JP2009086171A - Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2009086171A
JP2009086171A JP2007254245A JP2007254245A JP2009086171A JP 2009086171 A JP2009086171 A JP 2009086171A JP 2007254245 A JP2007254245 A JP 2007254245A JP 2007254245 A JP2007254245 A JP 2007254245A JP 2009086171 A JP2009086171 A JP 2009086171A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
potential
storage capacitor
row
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007254245A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukiya Hirabayashi
幸哉 平林
Katsunori Yamazaki
克則 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2007254245A priority Critical patent/JP2009086171A/en
Publication of JP2009086171A publication Critical patent/JP2009086171A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the degradation of display quality due to operations of a simplified circuit configuration when employing a driving system which individually controls potentials of respective holding capacitor lines. <P>SOLUTION: In a normal display mode of sequentially selecting scan lines by sequential supply of a scan signal, a potential of a holding capacitor line corresponding to a scan line in a row preceding a selected scan line is shifted from a first potential on the high voltage side to a second potential on the low voltage side synchronously with the scan signal of the selected scan line when a pixel potential connected to the scan line in the preceding row is negative, and the potential of the holding capacitor line corresponding to the scan line in the preceding row is shifted from the second potential on the low voltage side to the first potential on the high voltage side synchronously with the scan signal of the selected scan line when the pixel potential connected to the scan line in the preceding row is positive. In a partial display mode of partially selecting scan lines by partial supply of the scan signal, potentials of all holding capacitor lines are kept at the first potential. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の駆動方法並びに電子機器に関する。  The present invention relates to an electro-optical device, a driving method of the electro-optical device, and an electronic apparatus.

従来、一般的なアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、複数のデータ線及び走査線と、走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、データ線と走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極と対向電極との間に液晶を狭持してなる液晶容量、一端が保持容量線と接続され他端が画素電極と接続された保持容量、走査線を介して供給される走査信号に応じてデータ線と画素電極との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子(TFT:Thin Film Transistor)を有する画素とを備えている。   Conventionally, a general active matrix type liquid crystal display device supports a plurality of data lines and scanning lines, a storage capacitor line provided corresponding to each of the scanning lines, and an intersection of the data line and the scanning line. A liquid crystal capacitor having a liquid crystal sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode, a storage capacitor having one end connected to the storage capacitor line and the other end connected to the pixel electrode, via a scanning line And a pixel having a switching element (TFT: Thin Film Transistor) for switching connection / disconnection between the data line and the pixel electrode in accordance with the supplied scanning signal.

このような構成の液晶表示装置の駆動方法の1つとして、対向電極及び全ての保持容量線に共通のコモン電圧を供給し、このコモン電圧を走査周期(1フレーム期間/走査線総数)でスイング(低電位と高電位との間で電位を遷移させること)させ、同様に走査周期でスイングさせたデータ信号をデータ線に供給することにより、1走査線毎に画素電位(対向電極の電位を基準とした画素電極の電位)の極性を反転させるライン反転駆動方式が知られている。上記のように、コモン電圧をスイングさせる場合は、コモン電圧のスイング量を固定し、データ信号のスイング量を階調データに応じて制御することにより、階調表示を実現している。   As one of the driving methods of the liquid crystal display device having such a configuration, a common voltage is supplied to the counter electrode and all the storage capacitor lines, and the common voltage is swung in a scanning cycle (one frame period / total number of scanning lines). (Transition of the potential between a low potential and a high potential) and a data signal that is similarly swung in the scanning cycle is supplied to the data line, whereby the pixel potential (the potential of the counter electrode is changed for each scanning line). A line inversion driving method is known in which the polarity of the reference pixel electrode potential) is inverted. As described above, when the common voltage is swung, the gradation display is realized by fixing the swing amount of the common voltage and controlling the swing amount of the data signal according to the gradation data.

一方、近年では、下記特許文献1に記載されているように、対向電極には直流電圧であるコモン電圧を供給すると共に、各保持容量線の電位を個別にスイングさせてデータ信号の電圧振幅を低減することにより、低消費電力化を図ることのできる容量線個別駆動方式が注目されている。
特開2002−196358号公報
On the other hand, in recent years, as described in Patent Document 1 below, a common voltage, which is a DC voltage, is supplied to the counter electrode, and the potential of each storage capacitor line is individually swung to increase the voltage amplitude of the data signal. Attention has been focused on a capacitive line individual drive method that can reduce power consumption by reducing the power consumption.
JP 2002-196358 A

ところで、従来では、LTPS(Low Temperature Poly Silicon)トランジスタを画素のスイッチング素子として用いる液晶表示装置に上記の容量線個別駆動方式を採用する場合、各保持容量線の電位を個別にスイングさせるための保持容量線駆動回路を、LTPS−CMOSトランジスタによって回路基板上に形成していた。しかしながら、LTPS−CMOSトランジスタによって保持容量線駆動回路を構成すると、回路構成が複雑となるため、消費電力が増え、額縁領域が広くなるという問題があった。   By the way, in the past, when the above-described individual capacitive line driving method is adopted in a liquid crystal display device using an LTPS (Low Temperature Poly Silicon) transistor as a pixel switching element, holding for individually swinging the potential of each holding capacitive line The capacitor line driving circuit is formed on the circuit board by LTPS-CMOS transistors. However, when the storage capacitor line driving circuit is configured by LTPS-CMOS transistors, there is a problem that the circuit configuration becomes complicated, resulting in an increase in power consumption and a wide frame area.

そこで、a−Si(アモルファスシリコン)トランジスタを画素のスイッチング素子として用いる液晶表示装置に容量線個別駆動方式を採用し、保持容量線駆動回路をa−Siトランジスタで構成することで回路構成を簡略化する方法が模索されていたが、例えば部分表示モードのように走査線を数行分しか選択せず、画素の電圧保持期間が長くなるような表示モード時には、簡略化された回路構成の動作に起因して、保持容量に蓄えられた電荷が保持容量線駆動回路を介してリークしてしまい、表示品質が劣化するという問題があった。   Therefore, a liquid crystal display device using an a-Si (amorphous silicon) transistor as a pixel switching element employs a capacitor line individual drive system, and the storage capacitor line drive circuit is configured by an a-Si transistor, thereby simplifying the circuit configuration. For example, in the display mode in which only a few lines of scanning lines are selected and the voltage holding period of the pixel is long as in the partial display mode, the operation of the simplified circuit configuration is performed. As a result, there has been a problem that the charge stored in the storage capacitor leaks through the storage capacitor line driving circuit, and the display quality deteriorates.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、a−Siトランジスタを画素のスイッチング素子として用いる電気光学装置に、各保持容量線の電位を個別に制御する駆動方式を採用する場合において、簡略化された回路構成の動作に起因する表示品質の劣化を防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and a case in which a driving system that individually controls the potential of each storage capacitor line is employed in an electro-optical device that uses an a-Si transistor as a switching element of a pixel. An object of the present invention is to prevent display quality deterioration caused by the operation of the simplified circuit configuration.

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線及び走査線と、前記走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、前記データ線と前記走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極と対向電極との間に電気光学材料を狭持してなる画素容量、一端が前記保持容量線と接続され他端が前記画素電極と接続された保持容量、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記データ線と前記画素電極との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子を有する画素とを備えた電気光学装置であって、前記保持容量線に印加すべき高圧側の第1の電位に維持された第1の電源線と、前記保持容量線に印加すべき低圧側の第2の電位に維持された第2の電源線と、1フレーム毎に論理レベルが反転する極性信号を供給するための極性信号線と、前記極性信号の論理反転信号である反転極性信号を供給するための反転極性信号線と、ゲート制御信号を供給するためのゲート制御信号線と、トランジスタのゲートオン電位に維持された第3の電源線と、前記保持容量線の各々に対応して設けられると共に、ソース電極が前記第1の電源線と接続され、ドレイン電極が当行の保持容量線と接続された第1のトランジスタと、当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が次行の走査線と接続された第2のトランジスタと、ソース電極が前記第2の電源線と接続され、ドレイン電極が当行の保持容量線と接続された第3のトランジスタと、当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、ドレイン電極が前記第3のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前行の走査線と接続された第4のトランジスタと、当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、ドレイン電極が前記第3のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が次行の走査線と接続された第5のトランジスタと、当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前行の走査線と接続された第6のトランジスタと、ソース電極が前記第3の電源線と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前記ゲート制御信号線と接続された第7のトランジスタと、を有する保持容量駆動回路と、を備えることを特徴とする。  In order to achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of data lines and scanning lines, a storage capacitor line provided corresponding to each of the scanning lines, the data lines, and the scanning lines. A pixel capacitor having an electro-optic material sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode, one end connected to the storage capacitor line and the other end connected to the pixel electrode An electro-optical device comprising: a storage capacitor, a pixel having a switching element that switches connection / disconnection between the data line and the pixel electrode in accordance with a scanning signal supplied via the scanning line, A first power supply line maintained at a first potential on the high voltage side to be applied to the storage capacitor line, and a second power supply line maintained at a second potential on the low voltage side to be applied to the storage capacitor line And the pole whose logic level is inverted every frame A polarity signal line for supplying a signal, an inverted polarity signal line for supplying an inverted polarity signal that is a logically inverted signal of the polarity signal, a gate control signal line for supplying a gate control signal, and a transistor A third power supply line maintained at a gate-on potential and the storage capacitor line are provided correspondingly, a source electrode is connected to the first power supply line, and a drain electrode is connected to the storage capacitor line of this row. The source electrode is connected to one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line if the first storage capacitor and the storage capacitor line of the current row are odd rows, and the source electrode is connected to the polarity signal line if it is an even row. Alternatively, the second transistor is connected to the other of the inverted polarity signal lines, the drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor, and the gate electrode is connected to the scanning line of the next row. And a third transistor in which the source electrode is connected to the second power supply line, the drain electrode is connected to the storage capacitor line of the bank, and the source electrode is the polarity signal if the storage capacitor line of the bank is an odd row. Line or one of the inverted polarity signal lines, and if it is an even row, the source electrode is connected to the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, and the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor. A fourth electrode having a gate electrode connected to the scanning line of the previous row and a source electrode connected to the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line if the storage capacitor line of the row is an odd row; If the row is an even row, the source electrode is connected to one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor, and the gate electrode is connected to the next row. The fifth transistor connected to the scanning line and the source electrode is connected to the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line if the storage capacitor line of the row is an odd row, and the source electrode if the row is an even row. Is connected to one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, a drain electrode is connected to a gate electrode of the first transistor, and a gate transistor is connected to the previous scanning line; A storage capacitor having a seventh electrode having a source electrode connected to the third power supply line, a drain electrode connected to the gate electrode of the first transistor, and a gate electrode connected to the gate control signal line; And a drive circuit.

このような特徴を有する電気光学装置では、走査信号を順次供給することで各走査線を順次選択する通常表示モード時において、選択された走査線の走査信号に同期して、当該選択された走査線の前行の走査線に接続された画素電位が負極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を高圧側の第1の電位から低圧側の第2の電位に遷移させ、前行の走査線に接続された画素電位が正極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を前記第2の電位から前記第1の電位に遷移させる。ここで、保持容量線の電位を第1の電位から第2の電位に遷移させる場合は、第1のトランジスタはオフ状態、第3のトランジスタはオン状態となり、保持容量線の電位を第2の電位から第1の電位に遷移させる場合は、第1のトランジスタはオン状態、第3のトランジスタはオフ状態となる。  In the electro-optical device having such a feature, in the normal display mode in which each scanning line is sequentially selected by sequentially supplying scanning signals, the selected scanning is synchronized with the scanning signal of the selected scanning line. If the pixel potential connected to the scanning line in the previous row is negative, the potential of the storage capacitor line corresponding to the scanning line in the previous row is changed from the first potential on the high voltage side to the second potential on the low voltage side. If the pixel potential connected to the previous scanning line is positive, the potential of the storage capacitor line corresponding to the previous scanning line is transitioned from the second potential to the first potential. Here, when the potential of the storage capacitor line is changed from the first potential to the second potential, the first transistor is turned off, the third transistor is turned on, and the potential of the storage capacitor line is changed to the second potential. In the case of transition from the potential to the first potential, the first transistor is turned on and the third transistor is turned off.

このような通常表示モードでは、概ね60Hz程度、つまり1/60秒毎に各走査線が順次選択されるので、第1のトランジスタは、自己のゲート電極の寄生容量により、そのゲート電位が次のフレームまでハイレベルに保持されてオン状態が継続される。しかしながら、走査信号を部分的に供給することで走査線を部分選択する部分表示モード時には、非選択行の選択頻度は1/2秒に1回程度となる、つまり画素の電圧保持期間が長くなるため、発明で用いる簡略化された回路構成の動作においては、そのゲート電極の寄生容量の電荷漏れでハイレベル電位を保持できなくなり(オフ状態となる)、保持容量線がハイインピーダンス状態となってしまう。この時、データ線の電位が変化すると、例えば、ちらつき等の表示不良が発生してしまう。また、このように電圧保持期間が長くなると、漏れ電流により保持容量線の電位が変化し、焼き付き等が発生する。このような問題は、第1トランジスタのゲート電極に大きな容量を負荷することにより回避可能であるが、保持容量線駆動回路の占有領域が大きくなってしまい、額縁領域が広くなってしまうという問題がある。   In such a normal display mode, each scanning line is sequentially selected at about 60 Hz, that is, every 1/60 seconds. Therefore, the gate potential of the first transistor is the next due to the parasitic capacitance of its own gate electrode. It is kept at the high level until the frame and the on state is continued. However, in the partial display mode in which the scanning lines are partially selected by partially supplying the scanning signal, the selection frequency of the non-selected row is about once every ½ second, that is, the voltage holding period of the pixel becomes long. Therefore, in the operation of the simplified circuit configuration used in the invention, the high-level potential cannot be held due to the charge leakage of the parasitic capacitance of the gate electrode (becomes off state), and the storage capacitor line is in the high impedance state. End up. At this time, if the potential of the data line changes, for example, a display defect such as flickering occurs. Further, when the voltage holding period becomes longer as described above, the potential of the holding capacitor line is changed due to the leakage current, and image sticking or the like occurs. Such a problem can be avoided by applying a large capacitance to the gate electrode of the first transistor. However, the occupied area of the storage capacitor line driving circuit becomes large and the frame area becomes wide. is there.

