JP2009117554A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device Download PDF

Info

Publication number
JP2009117554A
JP2009117554A JP2007287844A JP2007287844A JP2009117554A JP 2009117554 A JP2009117554 A JP 2009117554A JP 2007287844 A JP2007287844 A JP 2007287844A JP 2007287844 A JP2007287844 A JP 2007287844A JP 2009117554 A JP2009117554 A JP 2009117554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
processing chamber
valve
processing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007287844A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Moriya
敦 森谷
Yasuhiro Inokuchi
泰啓 井ノ口
Yasuaki Hashiba
祥晶 橋場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2007287844A priority Critical patent/JP2009117554A/en
Publication of JP2009117554A publication Critical patent/JP2009117554A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device for suppressing the reverse diffusion (backflow) of contaminants from an exhaust means into a treatment chamber. <P>SOLUTION: The substrate treatment device includes the treatment chamber 201 for carrying out treatment to a substrate under reduced pressure, a gas supply means 232 for supplying desired gas into the treatment chamber 201, the exhaust means 231 for exhausting an atmosphere in the treatment chamber 201, a first valve 177 provided in the gas supply means 232, a second valve 242 provided in the exhaust means, a pressure detecting means for detecting pressure in the treatment chamber 201, and a control meas 240 for controlling the first valve 177, the second valve 242 and the pressure detecting means. The control means 240 opens the second valve 242 to exhaust the atmosphere in the treatment chamber 201 while opening the first valve 177 to supply inactive gas into the treatment chamber 201, and determines no occurrence of leakage when pressure detected by the pressure detecting means after the elapse of a predetermined time is lower than a predetermined reference value and determines the occurrence of leakage when the detected pressure is the predetermined reference value or higher. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、減圧下で基板を処理する処理室を有する基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus having a processing chamber for processing a substrate under reduced pressure.

半導体装置の製造工程の一工程として、減圧下で基板を処理する基板処理工程が実施されてきた。かかる基板処理工程は、減圧下で基板を処理する処理室と、処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を有する基板処理装置により実施されてきた。   As a process for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing process for processing a substrate under reduced pressure has been performed. Such a substrate processing step is performed by a substrate processing apparatus having a processing chamber for processing a substrate under reduced pressure, a gas supply means for supplying a desired gas into the processing chamber, and an exhaust means for exhausting the atmosphere in the processing chamber. I came.

なお、上述の基板処理工程を実施する前に、処理室の気密性（すなわち、処理室におけるリークの有無）に関する判定が実施されてきた。かかる判定は、ガス供給手段による処理室内へのガスの供給を停止しつつ、排気手段により処理室内の雰囲気を限界まで引き切り、処理室内の圧力を所定の圧力まで到達（減圧）させることが可能であるか否かを確認することにより実施されてきた。   In addition, before performing the above-mentioned substrate processing process, the determination regarding the airtightness (that is, the presence or absence of leakage in the processing chamber) of the processing chamber has been performed. In this determination, the gas supply means can stop the gas supply to the processing chamber, and the exhaust means can cut the atmosphere in the processing chamber to the limit, and the pressure in the processing chamber can be reached (depressurized) to a predetermined pressure. It has been carried out by checking whether or not.

しかしながら、上述の判定を行うと、排気手段内の汚染物質が処理室内へと逆拡散（逆流）してしまう場合があった。その結果、例えば基板へのエピタキシャル成長が阻害されたり、基板への反応ガスの吸着が阻害されたりする場合があった。   However, when the above-described determination is performed, there is a case where the pollutant in the exhaust means is reversely diffused (backflowed) into the processing chamber. As a result, for example, epitaxial growth on the substrate may be hindered, or reaction gas adsorption on the substrate may be hindered.

そこで本発明は、処理室におけるリークの有無を判定する際に、排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制可能な基板処理装置を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the back diffusion (back flow) of contaminants in the exhaust means into the processing chamber when determining the presence or absence of leakage in the processing chamber.

本発明の第１の態様によれば、減圧下で基板を処理する処理室と、前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記ガス供給手段に設けられる第１のバルブと、前記排気手段に設けられる第２のバルブと、前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段と、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記第１のバルブを開けて前記処理室内に不活性ガスを供給しつつ、前記第２のバルブを開けて前記処理室内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に前記圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、前記検知した圧力が前記所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する基板処理装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate under reduced pressure, a gas supply means for supplying a desired gas into the processing chamber, an exhaust means for exhausting an atmosphere in the processing chamber, A first valve provided in the gas supply means; a second valve provided in the exhaust means; a pressure detection means for detecting a pressure in the processing chamber; the first valve; the second valve; Control means for controlling each of the pressure detection means, and the control means opens the second valve and opens the second valve while supplying the inert gas into the processing chamber. If the atmosphere in the processing chamber is exhausted and the pressure detected by the pressure detecting means is less than a predetermined reference pressure after a predetermined time has elapsed, it is determined that there is no leakage, and the detected pressure is greater than or equal to the predetermined reference pressure. If there is a leak The substrate processing apparatus is provided.

本発明にかかる基板処理装置によれば、処理室におけるリークの有無を判定する際に、排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制できる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, when the presence or absence of a leak in the processing chamber is determined, it is possible to prevent the contaminant in the exhaust unit from back-diffusing (backflowing) into the processing chamber.

上述したとおり、処理室内の雰囲気を排気手段の限界まで引き切って判定を行うと、排気手段内の汚染物質が処理室内へと逆拡散（逆流）してしまう場合があった。処理室内に汚染物質が逆拡散（逆流）すると、例えば基板へのエピタキシャル成長が阻害されたり、基板への反応ガスの吸着が阻害されたりする場合があった。リーク有無の判定を実施した後、処理室内に例えば高温のＨ２を導入してベイクし、処理室２０１内に吸着した汚染物質を脱離させる方法も考えられる。しかしながら、半導体装置の微細化が進むにつれて基
板処理温度を低温化させる必要があり、処理室内を高温にするベイクを実施することは困難であった。 As described above, when the determination is made by pulling the atmosphere in the processing chamber to the limit of the exhaust means, there is a case where the contaminants in the exhaust means are reversely diffused (reverse flow) into the processing chamber. When the contaminants are reversely diffused (reverse flow) in the processing chamber, for example, epitaxial growth on the substrate may be hindered, or reaction gas adsorption to the substrate may be hindered. After determining whether or not there is a leak, for example, high-temperature H 2 may be introduced into the processing chamber and baked to desorb contaminants adsorbed in the processing chamber 201. However, it is necessary to lower the substrate processing temperature as the semiconductor device becomes finer, and it has been difficult to perform baking to increase the temperature in the processing chamber.

そこで発明者等は、まず、逆拡散（逆流）の原因について鋭意研究を行った。その結果、処理室内の雰囲気を限界まで引き切ると、処理室内の圧力と排気手段内の圧力とがほぼ等しくなり、それによって汚染物質の逆拡散（逆流）が生じてしまっていることを突き止めた。発明者等はさらなる検討を実施した結果、処理室内の雰囲気を限界まで引き切ることなくリーク有無の判定を行うことが可能であり、これにより、処理室内への汚染物質の逆拡散（逆流）を抑制できるとの知見を得た。本発明は、発明者等が得たかかる知見を基になされたものである。   Therefore, the inventors first conducted intensive research on the cause of despreading (reverse flow). As a result, it was found that when the atmosphere in the processing chamber was cut to the limit, the pressure in the processing chamber was almost equal to the pressure in the exhaust means, which caused the back diffusion of the pollutant (back flow). . As a result of further studies, the inventors have been able to determine the presence or absence of a leak without cutting the atmosphere in the processing chamber to the limit, thereby reducing the back diffusion (backflow) of contaminants into the processing chamber. The knowledge that it can suppress was obtained. The present invention has been made based on such knowledge obtained by the inventors.

＜本発明の一実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉、及び処理炉周辺の概略構成図である。 <One Embodiment of the Present Invention>
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus First, the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a processing furnace and a periphery of the processing furnace of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置は、筐体１０１を有している。筐体１０１の内部の前面側（図１の右側）には、カセットステージ１１４が設けられている。カセットステージ１１４は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット１１０の授受を行うように構成されている。また、カセットステージ１１４の後側には、カセット１１０を昇降移動させる昇降手段としてのカセットエレベータ１１８が設けられている。カセットエレベータ１１８には、カセット１１０を水平移動させる搬送手段としてのカセット移載機１１８ｂが設けられている。さらに、カセットエレベータ１１８の後側には、カセット１１０の載置手段としてのカセット棚１１８ａが設けられている。カセット棚１１８ａには、移載棚１２３が設けられている。移載棚１２３には、処理対象の基板や処理後の基板を収容したカセット１１０が一時的に載置される。また、カセットステージ１１４の上方には、カセット１１０の載置手段としての予備カセット棚１０７が設けられている。そして、予備カセット棚１０７の上方には、クリーンエアを筐体１０１の内部に流通させるクリーンユニット１３４ａが設けられている。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present embodiment has a housing 101. A cassette stage 114 is provided on the front side inside the housing 101 (on the right side in FIG. 1). The cassette stage 114 is configured to exchange the cassette 110 as a substrate storage container with an external transfer device (not shown). A cassette elevator 118 is provided on the rear side of the cassette stage 114 as an elevating means for moving the cassette 110 up and down. The cassette elevator 118 is provided with a cassette transfer machine 118b as a conveying means for moving the cassette 110 horizontally. Further, a cassette shelf 118 a as a means for placing the cassette 110 is provided on the rear side of the cassette elevator 118. A transfer shelf 123 is provided on the cassette shelf 118a. On the transfer shelf 123, a cassette 110 that accommodates a substrate to be processed and a substrate after processing is temporarily placed. Further, a spare cassette shelf 107 as a mounting means for the cassette 110 is provided above the cassette stage 114. A clean unit 134 a for circulating clean air inside the housing 101 is provided above the spare cassette shelf 107.

筐体１０１の後部（図１の左側）の上方には、下端部が開放した円筒形状の処理炉２０２が垂直に設けられている。処理炉２０２の詳細な構成については後述する。   A cylindrical processing furnace 202 having a lower end opened is vertically provided above the rear portion (left side in FIG. 1) of the casing 101. A detailed configuration of the processing furnace 202 will be described later.

処理炉２０２の下方には、昇降手段としてのボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の下端部には、昇降基板２５２が設けられている。昇降基板２５２上には、基板保持手段としてのボート１３０が、蓋体としてのシールキャップ２１９を介して垂直に取り付けられている。ボートエレベータ１１５及びボート１３０の構成については後述する。ボートエレベータ１１５が上昇すると、処理炉２０２の内部にボート１３０が搬入されると共に、処理炉２０２の下端部がシールキャップ２１９により気密に封止されるように構成されている。また、処理炉２０２の下端部の横には、閉塞手段としての炉口シャッタ１４７が設けられている。炉口シャッタ１４７は、ボートエレベータ１１５が下降している間、処理炉２０２の下端部を気密に閉塞するように構成されている。   Below the processing furnace 202, a boat elevator 115 as an elevating means is provided. A lift board 252 is provided at the lower end of the boat elevator 115. On the elevating substrate 252, a boat 130 as a substrate holding unit is vertically attached via a seal cap 219 as a lid. The configurations of the boat elevator 115 and the boat 130 will be described later. When the boat elevator 115 is raised, the boat 130 is carried into the processing furnace 202 and the lower end portion of the processing furnace 202 is hermetically sealed by the seal cap 219. Further, a furnace port shutter 147 as a closing means is provided beside the lower end portion of the processing furnace 202. The furnace port shutter 147 is configured to airtightly close the lower end portion of the processing furnace 202 while the boat elevator 115 is descending.

処理炉２０２とカセット棚１０５との間には、ウエハ２００を昇降移動させる昇降手段としての移載エレベータ１２５ｂが設けられている。移載エレベータ１２５ｂには、ウエハ２００を水平移動させる搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取り付けられている。   Between the processing furnace 202 and the cassette shelf 105, a transfer elevator 125b is provided as an elevating means for moving the wafer 200 up and down. A wafer transfer machine 112 as a transfer means for moving the wafer 200 horizontally is attached to the transfer elevator 125b.

（２）基板処理装置の動作
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置の動作について、図１を参照しながら説明す
る。 (2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

まず、ウエハ２００が装填されたカセット１１０が、図示しない外部搬送装置により搬送されて、カセットステージ１１４上に載置される。この際、ウエハ２００が縦向きの姿勢になるように載置される。その後、カセットステージ１１４が９０°回転することにより、ウエハ２００の表面は基板処理装置の上方（すなわち図１の上方）を向き、ウエハ２００は水平姿勢となる。   First, the cassette 110 loaded with the wafers 200 is transferred by an external transfer device (not shown) and placed on the cassette stage 114. At this time, the wafer 200 is placed in a vertically oriented posture. Thereafter, when the cassette stage 114 is rotated by 90 °, the surface of the wafer 200 faces upward from the substrate processing apparatus (that is, upward in FIG. 1), and the wafer 200 is in a horizontal posture.

その後、カセットエレベータ１１８の昇降動作および横行動作と、カセット移載機１１８ｂの進退動作および回転動作との協調動作により、カセット１１０が、カセットステージ１１４上からカセット棚１１８ａ上または予備カセット棚１０７上へと搬送される。その後、ウエハ２００の移載に供されるカセット１１０が、カセットエレベータ１１８およびカセット移載機１１８ｂの協調動作により、移載棚１２３上へと移載される。   Thereafter, the cassette 110 is moved from the cassette stage 114 to the cassette shelf 118a or the spare cassette shelf 107 by a coordinated operation of the raising / lowering operation and traversing operation of the cassette elevator 118 and the advance / retreat operation and rotation operation of the cassette transfer machine 118b. It is conveyed. Thereafter, the cassette 110 used for transferring the wafer 200 is transferred onto the transfer shelf 123 by the cooperative operation of the cassette elevator 118 and the cassette transfer machine 118b.

その後、ウエハ移載機１１２の進退動作および回転動作と、移載エレベータ１２５ｂの昇降動作との協調動作により、移載棚１２３上のカセット１１０内に装填されていたウエハ２００が、下降状態のボート１３０内に移載（装填）される。   Thereafter, the wafer 200 loaded in the cassette 110 on the transfer shelf 123 is moved down by the cooperative operation of the advance / retreat operation and rotation operation of the wafer transfer device 112 and the lifting / lowering operation of the transfer elevator 125b. It is transferred (loaded) into 130.

その後、ボートエレベータ１１５が上昇することにより、処理炉２０２の内部にボート１３０が搬入されると共に、シールキャップ２１９により処理炉２０２の内部が気密に封止される。そして、気密に閉塞され減圧された処理炉２０２内でウエハ２００が加熱され、処理炉２０２内に処理ガスが供給されることにより、ウエハ２００の表面に所定の処理がなされる。かかる処理の詳細については後述する。   Thereafter, when the boat elevator 115 is raised, the boat 130 is carried into the processing furnace 202 and the inside of the processing furnace 202 is hermetically sealed by the seal cap 219. Then, the wafer 200 is heated in the processing furnace 202 that is hermetically closed and depressurized, and a processing gas is supplied into the processing furnace 202, whereby a predetermined process is performed on the surface of the wafer 200. Details of this processing will be described later.

ウエハ２００への処理が完了すると、上述の手順とは逆の手順により、処理後のウエハ２００が、ボート１３０内から移載棚１２３上のカセット１１０内へと移載される。そして、処理後のウエハ２００を格納したカセット１１０が、カセット移載機１１８ｂにより、移載棚１２３上からカセットステージ１１４上へと移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部へと搬送される。なお、ボートエレベータ１１５が下降した後は、炉口シャッタ１４７が処理炉２０２の下端部を気密に閉塞して、処理炉２０２内へ外気が侵入することを防止している。   When the processing on the wafers 200 is completed, the processed wafers 200 are transferred from the boat 130 into the cassette 110 on the transfer shelf 123 by a procedure reverse to the above-described procedure. Then, the cassette 110 storing the processed wafer 200 is transferred from the transfer shelf 123 to the cassette stage 114 by the cassette transfer device 118b, and is moved outside the casing 101 by an external transfer device (not shown). Be transported. After the boat elevator 115 is lowered, the furnace port shutter 147 hermetically closes the lower end portion of the processing furnace 202 to prevent outside air from entering the processing furnace 202.

（３）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉２０２及びその周辺の構成について、図２、及び図３を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかるボート搬入後の処理炉の概略構成図であり、図３は、本発明の一実施形態にかかるボート搬入前の処理炉の概略構成図である。 (3) Configuration of Processing Furnace Next, the processing furnace 202 provided in the substrate processing apparatus according to the present embodiment and the surrounding configuration will be described with reference to FIG. 2 and FIG. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the processing furnace after carrying in the boat according to one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the processing furnace before carrying in the boat according to one embodiment of the present invention.

図２に示すように、本実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管としてのアウターチューブ２０５を有している。アウターチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５の内側の筒中空部には、減圧下で基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を、後述するボート１３０によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。 As shown in FIG. 2, the processing furnace 202 according to the present embodiment has an outer tube 205 as a reaction tube. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), and is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate under reduced pressure is formed in a cylindrical hollow portion inside the outer tube 205. The processing chamber 201 is configured so that wafers 200 as substrates can be accommodated by a boat 130 described later in a horizontal posture and aligned in multiple stages in the vertical direction.

アウターチューブ２０５の外側には、アウターチューブ２０５と同心円状に、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材とにより構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０６の近傍には、処理室２０１内の温度
を検出する温度検出体としての温度センサ（図示せず）が設けられている。ヒータ２０６及び温度センサには、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調節し、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるよう制御する。 A heater 206 as a heating mechanism is provided outside the outer tube 205 concentrically with the outer tube 205. The heater 206 has a cylindrical shape, is constituted by a heater wire and a heat insulating member provided around the heater wire, and is vertically installed by being supported by a holding body (not shown). In the vicinity of the heater 206, a temperature sensor (not shown) is provided as a temperature detection body that detects the temperature in the processing chamber 201. A temperature controller 238 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor. The temperature controller 238 adjusts the power supply to the heater 206 based on the temperature information detected by the temperature sensor, and controls the temperature in the processing chamber 201 to have a desired temperature distribution at a desired timing.

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状に、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えば、ステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド２０９は、アウターチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。また、マニホールド２０９の下方には、予備室としてのロードロック室１４０が設けられている。天板２５１とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。このマニホールド２０９が天板２５１により支持されることにより、アウターチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。このアウターチューブ２０５とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。なお、天板２５１には、処理炉２０２の開口部である炉口１６１が設けられている。   A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel and has a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is provided to support the outer tube 205. An O-ring as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. In addition, a load lock chamber 140 as a spare chamber is provided below the manifold 209. An O-ring as a seal member is provided between the top plate 251 and the manifold 209. The manifold 209 is supported by the top plate 251 so that the outer tube 205 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the outer tube 205 and the manifold 209. The top plate 251 is provided with a furnace port 161 that is an opening of the processing furnace 202.

マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段としてのガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２は、上流側で４つに分岐している。４つに分岐したガス供給管２３２は、第１のバルブとしてのバルブ１７７、１７８、１７９、１９２、及びガス流量制御装置としてのＭＦＣ１８３、１８４、１８５、１９１を介して、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２、不活性ガス供給源１９０にそれぞれ接続されている。ＭＦＣ１８３、１８４、１８５、１９１及びバルブ１７７、１７８、１７９、１９２には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、ガス供給管２３２から処理室２０１内に所望のタイミングで所望の流量のガスを供給するように制御する。なお、本発明にかかるガス供給手段は、ガス供給管２３２が４つに分岐する形態に限定されず、供給するガスの種別に応じて３つ以下に分岐していても、５つ以上に分岐していてもよい。   A gas supply pipe 232 serving as a gas supply means for supplying a desired gas into the processing chamber 201 is connected to the side wall of the manifold 209. The gas supply pipe 232 branches into four on the upstream side. The four gas supply pipes 232 are connected to a first gas supply source via valves 177, 178, 179, 192 as first valves and MFCs 183, 184, 185, 191 as gas flow control devices. 180, a second gas supply source 181, a third gas supply source 182, and an inert gas supply source 190, respectively. A gas flow rate controller 235 is electrically connected to the MFCs 183, 184, 185, 191 and the valves 177, 178, 179, 192. The gas flow rate control unit 235 performs control so that a gas having a desired flow rate is supplied from the gas supply pipe 232 into the processing chamber 201 at a desired timing. The gas supply means according to the present invention is not limited to the form in which the gas supply pipe 232 branches into four, and even if it branches into three or less depending on the type of gas to be supplied, it branches into five or more. You may do it.

また、マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段としてのガス排気管２３１が接続されている。排気手段としてのガス排気管２３１の下流側には、第２のバルブとしてのＡＰＣバルブ２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４２は、その開度により処理室２０１内の圧力を調整する圧力調整器として構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４２の上流側におけるガス排気管２３１内には、図示しないが、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサが設けられている。なお、圧力センサは、ガス排気管２３１内に限らず、処理室２０１内に設けられていてもよい。圧力センサ及びＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節し、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように制御する。   A gas exhaust pipe 231 is connected to the side wall of the manifold 209 as exhaust means for exhausting the atmosphere in the processing chamber 201. A vacuum exhaust device 246 such as a vacuum pump is connected to the downstream side of the gas exhaust pipe 231 as an exhaust means via an APC valve 242 as a second valve. The APC valve 242 is configured as a pressure regulator that adjusts the pressure in the processing chamber 201 based on the opening degree. Although not shown, a pressure sensor as a pressure detection unit that detects the pressure in the processing chamber 201 is provided in the gas exhaust pipe 231 upstream of the APC valve 242. The pressure sensor is not limited to the gas exhaust pipe 231 but may be provided in the processing chamber 201. A pressure control unit 236 is electrically connected to the pressure sensor and the APC valve 242. The pressure control unit 236 adjusts the opening degree of the APC valve 242 based on the pressure detected by the pressure sensor, and controls the pressure in the processing chamber 201 to be a desired pressure at a desired timing.

また、ロードロック室１４０を構成する側壁の外面には、ボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５は、下基板２４５、ガイドシャフト２６４、ボール螺子２４４、上基板２４７、昇降モータ２４８、昇降基板２５２、及びベローズ２６５を備えている。下基板２４５は、ロードロック室１４０を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板２４５には、昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４、及び昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト２６４及びボール螺子２４４の上端には、上基板２４７が水平姿勢で固定されている。ボール螺子２４４は、上基板２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転させられるように構成されている。また、ガイドシャフト２６４は、昇降台２４９の上下
動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。そして、ボール螺子２４４を回転させることにより、昇降台２４９が昇降するように構成されている。 Further, a boat elevator 115 is provided on the outer surface of the side wall constituting the load lock chamber 140. The boat elevator 115 includes a lower substrate 245, a guide shaft 264, a ball screw 244, an upper substrate 247, an elevating motor 248, an elevating substrate 252, and a bellows 265. The lower substrate 245 is fixed in a horizontal posture on the outer surface of the side wall constituting the load lock chamber 140. The lower substrate 245 is provided with a guide shaft 264 fitted to the lifting platform 249 and a ball screw 244 screwed to the lifting platform 249 in a vertical posture. An upper substrate 247 is fixed to the upper ends of the guide shaft 264 and the ball screw 244 in a horizontal posture. The ball screw 244 is configured to be rotated by an elevating motor 248 provided on the upper substrate 247. Further, the guide shaft 264 is configured to suppress horizontal rotation while allowing vertical movement of the lifting platform 249. Then, by rotating the ball screw 244, the lifting platform 249 is configured to move up and down.

昇降台２４９には、中空の昇降シャフト２５０が垂直姿勢で固定されている。昇降台２４９と昇降シャフト２５０との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト２５０は、昇降台２４９と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト２５０の下方側端部は、ロードロック室１４０を構成する天板２５１を貫通している。天板２５１に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト２５０と天板２５１とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも大きく構成されている。ロードロック室１４０と昇降台２４９との間には、昇降シャフト２５０の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５が設けられている。昇降台２４９とベローズ２６５との連結部、及び天板２５１とベローズ２６５との連結部はそれぞれ気密に構成されており、ロードロック室１４０内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ２６５は、昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ２６５の内径は、昇降シャフト２５０とベローズ２６５とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも充分に大きく構成されている。   A hollow lifting shaft 250 is fixed to the lifting platform 249 in a vertical posture. The connecting portion between the lifting platform 249 and the lifting shaft 250 is airtight. The lifting shaft 250 is configured to move up and down together with the lifting platform 249. The lower end portion of the elevating shaft 250 passes through the top plate 251 constituting the load lock chamber 140. The inner diameter of the through hole provided in the top plate 251 is configured to be larger than the outer diameter of the elevating shaft 250 so that the elevating shaft 250 and the top plate 251 do not contact each other. Between the load lock chamber 140 and the lifting platform 249, a bellows 265 as a stretchable hollow stretchable body is provided so as to cover the periphery of the lifting shaft 250. The connecting portion between the lifting platform 249 and the bellows 265 and the connecting portion between the top plate 251 and the bellows 265 are airtight, respectively, so that the airtightness in the load lock chamber 140 is maintained. The bellows 265 has a sufficient amount of expansion / contraction that can correspond to the amount of lifting of the lifting platform 249. The inner diameter of the bellows 265 is configured to be sufficiently larger than the outer diameter of the lifting shaft 250 so that the lifting shaft 250 and the bellows 265 do not contact each other.

ロードロック室１４０内に突出した昇降シャフト２５０の下端には、昇降基板２５２が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト２５０と昇降基板２５２との連結部は、気密に構成されている。昇降基板２５２の上面には、Ｏリング等のシール部材を介してシールキャップ２１９が気密に取付けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属よりなり、円盤状に形成されている。昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を上昇させることにより、処理炉２０２内にボート１３０が搬入（ボートローディング）されると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１がシールキャップ２１９により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を下降させることにより、処理室２０１内からボート１３０が搬出（ボートアンローディング）されるよう構成されている。昇降モータ２４８には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、ボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。   An elevating board 252 is fixed in a horizontal posture at the lower end of the elevating shaft 250 protruding into the load lock chamber 140. The connecting portion between the elevating shaft 250 and the elevating substrate 252 is airtight. A seal cap 219 is airtightly attached to the upper surface of the elevating substrate 252 via a seal member such as an O-ring. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel and has a disk shape. By driving the lifting motor 248 to rotate the ball screw 244 and lifting the lifting platform 249, the lifting shaft 250, the lifting substrate 252 and the seal cap 219, the boat 130 is loaded into the processing furnace 202 (boat loading). In addition, the furnace port 161 that is an opening of the processing furnace 202 is configured to be closed by a seal cap 219. Further, by driving the lifting motor 248 to rotate the ball screw 244 and lowering the lifting platform 249, the lifting shaft 250, the lifting substrate 252, and the seal cap 219, the boat 130 is carried out from the processing chamber 201 (boat unloading). Loading). A drive control unit 237 is electrically connected to the lifting motor 248. The drive control unit 237 controls the boat elevator 115 to perform a desired operation at a desired timing.

昇降基板２５２の下面には、Ｏリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密に取付けられている。昇降基板２５２と駆動部カバー２５３とにより駆動部収納ケース２５６が構成されている。駆動部収納ケース２５６の内部は、ロードロック室１４０内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース２５６の内部には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４には電力供給ケーブル２５８が接続されている。電力供給ケーブル２５８は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って回転機構２５４まで導かれており、回転機構２５４に電力を供給するように構成されている。回転機構２５４が備える回転軸２５５の上端部は、シールキャップ２１９を貫通して、基板保持具としてのボート１３０を下方から支持するように構成されている。回転機構２５４を作動（回転）させることにより、ボート１３０に保持された基板を処理室２０１内で回転させることが可能なように構成されている。回転機構２５４には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。   A drive unit cover 253 is airtightly attached to the lower surface of the elevating substrate 252 via a seal member such as an O-ring. The elevating board 252 and the drive unit cover 253 constitute a drive unit storage case 256. The inside of the drive unit storage case 256 is isolated from the atmosphere in the load lock chamber 140. A rotation mechanism 254 is provided inside the drive unit storage case 256. A power supply cable 258 is connected to the rotation mechanism 254. The power supply cable 258 is guided from the upper end of the elevating shaft 250 through the elevating shaft 250 to the rotating mechanism 254 and configured to supply electric power to the rotating mechanism 254. The upper end portion of the rotating shaft 255 provided in the rotating mechanism 254 is configured to penetrate the seal cap 219 and support the boat 130 as a substrate holder from below. By operating (rotating) the rotation mechanism 254, the substrate held in the boat 130 can be rotated in the processing chamber 201. A drive control unit 237 is electrically connected to the rotation mechanism 254. The drive control unit 237 controls the rotation mechanism 254 to perform a desired operation at a desired timing.

また、駆動部収納ケース２５６の内部であって回転機構２５４の周囲には、冷却機構２５７が設けられている。冷却機構２５７及びシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されている。冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続されている。冷却水配管２６０は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って
冷却流路２５９まで導かれ、冷却流路２５９にそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。 In addition, a cooling mechanism 257 is provided in the drive unit storage case 256 and around the rotation mechanism 254. A cooling channel 259 is formed in the cooling mechanism 257 and the seal cap 219. A cooling water pipe 260 for supplying cooling water is connected to the cooling channel 259. The cooling water pipe 260 is configured to be guided from the upper end of the elevating shaft 250 through the elevating shaft 250 to the cooling channel 259 and supply cooling water to the cooling channel 259, respectively.

基板保持具としてのボート１３０は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート１３０の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝えにくくするように機能する。 The boat 130 as a substrate holder is made of a heat-resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), for example, and a plurality of wafers 200 are aligned in a horizontal posture and aligned with each other in the center. Is configured to hold. In addition, a plurality of heat insulating plates 216 as a disk-shaped heat insulating member made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide are arranged in a multi-stage in a horizontal posture at the lower portion of the boat 130. The heat insulating plate 216 functions to make it difficult to transfer heat from the heater 206 to the manifold 209 side.

また、本実施形態にかかる基板処理装置は、制御手段としてのコントローラ２４０を有している。コントローラ２４０は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどの記憶装置、操作部、入出力部を備えた主制御部２３９を備えている。主制御部２３９は、上述のガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、ボートエレベータ１１５の昇降モータ２４８、及び回転機構２５４に電気的に接続されており、基板処理装置全体を制御するように構成されている。   Further, the substrate processing apparatus according to the present embodiment has a controller 240 as a control means. The controller 240 includes a main control unit 239 including a CPU, a memory, a storage device such as an HDD, an operation unit, and an input / output unit. The main control unit 239 is electrically connected to the gas flow rate control unit 235, the pressure control unit 236, the drive control unit 237, the temperature control unit 238, the lift motor 248 of the boat elevator 115, and the rotation mechanism 254. The entire substrate processing apparatus is configured to be controlled.

なお、コントローラ２４０は、第１のバルブとしてのバルブ１７７、１７８、１７９、１９２、第２のバルブとしてのＡＰＣバルブ２４２、及び圧力検知手段としての圧力センサをそれぞれ制御するように構成されている。具体的には、コントローラ２４０は、第１のバルブとしてのバルブ１９２を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブとしてのとしてのＡＰＣバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力センサにて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定するように構成されている。かかる動作についてはリーク有無判定工程の説明に合わせて後述する。   The controller 240 is configured to control valves 177, 178, 179, and 192 as first valves, an APC valve 242 as a second valve, and a pressure sensor as pressure detection means, respectively. Specifically, the controller 240 opens the APC valve 242 as the second valve and opens the processing chamber 201 while supplying the inert gas into the processing chamber 201 by opening the valve 192 as the first valve. If the pressure detected by the pressure sensor is less than the predetermined reference pressure after a predetermined time has elapsed, it is determined that there is no leak, and if the detected pressure is greater than or equal to the predetermined reference pressure, it is determined that there is a leak. Is configured to do. This operation will be described later in conjunction with the description of the leak presence / absence determination step.

（４）基板処理工程
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ２００上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する基板処理工程について説明する。かかる基板処理工程は、上述した処理炉２０２を有する基板処理装置により実施される。また、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。なお、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、及び第３のガス供給源１８２には、処理ガスとして、ＳｉＨ４ガス（又はＳｉ２Ｈ６ガス）、ＧｅＨ４ガス、Ｈ２ガスがそれぞれ封入されている。また、不活性ガス供給源１９０には、不活性ガスとしてのＮ２ガスが封入されている。なお、不活性ガスとしてはＡｒガス、またはＨｅガス等を用いることも可能である。 (4) Substrate Processing Step Next, a substrate processing step for forming an Epi-SiGe film on the wafer 200 will be described as one step of the semiconductor device manufacturing process. Such a substrate processing step is performed by a substrate processing apparatus having the processing furnace 202 described above. In the following description, the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 240. Note that the first gas supply source 180, the second gas supply source 181, and the third gas supply source 182 include SiH 4 gas (or Si 2 H 6 gas), GeH 4 gas, and H as processing gases. Two gases are enclosed respectively. Further, the inert gas supply source 190 is filled with N 2 gas as an inert gas. Note that Ar gas, He gas, or the like can also be used as the inert gas.

まず、図３に示すように、ウエハ移載機１１２により、降下状態のボート１３０に複数枚の処理対象のウエハ２００を装填する。所定枚数のウエハ２００の装填が完了したら、昇降モータ２４８を駆動して、図２に示すように、所定枚数のウエハ２００を保持したボート１３０を処理室２０１内に搬入（ボートローディング）すると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１をシールキャップ２１９により閉塞する。   First, as shown in FIG. 3, the wafer transfer machine 112 loads a plurality of wafers 200 to be processed into the lowered boat 130. When the loading of the predetermined number of wafers 200 is completed, the lift motor 248 is driven to load the boat 130 holding the predetermined number of wafers 200 into the processing chamber 201 (boat loading) as shown in FIG. A furnace port 161 that is an opening of the processing furnace 202 is closed with a seal cap 219.

次に、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６により処理室２０１内を真空排気する。この際、処理室２０１内の圧力を圧力センサにより測定し、この測定した圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２をフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、ヒータ２０６により処理室２０１内を加熱する。この際、温度センサにより温度を検出し、検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合をフィードバック制御する。続いて、回転機構２５４により、ボート１３０及びウエハ２００を回転させる。   Next, the inside of the processing chamber 201 is evacuated by the vacuum exhaust device 246 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired pressure (degree of vacuum). At this time, the pressure in the processing chamber 201 is measured by a pressure sensor, and the APC valve 242 is feedback-controlled based on the measured pressure. Further, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206 so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature distribution. At this time, the temperature is detected by the temperature sensor, and the power supply to the heater 206 is feedback controlled based on the detected temperature information. Subsequently, the boat 130 and the wafers 200 are rotated by the rotation mechanism 254.

次に、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２から処理室２０１内に各処理ガス（ＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｈ２）をそれぞれ供給する。具体的には、各ガスの供給量がそれぞれ所望の流量となるようにＭＦＣ１８３、１８４、１８５の開度を調節しながら、バルブ１７７、１７８、１７９を開き、ガス供給管２３２を介して処理室２０１内の上部に各処理ガスを供給する。処理室２０１内に供給された各処理ガスは、ウエハ２００と接触した後、ガス排気管２３１から処理室２０１外へと排気される。各処理ガスがウエハ２００と接触することにより、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される。 Next, each processing gas (SiH 4 or Si 2 H 6 , GeH 4 , H 2 ) enters the processing chamber 201 from the first gas supply source 180, the second gas supply source 181, and the third gas supply source 182. Supply each. Specifically, the valves 177, 178, and 179 are opened while adjusting the opening degree of the MFCs 183, 184, and 185 so that the supply amounts of the respective gases become desired flow rates, and the processing chamber is connected via the gas supply pipe 232. Each processing gas is supplied to the upper part in 201. Each processing gas supplied into the processing chamber 201 is exhausted from the gas exhaust pipe 231 to the outside of the processing chamber 201 after contacting the wafer 200. When each processing gas comes into contact with the wafer 200, an Epi-SiGe film is deposited (deposited) on the surface of the wafer 200.

予め設定された時間が経過したら、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２からの各処理ガスの供給を停止し、不活性ガス供給源１９０から処理室２０１内に不活性ガスを供給する。具体的には、バルブ１７７、１７８、１７９を閉じるとともに、不活性ガスの供給量が所望の流量となるようにＭＦＣ１９１の開度を調節しながら、バルブ１９２を開き、ガス供給管２３２を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給する。そして、処理室２０１内の雰囲気を不活性ガスで置換すると共に、処理室２０１内の圧力を常圧に復帰させる。   When a preset time elapses, the supply of each processing gas from the first gas supply source 180, the second gas supply source 181, and the third gas supply source 182 is stopped, and the inert gas supply source 190 An inert gas is supplied into the processing chamber 201. Specifically, the valves 177, 178, and 179 are closed, the valve 192 is opened while adjusting the opening of the MFC 191 so that the supply amount of the inert gas becomes a desired flow rate, and the gas supply pipe 232 is connected. An inert gas is supplied into the processing chamber 201. Then, the atmosphere in the processing chamber 201 is replaced with an inert gas, and the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure.

その後、昇降モータ２４８を作動させてシールキャップ２１９を下降させ、処理炉２０２の開口部である炉口１６１を開口させると共に、処理済のウエハ２００を保持したボート１３０を処理室２０１外へと搬出（ボートアンローディング）する。その後、ウエハ移載機１１２により、処理済のウエハ２００をボート１３０より取り出す（ウエハディスチャージ）。   Thereafter, the elevating motor 248 is operated to lower the seal cap 219 to open the furnace port 161 that is the opening of the processing furnace 202, and the boat 130 holding the processed wafers 200 is carried out of the processing chamber 201. (Boat unloading). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 130 by the wafer transfer device 112 (wafer discharge).

なお、ウエハ２００を処理する際の処理条件としては、例えば、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜の成膜において、処理温度４００〜７００℃、処理圧力１〜２００Ｐａが例示される。   Examples of processing conditions for processing the wafer 200 include a processing temperature of 400 to 700 ° C. and a processing pressure of 1 to 200 Pa in the formation of an Epi-SiGe film.

（５）リーク有無判定工程
続いて、本発明の一実施形態にかかるリーク有無判定工程について説明する。リーク有無判定工程は、上述した基板処理工程を実施する前に、上述した基板処理装置により実施される。また、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。 (5) Leak Presence Determination Step Next, the leak presence determination step according to an embodiment of the present invention will be described. The leak presence / absence determination step is performed by the above-described substrate processing apparatus before the above-described substrate processing step. In the following description, the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 240.

まず、上述した基板処理工程と同様に、ウエハ移載機１１２により、降下状態のボート１３０に複数枚の処理対象のウエハ２００を装填する。所定枚数のウエハ２００の装填が完了したら、昇降モータ２４８を駆動して、図２に示すように、所定枚数のウエハ２００を保持したボート１３０を処理室２０１内に搬入（ボートローディング）すると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１をシールキャップ２１９により閉塞する。   First, similarly to the substrate processing step described above, a plurality of wafers 200 to be processed are loaded into the lowered boat 130 by the wafer transfer device 112. When the loading of the predetermined number of wafers 200 is completed, the lift motor 248 is driven to load the boat 130 holding the predetermined number of wafers 200 into the processing chamber 201 (boat loading) as shown in FIG. A furnace port 161 that is an opening of the processing furnace 202 is closed with a seal cap 219.

次に、第１のバルブとしてのバルブ１９２を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブとしてのＡＰＣバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気する。この際、ＭＦＣ１９１及びＡＰＣバルブ２４２の開度（不活性ガスの供給流量、及び排気速度）は、リークがない処理室２０１内を所定時間排気した場合に、処理室２０１内が所定の圧力に到達するような開度とする。例えば、処理室２０１にリークのないと仮定した場合に、処理室２０１内に不活性ガスとしてのＮ２ガスを１ｓｌｍの供給流量で流すようにＭＦＣ１９１の開度を調整しつつ、処理室２０１内が所定時間経過後に１０Ｐａに到達するようにＡＰＣバルブ２４２の開度を調整する。また、処理室２０１にリークがなければ所定時間経過後に到達する筈の圧力（例えば１０Ｐａ）にマージン（例えば０．５Ｐａ）を加えた圧力を、所定の基準圧力（例えば１０．５Ｐａ）とする。 Next, the valve 192 as a first valve is opened to supply an inert gas into the processing chamber 201, and the APC valve 242 as a second valve is opened to exhaust the atmosphere in the processing chamber 201. At this time, the opening degree of the MFC 191 and the APC valve 242 (the supply flow rate of the inert gas and the exhaust speed) are such that the inside of the processing chamber 201 reaches a predetermined pressure when the processing chamber 201 without leaking is exhausted for a predetermined time. The opening is such that For example, when it is assumed that there is no leak in the processing chamber 201, the inside of the processing chamber 201 is adjusted while adjusting the opening of the MFC 191 so that N 2 gas as an inert gas flows in the processing chamber 201 at a supply flow rate of 1 slm. Adjusts the opening degree of the APC valve 242 so that the pressure reaches 10 Pa after elapse of a predetermined time. Further, if there is no leak in the processing chamber 201, a pressure obtained by adding a margin (for example, 0.5 Pa) to the soot pressure (for example, 10 Pa) that reaches after a predetermined time elapses is set as a predetermined reference pressure (for example, 10.5 Pa).

そして、所定時間の経過後に圧力検知手段としての圧力センサにて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。すなわち、処理室２０１にリークが有る場合における所定時間経過後の到達圧力は、リークがない場合における所定時間経過後の到達圧力に較べて大きくなる。従って、処理室２０１内が所定の基準圧力に到達したか否かによってリーク有無を判定することが可能なのである。例えば、所定の基準圧力が１０．５Ｐａである場合において、所定時間経過後に圧力センサが検知した圧力が１０．５Ｐａ未満であればリーク無と判定し、所定時間経過後に圧力センサが検知した圧力が１０．５Ｐａ以上であればリーク有と判定する。かかる判定はコントローラ２４０により実施される。   If the pressure detected by the pressure sensor as the pressure detection means is less than the predetermined reference pressure after a predetermined time has elapsed, it is determined that there is no leak, and if the detected pressure is equal to or greater than the predetermined reference pressure, it is determined that there is a leak. To do. That is, the ultimate pressure after elapse of a predetermined time when there is a leak in the processing chamber 201 is larger than the ultimate pressure after elapse of a predetermined time when there is no leak. Therefore, it is possible to determine whether or not there is a leak depending on whether or not the inside of the processing chamber 201 has reached a predetermined reference pressure. For example, when the predetermined reference pressure is 10.5 Pa, it is determined that there is no leak if the pressure detected by the pressure sensor is less than 10.5 Pa after a predetermined time has elapsed, and the pressure detected by the pressure sensor after the predetermined time has elapsed. If it is 10.5 Pa or more, it is determined that there is a leak. Such determination is performed by the controller 240.

なお、上記における所定の基準圧力、所定時間は、ＭＦＣ１９１及びＡＰＣバルブ２４２の開度、処理室２０１内の構造、処理室２０１内からの脱ガス量、処理室２０１内の温度、不活性ガスの種類などによって適宜調整される。   The predetermined reference pressure and the predetermined time in the above are the opening of the MFC 191 and the APC valve 242, the structure in the processing chamber 201, the amount of degassing from the processing chamber 201, the temperature in the processing chamber 201, the inert gas It is adjusted as appropriate depending on the type.

そして、リーク無と判断された場合には、リーク有無判定工程を終了して上述の基板処理工程を実施する。具体的には、処理室２０１内の圧力を圧力センサにより測定し、この測定した圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２をフィードバック制御する。そしてヒータ２０６により処理室２０１内を加熱し、回転機構２５４によりウエハ２００を回転させる。そして、第１のガス供給源１８０、第２のガス供給源１８１、第３のガス供給源１８２から処理室２０１内に各処理ガスを供給し、ウエハ２００上に所望の膜を成膜する。そして、予め設定された時間が経過したら、不活性ガス供給源１９０から処理室２０１内に不活性ガスを供給して処理室２０１内を昇圧し、ボート１３０を処理室２０１外へと搬出し、処理済のウエハ２００をボート１３０より取り出す。   When it is determined that there is no leak, the leak presence / absence determination step is terminated and the above-described substrate processing step is performed. Specifically, the pressure in the processing chamber 201 is measured by a pressure sensor, and the APC valve 242 is feedback-controlled based on the measured pressure. Then, the inside of the processing chamber 201 is heated by the heater 206, and the wafer 200 is rotated by the rotation mechanism 254. Then, each processing gas is supplied from the first gas supply source 180, the second gas supply source 181, and the third gas supply source 182 into the processing chamber 201, and a desired film is formed on the wafer 200. When a preset time has elapsed, the inert gas is supplied from the inert gas supply source 190 into the processing chamber 201 to increase the pressure in the processing chamber 201, and the boat 130 is carried out of the processing chamber 201. The processed wafer 200 is taken out from the boat 130.

また、リーク有と判断された場合には、リーク有無判定工程を終了してリーク箇所の特定を行う。リーク箇所の特定方法としては、処理室２０１内の排気を継続しながらアウターチューブ２０５やマニホールド２０９の外側等からＨｅガスをスプレー状に吹きかけて処理室２０１内にＨｅガスを吸引させる真空法や、気密に保持した処理室２０１内をＨｅガスで加圧して、リーク箇所からＨｅガスを噴出させるスニファー法等を用いることができる。なお、Ｈｅガスの検出には、分圧真空計等を用いることが出来る。リーク箇所の特定を行う前に、ボート１３０を処理室２０１外へと搬出して、処理前のウエハ２００を予め退避させてもよい。リーク箇所が特定されたら、かかる箇所の修理や部品交換等を実施して、リーク有無判定工程を再度実施する。   If it is determined that there is a leak, the leak presence / absence determination step is terminated and the leak location is specified. As a method of identifying the leak location, a vacuum method in which He gas is sucked into the processing chamber 201 by spraying He gas from the outside of the outer tube 205 or the manifold 209 while continuing the exhaust in the processing chamber 201, A sniffer method or the like in which the inside of the processing chamber 201 that is kept airtight is pressurized with He gas and He gas is ejected from the leaked portion can be used. In addition, a partial pressure vacuum gauge etc. can be used for the detection of He gas. Before specifying the leak location, the boat 130 may be carried out of the processing chamber 201 and the wafer 200 before processing may be retracted in advance. If a leak location is specified, repair or replacement of parts is performed, and the leak presence / absence determination process is performed again.

（６）本実施形態にかかる効果
本実施形態にかかるリーク有無判定工程では、ＡＰＣバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気しつつ、バルブ１９２を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給し続けている。すなわち、処理室２０１内には不活性ガスが常に供給され続けており、処理室２０１内の雰囲気が真空排気装置２４６の排気性能の限界まで排気されることがないように構成されている。よって、処理室２０１内の圧力は、ガス排気管２３１内におけるＡＰＣバルブ２４２の下流側の圧力よりも常に若干高く設定され、ガス排気管２３１内（におけるＡＰＣバルブ２４２の下流側）の汚染物質が、処理室２０１内に逆拡散（逆流）してウエハ２００等に吸着してしまうことを抑制できる。 (6) Effects According to the Present Embodiment In the leak presence / absence determination step according to the present embodiment, the APC valve 242 is opened to exhaust the atmosphere in the processing chamber 201, and the valve 192 is opened to pass the inert gas into the processing chamber 201. Continue to supply. That is, the inert gas is continuously supplied into the processing chamber 201, and the atmosphere in the processing chamber 201 is configured not to be exhausted to the limit of the exhaust performance of the vacuum exhaust device 246. Therefore, the pressure in the processing chamber 201 is always set slightly higher than the pressure on the downstream side of the APC valve 242 in the gas exhaust pipe 231, and contaminants in the gas exhaust pipe 231 (on the downstream side of the APC valve 242 in this case) Further, it is possible to suppress the reverse diffusion (reverse flow) in the processing chamber 201 and the adsorption to the wafer 200 or the like.

＜本発明の他の実施形態＞
上述の実施形態では、処理室２０１内の排気を継続しながら、リーク有無の判定を実施していた。しかしながら、本発明にかかるリーク有無判定工程は上述の実施形態に限定されない。本実施形態は、上述の実施形態においてリーク無と判断した後に、処理室２０１内への不活性ガスの供給と処理室２０１内の排気とを停止して、処理室２０１内を減圧状態のまま気密に封止し、所定時間経過後も処理室２０１が所定の真空度を保持することが
可能であるか否かを確認する工程をさらに有する点が、上述の実施形態と異なる。その他の構成は、上述の実施形態とほぼ同一である。 <Other Embodiments of the Present Invention>
In the embodiment described above, the presence / absence of a leak is determined while exhausting the processing chamber 201 is continued. However, the leak presence / absence determination step according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. In the present embodiment, after determining that there is no leak in the above-described embodiment, the supply of the inert gas into the processing chamber 201 and the exhaust of the processing chamber 201 are stopped, and the inside of the processing chamber 201 is kept in a reduced pressure state. It differs from the above-described embodiment in that it further includes a step of hermetically sealing and confirming whether or not the processing chamber 201 can maintain a predetermined degree of vacuum even after a predetermined time has elapsed. Other configurations are substantially the same as those of the above-described embodiment.

具体的には、上述の実施形態においてリーク無と判断した後に、第１のバルブとしてのバルブ１９２を閉めて処理室２０１内への不活性ガスの供給を停止するとともに、第２のバルブとしてのＡＰＣバルブ２４２を閉めて処理室２０１内の雰囲気の排気を停止する。なお、バルブ１９２及びＡＰＣバルブ２４２は略同時に閉めることが好ましい。その結果、処理室２０１内は不活性ガスを封入したまま気密に封止された状態となる。なお、リークのない処理室２０１内を所定圧力（例えば１０Ｐａ）に減圧して、減圧状態のまま気密に封止した場合において、所定時間経過後の圧力上昇（この例では１分経過後の圧力上昇が０．５Ｐａ未満）を所定の基準差圧（０．５Ｐａ）とする。   Specifically, after determining that there is no leak in the above-described embodiment, the valve 192 as the first valve is closed to stop the supply of the inert gas into the processing chamber 201 and the second valve as The APC valve 242 is closed and the exhaust of the atmosphere in the processing chamber 201 is stopped. The valve 192 and the APC valve 242 are preferably closed substantially simultaneously. As a result, the inside of the processing chamber 201 is hermetically sealed with the inert gas sealed. In the case where the inside of the processing chamber 201 having no leak is reduced to a predetermined pressure (for example, 10 Pa) and hermetically sealed in a reduced pressure state, the pressure rises after a predetermined time has elapsed (in this example, the pressure after one minute has elapsed). The increase is less than 0.5 Pa) as a predetermined reference differential pressure (0.5 Pa).

そして、バルブ１９２及びＡＰＣバルブ２４２を閉めた直後に圧力検知手段としての圧力センサが検知した圧力と、所定時間経過後に圧力センサが検知した圧力との差圧が、所定の基準差圧未満であればリーク無と判定し、所定の基準差圧以上であればリーク有と判定する。すなわち、処理室２０１にリークが有る場合における所定時間経過後の圧力上昇は、リークがない場合における所定時間経過後の圧力上昇に較べて大きくなる。従って、所定時間経過後の圧力上昇が所定の基準差圧を越えるか否かによってリーク有無を判定することが可能なのである。例えば、バルブ１９２及びＡＰＣバルブ２４２を閉めた直後に圧力センサが検知した圧力が１０Ｐａであって、その後１分経過した後に圧力センサが検知した圧力が１０．５Ｐａ未満であれば、差圧は所定の基準差圧未満であるからリーク無と判定する。また、所定時間経過後に圧力センサが検知した圧力が１０．５Ｐａ以上であれば、差圧は所定の基準差圧以上であるからリーク有と判定する。かかる判定はコントローラ２４０により実施される。なお、上記における所定の基準差圧、所定時間は、ＭＦＣ１９１及びＡＰＣバルブ２４２の開度、処理室２０１内の構造、処理室２０１内からの脱ガス量、処理室２０１内の温度、不活性ガスの種類などによって適宜調整される。   If the pressure difference detected by the pressure sensor as the pressure detection means immediately after the valve 192 and the APC valve 242 are closed and the pressure detected by the pressure sensor after a predetermined time elapses are less than a predetermined reference differential pressure. If there is no leak, it is determined that there is a leak if it is greater than or equal to a predetermined reference differential pressure. That is, the pressure increase after the elapse of the predetermined time when there is a leak in the processing chamber 201 is larger than the pressure increase after the elapse of the predetermined time when there is no leak. Therefore, it is possible to determine whether or not there is a leak based on whether or not the pressure increase after a predetermined time has passed exceeds a predetermined reference differential pressure. For example, if the pressure detected by the pressure sensor immediately after closing the valve 192 and the APC valve 242 is 10 Pa, and the pressure detected by the pressure sensor after 1 minute has passed is less than 10.5 Pa, the differential pressure is predetermined. Since it is less than the reference differential pressure, it is determined that there is no leakage. Further, if the pressure detected by the pressure sensor after the lapse of a predetermined time is 10.5 Pa or more, it is determined that there is a leak because the differential pressure is not less than a predetermined reference differential pressure. Such determination is performed by the controller 240. The predetermined reference differential pressure and the predetermined time in the above are the opening of the MFC 191 and the APC valve 242, the structure in the processing chamber 201, the outgas amount from the processing chamber 201, the temperature in the processing chamber 201, the inert gas It is adjusted appropriately depending on the type of

そして、リーク無と判断された場合には、リーク有無判定工程を終了して上述の基板処理工程を実施する。また、リーク有と判断された場合には、リーク有無判定工程を終了してリーク箇所の特定を行い、リーク箇所が特定されたら、かかる箇所の修理や部品交換等を実施して、リーク有無判定工程を再度実施する。   When it is determined that there is no leak, the leak presence / absence determination step is terminated and the above-described substrate processing step is performed. If it is determined that there is a leak, the leak presence / absence determination process is terminated and the leak location is identified. When the leak location is identified, the location of the leak is repaired, parts are replaced, etc. Repeat the process.

本実施形態にかかるリーク有無判定工程によれば、バルブ１９２及びＡＰＣバルブ２４２を閉めて、気密に封止された処理室２０１内の圧力上昇の大きさ（差圧）を測定することにより、リークの有無を判定している。そのため、真空排気装置２４６の排気速度（排気性能）比べてごく微量なリークが発生していた場合にも、かかるリークをより容易に発見することが可能となる。つまり、ガス排気管２３１からの排気を継続していた場合には発見することが困難であるような微量なリークを発見しやすくなる。特に、差圧を求める際の所定時間（バルブ１９２及びＡＰＣバルブ２４２を閉めてから差圧を求めるまでの待ち時間）を長く確保することによって、微細なリークの有無をより正確に判定することが可能となる。   According to the leak presence / absence determination process according to the present embodiment, the valve 192 and the APC valve 242 are closed, and the magnitude of the pressure increase (differential pressure) in the hermetically sealed processing chamber 201 is measured. Whether or not there is. Therefore, even when a very small amount of leak has occurred compared to the exhaust speed (exhaust performance) of the vacuum exhaust device 246, it becomes possible to find such leak more easily. That is, it becomes easy to find a small amount of leak that is difficult to find when the exhaust from the gas exhaust pipe 231 is continued. In particular, it is possible to more accurately determine the presence or absence of fine leaks by ensuring a long predetermined time (waiting time until the differential pressure is obtained after closing the valve 192 and the APC valve 242) when obtaining the differential pressure. It becomes possible.

また、本実施形態にかかるリーク有無判定工程では、差圧を測定する際にはＡＰＣバルブ２４２を閉めている。そのため、ガス排気管２３１内（におけるＡＰＣバルブ２４２の下流側）の汚染物質が、処理室２０１内に逆拡散（逆流）してウエハ２００等に吸着してしまうことを抑制できる。   In the leak presence / absence determination step according to the present embodiment, the APC valve 242 is closed when the differential pressure is measured. Therefore, it is possible to suppress contaminants in the gas exhaust pipe 231 (on the downstream side of the APC valve 242) from being reversely diffused (backflowed) into the processing chamber 201 and adsorbed to the wafer 200 or the like.

＜本発明のさらに他の実施形態＞
上述の実施形態では、処理対象のウエハ２００を処理室２０１内に搬入してからリーク有無判定工程を実施していた。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されない。
すなわち、基板処理装置のメンテナンスなどのため、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入することなく上述のリーク有無判定工程を実施することも可能である。 <Still another embodiment of the present invention>
In the above-described embodiment, the leakage presence / absence determination step is performed after the wafer 200 to be processed is loaded into the processing chamber 201. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment.
That is, for the maintenance of the substrate processing apparatus and the like, the above-described leak presence / absence determination step can be performed without carrying the wafer 200 into the processing chamber 201.

上述の実施形態では、基板処理装置が縦型ＣＶＤ装置として構成されており、かかる基板処理装置を用いてウエハ２００上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する基板処理工程を例にとって説明したが、本発明はこれらの構成に限定されない。すなわち、本発明は、横型ＣＶＤ、枚葉型ＣＶＤ装置など、減圧下でウエハ等の基板を処理する処理室を備える基板処理装置に好適に適用可能であり、また、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜以外の膜を成膜する場合にも好適に適用可能である。   In the above-described embodiment, the substrate processing apparatus is configured as a vertical CVD apparatus, and the substrate processing process in which the Epi-SiGe film is formed on the wafer 200 using the substrate processing apparatus has been described as an example. Is not limited to these configurations. That is, the present invention can be suitably applied to a substrate processing apparatus including a processing chamber for processing a substrate such as a wafer under reduced pressure, such as a horizontal CVD or a single wafer CVD apparatus, and a film other than an Epi-SiGe film. The present invention can also be suitably applied to the film formation.

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。 <Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の第１の態様によれば、減圧下で基板を処理する処理室と、前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記ガス供給手段に設けられる第１のバルブと、前記排気手段に設けられる第２のバルブと、前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段と、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記第１のバルブを開けて前記処理室内に不活性ガスを供給しつつ、前記第２のバルブを開けて前記処理室内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に前記圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、前記検知した圧力が前記所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する基板処理装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a processing chamber for processing a substrate under reduced pressure, a gas supply means for supplying a desired gas into the processing chamber, an exhaust means for exhausting an atmosphere in the processing chamber, A first valve provided in the gas supply means; a second valve provided in the exhaust means; a pressure detection means for detecting a pressure in the processing chamber; the first valve; the second valve; Control means for controlling each of the pressure detection means, and the control means opens the second valve and opens the second valve while supplying the inert gas into the processing chamber. If the atmosphere in the processing chamber is exhausted and the pressure detected by the pressure detecting means is less than a predetermined reference pressure after a predetermined time has elapsed, it is determined that there is no leakage, and the detected pressure is greater than or equal to the predetermined reference pressure. If there is a leak The substrate processing apparatus is provided.

本発明の第２の態様によれば、前記リーク無と判定した制御手段は、前記第１のバルブを閉めて前記処理室内への不活性ガスの供給を停止するとともに、前記第２のバルブを閉めて前記処理室内の雰囲気の排気を停止し、前記第１のバルブ及び前記第２のバルブを閉めた直後に前記圧力検知手段にて検知した圧力と、所定時間経過後に前記圧力検知手段にて検知した圧力との差圧が所定の基準差圧未満であればリーク無と判定し、前記差圧が前記所定の基準差圧以上であればリーク有と判定する第１の態様に記載の基板処理装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, the control means that has determined that there is no leakage closes the first valve to stop the supply of the inert gas into the processing chamber, and the second valve The pressure detected by the pressure detecting means immediately after the first valve and the second valve are closed, and the pressure detecting means after a lapse of a predetermined time, are closed and the exhaust of the atmosphere in the processing chamber is stopped. The substrate according to the first aspect, in which it is determined that there is no leakage if the differential pressure from the detected pressure is less than a predetermined reference differential pressure, and that there is a leak if the differential pressure is greater than or equal to the predetermined reference differential pressure. A processing device is provided.

本発明の第３の態様によれば、前記リーク有と判断した制御手段は、前記第１のバルブを開けて前記処理室内に不活性ガスを供給しつつ、前記第２のバルブを閉めて前記処理室内の雰囲気の排気を停止し、前記処理室内の圧力を大気圧まで昇圧する第１又は第２の態様に記載の基板処理装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, the control means determined to have the leak opens the first valve to supply an inert gas into the processing chamber, and closes the second valve to close the second valve. There is provided the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the exhaust of the atmosphere in the processing chamber is stopped and the pressure in the processing chamber is increased to atmospheric pressure.

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉、及び処理炉周辺の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing furnace of a substrate processing apparatus concerning one Embodiment of this invention, and a processing furnace periphery. 本発明の一実施形態にかかるボート搬入後の処理炉の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing furnace after carrying in the boat concerning one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態にかかるボート搬入前の処理炉の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing furnace before carrying in the boat concerning one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１７７ バルブ（第１のバルブ）
１７８ バルブ（第１のバルブ）
１７９ バルブ（第１のバルブ）
１９２ バルブ（第１のバルブ）
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２３１ ガス排気管（ガス排気手段）
２３２ ガス供給管（ガス供給手段）
２４０ コントローラ（制御手段）
２４２ ＡＰＣバルブ（第２のバルブ） 177 Valve (first valve)
178 Valve (first valve)
179 Valve (first valve)
192 Valve (first valve)
200 wafer (substrate)
201 processing chamber 231 gas exhaust pipe (gas exhaust means)
232 Gas supply pipe (gas supply means)
240 controller (control means)
242 APC valve (second valve)

Claims (1)

減圧下で基板を処理する処理室と、
前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記ガス供給手段に設けられる第１のバルブと、
前記排気手段に設けられる第２のバルブと、
前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段と、
前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、及び前記圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記第１のバルブを開けて前記処理室内に不活性ガスを供給しつつ、前記第２のバルブを開けて前記処理室内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に前記圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、前記検知した圧力が前記所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する
ことを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing substrates under reduced pressure;
Gas supply means for supplying a desired gas into the processing chamber;
Exhaust means for exhausting the atmosphere in the processing chamber;
A first valve provided in the gas supply means;
A second valve provided in the exhaust means;
Pressure detecting means for detecting the pressure in the processing chamber;
Control means for controlling each of the first valve, the second valve, and the pressure detection means,
The control means opens the first valve to supply an inert gas into the processing chamber, opens the second valve to exhaust the atmosphere in the processing chamber, and detects the pressure after a predetermined time has elapsed. If the pressure detected by the means is less than a predetermined reference pressure, it is determined that there is no leak, and if the detected pressure is equal to or higher than the predetermined reference pressure, it is determined that there is a leak.
JP2007287844A 2007-11-05 2007-11-05 Substrate treatment device Pending JP2009117554A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287844A JP2009117554A (en) 2007-11-05 2007-11-05 Substrate treatment device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287844A JP2009117554A (en) 2007-11-05 2007-11-05 Substrate treatment device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009117554A true JP2009117554A (en) 2009-05-28

Family

ID=40784365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007287844A Pending JP2009117554A (en) 2007-11-05 2007-11-05 Substrate treatment device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009117554A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180098421A (en) * 2013-08-12 2018-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
KR20190024666A (en) * 2017-08-30 2019-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Heat treatment apparatus and heat treatment method
WO2020059110A1 (en) * 2018-09-21 2020-03-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device production method, substrate treatment apparatus, and program
US11003149B2 (en) 2014-11-25 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109671643B (en) * 2013-08-12 2023-11-28 应用材料公司 Substrate processing system, apparatus and method with factory interface environmental control
CN109671643A (en) * 2013-08-12 2019-04-23 应用材料公司 Base plate processing system, device and method with factor interface environmental Kuznets Curves
KR20190101507A (en) * 2013-08-12 2019-08-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
KR20180098421A (en) * 2013-08-12 2018-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
US11282724B2 (en) 2013-08-12 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
KR102234464B1 (en) * 2013-08-12 2021-03-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
KR102297447B1 (en) * 2013-08-12 2021-09-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
US11450539B2 (en) 2013-08-12 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with factory interface environmental controls
US11003149B2 (en) 2014-11-25 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
US11782404B2 (en) 2014-11-25 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
KR20190024666A (en) * 2017-08-30 2019-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Heat treatment apparatus and heat treatment method
US10679874B2 (en) 2017-08-30 2020-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light irradiation type heat treatment apparatus and heat treatment method
KR102240492B1 (en) 2017-08-30 2021-04-14 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Heat treatment apparatus and heat treatment method
WO2020059110A1 (en) * 2018-09-21 2020-03-26 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device production method, substrate treatment apparatus, and program
JP7013589B2 (en) 2018-09-21 2022-01-31 株式会社Kokusai Electric Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs
US11519815B2 (en) 2018-09-21 2022-12-06 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JPWO2020059110A1 (en) * 2018-09-21 2021-08-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs
TWI720520B (en) * 2018-09-21 2021-03-01 日商國際電氣股份有限公司 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device and program

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5226438B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing method
KR101132237B1 (en) Substrate processing apparatus
JP5237133B2 (en) Substrate processing equipment
US7731797B2 (en) Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2010153467A (en) Substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2008085198A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2009117554A (en) Substrate treatment device
KR20170090967A (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
TWI761758B (en) Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US20080199610A1 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2013051374A (en) Substrate processing apparatus
US10763137B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2008172061A (en) Temperature controlling system, substrate processor, and manufacturing method of semiconductor device
JP2013045884A (en) Substrate processing apparatus
JP2012129232A (en) Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP2009260015A (en) Method of manufacturing substrate, and substrate processing apparatus
JP2008277785A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2006190812A (en) Substrate processing device
JP2011222656A (en) Substrate treatment apparatus
JP2008103508A (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2008258240A (en) Substrate treatment apparatus
JP2009289807A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2007234935A (en) Manufacturing method of semiconductor device, and substrate-treating device
JP2005191346A (en) Substrate processing apparatus
JP5792972B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus