, but is formed according to the difference in thickness between the central portion and the portion once lowered from the height of the central portion, i.e., the portion thinner than the central portion. Have a stepped shape.

したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の動作時に第1画素電極及び第2画素電極の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された際に、第1段差部と、第2画素電極の複数の縁のうち当該第1段差部に向かい合う縁との間で基板面に沿って生じる横電界が、これら画素電極間に存在する液晶などの電気光学物質の配向状態に及ぼす影響を低減できる。加えて、第1段差部を設けない場合に比べて、例えば、第1画素電極及び第2画素電極に亘って形成された配向膜を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。   Therefore, according to the electro-optical device according to the present invention, when the potentials of the first pixel electrode and the second pixel electrode are set to different potentials during the operation of the electro-optical device, the first step portion, A lateral electric field generated along the substrate surface between the plurality of edges of the second pixel electrode and the edge facing the first step portion affects the alignment state of an electro-optical material such as liquid crystal existing between the pixel electrodes. The impact can be reduced. In addition, compared to the case where the first step portion is not provided, for example, since the alignment film formed over the first pixel electrode and the second pixel electrode can be formed flat, the rubbing unevenness of the alignment film can be reduced, It is possible to reduce display defects such as light leakage caused by uneven rubbing.

尚、横電界及び配向膜のラビングむらの夫々を低減する観点からみれば、第1画素電極の縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、基板の基板面に対して傾斜したテーパ形状の傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。しかしながら、本発明に係る電気光学装置によれば、第1画素電極の中央部の厚みより薄い部分を縁に形成すればよいので、縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。   From the viewpoint of reducing each of the lateral electric field and the rubbing unevenness of the alignment film, it may be possible to form the edge of the first pixel electrode in a tapered shape in cross section, but considering the variation in processing accuracy in the manufacturing process. It is technically difficult to form a tapered inclined surface inclined with respect to the substrate surface of the substrate so as to be uniform among a plurality of pixel electrodes. However, according to the electro-optical device according to the present invention, it is only necessary to form a portion thinner than the thickness of the central portion of the first pixel electrode at the edge. There is also an advantage that the processing conditions can be easily controlled.

本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記第1段差部は、前記第1画素電極の中央部から前記第2画素電極に向かう向きに沿って順に厚みが薄くなる複数の平坦部を有していてもよい。   In one aspect of the electro-optical device according to the present invention, the first step portion includes a plurality of flat portions whose thickness decreases in order along a direction from the central portion of the first pixel electrode toward the second pixel electrode. You may have.

この態様によれば、複数の平坦部の幅を狭めつつ、且つ各々の厚みを前記第1画素電極の中央部から前記第2画素電極に向かう向きに沿って順に薄く形成することによって、第1画素電極の複数の縁のうち第2画素電極に向かい合う縁の形状を、横電界及びラビングむらを低減するための理想的な形状であるテーパ形状に近づけることができる。   According to this aspect, by reducing the width of the plurality of flat portions and forming the thicknesses of the respective thin portions sequentially in the direction from the central portion of the first pixel electrode toward the second pixel electrode, Of the plurality of edges of the pixel electrode, the shape of the edge facing the second pixel electrode can be brought close to a tapered shape, which is an ideal shape for reducing lateral electric field and rubbing unevenness.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第2画素電極の複数の縁のうち前記第1段差部に向かい合う縁に、前記第2画素電極の中央部より厚みが薄い部分を含む第2段差部が設けられていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the edge that faces the first step portion among the plurality of edges of the second pixel electrode includes a portion that is thinner than the central portion of the second pixel electrode. Two step portions may be provided.

この態様によれば、第2段差部は、第1段差部と同様の形状を有している。相互に隣り合う第1画素電極及び第2画素電極の夫々において、互いに向い合う夫々の縁に第1段差部及び第2段差部の夫々が設けられているため、第1段差部のみを設けた場合に比べて、横電界及びラビングむらに起因して生じる液晶の配向の乱れを一層低減することが可能である。   According to this aspect, the second step portion has the same shape as the first step portion. In each of the first pixel electrode and the second pixel electrode adjacent to each other, each of the first step portion and the second step portion is provided at each edge facing each other, so that only the first step portion is provided. Compared to the case, it is possible to further reduce the alignment disorder of the liquid crystal caused by the lateral electric field and the rubbing unevenness.

この態様では、前記第2段差部は、前記第2画素電極の中央部から前記第1画素電極に向かう向きに沿って順に厚みが薄くなる複数の平坦部を有していてもよい。   In this aspect, the second stepped portion may have a plurality of flat portions whose thickness decreases in order along the direction from the central portion of the second pixel electrode toward the first pixel electrode.

この態様によれば、第1段差部のみが複数の平坦部を有している場合に比べて、横電界及びラビングむらに起因して生じる液晶の配向の乱れを一層低減することが可能である。   According to this aspect, it is possible to further reduce the alignment disorder of the liquid crystal caused by the lateral electric field and the rubbing unevenness as compared with the case where only the first step portion has a plurality of flat portions. .

本発明の第1の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に一の導電膜を形成する工程と、前記一の導電膜上から電極材料を成膜することによって、前記一の導電膜全体に重なり、且つ前記一の導電膜の表面の中央部から前記一の導電膜の縁の外側まで延びる他の導電膜を前記複数の画素の夫々に形成する工程とを備える。   In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electro-optical device according to a first aspect of the present invention includes a step of forming one conductive film on each of a plurality of pixels constituting a display region on a substrate, and By depositing an electrode material on the conductive film, another conductive film that overlaps the entire conductive film and extends from the center of the surface of the conductive film to the outside of the edge of the conductive film. Forming each of the plurality of pixels.

本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に一の導電膜を形成する。一の導電膜は、例えば、複数の画素の一の画素に形成されており、他の画素に形成された同種の導電膜と相互に間隔を隔てるように所定の形状にパターニングされている。このような一の導電膜は、例えば、液晶装置等の電気光学装置の画素電極の電極材料として汎用されるITO等の透明導電材料をスパッタリングにより成膜した後、フォトエッチング等のエッチング法を用いて当該成膜された膜部を所定の形状にパターニングすることによって形成される。   According to the method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention, one conductive film is formed on each of the plurality of pixels constituting the display region on the substrate. For example, one conductive film is formed in one pixel of a plurality of pixels, and is patterned into a predetermined shape so as to be spaced from the same type of conductive film formed in another pixel. For example, such a conductive film is formed by sputtering a transparent conductive material such as ITO, which is widely used as an electrode material of a pixel electrode of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and then using an etching method such as photoetching. Then, the formed film part is patterned into a predetermined shape.

