JP2014035349A - Exposure device, method for manufacturing flat panel display, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、パターン保持体をエネルギビームに対して走査方向に相対移動させる露光装置、前記露光装置を用いたフラットパネルディスプレイの製造方法、及び前記露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, a flat panel display manufacturing method, and a device manufacturing method, and more specifically, an exposure apparatus that moves a pattern holder relative to an energy beam in a scanning direction, and a flat using the exposure apparatus. The present invention relates to a panel display manufacturing method and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク(フォトマスク)又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)と、ガラスプレート又はウエハ(以下、「基板」と総称する)とを所定の走査方向(スキャン方向)に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンをエネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。 Conventionally, in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as liquid crystal display elements, semiconductor elements (integrated circuits, etc.), a mask (photomask) or reticle (hereinafter collectively referred to as “mask”), a glass plate or A step-and-step of transferring a pattern formed on a mask onto a substrate using an energy beam while synchronously moving a wafer (hereinafter collectively referred to as a “substrate”) along a predetermined scanning direction (scanning direction). A scanning exposure apparatus (a so-called scanning stepper (also called a scanner)) or the like is used.
この種の露光装置では、マスクの端部を吸着保持する枠状の部材(マスクホルダなどと称される)の位置制御を行うことにより、マスクの位置制御を行うマスクステージ装置が用いられていた(例えば、特許文献1参照)。 In this type of exposure apparatus, a mask stage apparatus that controls the position of the mask by controlling the position of a frame-like member (called a mask holder or the like) that holds the edge of the mask by suction has been used. (For example, refer to Patent Document 1).
ここで、近年の基板の大型化に伴い、マスクも大型化する傾向にある。これにより、マスクの自重に起因する撓み(あるいは振動)が露光精度に影響を与える可能性があった。 Here, with the recent increase in size of the substrate, the mask tends to increase in size. As a result, the deflection (or vibration) due to the weight of the mask may affect the exposure accuracy.
本発明は、上述の事情の下でなされたもので、第1の観点からすると、所定のパターンを有するパターン保持体と露光対象物体とを所定の2次元平面内の走査方向に相対移動させつつ、エネルギビームを用いて前記パターンを前記露光対象物体に転写する露光装置であって、前記相対移動時に前記パターン保持体の一面に対向可能な対向面部を有し、該対向面部を用いて前記パターン保持体を非接触支持するとともに、前記対向面部に前記エネルギビームを通過させる開口部が形成された支持部材と、前記パターン保持体を保持する保持部材を含み、前記保持部材を駆動して前記エネルギビームに対して少なくとも前記走査方向に前記パターン保持体を駆動する駆動系と、を備える露光装置である。 The present invention has been made under the above circumstances. From the first viewpoint, the pattern holding body having a predetermined pattern and the exposure target object are relatively moved in the scanning direction within a predetermined two-dimensional plane. An exposure apparatus for transferring the pattern to the object to be exposed using an energy beam, the exposure apparatus having an opposing surface portion that can face one surface of the pattern holder during the relative movement, and using the opposing surface portion, the pattern A holding member that supports the holding member in a non-contact manner and has an opening that allows the energy beam to pass through the opposing surface portion; and a holding member that holds the pattern holding member. An exposure apparatus comprising: a drive system that drives the pattern holder in at least the scanning direction with respect to the beam.
これによれば、パターン保持体は、駆動系により駆動されてエネルギビームに対して相対移動する際、その一面が支持部材に非接触支持されるので、撓み(あるいは振動)が抑制される。 According to this, when the pattern holder is driven by the drive system and moves relative to the energy beam, one surface thereof is supported in a non-contact manner by the support member, so that bending (or vibration) is suppressed.
本発明は、第2の観点からすると、本発明の第1の観点に係る露光装置を用いて前記露光対象物体を露光することと、露光された前記露光対象物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法である。 From a second aspect, the present invention includes exposing the object to be exposed using the exposure apparatus according to the first aspect of the present invention, and developing the exposed object to be exposed. It is a manufacturing method of a flat panel display.
本発明は、第3の観点からすると、本発明の第1の観点に係る露光装置を用いて前記露光対象物体を露光することと、露光された前記露光対象物体を現像することと、を含むデバイス製造方法である。 From a third aspect, the present invention includes exposing the exposure target object using the exposure apparatus according to the first aspect of the present invention, and developing the exposed exposure target object. It is a device manufacturing method.
《第1の実施形態》
以下、第1の実施形態について、図1〜図9(B)に基づいて説明する。
<< First Embodiment >>
The first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 9B.
図1には、第1の実施形態に係る液晶露光装置10の構成が概略的に示されている。液晶露光装置10は、例えば液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる矩形(角型)のガラス基板P(以下、単に基板Pと称する)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
FIG. 1 schematically shows the configuration of a liquid
液晶露光装置10は、照明系12、光透過型のマスクMを保持するマスクステージ装置14、投影光学系16、装置本体18、表面(図1で+Z側を向いた面)にレジスト(感応剤)が塗布された基板Pを保持する基板ステージ装置20、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクMと基板Pとが投影光学系16に対してそれぞれ相対走査される方向をX軸方向とし、水平面内でX軸に直交する方向をY軸方向、X軸及びY軸に直交する方向をZ軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。また、X軸、Y軸、及びZ軸方向に関する位置をそれぞれX位置、Y位置、及びZ位置として説明を行う。
The liquid
照明系12は、例えば米国特許第5,729,331号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。照明系12は、図示しない光源(例えば、水銀ランプ)から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッター、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光(照明光)ILとしてマスクMに照射する。照明光ILとしては、例えばi線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)などの光(あるいは、上記i線、g線、h線の合成光)が用いられる。
The
照明系12(上記各種レンズなどを含む照明系ユニット)は、クリーンルームの床11上に設置された照明系フレーム30に支持されている。照明系フレーム30は、複数の脚部32(図1では紙面奥行き方向に重なっている)、及び該複数の脚部32に支持された照明系支持部34を有している。
The illumination system 12 (an illumination system unit including the various lenses described above) is supported by an
マスクステージ装置14は、マスクMを照明系12(照明光IL)に対してX軸方向(スキャン方向)に所定の長ストロークで駆動するとともに、Y軸方向、及びθz方向に微少駆動するための要素である。マスクMは、例えば石英ガラスにより形成された平面視矩形の板状部材から成り、図1における−Z側を向いた面(下面部)に所定の回路パターン(マスクパターン)が形成されている。マスクステージ装置14の詳細な構成については、後述する。
The
投影光学系16は、マスクステージ装置14の下方に配置されている。投影光学系16は、例えば米国特許第6,552,775号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ投影光学系であり、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成する複数の投影光学系を備えている。
The projection
液晶露光装置10では、照明系12からの照明光ILによってマスクM上の照明領域が照明されると、マスクMを通過した照明光により、投影光学系16を介してその照明領域内のマスクMの回路パターンの投影像(部分正立像)が、基板P上の照明領域に共役な照明光の照射領域(露光領域)に形成される。そして、照明領域(照明光IL)に対してマスクMが走査方向に相対移動するとともに、露光領域(照明光IL)に対して基板Pが走査方向に相対移動することで、基板P上の1つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクMに形成されたパターンが転写される。
In the liquid
装置本体18は、上記投影光学系16を支持しており、複数の防振装置19を介して床11上に設置されている。装置本体18は、例えば米国特許出願公開第2008/0030702号明細書に開示される装置本体と同様に構成されており、上架台部18a、下架台部18b、及び一対の中架台部18cを有している。装置本体18は、上記照明系フレーム30とは、振動的に分離して配置されている。したがって、投影光学系16と照明系12とが振動的に分離される。
The apparatus
基板ステージ装置20は、ベース22、XY粗動ステージ24、及び微動ステージ26を含む。ベース22は、平面視(+Z側から見て)矩形の板状の部材から成り、下架台部18b上に一体的に載置されている。XY粗動ステージ24は、例えばX軸方向に所定の長ストロークで移動可能なX粗動ステージと、Y軸方向に所定の長ストロークで移動可能なY粗動ステージとを組み合わせた、いわゆるガントリタイプの2軸ステージ装置(X、Y粗動ステージは図示省略)である。
The
微動ステージ26は、平面視矩形の板状(あるいは箱形)の部材から成り、基板Pの下面を吸着保持する基板ホルダを含む。微動ステージ26は、例えば米国特許出願公開第2010/0018950号明細書に開示されるような重量キャンセル装置(図1では不図示)を介してベース22上に載置されている。微動ステージ26は、上記XY粗動ステージ24に案内(誘導)されることにより、投影光学系16(照明光IL)に対してX軸方向、及び/又はY軸方向に所定の長ストロークで移動する。微動ステージ26のXY平面内の位置情報(θz方向の回転量情報を含む)は、微動ステージ26に固定されたバーミラー27を用いて装置本体18に固定されたレーザ干渉計28により求められ、該レーザ干渉計28の出力に基づいて基板PのXY平面内の位置制御が行われる。なお、上記マスクステージ装置14に保持されたマスクMに同期するように基板Pを少なくともX軸(走査)方向に所定の長ストロークで駆動することができれば、基板ステージ装置20の構成は、特に限定されない。
次にマスクステージ装置14の構成について説明する。図2に示されるように、マスクステージ装置14は、エア浮上ユニット40、一対のベース板50、マスク保持装置60A、60B、一対の位置決め基準部材80、及びマスク吸着装置82を有している。なお、本実施形態では、図2(及び図5(A)、並びに図7(A)〜図9(B))に示されるように、マスクMには、例えば4つのマスクパターン(図では理解を容易にするために符号Pが付されているが、実際のマスクパターンとは関係ない)が形成されている場合を説明するが、1枚のマスクMに形成されるマスクパターンの数、及び配置は、これに限られず適宜変更が可能である。また、本実施形態において、マスクMには、X軸方向の両端部それぞれに一対のマスクハンドMHが一体的に固定されている。マスクハンドMHは、XZ断面逆L字状の部材から成り、マスクMのマスクステージ装置14へのローディング、アンローディング時に用いられる。
Next, the configuration of the
エア浮上ユニット40は、X軸方向を長手方向とする平面視矩形の板状の部材から成り、図1に示されるように、上架台部18a上に載置されている。マスクMは、そのパターン面(下面)がエア浮上ユニット40の上面に対向するように配置される。エア浮上ユニット40の長手方向の寸法は、マスクMの長手方向(X軸方向)の寸法よりも長く(本実施形態では、例えば2〜3倍程度に)設定されており、露光動作時において、マスクMの下面は、常にエア浮上ユニット40の上面に対向する。
The
エア浮上ユニット40の上面には、ほぼ全面にわたって複数の微少な孔部が形成されている。エア浮上ユニット40には、マスクステージ装置14の外部に設置された不図示の加圧気体供給装置が接続されている。エア浮上ユニット40は、上記複数の孔部から加圧気体(例えば空気)をマスクMの下面に対して噴出し、該加圧気体の静圧により、マスクMを微少なクリアランス(例えば、5〜10μm)を介して非接触支持(浮上支持)することができるようになっている。すなわち、エア浮上ユニット40は、エアベアリングとして機能する。なお、エア浮上ユニット40は、常に全面から加圧気体を噴出しても良いし、マスクMの下面に対向する領域のみから部分的に加圧気体を噴出するようにしても良い。
On the upper surface of the
エア浮上ユニット40の中央部であって、投影光学系16の直下の位置には、図2に示されるように、Y軸方向を長手方向とする平面視矩形の開口部42が形成されている。開口部42は、エア浮上ユニット40の上面側及び下面側それぞれに開口している。開口部42には、投影光学系16の一部が挿入されており、照明系12から出射した照明光IL(それぞれ図1参照)は、開口部42を通過して投影光学系16に入射する。なお、開口部42の形状は、特に限定されず、例えば投影光学系の入射部の形状に応じて適宜変更が可能である(例えば円形であっても良い)。
As shown in FIG. 2, an
一対のベース板50は、XY平面に平行に配置されたX軸方向に延びる板状の部材から成り、一方がエア浮上ユニット40の+Y側、他方がエア浮上ユニット40の−Y側に、それぞれエア浮上ユニット40に対して微少なクリアランスを介して配置されている。一対のベース板50それぞれは、図1に示されるように、照明系フレーム30が有する複数の脚部32に固定されたマスクステージ支持部材36に支持されており、装置本体18、及び基板ステージ装置20に対して相互に振動的に分離されている。なお、本実施形態において、一対のベース板50は、照明系フレーム30に支持されているが、装置本体18、及び基板ステージ装置20に対して相互に振動的に分離した状態で床11上に設置された別の架台上に搭載されていても良い。
The pair of
ベース板50の上面には、図2に示されるように、複数(本実施形態では、例えば2本)のXリニアガイド52aがY軸方向に所定間隔で固定されている。
As shown in FIG. 2, a plurality (for example, two in this embodiment) of X linear guides 52 a are fixed to the upper surface of the
マスク保持装置60Aは、図3に示されるように、マスクフォロアステージ部61A、及びマスク保持部61Bを有している。マスクフォロアステージ部61Aは、Xテーブル62、複数のXスライド部材52b、固定子部64A1、クランプ部68b、及び取付部材68cを備えている。マスク保持部61Bは、吸着保持部66、円柱部材68a、可動子部64A2、及びX移動鏡70を備えている。
As shown in FIG. 3, the
Xテーブル62は、XY平面に平行に配置された平面視矩形の板状の部材から成り、一方(+Y側)のベース板50上に載置されている。Xテーブル62の下面には、複数(1本のXリニアガイド52aに対して、例えば2つ(図2参照))のXスライド部材52bが固定されている。Xスライド部材52bは、YZ断面逆U字状に形成され、対応するXリニアガイド52aと共に、例えば米国特許第6,761,482号明細書に開示されるような、機械的なXリニアガイド装置52を構成している。Xテーブル62は、不図示のXリニアアクチュエータを含むXテーブル駆動系を介して、ベース板50上をX軸方向に直進駆動される。Xアクチュエータの種類は、特に限定されず、例えばベース板50に固定された固定子とXテーブル62に固定された可動子とを含むリニアモータ、ベース板50に固定されたネジ部とXテーブル62に固定されたナット部とを含む送りネジ装置、ベルト(あるいはロープなど)駆動装置などを用いることができる。
The X table 62 is composed of a plate-like member having a rectangular shape in plan view arranged in parallel to the XY plane, and is placed on one (+ Y side)
吸着保持部66は、直方体状の部分である本体部66aと、マスクMを吸着保持する部分である吸着パッド66bとを有している。本体部66aは、Xテーブル62の−Y側(マスクM側)であって、エア浮上ユニット40の上方に配置されている。本体部66aは、エア浮上ユニット40から噴出される加圧気体の静圧により、エア浮上ユニット40の上面に対して微少のクリアランスを介して浮上している。吸着パッド66bは、本体部66aの−Y側の面部の上端部近傍から突き出して形成されている。吸着パッド66bは、XY平面に平行な板状に形成され、下面部がマスクMの上面に対向する。吸着パッド66bの下面部には、不図示の孔部が形成されている。吸着パッド66bには、マスクステージ装置14の外部に配置されたバキューム装置が接続されており、上記孔部を介してマスクMの+Y側の端部近傍(マスクパターンが形成されていない領域)を吸着保持可能となっている。
The
Xテーブル62の上面に固定された固定子部64A1と、吸着保持部66の本体部66aの+Y側の面部に固定された可動子部64A2とにより、ボイスコイルモータ64Aが構成されている。固定子部64A1は、YZ断面U字状に形成され、一対の対向面間に可動子部64A2が挿入されている。固定子部64A1は、例えば一対の対向面に磁石ユニット(あるいはコイルユニット)を有し、可動子部64A2は、例えばコイルユニットを(あるいは磁石ユニット)有している。コイルユニットに供給される電流の向き及び大きさは、不図示の主制御装置により制御される。マスク保持装置60Aは、上記磁石ユニットとコイルユニットとの間に作用するX軸方向のローレンツ力により、マスク保持部61Bをマスクフォロアステージ部61Aに対してX軸方向に微少ストロークで駆動することができるようになっている。また、マスク保持装置60Aは、上記ローレンツ力を用いて、マスクフォロアステージ部61Aと一体的にX軸方向に移動するように、マスク保持部61Bを駆動(誘導)することができるようになっている。この際、固定子部64A1が、Xテーブル62に固定されていることから、ボイスコイルモータ64Aの駆動反力は、装置本体18(図1参照)に伝達されない。
The
また、吸着保持部66の上面から突き出して形成された円柱部材68aと、固定子部64A1に取付部材68cを介して固定されたクランプ部68bとにより、マスクフォロアステージ部61Aとマスク保持部61BとのX軸方向に関する相対移動を制限するためクランプ装置68が構成されている。クランプ部68bは、図4(A)に示されるように、平面視U字状に形成され、一対の対向面間に円柱部材68aが挿入されている。クランプ部68bは、平面視L字状に形成された固定部68b1と、該固定部68b1の一端部近傍に接続された可動部68b2とを備えている。固定部68b1は、取付部材68cを介して固定子部64A1に固定されている。クランプ部68bでは、可動部68b2が固定部68b1に対してX軸方向に移動することにより、クランプ部68bの一対の対向面間の間隔が変化するようになっている。可動部68b2を駆動するための不図示のアクチュエータは、例えば固定部68b1に内蔵されている。
Further, a
マスク保持装置60Aでは、図4(B)に示されるように、クランプ部68bの一対の対向面間の間隔が狭くされ、円柱部材68aとクランプ部68bが当接した状態(以下、拘束状態と称する)では、マスクフォロアステージ部61Aとマスク保持部61BとのX軸方向に関する相対移動が制限され、上記ボイスコイルモータ64Aを用いることなく、マスクフォロアステージ部61Aとマスク保持部61Bとを一体的にX軸方向に移動させることができる。
In the
これに対し、図4(A)に示されるように、クランプ部68bの一対の対向面と円柱部材68aとの間にクリアランスが形成された状態(以下、非拘束状態と称する)では、マスクフォロアステージ部61Aとマスク保持部61BとのX軸方向に関する相対移動が許容され、マスクフォロアステージ部61Aに対してマスク保持部61BをX軸方向に微少駆動することができる。これにより、マスクステージ装置14では、マスク保持部61BのX位置の高精度の位置決め(位置制御)が可能となる。なお、クランプ装置68は、円柱部材68aとクランプ部68bとの間隔を計測するギャップセンサ(不図示)を備えており、このギャップセンサの出力に基づいて、上記非拘束状態が維持されるように(円柱部材68aとクランプ部68bとの間隔が所定間隔を保つように)マスクフォロアステージ部61AのX位置が制御される。また、クランプ装置68は、仮にマスクMの姿勢が想定以上に変化した場合であっても、マスクMが破損しないようにするためのストッパとしても機能する。
On the other hand, as shown in FIG. 4A, in a state where a clearance is formed between the pair of opposing surfaces of the
図3に戻り、マスク保持装置60Bの構成は、ボイスコイルモータ64Bの構成及び機能が異なる点を除き、マスク保持装置60Aと同じである(ただし、マスクMを挟んで対称(図1及び図3では紙面左右対称、図2では紙面上下対称)に配置されている)ので、共通の要素については同じ符号を付して説明を省略する。すなわち、マスク保持装置60は、マスクフォロアステージ部61A、及びマスク保持部61Bを有している(ボイスコイルモータ64Bを構成する固定子部64B1、可動子部64B2の構成がボイスコイルモータ64Aとは異なるが便宜上マスク保持装置60Aと同じ符号を用いる)。上記ボイスコイルモータ64AがX軸方向にのみローレンツ力を発生する1軸ボイスコイルモータであったのに対し、ボイスコイルモータ64Bは、X軸及びY軸方向に独立してローレンツ力を発生可能な2軸ボイスコイルモータであり、マスク保持装置60Bでは、マスク保持部61Bをマスクフォロアステージ部61Aに対してX軸及び/又はY軸方向に微少駆動することができる。なお、マスク保持装置60Bにおいて、XボイスコイルモータとYボイスコイルモータとをそれぞれ独立に(1軸ボイスコイルモータを2つ)設けても良い。また、マスク保持装置60A側のボイスコイルモータも2軸ボイスコイルモータとしても良い。
Returning to FIG. 3, the configuration of the
マスクステージ装置14は、例えば露光動作時など、マスクMのX位置を高精度で制御しつつ、該マスクMをX軸方向に所定の長ストロークで移動させる際には、クランプ装置68を非拘束状態(図4(A)参照)とした状態で、マスク保持装置60A、60Bそれぞれのマスクフォロアステージ部61AをXアクチュエータによりX軸方向に長ストロークで同期駆動するとともに、ボイスコイルモータ64A、64Bを用いてマスク保持装置60A、60Bそれぞれのマスク保持部61Bを、対応するマスクフォロアステージ部61Aと一体的にX軸方向に駆動する。この際、マスクステージ装置14は、ボイスコイルモータ64Bを用いてマスクMをY軸方向に微少駆動すること、及びボイスコイルモータ64A、64BのX軸方向の推力を異ならせることにより、マスクMをθz方向に微少駆動することができる。これに対し、例えばマスクステージ装置14の初期化時、あるいはマスクMの位置を高精度制御する必要がない際には、マスクステージ装置14は、クランプ装置68を拘束状態(図4(B)参照)とすることにより、ボイスコイルモータ64A、64Bを用いることなく、マスク保持装置60A、60Bそれぞれのマスクフォロアステージ部61AをXアクチュエータによりX軸方向に長ストロークで同期駆動してマスクMをX軸方向に所定の長ストロークで移動させる。
When the
マスクステージ装置14により駆動されるマスクMのXY平面内の位置情報(θz方向の回転量情報も含む)は、マスク干渉計システムと、ベースライン計測システムとを用いて求められる。マスク干渉計システムは、例えば装置本体18、あるいは照明系フレーム30(それぞれ図1参照)に固定された一対のX光干渉計(不図示)を備えている。また、上述したマスク保持装置60A、60Bそれぞれの吸着保持部66の−X側の側面部には、図2に示されるように、上記一対のX光干渉計に対応してX移動鏡70が固定されている。マスク干渉計システムでは、一対のX光干渉計から対応するX移動鏡70に測長ビームが照射される。また、一対のX光干渉計からは不図示の固定鏡に参照ビーム(不図示)が照射される。X光干渉計は、上記測長ビームのX移動鏡70からの反射光、及び参照ビームの固定鏡からの反射光それぞれを受光し、これらの光の干渉に基づいて、固定鏡の反射面のX位置を基準とするX移動鏡70の反射面のX位置(すなわちマスクMのX位置)情報を求める。また、マスク干渉計システムは、一対のX光干渉計の出力差に基づいて、マスクMのθz方向の回転量情報を求める。なお、Xテーブル62のX位置は、マスク干渉計システムと上記ギャップセンサ(不図示)との出力に基づいて制御される。
Position information in the XY plane of the mask M driven by the mask stage device 14 (including rotation amount information in the θz direction) is obtained using a mask interferometer system and a baseline measurement system. The mask interferometer system includes, for example, a pair of X light interferometers (not shown) fixed to the apparatus
ベースライン計測システムは、X軸方向に所定間隔(ただし、マスクMのX軸方向の寸法よりも短い間隔)で配置された複数の画像センサ72を備えている。画像センサ72は、例えばCCD(Charge Coupled Device)を有し、エア浮上ユニット40の上面(マスクMのガイド面)から上方に突き出さないように、エア浮上ユニット40、あるいは投影光学系16に固定されている。これに対し、マスクMの下面であってY軸方向に関する中央部には、図5(A)に示されるように、X軸方向に延びる微少幅の線(以下、ベースラインBLと称する)が形成されている。ベースラインBLは、ガラス基板にマスクパターンを形成する際、そのマスクパターンと同時に形成すると良い。ベースライン計測システムでは、図5(B)に示されるように、複数の画像センサ72のうちの少なくともひとつが、マスクMのX位置に関わらずマスクMの下面を常時撮影し、不図示の主制御装置に画像データを出力する。
The baseline measurement system includes a plurality of
図5(C)に示されるように、画像データに基づいて生成される画像には、X軸方向に延びる固定の中心線CLが形成されている。主制御装置は、上記中心線CLと、画像センサ72(図5(B)参照)により撮像されたマスクMの下面の画像に含まれるベースラインBLとのギャップGに基づいて、マスクMのY軸方向の変位量情報を求める。なお、複数の画像センサ72それぞれの中心線CLは、Y軸方向に関して一致していることが望ましい。また、マスクM上に形成されるベースラインBLの位置は、例えばマスクパターンの配置に応じて適宜変更可能であり、複数の画像センサ72の配置もベースラインの位置に応じて適宜変更可能することができる。
As shown in FIG. 5C, an image generated based on the image data has a fixed center line CL extending in the X-axis direction. The main control device determines the Y of the mask M based on the gap G between the center line CL and the base line BL included in the lower surface image of the mask M captured by the image sensor 72 (see FIG. 5B). Obtain axial displacement information. It is desirable that the center lines CL of the plurality of
図2に戻り、一対の位置決め基準部材80は、エア浮上ユニット40の上面上であって、+X側の端部近傍の領域に、Y軸方向に所定間隔で固定されている。一対の位置決め基準部材80は、互いのX位置がほぼ同じとなるように配置されている。位置決め基準部材80の−X側の面部が円筒面とされ、該円筒面がマスクMの+X側の端部に点接触(実際にはマスクMに厚みがあるので線接触)する。
Returning to FIG. 2, the pair of
マスク吸着装置82は、エア浮上ユニット40の上面上であって、一対の位置決め基準部材80の間に配置されている。マスク吸着装置82は、吸着パッド84と、吸着パッド84をX軸方向に駆動する駆動装置86とを備えている。吸着パッド84は、マスクステージ装置14の外部に配置された不図示のバキューム装置に接続されており、マスクMの+X側の端部を吸着保持することができるようになっている。吸着パッド84は、Z軸方向に平行なシャフトを介して駆動装置86に対してθz方向に揺動可能に接続されている。なお、マスクMの+X側の端部を保持することができれば、吸着パッド84(吸着保持装置)に換えて、マスクMを機械的に把持するメカニカルチャックを用いても良い。駆動装置86の種類は、特に限定されないが、例えばエアシリンダ、送りネジ装置などを用いることができる。
The
ここで、従来のマスクステージ装置(不図示)において、マスクの下面(パターン面)には、通常、マスクパターンへのダストの付着を防止するために、ペリクルと称される保護部材が取り付けられる。これに対し、本実施形態のマスクステージ装置14は、エア浮上ユニット40がマスクMを下方から浮上支持する構成であるため、マスクMの下面にはペリクル(保護部材)が取り付けられておらず、マスクパターンに対してエア浮上ユニット40から加圧気体が直接噴出される。このため、本実施形態の液晶露光装置10は、マスクMの下面(マスクパターン)にダストなどが付着することを抑制するためのエアフローシステム90(図2では不図示。図6参照)を備えている。
Here, in a conventional mask stage apparatus (not shown), a protective member called a pellicle is usually attached to the lower surface (pattern surface) of the mask in order to prevent dust from adhering to the mask pattern. On the other hand, the
エアフローシステム90は、図6に示されるように、投影光学系16に取り付けられたエア噴出ユニット92、及びエア浮上ユニット40の開口部42を規定する壁面に取り付けられた複数のエア吸引装置94を備えている。複数のエア吸引装置94それぞれには、マスクステージ装置14の外部に配置された不図示のバキューム装置が接続されている。
As shown in FIG. 6, the
エア噴出ユニット92は、一端が投影光学系16に固定された支持部材96、及び該支持部材96の他端部近傍に取り付けられた複数のエア噴出装置98を備えている。エア吸引装置94のエア吸引用開口、及びエア噴出装置98のエア噴出用開口は、Y軸方向(紙面奥行き方向)に延びている。また、エア吸引装置94、及びエア噴出装置98は、Z位置がほぼ同じとなるように(対向して)配置され、且つそのZ位置は、投影光学系16の入射面よりも+Z側に設定されている。エア噴出ユニット92には、マスクステージ装置14の外部に配置された不図示の加圧気体供給装置が接続されており、エア噴出装置98から噴出され、且つエア吸引装置94に吸引される気体(例えば、空気)の流れにより、開口部42内であって、投影光学系16の入射面とマスクMの下面との間にXY平面に平行な空気膜(いわゆるエアカーテン)が形成される。これにより、照明光ILの通過を阻害することなく、投影光学系16上(あるいは投影光学系16とエア浮上ユニット40との間)に堆積したダストDが舞い上がってマスクMの下面(パターン面)に付着することが抑制される。
The
また、支持部材96の他端部には、エア噴出口が形成されており、加圧気体をマスクMの下面に向けて噴出することにより、マスクMの下面に付着したダストを吹き飛ばすことができるようになっている。また、エアフローシステム90では、上記支持部材96の他端部から噴出されるエア、及び開口部42を規定する壁面から噴出されるエアにより、上記空気膜(エアカーテン)とマスクMの下面との間であって、照明光ILの光路(照明光空間)に常時エアが流れている状態となる。これにより、照明光空間内で常にダストが動き続けるので、例えば基板P(図1参照)に形成されるパターン像にダストが写り込むなどの露光不良が抑制される。
Further, an air outlet is formed at the other end of the
以上のようにして構成された液晶露光装置10(図1参照)では、不図示の主制御装置の管理の下、不図示のマスクローダによって、マスクステージ装置14へのマスクMのロードが行われるとともに、不図示の基板ローダによって基板ステージ装置20への基板Pのロードが行なわれる。その後、主制御装置により、不図示のアライメント検出系を用いてアライメント計測が実行され、そのアライメント計測の終了後、基板P上に設定された複数のショット領域に逐次ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
In the liquid crystal exposure apparatus 10 (see FIG. 1) configured as described above, the mask M is loaded onto the
ここで、液晶露光装置10では、基板Pに形成するマスクパターンに応じて、マスクMの交換が適宜行われる。以下、マスクステージ装置14に保持されるマスクMの交換動作を含み、マスクステージ装置14の動作について図7(A)〜図9(B)を用いて説明する。
Here, in the liquid
図7(A)には、露光動作中のマスクステージ装置14が示されており、マスクMは、投影光学系16の上方に位置している。図7(A)に示される状態で、マスクMには、照明光IL(図1参照)が照射され、該照明光ILは、マスクM、及びエア浮上ユニット40に形成された開口部42を通過して投影光学系16に入射する。マスクMは、マスク干渉計システムの出力に基づいて基板P(図1参照)と同期して投影光学系16(照明光IL)に対してX軸方向に所定の長ストロークで駆動されるとともに、ベースライン計測システムの出力に基づいてY軸方向、及びθz方向に適宜微少駆動される。
FIG. 7A shows the
基板P(図7(A)では不図示。図1参照)に対する露光動作が終了すると、マスクステージ装置14では、マスクMの交換のために、マスクMが所定のマスク交換位置に位置される。本実施形態では、マスク交換位置は、エア浮上ユニット40の+X側の端部近傍(開口部42よりも+X側)の領域に設定されている。
When the exposure operation for the substrate P (not shown in FIG. 7A, see FIG. 1) is completed, in the
マスクステージ装置14は、図7(B)に示されるように、マスク保持装置60A、60Bを同期駆動することにより、マスクMをマスク交換位置に向けて駆動する。この際、マスクMを高精度で位置制御する必要がないので、マスク保持装置60A、60Bそれぞれのクランプ装置68は、拘束状態とされる。ここで、マスクステージ装置14は、最初にマスク保持装置60A、60Bを用いてマスクMを一対の位置決め基準部材80に当接しない位置で停止させる。次いで、マスクステージ装置14は、マスク吸着装置82の吸着パッド84を−X方向に駆動して吸着パッド84にマスクMの+X側の端部近傍を吸着保持させる。
As shown in FIG. 7B, the
この後、マスクステージ装置14では、マスク保持装置60A、60BによるマスクMの吸着保持が解除され、該マスク保持装置60A、60Bは、図8(A)に示されるように、マスクMとX位置が重複しない位置まで−X方向に駆動される。そして、マスクMは、不図示のマスクローダ装置により、エア浮上ユニット40上からマスクステージ装置14の外部に搬出される。この際、吸着パッド84がマスクMを吸着保持しているので(図7(B)参照)、マスクローダ装置がマスクMのマスクハンドMHを把持する際に、マスクMがエア浮上ユニット40上で不用意に移動することがない(図8(A)は、マスクMがマスクローダ装置に受け渡された後の状態を示しており、マスクMと吸着パッド84とは、離間している)。
Thereafter, in the
マスクMが搬出されると、該マスクMに換えて別のマスクM(便宜上、同じ符号を用いる)が、図8(B)に示されるように、不図示のマスクローダ装置により搬入される。マスクMは、搬出時と同様に、一対の位置決め基準部材80に当接しない位置に載置される。そして、マスクステージ装置14では、マスクMがマスクローダ装置に保持されている状態で、マスク吸着装置82の吸着パッド84が−X方向に駆動され、吸着パッド84がマスクMを吸着保持する。
When the mask M is carried out, another mask M (for the sake of convenience, the same reference numeral is used) is carried in by a mask loader (not shown) instead of the mask M, as shown in FIG. 8B. The mask M is placed at a position where it does not contact the pair of
次いで、マスクステージ装置14では、図9(A)に示されるように、吸着パッド84が+X方向に駆動される。これにより、基板Pは、+X側の端部が一対の位置決め基準部材80に当接する。ここで、本実施形態のマスクステージ装置14では、上記基板交換動作を含み、マスクMは、エア浮上ユニット40上に浮上しているため、マスクローダ装置によりマスクMがエア浮上ユニット40上に載置される際、マスクMが所望の位置に対してθz方向に微少量回転した状態となる可能性がある。これに対し、吸着パッド84がθz方向に揺動自在であることから、マスクMを一対の位置決め基準部材80それぞれに確実に当接させることができ、マスクMのθz軸方向の位置決めを確実に、且つ再現性良く行うことができる。
Next, in the
この後、図9(B)に示されるように、マスクMが一対の位置決め基準部材80に当接した状態で、マスク保持装置60A、60B(クランプ装置68は、拘束状態)それぞれが+X方向に駆動され、マスクMの+Y側、−Y側の端部近傍を吸着保持する。マスクMがマスク保持装置60A、60Bに吸着保持されると、吸着パッド84は、マスクMの吸着保持を解除する。以下、マスクMが投影光学系16の上方に駆動され(マスク保持装置60A、60Bそれぞれのクランプ装置68は、非拘束状態)、図7(A)に示されるように、交換後のマスクMを用いた露光動作が行われる。
Thereafter, as shown in FIG. 9B, in a state where the mask M is in contact with the pair of
以上説明した第1の実施形態の液晶露光装置10によれば、マスクステージ装置14は、マスクMの下面のほぼ全面(開口部42が形成されている部分を除く)をエア浮上ユニット40により下方から非接触支持するので、マスクMの撓み(変形)を抑制できる。これにより、デフォーカスが抑制され、より高精度でマスクパターンを基板Pに転写することができる。
According to the liquid
また、マスクMの下面のほぼ全面が支持されるため、仮にマスクMの端部のみを支持する構造のマスクステージ装置(以下、比較例に係るマスクステージ装置と称する)を用いる場合に比べ、マスクMの共振周波数が大きくなる。従って、露光動作時におけるマスクMの撓み量が低減し、基板Pに転写されるパターンにむらが発生することが抑制される。なお、解析の結果、本実施形態のマスクステージ装置14では、上記比較例に係るマスクステージ装置に比べ、例えばいわゆる第10世代と称される大きさ(1780mm×1620mm、厚さ17mm)のマスクMを用いた場合、共振周波数を約15倍、最大撓み量を約1/300とすることができることが分かった。
Further, since almost the entire lower surface of the mask M is supported, the mask is compared with a case where a mask stage apparatus having a structure that supports only the end of the mask M (hereinafter referred to as a mask stage apparatus according to a comparative example) is used. The resonance frequency of M increases. Therefore, the amount of deflection of the mask M during the exposure operation is reduced, and the occurrence of unevenness in the pattern transferred to the substrate P is suppressed. As a result of the analysis, in the
また、マスクステージ装置14は、マスク保持装置60A、60Bを用いてマスクMを直接駆動するので、例えばマスクMを保持した枠状の部材(マスクホルダ)を駆動する上記比較例に係るマスクステージ装置に比べ、駆動対象物が軽量であり、より高精度でマスクMの位置制御を行うことができる。また、コストダウンも可能となる。
Further, since the
また、液晶露光装置10は、エアフローシステム90を備えているので、マスクMの下面にマスクパターン保護部材(例えばペリクル)を取り付けなくても露光不良が抑制される。
In addition, since the liquid
《第2の実施形態》
次に第2の実施形態に係るマスクステージ装置114について、図10を用いて説明する。本第2の実施形態に係るマスクステージ装置114の構成は、マスク位置計測系の構成を除き、上記第1の実施形態のマスクステージ装置14(図2参照)と同じなので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
<< Second Embodiment >>
Next, a
マスクMの水平面内の位置情報は、上記第1の実施形態(図2参照)では、干渉計システム(X位置、及びθz位置)と、ベースライン計測システム(Y位置)とを用いて求められたのに対し、本第2の実施形態では、2次元エンコーダシステムにより求められる点が異なる。 In the first embodiment (see FIG. 2), position information of the mask M in the horizontal plane is obtained by using an interferometer system (X position and θz position) and a baseline measurement system (Y position). In contrast, the second embodiment is different in that it is obtained by a two-dimensional encoder system.
2次元エンコーダシステムにおいて、マスクMの中央部には、上記第1の実施形態におけるベースラインBL(図2参照)に換えて、X軸方向に延びる帯状の2次元グレーティングGR2が形成されている。2次元グレーティングGR2は、X軸方向を周期方向とするX回折格子(Xスケール)とY軸方向を周期方向とするY回折格子(Yスケール)とを含む。また、2次元エンコーダシステムは、X軸方向に所定間隔で配置された複数の2次元エンコーダヘッド74を有している。複数の2次元エンコーダヘッド74は、上記第1の実施形態における画像センサ72(図2参照)と同様に、エア浮上ユニット40、あるいは投影光学系16に固定されており、マスクMのX位置に関わらず、常に少なくともひとつが2次元グレーティングGR2に対向可能な間隔で配置されている。なお、マスクMのθz方向の位置を計測する場合には、2つの2次元エンコーダヘッド74のX方向の間隔を適宜制御し、その2つの2次元エンコーダヘッド74のY方向の位置に関する出力(計測値)を得るようにすると良い。
In the two-dimensional encoder system, a band-shaped two-dimensional grating GR 2 extending in the X-axis direction is formed at the center of the mask M instead of the base line BL (see FIG. 2) in the first embodiment. . The two-dimensional grating GR 2 includes an X diffraction grating (X scale) whose periodic direction is the X axis direction and a Y diffraction grating (Y scale) whose periodic direction is the Y axis direction. The two-dimensional encoder system has a plurality of two-dimensional encoder heads 74 arranged at a predetermined interval in the X-axis direction. The plurality of two-dimensional encoder heads 74 are fixed to the
以上説明した第2の実施形態でも、上記第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光干渉計に比べて空気揺らぎの影響を受けにくい。なお、マスク保持装置60A、60BのX位置情報を求める計測系を別途設けておくと良い。また、本第2の実施形態では、マスクMに2次元グレーティングGR2が形成されたが、X回折格子とY回折格子とを別に形成しても良いし、市松格子状の回折格子としても良い。また、エンコーダヘッドとしては、XヘッドとYヘッドとを別に配置しても良い。
Also in the second embodiment described above, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In addition, it is less susceptible to air fluctuations than an optical interferometer. A measurement system for obtaining X position information of the
《第3の実施形態》
次に第3の実施形態に係るマスクステージ装置214について、図11を用いて説明する。本第3の実施形態に係るマスクステージ装置214は、マスク位置計測系の構成を除き、上記第1の実施形態のマスクステージ装置14(図2参照)、又は第2の実施形態のマスクステージ装置214(図10参照)と同じなので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1又は第2の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1又は第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
<< Third Embodiment >>
Next, a
マスクMの水平面内の位置情報は、上記第1及び第2の実施形態では、マスクM自体(マスクMに形成されたベースラインBL(図2参照)、又は2次元グレーティングGR2(図10参照))を用いて直接的に求められたのに対し、本第3の実施形態では、マスク保持装置60A、60BがマスクMを吸着保持した状態では、該マスクMとマスク保持装置60A、60Bとを一体物と見なせることから、マスク保持装置60A、60Bの位置情報により間接的に求められる。すなわち、本第3の実施形態において、エア浮上ユニット40の−Y側の端部近傍には、X軸方向に延びる2次元グレーティングGR2が固定され、マスク保持装置60Bには、吸着保持部66の下面に上記2次元グレーティングGR2に対向して2次元エンコーダヘッド74が固定されている。また、エア浮上ユニット40の+Y側の端部近傍には、X軸方向に延びる1次元グレーティングGR1(X回折格子)が固定され、マスク保持装置60Aには、吸着保持部66の下面に上記1次元グレーティングGR1に対向して1次元エンコーダヘッド76が固定されている。
In the first and second embodiments, the positional information of the mask M in the horizontal plane is the mask M itself (baseline BL (see FIG. 2) formed on the mask M) or two-dimensional grating GR 2 (see FIG. 10). In the third embodiment, in the state where the
本第3の実施形態によれば、マスクMに位置計測用の指標(例えばベースライン、回折格子など)を形成することができない場合であっても、上記第1及び第2の実施形態と同様に、高精度でマスクMの位置制御を行うことができる。 According to the third embodiment, even if a position measurement index (for example, a baseline, a diffraction grating, etc.) cannot be formed on the mask M, the same as in the first and second embodiments. In addition, the position of the mask M can be controlled with high accuracy.
《第4の実施形態》
次に第4の実施形態に係るマスクステージ装置314について、図12を用いて説明する。上記第1〜第3の実施形態において、マスクMは、マスクMの下方に配置されたエア浮上ユニット40により下方から非接触支持(浮上支持)されたのに対し、本第4の実施形態において、マスクMは、マスクMの上方に配置されたエア支持ユニット340により、非接触状態で懸垂(吊り下げ)支持される点が異なる。
<< Fourth Embodiment >>
Next, a
エア支持ユニット340は、X軸方向を長手方向とする平面視矩形の板状の部材から成り、例えば照明系フレーム30(図12では不図示。図1参照)に支持されている。マスクMは、上面がエア支持ユニット340の下面に対向するように配置される。エア支持ユニット340の下面(マスクMとの対向面)の寸法は、上記第1〜第3の実施形態のエア浮上ユニット40(図2参照)と同程度に設定されている。また、エア支持ユニット340の中央部には、照明光ILを通過させるための開口部342が形成されている。開口部342には、照明系12(図12では不図示。図1参照)の一部が挿入されても良い。
The
エア支持ユニット340の下面には、ほぼ全面にわたって複数の微少な孔部が形成されている。エア支持ユニット340には、マスクステージ装置314の外部に設置された不図示の加圧気体(例えば空気)供給装置、及びバキューム装置が接続されている。エア支持ユニット340は、上記複数の孔部の一部を介してエア支持ユニット340の下面とマスクMの上面との間の気体を吸引してマスクMに浮上力(+Z方向の力。図12の矢印参照)を作用させるとともに、上記複数の孔部の他部を介してマスクMの上面に加圧気体を噴出することにより、エア支持ユニット340の下面とマスクMの上面との間に微少なクリアランス(例えば、5〜10μm)を形成する。すなわち、エア支持ユニット340は、いわゆるバキューム・プリロード・エアベアリングとして機能する。
On the lower surface of the
なお、マスクMの駆動系に関しては、要素を上下方向に逆に配置すれば(すなわち、マスクMの下面が吸着保持されるように構成すれば)、上記第1〜第3の実施形態と同様の構成とすることができるので説明を省略する。また、マスクMの位置計測系に関しても、要素を上下方向に逆に配置すれば、上記第1〜第3の実施形態と同様の構成とすることができるので説明を省略する。 As for the drive system of the mask M, if the elements are arranged upside down (that is, configured so that the lower surface of the mask M is sucked and held), the same as in the first to third embodiments. The description thereof will be omitted. In addition, regarding the position measurement system of the mask M, if the elements are arranged upside down, the configuration can be made the same as in the first to third embodiments, and the description thereof is omitted.
本第4の実施形態によれば、マスクMの上面を非接触で懸垂支持するので、マスクの下面にペリクルPeを取る付けることができる。 According to the fourth embodiment, since the upper surface of the mask M is suspended and supported without contact, the pellicle Pe can be attached to the lower surface of the mask.
なお、以上説明した第1〜第4の実施形態の構成は、適宜変更が可能である。例えば、上記第1の実施形態において、マスクMの交換動作を行う際、マスクMの搬出位置とマスクMの搬入位置とが同じ位置(マスク交換位置)で行われたが、マスク搬入位置(ローディングポジション)とマスク搬出位置(アンローディングポジション)とは、別であっても良く、例えばアンローディングポジションを開口部42に対してX軸方向の一側(例えば−X側)の領域に設定するととともに、ローディングポジションを開口部42に対してX軸方向の他側(例えば+X側)の領域に設定しても良い。この場合、マスクMの搬出動作と別のマスクMの搬入動作とを一部並行して行うことができるので、効率が良い。
In addition, the structure of the 1st-4th embodiment demonstrated above can be changed suitably. For example, in the first embodiment, when the replacement operation of the mask M is performed, the unloading position of the mask M and the loading position of the mask M are performed at the same position (mask replacement position). Position) and mask unloading position (unloading position) may be different. For example, the unloading position is set to an area on one side (for example, −X side) in the X-axis direction with respect to the
また、上記第4の実施形態において、エア支持ユニット340は、エア支持ユニット340の下面とマスクMの上面との間に加圧気体を高速で噴出すること(エア支持ユニット340を、いわゆるベルヌーイチャックとして機能させること)により(気体の吸引を行うことなく)、マスクMを懸垂保持しても良い。
In the fourth embodiment, the
また、上記実施形態において、マスクMは、一対のマスク保持装置60A、60Bそれぞれの吸着パッド66bにより、+Y側、及び−Y側の端部近傍が吸着保持されたが、吸着パッド66bの数、及びマスクMの吸着保持位置は、これに限られず、より多くの箇所(X軸方向の端部を含む)を吸着保持しても良い。この場合、例えば枠状の部材を用いてマスクMの外周全体を囲んでも良い。
In the above embodiment, the mask M is sucked and held near the end portions on the + Y side and the −Y side by the
また、照明光は、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ(波長:355nm、266nm)などを使用しても良い。 The illumination light may be ultraviolet light such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm). As the illumination light, for example, a single wavelength laser beam oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with, for example, erbium (or both erbium and ytterbium). In addition, harmonics converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used. A solid laser (wavelength: 355 nm, 266 nm) or the like may be used.
また、投影光学系16が複数本の光学系を備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学系の本数はこれに限らず、1本以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、オフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。また、投影光学系16としては、拡大系、又は縮小系であっても良い。
Although the case where the projection
また、マスクステージ装置としては、例えば米国特許第8,159,649号明細書に開示されるような、2種類のマスクパターンが形成されたマスクを適宜Y軸方向にステップ移動させることにより、マスク交換を行うことなく上記2種類のマスクパターンを選択的に基板に転写することが可能なマスクステージ装置であっても良い。この場合、上記第1〜第4の実施形態に係るエア浮上ユニット40、140、240、エア支持ユニット340の幅を、上記実施形態に比べて広く形成すると良い。
Further, as a mask stage apparatus, for example, as disclosed in US Pat. No. 8,159,649, a mask on which two types of mask patterns are formed is moved stepwise in the Y-axis direction as appropriate. It may be a mask stage apparatus that can selectively transfer the two types of mask patterns to the substrate without replacement. In this case, the
また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。 Further, the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for liquid crystal that transfers the liquid crystal display element pattern onto the square glass plate. For example, the exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Luminescence) panel, the semiconductor manufacture The present invention can also be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing an exposure apparatus, a thin film magnetic head, a micromachine, a DNA chip, and the like. Moreover, in order to manufacture not only microdevices such as semiconductor elements but also masks or reticles used in light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates, silicon wafers, etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。 The object to be exposed is not limited to a glass plate, and may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or mask blanks. Moreover, when the exposure target is a substrate for a flat panel display, the thickness of the substrate is not particularly limited, and includes, for example, a film-like (flexible sheet-like member). The exposure apparatus of the present embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or diagonal length of 500 mm or more is an exposure target.
液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), the step of designing the function and performance of the device, the step of producing a mask (or reticle) based on this design step, and the step of producing a glass substrate (or wafer) A lithography step for transferring a mask (reticle) pattern to a glass substrate by the exposure apparatus and the exposure method of each embodiment described above, a development step for developing the exposed glass substrate, and a portion where the resist remains. It is manufactured through an etching step for removing the exposed member of the portion by etching, a resist removing step for removing a resist that has become unnecessary after etching, a device assembly step, an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the above-described exposure method is executed using the exposure apparatus of the above embodiment, and a device pattern is formed on the glass substrate. Therefore, a highly integrated device can be manufactured with high productivity. .
以上説明したように、本発明の露光装置は、パターン保持体をエネルギビームに対して相対移動させるのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。 As described above, the exposure apparatus of the present invention is suitable for moving the pattern holder relative to the energy beam. Moreover, the manufacturing method of the flat panel display of this invention is suitable for production of a flat panel display. The device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of micro devices.
10…液晶露光装置、14…マスクステージ装置、40…エア浮上ユニット、42…開口部、60A、60B…マスク保持装置、IL…照明光、M…マスク、P…基板。
DESCRIPTION OF
Claims (24)
前記相対移動時に前記パターン保持体の一面に対向可能な対向面部を有し、該対向面部を用いて前記パターン保持体を非接触支持するとともに、前記対向面部に前記エネルギビームを通過させる開口部が形成された支持部材と、
前記パターン保持体を保持する保持部材を含み、前記保持部材を駆動して前記エネルギビームに対して少なくとも前記走査方向に前記パターン保持体を駆動する駆動系と、を備える露光装置。 An exposure apparatus for transferring the pattern to the exposure target object using an energy beam while relatively moving the pattern holder having the predetermined pattern and the exposure target object in a scanning direction within a predetermined two-dimensional plane,
There is an opposing surface portion that can oppose one surface of the pattern holding body during the relative movement, and the opening portion that allows the pattern holder to be non-contact supported using the opposing surface portion and that allows the energy beam to pass through the opposing surface portion. A formed support member;
An exposure apparatus comprising: a holding member that holds the pattern holding body; and a driving system that drives the holding member to drive the pattern holding body in at least the scanning direction with respect to the energy beam.
前記投影光学系は、少なくとも一部が前記開口部に挿入される請求項2〜4のいずれか一項に記載の露光装置。 A projection optical system for guiding the energy beam to the object to be exposed;
The exposure apparatus according to claim 2, wherein at least a part of the projection optical system is inserted into the opening.
前記気体膜は、前記エネルギビームの通過を許容するとともに、前記エネルギビームの出射側の空間と入射側の空間との間における気体の流れを制限する請求項2〜5のいずれか一項に記載の露光装置。 A gas film forming apparatus for forming a gas film in the opening;
6. The gas film according to claim 2, wherein the gas film allows passage of the energy beam and restricts a gas flow between a space on an emission side and a space on an incident side of the energy beam. Exposure equipment.
前記エンコーダヘッドは、前記スケールを用いて前記パターン保持体の前記走査方向の位置情報を更に求める請求項13に記載の露光装置。 The scale is further provided with a diffraction grating having the scanning direction as a periodic direction,
The exposure apparatus according to claim 13, wherein the encoder head further obtains position information of the pattern holder in the scanning direction using the scale.
前記保持部材には、前記スケールに検出光を照射し、前記スケールからの検出光を受光することにより前記保持部材の前記走査方向の位置情報を求めるエンコーダヘッドが設けられる請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置。 The support member is provided with a scale including a diffraction grating having at least the scanning direction as a periodic direction,
11. The encoder head according to claim 1, wherein the holding member is provided with an encoder head that obtains position information of the holding member in the scanning direction by irradiating the scale with detection light and receiving detection light from the scale. An exposure apparatus according to claim 1.
前記エンコーダヘッドは、前記スケールを用いて前記パターン保持体の前記走査方向に直交する方向の位置情報を更に求める請求項15に記載の露光装置。 The scale is further provided with a diffraction grating whose periodic direction is a direction orthogonal to the scanning direction,
The exposure apparatus according to claim 15, wherein the encoder head further obtains position information of the pattern holder in a direction orthogonal to the scanning direction using the scale.
前記第1移動部に設けられ、前記第1移動部に対して少なくとも前記走査方向に微少ストロークで移動可能な第2移動部と、を備え、
前記パターン保持体は、前記第2移動部に保持される請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光装置。 The holding member has a first moving part that is movable in a long stroke in the scanning direction;
A second moving part that is provided in the first moving part and is movable with a small stroke in at least the scanning direction with respect to the first moving part,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the pattern holder is held by the second moving unit.
前記一対の保持部材は、一方が前記パターン保持体の前記走査方向に直交する方向に関する一側の端部を保持し、他方が前記パターン保持体の前記走査方向に直交する方向に関する他側の端部を保持する請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置。 A pair of the holding members are provided in a direction orthogonal to the scanning direction in the two-dimensional plane,
One of the pair of holding members holds an end portion on one side of the pattern holding body in a direction orthogonal to the scanning direction, and the other end of the pattern holding body on the other side in a direction orthogonal to the scanning direction. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 18, wherein the exposure apparatus retains a portion.
露光された前記露光対象物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。 Exposing the object to be exposed using the exposure apparatus according to claim 21 or 22,
Developing the exposed object to be exposed, and manufacturing a flat panel display.
露光された前記露光対象物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the object to be exposed using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 20,
And developing the exposed object to be exposed.
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