JP2009136119A - Actuator and image forming apparatus - Google Patents

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Kosuke Wakamatsu
康介 若松
Kenji Otsuka
賢治 大塚
Yasuhide Matsuo
泰秀 松尾
Kazuhisa Higuchi
和央 樋口
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actuator for which a degree of freedom in designing can be ensured when designing a vibration section and a coil and which can achieve a high bonding strength and a high dimensional accuracy between the vibration section and the coil when the vibration section and the coil are bonded together, and also to provide an image forming apparatus provided with the actuator. <P>SOLUTION: The actuator 1 is equipped with the vibration section having a moving plate 21, the vibration section 20 with shaft members 22 and 23 for rotatably supporting the moving plate 21, and the coil 212 which is provided on the moving plate 21 and has an electric conductivity, wherein the moving plate 21 and the coil 212 are bonded together via a bonding film 5a. The bonding film 5a includes an Si skeleton containing a siloxane bond and having a random atomic structure and a leaving group which bonds with the Si skeleton. By giving energy to at least a portion of the bonding film 5a, the leaving group existing near the surface of the bonding film 5a is detached from the Si skeleton, and the moving plate 21 and the coil 212 are bonded by an adhesiveness developed on the surface of the bonding film 5a. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクチュエータおよび画像形成装置に関する。   The present invention relates to an actuator and an image forming apparatus.

例えば、レーザプリンタ等にて光走査により描画を行うための光スキャナとして、捩り振動子を構成する構造体を有するアクチュエータを用いたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に開示されたアクチュエータでは、反射ミラーを有する可動部が1対のトーションバーを介して枠状の支持部に軸支されている。そして、コイルが可動部に設けられて(接合されて)いるとともに、支持部上に薄膜状の磁石が設けられている。この磁石の磁界中に配されたコイルに通電することにより、可動部を各トーションバーの捩れ変形を伴って回動させ、反射ミラーで反射した光を走査する。   For example, an optical scanner for performing drawing by optical scanning with a laser printer or the like is known that uses an actuator having a structure constituting a torsional vibrator (see, for example, Patent Document 1). In the actuator disclosed in Patent Document 1, a movable part having a reflection mirror is pivotally supported on a frame-like support part via a pair of torsion bars. A coil is provided (joined) on the movable part, and a thin-film magnet is provided on the support part. By energizing the coil disposed in the magnetic field of the magnet, the movable part is rotated with the torsional deformation of each torsion bar, and the light reflected by the reflection mirror is scanned.

ところで、このようなアクチュエータでは、可動部とコイルとは、例えば、これらの間を感光性接着剤または弾性接着剤で接着することによって組み立てられている。
しかしながら、可動部とコイルとの間に接着剤を供給する際に、接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、可動部とコイルとの距離が不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、アクチュエータが設置される(使用される)環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
一方、部材同士を固体接合法によって接合する方法も知られている。この固体接合は、接着剤等の接着層を介在させることなく、部材同士を直接接合する方法であり、例えば、シリコン直接接合法、陽極接合法等の方法が知られている。
By the way, in such an actuator, the movable part and the coil are assembled, for example, by bonding them with a photosensitive adhesive or an elastic adhesive.
However, it is extremely difficult to strictly control the supply amount of the adhesive when supplying the adhesive between the movable part and the coil. For this reason, the amount of the adhesive to be supplied cannot be made uniform, and there arises a problem that the distance between the movable part and the coil becomes nonuniform, that is, the dimensional accuracy deteriorates. Further, depending on the environment where the actuator is installed (used), the adhesive may be altered or deteriorated. For this reason, there also exists a problem that joint strength falls.
On the other hand, a method of joining members by a solid joining method is also known. This solid bonding is a method in which members are directly bonded without interposing an adhesive layer such as an adhesive. For example, methods such as a silicon direct bonding method and an anodic bonding method are known.

ところが、固体接合には、以下に記載するような、アクチュエータを設計する際における制限(問題)が生じる。
・接合可能な部材の材質が限られる。
・接合プロセスにおいて高温(例えば、700〜800℃程度)での熱処理を伴うため、部材の材質によっては、当該部材に変形が生じるおそれがある。
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる。
・一部の領域を部分的に接合することができない。
However, solid bonding has limitations (problems) when designing an actuator as described below.
・ Materials of members that can be joined are limited.
-Since a heat treatment at a high temperature (for example, about 700 to 800 ° C) is involved in the joining process, the member may be deformed depending on the material of the member.
-The atmosphere in the bonding process is limited to a reduced pressure atmosphere.
-Some areas cannot be partially joined.

特開2007−14130号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-14130

本発明の目的は、振動部とコイルとを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部とコイルとを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータ、および、かかるアクチュエータを有する画像形成装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an actuator that can secure a degree of design freedom when designing a vibration part and a coil, and has high joint strength and dimensional accuracy when the vibration part and the coil are joined. An image forming apparatus is provided.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン(Si−O)結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と、該Si骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Si骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部とコイルとを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部とコイルとを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The actuator of the present invention includes a movable plate having a plate shape and opposed to each other via the movable plate, and is connected to the movable plate to support the movable plate so as to be rotatable about an axis parallel to the surface. A vibrating portion having a pair of connecting portions to
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and a random atomic structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the region, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the Si skeleton and is expressed in the region on the surface of the bonding film. The vibrating portion and the coil are bonded to each other by the adhesive property.
Thereby, the design freedom at the time of designing a vibration part and a coil can be ensured, and an actuator having high joint strength and dimensional accuracy when the vibration part and the coil are joined can be obtained.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜を構成する全原子からH原子を除いた原子のうち、Si原子の含有率とO原子の含有率の合計が、10〜90原子%であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Si原子とO原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、振動部およびコイルに対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
In the actuator of the present invention, it is preferable that the sum of the content ratio of Si atoms and the content ratio of O atoms is 10 to 90 atomic% among atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film.
Thus, in the bonding film, Si atoms and O atoms form a strong network, and the bonding film itself becomes stronger. For this reason, the bonding film exhibits particularly high bonding strength with respect to the vibration part and the coil.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜中のSi原子とO原子の存在比は、3:7〜7:3であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、振動部とコイルとをより強固に接合することができるようになる。
本発明のアクチュエータでは、前記Si骨格の結晶化度は、45%以下であることが好ましい。
これにより、Si骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Si骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
In the actuator of the present invention, it is preferable that the abundance ratio of Si atoms and O atoms in the bonding film is 3: 7 to 7: 3.
Thereby, the stability of the bonding film is increased, and the vibrating portion and the coil can be bonded more firmly.
In the actuator of the present invention, the crystallinity of the Si skeleton is preferably 45% or less.
As a result, the Si skeleton includes a sufficiently random atomic structure. For this reason, the characteristics of the Si skeleton become obvious, and the dimensional accuracy and adhesiveness of the bonding film become more excellent.

本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Si骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも1種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギの付与による結合/脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
In the actuator of the present invention, the leaving group may be an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, a halogen atom, or each of these atoms bonded to the Si skeleton. It is preferably composed of at least one selected from the group consisting of arranged atomic groups.
These leaving groups are relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, such a leaving group can make the adhesiveness of the bonding film higher.

本発明のアクチュエータでは、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性(使用される環境に対して)に優れたものとなる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、振動部とコイルとを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータの製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
In the actuator of the present invention, the leaving group is preferably an alkyl group.
Since an alkyl group has high chemical stability, a bonding film containing an alkyl group as a leaving group has excellent weather resistance (with respect to the environment in which it is used).
In the actuator of the present invention, it is preferable that the bonding film is formed by a plasma polymerization method.
Thereby, the bonding film becomes dense and homogeneous. And a vibration part and a coil can be joined especially firmly. Furthermore, the bonding film manufactured by the plasma polymerization method is maintained for a relatively long time in a state where energy is applied and activated. For this reason, the manufacturing process of the actuator can be simplified and improved in efficiency.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、振動部とコイルとをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。さらに、接合膜が優れた撥液性を示すため、耐久性に優れた信頼性の高いアクチュエータが得られる。
In the actuator of the present invention, it is preferable that the bonding film is composed of polyorganosiloxane as a main material.
As a result, the bonding film itself has excellent mechanical properties. In addition, a bonding film exhibiting particularly excellent adhesion to many materials can be obtained. Therefore, the vibration part and the coil can be more firmly bonded by this bonding film. Further, the bonding film can easily and reliably control the non-adhesiveness and the adhesiveness. Furthermore, since the bonding film exhibits excellent liquid repellency, a highly reliable actuator with excellent durability can be obtained.

本発明のアクチュエータでは、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜の平均厚さは、1〜1000nmであることが好ましい。
これにより、振動部とコイルとの間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
In the actuator of the present invention, it is preferable that the polyorganosiloxane is mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane.
Thereby, a bonding film having particularly excellent adhesiveness can be obtained.
In the actuator of the present invention, the average thickness of the bonding film is preferably 1 to 1000 nm.
Thereby, these can be joined more firmly, preventing that the dimensional accuracy between a vibration part and a coil falls remarkably.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高いアクチュエータが得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明のアクチュエータでは、前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部とコイルとの接合強度を高めることができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the bonding film is a solid having no fluidity.
As a result, an actuator with significantly higher dimensional accuracy than the conventional one can be obtained. Further, since the time required for curing the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that a surface of the vibration unit that is in contact with the bonding film is previously subjected to a surface treatment that improves adhesion with the bonding film.
As a result, the bonding strength between the vibration part and the bonding film can be further increased, and as a result, the bonding strength between the vibration part and the coil can be increased.

本発明のアクチュエータでは、前記コイルの前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、コイルと接合膜との間の接合強度をより高めることができ、ひいては、振動部とコイルとの接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、接合膜を形成するために、振動部またはコイルの表面を特に最適化することができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that a surface of the coil that is in contact with the bonding film is previously subjected to a surface treatment that improves adhesion with the bonding film.
As a result, the bonding strength between the coil and the bonding film can be further increased, and as a result, the bonding strength between the vibrating portion and the coil can be increased.
In the actuator of the present invention, it is preferable that the surface treatment is a plasma treatment.
Thereby, in order to form a joining film | membrane, the surface of a vibration part or a coil can be optimized especially.

本発明のアクチュエータでは、前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間の接合強度が高まる。
本発明のアクチュエータでは、前記コイルと前記接合膜との間に、中間層を有することが好ましい。
これにより、コイルと接合膜との間の接合強度が高まる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that an intermediate layer is provided between the vibrating portion and the bonding film.
As a result, the bonding strength between the vibration part and the bonding film is increased.
In the actuator of the present invention, it is preferable to have an intermediate layer between the coil and the bonding film.
As a result, the bonding strength between the coil and the bonding film is increased.

本発明のアクチュエータでは、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、振動部と接合膜との間、および、コイルと接合膜との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the intermediate layer is composed mainly of an oxide-based material.
As a result, the bonding strength can be increased between the vibrating portion and the bonding film and between the coil and the bonding film.
In the actuator of the present invention, the energy is applied by at least one of a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. Is preferably carried out.
Thereby, energy can be applied to the bonding film relatively easily and efficiently.

本発明のアクチュエータでは、前記エネルギ線は、波長150〜300nmの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜中のSi骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Si骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性(機械的特性、化学的特性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the energy ray is an ultraviolet ray having a wavelength of 150 to 300 nm.
As a result, the amount of energy applied is optimized, and the bond between the Si skeleton and the leaving group is selectively cut while preventing the Si skeleton in the bonding film from being destroyed more than necessary. can do. Thereby, adhesiveness can be expressed in the bonding film while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film from deteriorating.

本発明のアクチュエータでは、前記加熱の温度は、25〜100℃であることが好ましい。
これにより、振動部またはコイル等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記圧縮力は、0.2〜10MPaであることが好ましい。
これにより、振動部またはコイルに損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
In the actuator of the present invention, the heating temperature is preferably 25 to 100 ° C.
Thereby, it is possible to reliably activate the bonding film while reliably preventing the vibration part or the coil from being deteriorated or deteriorated by heat.
In the actuator of the present invention, the compressive force is preferably 0.2 to 10 MPa.
As a result, it is possible to allow the bonding film to exhibit sufficient adhesiveness by simply compressing it while avoiding damage to the vibrating part or the coil.

本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部とコイルとを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部とコイルとを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
The actuator of the present invention includes a movable plate having a plate shape and opposed to each other via the movable plate, and is connected to the movable plate to support the movable plate so as to be rotatable about an axis parallel to the surface. A vibrating portion having a pair of connecting portions to
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
The bonding film imparts energy to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the bonding film The vibration portion and the coil are bonded to each other by the adhesiveness developed in the region on the surface of the substrate.
Thereby, the design freedom at the time of designing a vibration part and a coil can be ensured, and an actuator having high joint strength and dimensional accuracy when the vibration part and the coil are joined can be obtained.

本発明のアクチュエータは、板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とする。
これにより、振動部とコイルとを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部とコイルとを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータが得られる。
The actuator of the present invention includes a movable plate having a plate shape and opposed to each other via the movable plate, and is connected to the movable plate to support the movable plate so as to be rotatable about an axis parallel to the surface. A vibrating portion having a pair of connecting portions to
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from the bonding film and is expressed in the region on the surface of the bonding film. The vibrating portion and the coil are bonded to each other by the adhesive property.
Thereby, the design freedom at the time of designing a vibration part and a coil can be ensured, and an actuator having high joint strength and dimensional accuracy when the vibration part and the coil are joined can be obtained.

本発明のアクチュエータでは、前記磁界発生手段によって発生した磁界中に配された前記コイルに通電することによりローレンツ力が発生し、該ローレンツ力によって、前記可動板を前記軸回りに回動させるよう構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されていることが好ましい。
この材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い振動部が得られる。このため、高精度のアクチュエータが得られる。
In the actuator of the present invention, a Lorentz force is generated by energizing the coil disposed in the magnetic field generated by the magnetic field generating means, and the movable plate is rotated about the axis by the Lorentz force. It is preferable that
Thereby, a movable plate rotates reliably.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the vibration unit is configured using a silicon material as a main material.
Since this material is excellent in workability, a vibration part with high dimensional accuracy can be obtained. For this reason, a highly accurate actuator can be obtained.

本発明のアクチュエータでは、前記コイルは、金属材料を主材料として構成されていることが好ましい。
この材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いコイルが得られる。このため、高精度のアクチュエータが得られる。
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動する。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the coil is configured using a metal material as a main material.
Since this material is excellent in workability, a coil with high dimensional accuracy can be obtained. For this reason, a highly accurate actuator can be obtained.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that each of the connecting portions has a rod shape, and one end portion thereof is configured by a shaft member connected to an edge portion of the movable plate.
Thereby, a movable plate rotates with the torsional deformation of each shaft member.

本発明のアクチュエータでは、前記コイルは、前記可動板の片面に配置されていることが好ましい。
これにより、コイルを設計する際の設計自由度を確保することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記コイルは、前記可動板の面に沿って平面的に巻回されたものであることが好ましい。
これにより、単に環状に形成したコイルに比し大きな磁力を発生させることができ、また、可動板の厚さ方向に立体的に形成したコイルに比し構成が簡単で製造も容易であり、大きさも抑制することができる。
In the actuator of the present invention, it is preferable that the coil is disposed on one side of the movable plate.
Thereby, the design freedom at the time of designing a coil is securable.
In the actuator of the present invention, it is preferable that the coil is wound in a plane along the surface of the movable plate.
This makes it possible to generate a larger magnetic force than a coil formed in an annular shape, and the structure is simpler and easier to manufacture than a coil formed three-dimensionally in the thickness direction of the movable plate. It can also be suppressed.

本発明のアクチュエータでは、前記可動板は、平面視で四角形をなすものであり、
前記コイルは、前記四角形の4つの辺に沿って巻回されていることが好ましい。
これにより、ローレンツ力が確実に生じ、よって、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されていることが好ましい。
これにより、可動板が各軸部材の捩れ変形を伴って回動し、その際の可動板に対する回動制御が容易となる。
In the actuator of the present invention, the movable plate is a quadrangle in plan view,
It is preferable that the coil is wound along four sides of the square.
As a result, Lorentz force is reliably generated, and thus the movable plate is reliably rotated.
In the actuator of the present invention, each of the connecting portions has a rod shape, one end of which is connected to the edge of the movable plate, and a drive having a plate shape provided in the middle of the shaft member. It is preferable that it is comprised with the board.
Thereby, the movable plate rotates with the torsional deformation of each shaft member, and the rotation control with respect to the movable plate at that time becomes easy.

本発明のアクチュエータでは、前記コイルは、それぞれ、前記各駆動板の片面または両面に配置されていることが好ましい。
これにより、コイルを設計する際の設計自由度を確保することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記コイルは、前記駆動板の面に沿って平面的に巻回されたものであることが好ましい。
これにより、単に環状に形成したコイルに比し大きな磁力を発生させることができ、また、可動板の厚さ方向に立体的に形成したコイルに比し構成が簡単で製造も容易であり、大きさも抑制することができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the coils are respectively disposed on one side or both sides of each drive plate.
Thereby, the design freedom at the time of designing a coil is securable.
In the actuator of the present invention, it is preferable that the coil is wound in a plane along the surface of the drive plate.
This makes it possible to generate a larger magnetic force than a coil formed in an annular shape, and the structure is simpler and easier to manufacture than a coil formed three-dimensionally in the thickness direction of the movable plate. It can also be suppressed.

本発明のアクチュエータでは、前記駆動板は、平面視で四角形をなすものであり、
前記コイルは、前記四角形の4つの辺に沿って巻回されていることが好ましい。
これにより、ローレンツ力が確実に生じ、よって、駆動板の回動に伴って、可動板が確実に回動する。
本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記コイルを包含する領域に形成されていることが好ましい。
これにより、接合膜にコイルを接合した際その接合強度が比較的高くなり、また、接合工程で接合膜に対するコイルの位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。
In the actuator of the present invention, the drive plate has a quadrangular shape in plan view,
It is preferable that the coil is wound along four sides of the square.
As a result, Lorentz force is reliably generated, so that the movable plate is reliably rotated as the drive plate is rotated.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the bonding film is formed in a region including the coil in a plan view.
As a result, when the coil is bonded to the bonding film, the bonding strength becomes relatively high, and the coil can be easily positioned with respect to the bonding film in the bonding process, thereby improving the workability.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記コイルを包含する領域に形成されており、前記接合膜とコイルとは、絶縁されていることが好ましい。
これにより、接合膜にコイルを接合した際その接合強度が比較的高くなり、また、接合工程で接合膜に対するコイルの位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。また、接合膜とコイルとの短絡(ショート)を確実に防止することができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the bonding film is formed in a region including the coil in a plan view, and the bonding film and the coil are insulated.
As a result, when the coil is bonded to the bonding film, the bonding strength becomes relatively high, and the coil can be easily positioned with respect to the bonding film in the bonding process, thereby improving the workability. Further, it is possible to reliably prevent a short circuit (short circuit) between the bonding film and the coil.

本発明のアクチュエータでは、前記接合膜は、平面視で前記コイルの形状に沿うように形成されていることが好ましい。
これにより、可動板が回動する際、接合膜による慣性の影響を抑制することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記コイルを構成する線材は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしていることが好ましい。
これにより、接合膜と接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、コイルと接合膜との接合強度も高まる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the bonding film is formed along the shape of the coil in a plan view.
Thereby, when the movable plate rotates, the influence of inertia due to the bonding film can be suppressed.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that a portion of the wire constituting the coil is joined to the joining film in a planar shape.
Thereby, the contact area which contacts a joining film becomes comparatively large, and the joint strength of a coil and a joining film also increases in connection with this.

本発明のアクチュエータでは、前記磁界発生手段は、前記可動板の回動軸を介して、互いに極性が異なるように対向配置された一対の磁石で構成されていることが好ましい。
これにより、磁界を容易かつ確実に発生させることができる。
本発明のアクチュエータでは、前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備えることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナ、光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスに適用することができる。
本発明のアクチュエータでは、前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナであることが好ましい。
これにより、アクチュエータを光スキャナとして用いることができる。
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the magnetic field generation unit is configured by a pair of magnets arranged to face each other so as to have different polarities via a rotation shaft of the movable plate.
Thereby, a magnetic field can be generated easily and reliably.
In the actuator according to the aspect of the invention, it is preferable that the actuator further includes a light reflecting portion that is provided on the movable plate and reflects light.
Thereby, the actuator can be applied to an optical device such as an optical scanner, an optical attenuator, or an optical switch.
The actuator of the present invention is preferably an optical scanner that scans the light reflected by the light reflecting portion.
Thereby, the actuator can be used as an optical scanner.

本発明の画像形成装置は、本発明のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする。
これにより、振動部とコイルとを設計する際の設計自由度を確保することができ、振動部とコイルとを接合した際の接合強度および寸法精度が高いアクチュエータを有する画像形成装置が得られる。
The image forming apparatus of the present invention includes the actuator of the present invention,
And a light source that irradiates light toward the movable plate of the actuator.
Thereby, it is possible to secure a degree of freedom in designing the vibration part and the coil, and an image forming apparatus having an actuator with high joint strength and dimensional accuracy when the vibration part and the coil are joined can be obtained.

以下、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明のアクチュエータの第1実施形態を示す斜視図、図2は、図1に示すアクチュエータの平面図、図3は、図2中のA−A線断面図、図4は、図2中のB−B線断面図、図5は、図1に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図6は、図1に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図、図7〜図9は、それぞれ、図1に示すアクチュエータの製造方法(製造工程)を説明するための図、図10は、図1に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図1、図3、図4、図7〜図10中(図11、図13も同様)の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
Hereinafter, an actuator and an image forming apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the actuator of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the actuator shown in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 2, FIG. 5 is a partially enlarged view showing a state before applying energy of the bonding film in the actuator shown in FIG. 1, and FIG. 6 is applying energy of the bonding film in the actuator shown in FIG. FIG. 7 to FIG. 9 are diagrams for explaining the manufacturing method (manufacturing process) of the actuator shown in FIG. 1, and FIG. 10 is a diagram of the bonding film in the actuator shown in FIG. It is a figure which shows typically the plasma polymerization apparatus used for preparation. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 1, 3, 4, 7 to 10 (the same applies to FIGS. 11 and 13) is “up” or “upper”, and the lower side is “lower”. Or “downward”.

図1に示すように、アクチュエータ1は、電磁駆動方式(より具体的にはムービングコイル方式)を採用するアクチュエータであって、基体2と、この基体2を下方から支持する支持体3と、1対の磁石(永久磁石(磁界発生手段))41、42とを有している。以下、各部の構成について説明する。
図1に示すように、基体2は、板状をなす可動板21と、可動部21の外周側に配置された支持部24と、可動板21と支持部24とを連結する一対の連結部としての軸部材22、23とを有している。
As shown in FIG. 1, the actuator 1 is an actuator that employs an electromagnetic drive system (more specifically, a moving coil system), and includes a base body 2, a support body 3 that supports the base body 2 from below, And a pair of magnets (permanent magnets (magnetic field generating means)) 41 and 42. Hereinafter, the configuration of each unit will be described.
As shown in FIG. 1, the base 2 includes a plate-shaped movable plate 21, a support portion 24 disposed on the outer peripheral side of the movable portion 21, and a pair of connecting portions that connect the movable plate 21 and the support portion 24. And shaft members 22 and 23.

支持部24は、可動板21を囲むように枠状に形成されたもの、すなわち、内側に開口部243が形成され、当該開口部243に可動板21が配置されたものである。この支持部24は、平面視で長方形をなしている。
可動板21は、本実施形態では平面視形状が長方形(四角形)をなし、その中心を通る、短辺と平行な(可動板21の面と平行な)回動軸215回りに回動するものである。また、可動板21は、図2に示す構成では、その短辺が支持部24の長辺と平行となるように配されている。
The support portion 24 is formed in a frame shape so as to surround the movable plate 21, that is, an opening portion 243 is formed inside, and the movable plate 21 is disposed in the opening portion 243. The support 24 is rectangular in plan view.
In this embodiment, the movable plate 21 has a rectangular (quadrangle) shape in plan view, and rotates about a rotation axis 215 that passes through the center of the movable plate 21 and is parallel to the short side (parallel to the surface of the movable plate 21). It is. Further, in the configuration shown in FIG. 2, the movable plate 21 is arranged so that the short side thereof is parallel to the long side of the support portion 24.

可動板21の上面には、光を反射する光反射部(ミラー)211が設けられている。これにより、アクチュエータ1を、光反射部211で反射した光を走査する光スキャナに適用することができる。また、光スキャナの他に光アッテネータ、光スイッチ等の光学デバイスにもアクチュエータ1を適用することができる。なお、本実施形態では、アクチュエータ1を光スキャナに適用した場合について述べる。   A light reflecting portion (mirror) 211 that reflects light is provided on the upper surface of the movable plate 21. As a result, the actuator 1 can be applied to an optical scanner that scans the light reflected by the light reflecting portion 211. In addition to the optical scanner, the actuator 1 can be applied to an optical device such as an optical attenuator and an optical switch. In the present embodiment, a case where the actuator 1 is applied to an optical scanner will be described.

図1、図2に示すように、可動板21は、その縁部が軸部材22、23を介して支持部24の内側縁部に連結、支持されている。軸部材22と軸部材23とは、それぞれ棒状をなし、可動板21を介して互いに対向して、当該可動板21の回動軸215と同軸上に配置されている。すなわち、棒状をなす軸部材22、23は、それぞれ、内側の端部(一端部)が可動板21の長辺の中央部に連結され、外側の端部(他端部)が支持部24の各短辺側に位置する開口部243の縁部の中央部に連結されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the movable plate 21 has an edge portion connected to and supported by an inner edge portion of the support portion 24 via shaft members 22 and 23. The shaft member 22 and the shaft member 23 are each in the form of a rod, are opposed to each other via the movable plate 21, and are disposed coaxially with the rotation shaft 215 of the movable plate 21. That is, each of the shaft members 22 and 23 having a rod shape has an inner end portion (one end portion) connected to the central portion of the long side of the movable plate 21 and an outer end portion (the other end portion) of the support portion 24. It connects with the center part of the edge of the opening part 243 located in each short side.

アクチュエータ1では、可動板21は、各軸部材22、23の捩れ変形を伴って、支持部24に対して回動可能となっている。このように、アクチュエータ1では、可動板21と1対の軸部材22、23とにより、1自由度の振動系(振動部)20が構成されていると言うことができる。
なお、基体2を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼、チタン、アルミニウムのような金属材料が挙げられ、これらの中でも、特にシリコン材料であるのが好ましい。このような材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い基体2が得られる。このため、高精度のアクチュエータ1が得られる。また、加工性に優れていることから、基体2の母材2’に対して例えばエッチングを施すことができ、よって、可動板21と1対の軸部材22、23と支持部24とを一体的に形成することができる。
In the actuator 1, the movable plate 21 is rotatable with respect to the support portion 24 with torsional deformation of the shaft members 22 and 23. Thus, in the actuator 1, it can be said that the movable plate 21 and the pair of shaft members 22 and 23 constitute a vibration system (vibration unit) 20 having one degree of freedom.
The material constituting the substrate 2 is not particularly limited, and examples thereof include silicon materials such as single crystal silicon, polycrystalline silicon, and amorphous silicon, and metal materials such as stainless steel, titanium, and aluminum. Among these, a silicon material is particularly preferable. Since such a material is excellent in workability, the base body 2 with high dimensional accuracy can be obtained. For this reason, the highly accurate actuator 1 is obtained. Moreover, since it is excellent in workability, for example, etching can be performed on the base material 2 ′ of the base 2, so that the movable plate 21, the pair of shaft members 22, 23, and the support portion 24 are integrated. Can be formed.

図2〜図4に示すように、可動板21(振動部20)の下面(片面)には、導電性を有するコイル212が接合膜5aを介して接合されている。なお、接合膜5aについては、後に詳述する。
コイル212は、可動板21の下面に沿って平面的に渦巻状に形成されて(巻回されて)いる。このような渦巻状のコイル212は、単に環状に形成したコイルに比し大きなローレンツ力が発生し、また、可動板21の厚さ方向に立体的に形成したコイルに比し構成が簡単で製造も容易であり、大きさも抑制することができる。
As shown in FIGS. 2 to 4, a conductive coil 212 is bonded to the lower surface (one surface) of the movable plate 21 (vibrating unit 20) via a bonding film 5a. The bonding film 5a will be described later in detail.
The coil 212 is formed in a spiral shape (wound) along the lower surface of the movable plate 21. Such a spiral coil 212 generates a large Lorentz force compared to a coil formed in an annular shape, and is simpler in structure and manufactured than a coil formed three-dimensionally in the thickness direction of the movable plate 21. And the size can be suppressed.

さらに、コイル212は、平面視で長方形をなす可動板21の4つの辺に沿って巻回されている。磁石41、42によって発生した磁界中で、コイル212に交流電圧を印加して当該コイル212に通電した際、コイル212の可動板21の短辺側に位置する各部分212aにそれぞれローレンツ力(磁界から受ける力)が確実に生じる。このとき、可動板21は、回動軸215回りに回動する。また、コイル212には、交流電圧が印加されているため、当該コイル212を流れる電流の方向が交互に切り換わる。これにより、ローレンツ力の方向が交互に上下方向に反転し、よって、可動板21が図1中矢印方向に揺動する(振動する)。
また、コイル212は、可動板21の光反射部211とは反対側の面(下面)に設けられているため、設計上、光照射部211の存在による制限が低減され、よって、コイル212の設計の自由度が低下するのが抑制または防止される。
Furthermore, the coil 212 is wound along four sides of the movable plate 21 that is rectangular in plan view. In the magnetic field generated by the magnets 41 and 42, when an AC voltage is applied to the coil 212 and the coil 212 is energized, Lorentz force (magnetic field) is applied to each portion 212a located on the short side of the movable plate 21 of the coil 212. The force received from the At this time, the movable plate 21 rotates around the rotation shaft 215. In addition, since an AC voltage is applied to the coil 212, the direction of the current flowing through the coil 212 is switched alternately. As a result, the direction of the Lorentz force is alternately reversed in the vertical direction, and the movable plate 21 swings (vibrates) in the direction of the arrow in FIG.
Further, since the coil 212 is provided on the surface (lower surface) opposite to the light reflecting portion 211 of the movable plate 21, the limitation due to the presence of the light irradiating portion 211 is reduced in design. A reduction in the degree of freedom in design is suppressed or prevented.

図4に示すように、コイル212を構成する素線(線材)は、その横断面形状が長方形(四角形)をなしている。これにより、コイル212の接合膜5aに接合される部分が平面状をなし、よって、接合膜5aと接触する接触面積が比較的大きくなり、これに伴って、コイル212と接合膜5aとの接合強度も高まる。
また、コイル212を構成する素線の一端(渦巻きの外周側の端)は、可動板21と軸部材23との境界部付近に位置し、配線231に電気的に接続されている。また、コイル212を構成する素線の他端(渦巻きの中心側の端)は、可動板21の板面の中心付近に位置しているが、ワイヤーボンディングで構成された配線214を介して、可動板21と軸部材22との境界部付近で、配線221に電気的に接続されている。なお、コイル212を構成する素線の他端(渦巻きの中心側の端)と配線221との接続は、ワイヤーボンディングに限定されず、例えば、振動系20上に絶縁膜を介して配線パターンを成膜するとともに、その絶縁膜に配線パターンに導通する貫通電極を設けた構成でもよい。
配線221は、支持部24の下面から露出する端子241に電気的に接続され、配線231は、支持部24の下面から露出する端子242に電気的に接続されている。これにより、配線221、231を介してコイル212に通電することができる。
As shown in FIG. 4, the strands (wires) constituting the coil 212 have a rectangular (quadrangle) cross-sectional shape. As a result, the portion of the coil 212 that is bonded to the bonding film 5a has a planar shape, so that the contact area that contacts the bonding film 5a becomes relatively large. Strength also increases.
In addition, one end of the wire constituting the coil 212 (end on the outer periphery side of the spiral) is located near the boundary portion between the movable plate 21 and the shaft member 23 and is electrically connected to the wiring 231. In addition, the other end (end on the center side of the spiral) of the wire constituting the coil 212 is located near the center of the plate surface of the movable plate 21, but via the wiring 214 configured by wire bonding, In the vicinity of the boundary between the movable plate 21 and the shaft member 22, it is electrically connected to the wiring 221. The connection between the other end of the wire constituting the coil 212 (the end on the center side of the spiral) and the wiring 221 is not limited to wire bonding. For example, a wiring pattern is formed on the vibration system 20 via an insulating film. The film may be formed, and the insulating film may be provided with a through electrode that conducts to the wiring pattern.
The wiring 221 is electrically connected to the terminal 241 exposed from the lower surface of the support portion 24, and the wiring 231 is electrically connected to the terminal 242 exposed from the lower surface of the support portion 24. As a result, the coil 212 can be energized via the wirings 221 and 231.

図4に示すように、配線221および端子241は、軸部材22の下面に接合膜5cを介して接合されている。また、配線231および端子242は、軸部材23の下面に接合膜5dを介して接合されている。なお、接合膜5c、5dについては、前記接合膜5aとともに後に詳述する。
なお、コイル212、配線221、231、端子241、242の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、金属材料が挙げられ、そのうちの銅が好ましい。これにより、例えば1枚の銅板(銅箔)を加工して、コイル212、配線221、231、端子241、242を容易に作製することができる。また、コイル212と配線231と端子241とは、一体的に形成されている、すなわち、1本の素線で構成されているのが好ましい。また、配線221と端子241とは、一体的に形成されている、すなわち、1本の素線で構成されているのが好ましい。また、銅は、比較的電気抵抗が小さい材料であるため、通電して用いられるコイル212に良好に適用することができ、通電した際のローレンツ力がより確実に生じる。
As shown in FIG. 4, the wiring 221 and the terminal 241 are bonded to the lower surface of the shaft member 22 via the bonding film 5 c. Further, the wiring 231 and the terminal 242 are bonded to the lower surface of the shaft member 23 via the bonding film 5d. The bonding films 5c and 5d will be described later together with the bonding film 5a.
In addition, if it has electroconductivity as a constituent material of the coil 212, the wiring 221,231, and the terminals 241,242, it will not specifically limit, For example, a metal material is mentioned, Of these, copper is preferable. Thereby, for example, a single copper plate (copper foil) can be processed, and the coil 212, the wirings 221, 231 and the terminals 241, 242 can be easily manufactured. Moreover, it is preferable that the coil 212, the wiring 231 and the terminal 241 are integrally formed, that is, are constituted by one strand. Moreover, it is preferable that the wiring 221 and the terminal 241 are integrally formed, that is, are configured by one strand. Further, since copper is a material having a relatively small electric resistance, it can be applied well to the coil 212 that is energized and used, and the Lorentz force is more reliably generated when energized.

基体2の下面には、接合膜5bを介して、支持体3が接合されている。この支持体3は、支持部24の縁部に沿って枠状をなす枠状体31と、枠状体31の下面に接合膜6aを介して接合された基板32とで構成された積層構造をなすものである。なお、接合膜5b、6aについては、前記接合膜5aとともに後に詳述する。
枠状体31には、支持部24の開口部243に連通する開口部311が形成されている。図2に示すように、開口部311は、平面視で、振動系20を包含するように形成されている。この開口部311の内側の空間が、基体2の振動系20の振動、すなわち可動板21が回動(振動)する際に、支持体3(基板32)に接触するのを防止する逃げ部を構成する。このような逃げ部を設けることにより、アクチュエータ1全体の大型化を防止しつつ、可動板21の振れ角(振幅)をより大きく設定することができる。
The support 3 is bonded to the lower surface of the base 2 via a bonding film 5b. The support 3 is a laminated structure composed of a frame-shaped body 31 having a frame shape along the edge of the support section 24 and a substrate 32 bonded to the lower surface of the frame-shaped body 31 via a bonding film 6a. It is what makes. The bonding films 5b and 6a will be described in detail later together with the bonding film 5a.
The frame body 31 is formed with an opening 311 that communicates with the opening 243 of the support 24. As shown in FIG. 2, the opening 311 is formed so as to include the vibration system 20 in a plan view. The space inside the opening 311 serves as a relief for preventing the vibration of the vibration system 20 of the base body 2, that is, the movable plate 21 from rotating (vibrating) and coming into contact with the support 3 (substrate 32). Constitute. By providing such an escape portion, the deflection angle (amplitude) of the movable plate 21 can be set larger while preventing the actuator 1 from being enlarged.

また、基板32は、枠状体31の形状と対応するように形成されている。この基板32によって、開口部311が下方から封止されている。
枠状体31および基板32の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、基体2と同様の材料を用いることができる。
枠状体31の短辺方向の側面側には、それぞれ、可動板21の回動軸215を介して(回動軸215に対して対照的に)、磁石41、42が配置されている。磁石41と磁石42とは、互いに極性が異なるように対向している、すなわち、可動板21側にそれぞれN極とS極とが位置している。これにより、コイル212の近傍に図1中矢印方向に沿って磁界が発生する。
The substrate 32 is formed so as to correspond to the shape of the frame body 31. The opening 311 is sealed from below by the substrate 32.
The constituent materials of the frame body 31 and the substrate 32 are not particularly limited. For example, the same material as that of the base 2 can be used.
Magnets 41 and 42 are arranged on the side surfaces of the frame-shaped body 31 in the short side direction via the rotation shaft 215 of the movable plate 21 (in contrast to the rotation shaft 215). The magnet 41 and the magnet 42 are opposed to each other so as to have different polarities, that is, the N pole and the S pole are located on the movable plate 21 side, respectively. Thereby, a magnetic field is generated in the vicinity of the coil 212 along the arrow direction in FIG.

図3に示すように、磁石41は、接合膜6bを介して基板32に接合されており、磁石42は、接合膜6cを介して基板32に接合されている。なお、接合膜6b、6cについては、前記接合膜5aとともに後に詳述する。
なお、磁石41、42は、永久磁石で構成されたものに限定されず、例えば、電磁石で構成されたものであってもよい。
As shown in FIG. 3, the magnet 41 is bonded to the substrate 32 via the bonding film 6b, and the magnet 42 is bonded to the substrate 32 via the bonding film 6c. The bonding films 6b and 6c will be described later together with the bonding film 5a.
The magnets 41 and 42 are not limited to those composed of permanent magnets, and may be composed of electromagnets, for example.

次に、接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cに共通して用いられる接合膜について説明する。なお、接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cの構成(特徴)は、ほぼ同一であるため、以下では、可動板21とコイル212とを接合する接合膜5aを代表的に説明する。
接合膜5aのエネルギを付与する前の状態は、図5に示すように、シロキサン(Si−O)結合302を含み、ランダムな原子構造を有するSi骨格301と、このSi骨格301に結合する脱離基303とを含むものである。
Next, the bonding films used in common for the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c will be described. In addition, since the structures (features) of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c are substantially the same, the bonding film 5a that bonds the movable plate 21 and the coil 212 will be representatively described below. explain.
As shown in FIG. 5, the state before applying the energy of the bonding film 5 a includes a Si skeleton 301 including a siloxane (Si—O) bond 302, a random atomic structure, and a debonding bonded to the Si skeleton 301. And a leaving group 303.

そして、この接合膜5aにエネルギを付与すると、図6に示すように、一部の脱離基303がSi骨格301から脱離し、代わりに活性手304が生じる。これにより、接合膜5aの表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜5aにより、可動板21とコイル212とが接合されている。
このような接合膜5aは、シロキサン結合302を含みランダムな原子構造を有するSi骨格301の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、可動板21とコイル212との間の距離、すなわち、接合膜5aの厚さを高い寸法精度で一定に保持することができ、可動板21が安定して回動することができる。
When energy is applied to the bonding film 5a, as shown in FIG. 6, a part of the leaving group 303 is detached from the Si skeleton 301, and an active hand 304 is generated instead. Thereby, adhesiveness develops on the surface of the bonding film 5a. The movable plate 21 and the coil 212 are bonded together by the bonding film 5a that exhibits adhesiveness in this way.
Such a bonding film 5 a is a strong film that is difficult to be deformed due to the influence of the Si skeleton 301 including the siloxane bond 302 and having a random atomic structure. For this reason, the distance between the movable plate 21 and the coil 212, that is, the thickness of the bonding film 5a can be kept constant with high dimensional accuracy, and the movable plate 21 can be stably rotated.

また、接合膜5aを用いて可動板21とコイル212とを接合したことにより、従来、接着剤を用いて接合した場合に、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
さらに、接合膜5aは、化学的に安定なSi骨格301の作用により、耐熱性に優れている。このため、たとえアクチュエータ1が高温下に曝されたとしても、接合膜5aの変質・劣化を確実に防止することができる。
In addition, since the movable plate 21 and the coil 212 are bonded using the bonding film 5a, it is possible to prevent a problem that the adhesive protrudes when bonding is conventionally performed using an adhesive. Therefore, there is an advantage that the trouble of removing the protruding adhesive can be omitted.
Furthermore, the bonding film 5a is excellent in heat resistance due to the action of the chemically stable Si skeleton 301. For this reason, even if the actuator 1 is exposed to a high temperature, the bonding film 5a can be reliably prevented from being altered or deteriorated.

また、このような接合膜5aは、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層(接合膜5a)の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜5aを用いて製造されたアクチュエータ1の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にするものである。   Further, such a bonding film 5a is a solid having no fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 5a) hardly change compared to a conventional liquid or viscous adhesive having fluidity. For this reason, the dimensional accuracy of the actuator 1 manufactured using the bonding film 5a is remarkably higher than the conventional one. Furthermore, since the time required for curing of the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.

このような接合膜5aとしては、特に、接合膜5aを構成する全原子からH原子を除いた原子のうち、Si原子の含有率とO原子の含有率の合計が、10〜90原子%程度であるのが好ましく、20〜80原子%程度であるのがより好ましい。Si原子とO原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜5aは、Si原子とO原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜5a自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜5aは、可動板21およびコイル212に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。   As such a bonding film 5a, in particular, among atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film 5a, the total content of Si atoms and O atoms is about 10 to 90 atomic%. It is preferable and it is more preferable that it is about 20-80 atomic%. If Si atoms and O atoms are contained in the above-mentioned range, the bonding film 5a forms a strong network of Si atoms and O atoms, and the bonding film 5a itself becomes stronger. . Further, the bonding film 5 a exhibits a particularly high bonding strength with respect to the movable plate 21 and the coil 212.

また、接合膜5a中のSi原子とO原子の存在比は、3:7〜7:3程度であるのが好ましく、4:6〜6:4程度であるのがより好ましい。Si原子とO原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜5aの安定性が高くなり、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜5a中のSi骨格301の結晶化度は、45%以下であるのが好ましく、40%以下であるのがより好ましい。これにより、Si骨格301は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したSi骨格301の特性が顕在化し、接合膜5aの寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
Further, the abundance ratio of Si atoms and O atoms in the bonding film 5a is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of Si atoms and O atoms to be in the above range, the stability of the bonding film 5a is increased, and the movable plate 21 and the coil 212 can be bonded more firmly.
Note that the crystallinity of the Si skeleton 301 in the bonding film 5a is preferably 45% or less, and more preferably 40% or less. As a result, the Si skeleton 301 includes a sufficiently random atomic structure. For this reason, the characteristics of the Si skeleton 301 described above become obvious, and the dimensional accuracy and adhesiveness of the bonding film 5a become more excellent.

また、Si骨格301に結合する脱離基303は、前述したように、Si骨格301から脱離することによって、接合膜5aに活性手304を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基303には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないようSi骨格301に確実に結合しているものである必要がある。   Further, as described above, the leaving group 303 bonded to the Si skeleton 301 behaves so as to generate an active hand 304 in the bonding film 5a by detaching from the Si skeleton 301. Therefore, although the leaving group 303 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the Si skeleton 301 so as not to be desorbed when no energy is given. It needs to be a thing.

かかる観点から、脱離基303には、H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がSi骨格301に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも1種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基303は、エネルギの付与による結合/脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基303は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜5aの接着性をより高度なものとすることができる。   From this point of view, the leaving group 303 includes an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, and a halogen atom, or each of these atoms. What consists of at least 1 sort (s) selected from the group which consists of an atomic group arrange | positioned so that it may couple | bond with frame | skeleton 301 is used preferably. Such a leaving group 303 is relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the bonding film 5a can be made higher.

なお、上記のような各原子がSi骨格301に結合するよう配置された原子団(基)としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。   Examples of the atomic group (group) arranged so that each atom as described above is bonded to the Si skeleton 301 include, for example, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, and an alkenyl group such as a vinyl group and an allyl group. Aldehyde group, ketone group, carboxyl group, amino group, amide group, nitro group, halogenated alkyl group, mercapto group, sulfonic acid group, cyano group, isocyanate group and the like.

これらの各基の中でも、脱離基303は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜5aは、耐候性に(アクチュエータ1が使用される環境に対して)優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜5aの構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
Among these groups, the leaving group 303 is particularly preferably an alkyl group. Since the alkyl group has high chemical stability, the bonding film 5a containing the alkyl group has excellent weather resistance (with respect to the environment in which the actuator 1 is used).
Examples of the constituent material of the bonding film 5a having such characteristics include a polymer containing a siloxane bond such as polyorganosiloxane.

ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜5aは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜5aは、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性(非接着性)を示すが、エネルギを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
The bonding film 5a made of polyorganosiloxane itself has excellent mechanical properties. In addition, it exhibits particularly excellent adhesion to many materials. Therefore, the bonding film 5a made of polyorganosiloxane can bond the movable plate 21 and the coil 212 more firmly.
Polyorganosiloxane usually exhibits water repellency (non-adhesiveness), but when given energy, it can easily desorb organic groups, changes to hydrophilicity, and exhibits adhesiveness. However, there is an advantage that the non-adhesiveness and the adhesiveness can be controlled easily and reliably.

なお、この撥水性(非接着性)は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたアルキル基による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜5aは、エネルギを付与された領域に接着性が発現するとともに、エネルギを付与しなかった領域においては、前述したアルキル基による優れた撥液性が得られるという利点も有する。したがって、エネルギを付与する領域を制御することにより、接合膜5aの可動板21およびコイル212に接触しない領域に、優れた撥液性を発現させることができる。その結果、例えば湿度が比較的高い場所でアクチュエータ1が使用された場合でも、当該アクチュエータ1(接合膜5a)は、耐久性(耐水性)に優れた信頼性の高いものとなっている。   This water repellency (non-adhesiveness) is mainly due to the action of alkyl groups contained in the polyorganosiloxane. Therefore, the bonding film 5a made of polyorganosiloxane exhibits adhesiveness in a region to which energy is applied, and has excellent liquid repellency due to the aforementioned alkyl group in a region to which energy is not applied. Has the advantage of being Therefore, by controlling the region to which energy is applied, excellent liquid repellency can be exhibited in the region of the bonding film 5a that does not contact the movable plate 21 and the coil 212. As a result, even when the actuator 1 is used in a place where the humidity is relatively high, for example, the actuator 1 (bonding film 5a) is highly reliable with excellent durability (water resistance).

また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜5aは、接着性に特に優れることから、アクチュエータ1に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。   Further, among polyorganosiloxanes, those mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane are preferred. The bonding film 5a mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane is particularly excellent in adhesiveness, and thus can be particularly suitably applied to the actuator 1. Moreover, since the raw material which has octamethyltrisiloxane as a main component is liquid at normal temperature and has an appropriate viscosity, there is an advantage that it is easy to handle.

また、接合膜5aの平均厚さは、1〜1000nm程度であるのが好ましく、2〜800nm程度であるのがより好ましい。接合膜5aの平均厚さを前記範囲内とすることにより、可動板21とコイル212との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜5aの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜5aの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ1の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
Further, the average thickness of the bonding film 5a is preferably about 1 to 1000 nm, and more preferably about 2 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 5a within the above range, the dimensional accuracy between the movable plate 21 and the coil 212 can be more strongly bonded while preventing the dimensional accuracy between the movable film 21 and the coil 212 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 5a is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 5a exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the actuator 1 may be significantly reduced.

さらに、接合膜5aの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜5aにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板21の接合面(接合膜5aに隣接する面)に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜5aを被着させることができる。その結果、接合膜5aは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜5aが形成された可動板21にコイル212を貼り合わせた際に、接合膜5aのコイル212に対する密着性を高めることができる。   Furthermore, if the average thickness of the bonding film 5a is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the bonding film 5a. For this reason, for example, even when unevenness exists on the bonding surface of the movable plate 21 (surface adjacent to the bonding film 5a), the bonding film follows the shape of the unevenness depending on the height of the unevenness. 5a can be deposited. As a result, the bonding film 5a can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. When the coil 212 is bonded to the movable plate 21 on which the bonding film 5a is formed, the adhesion of the bonding film 5a to the coil 212 can be improved.

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜5aの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜5aの厚さをできるだけ厚くすればよい。
このような接合膜5aは、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、CVD法、PVD法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギ付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜5aを効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜5aは、可動板21とコイル212とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製され、エネルギが付与される前の接合膜5aは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、アクチュエータ1の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 5a increases. Therefore, in order to ensure sufficient shape followability, the thickness of the bonding film 5a should be as large as possible.
Such a bonding film 5a may be produced by any method, such as a film produced by various vapor deposition methods such as plasma polymerization, CVD, PVD, or various liquid deposition methods. Although it can produce by giving energy, among these, it is preferable to use the film | membrane produced by the plasma polymerization method as a film | membrane before energy provision. According to the plasma polymerization method, finally, a dense and homogeneous bonding film 5a can be efficiently produced. Thereby, the bonding film 5a produced by the plasma polymerization method can bond the movable plate 21 and the coil 212 particularly firmly. Further, the bonding film 5a that has been manufactured by the plasma polymerization method and has not been applied with energy can be maintained in a state in which energy is applied and activated for a relatively long time. For this reason, the manufacturing process of the actuator 1 can be simplified and improved in efficiency.

