JP2009176776A

JP2009176776A - Holder, aligner and method for manufacturing device

Info

Publication number: JP2009176776A
Application number: JP2008010846A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Hirayanagi; 徳行平柳
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2008-01-21
Filing date: 2008-01-21
Publication date: 2009-08-06

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holder capable of preferably suppressing the temperature rise of an irradiated object caused by irradiation of light, and to provide an aligner and a method for manufacturing device. SOLUTION: A reticle stage 15 is provided with an electrostatic chuck 21 for electrostatically sucking a reticle R, and holder sections 35 are provided on both ends, in an X direction and a counter-X direction of the electrostatic chuck 21, respectively. Each of the holder sections 35 is provided with an extending portion 36 which extends in a Z direction, and protruding portions 37 extending in directions close to each other are each provided at the tip of each of the extending portions 36. Of the protruding portions 37, a second corresponding surface 37a, corresponding to the reticle R to be electrostatically sucked by the electrostatic chuck 21, is provided with a supply port 41 for supplying a gas and a discharging port 42 for discharging the gas to the outside. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、被照射物体を保持するための保持装置、該保持装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a holding device for holding an irradiation object, an exposure apparatus including the holding device, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを照射するための照明光学系と、該照明光学系がマスクを照射することにより形成されたパターン像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影するための投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターン像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光やＥＢ（Electron Beam ）を露光光として使用する露光装置の開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−２７６９３２号公報 In general, an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor integrated circuit has an illumination optical system for irradiating a mask such as a reticle on which a predetermined pattern is formed, and the illumination optical system irradiates the mask. A projection optical system for projecting the formed pattern image onto a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material. In such an exposure apparatus, there is a demand for higher resolution of the projection optical system in order to achieve higher integration of semiconductor integrated circuits and finer pattern images associated with the higher integration. Therefore, the wavelength of exposure light used in the exposure apparatus has been shortened, and in recent years, an exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light or EB (Electron Beam) as exposure light has been developed (for example, Patent Documents). 1).
JP 2005-276932 A

ところで、露光装置に用いられるマスクや基板は、露光光が照射されることにより、該露光光の一部を吸収して発熱する。特にＥＵＶ光やＥＢを露光光として用いた露光装置では、露光光の吸熱に起因した該マスクや基板の発熱量により、該マスクや基板が変形する可能性があった。このようにマスクや基板が変形してしまった場合には、例えば、基板上に形成されるパターン像が歪んでしまうという問題があった。 By the way, when a mask or a substrate used in an exposure apparatus is irradiated with exposure light, it absorbs a part of the exposure light and generates heat. In particular, in an exposure apparatus using EUV light or EB as exposure light, the mask or substrate may be deformed by the amount of heat generated by the mask or substrate due to the absorption of exposure light. When the mask or the substrate is deformed as described above, for example, there is a problem that a pattern image formed on the substrate is distorted.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光が照射されることに起因した被照射物体の温度上昇を好適に抑制できる保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to manufacture a holding device, an exposure apparatus, and a device that can suitably suppress a temperature rise of an irradiated object due to light irradiation. It is to provide a method.

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１２に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の保持装置は、光（ＥＬ）が照射される被照射領域を有する被照射物体（Ｒ，Ｗ）を保持する保持装置（１５，１７）であって、前記被照射物体（Ｒ，Ｗ）を保持する保持面（２１ａ，３０ａ）を有する保持部（２１，３０）と、前記被照射物体（Ｒ，Ｗ）を冷却する冷却機構（３５，４１，４１Ａ，４１Ｂ，４２，４２Ａ，５３，５５）と、を備え、該冷却機構（３５，４１，４１Ａ，４１Ｂ，４２，４２Ａ，５３，５５）は、前記保持面（２１ａ，３０ａ）との間に所定のクリアランス（３８）を形成するように前記保持面（２１ａ，３０ａ）に相対する相対面（３７ａ，５２）を含む空間形成部（３７，５０，５１）と、前記クリアランス（３８）内に気体を供給する供給部（４１，４１Ａ，４１Ｂ）と、前記空間形成部（３７，５０，５１）に形成され、前記クリアランス（３８）内の気体を排気する排気部（４２，４２Ａ，５３，５５）と、を有することを要旨とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 12 shown in the embodiment.
The holding device according to the present invention is a holding device (15, 17) for holding an irradiated object (R, W) having an irradiated region irradiated with light (EL), and the irradiated object (R, W). ) Holding portions (21, 30) having holding surfaces (21a, 30a) and cooling mechanisms (35, 41, 41A, 41B, 42, 42A, 53) for cooling the irradiated object (R, W). 55), and the cooling mechanism (35, 41, 41A, 41B, 42, 42A, 53, 55) forms a predetermined clearance (38) between the holding surface (21a, 30a). The space forming part (37, 50, 51) including the relative surface (37a, 52) facing the holding surface (21a, 30a) and the supply part (41 for supplying gas into the clearance (38) , 41A, 41B) and the space forming portion (37 Is formed in 50, 51), said clearance (38) an exhaust unit for exhausting gas in the (42, 42A, and summarized in that has a 53 and 55), the.

また、本発明の保持装置は、光（ＥＬ）が照射される被照射領域を有する被照射物体（Ｒ，Ｗ）を保持する保持装置（１５，１７）であって、前記被照射物体（Ｒ，Ｗ）を保持する保持面（２１ａ，３０ａ）を有する保持部（２１，３０）と、該保持部（２１，３０）により保持される前記被照射物体（Ｒ，Ｗ）のうち前記被照射領域とは異なる所定領域に向けて気体を供給する供給部（４１，４１Ａ，４１Ｂ）と、該供給部（４１，４１Ａ，４１Ｂ）から供給された前記気体を排気する排気部（４２，４２Ａ，５３，５５）と、を備えたことを要旨とする。 The holding device of the present invention is a holding device (15, 17) that holds an irradiated object (R, W) having an irradiated region irradiated with light (EL), and the irradiated object (R). , W) having a holding surface (21a, 30a) for holding, and the irradiated object (R, W) among the irradiated objects (R, W) held by the holding part (21, 30). A supply unit (41, 41A, 41B) for supplying gas toward a predetermined region different from the region, and an exhaust unit (42, 42A, 41) for exhausting the gas supplied from the supply unit (41, 41A, 41B) 53, 55).

上記構成によれば、保持部に被照射物体が保持される場合、供給部から供給された気体は、被照射物体に沿って流動する際に該被照射物体から吸熱する。そして、このような気体は、排気部によって保持装置外に排気される。そのため、被照射物体の周辺で気体を積極的に流動させない場合に比して、光が照射されることに起因した被照射物体の温度上昇を好適に抑制できる。 According to the above configuration, when the irradiated object is held by the holding unit, the gas supplied from the supply unit absorbs heat from the irradiated object when flowing along the irradiated object. And such gas is exhausted out of a holding | maintenance apparatus by an exhaust part. Therefore, as compared with the case where gas is not actively flowed around the irradiated object, the temperature increase of the irradiated object due to light irradiation can be suitably suppressed.

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。 In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, it has been described in association with the reference numerals of the drawings showing the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.

本発明によれば、光が照射されることに起因した被照射物体の温度上昇を好適に抑制できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the temperature rise of the to-be-irradiated object resulting from light irradiation can be suppressed suitably.

（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図４に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が「１００ｎｍ」程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図１では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、露光光源１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを保持するウエハステージ１７とを備えている。なお、本実施形態の露光光源１３としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が「５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）」となるＥＵＶ光を出力する。 (First embodiment)
Below, 1st Embodiment which actualized this invention is described based on FIGS. 1-4.
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 11 of the present embodiment uses an extreme ultraviolet light that is a soft X-ray region having a wavelength of about “100 nm” or less, that is, an EUV (Extreme Ultraviolet) light as an exposure light EL. And it is installed in a chamber 12 (indicated by a two-dot chain line in FIG. 1) in which the inside is a vacuum atmosphere. The exposure apparatus 11 includes an exposure light source 13, an illumination optical system 14, a reticle stage 15 that holds a reflective reticle R on which a predetermined pattern is formed, a projection optical system 16, and a photosensitive material such as a resist on the surface. And a wafer stage 17 for holding the wafer W coated with the material. Note that a laser-excited plasma light source is used as the exposure light source 13 of the present embodiment, and the light source outputs EUV light having a wavelength of “5 to 20 nm (for example, 13.5 nm)”.

照明光学系１４は、露光光源１３側から順に配置された反射型のコリメート用ミラー１８及びコンデンサミラー１９を備えている。これら各ミラー１８，１９の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。そして、コンデンサミラー１９に反射された露光光ＥＬは、コンデンサミラー１９よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２０により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。 The illumination optical system 14 includes a reflective collimating mirror 18 and a condenser mirror 19 arranged in order from the exposure light source 13 side. A reflective layer for reflecting the exposure light EL is formed on the reflective surfaces of the mirrors 18 and 19, respectively. Then, the exposure light EL reflected by the condenser mirror 19 is guided to the reticle R held on the reticle stage 15 by the reflection mirror 20 for folding, which is arranged on the reticle R side with respect to the condenser mirror 19.

レチクルステージ１５は、被照射面Ｒａが下方を指向するようにレチクルＲを保持しており、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１をＹ方向、該Ｙ方向と略直交するＸ方向、及びＹ方向及びＸ方向と略直交する方向であって且つレチクルＲの法線方向であるＺ方向に移動させるための移動ステージ２２とを備えている。静電チャック２１には、図２に示すように、略円柱形状をなす多数のピン２３が設けられており、該各ピン２３の先端面（即ち、反Ｙ方向側の端面）によって形成された吸着面２１ａに、レチクルＲが静電吸着される。また、移動ステージ２２は、図示しない駆動機構の駆動に基づき静電チャック２１と共に移動する。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された被照射面Ｒａ（図１では下面）で反射された露光光ＥＬは、図１に示すように、投影光学系１６に導かれる。なお、レチクルＲの被照射面Ｒａにおいてパターンが形成された被照射領域には、該被照射領域を保護するためのペリクルＰが被覆されている。 The reticle stage 15 holds the reticle R so that the irradiated surface Ra is directed downward, the electrostatic chuck 21 that electrostatically attracts the reticle R, the electrostatic chuck 21 in the Y direction, and the Y direction. A moving stage 22 is provided for moving in the X direction that is substantially orthogonal, and in the Z direction that is the direction that is substantially orthogonal to the Y direction and the X direction and that is the normal direction of the reticle R. As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 21 is provided with a large number of pins 23 having a substantially cylindrical shape, and is formed by the tip surfaces of the pins 23 (that is, the end surfaces on the side opposite to the Y direction). The reticle R is electrostatically attracted to the attracting surface 21a. The moving stage 22 moves together with the electrostatic chuck 21 based on driving of a driving mechanism (not shown). Then, the exposure light EL reflected by the irradiated surface Ra (the lower surface in FIG. 1) on which the pattern is formed on the reticle R is guided to the projection optical system 16 as shown in FIG. Note that the irradiated region where the pattern is formed on the irradiated surface Ra of the reticle R is covered with a pellicle P for protecting the irradiated region.

投影光学系１６は、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２４，２５，２６，２７，２８，２９を備えている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２４、第２ミラー２５、第３ミラー２６、第４ミラー２７、第５ミラー２８、第６ミラー２９の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー２４〜２９のうち第１ミラー２４、第２ミラー２５、第４ミラー２７及び第６ミラー２９は凹面鏡である一方、第３ミラー２６及び第５ミラー２８は凸面鏡である。 The projection optical system 16 includes a plurality of (six in this embodiment) reflective mirrors 24, 25, 26, 27, 28, and 29. Then, the exposure light EL guided from the reticle R side which is the object plane side is in the order of the first mirror 24, the second mirror 25, the third mirror 26, the fourth mirror 27, the fifth mirror 28, and the sixth mirror 29. The light is reflected and guided to the wafer W held on the wafer stage 17. Of the mirrors 24 to 29, the first mirror 24, the second mirror 25, the fourth mirror 27, and the sixth mirror 29 are concave mirrors, while the third mirror 26 and the fifth mirror 28 are convex mirrors.

ウエハステージ１７は、被照射面が上方を指向するようにウエハＷを保持しており、ウエハＷを静電吸着する静電チャック３０と、該静電チャック３０をＹ方向、Ｘ方向及びＺ方向に移動させるための移動ステージ３１とを備えている。静電チャック３０には、略円柱形状をなす多数のピン（図示略）が設けられており、該各ピンの先端面（即ち、Ｙ方向側の端面）によって形成された吸着面３０ａに、ウエハＷが静電吸着される。また、移動ステージ３１は、図示しない駆動機構の駆動に基づき静電チャック３０と共に移動する。そして、投影光学系１６から射出された露光光ＥＬがウエハＷの被照射面の被照射領域を照射することにより、該被照射領域には、レチクルＲ上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影転写される。 The wafer stage 17 holds the wafer W so that the irradiated surface is directed upward, and the electrostatic chuck 30 that electrostatically attracts the wafer W and the electrostatic chuck 30 in the Y, X, and Z directions. And a moving stage 31 for moving to the position. The electrostatic chuck 30 is provided with a large number of pins (not shown) having a substantially cylindrical shape, and a wafer 30 is formed on the suction surface 30a formed by the tip surface (that is, the end surface on the Y direction side) of each pin. W is electrostatically adsorbed. The moving stage 31 moves together with the electrostatic chuck 30 based on driving of a driving mechanism (not shown). Then, the exposure light EL emitted from the projection optical system 16 irradiates the irradiated area of the irradiated surface of the wafer W, so that the pattern on the reticle R is reduced to a predetermined magnification in the irradiated area. The image is projected and transferred.

また、本実施形態の露光装置１１には、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに向けて窒素などの気体を供給するための供給装置３２と、該供給装置３２によって供給された気体を吸引してチャンバ１２外に排気するための排気装置３３とが設けられている。供給装置３２は、常温（本実施形態では２３℃）よりも低温（例えば１３℃）に調整された気体を供給するようになっている。なお、ここでいう「常温」とは、露光装置１１が設置された環境の温度のことであって、露光装置１１を構成する各部材の温度も、ほぼ常温に設定されている。 Further, in the exposure apparatus 11 of the present embodiment, a supply device 32 for supplying a gas such as nitrogen toward the reticle R held by the reticle stage 15, and the gas supplied by the supply device 32 are sucked. And an exhaust device 33 for exhausting the air to the outside of the chamber 12. The supply device 32 supplies gas adjusted to a lower temperature (for example, 13 ° C.) than normal temperature (23 ° C. in the present embodiment). Here, “normal temperature” refers to the temperature of the environment in which the exposure apparatus 11 is installed, and the temperature of each member constituting the exposure apparatus 11 is also set to substantially normal temperature.

次に、本実施形態のレチクルステージ１５について、図２〜図４に基づき説明する。なお、図２〜図４では、明細書の説明理解の便宜上、移動ステージ２２の記載を省略している。 Next, the reticle stage 15 of this embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 2 to FIG. 4, the description of the moving stage 22 is omitted for convenience of understanding the description.

図２及び図３に示すように、レチクルステージ１５の静電チャック２１におけるＸ方向及び反Ｘ方向の両端部には、Ｙ方向における長さがレチクルＲのＹ方向における長さよりも長い断面視略「Ｌ」字状のホルダ部３５がそれぞれ設けられている。これら各ホルダ部３５は、反Ｚ方向側（図２における下側）に延びる延設部３６をそれぞれ備えており、該各延設部３６の先端（即ち、反Ｚ方向側の端部）には、互いに接近する方向に向けて突出する突出部３７がそれぞれ設けられている。各延設部３６には、静電チャック２１に静電吸着されるレチクルＲにおけるＸ方向側及び反Ｘ方向側の各側面に所定間隔を介して相対する第１相対面３６ａがそれぞれ形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, at both ends of the electrostatic chuck 21 of the reticle stage 15 in the X direction and the opposite X direction, the length in the Y direction is longer than the length in the Y direction of the reticle R. “L” -shaped holder portions 35 are respectively provided. Each of these holder portions 35 includes an extending portion 36 extending to the anti-Z direction side (the lower side in FIG. 2), and at the tip of each extending portion 36 (that is, the end portion on the anti-Z direction side). Are provided with projecting portions 37 projecting toward each other. Each extending portion 36 is formed with a first relative surface 36 a that is opposed to each side surface of the reticle R electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21 on the X direction side and the anti-X direction side with a predetermined interval. Yes.

各突出部３７は、吸着面２１ａとの間にレチクルＲが収容される所定のクリアランス３８を介在させると共に、レチクルＲにおいて被照射領域の外周側となる外周領域（即ち、被照射領域とは異なる所定領域）に対応する位置にそれぞれ配置されている。また、各突出部３７におけるＺ方向側の第２相対面（図２における上面）３７ａは、静電チャック２１の吸着面２１ａと略平行となるようにそれぞれ形成されている。なお、各突出部３７の第２相対面３７ａは、上記クリアランス３８内に収容されたレチクルＲの被照射面Ｒａに接触することはない。 Each protrusion 37 has a predetermined clearance 38 in which the reticle R is accommodated between the suction surface 21a and an outer peripheral region (that is, different from the irradiated region) on the outer side of the irradiated region in the reticle R. Are arranged at positions corresponding to (predetermined areas). Further, the second relative surface (upper surface in FIG. 2) 37 a on the Z direction side of each protrusion 37 is formed so as to be substantially parallel to the attracting surface 21 a of the electrostatic chuck 21. Note that the second relative surface 37 a of each protrusion 37 does not come into contact with the irradiated surface Ra of the reticle R accommodated in the clearance 38.

また、静電チャック２１内におけるＸ方向及び反Ｘ方向の両端側には、図１及び図２に示すように、供給装置３２に接続される供給用管路３２ａ内と連通する第１流路３９と、排気装置３３に接続される排気用管路３３ａ内と連通する第２流路４０とがそれぞれ形成されている。また、図３に示すように、各突出部３７の第２相対面３７ａには、レチクルＲのＹ方向における長さよりも多少短い長孔状の供給口４１と、該供給口４１を包囲する環状の排気口４２とがそれぞれ形成されている。そして、各供給口４１は、第１流路３９にそれぞれ連通すると共に、各排気口４２は、第２流路４０にそれぞれ連通している。そのため、本実施形態の静電チャック２１は、図４に示すように、供給装置３２及び排気装置３３が駆動する場合、レチクルＲの被照射面Ｒａにおける被照射領域の外周領域に向けて気体を各供給口４１から供給し、レチクルＲから吸熱した気体を各排気口４２からチャンバ１２外に排気させる。 Moreover, as shown in FIGS. 1 and 2, the first flow path communicating with the inside of the supply conduit 32 a connected to the supply device 32 is provided at both ends in the X direction and the anti-X direction in the electrostatic chuck 21. 39 and a second flow path 40 communicating with the inside of the exhaust pipe 33 a connected to the exhaust device 33 are formed. Further, as shown in FIG. 3, the second relative surface 37 a of each projecting portion 37 has a long hole-like supply port 41 slightly shorter than the length of the reticle R in the Y direction, and an annular shape surrounding the supply port 41. The exhaust ports 42 are respectively formed. Each supply port 41 communicates with the first flow path 39, and each exhaust port 42 communicates with the second flow path 40. Therefore, as shown in FIG. 4, the electrostatic chuck 21 of the present embodiment, when the supply device 32 and the exhaust device 33 are driven, supplies gas toward the outer peripheral region of the irradiated region on the irradiated surface Ra of the reticle R. The gas supplied from each supply port 41 and absorbed from the reticle R is exhausted out of the chamber 12 through each exhaust port 42.

次に、レチクルステージ１５にて保持されるレチクルＲの温度を調整する際の作用について説明する。
さて、ウエハＷへのパターン像の転写を行う際、レチクルステージ１５の静電チャック２１に静電吸着されたレチクルＲの被照射面Ｒａには、照明光学系１４から射出された露光光ＥＬが照射される。すると、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの大部分は、被照射面Ｒａで反射されて投影光学系１６に導かれる一方、一部の露光光ＥＬは、被照射面Ｒａにおいて露光光ＥＬが照射される被照射領域に吸収される。その結果、レチクルＲでは、その被照射領域を中心に熱吸収し、該吸収した熱がレチクルＲ全体に伝達され、温度上昇が生じる。 Next, an operation when adjusting the temperature of the reticle R held by the reticle stage 15 will be described.
Now, when the pattern image is transferred to the wafer W, the exposure light EL emitted from the illumination optical system 14 is applied to the irradiated surface Ra of the reticle R electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21 of the reticle stage 15. Irradiated. Then, most of the exposure light EL that irradiates the irradiated surface Ra of the reticle R is reflected by the irradiated surface Ra and guided to the projection optical system 16, while a part of the exposure light EL is emitted from the irradiated surface Ra. The exposure light EL is absorbed by the irradiated region. As a result, the reticle R absorbs heat centering on the irradiated region, and the absorbed heat is transmitted to the entire reticle R, causing a temperature rise.

このような状態で供給装置３２及び排気装置３３が駆動すると、静電チャック２１の各供給口４１からは、レチクルＲの被照射面Ｒａのうち被照射領域の外周領域に対して吸着面２１ａ又は第２相対面３７ａと略垂直な方向（Ｚ方向）に向けて気体が供給される。その結果、レチクルＲは、各供給口４１から供給された気体によって静電チャック２１の吸着面２１ａに押し付けられた状態になる。また、レチクルＲに接触した気体は、クリアランス３８内において四方に拡散し、その後、排気口４２を介してチャンバ１２外に排気される。 When the supply device 32 and the exhaust device 33 are driven in such a state, the suction surface 21 a or the suction surface 21 a or the outer peripheral region of the irradiated region of the reticle R from the supply ports 41 of the electrostatic chuck 21. Gas is supplied in a direction (Z direction) substantially perpendicular to the second relative surface 37a. As a result, the reticle R is pressed against the suction surface 21a of the electrostatic chuck 21 by the gas supplied from each supply port 41. Further, the gas that has contacted the reticle R diffuses in all directions within the clearance 38, and is then exhausted out of the chamber 12 through the exhaust port 42.

また、レチクルＲの被照射面Ｒａに気体を供給し続けると、常温よりも低温の気体が被照射面Ｒａに沿って流動することになる。そして、このような気体がレチクルＲの被照射領域にて吸収した熱のうち上記所定領域に移動した熱を吸熱する結果、レチクルＲの温度上昇が抑制される。 Further, when the gas is continuously supplied to the irradiated surface Ra of the reticle R, the gas having a temperature lower than the normal temperature flows along the irradiated surface Ra. And as a result of absorbing the heat which moved to the said predetermined area | region among such heat which the gas absorbed in the irradiation area | region of the reticle R, the temperature rise of the reticle R is suppressed.

すなわち、本実施形態では、レチクルＲの被照射領域で吸収した熱は、各ピン２３を介した静電チャック２１への放熱だけではなく、各供給口４１から供給された気体にも放熱される。しかも、各供給口４１からは、レチクルＲの被照射面Ｒａのうち被照射領域に近い所定領域に向けて気体が供給される。そのため、気体をレチクルＲのＺ方向側の面（即ち、被照射面Ｒａの反対側の面であって、「反対面」ともいう。）に向けて供給する場合に比して、レチクルＲからの放熱が速やかに行われる。したがって、特に、レチクルＲのうちパターンが形成された被照射領域を速やかに冷却することができるため、吸熱によるレチクルＲの変形、ひいては被照射領域におけるパターンの変形が抑制される。 That is, in the present embodiment, the heat absorbed in the irradiated region of the reticle R is not only radiated to the electrostatic chuck 21 via each pin 23 but also radiated to the gas supplied from each supply port 41. . In addition, gas is supplied from each supply port 41 toward a predetermined region near the irradiated region on the irradiated surface Ra of the reticle R. Therefore, as compared with the case where the gas is supplied toward the surface of the reticle R on the Z direction side (that is, the surface opposite to the irradiated surface Ra, also referred to as “opposite surface”), The heat release is performed promptly. Therefore, in particular, since the irradiated region of the reticle R on which the pattern is formed can be quickly cooled, deformation of the reticle R due to heat absorption, and hence deformation of the pattern in the irradiated region is suppressed.

また、各供給口４１からレチクルＲに向けて供給された気体は、レチクルＲから吸熱した後、各供給口４１の周囲に設けられた排気口４２を介してチャンバ１２外に排気される。その結果、レチクルＲを照射する露光光ＥＬの光路内及びレチクルＲで反射した露光光ＥＬの光路内には、各供給口４１から供給された気体が流入することはほとんどない。そのため、露光光ＥＬの一部が気体に吸収されることが抑制され、ウエハＷへのパターン像の転写時における露光光ＥＬの光量不足が回避されると共に、ウエハＷに転写されるパターン像の歪みの発生が抑制される。 Further, the gas supplied from the supply ports 41 toward the reticle R absorbs heat from the reticle R and is then exhausted out of the chamber 12 through the exhaust ports 42 provided around the supply ports 41. As a result, the gas supplied from each supply port 41 hardly flows into the optical path of the exposure light EL that irradiates the reticle R and the optical path of the exposure light EL reflected by the reticle R. Therefore, a part of the exposure light EL is suppressed from being absorbed by the gas, and a shortage of the exposure light EL during the transfer of the pattern image onto the wafer W is avoided, and the pattern image transferred onto the wafer W Generation of distortion is suppressed.

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）静電チャック２１にレチクルＲが静電吸着される場合、各供給口４１から気体は、レチクルＲに沿って流動する際に該レチクルから吸熱する。すなわち、レチクルＲのうち露光光ＥＬが照射されない領域を該気体にて冷却することにより、レチクルＲ全体の温度上昇が抑制される。そして、レチクルＲから吸熱した気体は、各排気口４２を介してチャンバ１２外に排気される。したがって、レチクルＲの周辺で気体を積極的に流動させない場合に比して、露光光ＥＬが照射されることに起因したレチクルＲの温度上昇を好適に抑制できる。 Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) When the reticle R is electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21, the gas from each supply port 41 absorbs heat from the reticle as it flows along the reticle R. That is, by cooling the region of the reticle R that is not irradiated with the exposure light EL with the gas, the temperature rise of the entire reticle R is suppressed. The gas that has absorbed heat from the reticle R is exhausted to the outside of the chamber 12 through the exhaust ports 42. Therefore, as compared with the case where the gas is not actively flowed around the reticle R, the temperature rise of the reticle R caused by the irradiation with the exposure light EL can be preferably suppressed.

（２）また、各排気口４２は、供給口４１を包囲するようにそれぞれ形成されているため、供給口４１から供給された気体が排気口４２の外周側に流出することを抑制できる。したがって、気体の露光光ＥＬの光路内への流入を抑制でき、気体が露光光ＥＬの一部を吸収することに起因したウエハＷへのパターン像の転写不良を抑制できる。 (2) Since each exhaust port 42 is formed so as to surround the supply port 41, it is possible to suppress the gas supplied from the supply port 41 from flowing out to the outer peripheral side of the exhaust port 42. Therefore, inflow of the gas exposure light EL into the optical path can be suppressed, and transfer failure of the pattern image onto the wafer W due to the gas absorbing part of the exposure light EL can be suppressed.

（３）各供給口４１からは、レチクルＲの被照射面Ｒａのうち被照射領域の外周側の外周領域に向けて供給される。そのため、レチクルＲにおける被照射面Ｒａの反対面に向けて気体を供給し、該気体を被照射面Ｒａ側に流動させることなく外部に排気する構成に比して、発熱源となる被照射領域に近い領域で吸熱できる分だけ、露光光ＥＬが照射されるレチクルＲの温度上昇を効果的に抑制できる。 (3) From each supply port 41, it supplies toward the outer peripheral area | region of the outer peripheral side of an irradiation area | region among the irradiation surfaces Ra of the reticle R. FIG. Therefore, compared with a configuration in which a gas is supplied toward the surface opposite to the irradiated surface Ra in the reticle R and the gas is exhausted to the outside without flowing to the irradiated surface Ra side, an irradiated region serving as a heat generation source. The temperature rise of the reticle R irradiated with the exposure light EL can be effectively suppressed by the amount that can absorb heat in a region close to.

（４）本実施形態では、各供給口４１から供給される気体は、常温よりも低い温度で設定されている。そのため、常温以上の温度を有する気体が供給される場合に比して、気体の温度が低い分だけレチクルＲからの吸熱効率を向上させることができる。 (4) In this embodiment, the gas supplied from each supply port 41 is set at a temperature lower than room temperature. Therefore, the heat absorption efficiency from the reticle R can be improved by the amount of the lower temperature of the gas than when a gas having a temperature equal to or higher than normal temperature is supplied.

（５）また、各供給口４１から供給される気体は、不活性ガスであるため、空気や酸素が供給される場合とは異なり、レチクルステージ１５やレチクルＲなどが腐食することを抑制できる。 (5) Moreover, since the gas supplied from each supply port 41 is an inert gas, unlike the case where air and oxygen are supplied, it can suppress that the reticle stage 15, the reticle R, etc. corrode.

（６）さらに、クリアランス３８内に収容されたレチクルＲは、各供給口４１から供給される気体によって静電チャック２１の吸着面２１ａに押し付けられた状態になる。すなわち、各供給口４１から供給される気体は、レチクルＲから吸熱するだけではなく、吸着面２１ａからのレチクルＲの脱落の抑制に貢献できる。 (6) Further, the reticle R accommodated in the clearance 38 is pressed against the suction surface 21 a of the electrostatic chuck 21 by the gas supplied from each supply port 41. That is, the gas supplied from each supply port 41 not only absorbs heat from the reticle R, but can also contribute to suppression of dropping of the reticle R from the suction surface 21a.

（７）レチクルステージ１５は、被照射面Ｒａが下方を指向するようにレチクルＲを保持している。そのため、もし仮に停電などが発生しレチクルＲが静電チャック２１の吸着面２１ａから落下してしまったとしても、各ホルダ部３５の突出部３７によってレチクルＲが投影光学系１６側への落下が規制される。したがって、レチクルＲがレチクルステージ１５から落下したことに起因したレチクルＲの破損などを回避できる。 (7) The reticle stage 15 holds the reticle R so that the irradiated surface Ra is directed downward. Therefore, even if a power failure or the like occurs and the reticle R falls from the attracting surface 21a of the electrostatic chuck 21, the reticle R is dropped toward the projection optical system 16 by the projections 37 of the holder portions 35. Be regulated. Therefore, damage to the reticle R caused by the reticle R falling from the reticle stage 15 can be avoided.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図５〜図７に従って説明する。なお、第２の実施形態は、静電チャック２１の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the configuration of the electrostatic chuck 21 is different from that of the first embodiment. Therefore, in the following description, parts different from those of the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding member configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. Shall.

図５及び図６に示すように、レチクルステージ１５の静電チャック２１は、そのＸ方向及び反Ｘ方向側の両端部に配置されたホルダ部３５と、その反Ｙ方向側（図６における下側）の端部に配置された第１連結部材５０と、そのＹ方向側（図６における上側）の端部に配置された第２連結部材５１とを備えている。各ホルダ部３５は、それぞれのＹ方向における長さがレチクルＲよりも短くなるように形成されている。また、各ホルダ部３５の第２相対面３７ａには、Ｙ方向に延びる供給口４１と、該供給口４１よりも突出部３７の先端側に位置する長孔状の排気口４２Ａがそれぞれ配置されている。すなわち、各排気口４２Ａは、供給口４１よりも露光光ＥＬの光路に接近した位置にそれぞれ配置されている。なお、これら各排気口４２Ａは、それぞれのＹ方向における長さが供給口４１のＹ方向における長さよりも長くなるようにそれぞれ形成されている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the electrostatic chuck 21 of the reticle stage 15 includes holder portions 35 disposed at both ends in the X direction and the anti-X direction side, and the anti-Y direction side (the lower side in FIG. 6). A first connecting member 50 disposed at the end of the second side, and a second connecting member 51 disposed at the end of the Y direction side (the upper side in FIG. 6). Each holder portion 35 is formed such that its length in the Y direction is shorter than that of reticle R. In addition, a supply port 41 extending in the Y direction and a long hole-like exhaust port 42A located on the distal end side of the protruding portion 37 with respect to the supply port 41 are arranged on the second relative surface 37a of each holder portion 35, respectively. ing. That is, each exhaust port 42A is disposed at a position closer to the optical path of the exposure light EL than the supply port 41 is. Each of the exhaust ports 42A is formed so that the length in the Y direction is longer than the length of the supply port 41 in the Y direction.

第１連結部材５０は、Ｘ方向に延びると共に、断面視略「Ｌ」字状をなすように形成されている。そして、第１連結部材５０は、その長手方向における両端部（図６では左右の両端部）が各ホルダ部３５の反Ｙ方向側の端部に当接した状態で静電チャック２１に固定されている。また、第１連結部材５０には、静電チャック２１に静電吸着されるレチクルＲの被照射面Ｒａに相対する第３相対面５２が設けられており、該第３相対面５２は、各ホルダ部３５の第２相対面３７ａと面一になっている。また、第３相対面５２には、Ｘ方向に延びる長孔状の排気口５３が形成されており、該排気口５３は、各第２相対面３７ａの排気口４２Ａに連通している。なお、レチクルＲの反Ｙ方向側の側面と第１連結部材５０において該側面に相対する部位との間には、気体の流動を許容する隙間が形成される。 The first connecting member 50 is formed so as to extend in the X direction and have a substantially “L” shape in sectional view. The first connecting member 50 is fixed to the electrostatic chuck 21 with both end portions in the longitudinal direction (left and right end portions in FIG. 6) in contact with the end portions on the opposite Y direction side of the holder portions 35. ing. The first connecting member 50 is provided with a third relative surface 52 that faces the irradiated surface Ra of the reticle R that is electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21. The holder portion 35 is flush with the second relative surface 37a. The third relative surface 52 has an elongated exhaust port 53 extending in the X direction, and the exhaust port 53 communicates with the exhaust port 42A of each second relative surface 37a. A gap allowing gas flow is formed between the side surface of the reticle R on the side opposite to the Y direction and the portion of the first connecting member 50 facing the side surface.

第２連結部材５１は、その延設方向における長さ（図６における左右方向の長さ）がレチクルＲのＸ方向（図６では左右方向）における長さよりも長くなると共に、断面視略「Ｌ」字状をなすように形成されている。また、第２連結部材５１内には、排気装置３３に接続される排気用管路３３ａ内に連通する第３流路５４が形成されている。さらに、第２連結部材５１には、静電チャック２１に静電吸着されるレチクルＲの被照射面Ｒａに相対する図示しない第４相対面が設けられており、該第４相対面は、各ホルダ部３５の第２相対面３７ａと面一になっている。また、第４相対面には、第２連結部材５１の長手方向に沿って延びる長孔状の排気口５５が形成されており、該排気口５５は、第３流路５４内に連通している。なお、第２連結部材５１が図６における実線で示す位置（後述する包囲位置）に配置された場合、レチクルＲにおけるＹ方向側の側面と第２連結部材５１において該側面に相対する部位との間には、気体の流動を許容する隙間が形成される。 The length of the second connecting member 51 in the extending direction (the length in the left-right direction in FIG. 6) is longer than the length in the X direction (the left-right direction in FIG. 6) of the reticle R. It is formed so as to form a letter shape. Further, in the second connecting member 51, a third flow path 54 that communicates with the exhaust pipe 33 a connected to the exhaust device 33 is formed. Further, the second connecting member 51 is provided with a fourth relative surface (not shown) that is opposed to the irradiated surface Ra of the reticle R that is electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21. The holder portion 35 is flush with the second relative surface 37a. Further, an elongated exhaust port 55 extending along the longitudinal direction of the second connecting member 51 is formed on the fourth relative surface, and the exhaust port 55 communicates with the third flow path 54. Yes. In addition, when the 2nd connection member 51 is arrange | positioned in the position (enclosed position mentioned later) shown by the continuous line in FIG. 6, the side surface by the side of the Y direction in the reticle R, and the site | part which opposes this side surface in the 2nd connection member 51 A gap that allows gas flow is formed between them.

また、第２連結部材５１は、各ホルダ部３５及び第１連結部材５０と共同して露光光ＥＬの光路を包囲する包囲位置（図６にて実線で示す位置）と、該包囲位置よりも露光光ＥＬの光路から離間した離間位置（図６にて二点鎖線で示す位置）との二位置間で進退移動可能とされている。そして、レチクルステージ１５がレチクルＲを保持している場合、第２連結部材５１は包囲位置に配置される。一方、レチクルステージ１５からレチクルＲを取り外す場合、及び、レチクルステージ１５に新たなレチクルＲを保持させる場合、レチクルＲを交換可能なように、第２連結部材５１は離間位置に配置される。なお、第２連結部材５１は、レチクルＲを交換可能なように、必要に応じて取り外せるような構成であってもよい。 Further, the second connecting member 51 cooperates with each holder portion 35 and the first connecting member 50 to surround the optical path of the exposure light EL (a position indicated by a solid line in FIG. 6), and from the surrounding position. It is possible to move forward and backward between two positions separated from the optical path of the exposure light EL (a position indicated by a two-dot chain line in FIG. 6). When the reticle stage 15 holds the reticle R, the second connecting member 51 is disposed at the surrounding position. On the other hand, when the reticle R is removed from the reticle stage 15 and when a new reticle R is held on the reticle stage 15, the second connecting member 51 is disposed at a separated position so that the reticle R can be exchanged. The second connecting member 51 may be configured to be removable as necessary so that the reticle R can be exchanged.

次に、レチクルステージ１５にて保持されるレチクルＲの温度を調整する際の作用について図７に基づき説明する。
さて、静電チャック２１に静電吸着されるレチクルＲの被照射面Ｒａには、図７に示すように、各ホルダ部３５の供給口４１から供給される。そして、各供給口４１から供給された気体の一部は、レチクルＲの被照射面Ｒａから吸熱した後、露光光ＥＬの光路側に流動して各ホルダ部３５の排気口４２Ａを介してチャンバ１２外に排気される。また、残りの気体は、レチクルＲにおけるＸ方向及び反Ｘ方向の両縁からレチクルＲの反対面側に流動し、各ピン２３間の隙間を流動する。そのため、レチクルＲの反対面側では、各ピン２３を介した放熱だけではなく、各ピン２３の間の隙間を流動する気体にも放熱される。 Next, the operation when adjusting the temperature of the reticle R held by the reticle stage 15 will be described with reference to FIG.
Now, the irradiation surface Ra of the reticle R electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21 is supplied from the supply port 41 of each holder portion 35 as shown in FIG. A part of the gas supplied from each supply port 41 absorbs heat from the irradiated surface Ra of the reticle R, then flows to the optical path side of the exposure light EL, and passes through the exhaust port 42A of each holder portion 35 to the chamber. 12 is exhausted outside. Further, the remaining gas flows from both edges of the reticle R in the X direction and the anti-X direction to the opposite surface side of the reticle R, and flows in the gaps between the pins 23. Therefore, on the opposite surface side of the reticle R, heat is radiated not only to heat radiation through the pins 23 but also to gas flowing in the gaps between the pins 23.

そして、各ピン２３の間の隙間を流動する気体は、レチクルＲにおけるＹ方向及び反Ｙ方向の両縁からレチクルＲの被照射面Ｒａ側に移動するが、各連結部材５０，５１に設けられた排気口５３，５５を介してチャンバ１２外に排気される。そのため、レチクルＲを照射する露光光ＥＬの光路内、及びレチクルＲで反射した露光光ＥＬの光路内への気体の流入が抑制される。 The gas flowing in the gaps between the pins 23 moves from both edges of the reticle R in the Y direction and the anti-Y direction to the irradiated surface Ra side of the reticle R, but is provided in the connecting members 50 and 51. The air is exhausted out of the chamber 12 through the exhaust ports 53 and 55. For this reason, inflow of gas into the optical path of the exposure light EL that irradiates the reticle R and into the optical path of the exposure light EL reflected by the reticle R is suppressed.

したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）（３）〜（７）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（８）各ホルダ部３５において、各排気口４２Ａは、供給口４１よりも露光光ＥＬの光路に接近した位置にそれぞれ配置されている。そのため、供給口４１から供給された気体が露光光ＥＬの光路内に流入することを抑制できる。 Therefore, in the present embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects (1), (3) to (7) of the first embodiment.
(8) In each holder part 35, each exhaust port 42A is arranged at a position closer to the optical path of the exposure light EL than the supply port 41 is. Therefore, it is possible to suppress the gas supplied from the supply port 41 from flowing into the optical path of the exposure light EL.

（９）本実施形態では、各供給口４１から供給された気体の一部は、レチクルＲにおけるＸ方向及び反Ｘ方向の両縁からレチクルＲの反対面側に流動するため、レチクルＲの反対面側でも、気体によって吸熱される。そのため、露光光ＥＬの照射に起因したレチクルＲの温度上昇を良好に抑制できる。 (9) In the present embodiment, a part of the gas supplied from each supply port 41 flows from both edges of the reticle R in the X direction and the anti-X direction to the opposite surface side of the reticle R. Even on the surface side, heat is absorbed by the gas. Therefore, it is possible to satisfactorily suppress the temperature rise of reticle R caused by irradiation with exposure light EL.

（１０）また、レチクルＲの被照射領域は、各排気口４２Ａ，５３，５５によって包囲されている。そのため、レチクルＲの反対面側に移動した気体は、レチクルの周縁（特に、Ｙ方向側及び反Ｙ方向側の両縁）からレチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動した際に、各排気口４２Ａ，５３，５５を介してチャンバ１２外に排出される。したがって、気体が露光光ＥＬの光路内に流入することを抑制できる。 (10) The irradiated area of the reticle R is surrounded by the exhaust ports 42A, 53, and 55. Therefore, when the gas moved to the opposite surface side of the reticle R flows from the periphery of the reticle (particularly both edges on the Y direction side and the opposite Y direction side) to the irradiated surface Ra side of the reticle R, each exhaust port It is discharged out of the chamber 12 through 42A, 53, 55. Therefore, it can suppress that gas flows in into the optical path of exposure light EL.

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図８に従って説明する。なお、第３の実施形態は、レチクルＲに対して供給する気体の供給方向が第２の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第２の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第２の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the third embodiment differs from the second embodiment in the supply direction of the gas supplied to the reticle R. Therefore, in the following description, portions different from those of the second embodiment will be mainly described, and the same or corresponding member configurations as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals and redundant description is omitted. Shall.

図８に示すように、静電チャック２１の各ホルダ部３５には、該静電チャック２１に静電吸着されたレチクルＲにおけるＸ方向側及び反Ｘ方向側の各側面に向けて気体を供給する供給口４１Ａがそれぞれ設けられている。すなわち、本実施形態では、各供給口４１Ａは、延設部３６の第１相対面３６ａにそれぞれ形成されている。そのため、各供給口４１Ａからの気体は、クリアランス３８内を吸着面２１ａ又は第２相対面３７ａと略平行な方向に向けて供給され、レチクルＲにおけるＸ方向側及び反Ｘ方向側の各側面に接触した後で四方に拡散する。そして、各供給口４１Ａから供給された気体の一部は、レチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動し、該被照射面Ｒａと第２相対面３７ａとの間の隙間を露光光ＥＬの光路側に流動する。この際、気体は、レチクルＲの被照射面Ｒａから吸熱する。その後、このような気体は、各ホルダ部３５の排気口４２Ａを介してチャンバ１２外に排気される。 As shown in FIG. 8, gas is supplied to each holder portion 35 of the electrostatic chuck 21 toward each side surface on the X direction side and the opposite X direction side of the reticle R electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21. Each supply port 41A is provided. That is, in the present embodiment, each supply port 41 A is formed on the first relative surface 36 a of the extending portion 36. Therefore, the gas from each supply port 41A is supplied in the clearance 38 in a direction substantially parallel to the suction surface 21a or the second relative surface 37a, and is supplied to each side surface of the reticle R on the X direction side and the anti-X direction side. Diffuses in all directions after contact. A part of the gas supplied from each supply port 41A flows toward the irradiated surface Ra of the reticle R, and the optical path of the exposure light EL passes through the gap between the irradiated surface Ra and the second relative surface 37a. Flow to the side. At this time, the gas absorbs heat from the irradiated surface Ra of the reticle R. Thereafter, such gas is exhausted out of the chamber 12 through the exhaust port 42 A of each holder part 35.

一方、レチクルＲの反対面側に流動した気体は、各ピン２３の間の隙間を流動しつつ、レチクルＲの反対面から吸熱する。その後、このような気体は、レチクルＲにおけるＹ方向及び反Ｙ方向の両縁から該レチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動し、露光光ＥＬの光路内に流入する前に各連結部材５０，５１の各排気口５３，５５を介してチャンバ１２外に排気される。 On the other hand, the gas that has flowed to the opposite surface side of the reticle R absorbs heat from the opposite surface of the reticle R while flowing in the gaps between the pins 23. After that, such a gas flows from both edges of the reticle R in the Y direction and the anti-Y direction to the irradiated surface Ra side of the reticle R, and before flowing into the optical path of the exposure light EL, The gas is exhausted out of the chamber 12 through the exhaust ports 53 and 55 of 51.

したがって、本実施形態では、上記各実施形態の効果（１）（３）〜（５）（７）〜（１０）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（１１）レチクルＲの反対面側に供給される気体の温度は、上記第２の実施形態の場合に比して低い。そのため、レチクルＲの反対面側での気体による吸熱効率を向上させることができる。 Therefore, in this embodiment, in addition to the effects (1), (3) to (5), (7) to (10) of the above embodiments, the following effects can be obtained.
(11) The temperature of the gas supplied to the opposite surface side of the reticle R is lower than that in the case of the second embodiment. Therefore, the heat absorption efficiency by the gas on the opposite surface side of the reticle R can be improved.

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態を図９に従って説明する。なお、第４の実施形態は、レチクルＲに対して供給する気体の供給方向が第２及び第３の各実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第２及び第３の各実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第２及び第３の各実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fourth embodiment is different from the second and third embodiments in the supply direction of the gas supplied to the reticle R. Therefore, in the following description, portions different from the second and third embodiments will be mainly described, and the same reference numerals are given to the same or corresponding member configurations as those of the second and third embodiments. A duplicate description will be omitted.

図９に示すように、静電チャック２１には、該静電チャック２１に静電吸着されたレチクルＲの反対面に向けて気体を供給する複数（本実施形態では２つ）の供給口４１Ｂが設けられている。具体的には、各供給口４１Ｂは、レチクルＲのＸ方向側及び反Ｘ方向側の両縁近傍と対応する位置にそれぞれ配置されている。そのため、各供給口４１Ｂからの気体は、クリアランス３８内を吸着面２１ａ又は第２相対面３７ａと略垂直な方向（反Ｚ方向）に向けて供給され、レチクルＲにおけるＺ方向側の面に接触した後で四方に拡散する。そして、各供給口４１Ｂから供給された気体の一部は、レチクルＲにおけるＸ方向及び反Ｘ方向の両縁からレチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動し、該被照射面Ｒａと第２相対面３７ａとの間の隙間を露光光ＥＬの光路側に流動する。この際、気体は、レチクルＲの被照射面Ｒａから吸熱する。その後、このような気体は、各ホルダ部３５の排気口４２Ａを介してチャンバ１２外に排気される。 As shown in FIG. 9, the electrostatic chuck 21 has a plurality of (two in this embodiment) supply ports 41 B that supply gas toward the opposite surface of the reticle R electrostatically attracted to the electrostatic chuck 21. Is provided. Specifically, each supply port 41B is arranged at a position corresponding to the vicinity of both edges of the reticle R on the X direction side and the anti-X direction side. Therefore, the gas from each supply port 41B is supplied in the clearance 38 in a direction (anti-Z direction) substantially perpendicular to the suction surface 21a or the second relative surface 37a, and contacts the surface of the reticle R on the Z direction side. And then spread in all directions. A part of the gas supplied from each supply port 41B flows from both edges of the reticle R in the X direction and the anti-X direction to the irradiated surface Ra side of the reticle R, and the second relative to the irradiated surface Ra. The gap between the surface 37a flows toward the optical path of the exposure light EL. At this time, the gas absorbs heat from the irradiated surface Ra of the reticle R. Thereafter, such gas is exhausted out of the chamber 12 through the exhaust port 42 A of each holder part 35.

一方、残りの気体は、各ピン２３の間の隙間を流動しつつ、レチクルＲの反対面にて該レチクルＲから吸熱する。その後、このような気体は、レチクルＲの周縁から該レチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動し、露光光ＥＬの光路内に流入する前に各連結部材５０，５１の排気口５３，５５を介してチャンバ１２外に排気される。 On the other hand, the remaining gas absorbs heat from the reticle R on the opposite surface of the reticle R while flowing through the gaps between the pins 23. After that, such gas flows from the periphery of the reticle R to the irradiated surface Ra side of the reticle R, and passes through the exhaust ports 53 and 55 of the connection members 50 and 51 before flowing into the optical path of the exposure light EL. Through the chamber 12.

したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）（３）〜（５）（７）（８）（１０）（１１）と同様の効果を得ることができる。
（１２）各供給口４１Ｂから供給された気体は、レチクルＲの周縁からレチクルＲの被照射面Ｒａ側に流動した後、各排気口４２Ａ，５３，５５を介してチャンバ１２外に排気される。そのため、レチクルＲの反対面側から被照射面Ｒａ側に流動してきた気体が露光光ＥＬの光路内に流入することを抑制できる。 Therefore, in this embodiment, the same effects as the effects (1), (3) to (5), (7), (8), (10), and (11) of the first embodiment can be obtained.
(12) The gas supplied from each supply port 41B flows from the periphery of the reticle R to the irradiated surface Ra side of the reticle R, and is then exhausted out of the chamber 12 through the exhaust ports 42A, 53, and 55. . Therefore, it is possible to suppress the gas flowing from the opposite surface side of the reticle R to the irradiated surface Ra side from flowing into the optical path of the exposure light EL.

なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・第１の実施形態において、レチクルＲには、図１０に示すように、ペリクルＰを設けなくてもよい。その一方で、第２〜第４の各実施形態において、レチクルＲには、パターンを保護するためのペリクルＰを設けてもよい。 In addition, you may change each said embodiment into another embodiment as follows.
In the first embodiment, the reticle R need not be provided with the pellicle P as shown in FIG. On the other hand, in each of the second to fourth embodiments, the reticle R may be provided with a pellicle P for protecting the pattern.

・各実施形態において、移動ステージ２２，３１は、Ｙ方向、Ｘ方向及びＺ方向のうち少なくとも一方向への移動可能な構成であれば、任意の構成であってもよい。
・各実施形態において、レチクルステージ１５は、保持するレチクルＲの被照射面Ｒａが下方以外の任意の方向を指向するように構成されてもよい。例えば、レチクルステージ１５は、被照射面Ｒａが上方を指向するようにレチクルＲを保持する構成であってもよい。 In each embodiment, the moving stages 22 and 31 may have any configuration as long as the moving stages 22 and 31 can move in at least one of the Y direction, the X direction, and the Z direction.
-In each embodiment, the reticle stage 15 may be comprised so that the to-be-irradiated surface Ra of the reticle R to hold | maintain may point in arbitrary directions other than the downward direction. For example, the reticle stage 15 may be configured to hold the reticle R so that the irradiated surface Ra is directed upward.

・各実施形態において、供給装置３２が供給する気体は、レチクルＲから吸熱可能であれば、空気や酸素などの任意の気体であってもよい。ただし、気体は、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ラドン、ネオン、キセノンなどの不活性ガスであることが望ましい。 In each embodiment, the gas supplied by the supply device 32 may be any gas such as air or oxygen as long as heat can be absorbed from the reticle R. However, the gas is preferably an inert gas such as helium, argon, krypton, radon, neon, or xenon.

・各実施形態において、供給装置３２が供給する気体は、レチクルＲから吸熱できる程度の温度であれば、常温以上の温度であってもよい。このように構成しても、真空雰囲気に設定されるチャンバ１２内に供給されることにより、その温度が急激に低下するため、レチクルＲを良好に冷却できる。 In each embodiment, the gas supplied by the supply device 32 may be a temperature equal to or higher than normal temperature as long as the gas can absorb heat from the reticle R. Even in such a configuration, the reticle R can be satisfactorily cooled because the temperature is rapidly lowered by being supplied into the chamber 12 set in a vacuum atmosphere.

・各実施形態において、静電チャック２１は、凹凸形状をなすものではなく、略平面にてレチクルＲを保持する構成であってもよい。
・第１及び第２の各実施形態において、レチクルＲを保持するための保持部は、レチクルＲを保持する構成であれば、該レチクルＲを吸着する構成を設けなくてもよい。この場合、保持部の保持面には、各供給口４１から供給される気体の押圧力でもってレチクルＲが保持されることになる。 In each embodiment, the electrostatic chuck 21 does not have an uneven shape, and may be configured to hold the reticle R on a substantially flat surface.
In each of the first and second embodiments, if the holding unit for holding the reticle R is configured to hold the reticle R, a configuration for adsorbing the reticle R may not be provided. In this case, the reticle R is held on the holding surface of the holding portion by the pressing force of the gas supplied from each supply port 41.

・各実施形態において、供給口４１，４１Ａ，４１Ｂから供給された気体をチャンバ１２外に排気するための各排気部は、長孔状をなす一つの排気口から構成されるものではなく、複数の排気口から構成されたものであってもよい。 -In each embodiment, each exhaust part for exhausting the gas supplied from supply port 41, 41A, 41B out of the chamber 12 does not consist of one long exhaust hole, The exhaust port may be configured.

同様に、気体を供給するための各供給部は、長孔状をなす一つの供給口から構成されるものではなく、複数の供給口から構成されるものであってもよい。
・第１の実施形態において、排気口４２は、供給口４１から供給された気体がレチクルＲのうちパターンが形成された部分に流入することを抑制できる構成であれば、任意の形状であってもよい。例えば、排気口４２は、略「Ｃ」字状をなすものであってもよい。 Similarly, each supply part for supplying gas is not constituted by a single supply port having a long hole shape, but may be constituted by a plurality of supply ports.
-In 1st Embodiment, if the exhaust port 42 is a structure which can suppress that the gas supplied from the supply port 41 flows in into the part in which the pattern was formed among the reticle R, it will be arbitrary shapes. Also good. For example, the exhaust port 42 may have a substantially “C” shape.

・第１の実施形態において、静電チャック２１は、各連結部材５０，５１を備えた構成であってもよい。この場合、各連結部材５０，５１の第３相対面５２及び第４相対面には、気体を供給するための供給口を設けてもよい。このように構成した場合には、各連結部材５０，５１の相対面５２には、供給口を包囲するように構成された排気部を設けることが望ましい。また、静電チャック２１に各連結部材５０，５１を設けた場合には、レチクルＲの反対面に向けて気体を供給可能な供給口を、供給口４１とは別に設けてもよい。 In the first embodiment, the electrostatic chuck 21 may be configured to include the connecting members 50 and 51. In this case, you may provide the supply port for supplying gas in the 3rd relative surface 52 and the 4th relative surface of each connection member 50,51. When configured in this way, it is desirable to provide an exhaust portion configured to surround the supply port on the relative surface 52 of each of the connecting members 50 and 51. When the connecting members 50 and 51 are provided in the electrostatic chuck 21, a supply port that can supply gas toward the opposite surface of the reticle R may be provided separately from the supply port 41.

・第２の実施形態において、排気口４２Ａは、供給口４１よりも露光光ＥＬの光路から離間した位置に配置してもよい。このように構成しても、供給口４１から供給された気体は、排気装置３３の駆動に基づき排気口４２Ａ側に流動することになるため、気体が露光光ＥＬの光路内に流入することはほとんどない。 In the second embodiment, the exhaust port 42 A may be disposed at a position farther from the optical path of the exposure light EL than the supply port 41. Even in this configuration, the gas supplied from the supply port 41 flows to the exhaust port 42A side based on the driving of the exhaust device 33, so that the gas does not flow into the optical path of the exposure light EL. rare.

・第２の実施形態において、排気口５３は、各第２相対面３７ａの排気口４２Ａに連通しない構成であってもよい。すなわち、排気口５３及び各第２相対面３７ａの排気口４２Ａは、各々独立した構成であってもよい。この場合、連結部材５０には、排気口５３から気体をチャンバ１２外に排気させるための流路を設けることが望ましい。 In the second embodiment, the exhaust port 53 may be configured not to communicate with the exhaust port 42A of each second relative surface 37a. That is, the exhaust port 53 and the exhaust port 42A of each second relative surface 37a may have independent structures. In this case, the connecting member 50 is desirably provided with a flow path for exhausting gas from the exhaust port 53 to the outside of the chamber 12.

・各実施形態において、レチクルステージ１５は、レチクルＲに向けて気体を供給するための供給部を２つ以外の任意数（例えば１つや４つ）設けた構成であってもよい。
・第２〜第４の各実施形態において、各連結部材５０，５１には、気体を供給するための供給口を設けてもよい。ただし、各連結部材５０，５１の供給口を、排気口５３，５５よりも露光光ＥＬの光路から離間した位置に配置することが望ましい。 In each embodiment, the reticle stage 15 may have a configuration in which an arbitrary number (for example, one or four) other than two supply units for supplying gas toward the reticle R is provided.
In each of the second to fourth embodiments, each connecting member 50, 51 may be provided with a supply port for supplying gas. However, it is desirable to arrange the supply ports of the connecting members 50 and 51 at positions farther from the optical path of the exposure light EL than the exhaust ports 53 and 55.

・第２の実施形態において、各ホルダ部３５は、それぞれの延設部３６に第３の実施形態で示した供給口４１Ａをさらに設けた構成であってもよい。また、静電チャック２１には、第４の実施形態で示した供給口４１Ｂをさらに設けた構成であってもよい。 -In 2nd Embodiment, each holder part 35 may be the structure which further provided the supply port 41A shown in 3rd Embodiment in each extension part 36. FIG. Further, the electrostatic chuck 21 may be provided with the supply port 41B shown in the fourth embodiment.

同様に、第３の実施形態において、静電チャック２１には、第４の実施形態で示した供給口４１Ｂをさらに設けた構成であってもよい。
・第２〜第４の各実施形態おいて、各ホルダ部３５の供給口４１，４１Ａ，４１Ｂから供給される気体を排気口４２Ａによって、例えば露光光ＥＬの光路内に該気体が流入しない程度に十分に排気することが可能であれば、第１連結部材５０と第２連結部材５１はなくてもよい。その場合、各ホルダ部３５の排気口４２Ａは互いに連通せずに各々独立した構成とすればよい。 Similarly, in the third embodiment, the electrostatic chuck 21 may be further provided with the supply port 41B shown in the fourth embodiment.
In the second to fourth embodiments, the gas supplied from the supply ports 41, 41 A, 41 B of each holder portion 35 is not flown into the optical path of the exposure light EL, for example, by the exhaust port 42 A. The first connecting member 50 and the second connecting member 51 may be omitted as long as the exhaust can be sufficiently exhausted. In that case, the exhaust ports 42A of the holder portions 35 may be configured independently of each other without communicating with each other.

・各実施形態では、本願発明を、レチクルＲを保持するためのレチクルステージ１５に具体化したが、ウエハＷを保持するためのウエハステージ１７に具体化してもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。 In each embodiment, the present invention is embodied in the reticle stage 15 for holding the reticle R, but may be embodied in the wafer stage 17 for holding the wafer W.
In each embodiment, the exposure apparatus 11 manufactures a reticle or mask used in not only a microdevice such as a semiconductor element but also a light exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, and an electron beam exposure apparatus. Therefore, an exposure apparatus that transfers a circuit pattern from a mother reticle to a glass substrate or a silicon wafer may be used. The exposure apparatus 11 is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) and the like, and is used for manufacturing an exposure apparatus that transfers a device pattern onto a glass plate, a thin film magnetic head, and the like. It may be an exposure apparatus that transfers to a wafer or the like, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.

・各実施形態の露光装置１１は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。 In the exposure apparatus 11 of each embodiment, the mask pattern is transferred to the substrate with the mask and the substrate relatively moved, and the scanning stepper that sequentially moves the substrate stepwise, and the mask and the substrate are stationary. The present invention can be applied to any step-and-repeat stepper that transfers a mask pattern onto a substrate and sequentially moves the substrate stepwise.

・各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な露光光源１３として、放電型プラズマ光源を用いてもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、ＥＢ（Electron Beam ）を露光光ＥＬとして用いる露光装置であってもよい。 In each embodiment, a discharge-type plasma light source may be used as the exposure light source 13 that can output EUV light.
In each embodiment, the exposure apparatus 11 may be an exposure apparatus that uses EB (Electron Beam) as the exposure light EL.

・各実施形態において、露光光源１３は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（１２６ｎｍ）等を射出可能な光源であってもよい。また、露光光源１３は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を射出可能な光源であってもよい。この場合、露光装置１１全体を、真空雰囲気に設定されたチャンバ１２内に設置しなくてもよい。さらに、非真空雰囲気にレチクルステージ１５が設置される場合、レチクルステージ１５には、静電チャック２１の代わりに、真空チャックを設けてもよい。また、非真空雰囲気にレチクルステージ１５が設置される場合、排気口４２，４２Ａ，５３，５５は、供給口４１，４１Ａ，４１Ｂから供給された気体の全てを排気可能なものでなくてもよく、露光光ＥＬの光路内に気体の一部が流入してもよい。 In each embodiment, the exposure light source 13 is, for example, g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), F ₂ laser (157 nm), Kr ₂ laser (146 nm), Ar ₂ laser (126 nm) ) Etc. may be emitted. The exposure light source 13 amplifies infrared or visible single wavelength laser light oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser, for example, with a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and ytterbium). Alternatively, a light source capable of emitting harmonics converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used. In this case, the entire exposure apparatus 11 may not be installed in the chamber 12 set in a vacuum atmosphere. Further, when the reticle stage 15 is installed in a non-vacuum atmosphere, the reticle stage 15 may be provided with a vacuum chuck instead of the electrostatic chuck 21. Further, when the reticle stage 15 is installed in a non-vacuum atmosphere, the exhaust ports 42, 42A, 53, 55 may not be able to exhaust all of the gas supplied from the supply ports 41, 41A, 41B. A part of the gas may flow into the optical path of the exposure light EL.

次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１１は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。 Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the exposure apparatus 11 of the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 11 is a flowchart illustrating a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, or the like).

まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。 First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S104 (substrate processing step), using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, an actual circuit or the like is formed on the substrate by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図１２は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。 When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member in a portion other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.

第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to a first embodiment. 第１の実施形態のレチクルステージに設けた静電チャックの概略側断面図。FIG. 3 is a schematic sectional side view of an electrostatic chuck provided on the reticle stage according to the first embodiment. 図２における３−３線矢視断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. 2. 図２の一部拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2. 第２の実施形態のレチクルステージに設けた静電チャックの概略側断面図。FIG. 5 is a schematic side sectional view of an electrostatic chuck provided on a reticle stage according to a second embodiment. 図５における６−６線矢視断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line 6-6 in FIG. 図５の一部拡大図。FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG. 5. 第３の実施形態のレチクルステージに設けた静電チャックの一部を示す概略側断面図。FIG. 10 is a schematic sectional side view showing a part of an electrostatic chuck provided on a reticle stage according to a third embodiment. 第４の実施形態のレチクルステージに設けた静電チャックの一部を示す概略側断面図。FIG. 10 is a schematic sectional side view showing a part of an electrostatic chuck provided on a reticle stage according to a fourth embodiment. 別の実施形態の静電チャックを示す概略側断面図。The schematic sectional side view which shows the electrostatic chuck of another embodiment. デバイスの製造例のフローチャート。The flowchart of the manufacture example of a device. 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。The detailed flowchart regarding the board | substrate process in the case of a semiconductor device.

Explanation of symbols

１１…露光装置、１４…照明光学系、１５…保持装置としてのレチクルステージ、１６…投影光学系、１７…保持装置としてのウエハステージ、２１，３０…保持部としての静電チャック、２１ａ…保持面、マスク面としての吸着面、２２，３１…移動ステージ、３０ａ…保持面、基板面としての吸着面、３５…冷却機構としてのホルダ部、３６…支持部としての延設部、３６ａ…交差面としての第１相対面、３７…空間形成部としての突出部、３７ａ，５２…相対面、３８…クリアランス、４１，４１Ａ，４１Ｂ…冷却機構、供給部としての供給口、４２，４２Ａ，５３，５５…冷却機構、排気部としての排気口、５０，５１…冷却機構、空間形成部としての連結部材、ＥＬ…露光光、Ｒ…被照射物体、反射型マスクとしてのレチクル、Ｒａ…被照射面、Ｗ…被照射物体、基板としてのウエハ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Exposure apparatus, 14 ... Illumination optical system, 15 ... Reticle stage as a holding device, 16 ... Projection optical system, 17 ... Wafer stage as a holding device, 21, 30 ... Electrostatic chuck as a holding part, 21a ... Holding Surface, suction surface as mask surface, 22, 31 ... moving stage, 30a ... holding surface, suction surface as substrate surface, 35 ... holder portion as cooling mechanism, 36 ... extended portion as support portion, 36a ... crossing First relative surface as a surface, 37... Projection as a space forming portion, 37 a, 52... Relative surface, 38... Clearance, 41, 41 A, 41 B. Cooling mechanism, Supply port as a supply portion, 42, 42 A, 53 , 55 ... Cooling mechanism, exhaust port as exhaust part, 50, 51 ... Cooling mechanism, connecting member as space forming part, EL ... Exposure light, R ... Object to be irradiated, Reticle reticle as reflection mask, R ... illuminated surface, W ... irradiation target object, a wafer as a substrate.

Claims

A holding device for holding an irradiated object having an irradiated area irradiated with light,
A holding unit having a holding surface for holding the irradiated object;
A cooling mechanism for cooling the irradiated object,
The cooling mechanism includes a space forming portion including a relative surface facing the holding surface so as to form a predetermined clearance with the holding surface, a supply portion for supplying gas into the clearance, and the space forming And an exhaust part that is formed in the part and exhausts the gas in the clearance.

The cooling mechanism further includes a support part for supporting the space forming part on the holding part,
The holding device according to claim 1, wherein the support portion includes an intersecting surface that is opposed to the irradiated object accommodated in the clearance and intersects the relative surface.

The holding device according to claim 2, wherein at least a part of the exhaust portion is disposed at an end portion of the space forming portion in a direction away from a connection portion between the space forming portion and the support portion.

The holding device according to claim 2, wherein the supply unit is disposed closer to the support unit than the exhaust unit in the space forming unit.

The holding device according to claim 2, wherein the supply unit is disposed on the support unit.

The holding device according to any one of claims 1 to 3, wherein the supply unit is disposed in the holding unit.

The holding device according to claim 1, wherein the supply unit is disposed in the space forming unit.

The holding device according to claim 7, wherein the exhaust unit is disposed so as to surround the supply unit.

The holding according to any one of claims 1 to 8, wherein the space forming portion is disposed outside the optical path of the light and at a position where the holding surface and the relative surface are substantially parallel to each other. apparatus.

The said space formation part is arrange | positioned in a part of area | region corresponded in the outer peripheral area | region of the said irradiated area of the said irradiated object accommodated in the said clearance. The holding device as described.

A holding device for holding an irradiated object having an irradiated area irradiated with light,
A holding unit having a holding surface for holding the irradiated object;
A supply unit that supplies gas toward a predetermined region different from the irradiated region among the irradiated object held by the holding unit;
An exhaust part for exhausting the gas supplied from the supply part;
Holding device.

The holding device according to claim 11, wherein the exhaust unit is disposed outside the optical path of the light, and at least a part of the exhaust unit is disposed closer to the optical path of the light than the supply unit.

The holding device according to claim 12, wherein the exhaust unit is formed so as to surround the supply unit.

The holding device according to claim 11 or 12, wherein the exhaust portion is formed so as to surround an optical path of the light.

The holding device according to claim 11, wherein the supply unit supplies the gas in a direction substantially parallel to the holding surface with respect to the predetermined region.

The holding device according to claim 11, wherein the supply unit supplies the gas in a direction substantially perpendicular to the holding surface with respect to the predetermined region.

The holding device according to any one of claims 1 to 16, wherein the holding unit includes an electrostatic chuck that electrostatically attracts the irradiated object.

The holding device according to any one of claims 1 to 17, wherein the temperature of the gas is lower than normal temperature.

The holding device according to any one of claims 1 to 18, wherein the gas is an inert gas.

The holding device according to any one of claims 1 to 19, wherein the holding unit holds the irradiated object such that the irradiated region is directed downward.

At least one of a first direction on the holding surface of the holding portion, a second direction substantially orthogonal to the first direction on the holding surface, and a third direction that is a normal direction of the holding surface. Further equipped with a movable stage,
The holding device according to any one of claims 1 to 20, wherein the holding unit moves based on movement of the moving stage.

The holding device according to any one of claims 1 to 21, wherein the irradiated object is a reflective mask in which a predetermined mask pattern is formed in the irradiated region.

The holding device according to any one of claims 1 to 21, wherein the irradiated object is a substrate in which a photosensitive material is applied to the irradiated region.

An illumination optical system that illuminates a mask surface on which the mask is arranged with light emitted from a light source;
The holding device according to any one of claims 1 to 23;
An exposure apparatus comprising: a projection optical system that projects the light through the mask surface onto a substrate surface on which a substrate coated with a photosensitive material is disposed.

The exposure apparatus according to claim 24, wherein the light is EUV light.

In a device manufacturing method including a lithography process,
26. A device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 24 or 25 in the lithography process.