JP2009121927A - Eccentricity measuring device and method - Google Patents
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Description
本発明は、偏芯測定装置及び偏芯測定方法に関する。 The present invention relates to an eccentricity measuring apparatus and an eccentricity measuring method.
従来、偏芯測定装置として、フォーカスレンズ系、指標、及び位置センサを有する装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の偏芯測定装置では、フォーカスレンズ系によって被検体の被検面の近軸焦点に指標の像が投影され、被検面で反射した光の集光位置を位置センサで検出し、その位置情報に基づいて被検体の偏芯量を測定している。
しかしながら、特許文献1に記載の装置では、被検体が複数の反射面を有する場合において、被検体の被検面以外の面で反射した光も含めて位置センサで測定してしまう。
However, in the apparatus described in
本発明は、被検体の被検面以外の面で反射した光が偏芯量の測定に与える影響を抑制することが可能な偏芯測定装置及び偏芯測定方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an eccentricity measuring apparatus and an eccentricity measuring method capable of suppressing the influence of light reflected by a surface other than the test surface of a subject on the measurement of the eccentricity. .
本発明を例示する態様に従えば、被検体の偏芯量を測定する装置であって、所定の焦点距離を有し、被検体に入射する前の光が通過する位置に配置される結像光学系と、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、被検体に入射する前の光及び被検体で反射した後の光の双方が入射する位置に配置されるマスクと、装置の光軸に対する、被検体で反射した後にマスクを通過した光の傾きを検出する傾き検出手段と、を備えることを特徴とする偏芯測定装置が提供される。 According to an embodiment illustrating the present invention, an apparatus for measuring the amount of eccentricity of a subject, which has a predetermined focal length and is disposed at a position where light before entering the subject passes. It comprises an optical system, a shielding part that shields light, and a passing part that allows light to pass through, and has a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis. The mask arranged at the position where both the light before being incident on the subject and the light after being reflected by the subject enter, and the inclination of the light that has passed through the mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus. There is provided an eccentricity measuring device comprising an inclination detecting means for detecting.
本発明を例示する態様に従えば、被検体の偏芯量を測定する装置であって、所定の焦点距離を有し、被検体に入射する前の光が通過する位置に配置される結像光学系と、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、被検体に入射する前の光が入射する位置に配置される第1のマスクと、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、被検体で反射した後の光が入射する位置に配置される第2のマスクと、装置の光軸に対する、被検体で反射した後に第2のマスクを通過した光の傾きを検出する傾き検出手段と、を備え、第1及び第2のマスクは、パターンが互いに光軸に沿って180度回転共役となるように配置されていることを特徴とする偏芯測定装置が提供される。 According to an embodiment illustrating the present invention, an apparatus for measuring the amount of eccentricity of a subject, which has a predetermined focal length and is disposed at a position where light before entering the subject passes. It comprises an optical system, a shielding part that shields light, and a passing part that allows light to pass through, and has a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis. It consists of a first mask arranged at a position where light before entering the subject enters, a shielding part that shields light, and a passage part that allows light to pass through, and is rotated 180 degrees around the optical axis. The position of the shielding portion and the position of the passage portion are reversed, and the second mask is disposed at a position where the light after being reflected by the subject is incident, and is reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus. To detect the tilt of the light that has passed through the second mask after Comprising a detection means, the first and second masks, eccentricity measuring apparatus characterized by being arranged such that 180 degree rotation coupled along the optical axis pattern together is provided.
本発明を例示する態様に従えば、被検体の偏芯量を測定する方法であって、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有するマスク、及び所定の焦点距離を有する結像光学系の双方を通過した光を被検体に入射させる工程と、被検体で反射した光にマスクを通過させる工程と、装置の光軸に対する、被検体で反射した後にマスクを通過した光の傾きを検出する工程と、を備えることを特徴とする偏芯測定方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, a method for measuring the amount of eccentricity of a subject, which includes a shielding part that shields light and a passing part that allows light to pass through, is rotated 180 degrees around the optical axis. The light having passed through both the mask having a pattern in which the position of the shielding portion and the position of the passage portion are reversed and the imaging optical system having a predetermined focal length are incident on the subject, and reflected by the subject. There is provided an eccentricity measuring method comprising: passing the masked light through the mask; and detecting an inclination of the light that has passed through the mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus. .
本発明を例示する態様に従えば、被検体の偏芯量を測定する方法であって、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有する第1のマスク、及び所定の焦点距離を有する結像光学系の双方を通過した光を被検体に入射させる工程と、被検体で反射した光に、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、光軸を中心に180度回転させることで遮蔽部の位置と通過部の位置とが反転するパターンを有する第2のマスクを通過させる工程と、装置の光軸に対する、被検体で反射した後に第2のマスクを通過した光の傾きを検出する工程と、を備え、第1及び第2のマスクは、パターンが互いに光軸に沿って180度回転共役となるように配置されていることを特徴とする偏芯測定方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, a method for measuring the amount of eccentricity of a subject, which includes a shielding part that shields light and a passing part that allows light to pass through, is rotated 180 degrees around the optical axis. A step of causing light that has passed through both the first mask having a pattern in which the position of the shielding portion and the position of the passage portion are reversed and the imaging optical system having a predetermined focal length to enter the subject; The light reflected by the specimen consists of a shielding part that shields the light and a passing part that allows the light to pass through, and a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis. And a step of detecting an inclination of light that has passed through the second mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus, and the first and second masks include: , The pattern is 180 degree rotation conjugate with each other along the optical axis Eccentricity measuring method characterized by being arranged such that there is provided.
本発明によれば、被検体の被検面以外の面で反射した光が偏芯量の測定に与える影響を抑制することが可能な偏芯測定装置及び偏芯測定方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an eccentricity measuring apparatus and an eccentricity measuring method capable of suppressing the influence of light reflected by a surface other than the test surface of the subject on the measurement of the eccentricity. .
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.
(First embodiment)
図1を参照して、第1実施形態に係る偏芯測定装置1の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る偏芯測定装置の構成図である。
With reference to FIG. 1, the structure of the
図1に示す偏芯測定装置1は、光源2と、ビームエクスパンダ3と、絞り4と、第1のマスク5と、ビームスプリッタ(光反射透過部材)6と、結像光学系7と、第2のマスク8と、集光光学系(集光手段)9と、位置センサ(位置観察手段)10とを備えている。偏芯測定装置1は、光源2から出力された光Lを、第1のマスク5及び結像光学系7を介して被検体Sに入射させ、被検体Sの被検面Smで反射された光Lを結像光学系7及び第2のマスク8を介して位置センサ10に入射させることで、被検体Sの偏芯量を測定する装置である。
An
光源2は、例えばレーザ装置であり、光Lをビームエクスパンダ3に入射する。ビームエクスパンダ3は、光源2から出力された光Lの光束径を拡大した上で、平行光束にコリメートする。ビームエクスパンダ3は、平行光束にコリメートした光Lを第1のマスク5に入射させる。ビームエクスパンダ3は、図1では2枚のレンズで表されているが、3枚以上のレンズによって構成されていてもよい。
The
ビームエクスパンダ3内には、絞り4が配置されている。絞り4の像が、後述の結像光学系7によって被検体Sの被検面Smの曲率中心Cに投影される。
A diaphragm 4 is disposed in the
第1のマスク5は、被検体Sに入射する前の光Lが入射する位置、より詳しくはビームエクスパンダ3とビームスプリッタ6との間に配置されている。第1のマスク5は、偏芯測定装置1の光源側光学系内に配置される。
The
円形状を呈する第1のマスク5は、光を遮蔽する3つの遮蔽部5aと光を通過させる3つの通過部5bとからなるパターンを有する。遮蔽部5aと通過部5bとは周方向で交互に配置されている。遮蔽部5a及び通過部5bは何れも、円の中心から放射状に伸びる中心角60度の扇形を呈する。第1のマスク5のパターンでは、光軸Axを中心に180度回転させることで遮蔽部5aの位置と通過部5bの位置とが反転する。すなわち、第1のマスク5を光軸Axを中心に180度回転した場合、そのパターンの明暗が反転する。なお、図1では、見易さのため、遮蔽部5aにハッチングを付している。
The
ビームスプリッタ6は、第1のマスク5の通過部5aを通過した光Lを透過して結像光学系7に入射させる。ビームスプリッタ6はまた、被検体Sで反射した後、結像光学系7を通過した光Lを反射して、第2のマスク8に入射させる。すなわち、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光は透過し、被検体Sで反射した光は反射することによって、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離する。このように、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離するビーム分割手段としても、また被検体Sで反射した光を集光光学系9に導くガイド部材としても機能する。
The
結像光学系7は、所定の焦点距離を有する合焦光学系である。結像光学系7は、その焦点距離を変えることができる可変焦点距離光学系でもある。結像光学系7は、被検体Sに入射する前の光Lが通過する位置であって、且つ被検体Sの被検面Smの曲率中心Cから偏芯測定装置1の光軸Axに沿って焦点距離の分だけ離れた位置に配置されている。結像光学系7は、図1では2枚のレンズで表されているが、3枚以上のレンズによって構成されていても、あるいは1枚のレンズで構成されていてもよい。
The imaging
第2のマスク8は、被検体Sで反射した後の光Lが入射する位置、より詳しくはビームスプリッタ6と集光光学系9との間に配置されている。第2のマスク8には、被検体Sで反射された光Lがビームスプリッタ6で反射された後、入射する。第2のマスク8は、偏芯測定装置1の検出系内に配置される。
The
円形状を呈する第2のマスク8は、光を遮蔽する3つの遮蔽部8aと光を通過させる3つの通過部8bとからなるパターンを有する。遮蔽部8aと通過部8bとは周方向で交互に配置されている。遮蔽部8a及び通過部8bは何れも、円の中心から放射状に伸びる中心角60度の扇形を呈する。第2のマスク8のパターンでは、光軸Axを中心に180度回転させることで遮蔽部8aの位置と通過部8bの位置とが反転する。すなわち、第2のマスク8を光軸Axを中心に180度回転した場合、そのパターンの明暗が反転する。なお、図1では、見易さのため、遮蔽部8aにハッチングを付している。
The
第1及び第2のマスク5、8は、偏芯測定装置1においてパターンが互いに光軸Axに沿って180度回転共役となるように配置されている。すなわち、偏芯測定装置1では、第1のマスク5と第2のマスク8とが、ビームスプリッタ6、結像光学系7、及び被検面Smに対してパターンが互いに180度回転共役となるように配置されている。
The first and
集光光学系9は、第2のマスク8を通過した被検体Sでの反射光Lを位置センサ10上に集光する。集光光学系9は、図1では1枚の光学レンズで表しているが、実際には複数枚の光学レンズによって構成されていてもよい。
The condensing
位置センサ10は、集光光学系9によって集光された光Lの光量重心の位置を観察する。位置センサ10は、例えばスクリーン及びCCDカメラによって構成されていてもよい。この場合、スクリーン上に集光されたスポット光をCCDカメラが撮像する。あるいは、位置センサ10は、例えば光位置センサ(Position Sensitive Detector;PSD)であってもよい。あるいは、位置センサ10は、例えばスクリーンであって、スクリーン上に集光されたスポット光の位置を測量によって観察してもよい。
The
位置センサ10はさらに、観察された反射光Lの光量重心の位置に基づき、光軸Axに対する集光光学系9を通過した被検体Sで反射した後に第2のマスク8を通過した光Lの傾きを検出する。このように、集光光学系9及び位置センサ10は傾き検出手段として機能する。
The
次に、偏芯測定装置1によって被検体Sの偏芯を測定する方法を説明する。まず、光源2から出射された光Lがビームスプリッタ3を通って平行光束にされる。ビームスプリッタ3によって得られた平行光束は、第1のマスク5、ビームスプリッタ6、及び結像光学系7を通過した後、被検体Sの被検面Smに入射する。このとき、平行光束のうち、第1のマスク5の通過部5bに入射した光のみ第1のマスク5を通過し、第1のマスク5の遮蔽部5aに入射した光は第1のマスク5を通過することができずここでカットされる。結像光学系7は、被検体Sの被検面Smの曲率中心Cに絞り4の像を投影するように、その焦点距離を変える。
Next, a method for measuring the eccentricity of the subject S using the
被検面Smで反射した光Lは再度結像光学系7を通過した後に、ビームスプリッタ6で反射し、第2のマスク8に入射する。このとき、被検面Smで反射した光Lのうち、第2のマスク8の通過部8bに入射した光のみ第2のマスク8を通過し、第2のマスク8の遮蔽部8aに入射した光は第2のマスク8を通過することができずここでカットされる。第2のマスク8を通過した光Lは、集光光学系9を介して位置センサ10に集光される。位置センサ10上のスポットの位置から、光軸Axに対する、被検面Smで反射した後に第2のマスク8を通過した光の傾きを検出する。これにより、被検体Sの被検面Smの偏芯量を検出することができる。
The light L reflected by the test surface Sm passes through the imaging
被検体Sが複数の光学系から構成されている場合、例えば図2に示されるように、被検体Sの複数の光学系のうちの一つの面Sxが被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある場合に、面Sxで反射した光も偏芯測定装置1内に戻ってしまう。面Sxで反射した光は、被検面Smでの反射光を検出することで偏芯量を測定する場合において、高精度な測定を妨げるノイズとなってしまう。すなわち、面Sxで反射された光は、ノイズ光として被検体Sの偏芯量の測定精度を低下させるおそれがある。
When the subject S is composed of a plurality of optical systems, for example, as shown in FIG. 2, one surface Sx of the plurality of optical systems of the subject S is close to the center of curvature C of the subject surface Sm. When in position, the light reflected by the surface Sx also returns to the
ここで、図2から理解されるように、被検面Smで反射した光の進行方向は被検面Smに入射した光の進行方向に沿う。これに対し、被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある面Sxで反射した光は、入射光及び光軸Axを含む面内で光軸Axに対し入射光と対称な方向に反転して進行する。すなわち、図2から明らかなように、被検面Smで反射した光と、面Sxで反射した光とでは、その進行方向が光軸Axに関して反転した関係となる。 Here, as understood from FIG. 2, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm is along the traveling direction of the light incident on the test surface Sm. On the other hand, the light reflected by the surface Sx located near the center of curvature C of the test surface Sm is inverted in a direction symmetrical to the incident light with respect to the optical axis Ax within the plane including the incident light and the optical axis Ax. And proceed. That is, as apparent from FIG. 2, the traveling direction of the light reflected by the surface Sm and the light reflected by the surface Sx is reversed with respect to the optical axis Ax.
これに対し、偏芯測定装置1では、第1及び第2のマスク5、8は当該偏芯測定装置1内において、パターンが互いに光軸Axに沿って180度回転共役となるように配置されている。そのため、第1のマスク5の通過部5bを通過した光が被検面Smで反射した場合には第2のマスク8の通過部8bに到達するため第2のマスク8を通過できるが、第1のマスク5の通過部5bを通過した光が面Sxで反射した場合には第2のマスク8の遮蔽部8aに到達してしまう。これは、図2に示されるように、被検面Smで反射した光は入射光と同じ光路方向に反射されるのに対し、被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある面Sxで反射した光は入射光の光路とは光軸Axに対して対称な光路方向に反射されることによる。
On the other hand, in the
その結果、偏芯測定装置1では、被検面Smで反射された測定光のみが第2のマスク8の通過部8bを通過し位置センサ10に到達する。そして、被検面Smで反射された測定光と面Sxで反射されたノイズ光との区別がつかず、面Sxで反射されたノイズ光が測定に影響を与えてしまうことが抑制される。
As a result, in the
結像光学系7は、その焦点距離を変えることができる可変焦点距離光学系である。そのため、被検体Sを交換して被検面Smの曲率中心の位置が変化しても、結像光学系7の焦点距離を変えて、集光点の位置を変えることができる。これにより、偏芯測定装置1では、さまざまな形状の被検体の偏芯量を精度よく測定することが可能となる。
(第2実施形態)
The imaging
(Second Embodiment)
図3を参照して、第2実施形態に係る偏芯測定装置11の構成について説明する。偏芯測定装置11は、第1及び第2のマスク5、8の2つのマスクではなく、1つのマスク5のみを備える点で第1実施形態に係る偏芯測定装置1と相違する。図3は、第2実施形態に係る偏芯測定装置の構成図である。
With reference to FIG. 3, the structure of the
図3に示す偏芯測定装置11は、光源2と、ビームエクスパンダ3と、絞り4と、ビームスプリッタ(光反射透過部材)6と、マスク5と、結像光学系7と、集光光学系(集光手段)9と、位置センサ(位置観察手段)10とを備えている。偏芯測定装置11は、光源2から出力された光Lを、マスク5及び結像光学系7を介して被検体Sに入射させ、被検体Sの被検面Smで反射された光Lを再度マスク5及び結像光学系7を介して位置センサ10に入射させることで、被検体Sの偏芯量を測定する装置である。
3 includes a
ビームスプリッタ6は、ビームエクスパンダ3を通過した光Lを透過してマスク5に入射させる。ビームスプリッタ6はまた、被検体Sで反射した後、結像光学系7及びマスク5を通過した光Lを反射して、集光光学系9に入射させる。すなわち、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光は透過し、被検体Sで反射した光は反射することによって、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離する。このように、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離するビーム分割手段としても、また被検体Sで反射した光を集光光学系9に導くガイド部材としても機能する。
The
マスク5は、被検体Sに入射する前の光L及び被検体Sで反射した後の光Lの双方が入射する位置、より詳しくはビームスプリッタ6と結像光学系7との間に配置されている。
The
円形状を呈するマスク5は、光を遮蔽する3つの遮蔽部5aと光を通過させる3つの通過部5bとからなるパターンを有する。遮蔽部5aと通過部5bとは周方向で交互に配置されている。遮蔽部5a及び通過部5bは何れも、円の中心から放射状に伸びる中心角60度の扇形を呈する。第1のマスク5のパターンでは、光軸Axを中心に180度回転させることで遮蔽部5aの位置と通過部5bの位置とが反転する。すなわち、第1のマスク5を光軸Axを中心に180度回転した場合、そのパターンの明暗が反転する。なお、図3では、見易さのため、遮蔽部5aにハッチングを付している。
The
結像光学系7は、所定の焦点距離を有する合焦光学系である。結像光学系7は、被検体Sに入射する前の光Lが通過する位置であって、且つ被検体Sの被検面Smの曲率中心Cから偏芯測定装置1の光軸Axに沿って焦点距離の分だけ離れた位置に配置されている。結像光学系7は、図3では2枚のレンズで表されているが、3枚以上のレンズによって構成されていても、あるいは1枚のレンズで構成されていてもよい。
The imaging
集光光学系9は、被検体Sで反射した後、ビームスプリッタ6で反射した光Lが入射する位置に配置されている。集光光学系9は、マスク5を通過した被検体Sでの反射光Lを位置センサ10上に集光する。集光光学系9は、図3では1枚の光学レンズで表しているが、実際には複数枚の光学レンズによって構成されていてもよい。
The condensing
位置センサ10は、集光光学系9によって集光された光Lの光量重心の位置を観察する。位置センサ10は、観察された反射光Lの光量重心の位置に基づき、光軸Axに対する集光光学系9を通過した被検体Sで反射した後にマスク5を通過した光Lの傾きを検出する。このように、集光光学系9及び位置センサ10は傾き検出手段として機能する。
The
次に、偏芯測定装置11によって被検体Sの偏芯を測定する方法を説明する。まず、光源2から出射された光Lがビームスプリッタ3を通って平行光束にされる。ビームスプリッタ3によって得られた平行光束は、ビームスプリッタ6、マスク5、及び結像光学系7を通過した後、被検体Sの被検面Smに入射する。このとき、平行光束のうち、マスク5の通過部5bに入射した光のみマスク5を通過し、マスク5の遮蔽部5aに入射した光はマスク5を通過することができずここでカットされる。結像光学系7は、被検体Sの被検面Smの曲率中心Cに絞り4の像を投影するように、その焦点距離を変える。
Next, a method for measuring the eccentricity of the subject S by the
被検面Smで反射した光Lは再度結像光学系7及びマスク5を通過した後に、ビームスプリッタ6で反射し集光光学系9に入射する。このとき、被検面Smで反射した光Lのうち、マスク5の通過部5bに入射した光のみマスク5を通過し、マスク5の遮蔽部5aに入射した光はマスク5を通過することができずここでカットされる。集光光学系9に入射した光Lは、位置センサ10に集光される。位置センサ10上のスポットの位置から、光軸Axに対する、被検面Smで反射した後にマスク5を通過した光の傾きを検出する。これにより、被検体Sの被検面Smの偏芯量を検出することができる。
The light L reflected by the test surface Sm passes through the imaging
被検体Sが複数の光学系から構成されている場合において、被検体Sの複数の光学系のうちの一つの面が被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある場合に、曲率中心Cに近い位置にある面で反射した光も偏芯測定装置11内に戻ってしまう。曲率中心Cに近い位置にある面で反射した光は、被検面Smでの反射光を検出することで偏芯量を測定する場合においては、高精度な測定を妨げるノイズとなってしまう。すなわち、曲率中心Cに近い位置にある面で反射された光は、ノイズ光として被検体Sの偏芯量の測定精度を低下させるおそれがある。
In the case where the subject S is composed of a plurality of optical systems, when one surface of the plurality of optical systems of the subject S is at a position close to the center of curvature C of the subject surface Sm, the center of curvature C The light reflected by the surface near the position also returns to the
ここで、図2に基づいて議論したように、被検面Smで反射した光の進行方向は被検面Smに入射した光の進行方向に沿う。これに対し、被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある面で反射した光は、入射光及び光軸Axを含む面内で光軸Axに対し入射光と対称な方向に反転して進行する。すなわち、被検面Smで反射した光と、曲率中心Cに近い位置にある面で反射した光とでは、その進行方向が光軸Axに関して反転した関係となる。 Here, as discussed based on FIG. 2, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm is along the traveling direction of the light incident on the test surface Sm. On the other hand, the light reflected by the surface near the center of curvature C of the test surface Sm is inverted in a direction symmetrical to the incident light with respect to the optical axis Ax within the plane including the incident light and the optical axis Ax. proceed. That is, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm and the light reflected by the surface near the center of curvature C are reversed with respect to the optical axis Ax.
これに対し、偏芯測定装置11では、光軸Axを中心に180度回転させることで遮蔽部5aと通過部5bとが反転するパターンを有するマスク5が当該偏芯測定装置11内において被検体Sに入射する前の光L及び被検体Sで反射した後の光Lの双方が入射する位置に配置されている。そのため、被検体Sに入射前にマスク5の通過部5bを通過した光Lが被検面Smで反射した場合には再度、マスク5の通過部5bに到達し、マスク5を通過できるが、マスク5の通過部5bを通過した光が曲率中心Cに近い位置にある面で反射した場合にはマスク5の遮蔽部5aに到達してしまう。これは、被検面Smで反射した光は入射光と同じ光路方向に反射されるのに対し、被検面Smの曲率中心Cに近い位置にある面で反射した光は入射光の光路とは光軸Axに対して対称な光路方向に反射されることによる。
On the other hand, in the
その結果、偏芯測定装置11では、被検面Smで反射された測定光のみがマスク5の通過部5bを通過し位置センサ10に到達する。そして、被検面Smで反射された測定光と曲率中心Cに近い位置にある面で反射されたノイズ光との区別がつかず、曲率中心Cに近い位置にある面で反射されたノイズ光が測定に影響を与えてしまうことが抑制される。
(第3実施形態)
As a result, in the
(Third embodiment)
図4を参照して、第3実施形態に係る偏芯測定装置20の構成について説明する。第3実施形態に係る偏芯測定装置20は、結像光学系によって絞りの像を投影する位置が被検体の被検面の近軸焦点である点で、結像光学系によって絞りの像を投影する位置が被検体の被検面の曲率中心である第1実施形態に係る偏芯測定装置1とは相違する。図4は、第3実施形態に係る偏芯測定装置の構成図である。
With reference to FIG. 4, the structure of the
図4に示す偏芯測定装置20は、光源2と、ビームエクスパンダ3と、絞り4と、結像光学系7と、第1のマスク5と、ビームスプリッタ(光反射透過部材)6と、第2のマスク8と、集光光学系(集光手段)9と、位置センサ(位置観察手段)10とを備えている。偏芯測定装置20は、光源2から出力された光Lを、結像光学系7及び第1のマスク5を介して被検体Sに入射させ、被検体Sの被検面Smで反射された光Lを第2のマスク8を介して位置センサ10に入射させることで、被検体Sの偏芯量を測定する装置である。
4 includes a
光源2は、光Lをビームエクスパンダ3に入射する。ビームエクスパンダ3は、光源2から出力された光Lの光束径を拡大した上で、平行光束にコリメートする。ビームエクスパンダ3は、平行光束にコリメートした光Lを結像光学系7に入射させる。ビームエクスパンダ3は、図4では2枚のレンズで表されているが、3枚以上のレンズによって構成されていてもよい。
The
ビームエクスパンダ3内には、絞り4が配置されている。絞り4の像が、後述の結像光学系7によって被検体Sの被検面Smの近軸焦点Fに投影される。
A diaphragm 4 is disposed in the
結像光学系7は、所定の焦点距離を有する合焦光学系である。結像光学系7は、被検体Sに入射する前の光Lが通過する位置であって、且つ被検体Sとともに被検体Sの被検面Smの近軸焦点Fに絞り4の像を結像する位置に配置される。結像光学系7は、図4では2枚のレンズで表されているが、3枚以上のレンズによって構成されていても、あるいは1枚のレンズで構成されていてもよい。
The imaging
第1のマスク5は、被検体Sに入射する前の光Lが入射する位置、より詳しくは結像光学系7とビームスプリッタ6との間に配置されている。第1のマスク5は、偏芯測定装置20の光源側光学系内に配置される。
The
円形状を呈する第1のマスク5は、光を遮蔽する3つの遮蔽部5aと光を通過させる3つの通過部5bとからなるパターンを有する。図4では、見易さのため、遮蔽部5aにハッチングを付している。
The
ビームスプリッタ6は、第1のマスク5の通過部5aを通過した光Lを透過して被検体Sに入射させる。ビームスプリッタ6はまた、被検体Sで反射した光Lを反射して、第2のマスク8に入射させる。すなわち、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光は透過し、被検体Sで反射した光は反射することによって、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離する。このように、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離するビーム分割手段としても、また被検体Sで反射した光を集光光学系9に導くガイド部材としても機能する。
The
第2のマスク8は、被検体Sで反射した後の光Lが入射する位置、より詳しくはビームスプリッタ6と集光光学系9との間に配置されている。第2のマスク8には、被検体Sで反射された光Lがビームスプリッタ6で反射された後、入射する。第2のマスク8は、偏芯測定装置20の検出系内に配置される。
The
円形状を呈する第2のマスク8は、光を遮蔽する3つの遮蔽部8aと光を通過させる3つの通過部8bとからなるパターンを有する。図4では、見易さのため、遮蔽部8aにハッチングを付している。
The
第1及び第2のマスク5、8は、偏芯測定装置20においてパターンが互いに光軸Axに沿って180度回転共役となるように配置されている。すなわち、偏芯測定装置20では、第1のマスク5と第2のマスク8とが、ビームスプリッタ6及び被検面Smに対してパターンが互いに180度回転共役となるように配置されている。
The first and
集光光学系9は、第2のマスク8を通過した被検体Sでの反射光Lを位置センサ10上に集光する。集光光学系9は、図4では1枚の光学レンズで表しているが、実際には複数枚の光学レンズによって構成されていてもよい。
The condensing
位置センサ10は、集光光学系9によって集光された光Lの光量重心の位置を観察する。位置センサ10はさらに、観察された反射光Lの光量重心の位置に基づき、光軸Axに対する集光光学系9を通過した被検体Sで反射した後に第2のマスク8を通過した光Lの傾きを検出する。このように、集光光学系9及び位置センサ10は傾き検出手段として機能する。
The
次に、偏芯測定装置20によって被検体Sの偏芯を測定する方法を説明する。まず、光源2から出射された光Lがビームスプリッタ3を通って平行光束にされる。ビームスプリッタ3によって得られた平行光束は、結像光学系7、第1のマスク5、及びビームスプリッタ6を通過した後、被検体Sの被検面Smに入射する。このとき、平行光束のうち、第1のマスク5の通過部5bに入射した光のみ第1のマスク5を通過し、第1のマスク5の遮蔽部5aに入射した光は第1のマスク5を通過することができずここでカットされる。結像光学系7は被検体Sとともに、被検体Sの被検面Smの近軸中心Fに絞り4の像を投影するように、その焦点距離を変える。
Next, a method for measuring the eccentricity of the subject S using the
被検面Smで反射した光Lはビームスプリッタ6に戻りそこで反射し、第2のマスク8に入射する。このとき、被検面Smで反射した光Lのうち、第2のマスク8の通過部8bに入射した光のみ第2のマスク8を通過し、第2のマスク8の遮蔽部8aに入射した光は第2のマスク8を通過することができずここでカットされる。第2のマスク8を通過した光Lは、集光光学系9を介して位置センサ10に集光される。位置センサ10上のスポットの位置から、光軸Axに対する、被検面Smで反射した後に第2のマスク8を通過した光の傾きを検出する。これにより、被検体Sの被検面Smの偏芯量を検出することができる。
The light L reflected by the test surface Sm returns to the
被検体Sが複数の光学系から構成されている場合、例えば図5に示されるように、被検体Sの複数の光学系のうちの一つの面Sxが被検面Smの近軸焦点Fに近い位置にある場合に、面Sxで反射した光も偏芯測定装置20内に戻ってしまう。面Sxで反射した光は、被検面Smでの反射光を検出することで偏芯量を測定する場合において、高精度な測定を妨げるノイズとなってしまう。すなわち、面Sxで反射された光は、ノイズ光として被検体Sの偏芯量の測定精度を低下させるおそれがある。
When the subject S is composed of a plurality of optical systems, for example, as shown in FIG. 5, one surface Sx of the plurality of optical systems of the subject S is a paraxial focal point F of the subject surface Sm. When it is in a close position, the light reflected by the surface Sx also returns into the
ここで、図5から理解されるように、被検面Smで反射した光の進行方向と、被検面Smに入射した光の進行方向とは、光軸Axに対して反転することなく、光軸Axに関して同じ方向のままである。これに対し、被検面Smの近軸焦点Fに近い位置にある面Sxで反射した光は、入射光及び光軸Axを含む面内で光軸Axに対し入射光と対称な方向に反転して進行する。すなわち、図5から明らかなように、被検面Smで反射した光と、面Sxで反射した光とでは、その進行方向が光軸Axに関して略反転した関係となる。 Here, as understood from FIG. 5, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm and the traveling direction of the light incident on the test surface Sm are not reversed with respect to the optical axis Ax. It remains in the same direction with respect to the optical axis Ax. On the other hand, the light reflected by the surface Sx located near the paraxial focal point F of the test surface Sm is inverted in a direction symmetrical to the incident light with respect to the optical axis Ax within the plane including the incident light and the optical axis Ax. Then proceed. That is, as is clear from FIG. 5, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm and the light reflected by the surface Sx are substantially reversed with respect to the optical axis Ax.
これに対し、偏芯測定装置20では、第1及び第2のマスク5、8は当該偏芯測定装置20内において、パターンが互いに光軸Axに沿って180度回転共役となるように配置されている。そのため、第1のマスク5の通過部5bを通過した光が被検面Smで反射した場合には光軸Axに関して進行方向が反転することなく第2のマスク8の通過部8bに到達するため第2のマスク8を通過できるが、第1のマスク5の通過部5bを通過した光が面Sxで反射した場合には光軸Axに関して進行方向が反転してしまうため第2のマスク8の遮蔽部8aに到達してしまう。
On the other hand, in the
その結果、偏芯測定装置20では、被検面Smで反射された測定光のみが第2のマスク8の通過部8bを通過し位置センサ10に到達する。そして、被検面Smで反射された測定光と面Sxで反射されたノイズ光との区別がつかず、面Sxで反射されたノイズ光が測定に影響を与えてしまうことが抑制される。
As a result, in the
結像光学系7は、その焦点距離を変えることができる可変焦点距離光学系である。そのため、被検体Sを交換して被検面Smの近軸焦点の位置が変化しても、結像光学系7の焦点距離を変えて、集光点の位置を変えることができる。これにより、偏芯測定装置20では、さまざまな形状の被検体の偏芯量を精度よく測定することが可能となる。
(第4実施形態)
The imaging
(Fourth embodiment)
図6を参照して、第4実施形態に係る偏芯測定装置21の構成について説明する。偏芯測定装置21は、第1及び第2のマスク5、8の2つのマスクではなく、1つのマスク5のみを備える点で第3実施形態に係る偏芯測定装置20と相違する。図6は、第4実施形態に係る偏芯測定装置の構成図である。
With reference to FIG. 6, the structure of the
図6に示す偏芯測定装置21は、光源2と、ビームエクスパンダ3と、絞り4と、結像光学系7と、ビームスプリッタ(光反射透過部材)6と、マスク5と、集光光学系(集光手段)9と、位置センサ(位置観察手段)10とを備えている。偏芯測定装置21は、光源2から出力された光Lを、マスク5及び結像光学系7を介して被検体Sに入射させ、被検体Sの被検面Smで反射された光Lを今度はマスク5のみを介して位置センサ10に入射させることで、被検体Sの偏芯量を測定する装置である。
6 includes a
ビームスプリッタ6は、結像光学系7を通過した光Lを透過してマスク5に入射させる。ビームスプリッタ6はまた、被検体Sで反射した後、マスク5を通過した光Lを反射して、集光光学系9に入射させる。すなわち、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光は透過し、被検体Sで反射した光は反射することによって、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離する。このように、ビームスプリッタ6は、被検体Sに入射する光と被検体Sで反射した光とを分離するビーム分割手段としても、また被検体Sで反射した光を集光光学系9に導くガイド部材としても機能する。
The
マスク5は、被検体Sに入射する前の光L及び被検体Sで反射した後の光Lの双方が入射する位置、より詳しくはビームスプリッタ6と被検体Sとの間に配置されている。
The
円形状を呈するマスク5は、光を遮蔽する3つの遮蔽部5aと光を通過させる3つの通過部5bとからなるパターンを有する。図6では、見易さのため、遮蔽部5aにハッチングを付している。
The
集光光学系9は、被検体Sで反射した後、ビームスプリッタ6で反射した光Lが入射する位置に配置されている。集光光学系9は、マスク5を通過した被検体Sでの反射光Lを位置センサ10上に集光する。集光光学系9は、図6では1枚の光学レンズで表しているが、実際には複数枚の光学レンズによって構成されていてもよい。
The condensing
位置センサ10は、集光光学系9によって集光された光Lの光量重心の位置を観察する。位置センサ10は、観察された反射光Lの光量重心の位置に基づき、光軸Axに対する被検体Sで反射した後にマスク5を通過した光であって、集光光学系9を通過した光Lの傾きを検出する。このように、集光光学系9及び位置センサ10は傾き検出手段として機能する。
The
次に、偏芯測定装置21によって被検体Sの偏芯を測定する方法を説明する。まず、光源2から出射された光Lがビームスプリッタ3を通って平行光束にされる。ビームスプリッタ3によって得られた平行光束は、結像光学系7、ビームスプリッタ6、及びマスク5を通過した後、被検体Sの被検面Smに入射する。このとき、平行光束のうち、マスク5の通過部5bに入射した光のみマスク5を通過し、マスク5の遮蔽部5aに入射した光はマスク5を通過することができずここでカットされる。結像光学系7は、被検体Sとともに、被検体Sの被検面Smの近軸焦点Fに絞り4の像を投影するように、その焦点距離を変える。
Next, a method for measuring the eccentricity of the subject S by the
被検面Smで反射した光Lはマスク5を通過した後に、ビームスプリッタ6で反射し集光光学系9に入射する。このとき、被検面Smで反射した光Lのうち、マスク5の通過部5bに入射した光のみマスク5を通過し、マスク5の遮蔽部5aに入射した光はマスク5を通過することができずここでカットされる。集光光学系9に入射した光Lは、位置センサ10に集光される。位置センサ10上のスポットの位置から、光軸Axに対する、被検面Smで反射した後にマスク5を通過した光の傾きを検出する。これにより、被検体Sの被検面Smの偏芯量を検出することができる。
The light L reflected by the test surface Sm passes through the
被検体Sが複数の光学系から構成されている場合において、被検体Sの複数の光学系のうちの一つの面が被検面Smの近軸焦点Fに近い位置にある場合に、近軸焦点Fに近い位置にある面で反射した光も偏芯測定装置21内に戻ってしまう。近軸焦点Fに近い位置にある面で反射した光は、被検面Smでの反射光を検出することで偏芯量を測定する場合においては、高精度な測定を妨げるノイズとなってしまう。すなわち、近軸焦点Fに近い位置にある面で反射された光は、ノイズ光として被検体Sの偏芯量の測定精度を低下させるおそれがある。
In the case where the subject S is composed of a plurality of optical systems, when one surface of the plurality of optical systems of the subject S is at a position close to the paraxial focus F of the subject surface Sm, the paraxial The light reflected by the surface close to the focal point F also returns to the
ここで、図5に基づいて議論したように、被検面Smで反射した光の進行方向と被検面Smに入射した光の進行方向とは、光軸Axに関して反転した関係とはならず、光軸Axに関して同じ方向のままである。これに対し、被検面Smの近軸焦点Fに近い位置にある面で反射した光は、入射光及び光軸Axを含む面内で光軸Axに対し入射光と対称な方向に反転して進行する。すなわち、被検面Smで反射した光と、近軸焦点Fに近い位置にある面で反射した光とでは、その進行方向が光軸Axに関して略反転した関係となる。 Here, as discussed based on FIG. 5, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm and the traveling direction of the light incident on the test surface Sm are not in an inverted relationship with respect to the optical axis Ax. , The same direction with respect to the optical axis Ax remains. On the other hand, the light reflected by the surface close to the paraxial focal point F of the test surface Sm is inverted in a direction symmetrical to the incident light with respect to the optical axis Ax within the plane including the incident light and the optical axis Ax. And proceed. That is, the traveling direction of the light reflected by the test surface Sm and the light reflected by the surface near the paraxial focal point F are substantially reversed with respect to the optical axis Ax.
これに対し、偏芯測定装置21では、光軸Axを中心に180度回転させることで遮蔽部5aと通過部5bとが反転するパターンを有するマスク5が当該偏芯測定装置21内において被検体Sに入射する前の光L及び被検体Sで反射した後の光Lの双方が入射する位置に配置されている。そのため、被検体Sに入射前にマスク5の通過部5bを通過した光Lが被検面Smで反射した場合には再度、マスク5の通過部5bに到達し、マスク5を通過できるが、マスク5の通過部5bを通過した光が近軸焦点Fに近い位置にある面で反射した場合にはマスク5の遮蔽部5aに到達してしまう。
On the other hand, in the
その結果、偏芯測定装置21では、被検面Smで反射された測定光のみがマスク5の通過部5bを通過し位置センサ10に到達する。そして、被検面Smで反射された測定光と近軸焦点Fに近い位置にある面で反射されたノイズ光との区別がつかず、近軸焦点Fに近い位置にある面で反射されたノイズ光が測定に影響を与えてしまうことが抑制される。
As a result, in the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、第1及び第2のマスク5、8、マスク5は、図1、3、4、6に示されたようなそれぞれ3つの遮蔽部5a、8aと3つの通過部5b、8bとが交互に配置されたパターンに限られない。第1及び第2のマスク5、8及びマスク5は、マスクを180度回転させることでパターンが反転するようなパターンであればよい。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, the first and
具体的には、例えば、図7及び図8に示されるように、奇数個の遮蔽部とそれと同数の通過部と、等しい中心角を有する扇形状を呈した上で交互に配置されるようなパターンでもよい。すなわち、図7に示されるように、第1のマスク5(マスク5)及び第2のマスク8がそれぞれ、1つの遮蔽部5a、8aと1つの通過部5b、8bとによって形成されるパターンを呈してもよい。この場合、遮蔽部5a、8a及び通過部5b、8bは何れも半円形状を呈する。または、図8に示されるように、第1のマスク5(マスク5)及び第2のマスク8がそれぞれ、5つの遮蔽部5a、8aと5つの通過部5b、8bとによって形成されるパターンを呈してもよい。この場合、遮蔽部5a、8a及び通過部5b、8bは何れも中心角36度の扇形状を呈する。
Specifically, for example, as shown in FIG. 7 and FIG. 8, an odd number of shielding portions and the same number of passage portions and fan shapes having the same central angle are alternately arranged and arranged alternately. It may be a pattern. That is, as shown in FIG. 7, the first mask 5 (mask 5) and the
また、位置センサ10において光量も検出可能とし、位置センサ10によって検出された光量重心の位置及び光量を、マスク5、8を入れないときに検出した光の光量重心の位置及び光量と比較することによって、被検面Smの偏芯量を算出してもよい。この場合、マスク5、8を入れないことにより、位置センサ10は、被検面Smで反射した光と被検面Smの曲率中心(又は近軸焦点)近傍に有る面Sxで反射した光との総合光量の光量重心位置及び光量を検出する。
The
また、上述の説明では、位置センサ10は、集光光学系9によって集光された光Lの光量重心の位置を観察している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば集光された光の光量が最大となる光量最大の位置を観察してもよい。
In the above description, the
また、結像光学系7は、焦点距離を変えることができず、固定された焦点距離を有する光学系であってもよい。
The imaging
1、11、20、21…偏芯測定装置、2…光源、3…ビームエクスパンダ、4…絞り、5…第1のマスク、6…ビームスプリッタ、7…結像光学系、8…第2のマスク、9…集光光学系、10…位置センサ。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
所定の焦点距離を有し、前記被検体に入射する前の光が通過する位置に配置される結像光学系と、
光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、前記被検体に入射する前の光及び前記被検体で反射した後の光の双方が入射する位置に配置されるマスクと、
前記装置の光軸に対する、前記被検体で反射した後に前記マスクを通過した光の傾きを検出する傾き検出手段と、を備えることを特徴とする偏芯測定装置。 An apparatus for measuring the amount of eccentricity of a subject,
An imaging optical system having a predetermined focal length and disposed at a position where light before entering the subject passes;
It comprises a shielding part that shields light and a passing part that allows light to pass through, and has a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis, and A mask disposed at a position where both the light before being incident on the subject and the light after being reflected by the subject are incident;
An eccentricity measuring device comprising: an inclination detecting unit that detects an inclination of light that has passed through the mask after being reflected by the subject with respect to an optical axis of the device.
所定の焦点距離を有し、前記被検体に入射する前の光が通過する位置に配置される結像光学系と、
光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、前記被検体に入射する前の光が入射する位置に配置される第1のマスクと、
光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有するとともに、前記被検体で反射した後の光が入射する位置に配置される第2のマスクと、
前記装置の光軸に対する、前記被検体で反射した後に前記第2のマスクを通過した光の傾きを検出する傾き検出手段と、を備え、
前記第1及び第2のマスクは、前記パターンが互いに前記光軸に沿って180度回転共役となるように配置されていることを特徴とする偏芯測定装置。 An apparatus for measuring the amount of eccentricity of a subject,
An imaging optical system having a predetermined focal length and disposed at a position where light before entering the subject passes;
It comprises a shielding part that shields light and a passing part that allows light to pass through, and has a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis, and A first mask arranged at a position where light before entering the subject enters;
It comprises a shielding part that shields light and a passing part that allows light to pass through, and has a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis, and A second mask disposed at a position where light after being reflected by the subject enters;
Inclination detecting means for detecting the inclination of light that has passed through the second mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus,
The eccentric measuring apparatus, wherein the first and second masks are arranged such that the patterns are 180 ° rotationally conjugate with each other along the optical axis.
光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有するマスク、及び所定の焦点距離を有する結像光学系の双方を通過した光を前記被検体に入射させる工程と、
前記被検体で反射した光に前記マスクを通過させる工程と、
前記装置の光軸に対する、前記被検体で反射した後に前記マスクを通過した光の傾きを検出する工程と、を備えることを特徴とする偏芯測定方法。 A method for measuring the amount of eccentricity of a subject,
A mask comprising a shielding part for shielding light and a passing part for allowing light to pass, and having a pattern in which the position of the shielding part and the position of the passing part are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis; and Allowing light that has passed through both of the imaging optical system having a predetermined focal length to enter the subject; and
Passing the mask through the light reflected by the subject;
And a step of detecting an inclination of light that has passed through the mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus.
光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有する第1のマスク、及び所定の焦点距離を有する結像光学系の双方を通過した光を前記被検体に入射させる工程と、
前記被検体で反射した光に、光を遮蔽する遮蔽部と光を通過させる通過部とからなり、前記光軸を中心に180度回転させることで前記遮蔽部の位置と前記通過部の位置とが反転するパターンを有する第2のマスクを通過させる工程と、
前記装置の光軸に対する、前記被検体で反射した後に前記第2のマスクを通過した光の傾きを検出する工程と、を備え、
前記第1及び第2のマスクは、前記パターンが互いに前記光軸に沿って180度回転共役となるように配置されていることを特徴とする偏芯測定方法。 A method for measuring the amount of eccentricity of a subject,
A first portion having a pattern in which the position of the shielding portion and the position of the passage portion are reversed by rotating 180 degrees around the optical axis. Making light incident on both the mask and the imaging optical system having a predetermined focal length incident on the subject;
The light reflected by the subject includes a shielding part that shields the light and a passing part that allows the light to pass through. The position of the shielding part and the position of the passing part are rotated by 180 degrees about the optical axis. Passing through a second mask having a pattern in which
Detecting an inclination of light that has passed through the second mask after being reflected by the subject with respect to the optical axis of the apparatus, and
The eccentric measurement method, wherein the first and second masks are arranged such that the patterns are 180 ° rotationally conjugate with each other along the optical axis.
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-
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