なお、接合膜5aは、平面視でコイル212を包含する領域に形成されている、すなわち、平面視での面積がコイル212の面積よりも大きく形成されているのが好ましい。これにより、接合膜5aにコイル212を接合した際その接合強度が比較的高くなり、また、接合工程で接合膜5aに対するコイル212の位置決めが行ない易くなり、よって、その作業性が向上する。   The bonding film 5a is preferably formed in a region including the coil 212 in plan view, that is, the bonding film 5a is formed to have a larger area in plan view than the area of the coil 212. Thereby, when the coil 212 is bonded to the bonding film 5a, the bonding strength becomes relatively high, and the coil 212 can be easily positioned with respect to the bonding film 5a in the bonding process, thereby improving the workability.

次に、一例として、基体2の母材2’上に、プラズマ重合法により、接合膜5aを作製して、母材2’(可動板21)とコイル212とを接合する方法、およびこの方法を含むアクチュエータ1を作製する方法について説明する。プラズマ重合法は、例えば、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を母材2’上に堆積させ、膜を得る方法である。   Next, as an example, a method of manufacturing the bonding film 5a on the base material 2 ′ of the substrate 2 by plasma polymerization, and bonding the base material 2 ′ (movable plate 21) and the coil 212, and this method A method for manufacturing the actuator 1 including the above will be described. In the plasma polymerization method, for example, by supplying a mixed gas of a source gas and a carrier gas in a strong electric field, molecules in the source gas are polymerized, a polymer is deposited on the base material 2 ′, and a film is formed. How to get.

以下、接合膜5aをプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、まず、接合膜5aの形成方法を説明するのに先立って、母材2’上にプラズマ重合法によって接合膜5aを作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜5aの形成方法について説明する。
図10に示すプラズマ重合装置900は、チャンバー901と、母材2’(基体2)を支持する第1の電極930と、第2の電極940と、各電極930、940間に高周波電圧を印加する電源回路980と、チャンバー901内にガスを供給するガス供給部990と、チャンバー901内のガスを排気する排気ポンプ970とを備えている。これらの各部のうち、第1の電極930および第2の電極940がチャンバー901内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー901は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧(真空)状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
Hereinafter, a method of forming the bonding film 5a by the plasma polymerization method will be described in detail. First, prior to explaining the method of forming the bonding film 5a, the bonding film 5a is formed on the base material 2 ′ by the plasma polymerization method. A plasma polymerization apparatus used for manufacturing will be described, and then a method for forming the bonding film 5a will be described.
The plasma polymerization apparatus 900 shown in FIG. 10 applies a high-frequency voltage between the chamber 901, the first electrode 930 that supports the base material 2 ′ (base 2), the second electrode 940, and the electrodes 930 and 940. A power supply circuit 980, a gas supply unit 990 for supplying gas into the chamber 901, and an exhaust pump 970 for exhausting the gas in the chamber 901. Among these parts, the first electrode 930 and the second electrode 940 are provided in the chamber 901. Hereinafter, each part will be described in detail.
The chamber 901 is a container that can maintain the airtightness of the inside, and is used with the inside being in a reduced pressure (vacuum) state. Therefore, the chamber 901 has pressure resistance that can withstand a pressure difference between the inside and the outside.

図10に示すチャンバー901は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー901の図10中上方には供給口903が、下方には排気口904が、それぞれ設けられている。そして、供給口903にはガス供給部990が接続され、排気口904には排気ポンプ970が接続されている。
A chamber 901 shown in FIG. 10 has a substantially cylindrical chamber body whose axis is arranged along the horizontal direction, a circular side wall that seals the left opening of the chamber body, and a circle that seals the right opening. And side walls.
A supply port 903 is provided above the chamber 901 in FIG. 10, and an exhaust port 904 is provided below the chamber 901. A gas supply unit 990 is connected to the supply port 903, and an exhaust pump 970 is connected to the exhaust port 904.

なお、本実施形態では、チャンバー901は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線902を介して電気的に接地されている。
第1の電極930は、板状をなしており、母材2’を支持している。
この第1の電極930は、チャンバー901の側壁の内壁面に、水平方向に沿って設けられている。また、第1の電極930は、チャンバー901を介して電気的に接地されている。
In the present embodiment, the chamber 901 is made of a highly conductive metal material and is electrically grounded via the ground wire 902.
The first electrode 930 has a plate shape and supports the base material 2 ′.
The first electrode 930 is provided on the inner wall surface of the side wall of the chamber 901 along the horizontal direction. Further, the first electrode 930 is electrically grounded through the chamber 901.

第1の電極930の母材2’を支持する面には、静電チャック(吸着機構)939が設けられている。
この静電チャック939により、図10に示すように、母材2’を保持することができる。また、母材2’に多少の反りがあっても、静電チャック939に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で母材2’をプラズマ処理に供することができる。
An electrostatic chuck (adsorption mechanism) 939 is provided on the surface of the first electrode 930 that supports the base material 2 ′.
The electrostatic chuck 939 can hold the base material 2 ′ as shown in FIG. Further, even if the base material 2 ′ has a slight warp, the base material 2 ′ can be subjected to a plasma treatment in a state in which the warp is corrected by being attracted to the electrostatic chuck 939.

第2の電極940は、母材2’を介して、第1の電極930と対向して設けられている。なお、第2の電極940は、チャンバー901の側壁の内壁面から離間した(絶縁された)状態で設けられている。
この第2の電極940には、配線984を介して高周波電源982が接続されている。また、配線984の途中には、マッチングボックス(整合器)983が設けられている。これらの配線984、高周波電源982およびマッチングボックス983により、電源回路980が構成されている。
The second electrode 940 is provided to face the first electrode 930 via the base material 2 ′. Note that the second electrode 940 is provided in a state of being separated (insulated) from the inner wall surface of the side wall of the chamber 901.
A high frequency power source 982 is connected to the second electrode 940 via a wiring 984. A matching box (matching unit) 983 is provided in the middle of the wiring 984. The wiring 984, the high frequency power supply 982, and the matching box 983 constitute a power supply circuit 980.

このような電源回路980によれば、第1の電極930は接地されているので、第1の電極930と第2の電極940との間に高周波電圧が印加される。これにより、第1の電極930と第2の電極940との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部990は、チャンバー901内に所定のガスを供給するものである。
According to such a power supply circuit 980, since the first electrode 930 is grounded, a high frequency voltage is applied between the first electrode 930 and the second electrode 940. As a result, an electric field whose direction is reversed at a high frequency is induced in the gap between the first electrode 930 and the second electrode 940.
The gas supply unit 990 supplies a predetermined gas into the chamber 901.

図10に示すガス供給部990は、液状の膜材料(原料液)を貯留する貯液部991と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置992と、キャリアガスを貯留するガスボンベ993とを有している。また、これらの各部とチャンバー901の供給口903とが、それぞれ配管994で接続されており、ガス状の膜材料(原料ガス)とキャリアガスとの混合ガスを、供給口903からチャンバー901内に供給するように構成されている。   A gas supply unit 990 illustrated in FIG. 10 stores a liquid storage unit 991 that stores a liquid film material (raw material liquid), a vaporizer 992 that vaporizes the liquid film material to change it into a gaseous state, and stores a carrier gas. And a gas cylinder 993. These parts and the supply port 903 of the chamber 901 are connected to each other by a pipe 994, and a mixed gas of a gaseous film material (raw material gas) and a carrier gas is supplied from the supply port 903 into the chamber 901. It is configured to supply.

貯液部991に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置900により、重合して母材2’の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置992により気化され、ガス状の膜材料(原料ガス)となってチャンバー901内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
The liquid film material stored in the liquid storage unit 991 is a raw material that is polymerized by the plasma polymerization apparatus 900 to form a polymer film on the surface of the base material 2 ′.
Such a liquid film material is vaporized by the vaporizer 992 and is supplied into the chamber 901 as a gaseous film material (raw material gas). The source gas will be described in detail later.

ガスボンベ993に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Arガス、Heガス等が挙げられる。
また、チャンバー901内の供給口903の近傍には、拡散板995が設けられている。
The carrier gas stored in the gas cylinder 993 is a gas that is discharged in order to maintain discharge by discharging due to the action of an electric field. Examples of such a carrier gas include Ar gas and He gas.
A diffusion plate 995 is provided in the vicinity of the supply port 903 in the chamber 901.

拡散板995は、チャンバー901内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー901内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ970は、チャンバー901内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー901内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による母材2’の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー901内から効果的に除去することができる。
また、排気口904には、チャンバー901内の圧力を調整する圧力制御機構971が設けられている。これにより、チャンバー901内の圧力が、ガス供給部160の動作状況に応じて、適宜設定される。
The diffusion plate 995 has a function of promoting the diffusion of the mixed gas supplied into the chamber 901. Thereby, the mixed gas can be dispersed in the chamber 901 at a substantially uniform concentration.
The exhaust pump 970 exhausts the inside of the chamber 901, and includes, for example, an oil rotary pump, a turbo molecular pump, or the like. By exhausting the chamber 901 and reducing the pressure in this manner, the gas can be easily converted into plasma. In addition, contamination and oxidation of the base material 2 ′ due to contact with the air atmosphere can be prevented, and reaction products resulting from the plasma treatment can be effectively removed from the chamber 901.
The exhaust port 904 is provided with a pressure control mechanism 971 that adjusts the pressure in the chamber 901. Thereby, the pressure in the chamber 901 is appropriately set according to the operation status of the gas supply unit 160.

次に、母材2’上に接合膜5aを形成する方法について説明する。
[1]
まず、基体2を製作するための母材として、母材2’を用意する。母材2’は、後述する工程において加工を施すことにより、基体2になり得るものである。この母材2’をプラズマ重合装置900のチャンバー901内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ970の作動により、チャンバー901内を減圧状態とする。
Next, a method for forming the bonding film 5a on the base material 2 ′ will be described.
[1]
First, a base material 2 ′ is prepared as a base material for manufacturing the base 2. The base material 2 ′ can be the base body 2 by processing in a process described later. After this base material 2 ′ is housed in the chamber 901 of the plasma polymerization apparatus 900 and sealed, the chamber 901 is decompressed by the operation of the exhaust pump 970.

次に、ガス供給部990を作動させ、チャンバー901内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー901内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合(混合比)は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を20〜70%程度に設定するのが好ましく、30〜60%程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成(成膜)の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、1〜100ccm程度に設定するのが好ましく、10〜60ccm程度に設定するのがより好ましい。
Next, the gas supply unit 990 is operated to supply a mixed gas of the source gas and the carrier gas into the chamber 901. The supplied mixed gas is filled in the chamber 901.
Here, the ratio (mixing ratio) of the source gas in the mixed gas is slightly different depending on the type of the source gas and the carrier gas, the target film forming speed, and the like. For example, the ratio of the source gas in the mixed gas is 20 It is preferable to set to about -70%, and it is more preferable to set to about 30-60%. As a result, it is possible to optimize the conditions for formation (film formation) of the polymer film.
Further, the flow rate of the gas to be supplied is appropriately determined depending on the type of gas, the target film formation rate, the film thickness, etc., and is not particularly limited, but usually the flow rates of the source gas and the carrier gas are respectively , Preferably about 1 to 100 ccm, more preferably about 10 to 60 ccm.

次いで、電源回路980を作動させ、一対の電極930、940間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極930、940間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が母材2’上に付着・堆積する。これにより、図7(a)に示すように、母材2’上にプラズマ重合膜で構成された接合膜5’が形成される。この接合膜5’は、後述する工程において加工を施すことにより、接合膜5a、5b、5c、5dとなり得るものである。   Next, the power supply circuit 980 is activated, and a high-frequency voltage is applied between the pair of electrodes 930 and 940. As a result, gas molecules existing between the pair of electrodes 930 and 940 are ionized to generate plasma. Molecules in the raw material gas are polymerized by the plasma energy, and the polymer adheres to and deposits on the base material 2 '. As a result, as shown in FIG. 7A, a bonding film 5 'made of a plasma polymerized film is formed on the base material 2'. The bonding film 5 ′ can be formed into bonding films 5 a, 5 b, 5 c, and 5 d by processing in a process described later.

原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜5’は、これらの原料が重合してなるもの(重合物)、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
Examples of the source gas include organosiloxanes such as methylsiloxane, octamethyltrisiloxane, decamethyltetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, and methylphenylsiloxane.
The plasma polymerized film obtained by using such a raw material gas, that is, the bonding film 5 ′ is constituted by a polymer obtained by polymerizing these raw materials, that is, a polyorganosiloxane.

プラズマ重合の際、一対の電極930、940間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、1kHz〜100MHz程度であるのが好ましく、10〜60MHz程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、0.01〜10W/cm程度であるのが好ましく、0.1〜1W/cm程度であるのがより好ましい。
In the plasma polymerization, the frequency of the high frequency applied between the pair of electrodes 930 and 940 is not particularly limited, but is preferably about 1 kHz to 100 MHz, and more preferably about 10 to 60 MHz.
Further, the power density of the high frequency is not particularly limited, and is preferably about 0.01 to 10 / cm 2, more preferably about 0.1 to 1 W / cm 2.

また、成膜時のチャンバー901内の圧力は、133.3×10−5〜1333Pa(1×10−5〜10Torr)程度であるのが好ましく、133.3×10−4〜133.3Pa(1×10−4〜1Torr)程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、0.5〜200sccm程度であるのが好ましく、1〜100sccm程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、5〜750sccm程度であるのが好ましく、10〜500sccm程度であるのがより好ましい。
The pressure in the chamber 901 at the time of film formation is preferably about 133.3 × 10 −5 to 1333 Pa (1 × 10 −5 to 10 Torr), preferably 133.3 × 10 −4 to 133.3 Pa ( More preferably, it is about 1 × 10 −4 to 1 Torr).
The raw material gas flow rate is preferably about 0.5 to 200 sccm, and more preferably about 1 to 100 sccm. On the other hand, the carrier gas flow rate is preferably about 5 to 750 sccm, and more preferably about 10 to 500 sccm.

処理時間は、1〜10分程度であるのが好ましく、4〜7分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜5’(接合膜5a)の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜5’の厚さを容易に調整することができる。このため、従来は、接着剤を用いて可動板21とコイル212とを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができなかったが、接合膜5’によれば、当該接合膜5’の厚さを厳密に制御することができるので、可動板21とコイル212との距離を厳密に制御することができる。
また、母材2’の温度は、25℃以上であるのが好ましく、25〜100℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜5’を得ることができる。
The treatment time is preferably about 1 to 10 minutes, more preferably about 4 to 7 minutes. Note that the thickness of the deposited bonding film 5 ′ (bonding film 5a) is mainly proportional to the processing time. Therefore, the thickness of the bonding film 5 ′ can be easily adjusted only by adjusting the processing time. For this reason, conventionally, when the movable plate 21 and the coil 212 are bonded using an adhesive, the thickness of the adhesive cannot be strictly controlled. However, according to the bonding film 5 ′, the bonding Since the thickness of the film 5 ′ can be strictly controlled, the distance between the movable plate 21 and the coil 212 can be strictly controlled.
Further, the temperature of the base material 2 ′ is preferably 25 ° C. or higher, more preferably about 25 to 100 ° C.
As described above, the bonding film 5 ′ can be obtained.

[2]
次に、接合膜5’が形成された母材2’を一旦チャンバー901内から取り出す。そして、図7(b)に示すように、この母材2’に開口部243を形成する。この開口部243が形成されることにより、母材2’は、振動系20を有する基体2となる。なお、開口部243の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
[2]
Next, the base material 2 ′ on which the bonding film 5 ′ is formed is once taken out from the chamber 901. Then, as shown in FIG. 7B, an opening 243 is formed in the base material 2 ′. By forming the opening 243, the base material 2 ′ becomes the base 2 having the vibration system 20. The opening 243 is formed by combining one or more of physical etching methods such as dry etching, reactive ion etching, beam etching, and light-assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching. Can be used.

[3]
次に、開口部243が形成された母材2’を再度チャンバー901内に設置する。そして、接合膜5’に対してエネルギを付与する。
エネルギが付与されると、接合膜5’では、図5に示すように、脱離基303がSi骨格301から脱離する。そして、脱離基303が脱離した後には、図6に示すように、接合膜5aの表面51および内部に活性手304が生じる。これにより、接合膜5’の表面51に、コイル212との接着性が発現する。
[3]
Next, the base material 2 ′ in which the opening 243 is formed is placed in the chamber 901 again. Then, energy is applied to the bonding film 5 ′.
When energy is applied, the leaving group 303 is detached from the Si skeleton 301 in the bonding film 5 ′ as shown in FIG. Then, after the leaving group 303 is removed, active hands 304 are generated on the surface 51 and inside of the bonding film 5a, as shown in FIG. Thereby, adhesiveness with the coil 212 is expressed on the surface 51 of the bonding film 5 ′.

ここで、接合膜5’に付与するエネルギは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、(I)接合膜5’にエネルギ線を照射する方法、(II)接合膜5’を加熱する方法、(III)接合膜5’に圧縮力を付与する(物理的エネルギを付与する)方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す(プラズマエネルギを付与する)方法、オゾンガスに曝す(化学的エネルギを付与する)方法等が挙げられる。
このうち、接合膜5’にエネルギを付与する方法として、特に、上記(I)、(II)、(III)の各方法のうち、少なくとも1つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜5’に対して比較的簡単に効率よくエネルギを付与することができるので、エネルギ付与方法として好適である。
Here, the energy applied to the bonding film 5 ′ may be applied by any method. For example, (I) a method of irradiating the bonding film 5 ′ with energy rays, and (II) a method of heating the bonding film 5 ′. (III) A method of applying compressive force (applying physical energy) to the bonding film 5 ′ is representatively mentioned. In addition, a method of exposing to plasma (applying plasma energy), exposure to ozone gas (chemical) And the like).
Among these, as a method for applying energy to the bonding film 5 ′, it is particularly preferable to use at least one of the methods (I), (II), and (III). Since these methods can apply energy to the bonding film 5 ′ relatively easily and efficiently, they are suitable as energy application methods.

以下、上記(I)、(II)、(III)の各方法について詳述する。
(I)接合膜5’にエネルギ線を照射する場合、エネルギ線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、X線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギ線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギ線の中でも、特に、波長150〜300nm程度の紫外線を用いるのが好ましい(図7(c)参照)。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギ量が最適化されるので、接合膜5’中のSi骨格301が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Si骨格301と脱離基303との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜5’の特性(機械的特性、化学的特性等)が低下するのを防止しつつ、接合膜5’に接着性を発現させることができる。
Hereinafter, the methods (I), (II), and (III) will be described in detail.
(I) When irradiating the bonding film 5 ′ with energy rays, examples of the energy rays include light such as ultraviolet rays and laser light, particle rays such as X-rays, γ rays, electron beams, and ion beams, or the like, or What combined these energy rays is mentioned.
Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 150 to 300 nm (see FIG. 7C). According to such ultraviolet rays, the amount of energy applied is optimized, so that the Si skeleton 301 and the leaving group 303 are prevented from being destroyed more than necessary while the Si skeleton 301 in the bonding film 5 ′ is prevented from being destroyed more than necessary. The bond between can be selectively broken. Thereby, adhesiveness can be expressed in the bonding film 5 ′ while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film 5 ′ from deteriorating.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基303の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、UVランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、160〜200nm程度とされる。
また、UVランプを用いる場合、その出力は、接合膜5’の面積に応じて異なるが、1mW/cm〜1W/cm程度であるのが好ましく、5mW/cm〜50mW/cm程度であるのがより好ましい。なお、この場合、UVランプと接合膜5’との離間距離は、3〜3000mm程度とするのが好ましく、10〜1000mm程度とするのがより好ましい。
In addition, since ultraviolet rays can be processed in a short time without unevenness, the leaving group 303 can be efficiently eliminated. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of ultraviolet light is more preferably about 160 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the bonding film 5 'is preferably from 1mW / cm 2 ~1W / cm 2 approximately, 5mW / cm 2 ~50mW / cm 2 of about It is more preferable that In this case, the separation distance between the UV lamp and the bonding film 5 ′ is preferably about 3 to 3000 mm, and more preferably about 10 to 1000 mm.

また、紫外線を照射する時間は、接合膜5’の表面付近の脱離基303を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜5’の内部の脱離基303を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜5’の構成材料等に応じて若干異なるものの、0.5〜30分程度であるのが好ましく、1〜10分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的(パルス状)に照射されてもよい。
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザ(フェムト秒レーザ)、Nd−YAGレーザ、Arレーザ、COレーザ、He−Neレーザ等が挙げられる。
In addition, the time of irradiation with ultraviolet rays is such a time that the leaving group 303 near the surface of the bonding film 5 ′ can be removed, that is, a large amount of the leaving group 303 inside the bonding film 5 ′ is not released. Time is preferred. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the bonding film 5 ′, etc., it is preferably about 0.5 to 30 minutes, more preferably about 1 to 10 minutes.
Moreover, although an ultraviolet-ray may be irradiated continuously in time, you may irradiate intermittently (pulse form).
On the other hand, examples of the laser light include an excimer laser (femtosecond laser), an Nd—YAG laser, an Ar laser, a CO 2 laser, and a He—Ne laser.

また、接合膜5’に対するエネルギ線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧(真空)雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギ線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギ線を照射する方法によれば、接合膜5’に対して選択的にエネルギを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギの付与による基体2の変質・劣化を防止することができる。
The irradiation of the energy beam to the bonding film 5 ′ may be performed in any atmosphere, and specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, and the like. In addition, an inert gas atmosphere such as argon, or a reduced pressure (vacuum) atmosphere obtained by reducing these atmospheres is preferable, and it is particularly preferably performed in an air atmosphere. Thereby, it is not necessary to take time and cost to control the atmosphere, and energy beam irradiation can be performed more easily.
Thus, according to the method of irradiating energy rays, it is possible to easily apply energy selectively to the bonding film 5 ′, and therefore, for example, alteration / deterioration of the substrate 2 due to application of energy is prevented. be able to.

また、エネルギ線を照射する方法によれば、付与するエネルギの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜5’から脱離する脱離基303の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基303の脱離量を調整することにより、接合膜5aとコイル212との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基303の脱離量を多くすることにより、接合膜5’の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜5’に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基303の脱離量を少なくすることにより、接合膜5’の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜5’に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギの大きさを調整するためには、例えば、エネルギ線の種類、エネルギ線の出力、エネルギ線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギ線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギを付与することができるので、エネルギの付与をより効率よく行うことができる。
Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of energy to be applied can be easily adjusted with high accuracy. For this reason, it is possible to adjust the desorption amount of the leaving group 303 desorbed from the bonding film 5 ′. By adjusting the amount of elimination of the leaving group 303 in this way, the bonding strength between the bonding film 5a and the coil 212 can be easily controlled.
That is, by increasing the amount of elimination of the leaving group 303, more active hands are generated on the surface and inside of the bonding film 5 ′, so that the adhesiveness expressed in the bonding film 5 ′ can be further enhanced. . On the other hand, by reducing the amount of elimination of the leaving group 303, it is possible to reduce the number of active hands generated on the surface and inside of the bonding film 5 ′, and to suppress the adhesiveness developed in the bonding film 5 ′.
In addition, in order to adjust the magnitude | size of the energy to provide, what is necessary is just to adjust conditions, such as the kind of energy beam, the output of an energy beam, the irradiation time of an energy beam.
Furthermore, according to the method of irradiating energy rays, a large amount of energy can be applied in a short time, so that energy can be applied more efficiently.

(II)接合膜5’を加熱する場合(図示せず)、加熱温度を25〜100℃程度に設定するのが好ましく、50〜100℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、基体2等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜5’を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜5’の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、1〜30分程度であるのが好ましい。
(II) When heating the bonding film 5 ′ (not shown), the heating temperature is preferably set to about 25 to 100 ° C., more preferably about 50 to 100 ° C. By heating at such a temperature, it is possible to reliably activate the bonding film 5 ′ while reliably preventing the base body 2 and the like from being altered or deteriorated by heat.
Further, the heating time may be a time that can break the molecular bond of the bonding film 5 ′, and specifically, it is preferably about 1 to 30 minutes if the heating temperature is within the above range. .

また、接合膜5’は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、基体2(可動板21)とコイル212との熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜5’を加熱すればよいが、基体2とコイル212との熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
The bonding film 5 ′ may be heated by any method, but can be heated by various heating methods such as a method using a heater, a method of irradiating infrared rays, and a method of contacting with a flame.
When the base 2 (movable plate 21) and the coil 212 have substantially the same coefficient of thermal expansion, the bonding film 5 ′ may be heated under the above conditions. However, the base 2 and the coil 212 have a thermal expansion. When the rates are different from each other, it will be described in detail later, but it is preferable to perform bonding at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

(III)本実施形態では、可動板21とコイル212とを貼り合わせる前に、接合膜5’に対してエネルギを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギの付与は、可動板21とコイル212とを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、母材2’上に接合膜5’を形成して、さらに開口部243を形成した後、エネルギを付与する前に、接合膜5’(接合膜5a)とコイル212とが密着するように、可動板21とコイル212とを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜5aに対してエネルギを付与することにより、接合膜5aに接着性が発現し、接合膜5aを介して可動板21とコイル212とが接合(接着)される。   (III) In the present embodiment, the case where energy is applied to the bonding film 5 ′ before the movable plate 21 and the coil 212 are bonded to each other has been described. It may be performed after the coil 212 is overlapped. That is, after the bonding film 5 ′ is formed on the base material 2 ′ and the opening 243 is further formed, the bonding film 5 ′ (bonding film 5 a) and the coil 212 are brought into close contact with each other before energy is applied. In addition, the movable plate 21 and the coil 212 are overlapped to form a temporary joined body. Then, by applying energy to the bonding film 5a in the temporary bonded body, the bonding film 5a exhibits adhesiveness, and the movable plate 21 and the coil 212 are bonded (adhered) via the bonding film 5a. The

この場合、仮接合体中の接合膜5aに対するエネルギの付与は、前述した(I)、(II)の方法でもよいが、接合膜5aに圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、可動板21とコイル212とが互いに近づく方向に、0.2〜10MPa程度の圧力で圧縮するのが好ましく、1〜5MPa程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜5aに対して適度なエネルギを簡単に付与することができ、接合膜5aに十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、可動板21(基体2)およびコイル212の各構成材料によっては、これらの部材に損傷等が生じるおそれがある。
In this case, energy may be applied to the bonding film 5a in the temporary bonded body by the methods (I) and (II) described above, or a method of applying a compressive force to the bonding film 5a may be used.
In this case, the movable plate 21 and the coil 212 are preferably compressed at a pressure of about 0.2 to 10 MPa and more preferably compressed at a pressure of about 1 to 5 MPa in a direction in which the movable plate 21 and the coil 212 approach each other. As a result, it is possible to easily apply appropriate energy to the bonding film 5a simply by compressing, and sufficient adhesiveness is exhibited in the bonding film 5a. The pressure may exceed the upper limit, but depending on the constituent materials of the movable plate 21 (base 2) and the coil 212, these members may be damaged.

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、10秒〜30分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、可動板21とコイル212との間が接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する(ずらす)ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、可動板21とコイル212との相対位置を微調整することにより、最終的に得られるアクチュエータ1の組み立て精度(寸法精度)を確実に高めることができる。
以上のような(I)、(II)、(III)の各方法により、接合膜5’にエネルギを付与することができる。
The time for applying the compressive force is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time which provides compression force according to the magnitude | size of compression force. Specifically, the time for applying the compressive force can be shortened as the compressive force increases.
Since the movable plate 21 and the coil 212 are not joined in the temporarily joined state, their relative positions can be easily adjusted (shifted). Therefore, once the temporary joined body is obtained, the assembly accuracy (dimensional accuracy) of the finally obtained actuator 1 can be reliably increased by finely adjusting the relative position between the movable plate 21 and the coil 212. .
Energy can be applied to the bonding film 5 ′ by the methods (I), (II), and (III) as described above.

なお、接合膜5’の全面にエネルギを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜5’の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、基体2とコイル212の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。   Note that energy may be applied to the entire surface of the bonding film 5 ′, but it may be applied to only a part of the region. In this way, it is possible to control the region where the adhesiveness of the bonding film 5 ′ is expressed. By appropriately adjusting the area, shape, etc. of this region, local concentration of stress generated at the bonding interface is alleviated. be able to. Thereby, for example, even when the difference in thermal expansion coefficient between the base 2 and the coil 212 is large, these can be reliably bonded.

ここで、前述したように、エネルギが付与される前の状態の接合膜5’は、図5に示すように、Si骨格301と脱離基303とを有している。かかる接合膜5’にエネルギが付与されると、脱離基303(本実施形態では、メチル基)がSi骨格301から脱離する。これにより、図6に示すように、接合膜5aの表面51に活性手304が生じ、活性化される。その結果、接合膜5’の表面51に接着性が発現する。   Here, as described above, the bonding film 5 ′ in the state before energy is applied has the Si skeleton 301 and the leaving group 303 as shown in FIG. 5. When energy is applied to the bonding film 5 ′, the leaving group 303 (in this embodiment, a methyl group) is detached from the Si skeleton 301. As a result, as shown in FIG. 6, active hands 304 are generated on the surface 51 of the bonding film 5a and activated. As a result, adhesiveness is developed on the surface 51 of the bonding film 5 ′.

ここで、接合膜5aを「活性化させる」とは、接合膜5’の表面51および内部の脱離基303が脱離して、Si骨格301において終端化されていない結合手(以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。)が生じた状態や、この未結合手が水酸基(OH基)によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。   Here, “activating” the bonding film 5 a means that the surface 51 of the bonding film 5 ′ and the leaving group 303 inside the bonding film 5 ′ are released, and a bond that is not terminated in the Si skeleton 301 (hereinafter, “not yet”). It is also referred to as a “bond” or “dangling bond”), a state in which this unbonded hand is terminated by a hydroxyl group (OH group), or a state in which these states are mixed.

したがって、活性手304とは、未結合手(ダングリングボンド)、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手304によれば、コイル212に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態(未結合手が水酸基によって終端化された状態)は、例えば、接合膜5aに対して大気雰囲気中でエネルギ線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
Therefore, the active hand 304 means a dangling bond (dangling bond) or a dangling bond terminated with a hydroxyl group. According to such an active hand 304, a particularly strong bond can be made to the coil 212.
The latter state (state in which the dangling bond is terminated by a hydroxyl group) is, for example, that the moisture in the atmosphere terminates the dangling bond by irradiating the bonding film 5a with energy rays in the atmospheric air. Can be easily generated.

[4]
次に、一体化されたコイル212、配線231、端子242と、一体化された配線221、端子241とを用意する。そして、図7(d)に示すように、これらが、前記接着性が発現してなる接合膜5’と密着するように、各部材同士を貼り合わせる。このとき、接合膜5’は、コイル212と接合した部分が接合膜5aとなり、配線221および端子241と接合した部分が5cとなり、配線231および端子242と接合した部分が5dとなる。このような接合により、図7(d)に示すように、可動板21とコイル212とが、接合膜5aを介して接合(接着)される。その後、配線214を設置する。
[4]
Next, an integrated coil 212, wiring 231 and terminal 242 and integrated wiring 221 and terminal 241 are prepared. And as shown in FIG.7 (d), each member is bonded together so that these may closely_contact | adhere with bonding film | membrane 5 'which expresses the said adhesiveness. At this time, in the bonding film 5 ′, the portion bonded to the coil 212 becomes the bonding film 5a, the portion bonded to the wiring 221 and the terminal 241 becomes 5c, and the portion bonded to the wiring 231 and the terminal 242 becomes 5d. By such joining, as shown in FIG. 7D, the movable plate 21 and the coil 212 are joined (adhered) via the joining film 5a. Thereafter, the wiring 214 is installed.

ここで、上記のようにして接合される基体2(可動板21)とコイル212(配線221、231、端子241、242)の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。基体2とコイル212の熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られるアクチュエータ1において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。   Here, it is preferable that the thermal expansion coefficients of the base 2 (movable plate 21) and the coils 212 (wirings 221, 231 and terminals 241, 242) to be joined as described above are substantially equal. If the coefficients of thermal expansion of the base 2 and the coil 212 are approximately equal, when they are bonded together, it is difficult for stress associated with thermal expansion to occur at the bonding interface. As a result, it is possible to reliably prevent problems such as peeling in the finally obtained actuator 1.

また、基体2とコイル212の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、基体2とコイル212とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、基体2とコイル212とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、基体2とコイル212の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
Even when the thermal expansion coefficients of the base 2 and the coil 212 are different from each other, the base 2 and the coil 212 are made to have high dimensions by optimizing the conditions for bonding the base 2 and the coil 212 as follows. It can be firmly joined with accuracy.
That is, when the coefficients of thermal expansion of the base 2 and the coil 212 are different from each other, it is preferable to perform bonding at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

具体的には、基体2とコイル212との熱膨張率差にもよるが、基体2とコイル212の温度が25〜50℃程度である状態下で、基体2とコイル212とを貼り合わせるのが好ましく、25〜40℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、基体2とコイル212の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、アクチュエータ1における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。   Specifically, the base 2 and the coil 212 are bonded together in a state where the temperature of the base 2 and the coil 212 is about 25 to 50 ° C., depending on the difference in thermal expansion coefficient between the base 2 and the coil 212. Is preferable, and it is more preferable to bond together in the state which is about 25-40 degreeC. Within such a temperature range, even if the difference in thermal expansion coefficient between the base 2 and the coil 212 is large to some extent, the thermal stress generated at the bonding interface can be sufficiently reduced. As a result, it is possible to reliably prevent the actuator 1 from warping or peeling.

また、この場合、基体2とコイル212との間の熱膨張係数の差が、5×10−5/K以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜5a(接合膜5’)を用いることにより、上述したような低温下でも、可動板21とコイル212とを強固に接合することができる。
また、基体2とコイル212は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、基体2とコイル212とをより強固に接合することができる。
Further, in this case, when the difference in thermal expansion coefficient between the base 2 and the coil 212 is 5 × 10 −5 / K or more, the bonding is performed at the lowest possible temperature as described above. Is particularly recommended. In addition, by using the bonding film 5a (bonding film 5 ′), the movable plate 21 and the coil 212 can be firmly bonded even at a low temperature as described above.
Moreover, it is preferable that the base body 2 and the coil 212 have different rigidity from each other. Thereby, the base | substrate 2 and the coil 212 can be joined more firmly.

なお、基体2の接合膜5a(5b〜5dも同様)を成膜する領域には、予め、接合膜5aとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、基体2と接合膜5aとの間の接合強度をより高めることができ、最終的には、基体2とコイル212との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、基体2の接合膜5aを成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
In addition, it is preferable to perform the surface treatment which raises the adhesiveness with the bonding film 5a beforehand to the area | region which forms the bonding film 5a (5b-5d) of the base | substrate 2 into a film. Thereby, the bonding strength between the base 2 and the bonding film 5 a can be further increased, and finally the bonding strength between the base 2 and the coil 212 can be increased.
Examples of the surface treatment include physical surface treatment such as sputtering treatment and blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, etc., corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, ozone Examples include chemical surface treatment such as exposure treatment, or a combination of these. By performing such treatment, the region where the bonding film 5a of the base 2 is formed can be cleaned and the region can be activated.

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜5aを形成するために、基体2の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す基体2が、樹脂材料(高分子材料)で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、基体2の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜5aの接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる基体2の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料を主材料とするものが挙げられる。
Further, by using plasma treatment among these surface treatments, the surface of the substrate 2 can be particularly optimized in order to form the bonding film 5a.
In addition, when the base | substrate 2 which performs surface treatment is comprised with the resin material (polymer material), especially a corona discharge process, a nitrogen plasma process, etc. are used suitably.
Further, depending on the constituent material of the substrate 2, there is a material in which the bonding strength of the bonding film 5a is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. Examples of the constituent material of the base 2 that can obtain such an effect include those mainly containing various metal-based materials and various silicon-based materials as described above.

このような材料で構成された基体2は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された基体2を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、基体2と接合膜5aとを強固に密着させることができる。
なお、この場合、基体2の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜5aを成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
The surface of the substrate 2 made of such a material is covered with an oxide film, and a relatively active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, when the substrate 2 made of such a material is used, the substrate 2 and the bonding film 5a can be firmly adhered to each other without performing the surface treatment as described above.
In this case, the entire substrate 2 may not be made of the material as described above, and at least the vicinity of the surface of the region where the bonding film 5a is formed needs to be made of the material as described above.

さらに、基体2の接合膜5aを成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、基体2と接合膜5aとの接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、2重結合、3重結合のような不飽和結合、F、Cl、Br、Iのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも1つの基または物質が挙げられる。
Furthermore, when the following group or substance is included in the region where the bonding film 5a of the substrate 2 is formed, the bonding strength between the substrate 2 and the bonding film 5a is sufficient even without performing the above surface treatment. Can be high.
Examples of such groups and substances include functional groups such as hydroxyl groups, thiol groups, carboxyl groups, amino groups, nitro groups, and imidazole groups, radicals, ring-opened molecules, double bonds, and triple bonds. And at least one group or substance selected from the group consisting of a saturated bond, a halogen such as F, Cl, Br, and I, and a peroxide.

また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
また、表面処理に代えて、基体2の少なくとも接合膜5aを成膜する領域には、予め、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜5aとの密着性を高める機能、クッション性(緩衝機能)、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して基体2上に接合膜5aを成膜することにより、基体2と接合膜5aとの接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわちアクチュエータ1を得ることができる。
Further, it is preferable to appropriately select and perform various surface treatments as described above so that a surface having such a material can be obtained.
Further, instead of the surface treatment, it is preferable to form an intermediate layer in advance in at least the region of the substrate 2 where the bonding film 5a is formed.
This intermediate layer may have any function. For example, a layer having a function of improving adhesion to the bonding film 5a, a cushioning function (buffer function), a function of reducing stress concentration, and the like are preferable. By forming the bonding film 5a on the substrate 2 through such an intermediate layer, the bonding strength between the substrate 2 and the bonding film 5a can be increased, and a highly reliable bonded body, that is, the actuator 1 can be obtained. .

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the constituent material of the intermediate layer include metal materials such as aluminum and titanium, metal oxides, oxide materials such as silicon oxide, metal nitrides, and nitride materials such as silicon nitride. , Carbon-based materials such as graphite and diamond-like carbon, silane coupling agents, thiol-based compounds, metal alkoxides, self-assembled film materials such as metal-halogen compounds, etc., one or two of these A combination of more than one species can be used.

また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、基体2と接合膜5aとの間の接合強度を特に高めることができる。
一方、コイル212の接合膜5aと接触する領域にも、予め、接合膜5aとの密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、コイル212と接合膜5aとの間の接合強度をより高めることができる。
Further, among the intermediate layers formed of these materials, the intermediate layer formed of the oxide-based material can particularly increase the bonding strength between the base 2 and the bonding film 5a.
On the other hand, it is preferable that a region of the coil 212 that is in contact with the bonding film 5a is preliminarily subjected to a surface treatment that improves the adhesion with the bonding film 5a. As a result, the bonding strength between the coil 212 and the bonding film 5a can be further increased.

なお、この表面処理には、基体2に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、表面処理に代えて、コイル212の接合膜5aと接触する領域に、予め、接合膜5aとの密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、コイル212と接合膜5aとの間の接合強度をより高めることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述の基体2に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
For this surface treatment, the same treatment as that described above for the substrate 2 can be applied.
Further, instead of the surface treatment, it is preferable to previously form an intermediate layer having a function of improving the adhesion with the bonding film 5a in a region of the coil 212 that contacts the bonding film 5a. As a result, the bonding strength between the coil 212 and the bonding film 5a can be further increased.
As the constituent material of the intermediate layer, the same constituent material as that of the intermediate layer formed on the substrate 2 can be used.

ここで、本工程において、接合膜5aを介して基体2とコイル212とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、コイル212の基体2との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜5aとコイル212とが接触するように、基体2とコイル212とを貼り合わせたとき、接合膜5aの表面51に存在する水酸基と、コイル212の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜5aを介して基体2とコイル212とが接合されると推察される。
Here, a mechanism in which the base 2 and the coil 212 are bonded through the bonding film 5a in this step will be described.
For example, a case where a hydroxyl group is exposed in a region of the coil 212 that is joined to the base 2 will be described as an example. In this step, the base 2 When the coil 212 is bonded together, the hydroxyl group present on the surface 51 of the bonding film 5a and the hydroxyl group present in the region of the coil 212 are attracted to each other by hydrogen bonding, and an attractive force is generated between the hydroxyl groups. It is assumed that the base body 2 and the coil 212 are bonded to each other through the bonding film 5a by this attractive force.

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜5aとコイル212との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜5aを介して基体2とコイル212とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程[3]で活性化された接合膜5aの表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程[3]の終了後、できるだけ早く本工程[4]を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程[3]の終了後、60分以内に本工程[4]を行うようにするのが好ましく、5分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜5aの表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜5aを備える可動板21とコイル212とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合された基体2とコイル212との間は、その接合強度が5MPa(50kgf/cm)以上であるのが好ましく、10MPa(100kgf/cm)以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高いアクチュエータ1が得られる。
Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the bonding film 5 a and the coil 212, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded are bonded. Accordingly, it is assumed that the base 2 and the coil 212 are more firmly bonded via the bonding film 5a.
Note that the active state of the surface of the bonding film 5a activated in the step [3] relaxes with time. For this reason, it is preferable to perform this process [4] as soon as possible after completion of the process [3]. Specifically, after the completion of the step [3], the step [4] is preferably performed within 60 minutes, and more preferably within 5 minutes. If within this time, the surface of the bonding film 5a is maintained in a sufficiently active state. Therefore, when the movable plate 21 including the bonding film 5a and the coil 212 are bonded together in this step, the bonding film 5a has a sufficient space between them. Can obtain a high bonding strength.
The bonding strength between the substrate 2 and the coil 212 bonded in this manner is preferably 5 MPa (50 kgf / cm 2 ) or more, and more preferably 10 MPa (100 kgf / cm 2 ) or more. With such a bonding strength, peeling of the bonding interface can be sufficiently prevented. And the highly reliable actuator 1 is obtained.

[5]
一方、図8(e)に示すように、基板32を用意し、この基板32上に接合膜6’を形成する。この接合膜6’は、後述する工程において加工を施すことにより、接合膜6a、6b、6cとなり得るものである。なお、接合膜6’の形成方法は、前述した接合膜5’の形成方法と同様である。
[5]
On the other hand, as shown in FIG. 8E, a substrate 32 is prepared, and a bonding film 6 ′ is formed on the substrate 32. The bonding film 6 ′ can be formed into bonding films 6a, 6b, and 6c by processing in a process described later. The method for forming the bonding film 6 ′ is the same as the method for forming the bonding film 5 ′ described above.

[6]
次に、接合膜6’に対してエネルギを付与する。これにより、接合膜6’に、枠状体31の母材31’との接着性が発現する。そして、接着性が発現してなる接合膜6’と母材31’とが密着するように、母材31’と基板32を貼り合わせる。これにより、図8(f)に示すように、母材31’と基板32とが、接合膜6’を介して接合(接着)される。なお、接合膜6’に対するエネルギの付与は、前述した接合膜5’に対するエネルギの付与方法と同様の方法で行うことができる。
[6]
Next, energy is applied to the bonding film 6 ′. Thereby, adhesiveness with base material 31 'of the frame-shaped body 31 expresses in joining film | membrane 6'. Then, the base material 31 ′ and the substrate 32 are bonded together so that the bonding film 6 ′ exhibiting adhesiveness and the base material 31 ′ are in close contact with each other. Accordingly, as shown in FIG. 8F, the base material 31 ′ and the substrate 32 are bonded (adhered) via the bonding film 6 ′. The application of energy to the bonding film 6 ′ can be performed by a method similar to the method of applying energy to the bonding film 5 ′ described above.

[7]
次に、図8(g)に示すように、母材31’に開口部311を形成する。開口部311の形成は、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウエットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
本工程により、母材31’から枠状体31が形成される。また、接合膜6’の枠状体31と接合した部分が接合膜6aとなる。
[7]
Next, as shown in FIG. 8G, an opening 311 is formed in the base material 31 ′. The opening 311 is formed by using one or a combination of two or more of physical etching methods such as dry etching, reactive ion etching, beam etching, and optically assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching. be able to.
By this step, the frame body 31 is formed from the base material 31 ′. Further, a portion of the bonding film 6 ′ bonded to the frame body 31 becomes the bonding film 6a.

[8]
次に、図9(h)に示すように、前記工程[4]で得られた(図7(d)に示す状態の)基体2(構造体)を反転させ、前記工程[7]で得られた(図8(g)に示す状態)支持体3に対向させる。この状態から、基体2を支持体3に接近させ、これらを接合する。このとき、接合膜5’の枠状体31と接合した部分が接合膜5bとなる。この接合膜5bを介して、基体2と支持体3とが接合する(図9(i)参照)。
[8]
Next, as shown in FIG. 9H, the substrate 2 (structure) obtained in the step [4] (in the state shown in FIG. 7D) is inverted and obtained in the step [7]. It is made to oppose to the support body 3 (state shown in FIG.8 (g)). From this state, the base 2 is brought close to the support 3 and bonded together. At this time, a portion of the bonding film 5 ′ bonded to the frame body 31 becomes the bonding film 5b. The substrate 2 and the support 3 are bonded through the bonding film 5b (see FIG. 9 (i)).

[9]
次に、図9(j)に示すように、磁石41(磁石42も同様)を用意し、この磁石41を支持体3(接合膜6’)の所定の箇所へ接合する。このとき、接合膜6’の磁石41、42と接合した部分が接合膜6b、6cとなる。この接合膜6b、6cを介して、磁石41、42が支持体3と接合する。
以上のような工程を経て、アクチュエータ1が製造される。
このような光スキャナ(アクチュエータ1)は、例えば、レーザプリンタ、イメージング用ディスプレイ、バーコードリーダー、走査型共焦点顕微鏡などの画像形成装置に好適に適用することができる。
[9]
Next, as shown in FIG. 9 (j), a magnet 41 (same for the magnet 42) is prepared, and this magnet 41 is joined to a predetermined portion of the support 3 (joining film 6 ′). At this time, portions of the bonding film 6 ′ bonded to the magnets 41 and 42 become bonding films 6b and 6c. Magnets 41 and 42 are bonded to support 3 through bonding films 6b and 6c.
The actuator 1 is manufactured through the steps as described above.
Such an optical scanner (actuator 1) can be suitably applied to an image forming apparatus such as a laser printer, an imaging display, a barcode reader, or a scanning confocal microscope.

以下、本発明のアクチュエータを備えた画像形成装置の具体例を説明する。
まず、電子写真方式を採用するプリンタに本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図19は、本発明の画像形成装置(プリンタ)の一例を示す全体構成の模式的断面図、図20は、図19に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。
Hereinafter, a specific example of an image forming apparatus provided with the actuator of the present invention will be described.
First, an example in which the image forming apparatus of the present invention is applied to a printer that employs an electrophotographic system will be described.
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the overall configuration showing an example of the image forming apparatus (printer) of the present invention, and FIG. 20 is a diagram showing the schematic configuration of the exposure unit provided in the image forming apparatus shown in FIG. .

図19に示す画像形成装置110(プリンタ)は、露光・現像・転写・定着を含む一連の画像形成プロセスによって、トナーからなる画像を紙やOHPシートなどの記録媒体Pに記録するものである。このような画像形成装置110は、図19に示すように、図示矢印方向に回転する感光体111を有し、その回転方向に沿って順次、帯電ユニット112、露光ユニット113、現像ユニット114、転写ユニット115、クリーニングユニット116が配設されている。また、画像形成装置110は、図19中下部に、紙などの記録媒体Pを収容する給紙トレイ117が設けられ、上部に、定着装置118が設けられている。
このような画像形成装置110では、まず、図示しないホストコンピュータからの指令により、感光体111、現像ユニット114に設けられた現像ローラ(図示せず)、および中間転写ベルト151が回転を開始する。そして、感光体111は、回転しながら、帯電ユニット112により順次帯電される。
An image forming apparatus 110 (printer) shown in FIG. 19 records an image made of toner on a recording medium P such as paper or an OHP sheet by a series of image forming processes including exposure, development, transfer, and fixing. As shown in FIG. 19, such an image forming apparatus 110 has a photoconductor 111 that rotates in the direction of the arrow shown in the drawing, and sequentially, along the rotation direction, a charging unit 112, an exposure unit 113, a developing unit 114, and a transfer unit. A unit 115 and a cleaning unit 116 are provided. Further, the image forming apparatus 110 is provided with a paper feed tray 117 that accommodates a recording medium P such as paper at the lower part in FIG. 19, and a fixing device 118 at the upper part.
In such an image forming apparatus 110, first, in response to a command from a host computer (not shown), the photosensitive member 111, a developing roller (not shown) provided in the developing unit 114, and the intermediate transfer belt 151 start to rotate. The photosensitive member 111 is sequentially charged by the charging unit 112 while rotating.

感光体111の帯電された領域は、感光体111の回転に伴って露光位置に至り、露光ユニット113によって、第1色目、例えばイエローYの画像情報に応じた潜像が前記領域に形成される。
感光体111上に形成された潜像は、感光体111の回転に伴って現像位置に至り、イエロー現像のための現像装置144によってイエロートナーで現像される。これにより、感光体111上にイエロートナー像が形成される。このとき、現像ユニット114は、現像装置144が選択的に前記現像位置にて感光体111と対向している。なお、この選択は、保持体145の軸146回りの回転により、現像装置141、142、143、144の相対位置関係を維持しつつそれぞれの位置を変えることで行う。
The charged region of the photoconductor 111 reaches an exposure position as the photoconductor 111 rotates, and a latent image corresponding to image information of the first color, for example, yellow Y, is formed in the region by the exposure unit 113. .
The latent image formed on the photoconductor 111 reaches the development position as the photoconductor 111 rotates, and is developed with yellow toner by the developing device 144 for yellow development. As a result, a yellow toner image is formed on the photoreceptor 111. At this time, in the developing unit 114, the developing device 144 selectively faces the photoconductor 111 at the developing position. This selection is performed by changing the positions of the developing devices 141, 142, 143, and 144 while maintaining the relative positional relationship by the rotation of the holding body 145 about the axis 146.

感光体111上に形成されたイエロートナー像は、感光体111の回転に伴って一次転写位置(すなわち、感光体111と一次転写ローラ152との対向部)に至り、一次転写ローラ152によって、中間転写ベルト151に転写(一次転写)される。このとき、一次転写ローラ152には、トナーの帯電極性とは逆の極性の一次転写電圧(一次転写バイアス)が印加される。なお、この間、二次転写ローラ155は、中間転写ベルト151から離間している。   The yellow toner image formed on the photoconductor 111 reaches the primary transfer position (that is, the portion where the photoconductor 111 and the primary transfer roller 152 face each other) as the photoconductor 111 rotates, and is intermediated by the primary transfer roller 152. Transfer (primary transfer) is performed on the transfer belt 151. At this time, a primary transfer voltage (primary transfer bias) having a polarity opposite to the charging polarity of the toner is applied to the primary transfer roller 152. During this time, the secondary transfer roller 155 is separated from the intermediate transfer belt 151.

前述の処理と同様の処理が、第2色目、第3色目および第4色目について繰り返して実行されることにより、各画像信号に対応した各色のトナー像が、中間転写ベルト151に重なり合って転写される。これにより、中間転写ベルト151上にはフルカラートナー像が形成される。
一方、記録媒体Pは、給紙トレイ117から、給紙ローラ171、レジローラ172によって二次転写位置(すなわち、二次転写ローラ155と駆動ローラ154との対向部)へ搬送される。
The same processing as described above is repeatedly executed for the second color, the third color, and the fourth color, so that the toner images of the respective colors corresponding to the respective image signals are transferred onto the intermediate transfer belt 151 in an overlapping manner. The As a result, a full color toner image is formed on the intermediate transfer belt 151.
On the other hand, the recording medium P is conveyed from the paper feed tray 117 to the secondary transfer position (that is, the portion where the secondary transfer roller 155 and the driving roller 154 face each other) by the paper feed roller 171 and the registration roller 172.

中間転写ベルト151上に形成されたフルカラートナー像は、中間転写ベルト151の回転に伴って二次転写位置に至り、二次転写ローラ155によって記録媒体Pに転写(二次転写)される。このとき、二次転写ローラ155は中間転写ベルト151に押圧されるとともに二次転写電圧(二次転写バイアス)が印加される。また、中間転写ベルト151は、駆動ローラ154を回転させることで一次転写ローラ152および従動ローラ153を従動回転させながら回転する。   The full color toner image formed on the intermediate transfer belt 151 reaches the secondary transfer position as the intermediate transfer belt 151 rotates, and is transferred (secondary transfer) to the recording medium P by the secondary transfer roller 155. At this time, the secondary transfer roller 155 is pressed against the intermediate transfer belt 151 and a secondary transfer voltage (secondary transfer bias) is applied. Further, the intermediate transfer belt 151 rotates while the driving roller 154 is rotated and the primary transfer roller 152 and the driven roller 153 are driven to rotate.

記録媒体Pに転写されたフルカラートナー像は、定着装置118によって加熱および加圧されて記録媒体Pに融着される。その後、片面プリントの場合には、記録媒体Pは、排紙ローラ対173によって画像形成装置110の外部へ排出される。
一方、感光体111は一次転写位置を経過した後に、クリーニングユニット116のクリーニングブレード161によって、その表面に付着しているトナーが掻き落とされ、次の潜像を形成するための帯電に備える。掻き落とされたトナーは、クリーニングユニット116内の残存トナー回収部に回収される。
The full-color toner image transferred to the recording medium P is heated and pressurized by the fixing device 118 and fused to the recording medium P. Thereafter, in the case of single-sided printing, the recording medium P is discharged to the outside of the image forming apparatus 110 by the discharge roller pair 173.
On the other hand, after the primary transfer position has elapsed, the toner adhering to the surface of the photoconductor 111 is scraped off by the cleaning blade 161 of the cleaning unit 116 to prepare for charging to form the next latent image. The toner scraped off is collected by a residual toner collecting unit in the cleaning unit 116.

両面プリントの場合には、定着装置118によって一方の面に定着処理された記録媒体Pを一旦排紙ローラ対173により挟持した後に、排紙ローラ対173を反転駆動するとともに、搬送ローラ対174、176を駆動して、当該記録媒体Pを搬送路175を通じて表裏反転して二次転写位置へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Pの他方の面に画像を形成する。
このような画像形成装置に備えられた露光ユニット113は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受けこれに応じて、一様に帯電された感光体111上に、レーザを選択的に照射することによって、静電的な潜像を形成する装置である。
より具体的に説明すると、図20に示すように、露光ユニット113は、光スキャナであるアクチュエータ1と、アクチュエータ1の光反射部211に向けてレーザ光Lを照射するレーザ光源(光源)131と、コリメータレンズ132と、fθレンズ133とを有している。
In the case of double-sided printing, after the recording medium P fixed on one surface by the fixing device 118 is once sandwiched by the paper discharge roller pair 173, the paper discharge roller pair 173 is driven in reverse and the conveyance roller pair 174, 176 is driven, the recording medium P is turned upside down through the transport path 175 and returned to the secondary transfer position, and an image is formed on the other surface of the recording medium P by the same operation as described above.
The exposure unit 113 provided in such an image forming apparatus receives image information from a host computer such as a personal computer (not shown), and selectively applies a laser on the uniformly charged photoreceptor 111 in accordance with the image information. It is an apparatus that forms an electrostatic latent image by irradiation.
More specifically, as shown in FIG. 20, the exposure unit 113 includes an actuator 1 that is an optical scanner, and a laser light source (light source) 131 that irradiates laser light L toward the light reflecting portion 211 of the actuator 1. A collimator lens 132 and an fθ lens 133.

露光ユニット113では、レーザ光源131からコリメータレンズ132を介してアクチュエータ1(光反射部211)にレーザ光Lが照射される。そして、光反射部211で反射したレーザ光Lがfθレンズ133を介して感光体111上に照射される。
その際、アクチュエータ1の駆動(可動板21の回動軸215回りの回動)により、光反射部211で反射した光(レーザL)は、感光体111の軸線方向に走査(主走査)される。一方、感光体111の回転により、光反射部211で反射した光(レーザL)は、感光体111の周方向に走査(副走査)される。また、レーザ光源131から出力されるレーザ光Lの強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして露光ユニット113は、感光体111上を選択的に露光して画像形成(描画)を行う。
In the exposure unit 113, the laser light L is irradiated from the laser light source 131 to the actuator 1 (light reflecting portion 211) via the collimator lens 132. Then, the laser beam L reflected by the light reflecting portion 211 is irradiated onto the photoconductor 111 through the fθ lens 133.
At that time, the light (laser L) reflected by the light reflecting portion 211 by the drive of the actuator 1 (rotation of the movable plate 21 around the rotation axis 215) is scanned (main scan) in the axial direction of the photosensitive member 111. The On the other hand, the light (laser L) reflected by the light reflecting portion 211 due to the rotation of the photosensitive member 111 is scanned (sub-scanned) in the circumferential direction of the photosensitive member 111. Further, the intensity of the laser light L output from the laser light source 131 changes according to image information received from a host computer (not shown).
In this way, the exposure unit 113 selectively exposes the surface of the photoconductor 111 to form an image (drawing).

次に、イメージング用ディスプレイ(表示装置)に本発明の画像形成装置を適用した例を説明する。
図21は、本発明の画像形成装置(イメージングディスプレイ)の一例を示す概略図である。
図21に示す画像形成装置119は、光スキャナであるアクチュエータ1と、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の光を照射する光源191、192、193と、クロスダイクロイックプリズム(Xプリズム)194と、ガルバノミラー195と、固定ミラー196と、スクリーン197とを備えている。
Next, an example in which the image forming apparatus of the present invention is applied to an imaging display (display device) will be described.
FIG. 21 is a schematic view showing an example of an image forming apparatus (imaging display) of the present invention.
An image forming apparatus 119 shown in FIG. 21 includes an actuator 1 that is an optical scanner, light sources 191, 192, and 193 that emit light of three colors R (red), G (green), and B (blue), and a cross dichroic. A prism (X prism) 194, a galvano mirror 195, a fixed mirror 196, and a screen 197 are provided.

このような画像形成装置119では、光源191、192、193からクロスダイクロイックプリズム194を介してアクチュエータ1(光反射部211)に各色の光が照射される。このとき、光源191からの赤色の光と、光源192からの緑色の光と、光源193からの青色の光とが、クロスダイクロイックプリズム194にて合成される。
そして、可動部21の光反射部211で反射した光(3色の合成光)は、ガルバノミラー195で反射した後に、固定ミラー196で反射し、スクリーン197上に照射される。
In such an image forming apparatus 119, light of each color is irradiated from the light sources 191, 192, 193 to the actuator 1 (light reflection unit 211) via the cross dichroic prism 194. At this time, the red light from the light source 191, the green light from the light source 192, and the blue light from the light source 193 are combined by the cross dichroic prism 194.
The light (three colors of combined light) reflected by the light reflecting portion 211 of the movable portion 21 is reflected by the galvanometer mirror 195, then reflected by the fixed mirror 196, and irradiated on the screen 197.

その際、アクチュエータ1の駆動(可動板21の回動軸215回りの回動)により、光反射部211で反射した光は、スクリーン197の横方向に走査(主走査)される。一方、ガルバノミラー195の回動軸215と直交する軸線Yまわりの回転により、光反射部211で反射した光は、スクリーン197の縦方向に走査(副走査)される。また、各光源191、192、193から出力される光の強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
このようにして画像形成装置119は、スクリーン197上に画像形成(描画)を行う。
At that time, the light reflected by the light reflecting portion 211 by the drive of the actuator 1 (the rotation of the movable plate 21 around the rotation axis 215) is scanned (main scan) in the horizontal direction of the screen 197. On the other hand, the light reflected by the light reflecting portion 211 is scanned (sub-scanned) in the vertical direction of the screen 197 due to the rotation of the galvano mirror 195 around the axis Y perpendicular to the rotation axis 215. Further, the intensity of light output from each of the light sources 191, 192, 193 varies according to image information received from a host computer (not shown).
In this way, the image forming apparatus 119 performs image formation (drawing) on the screen 197.

<第2実施形態>
図11は、本発明のアクチュエータの第2実施形態を示す横断面図である。
以下、この図を参照して本発明のアクチュエータの第2実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、接合膜の形成状態(形状)が異なること以外は前記第1実施形態と同様である。
Second Embodiment
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the actuator of the present invention.
Hereinafter, a second embodiment of the actuator of the present invention will be described with reference to this figure, but the description will focus on differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
This embodiment is the same as the first embodiment except that the formation state (shape) of the bonding film is different.

図11に示すアクチュエータ1Aでは、可動板21とコイル212とを接合する接合膜5eが平面視でコイル212の形状に沿うように、すなわち、平面的に渦巻状に形成されたものとなっている。この接合膜5eは、前記第1実施形態の接合膜5aよりもその大きさや質量等が小さくなるため、可動板21が回動する際、接合膜5eによる慣性の影響を抑制することができる。
なお、接合膜5eの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、コイル212に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜5eを成膜する方法が挙げられる。
In the actuator 1A shown in FIG. 11, the bonding film 5e for bonding the movable plate 21 and the coil 212 is formed so as to follow the shape of the coil 212 in a plan view, that is, in a planar spiral shape. . Since the bonding film 5e is smaller in size, mass, etc. than the bonding film 5a of the first embodiment, the influence of inertia by the bonding film 5e can be suppressed when the movable plate 21 rotates.
The method for forming the bonding film 5e is not particularly limited. For example, a method of forming the bonding film 5e on the mask using a mask having a window having a shape corresponding to the coil 212 may be used.

<第3実施形態>
図12は、本発明のアクチュエータの第3実施形態を示す平面図、図13は、図12中のC−C線断面図である。
以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第3実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、可動板と支持部とを連結する連結部の構成とコイルの設置箇所とが異なること以外は前記第1実施形態と同様である。
<Third Embodiment>
FIG. 12 is a plan view showing a third embodiment of the actuator of the present invention, and FIG. 13 is a sectional view taken along the line CC in FIG.
Hereinafter, the third embodiment of the actuator of the present invention will be described with reference to these drawings, but the description will focus on differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
The present embodiment is the same as the first embodiment except that the configuration of the connecting portion that connects the movable plate and the support portion is different from the installation location of the coil.

図12に示すアクチュエータ1Bでは、可動板21と支持部24とを連結する2つの連結部のうちの一方(図12中左側)の連結部は、軸部材22と当該軸部材22の途中に設けられた駆動板25aとで構成されており、他方(図12中右側)の連結部は、軸部材23と当該軸部材22の途中に設けられた駆動板25bとで構成されている。
軸部材22、23は、前記第1実施形態で説明した軸部材22、23と同様であるため、本実施形態ではその説明を省略する。
In the actuator 1 </ b> B shown in FIG. 12, one of the two connecting portions (left side in FIG. 12) that connects the movable plate 21 and the support portion 24 is provided in the middle of the shaft member 22 and the shaft member 22. The other (right side in FIG. 12) connecting portion is composed of a shaft member 23 and a drive plate 25 b provided in the middle of the shaft member 22.
Since the shaft members 22 and 23 are the same as the shaft members 22 and 23 described in the first embodiment, the description thereof is omitted in this embodiment.

駆動板25a、25bは、それぞれ、平面視で長方形(四角形)の板状をなす部位である。駆動板25aは、軸部材22と一体的に形成されている。この駆動板25aの上面(片面)には、コイル212が接合膜5fを介して、接合されている(図13参照)。また、駆動板25bは、軸部材23と一体的に形成されている。この駆動板25bの上面には、コイル212が接合膜5fを介して、接合されている(図13参照)。この接合膜5hは、前記第1実施形態で説明した接合膜5aと構成がほぼ同一の膜である。これにより、アクチュエータ1Bでは、駆動板25a(駆動板25bも同様)とコイル212とが強固に接合される。   Each of the drive plates 25a and 25b is a portion having a rectangular (quadrangle) plate shape in plan view. The drive plate 25 a is formed integrally with the shaft member 22. A coil 212 is bonded to the upper surface (one surface) of the drive plate 25a via a bonding film 5f (see FIG. 13). The drive plate 25b is formed integrally with the shaft member 23. A coil 212 is bonded to the upper surface of the drive plate 25b via a bonding film 5f (see FIG. 13). The bonding film 5h is a film having substantially the same configuration as the bonding film 5a described in the first embodiment. Thereby, in the actuator 1B, the drive plate 25a (the same applies to the drive plate 25b) and the coil 212 are firmly joined.

図12に示すように、各コイル212は、それぞれ、配線221を介して端子241と電気的に接続され、配線231を介して端子242に電気的に接続されている。本実施形態では、端子241、242は、可動板21に対して同じ側(図12中右または左側)に配置されている。また、配線221、231、端子241、242は、接合膜5hを介して、基体2(支持部24)に接合されている(図13参照)。この接合膜5hは、前記第1実施形態で説明した接合膜5cや5dと構成がほぼ同一の膜である。これにより、アクチュエータ1Bでは、配線221、231、端子241、242と基体2とが強固に接合される。   As shown in FIG. 12, each coil 212 is electrically connected to the terminal 241 through the wiring 221 and electrically connected to the terminal 242 through the wiring 231. In the present embodiment, the terminals 241 and 242 are disposed on the same side (right or left side in FIG. 12) with respect to the movable plate 21. Further, the wirings 221, 231 and the terminals 241, 242 are bonded to the base 2 (supporting portion 24) via the bonding film 5h (see FIG. 13). The bonding film 5h is a film having substantially the same configuration as the bonding films 5c and 5d described in the first embodiment. Thereby, in the actuator 1B, the wirings 221, 231 and the terminals 241, 242 and the base 2 are firmly joined.

このような構成のアクチュエータ1Bでは、磁石41、42によって発生した磁界中で、各コイル212にそれぞれ交流電圧を印加して当該コイル212に通電した際、そのコイル212にローレンツ力が生じる。このとき、各駆動板25a、25bは、回動軸215回りに回動する。このような各駆動板25a、25bの回動が軸部材22、23を介して可動板21に伝達されて、当該可動板21が回動軸215回りに回動する。また、各駆動板25a、25bは、それぞれ、可動板21よりもその大きさが小さくなっている。これにより、各駆動板25a、25bをそれぞれ容易に回動させることができ、よって、可動板21を効率的にかつ高精度に回動させることができる。なお、2つのコイル212に通電する際、これらのコイル212の通電方向は、互いに同方向となるように、すなわち、各コイル212に作用するローレンツ力が互いに相殺しないように通電される。   In the actuator 1B having such a configuration, when an AC voltage is applied to each coil 212 and the coil 212 is energized in a magnetic field generated by the magnets 41 and 42, a Lorentz force is generated in the coil 212. At this time, the drive plates 25a and 25b rotate around the rotation shaft 215. Such rotation of the drive plates 25 a and 25 b is transmitted to the movable plate 21 via the shaft members 22 and 23, and the movable plate 21 rotates about the rotation shaft 215. Each of the drive plates 25 a and 25 b is smaller in size than the movable plate 21. Thereby, each drive plate 25a, 25b can be easily rotated, respectively, and therefore the movable plate 21 can be rotated efficiently and with high accuracy. When the two coils 212 are energized, the energization directions of these coils 212 are the same, that is, the Lorentz forces acting on the coils 212 are not canceled out.

各コイル212は、それぞれ、駆動板25a(駆動板25bも同様)の上面に沿って平面的に渦巻状に形成されて(巻回されて)いる。このような渦巻状のコイル212は、単に環状に形成したコイルに比し大きなローレンツ力が発生し、また、可動板21の厚さ方向に立体的に形成したコイルに比し構成が簡単で製造も容易であり、大きさも抑制することができる。   Each coil 212 is formed in a spiral shape (wound) along the upper surface of the drive plate 25a (the same applies to the drive plate 25b). Such a spiral coil 212 generates a large Lorentz force compared to a coil formed in an annular shape, and is simpler in structure and manufactured than a coil formed three-dimensionally in the thickness direction of the movable plate 21. And the size can be suppressed.

さらに、各コイル212は、それぞれ、平面視で長方形をなす可動板21の4つの辺に沿って巻回されている。これにより、磁石41、42によって発生した磁界中で、コイル212に交流電圧を印加して当該コイル212に通電した際、各コイル212にそれぞれローレンツ力(磁界から受ける力)が確実に生じる。
なお、コイル212は、駆動板25a(駆動板25bも同様)の上面に配置されているが、これに限定されず、例えば、両面に配置されていてもよい。
Further, each coil 212 is wound along four sides of the movable plate 21 that is rectangular in plan view. Accordingly, when an AC voltage is applied to the coil 212 and the coil 212 is energized in the magnetic field generated by the magnets 41 and 42, Lorentz force (force received from the magnetic field) is surely generated in each coil 212.
In addition, although the coil 212 is arrange | positioned at the upper surface of the drive plate 25a (the drive plate 25b is also the same), it is not limited to this, For example, you may arrange | position on both surfaces.

<第4実施形態>
図14は、本発明のアクチュエータ(第4実施形態)における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図、図15は、本発明のアクチュエータ(第4実施形態)における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図14および図15中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Fourth embodiment>
FIG. 14 is a partially enlarged view showing a state before applying energy of the bonding film in the actuator of the present invention (fourth embodiment), and FIG. 15 shows the state after applying energy of the bonding film in the actuator of the present invention (fourth embodiment). It is the elements on larger scale which show the state of. In the following description, the upper side in FIGS. 14 and 15 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、これらの図を参照して本発明のアクチュエータの第4実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基303とを含むものである。換言すれば、エネルギ付与前の各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cは、それぞれ、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基303を導入した膜であると言うことができる。
このような各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cは、エネルギが付与されると、脱離基303が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cの少なくとも表面付近に、活性手304が生じるものである。そして、これにより、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cの表面に、前記第1実施形態と同様の接着性が発現する。
Hereinafter, the fourth embodiment of the actuator of the present invention will be described with reference to these drawings, but the description will focus on differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
This embodiment is the same as the first embodiment except that the structure of each bonding film is different.
That is, in the actuator according to the present embodiment, each of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c is in a state before energy application, and a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and these And a leaving group 303 bonded to at least one of a metal atom and an oxygen atom. In other words, each of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c before energy application is a film obtained by introducing a leaving group 303 into a metal oxide film made of a metal oxide. Can be said.
When each of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c is provided with energy, the leaving group 303 is detached from at least one of a metal atom and an oxygen atom, and each bonding film 5a, Active hands 304 are generated at least near the surface of 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c. As a result, the same adhesiveness as in the first embodiment is expressed on the surfaces of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c.

以下、本実施形態にかかる各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜5aを代表に説明する。
接合膜5aは、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基303が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜5a自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ1においても、寸法精度が高いものが得られる。
Hereinafter, the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c according to the present embodiment will be described. Since these configurations are common, the bonding film 5a will be described as a representative.
The bonding film 5a is composed of a metal atom and an oxygen atom bonded to the metal atom, that is, the bonding film 5a is formed by bonding the leaving group 303 to the metal oxide, so that the bonding film 5a is a strong film that is not easily deformed. . For this reason, the bonding film 5a itself has high dimensional accuracy, and the actuator 1 finally obtained also has high dimensional accuracy.

さらに、接合膜5aは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状(半固形状)の接着剤に比べて、接着層(接合膜5a)の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜5aを用いて得られたアクチュエータ1の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。   Further, the bonding film 5a is a solid having no fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 5a) are hardly changed compared to a liquid or viscous liquid (semi-solid) adhesive having fluidity. Therefore, the dimensional accuracy of the actuator 1 obtained by using the bonding film 5a is remarkably higher than the conventional one. Furthermore, since the time required for curing the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.

また、本発明では、接合膜5aは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ1において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜5aが導電性を有する場合、接合膜5aとコイル212とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル212に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル212を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。   In the present invention, the bonding film 5a is preferably conductive. Thereby, in the actuator 1, unintended charging can be suppressed or prevented. When the bonding film 5a has conductivity, the bonding film 5a and the coil 212 are insulated by interposing an insulating film therebetween. Thereby, it is possible to prevent a short circuit from occurring when the coil 212 is energized. The insulating film is formed on the outer periphery of the wire constituting the coil 212. The constituent material of the insulating film is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include resins.

また、接合膜5aが導電性を有する場合、接合膜5aの抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、1×10−3Ω・cm以下であるのが好ましく、1×10−4Ω・cm以下であるのがより好ましい。
なお、脱離基303は、少なくとも接合膜5aの表面51付近に存在していればよく、接合膜5aのほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜5aの表面51付近に偏在していてもよい。なお、脱離基303が表面51付近に偏在する構成とすることにより、接合膜5aに金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜5aに、接合を担う機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基303が、接合膜5aの導電性や透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
以上のような接合膜5aとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
Also, if the bonding film 5a has conductivity, the resistivity of the bonding film 5a, although slightly different depending on the composition of the material, but preferably not more than 1 × 10 -3 Ω · cm, 1 × 10 - More preferably, it is 4 Ω · cm or less.
The leaving group 303 only needs to be present at least near the surface 51 of the bonding film 5a, may be present almost throughout the bonding film 5a, or is unevenly distributed near the surface 51 of the bonding film 5a. May be. In addition, by setting the leaving group 303 to be unevenly distributed in the vicinity of the surface 51, the function as a metal oxide film can be suitably exhibited in the bonding film 5a. In other words, the bonding film 5a can be advantageously provided with a function as a metal oxide film having excellent characteristics such as conductivity in addition to the function responsible for bonding. In other words, it is possible to reliably prevent the leaving group 303 from impairing the properties of the bonding film 5a such as conductivity and translucency.
The metal atoms are selected so that the function as the bonding film 5a as described above is suitably exhibited.

具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Li、Be、B、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、TiおよびPb等が挙げられる。中でも、In(インジウム)、Sn(スズ)、Zn(亜鉛)、Ti(チタン)およびSb(アンチモン)のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜5aを、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基303を導入したものとすることにより、接合膜5aは、優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、アンチモン錫酸化物(ATO)、フッ素含有インジウム錫酸化物(FTO)、酸化亜鉛(ZnO)および二酸化チタン(TiO)等が挙げられる。
Specifically, the metal atom is not particularly limited. For example, Li, Be, B, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn Ga, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Ti, Pb, and the like. Among these, it is preferable to use one or more of In (indium), Sn (tin), Zn (zinc), Ti (titanium), and Sb (antimony) in combination. When the bonding film 5a contains these metal atoms, that is, a metal oxide containing these metal atoms introduces a leaving group 303, the bonding film 5a exhibits excellent conductivity. It becomes.
More specifically, examples of the metal oxide include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO), and zinc oxide. (ZnO) and titanium dioxide (TiO 2), and the like.

なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物(ITO)を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比(インジウム/スズ比)は、99/1〜80/20であるのが好ましく、97/3〜85/15であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜5a中の金属原子と酸素原子の存在比は、3:7〜7:3程度であるのが好ましく、4:6〜6:4程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜5aの安定性が高くなり、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができるようになる。
When indium tin oxide (ITO) is used as the metal oxide, the atomic ratio of indium to tin (indium / tin ratio) is preferably 99/1 to 80/20, and 97/3 More preferably, it is -85/15. Thereby, the effects as described above can be more remarkably exhibited.
The abundance ratio of metal atoms to oxygen atoms in the bonding film 5a is preferably about 3: 7 to 7: 3, more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and oxygen atoms to be within the above range, the stability of the bonding film 5a increases, and the movable plate 21 and the coil 212 can be bonded more firmly.

また、脱離基303は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜5aに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基303には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜5aに確実に結合しているものが好適に選択される。   Further, as described above, the leaving group 303 behaves so as to generate an active hand in the bonding film 5a by leaving from at least one of a metal atom and an oxygen atom. Accordingly, the energy is applied to the leaving group 303 relatively easily and uniformly, but when the energy is not applied, the leaving group 303 is securely bonded to the bonding film 5a so as not to be detached. Those are preferably selected.

かかる観点から、脱離基303には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも1種が好適に用いられる。かかる脱離基303は、エネルギの付与による結合/脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基303は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、可動板21とコイル212との接着性をより高度なものとすることができる。   From this viewpoint, the leaving group 303 is preferably a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, a halogen atom, or at least one of atomic groups composed of these atoms. It is done. Such a leaving group 303 is relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness between the movable plate 21 and the coil 212 can be enhanced.

なお、上記の各原子で構成される原子団(基)としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基303は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基303は、化学的な安定性が高いため、脱離基303として水素原子を備える接合膜5aは、耐候性に優れたものとなる。
Examples of the atomic group (group) composed of the above atoms include, for example, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a carboxyl group, an amino group, and a sulfonic acid. Groups and the like.
Among the atoms and atomic groups as described above, the leaving group 303 is particularly preferably a hydrogen atom. Since the leaving group 303 composed of hydrogen atoms has high chemical stability, the bonding film 5a having a hydrogen atom as the leaving group 303 has excellent weather resistance.

以上のことを考慮すると、接合膜5aとしては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、アンチモン錫酸化物(ATO)、フッ素含有インジウム錫酸化物(FTO)、酸化亜鉛(ZnO)または二酸化チタン(TiO)の金属酸化物に、脱離基303として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜5aは、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜5aは、可動板21に対して特に強固に接着するとともに、コイル212に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、可動板21とコイル212とを強固に接合することができる。
Considering the above, as the bonding film 5a, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO), zinc oxide ( A material in which a hydrogen atom is introduced as a leaving group 303 into a metal oxide of ZnO) or titanium dioxide (TiO 2 ) is preferably selected.
The bonding film 5a having such a configuration itself has excellent mechanical characteristics. In addition, it exhibits particularly excellent adhesion to many materials. Therefore, such a bonding film 5a adheres particularly firmly to the movable plate 21, and also exhibits a particularly strong adhesion to the coil 212. As a result, the movable plate 21 and the coil 212 are firmly bonded. Can be joined.

また、接合膜5aの平均厚さは、1〜1000nm程度であるのが好ましく、2〜800nm程度であるのがより好ましい。接合膜5aの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ1の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜5aの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜5aの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ1の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
Further, the average thickness of the bonding film 5a is preferably about 1 to 1000 nm, and more preferably about 2 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 5a within the above range, it is possible to bond the movable plate 21 and the coil 212 more firmly while preventing the dimensional accuracy of the actuator 1 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 5a is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 5a exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the actuator 1 may be significantly reduced.

さらに、接合膜5aの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜5aにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板21の接合面(接合膜5aを成膜する面)に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜5aを被着させることができる。その結果、接合膜5aは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板21とコイル212とを貼り合わせた際に、接合膜5aのコイル212に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜5aの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜5aの厚さをできるだけ厚くすればよい。
Furthermore, if the average thickness of the bonding film 5a is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the bonding film 5a. For this reason, for example, even when unevenness exists on the bonding surface of the movable plate 21 (the surface on which the bonding film 5a is formed), the bonding is performed so as to follow the shape of the unevenness depending on the height of the unevenness. The film 5a can be deposited. As a result, the bonding film 5a can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. Then, when the movable plate 21 and the coil 212 are bonded together, the adhesion of the bonding film 5a to the coil 212 can be enhanced.
In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 5a increases. Therefore, in order to ensure sufficient shape followability, the thickness of the bonding film 5a should be as large as possible.

以上説明したような接合膜5aは、接合膜5aのほぼ全体に脱離基303を存在させる場合には、例えば、A:脱離基303を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基303を接合膜5aの表面51付近に偏在させる場合には、例えば、B:金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基303を導入することにより形成することができる。   In the bonding film 5a as described above, when the leaving group 303 is present in almost the entire bonding film 5a, for example, A: physical atmosphere in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303 is used. It can be formed by depositing a metal oxide material containing metal atoms and oxygen atoms by a phase film formation method. Further, when the leaving group 303 is unevenly distributed in the vicinity of the surface 51 of the bonding film 5a, for example, after forming a metal oxide film containing B: a metal atom and the oxygen atom, It can be formed by introducing a leaving group 303 into at least one of a metal atom and an oxygen atom contained in the vicinity of the surface.

以下、AおよびBの方法を用いて、可動板21(母材2’)上に接合膜5a(接合膜5’)を成膜する場合について、詳述する。
<A> Aの方法では、接合膜5aは、上記のように、脱離基303を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法(PVD法)により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにPVD法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を可動板21に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基303を導入することができる。このため、接合膜5aのほぼ全体にわたって脱離基303を導入することができる。
Hereinafter, the case where the bonding film 5a (bonding film 5 ′) is formed on the movable plate 21 (base material 2 ′) using the methods A and B will be described in detail.
<A> In the method A, as described above, the bonding film 5a is formed of a metal atom and an oxygen by a physical vapor deposition method (PVD method) in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303. It is formed by depositing a metal oxide material containing atoms. When the PVD method is used in this way, the leaving group 303 can be introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom relatively easily when the metal oxide material is made to fly toward the movable plate 21. it can. For this reason, the leaving group 303 can be introduced over almost the entire bonding film 5a.

さらに、PVD法によれば、緻密で均質な接合膜5aを効率よく成膜することができる。これにより、PVD法で成膜された接合膜5aは、コイル212に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、PVD法で成膜された接合膜5aは、エネルギが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、アクチュエータ1の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。   Furthermore, according to the PVD method, a dense and homogeneous bonding film 5a can be efficiently formed. Thereby, the bonding film 5a formed by the PVD method can be particularly strongly bonded to the coil 212. Furthermore, the bonding film 5a formed by the PVD method is maintained for a relatively long time in a state where energy is applied and activated. For this reason, the manufacturing process of the actuator 1 can be simplified and improved in efficiency.

また、PVD法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基303を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基303を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物(金属原子または酸素原子)への脱離基303の導入をより円滑に行うことができる。   Further, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, the sputtering method is preferably used. According to the sputtering method, metal oxide particles can be knocked out into an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303 without breaking a bond between a metal atom and an oxygen atom. Since the metal oxide particles can be brought into contact with a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303, the leaving group to the metal oxide (metal atom or oxygen atom) can be contacted. 303 can be introduced more smoothly.

以下、PVD法により接合膜5aを成膜する方法として、スパッタリング法(イオンビームスパッタリング法)により、接合膜5aを成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜5aの成膜方法を説明するのに先立って、可動板21(母材2’)上にイオンビームスパッタリング法により接合膜5a(接合膜5’)を成膜する際に用いられる成膜装置800について説明する。
Hereinafter, as a method for forming the bonding film 5a by the PVD method, a case where the bonding film 5a is formed by a sputtering method (ion beam sputtering method) will be described as a representative.
First, prior to describing the method for forming the bonding film 5a, the bonding film 5a (bonding film 5 ') is used for forming the bonding film 5a (bonding film 5') on the movable plate 21 (base material 2 ') by ion beam sputtering. The film forming apparatus 800 will be described.

図16は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図17は、図16に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図16中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図16に示す成膜装置800は、イオンビームスパッタリング法による接合膜5aの形成がチャンバー(装置)内で行えるように構成されている。
FIG. 16 is a longitudinal sectional view schematically showing a film forming apparatus used for manufacturing a bonding film according to this embodiment, and FIG. 17 is a schematic view showing a configuration of an ion source included in the film forming apparatus shown in FIG. is there. In the following description, the upper side in FIG. 16 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
A film forming apparatus 800 shown in FIG. 16 is configured so that the bonding film 5a can be formed in a chamber (apparatus) by an ion beam sputtering method.

具体的には、成膜装置800は、チャンバー(真空チャンバー)811と、このチャンバー811内に設置され、可動板21(成膜対象物)を保持する基板ホルダー(成膜対象物保持部)812と、チャンバー811内に設置され、チャンバー811内に向かってイオンビームBを照射するイオン源(イオン供給部)815と、イオンビームBの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物(例えば、ITO)を発生させるターゲット(金属酸化物材料)816を保持するターゲットホルダー(ターゲット保持部)817とを有している。   Specifically, the film forming apparatus 800 includes a chamber (vacuum chamber) 811 and a substrate holder (film forming object holding unit) 812 that is installed in the chamber 811 and holds the movable plate 21 (film forming object). An ion source (ion supply unit) 815 that is installed in the chamber 811 and irradiates the ion beam B toward the chamber 811; and a metal oxide that includes metal atoms and oxygen atoms by irradiation with the ion beam B ( For example, it has a target holder (target holding portion) 817 for holding a target (metal oxide material) 816 for generating ITO.

また、チャンバー811には、チャンバー811内に、脱離基303を構成する原子成分を含むガス(例えば、水素ガス)を供給するガス供給手段860と、チャンバー811内の排気をして圧力を制御する排気手段830とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー812は、チャンバー811の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー812は、回動可能となっている。これにより、可動板21上に接合膜5aを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
In the chamber 811, gas supply means 860 for supplying a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, hydrogen gas) into the chamber 811 and the pressure in the chamber 811 are exhausted. And an exhaust means 830 for performing the operation.
In the present embodiment, the substrate holder 812 is attached to the ceiling of the chamber 811. The substrate holder 812 is rotatable. Thus, the bonding film 5a can be formed on the movable plate 21 with a uniform and uniform thickness.

図17に示すように、イオン源(イオン銃)815は、開口(照射口)850が形成されたイオン発生室856と、イオン発生室856内に設けられたフィラメント857と、グリッド853、854と、イオン発生室856の外側に設置された磁石855とを有している。
また、図16に示すように、イオン発生室856には、その内部にガス(スパッタリング用ガス)を供給するガス供給源819が接続されている。
As shown in FIG. 17, an ion source (ion gun) 815 includes an ion generation chamber 856 in which an opening (irradiation port) 850 is formed, a filament 857 provided in the ion generation chamber 856, grids 853 and 854, , And a magnet 855 installed outside the ion generation chamber 856.
Further, as shown in FIG. 16, the ion generation chamber 856 is connected to a gas supply source 819 for supplying a gas (sputtering gas) therein.

このイオン源815では、イオン発生室856内に、ガス供給源819からガスを供給した状態で、フィラメント857を通電加熱すると、フィラメント857から電子が放出され、放出された電子が磁石855の磁場によって運動し、イオン発生室856内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンIは、グリッド853とグリッド854との間の電圧勾配により、イオン発生室856内から引き出されるとともに加速され、開口850を介してイオンビームBとしてイオン源815から放出(照射)される。 In the ion source 815, when the filament 857 is energized and heated in a state where gas is supplied from the gas supply source 819 into the ion generation chamber 856, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons are generated by the magnetic field of the magnet 855. It moves and collides with gas molecules supplied into the ion generation chamber 856. Thereby, gas molecules are ionized. The ions I + of the gas are extracted from the ion generation chamber 856 and accelerated by the voltage gradient between the grid 853 and the grid 854, and are emitted (irradiated) from the ion source 815 as an ion beam B through the opening 850. Is done.

イオン源815から照射されたイオンビームBは、ターゲット816の表面に衝突し、ターゲット816からは粒子(スパッタ粒子)が叩き出される。このターゲット816は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置800では、イオン源815は、その開口850がチャンバー811内に位置するように、チャンバー811の側壁に固定(設置)されている。なお、イオン源815は、チャンバー811から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー811に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置800の小型化を図ることができる。
The ion beam B irradiated from the ion source 815 collides with the surface of the target 816, and particles (sputtered particles) are knocked out from the target 816. This target 816 is made of a metal oxide material as described above.
In the film forming apparatus 800, the ion source 815 is fixed (installed) on the side wall of the chamber 811 so that the opening 850 is located in the chamber 811. Note that the ion source 815 can be arranged at a position separated from the chamber 811 and connected to the chamber 811 via a connection portion. 800 can be reduced in size.

また、イオン源815は、その開口850が、基板ホルダー812と異なる方向、本実施形態では、チャンバー811の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源815の設置個数は、1つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源815を複数設置することにより、接合膜5aの成膜速度をより速くすることができる。
Further, the ion source 815 is installed such that the opening 850 faces a direction different from that of the substrate holder 812, in this embodiment, the bottom side of the chamber 811.
Note that the number of ion sources 815 installed is not limited to one, and may be plural. By installing a plurality of ion sources 815, the deposition rate of the bonding film 5a can be increased.

また、ターゲットホルダー817および基板ホルダー812の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第1のシャッター820および第2のシャッター821が配設されている。
これらシャッター820、221は、それぞれ、ターゲット816、可動板21および接合膜5aが、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
In addition, a first shutter 820 and a second shutter 821 that can cover the target holder 817 and the substrate holder 812 are disposed, respectively.
These shutters 820 and 221 are for preventing the target 816, the movable plate 21, and the bonding film 5a from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like, respectively.

また、排気手段830は、ポンプ832と、ポンプ832とチャンバー811とを連通する排気ライン831と、排気ライン831の途中に設けられたバルブ833とで構成されており、チャンバー811内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段860は、脱離基303を構成する原子成分を含むガス(例えば、水素ガス)を貯留するガスボンベ864と、ガスボンベ864からこのガスをチャンバー811に導くガス供給ライン861と、ガス供給ライン861の途中に設けられたポンプ862およびバルブ863とで構成されており、脱離基303を構成する原子成分を含むガスをチャンバー811内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置800を用いて、以下のようにして接合膜5aが形成される。
The exhaust means 830 includes a pump 832, an exhaust line 831 that communicates the pump 832 and the chamber 811, and a valve 833 provided in the middle of the exhaust line 831. The pressure can be reduced.
Further, the gas supply means 860 includes a gas cylinder 864 that stores a gas (for example, hydrogen gas) containing an atomic component constituting the leaving group 303, a gas supply line 861 that guides the gas from the gas cylinder 864 to the chamber 811, and a gas The pump 862 and the valve 863 provided in the supply line 861 are configured so that a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 can be supplied into the chamber 811.
Using the film forming apparatus 800 having the above-described configuration, the bonding film 5a is formed as follows.

ここでは、可動板21上に接合膜5aを成膜する方法について説明する。
まず、可動板21を用意し、この可動板21を成膜装置800のチャンバー811内に搬入し、基板ホルダー812に装着(セット)する。
次に、排気手段830を動作させ、すなわちポンプ832を作動させた状態でバルブ833を開くことにより、チャンバー811内を減圧状態にする。この減圧の程度(真空度)は、特に限定されないが、1×10−7〜1×10−4Torr程度であるのが好ましく、1×10−6〜1×10−5Torr程度であるのがより好ましい。
Here, a method of forming the bonding film 5a on the movable plate 21 will be described.
First, the movable plate 21 is prepared, and this movable plate 21 is carried into the chamber 811 of the film forming apparatus 800 and mounted (set) on the substrate holder 812.
Next, the exhaust unit 830 is operated, that is, the valve 833 is opened while the pump 832 is operated, whereby the inside of the chamber 811 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.

さらに、ガス供給手段860を動作させ、すなわちポンプ862を作動させた状態でバルブ863を開くことにより、チャンバー811内に脱離基303を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下(水素ガス雰囲気下)とすることができる。
脱離基303を構成する原子成分を含むガスの流量は、1〜100ccm程度であるのが好ましく、10〜60ccm程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基303を導入することができる。
また、チャンバー811内の温度は、25℃以上であればよいが、25〜100℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
Further, the gas supply means 860 is operated, that is, the valve 863 is opened while the pump 862 is operated, so that the gas containing the atomic components constituting the leaving group 303 is supplied into the chamber 811. Thereby, the inside of a chamber can be made into the atmosphere containing this gas (hydrogen gas atmosphere).
The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 303 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 303 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.
The temperature in the chamber 811 may be 25 ° C. or higher, but is preferably about 25 to 100 ° C. By setting within this range, the reaction between the metal atom or oxygen atom and the gas containing the atomic component is efficiently performed, and the gas containing the atomic component is reliably introduced into the metal atom and the oxygen atom. Can do.

次に、第2のシャッター821を開き、さらに第1のシャッター820を開いた状態にする。
この状態で、イオン源815のイオン発生室856内にガスを導入するとともに、フィラメント857に通電して加熱する。これにより、フィラメント857から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
Next, the second shutter 821 is opened, and the first shutter 820 is opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 856 of the ion source 815 and the filament 857 is energized and heated. Thereby, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.

このガスのイオンIは、グリッド853とグリッド854とにより加速されて、イオン源815から放出され、陰極材料で構成されるターゲット816に衝突する。これにより、ターゲット816から金属酸化物(例えば、ITO)の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー811内が脱離基303を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下(例えば、水素ガス雰囲気下)であることから、チャンバー811内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基303が導入される。そして、この脱離基303が導入された金属酸化物が可動板21上に堆積することにより、接合膜5aが形成される。 The gas ions I + are accelerated by the grid 853 and the grid 854, emitted from the ion source 815, and collide with a target 816 made of a cathode material. Thereby, particles of metal oxide (for example, ITO) are knocked out from the target 816. At this time, since the inside of the chamber 811 is in an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, in a hydrogen gas atmosphere), the metal atoms contained in the particles knocked out in the chamber 811 And a leaving group 303 is introduced into the oxygen atom. Then, the metal oxide introduced with the leaving group 303 is deposited on the movable plate 21 to form the bonding film 5a.

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源815のイオン発生室856内で、放電が行われ、電子eが発生するが、この電子eは、グリッド853により遮蔽され、チャンバー811内への放出が防止される。
さらに、イオンビームBの照射方向(イオン源815の開口850)がターゲット816(チャンバー811の底部側と異なる方向)に向いているので、イオン発生室856内で発生した紫外線が、成膜された接合膜5aに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜5aの成膜中に導入された脱離基303が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基303が存在する接合膜5aを成膜することができる。
In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 856 of the ion source 815, a discharge is performed, the electron e - is occurs, the electron e - is shielded by the grid 853, Release into the chamber 811 is prevented.
Further, since the irradiation direction of the ion beam B (the opening 850 of the ion source 815) is directed to the target 816 (a direction different from the bottom side of the chamber 811), the ultraviolet rays generated in the ion generation chamber 856 are formed. Irradiation to the bonding film 5a is more reliably prevented, and it is possible to reliably prevent the leaving group 303 introduced during the formation of the bonding film 5a from being detached.
As described above, the bonding film 5a in which the leaving group 303 exists almost entirely can be formed.

<B> 一方、Bの方法では、接合膜5aは、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基303を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基303を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜5aを形成することができる。   <B> On the other hand, in the method B, as described above, the bonding film 5a is formed of a metal oxide film containing metal atoms and oxygen atoms, and then the metal contained in the vicinity of the surface of the metal oxide film. It is formed by introducing a leaving group 303 into at least one of an atom and an oxygen atom. According to such a method, it is possible to introduce the leaving group 303 in an unevenly distributed state near the surface of the metal oxide film in a relatively simple process, and to achieve both characteristics as a bonding film and a metal oxide film. An excellent bonding film 5a can be formed.

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、PVD法(物理的気相成膜法)、CVD法(化学的気相成膜法)、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、PVD法により成膜するのが好ましい。PVD法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。   Here, the metal oxide film may be formed by any method, for example, PVD method (physical vapor deposition method), CVD method (chemical vapor deposition method), plasma polymerization method, etc. The film can be formed by various vapor phase film forming methods, various liquid phase film forming methods, and the like, and it is particularly preferable to form the film by the PVD method. According to the PVD method, a dense and homogeneous metal oxide film can be efficiently formed.

また、PVD法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、可動板21上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。   Moreover, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, it is preferable to use a sputtering method. According to the sputtering method, the metal oxide particles can be struck out into the atmosphere and supplied onto the movable plate 21 without breaking the bond between the metal atom and the oxygen atom. An oxide film can be formed.

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基303を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、B1:脱離基303を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理(アニーリング)する方法、B2:イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、B1の方法を用いるのが好ましい。B1の方法によれば、比較的容易に、脱離基303を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基303の量、さらには脱離基303が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。   Furthermore, as a method for introducing the leaving group 303 near the surface of the metal oxide film, various methods are used. For example, the metal oxide film is formed in an atmosphere containing an atomic component constituting the B1: leaving group 303. Examples of the method include heat treatment (annealing), B2: ion implantation, and the like. In particular, it is preferable to use the method B1. According to the method B1, the leaving group 303 can be selectively introduced near the surface of the metal oxide film relatively easily. Further, by appropriately setting the processing conditions such as the atmospheric temperature and the processing time when performing the heat treatment, the amount of the leaving group 303 to be introduced, and further the thickness of the metal oxide film into which the leaving group 303 is introduced. Can be accurately controlled.

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法(イオンビームスパッタリング法)により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基303を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理(アニーリング)することにより、接合膜5aを得る場合を代表に説明する。
なお、Bの方法を用いて接合膜5aの成膜する場合も、Aの方法を用いて接合膜5aを成膜する際に用いられる成膜装置800と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
Hereinafter, a metal oxide film is formed by a sputtering method (ion beam sputtering method), and then the obtained metal oxide film is subjected to heat treatment (annealing) in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303. Thus, the case where the bonding film 5a is obtained will be described as a representative.
Even when the bonding film 5a is formed using the method B, a film forming apparatus similar to the film forming apparatus 800 used when forming the bonding film 5a using the method A is used. A description of the film forming apparatus is omitted.

[i] まず、可動板21を用意する。そして、この可動板21を成膜装置800のチャンバー811内に搬入し、基板ホルダー812に装着(セット)する。
[ii] 次に、排気手段830を動作させ、すなわちポンプ832を作動させた状態でバルブ833を開くことにより、チャンバー811内を減圧状態にする。この減圧の程度(真空度)は、特に限定されないが、1×10−7〜1×10−4Torr程度であるのが好ましく、1×10−6〜1×10−5Torr程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー811内を加熱する。チャンバー811内の温度は、25℃以上であればよいが、25〜100℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
[I] First, the movable plate 21 is prepared. Then, the movable plate 21 is carried into the chamber 811 of the film forming apparatus 800 and mounted (set) on the substrate holder 812.
[Ii] Next, the inside of the chamber 811 is decompressed by opening the valve 833 while the exhaust means 830 is operated, that is, the pump 832 is operated. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.
At this time, the heating means is operated to heat the inside of the chamber 811. Although the temperature in the chamber 811 should just be 25 degreeC or more, it is preferable that it is about 25-100 degreeC. By setting within this range, a metal oxide film having a high film density can be formed.

[iii] 次に、第2のシャッター821を開き、さらに第1のシャッター820を開いた状態にする。
この状態で、イオン源815のイオン発生室856内にガスを導入するとともに、フィラメント857に通電して加熱する。これにより、フィラメント857から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
このガスのイオンIは、グリッド853とグリッド854とにより加速されて、イオン源815から放出され、陰極材料で構成されるターゲット816に衝突する。これにより、ターゲット816から金属酸化物(例えば、ITO)の粒子が叩き出され、可動板21上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
[Iii] Next, the second shutter 821 is opened, and the first shutter 820 is further opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 856 of the ion source 815 and the filament 857 is energized and heated. Thereby, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.
The gas ions I + are accelerated by the grid 853 and the grid 854, emitted from the ion source 815, and collide with a target 816 made of a cathode material. As a result, metal oxide (for example, ITO) particles are knocked out of the target 816 and deposited on the movable plate 21 to form a metal oxide film containing metal atoms and oxygen atoms bonded to the metal atoms. It is formed.

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源815のイオン発生室856内で、放電が行われ、電子eが発生するが、この電子eは、グリッド853により遮蔽され、チャンバー811内への放出が防止される。
さらに、イオンビームBの照射方向(イオン源815の開口850)がターゲット816(チャンバー811の底部側と異なる方向)に向いているので、イオン発生室856内で発生した紫外線が、成膜された接合膜5aに照射されるのがより確実に防止されて、接合膜5aの成膜中に導入された脱離基303が脱離するのを確実に防止することができる。
In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 856 of the ion source 815, a discharge is performed, the electron e - is occurs, the electron e - is shielded by the grid 853, Release into the chamber 811 is prevented.
Further, since the irradiation direction of the ion beam B (the opening 850 of the ion source 815) is directed to the target 816 (a direction different from the bottom side of the chamber 811), the ultraviolet rays generated in the ion generation chamber 856 are formed. Irradiation to the bonding film 5a is more reliably prevented, and it is possible to reliably prevent the leaving group 303 introduced during the formation of the bonding film 5a from being detached.

[iv] 次に、第2のシャッター821を開いた状態で、第1のシャッター820を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー811内をさらに加熱する。チャンバー811内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基303が導入される温度に設定され、100〜600℃程度であるのが好ましく、150〜300℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程[v]において、可動板21および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基303を導入することができる。
[Iv] Next, with the second shutter 821 opened, the first shutter 820 is closed.
In this state, the heating means is operated to further heat the chamber 811. The temperature in the chamber 811 is set to a temperature at which the leaving group 303 is efficiently introduced onto the surface of the metal oxide film, and is preferably about 100 to 600 ° C., more preferably about 150 to 300 ° C. preferable. By setting within this range, in the next step [v], the leaving group 303 can be efficiently introduced onto the surface of the metal oxide film without deteriorating / degrading the movable plate 21 and the metal oxide film. it can.

[v] 次に、ガス供給手段860を動作させ、すなわちポンプ862を作動させた状態でバルブ863を開くことにより、チャンバー811内に脱離基303を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー811内をかかるガスを含む雰囲気下(水素ガス雰囲気下)とすることができる。
このように、前記工程[iv]でチャンバー811内が加熱された状態で、チャンバー811内を、脱離基303を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下(例えば、水素ガス雰囲気下)とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基303が導入されて、接合膜5aが形成される。
脱離基303を構成する原子成分を含むガスの流量は、1〜100ccm程度であるのが好ましく、10〜60ccm程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基303を導入することができる。
[V] Next, the gas supply means 860 is operated, that is, the valve 863 is opened in a state where the pump 862 is operated, whereby the gas containing the atomic components constituting the leaving group 303 is supplied into the chamber 811. Thereby, the inside of the chamber 811 can be made into an atmosphere containing such a gas (under a hydrogen gas atmosphere).
As described above, in the state where the inside of the chamber 811 is heated in the step [iv], the inside of the chamber 811 includes an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, under a hydrogen gas atmosphere). Then, the leaving group 303 is introduced into at least one of metal atoms and oxygen atoms existing near the surface of the metal oxide film, and the bonding film 5a is formed.
The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 303 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 303 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.

なお、チャンバー811内は、前記工程[ii]において、排気手段830を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基303の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程[ii]の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー811内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。   Note that it is preferable that the inside of the chamber 811 maintain a reduced pressure state adjusted by operating the exhaust means 830 in the step [ii]. Thereby, the leaving group 303 can be introduced more smoothly into the vicinity of the surface of the metal oxide film. In addition, by reducing the pressure in the chamber 811 in this step while maintaining the reduced pressure state in the step [ii], it is possible to save the time for reducing the pressure again. There is also an advantage that it can be achieved.

この減圧の程度(真空度)は、特に限定されないが、1×10−7〜1×10−4Torr程度であるのが好ましく、1×10−6〜1×10−5Torr程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、15〜120分程度であるのが好ましく、30〜60分程度であるのがより好ましい。
The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.
Moreover, it is preferable that the time which heat-processes is about 15 to 120 minutes, and it is more preferable that it is about 30 to 60 minutes.

導入する脱離基303の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件(チャンバー811内の温度、真空度、ガス流量、処理時間)を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基303を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面51付近に脱離基303が偏在する接合膜5aを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータにおいても、前記第1実施形態と同様の作用・効果が得られる。
Although depending on the type of leaving group 303 to be introduced, etc., the metal oxide film can be obtained by setting the conditions for the heat treatment (temperature in the chamber 811, degree of vacuum, gas flow rate, treatment time) within the above ranges. A leaving group 303 can be selectively introduced in the vicinity of the surface.
As described above, the bonding film 5a in which the leaving group 303 is unevenly distributed near the surface 51 can be formed.
In the actuator according to the present embodiment as described above, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained.

<第5実施形態>
次に、本発明のアクチュエータの第5実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第1実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかるアクチュエータは、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cがそれぞれエネルギ付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基303を含むものである。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the actuator of the present invention will be described. The description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
This embodiment is the same as the first embodiment except that the structure of each bonding film is different.
That is, in the actuator according to the present embodiment, each of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c has a leaving group 303 composed of a metal atom and an organic component in a state before energy is applied. Is included.

このような各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cは、エネルギが付与されると、脱離基303が各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cから脱離し、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cの少なくとも表面付近に、活性手304が生じるものである。そして、これにより、各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cの表面に、前記第2実施形態と同様の接着性が発現する。   When each of such bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c is energized, the leaving group 303 is transferred from each bonding film 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c. The active hand 304 is generated at least near the surface of each bonding film 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, 6c. As a result, the same adhesiveness as in the second embodiment is expressed on the surfaces of the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c.

以下、本実施形態にかかる各接合膜5a、5b、5c、5d、6a、6b、6cについて説明するが、これらの構成は共通であるため、接合膜5aを代表に説明する。
接合膜5aは、可動板21上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基303を含むものである。
このような接合膜5aは、エネルギが付与されると、脱離基303の結合手が切れて接合膜5aの少なくとも表面51付近から脱離し、図15に示すように、接合膜5aの少なくとも表面51付近に、活性手304が生じるものである。そして、これにより、接合膜5aの表面51に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜5aを備えた可動板21は、コイル212に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
Hereinafter, the bonding films 5a, 5b, 5c, 5d, 6a, 6b, and 6c according to the present embodiment will be described. Since these configurations are common, the bonding film 5a will be described as a representative.
The bonding film 5 a is provided on the movable plate 21 and includes a leaving group 303 composed of metal atoms and organic components.
When energy is applied to such a bonding film 5a, the bond of the leaving group 303 is cut and desorbed from at least the vicinity of the surface 51 of the bonding film 5a, and as shown in FIG. 15, at least the surface of the bonding film 5a. In the vicinity of 51, an active hand 304 is generated. Thereby, adhesiveness is developed on the surface 51 of the bonding film 5a. When such adhesiveness develops, the movable plate 21 provided with the bonding film 5a can be firmly and efficiently bonded to the coil 212 with high dimensional accuracy.

また、接合膜5aは、金属原子と、有機成分で構成される脱離基303とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜5a自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られるアクチュエータ1においても、寸法精度が高いものが得られる。
このような接合膜5aは、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状(半固形状)の接着剤に比べて、接着層(接合膜5a)の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜5aを用いて得られたアクチュエータ1の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
Further, since the bonding film 5a is a film including a metal atom and a leaving group 303 composed of an organic component, that is, an organic metal film, the bonding film 5a is a strong film that is hardly deformed. For this reason, the bonding film 5a itself has high dimensional accuracy, and the actuator 1 finally obtained also has high dimensional accuracy.
Such a bonding film 5a is a solid having no fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 5a) are hardly changed compared to a liquid or viscous liquid (semi-solid) adhesive having fluidity. Therefore, the dimensional accuracy of the actuator 1 obtained using such a bonding film 5a is remarkably higher than the conventional one. Furthermore, since the time required for the curing of the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.

また、本発明では、接合膜5aは、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、アクチュエータ1において、意図しない帯電を抑制または防止することができる。なお、接合膜5aが導電性を有する場合、接合膜5aとコイル212とは、これらの間に絶縁膜が介在し、絶縁されている。これにより、コイル212に通電した際に短絡が生じるのを防止することができる。前記絶縁膜は、コイル212を構成する素線の外周に形成されている。また、絶縁膜の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、樹脂等が挙げられる。   In the present invention, the bonding film 5a is preferably conductive. Thereby, in the actuator 1, unintended charging can be suppressed or prevented. When the bonding film 5a has conductivity, the bonding film 5a and the coil 212 are insulated by interposing an insulating film therebetween. Thereby, it is possible to prevent a short circuit from occurring when the coil 212 is energized. The insulating film is formed on the outer periphery of the wire constituting the coil 212. The constituent material of the insulating film is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include resins.

以上のような接合膜5aとしての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基303が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Tl、Pd、Bi、Poのような典型金属元素等が挙げられる。
The metal atom and the leaving group 303 are selected so that the function as the bonding film 5a as described above is suitably exhibited.
Specifically, examples of the metal atom include Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Transition metal elements such as Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, various lanthanoid elements, various actinoid elements, Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Zn, Ga, Rb, Sr, Typical metal elements such as Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Tl, Pd, Bi, and Po are listed.

ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜5aに発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜5aの導電性をより高めることができる。   Here, since the transition metal element is the only difference in the number of outermost electrons between the transition metal elements, the physical properties are similar. Transition metals generally have high hardness and melting point, and high electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, when a transition metal element is used as a metal atom, the adhesiveness expressed to the joining film 5a can be improved more. In addition, the conductivity of the bonding film 5a can be further increased.

また、金属原子として、Cu、Al、ZnおよびFeのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜5aは、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜5aを後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜5aを成膜することができる。   Further, when one or more of Cu, Al, Zn and Fe are used as metal atoms in combination, the bonding film 5a exhibits excellent conductivity. Further, when the bonding film 5a is formed by using a metal organic chemical vapor deposition method described later, a bonding film having a relatively easy and uniform film thickness using a metal complex containing these metals as a raw material. 5a can be formed.

また、脱離基303は、前述したように、接合膜5aから脱離することにより、接合膜5aに活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基303には、エネルギを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギが付与されないときには、脱離しないよう接合膜5aに確実に結合しているものが好適に選択される。   Further, as described above, the leaving group 303 behaves so as to generate an active hand in the bonding film 5a by detaching from the bonding film 5a. Accordingly, the energy is applied to the leaving group 303 relatively easily and uniformly, but when the energy is not applied, the leaving group 303 is securely bonded to the bonding film 5a so as not to be detached. Those are preferably selected.

具体的には、脱離基303としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも1種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基303は、エネルギの付与による結合/脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基303は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜5aの接着性をより高度なものとすることができる。
より具体的には、原子団(基)としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
Specifically, as the leaving group 303, an atomic group containing a carbon atom as an essential component and containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom is suitably selected. Such a leaving group 303 is relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the bonding film 5a can be made higher.
More specifically, examples of the atomic group (group) include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, and a carboxyl group, and the end of the alkyl group is an isocyanate group. And those terminated with a group, an amino group, a sulfonic acid group, and the like.

以上のような原子団の中でも、脱離基303は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基303は、化学的な安定性が高いため、脱離基303としてアルキル基を備える接合膜5aは、耐候性に優れたものとなる。
また、かかる構成の接合膜5aにおいて、金属原子と酸素原子の存在比は、3:7〜7:3程度であるのが好ましく、4:6〜6:4程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜5aの安定性が高くなり、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜5aを優れた導電性を発揮するものとすることができる。
Among the atomic groups as described above, the leaving group 303 is particularly preferably an alkyl group. Since the leaving group 303 composed of an alkyl group has high chemical stability, the bonding film 5a having an alkyl group as the leaving group 303 has excellent weather resistance.
In the bonding film 5a having such a configuration, the abundance ratio of metal atoms to oxygen atoms is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and carbon atoms to be within the above range, the stability of the bonding film 5a increases, and the movable plate 21 and the coil 212 can be bonded more firmly. Further, the bonding film 5a can exhibit excellent conductivity.

また、接合膜5aの平均厚さは、1〜1000nm程度であるのが好ましく、50〜800nm程度であるのがより好ましい。接合膜5aの平均厚さを前記範囲内とすることにより、アクチュエータ1の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、可動板21とコイル212とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜5aの平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜5aの平均厚さが前記上限値を上回った場合は、アクチュエータ1の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
The average thickness of the bonding film 5a is preferably about 1 to 1000 nm, and more preferably about 50 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 5a within the above range, it is possible to bond the movable plate 21 and the coil 212 more firmly while preventing the dimensional accuracy of the actuator 1 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 5a is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 5a exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the actuator 1 may be significantly reduced.

さらに、接合膜5aの平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜5aにある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可動板21の接合面(接合膜5aを成膜する面)に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜5aを被着させることができる。その結果、接合膜5aは、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可動板21とコイル212とを貼り合わせた際に、接合膜5aのコイル212に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜5aの厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜5aの厚さをできるだけ厚くすればよい。
Furthermore, if the average thickness of the bonding film 5a is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the bonding film 5a. For this reason, for example, even when unevenness exists on the bonding surface of the movable plate 21 (the surface on which the bonding film 5a is formed), the bonding is performed so as to follow the shape of the unevenness depending on the height of the unevenness. The film 5a can be deposited. As a result, the bonding film 5a can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. Then, when the movable plate 21 and the coil 212 are bonded together, the adhesion of the bonding film 5a to the coil 212 can be enhanced.
In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 5a increases. Therefore, in order to ensure sufficient shape followability, the thickness of the bonding film 5a should be as large as possible.

以上説明したような接合膜5aは、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIa:金属原子で構成される金属膜に、脱離基(有機成分)303を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与(化学修飾)して接合膜5aを形成する方法、IIb:金属原子と、脱離基(有機成分)303を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜5aを形成する方法(積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成)、IIc:金属原子と脱離基303を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIbの方法により接合膜5aを成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜5aを形成することができる。   The bonding film 5a as described above may be formed by any method. For example, IIa: an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 on a metal film composed of metal atoms is used as a metal film. A method of forming the bonding film 5a by selectively applying (chemical modification) almost to the entire surface or in the vicinity of the surface, IIb: an organic metal material having a metal atom and an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 as a raw material As a method of forming the bonding film 5a using a metal organic chemical vapor deposition method (a method of laminating or forming a bonding layer formed of a monoatomic layer), IIc: an organic substance containing a metal atom and a leaving group 303 Examples thereof include a method in which an organic metal material is dissolved in an appropriate solvent as a raw material and a bonding film is formed using a spin coating method or the like. Among these, it is preferable to form the bonding film 5a by the method IIb. According to such a method, the bonding film 5a having a uniform film thickness can be formed by a relatively simple process.

以下、IIbの方法、すなわち金属原子と、脱離基(有機成分)303を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜5aを形成する方法により、接合膜5aを得る場合を代表的に説明する。
まず、接合膜5aの成膜方法を説明するのに先立って、接合膜5aを成膜する際に用いられる成膜装置400について説明する。
Hereinafter, by the method of IIb, that is, the method of forming the bonding film 5a using a metal organic chemical vapor deposition method using a metal atom and an organic metal material having an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 as a raw material, A case where the bonding film 5a is obtained will be described representatively.
First, prior to describing the method of forming the bonding film 5a, the film forming apparatus 400 used when forming the bonding film 5a will be described.

図18は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図18中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図18に示す成膜装置400は、可動板21(母材2’)に対する、有機金属化学気相成長法(以下、「MOCVD法」と省略することもある。)による接合膜5a(接合膜5’)の形成をチャンバー411内で行えるように構成されている。
FIG. 18 is a vertical cross-sectional view schematically showing a film forming apparatus used for manufacturing a bonding film in the present embodiment. In the following description, the upper side in FIG. 18 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
18 is a bonding film 5a (bonding film) formed on the movable plate 21 (base material 2 ′) by a metal organic chemical vapor deposition method (hereinafter sometimes abbreviated as “MOCVD method”). 5 ′) can be formed in the chamber 411.

具体的には、成膜装置400は、チャンバー(真空チャンバー)411と、このチャンバー411内に設置され、可動板21(成膜対象物)を保持する基板ホルダー(成膜対象物保持部)412と、チャンバー411内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段460と、チャンバー411内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段470と、チャンバー411内の排気をして圧力を制御する排気手段430と、基板ホルダー412を加熱する加熱手段(図示せず)とを有している。   Specifically, the film forming apparatus 400 includes a chamber (vacuum chamber) 411 and a substrate holder (film forming object holding unit) 412 that is installed in the chamber 411 and holds the movable plate 21 (film forming object). An organic metal material supply means 460 for supplying a vaporized or atomized organic metal material into the chamber 411, a gas supply means 470 for supplying a gas for making the inside of the chamber 411 under a low reducing atmosphere, and a chamber Evacuation means 430 for evacuating the inside of 411 to control the pressure, and heating means (not shown) for heating the substrate holder 412.

基板ホルダー412は、本実施形態では、チャンバー411の底部に取り付けられている。この基板ホルダー412は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、可動板21上に接合膜5aを均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー412の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター421が配設されている。このシャッター421は、可動板21および接合膜5aが不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
The substrate holder 412 is attached to the bottom of the chamber 411 in this embodiment. The substrate holder 412 can be rotated by the operation of a motor. Thus, the bonding film 5a can be formed on the movable plate 21 with a uniform and uniform thickness.
Further, in the vicinity of the substrate holder 412, a shutter 421 that can cover them is provided. The shutter 421 is for preventing the movable plate 21 and the bonding film 5a from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like.

有機金属材料供給手段460は、チャンバー411に接続されている。この有機金属材料供給手段460は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽462と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー411内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ465と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー411内に導くガス供給ライン461と、ガス供給ライン461の途中に設けられたポンプ464およびバルブ463とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段460では、貯留槽462は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ463を開放した状態で、ポンプ464を作動させて、キャリアガスをガスボンベ465から貯留槽462に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン461内を通過してチャンバー411内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
The organometallic material supply unit 460 is connected to the chamber 411. The organometallic material supply means 460 includes a storage tank 462 that stores a solid organometallic material, a gas cylinder 465 that stores a carrier gas that feeds the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 411, and a carrier gas. And a gas supply line 461 for introducing the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 411, and a pump 464 and a valve 463 provided in the middle of the gas supply line 461. In the organometallic material supply unit 460 having such a configuration, the storage tank 462 has a heating unit, and the operation of the heating unit can heat and vaporize the solid organometallic material. Therefore, when the pump 464 is operated with the valve 463 opened and the carrier gas is supplied from the gas cylinder 465 to the storage tank 462, the organometallic material vaporized or atomized together with the carrier gas passes through the supply line 461. Then, it is supplied into the chamber 411.
In addition, it does not specifically limit as carrier gas, For example, nitrogen gas, argon gas, helium gas, etc. are used suitably.

また、本実施形態では、ガス供給手段470がチャンバー411に接続されている。ガス供給手段470は、チャンバー411内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ475と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー411内に導くガス供給ライン471と、ガス供給ライン471の途中に設けられたポンプ474およびバルブ473とで構成されている。かかる構成のガス供給手段470では、バルブ473を開放した状態で、ポンプ474を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ475から、供給ライン471を介して、チャンバー411内に供給されるようになっている。ガス供給手段470をかかる構成とすることにより、チャンバー411内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてMOCVD法を用いて接合膜5aを成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基303として残存させた状態で接合膜5aが成膜される。   In this embodiment, the gas supply unit 470 is connected to the chamber 411. The gas supply means 470 includes a gas cylinder 475 for storing a gas for making the inside of the chamber 411 under a low reducing atmosphere, a gas supply line 471 for introducing the gas for making the low reducing atmosphere into the chamber 411, A pump 474 and a valve 473 provided in the middle of the gas supply line 471 are configured. In the gas supply means 470 having such a configuration, when the pump 474 is operated with the valve 473 opened, the gas for making the low reducing atmosphere is supplied from the gas cylinder 475 through the supply line 471 to the chamber 411. It is designed to be supplied inside. When the gas supply unit 470 is configured as described above, the inside of the chamber 411 can be surely set in a low reducing atmosphere with respect to the organometallic material. As a result, when forming the bonding film 5a by using the MOCVD method using the organometallic material as a raw material, at least a part of the organic component contained in the organometallic material is left as the leaving group 303 in the bonding film 5a. Is deposited.

チャンバー411内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する2,4−ペンタジオネート−銅(II)や[Cu(hfac)(VTMS)]等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜5aに過度の酸素原子が残存することなく、接合膜5aを成膜することができる。その結果、この接合膜5aは、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
The gas for bringing the inside of the chamber 411 into a low reducing atmosphere is not particularly limited, and examples thereof include nitrogen gas and rare gases such as helium, argon, and xenon, nitrogen monoxide, and dinitrogen monoxide. These can be used alone or in combination of two or more.
In the case of using an organic metal material containing an oxygen atom in the molecular structure, such as 2,4-pentadionate-copper (II) or [Cu (hfac) (VTMS)] described later. In addition, it is preferable to add hydrogen gas to the gas for achieving a low reducing atmosphere. Thereby, the reducibility with respect to oxygen atoms can be improved, and the bonding film 5a can be formed without excessive oxygen atoms remaining in the bonding film 5a. As a result, the bonding film 5a has a low abundance of the metal oxide in the film and exhibits excellent conductivity.

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも1種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段430は、ポンプ432と、ポンプ432とチャンバー411とを連通する排気ライン431と、排気ライン431の途中に設けられたバルブ433とで構成されており、チャンバー411内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
In addition, when at least one of the nitrogen gas, argon gas and helium gas described above is used as the carrier gas, the carrier gas can also exhibit a function as a gas for providing a low reducing atmosphere. it can.
The exhaust means 430 includes a pump 432, an exhaust line 431 that communicates the pump 432 and the chamber 411, and a valve 433 provided in the middle of the exhaust line 431. The pressure can be reduced.

以上のような構成の成膜装置400を用いてMOCVD法により、以下のようにして可動板21上に接合膜5aが形成される。
[i] まず、可動板21(母材2’)を用意する。そして、この可動板21を成膜装置400のチャンバー411内に搬入し、基板ホルダー412に装着(セット)する。
[ii] 次に、排気手段430を動作させ、すなわちポンプ432を作動させた状態でバルブ433を開くことにより、チャンバー411内を減圧状態にする。この減圧の程度(真空度)は、特に限定されないが、1×10−7〜1×10−4Torr程度であるのが好ましく、1×10−6〜1×10−5Torr程度であるのがより好ましい。
The bonding film 5a is formed on the movable plate 21 by the MOCVD method using the film forming apparatus 400 configured as described above.
[I] First, the movable plate 21 (base material 2 ′) is prepared. Then, the movable plate 21 is carried into the chamber 411 of the film forming apparatus 400 and mounted (set) on the substrate holder 412.
[Ii] Next, the exhaust unit 430 is operated, that is, the valve 433 is opened while the pump 432 is operated, so that the inside of the chamber 411 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.

また、ガス供給手段470を動作させ、すなわちポンプ474を作動させた状態でバルブ473を開くことにより、チャンバー411内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー411内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段470による前記ガスの流量は、特に限定されないが、0.1〜10sccm程度であるのが好ましく、0.5〜5sccm程度であるのがより好ましい。   In addition, by operating the gas supply means 470, that is, by opening the valve 473 while the pump 474 is operated, the gas for making the low reducing atmosphere is supplied into the chamber 411, and the inside of the chamber 411 is supplied. Under a low reducing atmosphere. The flow rate of the gas by the gas supply means 470 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 10 sccm, and more preferably about 0.5 to 5 sccm.

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー412を加熱する。基板ホルダー412の温度は、形成する接合膜5aの種類、すなわち、接合膜5aを形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、80〜600℃程度であるのが好ましく、100〜450℃程度であるのがより好ましく、200〜300℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜5aを成膜することができる。   Further, at this time, the heating means is operated to heat the substrate holder 412. The temperature of the substrate holder 412 varies slightly depending on the type of the bonding film 5a to be formed, that is, the type of raw material used when forming the bonding film 5a, but is preferably about 80 to 600 ° C, and preferably 100 to 450 ° C. More preferably, it is about 200-300 degreeC. By setting within this range, it is possible to form the bonding film 5a having excellent adhesiveness using an organometallic material described later.

[iii] 次に、シャッター421を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽462が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ464を動作させるとともに、バルブ463を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
[Iii] Next, the shutter 421 is opened.
Then, by operating the heating means provided in the storage tank 462 in which the solid organic metal material is stored, the pump 464 is operated in a state where the organic metal material is vaporized, and the valve 463 is opened to vaporize. Alternatively, the atomized organometallic material is introduced into the chamber together with the carrier gas.

このように、前記工程[ii]で基板ホルダー412が加熱された状態で、チャンバー411内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、可動板21上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、可動板21上に接合膜5aを形成することができる。
すなわち、MOCVD法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基303としての機能を発揮する接合膜5aを可動板21上に形成することができる。
As described above, when the vaporized or atomized organometallic material is supplied into the chamber 411 in a state where the substrate holder 412 is heated in the step [ii], the organometallic material is heated on the movable plate 21. Thus, the bonding film 5a can be formed on the movable plate 21 in a state where a part of the organic matter contained in the organometallic material remains.
That is, according to the MOCVD method, if a film containing metal atoms is formed so that a part of the organic substance contained in the organometallic material remains, a part of the organic substance exhibits a function as the leaving group 303. The film 5a can be formed on the movable plate 21.

このようなMOCVD法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、2,4−ペンタジオネート−銅(II)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)、トリス(4−メチル−8キノリノレート)アルミニウム(III)(Almq)、(8−ヒドロキシキノリン)亜鉛(Znq)、銅フタロシアニン、Cu(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)(ビニルトリメチルシラン)[Cu(hfac)(VTMS)]、Cu(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)(2−メチル−1−ヘキセン−3−エン)[Cu(hfac)(MHY)]、Cu(パーフルオロアセチルアセトネート)(ビニルトリメチルシラン)[Cu(pfac)(VTMS)]、Cu(パーフルオロアセチルアセトネート)(2−メチル−1−ヘキセン−3−エン)[Cu(pfac)(MHY)]等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜5aを確実に形成することができる。 The organometallic material used in such MOCVD method is not particularly limited. For example, 2,4-pentadionate-copper (II), tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), tris (4 - methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (Almq 3), (8- hydroxyquinoline) zinc (Znq 2), copper phthalocyanine, Cu (hexafluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu (hfac) (VTMS )], Cu (hexafluoroacetylacetonate) (2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (hfac) (MHY)], Cu (perfluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu ( pfac) (VTMS)], Cu (perfluoroacetylacetonate) 2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (pfac) (MHY)] and other amides, acetylacetonates, alkoxys, silicon-containing silyls, and carboxyl groups containing various transition metal elements. Examples include carbonyl-based metal complexes, alkyl metals such as trimethylgallium, trimethylaluminum, and diethylzinc, and derivatives thereof. Among these, the organometallic material is preferably a metal complex. By using the metal complex, the bonding film 5a can be reliably formed in a state where a part of the organic substance contained in the metal complex remains.

また、本実施形態では、ガス供給手段470を動作させることにより、チャンバー411内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、可動板21上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜5aを形成することができる。   In this embodiment, the gas supply means 470 is operated to create a low reducing atmosphere in the chamber 411. By using such an atmosphere, pure metal is formed on the movable plate 21. Without forming a film, it is possible to form a film in a state where a part of the organic substance contained in the organometallic material remains. That is, it is possible to form the bonding film 5a having excellent characteristics as both the bonding film and the metal film.

気化または霧化した有機金属材料の流量は、0.1〜100ccm程度であるのが好ましく、0.5〜60ccm程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜5aを成膜することができる。
以上のように、接合膜5aを成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基303として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜5aを成膜することができる。
The flow rate of the vaporized or atomized organometallic material is preferably about 0.1 to 100 ccm, and more preferably about 0.5 to 60 ccm. Accordingly, the bonding film 5a can be formed with a uniform film thickness and with a part of the organic substance contained in the organometallic material remaining.
As described above, when the bonding film 5a is formed, the residue remaining in the film is used as the leaving group 303, so there is no need to introduce a leaving group into the formed metal film or the like. The bonding film 5a can be formed by a relatively simple process.

なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜5aに残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基303として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基303として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜5aを成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかるアクチュエータ1においても、前記第1実施形態と同様の作用・効果が得られる。
以上、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、アクチュエータおよび画像形成装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
Note that part of the organic substance remaining in the bonding film 5a formed using the organometallic material may function as the leaving group 303, or part of the organic substance may be the leaving group 303. It may function as.
As described above, the bonding film 5a can be formed.
In the actuator 1 according to the present embodiment as described above, the same operations and effects as in the first embodiment can be obtained.
The actuator and the image forming apparatus of the present invention have been described above with respect to the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and each part constituting the actuator and the image forming apparatus exhibits the same function. It can be replaced with any configuration obtained. Moreover, arbitrary components may be added.

また、本発明のアクチュエータおよび画像形成装置は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
また、接合膜は、それを成膜する際、可動板およびコイルのうちの可動板に成膜されるが、これに限定されず、例えば、可動板およびコイルの双方に成膜されていてもよいし、コイルに成膜されていてもよい。
Further, the actuator and the image forming apparatus of the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above embodiments.
Further, the bonding film is formed on the movable plate of the movable plate and the coil when it is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, the bonding film may be formed on both the movable plate and the coil. The film may be formed on the coil.

また、前記第1実施形態および前記第2実施形態では、それぞれ、コイルは、可動板の下面に配置されているが、これに限定されず、可動板の上面側に配置されていてもよい。
また、前記第3実施形態では、各コイルは、それぞれ、駆動板の上面に配置されているが、これに限定されず、例えば、駆動板の下面に配置されていてもよい。
また、前記第3実施形態では、駆動板とコイルとを接合する接合膜は、前記第1実施形態のように平面視でコイルを包含するように形成されているが、これに限定されず、例えば、前記第2実施形態のように平面視でコイルの形状に沿うように形成されていてもよい。
In the first embodiment and the second embodiment, the coil is disposed on the lower surface of the movable plate. However, the present invention is not limited to this, and the coil may be disposed on the upper surface side of the movable plate.
Moreover, in the said 3rd Embodiment, although each coil is each arrange | positioned at the upper surface of a drive plate, it is not limited to this, For example, you may arrange | position at the lower surface of a drive plate.
In the third embodiment, the bonding film for bonding the drive plate and the coil is formed so as to include the coil in plan view as in the first embodiment, but is not limited thereto. For example, it may be formed so as to follow the shape of the coil in plan view as in the second embodiment.

また、前記第3実施形態では、コイルが可動板にも配置されていてもよい。
また、コイルは、平面的に巻回されたものに限定されず、例えば、立体的に(基体の厚さ方向の軸回りに)巻回されたものであってもよい。
また、コイルは、単層で構成されたものに限定されず、例えば、積層体で構成されたものであってもよい。
In the third embodiment, the coil may also be disposed on the movable plate.
Further, the coil is not limited to the one wound in a plane, and may be one wound three-dimensionally (around the axis in the thickness direction of the substrate), for example.
The coil is not limited to a single layer, and may be a layered body, for example.

本発明のアクチュエータの第1実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 1st Embodiment of the actuator of this invention. 図1に示すアクチュエータの平面図である。It is a top view of the actuator shown in FIG. 図2中のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line in FIG. 図2中のB−B線断面図である。It is the BB sectional view taken on the line in FIG. 図1に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before energy provision of the joining film in the actuator shown in FIG. 図1に示すアクチュエータにおける接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the bonding film in the actuator shown in FIG. 図1に示すアクチュエータの製造方法(製造工程)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method (manufacturing process) of the actuator shown in FIG. 図1に示すアクチュエータの製造方法(製造工程)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method (manufacturing process) of the actuator shown in FIG. 図1に示すアクチュエータの製造方法(製造工程)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method (manufacturing process) of the actuator shown in FIG. 図1に示すアクチュエータにおける接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the plasma polymerization apparatus used for preparation of the joining film | membrane in the actuator shown in FIG. 本発明のアクチュエータの第2実施形態を示す横断面図である。It is a cross-sectional view showing a second embodiment of the actuator of the present invention. 本発明のアクチュエータの第3実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 3rd Embodiment of the actuator of this invention. 図12中のC−C線断面図である。It is CC sectional view taken on the line in FIG. 本発明のアクチュエータ(第4実施形態)における接合膜のエネルギ付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before the energy provision of the joining film | membrane in the actuator (4th Embodiment) of this invention. 本発明のアクチュエータ(第4実施形態)における接合膜のエネルギ付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film | membrane in the actuator (4th Embodiment) of this invention. 接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the film-forming apparatus used for preparation of a joining film. 図16に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the ion source with which the film-forming apparatus shown in FIG. 接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the film-forming apparatus used for preparation of a joining film. 本発明の画像形成装置(プリンタ)の一例を示す全体構成の模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an overall configuration showing an example of an image forming apparatus (printer) of the present invention. 図19に示す画像形成装置に備えられた露光ユニットの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the exposure unit with which the image forming apparatus shown in FIG. 19 was equipped. 本発明の画像形成装置(イメージングディスプレイ)の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the image forming apparatus (imaging display) of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、1A、1B…アクチュエータ 2…基体 2’…母材 20…振動系(振動部) 21…可動板 211…光反射部(ミラー) 212…コイル 212a…部分 214…配線 215…回動軸 22、23…軸部材 221、231…配線 24…支持部 241、242…端子 243…開口部 25a、25b…駆動板 3…支持体 31…枠状体 31’…母材 311…開口部 32…基板 41、42…磁石 5a、5b、5c、5d、5e、5f、5h、5’、6a、6b、6c、6’…接合膜 51…表面 110、119…画像形成装置 111…感光体 112…帯電ユニット 113…露光ユニット 114…現像ユニット 115…転写ユニット 116…クリーニングユニット 117…給紙トレイ 118…定着装置 131…レーザ光源 132…コリメータレンズ 133…fθレンズ 141、142、143、144…現像装置 145…保持体 146…軸 151…中間転写ベルト 152…一次転写ローラ 153…従動ローラ 154…駆動ローラ 155…二次転写ローラ 161…クリーニングブレード 171…給紙ローラ 172…レジローラ 173…排紙ローラ対 174、176…搬送ローラ対 175…搬送路 191、192、193…光源 194…クロスダイクロイックプリズム 195…ガルバノミラー 196…固定ミラー 197…スクリーン 301…Si骨格 302…シロキサン(Si−O)結合 303…脱離基 304…活性手 400…成膜装置 411…チャンバー 412…基板ホルダー 421…シャッター 430…排気手段 431…排気ライン 432…ポンプ 433…バルブ 460…有機金属材料供給手段 461…ガス供給ライン 462…貯留槽 463…バルブ 464…ポンプ 465…ガスボンベ 470…ガス供給手段 471…ガス供給ライン 473…バルブ 474…ポンプ 475…ガスボンベ 800…成膜装置 811…チャンバー 812…基板ホルダー 815…イオン源 816…ターゲット 817…ターゲットホルダー 819…ガス供給源 820…第1のシャッター 821…第2のシャッター 830…排気手段 831…排気ライン 832…ポンプ 833…バルブ 850…開口 853、854…グリッド 855…磁石 856…イオン発生室 857…フィラメント 860…ガス供給手段 861…ガス供給ライン 862…ポンプ 863…バルブ 864…ガスボンベ 900…プラズマ重合装置 901…チャンバー 902…接地線 903…供給口 904…排気口 930…第1の電極 939…静電チャック 940…第2の電極 970…排気ポンプ 971…圧力制御機構 980…電源回路 982…高周波電源 983…マッチングボックス 984…配線 990…ガス供給部 991…貯液部 992…気化装置 993…ガスボンベ 994…配管 995…拡散板 B…イオンビーム L…レーザ光 P…記録媒体 Y…軸線   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A, 1B ... Actuator 2 ... Base | substrate 2 '... Base material 20 ... Vibration system (vibration part) 21 ... Movable plate 211 ... Light reflection part (mirror) 212 ... Coil 212a ... Part 214 ... Wiring 215 ... Rotating shaft 22 , 23 ... shaft members 221, 231 ... wiring 24 ... support parts 241, 242 ... terminals 243 ... openings 25a and 25b ... drive plates 3 ... support bodies 31 ... frame-like bodies 31 '... base material 311 ... openings 32 ... substrates 41, 42 ... Magnets 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5h, 5 ', 6a, 6b, 6c, 6' ... Bonding film 51 ... Surface 110, 119 ... Image forming apparatus 111 ... Photoconductor 112 ... Charging Unit 113 ... Exposure unit 114 ... Development unit 115 ... Transfer unit 116 ... Cleaning unit 117 ... Paper feed tray 118 ... Fixing device 131 ... -The light source 132 ... collimator lens 133 ... f-theta lens 141, 142, 143, 144 ... developing device 145 ... holding body 146 ... shaft 151 ... intermediate transfer belt 152 ... primary transfer roller 153 ... driven roller 154 ... drive roller 155 ... secondary roller Transfer roller 161 ... Cleaning blade 171 ... Paper feed roller 172 ... Registration roller 173 ... Paper discharge roller pair 174, 176 ... Conveyance roller pair 175 ... Conveyance path 191, 192, 193 ... Light source 194 ... Cross dichroic prism 195 ... Galvano mirror 196 ... Fixed Mirror 197 ... Screen 301 ... Si skeleton 302 ... Siloxane (Si-O) bond 303 ... Leaving group 304 ... Active hand 400 ... Film forming apparatus 411 ... Chamber 412 ... Substrate holder 421 ... Shutter 430 ... Exhaust Means 431 ... Exhaust line 432 ... Pump 433 ... Valve 460 ... Organometallic material supply means 461 ... Gas supply line 462 ... Storage tank 463 ... Valve 464 ... Pump 465 ... Gas cylinder 470 ... Gas supply means 471 ... Gas supply line 473 ... Valve 474 DESCRIPTION OF SYMBOLS Pump 475 ... Gas cylinder 800 ... Film forming apparatus 811 ... Chamber 812 ... Substrate holder 815 ... Ion source 816 ... Target 817 ... Target holder 819 ... Gas supply source 820 ... First shutter 821 ... Second shutter 830 ... Exhaust means 831 ... exhaust line 832 ... pump 833 ... valve 850 ... opening 853, 854 ... grid 855 ... magnet 856 ... ion generation chamber 857 ... filament 860 ... gas supply means 861 ... gas supply line 862 ... Pump 863 ... Valve 864 ... Gas cylinder 900 ... Plasma polymerization apparatus 901 ... Chamber 902 ... Ground line 903 ... Supply port 904 ... Exhaust port 930 ... First electrode 939 ... Electrostatic chuck 940 ... Second electrode 970 ... Exhaust pump 971 ... Pressure control mechanism 980 ... Power supply circuit 982 ... High frequency power supply 983 ... Matching box 984 ... Wiring 990 ... Gas supply part 991 ... Liquid storage part 992 ... Vaporizer 993 ... Gas cylinder 994 ... Piping 995 ... Diffuser B ... Ion beam L ... Laser beam P ... Recording medium Y ... Axis

Claims (42)

板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン(Si−O)結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と、該Si骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Si骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
A movable plate having a plate shape, and a pair of connecting portions that are arranged to face each other via the movable plate, are coupled to the movable plate, and rotatably support the movable plate about an axis parallel to the surface thereof. A vibrating part having
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and a random atomic structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the region, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the Si skeleton and is expressed in the region on the surface of the bonding film. The actuator is characterized in that the vibrating portion and the coil are joined by the adhesive property.
前記接合膜を構成する全原子からH原子を除いた原子のうち、Si原子の含有率とO原子の含有率の合計が、10〜90原子%である請求項1に記載のアクチュエータ。   2. The actuator according to claim 1, wherein a sum of a content ratio of Si atoms and a content ratio of O atoms among atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film is 10 to 90 atomic%. 前記接合膜中のSi原子とO原子の存在比は、3:7〜7:3である請求項1または2に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1 or 2, wherein the abundance ratio of Si atoms and O atoms in the bonding film is 3: 7 to 7: 3. 前記Si骨格の結晶化度は、45%以下である請求項1ないし3のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 3, wherein the crystallinity of the Si skeleton is 45% or less. 前記脱離基は、H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Si骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも1種で構成されたものである請求項1ないし4のいずれかに記載のアクチュエータ。   The leaving group includes an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, and a halogen atom, or an atomic group arranged so that each of these atoms is bonded to the Si skeleton. The actuator according to any one of claims 1 to 4, wherein the actuator is composed of at least one selected from the group consisting of: 前記脱離基は、アルキル基である請求項5に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 5, wherein the leaving group is an alkyl group. 前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項1ないし6のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1, wherein the bonding film is formed by a plasma polymerization method. 前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項7に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 7, wherein the bonding film is composed of polyorganosiloxane as a main material. 前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項8に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 8, wherein the polyorganosiloxane is mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane. 前記接合膜の平均厚さは、1〜1000nmである請求項1ないし9のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1, wherein an average thickness of the bonding film is 1 to 1000 nm. 前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項1ないし10のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1, wherein the bonding film is a solid that does not have fluidity. 前記振動部の前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項1ないし11のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 11, wherein a surface of the vibration portion that is in contact with the bonding film is previously subjected to a surface treatment that improves adhesion with the bonding film. 前記コイルの前記接合膜と接している面には、予め、前記接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項1ないし12のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 12, wherein a surface of the coil that is in contact with the bonding film is previously subjected to a surface treatment for improving adhesion to the bonding film. 前記表面処理は、プラズマ処理である請求項12または13に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 12 or 13, wherein the surface treatment is a plasma treatment. 前記振動部と前記接合膜との間に、中間層を有する請求項1ないし14のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1, further comprising an intermediate layer between the vibrating portion and the bonding film. 前記コイルと前記接合膜との間に、中間層を有する請求項1ないし15のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 1, further comprising an intermediate layer between the coil and the bonding film. 前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項15または16に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 15 or 16, wherein the intermediate layer is composed mainly of an oxide-based material. 前記エネルギの付与は、前記接合膜にエネルギ線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも1つの方法により行われる請求項1ないし17のいずれかに記載のアクチュエータ。   The energy is applied by at least one of a method of irradiating the bonding film with energy rays, a method of heating the bonding film, and a method of applying a compressive force to the bonding film. The actuator in any one of thru | or 17. 前記エネルギ線は、波長150〜300nmの紫外線である請求項18に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 18, wherein the energy beam is an ultraviolet ray having a wavelength of 150 to 300 nm. 前記加熱の温度は、25〜100℃である請求項18または19に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 18 or 19, wherein the heating temperature is 25 to 100 ° C. 前記圧縮力は、0.2〜10MPaである請求項18ないし20のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 18 to 20, wherein the compressive force is 0.2 to 10 MPa. 板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
A movable plate having a plate shape, and a pair of connecting portions that are arranged to face each other via the movable plate, are coupled to the movable plate, and rotatably support the movable plate about an axis parallel to the surface thereof. A vibrating part having
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the bonding film, whereby the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the bonding film The vibration part and the coil are joined by the adhesiveness expressed in the region on the surface of the actuator.
板状をなす可動板と、該可動板を介して互いに対向配置され、前記可動板に連結されて、前記可動板をその面と平行な軸回りに回動可能に支持する一対の連結部とを有する振動部と、
前記振動部に設けられ、導電性を有するコイルと、
前記コイルの近傍に磁界を発生させる磁界発生手段とを備え、
前記振動部と前記コイルとが接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記振動部と前記コイルとを接合していることを特徴とするアクチュエータ。
A movable plate having a plate shape, and a pair of connecting portions that are arranged to face each other via the movable plate, are coupled to the movable plate, and rotatably support the movable plate about an axis parallel to the surface thereof. A vibrating part having
A coil provided in the vibrating portion and having conductivity;
Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the vicinity of the coil,
The vibrating portion and the coil are bonded via a bonding film,
The bonding film includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from the bonding film and is expressed in the region on the surface of the bonding film. The actuator is characterized in that the vibrating portion and the coil are joined by the adhesive property.
前記磁界発生手段によって発生した磁界中に配された前記コイルに通電することによりローレンツ力が発生し、該ローレンツ力によって、前記可動板を前記軸回りに回動させるよう構成されている請求項1ないし23のいずれかに記載のアクチュエータ。   The Lorentz force is generated by energizing the coil disposed in the magnetic field generated by the magnetic field generating means, and the movable plate is rotated about the axis by the Lorentz force. 24. The actuator according to any one of 23 to 23. 前記振動部は、シリコン材料を主材料として構成されている請求項1ないし24のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 24, wherein the vibration unit is configured using a silicon material as a main material. 前記コイルは、金属材料を主材料として構成されている請求項1ないし25のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 25, wherein the coil is made of a metal material as a main material. 前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材で構成されている請求項1ないし26のいずれかに記載のアクチュエータ。   27. The actuator according to any one of claims 1 to 26, wherein each of the connecting portions has a rod shape, and one end portion thereof is configured by a shaft member connected to an edge portion of the movable plate. 前記コイルは、前記可動板の片面に配置されている請求項27に記載のアクチュエータ。   28. The actuator according to claim 27, wherein the coil is disposed on one side of the movable plate. 前記コイルは、前記可動板の面に沿って平面的に巻回されたものである請求項28に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 28, wherein the coil is wound in a plane along the surface of the movable plate. 前記可動板は、平面視で四角形をなすものであり、
前記コイルは、前記四角形の4つの辺に沿って巻回されている請求項28または29に記載のアクチュエータ。
The movable plate is a quadrangle in plan view,
30. The actuator according to claim 28 or 29, wherein the coil is wound along four sides of the square.
前記各連結部は、それぞれ、棒状をなし、その一端部が前記可動板の縁部に連結された軸部材と、該軸部材の途中に設けられ、板状をなす駆動板とで構成されている請求項1ないし26のいずれかに記載のアクチュエータ。   Each of the connecting portions has a rod shape, one end portion of which is connected to the edge of the movable plate, and a driving plate that is provided in the middle of the shaft member and has a plate shape. The actuator according to any one of claims 1 to 26. 前記コイルは、それぞれ、前記各駆動板の片面または両面に配置されている請求項31に記載のアクチュエータ。   32. The actuator according to claim 31, wherein each of the coils is disposed on one side or both sides of each drive plate. 前記コイルは、前記駆動板の面に沿って平面的に巻回されたものである請求項32に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 32, wherein the coil is wound in a plane along the surface of the drive plate. 前記駆動板は、平面視で四角形をなすものであり、
前記コイルは、前記四角形の4つの辺に沿って巻回されている請求項32または33に記載のアクチュエータ。
The drive plate is a quadrangle in plan view,
The actuator according to claim 32 or 33, wherein the coil is wound along four sides of the square.
前記接合膜は、平面視で前記コイルを包含する領域に形成されている請求項1ないし21、24ないし34のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 21, and 24 to 34, wherein the bonding film is formed in a region including the coil in a plan view. 前記接合膜は、平面視で前記コイルを包含する領域に形成されており、前記接合膜とコイルとは、絶縁されている請求項22または23に記載のアクチュエータ。   The actuator according to claim 22 or 23, wherein the bonding film is formed in a region including the coil in plan view, and the bonding film and the coil are insulated. 前記接合膜は、平面視で前記コイルの形状に沿うように形成されている請求項1ないし34のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 34, wherein the bonding film is formed along the shape of the coil in a plan view. 前記コイルを構成する線材は、その前記接合膜に接合される部分が平面状をなしている請求項1ないし37のいずれかに記載のアクチュエータ。   38. The actuator according to any one of claims 1 to 37, wherein the wire constituting the coil has a planar portion joined to the bonding film. 前記磁界発生手段は、前記可動板の回動軸を介して、互いに極性が異なるように対向配置された一対の磁石で構成されている請求項1ないし38のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 38, wherein the magnetic field generating means is configured by a pair of magnets arranged to face each other with different polarities via a rotation shaft of the movable plate. 前記可動板に設けられ、光を反射する光反射部をさらに備える請求項1ないし39のいずれかに記載のアクチュエータ。   The actuator according to any one of claims 1 to 39, further comprising a light reflecting portion that is provided on the movable plate and reflects light. 前記光反射部で反射した光を走査する光スキャナである請求項40に記載のアクチュエータ。   41. The actuator according to claim 40, wherein the actuator is an optical scanner that scans light reflected by the light reflecting portion. 請求項1ないし41のいずれかに記載のアクチュエータと、
前記アクチュエータの前記可動板に向けて光を照射する光源とを備えることを特徴とする画像形成装置。
An actuator according to any of claims 1 to 41;
An image forming apparatus comprising: a light source that emits light toward the movable plate of the actuator.
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