JP2009111095A - Wafer lapping method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハのラッピング方法に関し、特にラッピング後のウェーハの平坦度および膜厚の面内均一性を向上させるウェーハラッピング方法に関する。 The present invention relates to a wafer wrapping method, and more particularly to a wafer wrapping method for improving in-plane uniformity of wafer flatness and film thickness after lapping.
インゴットからスライスされたウェーハ、例えばシリコンウェーハは、ラッピング、エッチング、研磨（ポリッシング）工程を経て、ウェーハ表裏面もしくはその片面が鏡面仕上げされた鏡面ウェーハに加工される。これら各工程において、ウェーハは円盤状の形状を保ったまま加工される。そして、各工程間には洗浄、乾燥、搬送等の手順が入る。 A wafer sliced from an ingot, for example, a silicon wafer, is processed into a mirror-finished wafer in which the front and back surfaces of the wafer or one surface thereof is mirror-finished through lapping, etching, and polishing (polishing) processes. In each of these steps, the wafer is processed while maintaining a disk shape. In addition, procedures such as cleaning, drying, and conveyance are included between the processes.
通常スライス後のウェーハは、厚さが必ずしも一定ではなく、また、表面に凹凸が存在する。さらに、スライス時のダメージ層が表面に存在する。このため、スライス後のウェーハ厚さを均一にし、かつ、表面の凹凸およびダメージ層を除去するために、上記ラッピング工程が行われる。ラッピング工程においては、被加工ウェーハを互いに平行なラップ定盤の間、すなわち、上定盤と下定盤の間にウェーハを配置し、遊離砥粒と分散剤と水との混合物である加工液（ラップ液）を上定盤と下定盤との間に流し込む。そして、加圧下でウェーハと２枚の定盤を回転、すり合わせることにより、ウェーハの表裏両面をラッピングする（例えば、特許文献１）。 Usually, a wafer after slicing is not necessarily constant in thickness, and has irregularities on the surface. Further, a damage layer at the time of slicing exists on the surface. For this reason, the lapping step is performed in order to make the wafer thickness after slicing uniform and to remove the surface irregularities and the damaged layer. In the lapping process, the wafer to be processed is placed between lap surface plates parallel to each other, that is, between the upper surface plate and the lower surface plate, and a processing liquid (a mixture of free abrasive grains, a dispersant, and water) Pour the lapping fluid between the upper and lower surface plates. Then, both the front and back surfaces of the wafer are lapped by rotating and rubbing the wafer and two surface plates under pressure (for example, Patent Document 1).
もっとも、ラッピング加工枚数を重ねると、砥粒による上下定盤の磨耗が進行し、このためにラッピング後のウェーハ表面平坦度を劣化してくる。したがって、安定したウェーハ品質の維持が困難であるという問題が生じていた。また、磨耗が進行するため、ドレッシングなどの定盤形状の修正を頻繁に行う必要が生じ、作業効率が著しく悪化するという問題も同時に生じていた。 However, when the number of wrapping processes is increased, the upper and lower surface plates are worn by the abrasive grains, which deteriorates the wafer surface flatness after lapping. Therefore, there has been a problem that it is difficult to maintain stable wafer quality. In addition, since the wear progresses, it is necessary to frequently correct the surface plate shape such as dressing, which causes a problem that work efficiency is remarkably deteriorated.
このため、ラップ定盤の磨耗を抑制し、ラッピング後のウェーハの平坦度および膜厚の面内均一性を向上させるウェーハラッピング方法が求められている。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、加工液に改良を加えることにより、ラップ定盤の磨耗を抑制し、ラッピング後のウェーハの平坦度および膜厚の面内均一性を向上させるウェーハラッピング方法を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its object is to improve the processing liquid to suppress the wear of the lapping platen, and to improve the flatness and film thickness of the lapped wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer wrapping method that improves the in-plane uniformity of the wafer.
本発明の一態様のウェーハラッピング方法は、上定盤と下定盤との間に被加工ウェーハを介在させ、加工液を供給しながらラッピング加工するウェーハラッピング方法において、前記加工液に砥粒とマイクロナノバブル水が含まれることを特徴とする。 The wafer wrapping method of one embodiment of the present invention is a wafer wrapping method in which a workpiece wafer is interposed between an upper surface plate and a lower surface plate, and lapping is performed while supplying a processing liquid. Nanobubble water is included.
ここで、前記マイクロナノバブル水中のマイクロナノバブル密度が、１０００個／ｍｌ以上であることが望ましい。 Here, it is desirable that the micro / nano bubble density in the micro / nano bubble water is 1000 / ml or more.
ここで、前記マイクロナノバブル水は、マイクロナノバブル生成後１０時間以内のマイクロナノバブル水であることが望ましい。 Here, the micro-nano bubble water is preferably micro-nano bubble water within 10 hours after the generation of micro-nano bubbles.
ここで、前記被加工ウェーハがシリコンウェーハであることが望ましい。 Here, it is desirable that the workpiece wafer is a silicon wafer.
本発明によれば、加工液に改良を加えることにより、ラップ定盤の磨耗を抑制し、ラッピング後のウェーハの平坦度および膜厚の面内均一性を向上させるウェーハラッピング方法を提供することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to provide a wafer wrapping method that suppresses the wear of a lapping plate by improving the processing liquid and improves the in-plane uniformity of wafer flatness and film thickness after lapping. It becomes possible.
以下、本発明のウェーハラッピング方法の実施の形態につき、図面を参照しつつ説明する。なお、ウェーハとして、ここではシリコンウェーハを対象とする場合を例として記載する。また、本明細書中マイクロナノバブルとは、直径が１ｎｍ以上１００μｍ未満の気泡と定義する。そして、マイクロナノバブル水とは、このマイクロナノバブルを含有する純粋等の水を称するものとする。 Hereinafter, embodiments of a wafer wrapping method of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the case where a silicon wafer is made into object is described as an example here as a wafer. Further, in the present specification, the micro / nano bubble is defined as a bubble having a diameter of 1 nm or more and less than 100 μm. And micro nano bubble water shall refer to the pure water containing this micro nano bubble.
本実施の形態のウェーハラッピング方法は、上定盤と下定盤との間に被加工ウェーハを介在させ、加工液を供給しながらラッピング加工するウェーハラッピング方法において、加工液に砥粒とマイクロナノバブル水が含まれることを特徴とする。 The wafer wrapping method according to the present embodiment is a wafer wrapping method in which a wafer to be processed is interposed between an upper surface plate and a lower surface plate, and lapping is performed while supplying a processing liquid. Is included.
図１は、本実施の形態の方法で用いられるウェーハラッピング装置の概略図である。図１（ａ）が上面図、図１（ｂ）が図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。ただし、図１（ａ）では、後述する上定盤は図から省略されている。図１（ｂ）に示すようにウェーハラッピング装置１０は、相対向して設けられた下定盤１２および上定盤１４を有している。これらの上下定盤（上下ラップ定盤）は、不図示の駆動手段によって、互いに逆方向に回転可能である。ここで、下定盤１２および上定盤１４は、例えば、黒鉛鋳鉄で形成されている。 FIG. 1 is a schematic view of a wafer wrapping apparatus used in the method of the present embodiment. FIG. 1A is a top view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. However, in FIG. 1A, an upper surface plate described later is omitted from the drawing. As shown in FIG. 1B, the wafer wrapping apparatus 10 has a lower surface plate 12 and an upper surface plate 14 provided to face each other. These upper and lower surface plates (upper and lower lap surface plates) can be rotated in opposite directions by driving means (not shown). Here, the lower surface plate 12 and the upper surface plate 14 are made of, for example, graphite cast iron.
