JP2009140817A - Organic el planar light-emitting apparatus - Google Patents

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豪介 坂元
Makoto Takamura
誠 高村
Noriyuki Shimoji
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Masaki Maeda
将規 前田
Takashi Osako
崇 大迫
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL planar light emitting apparatus that emits a planar light of a uniform luminance. <P>SOLUTION: The organic EL planar light emitting apparatus A1 includes an organic layer 5, a metal electrode layer 6 and a transparent electrode layer 2 which pinch the organic layer 5 and has a light emitting region 7 which emits a planar light. Furthermore, there is provided a metal layer 3 which is arranged between the organic layer 5 and the transparent electrode layer 2 and is positioned within the light-emitting region 7. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、たとえば照明用途あるいは広告表示用途に用いられる有機ＥＬ面状発光装置に関する。   The present invention relates to an organic EL planar light-emitting device used for lighting or advertisement display, for example.

図９は、従来の有機ＥＬ面状発光装置の一例を示している。同図に示された有機ＥＬ面状発光装置Ｘは、基板９１に透明電極層９２、有機層９３、および金属電極層９４が積層された構造を有している。基板９１は、たとえばガラスからなる。透明電極層９２は、たとえばＩＴＯからなり、基板９１の大部分を覆っている。有機層９３は、たとえば正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層された構成とされている。金属電極層９４は、たとえばＡｌなどの金属からなる。透明電極層９２に電源の＋極が、金属電極層９４に電源の−極がそれぞれ接続される。この電源からの電力供給により、有機層９３は、所定の波長の光を発する。この光は、透明電極層９２および基板９１を透して基板９１の下面から出射される。このように、有機ＥＬ面状発光装置Ｘは、たとえば矩形状の面状光を発するものとして構成されている。   FIG. 9 shows an example of a conventional organic EL planar light emitting device. The organic EL planar light emitting device X shown in the figure has a structure in which a transparent electrode layer 92, an organic layer 93, and a metal electrode layer 94 are laminated on a substrate 91. The substrate 91 is made of glass, for example. The transparent electrode layer 92 is made of, for example, ITO and covers most of the substrate 91. The organic layer 93 has a structure in which, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked. The metal electrode layer 94 is made of a metal such as Al. The positive electrode of the power source is connected to the transparent electrode layer 92, and the negative electrode of the power source is connected to the metal electrode layer 94, respectively. By supplying power from this power source, the organic layer 93 emits light of a predetermined wavelength. This light is emitted from the lower surface of the substrate 91 through the transparent electrode layer 92 and the substrate 91. Thus, the organic EL planar light emitting device X is configured to emit, for example, rectangular planar light.

しかしながら、均一な輝度分布の面状光を得るためには、有機ＥＬ面状発光装置Ｘには、以下のような問題点があった。   However, in order to obtain planar light having a uniform luminance distribution, the organic EL planar light emitting device X has the following problems.

まず、透明電極層９２は、比較的広い領域に広がる薄膜状とされている。透明電極層９２の代表的な材料であるＩＴＯは、たとえば金属と比べて導電率が小さい。このため、透明電極層９２の端縁では、電圧降下が顕著となる。この結果、有機層９３の端縁部分から発せられる光の輝度が相対的に低下していた。   First, the transparent electrode layer 92 has a thin film shape that spreads over a relatively wide area. ITO, which is a representative material of the transparent electrode layer 92, has a lower electrical conductivity than, for example, metal. For this reason, the voltage drop becomes significant at the edge of the transparent electrode layer 92. As a result, the luminance of the light emitted from the edge portion of the organic layer 93 was relatively lowered.

また、有機層９３は、発光に際し発熱する。有機層９３が比較的広い領域に広がっているため、その中央寄り部分に熱がこもりやすい。高温となった中央寄り部分は、相対的に高抵抗となるため、さらに発熱しやすくなる。この中央寄り部分が選択的に高温となるヒートスポット現象は、中央寄り部分の輝度を低下させる原因となっていた。   The organic layer 93 generates heat during light emission. Since the organic layer 93 is spread over a relatively wide area, heat tends to be trapped in the central portion. Since the portion near the center that has become high temperature has a relatively high resistance, it is more likely to generate heat. This heat spot phenomenon in which the central portion selectively becomes high in temperature has caused a decrease in luminance at the central portion.

特開２００７−２２７０９４号公報JP 2007-227094 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、均一な輝度の面状光を出射することが可能な有機ＥＬ面状発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object thereof is to provide an organic EL planar light emitting device capable of emitting planar light with uniform brightness.

本発明によって提供される有機ＥＬ面状発光装置は、有機層と、上記有機層を挟む金属電極層および透明電極層と、を備え、面状光を発する発光領域を有する有機ＥＬ面状光源装置であって、上記有機層と上記透明電極層との間に介在し、かつ上記発光領域内に位置する金属層をさらに備えることを特徴としている。   An organic EL planar light-emitting device provided by the present invention includes an organic layer, a metal electrode layer and a transparent electrode layer sandwiching the organic layer, and has an emission region that emits planar light. The method further comprises a metal layer interposed between the organic layer and the transparent electrode layer and positioned in the light emitting region.

このような構成によれば、上記透明電極層および上記金属層を合わせた部分の抵抗分布に着目すると、上記金属層が設けられた領域が相対的に低抵抗となる。したがって、上記有機層に至る電流経路において電圧低下が不当に大となることを防止することができる。また、上記有機層から発生した熱を上記金属層を伝って拡散させることができる。これによりヒートスポット現象を回避することが可能である。これらより、上記有機ＥＬ面状発光装置から均一な輝度分布の面状光を発することができる。   According to such a configuration, when attention is paid to the resistance distribution of the combined portion of the transparent electrode layer and the metal layer, the region provided with the metal layer has a relatively low resistance. Therefore, it is possible to prevent the voltage drop from becoming unduly large in the current path leading to the organic layer. Further, heat generated from the organic layer can be diffused through the metal layer. Thereby, it is possible to avoid the heat spot phenomenon. Accordingly, planar light having a uniform luminance distribution can be emitted from the organic EL planar light emitting device.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記金属層は、帯状とされている。このような構成によれば、上記金属層が上記有機層からの光を過大に遮ってしまうことを防止することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the metal layer has a strip shape. According to such a configuration, the metal layer can be prevented from excessively blocking light from the organic layer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記金属層は、上記有機層の端縁に沿って配置されている。このような構成によれば、上記有機層の上記端縁付近の部分と電源との間の電圧降下を縮小することが可能である。したがって、上記有機層の上記端縁付近の部分から発せられる光の輝度が不当に低下することを抑制可能であり、均一な輝度分布の面状光を発することができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the metal layer is disposed along an edge of the organic layer. According to such a configuration, it is possible to reduce a voltage drop between a portion near the edge of the organic layer and a power source. Therefore, it is possible to suppress the luminance of light emitted from a portion near the edge of the organic layer from being unduly lowered, and it is possible to emit planar light having a uniform luminance distribution.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１および図２は、本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第１実施形態を示している。本実施形態の有機ＥＬ面状発光装置Ａ１は、基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を備えている。有機ＥＬ面状発光装置Ａ１は、基板１下面の発光領域７から星型の面状光を出射するボトムエミッション型の発光装置として構成されており、照明用途や広告表示用途に供される。なお、図１においては、理解の便宜上、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を省略している。   1 and 2 show a first embodiment of an organic EL planar light emitting device according to the present invention. The organic EL planar light emitting device A1 of this embodiment includes a substrate 1, a transparent electrode layer 2, a metal layer 3, an insulating layer 4, an organic layer 5, and a metal electrode layer 6. The organic EL planar light emitting device A1 is configured as a bottom emission type light emitting device that emits star-shaped planar light from the light emitting region 7 on the lower surface of the substrate 1, and is used for illumination applications and advertisement display applications. In FIG. 1, the insulating layer 4, the organic layer 5, and the metal electrode layer 6 are omitted for convenience of understanding.

基板１は、たとえばガラスからなる透明基板であり、本実施形態においては、星型とされている。基板１は、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を支持するためのものである。   The substrate 1 is a transparent substrate made of glass, for example, and is a star shape in this embodiment. The substrate 1 is for supporting the transparent electrode layer 2, the metal layer 3, the insulating layer 4, the organic layer 5, and the metal electrode layer 6.

透明電極層２は、電源の＋極に接続されており、正孔を供給するためのアノード電極である。透明電極層２は、たとえばＩＴＯからなり、基板１よりも一回り小さい星型とされている。   The transparent electrode layer 2 is connected to the positive electrode of the power source and is an anode electrode for supplying holes. The transparent electrode layer 2 is made of, for example, ITO and has a star shape that is slightly smaller than the substrate 1.

有機層５は、有機材料からなり、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層された構造とされている。有機層５は、透明電極層２とほとんど同じ大きさの星型とされている。有機層５を基板１下面に投影した領域が、発光領域７となっている。上記正孔注入層は、透明電極層２から上記発光層への正孔注入効率を向上させる役割を有するものであり、たとえばＣｕＰｃからなる。上記正孔輸送層は、上記発光層への正孔の移動を効率良く行うとともに、上記発光層における電子と正孔との再結合効率を高める役割を有するものであり、たとえばフェニレンジアミン型の化合物からなる。   The organic layer 5 is made of an organic material and has a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked. The organic layer 5 is a star having almost the same size as the transparent electrode layer 2. A region where the organic layer 5 is projected onto the lower surface of the substrate 1 is a light emitting region 7. The hole injection layer has a role of improving the hole injection efficiency from the transparent electrode layer 2 to the light emitting layer, and is made of, for example, CuPc. The hole transport layer has a role of efficiently transferring holes to the light emitting layer and increasing the recombination efficiency of electrons and holes in the light emitting layer. For example, a phenylenediamine type compound Consists of.

上記発光層は、発光物質を含んでおり、透明電極層２からの正孔と金属電極層６からの電子とが再結合することにより励起子を生成する場である。上記励起子が上記発光層内を移動する過程において上記発光物質が発光する。上記発光層に含まれる発光物質の種類を選択することにより、赤色光、緑色光および青色光などを自発光するように構成されている。上記発光物質としては、たとえばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体（Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ））、およびフェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光またはりん光性発光物質を使用することができる。もちろん、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン、ポリフルオレン、およびこれらの誘導体などのような高分子発光物質を用いてもよい。 The light emitting layer contains a light emitting substance, and is a place where excitons are generated by recombination of holes from the transparent electrode layer 2 and electrons from the metal electrode layer 6. The luminescent material emits light in the process of excitons moving in the luminescent layer. By selecting the type of luminescent material contained in the light emitting layer, red light, green light, blue light, and the like are self-luminous. Examples of the light-emitting substance include tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, ditoluylvinylbiphenyl, tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex (Eu (DBM) 3 (Phen)) And fluorescent or phosphorescent emissive materials such as phenylpyridine iridium compounds can be used. Of course, polymer light-emitting substances such as poly (p-phenylene vinylene), polyalkylthiophene, polyfluorene, and derivatives thereof may be used.

上記電子輸送層は、上記発光層への電子の移動を効率良く行うとともに、上記発光層における電子と正孔との再結合効率を高める役割を有するものである。上記電子輸送層を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメタン、ジフェニルキノン、ペリレンテトラカルボン酸、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンズオキサゾール、およびこれらの誘導体を用いることができる。   The electron transport layer has a role of efficiently transferring electrons to the light emitting layer and increasing the recombination efficiency of electrons and holes in the light emitting layer. As a material constituting the electron transport layer, for example, anthraquinodimethane, diphenylquinone, perylenetetracarboxylic acid, triazole, oxazole, oxadiazole, benzoxazole, and derivatives thereof can be used.

金属層３は、透明電極層２と有機層５との間に介在しており、平面視において発光領域７内に形成されている。金属層３は、帯状であり、有機層５の端縁５ａに沿った星型を描く形状とされている。金属層３は、たとえばＭｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｇあるいはこれらを含む合金からなり、透明電極層２よりも低抵抗であり、かつ熱伝導率が高い層となっている。   The metal layer 3 is interposed between the transparent electrode layer 2 and the organic layer 5 and is formed in the light emitting region 7 in plan view. The metal layer 3 has a band shape and has a shape that draws a star shape along the edge 5 a of the organic layer 5. The metal layer 3 is made of, for example, Mo, Al, Ni, Cr, Ag, Au, Mg, or an alloy containing these, and has a lower resistance and higher thermal conductivity than the transparent electrode layer 2.

絶縁層４は、たとえばＳｉＯ2などの絶縁材料からなり、金属層３を覆っている。これにより、絶縁層４は、金属層３と有機層５および金属電極層６とを絶縁している。 The insulating layer 4 is made of an insulating material such as SiO 2 and covers the metal layer 3. Thereby, the insulating layer 4 insulates the metal layer 3 from the organic layer 5 and the metal electrode layer 6.

金属電極層６は、電源の−極に接続されており、電子を供給するためのカソード電極である。金属電極層６は、たとえばＡｌからなり、比較的反射率が高い層とされている。   The metal electrode layer 6 is connected to the negative electrode of the power source and is a cathode electrode for supplying electrons. The metal electrode layer 6 is made of, for example, Al and has a relatively high reflectance.

次に、有機ＥＬ面状発光装置Ａ１の作用について説明する。   Next, the operation of the organic EL planar light emitting device A1 will be described.

本実施形態によれば、電源の＋極に導通する透明電極層２および金属層３を合わせた部分の抵抗分布に着目すると、金属層３が設けられた領域が相対的に低抵抗となる。金属層３は有機層５の端縁５ａに沿うように配置されているため、有機層５の端縁５ａ付近の部分と電源との間の電圧降下を縮小することが可能である。したがって、有機層５の端縁５ａ付近の部分から発せられる光の輝度が不当に低下することを抑制可能であり、均一な輝度分布の面状光を発することができる。   According to the present embodiment, when attention is paid to the resistance distribution of the combined portion of the transparent electrode layer 2 and the metal layer 3 that conducts to the positive pole of the power source, the region provided with the metal layer 3 has a relatively low resistance. Since the metal layer 3 is disposed along the edge 5 a of the organic layer 5, it is possible to reduce the voltage drop between the portion near the edge 5 a of the organic layer 5 and the power source. Therefore, it is possible to suppress the luminance of light emitted from the portion near the edge 5a of the organic layer 5 from being unduly lowered, and it is possible to emit planar light having a uniform luminance distribution.

図３〜図９は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、図３、図５、図７、図８においては、図１と同様に絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を省略している。   3 to 9 show other embodiments of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment. 3, 5, 7, and 8, the insulating layer 4, the organic layer 5, and the metal electrode layer 6 are omitted as in FIG. 1.

図３および図４は、本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第２実施形態を示している。本実施形態の有機ＥＬ面状発光装置Ａ２は、基板１、透明電極層２、金属層３、有機層５、および金属電極層６の形状が、上述した実施形態と異なっており、円形の非照射領域を有する矩形状の面状光を出射可能に構成されている。   3 and 4 show a second embodiment of the organic EL planar light emitting device according to the present invention. In the organic EL planar light emitting device A2 of the present embodiment, the shapes of the substrate 1, the transparent electrode layer 2, the metal layer 3, the organic layer 5, and the metal electrode layer 6 are different from those of the above-described embodiments, and are not circular. It is configured to be able to emit rectangular planar light having an irradiation region.

基板１には、貫通孔１ａが形成されている。貫通孔１ａは、断面円形状であり、基板１を貫通している。透明電極層２、有機層５、および金属電極層６は、貫通孔１ａを避けるように基板１上に形成されている。金属層３は、上述した実施形態と同様に、有機層５の端縁５ａに沿って形成されており、貫通孔１ａを囲っている。本実施形態においては、金属層３と有機層５との間には上述した実施形態における絶縁層４は形成されていない。   A through hole 1 a is formed in the substrate 1. The through hole 1 a has a circular cross section and penetrates the substrate 1. The transparent electrode layer 2, the organic layer 5, and the metal electrode layer 6 are formed on the substrate 1 so as to avoid the through holes 1a. Similar to the above-described embodiment, the metal layer 3 is formed along the edge 5a of the organic layer 5 and surrounds the through hole 1a. In the present embodiment, the insulating layer 4 in the above-described embodiment is not formed between the metal layer 3 and the organic layer 5.

本実施形態においては、有機層５のうち貫通孔１ａを囲う環状部分と電源との間の電圧降下を、金属層３による低抵抗化により抑制することができる。したがって、貫通孔１ａを囲う部分から発せられる光の輝度が低下することを防止可能であり、均一な面状光を発することができる。   In the present embodiment, the voltage drop between the annular portion of the organic layer 5 surrounding the through hole 1 a and the power source can be suppressed by the reduction in resistance due to the metal layer 3. Therefore, it is possible to prevent the luminance of light emitted from the portion surrounding the through hole 1a from being lowered, and uniform planar light can be emitted.

図５および図６は、本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第３実施形態を示している。本実施形態の有機ＥＬ面状発光装置Ａ３は、金属層３の形状および配置が、上述したいずれの実施形態とも異なっている。本実施形態においては、金属層３は、互いに並列に配置された複数の帯状要素によって構成されている。各帯状要素は比較的細状であるため、有機層５のうち金属層３と重なる部分はごくわずかである。   5 and 6 show a third embodiment of the organic EL planar light emitting device according to the present invention. The organic EL planar light emitting device A3 of this embodiment is different from any of the above-described embodiments in the shape and arrangement of the metal layer 3. In the present embodiment, the metal layer 3 is composed of a plurality of strip-like elements arranged in parallel with each other. Since each strip-like element is relatively thin, there is very little portion of the organic layer 5 overlapping the metal layer 3.

このような実施形態によれば、有機ＥＬ面状発光装置Ａ３が発光する際に有機層５から発する熱は、帯状とされた金属層３を伝って拡散する。このため、有機層５の中央部分に選択的に熱がこもることを抑制可能であり、上述したヒートスポット現象を回避できる。したがって、有機ＥＬ面状光源装置Ａ３から均一な輝度分布の面状光を発することができる。   According to such an embodiment, the heat generated from the organic layer 5 when the organic EL planar light emitting device A3 emits light is diffused through the metal layer 3 formed into a belt shape. For this reason, it is possible to suppress heat from being selectively stored in the central portion of the organic layer 5, and the above-described heat spot phenomenon can be avoided. Therefore, planar light having a uniform luminance distribution can be emitted from the organic EL planar light source device A3.

図７および図８は、本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第４および第５実施形態を示している。これらの実施形態の有機ＥＬ面状発光装置Ａ４，Ａ５は、金属層３の形状が上述した第３実施形態と異なっている。有機ＥＬ面状発光装置Ａ４においては、金属層３は、格子状の帯状とされている。有機ＥＬ面状発光装置Ａ５においては、金属層３は、蜂の巣模様を構成する帯状とされている。これらの実施形態によっても、均一な輝度分布の面状光を発することができる。これらの実施形態から理解できるように、ヒートスポット現象を回避することを目的とすれば、金属層３は、有機層５と重なる部分が比較的小面積であり、かつ有機層５の広い部分と離散的に重なる形状が好ましい。   7 and 8 show fourth and fifth embodiments of the organic EL planar light emitting device according to the present invention. In the organic EL planar light emitting devices A4 and A5 of these embodiments, the shape of the metal layer 3 is different from that of the third embodiment described above. In the organic EL planar light emitting device A4, the metal layer 3 has a grid-like strip shape. In the organic EL planar light emitting device A5, the metal layer 3 has a strip shape that forms a honeycomb pattern. Also according to these embodiments, planar light having a uniform luminance distribution can be emitted. As can be understood from these embodiments, in order to avoid the heat spot phenomenon, the metal layer 3 has a relatively small area overlapping with the organic layer 5 and a wide area of the organic layer 5. Discretely overlapping shapes are preferred.

本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The organic EL planar light emitting device according to the present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each part of the organic EL planar light emitting device according to the present invention can be varied in design in various ways.

本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第１実施形態を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows 1st Embodiment of the organic electroluminescent planar light-emitting device concerning this invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG. 本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第２実施形態を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows 2nd Embodiment of the organic electroluminescent planar light-emitting device concerning this invention. 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第３実施形態を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows 3rd Embodiment of the organic electroluminescent planar light-emitting device concerning this invention. 図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VI-VI line of FIG. 本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第４実施形態を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows 4th Embodiment of the organic electroluminescent planar light-emitting device concerning this invention. 本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第５実施形態を示す要部斜視図である。It is a principal part perspective view which shows 5th Embodiment of the organic electroluminescent planar light-emitting device concerning this invention. 従来の有機ＥＬ面状発光装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the conventional organic electroluminescent planar light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５ 有機ＥＬ面状発光装置
１ 基板
１ａ 貫通孔
２ 透明電極層
３ 金属層
４ 絶縁層
５ 有機層
５ａ 端縁
６ 金属電極層
７ 発光領域 A1, A2, A3, A4, A5 Organic EL planar light emitting device 1 Substrate 1a Through hole 2 Transparent electrode layer 3 Metal layer 4 Insulating layer 5 Organic layer 5a Edge 6 Metal electrode layer 7 Light emitting region

Claims (3)

有機層と、
上記有機層を挟む金属電極層および透明電極層と、
を備え、
面状光を発する発光領域を有する有機ＥＬ面状光源装置であって、
上記有機層と上記透明電極層との間に介在し、かつ上記発光領域内に位置する金属層をさらに備えることを特徴とする、有機ＥＬ面状発光装置。 An organic layer,
A metal electrode layer and a transparent electrode layer sandwiching the organic layer,
With
An organic EL planar light source device having a light emitting region that emits planar light,
An organic EL planar light emitting device, further comprising a metal layer interposed between the organic layer and the transparent electrode layer and positioned in the light emitting region. 上記金属層は、帯状とされている、請求項１に記載の有機ＥＬ面状発光装置。   The organic EL planar light-emitting device according to claim 1, wherein the metal layer has a strip shape. 上記金属層は、上記有機層の端縁に沿って配置されている、請求項２に記載の有機ＥＬ面状発光装置。   The organic EL planar light-emitting device according to claim 2, wherein the metal layer is disposed along an edge of the organic layer.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014759A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP2012079616A (en) * 2010-10-05 2012-04-19 Seiko Epson Corp Illumination device
JP2012089240A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Seiko Epson Corp Lighting device
KR20120073124A (en) 2010-12-24 2012-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device and lighting device
WO2012090903A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Ｎｅｃライティング株式会社 Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing said lighting device
JP2013514612A (en) * 2009-12-16 2013-04-25 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Organic light emitting device having uniform temperature distribution
JP2013528792A (en) * 2010-04-26 2013-07-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ X-ray detector having improved spatial gain uniformity and resolution and method of manufacturing the same
US8487338B2 (en) 2010-07-26 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
WO2013179485A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 パイオニア株式会社 Organic el panel and method for manufacturing same
EP2693841A1 (en) * 2011-03-29 2014-02-05 Nec Lighting, Ltd. Organic el light emitting device, manufacturing method therefor, and organic el illumination device
JP2014096355A (en) * 2012-11-09 2014-05-22 Em Microelectronic Marin Sa Method of manufacturing oled display device, oled display device manufactured, and clock including the same
JPWO2012086758A1 (en) * 2010-12-24 2014-06-05 Ｎｅｃライティング株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING DEVICE
TWI479713B (en) * 2012-09-06 2015-04-01 Ultimate Image Corp Organic semiconductor lighting apparatus
JP2021184401A (en) * 2020-12-25 2021-12-02 パイオニア株式会社 Light-emitting device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199680A (en) * 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd Electroluminescence element
JP2006147190A (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Dainippon Printing Co Ltd Light emission display panel and production method therefor
JP2006269100A (en) * 2005-03-22 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd Display device
JP2006310019A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Optrex Corp Organic electro-luminescence device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199680A (en) * 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd Electroluminescence element
JP2006147190A (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Dainippon Printing Co Ltd Light emission display panel and production method therefor
JP2006269100A (en) * 2005-03-22 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd Display device
JP2006310019A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Optrex Corp Organic electro-luminescence device

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013514612A (en) * 2009-12-16 2013-04-25 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Organic light emitting device having uniform temperature distribution
US9995831B2 (en) 2010-04-26 2018-06-12 Koninklijke Philips N.V. X-ray detector with improved spatial gain uniformity and resolution and method of fabricating such X-ray detector
JP2013528792A (en) * 2010-04-26 2013-07-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ X-ray detector having improved spatial gain uniformity and resolution and method of manufacturing the same
WO2012014759A1 (en) * 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP2012049112A (en) * 2010-07-26 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device, lighting device, and method of manufacturing light-emitting device
US9728737B2 (en) 2010-07-26 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
US8487338B2 (en) 2010-07-26 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
US8841695B2 (en) 2010-07-26 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
US8748930B2 (en) 2010-07-26 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP2012079616A (en) * 2010-10-05 2012-04-19 Seiko Epson Corp Illumination device
JP2012089240A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Seiko Epson Corp Lighting device
JPWO2012086758A1 (en) * 2010-12-24 2014-06-05 Ｎｅｃライティング株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING DEVICE
KR20120073124A (en) 2010-12-24 2012-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device and lighting device
US8586974B2 (en) 2010-12-24 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
JP5988380B2 (en) * 2010-12-24 2016-09-07 Ｎｅｃライティング株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING DEVICE
US9119272B2 (en) 2010-12-24 2015-08-25 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent element and organic electroluminescent lighting device
US8969860B2 (en) 2010-12-28 2015-03-03 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing the lighting device
JPWO2012090903A1 (en) * 2010-12-28 2014-06-05 Ｎｅｃライティング株式会社 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE LIGHTING DEVICE
WO2012090903A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Ｎｅｃライティング株式会社 Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing said lighting device
US9537114B2 (en) 2011-03-29 2017-01-03 Nec Lighting, Ltd. Organic EL light emitting device, manufacturing method therefor, and organic EL illumination device
US8963144B2 (en) 2011-03-29 2015-02-24 Nec Lighting, Ltd. Organic EL light emitting device, manufacturing method therefor, and organic EL illumination device
US9269928B2 (en) 2011-03-29 2016-02-23 Nec Lighting, Ltd. Organic EL light emitting device, manufacturing method therefor, and organic EL illumination device
EP2693841A4 (en) * 2011-03-29 2014-10-22 Nec Lighting Ltd Organic el light emitting device, manufacturing method therefor, and organic el illumination device
EP2693841A1 (en) * 2011-03-29 2014-02-05 Nec Lighting, Ltd. Organic el light emitting device, manufacturing method therefor, and organic el illumination device
WO2013179485A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 パイオニア株式会社 Organic el panel and method for manufacturing same
TWI479713B (en) * 2012-09-06 2015-04-01 Ultimate Image Corp Organic semiconductor lighting apparatus
JP2014096355A (en) * 2012-11-09 2014-05-22 Em Microelectronic Marin Sa Method of manufacturing oled display device, oled display device manufactured, and clock including the same
JP2021184401A (en) * 2020-12-25 2021-12-02 パイオニア株式会社 Light-emitting device

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