そこで、部分表示モード時では、ゲート制御信号線にオン電位を有するゲート制御信号を供給することにより、全ての保持容量線駆動回路において、第5のトランジスタがオン状態となり、第3の電源線と第1のトランジスタのゲート電極とが接続され、第1のトランジスタもオン状態となる。つまり、全ての保持容量線は、第1の電源線と接続され、高圧側の第1の電位に維持される。これにより、部分表示モード時において、保持容量線の電位変化を抑制することができ、焼き付きの発生を防止することができる。また、この期間に、データ信号の振幅を変化させるように制御することにより、ちらつきを防止することができる。   Therefore, in the partial display mode, by supplying a gate control signal having an ON potential to the gate control signal line, the fifth transistor is turned on in all the storage capacitor line driver circuits, and the third power supply line and The gate electrode of the first transistor is connected, and the first transistor is also turned on. That is, all the storage capacitor lines are connected to the first power supply line and are maintained at the first potential on the high voltage side. Thereby, in the partial display mode, the potential change of the storage capacitor line can be suppressed, and the occurrence of burn-in can be prevented. Further, flickering can be prevented by controlling the amplitude of the data signal to change during this period.

また、本発明に係る電気光学装置において、奇数行の保持容量線の電位を検出するための奇数行容量線電位検出線と、偶数行の保持容量線の電位を検出するための偶数行容量線電位検出線と、前記奇数行容量線電位検出線の電圧波形歪みを打ち消すように、奇数行の保持容量線に対応する第1の電源線及び第2の電源線の電圧波形を補正する奇数行電圧歪補正回路と、前記偶数行容量線電位検出線の電圧波形歪みを打ち消すように、偶数行の保持容量線に対応する第1の電源線及び第2の電源線の電圧波形を補正する偶数行電圧歪補正回路と、を備え、前記保持容量駆動回路の各々は、ソース電極が当行の保持容量線と接続され、当行の保持容量線が奇数行であればドレイン電極が前記奇数行容量線電位検出線と接続され、偶数行であればドレイン電極が前記偶数行容量線電位検出線と接続され、ゲート電極が当行の走査線と接続された第8のトランジスタを有する、ことが好ましい。
これにより、各画素の電圧書き込み期間において発生する保持容量線の電圧波形歪に起因する表示ムラ等を防止することができ、より高表示品質化を図ることができる。
In the electro-optical device according to the present invention, the odd-numbered capacitance line potential detection line for detecting the potential of the odd-numbered storage capacitance line and the even-numbered capacitance line for detecting the potential of the even-numbered storage capacitance line. The odd-numbered rows for correcting the voltage waveforms of the first power supply line and the second power supply line corresponding to the odd-numbered storage capacitor lines so as to cancel the voltage waveform distortion of the potential detection lines and the odd-numbered capacity line potential detection lines. An even number for correcting the voltage waveforms of the first power supply line and the second power supply line corresponding to the even-numbered storage capacitor lines so as to cancel the voltage waveform distortion of the voltage distortion correction circuit and the even-numbered capacity line potential detection lines. A row voltage distortion correction circuit, and each of the storage capacitor driving circuits has a source electrode connected to the storage capacitor line of the current row, and if the storage capacitor line of the current row is an odd number, the drain electrode is the odd-numbered capacity line. If it is connected to a potential detection line Is connected in-electrode and the even-numbered row capacitance line potential detection line, with the eighth transistor having a gate electrode connected with the Bank of scanning lines, it is preferable.
As a result, display unevenness and the like due to voltage waveform distortion of the storage capacitor line occurring in the voltage writing period of each pixel can be prevented, and higher display quality can be achieved.

また、本発明に係る電気光学装置において、前記奇数行電圧歪み補正回路は、前記第1の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が奇数行の保持容量線に対応する第1の電源線の一端と接続された第1の演算増幅器と、前記第2の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が奇数行の保持容量線に対応する第2の電源線の一端と接続された第2の演算増幅器と、前記極性信号または反転極性信号に応じて、前記奇数行容量線電位検出線を前記第1の演算増幅器の反転入力端子と接続するか、前記第2の演算増幅器の反転入力端子と接続するかを切り替えるスイッチ回路と、を備え、前記偶数行電圧歪み補正回路は、前記第1の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が偶数行の保持容量線に対応する第1の電源線の一端と接続された第1の演算増幅器と、前記第2の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が偶数行の保持容量線に対応する第2の電源線の一端と接続された第2の演算増幅器と、前記極性信号または反転極性信号に応じて、前記偶数行容量線電位検出線を前記第1の演算増幅器の反転入力端子と接続するか、前記第2の演算増幅器の反転入力端子と接続するかを切り替えるスイッチ回路と、を備えることが好ましい。
これにより、各画素の電圧書き込み期間において発生する保持容量線の電圧波形歪に起因する表示ムラ等を防止するための、奇数行電圧歪み補正回路及び偶数行電圧歪み補正回路の回路構成を簡略化することができ、低コスト化に寄与する。
Also, in the electro-optical device according to the present invention, the odd-numbered voltage distortion correction circuit has a first power supply corresponding to an odd-numbered storage capacitor line with the first potential as an input of a non-inverting input terminal. A first operational amplifier connected to one end of a line; and the second potential is input to a non-inverting input terminal, and an output terminal is connected to one end of a second power supply line corresponding to an odd-numbered storage capacitor line. In response to the second operational amplifier and the polarity signal or the inverted polarity signal, the odd row capacitance line potential detection line is connected to the inverting input terminal of the first operational amplifier, or the second operational amplifier A switching circuit that switches whether to connect to the inverting input terminal, wherein the even-numbered row voltage distortion correction circuit accepts the first potential as an input to the non-inverting input terminal, and an output terminal corresponds to a holding capacitor line in the even-numbered row Connected to one end of the first power line A first operational amplifier; a second operational amplifier having the second potential as an input to a non-inverting input terminal and an output terminal connected to one end of a second power supply line corresponding to an even-numbered storage capacitor line; Whether to connect the even-row capacitor line potential detection line to the inverting input terminal of the first operational amplifier or to the inverting input terminal of the second operational amplifier according to the polarity signal or the inverted polarity signal It is preferable to include a switch circuit that switches between the two.
This simplifies the circuit configuration of the odd-numbered row voltage distortion correction circuit and the even-numbered row voltage distortion correction circuit to prevent display unevenness caused by the voltage waveform distortion of the storage capacitor line that occurs in the voltage writing period of each pixel. Can contribute to cost reduction.

一方、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数のデータ線及び走査線と、前記走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、前記データ線と前記走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極と対向電極との間に電気光学材料を狭持してなる画素容量、一端が前記保持容量線と接続され他端が前記画素電極と接続された保持容量、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記データ線と前記画素電極との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子を有する画素とを備えた電気光学装置の駆動方法であって、走査信号を順次供給することで各走査線を順次選択する通常表示モード時には、選択された走査線の走査信号に同期して、当該選択された走査線の前行の走査線に接続された画素電位が負極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を高圧側の第1の電位から低圧側の第2の電位に遷移させ、前行の走査線に接続された画素電位が正極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を前記第2の電位から前記第1の電位に遷移させ、走査信号を部分的に供給することで走査線を部分選択する部分表示モード時には、全ての保持容量線の電位を前記第1の電位に維持する、ことを特徴とする。  On the other hand, the driving method of the electro-optical device according to the present invention includes a plurality of data lines and scanning lines, a storage capacitor line provided corresponding to each of the scanning lines, and an intersection of the data line and the scanning line. A pixel capacitor provided corresponding to the location and having an electro-optic material sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode, one end connected to the storage capacitor line and the other end connected to the pixel electrode A driving method of an electro-optical device including a capacitor and a pixel having a switching element that switches connection / disconnection of the data line and the pixel electrode according to a scanning signal supplied via the scanning line, In the normal display mode in which each scanning line is sequentially selected by sequentially supplying scanning signals, the pixels connected to the scanning line in the previous row of the selected scanning line in synchronization with the scanning signal of the selected scanning line. If the potential is negative If the potential of the storage capacitor line corresponding to the scanning line in the previous row is changed from the first potential on the high voltage side to the second potential on the low voltage side, and the pixel potential connected to the scanning line in the previous row is positive In the partial display mode in which the potential of the storage capacitor line corresponding to the scanning line of the previous row is changed from the second potential to the first potential and the scanning signal is partially supplied to partially select the scanning line. The potentials of all the storage capacitor lines are maintained at the first potential.

このような特徴を有する電気光学装置の駆動方法によれば、部分表示モード時において、全ての保持容量線は高圧側の第1の電位に維持されるため、保持容量線の電位変化を抑制することができ、焼き付きの発生を防止することができる。また、この期間に、データ信号の振幅を変化させるように制御することにより、ちらつきを防止することができる。   According to the driving method of the electro-optical device having such characteristics, in the partial display mode, since all the storage capacitor lines are maintained at the first potential on the high voltage side, the potential change of the storage capacitor lines is suppressed. And the occurrence of burn-in can be prevented. Further, flickering can be prevented by controlling the amplitude of the data signal to change during this period.

さらに、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えることを特徴とする。
このような特徴を有する電子機器によれば、表示品質の高い電気光学装置を表示部として用いることができるため、電子機器自身の高品質化を図ることができる。
Furthermore, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device.
According to the electronic apparatus having such a feature, since an electro-optical device with high display quality can be used as the display unit, it is possible to improve the quality of the electronic apparatus itself.

以下、本発明に係る電気光学装置及び電気光学装置の駆動方法並びに電子機器の一実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, an electro-optical device, an electro-optical device driving method, and an electronic apparatus according to an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings.

〔電気光学装置〕
(第1実施形態)
まず、本発明に係る電気光学装置の第1実施形態について説明する。なお、本発明に係る電気光学装置として、液晶を電気光学材料とする液晶表示装置を例示して説明する。図1(a)は本実施形態に係る液晶表示装置LD1について対向基板側から見た平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A矢視断面図である。
Electro-optical device
(First embodiment)
First, a first embodiment of an electro-optical device according to the invention will be described. As an electro-optical device according to the present invention, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material will be described as an example. FIG. 1A is a plan view of the liquid crystal display device LD1 according to the present embodiment as viewed from the counter substrate side, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図1(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置LD1は、対をなす回路基板10と対向基板11とが光硬化性の封止材であるシール材12によって貼り合わされ、このシール材12によって区画された領域内に液晶13が封入、保持されている。シール材12は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the liquid crystal display device LD1 according to the present embodiment includes a sealing material 12 in which a circuit board 10 and a counter substrate 11 forming a pair are photo-curing sealing materials. The liquid crystal 13 is sealed and held in a region that is bonded and partitioned by the sealing material 12. The sealing material 12 is formed in a frame shape closed in a region within the substrate surface.

対向基板11側におけるシール材12の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる窓枠14が形成されている。この窓枠14で囲まれた領域が画像表示領域となる。回路基板10側におけるシール材12の外側の領域には、データ線駆動回路15及び実装端子16が回路基板10の一辺に沿って配置されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路17が配置されている。これらデータ線駆動回路15及び走査線駆動回路17は、ドライバICであり、異方性導電接着フィルムを介して後述するデータ線や走査線と電気的に接続されている。回路基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路17の間を接続するための複数の配線18が設けられている。また、対向基板11のコーナー部の少なくとも1箇所においては、回路基板10と対向基板11との間で電気的導通をとるための基板間導通材19が配設されている。   A window frame 14 made of a light shielding material is formed in a region inside the region where the sealing material 12 is formed on the counter substrate 11 side. An area surrounded by the window frame 14 is an image display area. In the area outside the sealing material 12 on the circuit board 10 side, the data line driving circuit 15 and the mounting terminal 16 are arranged along one side of the circuit board 10, and the scanning line is formed along two sides adjacent to the one side. A drive circuit 17 is arranged. The data line driving circuit 15 and the scanning line driving circuit 17 are driver ICs, and are electrically connected to data lines and scanning lines described later via an anisotropic conductive adhesive film. On the remaining one side of the circuit board 10, a plurality of wirings 18 are provided for connecting between the scanning line driving circuits 17 provided on both sides of the image display area. Further, at least one corner of the counter substrate 11 is provided with an inter-substrate conductive material 19 for establishing electrical continuity between the circuit board 10 and the counter substrate 11.

詳細は後述するが、この回路基板10上には、図中のX方向に延在するm本の走査線と、Y方向に延在するn本のデータ線と、走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、データ線と走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極(図中の符号20)、一端が保持容量線と接続され他端が画素電極20と接続された保持容量、走査線を介して供給される走査信号に応じてデータ線と画素電極20との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子(以下、画素TFTと称す)を有する画素回路とが形成されている。なお、この画素TFTは、Nチャネル型のa−Si(アモルファスシリコン)MOSトランジスタである。   Although details will be described later, on the circuit board 10, m scanning lines extending in the X direction in the drawing, n data lines extending in the Y direction, and scanning lines correspond to each. The pixel electrode (reference numeral 20 in the figure), one end of which is connected to the storage capacitor line and the other end of the pixel electrode 20 is provided corresponding to the intersection of the storage capacitor line and the data line and the scanning line. And a pixel circuit having a switching element (hereinafter referred to as a pixel TFT) that switches connection / disconnection between the data line and the pixel electrode 20 in accordance with a scanning signal supplied via the scanning line. Is formed. The pixel TFT is an N-channel a-Si (amorphous silicon) MOS transistor.

各保持容量線の一端には、画素TFTと同様にa−Siトランジスタで構成された保持容量線駆動回路と、この保持容量線駆動回路に各種信号を供給する各種信号線が形成されている。一方、対向基板11にはコモン電圧Vcomを印加するための対向電極21が形成されており、これにより、画素TFT、保持容量、画素電極20と対向電極21との間に液晶13を狭持してなる液晶容量を有する画素が、m行×n列のマトリクス状に形成されることになる。   At one end of each storage capacitor line, a storage capacitor line driving circuit configured by an a-Si transistor as in the pixel TFT and various signal lines for supplying various signals to the storage capacitor line driving circuit are formed. On the other hand, a counter electrode 21 for applying a common voltage Vcom is formed on the counter substrate 11, thereby holding the liquid crystal 13 between the pixel TFT, the storage capacitor, and the pixel electrode 20 and the counter electrode 21. Thus, the pixels having the liquid crystal capacitance are formed in a matrix of m rows × n columns.

なお、液晶表示装置LD1においては、使用する液晶13の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略している。また、液晶表示装置LD1をカラー表示用として構成する場合には、対向基板11において、回路基板10の各画素電極20に対向する領域に、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。     In the liquid crystal display device LD1, depending on the type of the liquid crystal 13 to be used, that is, depending on the operation mode such as TN (Twisted Nematic) mode, STN (Super Twisted Nematic) mode, or normally white mode / normally black mode. A retardation plate, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction, but are not shown here. In the case where the liquid crystal display device LD1 is configured for color display, for example, red (R), green (G), blue (B) in the region of the counter substrate 11 that faces each pixel electrode 20 of the circuit substrate 10. The color filter is formed together with the protective film.

図2は、液晶表示装置LD1の回路構成図である。この図2に示すように、一端が走査線駆動回路17と接続され、X方向に延在するm本の走査線Y1〜Ymと、一端がデータ線駆動回路15と接続され、Y方向に延在するn本のデータ線X1〜Xnと、X方向に延在し、走査線Y1〜Ymの各々に対応して設けられた保持容量線CS1〜CSmとが形成されており、それぞれのデータ線と走査線との交差箇所には、画素TFT30、液晶容量CL、一端が保持容量線と接続され他端が画素電極20と接続された保持容量CHを有する画素が形成されている。例えば、走査線Y1とデータ線X1との交差箇所に対応する画素を代表的に用いて説明すると、保持容量CHの一端は保持容量線CS1と接続され、画素TFT30のゲート電極は走査線Y1と接続され、ソース電極はデータ線X1と接続され、ドレイン電極は保持容量CHの他端及び液晶容量CLを構成する画素電極20と接続されている。   FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the liquid crystal display device LD1. As shown in FIG. 2, one end is connected to the scanning line driving circuit 17 and m scanning lines Y1 to Ym extending in the X direction, and one end is connected to the data line driving circuit 15 and extending in the Y direction. There are n existing data lines X1 to Xn and storage capacitor lines CS1 to CSm extending in the X direction and provided corresponding to the scanning lines Y1 to Ym, respectively. The pixel TFT 30, the liquid crystal capacitor CL, and a pixel having a storage capacitor CH in which one end is connected to the storage capacitor line and the other end is connected to the pixel electrode 20 are formed at the intersection of the scanning line and the scanning line. For example, the pixel corresponding to the intersection of the scanning line Y1 and the data line X1 is representatively described. One end of the storage capacitor CH is connected to the storage capacitor line CS1, and the gate electrode of the pixel TFT 30 is connected to the scan line Y1. The source electrode is connected to the data line X1, and the drain electrode is connected to the other end of the storage capacitor CH and the pixel electrode 20 constituting the liquid crystal capacitor CL.

走査線駆動回路17は、走査線Y1、Y2、・・・、Ymの順に、画素TFT30をオンさせるためのオン電位Vgonを有するパルス状の走査信号G1、G2、・・・、Gmを順次出力する。データ線駆動回路15は、図示しない制御回路から供給される階調データ(画素毎の明るさを規定するデータ)に応じたデータ信号(アナログ電圧信号)S1、S2、・・・、Smを、各データ線X1、X2、・・・、Xmに出力する。   The scanning line driving circuit 17 sequentially outputs pulsed scanning signals G1, G2,..., Gm having an ON potential Vgon for turning on the pixel TFT 30 in order of the scanning lines Y1, Y2,. To do. The data line driving circuit 15 receives data signals (analog voltage signals) S1, S2,..., Sm corresponding to gradation data (data defining brightness for each pixel) supplied from a control circuit (not shown). Output to each data line X1, X2,..., Xm.

各保持容量線CS1〜CSmの一端には、これら保持容量線の電位を個別に制御するための、保持容量線駆動回路CD1〜CDmが形成されている。これら保持容量線駆動回路CD1〜CDmは、高圧側の電位Vc2(第1の電位)に維持された第1の電源線40と、低圧側の電位Vc1(第2の電位)に維持された第2の電源線41と、1フレーム毎に論理レベルが反転する極性信号POLを供給するための極性信号線42と、極性信号POLの論理反転信号である反転極性信号XPOLを供給するための反転極性信号線43と、ゲート制御信号Cntgを供給するためのゲート制御信号線44と、トランジスタのオン電位Vgonに維持された第3の電源線45とに接続されている。なお、極性信号POLと反転極性信号XPOLのハイレベル電位は、トランジスタのオン電位Vgonと等しくなるように設定されている。   At one end of each of the storage capacitor lines CS1 to CSm, storage capacitor line drive circuits CD1 to CDm for individually controlling the potentials of these storage capacitor lines are formed. The storage capacitor line drive circuits CD1 to CDm are the first power supply line 40 maintained at the high voltage side potential Vc2 (first potential) and the first power line 40 maintained at the low voltage side potential Vc1 (second potential). 2 power lines 41, a polarity signal line 42 for supplying a polarity signal POL whose logic level is inverted every frame, and an inversion polarity for supplying an inverted polarity signal XPOL which is a logic inversion signal of the polarity signal POL. The signal line 43, the gate control signal line 44 for supplying the gate control signal Cntg, and the third power supply line 45 maintained at the ON potential Vgon of the transistor are connected. Note that the high level potentials of the polarity signal POL and the inverted polarity signal XPOL are set to be equal to the ON potential Vgon of the transistor.

以下、これら保持容量線駆動回路CD1〜CDmの詳細な回路構成について、図3を参照して説明する。なお、図3では、説明の便宜上、任意の奇数行であるi行目の走査線Yiと、その前後の偶数行である走査線Yi−1及びYi+1に対応する、保持容量線CSi−1、CSi、CSi+1の一端に設けられた保持容量線駆動回路CDi−1、CDi、CDi+1を代表的に図示しており、また、データ線に関しては、任意のj列目のデータ線Xjと、j+1列目のデータ線Xj+1のみを図示している。   Hereinafter, detailed circuit configurations of the storage capacitor line drive circuits CD1 to CDm will be described with reference to FIG. In FIG. 3, for convenience of explanation, the storage capacitor line CSi−1 corresponding to the i-th scanning line Yi that is an arbitrary odd-numbered row and the scanning lines Yi−1 and Yi + 1 that are the even-numbered rows before and after that. The storage capacitor line drive circuits CDi−1, CDi, CDi + 1 provided at one end of CSi, CSi + 1 are representatively illustrated, and regarding the data lines, an arbitrary jth column data line Xj and j + 1 column Only the eye data line Xj + 1 is shown.

図3に示すように、保持容量線駆動回路CDi−1、CDi、CDi+1は、それぞれ画素TFT30と同様、Nチャネル型のa−Si(アモルファスシリコン)MOSトランジスタである第1のトランジスタT1、第2のトランジスタT2、第3のトランジスタT3、第4のトランジスタT4、第5のトランジスタT5、第6のトランジスタT6、第7のトランジスタT7から構成されている。ただし、これら第1のトランジスタT1〜第7のトランジスタT7の接続関係は、奇数行目の保持容量線駆動回路CDiと偶数行目の保持容量線駆動回路CDi−1、CDi+1とで異なっている。   As shown in FIG. 3, the storage capacitor line drive circuits CDi−1, CDi, and CDi + 1 are each an N-channel a-Si (amorphous silicon) MOS transistor, a first transistor T1, and a second transistor, like the pixel TFT 30. Transistor T2, third transistor T3, fourth transistor T4, fifth transistor T5, sixth transistor T6, and seventh transistor T7. However, the connection relationship between the first transistor T1 to the seventh transistor T7 is different between the odd-numbered storage capacitor line driving circuit CDi and the even-numbered storage capacitor line driving circuits CDi−1 and CDi + 1.

奇数行目の保持容量線駆動回路CDiでは、第1のトランジスタT1のソース電極は第1の電源線40と接続され、ドレイン電極は保持容量線CSiと接続され、ゲート電極は第2のトランジスタT2のドレイン電極、第6のトランジスタT6のドレイン電極、第7のトランジスタT7のドレイン電極と接続されている。第2のトランジスタT2のソース電極は反転極性信号線43と接続され、ドレイン電極は第1のトランジスタT1のゲート電極と接続され、ゲート電極は次行i+1の走査線Yi+1と接続されている。   In the odd-numbered storage capacitor line drive circuit CDi, the source electrode of the first transistor T1 is connected to the first power supply line 40, the drain electrode is connected to the storage capacitor line CSi, and the gate electrode is the second transistor T2. , The drain electrode of the sixth transistor T6, and the drain electrode of the seventh transistor T7. The source electrode of the second transistor T2 is connected to the inverted polarity signal line 43, the drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor T1, and the gate electrode is connected to the scanning line Yi + 1 of the next row i + 1.

第3のトランジスタT3のソース電極は第2の電源線41と接続され、ドレイン電極は保持容量線CSiと接続され、ゲート電極は第4のトランジスタT4のドレイン電極及び第5のトランジスタT5のドレイン電極と接続されている。第4のトランジスタT4のソース電極は反転極性信号線43と接続され、ドレイン電極は第3のトランジスタT3のゲート電極と接続され、ゲート電極は前行i−1の走査線Yi−1と接続されている。   The source electrode of the third transistor T3 is connected to the second power supply line 41, the drain electrode is connected to the storage capacitor line CSi, and the gate electrodes are the drain electrode of the fourth transistor T4 and the drain electrode of the fifth transistor T5. Connected with. The source electrode of the fourth transistor T4 is connected to the inverted polarity signal line 43, the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor T3, and the gate electrode is connected to the scanning line Yi-1 of the previous row i-1. ing.

第5のトランジスタT5のソース電極は極性信号線42と接続され、ドレイン電極は第3のトランジスタT3のゲート電極と接続され、ゲート電極は次行i+1の走査線Yi+1と接続されている。第6のトランジスタT6のソース電極は極性信号線42と接続され、ドレイン電極は第1のトランジスタT1のゲート電極と接続され、ゲート電極は前行i−1の走査線Yi−1と接続されている。第7のトランジスタT7のソース電極は第3の電源線45と接続され、ドレイン電極は第1のトランジスタT1のゲート電極と接続され、ゲート電極はゲート制御信号線44と接続されている。   The source electrode of the fifth transistor T5 is connected to the polarity signal line 42, the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor T3, and the gate electrode is connected to the scanning line Yi + 1 of the next row i + 1. The source electrode of the sixth transistor T6 is connected to the polarity signal line 42, the drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor T1, and the gate electrode is connected to the scanning line Yi-1 of the previous row i-1. Yes. The source electrode of the seventh transistor T7 is connected to the third power supply line 45, the drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor T1, and the gate electrode is connected to the gate control signal line 44.

一方、偶数行目の保持容量線駆動回路CDi−1において、上記の保持容量線駆動回路CDiと比べて異なる点は、第1のトランジスタT1のドレイン電極と第3のトランジスタT3のドレイン電極が保持容量線CSi−1と接続されている点、第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5のゲート電極が次行iの走査線Yiと接続されている点、第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6のゲート電極が前行i−2の走査線Yi−2と接続されている点、第2のトランジスタT2及び第4のトランジスタT4のソース電極が極性信号線42と接続されている点、第5のトランジスタT5及び第6のトランジスタT6のソース電極が反転極性信号線43と接続されている点である。   On the other hand, the storage capacitor line drive circuit CDi-1 in the even-numbered row is different from the storage capacitor line drive circuit CDi in that the drain electrode of the first transistor T1 and the drain electrode of the third transistor T3 hold. A point connected to the capacitor line CSi-1, a point where the gate electrodes of the second transistor T2 and the fifth transistor T5 are connected to the scanning line Yi of the next row i, a fourth transistor T4 and a sixth transistor The gate electrode of the transistor T6 is connected to the scanning line Yi-2 of the previous row i-2, the source electrodes of the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are connected to the polarity signal line 42, The source electrodes of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6 are connected to the inverted polarity signal line 43.

保持容量線駆動回路CDi+1も保持容量線駆動回路CDi−1と同様である。ただし、第1のトランジスタT1のドレイン電極と第3のトランジスタT3のドレイン電極が保持容量線CSi+1と接続されている点、第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5のゲート電極が次行i+2の走査線Yi+2と接続されている点、第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6のゲート電極が前行iの走査線Yiと接続されている点で異なる。   The storage capacitor line drive circuit CDi + 1 is similar to the storage capacitor line drive circuit CDi-1. However, the drain electrode of the first transistor T1 and the drain electrode of the third transistor T3 are connected to the storage capacitor line CSi + 1, and the gate electrodes of the second transistor T2 and the fifth transistor T5 are connected to the next row i + 2. The difference is that it is connected to the scanning line Yi + 2, and that the gate electrodes of the fourth transistor T4 and the sixth transistor T6 are connected to the scanning line Yi of the previous row i.

このように、各保持容量線駆動回路CDi−1、CDi、CDi+1は、自己の行ではなく、次行の走査線の電位に応じてオン/オフする第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5を備えており、これらがオン状態になった場合、奇数行目の保持容量線駆動回路CDiでは極性信号線42が第3のトランジスタT3のゲート電極と接続されると共に、反転極性信号線43が第1のトランジスタT1のゲート電極と接続され、一方、偶数行目の保持容量線駆動回路CDi−1、CDi+1では極性信号線42が第1のトランジスタT1のゲート電極と接続されると共に、反転極性信号線43が第3のトランジスタT3のゲート電極と接続されることになる。   In this way, each of the storage capacitor line drive circuits CDi−1, CDi, CDi + 1 is not the own row, but the second transistor T2 and the fifth transistor T5 that are turned on / off according to the potential of the scanning line of the next row. In the odd-numbered storage capacitor line drive circuit CDi, the polarity signal line 42 is connected to the gate electrode of the third transistor T3, and the inverted polarity signal line 43 is On the other hand, the polarity signal line 42 is connected to the gate electrode of the first transistor T1 and the inverted polarity in the storage capacitor line drive circuits CDi−1 and CDi + 1 in the even-numbered rows connected to the gate electrode of the first transistor T1. The signal line 43 is connected to the gate electrode of the third transistor T3.

また、各保持容量線駆動回路CDi−1、CDi、CDi+1は、自己の行ではなく、前行の走査線の電位に応じてオン/オフする第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6を備えており、これらがオン状態になった場合、奇数行目の保持容量線駆動回路CDiでは極性信号線42が第1のトランジスタT1のゲート電極と接続されると共に、反転極性信号線43が第3のトランジスタT3のゲート電極と接続され、一方、偶数行目の保持容量線駆動回路CDi−1、CDi+1では極性信号線42が第3のトランジスタT3のゲート電極と接続されると共に、反転極性信号線43が第1のトランジスタT1のゲート電極と接続されることになる。   Each of the storage capacitor line drive circuits CDi−1, CDi, CDi + 1 includes a fourth transistor T4 and a sixth transistor T6 that are turned on / off according to the potential of the scanning line of the previous row, not the own row. When these are turned on, in the odd-numbered storage capacitor line drive circuit CDi, the polarity signal line 42 is connected to the gate electrode of the first transistor T1, and the inverted polarity signal line 43 is third. On the other hand, in the even-numbered storage capacitor line drive circuits CDi−1 and CDi + 1, the polarity signal line 42 is connected to the gate electrode of the third transistor T3 and the inverted polarity signal line. 43 is connected to the gate electrode of the first transistor T1.

次に、上記のように構成された第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の動作(駆動方法)について説明する。なお、以下では、説明の便宜上、図3に示す回路構成を参照しながら液晶表示装置LD1の動作について説明する。   Next, the operation (driving method) of the liquid crystal display device LD1 according to the first embodiment configured as described above will be described. In the following, for convenience of explanation, the operation of the liquid crystal display device LD1 will be described with reference to the circuit configuration shown in FIG.

<通常表示モード時の動作>
まず、通常表示モード時の動作について説明する。ここで、通常表示モードとは、全ての走査線に走査信号を順次供給するモードを指す。
図4は、図3に示す走査線Yi−1に供給される走査信号Gi−1と、走査線Yiに供給される走査信号Giと、走査線Yi+1に供給される走査信号Gi+1と、走査線Yi+2に供給される走査信号Gi+2と、極性信号POLと、反転極性信号XPOLと、保持容量線CSi−1の電位VCHi−1と、保持容量線CSiの電位VCHiと、保持容量線CSi+1の電位VCHi+1との時間的な対応関係を示すタイミングチャートである。
<Operation in normal display mode>
First, the operation in the normal display mode will be described. Here, the normal display mode refers to a mode in which scanning signals are sequentially supplied to all scanning lines.
4 shows the scanning signal Gi-1 supplied to the scanning line Yi-1 shown in FIG. 3, the scanning signal Gi supplied to the scanning line Yi, the scanning signal Gi + 1 supplied to the scanning line Yi + 1, and the scanning line. The scanning signal Gi + 2 supplied to Yi + 2, the polarity signal POL, the inverted polarity signal XPOL, the potential VCHI-1 of the storage capacitor line CSi-1, the potential VCHI of the storage capacitor line CSi, and the potential VCHI + 1 of the storage capacitor line CSi + 1. It is a timing chart which shows the time correspondence with these.

ここで、図4に示すように、第Nフレームが開始される前、つまり第N−1フレームの階調データに応じたデータ信号が全ての画素に書き込まれた直後の状態において、保持容量線CSi−1の電位VCHi−1はVc2に維持され、保持容量線CSiの電位VCHiはVc1に維持され、保持容量線CSi+1の電位VCHi+1はVc2に維持されており、また、極性信号POLはハイレベル(トランジスタのオン電位Vgon)、反転極性信号XPOLはローレベル(トランジスタのオフ電位Vgoff)であるものと想定する。   Here, as shown in FIG. 4, before the Nth frame is started, that is, immediately after the data signal corresponding to the grayscale data of the (N-1) th frame is written to all the pixels, the storage capacitor line The potential VCHi-1 of CSi-1 is maintained at Vc2, the potential VCHi of the storage capacitor line CSi is maintained at Vc1, the potential VCHi + 1 of the storage capacitor line CSi + 1 is maintained at Vc2, and the polarity signal POL is at a high level. It is assumed that the transistor ON potential Vgon and the inverted polarity signal XPOL are at a low level (transistor OFF potential Vgoff).

つまり、保持容量線駆動回路CDi−1、CDi+1の第1のトランジスタT1のゲート電極は、自己の寄生容量によりハイレベル(トランジスタのオン電位Vgon)を維持し、第3のトランジスタT3のゲート電極は、ローレベル(トランジスタのオフ電位Vgoff)を維持した状態となっており、一方、保持容量線駆動回路CDiの第1のトランジスタT1のゲート電極は、ローレベル(トランジスタのオフ電位Vgoff)を維持し、第3のトランジスタT3のゲート電極は、ハイレベル(トランジスタのオン電位Vgon)を維持した状態となっている。   That is, the gate electrodes of the first transistors T1 of the storage capacitor line drive circuits CDi−1 and CDi + 1 are maintained at a high level (transistor on-potential Vgon) due to their own parasitic capacitance, and the gate electrodes of the third transistors T3 are The gate electrode of the first transistor T1 of the storage capacitor line driving circuit CDi maintains the low level (transistor off potential Vgoff). The gate electrode of the third transistor T3 is kept at a high level (on-potential Vgon of the transistor).

このような状態で第Nフレームのデータ信号の書き込みが開始され、時刻t1にオン電位Vgonを有する走査信号Gi−1が走査線Yi−1に出力され、時刻t2にオン電位Vgonを有する走査信号Giが走査線Yiに出力され、時刻t3にオン電位Vgonを有する走査信号Gi+1が走査線Yi+1に出力され、時刻t4にオン電位Vgonを有する走査信号Gi+2が走査線Yi+2に順次出力されたものと想定する。また、第Nフレームの開始と同時に、極性信号POLはハイレベルからローレベルに遷移し、反転極性信号XPOLはローレベルからハイレベルに遷移する。   In this state, writing of the data signal of the Nth frame is started, the scanning signal Gi-1 having the on potential Vgon is output to the scanning line Yi-1 at the time t1, and the scanning signal having the on potential Vgon at the time t2. Gi is output to the scanning line Yi, the scanning signal Gi + 1 having the ON potential Vgon is output to the scanning line Yi + 1 at time t3, and the scanning signal Gi + 2 having the ON potential Vgon is sequentially output to the scanning line Yi + 2 at time t4. Suppose. Simultaneously with the start of the Nth frame, the polarity signal POL transitions from a high level to a low level, and the inverted polarity signal XPOL transitions from a low level to a high level.

時刻t1において、走査信号Gi−1がオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yi−1に接続された全ての画素TFT30がオン状態となる。以下、この画素TFT30がオン状態となっている期間をデータ書き込み期間と称す。このようなデータ書き込み期間において、例えば図3に示すデータ線Xjと走査線Yi−1との交差箇所に対応する画素における液晶容量CLには、データ線Xj(データ信号Sj)の電位と対向電極21のコモン電位Vcomとの電位差に応じた電荷が充電されると共に、保持容量CHには、データ線Xjの電位と保持容量線CSi−1の電位Vc2との電位差に応じた電荷が充電される。そして、走査信号Gi−1がオフ電位Vgoffに遷移してデータ書き込み期間が終了すると、走査線Yi−1に接続された全ての画素TFT30がオフ状態となり、次の第N+1フレームにおいて時刻t5に走査信号Gi−1がオン電位Vgonに遷移するまで、走査線Yi−1に接続された画素はデータ保持期間に入る。   At time t1, when the scanning signal Gi-1 transitions to the on potential Vgon, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi-1 are turned on. Hereinafter, a period in which the pixel TFT 30 is in an on state is referred to as a data writing period. In such a data writing period, for example, the potential of the data line Xj (data signal Sj) and the counter electrode are applied to the liquid crystal capacitor CL in the pixel corresponding to the intersection of the data line Xj and the scanning line Yi-1 shown in FIG. The charge corresponding to the potential difference from the common potential Vcom of 21 is charged, and the storage capacitor CH is charged according to the potential difference between the potential of the data line Xj and the potential Vc2 of the storage capacitor line CSi-1. . When the scanning signal Gi-1 transitions to the off potential Vgoff and the data writing period ends, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi-1 are turned off, and scanning is performed at time t5 in the next N + 1th frame. Until the signal Gi-1 transitions to the on potential Vgon, the pixels connected to the scanning line Yi-1 enter the data holding period.

このような走査信号Gi−1がオン電位Vgonになっている期間(データ書き込み期間)において、次行iの保持容量線駆動回路CDiにおける第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6はオン状態となり、極性信号線42と第1のトランジスタT1のゲート電極とが接続され、反転極性信号線43と第3のトランジスタT3のゲート電極とが接続されることになる。この時、極性信号POLはローレベル、反転極性信号XPOLはハイレベルであるため、第3のトランジスタT3のオン状態は維持されて保持容量線CSiの電位VCHiもVc1に維持される。従って、走査信号Gi−1がオン電位Vgonになっても次行iの保持容量線CSiには影響を及ぼさない。   In such a period during which the scanning signal Gi-1 is at the ON potential Vgon (data writing period), the fourth transistor T4 and the sixth transistor T6 in the storage capacitor line driving circuit CDi in the next row i are in the on state. The polarity signal line 42 and the gate electrode of the first transistor T1 are connected, and the inverted polarity signal line 43 and the gate electrode of the third transistor T3 are connected. At this time, since the polarity signal POL is at the low level and the inverted polarity signal XPOL is at the high level, the ON state of the third transistor T3 is maintained and the potential VCHI of the storage capacitor line CSi is also maintained at Vc1. Therefore, even if the scanning signal Gi-1 becomes the ON potential Vgon, the storage capacitor line CSi of the next row i is not affected.

続いて、時刻t2において、走査信号Giがオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yiに接続された全ての画素TFT30がオン状態となる一方、保持容量線駆動回路CDi−1の第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5がオン状態となる。これにより、保持容量線駆動回路CDi−1の第1のトランジスタT1のゲート電極に極性信号POLが入力され、第3のトランジスタT3のゲート電極に反転極性信号XPOLが入力されるが、反転極性信号XPOLの方がハイレベルであるため、第3のトランジスタT3がオン状態となり、保持容量線CSi−1と第2の電源線41とが接続され、保持容量線CSi−1の電位VCHi−1はVc2からVc1に遷移することになる。   Subsequently, when the scanning signal Gi transits to the on potential Vgon at time t2, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi are turned on, while the second transistor T2 of the storage capacitor line driving circuit CDi-1 is turned on. And the fifth transistor T5 is turned on. As a result, the polarity signal POL is input to the gate electrode of the first transistor T1 of the storage capacitor line drive circuit CDi-1, and the inverted polarity signal XPOL is input to the gate electrode of the third transistor T3. Since XPOL is at a higher level, the third transistor T3 is turned on, the storage capacitor line CSi-1 and the second power supply line 41 are connected, and the potential VCHi-1 of the storage capacitor line CSi-1 is The transition is from Vc2 to Vc1.

つまり、走査線Yi−1に接続された画素の電位(対向電極21の電位を基準とした画素電極20の電位:以下、画素電位と称す)は、保持容量線CSi−1の電位VCHi−1の変化分ΔV(=Vc2−Vc1)に応じて低電位側にシフトすることになる。なお、このような画素電位の挙動の詳細については後述する。   That is, the potential of the pixel connected to the scanning line Yi-1 (the potential of the pixel electrode 20 based on the potential of the counter electrode 21: hereinafter referred to as pixel potential) is equal to the potential VCHi-1 of the storage capacitor line CSi-1. Shift to the low potential side according to the change ΔV (= Vc2−Vc1). Details of the behavior of the pixel potential will be described later.

また、走査線Yiのデータ書き込み期間において、例えば図3に示すデータ線Xjと走査線Yiとの交差箇所に対応する画素における液晶容量CLには、データ線Xj(データ信号Sj)の電位と対向電極21のコモン電位Vcomとの電位差に応じた電荷が充電されると共に、保持容量CHには、データ線Xjの電位と保持容量線CSiの電位Vc1との電位差に応じた電荷が充電される。そして、走査信号Giがオフ電位Vgoffに遷移してデータ書き込み期間が終了すると、走査線Yiに接続された全ての画素TFT30がオフ状態となり、次の第N+1フレームにおいて時刻t6に走査信号Giがオン電位Vgonに遷移するまで、走査線Yiに接続された画素はデータ保持期間に入る。   In the data writing period of the scanning line Yi, for example, the liquid crystal capacitor CL in the pixel corresponding to the intersection of the data line Xj and the scanning line Yi shown in FIG. 3 is opposed to the potential of the data line Xj (data signal Sj). A charge corresponding to the potential difference between the electrode 21 and the common potential Vcom is charged, and the storage capacitor CH is charged according to the potential difference between the potential of the data line Xj and the potential Vc1 of the storage capacitor line CSi. When the scanning signal Gi changes to the off potential Vgoff and the data writing period ends, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi are turned off, and the scanning signal Gi is turned on at time t6 in the next N + 1 frame. Until transition to the potential Vgon, the pixels connected to the scanning line Yi enter the data holding period.

このような走査信号Giがオン電位Vgonになっている期間(データ書き込み期間)において、次行i+1の保持容量線駆動回路CDi+1における第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6はオン状態となり、極性信号線42と第3のトランジスタT3のゲート電極とが接続され、反転極性信号線43と第1のトランジスタT1のゲート電極とが接続されることになる。この時、極性信号POLはローレベル、反転極性信号XPOLはハイレベルであるため、第1のトランジスタT1のオン状態は維持されて保持容量線CSi+1の電位VCHi+1もVc2に維持される。従って、走査信号Giがオン電位Vgonになっても次行i+1の保持容量線CSi+1には影響を及ぼさない。   In such a period during which the scanning signal Gi is at the ON potential Vgon (data writing period), the fourth transistor T4 and the sixth transistor T6 in the storage capacitor line driving circuit CDi + 1 in the next row i + 1 are in the ON state, and the polarity The signal line 42 and the gate electrode of the third transistor T3 are connected, and the inverted polarity signal line 43 and the gate electrode of the first transistor T1 are connected. At this time, since the polarity signal POL is at the low level and the inverted polarity signal XPOL is at the high level, the ON state of the first transistor T1 is maintained, and the potential VCHi + 1 of the storage capacitor line CSi + 1 is also maintained at Vc2. Therefore, even if the scanning signal Gi becomes the ON potential Vgon, the storage capacitor line CSi + 1 in the next row i + 1 is not affected.

続いて、時刻t3において、走査信号Gi+1がオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yi+1に接続された全ての画素TFT30がオン状態となる一方、保持容量線駆動回路CDiの第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5がオン状態となる。これにより、保持容量線駆動回路CDiの第1のトランジスタT1のゲート電極に反転極性信号XPOLが入力され、第3のトランジスタT3のゲート電極に極性信号POLが入力されるが、反転極性信号XPOLの方がハイレベルであるため、第1のトランジスタT1がオン状態となり、保持容量線CSiと第1の電源線40とが接続され、保持容量線CSiの電位VCHiはVc1からVc2に遷移することになる。
つまり、走査線Yiに接続された画素の電位は、保持容量線CSiの電位VCHiの変化分ΔVに応じて高電位側にシフトすることになる。
Subsequently, at time t3, when the scanning signal Gi + 1 transitions to the on potential Vgon, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi + 1 are turned on, while the second transistor T2 and the second transistor T2 of the storage capacitor line driving circuit CDi are turned on. 5 transistor T5 is turned on. As a result, the inverted polarity signal XPOL is input to the gate electrode of the first transistor T1 of the storage capacitor line drive circuit CDi, and the polarity signal POL is input to the gate electrode of the third transistor T3. Therefore, the first transistor T1 is turned on, the storage capacitor line CSi and the first power supply line 40 are connected, and the potential VCHI of the storage capacitor line CSi changes from Vc1 to Vc2. Become.
That is, the potential of the pixel connected to the scanning line Yi shifts to the high potential side according to the change ΔV of the potential VCHi of the storage capacitor line CSi.

また、走査線Yi+1のデータ書き込み期間において、例えば図3に示すデータ線Xjと走査線Yi+1との交差箇所に対応する画素における液晶容量CLには、データ線Xj(データ信号Sj)の電位と対向電極21のコモン電位Vcomとの電位差に応じた電荷が充電されると共に、保持容量CHには、データ線Xjの電位と保持容量線CSi+1の電位Vc2との電位差に応じた電荷が充電される。そして、走査信号Gi+1がオフ電位Vgoffに遷移してデータ書き込み期間が終了すると、走査線Yi+1に接続された全ての画素TFT30がオフ状態となり、次の第N+1フレームにおいて時刻t7に走査信号Gi+1がオン電位Vgonに遷移するまで、走査線Yi+1に接続された画素はデータ保持期間に入る。   In the data writing period of the scanning line Yi + 1, for example, the liquid crystal capacitor CL in the pixel corresponding to the intersection of the data line Xj and the scanning line Yi + 1 shown in FIG. 3 is opposed to the potential of the data line Xj (data signal Sj). Charges corresponding to the potential difference between the electrode 21 and the common potential Vcom are charged, and the storage capacitor CH is charged according to the potential difference between the potential of the data line Xj and the potential Vc2 of the storage capacitor line CSi + 1. When the scanning signal Gi + 1 changes to the off potential Vgoff and the data writing period ends, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi + 1 are turned off, and the scanning signal Gi + 1 is turned on at time t7 in the next N + 1 frame. The pixels connected to the scanning line Yi + 1 enter the data holding period until the potential Vgon is changed.

このような走査信号Gi+1がオン電位Vgonになっている期間(データ書き込み期間)において、次行i+2の保持容量線駆動回路CDi+2(図示せず)における第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6はオン状態となるが、上記と同様に、保持容量線CSi+2には影響を及ぼさない。   During the period in which the scanning signal Gi + 1 is at the ON potential Vgon (data writing period), the fourth transistor T4 and the sixth transistor T6 in the storage capacitor line driving circuit CDi + 2 (not shown) in the next row i + 2 Although turned on, the storage capacitor line CSi + 2 is not affected as described above.

続いて、時刻t4において、走査信号Gi+2がオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yi+2に接続された全ての画素TFT30がオン状態となる一方、保持容量線駆動回路CDi+1の第2のトランジスタT2及び第5のトランジスタT5がオン状態となる。これにより、保持容量線駆動回路CDi+1の第1のトランジスタT1のゲート電極に極性信号POLが入力され、第3のトランジスタT3のゲート電極に反転極性信号XPOLが入力されるが、反転極性信号POLの方がハイレベルであるため、第3のトランジスタT3がオン状態となり、保持容量線CSi+1と第2の電源線41とが接続され、保持容量線CSi+1の電位VCHi+1はVc2からVc1に遷移することになる。
つまり、走査線Yi+1に接続された画素の電位は、保持容量線CSi+1の電位VCHi+1の変化分ΔVに応じて低電位側にシフトすることになる。
Subsequently, at time t4, when the scanning signal Gi + 2 transitions to the on potential Vgon, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi + 2 are turned on, while the second transistor T2 and the second transistor T2 of the storage capacitor line driving circuit CDi + 1 are turned on. 5 transistor T5 is turned on. As a result, the polarity signal POL is input to the gate electrode of the first transistor T1 of the storage capacitor line drive circuit CDi + 1, and the inverted polarity signal XPOL is input to the gate electrode of the third transistor T3. Therefore, the third transistor T3 is turned on, the storage capacitor line CSi + 1 and the second power supply line 41 are connected, and the potential VCHi + 1 of the storage capacitor line CSi + 1 transits from Vc2 to Vc1. Become.
That is, the potential of the pixel connected to the scanning line Yi + 1 is shifted to the low potential side in accordance with the change ΔV of the potential VCHi + 1 of the storage capacitor line CSi + 1.

また、走査線Yi+2のデータ書き込み期間が終了すると、次の第N+1フレームにおいて時刻t8に走査信号Gi+2がオン電位Vgonに遷移するまで、走査線Yi+2に接続された画素はデータ保持期間に入る。また、このような走査信号Gi+2がオン電位Vgonになっている期間(データ書き込み期間)において、次行i+3の保持容量線駆動回路CDi+3(図示せず)における第4のトランジスタT4及び第6のトランジスタT6はオン状態となるが、上記と同様に、保持容量線CSi+3には影響を及ぼさない。   When the data writing period of the scanning line Yi + 2 ends, the pixels connected to the scanning line Yi + 2 enter the data holding period until the scanning signal Gi + 2 transitions to the on potential Vgon at time t8 in the next N + 1 frame. Further, in the period (data writing period) in which the scanning signal Gi + 2 is at the ON potential Vgon, the fourth transistor T4 and the sixth transistor in the storage capacitor line driving circuit CDi + 3 (not shown) in the next row i + 3. Although T6 is turned on, it does not affect the storage capacitor line CSi + 3 as described above.

ここで、画素電位の挙動について、図5を参照して詳細に説明する。なお、図5では、説明の便宜上、データ線Xjと走査線Yiとの交差箇所に対応する画素Pjiに関する画素電位の挙動を代表的に図示している。また、保持容量線CSiの低圧側の電位Vc1と対向電極21のコモン電位Vcomとは、実際には異なる値であるが、ここでは説明簡略化のために、互いに等しいものとして扱う。また、第Nフレームが開始される前、つまり第N−1フレームにおいて、画素Pijの画素電位Vpは、コモン電位Vcomに対して負極性側の電位に保持されているものとする。   Here, the behavior of the pixel potential will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 5, for the convenience of explanation, the behavior of the pixel potential relating to the pixel Pji corresponding to the intersection of the data line Xj and the scanning line Yi is representatively illustrated. In addition, although the potential Vc1 on the low voltage side of the storage capacitor line CSi and the common potential Vcom of the counter electrode 21 are actually different values, they are treated as being equal to each other for the sake of simplicity. Further, it is assumed that the pixel potential Vp of the pixel Pij is held at a potential on the negative polarity side with respect to the common potential Vcom before the Nth frame is started, that is, in the (N−1) th frame.

まず、時刻t2において、走査信号Giがオン電位Vgonに遷移すると、画素Pjiの画素TFT30がオン状態となり、画素Pjiの液晶容量CLと保持容量CHには、データ信号Sjの電位に応じた電荷が充電される。ここで、前回の第N−1フレームにおいて、画素Pjiの画素電位Vpは負極性であったので、今回の第Nフレームでは、画素電位Vpを正極性側に反転させるための電位VSHを有するデータ信号Sjが供給される。なお、液晶容量CLと保持容量CHに充電された書き込み電圧をV0とする。   First, at time t2, when the scanning signal Gi transitions to the on potential Vgon, the pixel TFT 30 of the pixel Pji is turned on, and charges corresponding to the potential of the data signal Sj are applied to the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH of the pixel Pji. Charged. Here, since the pixel potential Vp of the pixel Pji was negative in the previous (N−1) th frame, data having the potential VSH for inverting the pixel potential Vp to the positive side in the current Nth frame. A signal Sj is supplied. Note that a writing voltage charged in the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH is V0.

そして、走査信号Giがオフ電位Vgoffに遷移してデータ書き込み期間が終了し、時刻t3に走査信号Gi+1がオン電位Vgonに遷移すると、保持容量CSiの電位VCHiは、低電位Vc1から高電位Vc2に遷移する。これにより、保持容量CHにおける充電電圧が、保持容量線CSiの電位VCHiの変化分ΔV(=Vc2−Vc1)だけ高電位側にシフトする。ここで、保持容量CHと液晶容量CLは接続されているので、保持容量CHから液晶容量CLへ電荷が受け渡される。そして、保持容量CHと液晶容量CLとの電位差がなくなると電荷の受け渡しが終了するので、第Nフレームにおける液晶容量CLと保持容量CHの充電電圧は最終的に電圧V1になる。この充電電圧V1は、データ保持期間において液晶容量CLに保持され続けることになるので、液晶容量CLには、実質的に、画素TFT30のオン時(データ書き込み期間)から充電電圧V1が保持されたものとみなすことができる。   When the scanning signal Gi changes to the off potential Vgoff, the data writing period ends, and when the scanning signal Gi + 1 changes to the on potential Vgon at time t3, the potential VCHi of the storage capacitor CSi changes from the low potential Vc1 to the high potential Vc2. Transition. As a result, the charging voltage in the storage capacitor CH is shifted to the high potential side by the change ΔV (= Vc2−Vc1) of the potential VCHi of the storage capacitor line CSi. Here, since the storage capacitor CH and the liquid crystal capacitor CL are connected, charge is transferred from the storage capacitor CH to the liquid crystal capacitor CL. Then, when the potential difference between the holding capacitor CH and the liquid crystal capacitor CL disappears, the charge transfer ends, so the charging voltage of the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH in the Nth frame finally becomes the voltage V1. Since the charging voltage V1 continues to be held in the liquid crystal capacitor CL in the data holding period, the charging voltage V1 is substantially held in the liquid crystal capacitor CL from the time when the pixel TFT 30 is on (data writing period). It can be regarded as a thing.

ここで、充電電圧V1は、保持容量CHの容量値をCstg、液晶容量CLの容量値をClcとすると、下記(1)式のように表すことができる。
V1=V0+ΔV・{Cstg/(Cstg+Clc)} ・・・・(1)
Here, the charging voltage V1 can be expressed by the following equation (1), where Cstg is the capacitance value of the storage capacitor CH and Clc is the capacitance value of the liquid crystal capacitor CL.
V1 = V0 + ΔV · {Cstg / (Cstg + Clc)} (1)

また、保持容量Cstgが液晶容量Clcよりも十分に大きい場合、上記(1)式は下記(2)のように近似することができる。
V1=V0+ΔV ・・・・(2)
When the storage capacitor Cstg is sufficiently larger than the liquid crystal capacitor Clc, the above equation (1) can be approximated as the following (2).
V1 = V0 + ΔV (2)

すなわち、第Nフレームにおける液晶容量CLの最終的な充電電圧V1(つまり画素電位Vp)は、データ書き込み期間における書き込み電圧V0から、保持容量線CSiの電位VCHiの変化分ΔV(=Vc2−Vc1)だけ高電位側にシフトしたものとして簡略化される。   That is, the final charging voltage V1 (that is, the pixel potential Vp) of the liquid crystal capacitor CL in the Nth frame is the change ΔV (= Vc2−Vc1) of the potential VCHI of the storage capacitor line CSi from the writing voltage V0 in the data writing period. It is simplified as a shift to the higher potential side.

以上、第Nフレームにおいて、画素電位Vpを正極性側に反転させる場合を説明したが、以下では、次の第N+1フレームにおいて、画素電位Vpを負極性側に反転させる場合について説明する。第N+1フレームの時刻t6に走査信号Giがオン電位Vgonに遷移すると、画素Pjiの画素TFT30がオン状態となり、画素Pjiの液晶容量CLと保持容量CHには、データ信号Sjの電位に応じた電荷が充電される。ここで、前回の第Nフレームにおいて、画素Pjiの画素電位Vpは正極性であったので、今回の第N+1フレームでは、画素電位Vpを負極性側に反転させるための電位VSLを有するデータ信号Sjが供給される。ここで、液晶容量CLと保持容量CHに充電された書き込み電圧をV0(ただし、コモン電位Vcomに対して負極性側の電位)とする。   The case where the pixel potential Vp is inverted to the positive polarity side in the Nth frame has been described above. Hereinafter, the case where the pixel potential Vp is inverted to the negative polarity side in the next N + 1 frame will be described. When the scanning signal Gi transitions to the on potential Vgon at the time t6 of the (N + 1) th frame, the pixel TFT 30 of the pixel Pji is turned on, and the charge corresponding to the potential of the data signal Sj is applied to the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH of the pixel Pji. Is charged. Here, since the pixel potential Vp of the pixel Pji was positive in the previous Nth frame, in this N + 1th frame, the data signal Sj having the potential VSL for inverting the pixel potential Vp to the negative polarity side. Is supplied. Here, the writing voltage charged in the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH is V0 (however, the potential on the negative polarity side with respect to the common potential Vcom).

そして、走査信号Giがオフ電位Vgoffに遷移してデータ書き込み期間が終了し、時刻t7に走査信号Gi+1がオン電位Vgonに遷移すると、保持容量CSiの電位VCHiは、高電位Vc2から低電位Vc2に遷移する。これにより、保持容量CHにおける充電電圧が、保持容量線CSiの電位VCHiの変化分ΔVだけ低電位側にシフトする。ここで、保持容量CHと液晶容量CLとの電位差がなくなるまで電荷の受け渡し行われ、第N+1フレームにおける液晶容量CLと保持容量CHの充電電圧は最終的に電圧V1(ただし、コモン電位Vcomに対して負極性側の電位)になる。このように、第N+1フレームにおける液晶容量CLの最終的な充電電圧V1(つまり画素電位Vp)は、データ書き込み期間における書き込み電圧V0から、保持容量線CSiの電位VCHiの変化分ΔVだけ低電位側にシフトしたものとして簡略化される。   When the scanning signal Gi changes to the off potential Vgoff, the data writing period ends, and when the scanning signal Gi + 1 changes to the on potential Vgon at time t7, the potential VCHi of the storage capacitor CSi changes from the high potential Vc2 to the low potential Vc2. Transition. As a result, the charging voltage in the storage capacitor CH is shifted to the low potential side by the change ΔV of the potential VCHi of the storage capacitor line CSi. Here, charge is transferred until the potential difference between the holding capacitor CH and the liquid crystal capacitor CL disappears, and the charging voltage of the liquid crystal capacitor CL and the holding capacitor CH in the (N + 1) th frame is finally the voltage V1 (however, with respect to the common potential Vcom). To negative potential). As described above, the final charging voltage V1 (that is, the pixel potential Vp) of the liquid crystal capacitor CL in the (N + 1) th frame is lower than the write voltage V0 in the data write period by the change ΔV of the potential VCHi of the storage capacitor line CSi. It is simplified as a shift to.

以上、走査線Yiに接続された画素Pji注目して画素電位Vpの挙動について説明したが、その前後の走査線Yi−1及びYi+1に接続された画素では、走査線Yiとは逆の挙動となる。すなわち、これら走査線Yi−1及びYi+1に接続された画素の画素電位Vpは、第N−1フレームではコモン電位Vcomに対して正極性側の電位に保持されており、第Nフレームでは負極性側の電位に反転され、第N+1フレームでは再び正極性側に反転されることになる。   As described above, the behavior of the pixel potential Vp has been described by paying attention to the pixel Pji connected to the scanning line Yi. However, in the pixels connected to the preceding and subsequent scanning lines Yi−1 and Yi + 1, the behavior opposite to that of the scanning line Yi is obtained. Become. That is, the pixel potential Vp of the pixels connected to the scanning lines Yi−1 and Yi + 1 is held at a positive potential with respect to the common potential Vcom in the (N−1) th frame, and is negative in the Nth frame. In the N + 1th frame, it is inverted again to the positive polarity side.

このように、通常表示モード時には、各保持容量線CS1〜CSmの電位を個別に制御して、画素電位Vpを高電位側または低電位側にシフトさせることにより、データ信号の電圧振幅を小さくすることができ、低消費電力化を図ることができる。   As described above, in the normal display mode, the potentials of the storage capacitor lines CS1 to CSm are individually controlled to shift the pixel potential Vp to the high potential side or the low potential side, thereby reducing the voltage amplitude of the data signal. Therefore, low power consumption can be achieved.

なお、上記実施形態では、走査方向を走査線Y1→Ymとする場合(走査信号をG1、G2、・・・、Gmの順に供給する場合)について説明したが、逆の走査方向、つまり走査方向を走査線Ym→Y1とする場合(走査信号をGm、Gm−1、・・・、G1の順に供給する場合)にも問題なく対応することができる。   In the above embodiment, the case where the scanning direction is changed from the scanning line Y1 to Ym (when the scanning signals are supplied in the order of G1, G2,..., Gm) has been described, but the reverse scanning direction, that is, the scanning direction. Can be dealt with without any problem even when the scanning line Ym → Y1 (when the scanning signals are supplied in the order of Gm, Gm−1,..., G1).

<部分表示モード時の動作>
次に、部分表示モード時の動作について説明する。上述した通常表示モードでは、概ね60Hz程度、つまり1/60秒毎に各走査線が順次選択されるので、第1のトランジスタT1は、自己のゲート電極の寄生容量により、そのゲート電位が次のフレームまでハイレベルに保持されてオン状態が継続される。しかしながら、走査線を数行分しか選択しない、いわゆる部分表示モードの場合には、非選択行の選択頻度は1/2秒に1回程度となる、つまりデータ保持期間が長くなるため、本発明で用いる簡略化された回路構成においては第1のトランジスタT1は、そのゲート電極の寄生容量の電荷漏れでハイレベル電位を保持できなくなり(オフ状態となる)、保持容量線がハイインピーダンス状態となってしまう。この時、データ線の電位が変化すると、例えば、ちらつき等の表示不良が発生してしまう。また、このようにデータ保持期間が長くなると、漏れ電流により保持容量線の電位が変化し、焼き付き等が発生する。このような問題は、第1トランジスタT1のゲート電極に大きな容量を負荷することにより回避可能であるが、保持容量線駆動回路の占有領域が大きくなってしまい、額縁領域が広くなってしまうという問題がある。
<Operation in partial display mode>
Next, the operation in the partial display mode will be described. In the normal display mode described above, each scanning line is sequentially selected at about 60 Hz, that is, every 1/60 seconds. Therefore, the gate potential of the first transistor T1 is the next due to the parasitic capacitance of its own gate electrode. It is kept at the high level until the frame and the on state is continued. However, in the case of the so-called partial display mode in which only a few scanning lines are selected, the selection frequency of non-selected rows is about once every ½ second, that is, the data holding period becomes long. In the simplified circuit configuration used in FIG. 1, the first transistor T1 cannot hold the high level potential due to the charge leakage of the parasitic capacitance of the gate electrode (becomes off), and the storage capacitor line is in the high impedance state. End up. At this time, if the potential of the data line changes, for example, a display defect such as flickering occurs. In addition, when the data retention period becomes longer as described above, the potential of the storage capacitor line changes due to the leakage current, and burn-in or the like occurs. Such a problem can be avoided by applying a large capacitance to the gate electrode of the first transistor T1, but the occupied area of the storage capacitor line driving circuit becomes large, and the frame area becomes wide. There is.

そこで、本実施形態に係る液晶表示装置LD1では、部分表示モード時において、いずれの走査線も選択されていない期間に、ゲート制御信号線44に、オン電位Vgonを有するゲート制御信号Cntgを供給する。これにより、全ての保持容量線駆動回路CD1〜CDmにおいて、第7のトランジスタT7がオン状態となり、第3の電源線45と第1のトランジスタT1のゲート電極とが接続され、第1のトランジスタT1もオン状態となる。つまり、全ての保持容量線CS1〜CSmは、第1の電源線40と接続され、高電位Vc2に維持される。これにより、部分表示モード時において、保持容量線の電位変化を抑制することができ、焼き付きの発生を防止することができる。また、この期間に、データ信号の振幅を変化させるように制御することにより、ちらつきを防止することができる。   Therefore, in the liquid crystal display device LD1 according to the present embodiment, in the partial display mode, the gate control signal Cntg having the ON potential Vgon is supplied to the gate control signal line 44 during a period when no scanning line is selected. . Accordingly, in all the storage capacitor line drive circuits CD1 to CDm, the seventh transistor T7 is turned on, the third power supply line 45 and the gate electrode of the first transistor T1 are connected, and the first transistor T1 is connected. Is also turned on. That is, all the storage capacitor lines CS1 to CSm are connected to the first power supply line 40 and maintained at the high potential Vc2. Thereby, in the partial display mode, the potential change of the storage capacitor line can be suppressed, and the occurrence of burn-in can be prevented. Further, flickering can be prevented by controlling the amplitude of the data signal to change during this period.

以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置LD1によると、本発明で用いる簡略化された回路構成を用いて保持容量線駆動回路を構成した場合に、データ保持期間が長い表示モード時に発生する表示品質の劣化を防止することが可能である。   As described above, according to the liquid crystal display device LD1 according to the present embodiment, when the storage capacitor line driving circuit is configured using the simplified circuit configuration used in the present invention, it occurs in the display mode with a long data retention period. It is possible to prevent display quality deterioration.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図6に、第2実施形態に係る液晶表示装置LD2の回路構成図を示す。この図6において、第1実施形態の液晶表示装置LD1と同様の構成要素には同一符号を付し説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a liquid crystal display device according to a second embodiment will be described. FIG. 6 shows a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device LD2 according to the second embodiment. In FIG. 6, the same components as those of the liquid crystal display device LD1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図6に示すように、第2実施形態に係る液晶表示装置LD2が第1実施形態と異なる点は、奇数行容量線電位検出線60と、偶数行容量線電位検出線61と、奇数行電圧歪補正回路70と、偶数行電圧補正回路80とを設け、各保持容量線駆動回路CD1〜CDmに、第8のトランジスタT8を新たに設けた点である。   As shown in FIG. 6, the liquid crystal display device LD <b> 2 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that the odd row capacitance line potential detection line 60, the even row capacitance line potential detection line 61, and the odd row voltage. The distortion correction circuit 70 and the even-numbered row voltage correction circuit 80 are provided, and the eighth transistor T8 is newly provided in each of the storage capacitor line drive circuits CD1 to CDm.

奇数行に関して、保持容量線駆動回路CDiを代表的に用いて説明すると、第8のトランジスタT8のソース電極は保持容量線CSiと接続され、ドレイン電極は奇数行容量線電位検出線60と接続され、ゲート電極は走査線Yiと接続されている。   The odd-numbered rows will be described using the storage capacitor line drive circuit CDi as a representative example. The source electrode of the eighth transistor T8 is connected to the storage capacitance line CSi, and the drain electrode is connected to the odd-number row capacitance line potential detection line 60. The gate electrode is connected to the scanning line Yi.

奇数行電圧歪補正回路70は、アナログスイッチ回路70a、第1の演算増幅器70b、第2の演算増幅器70cを備えている。アナログスイッチ回路70aは、極性信号POLがハイレベルの場合に、奇数行容量線電位検出線60と第1の演算増幅器70bの反転入力端子とを電気的に接続し、極性信号POLがローレベルの場合に、奇数行容量線電位検出線60と第2の演算増幅器70cの反転入力端子とを電気的に接続する。   The odd row voltage distortion correction circuit 70 includes an analog switch circuit 70a, a first operational amplifier 70b, and a second operational amplifier 70c. When the polarity signal POL is at a high level, the analog switch circuit 70a electrically connects the odd-numbered capacitor line potential detection line 60 and the inverting input terminal of the first operational amplifier 70b, and the polarity signal POL is at a low level. In this case, the odd-numbered capacitor line potential detection line 60 and the inverting input terminal of the second operational amplifier 70c are electrically connected.

第1の演算増幅器70bの非反転入力端子は高電位Vc2が供給され、反転入力端子はアナログスイッチ回路70aと接続され、出力端子は奇数行の保持容量線に対応する第1の電源線40と接続されている。第2の演算増幅器70cの非反転入力端子は低電位Vc1が供給され、反転入力端子はアナログスイッチ回路70aと接続され、出力端子は奇数行の保持容量線に対応する第2の電源線41と接続されている。   The non-inverting input terminal of the first operational amplifier 70b is supplied with the high potential Vc2, the inverting input terminal is connected to the analog switch circuit 70a, and the output terminal is connected to the first power supply line 40 corresponding to the retention capacitor line in the odd row. It is connected. The non-inverting input terminal of the second operational amplifier 70c is supplied with the low potential Vc1, the inverting input terminal is connected to the analog switch circuit 70a, and the output terminal is connected to the second power supply line 41 corresponding to the odd-numbered storage capacitor lines. It is connected.

一方、偶数行に関して、保持容量線駆動回路CDi−1を代表的に用いて説明すると、第8のトランジスタT8のソース電極は保持容量線CSi−1と接続され、ドレイン電極は偶数行容量線電位検出線61と接続され、ゲート電極は走査線Yi−1と接続されている。   On the other hand, regarding the even-numbered row, the holding capacitor line drive circuit CDi-1 will be described as a representative example. The source electrode of the eighth transistor T8 is connected to the holding capacitor line CSi-1, and the drain electrode is the even-row capacitor line potential. Connected to the detection line 61, the gate electrode is connected to the scanning line Yi-1.

偶数行電圧歪補正回路80は、アナログスイッチ回路80a、第1の演算増幅器80b、第2の演算増幅器80cを備えている。アナログスイッチ回路80aは、極性信号POLがローレベルの場合に、偶数行容量線電位検出線61と第1の演算増幅器80bの反転入力端子とを電気的に接続し、極性信号POLがハイレベルの場合に、偶数行容量線電位検出線61と第2の演算増幅器80cの反転入力端子とを電気的に接続する。   The even row voltage distortion correction circuit 80 includes an analog switch circuit 80a, a first operational amplifier 80b, and a second operational amplifier 80c. When the polarity signal POL is at a low level, the analog switch circuit 80a electrically connects the even-row capacitor line potential detection line 61 and the inverting input terminal of the first operational amplifier 80b, and the polarity signal POL is at a high level. In this case, the even-numbered capacitance line potential detection line 61 and the inverting input terminal of the second operational amplifier 80c are electrically connected.

第1の演算増幅器80bの非反転入力端子は高電位Vc2が供給され、反転入力端子はアナログスイッチ回路80aと接続され、出力端子は偶数行の保持容量線に対応する第1の電源線40と接続されている。第2の演算増幅器80cの非反転入力端子は低電位Vc1が供給され、反転入力端子はアナログスイッチ回路80aと接続され、出力端子は偶数行の保持容量線に対応する第2の電源線41と接続されている。   The non-inverting input terminal of the first operational amplifier 80b is supplied with the high potential Vc2, the inverting input terminal is connected to the analog switch circuit 80a, and the output terminal is connected to the first power supply line 40 corresponding to the even-numbered storage capacitor lines. It is connected. The non-inverting input terminal of the second operational amplifier 80c is supplied with the low potential Vc1, the inverting input terminal is connected to the analog switch circuit 80a, and the output terminal is connected to the second power supply line 41 corresponding to the even-numbered storage capacitor lines. It is connected.

次に、このように構成された第2実施形態に係る液晶表示装置LD2の動作について説明する。なお、第2実施形態に係る液晶表示装置LD2の基本的な動作は、第1実施形態と同様であるので、以下では、図4を参照して第2実施形態に係る液晶表示装置LD2の特徴的な動作について説明する。   Next, the operation of the thus configured liquid crystal display device LD2 according to the second embodiment will be described. Note that the basic operation of the liquid crystal display device LD2 according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment. Therefore, hereinafter, the characteristics of the liquid crystal display device LD2 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. A typical operation will be described.

図4に示すように、まず、時刻t1において、走査信号Gi−1がオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yi−1に接続された全ての画素TFT30がオン状態となり、例えばデータ線Xjと走査線Yi−1との交差箇所に対応する画素における液晶容量CLには、データ線Xj(データ信号Sj)の電位と対向電極21のコモン電位Vcomとの電位差に応じた電荷が充電されると共に、保持容量CHには、データ線Xjの電位と保持容量線CSi−1の電位Vc2との電位差に応じた電荷が充電される。   As shown in FIG. 4, first, at time t1, when the scanning signal Gi-1 transitions to the on potential Vgon, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi-1 are turned on, for example, scanning with the data line Xj. The liquid crystal capacitor CL in the pixel corresponding to the intersection with the line Yi-1 is charged with a charge corresponding to the potential difference between the potential of the data line Xj (data signal Sj) and the common potential Vcom of the counter electrode 21, and The storage capacitor CH is charged with a charge corresponding to the potential difference between the potential of the data line Xj and the potential Vc2 of the storage capacitor line CSi-1.

この時、保持容量線駆動回路CDi−1の第8のトランジスタT8はオン状態となるので、保持容量線CSi−1と偶数行容量線電位検出線61とは電気的に接続される。一方、偶数行電圧歪補正回路80のアナログスイッチ回路80aにはローレベルの極性信号POLが入力されているため、偶数行容量線電位検出線61と第1の演算増幅器80bの反転入力端子とが電気的に接続される。つまり、保持容量線CSi−1と第1の演算増幅器80bの反転入力端子とが電気的に接続されることになる。   At this time, since the eighth transistor T8 of the storage capacitor line drive circuit CDi-1 is turned on, the storage capacitor line CSi-1 and the even-row capacitor line potential detection line 61 are electrically connected. On the other hand, since the low level polarity signal POL is input to the analog switch circuit 80a of the even row voltage distortion correction circuit 80, the even row capacitance line potential detection line 61 and the inverting input terminal of the first operational amplifier 80b are connected. Electrically connected. That is, the storage capacitor line CSi-1 and the inverting input terminal of the first operational amplifier 80b are electrically connected.

ここで、図7に示すように、偶数行容量線電位検出線61の電位、つまり保持容量線CSi−1の電位Vc2に波形歪が生じた場合、第1の演算増幅器80bの出力端子からはその波形歪を打ち消すような電圧波形を有するVc2が第1の電源線40に供給されることになる。つまり、走査線Yi−1に接続された画素のデータ書き込み期間において、保持容量線CSi−1の電位Vc2に波形歪が生じた場合であっても、その波形歪は偶数行電圧歪補正回路80によって元の波形に補正されるため、所望の充電電圧を得ることができ、表示ムラ等の発生を防止することができる。   Here, as shown in FIG. 7, when waveform distortion occurs in the potential of the even-numbered row capacitor line potential detection line 61, that is, the potential Vc2 of the storage capacitor line CSi-1, the output terminal of the first operational amplifier 80b Vc 2 having a voltage waveform that cancels the waveform distortion is supplied to the first power supply line 40. That is, even when waveform distortion occurs in the potential Vc2 of the storage capacitor line CSi-1 during the data writing period of the pixels connected to the scanning line Yi-1, the waveform distortion is even-numbered row voltage distortion correction circuit 80. Therefore, a desired charge voltage can be obtained and display unevenness can be prevented.

一方、時刻t2において、走査信号Giがオン電位Vgonに遷移すると、走査線Yiに接続された全ての画素TFT30がオン状態となり、例えばデータ線Xjと走査線Yiとの交差箇所に対応する画素における液晶容量CLには、データ線Xj(データ信号Sj)の電位と対向電極21のコモン電位Vcomとの電位差に応じた電荷が充電されると共に、保持容量CHには、データ線Xjの電位と保持容量線CSiの電位Vc1との電位差に応じた電荷が充電される。   On the other hand, when the scanning signal Gi transitions to the on potential Vgon at time t2, all the pixel TFTs 30 connected to the scanning line Yi are turned on. For example, in the pixel corresponding to the intersection of the data line Xj and the scanning line Yi. The liquid crystal capacitor CL is charged with a charge corresponding to the potential difference between the potential of the data line Xj (data signal Sj) and the common potential Vcom of the counter electrode 21, and the storage capacitor CH holds the potential of the data line Xj. Charge corresponding to the potential difference from the potential Vc1 of the capacitor line CSi is charged.

この時、保持容量線駆動回路CDiの第8のトランジスタT8はオン状態となるので、保持容量線CSiと奇数行容量線電位検出線60とは電気的に接続される。一方、奇数行電圧歪補正回路70のアナログスイッチ回路70aにはローレベルの極性信号POLが入力されているため、奇数行容量線電位検出線60と第2の演算増幅器70cの反転入力端子とが電気的に接続される。つまり、保持容量線CSiと第2の演算増幅器70cの反転入力端子とが電気的に接続されることになる。   At this time, since the eighth transistor T8 of the storage capacitor line driving circuit CDi is turned on, the storage capacitor line CSi and the odd-numbered capacitor line potential detection line 60 are electrically connected. On the other hand, since the low-level polarity signal POL is input to the analog switch circuit 70a of the odd row voltage distortion correction circuit 70, the odd row capacitance line potential detection line 60 and the inverting input terminal of the second operational amplifier 70c are connected. Electrically connected. That is, the storage capacitor line CSi and the inverting input terminal of the second operational amplifier 70c are electrically connected.

ここで、奇数行容量線電位検出線60の電位、つまり保持容量線CSiの電位Vc1に波形歪が生じた場合、第2の演算増幅器70cの出力端子からはその波形歪を打ち消すような電圧波形を有するVc1が第2の電源線41に供給されることになる。つまり、走査線Yiに接続された画素のデータ書き込み期間において、保持容量線CSiの電位Vc1に波形歪が生じた場合であっても、その波形歪は奇数行電圧歪補正回路70によって元の波形に補正されるため、所望の充電電圧を得ることができ、表示ムラ等の発生を防止することができる。   Here, when a waveform distortion occurs in the potential of the odd-numbered capacitor line potential detection line 60, that is, the potential Vc1 of the storage capacitor line CSi, a voltage waveform that cancels the waveform distortion from the output terminal of the second operational amplifier 70c. Is supplied to the second power supply line 41. In other words, even if waveform distortion occurs in the potential Vc1 of the storage capacitor line CSi during the data writing period of the pixels connected to the scanning line Yi, the waveform distortion is caused by the odd-numbered row voltage distortion correction circuit 70. Therefore, a desired charging voltage can be obtained, and display unevenness can be prevented.

以上のように、第2実施形態に係る液晶表示装置LD2によると、データ書き込み期間において発生する保持容量線の電圧歪に起因する表示ムラ等を防止することができると共に、第1実施形態と同様に、データ保持期間が長い表示モード時に発生する表示品質の劣化を防止することができる。   As described above, according to the liquid crystal display device LD2 according to the second embodiment, it is possible to prevent display unevenness due to the voltage distortion of the storage capacitor line that occurs in the data writing period, and the same as in the first embodiment. In addition, it is possible to prevent deterioration in display quality that occurs in a display mode with a long data retention period.