そして、図１（ａ）に示されるように、ウェーハラッピング装置１０の中心部にはサンギア１６が設けられ、ウェーハラッピング装置１０の最外周部には環状のインターナルギア１８が設けられている。そして、サンギア１６とインターナルギア１８に挟み込まれるように複数の円盤状のキャリア２４が配置されている。 As shown in FIG. 1A, a sun gear 16 is provided at the center of the wafer wrapping apparatus 10, and an annular internal gear 18 is provided at the outermost periphery of the wafer wrapping apparatus 10. A plurality of disk-shaped carriers 24 are arranged so as to be sandwiched between the sun gear 16 and the internal gear 18.
図１（ｂ）に示すように、サンギア１６は下定盤１２の中心部の上面に設けられている。そして、円盤状のキャリア２４は、下定盤１２および上定盤１４の間に配置されている。そして、このキャリア２４は、サンギア１６とインターナルギア１８の作用により、後にその動作を詳述するように、自転および公転しつつ下定盤１２と上定盤１４の間を摺動可能となっている。また、ウェーハラッピング装置１０には、ウェーハのラッピング中に下定盤１２と上定盤１４の間に、加工液を供給する加工液供給部２６が上定盤１４の中心部に備えられている。 As shown in FIG. 1B, the sun gear 16 is provided on the upper surface of the center portion of the lower surface plate 12. The disc-shaped carrier 24 is disposed between the lower surface plate 12 and the upper surface plate 14. The carrier 24 is slidable between the lower surface plate 12 and the upper surface plate 14 by the action of the sun gear 16 and the internal gear 18 while rotating and revolving as will be described in detail later. . Further, the wafer wrapping apparatus 10 is provided with a machining liquid supply unit 26 for supplying a machining liquid between the lower surface plate 12 and the upper surface plate 14 during lapping of the wafer at the center of the upper surface plate 14.
キャリア２４には、図１（ａ）に示すようにウェーハ保持孔３０が設けられ、研磨すべきウェーハ４０は、このウェーハ保持孔３０内に配置される。なお、ここでは、１つのキャリア２４に１つのウェーハ保持孔３０が設けられている場合を示しているが、図２に示すように、１つのキャリア２４に複数、例えば３枚のウェーハ保持孔３０を設ける構成をとることも可能である。 As shown in FIG. 1A, the carrier 24 is provided with a wafer holding hole 30, and the wafer 40 to be polished is disposed in the wafer holding hole 30. Here, a case where one carrier holding hole 30 is provided in one carrier 24 is shown, but a plurality of, for example, three wafer holding holes 30 are provided in one carrier 24 as shown in FIG. It is also possible to adopt a configuration in which
さらに、ウェーハラッピング装置１０には、マイクロナノバブル水生成装置２２が付設されている。このマイクロナノバブル水生成装置２２で生成されたマイクロナノバブル水が、砥粒等と混合され、ウェーハラッピング装置１０の２つの定盤の間に供給可能となるよう加工液供給系が構成されている。マイクロナノバブル中の気体は、例えば、空気、酸素等を用いることが可能であるが特に限定されるわけではない。 Further, the wafer wrapping apparatus 10 is provided with a micro / nano bubble water generation apparatus 22. The machining liquid supply system is configured such that the micro / nano bubble water generated by the micro / nano bubble water generation device 22 is mixed with abrasive grains and the like and can be supplied between the two surface plates of the wafer lapping device 10. For example, air, oxygen, or the like can be used as the gas in the micro / nano bubbles, but the gas is not particularly limited.
このマイクロナノバブル水生成装置２２は、例えば、旋回流式のマイクロナノバブル発生機構を用いて１０００個〜数１００万個／ｍｌの密度のマイクロナノバブルを発生可能に設計されている。 The micro / nano bubble water generator 22 is designed to generate micro / nano bubbles having a density of 1,000 to several million / ml using, for example, a swirling flow type micro / nano bubble generating mechanism.
次に、ウェーハラッピング装置１０およびマイクロナノバブル水生成装置２２を用いたウェーハラッピング方法について説明する。 Next, a wafer wrapping method using the wafer wrapping apparatus 10 and the micro / nano bubble water generating apparatus 22 will be described.
ラッピングに先立ち、同時にラッピングされる複数のウェーハ４０は、キャリア２４のウェーハ保持孔３０に配置される。そして、キャリア２４を、平行に保持される下定盤１２と上定盤１４の間に、荷重を加えて挟みこむ。これによって、シリコンウェーハである被加工ウェーハ４０を上定盤１４と下定盤１２との間に介在させる。 Prior to lapping, the plurality of wafers 40 to be simultaneously lapped are arranged in the wafer holding holes 30 of the carrier 24. Then, the carrier 24 is sandwiched by applying a load between the lower surface plate 12 and the upper surface plate 14 held in parallel. As a result, the wafer 40 to be processed, which is a silicon wafer, is interposed between the upper surface plate 14 and the lower surface plate 12.
次に、図示しない回転機構により、サンギア１６およびインターナルギア１８の少なくともいずれか一方を回転させると、両ギアによってキャリア２４に回転運動が与えられる。図３は、キャリアおよびウェーハの運動を示す図である。キャリア２４は図示しないギアをその外周に有している。そして、キャリア２４は、下定盤（図示せず）および上定盤（図示せず）の回転と、サンギア１６およびインターナルギア１８の回転から、公転（矢印Ｒ３）および自転（矢印Ｒ２）を行っている。そして、このような公転と自転を行うキャリア２４のウェーハ保持孔３０に保持されるウェーハ４０は、ウェーハ４０そのものが自転（矢印Ｒ１）を行うことになる。 Next, when at least one of the sun gear 16 and the internal gear 18 is rotated by a rotation mechanism (not shown), a rotational motion is given to the carrier 24 by both gears. FIG. 3 shows the movement of the carrier and the wafer. The carrier 24 has a gear (not shown) on its outer periphery. The carrier 24 performs revolution (arrow R3) and rotation (arrow R2) from the rotation of the lower surface plate (not shown) and the upper surface plate (not shown) and the rotation of the sun gear 16 and the internal gear 18. Yes. Then, the wafer 40 held in the wafer holding hole 30 of the carrier 24 that performs such revolution and rotation rotates itself (arrow R1).
さらに、図示しない駆動手段により上定盤１４および下定盤１２を互いに反対方向に回転するように駆動する。これらの動作によりシリコンウェーハ４０と上定盤１４、下定盤１２が相対的にすべりあう。そして、加工液供給部２６（図１（ｂ））から上定盤１４と下定盤１２の間に、加工液を供給することにより、シリコンウェーハ４０の表面が研磨（ラップ）される。 Furthermore, the upper surface plate 14 and the lower surface plate 12 are driven to rotate in directions opposite to each other by driving means (not shown). By these operations, the silicon wafer 40 and the upper surface plate 14 and the lower surface plate 12 slide relative to each other. And the surface of the silicon wafer 40 is grind | polished by supplying a processing liquid between the upper surface plate 14 and the lower surface plate 12 from the processing liquid supply part 26 (FIG.1 (b)).
そして、この加工液として、砥粒とマイクロナノバブル水生成装置２２で生成されたマイクロナノバブル水を含む加工液が用いられる。この加工液には、公知のラッピング用研磨液とマイクロナノバブル水の混合物を用いてもかまわない。公知のラッピング用研磨液としては、例えば、アルミナ・ジルコニウム等の遊離砥粒と、界面活性剤を含む水などの液体を混合した水溶性の研磨液などが使用可能である。 As the processing liquid, a processing liquid containing abrasive grains and micro / nano bubble water generated by the micro / nano bubble water generator 22 is used. As the processing liquid, a known lapping polishing liquid and micro / nano bubble water mixture may be used. As a known lapping polishing liquid, for example, a water-soluble polishing liquid in which free abrasive grains such as alumina and zirconium are mixed with a liquid such as water containing a surfactant can be used.
通常、ラッピングを多数のウェーハについて繰り返していくと、上下定盤自体に磨耗が発生し、加工枚数を加えるごとに、ラッピング後のシリコンウェーの平坦度やウェーハ厚の面内均一性が劣化していく。しかしながら、本実施の形態のように、加工液にマイクロナノバブル水を含有させることにより、上下定盤の磨耗が抑制され、ラッピングを多数のウェーハについて繰り返し行っても、従来と比較して、ラッピング後のウェーハ表面の高い平坦度およびウェーハ厚の面内均一性を維持することが可能となる。 Normally, when lapping is repeated for a large number of wafers, the upper and lower platen itself wears, and each time the number of processed sheets is added, the flatness of the silicon wafer after lapping and the in-plane uniformity of the wafer thickness deteriorate. Go. However, by adding micro / nano bubble water to the processing liquid as in the present embodiment, the wear of the upper and lower surface plates is suppressed, and even after repeated lapping for a large number of wafers, compared to the conventional case, after lapping It is possible to maintain high flatness of the wafer surface and in-plane uniformity of the wafer thickness.
上述のように、本実施の形態において、上下定盤の磨耗が抑制され、ラッピング後のウェーハ表面の高い平坦度およびウェーハ厚の面内均一性を実現することが可能となる理由は次のように考えられる。すなわち、マイクロナノバブルは大きなゼータ電位を有することから、加工液中の砥粒の分散性が向上し、均一なラッピング加工を行うことができる。言い換えれば、上下定盤の磨耗の定盤内分布も平均化されるのである。 As described above, in the present embodiment, wear of the upper and lower surface plates is suppressed, and the reason why it is possible to achieve high flatness of the wafer surface after lapping and in-plane uniformity of the wafer thickness is as follows. Can be considered. That is, since the micro / nano bubbles have a large zeta potential, the dispersibility of the abrasive grains in the processing liquid is improved, and uniform lapping can be performed. In other words, the distribution within the surface plate of the wear of the upper and lower surface plates is also averaged.
なお、本実施の形態において、マイクロナノバブル水のマイクロナノバブル密度が、１０００個／ｍｌ以上であることが望ましい。この密度以上であれば、上下定盤の磨耗抑制効果が実用上十分得られるからである。さらに、マイクロナノバブル水のマイクロナノバブル密度が、５０万個／ｍｌ以上であることが望ましい。この密度以上であれば、上下定盤の磨耗抑制効果が顕著に得られるからである。 In the present embodiment, it is desirable that the micro / nano bubble density of the micro / nano bubble water is 1000 / ml or more. This is because, if the density is higher than this, the effect of suppressing the wear of the upper and lower surface plates can be obtained practically. Furthermore, it is desirable that the micro / nano bubble density of the micro / nano bubble water is 500,000 / ml or more. This is because if it is above this density, the effect of suppressing the wear of the upper and lower surface plates can be obtained remarkably.
また、マイクロナノバブル水は、マイクロナノバブル生成後１０時間以内のマイクロナノバブル水であることが望ましい。マイクロナノバブル水中のマイクロナノバブル密度およびゼータ電位は、時間と共に減少するところ、マイクロナノバブル生成後１０時間以内であれば、マイクロナノバブル生成直後同様の効果が得られるためである。 The micro / nano bubble water is preferably micro / nano bubble water within 10 hours after the generation of micro / nano bubbles. This is because the micro-nano bubble density and the zeta potential in the micro-nano bubble water decrease with time, and if it is within 10 hours after the generation of the micro-nano bubble, the same effect is obtained immediately after the generation of the micro-nano bubble.
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。実施の形態の説明においては、ウェーハラッピング装置やウェーハラッピング方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされるウェーハラッピング装置やウェーハラッピング方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. In the description of the embodiment, the description of the parts that are not directly required for the description of the present invention in the wafer wrapping apparatus and the wafer wrapping method is omitted, but the required wafer wrapping apparatus and the wafer wrapping method are used. The elements involved can be appropriately selected and used.
例えば、上記実施の形態においては、ウェーハとしてシリコンウェーハを例に説明したが、必ずしもシリコンウェーハに限らず、ラッピング対象となるウェーハであれば、例えば、ＧａＡｓウェーハ、ＩｎＰウェーハ等のシリコンウェーハ以外のウェーハについても適用することが可能である。 For example, in the above-described embodiment, a silicon wafer has been described as an example of a wafer. It is possible to apply also to.
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのウェーハラッピング方法は、本発明の範囲に包含される。 In addition, all wafer wrapping methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
（実施例）
図１に示すようなウェーハラッピング装置であるＳＰＥＥＤＦＡＭ株式会社製ウェーハラッピング装置（型番：ＤＳＭ２８Ｂ−５Ｌ−４Ｄ）を用いてΦ３００ｍｍのＳｉ（１００）のシリコンウェーハをラッピングした。上下定盤の素材は、黒鉛鋳鉄である。また、加工条件として、上下定盤回転数３０ｒｐｍ、ラップ荷重１００ｇ／ｃｍ２とした。
(Example)
Using a wafer wrapping apparatus (model number: DSM28B-5L-4D) manufactured by SPEEDFAM, which is a wafer wrapping apparatus as shown in FIG. The material of the upper and lower surface plate is graphite cast iron. The processing conditions were an upper and lower surface plate rotation speed of 30 rpm and a lap load of 100 g / cm 2 .
マイクロナノバブル水生成装置としては、株式会社協和機設製ナノバブル生成装置ＢＵＶＩＴＡＳ（形式：ＨＹＫ−２５）を用いて生成した。マイクロナノバブル中の気体は空気とした。１８Ｌの純水に対し、マイクロナノバブル水生成装置を３０分稼動させて生成したマイクロナノバブル水を加工液に含有させた。加工液は、上記マイクロナノバブル水、株式会社フジミインコーポレーテッド社製研磨剤（型番：ＦＯ＃１０００）を重量比２：１の割合で混合したものを用いた。また、今回用いたマイクロナノバブル水は、比較的バブルの安定する生成後４０ｍｉｎ経過時にレーザー回折法による粒度分布測定を行った結果、バブル密度が２．７〜７．４×１０６個／ｍｌ、バブル粒径の中央値が０．５９３〜０．５９６μｍ、ヒストグラムのピークは０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ付近にそれぞれ見られた。 As a micro nano bubble water production | generation apparatus, it produced | generated using the Kyowa machine establishment nano bubble production | generation apparatus BUVITAS (form: HYK-25). The gas in the micro / nano bubble was air. The micro-nano bubble water produced | generated by operating a micro-nano bubble water production | generation apparatus for 30 minutes with respect to 18L pure water was made to contain in a processing liquid. The processing liquid used was a mixture of the above micro-nano bubble water and a polishing agent (model number: FO # 1000) manufactured by Fujimi Incorporated, Inc. at a ratio of 2: 1 by weight. In addition, the micro-nano bubble water used this time was subjected to particle size distribution measurement by laser diffraction method after a lapse of 40 minutes after the generation of relatively stable bubbles. As a result, the bubble density was 2.7 to 7.4 × 10 6 / ml, The median bubble particle size was 0.593 to 0.596 μm, and the peaks of the histogram were found around 0.1 μm, 0.3 μm and 0.5 μm, respectively.
加工ウェーハ枚数を増加させていくライフ試験を行い、上下定盤の磨耗による定盤の変形量を株式会社Ｈｉｔｚハイテクノロジー社製の真直度形状測定機で評価した。結果は図４に示す。また、同様の試験で、ラッピング後のウェーハ表面平坦度をコベルコ社製ボウ・ワープ測定器（型番：ＳＢＷ−３３０Ｍ）で評価した。結果を図５に示す。また、ウェーハを１０００枚ラッピングした後に実施したラッピング後のウェーハ厚さの面内分布をコベルコ社製ボウ・ワープ測定器（型番：ＳＢＷ−３３０Ｍ）で評価した。結果を図６（ａ）に示す。図６（ａ）左図が等厚線図、図６（ａ）右図が、中心を通るウェーハ断面の厚さ分布である。なお、ここで、厚さの均一性の評価指標としては、ＧＢＩＲ（Ｇｌｏｂａｌ Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ Ｒａｎｇｅ）を用いた。 A life test was performed to increase the number of processed wafers, and the amount of deformation of the surface plate due to wear of the upper and lower surface plates was evaluated with a straightness shape measuring machine manufactured by Hitz High Technology Co., Ltd. The results are shown in FIG. In the same test, the wafer surface flatness after lapping was evaluated with a bow / warp measuring instrument (model number: SBW-330M) manufactured by Kobelco. The results are shown in FIG. Further, the in-plane distribution of the wafer thickness after lapping performed after lapping 1000 wafers was evaluated with a bow / warp measuring instrument (model number: SBW-330M) manufactured by Kobelco. The results are shown in FIG. The left figure of Fig.6 (a) is an isometric diagram, and the right figure of Fig.6 (a) is the thickness distribution of the wafer cross section which passes along the center. Here, GBIR (Global Back-Side Ideal Range) was used as an evaluation index of thickness uniformity.
（比較例）
マイクロナノバブル水を加工液に含有させないこと以外は実施例と同様の条件でウェーハのラッピングを行った。
(Comparative example)
The wafer was lapped under the same conditions as in the example except that the micronano bubble water was not included in the processing liquid.
上下定盤の磨耗量の評価結果を図４に示す。また、ラッピング後のウェーハ表面平坦度の評価結果を図５に示す。そして、ラッピング後のウェーハ厚さの面内分布の評価結果を図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）左図が等厚線図、図６（ｂ）右図が、中心を通るウェーハ断面の厚さ分布である。 FIG. 4 shows the evaluation results of the wear amount of the upper and lower surface plates. Moreover, the evaluation result of the wafer surface flatness after lapping is shown in FIG. FIG. 6B shows the evaluation result of the in-plane distribution of the wafer thickness after lapping. The left figure of FIG.6 (b) is an iso-thickness diagram, and the right figure of FIG.6 (b) is thickness distribution of the wafer cross section which passes along a center.
図４に示すように、マイクロナノバブル水を含む加工液を用いると、マイクロナノバブル水を含まない加工液（比較例）に比べ、加工ウェーハ枚数に対する上下定盤の磨耗量が抑制される。また、図５に示すように、実施例の場合は、加工ウェーハ枚数に対するラッピング後のウェーハ表面平坦度が向上する。さらに、図６に示すように、加工枚数を重ねた後の、ウェーハラッピング後のウェーハ膜厚の面内均一性も向上する。 As shown in FIG. 4, when a processing liquid containing micro-nano bubble water is used, the amount of wear of the upper and lower surface plates with respect to the number of processed wafers is suppressed as compared with a processing liquid not containing micro-nano bubble water (comparative example). Further, as shown in FIG. 5, in the case of the embodiment, the wafer surface flatness after lapping with respect to the number of processed wafers is improved. Further, as shown in FIG. 6, the in-plane uniformity of the wafer film thickness after the wafer wrapping after the number of processed sheets is increased.
以上、本実施例により、本発明の作用・効果が確認された。 As mentioned above, the effect | action and effect of this invention were confirmed by the present Example.
１０ ウェーハラッピング装置
１２ 下定盤
１４ 上定盤
１６ サンギア
１８ インターナルギア
２２ マイクロナノバブル水生成装置
２４ キャリア
２６ 加工液供給部
３０ ウェーハ保持孔
４０ ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer wrapping apparatus 12 Lower surface plate 14 Upper surface plate 16 Sun gear 18 Internal gear 22 Micro nano bubble water production | generation apparatus 24 Carrier 26 Process liquid supply part 30 Wafer holding hole 40 Wafer
Claims (4)
前記加工液に砥粒とマイクロナノバブル水が含まれることを特徴とするウェーハラッピング方法。 In a wafer wrapping method in which a wafer to be processed is interposed between an upper surface plate and a lower surface plate and lapping is performed while supplying a processing liquid,
A wafer wrapping method, wherein the processing liquid contains abrasive grains and micro / nano bubble water.
The wafer wrapping method according to claim 1, wherein the workpiece wafer is a silicon wafer.
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