JP2009150786A - Magnetic type coordinate position detection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide magnetic type coordinate position detection capable of utilizing an inexpensive detection magnet by using a magnetic sensor composition having sensitivity in a low magnetic field, by solving the problem caused by individual characteristic dispersion, or arrangement accuracy or wiring connection on a fixing mounting substrate, or the like. <P>SOLUTION: A magnetic sensor is packaged by being equipped with a plurality of anisotropic magnetic resistance elements and a bias magnet formed on the substrate (substrate in the sensor), and a moving magnet and the bias magnet are magnetized in a direction vertical to a plane along with the moving magnet is moved, and mutually opposite surfaces are magnetized to the same pole. In the magnetic sensor, four domains are formed on positions having the same distance from the origin on the X-axis and the Y-axis by using a magnetic center on a magnetic pole surface of the bias magnet as the origin, on the substrate in parallel with the magnetic pole surface of the bias magnet, and each anisotropic magnetic resistance element extended in a direction forming an angle of 45° (or 135°) with the axis is formed respectively relative to each domain, and the magnetic sensor is constituted of the four anisotropic magnetic resistance elements in total. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、磁気センサを用いて移動する検出体の位置を検出する磁気式座標位置検出装置に関するものである。   The present invention relates to a magnetic coordinate position detection apparatus that detects the position of a moving detection body using a magnetic sensor.

移動する検出体の位置を検出し情報として利用する装置としてポインティングデバイスやリニアエンコーダーへの応用がある。近年この装置が携帯電話やモバイル電子機器に用いられるようになり小型化が求められている。このような位置検出装置として、特許文献1〜3の技術が存在する。特許文献1及び3の技術は、ポインティングデバイスへの応用であり、特許文献2の技術は、手ぶれ補正用エンコーダへの応用である。   There are applications to pointing devices and linear encoders as devices that detect the position of a moving detection body and use it as information. In recent years, this apparatus has been used in mobile phones and mobile electronic devices, and miniaturization has been demanded. As such a position detection device, there are technologies disclosed in Patent Documents 1 to 3. The techniques of Patent Documents 1 and 3 are applied to a pointing device, and the technique of Patent Document 2 is applied to a camera shake correction encoder.

前記特許文献1、2における位置検出装置の基本的構造を図8に示す。この図8(a)、図8(b)に示すように、1つずつパッケージされた4個の磁気センサ33、34、35、36を実装基板32上の基板中心を原点としてX軸とY軸上の対称な位置にそれぞれ配置する。この状態で、Z軸方向に着磁された磁石31が磁気センサの上部のX−Y座標を移動することで、移動による磁石31の磁束密度の変化を前記4つの磁気センサが検出する。例えば磁気センサ33と34の距離をx1〜x5(x1>x2>x3>x4>x5であり、かつ、x1とx5の距離の差は約1mm)の5段階に設定し、距離x1より大きい直径を有する磁石31がX軸方向で移動したときの磁気センサ33と34の信号を差動アンプを通して確認すると、図8(c)のような出力が異なるグラフとなる。この図8(c)は、磁気センサ間の距離に応じて出力が変化することを表している。すなわち、検出に用いられる磁気センサは1つずつパッケージされた磁気センサをそれぞれ実装基板上に配置しているので、磁気センサを実装する際の位置精度が悪いとX軸方向とY軸方向との感度差が生じる。   FIG. 8 shows the basic structure of the position detection device in Patent Documents 1 and 2. As shown in FIGS. 8A and 8B, the four magnetic sensors 33, 34, 35, and 36 packaged one by one are set to the X axis and Y with the substrate center on the mounting substrate 32 as the origin. Arrange them at symmetrical positions on the axis. In this state, the magnet 31 magnetized in the Z-axis direction moves the XY coordinates on the top of the magnetic sensor, so that the four magnetic sensors detect changes in the magnetic flux density of the magnet 31 due to the movement. For example, the distance between the magnetic sensors 33 and 34 is set in five stages of x1 to x5 (x1> x2> x3> x4> x5, and the difference between the distances of x1 and x5 is about 1 mm), and the diameter is larger than the distance x1. When the signals of the magnetic sensors 33 and 34 when the magnet 31 having a movement in the X-axis direction is confirmed through the differential amplifier, the output is different as shown in FIG. FIG. 8C shows that the output changes according to the distance between the magnetic sensors. In other words, since the magnetic sensors used for detection are arranged on the mounting substrate, the magnetic sensors packaged one by one, if the positional accuracy when mounting the magnetic sensor is poor, the X-axis direction and the Y-axis direction A sensitivity difference occurs.

前記特許文献3における位置検出装置の基本的構造を図9に示す。図9(a)、図9(b)に示すように、1つずつパッケージされた4個の磁気センサ39、40、41、42を実装基板38上の基板中心を原点としてX軸とY軸上の対称な位置にそれぞれ配置する。この特許文献3の場合は、図8の構成と異なり、磁石37が磁気センサ39〜42と同じ高さでX−Y座標を移動する。この状態で、Z軸方向に着磁された磁石37が磁気センサの上部のX−Y座標を移動することで、移動による磁石37の磁束密度の変化を前記4つの磁気センサが検出する。例えば磁気センサ39と40の距離をx’1〜x’5(x’1>x’2>x’3>x’4>x’5であり、かつ、x’1とx’5の距離の差は約1mm)の5段階に設定し、磁石37がX軸方向で移動したとき磁気センサ39と40の信号を差動アンプを通して確認すると図9(c)のような出力が異なるグラフとなる。すなわち、検出に用いられる磁気センサは1つずつパッケージされた磁気センサをそれぞれ実装基板上に配置しているので、磁気センサを実装する装置の位置精度が悪いとX軸方向とY軸方向との出力のピークトゥピークが異なり検出限界範囲に差が生じる。
特開2002−150904号公報 特開2006−47054号公報 特開2006−146524号公報
FIG. 9 shows the basic structure of the position detection device in Patent Document 3. As shown in FIGS. 9A and 9B, four magnetic sensors 39, 40, 41, and 42, which are packaged one by one, are set to the X axis and the Y axis with the substrate center on the mounting substrate 38 as the origin. Place them in the upper symmetrical positions. In the case of this patent document 3, unlike the configuration of FIG. 8, the magnet 37 moves the XY coordinates at the same height as the magnetic sensors 39 to 42. In this state, the magnet 37 magnetized in the Z-axis direction moves the XY coordinates on the upper side of the magnetic sensor, so that the four magnetic sensors detect changes in the magnetic flux density of the magnet 37 due to the movement. For example, the distance between the magnetic sensors 39 and 40 is x′1 to x′5 (x′1>x′2>x′3>x′4> x′5, and the distance between x′1 and x′5. 9), and when the magnet 37 moves in the X-axis direction, when the signals of the magnetic sensors 39 and 40 are confirmed through a differential amplifier, the output is different from the graph shown in FIG. 9C. Become. That is, since the magnetic sensors used for detection are arranged on the mounting substrate, each of the magnetic sensors packaged one by one, if the position accuracy of the device mounting the magnetic sensor is poor, the X-axis direction and the Y-axis direction The output peak-to-peak differs and a difference occurs in the detection limit range.
JP 2002-150904 A JP 2006-47054 A JP 2006-146524 A

以上のように、特許文献1乃至3における位置検出装置においては、4つの磁気センサをそれぞれ実装する必要があり、実装の位置決めの精度が悪いと、X軸方向とY軸方向との感度差が生じたり、検出限界範囲に差が生じたりするという問題があった。また、別々の磁気センサを用いているので、個々の特性のばらつきが生じやすく出力信号として所望する値が得られない可能性がある。さらに、4個の磁気センサは配線が独立しており実装基板上で接続する必要があるため、ノイズ等の影響を受けやすいという問題があった。   As described above, in the position detection devices in Patent Documents 1 to 3, it is necessary to mount four magnetic sensors, respectively. There is a problem that it occurs or a difference occurs in the detection limit range. In addition, since different magnetic sensors are used, individual characteristics are likely to vary, and there is a possibility that a desired value cannot be obtained as an output signal. Furthermore, since the four magnetic sensors have independent wiring and need to be connected on the mounting substrate, there is a problem that they are easily affected by noise and the like.

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、特性を損なうことなく、4個の磁気センサを1個の磁気センサにまとめ小型化することで、個々の特性ばらつき、固定する実装基板上での配置精度、配線接続による問題等を解消し、また低磁界に感度のある磁気センサ組成を用いることで安価な検出磁石が利用できる磁気式座標位置検出を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above problems, and by reducing the size of the four magnetic sensors into a single magnetic sensor without deteriorating the characteristics, individual characteristic variations can be fixed on the mounting substrate. The purpose is to provide magnetic coordinate position detection that can use inexpensive detection magnets by using a magnetic sensor composition that is sensitive to low magnetic fields. is there.

本発明の請求項1は、検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板(センサ内基板)上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされたことを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a magnetic coordinate system comprising: a moving magnet attached to a detection target and moving within a fixed radius on a plane; and a magnetic sensor for detecting a change in magnetic vector due to a change in position of the moving magnet. A magnetic coordinate position, wherein the magnetic sensor is packaged with a plurality of anisotropic magnetoresistive elements formed on a substrate (substrate in the sensor) and a bias magnet. It is a detection device.

本発明の請求項2は、請求項1に加えて、前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。   According to a second aspect of the present invention, in addition to the first aspect, the moving magnet and the bias magnet are magnetized in a direction perpendicular to the plane on which the moving magnet moves, and surfaces facing each other have the same polarity. It is a magnetic coordinate position detecting device characterized in that it is magnetized.

本発明の請求項3は、請求項1又は2に加えて、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてX軸及びY軸上の原点から同一距離の位置に4つの領域を形成し、この各々の領域に対して、軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計4つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。   According to a third aspect of the present invention, in addition to the first or second aspect, the magnetic sensor has an X-axis on a substrate parallel to the magnetic pole surface of the bias magnet, with the magnetic center of the magnetic pole surface of the bias magnet as the origin. And four regions formed at the same distance from the origin on the Y-axis, and an anisotropic magnetoresistive element extended in a direction forming an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis with respect to each region. And a total of four anisotropic magnetoresistive elements, and a magnetic coordinate position detecting device.

本発明の請求項4は、請求項1又は2に加えて、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてX軸及びY軸上の原点から同一距離の位置に4つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した2つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計8つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする磁気式座標位置検出装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the first or second aspect, the magnetic sensor has an X axis on the substrate parallel to the magnetic pole surface of the bias magnet, with the magnetic center of the magnetic pole surface of the bias magnet as the origin. And four regions are formed at the same distance from the origin on the Y-axis, and the angle formed by the extending direction of each region is perpendicular to each other and the angle of 45 ° (or 135 °) with the axis. A magnetic coordinate position detection device comprising a total of eight anisotropic magnetoresistive elements formed by adjoining two anisotropic magnetoresistive elements extending in the direction of

請求項1記載の発明によれば、磁気センサは、基板(センサ内基板)上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを一緒にパッケージングして形成しているので、従来技術のホール素子や半導体磁気抵抗素子より低磁界に対しての感度を高くすることができるため、移動磁石が小型であっても、また安価なフェライト磁石であっても装置を構成することが可能となる。また、例えば、複数の異方性磁気抵抗素子を1個の磁気センサにまとめて小型化することで、個々の特性ばらつき、固定する実装基板上での配置精度、配線接続による問題を解消し、低磁界に感度のある磁気センサ組成を用いることで安価な検出磁石が利用できる磁気式座標位置検出を提供できる。   According to the first aspect of the present invention, the magnetic sensor is formed by packaging together a plurality of anisotropic magnetoresistive elements formed on a substrate (substrate in the sensor) and a bias magnet. Since the sensitivity to a low magnetic field can be made higher than that of a conventional Hall element or semiconductor magnetoresistive element, the apparatus can be configured even if the moving magnet is small or an inexpensive ferrite magnet. It becomes possible. In addition, for example, by combining a plurality of anisotropic magnetoresistive elements into one magnetic sensor and reducing the size, individual characteristic variations, placement accuracy on a mounting substrate to be fixed, and problems due to wiring connection are solved. By using a magnetic sensor composition sensitive to a low magnetic field, it is possible to provide magnetic coordinate position detection in which an inexpensive detection magnet can be used.

請求項2記載の発明によれば、移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されるように構成したので、2つの磁石のそれぞれの磁気ベクトルの合成磁気ベクトルが発生し、この合成磁気ベクトルは移動磁石とバイアス磁石の位置関係が変化すると同期した変化をし、この場合の移動磁石の大きさが可動エリア(検出限界範囲)のファクターとなるため、移動磁石の大きさを変更するだけで、検出エリア(検出限界範囲)の設定変更が簡単に行える。   According to a second aspect of the present invention, the moving magnet and the bias magnet are magnetized in a direction perpendicular to the plane on which the moving magnet moves, and the opposing surfaces are magnetized to the same polarity. As a result, a combined magnetic vector of the magnetic vectors of the two magnets is generated, and this combined magnetic vector changes in synchronization with the change in the positional relationship between the moving magnet and the bias magnet. Therefore, the setting of the detection area (detection limit range) can be easily changed by simply changing the size of the moving magnet.

請求項3記載の発明によれば、磁気センサ内の基板上の4つの領域に、軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計4つの異方性磁気抵抗素子から構成されるようにしたので、4つの異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを一緒にパッケージングして磁気センサを形成することができるため、従来の問題点であった実装の位置決めの精度を気にする必要がなくなる。また、4つの異方性磁気抵抗素子を使用しているため、Vcc−Gnd間の入力抵抗が大きくなって流れる電流値が低くなり、結果、消費電力の低減に繋がる。   According to the third aspect of the present invention, the anisotropic magnetoresistive elements extending in the direction forming an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis are formed in the four regions on the substrate in the magnetic sensor. Since a total of four anisotropic magnetoresistive elements are formed, the four anisotropic magnetoresistive elements and the bias magnet can be packaged together to form a magnetic sensor. There is no need to worry about the positioning accuracy of the mounting, which was a problem. In addition, since four anisotropic magnetoresistive elements are used, the input resistance between Vcc and Gnd increases and the value of the flowing current decreases, resulting in a reduction in power consumption.

請求項4記載の発明によれば、磁気センサ内の4つの領域のそれぞれに対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した2つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計8つの異方性磁気抵抗素子から構成するようにしたので、8つの異方性磁気抵抗素子を用いてホイートストンブリッジを構成することができ、これにより、電気的ノイズに強くなり、高い出力を得る事ができる。   According to the fourth aspect of the present invention, with respect to each of the four regions in the magnetic sensor, an angle formed between the extending directions of each of the four regions is vertical and an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis. Two stretched anisotropic magnetoresistive elements are formed adjacent to each other so that they are composed of a total of eight anisotropic magnetoresistive elements, so a Wheatstone bridge is constructed using eight anisotropic magnetoresistive elements. This makes it more resistant to electrical noise and obtains a higher output.

本発明による磁気式座標位置検出装置は、検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板(センサ内基板)上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされ、前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなり、前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてX軸及びY軸上の原点から同一距離の位置に4つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した2つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計8つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする。   A magnetic coordinate position detection apparatus according to the present invention includes a moving magnet that is attached to a detection target and moves within a certain radius on a plane, and a magnetic sensor that detects a change in magnetic vector due to a change in position of the moving magnet. A magnetic coordinate position detection device, wherein the magnetic sensor is packaged with a plurality of anisotropic magnetoresistive elements formed on a substrate (substrate in the sensor) and a bias magnet, the moving magnet and the bias The magnet is magnetized in a direction perpendicular to the plane on which the moving magnet moves, and surfaces facing each other are magnetized to the same polarity, and the magnetic sensor is parallel to the magnetic pole surface of the bias magnet. Four regions are formed on the substrate at the same distance from the origin on the X-axis and the Y-axis with the magnetic center of the magnetic pole surface of the bias magnet as the origin, and the regions are extended with respect to each other. Direction Are formed by adjoining two anisotropic magnetoresistive elements extending in a direction perpendicular to the axis and forming an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis. It is characterized by being configured.

本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)は、本発明の磁気式座標位置検出装置10の斜視図である。検出部である磁気センサ11が実装基板13上に固定されており、磁気センサ11の上部の平面座標で磁石12が移動する構成となっている。初期状態では、移動磁石12が磁気センサ11の真上に位置する。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1A is a perspective view of a magnetic coordinate position detection apparatus 10 of the present invention. A magnetic sensor 11 serving as a detection unit is fixed on the mounting substrate 13, and the magnet 12 is moved by plane coordinates on the top of the magnetic sensor 11. In the initial state, the moving magnet 12 is positioned directly above the magnetic sensor 11.

図1(b)は、前記磁気式座標位置検出装置10の側面図である。磁気センサ11は、Si基板若しくはガラス基板等からなるセンサ内基板14に形成された異方性磁気抵抗素子(17〜20、又は、21a〜24a、21b〜24b)がリードフレーム16に取付けられ、リードフレーム16の裏面にバイアス磁石15を備えてパッケージされている。移動磁石12とバイアス磁石15はZ軸方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極となるように設置される。なお、移動磁石12とバイアス磁石15の極が対向しているのであれば、バイアス磁石15、成膜されたセンサ内基板14、移動磁石12のZ軸方向での位置置換に制限はない。   FIG. 1B is a side view of the magnetic coordinate position detection apparatus 10. The magnetic sensor 11 has an anisotropic magnetoresistive element (17-20, or 21a-24a, 21b-24b) formed on an in-sensor substrate 14 made of a Si substrate or a glass substrate attached to the lead frame 16, The lead frame 16 is packaged with a bias magnet 15 on the back surface. The moving magnet 12 and the bias magnet 15 are magnetized in the Z-axis direction and are installed so that the surfaces facing each other have the same polarity. As long as the poles of the moving magnet 12 and the bias magnet 15 are opposed to each other, there is no restriction on the position replacement of the bias magnet 15, the formed sensor substrate 14, and the moving magnet 12 in the Z-axis direction.

前記磁気センサ11におけるセンサ内基板14上に形成された異方性磁気抵抗素子(17〜20、又は、21a〜24a、21b〜24b)は、図8及び図9で説明した従来技術に使用されているセンサ面に対して垂直方向の磁界を検出するホール素子や、ローレンツ力による荷電粒子の変化を利用した半導体磁気抵抗素子(SMR)とは異なり、Ni、Fe、Coなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜で構成され、薄膜形成面に水平の磁界が印加されると抵抗値が下がる。本発明は、この効果を利用した異方性磁気抵抗素子(Anisotropic−Magneto−Resistance)である。異方性磁気抵抗素子(17〜20、又は、21a〜24a、21b〜24b)は、低磁界に対しての感度が従来技術のホール素子や半導体磁気抵抗素子より高い。よって移動磁石が小型であっても、また安価なフェライト磁石であっても装置を構成することが可能となる。   The anisotropic magnetoresistive elements (17-20, or 21a-24a, 21b-24b) formed on the sensor inner substrate 14 in the magnetic sensor 11 are used in the prior art described with reference to FIGS. Unlike Hall elements that detect magnetic fields in the direction perpendicular to the sensor surface and semiconductor magnetoresistive elements (SMR) that use changes in charged particles due to Lorentz force, ferromagnetic metals such as Ni, Fe, and Co are used. It consists of a thin film of an alloy as a main component, and the resistance value decreases when a horizontal magnetic field is applied to the thin film forming surface. This invention is an anisotropic magnetoresistive element (Anisotropic-Magneto-Resistance) using this effect. Anisotropic magnetoresistive elements (17-20, or 21a-24a, 21b-24b) have higher sensitivity to low magnetic fields than conventional Hall elements and semiconductor magnetoresistive elements. Therefore, even if the moving magnet is small or an inexpensive ferrite magnet, the apparatus can be configured.

また、従来技術磁気センサにおいて使用されているスピンバルブ式の巨大磁気抵抗効果素子(GMR)の場合(例えば、特開2006−276983号公報)には、製造工程が複雑でありかつ製造コストが高いという問題があったが、本発明のように異方性磁気抵抗素子を用いて磁気センサを構成することで、製造工程も簡単で製造コストも安く済むというメリットがあるため、異方性磁気抵抗素子を採用している。   In the case of a spin valve type giant magnetoresistive element (GMR) used in a conventional magnetic sensor (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-276983), the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is high. However, since the magnetic sensor is configured using the anisotropic magnetoresistive element as in the present invention, there is an advantage that the manufacturing process is simple and the manufacturing cost is low. The element is adopted.

図2(a)に示すのは、磁気センサ11におけるバイアス磁石15と異方性磁気抵抗素子17〜20との位置関係を示した図である。センサ内基板14はバイアス磁石15に平行で、バイアス磁石15の中心に基板14の中心が一致するように配置される。基板14の中心からXY軸方向で同一距離の4つの領域に、軸線に対して45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子17、18、19、20がそれぞれ形成される。   FIG. 2A shows a positional relationship between the bias magnet 15 and the anisotropic magnetoresistive elements 17 to 20 in the magnetic sensor 11. The sensor inner substrate 14 is parallel to the bias magnet 15, and is arranged so that the center of the substrate 14 coincides with the center of the bias magnet 15. Anisotropic magnetoresistive elements 17, 18, 19, and 20 extending in four regions at the same distance in the XY axis direction from the center of the substrate 14 in a direction that forms an angle of 45 ° (or 135 °) with respect to the axis line. Each is formed.

前記異方性磁気抵抗素子17〜20を結線する場合の回路構成を図2(b)に示す。この図2(b)に示すように、それぞれの異方性磁気抵抗素子17〜20は、ブリッジ回路として接続される。これらはセンサ内基板14上若しくはリードフレーム16上で結線されパッケージの端子として4本になり、磁気センサ11を固定する実装基板13と接続する結線の数を抑える事が可能となる。また、異方性磁気抵抗素子を使用しているためVcc−Gnd間の入力抵抗が大きくなって流れる電流値が低くなり、結果、消費電力の低減に繋がる。   FIG. 2B shows a circuit configuration when the anisotropic magnetoresistive elements 17 to 20 are connected. As shown in FIG. 2B, the anisotropic magnetoresistive elements 17 to 20 are connected as a bridge circuit. These are connected on the sensor inner substrate 14 or the lead frame 16 and become four package terminals, and the number of connections to be connected to the mounting substrate 13 to which the magnetic sensor 11 is fixed can be suppressed. Further, since the anisotropic magnetoresistive element is used, the input resistance between Vcc and Gnd is increased and the flowing current value is decreased, resulting in a reduction in power consumption.

図3に示すのは本発明の実施例2であり、これは、図1に示した磁気センサ11におけるセンサ内基板14に配置される異方性磁気抵抗素子の構成を実施例1とは変更したものである。
図3(a)は磁気センサ11におけるバイアス磁石15と異方性磁気抵抗素子との位置関係を示した図である。センサ内基板14はバイアス磁石15に平行で、バイアス磁石15の中心にセンサ内基板14の中心が一致するように配置される。センサ内基板14の中心からXY軸方向で同一距離の4つの領域のそれぞれには、互いの延伸する方向が垂直でかつ軸線に対して45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した2つの隣接する異方性磁気抵抗素子が形成され、合計8つの異方性磁気抵抗素子21a、21b、22a、22b、23a、23b、24a、24bが形成されている。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, which is different from the first embodiment in the configuration of the anisotropic magnetoresistive element arranged on the sensor inner substrate 14 in the magnetic sensor 11 shown in FIG. It is a thing.
FIG. 3A is a diagram showing the positional relationship between the bias magnet 15 and the anisotropic magnetoresistive element in the magnetic sensor 11. The sensor inner substrate 14 is parallel to the bias magnet 15 and is arranged so that the center of the sensor inner substrate 14 coincides with the center of the bias magnet 15. Each of the four regions having the same distance in the XY axis direction from the center of the sensor inner substrate 14 extends in a direction in which the extending directions are perpendicular to each other and form an angle of 45 ° (or 135 °) with respect to the axis. Two adjacent anisotropic magnetoresistive elements are formed, and a total of eight anisotropic magnetoresistive elements 21a, 21b, 22a, 22b, 23a, 23b, 24a, 24b are formed.

前記8つの異方性磁気抵抗素子(21a〜24a、21b〜24b)を結線する場合の回路構成を図3(b)に示す。それぞれの異方性磁気抵抗素子は、センサ内基板14上若しくはリードフレーム16上で結線され、パッケージの端子としては6本になる。図3(b)に示すように、異方性磁気抵抗素子(21a〜24a、21b〜24b)はホイートストンブリッジとして構成され、電気的ノイズに強くなり、高い出力を得る事ができる。   FIG. 3B shows a circuit configuration when the eight anisotropic magnetoresistive elements (21a-24a, 21b-24b) are connected. Each anisotropic magnetoresistive element is connected on the sensor inner substrate 14 or the lead frame 16, and the number of terminals of the package is six. As shown in FIG. 3 (b), the anisotropic magnetoresistive elements (21a to 24a, 21b to 24b) are configured as Wheatstone bridges, are strong against electrical noise, and can obtain a high output.

以上の説明から分かるように、本発明の実施例1と実施例2で示したセンサ内基板14上の中心からXY軸方向に同一距離の4つの領域に形成された異方性磁気抵抗素子が、図8及び図9で説明した従来技術における4つの磁気センサ(33〜36、若しくは39〜42)に該当する。異方性磁気抵抗素子は、例えば、センサ内基板14上にフォトリソ工程で成膜され、その精度はnmオーダーとなるため、従来技術において問題であった設置の際の位置決めミスが無くなり、実装基板への設置精度の向上が図られることが分かる。また、4つの領域に形成された異方性磁気抵抗素子は同時成膜される為、個々の素子の特性ばらつきは極めて小さくなることも分かる。   As can be seen from the above description, anisotropic magnetoresistive elements formed in four regions having the same distance in the XY axis direction from the center on the sensor inner substrate 14 shown in the first and second embodiments of the present invention. 8 and FIG. 9 correspond to the four magnetic sensors (33 to 36 or 39 to 42) in the prior art. The anisotropic magnetoresistive element, for example, is formed on the sensor inner substrate 14 by a photolithography process, and the accuracy thereof is on the order of nm, so that there is no positioning error at the time of installation, which is a problem in the prior art, and the mounting substrate It can be seen that the installation accuracy can be improved. It can also be seen that since the anisotropic magnetoresistive elements formed in the four regions are formed simultaneously, the variation in characteristics of the individual elements is extremely small.

次に検出原理を説明する。
図4(a)(b)に示すのは、移動磁石12における磁気ベクトルの発生を表した模式図であり、図5(a)(b)に示すのは、バイアス磁石15における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。この図4及び図5から分かるように、極磁面より放射状に磁気ベクトルが発生する。この移動磁石12とバイアス磁石15が互いに同極同士で対向すると、バイアス磁石15の近傍(バイアス磁石の磁界>移動磁石の磁界)の極磁面に平行でバイアス磁石15の大きさとほぼ同じ大きさの平面座標(異方性磁気抵抗素子が形成されSi基板若しくはガラス基板に相当)では、移動磁石12とバイアス磁石15のそれぞれの磁気ベクトルの合成磁気ベクトルが発生する。平面座標での合成磁気ベクトルは、移動磁石12とバイアス磁石15の位置関係が変化すると、同期した変化を伴う。
このように、移動磁石12のみならずバイアス磁石15も使用(極の向きに係わらず)することによって、移動磁石12の移動に伴う合成磁気ベクトルの変化を生じさせることができ、これは移動磁石12のみの場合と比較して大きな磁気ベクトルの変化となるため、磁気センサとしての感度が高まる。
さらに、移動磁石12のみを使用した場合、若しくは、バイアス磁石15と移動磁石12を異極同士を対向させて使用する場合においては、移動磁石12の半径の半分の距離を越えて移動したところから出力が横倍となってしまってそれ以上の移動の位置検出が出来ないが、バイアス磁石15と移動磁石12を同極同士を対向させて使用することによって移動磁石12の半径分の移動までリニアに検出可能となるため、検出エリアが広がる。以下において詳細に説明する。
Next, the detection principle will be described.
FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams showing the generation of magnetic vectors in the moving magnet 12, and FIGS. 5A and 5B show the generation of magnetic vectors in the bias magnet 15. FIG. As can be seen from FIGS. 4 and 5, magnetic vectors are generated radially from the polar magnetic surface. When the moving magnet 12 and the bias magnet 15 face each other with the same polarity, the moving magnet 12 and the bias magnet 15 are parallel to the polar magnetic surface in the vicinity of the bias magnet 15 (magnetic field of the bias magnet> magnetic field of the moving magnet) and are approximately the same size as the bias magnet 15. In the plane coordinates (an anisotropic magnetoresistive element is formed and corresponds to a Si substrate or a glass substrate), a combined magnetic vector of the magnetic vectors of the moving magnet 12 and the bias magnet 15 is generated. The combined magnetic vector in the plane coordinate is accompanied by a synchronous change when the positional relationship between the moving magnet 12 and the bias magnet 15 changes.
Thus, by using not only the moving magnet 12 but also the bias magnet 15 (regardless of the direction of the poles), a change in the resultant magnetic vector accompanying the movement of the moving magnet 12 can be caused. Since the magnetic vector changes greatly compared to the case of only 12, the sensitivity as a magnetic sensor is increased.
Further, when only the moving magnet 12 is used, or when the bias magnet 15 and the moving magnet 12 are used with their opposite poles facing each other, the distance from a distance that is half the radius of the moving magnet 12 has moved. Although the output becomes laterally doubled and the position of further movement cannot be detected, the linear movement until the movement of the moving magnet 12 by the radius is achieved by using the bias magnet 15 and the moving magnet 12 with the same poles facing each other. Therefore, the detection area is expanded. This will be described in detail below.

図6に示すのは、平面座標で移動磁石12が+X軸方向に移動した時の合成磁気ベクトルの変化を表した模式図である。図6(a)は、移動磁石12とバイアス磁石15の中心が重なっている場合であり、この場合の合成磁気ベクトルは、中心から放射状に発生している。図6(b)は、移動磁石12が平面座標で+X軸方向に半径の半分程度の距離だけ移動した場合であり、図6(c)は、移動磁石12が平面座標で+X軸方向に略半径の距離移動した場合である。図6(a)の状態から(b)、(c)の状態に移動磁石12が移動していくと、平面座標すなわち異方性磁気抵抗素子が形成されたセンサ内基板14の中心からXY軸方向に同一距離の4つの領域での合成磁気ベクトルは、Y軸領域においては合成磁気ベクトルの向き(α)が変化し、X軸領域では合成磁気ベクトルはほとんど変化しない。すなわち、移動磁石12のX軸方向への移動については、異方性磁気抵抗素子が形成された前記4つの領域のうちY軸領域において検出可能であり、移動磁石12のY軸方向への移動については、前記4つの領域のうちX軸領域において検出可能であるといえる。換言すれば、移動磁石12がその大きさの半径内のどの位置に移動しても前記4つの領域での合成磁気ベクトルの変化を検出することによって、座標位置検出が可能となるということである。   FIG. 6 is a schematic diagram showing a change in the resultant magnetic vector when the moving magnet 12 moves in the + X-axis direction on a plane coordinate. FIG. 6A shows a case where the centers of the moving magnet 12 and the bias magnet 15 overlap each other, and the resultant magnetic vector in this case is generated radially from the center. FIG. 6B shows a case where the moving magnet 12 has moved by a distance about half the radius in the + X-axis direction in the plane coordinates, and FIG. 6C shows that the moving magnet 12 is substantially in the + X-axis direction in the plane coordinates. This is a case of moving the distance of the radius. When the moving magnet 12 moves from the state shown in FIG. 6A to the state shown in FIGS. 6B and 6C, the plane coordinates, that is, the XY axes from the center of the sensor inner substrate 14 on which the anisotropic magnetoresistive element is formed. In the combined magnetic vectors in the four regions having the same distance in the direction, the direction (α) of the combined magnetic vector changes in the Y-axis region, and the combined magnetic vector hardly changes in the X-axis region. That is, the movement of the moving magnet 12 in the X-axis direction can be detected in the Y-axis area among the four areas where the anisotropic magnetoresistive element is formed, and the movement of the moving magnet 12 in the Y-axis direction. Can be detected in the X-axis region of the four regions. In other words, even if the moving magnet 12 moves to any position within the radius of the size, the coordinate position can be detected by detecting the change of the combined magnetic vector in the four regions. .

実際に実施例に従い装置を構築した。構築した装置は、図3(a)に示す8つの異方性磁気抵抗素子を形成した2mm×2mmのSi基板と、バイアス磁石15としてフェライト焼結材Φ1.5mm×0.35mmと、移動磁石12としてフェライト焼結材のΦ6mm×1mm、Φ4mm×1mm及びΦ3mm×1mmを用いた。
図7(a)に示すのは、移動磁石12をX軸方向に移動した時のOutAとOutA’信号の差動アンプからの出力例である。図7(b)に示すのは、移動磁石12をY軸方向に移動した時のOutBとOutB’信号の差動アンプからの出力例である。
X軸、Y軸での移動距離に伴うそれぞれの出力は同じになる事が確認できる。移動磁石12のほぼ直径に比例して出力カーブが変わる。換言すれば、移動磁石12の大きさが可動エリア(検出限界範囲)のファクターとなる。よって単に移動磁石12の大きさ変えることで検出エリア(検出限界範囲)の変更設定が容易に行う事が可能である。
An apparatus was actually constructed according to the example. The constructed apparatus includes a 2 mm × 2 mm Si substrate on which eight anisotropic magnetoresistive elements shown in FIG. 3A are formed, a ferrite sintered material Φ1.5 mm × 0.35 mm as a bias magnet 15, and a moving magnet. No. 12, Φ6 mm × 1 mm, Φ4 mm × 1 mm, and Φ3 mm × 1 mm of ferrite sintered material were used.
FIG. 7A shows an output example of the OutA and OutA ′ signals from the differential amplifier when the moving magnet 12 is moved in the X-axis direction. FIG. 7B shows an output example of the OutB and OutB ′ signals from the differential amplifier when the moving magnet 12 is moved in the Y-axis direction.
It can be confirmed that the outputs corresponding to the movement distances on the X axis and the Y axis are the same. The output curve changes in proportion to the diameter of the moving magnet 12. In other words, the size of the moving magnet 12 becomes a factor of the movable area (detection limit range). Therefore, it is possible to easily change and set the detection area (detection limit range) simply by changing the size of the moving magnet 12.

前記図7(a)(b)に示した出力カーブは正弦波形状に近似している為、OutA,A’の差動出力Aと、OutB,B’の差動出力Bを、arcsin(A/Aの最大出力)、arccos(B/Bの最大出力)で変換すれば、正確に座標位置が検出できる。
また、移動磁石を人間が操作する場合、移動磁石の移動した方向θは、arctan(A/B)の信号で得ることができ、移動磁石の移動スピードは、k×(A+B0.5の信号にて得ることができる。このような処理を用いることによって、人間の感覚に近い操作性を得ることが可能となる。
Since the output curves shown in FIGS. 7A and 7B approximate a sine wave shape, the differential output A of OutA and A ′ and the differential output B of OutB and B ′ are expressed by arcsin (A / A maximum output) and arccos (B / B maximum output), the coordinate position can be detected accurately.
When a moving magnet is operated by a human, the moving direction θ of the moving magnet can be obtained by an arctan (A / B) signal, and the moving speed of the moving magnet is k × (A 2 + B 2 ) 0. .5 signal. By using such a process, it is possible to obtain operability close to that of a human.

前記実施例1、2においては、異方性磁気抵抗素子を4つ又は8つ用いて磁気センサを構成する例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象の移動方向が一方向(例えばX軸方向のみ)の場合には、異方性磁気抵抗素子を2つとして、固定抵抗と組み合わせてブリッジ回路を構成することで、位置検出が可能となる。   In the first and second embodiments, the example in which the magnetic sensor is configured using four or eight anisotropic magnetoresistive elements has been described, but the present invention is not limited to this. For example, when the direction of movement of the detection target is one direction (for example, only in the X-axis direction), position detection is possible by configuring a bridge circuit with two anisotropic magnetoresistive elements in combination with a fixed resistor. It becomes.

本発明の磁気式座標位置検出装置10を表したものであり、(a)は斜視図、(b)は側面図である。The magnetic coordinate position detection apparatus 10 of this invention is represented, (a) is a perspective view, (b) is a side view. (a)は、磁気センサ11におけるバイアス磁石15と異方性磁気抵抗素子17〜20との位置関係を示した模式図であり、(b)は、前記異方性磁気抵抗素子17〜20の結線方法を表した回路図である。(A) is the schematic diagram which showed the positional relationship of the bias magnet 15 and the anisotropic magnetoresistive elements 17-20 in the magnetic sensor 11, (b) is the said anisotropic magnetoresistive elements 17-20. It is a circuit diagram showing the connection method. 図1における磁気式座標位置検出装置10における磁気センサ11の他の実施例を表したもので、(a)は磁気センサにおけるバイアス磁石15と異方性磁気抵抗素子との位置関係を示した模式図であり、(b)は、前記異方性磁気抵抗素子21a〜24a、21b〜24bの結線方法を表した回路図である。FIG. 3 shows another embodiment of the magnetic sensor 11 in the magnetic coordinate position detection apparatus 10 in FIG. 1, wherein (a) is a schematic diagram showing the positional relationship between the bias magnet 15 and the anisotropic magnetoresistive element in the magnetic sensor. It is a figure and (b) is a circuit diagram showing the connection method of the said anisotropic magnetoresistive elements 21a-24a, 21b-24b. 移動磁石12における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。3 is a schematic diagram illustrating generation of a magnetic vector in a moving magnet 12. FIG. バイアス磁石15における磁気ベクトルの発生を表した模式図である。3 is a schematic diagram showing generation of magnetic vectors in the bias magnet 15. FIG. 平面座標で移動磁石12が+X軸方向に移動した時の合成磁気ベクトルの変化を表した模式図である。It is the schematic diagram showing the change of the synthetic | combination magnetic vector when the moving magnet 12 moves to + X-axis direction by the plane coordinate. 移動磁石12をX軸方向に移動した時のOutAとOutA’信号の差動アンプからの出力図であり、移動磁石12をY軸方向に移動した時のOutBとOutB’信号の差動アンプからの出力図である。It is an output diagram from the differential amplifier of the OutA and OutA ′ signals when the moving magnet 12 is moved in the X-axis direction, and from the differential amplifier of the OutB and OutB ′ signals when the moving magnet 12 is moved in the Y-axis direction. FIG. 従来技術における位置検出装置の基本的構造を表したものであり、(a)は側面図、(b)は斜視図、(c)は出力図である。1A and 1B show a basic structure of a position detection device in the prior art, in which FIG. 1A is a side view, FIG. 1B is a perspective view, and FIG. 従来技術における位置検出装置の基本的構造の他の例を表したものであり、(a)は側面図、(b)は斜視図、(c)は出力図である。It shows another example of the basic structure of the position detection device in the prior art, (a) is a side view, (b) is a perspective view, (c) is an output diagram.

符号の説明Explanation of symbols

10…磁気式座標位置検出装置、11…磁気センサ、12…移動磁石、13…実装基板、14…センサ内基板、15…バイアス磁石、16…リードフレーム、17〜20…異方性磁気抵抗素子、21a〜24a及び21b〜24b…異方性磁気抵抗素子、31…磁石、32…実装基板、33〜36…磁気センサ、37…磁石、38…実装基板、39〜42…磁気センサ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Magnetic coordinate position detection apparatus, 11 ... Magnetic sensor, 12 ... Moving magnet, 13 ... Mounting board, 14 ... In-sensor board, 15 ... Bias magnet, 16 ... Lead frame, 17-20 ... Anisotropic magnetoresistive element 21a-24a and 21b-24b ... anisotropic magnetoresistive element, 31 ... magnet, 32 ... mounting substrate, 33-36 ... magnetic sensor, 37 ... magnet, 38 ... mounting substrate, 39-42 ... magnetic sensor.

Claims (4)

検出対象に取付けられ平面上で一定の半径内で移動する移動磁石と、前記移動磁石の位置変化による磁気ベクトルの変化を検出する磁気センサとを備えた磁気式座標位置検出装置であって、前記磁気センサは、基板(センサ内基板)上に形成された複数の異方性磁気抵抗素子とバイアス磁石とを備えてパッケージされたことを特徴とする磁気式座標位置検出装置。   A magnetic coordinate position detection apparatus comprising: a moving magnet attached to a detection target and moving within a fixed radius on a plane; and a magnetic sensor for detecting a change in a magnetic vector due to a change in position of the moving magnet, A magnetic coordinate position detecting device, wherein the magnetic sensor is packaged with a plurality of anisotropic magnetoresistive elements formed on a substrate (substrate in the sensor) and a bias magnet. 前記移動磁石と前記バイアス磁石は、移動磁石の移動する前記平面に対して垂直な方向に着磁され、かつ互いに対抗する面が同極に着磁されてなることを特徴とする請求項1記載の磁気式座標位置検出装置。   2. The moving magnet and the bias magnet are magnetized in a direction perpendicular to the plane on which the moving magnet moves, and surfaces facing each other are magnetized to the same polarity. Magnetic coordinate position detection device. 前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてX軸及びY軸上の原点から同一距離の位置に4つの領域を形成し、この各々の領域に対して、軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した異方性磁気抵抗素子をそれぞれ形成して、合計4つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気式座標位置検出装置。   In the magnetic sensor, four regions are formed on the substrate parallel to the magnetic pole surface of the bias magnet at the same distance from the origin on the X and Y axes with the magnetic center of the magnetic pole surface of the bias magnet as the origin. Then, an anisotropic magnetoresistive element extended in a direction forming an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis is formed for each of these regions, and is composed of a total of four anisotropic magnetoresistive elements. 3. The magnetic coordinate position detection apparatus according to claim 1, wherein the magnetic coordinate position detection apparatus is a magnetic coordinate position detection apparatus. 前記磁気センサは、前記バイアス磁石の磁極面に平行な基板上に、前記バイアス磁石の磁極面の磁気的中心を原点としてX軸及びY軸上の原点から同一距離の位置に4つの領域を形成し、この各々の領域に対して、互いの延伸する方向が成す角度が垂直でかつ軸線と45°(又は135°)の角度をなす方向に延伸した2つの異方性磁気抵抗素子を隣接させて形成して、合計8つの異方性磁気抵抗素子から構成されることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気式座標位置検出装置。   In the magnetic sensor, four regions are formed on the substrate parallel to the magnetic pole surface of the bias magnet at the same distance from the origin on the X and Y axes with the magnetic center of the magnetic pole surface of the bias magnet as the origin. In each of the regions, two anisotropic magnetoresistive elements extending in a direction perpendicular to each other and extending in an angle of 45 ° (or 135 °) with the axis are adjacent to each other. 3. The magnetic coordinate position detecting device according to claim 1, wherein the magnetic coordinate position detecting device is formed of a total of eight anisotropic magnetoresistive elements.
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