JP2009191170A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、(C)成分であるポリアルキレンジオールの含有量が、(A)成分100重量部に対して5〜30重量部の範囲に設定され、かつ上記エポキシ樹脂組成物硬化体のガラス転移点以上の温度領域における貯蔵弾性率が3〜8MPaである。(A)下記の(a)をエポキシ樹脂成分〔(A)成分〕全体の60重量%以上含有するエポキシ樹脂。(a)常温で固形を示すエポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)平均分子量300〜1000のポリアルキレンジオール。
【選択図】なし
Description
(A)下記の(a)をエポキシ樹脂成分〔(A)成分〕全体の60重量%以上含有するエポキシ樹脂。
(a)常温で固形を示すエポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)平均分子量300〜1000のポリアルキレンジオール。
平均分子量=(56.1/試料中の水酸基価)×N×1000
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量950、融点85℃)
2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキセン付加物(エポキシ当量185)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185、液状)
テトラヒドロ無水フタル酸
2−エチル−4−メチルイミダゾール
平均分子量250
平均分子量500
平均分子量1000
平均分子量400
平均分子量700
平均分子量1300
後記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロールで溶融混練(80〜130℃)を行い、熟成した後、室温で冷却固化して粉砕することにより目的とする微粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの硬化体を作製した(硬化条件:150℃×5分間+150℃×3時間)。そして、上記硬化体を用いて、波長600nmの光透過率を島津製作所社製の分光光度計UV3101を使用して光透過率を測定した。その結果、光透過率が70%未満のものを×、80%以上のものを○として評価した。
動的粘弾性測定機を用いて、つぎのようにして測定した。すなわち、長さ35mm×幅5mm×厚み1mmの試験片を成形し(硬化条件:150℃×5分間+150℃×3時間)、RHEOMETRIC SCIENTIFIC社製の動的粘弾性測定機RSA−III を用いて、1Hz,30〜270℃の温度範囲で10℃/分の測定条件にて測定した。
各エポキシ樹脂組成物を用いて、厚み0.6mmのエポキシ基板に設置した光半導体素子(チップサイズ:1.5mm×1.5mm×厚み0.37mm)をトランスファー成形(成形条件:150℃×4分間)により封止し、さらに150℃×3時間の条件でアフターキュアすることにより光半導体装置(パッケージサイズ:7.8mm×5.2mm×厚み1.5mm)を作製した。このようにして得られた光半導体装置を、30℃/85%RHの恒温恒湿槽に96時間放置した後、この光半導体装置を赤外線(IR)リフロー260℃にさらし、パッケージ内の素子の剥離、クラック発生状況を実体顕微鏡により観察した。そして、パッケージ内の素子の剥離やクラックが発生せず、問題のない良好なパッケージ数を表示した。なお、各光半導体装置のサンプル数(n数)は10個とした。
Claims (2)
- 下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(C)成分であるポリアルキレンジオールの含有量が、上記(A)成分100重量部に対して5〜30重量部の範囲に設定され、かつ上記エポキシ樹脂組成物硬化体のガラス転移点以上の温度領域における貯蔵弾性率が3〜8MPaであることを特徴とする光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)下記の(a)をエポキシ樹脂成分〔(A)成分〕全体の60重量%以上含有するエポキシ樹脂。
(a)常温で固形を示すエポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)平均分子量300〜1000のポリアルキレンジオール。 - 請求項1記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置。
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