JP2009105183A - Projection exposure apparatus - Google Patents

Projection exposure apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009105183A
JP2009105183A JP2007274791A JP2007274791A JP2009105183A JP 2009105183 A JP2009105183 A JP 2009105183A JP 2007274791 A JP2007274791 A JP 2007274791A JP 2007274791 A JP2007274791 A JP 2007274791A JP 2009105183 A JP2009105183 A JP 2009105183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
shielding body
exposure apparatus
projection exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007274791A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Sato
仁 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orc Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Manufacturing Co Ltd filed Critical Orc Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007274791A priority Critical patent/JP2009105183A/en
Priority to TW097101457A priority patent/TW200841134A/en
Priority to US12/069,415 priority patent/US20080252871A1/en
Publication of JP2009105183A publication Critical patent/JP2009105183A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection exposure apparatus including a light shielding device for shielding the light to be radiated to an edge part of a substrate in order to remove negative resist on this edge part of substrate. <P>SOLUTION: The projection exposure apparatus exposes a substrate CB coated with a negative photoresist using the light having passed a mask via the projecting optical system by irradiating the mask with the light including the ultraviolet ray. The projection exposure apparatus includes a substrate table 60 having an attracting part 69 for attracting the substrate, a first light shielding part 30 for shielding the exposure light, a first light shielding part arranging portion 32 for arranging the first light shielding part to a part of the edge of substrate, and a moving part 31 placed on the substrate table to move the first light shielding part arranging portion to the desired position in the periphery of the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、シリコンなどの基板の表面に所定のパターンを露光する際に、ネガ型フォトレジストが塗布された基板の縁部を遮光する遮光体を有する投影露光装置に関する。   The present invention relates to a projection exposure apparatus having a light-shielding body that shields the edge of a substrate coated with a negative photoresist when a predetermined pattern is exposed on the surface of a substrate such as silicon.

シリコンウェーハなどの半導体用基板、液晶やPDP用のガラス基板又は電子回路用の各種基板(以下、基板という)等に所定のパターンを露光するために、所定の波長の紫外線を照射する露光装置がいろいろと提案されている。基板にフォトレジストを塗布した場合に、基板の縁部ではフォトレジストが不均一に塗布されることがある。このためフォトレジストが除去されずに残り、後の工程でフォトレジストがごみの要因になることがある。そのため事前に基板の縁部のフォトレジストを除去しておくことが必要である。   An exposure apparatus that irradiates ultraviolet rays of a predetermined wavelength to expose a predetermined pattern on a semiconductor substrate such as a silicon wafer, a glass substrate for liquid crystal or PDP, or various substrates for electronic circuits (hereinafter referred to as a substrate). Various proposals have been made. When a photoresist is applied to the substrate, the photoresist may be applied unevenly at the edge of the substrate. For this reason, the photoresist remains without being removed, and the photoresist may cause dust in a later process. Therefore, it is necessary to remove the photoresist on the edge of the substrate in advance.

特にMEMSの製造などではウェーハの段差が数μmを超え、数百μmにもおよぶものがある。このようなMEMS生産にはウェーハ段差が大きいためネガ型フォトレジストが広く使用されている。基板の縁部のネガ型フォトレジストを取り除くために基板の縁部に光が当たらないように遮光板を備える露光装置が提案されている。感光しなかったネガ型フォトレジストは現像およびエッチングにより取り除かれるようになっている。   In particular, in the manufacture of MEMS and the like, there is a wafer having a step difference of more than several μm and several hundred μm. In such MEMS production, a negative photoresist is widely used due to a large wafer level difference. In order to remove the negative photoresist on the edge of the substrate, there has been proposed an exposure apparatus provided with a light shielding plate so that light does not strike the edge of the substrate. The negative photoresist not exposed to light is removed by development and etching.

特許文献1では、リング状の遮光体130を基板上に載せ、基板の縁部を一括して覆うような装置が提案されている。特許文献1に開示される遮光体130は、図8(a)に示すように基板の縁部の全体を覆うような形状である。図8(b)は図8(a)のA断面図である。このため基板の交換は、基板テーブルが遮光体130の取り外し待機位置まで移動して遮光体130を取り外し、次に基板テーブルが基板の交換位置まで移動して、基板を交換し、再び基板テーブルが遮光体130の取り外し待機位置まで移動して遮光体130を基板上に設置する。従って、基板テーブルの移動距離が長くなるため基板交換に時間がかかる。また余分な基板テーブルの移動が多くなりごみを巻き上げる可能性も高くなってくる。さらに、特許文献1に開示される遮光体130の直径は基板の直径よりもかなり大きくなるため、遮光体130の取り出し及び設置自体にも時間がかかっている。   Patent Document 1 proposes an apparatus in which a ring-shaped light shield 130 is placed on a substrate and the edges of the substrate are collectively covered. The light shielding body 130 disclosed in Patent Document 1 has a shape that covers the entire edge of the substrate as shown in FIG. FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line A in FIG. For this reason, the substrate is exchanged by moving the substrate table to the standby position for removing the light shield 130 and removing the light shield 130, then moving the substrate table to the substrate exchange position, exchanging the substrate, The light shield 130 is moved to the removal standby position and the light shield 130 is placed on the substrate. Accordingly, since the moving distance of the substrate table becomes long, it takes time to replace the substrate. In addition, the movement of the extra substrate table increases, and the possibility of winding up the garbage becomes high. Furthermore, since the diameter of the light shielding body 130 disclosed in Patent Document 1 is considerably larger than the diameter of the substrate, it takes time to take out and install the light shielding body 130 itself.

また、特許文献2は図8(c)に示すように別の方法で遮光体130を挿入する装置を提案している。特許文献2では、欠けショットの露光時において欠けショット露光の欠け部分を遮光するようにフォトマスクFM10に対して遮光体130を挿入し、欠けのない有効ショットの場合には遮光体130を退避させている。フォトマスクFM10側で遮光体130を挿入するため、欠けショットの大きさに合わせて欠けショット時に遮光体130を挿入する距離を調節しなければならない。つまり、あらかじめ全ての欠けショットについての挿入距離と角度とを求めておく必要がある。また、特許文献2は矩形遮光体131も用意しているが、矩形遮光体131も遮光体130と同様にフォトマスクFM10より光源側に設置されているため、挿入距離と角度とを求めておく必要がある。
特表2005−505147号 特開2005−045160号
Further, Patent Document 2 proposes an apparatus for inserting the light shielding body 130 by another method as shown in FIG. In Patent Document 2, a light shielding body 130 is inserted into the photomask FM10 so as to shield a lacking portion of the lacking shot exposure during exposure of the lacking shot, and the shielding body 130 is retracted in the case of an effective shot without any lacking. ing. Since the light shield 130 is inserted on the photomask FM10 side, the distance for inserting the light shield 130 at the time of the missing shot must be adjusted according to the size of the missing shot. That is, it is necessary to obtain the insertion distance and angle for all the missing shots in advance. In addition, although Patent Document 2 also prepares a rectangular light shielding body 131, the rectangular light shielding body 131 is also installed on the light source side from the photomask FM10 in the same manner as the light shielding body 130, and therefore the insertion distance and angle are obtained. There is a need.
Special table 2005-505147 JP 2005-045160 A

特許文献1のように基板の全面を覆うような遮光体は大型になるために取り扱いが難しく、基板の交換作業にも時間が掛かり、投影露光装置の処理能力を低下させていた。また、大型な遮光体は空気抵抗も大きく、ごみを巻き上げる問題があった。さらに、特許文献2においての遮光体は小さく取り扱いが簡単であるが、フォトマスクより光源側にあるために欠けショットごとに遮光体の挿入量と角度とをあらかじめ計算で求めて、基板上の縁部に遮光帯を形成するように調整する。このため、遮光体の制御部はフォトマスクに描かれるパターンに応じて複数の挿入距離と角度とをあらかじめ求める必要があり、処理が煩雑になる問題があった。   A light shielding body that covers the entire surface of the substrate as in Patent Document 1 is large and difficult to handle, and it takes time to replace the substrate, reducing the processing capability of the projection exposure apparatus. In addition, the large light shield has a large air resistance and has a problem of winding up dust. Further, although the light shielding body in Patent Document 2 is small and easy to handle, since it is on the light source side with respect to the photomask, the insertion amount and angle of the light shielding body are calculated in advance for each missing shot to calculate the edge on the substrate. Adjust to form a light-shielding band on the part For this reason, there is a problem that the control unit of the light shielding body needs to obtain a plurality of insertion distances and angles in advance according to the pattern drawn on the photomask, and the processing becomes complicated.

そこで本発明は、基板の交換に伴う遮光体の取り外しと再設置の所要時間が短く、またまた遮光体の挿入距離の計算処理を不要とする簡便な遮光体装置を有する投影露光装置を提供する。   Therefore, the present invention provides a projection exposure apparatus having a simple light shield device that requires a short time for removing and re-installing the light shield accompanying the replacement of the substrate, and that does not require a calculation process of the insertion distance of the light shield.

第1の観点の投影露光装置は、紫外線を含む光線をマスクに照射し、投影光学系を介してそのマスクを通過した光線をネガ型フォトレジストが塗布された基板に露光する投影露光装置である。そして投影露光装置は、基板を吸着する吸着部を備えた基板テーブルと、露光光を遮光する第1遮光体と、第1遮光体を基板の縁部の一部に配置する第1遮光体配置部と、基板テーブルに載置され第1遮光体配置部を基板の周囲の任意の位置に移動させる移動部と、を備える。
この構成により、第1遮光体を基板の縁部の一部に配置するので第1遮光体を小型化することができる。また基板の交換時においても従来のような大きな遮光体を取り外す工程も不要であるため、露光工程全体としてスループットを向上させることができる。
A projection exposure apparatus according to a first aspect is a projection exposure apparatus that irradiates a mask with light rays including ultraviolet rays and exposes a light beam that has passed through the mask via a projection optical system onto a substrate coated with a negative photoresist. . The projection exposure apparatus includes a substrate table provided with an adsorption unit that adsorbs the substrate, a first light shielding body that shields exposure light, and a first light shielding body arrangement that arranges the first light shielding body at a part of the edge of the substrate. And a moving unit that is placed on the substrate table and moves the first light shielding member arrangement unit to an arbitrary position around the substrate.
With this configuration, the first light shield can be reduced in size because the first light shield is disposed at a part of the edge of the substrate. In addition, since the process of removing a large light shielding member as in the prior art is not required when replacing the substrate, the throughput of the entire exposure process can be improved.

第2の観点の投影露光装置の移動部は、吸着部の周囲に配置された円形ガイドレールを有する。
この構成により、回転機構の制御系ケーブル等をコンパクトにまとめることができ、装置の信頼性と上げ発塵を抑えることができる。
The moving unit of the projection exposure apparatus according to the second aspect has a circular guide rail disposed around the suction unit.
With this configuration, the control system cables and the like of the rotating mechanism can be gathered in a compact manner, and the reliability of the device and the increased dust generation can be suppressed.

第3の観点の投影露光装置の第1遮光体配置部は第1遮光体を基板面に平行な軸で回転させる。
この構成により、遮光体は少ない動きで基板上に配置され、退避にかかる時間と設置にかかる時間とを短縮化できる。
The first light shielding member arrangement unit of the projection exposure apparatus according to the third aspect rotates the first light shielding member on an axis parallel to the substrate surface.
With this configuration, the light shield is arranged on the substrate with a small movement, and the time required for retraction and the time required for installation can be shortened.

第4の観点の投影露光装置の第1遮光体配置部は、第1遮光体を基板面と平行な方向に移動させる。
この構成により、遮光体は少ない動きで基板上に配置され退避にかかる時間と設置にかかる時間とを短縮化できる。
The first light shielding member placement unit of the projection exposure apparatus according to the fourth aspect moves the first light shielding body in a direction parallel to the substrate surface.
With this configuration, the light shield is arranged on the substrate with a small movement, and the time required for retraction and the time required for installation can be shortened.

第5の観点の投影露光装置の第1遮光体は、低熱膨張材で形成されている。
この構成により、何度もの露光により第1遮光体が熱を帯びてしまっても、第1遮光体に低熱膨張材を使用することで遮光範囲を一定にすることができる。
The first light shield of the projection exposure apparatus according to the fifth aspect is formed of a low thermal expansion material.
With this configuration, even if the first light shielding body is heated by many exposures, the light shielding range can be made constant by using the low thermal expansion material for the first light shielding body.

第6の観点の投影露光装置は、さらに、第1遮光体とは形状の異なる第2遮光体を基板の縁部の一部に配置する第2遮光体配置部を備え、移動部は第2遮光体配置部を基板の周囲の任意の位置に移動させる。
この構成により、2つの遮光体を備えているため、異なる基板又は異なる切り欠き部に対してもそれぞれ適した遮光帯を使い分けることができる。
The projection exposure apparatus according to the sixth aspect further includes a second light shielding body arrangement unit that arranges a second light shielding body having a shape different from that of the first light shielding body at a part of the edge of the substrate, and the moving unit includes the second light shielding body. The light-shielding body arrangement part is moved to an arbitrary position around the substrate.
With this configuration, since two light shielding bodies are provided, it is possible to use different light shielding bands for different substrates or different notches.

第7の観点の投影露光装置では、第6の観点において、第2遮光体が基板の直径方向の長さが第1遮光体と異なる。
この構成により、異なる直径の基板に対してそれぞれ第1遮光体又は第2遮光体とを使用することができる。
In the projection exposure apparatus of the seventh aspect, in the sixth aspect, the second light shield is different from the first light shield in the diameter direction of the substrate.
With this configuration, the first light shielding body or the second light shielding body can be used for substrates having different diameters.

基板の縁部の一部だけを遮光し、基板の周囲にそって遮光体が移動するために遮光体を小型化でき、発塵の少ない遮光機構を実現できる。また、遮光体の退避と挿入とが簡便に、また短時間でできることで基板の交換作業が短時間で行うことができる効果がある。   Since only a part of the edge of the substrate is shielded and the light shield moves along the periphery of the substrate, the light shield can be reduced in size, and a light shielding mechanism with less dust generation can be realized. Further, since the light shielding body can be easily retracted and inserted in a short time, the substrate can be replaced in a short time.

<反射型露光装置100の概略構成>
図1は、反射型露光装置100の概略側面図である。
反射型露光装置100は、大別して、紫外線を含む波長域の光束を照射する光源11と、光源11からの光束を集光する照明光学系10と、フォトマスクFMを保持するマスクステージ40と、反射式投影光学系50と、基板テーブル60とを備えている。
<Schematic Configuration of Reflective Exposure Apparatus 100>
FIG. 1 is a schematic side view of the reflective exposure apparatus 100.
The reflective exposure apparatus 100 is roughly divided into a light source 11 that irradiates a light beam in a wavelength region including ultraviolet rays, an illumination optical system 10 that collects the light beam from the light source 11, a mask stage 40 that holds a photomask FM, A reflective projection optical system 50 and a substrate table 60 are provided.

反射型露光装置100は、マスクステージ40上においてXY平面に平行に支持されたフォトマスクFMを均一に照明するための照明光学系10を備えている。照明光学系10は、例えば、点光源に近い水銀ショートアークランプからなる光源11を備えている。光源11は、楕円ミラーの第1焦点位置に配置されているため、光源11から射出された照明光束は、ダイクロイックミラー12を介して、楕円ミラーの第2焦点位置に光源像を形成する。ダイクロイックミラー12は、g線、h線、i線、及びj線を含む波長域以外、つまり、300nm以下の波長成分及び460nm以上の波長成分を除去する。この光源11は、下方から上方へ向けて光路が採られているが、上方から下方へ光路が採られていてもよい。   The reflective exposure apparatus 100 includes an illumination optical system 10 for uniformly illuminating a photomask FM supported in parallel with the XY plane on the mask stage 40. The illumination optical system 10 includes a light source 11 made of, for example, a mercury short arc lamp close to a point light source. Since the light source 11 is disposed at the first focal position of the elliptical mirror, the illumination light beam emitted from the light source 11 forms a light source image at the second focal position of the elliptical mirror via the dichroic mirror 12. The dichroic mirror 12 removes the wavelength components including the g-line, h-line, i-line, and j-line, that is, the wavelength component of 300 nm or less and the wavelength component of 460 nm or more. The light source 11 has an optical path taken from the bottom to the top, but the light path may be taken from the top to the bottom.

楕円ミラーの第2焦点位置には不図示のシャッタが配置されている。シャッタにより基板CBに至る露光光をカットする。光源像からの発散光は、コリメートレンズ14によって平行光束に変換されて、波長選択部15に入射する。波長選択部15は、光源11とフォトマスクFMとの間の光路中に挿脱可能に構成されている。   A shutter (not shown) is disposed at the second focal position of the elliptical mirror. The exposure light reaching the substrate CB is cut by the shutter. The divergent light from the light source image is converted into a parallel light beam by the collimator lens 14 and enters the wavelength selection unit 15. The wavelength selection unit 15 is configured to be inserted into and removed from the optical path between the light source 11 and the photomask FM.

波長選択部15を通過した光束は、フライアイレンズ17及びコンデンサレンズ18を順に透過する。
図1に示すように、波長選択部15を通過した光束は、フライアイレンズ17に入射する。フライアイレンズ17は、多数の正レンズエレメントをその中心軸線が光軸に沿って延びるように縦横に且つ緻密に配列されている。従って、フライアイレンズ17に入射した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面(即ち、射出面の近傍)にレンズエレメントの数と同数の光源からなる二次光源を形成する。即ち、フライアイレンズ17の後側焦点面には、実質的な面光源が形成される。
The light beam that has passed through the wavelength selector 15 passes through the fly-eye lens 17 and the condenser lens 18 in order.
As shown in FIG. 1, the light beam that has passed through the wavelength selector 15 enters the fly-eye lens 17. The fly-eye lens 17 has a large number of positive lens elements arranged vertically and horizontally and densely so that the central axis extends along the optical axis. Accordingly, the light beam incident on the fly-eye lens 17 is wavefront-divided by a large number of lens elements, and forms a secondary light source composed of the same number of light sources as the number of lens elements on the rear focal plane (ie, in the vicinity of the exit surface). . That is, a substantial surface light source is formed on the rear focal plane of the fly-eye lens 17.

フライアイレンズ17の後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、コンデンサレンズ18に入射する。コンデンサレンズ18を介した光束は、パターンが形成されたフォトマスクFMを重畳的に照明する。露光光によって照明されフォトマスクFMを透過した光束は、オフナー型の反射型投影光学系50に向かう。なお、照明光学系10が備える光源11としては、紫外線放射タイプのLEDやLDであってもよい。   Light beams from a number of secondary light sources formed on the rear focal plane of the fly-eye lens 17 are incident on the condenser lens 18. The light flux through the condenser lens 18 illuminates the photomask FM on which the pattern is formed in a superimposed manner. The light beam illuminated by the exposure light and transmitted through the photomask FM is directed to the Offner reflection projection optical system 50. The light source 11 included in the illumination optical system 10 may be an ultraviolet radiation type LED or LD.

フォトマスクFMを透過した光束は、反射ミラーM1により鏡筒内に導かれ、凹面ミラーM2で反射される。凹面ミラーM2で反射された光束は、凸面ミラーM3により反射され、再び凹面ミラーM2に戻る。そして、凹面ミラーM2で反射された光束は、今度は反射ミラーM4に反射され、露光対象である基板CBに照射される。   The light beam that has passed through the photomask FM is guided into the lens barrel by the reflecting mirror M1, and reflected by the concave mirror M2. The light beam reflected by the concave mirror M2 is reflected by the convex mirror M3 and returns to the concave mirror M2 again. Then, the light beam reflected by the concave mirror M2 is reflected by the reflection mirror M4 and irradiated onto the substrate CB that is an exposure target.

<マスクステージ40、反射式投影光学系50、及び基板テーブル60の概略構成>
図2は、照明光学系10を除く反射型露光装置100の概略斜視図であり、マスクステージ40、反射式投影光学系50、及び基板テーブル60をそれぞれ分解して示した図である。
マスクステージ40は、フォトマスクFMを走査方向であるY軸方向に沿って移動させるためのYステージ41を有している。Yステージ41は、長いストロークを有しており、ステップ・アンド・スキャン方式の露光方法が可能になっている。Yステージ41はその両側に配置されたリニアモーター42により高速に且つ高精度に駆動される。Yステージ41は、X軸方向、Z軸に対してθ回転方向に移動するXθステージ45を搭載している。Xθステージ45はボールネジ及び駆動モーターによって駆動される。そして、Xθステージ45は移動鏡48を有しており、フォトマスクFMの位置座標が移動鏡48を用いたレーザー干渉計によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。さらにXθステージ45は、Z軸方向の位置が可変に構成されている。
<Schematic Configuration of Mask Stage 40, Reflective Projection Optical System 50, and Substrate Table 60>
FIG. 2 is a schematic perspective view of the reflective exposure apparatus 100 excluding the illumination optical system 10, and is an exploded view of the mask stage 40, the reflective projection optical system 50, and the substrate table 60.
The mask stage 40 has a Y stage 41 for moving the photomask FM along the Y-axis direction that is the scanning direction. The Y stage 41 has a long stroke, and a step-and-scan exposure method is possible. The Y stage 41 is driven at high speed and with high accuracy by linear motors 42 arranged on both sides thereof. The Y stage 41 has an Xθ stage 45 that moves in the θ rotation direction with respect to the X axis direction and the Z axis. The Xθ stage 45 is driven by a ball screw and a drive motor. The Xθ stage 45 has a movable mirror 48, and the position coordinates of the photomask FM are measured by a laser interferometer using the movable mirror 48, and the position is controlled. Further, the Xθ stage 45 is configured such that the position in the Z-axis direction is variable.

反射式投影光学系50は、オフナー型と呼ばれる光学系である。反射式投影光学系50には、反射ミラーのほかレーザー干渉計によって計測するための固定ミラーが搭載されるだけで、振動が生じる部材とは直接つながっていない。   The reflective projection optical system 50 is an optical system called an Offner type. In addition to the reflection mirror, the reflection projection optical system 50 is mounted with a fixed mirror for measurement by a laser interferometer, and is not directly connected to a member that generates vibration.

基板テーブル60は、基板を載置する。そして、基板テーブル60は、走査方向であるY軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有するYステージ61と、Yステージ61を走査直交方向であるX軸方向に沿って移動させるとXステージ65とを有している。そして、基板テーブル60の位置座標は、移動鏡67を用いたレーザー干渉計(不図示)によって計測され、位置制御される。基板テーブル60もマスクステージ40と同様にZ軸方向に移動可能に構成されている。Yステージ61及びXステージ65はそれぞれ、その両側に配置されたリニアモーター62及びリニアモーター66により高速に且つ高精度に駆動される。   The substrate table 60 mounts a substrate. The substrate table 60 has a Y stage 61 having a long stroke for moving along the Y-axis direction that is the scanning direction, and an X stage when the Y stage 61 is moved along the X-axis direction that is the scanning orthogonal direction. 65. Then, the position coordinates of the substrate table 60 are measured and controlled by a laser interferometer (not shown) using a movable mirror 67. The substrate table 60 is also configured to be movable in the Z-axis direction like the mask stage 40. The Y stage 61 and the X stage 65 are respectively driven at high speed and with high accuracy by the linear motor 62 and the linear motor 66 arranged on both sides thereof.

基板テーブル60は、基板CBを吸着するための真空チャック69を備え、真空吸着により基板CBを吸着保持し、不図示の基板テーブル駆動回路によりX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びθ方向に移動することができる。また、基板テーブル60は遮光体を配置するためのガイドレール31を載置する。また、不図示の焦点検出装置により、基板CBの合焦点位置を検出して基板テーブル60はZ軸方向にも移動する。このようにして、オフナー型の反射式投影光学系50で反射された光束は、基板CBに入射し基板CB上で結像する。すなわち、フォトマスクFMのパターン像が基板CB上で結像し、基板CB上に塗布されたフォトレジストによってこの像は基板CB上に転写される。   The substrate table 60 includes a vacuum chuck 69 for sucking the substrate CB, sucking and holding the substrate CB by vacuum suction, and X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction, and θ-direction by a substrate table drive circuit (not shown). Can be moved to. In addition, the substrate table 60 mounts a guide rail 31 for placing a light shielding body. Further, the focus detection device (not shown) detects the in-focus position of the substrate CB, and the substrate table 60 also moves in the Z-axis direction. In this way, the light beam reflected by the Offner reflection projection optical system 50 enters the substrate CB and forms an image on the substrate CB. That is, a pattern image of the photomask FM is formed on the substrate CB, and this image is transferred onto the substrate CB by the photoresist applied on the substrate CB.

反射型露光装置100は、露光精度を向上させるためすべての部材が防振マウント71に載置されている。まず4本の防振マウント71には、石定盤やアルミナセラミック又は金属で構成される基台72が搭載される。基台72の上には、基板テーブル60が搭載される。さらに、基台72の上には、基板テーブル60の移動範囲を避けて鏡筒支持台73が搭載される。鏡筒支持台73には、反射式投影光学系50が搭載される。また、鏡筒支持台73には、マスクステージ支持台75が搭載される。マスクステージ支持台75上にはマスクステージ40が搭載される。   In the reflection type exposure apparatus 100, all members are mounted on the vibration isolation mount 71 in order to improve exposure accuracy. First, on the four anti-vibration mounts 71, a base 72 made of a stone surface plate, alumina ceramic or metal is mounted. A substrate table 60 is mounted on the base 72. Further, a lens barrel support base 73 is mounted on the base 72 while avoiding the movement range of the substrate table 60. A reflective projection optical system 50 is mounted on the lens barrel support base 73. A mask stage support 75 is mounted on the lens barrel support 73. A mask stage 40 is mounted on the mask stage support 75.

反射式投影光学系50とマスクステージ支持台75とは、フランジで接合される。フランジで接合されるマスクステージ支持台75の部材はZ方向の加重及びXY方向の振動ができるだけ反射式投影光学系50に伝わらない構造となっている。このため、マスクステージ40の粗動ステージ41又は微動ステージ45が移動することによって生じる振動は、反射式投影光学系50にほとんど伝達されることがない。また、反射式投影光学系50と基板テーブル60との間に鏡筒支持台73が存在するため、基板テーブル60の移動による振動も直接伝達されない。   The reflective projection optical system 50 and the mask stage support 75 are joined by a flange. The member of the mask stage support 75 joined by the flange has a structure in which the load in the Z direction and the vibration in the XY direction are not transmitted to the reflective projection optical system 50 as much as possible. For this reason, vibration generated by the movement of the coarse movement stage 41 or the fine movement stage 45 of the mask stage 40 is hardly transmitted to the reflective projection optical system 50. Further, since the lens barrel support base 73 exists between the reflective projection optical system 50 and the substrate table 60, vibration due to the movement of the substrate table 60 is not directly transmitted.

<<実施例1>>
本発明の反射型露光装置100はネガ型フォトレジストを塗布した基板の縁部を未露光とするために、扇状の第1遮光体30を固定した第1遮光体配置部32が基板CBの外周を移動することで、基板の縁部にフォトマスクFMのパターン像を形成しない遮光帯39を形成する。
<< Example 1 >>
In the reflective exposure apparatus 100 of the present invention, the first light-shielding body arrangement portion 32 to which the fan-shaped first light-shielding body 30 is fixed has an outer periphery of the substrate CB so that the edge of the substrate coated with the negative photoresist is unexposed. Is moved to form a light-shielding band 39 that does not form a pattern image of the photomask FM on the edge of the substrate.

扇状の第1遮光体30は光源の光が照射されることで熱を持つ。紫外線や熱の発生は第1遮光体30の変形を起こすおそれがあるため、露光領域EAを必要以上に遮光するおそれがある。このため第1遮光体30の材料には耐熱コートを施したチタン合金や、低い熱膨張係数のFe−36Niからなるインバー合金や、Fe29Ni−17Coからなるコバール合金やセラミックを用いる。つまり第1遮光体30は光源からの光による熱又は紫外線により組成変化若しくは形状変化が少ない材料が使用される。   The fan-shaped first light shield 30 has heat when irradiated with light from a light source. Since the generation of ultraviolet rays or heat may cause the first light shield 30 to be deformed, the exposure area EA may be shielded more than necessary. For this reason, the material of the first light shield 30 is a titanium alloy with a heat-resistant coating, an Invar alloy made of Fe-36Ni having a low thermal expansion coefficient, a Kovar alloy made of Fe29Ni-17Co, or a ceramic. That is, the first light shield 30 is made of a material that hardly changes in composition or shape due to heat from the light source or ultraviolet rays.

ネガ型フォトレジストに遮光帯39を形成することでフォトレジストの残渣など、パーティクルの原因をなくすことができる。以下は遮光帯39を形成するための第1遮光体配置部32と第1遮光体との構造または動作を示す。   By forming the light shielding band 39 in the negative photoresist, it is possible to eliminate the cause of particles such as a residue of the photoresist. Hereinafter, the structure or operation of the first light shielding member 32 and the first light shielding member for forming the light shielding band 39 will be described.

<可倒方式の遮光体>
図3(a)は図2の基板テーブル60部分を拡大し上部より見た図である。図3(a)で示すように基板テーブル60に基板CBが真空吸着されており、その周りを取り囲むようにリング状のガイドレール31が載置されている。ガイドレール31には第1遮光体配置部32が載置され、基板CBの外周を自由に移動することができる。つまり、第1遮光体配置部32はガイドレール31上を360°方向に移動することができる。このため、露光位置が基板CBの縁部に近づくにつれ、基板テーブル60の座標位置情報より第1遮光体の配置位置が求まり、あらかじめ所定の位置で待機することができる。
<Falling shades>
FIG. 3A is an enlarged view of the substrate table 60 portion of FIG. 2 as seen from above. As shown in FIG. 3A, the substrate CB is vacuum-sucked on the substrate table 60, and a ring-shaped guide rail 31 is placed so as to surround the substrate CB. A first light shield arrangement portion 32 is placed on the guide rail 31 and can freely move on the outer periphery of the substrate CB. In other words, the first light shield arrangement part 32 can move on the guide rail 31 in the 360 ° direction. For this reason, as the exposure position approaches the edge of the substrate CB, the arrangement position of the first light shield can be obtained from the coordinate position information of the substrate table 60, and it is possible to wait in advance at a predetermined position.

基板テーブル60の位置制御は基板テーブル60のX方向とY方向に移動鏡67を搭載し、レーザー干渉計を用いることで精密な位置を制御する。レーザー干渉計のレーザー光68はX方向及びY方向より照射される。なおY方向にレーザー光を2箇所照射することにより基板テーブル60のZ軸を中心とした回転方向も位置制御する。   The position of the substrate table 60 is controlled by mounting movable mirrors 67 in the X and Y directions of the substrate table 60 and using a laser interferometer to control the precise position. Laser light 68 of the laser interferometer is irradiated from the X direction and the Y direction. The position of the rotation direction of the substrate table 60 around the Z axis is also controlled by irradiating two laser beams in the Y direction.

図3(b)は第1遮光体配置部32の近傍をさらに拡大した図である。第1遮光体配置部32は第1遮光体30と、ロータリーシリンダー33と、リニアモーター35と、それらを支える支柱とから構成されている。   FIG. 3B is a view further enlarging the vicinity of the first light shielding member arrangement portion 32. The first light shield arrangement portion 32 includes a first light shield 30, a rotary cylinder 33, a linear motor 35, and a support column that supports them.

図3(c)は図3(b)を側面方向(YZ面)から見た第1遮光体配置部32の近傍の断面図である。ロータリーシリンダー33は回転軸34を中心として垂直方向に180°回転することで第1遮光体30を基板テーブル60上の基板CBにかぶせることで遮光する。また、基板CBの交換時は第1遮光体30を点線で示した退避位置に移動することができ迅速にまた安全に交換作業をすることができる。   FIG. 3C is a cross-sectional view of the vicinity of the first light-shielding body arrangement portion 32 as viewed from the side surface direction (YZ plane) of FIG. The rotary cylinder 33 rotates 180 ° in the vertical direction around the rotation axis 34 to shield the light by covering the substrate CB on the substrate table 60 with the first light shield 30. Further, when replacing the substrate CB, the first light shield 30 can be moved to the retracted position indicated by the dotted line, and the replacement operation can be performed quickly and safely.

図4は基板テーブル60における露光処理の第1フローチャートを示している。
ステップS11では、第1遮光体配置部32に付帯する第1遮光体30をロータリーシリンダー33で回転させ退避位置である初期状態に持って行く。本実施例では第1遮光体30の移動手段としてロータリーシリンダー33を用いているが他の方法で回転させてもよい。
FIG. 4 shows a first flowchart of the exposure process in the substrate table 60.
In step S11, the first light shield 30 attached to the first light shield arrangement portion 32 is rotated by the rotary cylinder 33 and brought to the initial state which is the retracted position. In the present embodiment, the rotary cylinder 33 is used as the moving means of the first light shielding body 30, but it may be rotated by other methods.

ステップS12では、基板テーブル60が基板CBの交換位置まで移動し、不図示のローダーが基板CBを基板テーブル60の中心に置く。そして真空チャック69が基板CBを真空吸着する。
ステップS13では、Yステージ61とXステージ65とによって基板テーブル60が露光位置に移動される。基板テーブル60の正確な位置はレーザー干渉計を用いて制御する。
In step S <b> 12, the substrate table 60 moves to the substrate CB replacement position, and a loader (not shown) places the substrate CB in the center of the substrate table 60. Then, the vacuum chuck 69 vacuum-sucks the substrate CB.
In step S13, the substrate table 60 is moved to the exposure position by the Y stage 61 and the X stage 65. The exact position of the substrate table 60 is controlled using a laser interferometer.

ステップS14では、露光位置に連動して第1遮光体配置部32をガイドレール31上で移動させる。そして付属する第1遮光体30が露光位置の近傍の退避位置で待機する。
ステップS15では、真空吸着された基板CBの一部を覆うように第1遮光体30をロータリーシリンダー33で回転させ設置する。
In step S <b> 14, the first light shielding member placement unit 32 is moved on the guide rail 31 in conjunction with the exposure position. The attached first light shield 30 stands by at a retracted position near the exposure position.
In step S15, the first light shield 30 is rotated by the rotary cylinder 33 so as to cover a part of the substrate CB which has been vacuum-adsorbed.

ステップS16では、基板CB上に塗布されたフォトレジストにフォトマスクFMのパターンを露光する。第1遮光体30は露光されない遮光帯39の一部を形成する。
ステップS17では、1つの露光領域EAの露光が終了したため、再び別の露光領域EAに移動できるように第1遮光体30が退避位置に退避する。
In step S16, the pattern of the photomask FM is exposed to the photoresist coated on the substrate CB. The first light shielding body 30 forms a part of the light shielding band 39 that is not exposed.
In step S17, since the exposure of one exposure area EA has been completed, the first light shield 30 is retracted to the retracted position so that it can be moved to another exposure area EA again.

ステップS18では基板CBの全面にフォトマスクFMのパターンを転写したかを判断する。全面に転写されていなければステップS13に戻り露光処理を繰り返す。基板CBの全面を露光するとステップS18の終了処理に移る。すべての露光領域EAが終わった状態で、第1遮光体30はネガ型フォトレジストを塗布した基板の縁部を未露光とする遮光帯39を形成する。   In step S18, it is determined whether the pattern of the photomask FM has been transferred to the entire surface of the substrate CB. If not transferred to the entire surface, the process returns to step S13 and the exposure process is repeated. When the entire surface of the substrate CB is exposed, the process proceeds to an end process in step S18. In a state where all the exposure areas EA have been completed, the first light shielding body 30 forms a light shielding band 39 in which the edge portion of the substrate coated with the negative photoresist is unexposed.

第1遮光体30は短時間で退避及び設置を繰り返すことができるので、基板CBの取り外しを安全且つ短時間で行うことができる。反射型露光装置100は新しい基板CBを基板テーブル60に載置する準備が整う。露光処理は、再びステップS12へ移ることで、迅速に処理することができる。   Since the first light shield 30 can be repeatedly retracted and installed in a short time, the substrate CB can be removed safely and in a short time. The reflective exposure apparatus 100 is ready to place a new substrate CB on the substrate table 60. The exposure process can be quickly processed by moving to step S12 again.

図5は基板テーブル60における露光処理の第2フローチャートを示している。この第2フローチャートでは基板CBを載置した後、第1遮光体30を基板CBの縁部に設置したまますべての露光領域EAの露光を行い、基板CBの交換前に第1遮光体30を退避させる。   FIG. 5 shows a second flowchart of the exposure process in the substrate table 60. In this second flowchart, after the substrate CB is placed, all the exposure areas EA are exposed while the first light shield 30 is placed on the edge of the substrate CB, and the first light shield 30 is removed before the substrate CB is replaced. Evacuate.

ステップS31では、第1遮光体配置部32に付帯する第1遮光体30をロータリーシリンダー33で回転させ退避位置に持って行く。
ステップS32では、基板CBが基板テーブル60の吸着部69に載置され、真空吸着させることで固定される。
ステップS33では真空吸着された基板CBの縁部の一部を覆うように第1遮光体30をロータリーシリンダー33で回転させ設置する。
In step S31, the first light shield 30 attached to the first light shield arrangement portion 32 is rotated by the rotary cylinder 33 and brought to the retreat position.
In step S32, the substrate CB is placed on the suction portion 69 of the substrate table 60 and fixed by vacuum suction.
In step S33, the first light shield 30 is rotated and installed by the rotary cylinder 33 so as to cover a part of the edge of the substrate CB vacuum-adsorbed.

ステップS34では、露光領域EAが反射式投影光学系50の下にくるように基板テーブル60を配置する。露光位置の正確な位置はレーザー干渉計を用いて制御する。
ステップS35では基板テーブル60の移動に連動して第1遮光体配置部32を移動させて第1遮光体30を所定の位置へ移動させる。第1遮光体30は露光しない遮光帯39の一部を形成する。
In step S <b> 34, the substrate table 60 is arranged so that the exposure area EA is below the reflective projection optical system 50. The exact position of the exposure position is controlled using a laser interferometer.
In step S35, the first light shield 30 is moved to a predetermined position by moving the first light shield arrangement portion 32 in conjunction with the movement of the substrate table 60. The first light shield 30 forms a part of the light shielding band 39 that is not exposed.

ステップS36では、基板CB上に塗布されたフォトレジストにフォトマスクFMのパターンを露光し転写する。
ステップS37では基板CBの全面にフォトマスクFMのパターンを転写したかを判断する。全面に転写されていなければステップS34に戻り露光処理を繰り返す。基板CBの全面を露光するとステップS38の終了処理に移る。
In step S36, the pattern of the photomask FM is exposed and transferred to the photoresist applied on the substrate CB.
In step S37, it is determined whether the pattern of the photomask FM has been transferred to the entire surface of the substrate CB. If it has not been transferred to the entire surface, the process returns to step S34 to repeat the exposure process. When the entire surface of the substrate CB is exposed, the process proceeds to an end process in step S38.

ステップS38では、第1遮光体30を退避する。そしてすべての露光領域EAが露光された基板CBを交換する。
第1遮光体30は短時間で退避することができるので、反射型露光装置100は新しい基板を基板テーブル60に載置する準備が整う。したがって、露光処理は再びステップS32へ移ることで迅速に処理することができる。
In step S38, the first light shield 30 is retracted. Then, the substrate CB on which all the exposure areas EA are exposed is replaced.
Since the first light shield 30 can be retracted in a short time, the reflective exposure apparatus 100 is ready to place a new substrate on the substrate table 60. Therefore, the exposure process can be quickly performed by moving again to step S32.

<<実施例2>>
<水平移動方式の遮光体>
実施例1では第1遮光体配置部32の第1遮光体30が垂直方向に回転することで第1遮光体30の設置と退避とを行っていた。実施例2では第1遮光体30が水平方向に動くことで第1遮光体30の設置と退避とを行う。
<< Example 2 >>
<Horizontal moving shade>
In the first embodiment, the first light shield 30 is installed and retracted by rotating the first light shield 30 of the first light shield arrangement portion 32 in the vertical direction. In the second embodiment, the first light shield 30 is moved and moved in the horizontal direction so that the first light shield 30 is installed and retracted.

また、図6(a)は第1遮光体30がXY平面を水平移動する第1遮光体配置部32−2近傍の断面図を示している。図6(b)は第1遮光体配置部32−2の近傍を上部(Z方向)から見た図である。   FIG. 6A is a cross-sectional view of the vicinity of the first light shielding member arranging portion 32-2 in which the first light shielding member 30 moves horizontally on the XY plane. FIG. 6B is a view of the vicinity of the first light shield placement unit 32-2 as viewed from above (Z direction).

水平方向に移動する第1遮光体30は退避位置(点線で示す)から設置位置(実線で示す)まで、ロータリーシリンダー33−2などを用いて回転軸34−2を中心に水平移動させることで基板CBを遮光する。第1遮光体30の大きさを変えることで遮光帯39の幅を調節することができ、露光領域EAを有効に使えるような位置に調節することができる。また、水平方向に移動するときは、第1遮光体30が垂直方向に回転するときよりも空気抵抗がより少ないために、ごみを巻き上げるおそれが少ない。   The first light blocking body 30 that moves in the horizontal direction is moved horizontally from the retracted position (shown by a dotted line) to the installation position (shown by a solid line) around the rotary shaft 34-2 using a rotary cylinder 33-2 or the like. The substrate CB is shielded from light. By changing the size of the first light shielding body 30, the width of the light shielding band 39 can be adjusted, and the exposure area EA can be adjusted to a position where it can be used effectively. Further, when moving in the horizontal direction, since the air resistance is lower than when the first light shield 30 rotates in the vertical direction, there is less risk of winding up the dust.

図6(b)で示す水平に回転移動する第1遮光体30は、ロータリーシリンダー33−2を用いることで90°回転して退避位置に移動しているが、第1遮光体30が基板CBに干渉しない位置に移動すれば良いため、180°回転しても良い。また、移動手段はロータリーシリンダー33−2以外にステッピングモーターを使用しても差し支えない。   The first light shield 30 that rotates horizontally as shown in FIG. 6B is rotated 90 ° and moved to the retracted position by using the rotary cylinder 33-2, but the first light shield 30 is moved to the substrate CB. Therefore, it may be rotated by 180 °. The moving means may be a stepping motor other than the rotary cylinder 33-2.

なお、実施例2の露光処理に関しても、図4で説明したフローチャートと同様な処理をすることができる。   Note that the exposure process of the second embodiment can be performed in the same manner as the flowchart described with reference to FIG.

<<実施例3>>
実施例1または実施例2では、1箇所の遮光体配置部を設置したが、2箇所以上の遮光体配置部を設置することができる。以下はその具体例を図示する。実施例1又は実施例2と同じ部材には同じ符号を付している。
<< Example 3 >>
In Example 1 or Example 2, one light-shielding body placement unit is installed, but two or more light-shielding body placement units can be installed. The specific example is illustrated below. The same members as those in the first embodiment or the second embodiment are denoted by the same reference numerals.

例えば、図7は2箇所の遮光体配置部を載置した基板テーブル60を示す。第1遮光体配置部32と第2遮光体配置部37とはガイドレール31上を自由に移動できるため、お互いが衝突しない位置に配置する必要がある。図7では第1遮光体配置部の対称位置に第2遮光体配置部を設置した場合を示すが、隣り合う位置でもよい。   For example, FIG. 7 shows a substrate table 60 on which two light shielding member placement portions are placed. Since the 1st light-shielding body arrangement | positioning part 32 and the 2nd light-shielding body arrangement | positioning part 37 can move freely on the guide rail 31, it is necessary to arrange | position in the position which does not collide with each other. Although FIG. 7 shows the case where the second light shielding element arrangement part is installed at the symmetrical position of the first light shielding element arrangement part, adjacent positions may be used.

2箇所の遮光体配置部はそれぞれ異なる大きさの遮光体を固定する。例えば、第1遮光体配置部32は基板サイズA用の第1遮光体30を設置し、第2遮光体配置部32は直径の小さい基板サイズB用の第2遮光体36を設置する。また、第1遮光体30は基板サイズAに最適な遮光帯39を形成し、第2遮光体36は基板サイズBに適した扇状になっており、基板サイズBに最適な遮光帯39を形成する。   The two light shielding body arrangement portions fix light shielding bodies of different sizes. For example, the first light-shielding body placement unit 32 installs the first light-shielding body 30 for the substrate size A, and the second light-shielding body placement unit 32 installs the second light shielding body 36 for the substrate size B having a small diameter. Further, the first light shield 30 forms a light shielding band 39 optimum for the substrate size A, and the second light shielding body 36 has a fan shape suitable for the substrate size B, and forms the light shielding band 39 optimum for the substrate size B. To do.

図7は基板サイズBに第2遮光体36で遮光した場合の遮光帯39を示している。この時、第1遮光体30は必要が無いため、図7で示すように第1遮光体30を退避位置に配置する。また、基板交換時は第1遮光体30と第2遮光体36とが退避位置に移動する。   FIG. 7 shows a light-shielding band 39 when the substrate size B is shielded by the second light-shielding body 36. At this time, since the first light shield 30 is not necessary, the first light shield 30 is disposed at the retracted position as shown in FIG. In addition, when the substrate is replaced, the first light shield 30 and the second light shield 36 move to the retracted position.

遮光体が退避する機構は、実施例1の可倒方式、または実施例2の水平移動方式でもよい。また、露光処理は図4に示したフローチャートと同様に処理することができる。また第2遮光体36の材料も耐熱コートを施したチタン合金や、低い熱膨張係数のFe−36Niからなるインバー合金や、Fe29Ni−17Coからなるコバール合金又はセラミックを用いる。   The mechanism for retracting the light shielding body may be the tilting method of the first embodiment or the horizontal movement method of the second embodiment. The exposure process can be performed in the same manner as the flowchart shown in FIG. The material of the second light shield 36 is also a titanium alloy with a heat-resistant coating, an invar alloy made of Fe-36Ni having a low thermal expansion coefficient, or a kovar alloy or ceramic made of Fe29Ni-17Co.

以上のように複数の遮光体配置部を設置することで、複数のサイズの基板に適応した遮光帯39を形成することができ、汎用性のある反射型露光装置100を提供することができる。   By installing a plurality of light shield arrangement portions as described above, it is possible to form a light shielding band 39 suitable for a plurality of sizes of substrates, and to provide a versatile reflective exposure apparatus 100.

実施例1及び実施例2に関して、ひとつのリング状のガイドレール31上にひとつの遮光体配置部32が移動するようにしたが、リング状を2つ又は3つに分割して、それぞれのガイドレールに遮光体配置部を配置するようにしてもよい。次の露光領域EAが基板CBの正反対の縁部になるような場合には、別の遮光体配置部がすばやく次の露光領域EAへ移動することができる。
また、基板CBはノッチ又はオリエンテーションフラットと呼ばれる基板CBの一部の縁部を切り欠いた切り欠け部を形成している。実施例3では第1遮光体30とは基板CBの半径方向に大きさの異なる及び第2遮光体36を配置したが、第2遮光体36がその切り欠け部に対応した形状であってもよい。
With respect to the first and second embodiments, one light shield arrangement portion 32 moves on one ring-shaped guide rail 31. However, the ring shape is divided into two or three, and each guide is arranged. You may make it arrange | position a light-shielding body arrangement | positioning part on a rail. When the next exposure area EA becomes the opposite edge of the substrate CB, the other light-shielding body arrangement part can quickly move to the next exposure area EA.
In addition, the substrate CB forms a notch portion in which a part of the edge portion of the substrate CB is called a notch or orientation flat. In the third embodiment, the second light-shielding body 36 having a size different from that of the first light-shielding body 30 in the radial direction of the substrate CB is arranged. However, even if the second light-shielding body 36 has a shape corresponding to the cutout portion. Good.

反射型露光装置100の概略側面図である。1 is a schematic side view of a reflective exposure apparatus 100. FIG. 照明光学系10を除く反射型露光装置100の概略斜視図であり、マスクステージ40、反射式投影光学系50、及び基板テーブル60をそれぞれ分解して示した図である。1 is a schematic perspective view of a reflection type exposure apparatus 100 excluding an illumination optical system 10, and is an exploded view of a mask stage 40, a reflection projection optical system 50, and a substrate table 60. FIG. (a)は、基板テーブル60を上部より見た図である。 (b)は、第1遮光体配置部32をさらに拡大した図である。 (c)は、第1遮光体配置部32近傍を側面方向より見た断面図である。(A) is the figure which looked at the substrate table 60 from the upper part. (B) is the figure which expanded the 1st light-shielding body arrangement | positioning part 32 further. (C) is sectional drawing which looked at the 1st light-shielding body arrangement | positioning part 32 vicinity from the side surface direction. 基板テーブル60における露光処理の第1フローチャートである。5 is a first flowchart of an exposure process in the substrate table 60. 基板テーブル60における露光処理の第2フローチャートである。12 is a second flowchart of an exposure process in the substrate table 60. 水平方向に動く第2遮光体配置部32−2近傍の断面図である。It is sectional drawing of the 2nd light-shielding body arrangement | positioning part 32-2 vicinity which moves to a horizontal direction. 2箇所の遮光体配置部を載置した基板テーブル60を示す。The board | substrate table 60 which mounted two light-shielding body arrangement | positioning parts is shown. (a)は、従来の基板の全面を覆う遮光体を示す図である。 (b)は、(a)のA断面図である。 (c)は、従来の可動する遮光体の配置を示す図である。(A) is a figure which shows the light-shielding body which covers the whole surface of the conventional board | substrate. (B) is A sectional drawing of (a). (C) is a figure which shows arrangement | positioning of the conventional movable light-shielding body.

符号の説明Explanation of symbols

10 … 照明光学系
11 … 光源
12 … ダイクロイックミラー
14 … コリメートレンズ
15 … 波長選択部
17 … フライアイレンズ
18 … コンデンサレンズ
30 … 第1遮光体
31 … リング状レール
32 … 第1遮光体配置部
33 … ロータリーシリンダー
34 … 回転軸
35 … リニアモーター
36 … 第2遮光体
37 … 第2遮光体配置部
39 … 遮光帯
40 … マスクステージ(41…Yステージ,45…Xθステージ)
42 … リニアモーター
48 … 移動鏡
50 … 反射式投影光学系
60 … 基板テーブル(61…Yステージ,65…Xステージ)
62,66 … リニアモーター
67 … 移動鏡
68 … レーザー光
69 … 真空チャック
71 … 防振マウント
72 … 基台
73 … 鏡筒支持台
75 … マスクステージ支持台
100 … 反射型露光装置
FM … フォトマスク
M1,M4 … 反射ミラー
M2 … 凹面ミラー
M3 … 凸面ミラー
CB … 基板
EA … 露光領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Illumination optical system 11 ... Light source 12 ... Dichroic mirror 14 ... Collimating lens 15 ... Wavelength selection part 17 ... Fly eye lens 18 ... Condenser lens 30 ... 1st light shield 31 ... Ring-shaped rail 32 ... 1st light shield arrangement part 33 ... Rotary cylinder 34 ... Rotating shaft 35 ... Linear motor 36 ... Second light shield 37 ... Second light shield arrangement part 39 ... Light shield 40 ... Mask stage (41 ... Y stage, 45 ... Xθ stage)
42 ... Linear motor 48 ... Moving mirror 50 ... Reflective projection optical system 60 ... Substrate table (61 ... Y stage, 65 ... X stage)
62, 66 ... Linear motor 67 ... Moving mirror 68 ... Laser beam 69 ... Vacuum chuck 71 ... Anti-vibration mount 72 ... Base 73 ... Lens barrel support base 75 ... Mask stage support base 100 ... Reflective exposure apparatus FM ... Photomask M1 , M4 ... Reflection mirror M2 ... Concave mirror M3 ... Convex mirror CB ... Substrate EA ... Exposure area

Claims (7)

紫外線を含む光線をマスクに照射し、投影光学系を介してそのマスクを通過した光線をネガ型フォトレジストが塗布された基板に露光する投影露光装置において、
前記基板を吸着する吸着部を備えた基板テーブルと、
前記露光光を遮光する第1遮光体と、
前記第1遮光体を前記基板の縁部の一部に配置する第1遮光体配置部と、
前記基板テーブルに載置され、前記第1遮光体配置部を前記基板の周囲の任意の位置に移動させる移動部と、
を備えることを特徴とする投影露光装置。
In a projection exposure apparatus that irradiates a light beam including ultraviolet rays onto a mask and exposes a light beam that has passed through the mask through a projection optical system onto a substrate coated with a negative photoresist,
A substrate table having a suction section for sucking the substrate;
A first light-blocking body that blocks the exposure light;
A first light-shielding body placement portion for placing the first light-shielding body at a part of an edge of the substrate;
A moving unit that is placed on the substrate table and moves the first light shielding member arrangement unit to an arbitrary position around the substrate;
A projection exposure apparatus comprising:
前記移動部は、前記吸着部の周囲に配置された円形ガイドレールを有することを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。 The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the moving unit includes a circular guide rail disposed around the suction unit. 前記第1遮光体配置部は、前記第1遮光体を基板面に平行な軸で回転させることを特徴とする請求項1ないし請求項2に記載の投影露光装置。 3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the first light-shielding body arrangement unit rotates the first light-shielding body about an axis parallel to the substrate surface. 前記第1遮光体配置部は、前記第1遮光体を基板面と平行な方向に移動させることを特徴とする請求項1ないし請求項2に記載の投影露光装置。 3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the first light-shielding body arrangement unit moves the first light-shielding body in a direction parallel to the substrate surface. 前記第1遮光体は、前記光線による熱又は紫外線により組成変化若しくは形状変化が少ない材料で形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の投影露光装置。 5. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the first light shielding body is formed of a material that hardly changes in composition or shape due to heat or ultraviolet rays due to the light rays. 6. . さらに、前記第1遮光体とは形状の異なる第2遮光体を前記基板の縁部の一部に配置する第2遮光体配置部を備え、
前記移動部は、前記第2遮光体配置部を前記基板の周囲の任意の位置に移動させることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の投影露光装置。
Furthermore, a second light-shielding body arrangement part that arranges a second light-shielding body having a shape different from that of the first light-shielding body at a part of an edge of the substrate,
5. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the moving unit moves the second light-shielding body arranging unit to an arbitrary position around the substrate. 6.
前記第2遮光体は、前記基板の直径方向の長さが前記第1遮光体と異なることを特徴とする請求項6に記載の投影露光装置。 The projection exposure apparatus according to claim 6, wherein the second light shield has a diameter direction length of the substrate different from that of the first light shield.
JP2007274791A 2007-04-13 2007-10-23 Projection exposure apparatus Pending JP2009105183A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007274791A JP2009105183A (en) 2007-10-23 2007-10-23 Projection exposure apparatus
TW097101457A TW200841134A (en) 2007-04-13 2008-01-15 Projection exposure apparatus
US12/069,415 US20080252871A1 (en) 2007-04-13 2008-02-08 Projection exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007274791A JP2009105183A (en) 2007-10-23 2007-10-23 Projection exposure apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009105183A true JP2009105183A (en) 2009-05-14

Family

ID=40706591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007274791A Pending JP2009105183A (en) 2007-04-13 2007-10-23 Projection exposure apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009105183A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101160215B1 (en) 2009-06-30 2012-06-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method
US20130155398A1 (en) * 2010-09-13 2013-06-20 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101160215B1 (en) 2009-06-30 2012-06-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method
US20130155398A1 (en) * 2010-09-13 2013-06-20 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner
US9013695B2 (en) * 2010-09-13 2015-04-21 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5127875B2 (en) Lithographic apparatus and article manufacturing method
TW530333B (en) Exposure method and exposure apparatus
JP2009239018A (en) Projection exposure apparatus
JP2007318121A (en) Exposure apparatus, and device manufacturing method
KR100548711B1 (en) Substrate holder for lithographic apparatus
CN101286012A (en) Projection exposure apparatus
JP2008300836A (en) Lithography apparatus
JPWO2006085626A1 (en) Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP5223921B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method
WO2003065427A1 (en) Exposure device and exposure method
TWI487954B (en) Lithographic apparatus and an array of reflective elements
JP5789135B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20080252871A1 (en) Projection exposure apparatus
JP5119681B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2009105183A (en) Projection exposure apparatus
JP2001052986A (en) X-ray projection aligner
JP4545854B2 (en) Projection exposure equipment
JP2010206175A (en) Manufacturing method for semiconductor device
JPWO2004066371A1 (en) Exposure equipment
JP5204127B2 (en) Scan exposure apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2017054062A (en) Aberration measurement method and device, and exposure method and device
JP2009124000A (en) Projection exposure apparatus
JP2004311896A (en) Method and equipment for exposure, process for fabricating device, and mask
TWI813630B (en) projection exposure device
JP7179420B2 (en) Projection exposure apparatus and shading plate used for projection exposure apparatus