JP2009133672A - 磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール - Google Patents
磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009133672A JP2009133672A JP2007308816A JP2007308816A JP2009133672A JP 2009133672 A JP2009133672 A JP 2009133672A JP 2007308816 A JP2007308816 A JP 2007308816A JP 2007308816 A JP2007308816 A JP 2007308816A JP 2009133672 A JP2009133672 A JP 2009133672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- detection coil
- pulse current
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
【課題】直交フラックスゲート方式の磁気センサにおいて、簡単な構成でオフセット電圧をキャンセルすることが可能にする。
【解決手段】軟磁性体11および検出コイル13を備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサ10を用いた磁界の検出方法であって、軟磁性体11へパルス電流を通電したとき、パルス電流の立ち上がり波形に対応する検出コイル13の波高値V0およびパルス電流の立ち下がり波形に対応する検出コイル13の波高値V1を測定し、軟磁性体11に印加された磁界を、前記両波高値V0,V1の差分に基づいて検出する。
【選択図】図3
【解決手段】軟磁性体11および検出コイル13を備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサ10を用いた磁界の検出方法であって、軟磁性体11へパルス電流を通電したとき、パルス電流の立ち上がり波形に対応する検出コイル13の波高値V0およびパルス電流の立ち下がり波形に対応する検出コイル13の波高値V1を測定し、軟磁性体11に印加された磁界を、前記両波高値V0,V1の差分に基づいて検出する。
【選択図】図3
Description
本発明は、直交フラックスゲート方式の磁気センサに関するもので、特にその検出方法を改善せしめたものである。
高感度磁気センサとして、直交フラックスゲート方式の磁気センサが知られている。直交フラックスゲート方式は、磁性ワイヤや薄膜磁性体などの磁性体と、この磁性体に巻回された検出コイルを持ち、磁性体に高周波電流またはパルス電流を流した際に検出コイルに誘起された電圧を測定し、この誘起電圧値に基づいて磁界を検出する方式である(例えば特許文献1,2を参照)。
図1に、直交フラックスゲート方式の磁気センサの一例を示し、その測定原理を説明する。図1に示す磁気センサ10は、軟磁性体11および検出コイル13を備え、軟磁性体11には、磁性体用電極パッド12を通じて接続されたパルス電源15よりパルス電流が供給され、検出コイル13に誘起された電圧は、コイル用電極パッド14を通じて接続されたオシロスコープ16により電圧波形が測定される構成である。図1の下側に記載されたグラフ中、入力(Input)とは、パルス電源15より供給されるパルス電流の波形であり、出力(Output)とは、検出コイル13に誘起される電圧の波形である。
従来の直交フラックスゲート方式の磁気センサにおいては、入力されるパルス電流の立ち上がり波形に対応する波高値V0を測定し、軟磁性体11に印加された磁界を波高値V0に基づいて検出する。
従来の直交フラックスゲート方式の磁気センサにおいては、入力されるパルス電流の立ち上がり波形に対応する波高値V0を測定し、軟磁性体11に印加された磁界を波高値V0に基づいて検出する。
直交フラックスゲート方式の磁気センサでは、図2に示すような電圧−磁界(V−H)特性を得ることができる。図2中、両向き矢印で示す範囲(−5〜5Oeの範囲)では誘起電圧値と外部磁界の大きさとがほぼ直線的に対応し、この範囲内では、感度(単位磁界変化に対する誘起電圧の変化量)をあらかじめ求めておき、誘起電圧値を感度で除算することにより、外部磁界の大きさを求めることができる。
ところで、V−H特性において磁界0に対応する電圧が0でなく、オフセットを有するときには、誘起電圧と感度とを用いて磁界の大きさを求める際、磁界0に対応する出力電圧(オフセット電圧)をあらかじめ求めておき、誘起電圧の測定値からオフセット電圧を減ずる必要がある。
したがって、オフセット値が経時的変化により変動したとき、その変動を考慮することなく磁界を求めれば、磁界の値も変動して不正確になることを意味する。例えば100mV/Oeの感度および100mVのオフセット値をもつ磁気センサを使用したとき、その磁気センサによる誘起電圧の測定値が110mVであれば、磁界の値は0.1(Oe)と求められる。その後、オフセット値が変動して120mVになっている場合、誘起電圧の測定値が110mVのときには、−0.1(Oe)の外部磁界がかかっており、本体はこの値を出力すべきであるが、オフセット値が100mVのままで磁界を求めると、+0.1(Oe)という誤った結果を出してしまう。
オフセットをキャンセルする方法としては、種々の提案がある。
例えば特許文献3では、直流電流を重畳させた交流電流により素子を駆動させ、正ピークによる測定磁界と負ピークによる測定磁界の差を取ることにより、オフセットをキャンセルしている。しかし、この方式では、交流電源のほかに両極性の電源が必要であり、回路構成が大きくなる問題がある。
例えば特許文献3では、直流電流を重畳させた交流電流により素子を駆動させ、正ピークによる測定磁界と負ピークによる測定磁界の差を取ることにより、オフセットをキャンセルしている。しかし、この方式では、交流電源のほかに両極性の電源が必要であり、回路構成が大きくなる問題がある。
また、特許文献4では、極性を反転させたバイアス磁界を印加し、出力の差を取ることでオフセットをキャンセルしている。しかし、この方式では、出力が磁界に対し線対称であるデバイスには有効であるが、原点に対し点対称である直交フラックスゲート方式に適用することはできない。
また、特許文献5では、偶数本の対をなす磁性体にそれぞれ検出コイルを巻回して2組の素子を形成し、2組の検出コイルが励起電流による励起磁界によって発生する誘起電圧をキャンセルするように接続した磁気センサを開示している。しかし、この方式では、磁性体および検出コイルを2組以上設けることが必要であり、センサ構成が大きくなる問題がある。
特許第3572457号公報
特許第3494947号公報
特開2003−215220号公報
特開2002−181908号公報
特開2005−315812号公報
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、直交フラックスゲート方式の磁気センサにおいて、簡単な構成でオフセット電圧をキャンセルすることが可能な磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュールを提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明は、軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサを用いた磁界の検出方法であって、前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形に対応する前記検出コイルの波高値および前記パルス電流の立ち下がり波形に対応する前記検出コイルの波高値を測定し、前記軟磁性体に印加された磁界を、前記両波高値の差分に基づいて検出することを特徴とする磁気センサを用いた磁界の検出方法を提供する。
また、本発明は、軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサに用いられる磁界検出用集積回路であって、前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、前記検出コイルの波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有することを特徴とする磁界検出用集積回路を提供する。
また、本発明は、軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサと、前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、前記検出コイルの波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有する磁界検出用集積回路を備えることを特徴とする磁気センサモジュールを提供する。
本発明によれば、パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形を利用することにより、直交フラックスゲート方式の磁気センサにおいて、簡単な構成でオフセット電圧をキャンセルすることが可能になる。
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図3は、本発明の磁界検出方法の一形態例を示す説明図である。図3に示す磁気センサ10は、軟磁性体11および検出コイル13を備え、軟磁性体11には、磁性体用電極パッド12を通じて接続されたパルス電源15よりパルス電流が供給され、検出コイル13に誘起された電圧は、コイル用電極パッド14を通じて接続されたオシロスコープ16により電圧波形が測定されるものであり、図1に示す構成と同様である。
また、図3の下側に記載されたグラフ中、入力(Input)とは、パルス電源15より供給されるパルス電流の波形であり、出力(Output)とは、検出コイル13に誘起される電圧の波形である。
図3は、本発明の磁界検出方法の一形態例を示す説明図である。図3に示す磁気センサ10は、軟磁性体11および検出コイル13を備え、軟磁性体11には、磁性体用電極パッド12を通じて接続されたパルス電源15よりパルス電流が供給され、検出コイル13に誘起された電圧は、コイル用電極パッド14を通じて接続されたオシロスコープ16により電圧波形が測定されるものであり、図1に示す構成と同様である。
また、図3の下側に記載されたグラフ中、入力(Input)とは、パルス電源15より供給されるパルス電流の波形であり、出力(Output)とは、検出コイル13に誘起される電圧の波形である。
本形態例においては、図3に示すように、軟磁性体11へパルス電流を通電したとき、パルス電流の立ち上がり波形に対応する検出コイル13の波高値V0と、パルス電流の立ち下がり波形に対応する検出コイル13の波高値V1を測定する。立ち上がりの波高値V0の代表値としては、例えば最大値を採用することができる。また、立ち下がりの波高値V1の代表値としては、例えば最小値を採用することができる。
そして、立ち上がり波形に対応する波高値V0と立ち下がり波形に対応する波高値V1の差分を取り、この差分値に基づいて検出する。両波高値の差分は、V0−V1またはV1−V0のいずれでも良いが、あらかじめいずれかに決定しておく必要がある。
軟磁性体11に印加された磁界を検出するためには、例えば、両波高値V0,V1の差分を感度で除算することで、軟磁性体11に印加された磁界の大きさ(符号を含む。)を求めることができる。なお、両波高値V0,V1の差分を絶対値|V0−V1|として求めることで、磁界の大きさの絶対値を求めるようにすることもできる。
軟磁性体11に印加された磁界を検出するためには、例えば、両波高値V0,V1の差分を感度で除算することで、軟磁性体11に印加された磁界の大きさ(符号を含む。)を求めることができる。なお、両波高値V0,V1の差分を絶対値|V0−V1|として求めることで、磁界の大きさの絶対値を求めるようにすることもできる。
図4は、波高値の差分をV0−V1で求めた場合の測定例である。図4から分かるように、立ち上がり波形に対応する検出コイル13の波高値V0および立ち下がり波形に対応する検出コイル13の波高値V1がいずれもほぼ直線性を示す範囲であれば、その差分もほぼ直線性を示し、磁界の検出に利用することが可能である。
磁気センサの軟磁性体としては、導電性を有する線状、帯状あるいは棒状の磁性体素子を用いることができる。このような軟磁性体としては、例えば帯状やメアンダ形状等の形状を有する薄膜磁性体素子が挙げられる。
磁気センサの検出コイルとしては、軟磁性体の周囲または近傍に配され、センサ出力を取り出すために用いられる。検出コイルは、特に限定されるものではなく、従来のフラックスゲートセンサに用いられるものと同様のものを用いることができる。
軟磁性体の周囲に検出コイルを配する場合は、導線を軟磁性体の周囲に巻いて形成したコイルが挙げられる。また、図5に示すように、軟磁性体11より上側の絶縁層17aに配された第1の導体層13aと、下側の絶縁層17bに配された第2の導体層13bと、第1の導体層13aの一方の端と第2の導体層13bの一方の端とを接続する貫通配線と、第1の導体層13aの他方の端と第2の導体層13bの他方の端とを接続する貫通配線とにより、軟磁性体11の周囲に配されたコイル13を形成しても良い。
軟磁性体の近傍に検出コイルを配する場合は、軟磁性体より上側の層または下側の層に、スパイラルコイルなどの薄膜コイルを形成しても良い。
軟磁性体の近傍に検出コイルを配する場合は、軟磁性体より上側の層または下側の層に、スパイラルコイルなどの薄膜コイルを形成しても良い。
層間絶縁層17a,17bは、軟磁性体11とコイル13の間を絶縁する絶縁体17を構成するものであり、材質は1種または2種以上を適宜選択して用いることが可能であるが、例えば、プラズマCVD法によるシリコン酸化膜等の酸化膜や樹脂等の有機絶縁膜などにより構成することが可能である。
基板18としては、例えば酸化膜付きのシリコン(Si)基板、ガラス基板、セラミック基板等の非磁性基板を用いることができる。
基板18としては、例えば酸化膜付きのシリコン(Si)基板、ガラス基板、セラミック基板等の非磁性基板を用いることができる。
また、本発明の機能を磁気センサに組み込む方法として、例えば図7に示すように、軟磁性体21へパルス電流を通電したとき、パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、検出コイル23の波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有することを特徴とする磁界検出用集積回路27を用いる方法が挙げられる。
磁界検出用集積回路27がパルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期した制御を行う方法としては、パルス電流の電流値を時間微分してその微分値を所定のしきい値と比較し、微分値が正の所定値以上になったときをパルスの立ち上がりとして検出するとともに、微分値が負の所定値以下になったときをパルスの立ち下がりとして検出する方法が挙げられる。パルス電流は、立ち上がりおよび立ち下がりが急峻であるため、当該集積回路(IC)における検出が容易になるという利点がある。
磁界検出用集積回路27により両波高値を測定するには、該ICが、立ち上がりをトリガーとし、その際に検出コイル23に誘起された電圧の波高値V0を測定するとともに、立ち下がりをトリガーとし、その際に検出コイル23に誘起された電圧の波高値V1を測定する機能を備えるものとすることができる。また、検出コイルの出力電圧の最大値および最小値を検出することにより、立ち上がりに対応する波高値V0を最大値として、および立ち下がりに対応する波高値V1を最小値として、それぞれピークホールドを行うことが可能である。
立ち上がり、立ち下がりの感度が異なる場合は、予め両者の感度を測定し出力値に乗算することにより、補正が可能である。
立ち上がり、立ち下がりの感度が異なる場合は、予め両者の感度を測定し出力値に乗算することにより、補正が可能である。
本形態例の磁気センサにおいては、磁気センサを小型化するため、軟磁性体21および検出コイル23を備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサ20と、軟磁性体21へパルス電流を通電したとき、パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、前記検出コイルの波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有する磁界検出用集積回路27を備える磁気センサモジュール28を構成することが好ましい。
磁界検出用集積回路27は、磁性体用電極パッド22を通じて軟磁性体21にパルス電流を供給する駆動部25と、コイル用電極パッド24を通じて検出コイル23から出力された誘起電圧を検出する検出部26を備える。磁気センサ20は、図5に示すように、非磁性基板上に軟磁性体および検出コイルを備えるものが好ましい。
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
図5に示すように、チップサイズ約2.5mm×1.2mm×厚さ(t)625μmのシリコン(Si)基板上に、つづら折れ状に形成されたCoZrNbと、それを挟み込むように形成された検出コイルを備える。磁性体は、スパッタ法とエッチングを組み合わせて作製し、ライン/スペース(L/S)は40μm/20μmで、磁性体膜の厚さは約1μmである。また、検出コイルは、銅(Cu)のメッキ法によって形成された導体層からなり、ライン/スペース(L/S)は20μm/15μmで、コイルを構成する導体層の厚さは約10μmである。磁性体とコイルの間は、プラズマCVD法による酸化膜、もしくは樹脂等の樹脂膜などからなる層間絶縁膜によって電気的に絶縁されている。
この磁気センサ素子に対し、−20〜20(Oe)の磁界を印加しながら、パルス(電圧3V、パルス幅100ns)電圧を印加し、パルス電圧(パルス電流)の立ち上がりおよび立ち下がりに対応した検出コイルからの波高値(立ち上がり時の最大値、立ち下がり時の最小値)をオシロスコープにより測定した。立ち上がりに対応した波高値V0と、立ち下がりに対応した波高値V1との差分(V0−V1)をとったところ、図6(a)に示す値を得た。
次に、時間的変化等の要因により、オフセット値がずれたことを想定し、100mVのオフセット値を与えた状態で、−20〜20(Oe)の磁界を印加しながら、パルス(電圧3V、パルス幅100ns)電圧を印加し、立ち上がりおよび立ち下がりに対応した検出コイルからの波高値(立ち上がり時の最大値、立ち下がり時の最小値)をオシロスコープにより測定した。このときの測定値の差分(V0−V1)をとったところ、図6(b)に示す値を得た。
さらに、−100mVのオフセット値を与えた状態で、−20〜20(Oe)の磁界を印加しながら、パルス(電圧3V、パルス幅100ns)電圧を印加し、立ち上がりおよび立ち下がりに対応した検出コイルからの波高値(立ち上がり時の最大値、立ち下がり時の最小値)をオシロスコープにより測定した。このときの測定値の差分(V0−V1)をとったところ、図6(c)に示す値を得た。
オフセット電圧が0mVのときの結果である図6(a)、+100mVのオフセット電圧を与えたときの結果である図6(b)、−100mVのオフセット電圧を与えたときの結果である図6(c)の比較から、立ち上がりに対応する出力電圧および立ち下がりに対応する出力電圧は、オフセット電圧の大きさ(すなわち、人為的なオフセット値の変動)により、測定値に変動が生じたが、差分による出力電圧は、オフセット電圧を変化させても、変化がないことが確認された。
本発明は、直交フラックスゲート方式の磁気センサとして、高感度で小型の各種磁気センサに好適に利用することができる。
V0…パルス電流の立ち上がり波形に対応する波高値、V1…パルス電流の立ち下がり波形に対応する波高値、10,20…磁気センサ、11,21…軟磁性体、12,22…磁性体用電極パッド、13,23…検出コイル、14,24…コイル用電極パッド、15…駆動電源(パルス電源)、16…検出装置(オシロスコープ)、25…駆動部、26…検出部、27…磁界検出用集積回路(検出用IC)、28…磁気センサモジュール。
Claims (3)
- 軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサを用いた磁界の検出方法であって、
前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形に対応する前記検出コイルの波高値および前記パルス電流の立ち下がり波形に対応する前記検出コイルの波高値を測定し、前記軟磁性体に印加された磁界を、前記両波高値の差分に基づいて検出することを特徴とする磁気センサを用いた磁界の検出方法。 - 軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサに用いられる磁界検出用集積回路であって、
前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、前記検出コイルの波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有することを特徴とする磁界検出用集積回路。 - 軟磁性体および検出コイルを備えた直交フラックスゲート方式の磁気センサと、
前記軟磁性体へパルス電流を通電したとき、前記パルス電流の立ち上がり波形および立ち下がり波形に同期して、前記検出コイルの波高値を検出するとともに、それぞれの波高値を保持する機能を有する磁界検出用集積回路を備えることを特徴とする磁気センサモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007308816A JP2009133672A (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | 磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007308816A JP2009133672A (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | 磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009133672A true JP2009133672A (ja) | 2009-06-18 |
Family
ID=40865698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007308816A Pending JP2009133672A (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | 磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009133672A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016039036A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116870A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-01-12 | Sony Corp | 磁気探知装置 |
JP2006201123A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Canon Electronics Inc | 磁気検出素子 |
-
2007
- 2007-11-29 JP JP2007308816A patent/JP2009133672A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116870A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-01-12 | Sony Corp | 磁気探知装置 |
JP2006201123A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Canon Electronics Inc | 磁気検出素子 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016039036A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
JP2016057190A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 愛知製鋼株式会社 | 磁界測定装置 |
CN107076805A (zh) * | 2014-09-10 | 2017-08-18 | 爱知制钢株式会社 | 磁场测量装置 |
EP3193182A4 (en) * | 2014-09-10 | 2017-09-13 | Aichi Steel Corporation | Magnetic field measurement device |
US10191123B2 (en) | 2014-09-10 | 2019-01-29 | Aichi Steel Corporation | Magnetic field measurement device |
CN107076805B (zh) * | 2014-09-10 | 2020-06-26 | 爱知制钢株式会社 | 磁场测量装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2790030B1 (en) | Magnetic field sensing device | |
KR101492825B1 (ko) | 마그네토 임피던스 소자 및 마그네토 임피던스 센서 | |
JP5518661B2 (ja) | 半導体集積回路、磁気検出装置、電子方位計 | |
KR101314365B1 (ko) | 자계 센서, 이것을 이용한 자계 측정 방법, 전력 계측 장치 및 전력 계측 방법 | |
US10948553B2 (en) | Magnetic sensor sensitivity matching calibration | |
US20110316531A1 (en) | Device for measuring the direction and/or strength of a magnetic field | |
JP2008203238A (ja) | 電流検知デバイス | |
JP2016125901A (ja) | 磁界検知装置 | |
WO2017213003A1 (ja) | マグネトインピーダンスセンサ | |
JP2009133672A (ja) | 磁界の検出方法、磁界検出用集積回路および磁気センサモジュール | |
JP5106816B2 (ja) | 電圧測定装置および電力測定装置 | |
US20210190893A1 (en) | Magnetic sensor sensitivity matching calibration | |
JP6830585B1 (ja) | 応力インピーダンスセンサ素子および応力インピーダンスセンサ | |
JP2002090432A (ja) | 磁場検出装置 | |
US20220326094A1 (en) | Heat-flow sensor | |
JP2010139257A (ja) | 直交フラックスゲートセンサと、外部磁界の検出方法 | |
JP2010025619A (ja) | 磁気センサ、磁界検出方法 | |
JP2021025820A (ja) | 磁界検出センサ | |
US20230066358A1 (en) | Strayfield insensitive magnetic sensing device and method using spin orbit torque effect | |
JP7434670B2 (ja) | パルス式の渦電流システム | |
JPWO2004086073A1 (ja) | 磁気インピーダンス素子及び電流・磁界センサ | |
JP2011043338A (ja) | 電流センサ | |
JP2011053160A (ja) | 磁気検出センサ | |
US10018688B1 (en) | Method and apparatus for detecting magnetic saturation in AMR sensors | |
JP2015194389A (ja) | 磁界検出装置および多面取り基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100607 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20120619 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |