JP2009111121A

JP2009111121A - Light emitting device

Info

Publication number: JP2009111121A
Application number: JP2007281350A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Kawabata; 和弘川畑; Tamio Kusano; 民男草野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2007-10-30
Filing date: 2007-10-30
Publication date: 2009-05-21

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase an optical flux of the emitting light and also improve heat radiation characteristic. <P>SOLUTION: The light emitting device includes a base material 14, a light emitting element 10, and a light emitting member 13. The base material 14 is formed of a light transmitting crystal structural material. The light emitting element 10 is mounted on a first surface 14u of the base material 14. The light emitting member 13 is arranged at the upper part of the light emitting element 10. The light emitting device includes a first light reflecting surface 11 and a second light reflecting surface 12. The first light reflecting surface 11 is surrounding a space S between the base material 14 and the light emitting member 13. The second light reflecting surface 12 is covering a second surface 14b of the base material 14. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device having a light emitting element such as a light emitting diode.

近年、照明分野などにおいて、発光ダイオードなどの発光素子を有する発光装置の開発が進められている。この発光装置は、発光素子によって発生された光の波長を変換する発光部材を有している。今後、発光装置において、出射光束のさらなる増大化が求められている。
特開２００５−２２８９９６号公報 In recent years, development of light emitting devices having light emitting elements such as light emitting diodes has been promoted in the field of illumination and the like. The light emitting device includes a light emitting member that converts the wavelength of light generated by the light emitting element. In the future, in the light emitting device, there is a demand for further increasing the emitted light flux.
JP 2005-228996 A

発光装置の出射光束の増大化において、発光素子によって発生される熱の制御が課題となる。発光素子によって発生される熱は、発光装置の発光効率に影響を及ぼす。今後の発光装置の出射光束の増大化において、発光装置の放熱構造に関する改善が求められている。 In increasing the emitted light flux of the light emitting device, control of heat generated by the light emitting element becomes an issue. The heat generated by the light emitting element affects the light emission efficiency of the light emitting device. In the future, the emitted light flux of the light emitting device is increased, and an improvement regarding the heat dissipation structure of the light emitting device is required.

本発明の一つの態様において、発光装置は、基体、発光素子および発光部材を有している。基体は、透光性の結晶構造材料からなり、第１の面と、第１の面より下側に位置する第２の面とを有している。発光素子は、基体の第１の面上に実装されている。発光部材は、蛍光材料を含んでおり、発光素子の上方に配置されている。発光装置は、第１の光反射面および第２の光反射面をさらに有している。第１の光反射面は、基体の第１の面および発光部材の間の空間を囲んでいる。第２の光反射面は、基体の第２の面を覆っている。 In one embodiment of the present invention, a light emitting device includes a base, a light emitting element, and a light emitting member. The base is made of a translucent crystal structure material, and has a first surface and a second surface located below the first surface. The light emitting element is mounted on the first surface of the base. The light emitting member includes a fluorescent material and is disposed above the light emitting element. The light emitting device further includes a first light reflecting surface and a second light reflecting surface. The first light reflecting surface surrounds the space between the first surface of the base and the light emitting member. The second light reflecting surface covers the second surface of the base.

本発明の他の態様において、発光装置は、基体、導電性ビアおよび発光素子を有している。基体は、透光性材料からなり、第１の面と、第１の面より下側に位置する第２の面とを有している。導電性ビアは、基体内に形成されている。発光素子は、導電性ビアに熱的に結合されており、基体の第１の面上に実装されている。発光装置は、発光部材、第１の光反射面および第２の光反射面を有している。発光部材は、蛍光材料を含んでおり、発光素子の上方に配置されている。第１の光反射面は、基体の第１の面および発光部材の間の空間を囲んでいる。第２の光反射面は、基体の第２の面を覆っている。 In another embodiment of the present invention, the light emitting device includes a base, a conductive via, and a light emitting element. The base body is made of a translucent material and has a first surface and a second surface located below the first surface. The conductive via is formed in the substrate. The light emitting element is thermally coupled to the conductive via and is mounted on the first surface of the substrate. The light emitting device has a light emitting member, a first light reflecting surface, and a second light reflecting surface. The light emitting member includes a fluorescent material and is disposed above the light emitting element. The first light reflecting surface surrounds the space between the first surface of the base and the light emitting member. The second light reflecting surface covers the second surface of the base.

本発明の他の態様において、発光装置は、基体、発光素子および発光部材を有している。基体は、透光性材料からなり、第１の面と、第１の面より下側に位置する第２の面とを有している。発光素子は、基体の第１の面上に実装されている。発光部材は、蛍光材料を含んでおり、発光素子の上方に配置されている。発光装置は、第１の光反射面および第２の光反射面を有している。第１の光反射面は、基体の第１の面および発光部材の間の空間を囲んでいる。第２の光反射面は、基体の第２の面を覆っている。発光装置は、導体パターンおよび実装端子を有している。導体パターンは、基体の第１の面上に形成されており、発光素子に熱的に結合されている。実装端子は、導体パターンに熱的に結合されている。 In another embodiment of the present invention, a light emitting device includes a base, a light emitting element, and a light emitting member. The base body is made of a translucent material and has a first surface and a second surface located below the first surface. The light emitting element is mounted on the first surface of the base. The light emitting member includes a fluorescent material and is disposed above the light emitting element. The light emitting device has a first light reflecting surface and a second light reflecting surface. The first light reflecting surface surrounds the space between the first surface of the base and the light emitting member. The second light reflecting surface covers the second surface of the base. The light emitting device has a conductor pattern and a mounting terminal. The conductor pattern is formed on the first surface of the base and is thermally coupled to the light emitting element. The mounting terminal is thermally coupled to the conductor pattern.

本発明の一つの態様による発光装置は、透光性の結晶構造材料からなる基体を有していることにより、出射光束が増大化された構成において放熱特性が向上されている。 The light-emitting device according to one aspect of the present invention has a base made of a translucent crystal structure material, so that heat dissipation characteristics are improved in a configuration in which the emitted light flux is increased.

本発明の他の態様による発光装置は、発光素子に熱的に結合された導電性ビアを有していることにより、出射光束が増大化された構成において放熱特性が向上されている。 The light emitting device according to another aspect of the present invention has the conductive via thermally coupled to the light emitting element, so that the heat radiation characteristic is improved in the configuration in which the emitted light flux is increased.

本発明の他の態様による発光装置は、発光素子に熱的に結合されており基体の第１の面上に形成された導体パターンと、導体パターンに熱的に結合された実装端子とを有していることにより、出射光束が増大化された構成において放熱特性が向上されている。 A light emitting device according to another aspect of the present invention includes a conductor pattern that is thermally coupled to the light emitting element and formed on the first surface of the substrate, and a mounting terminal that is thermally coupled to the conductor pattern. As a result, the heat dissipation characteristics are improved in the configuration in which the outgoing light flux is increased.

以下、本発明の実施の形態が図面を参照して詳細に説明されている。本実施の形態の概念が、図１を参照して説明されている。発光装置１は、発光素子１０によって発生された光を上方へ反射する第１の光反射面１１および第２の光反射面１２を有している。“上方”とは、仮想のＸＺ空間におけるＺ方向のことをいう。発光装置１は、発光素子１０の上方に配置された発光部材１３をさらに有している。発光素子１０から上方へ放射された光Ｌ１ａｃ，Ｌ１ａｐは、第１の光反射面１１によって発光部材１３の方向へ反射される。光Ｌ１ａｃ，Ｌ１ａｐは、発光部材１３によって波長変換される。波長変換された光が、符号Ｌ２として示されている。発光素子１０から下方に放射された光Ｌ１ｂは、第２の光反射面１２によって発光部材１３の方向へ反射される。“下方”とは、仮想のＸＹ空間におけるＺ’方向のことをいう。光Ｌ１ｂは、発光部材１３によって波長変換される。波長変換された光が、符号Ｌ２として示されている。本実施の形態の発光装置１は、発光部材１３による波長変換において、発光素子１０から下方へ放射された光Ｌ１ｂを補足的に利用するものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The concept of this embodiment is described with reference to FIG. The light emitting device 1 has a first light reflecting surface 11 and a second light reflecting surface 12 that reflect upward the light generated by the light emitting element 10. “Upward” refers to the Z direction in the virtual XZ space. The light emitting device 1 further includes a light emitting member 13 disposed above the light emitting element 10. Lights L1ac and L1ap emitted upward from the light emitting element 10 are reflected toward the light emitting member 13 by the first light reflecting surface 11. The light L1ac and L1ap are wavelength-converted by the light emitting member 13. The wavelength-converted light is indicated as L2. The light L1b emitted downward from the light emitting element 10 is reflected by the second light reflecting surface 12 toward the light emitting member 13. “Downward” refers to the Z ′ direction in the virtual XY space. The light L1b is wavelength-converted by the light emitting member 13. The wavelength-converted light is indicated as L2. The light emitting device 1 according to the present embodiment supplements the light L1b emitted downward from the light emitting element 10 in the wavelength conversion by the light emitting member 13.

以下、本実施の形態の発光装置１および比較例の発光強度分布が、図２および図３を参照して説明されている。図２に示されたように、比較例の発光装置において、発光部材の中央領域に届く光Ｌ１ａｃの強度は、発光部材の周辺領域に届く光Ｌ１ａｐの強度より大きい。図３において破線によって示されたように、比較例の出力光は、光照射領域の中央部分において光強度が強く、周囲部分ほど光強度が弱い。一方、図１に示されたように、本実施の形態の発光装置１において、発光素子１０から下方へ放射された光Ｌ１ｂが、第２の光反射面１２によって、発光部材１３の周囲領域に補足的に到達する。図３において実線によって示されたように、本実施の形態の出力光は、光照射領域の全体において、光強度のむらが低減されている。 Hereinafter, the light emission intensity distributions of the light emitting device 1 and the comparative example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. As shown in FIG. 2, in the light emitting device of the comparative example, the intensity of the light L1ac reaching the central region of the light emitting member is higher than the intensity of the light L1ap reaching the peripheral region of the light emitting member. As indicated by a broken line in FIG. 3, the output light of the comparative example has a high light intensity at the central portion of the light irradiation region and a light intensity at the peripheral portion. On the other hand, as shown in FIG. 1, in the light emitting device 1 of the present embodiment, the light L <b> 1 b radiated downward from the light emitting element 10 is caused to enter the peripheral region of the light emitting member 13 by the second light reflecting surface 12. Reaching supplementarily. As shown by the solid line in FIG. 3, the output light of the present embodiment has reduced light intensity unevenness in the entire light irradiation region.

以下、発光装置における熱制御が説明されている。図４−図６に示されたように、本実施の形態の発光装置１は、発光素子１０、第１の光反射面１１および第２の光反射面１２を有している。発光装置１は、発光部材１３および基体１４をさらに有している。 Hereinafter, thermal control in the light emitting device will be described. As shown in FIGS. 4 to 6, the light emitting device 1 of the present embodiment has a light emitting element 10, a first light reflecting surface 11, and a second light reflecting surface 12. The light emitting device 1 further includes a light emitting member 13 and a base 14.

発光素子１０は、半導体材料からなる発光ダイオードである。発光素子１０は、基体１４の第１の面１４ｕ（上面１４ｕ）上に実装されており、導体パターン１４ｃに電気的に接続されている。発光素子１０は、フリップチップ接続によって上面１４ｕ上に実装されている。図７に示されたように、発光素子１０は、基板１０ｂ上に積層された第１導電型半導体層（ｎ型層）１０ｎ、半導体活性層１０ａおよび第２導電型半導体層（ｐ型層）１０ｐを有している。基板１０ｂは、透光性材料からなる。基板１０ｂの“透光性”とは、半導体活性層１０ａにおいて発生された光の波長の少なくとも一部が透過できることをいう。第１の電極パッド（ｎ側電極パッド）１０ｎｐが、ｎ型層１０ｎ上に形成されている。ｎ側電極パッド１０ｎｐは、金（Ａｕ）からなる。透光性電極１０ｅがｐ型層１０ｐ上に形成されている。電極１０ｅの“透光性”とは、半導体活性層１０ａにおいて発生された光の波長の少なくとも一部が透過できることをいう。透光性電極１０ｅは、酸化インジウム−酸化スズからなるＩＴＯである。第２の電極パッド（ｐ側電極パッド）１０ｐｐが透光性電極１０ｅ上に形成されている。ｐ側電極パッド１０ｐｐは、金（Ａｕ）からなる。 The light emitting element 10 is a light emitting diode made of a semiconductor material. The light emitting element 10 is mounted on the first surface 14u (upper surface 14u) of the base 14, and is electrically connected to the conductor pattern 14c. The light emitting element 10 is mounted on the upper surface 14u by flip chip connection. As shown in FIG. 7, the light emitting device 10 includes a first conductive semiconductor layer (n-type layer) 10n, a semiconductor active layer 10a, and a second conductive semiconductor layer (p-type layer) stacked on a substrate 10b. 10p. The substrate 10b is made of a translucent material. “Translucent” of the substrate 10b means that at least part of the wavelength of light generated in the semiconductor active layer 10a can be transmitted. A first electrode pad (n-side electrode pad) 10np is formed on the n-type layer 10n. The n-side electrode pad 10np is made of gold (Au). A translucent electrode 10e is formed on the p-type layer 10p. “Translucency” of the electrode 10e means that at least a part of the wavelength of light generated in the semiconductor active layer 10a can be transmitted. The translucent electrode 10e is ITO made of indium oxide-tin oxide. A second electrode pad (p-side electrode pad) 10pp is formed on the translucent electrode 10e. The p-side electrode pad 10pp is made of gold (Au).

発光素子１０は、ｎ側電極パッド１０ｎｐおよびｐ側電極パッド１０ｐｐを含む実装面Ｍを有している。図８に示されたように、発光素子１０は、半田１７を介して基体１４上に実装されている。半田１７は、金−スズ（Ａｕ−Ｓｎ）合金からなる。半田１７が付着される電極１６が、導体パターン１４ｃ上に形成されている。電極１６は、金（Ａｕ）からなる。 The light emitting element 10 has a mounting surface M including an n-side electrode pad 10np and a p-side electrode pad 10pp. As shown in FIG. 8, the light emitting element 10 is mounted on the base 14 via the solder 17. The solder 17 is made of a gold-tin (Au—Sn) alloy. An electrode 16 to which the solder 17 is attached is formed on the conductor pattern 14c. The electrode 16 is made of gold (Au).

第１の光反射面１１は、発光素子１０および発光部材１３の間の空間Ｓを囲んでいる。発光素子１０から上方へ放射された光Ｌ１ａは、第１の光反射面１１によって発光部材１３の方向へ反射される。第２の光反射面１２は、基体１４の第２の面１４ｂ（下面１４ｂ）を覆っている。第２の光反射面１２は、第２の面１４ｂ上に形成されている。第２の光反射面１２は、金属材料からなる。金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）である。第２の光反射面１２は、蒸着によって下面１４ｂに付着されている。第２の光反射面１２は、曲面形状を有している。曲面形状は、放物面である。発光素子１０から下方に放射された光Ｌ１ｂは、第２の光反射面１２によって発光部材１３の方向へ反射される。第１の光反射面１１および第２の光反射面１２は、全体的に放物面を形成している。発光素子１０は、第１の光反射面１１および第２の光反射面１２からなる放物面の焦点に配置されている。本実施の形態の発光装置１は、発光部材１３による波長変換において、発光素子１０から下方へ放射された光Ｌ１ｂを補足的に利用していることにより、発光効率が向上されている。 The first light reflecting surface 11 surrounds the space S between the light emitting element 10 and the light emitting member 13. The light L1a emitted upward from the light emitting element 10 is reflected toward the light emitting member 13 by the first light reflecting surface 11. The second light reflecting surface 12 covers the second surface 14b (lower surface 14b) of the base 14. The second light reflecting surface 12 is formed on the second surface 14b. The second light reflecting surface 12 is made of a metal material. The metal material is aluminum (Al). The second light reflecting surface 12 is attached to the lower surface 14b by vapor deposition. The second light reflecting surface 12 has a curved surface shape. The curved surface shape is a paraboloid. The light L1b emitted downward from the light emitting element 10 is reflected by the second light reflecting surface 12 toward the light emitting member 13. The first light reflecting surface 11 and the second light reflecting surface 12 form a paraboloid as a whole. The light emitting element 10 is disposed at the focal point of a paraboloid composed of the first light reflecting surface 11 and the second light reflecting surface 12. In the light emitting device 1 of the present embodiment, the light emission efficiency is improved by supplementarily using the light L1b emitted downward from the light emitting element 10 in the wavelength conversion by the light emitting member 13.

発光部材１３は、発光素子１０の上方に配置されている。発光部材１３は、発光素子１０によって発生された光（Ｌ１ａおよびＬ１ｂ）によって励起されて、第２の光Ｌ２を放射する蛍光材料を含んでいる。発光部材１３は、シート形状を有している。 The light emitting member 13 is disposed above the light emitting element 10. The light emitting member 13 includes a fluorescent material that is excited by the light (L1a and L1b) generated by the light emitting element 10 and emits the second light L2. The light emitting member 13 has a sheet shape.

基体１４は、透光性の結晶構造材料からなる。基体１４の“透光性”とは、発光素子１０によって発生された光の波長の少なくとも一部が透過できることをいう。基体１４は、サファイアからなる。基体１４の材料の他の例は、水晶である。基体１４の材料の他の例は、人工ダイアモンドである。本実施の形態の発光装置１は、結晶構造材料からなる基体１４を有していることにより、発光素子１０によって発生された熱の放散特性が向上されている。図６に示されたように、発光素子１０によって発生された熱は、結晶構造材料からなる基体１４によって放散される。 The base 14 is made of a translucent crystal structure material. “Translucent” of the substrate 14 means that at least a part of the wavelength of light generated by the light emitting element 10 can be transmitted. The base 14 is made of sapphire. Another example of the material of the substrate 14 is quartz. Another example of the material of the substrate 14 is artificial diamond. The light emitting device 1 of the present embodiment has the base 14 made of a crystal structure material, so that the heat dissipation characteristics generated by the light emitting element 10 are improved. As shown in FIG. 6, the heat generated by the light emitting element 10 is dissipated by the base 14 made of a crystal structure material.

基体１４は、第１の面（上面）１４ｕ、第２の面（下面）１４ｂおよび導体パターン１４ｃを有している。発光装置１は、仮想のＸＹＺ空間に置かれている。上面１４ｕは、平坦な形状を有している。下面１４ｂは、曲面形状を有しており、上面１４ｕの下側に位置している。下面１４ｂの形状は、放物面である。導体パターン１４ｃは、上面１４ｕ上に形成されている。導体パターン１４ｃは、透光性材料からなる。透光性材料は、ＩＴＯである。透光性材料の他の例は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。導体パターン１４ｃの他の例は、光反射性を有する金属材料からなる。金属材料は、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ）およびクロム（Ｃｒ）からなる群から選択される。 The base 14 has a first surface (upper surface) 14u, a second surface (lower surface) 14b, and a conductor pattern 14c. The light emitting device 1 is placed in a virtual XYZ space. The upper surface 14u has a flat shape. The lower surface 14b has a curved surface shape and is located below the upper surface 14u. The shape of the lower surface 14b is a paraboloid. The conductor pattern 14c is formed on the upper surface 14u. The conductor pattern 14c is made of a translucent material. The translucent material is ITO. Another example of the translucent material is zinc oxide (ZnO). Another example of the conductor pattern 14c is made of a metal material having light reflectivity. The metal material is selected from the group consisting of gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), platinum (Pt), titanium (Ti), and chromium (Cr).

図６に示されたように、発光装置１は、第２の透光性材料からなる層１５をさらに有している。層１５の“透光性”とは、発光素子１０によって発生された光（Ｌ１ａｃ、ｌ１ａｐおよびＬ１ｂ）の波長の少なくとも一部が透過できることをいう。層１５は、導体パターン１４ｃおよび発光素子１０を封入している。第２の透光性材料は、樹脂である。樹脂は、シリコーン，エポキシまたはアクリルである。第２の透光性材料の他の例は、低融点ガラスである。層１５は、基体１４の透光性材料の屈折率より小さな屈折率を有している。層１５は、基体１４の上面１４ｕに付着している。層１５は、第１の光反射面１１に付着している。 As shown in FIG. 6, the light emitting device 1 further includes a layer 15 made of a second light transmissive material. “Translucent” of the layer 15 means that at least part of the wavelength of light (L1ac, l1ap, and L1b) generated by the light emitting element 10 can be transmitted. The layer 15 encapsulates the conductor pattern 14 c and the light emitting element 10. The second light transmissive material is a resin. The resin is silicone, epoxy, or acrylic. Another example of the second light transmissive material is low-melting glass. The layer 15 has a refractive index smaller than that of the translucent material of the substrate 14. The layer 15 is attached to the upper surface 14 u of the substrate 14. The layer 15 is attached to the first light reflecting surface 11.

発光装置１は、第１の部分１８ａおよび第２の部分１８ｂからなるパッケージを有している。第１の光反射面１１は、パッケージの第１の部分１８ａの内側表面に位置する。パッケージの第２の部分１８ｂは、樹脂接着剤を介して第１の部分１８ａに付着されている。発光装置１は、導体パターン１４ｃに電気的に接続された実装端子１９を有している。 The light emitting device 1 has a package including a first portion 18a and a second portion 18b. The first light reflecting surface 11 is located on the inner surface of the first portion 18a of the package. The second part 18b of the package is attached to the first part 18a via a resin adhesive. The light emitting device 1 has a mounting terminal 19 electrically connected to the conductor pattern 14c.

以下、本発明の発光装置の他の実施の形態が説明されている。図９に示されたように、発光装置２は、導電性ビア１４ｖを有している。図４に示された構成と同様の構成には同一の符号が付されている。導電性ビア１４ｖは、発光素子１０に熱的に結合されている。熱的な結合とは、発光素子１０および導電性ビア１４ｖの間に伝熱経路が形成されていることをいう。図９に示されたように、発光素子１０および導電性ビア１４ｖは、半田１７を介して、伝熱経路によって熱的に結合されている。導電性ビア１４ｖは、半田１７によって、発光素子１０のｎ側電極パッド１０ｎｐおよびｐ側電極パッド１０ｐｐに熱的に結合されている。導電性ビア１４ｖは、発光素子１０に電気的に接続されている。発光装置２は、導電性ビア１４に電気的に接続された実装端子２０を有している。基体１４は、透光性材料からなる。 Hereinafter, other embodiments of the light-emitting device of the present invention will be described. As illustrated in FIG. 9, the light emitting device 2 includes a conductive via 14v. The same components as those shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. Conductive via 14 v is thermally coupled to light emitting element 10. The thermal coupling means that a heat transfer path is formed between the light emitting element 10 and the conductive via 14v. As shown in FIG. 9, the light emitting element 10 and the conductive via 14 v are thermally coupled by the heat transfer path via the solder 17. Conductive via 14v is thermally coupled to n-side electrode pad 10np and p-side electrode pad 10pp of light-emitting element 10 by solder 17. The conductive via 14 v is electrically connected to the light emitting element 10. The light emitting device 2 has a mounting terminal 20 electrically connected to the conductive via 14. The base 14 is made of a translucent material.

以下、本発明の発光装置の他の実施の形態が説明されている。図１１に示されたように、発光装置３は、基体１４の上面１４ｕにおいて、発光素子１０から実装端子１９までの放熱経路を有している。導体パターン１４ｃは、基体１４の上面１４ｕに形成されており、発光素子１０に熱的に結合されている。熱的な結合とは、導体パターン１４ｃおよび発光素子１０との間に伝熱経路が形成されていることをいう。図１２に示されたように、発光素子１０のｎ側電極パッド１０ｎｐおよびｐ側電極パッド１０ｐｐは、半田１７を介して、導体パターン１４ｃ上に形成された電極１６に熱的に結合されている。発光素子１０および導体パターン１４ｃは電気的に接続されている。実装端子１９は、導体パターン１４ｃに熱的に結合されている。熱的な結合とは、導体パターン１４ｃおよび実装端子１９の間に伝熱経路が形成されていることをいう。図１３に示されたように、導体パターン１４ｃおよび実装端子１９は、半田２１を介して、伝熱経路が形成されている。導体パターン１４ｃおよび実装端子１９は電気的に接続されている。 Hereinafter, other embodiments of the light-emitting device of the present invention will be described. As shown in FIG. 11, the light emitting device 3 has a heat dissipation path from the light emitting element 10 to the mounting terminal 19 on the upper surface 14 u of the base 14. The conductor pattern 14 c is formed on the upper surface 14 u of the base 14 and is thermally coupled to the light emitting element 10. Thermal coupling means that a heat transfer path is formed between the conductor pattern 14 c and the light emitting element 10. As shown in FIG. 12, the n-side electrode pad 10 np and the p-side electrode pad 10 pp of the light emitting element 10 are thermally coupled to the electrode 16 formed on the conductor pattern 14 c through the solder 17. . The light emitting element 10 and the conductor pattern 14c are electrically connected. The mounting terminal 19 is thermally coupled to the conductor pattern 14c. The thermal coupling means that a heat transfer path is formed between the conductor pattern 14 c and the mounting terminal 19. As shown in FIG. 13, the conductor pattern 14 c and the mounting terminal 19 are formed with a heat transfer path via the solder 21. The conductor pattern 14c and the mounting terminal 19 are electrically connected.

本発明の実施の形態の概念を示す図である。It is a figure which shows the concept of embodiment of this invention. 比較例を示す図である。It is a figure which shows a comparative example. 図１および図２に示した発光装置の発光強度分布を示す図である。It is a figure which shows the emitted light intensity distribution of the light-emitting device shown to FIG. 1 and FIG. 本発明の実施の形態の発光装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the light-emitting device of embodiment of this invention. 図４に示された発光装置の分解図である。FIG. 5 is an exploded view of the light emitting device shown in FIG. 4. 図４に示された発光装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 4. 発光素子１０の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of a light emitting element 10. 発光素子１０の実装構造を示す断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a mounting structure of the light emitting element 10. FIG. 本発明の他の実施の形態の発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light-emitting device of other embodiment of this invention. 図９に示された構造の熱的な結合を説明する図である。It is a figure explaining the thermal coupling | bonding of the structure shown by FIG. 本発明の他の実施の形態の発光装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the light-emitting device of other embodiment of this invention. 図１１に示された構造の熱的な結合を説明する図である。It is a figure explaining the thermal coupling | bonding of the structure shown by FIG. 図１１に示された構造の熱的な結合を説明する図である。It is a figure explaining the thermal coupling | bonding of the structure shown by FIG.

Explanation of symbols

１発光装置
１０発光素子
１１第１の光反射面
１２第２の光反射面
１３発光部材
１４基体
１５透光性材料層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting device 10 Light emitting element 11 1st light reflection surface 12 2nd light reflection surface 13 Light emitting member 14 Base | substrate 15 Translucent material layer

Claims

A base made of a translucent crystal structure material, and having a first surface and a second surface located below the first surface;
A light emitting device mounted on the first surface of the substrate;
A light emitting member including a fluorescent material and disposed above the light emitting element;
A first light reflecting surface surrounding a space between the first surface of the base and the light emitting member;
A second light reflecting surface covering the second surface of the substrate;
A light emitting device comprising:

The light-emitting device according to claim 1, wherein the translucent crystal structure material is sapphire.

The light-emitting device according to claim 1, wherein the translucent crystal structure material is quartz.

A base made of a light-transmitting material and having a first surface and a second surface located below the first surface;
Conductive vias formed in the substrate;
A light emitting device thermally coupled to the conductive via and mounted on the first surface of the substrate;
A light emitting member including a fluorescent material and disposed above the light emitting element;
A first light reflecting surface surrounding a space between the first surface of the base and the light emitting member;
A second light reflecting surface covering the second surface of the substrate;
A light emitting device comprising:

The light emitting device according to claim 4, wherein the light emitting element is electrically connected to the conductive via.

A base made of a light-transmitting material and having a first surface and a second surface located below the first surface;
A light emitting device mounted on the first surface of the substrate;
A light emitting member including a fluorescent material and disposed above the light emitting element;
A first light reflecting surface surrounding a space between the first surface of the base and the light emitting member;
A second light reflecting surface covering the second surface of the substrate;
A conductor pattern formed on the first surface of the substrate and thermally coupled to the light emitting element;
A mounting terminal thermally coupled to the conductor pattern;
A light emitting device comprising: