JP2009130032A - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009130032A
JP2009130032A JP2007301672A JP2007301672A JP2009130032A JP 2009130032 A JP2009130032 A JP 2009130032A JP 2007301672 A JP2007301672 A JP 2007301672A JP 2007301672 A JP2007301672 A JP 2007301672A JP 2009130032 A JP2009130032 A JP 2009130032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphoric acid
liquid
tank
aqueous solution
acid aqueous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007301672A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Kiyose
浩巳 清瀬
Tokuyuki Hayashi
徳幸 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007301672A priority Critical patent/JP2009130032A/en
Publication of JP2009130032A publication Critical patent/JP2009130032A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating apparatus capable of suppressing an excessive rise in siloxane concentration in an aqueous phosphoric acid solution in a treating tank. <P>SOLUTION: The aqueous phosphoric acid solution which is discharged from the treating tank and contains siloxane is cooled by a heat exchanger 51 and supplied to a reaction tank 60. The reaction tank 60 is fed with mixed liquid of dodecane and a TOPO extractant from a separatory tank 80, and the aqueous phosphoric acid solution and dodecane are mixed and stirred in the reaction tank 60, so that the siloxane in the aqueous phosphoric acid solution is extracted by the TOPO extractant and gets into the dodecane. Then the mixed liquid in the reaction tank 60 is sent out to a liquid-liquid centrifugal separator 70 to be centrifugally separated into the aqueous phosphoric acid solution having relatively large specific gravity and light liquid having small specific gravity and containing the dodecane and TOPO extractant. The separated aqueous phosphoric acid solution is fed to the treating tank again. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された半導体ウェハー、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)をリン酸水溶液中に浸漬して選択的にシリコン窒化膜のエッチング処理を行う基板処理装置に関する。   In the present invention, a semiconductor wafer on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter simply referred to as “substrate”) in a phosphoric acid aqueous solution. The present invention relates to a substrate processing apparatus for selectively etching a silicon nitride film by being immersed in the substrate.

半導体デバイスの製造工程において、エッチング処理はパターン形成のための重要な工程であり、特に近年の半導体デバイスの高性能化および高集積化にともなって、基板上に形成されたシリコン窒化膜(Si34膜)およびシリコン酸化膜(SiO2膜)のうちシリコン酸化膜を残してシリコン窒化膜を選択的にエッチング除去する処理が要求されている。このようなシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理を実行する手法として、高温(150℃〜160℃)のリン酸水溶液(H3PO4+H2O)をエッチング液として使用するプロセスが知られている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、特許文献1に開示されているように、高温のリン酸水溶液を貯留した処理槽にシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が形成された複数枚の基板を浸漬してシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理を行う。 In the manufacturing process of a semiconductor device, an etching process is an important process for pattern formation. In particular, with the recent high performance and high integration of a semiconductor device, a silicon nitride film (Si 3 film) formed on a substrate. A process of selectively etching away the silicon nitride film while leaving the silicon oxide film out of the (N 4 film) and the silicon oxide film (SiO 2 film) is required. As a technique for performing such a selective etching process of a silicon nitride film, a process using a high temperature (150 ° C. to 160 ° C.) phosphoric acid aqueous solution (H 3 PO 4 + H 2 O) as an etching solution is known. (For example, refer to Patent Document 1). Specifically, as disclosed in Patent Document 1, a plurality of substrates on which a silicon nitride film and a silicon oxide film are formed are immersed in a treatment tank in which a high-temperature phosphoric acid aqueous solution is stored. A selective etching process is performed.

特開2003−224106号公報JP 2003-224106 A

しかしながら、リン酸水溶液を使用してシリコン窒化膜のエッチング処理を行うとシロキサンが生成される。”シロキサン”とは、シリコン(Si)と酸素(O)とを主成分とする有機又は無機化合物群の総称である。エッチング処理中に生成したシロキサンは異物としてエッチング液中に蓄積する。シロキサンが蓄積されるにつれてシリコン窒化膜のエッチング速度が低下し、ある一定の濃度以上にシロキサンがエッチング液中に蓄積されると基板や処理槽に付着したり、エッチング液を循環させるフィルターを目詰まりさせる原因となる。   However, when a silicon nitride film is etched using an aqueous phosphoric acid solution, siloxane is generated. “Siloxane” is a general term for a group of organic or inorganic compounds mainly composed of silicon (Si) and oxygen (O). Siloxane produced during the etching process accumulates in the etching solution as foreign matter. As the siloxane accumulates, the etching rate of the silicon nitride film decreases, and when siloxane accumulates in the etchant above a certain concentration, it adheres to the substrate and processing tank, or clogs the filter that circulates the etchant. Cause it.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理槽内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる基板処理装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, and it aims at providing the substrate processing apparatus which can suppress the excessive raise of the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution in a processing tank.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板をリン酸水溶液中に浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を行う基板処理装置において、リン酸水溶液を貯留し、リン酸水溶液中に前記基板を浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を進行させる浸漬処理槽と、前記浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液と、有機溶媒と、TOPO抽出剤と、を混合して攪拌する反応槽と、前記反応槽にて混合された液を遠心分離によって有機溶媒およびTOPO抽出剤を含む軽液とリン酸水溶液とに分離する液液遠心分離機と、前記液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液を前記浸漬処理槽に向けて送出するリン酸送出手段と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus for performing a silicon nitride film etching process by immersing a substrate on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed in a phosphoric acid aqueous solution. An immersion treatment tank for storing an aqueous solution and immersing the substrate in a phosphoric acid aqueous solution to advance an etching process of the silicon nitride film, an aqueous phosphoric acid solution discharged from the immersion treatment tank, an organic solvent, and a TOPO extractant And a liquid tank centrifuge for separating the liquid mixed in the reaction tank into a light liquid containing an organic solvent and a TOPO extractant and an aqueous phosphoric acid solution by centrifugation, And phosphoric acid delivery means for delivering the aqueous phosphoric acid solution separated by the liquid-liquid centrifuge toward the immersion treatment tank.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液に残留するシロキサンを除去するフィルターをさらに備えることを特徴とする。   The invention of claim 2 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, further comprising a filter for removing siloxane remaining in the phosphoric acid aqueous solution separated by the liquid-liquid centrifuge. To do.

また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記液液遠心分離機にて分離された軽液からシロキサンを分離する分液槽と、前記分液槽にてシロキサンが分離された軽液を再び前記反応槽に送出する軽液送出手段と、をさらに備えることを特徴とする。   Further, the invention of claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2, wherein the separation tank for separating siloxane from the light liquid separated by the liquid-liquid centrifuge, And a light liquid delivery means for delivering the light liquid from which the siloxane has been separated in the liquid tank to the reaction tank again.

また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液を前記有機溶媒の沸点以下にまで冷却する冷却手段をさらに備えることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects of the present invention, the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion bath is cooled to a boiling point or lower of the organic solvent. A cooling means is further provided.

本発明によれば、浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液と、有機溶媒と、TOPO抽出剤と、を混合して攪拌する反応槽と、反応槽にて混合された液を遠心分離によって有機溶媒およびTOPO抽出剤を含む軽液とリン酸水溶液とに分離する液液遠心分離機と、液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液を浸漬処理槽に向けて送出するリン酸送出手段と、を備えるため、浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液に含まれるシロキサンはTOPO抽出剤によって抽出されてドデカン中に移行し、シロキサン濃度が低下したリン酸水溶液が遠心分離されて浸漬処理槽に送出されることとなり、浸漬処理槽内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる。   According to the present invention, the aqueous solution of phosphoric acid discharged from the immersion treatment tank, the organic solvent, and the TOPO extractant are mixed and stirred, and the liquid mixed in the reaction tank is organically separated by centrifugation. Liquid-liquid centrifuge for separating light liquid containing solvent and TOPO extractant and phosphoric acid aqueous solution, and phosphoric acid sending means for sending the phosphoric acid aqueous solution separated by the liquid-liquid centrifuge toward the immersion treatment tank Therefore, the siloxane contained in the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion treatment tank is extracted by the TOPO extractant and transferred into the dodecane, and the phosphoric acid aqueous solution having a reduced siloxane concentration is centrifuged to be immersed in the immersion treatment tank. Thus, an excessive increase in the siloxane concentration in the aqueous phosphoric acid solution in the immersion treatment tank can be suppressed.

特に、請求項2の発明によれば、液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液に残留するシロキサンを除去するフィルターをさらに備えるため、浸漬処理槽に送出するリン酸水溶液のシロキサン濃度をさらに低下させることができる。   In particular, according to the second aspect of the present invention, since the filter further removes the siloxane remaining in the phosphoric acid aqueous solution separated by the liquid-liquid centrifuge, the siloxane concentration of the phosphoric acid aqueous solution sent to the immersion treatment tank is adjusted. It can be further reduced.

特に、請求項3の発明によれば、液液遠心分離機にて分離された軽液からシロキサンを分離する分液槽と、分液槽にてシロキサンが分離された軽液を再び反応槽に送出する軽液送出手段と、をさらに備えるため、有機溶媒およびTOPO抽出剤を循環再利用することができる。   In particular, according to the invention of claim 3, a separation tank for separating siloxane from a light liquid separated by a liquid-liquid centrifuge, and a light liquid from which siloxane has been separated by a separation tank are again put into a reaction tank. In addition, the organic solvent and the TOPO extractant can be circulated and reused.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明に係る基板処理装置の全体概略構成を示す図である。この基板処理装置1は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Wをリン酸水溶液中に浸漬させてシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理を行うウエットエッチング処理装置である。基板処理装置1は、リン酸水溶液を貯留してエッチング処理を進行させる浸漬処理槽10と、リン酸水溶液を浸漬処理槽10に循環させる循環ライン20と、リン酸水溶液を再生させる再生ライン30と、を備える。   FIG. 1 is a diagram showing an overall schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a wet etching processing apparatus that selectively etches a silicon nitride film by immersing a substrate W on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed in a phosphoric acid aqueous solution. The substrate processing apparatus 1 includes an immersion treatment tank 10 that stores an aqueous solution of phosphoric acid and advances an etching process, a circulation line 20 that circulates the aqueous solution of phosphoric acid in the immersion treatment tank 10, and a regeneration line 30 that regenerates the aqueous solution of phosphoric acid. .

浸漬処理槽10は、エッチング液としてリン酸水溶液を貯留し、リン酸水溶液中に基板Wを浸漬させる内槽11および内槽11の上部からオーバーフローしたエッチング液を回収する外槽12によって構成される二重槽構造を有している。内槽11は、エッチング液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。外槽12は、内槽11と同様の材料にて形成されており、内槽11の外周上端部を囲繞するように設けられている。   The immersion treatment tank 10 includes an inner tank 11 that stores an aqueous phosphoric acid solution as an etchant, and an outer tank 12 that recovers the overflowed etchant from the upper portion of the inner tank 11. It has a double tank structure. The inner tank 11 is a box-shaped member having a rectangular shape in plan view formed of quartz or a fluororesin material having excellent corrosion resistance against the etching solution. The outer tub 12 is formed of the same material as the inner tub 11 and is provided so as to surround the upper end of the outer periphery of the inner tub 11.

また、浸漬処理槽10に貯留されたエッチング液に基板Wを浸漬させるためのリフター13が設けられている。リフター13は、起立姿勢(基板主面の法線が水平方向に沿う姿勢)にて相互に平行に配列された複数(例えば50枚)の基板Wを3本の保持棒によって一括して保持する。リフター13は、図示を省略する昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降可能に設けられており、保持する複数枚の基板W(ロット)を内槽11内のエッチング液中に浸漬する処理位置(図1の位置)とエッチング液から引き上げた受渡位置との間で昇降させる。   Further, a lifter 13 for immersing the substrate W in the etching solution stored in the immersion treatment tank 10 is provided. The lifter 13 collectively holds a plurality of (for example, 50) substrates W arranged in parallel with each other in a standing posture (a posture in which the normal line of the substrate main surface is along the horizontal direction) by three holding rods. . The lifter 13 is provided so that it can be moved up and down along the vertical direction by a lifting mechanism (not shown), and a processing position for immersing a plurality of substrates W (lots) to be held in the etching solution in the inner tank 11 (FIG. 1) and the delivery position lifted from the etching solution.

循環ライン20は、浸漬処理槽10から排出されたリン酸水溶液を濾過・加熱して再び浸漬処理槽10に圧送還流させる配管経路であり、具体的には浸漬処理槽10の外槽12の底部と内槽11の底部とを流路接続して構成されている。循環ライン20の経路途中には、上流側から循環ポンプ21とフィルター22とが設けられている。循環ポンプ21は、循環ライン20を介して外槽12から汲み出したリン酸水溶液を内槽11に圧送する。フィルター22は、循環ライン20を流れるリン酸水溶液中の異物を取り除くための濾過フィルターである。   The circulation line 20 is a piping path for filtering and heating the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion treatment tank 10 and feeding it back to the immersion treatment tank 10. Specifically, the circulation line 20 is the bottom of the outer tank 12 of the immersion treatment tank 10. And the bottom of the inner tank 11 are connected to each other through a flow path. In the middle of the path of the circulation line 20, a circulation pump 21 and a filter 22 are provided from the upstream side. The circulation pump 21 pumps the aqueous phosphoric acid solution pumped from the outer tank 12 through the circulation line 20 to the inner tank 11. The filter 22 is a filtration filter for removing foreign substances in the phosphoric acid aqueous solution flowing through the circulation line 20.

また、循環ライン20には、フィルター22の下流にヒータ23が付設されている。ヒータ23は、循環ライン20のうちの比較的内槽11に近い位置に設けられており、循環ライン20を流れるリン酸水溶液を所定の処理温度(150℃〜160℃)にまで再加熱する。なお、浸漬処理槽10にも図示省略のヒータが設けられており、浸漬処理槽10に貯留されているリン酸水溶液も所定の処理温度を維持するように加熱されている。   The circulation line 20 is provided with a heater 23 downstream of the filter 22. The heater 23 is provided at a position relatively close to the inner tank 11 in the circulation line 20, and reheats the phosphoric acid aqueous solution flowing through the circulation line 20 to a predetermined processing temperature (150 ° C. to 160 ° C.). The immersion treatment tank 10 is also provided with a heater (not shown), and the aqueous phosphoric acid solution stored in the immersion treatment tank 10 is also heated to maintain a predetermined treatment temperature.

また、循環ライン20の経路中には、循環ポンプ21よりも上流側(外槽12に近い側)に濃度計24が介挿されている。濃度計24は、特定波長の吸光度を測定することによって液中のシロキサン濃度を測定するタイプの濃度計であり、浸漬処理槽10の外槽12から排出されたリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度を測定する。   Further, in the path of the circulation line 20, a densitometer 24 is inserted upstream of the circulation pump 21 (side closer to the outer tub 12). The densitometer 24 is a type of densitometer that measures the siloxane concentration in the liquid by measuring the absorbance at a specific wavelength, and the concentration of siloxane contained in the phosphoric acid aqueous solution discharged from the outer tank 12 of the immersion treatment tank 10. Measure the concentration.

再生ライン30は、循環ライン20を流れるリン酸水溶液の一部を取り出して再生した液を循環ライン20とは別経路にて浸漬処理槽10に還流させる配管経路である。リン酸水溶液の”再生”とは、リン酸水溶液中に含まれるシロキサンを回収してシロキサン濃度を下げることである。再生ライン30は、循環ライン20のうちのフィルター22よりも下流(内槽11に近い側)から分岐され、再生したリン酸水溶液を浸漬処理槽10の外槽12に還流させる。なお、再生ライン30の分岐位置は循環ライン20の経路中の任意の位置とすることが可能であるが、本実施形態のようにフィルター22よりも下流とするとリン酸水溶液中の異物を除去した後の液を取り出すことができるため好ましい。   The regeneration line 30 is a piping path for returning a part of the phosphoric acid aqueous solution flowing through the circulation line 20 to the immersion treatment tank 10 through a path different from the circulation line 20. “Regeneration” of the phosphoric acid aqueous solution is to recover the siloxane contained in the phosphoric acid aqueous solution to lower the siloxane concentration. The regeneration line 30 is branched from the downstream of the filter 22 in the circulation line 20 (the side closer to the inner tank 11), and the regenerated phosphoric acid aqueous solution is refluxed to the outer tank 12 of the immersion treatment tank 10. It should be noted that the branch position of the regeneration line 30 can be set to an arbitrary position in the path of the circulation line 20, but if it is downstream of the filter 22 as in this embodiment, foreign matters in the phosphoric acid aqueous solution are removed. It is preferable because the later liquid can be taken out.

再生ライン30の経路途中には、リン酸水溶液中に含まれるシロキサンを回収してリン酸水溶液を再生する再生装置31が介挿されている。再生装置31についてはさらに後述する。再生ライン30の経路のうち再生装置31よりも下流側(外槽12に近い側)には流量調整弁33が介挿されている。流量調整弁33は、再生ライン30を流れるリン酸水溶液の流量を調整するバルブである。   In the middle of the path of the regeneration line 30, a regeneration device 31 that interpolates the siloxane contained in the phosphoric acid aqueous solution and regenerates the phosphoric acid aqueous solution is inserted. The playback device 31 will be further described later. A flow rate adjustment valve 33 is interposed on the downstream side of the regeneration line 30 with respect to the regeneration device 31 (the side closer to the outer tub 12). The flow rate adjustment valve 33 is a valve that adjusts the flow rate of the phosphoric acid aqueous solution flowing through the regeneration line 30.

また、基板処理装置1には、装置全体を管理する制御部40が設けられている。制御部40のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部40は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。制御部40は、循環ポンプ21、ヒータ23、リフター13の昇降機構、再生装置31内の機構等の基板処理装置1の作動部を制御するとともに、濃度計24の測定結果に基づいて流量調整弁33を制御する。   The substrate processing apparatus 1 is provided with a control unit 40 that manages the entire apparatus. The configuration of the control unit 40 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 40 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, and control applications and data. It is equipped with a magnetic disk. The control unit 40 controls the operation unit of the substrate processing apparatus 1 such as the circulation pump 21, the heater 23, the lifting / lowering mechanism of the lifter 13, the mechanism in the regeneration device 31, and the flow rate adjustment valve based on the measurement result of the densitometer 24. 33 is controlled.

図2は、再生ライン30に設けられた再生装置31の構成を示す図である。再生装置31は、主として熱交換器51、反応槽60、液液遠心分離機70、分液槽80およびフィルターユニット90を備える。熱交換器51は、図示省略のチラーユニットから供給された冷却水と再生ライン30を流れてきたリン酸水溶液との間で熱交換を行い、リン酸水溶液を冷却する。熱交換器51としては、プレート式熱交換器等の公知の種々の液液熱交換器を使用することができる。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the playback device 31 provided in the playback line 30. The regenerator 31 mainly includes a heat exchanger 51, a reaction tank 60, a liquid-liquid centrifuge 70, a liquid separation tank 80, and a filter unit 90. The heat exchanger 51 performs heat exchange between the cooling water supplied from a chiller unit (not shown) and the phosphoric acid aqueous solution flowing through the regeneration line 30 to cool the phosphoric acid aqueous solution. As the heat exchanger 51, various known liquid-liquid heat exchangers such as a plate heat exchanger can be used.

反応槽60は、熱交換器51から抜出しポンプ52によって送り出されたリン酸水溶液と分液槽80から送給されたドデカンおよびTOPO抽出剤とを槽内部に貯留するとともに、攪拌機61によってそれらを混合して攪拌する。ドデカン(Dodecane)は、有機溶媒の一種であり、構造式CH3−(CH210−CH3で表される直鎖アルカンである。また、TOPO(tri-octyl phosphine oxide)抽出剤は、リン酸水溶液中のシロキサンを抽出して有機溶媒であるドデカン中に移行させる。 The reaction tank 60 stores the phosphoric acid aqueous solution extracted from the heat exchanger 51 by the pump 52 and the dodecane and TOPO extractant supplied from the separation tank 80 in the tank, and is mixed by the stirrer 61. And stir. Dodecane is a kind of organic solvent, and is a linear alkane represented by the structural formula CH 3 — (CH 2 ) 10 —CH 3 . A TOPO (tri-octyl phosphine oxide) extractant extracts siloxane in an aqueous phosphoric acid solution and transfers it to dodecane, which is an organic solvent.

液液遠心分離機70は、回転による遠心力を作用させて比較的比重の大きなリン酸水溶液と比重の小さなドデカンおよびTOPO抽出剤を含む軽液とに分離する。液液遠心分離機70は、分離したリン酸水溶液をリン酸中継タンク75に送出するとともに、分離した軽液を分液槽80に送出する。   The liquid-liquid centrifuge 70 is separated into a phosphoric acid aqueous solution having a relatively large specific gravity and a light liquid containing dodecane and a TOPO extractant having a small specific gravity by applying a centrifugal force by rotation. The liquid-liquid centrifuge 70 sends the separated phosphoric acid aqueous solution to the phosphoric acid relay tank 75 and sends the separated light liquid to the separation tank 80.

分液槽80は、液液遠心分離機70から送られた軽液からシロキサンを含む相を分離する。シロキサンを含む相が分離された後の軽液は溶媒循環ポンプ81によって反応槽60に還流される。また、分液槽80には、ドデカンタンク82からドデカンポンプ83によってドデカンが補充されるとともに、TOPOタンク86からTOPOポンプ87によってTOPO抽出剤が補充される。   The separation tank 80 separates the phase containing siloxane from the light liquid sent from the liquid-liquid centrifuge 70. The light liquid after separation of the phase containing siloxane is refluxed to the reaction tank 60 by the solvent circulation pump 81. In addition, the separation tank 80 is replenished with dodecane from the dodecane tank 82 by the dodecane pump 83, and is replenished with the TOPO extractant from the TOPO tank 86 by the TOPO pump 87.

フィルターユニット90は、リン酸中継タンク75からフィルター送液ポンプ77によって送液されたリン酸水溶液に残留しているシロキサンを除去する。フィルターユニット90を経たリン酸水溶液は再生リン酸タンク95に流入する。また、再生リン酸タンク95には、リン酸タンク92からリン酸ポンプ93によって新たなリン酸水溶液が補充される。   The filter unit 90 removes siloxane remaining in the phosphoric acid aqueous solution fed from the phosphoric acid relay tank 75 by the filter liquid feeding pump 77. The aqueous phosphoric acid solution that has passed through the filter unit 90 flows into the regenerated phosphoric acid tank 95. The regenerated phosphoric acid tank 95 is supplemented with a new phosphoric acid aqueous solution from the phosphoric acid tank 92 by the phosphoric acid pump 93.

再生リン酸タンク95に貯留されているリン酸水溶液は再生リン酸ポンプ97によって再生ライン30に送り出される。また、再生リン酸ポンプ97から再生ライン30に至る配管の経路途中にはリン酸加熱器99が設けられている。   The aqueous phosphoric acid solution stored in the regenerated phosphoric acid tank 95 is sent out to the regeneration line 30 by the regenerated phosphoric acid pump 97. In addition, a phosphoric acid heater 99 is provided in the course of the piping from the regenerative phosphoric acid pump 97 to the regeneration line 30.

次に、上記構成を有する基板処理装置1における動作内容について説明する。まず、浸漬処理槽10に貯留されているリン酸水溶液中に基板Wが浸漬されているか否かに関わらず、循環ポンプ21は常時一定流量にてリン酸水溶液を圧送している。循環ライン20によって浸漬処理槽10に還流されたリン酸水溶液は内槽11の底部から供給される。これによって、内槽11の内部には底部から上方へと向かうリン酸水溶液のアップフローが生じる。底部から供給されたリン酸水溶液はやがて内槽11の上端部から溢れ出て外槽12に流入する。外槽12に流れ込んだリン酸水溶液は循環ライン20を介して循環ポンプ21に回収され、再び浸漬処理槽10に圧送還流されるという循環プロセスが継続して行われる。循環ライン20による還流の過程において、リン酸水溶液中に混在している異物はフィルター22によって取り除かれる。また、還流されるリン酸水溶液はヒータ23によって所定の処理温度(本実施形態では160℃)にまで再加熱される。   Next, the operation content in the substrate processing apparatus 1 having the above configuration will be described. First, regardless of whether or not the substrate W is immersed in the phosphoric acid aqueous solution stored in the immersion treatment tank 10, the circulation pump 21 constantly pumps the phosphoric acid aqueous solution at a constant flow rate. The aqueous phosphoric acid solution refluxed to the immersion treatment tank 10 by the circulation line 20 is supplied from the bottom of the inner tank 11. As a result, an upflow of the phosphoric acid aqueous solution is generated in the inner tank 11 from the bottom upward. The phosphoric acid aqueous solution supplied from the bottom overflows from the upper end of the inner tank 11 and flows into the outer tank 12. The circulation process in which the phosphoric acid aqueous solution that has flowed into the outer tank 12 is collected by the circulation pump 21 via the circulation line 20 and is fed back to the immersion treatment tank 10 again is continued. In the process of refluxing by the circulation line 20, foreign matters mixed in the phosphoric acid aqueous solution are removed by the filter 22. The refluxed phosphoric acid aqueous solution is reheated to a predetermined processing temperature (160 ° C. in this embodiment) by the heater 23.

このような循環ライン20によるリン酸水溶液の循環プロセスを実行しつつ、受渡位置にて複数の基板Wを受け取ったリフター13が処理位置にまで降下して内槽11内に貯留されたリン酸水溶液中に基板Wを浸漬させる。これにより、基板W上に形成されているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のうちシリコン窒化膜の選択的エッチング処理が進行し、シリコン窒化膜が徐々に除去される。所定時間のエッチング処理が終了した後、リフター13が再び受渡位置にまで上昇して基板Wをエッチング液から引き上げる。   While performing the circulation process of the phosphoric acid aqueous solution by the circulation line 20, the lifter 13 that has received the plurality of substrates W at the delivery position descends to the processing position and is stored in the inner tank 11. The substrate W is immersed therein. As a result, the silicon nitride film is selectively etched out of the silicon oxide film and silicon nitride film formed on the substrate W, and the silicon nitride film is gradually removed. After the etching process for a predetermined time is completed, the lifter 13 rises again to the delivery position and pulls up the substrate W from the etching solution.

ここで、シリコン窒化膜のエッチング処理が進行するにつれて、リン酸水溶液中にシロキサンが蓄積される。シロキサンが過剰に蓄積されると、シリコン窒化膜のエッチング速度が低下するだけでなく、基板Wや浸漬処理槽10を汚染したり、フィルター22を目詰まりさせたりするといった問題が生じることは既述した通りである。このため、本実施形態では、再生ライン30に再生装置31を設けて過剰のシロキサンを回収することによりリン酸水溶液を再生する処理を行っている。以下、再生装置31におけるリン酸水溶液の再生処理について説明する。再生装置31における基本的な処理内容は溶媒抽出法によってリン酸水溶液からシロキサンを抽出して分離するというものである。   Here, as the etching process of the silicon nitride film proceeds, siloxane accumulates in the phosphoric acid aqueous solution. As described above, when siloxane is excessively accumulated, not only the etching rate of the silicon nitride film is decreased, but also problems such as contamination of the substrate W and the immersion treatment tank 10 and clogging of the filter 22 occur. That's right. For this reason, in this embodiment, the regeneration apparatus 31 is provided in the regeneration line 30 to recover the phosphoric acid aqueous solution by recovering excess siloxane. Hereinafter, the regeneration process of the phosphoric acid aqueous solution in the regeneration apparatus 31 will be described. The basic processing content in the reproducing apparatus 31 is to extract and separate siloxane from an aqueous phosphoric acid solution by a solvent extraction method.

まず、エッチング処理に使用されているリン酸水溶液は約160℃の比較的高温の液体であり、そのまま有機溶媒と接触させることはできないため、浸漬処理槽10から排出されて再生ライン30から再生装置31に流れ込んだリン酸水溶液は熱交換器51にて冷却される。熱交換器51においては、図示省略のチラーユニットから供給された冷却水と再生ライン30を流れてきたリン酸水溶液との間での熱交換が実行され、約160℃のリン酸水溶液が40℃以下にまで冷却される。なお、熱交換器51によってリン酸水溶液を冷却する温度は40℃以下に限定されるものではなく、溶媒抽出に使用する有機溶媒の沸点以下であれば良い。   First, since the phosphoric acid aqueous solution used for the etching process is a relatively high-temperature liquid of about 160 ° C. and cannot be brought into contact with an organic solvent as it is, it is discharged from the immersion treatment tank 10 and is regenerated from the regeneration line 30. The aqueous phosphoric acid solution that has flowed into 31 is cooled by the heat exchanger 51. In the heat exchanger 51, heat exchange is performed between the cooling water supplied from a chiller unit (not shown) and the phosphoric acid aqueous solution flowing through the regeneration line 30, and the phosphoric acid aqueous solution at about 160 ° C is converted to 40 ° C. Cooled to: In addition, the temperature which cools phosphoric acid aqueous solution with the heat exchanger 51 is not limited to 40 degrees C or less, What is necessary is just to be below the boiling point of the organic solvent used for solvent extraction.

熱交換器51にて冷却されたリン酸水溶液は抜出しポンプ52によって反応槽60に送出される。一方、分液槽80からは溶媒循環ポンプ81によってドデカンおよびTOPO抽出剤の混合液が反応槽60に送給される。リン酸水溶液、ドデカンおよびTOPO抽出剤は反応槽60の内部において混合され、攪拌機61によって攪拌される。リン酸水溶液、ドデカンおよびTOPO抽出剤が十分に混合・攪拌されることによって、リン酸水溶液中のシロキサンがTOPO抽出剤によって抽出されてドデカン中に移行する。その結果、リン酸水溶液中のシロキサン濃度は低下することとなり、リン酸水溶液の再生処理が実行される。   The aqueous phosphoric acid solution cooled in the heat exchanger 51 is sent out to the reaction tank 60 by the extraction pump 52. On the other hand, a mixed solution of dodecane and TOPO extractant is fed from the separation tank 80 to the reaction tank 60 by a solvent circulation pump 81. The aqueous phosphoric acid solution, dodecane and TOPO extractant are mixed in the reaction vessel 60 and stirred by the stirrer 61. By thoroughly mixing and stirring the phosphoric acid aqueous solution, dodecane and the TOPO extractant, the siloxane in the phosphoric acid aqueous solution is extracted by the TOPO extractant and migrates into the dodecane. As a result, the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution decreases, and the regeneration treatment of the phosphoric acid aqueous solution is executed.

反応槽60における溶媒抽出処理後、反応槽60内の液体(リン酸水溶液、ドデカンおよびTOPO抽出剤が混合したもの)は液液遠心分離機70に送り出される。液液遠心分離機70は、混合液を高速回転させて強大な加速度を与え、比較的比重の大きなリン酸水溶液と比重の小さなドデカンおよびTOPO抽出剤を含む軽液とに分離する。そして、分離されたリン酸水溶液はリン酸中継タンク75に流入し、軽液は分液槽80へと流入する。   After the solvent extraction process in the reaction tank 60, the liquid in the reaction tank 60 (a mixture of phosphoric acid aqueous solution, dodecane and TOPO extractant) is sent out to the liquid-liquid centrifuge 70. The liquid-liquid centrifuge 70 rotates the mixed liquid at a high speed to give a strong acceleration and separates it into a phosphoric acid aqueous solution having a relatively large specific gravity and a light liquid containing dodecane and TOPO extractant having a small specific gravity. The separated phosphoric acid aqueous solution flows into the phosphoric acid relay tank 75, and the light liquid flows into the liquid separation tank 80.

リン酸中継タンク75に貯留されたリン酸水溶液はフィルター送液ポンプ77によってフィルターユニット90へと送給される。液液遠心分離機70にて分離されてリン酸中継タンク75へと流入するリン酸水溶液は、反応槽60での溶媒抽出によって大半のシロキサンが除かれたものであるが、若干のシロキサンが残留している。このような僅かに残留しているシロキサンもフィルターユニット90を通過することによって取り除かれ、リン酸水溶液のさらなる再生処理が実行される。   The aqueous phosphoric acid solution stored in the phosphoric acid relay tank 75 is fed to the filter unit 90 by the filter feed pump 77. The aqueous phosphoric acid solution separated by the liquid-liquid centrifuge 70 and flowing into the phosphoric acid relay tank 75 is one in which most of the siloxane has been removed by solvent extraction in the reaction tank 60, but some siloxane remains. is doing. Such slightly remaining siloxane is also removed by passing through the filter unit 90, and further regeneration treatment of the phosphoric acid aqueous solution is performed.

フィルターユニット90を通過して再生されたリン酸水溶液は再生リン酸タンク95に流入して貯留される。再生リン酸タンク95に貯留される再生後のリン酸水溶液中にはほとんどシロキサンが含まれていない。また、再生リン酸タンク95には、リン酸タンク92の新鮮なリン酸水溶液もリン酸ポンプ93によって適宜補充される。   The aqueous phosphoric acid solution regenerated through the filter unit 90 flows into the regenerated phosphoric acid tank 95 and is stored. The regenerated phosphoric acid aqueous solution stored in the regenerated phosphoric acid tank 95 contains almost no siloxane. Further, the regenerated phosphoric acid tank 95 is appropriately supplemented with a fresh phosphoric acid aqueous solution in the phosphoric acid tank 92 by a phosphoric acid pump 93.

再生リン酸タンク95に貯留されているシロキサン濃度の低いリン酸水溶液は再生リン酸ポンプ97によって再生ライン30に送り出される。また、再生リン酸ポンプ97によって送出されるリン酸水溶液はリン酸加熱器99によって所定の処理温度(本実施形態では160℃)にまで加熱される。これにより、処理温度にまで加熱された再生後のリン酸水溶液が再生ライン30に送給されることとなり、再生ライン30からはシロキサン濃度の低いリン酸水溶液が浸漬処理槽10に流入することとなる。その結果、浸漬処理槽10内におけるリン酸水溶液中のシロキサン濃度が著しく高くなるのを防止することができる。なお、再生ライン30から浸漬処理槽10の外槽12に再生後のリン酸水溶液を供給しているのは、内槽11にシロキサン濃度の低いリン酸水溶液を直接供給するよりも外槽12に供給して一旦循環ライン20を経由させてから内槽11に供給する方が、内槽11内のシロキサン濃度の変化および分布が安定するためである。   The phosphoric acid aqueous solution having a low siloxane concentration stored in the regenerated phosphoric acid tank 95 is sent out to the regeneration line 30 by the regenerated phosphoric acid pump 97. The phosphoric acid aqueous solution delivered by the regenerative phosphoric acid pump 97 is heated to a predetermined processing temperature (160 ° C. in this embodiment) by the phosphoric acid heater 99. Thereby, the regenerated phosphoric acid aqueous solution heated to the treatment temperature is supplied to the regeneration line 30, and the phosphoric acid aqueous solution having a low siloxane concentration flows into the immersion treatment tank 10 from the regeneration line 30. Become. As a result, it is possible to prevent the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution in the immersion treatment tank 10 from becoming extremely high. Note that the regenerated phosphoric acid aqueous solution is supplied from the regeneration line 30 to the outer tank 12 of the immersion treatment tank 10 to the outer tank 12 rather than directly supplying the phosphoric acid aqueous solution having a low siloxane concentration to the inner tank 11. This is because the change and distribution of the siloxane concentration in the inner tank 11 is more stable when it is supplied and once passed through the circulation line 20 and then supplied to the inner tank 11.

一方、液液遠心分離機70から分液槽80に流入した軽液からはシロキサンを含む相が分離される。シロキサンを含む有機相はペースト状となっており、このような相を分液槽80にて軽液から分離するのである。この分離に伴って減少したドデカンおよびTOPO抽出剤がドデカンタンク82およびTOPOタンク86からそれぞれドデカンポンプ83およびTOPOポンプ87によって分液槽80に補充される。シロキサンを含む相が分離されたドデカンおよびTOPO抽出剤の混合液は溶媒循環ポンプ81によって分液槽80から反応槽60に再度送給される。これにより、ドデカンおよびTOPO抽出剤を再利用することができる。   On the other hand, a phase containing siloxane is separated from the light liquid flowing into the separation tank 80 from the liquid-liquid centrifuge 70. The organic phase containing siloxane is in the form of a paste, and such a phase is separated from the light liquid in the separation tank 80. The dodecane and the TOPO extractant that have been reduced along with the separation are replenished to the separation tank 80 from the dodecane tank 82 and the TOPO tank 86 by the dodecane pump 83 and the TOPO pump 87, respectively. The mixed solution of dodecane and TOPO extractant from which the phase containing siloxane is separated is fed again from the separation tank 80 to the reaction tank 60 by the solvent circulation pump 81. Thereby, dodecane and TOPO extractant can be reused.

以上のようにして再生装置31におけるリン酸水溶液の再生処理がなされることにより、再生ライン30からはシロキサン濃度の低いリン酸水溶液を浸漬処理槽10に供給することができ、浸漬処理槽10内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる。   By performing the regeneration treatment of the phosphoric acid aqueous solution in the regeneration apparatus 31 as described above, the phosphoric acid aqueous solution having a low siloxane concentration can be supplied from the regeneration line 30 to the immersion treatment tank 10, and the inside of the immersion treatment tank 10. An excessive increase in the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution can be suppressed.

また、再生ライン30からのリン酸水溶液供給量は流量調整弁33によって調整される。基板処理装置1の循環ライン20には濃度計24が設けられており、制御部40は濃度計24のシロキサン濃度測定結果に基づいて流量調整弁33を制御する。具体的には、浸漬処理槽10から循環ライン20に排出されたリン酸水溶液中のシロキサン濃度が所定値よりも高くなったときには、制御部40が流量調整弁33を制御して再生ライン30から浸漬処理槽10に流すシロキサン濃度が低下したリン酸水溶液の流量を増加させる。逆に、浸漬処理槽10から循環ライン20に排出されたリン酸水溶液中のシロキサン濃度が所定値よりも低くなったときには、制御部40が流量調整弁33を制御して再生ライン30から浸漬処理槽10に流すリン酸水溶液の流量を減少させる。その結果、浸漬処理槽10に貯留されているリン酸水溶液のシロキサン濃度が所定値に維持されることとなる。   Further, the amount of aqueous phosphoric acid solution supplied from the regeneration line 30 is adjusted by the flow rate adjustment valve 33. A concentration meter 24 is provided in the circulation line 20 of the substrate processing apparatus 1, and the control unit 40 controls the flow rate adjustment valve 33 based on the siloxane concentration measurement result of the concentration meter 24. Specifically, when the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion treatment tank 10 to the circulation line 20 becomes higher than a predetermined value, the control unit 40 controls the flow rate adjustment valve 33 to remove from the regeneration line 30. The flow rate of the phosphoric acid aqueous solution in which the concentration of siloxane flowing in the immersion treatment tank 10 is decreased is increased. On the contrary, when the siloxane concentration in the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion treatment tank 10 to the circulation line 20 becomes lower than a predetermined value, the control unit 40 controls the flow rate adjustment valve 33 to perform the immersion treatment from the regeneration line 30. The flow rate of the phosphoric acid aqueous solution flowing into the tank 10 is decreased. As a result, the siloxane concentration of the phosphoric acid aqueous solution stored in the immersion treatment tank 10 is maintained at a predetermined value.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、有機溶媒としてドデカンを使用していたが、これに限定されるものではなく、他の有機化合物の溶媒を用いるようにしても良い。   While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, dodecane is used as the organic solvent. However, the present invention is not limited to this, and a solvent of another organic compound may be used.

また、上記実施形態においては、再生ライン30を流れてきたリン酸水溶液を熱交換器51によって冷却していたが、浸漬処理槽10から排出されたリン酸水溶液を有機溶媒の沸点以下にまで冷却する他の冷却手段を用いるようにしても良い。   Moreover, in the said embodiment, although the phosphoric acid aqueous solution which flowed through the regeneration line 30 was cooled by the heat exchanger 51, the phosphoric acid aqueous solution discharged | emitted from the immersion treatment tank 10 was cooled to below the boiling point of an organic solvent. Other cooling means may be used.

また、再生装置31の構成は図2に限定されるものではなく、有機溶媒、TOPO抽出剤および浸漬処理槽10から排出されたリン酸水溶液を混合して攪拌する溶媒抽出処理機構と、溶媒抽出後の有機溶媒およびTOPO抽出剤とリン酸水溶液とを分離する分離機構とを備え、その分離されたリン酸水溶液を浸漬処理槽10に送出する構成であれば良い。   Further, the configuration of the regenerator 31 is not limited to that shown in FIG. 2. A solvent extraction processing mechanism that mixes and stirs an organic solvent, a TOPO extractant, and an aqueous phosphoric acid solution discharged from the immersion treatment tank 10, and solvent extraction. Any structure that includes a separation mechanism that separates the organic solvent and the TOPO extractant and the phosphoric acid aqueous solution from the subsequent organic solvent and sends the separated phosphoric acid aqueous solution to the immersion treatment tank 10 may be used.

また、上記実施形態において、外槽12は必須のものではなく、循環ライン20の配管両端を内槽11に連通接続し、循環ライン20によって内槽11内のリン酸水溶液を循環させる形態であっても良い。また、リフター13が複数の基板Wを直接保持することに限定されるものではなく、リフター13が複数の基板Wを収容したキャリアを保持して昇降するようにしても良い。   Moreover, in the said embodiment, the outer tank 12 is not essential, It is the form which connected the piping both ends of the circulation line 20 to the inner tank 11, and circulates the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 11 by the circulation line 20. May be. Further, the lifter 13 is not limited to directly holding the plurality of substrates W, and the lifter 13 may move up and down while holding a carrier containing the plurality of substrates W.

本発明に係る基板処理装置の全体概略構成を示す図である。It is a figure which shows the whole schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. 再生装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a reproducing | regenerating apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理装置
10 浸漬処理槽
11 内槽
12 外槽
20 循環ライン
21 循環ポンプ
22 フィルター
24 濃度計
30 再生ライン
31 再生装置
33 流量調整弁
40 制御部
51 熱交換器
60 反応槽
70 液液遠心分離機
80 分液槽
81 溶媒循環ポンプ
90 フィルターユニット
97 再生リン酸ポンプ
99 リン酸加熱器
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Immersion processing tank 11 Inner tank 12 Outer tank 20 Circulation line 21 Circulation pump 22 Filter 24 Densitometer 30 Regeneration line 31 Regeneration apparatus 33 Flow control valve 40 Control part 51 Heat exchanger 60 Reaction tank 70 Liquid-liquid centrifugation Machine 80 Separation tank 81 Solvent circulation pump 90 Filter unit 97 Regenerated phosphoric acid pump 99 Phosphoric acid heater W Substrate

Claims (4)

シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板をリン酸水溶液中に浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を行う基板処理装置であって、
リン酸水溶液を貯留し、リン酸水溶液中に前記基板を浸漬してシリコン窒化膜のエッチング処理を進行させる浸漬処理槽と、
前記浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液と、有機溶媒と、TOPO抽出剤と、を混合して攪拌する反応槽と、
前記反応槽にて混合された液を遠心分離によって有機溶媒およびTOPO抽出剤を含む軽液とリン酸水溶液とに分離する液液遠心分離機と、
前記液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液を前記浸漬処理槽に向けて送出するリン酸送出手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing an etching process on a silicon nitride film by immersing a substrate on which a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed in a phosphoric acid aqueous solution,
An immersion treatment tank for storing a phosphoric acid aqueous solution and immersing the substrate in the phosphoric acid aqueous solution to advance the etching treatment of the silicon nitride film;
A reaction tank in which the aqueous phosphoric acid solution discharged from the immersion treatment tank, an organic solvent, and a TOPO extractant are mixed and stirred;
A liquid-liquid centrifuge for separating the liquid mixed in the reaction tank into a light liquid containing an organic solvent and a TOPO extractant and an aqueous phosphoric acid solution by centrifugation;
Phosphoric acid delivery means for delivering the phosphoric acid aqueous solution separated by the liquid-liquid centrifuge toward the immersion treatment tank;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1記載の基板処理装置において、
前記液液遠心分離機にて分離されたリン酸水溶液に残留するシロキサンを除去するフィルターをさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising a filter for removing siloxane remaining in the phosphoric acid aqueous solution separated by the liquid-liquid centrifuge.
請求項1または請求項2記載の基板処理装置において、
前記液液遠心分離機にて分離された軽液からシロキサンを分離する分液槽と、
前記分液槽にてシロキサンが分離された軽液を再び前記反応槽に送出する軽液送出手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2,
A separation tank for separating siloxane from light liquid separated by the liquid-liquid centrifuge;
A light liquid delivery means for delivering the light liquid from which the siloxane has been separated in the liquid separation tank to the reaction tank again;
A substrate processing apparatus further comprising:
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記浸漬処理槽から排出されたリン酸水溶液を前記有機溶媒の沸点以下にまで冷却する冷却手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The substrate processing apparatus further comprising a cooling means for cooling the phosphoric acid aqueous solution discharged from the immersion treatment tank to a boiling point or less of the organic solvent.
JP2007301672A 2007-11-21 2007-11-21 Substrate treating apparatus Pending JP2009130032A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007301672A JP2009130032A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007301672A JP2009130032A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Substrate treating apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009130032A true JP2009130032A (en) 2009-06-11

Family

ID=40820678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007301672A Pending JP2009130032A (en) 2007-11-21 2007-11-21 Substrate treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009130032A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9718710B2 (en) 2014-09-17 2017-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Treatment apparatus and method for reusing treatment liquid
WO2020100558A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN111696891A (en) * 2019-03-15 2020-09-22 东京毅力科创株式会社 Substrate processing apparatus, mixing method and substrate processing method
JP2020167308A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2021048420A (en) * 2019-03-29 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, and substrate processing method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9718710B2 (en) 2014-09-17 2017-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Treatment apparatus and method for reusing treatment liquid
WO2020100558A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2020087985A (en) * 2018-11-16 2020-06-04 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7126927B2 (en) 2018-11-16 2022-08-29 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
CN111696891A (en) * 2019-03-15 2020-09-22 东京毅力科创株式会社 Substrate processing apparatus, mixing method and substrate processing method
CN111696891B (en) * 2019-03-15 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 Substrate processing apparatus, mixing method, and substrate processing method
JP2020167308A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2021048420A (en) * 2019-03-29 2021-03-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, and substrate processing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5931484B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009206419A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5829444B2 (en) Phosphoric acid regeneration method, phosphoric acid regeneration apparatus and substrate processing system
JP2009130032A (en) Substrate treating apparatus
JP5742925B2 (en) Polycrystalline silicon cleaning method
TWI353635B (en) Substrate processing apparatus
US7238295B2 (en) Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system
US9852915B2 (en) Etching apparatus
US11158525B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3788985B2 (en) Etching solution regeneration method, etching method and etching apparatus
JP6768146B2 (en) Liquid supply device and liquid supply method
US11424141B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
US11430675B2 (en) Substrate processing apparatus and processing liquid reuse method
JP2010021215A (en) Cleaning system and method for circulating cleaning fluid
TWI520170B (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
CN101315870A (en) Semiconductor processing platform
JP4984132B2 (en) Method for promoting phase separation of clathrate compound or guest molecule in solution
JP4557742B2 (en) Distillation equipment with solvent recovery function
JP2003297798A (en) Treatment device and method for manufacturing semiconductor device
JP2007142458A (en) Treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP4442722B2 (en) Chelating agent addition apparatus, chelating agent addition method, wafer polishing system, and wafer polishing method
JP2004179310A (en) Etching solution and processing method, processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method using the same
US10504755B2 (en) Semiconductor-substrate processing apparatus, method of stripping a photoresist, and method of manufacturing a semiconductor device
JP2006032673A (en) Substrate treatment apparatus
CN107075694A (en) The manufacture method of semiconductor device