その後、前記一の導電膜上から、例えば当該一の導電膜と同種の電極材料を成膜することによって、前記一の導電膜全体に重なり、且つ前記一の導電膜の表面の中央部から前記一の導電膜の縁の外側まで延びる他の導電膜を前記複数の画素の夫々に形成し、一の導電膜及び他の導電膜からなる画素電極を形成する。   After that, for example, by depositing an electrode material of the same type as the one conductive film from the one conductive film, the whole conductive film overlaps with the first conductive film from the center of the surface of the one conductive film. Another conductive film extending to the outside of the edge of the one conductive film is formed on each of the plurality of pixels, and a pixel electrode made of the one conductive film and the other conductive film is formed.

このような画素電極の構造は、その中央部は一の導電膜及び他の導電膜の夫々の厚みを合計した厚みを有する2層構造であり、一の導電膜の縁の外側に延びる部分は、他の導電膜の厚みを有する単層構造である。したがって、このように形成された画素電極の縁には、中央部及び縁の夫々の厚みに応じた段差部が形成されていることになる。   Such a pixel electrode structure has a two-layer structure in which the central portion has a total thickness of one conductive film and another conductive film, and a portion extending outside the edge of the one conductive film is A single layer structure having the thickness of another conductive film. Therefore, step portions corresponding to the thicknesses of the central portion and the edge are formed at the edge of the pixel electrode formed in this way.

したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、一に導電膜及び他の導電膜からなる画素電極の縁に段差部が形成できるため、上述の本発明に係る電気光学装置と同様に、横電界及びラビングむらに起因して生じる光抜け等の表示不良が低減された表示性能が高い電気光学装置を製造できる。   Therefore, according to the method for manufacturing the electro-optical device according to the present invention, a step portion can be formed at the edge of the pixel electrode including the conductive film and the other conductive film. In addition, it is possible to manufacture an electro-optical device with high display performance in which display defects such as light leakage caused by lateral electric field and rubbing unevenness are reduced.

本発明の第2の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の表示領域を構成する複数の画素に渡って導電膜を形成する工程と、前記複数の画素の夫々において前記導電膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の中央部に比べて厚みが薄い平坦部が前記レジスト膜の縁に形成されるように前記レジスト膜をパターニングする工程と、該パターニングされたレジスト膜上から前記導電膜にエッチング処理を施すことによって、前記複数の画素の夫々において相互に分断された導電膜の中央部に比べて厚みが薄い部分を含む段差部を前記分断された導電膜の縁に形成する工程とを備える。   In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electro-optical device according to a second aspect of the present invention includes a step of forming a conductive film over a plurality of pixels constituting a display region on a substrate, and the plurality of pixels. A step of forming a resist film on the conductive film, and a step of patterning the resist film so that a flat portion having a thickness smaller than a central portion of the resist film is formed at an edge of the resist film. The step portion including the thin portion compared to the central portion of the conductive film separated from each other in each of the plurality of pixels is obtained by performing an etching process on the conductive film from the patterned resist film. Forming on the edge of the divided conductive film.

本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、素子基板等の基板上の表示領域を構成する複数の画素に渡って、例えばITO等の透明導電材料から構成された導電膜を形成する。   According to the electro-optical device manufacturing method of the present invention, a conductive film made of a transparent conductive material such as ITO is formed over a plurality of pixels constituting a display region on a substrate such as an element substrate.

レジスト膜は、複数の画素の夫々において、前記導電膜上に形成される。より具体的には、レジスト膜は、複数の画素に夫々に対応して、画素毎に形成されている。   The resist film is formed on the conductive film in each of the plurality of pixels. More specifically, the resist film is formed for each pixel corresponding to each of the plurality of pixels.

このようなレジスト膜は、その中央部に比べて厚みが薄い平坦部がレジスト膜の縁に形成されるようにパターニングされる。   Such a resist film is patterned so that a flat portion that is thinner than the central portion is formed at the edge of the resist film.

このようにパターニングされたレジスト膜上から、前記導電膜にエッチング処理を施すことによって、相互に分断された導電膜の中央部に比べて厚みが薄い部分を含む段差部を前当該分断された導電膜の縁に形成する。より具体的には、レジスト膜の中央部及び縁の夫々の厚みの違いに応じて、ハーフトーン露光等のドライエッチングによって、導電膜の複数の画素相互で分断され、且つ分断された部分の縁が当該分断された部分の中央部より厚みが薄くなるようにエッチングされる。これにより、縁に段差部が形成された画素電極を複数の画素の夫々に形成される。   By conducting an etching process on the conductive film from the patterned resist film in this way, the stepped portion including a portion having a thickness smaller than the central portion of the conductive film separated from each other is previously divided. Form on the edge of the membrane. More specifically, depending on the thickness difference between the central portion and the edge of the resist film, the edges of the divided portions are divided between the plurality of pixels of the conductive film by dry etching such as halftone exposure. Is etched so as to be thinner than the central portion of the divided portion. Thereby, a pixel electrode having a stepped portion at the edge is formed in each of the plurality of pixels.

したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の発明の第1の発明に係る電気光学装置の製造方法と同様に、横電界及びラビングむらに起因して生じる光抜け等の表示不良が低減された表示性能が高い電気光学装置を製造できる。   Therefore, according to the method of manufacturing the electro-optical device according to the present invention, as in the method of manufacturing the electro-optical device according to the first aspect of the invention described above, the light leakage caused by the lateral electric field and the rubbing unevenness, etc. An electro-optical device having high display performance with reduced display defects can be manufactured.

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention.

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、プロジェクタ等の投写型表示装置、直視型ディスプレイ装置、携帯電話、カーナビゲーションシステムに適用されるディスプレイ装置、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ等の小型情報機器、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。   According to the electronic apparatus according to the present invention, since the electro-optical device according to the present invention is included, a projection display device such as a projector, a direct-view display device, a mobile phone, Various electronic devices such as display devices, electronic notebooks, word processors, viewfinder-type or monitor direct-view type video tape recorders applied to car navigation systems, workstations, videophones, POS terminals, touch panels, etc. can be realized. .

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置を例に挙げる。   Embodiments of an electro-optical device, an electro-optical device manufacturing method, and an electronic apparatus according to the invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, a liquid crystal device adopting an active matrix driving method is taken as an example of an electro-optical device.

<1:電気光学装置>
先ず、図1及び図2を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置1の全体構成を説明する。図1は、本発明の「基板」の一例である素子基板10をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板20の側から見た液晶装置1の平面図であり、図2は、図1のII−II´断面図である。
<1: Electro-optical device>
First, the overall configuration of the liquid crystal device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal device 1 as viewed from the side of the counter substrate 20 together with the components formed on the element substrate 10 which is an example of the “substrate” of the present invention. It is II-II 'sectional drawing of FIG.

図1及び図2において、液晶装置1では、素子基板10及び対向基板20が相互に対向配置されている。素子基板10及び対向基板20間に液晶層50が封入されており、素子基板10と対向基板20とは、複数の画素で構成された本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 1, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the element substrate 10 and the counter substrate 20, and the element substrate 10 and the counter substrate 20 are image display areas that are typical examples of the “display area” of the present invention configured by a plurality of pixels. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in a sealing region located around 10a.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の樹脂材料からなり、製造プロセスにおいて素子基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、素子基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。   The sealing material 52 is made of a resin material such as an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin for bonding the two substrates, and is applied on the element substrate 10 in the manufacturing process, and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is a thing. In the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass beads for spreading the distance between the element substrate 10 and the counter substrate 20 (inter-substrate gap) to a predetermined value is dispersed.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、素子基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域が存在する。より具体的には、本実施形態では、素子基板10の中心から見て、額縁遮光膜53より外側の領域が周辺領域として規定されている。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, a part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the element substrate 10 side. There is a peripheral area located around the image display area 10a. More specifically, in the present embodiment, a region outside the frame light shielding film 53 is defined as a peripheral region when viewed from the center of the element substrate 10.

液晶装置1は、データ線駆動回路101、及び走査線駆動回路104を備えている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102が素子基板10の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路104は、額縁遮光膜53に覆われるように形成された複数の配線105によって相互に電気的に接続されている。   The liquid crystal device 1 includes a data line driving circuit 101 and a scanning line driving circuit 104. In the peripheral region, the data line driving circuit 101 and the external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the element substrate 10 in a region located outside the sealing region where the sealing material 52 is disposed. The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. The scanning line driving circuit 104 is electrically connected to each other by a plurality of wirings 105 formed so as to be covered with the frame light shielding film 53.

対向基板20の4つのコーナー部には、素子基板10及び対向基板20間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、素子基板10にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、素子基板10及び対向基板20間で電気的な導通をとることができる。   Vertical conductive members 106 that function as vertical conductive terminals between the element substrate 10 and the counter substrate 20 are disposed at the four corners of the counter substrate 20. On the other hand, the element substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region facing these corner portions. As a result, electrical conduction can be established between the element substrate 10 and the counter substrate 20.

図2において、素子基板10上には、画素スイッチング用のトランジスタの一例としてのTFT、走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、液晶装置1の動作時に所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, an alignment film is formed on the element substrate 10 on the pixel electrode 9 a after wiring such as a TFT, a scanning line, and a data line as an example of a pixel switching transistor. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film are formed on the uppermost layer portion. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films when the liquid crystal device 1 is operated.

次に、図3を参照しながら、画像表示領域10aにおける回路構成を説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。   Next, a circuit configuration in the image display area 10a will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a circuit diagram showing a circuit configuration in the image display area of the liquid crystal device according to the present embodiment.

図3において、液晶装置1の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部72の夫々は、画素電極9a、TFT30、及び液晶素子50aを備えている。TFT30は、画素電極9aに電気的に接続されており、液晶装置1の動作時に画素電極9aをスイッチング制御し、当該制御に応じて液晶素子50aを駆動する。画像信号が供給されるデータ線6aは、TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、・・・、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   In FIG. 3, each of a plurality of pixel portions 72 formed in a matrix that forms the image display area 10a of the liquid crystal device 1 includes a pixel electrode 9a, a TFT 30, and a liquid crystal element 50a. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9a, performs switching control of the pixel electrode 9a during operation of the liquid crystal device 1, and drives the liquid crystal element 50a according to the control. The data line 6a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. May be.

TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、液晶装置1は、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、・・・、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態にすることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。   The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device 1 sequentially applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 3a in a pulse sequence in this order at a predetermined timing. It is comprised so that it may apply. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,... Supplied from the data line 6a is turned on by turning on the TFT 30 as a switching element for a certain period. Sn is written at a predetermined timing. Image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrode 9a are held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate.

液晶層50に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置1からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。保持容量70は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶素子50aと電気的に並列に接続されており、固定電位線300を介して一方の容量電極に固定電位が供給される。   The liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50 modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light or reflected light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel unit. In the normally black mode, the transmittance is applied in units of each pixel unit. The transmittance for incident light or reflected light is increased according to the voltage, and light having a contrast corresponding to the image signal is emitted from the liquid crystal device 1 as a whole. The storage capacitor 70 is electrically connected in parallel with the liquid crystal element 50a formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode in order to prevent the image signal from leaking. A fixed potential is supplied to the capacitor electrode.

次に、図4乃至図8を参照しながら、液晶装置1の具体的な構成を詳細に説明する。図4は、液晶装置1における複数の画素電極9aの配列状態を図式的に示した液晶装置1の図式的平面図である。図5は、液晶装置1の画像表示領域10aの一部を拡大して示した拡大平面図である。図6は、図5のVI−VI’線断面図である。尚、図6では、説明の便宜上、画素電極9a上の配向膜16より下層側の構造を示している。図7は、比較例と共に、液晶装置1の液晶に加わる電界強度を図式的に示した図式的断面図である。図8は、画素電極の変形例を示した断面図である。   Next, a specific configuration of the liquid crystal device 1 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8. FIG. 4 is a schematic plan view of the liquid crystal device 1 schematically showing the arrangement state of the plurality of pixel electrodes 9 a in the liquid crystal device 1. FIG. 5 is an enlarged plan view showing a part of the image display area 10a of the liquid crystal device 1 in an enlarged manner. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI 'of FIG. In FIG. 6, for the convenience of explanation, the structure on the lower layer side from the alignment film 16 on the pixel electrode 9a is shown. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view schematically showing the electric field strength applied to the liquid crystal of the liquid crystal device 1 together with the comparative example. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a modification of the pixel electrode.

図4において、複数の画素電極9aの夫々は、素子基板10上の画像表示領域10aを構成するように、図中X方向及びY方向に沿って規定された複数の画素72gに形成されている。   4, each of the plurality of pixel electrodes 9a is formed in a plurality of pixels 72g defined along the X direction and the Y direction in the drawing so as to constitute the image display region 10a on the element substrate 10. .

次に、図5及び図6を参照しながら、画素電極9aの構成を詳細に説明する。尚、以下では、説明を便宜上、複数の画素電極9aのうち相互に隣り合う画素72gの夫々に形成された画素電極9aを画素電極9a1及び9a2と表記する。   Next, the configuration of the pixel electrode 9a will be described in detail with reference to FIGS. In the following description, for convenience of explanation, the pixel electrodes 9a formed in each of the adjacent pixels 72g among the plurality of pixel electrodes 9a are referred to as pixel electrodes 9a1 and 9a2.

図5及び図6において、本発明の「第1画素電極」の一例である画素電極9a1、及び本発明の「第2画素電極」の一例である画素電極9a2の夫々は、素子基板10に順次形成された絶縁膜41、42及び43上に形成されている。素子基板10には、ソース1s、チャネル1c、及びドレイン1dを含む半導体層1aを備えたTFT30が絶縁膜41及び42に埋め込まれるように形成されている。絶縁膜42上における画素電極9a1及び9a2間の領域には、TFT30に入射する光を遮光すると共に、画素72gの開口領域を規定する遮光膜80が形成されている。遮光膜80は、例えば、アルミニウム等の金属材料で構成されており、画素電極9a及びその下層側の回路部を電気的に接続する配線層として兼用されている。コンタクトホール83は、画素電極9aのうち縁部より厚みが厚い部分に形成されており、画素電極9aをその下層側の回路部等と電気的に接続している。   5 and 6, each of the pixel electrode 9a1 which is an example of the “first pixel electrode” of the present invention and the pixel electrode 9a2 which is an example of the “second pixel electrode” of the present invention are sequentially formed on the element substrate 10. It is formed on the formed insulating films 41, 42 and 43. In the element substrate 10, a TFT 30 including a semiconductor layer 1 a including a source 1 s, a channel 1 c, and a drain 1 d is formed so as to be embedded in insulating films 41 and 42. In a region between the pixel electrodes 9a1 and 9a2 on the insulating film 42, a light shielding film 80 that shields light incident on the TFT 30 and defines an opening region of the pixel 72g is formed. The light shielding film 80 is made of, for example, a metal material such as aluminum, and is also used as a wiring layer that electrically connects the pixel electrode 9a and the circuit portion on the lower layer side. The contact hole 83 is formed in a portion of the pixel electrode 9a that is thicker than the edge portion, and electrically connects the pixel electrode 9a to a circuit portion on the lower layer side.

画素電極9a1は、その表面を規定する複数の縁のうち画素電極9a2に向かい合う縁に、画素電極9a1の中央部を占める電極部分39a1より厚みが薄い電極部分39b1を有している。これら電極部分39a1及び39b1の厚みの違いに応じて構成された段差部27が、本発明の「第1段差部」の一例である。   The pixel electrode 9a1 has an electrode portion 39b1 that is thinner than the electrode portion 39a1 that occupies the central portion of the pixel electrode 9a1 at the edge that faces the pixel electrode 9a2 among the plurality of edges that define the surface thereof. The step portion 27 configured in accordance with the difference in thickness between the electrode portions 39a1 and 39b1 is an example of the “first step portion” in the present invention.

画素電極9a2は、その表面を規定する複数の縁のうち段差部27に向かい合う縁に、第2画素電極の中央部を占める電極部分39a2より厚みが薄い電極部分39b2を有している。これら電極部分39a2及び39b2の厚みの違いに応じて構成された段差部28が、本発明の「第2段差部」の一例である。配向膜16は、複数の画素72gに渡って形成されている。   The pixel electrode 9a2 has an electrode portion 39b2 that is thinner than the electrode portion 39a2 that occupies the central portion of the second pixel electrode at the edge facing the step portion 27 among the plurality of edges that define the surface thereof. The step portion 28 configured according to the difference in thickness between the electrode portions 39a2 and 39b2 is an example of the “second step portion” in the present invention. The alignment film 16 is formed over a plurality of pixels 72g.

次に、図7を参照しながら、画素電極9aの特有の形状に応じて得られる液晶装置1の効果を説明する。尚、以下で参照する比較例に係る液晶装置、及び液晶装置の製造方法では、本実施形態に係る液晶装置1と共通する部分に共通の参照符号を付している。   Next, the effect of the liquid crystal device 1 obtained according to the specific shape of the pixel electrode 9a will be described with reference to FIG. Note that, in the liquid crystal device according to the comparative example and the method for manufacturing the liquid crystal device to be referred to below, the same reference numerals are assigned to the portions common to the liquid crystal device 1 according to the present embodiment.

図7(a)に示すように、比較例に係る液晶装置によれば、相互に隣り合う画素電極19a1及び19a2の夫々に縁のうち相互に向かい合う縁の端面形状は、画素電極19a1及び19a2の夫々の表面から絶縁膜43の表面に向かって切り立った形状である。このような画素電極19a1及び19a2の夫々の電位が、液晶装置の動作時に相互に異なる電位に設定された場合、切り立った端面形状に起因して、画素電極19a1及び19a2間の領域に存在する液晶に加わる電界に乱れが生じる。即ち、画素電極19a1及び19a2間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響が大きくなり、液晶の配向に乱れを生じさせる。このような液晶の配向の乱れが発生することによって、画素電極19a1及び19a2間の領域で光抜け等の表示不良が発生してしまう。   As shown in FIG. 7A, according to the liquid crystal device according to the comparative example, the end faces of the pixel electrodes 19a1 and 19a2 that are adjacent to each other have the end face shapes of the pixel electrodes 19a1 and 19a2 that are opposite to each other. The shape stands up from the respective surfaces toward the surface of the insulating film 43. When such potentials of the pixel electrodes 19a1 and 19a2 are set to different potentials during the operation of the liquid crystal device, the liquid crystal present in the region between the pixel electrodes 19a1 and 19a2 due to the steep end surface shape. Disturbance occurs in the electric field applied to. That is, the influence of the lateral electric field generated along the substrate surface between the pixel electrodes 19a1 and 19a2 on the alignment state of the liquid crystal existing between the pixel electrodes is increased, and the alignment of the liquid crystal is disturbed. Such a disorder in the alignment of the liquid crystal causes display defects such as light leakage in the region between the pixel electrodes 19a1 and 19a2.

加えて、画素電極19a1及び19a2間に、これら画素電極の夫々の表面の位置と、絶縁膜43の表面の位置との差、即ち画素電極19a1及び19a2の夫々の厚みに起因して溝部79が形成されてしまうため、画素電極19a1及び19a2に渡って形成された配向膜16のうち溝部79に重なる部分は、その他より窪んだ凹部なる。したがって、配向膜16aは平坦に形成されないことになる。このような配向膜16aによれば、配向膜16aをラビングするラビング処理を均一に行うことが困難となり、ラビングむらに起因した表示不良が発生してしまう。また、画素電極19a1及び19a2の夫々の肩部において、配向膜16aの膜厚が薄くなるため、液晶が安定して配向することができなくなり、この部分において表示不良が発生してしまう。   In addition, a groove 79 is formed between the pixel electrodes 19a1 and 19a2 due to the difference between the position of the surface of each pixel electrode and the position of the surface of the insulating film 43, that is, the thickness of each of the pixel electrodes 19a1 and 19a2. Therefore, the portion of the alignment film 16 formed over the pixel electrodes 19a1 and 19a2 that overlaps the groove 79 is a recess that is recessed from the others. Therefore, the alignment film 16a is not formed flat. According to such an alignment film 16a, it is difficult to uniformly perform the rubbing process for rubbing the alignment film 16a, and a display defect due to uneven rubbing occurs. In addition, since the alignment film 16a is thin at the shoulders of the pixel electrodes 19a1 and 19a2, the liquid crystal cannot be stably aligned, and a display defect occurs at this portion.

また、横電界によって発生する液晶の配向乱れを低減すること及び配向膜のラビングむらを低減することの夫々の観点からみれば、画素電極19aの縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、素子基板10の基板面に対して傾斜したテーパ形状を構成する傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。   Further, from the viewpoints of reducing the alignment disorder of the liquid crystal generated by the lateral electric field and reducing the rubbing unevenness of the alignment film, it is conceivable to form the edge of the pixel electrode 19a in a tapered shape in cross section. However, in consideration of variations in processing accuracy in the manufacturing process, it is technically difficult to form an inclined surface that forms a tapered shape inclined with respect to the substrate surface of the element substrate 10 so as to be uniform among a plurality of pixel electrodes. It is.

そこで、図7(b)に示すように、液晶装置1によれば、画素電極9a1及び9a2の夫々に段差部27及び28が形成されているため、液晶装置1の動作時に画素電極9a1及び9a2の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合でも、段差部27及び28間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響を低減できる。より具体的には、段差部27及び28が設けられていることによって、これら段差部間における電界によって液晶の配向状態が乱される範囲を比較例に係る液晶装置に比べて小さくできる。加えて、画素電極9a1及び9a2極に渡って形成された配向膜16を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。また、画素電極9a1及び9a2の夫々の段差部において、本実施形態に係る配向膜16の膜厚が上記の比較例に係る配向膜16aよりも厚く形成されるため、液晶の配向が安定し、表示不良を防止できる。   Therefore, as shown in FIG. 7B, according to the liquid crystal device 1, the step portions 27 and 28 are formed in the pixel electrodes 9a1 and 9a2, respectively, so that the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are operated during the operation of the liquid crystal device 1. Even when these potentials are set to different potentials, the influence of the lateral electric field generated along the substrate surface between the stepped portions 27 and 28 on the alignment state of the liquid crystal existing between these pixel electrodes can be reduced. More specifically, by providing the step portions 27 and 28, the range in which the alignment state of the liquid crystal is disturbed by the electric field between the step portions can be made smaller than that of the liquid crystal device according to the comparative example. In addition, since the alignment film 16 formed over the pixel electrodes 9a1 and 9a2 can be formed flat, the rubbing unevenness of the alignment film can be reduced, and display defects such as light leakage caused by the rubbing unevenness can be reduced. It is possible. In addition, in each step portion of the pixel electrodes 9a1 and 9a2, the alignment film 16 according to the present embodiment is formed thicker than the alignment film 16a according to the comparative example. Display defects can be prevented.

また、図6に示すように、液晶装置1によれば、画素電極9a1及び9a2の夫々の中央部を占める電極部分39a1及び39a2の夫々の厚みより薄い電極部分39b1及び39b2を各電極の縁に形成すればよいので、縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。   Further, as shown in FIG. 6, according to the liquid crystal device 1, the electrode portions 39b1 and 39b2 thinner than the respective thicknesses of the electrode portions 39a1 and 39a2 occupying the central portions of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are provided at the edges of the respective electrodes. Since it only has to be formed, there is an advantage that the processing conditions in the manufacturing process can be easily controlled as compared with the case where the edge shape is tapered.

尚、本実施形態では、相互に隣り合う画素電極9a1及び9a2における相互に向かう縁の両方に段差部27及び28が設けられた例を挙げたが、ラビングむらを低減すること、及び液晶の配向乱れが生じる範囲を小さくすることの夫々の観点から言えば、段差部27及び28のうち少なくとも一方が設けられていればよく、段差部を全く設けない場合に比べて、光抜け等の表示不良を低減する効果は得られる。   In the present embodiment, an example in which the stepped portions 27 and 28 are provided on both edges of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 adjacent to each other has been described. However, the rubbing unevenness is reduced and the alignment of the liquid crystal is performed. From the viewpoint of reducing the range in which the disturbance occurs, it is sufficient that at least one of the step portions 27 and 28 is provided. Compared with the case where no step portion is provided at all, display defects such as light leakage are poor. The effect of reducing is obtained.

次に、図8を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置における画素電極の変形例を説明する。   Next, a modification of the pixel electrode in the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図8に示すように、本例に係る画素電極9a3は、画素電極9a1の中央部からその外側に向かう向きに沿って順に厚みが薄くなる複数の平坦部31a、31b及び31cを有する段差部31を備えている。このような段差部31は、相互に厚みが異なる平坦部を増やすほど、即ち、理想的には、平坦部の夫々の幅を狭め、且つその形成数を極限まで増やすことによって段差部の形状をテーパ形状に近づけることが可能である。このような段差部31によれば、平坦部を一つ備えた段差部に比べて、液晶の配向乱れが生じる範囲及びラビングむらをより一層低減できる。尚、段差部31は、上述した段差部27及び28の両方、或いは一方に適用可能であり、これら画素電極9a1及び9a2の夫々の縁のうち相互に向かい合う縁に形成可能である。   As shown in FIG. 8, the pixel electrode 9a3 according to this example has a step portion 31 having a plurality of flat portions 31a, 31b, and 31c whose thickness decreases in order along the direction from the central portion of the pixel electrode 9a1 toward the outside. It has. Such a stepped portion 31 increases the number of flat portions having different thicknesses, that is, ideally, by reducing the width of each flat portion and increasing the number of formed portions to the limit, the shape of the stepped portion is increased. It is possible to approximate a tapered shape. According to such a stepped portion 31, the range in which the alignment disorder of the liquid crystal occurs and the rubbing unevenness can be further reduced as compared with the stepped portion having one flat portion. The step portion 31 can be applied to both or one of the step portions 27 and 28 described above, and can be formed on the edges of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 facing each other.

<2:電気光学装置の製造方法>
次に、図9及び図10を参照しながら、本発明の第1の発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を説明する。図9は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図10は、図9に示した工程平面図に対応する工程断面図である。尚、以下で説明する電気光学装置の製造方法は、上述の液晶装置1を製造するための液晶装置の製造方法である。
<2: Manufacturing method of electro-optical device>
Next, an embodiment of a method for manufacturing an electro-optical device according to the first aspect of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a process plan view sequentially illustrating main processes of the method of manufacturing the electro-optical device according to the present embodiment. 10 is a process cross-sectional view corresponding to the process plan view shown in FIG. The electro-optical device manufacturing method described below is a liquid crystal device manufacturing method for manufacturing the liquid crystal device 1 described above.

図9(a)及び図10(a)に示すように、素子基板10上の画像表示領域10aを構成する複数の画素72gの夫々に、各々が本発明の「一の導電膜」の一例である導電膜39aを形成する。導電膜39aは、複数の画素72gに渡って一様に導電膜を形成した後、当該導電膜のうち導電膜39aとして残す部分が残るようにその他の部分をフォトエッチング等の汎用のパターニング法を用いてパターニングすればよい。   As shown in FIGS. 9A and 10A, each of the plurality of pixels 72g constituting the image display region 10a on the element substrate 10 is an example of “one conductive film” of the present invention. A conductive film 39a is formed. After the conductive film 39a is uniformly formed across the plurality of pixels 72g, a general-purpose patterning method such as photoetching is performed on the other portions so that a portion left as the conductive film 39a remains in the conductive film. And patterning may be performed.

次に、導電膜39a上からITO等の電極材料を成膜することによって、導電膜39a全体に重なり、且つ導電膜39aの表面の中央部から導電膜39aの縁の外側まで延びる導電膜39bを、汎用のパターニング法を用いて複数の画素72gの夫々に形成する。   Next, by depositing an electrode material such as ITO on the conductive film 39a, a conductive film 39b that overlaps the entire conductive film 39a and extends from the center of the surface of the conductive film 39a to the outside of the edge of the conductive film 39a. Each pixel 72g is formed using a general-purpose patterning method.

このようにして形成された画素電極9a1及び9a2の構造は、その中央部は導電膜39a及び39bの夫々の厚みを合計した厚みを有する2層構造であり、導電膜39aの縁の外側に延びる部分は、導電膜39bの厚みを有する単層構造である。したがって、画素電極9a1及び9a2の縁には、その中央部及び縁の夫々の厚みに応じた段差部27お呼び28が形成されている。   The pixel electrodes 9a1 and 9a2 thus formed have a two-layer structure in which the central part has a total thickness of the conductive films 39a and 39b, and extends outside the edge of the conductive film 39a. The portion has a single layer structure having the thickness of the conductive film 39b. Accordingly, the step portions 27 and the nomenclature 28 are formed on the edges of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 according to the thicknesses of the central portion and the edges.

その後、配向膜等を画素電極9a1及び9a2上に形成し、液晶を介して素子基板10上に対向基板を配置することによって液晶装置1が形成される。   Thereafter, an alignment film or the like is formed on the pixel electrodes 9a1 and 9a2, and the counter substrate is disposed on the element substrate 10 via the liquid crystal, whereby the liquid crystal device 1 is formed.

このように、本実施形態に係る液晶装置によれば、導電膜39a及び導電膜39bからなる画素電極9a1及び9a2の縁に段差部27及び28が形成できるため、上述の本発明に係る電気光学装置と同様に、横電界及びラビングむらに起因して生じる光抜け等の表示不良が低減された表示性能が高い液晶装置1を製造できる。   As described above, according to the liquid crystal device according to the present embodiment, the step portions 27 and 28 can be formed at the edges of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 made of the conductive film 39a and the conductive film 39b. Similar to the device, it is possible to manufacture the liquid crystal device 1 with high display performance in which display defects such as light leakage caused by lateral electric field and rubbing unevenness are reduced.

次に、図11乃至図14を参照しながら、本発明の第2の発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を説明する。図11及び図12は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図13及び図14は、図11及び図12に示した工程平面図に対応する工程断面図である。   Next, an embodiment of a method of manufacturing an electro-optical device according to the second invention of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12 are process plan views sequentially showing main processes of the method for manufacturing the electro-optical device according to this embodiment. 13 and 14 are process cross-sectional views corresponding to the process plan views shown in FIGS. 11 and 12.

図11(a)及び図13(a)に示すように、素子基板10上の画像表示領域10aを構成する複数の画素72gに渡ってITO等の透明導電材料を成膜し、導電膜47を形成する。   As shown in FIGS. 11A and 13A, a transparent conductive material such as ITO is formed over the plurality of pixels 72g constituting the image display region 10a on the element substrate 10, and the conductive film 47 is formed. Form.

次に、図11(b)及び図13(b)に示すように、レジスト膜57を形成する。   Next, as shown in FIGS. 11B and 13B, a resist film 57 is formed.

次に、図12(c)及び図14(c)に示すように、複数の画素72gの夫々においてレジスト膜57の中央部に比べて厚みが薄い平坦部がレジスト膜57の縁に形成されるように、ハーフトーン露光等の汎用のパターニング法を用いてレジスト膜57をパターニングし、複数の画素72gの夫々にレジストパターン57aを形成する。   Next, as shown in FIGS. 12C and 14C, a flat portion having a thickness smaller than that of the central portion of the resist film 57 is formed at the edge of the resist film 57 in each of the plurality of pixels 72g. As described above, the resist film 57 is patterned using a general-purpose patterning method such as halftone exposure, and a resist pattern 57a is formed in each of the plurality of pixels 72g.

次に、図12(d)及び図14(d)に示すように、レジストパターン57a上から導電膜47にエッチング処理を施すことによって、中央部39aに比べて厚みが薄い部分39bを含む段差部27及び28を、画素電極9a1及び9a2の夫々の縁に形成する。その後、上述の液晶装置の製造方法と同様の工程を経て液晶装置1を完成させる。   Next, as shown in FIGS. 12D and 14D, the conductive film 47 is etched from above the resist pattern 57a to thereby include a stepped portion including a portion 39b that is thinner than the central portion 39a. 27 and 28 are formed at the respective edges of the pixel electrodes 9a1 and 9a2. Thereafter, the liquid crystal device 1 is completed through the same steps as the above-described manufacturing method of the liquid crystal device.

このような本実施形態に係る液晶装置によれば、上述の液晶装置の製造方法と同様に、横電界及びラビングむらに起因して生じる光抜け等の表示不良が低減された表示性能が高い電気光学装置を製造できる。   According to the liquid crystal device according to the present embodiment as described above, as in the above-described method for manufacturing a liquid crystal device, a display with high display performance in which display defects such as light leakage caused by lateral electric field and rubbing unevenness are reduced. Optical devices can be manufactured.

<3:電子機器>
次に、図15を参照しながら、上述した液晶装置を用いた電子機器の一例を説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述した液晶装置をライトバルブに用いたプロジェクタである。図15は、本実施形態に係るプロジェクタの構成例を示す平面図である。
<3: Electronic equipment>
Next, an example of an electronic apparatus using the above-described liquid crystal device will be described with reference to FIG. The electronic apparatus according to the present embodiment is a projector that uses the above-described liquid crystal device as a light valve. FIG. 15 is a plan view illustrating a configuration example of the projector according to the present embodiment.

図15に示すように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。   As shown in FIG. 15, a projector 1100 includes a lamp unit 1102 made up of a white light source such as a halogen lamp. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide 1104, and serves as a light valve corresponding to each primary color. The light enters the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G.

液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。液晶パネル及び位相差板を含む光学系から出射された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。   The configurations of the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G are the same as those of the liquid crystal device described above, and are driven by R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit. Light emitted from the optical system including the liquid crystal panel and the phase difference plate enters the dichroic prism 1112 from three directions. In this dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light travels straight. Accordingly, as a result of the synthesis of the images of the respective colors, a color image is projected onto the screen or the like via the projection lens 1114.

ここで、各液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。   Here, paying attention to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, the display image by the liquid crystal panel 1110G needs to be horizontally reversed with respect to the display images by the liquid crystal panels 1110R, 1110B.

尚、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。   Since light corresponding to the primary colors R, G, and B is incident on the liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G by the dichroic mirror 1108, it is not necessary to provide a color filter.

このようなプロジェクタは、ライトバルブとして上述の液晶装置を具備してなるので、スクリーン等の投写面に投写される投写画像の画質が高められており、高品位の画像を表示可能である。   Since such a projector includes the above-described liquid crystal device as a light valve, the image quality of a projected image projected on a projection surface such as a screen is improved, and a high-quality image can be displayed.

尚、本実施形態に係る液晶装置は、上述したプロジェクタに適用される場合に限定されるものではなく、直視型の液晶表示装置の一部を構成することも可能である。また、LCOS型の液晶装置を構成することも可能である。   The liquid crystal device according to the present embodiment is not limited to the case where the liquid crystal device is applied to the projector described above, and may constitute a part of a direct-view type liquid crystal display device. In addition, an LCOS liquid crystal device can be formed.

本実施形態に係る液晶装置の平面図である。It is a top view of the liquid crystal device concerning this embodiment. 図1のII−II´線断面図である。It is the II-II 'sectional view taken on the line of FIG. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a circuit configuration in an image display region of the liquid crystal device according to the present embodiment. 本実施形態に係る液晶装置における複数の画素電極の配列状態を図式的に示した液晶装置の図式的平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a liquid crystal device schematically showing an arrangement state of a plurality of pixel electrodes in the liquid crystal device according to the present embodiment. 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。It is the enlarged plan view which expanded and showed a part of image display area | region of the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 図5のVI−VI’線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI ′ of FIG. 5. 本実施形態に係る液晶装置の液晶に加わる電界強度を比較例と共に図式的に示した図式的断面図である。It is the schematic sectional drawing which showed typically the electric field strength added to the liquid crystal of the liquid crystal device concerning this embodiment with a comparative example. 本実施形態に係る液晶装置における画素電極の変形例の断面形状を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the cross-sectional shape of the modification of the pixel electrode in the liquid crystal device which concerns on this embodiment. 本発明の第1の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図である。FIG. 5 is a process plan view sequentially illustrating main processes of an embodiment in the method for manufacturing an electro-optical device according to the first invention of the present invention. 図9に対応した工程断面図である。FIG. 10 is a process cross-sectional view corresponding to FIG. 9. 本発明の第2の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図(その1)である。FIG. 10 is a process plan view (part 1) illustrating in sequence main processes of an embodiment of the method for manufacturing an electro-optical device according to the second invention of the present invention. 本発明の第2の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図(その2)である。FIG. 11 is a process plan view (No. 2) sequentially illustrating main processes of an embodiment of the method for manufacturing an electro-optical device according to the second invention of the present invention. 図11に対応した工程断面図である。FIG. 12 is a process cross-sectional view corresponding to FIG. 11. 図12に対応した工程断面図である。FIG. 13 is a process cross-sectional view corresponding to FIG. 12. 本実施形態に係る電子機器の一例を示した平面図である。It is the top view which showed an example of the electronic device which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・液晶装置、10・・・素子基板、20・・・対向基板、27,28・・・段差部、50・・・液晶層、50a・・・液晶素子、72・・・画素部、47・・・導電膜、57・・・レジスト膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device, 10 ... Element substrate, 20 ... Opposite substrate, 27, 28 ... Step part, 50 ... Liquid crystal layer, 50a ... Liquid crystal element, 72 ... Pixel part , 47... Conductive film, 57... Resist film

Claims (7)

基板と、
該基板上の表示領域を構成する複数の画素の一の画素に形成された第1画素電極と、
画素前記一の画素に隣り合う他の画素に形成された第2画素電極とを備え、
前記第1画素電極の複数の縁のうち前記第2画素電極に向かい合う縁に、前記第1画素電極の中央部より厚みが薄い部分を含む第1段差部が設けられていること
を特徴とする電気光学装置。
A substrate,
A first pixel electrode formed on one pixel of a plurality of pixels constituting a display area on the substrate;
A second pixel electrode formed on another pixel adjacent to the one pixel,
A first step portion including a portion having a thickness thinner than a central portion of the first pixel electrode is provided on an edge facing the second pixel electrode among a plurality of edges of the first pixel electrode. Electro-optic device.
前記第1段差部は、前記第1画素電極の中央部から前記第2画素電極に向かう向きに沿って順に厚みが薄くなる複数の平坦部を有していること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
2. The first step portion has a plurality of flat portions whose thickness decreases in order along a direction from a central portion of the first pixel electrode toward the second pixel electrode. The electro-optical device described.
前記第2画素電極の複数の縁のうち前記第1段差部に向かい合う縁に、前記第2画素電極の中央部より厚みが薄い部分を含む第2段差部が設けられていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
Of the plurality of edges of the second pixel electrode, a second step portion including a portion thinner than a central portion of the second pixel electrode is provided at an edge facing the first step portion. The electro-optical device according to claim 1.
前記第2段差部は、前記第2画素電極の中央部から前記第1画素電極に向かう向きに沿って順に厚みが薄くなる複数の平坦部を有していること
を特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。
The said 2nd level | step-difference part has several flat part from which the thickness becomes thin in order along the direction which goes to the said 1st pixel electrode from the center part of the said 2nd pixel electrode. The electro-optical device described.
基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に一の導電膜を形成する工程と、
前記一の導電膜上から電極材料を成膜することによって、前記一の導電膜の表面の中央部から前記一の導電膜の縁の外側まで延びる他の導電膜を前記複数の画素の夫々に形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Forming a conductive film on each of a plurality of pixels constituting a display region on the substrate;
By depositing an electrode material on the one conductive film, another conductive film extending from the center of the surface of the one conductive film to the outside of the edge of the one conductive film is formed on each of the plurality of pixels. An electro-optical device manufacturing method comprising: forming the electro-optical device.
基板上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の中央部に比べて厚みが薄い平坦部が前記レジスト膜の縁に形成されるように前記レジスト膜をパターニングする工程と、
該パターニングされたレジスト膜上から前記導電膜にエッチング処理を施すことによって、前記導電膜を前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応させて相互に分断すると共に、該分断された導電膜の縁に中央部に比べて厚みが薄い段差部を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Forming a conductive film on the substrate;
Forming a resist film on the conductive film;
Patterning the resist film such that a flat portion having a smaller thickness than the central portion of the resist film is formed at the edge of the resist film;
By etching the conductive film from the patterned resist film, the conductive film is separated from each other so as to correspond to each of the plurality of pixels constituting the display region on the substrate. And a step of forming a stepped portion having a thickness smaller than that of the central portion at the edge of the conductive film.
請求項1から4の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 4.
JP2008033567A 2008-02-14 2008-02-14 Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus Withdrawn JP2009192831A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008033567A JP2009192831A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008033567A JP2009192831A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009192831A true JP2009192831A (en) 2009-08-27

Family

ID=41074889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008033567A Withdrawn JP2009192831A (en) 2008-02-14 2008-02-14 Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009192831A (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119258A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type liquid crystal display device
JPH11271805A (en) * 1998-03-23 1999-10-08 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP2001154197A (en) * 1999-11-24 2001-06-08 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic instrument
JP2002162639A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Seiko Instruments Inc Liquid crystal display device
JP2003098537A (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Seiko Epson Corp Electrooptic device, its manufacturing method, and electronic equipment
JP2007316305A (en) * 2006-05-25 2007-12-06 Victor Co Of Japan Ltd Reflective liquid crystal display element and method for manufacturing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119258A (en) * 1997-10-17 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type liquid crystal display device
JPH11271805A (en) * 1998-03-23 1999-10-08 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP2001154197A (en) * 1999-11-24 2001-06-08 Seiko Epson Corp Liquid crystal device and electronic instrument
JP2002162639A (en) * 2000-11-27 2002-06-07 Seiko Instruments Inc Liquid crystal display device
JP2003098537A (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Seiko Epson Corp Electrooptic device, its manufacturing method, and electronic equipment
JP2007316305A (en) * 2006-05-25 2007-12-06 Victor Co Of Japan Ltd Reflective liquid crystal display element and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5211985B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US8879034B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus
JP4036081B2 (en) Electro-optical panel and manufacturing method thereof
US8237905B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5499736B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
KR20040100903A (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and projection display apparatus
JP5200720B2 (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device
JP6048553B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010044182A (en) Method for manufacturing electro-optical apparatus, electro-optical apparatus and electronic device
US20080079856A1 (en) Liquid-crystal device, method for driving liquid-crystal device, projector, and electronic apparatus
JP4127272B2 (en) Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2010191408A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP5326460B2 (en) Electro-optical device substrate, and electro-optical device and electronic apparatus
JP2009069247A (en) Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, electronic equipment, and wiring structure
JP5804113B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2009192831A (en) Electrooptical device and method of manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus
JP2011180524A (en) Electro-optical device and electronic equipment
JP2010060901A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010186118A (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2010039209A (en) Electrooptical device and method for manufacturing the same, and electronic equipment
JP5104156B2 (en) ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME
JP2010160308A (en) Electrooptical apparatus and electronic device
JP2008225032A (en) Liquid crystal device, manufacturing method of liquid crystal device, and electronic apparatus
US20110090440A1 (en) Liquid crystal device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5482279B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110125

RD01 Notification of change of attorney

Effective date: 20120327

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

A977 Report on retrieval

Effective date: 20120717

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20120807

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20121009