以上、本発明に係る電気光学装置の一実施形態について液晶表示装置を例示して説明したが、本発明はこれに限定されず、他の電気光学材料を用いるもの、例えば有機EL表示装置やPDP(プラズマフィスプレイ)等に適用しても良い。   In the above, one embodiment of the electro-optical device according to the present invention has been described by exemplifying a liquid crystal display device. However, the present invention is not limited to this, and those using other electro-optical materials such as an organic EL display device and a PDP You may apply to (plasma display) etc.

また、上記実施形態では、奇数行の保持容量線駆動回路において、第2のトランジスタT2及び第4のトランジスタT4のソース電極と反転極性信号線43とを接続し、第5のトランジスタT5及び第6のトランジスタT6のソース電極と極性信号線42とを接続する一方、偶数行の保持容量線駆動回路において、第2のトランジスタT2及び第4のトランジスタT4のソース電極と極性信号線42とを接続し、第5のトランジスタT5及び第6のトランジスタT6のソース電極と反転極性信号線43とを接続する構成を例示したが、その逆の構成を採用しても良い。つまり、奇数行の保持容量線駆動回路において、第2のトランジスタT2及び第4のトランジスタT4のソース電極と極性信号線42とを接続し、第5のトランジスタT5及び第6のトランジスタT6のソース電極と反転極性信号線43とを接続する一方、偶数行の保持容量線駆動回路において、第2のトランジスタT2及び第4のトランジスタT4のソース電極と反転極性信号線43とを接続し、第5のトランジスタT5及び第6のトランジスタT6のソース電極と極性信号線42とを接続しても良い。   In the above embodiment, the source electrodes of the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are connected to the inverted polarity signal line 43 in the odd-numbered storage capacitor line driving circuit, and the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5 are connected. The source electrode of the transistor T6 and the polarity signal line 42 are connected, while the source electrodes of the second transistor T2 and the fourth transistor T4 and the polarity signal line 42 are connected in the even-numbered storage capacitor line driving circuit. Although the configuration in which the source electrodes of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6 and the inverted polarity signal line 43 are connected is illustrated, the reverse configuration may be employed. That is, in the storage capacitor line driving circuit in the odd-numbered rows, the source electrodes of the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are connected to the polarity signal line 42, and the source electrodes of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6 are connected. Are connected to the inverted polarity signal line 43, and in the even-numbered storage capacitor line driving circuit, the source electrodes of the second transistor T2 and the fourth transistor T4 and the inverted polarity signal line 43 are connected to each other. The source electrodes of the transistor T5 and the sixth transistor T6 may be connected to the polarity signal line 42.

〔電子機器〕
次に、上述した電気光学装置を備える電子機器の具体例について説明する。
図7(a)は携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)において、符号100は携帯電話本体を示し、符号101は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図7(b)はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7(b)において、符号200は情報処理装置、201はキーボードなどの入力部、202は情報処理本体、203は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図7(c)は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図7(c)において、符号300は腕時計本体を示し、301は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置を備えるものとしたが、有機EL表示装置、PDP等、他の電気光学装置を備えても良い。また、電子機器はこれらに限定されず、表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなども含まれる。
〔Electronics〕
Next, a specific example of an electronic apparatus including the above electro-optical device will be described.
FIG. 7A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 7A, reference numeral 100 denotes a mobile phone body, and reference numeral 101 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment. FIG. 7B is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 7B, reference numeral 200 denotes an information processing apparatus, 201 denotes an input unit such as a keyboard, 202 denotes an information processing body, and 203 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment. FIG. 7C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. In FIG.7 (c), the code | symbol 300 shows a wristwatch main body, 301 shows the liquid crystal display part provided with the liquid crystal display device of the said embodiment. Although the electronic apparatus of the present embodiment includes a liquid crystal display device, it may include other electro-optical devices such as an organic EL display device and a PDP. Further, the electronic device is not limited to these, and can be applied to various electronic devices having a display function. For example, in addition to these, a fax machine with a display function, a finder for a digital camera, a portable TV, an electronic notebook, an electric bulletin board, a display for advertising, etc. are also included.

本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の外観図である。1 is an external view of a liquid crystal display device LD1 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の回路構成図である。1 is a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device LD1 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の詳細回路構成図である。1 is a detailed circuit configuration diagram of a liquid crystal display device LD1 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の第1動作説明図である。FIG. 7 is a first operation explanatory diagram of the liquid crystal display device LD1 according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置LD1の第2動作説明図である。FIG. 6 is a second operation explanatory diagram of the liquid crystal display device LD1 according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置LD2の詳細回路構成図である。It is a detailed circuit block diagram of liquid crystal display device LD2 which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明に係る電子機器の一例である。It is an example of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

LD1、LD2、LD3、LD4…液晶表示装置、10…回路基板、11…対向基板、12…シール材、13…液晶、14…窓枠、15…データ線駆動回路、16…実装端子、17…走査線駆動回路、18…配線、19…基板間導通材、20…画素電極、21…対向電極、Y1〜Ym…走査線、X1〜Xn…データ線、CS1〜CSm…保持容量線、30…画素TFT、CL…液晶容量、CH…保持容量、CD1〜CDm…保持容量線駆動回路、40…第1の電源線、41…第2の電源線、42…極性信号線、43…反転極性信号線、44…ゲート制御信号線、45…第3の電源線、60…奇数行容量線電位監視線、61…偶数行容量線電位監視線、70…奇数行電圧歪補正回路、80…偶数行電圧補正回路、T1…第1のトランジスタ、T2…第2のトランジスタ、T3…第3のトランジスタ、T4…第4のトランジスタ、T5…第5のトランジスタ、T6…第6のトランジスタ、T7…第7のトランジスタ、T8…第8のトランジスタ   LD1, LD2, LD3, LD4 ... liquid crystal display device, 10 ... circuit board, 11 ... counter substrate, 12 ... sealing material, 13 ... liquid crystal, 14 ... window frame, 15 ... data line driving circuit, 16 ... mounting terminal, 17 ... Scanning line driving circuit, 18 ... wiring, 19 ... inter-substrate conductive material, 20 ... pixel electrode, 21 ... counter electrode, Y1 to Ym ... scanning line, X1 to Xn ... data line, CS1 to CSm ... holding capacitor line, 30 ... Pixel TFT, CL ... Liquid crystal capacitor, CH ... Holding capacitor, CD1 to CDm ... Holding capacitor line drive circuit, 40 ... First power line, 41 ... Second power line, 42 ... Polar signal line, 43 ... Inverted polarity signal Lines 44... Gate control signal lines 45. Third power lines 60. Odd-row capacitance line potential monitoring lines 61. Even-row capacitance line potential monitoring lines 70. Odd-row voltage distortion correction circuits 80. Voltage correction circuit, T1... First transistor, T ... second transistor, T3 ... third transistor, T4 ... fourth transistors, T5 ... fifth transistor, T6 ... sixth transistors, T7 ... seventh transistor, T8 ... eighth transistor

Claims (5)

複数のデータ線及び走査線と、前記走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、前記データ線と前記走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極と対向電極との間に電気光学材料を狭持してなる画素容量、一端が前記保持容量線と接続され他端が前記画素電極と接続された保持容量、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記データ線と前記画素電極との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子を有する画素とを備えた電気光学装置であって、
前記保持容量線に印加すべき高圧側の第1の電位に維持された第1の電源線と、
前記保持容量線に印加すべき低圧側の第2の電位に維持された第2の電源線と、
1フレーム毎に論理レベルが反転する極性信号を供給するための極性信号線と、
前記極性信号の論理反転信号である反転極性信号を供給するための反転極性信号線と、
ゲート制御信号を供給するためのゲート制御信号線と、
トランジスタのゲートオン電位に維持された第3の電源線と、
前記保持容量線の各々に対応して設けられると共に、
ソース電極が前記第1の電源線と接続され、ドレイン電極が当行の保持容量線と接続された第1のトランジスタと、
当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が次行の走査線と接続された第2のトランジスタと、
ソース電極が前記第2の電源線と接続され、ドレイン電極が当行の保持容量線と接続された第3のトランジスタと、
当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、ドレイン電極が前記第3のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前行の走査線と接続された第4のトランジスタと、
当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、ドレイン電極が前記第3のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が次行の走査線と接続された第5のトランジスタと、
当行の保持容量線が奇数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の他方と接続され、偶数行であればソース電極が前記極性信号線または前記反転極性信号線の一方と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前行の走査線と接続された第6のトランジスタと、
ソース電極が前記第3の電源線と接続され、ドレイン電極が前記第1のトランジスタのゲート電極と接続され、ゲート電極が前記ゲート制御信号線と接続された第7のトランジスタと、を有する保持容量駆動回路と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
A plurality of data lines and scanning lines, a storage capacitor line provided corresponding to each of the scanning lines, a pixel electrode and a counter electrode provided corresponding to the intersection of the data line and the scanning line A pixel capacitor having an electro-optical material sandwiched between them, a storage capacitor having one end connected to the storage capacitor line and the other end connected to the pixel electrode, and a scanning signal supplied via the scanning line An electro-optical device comprising a pixel having a switching element that switches connection / disconnection between the data line and the pixel electrode in response.
A first power supply line maintained at a first voltage on the high voltage side to be applied to the storage capacitor line;
A second power supply line maintained at a second potential on the low voltage side to be applied to the storage capacitor line;
A polarity signal line for supplying a polarity signal whose logic level is inverted every frame;
An inverted polarity signal line for supplying an inverted polarity signal that is a logically inverted signal of the polarity signal;
A gate control signal line for supplying a gate control signal;
A third power supply line maintained at the gate on potential of the transistor;
Provided corresponding to each of the storage capacitor lines,
A first transistor having a source electrode connected to the first power supply line and a drain electrode connected to the storage capacitor line of the bank;
If the storage capacitor line of this row is an odd row, the source electrode is connected to one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, and if it is an even row, the source electrode is the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line. A second transistor in which a drain electrode is connected to a gate electrode of the first transistor, and a gate electrode is connected to a scanning line of the next row;
A third transistor having a source electrode connected to the second power supply line and a drain electrode connected to the storage capacitor line of the bank;
If the storage capacitor line of this row is an odd row, the source electrode is connected to one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, and if it is an even row, the source electrode is the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line. A fourth transistor in which the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor, and the gate electrode is connected to the scanning line of the previous row;
If the storage capacitor line of this row is an odd row, the source electrode is connected to the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, and if it is an even row, the source electrode is one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line. A fifth transistor in which the drain electrode is connected to the gate electrode of the third transistor, and the gate electrode is connected to the scanning line of the next row;
If the storage capacitor line of this row is an odd row, the source electrode is connected to the other of the polarity signal line or the inverted polarity signal line, and if it is an even row, the source electrode is one of the polarity signal line or the inverted polarity signal line. A sixth transistor in which the drain electrode is connected to the gate electrode of the first transistor, and the gate electrode is connected to the scanning line of the previous row;
A storage capacitor having a seventh electrode having a source electrode connected to the third power supply line, a drain electrode connected to the gate electrode of the first transistor, and a gate electrode connected to the gate control signal line; A drive circuit;
An electro-optical device comprising:
奇数行の保持容量線の電位を検出するための奇数行容量線電位検出線と、
偶数行の保持容量線の電位を検出するための偶数行容量線電位検出線と、
前記奇数行容量線電位検出線の電圧波形歪みを打ち消すように、奇数行の保持容量線に対応する第1の電源線及び第2の電源線の電圧波形を補正する奇数行電圧歪補正回路と、
前記偶数行容量線電位検出線の電圧波形歪みを打ち消すように、偶数行の保持容量線に対応する第1の電源線及び第2の電源線の電圧波形を補正する偶数行電圧歪補正回路と、を備え、
前記保持容量駆動回路の各々は、
ソース電極が当行の保持容量線と接続され、当行の保持容量線が奇数行であればドレイン電極が前記奇数行容量線電位検出線と接続され、偶数行であればドレイン電極が前記偶数行容量線電位検出線と接続され、ゲート電極が当行の走査線と接続された第8のトランジスタを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
Odd-numbered capacitance line potential detection line for detecting the potential of the odd-numbered storage capacitor line;
An even-numbered capacity line potential detection line for detecting the potential of the even-numbered capacity line;
An odd-row voltage distortion correction circuit for correcting voltage waveforms of the first power supply line and the second power supply line corresponding to the odd-numbered storage capacitor lines so as to cancel the voltage waveform distortion of the odd-numbered capacity line potential detection lines; ,
An even-numbered row voltage distortion correction circuit for correcting voltage waveforms of the first power supply line and the second power supply line corresponding to the even-numbered storage capacitor lines so as to cancel the voltage waveform distortion of the even-numbered capacitance line potential detection lines; With
Each of the storage capacitor driving circuits includes:
If the source electrode is connected to the storage capacitor line of this row, and the storage capacitor line of this row is an odd row, the drain electrode is connected to the odd row capacitance line potential detection line, and if it is an even row, the drain electrode is connected to the even row capacitance An eighth transistor connected to the line potential detection line and having a gate electrode connected to the scan line of the bank;
The electro-optical device according to claim 1.
前記奇数行電圧歪み補正回路は、
前記第1の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が奇数行の保持容量線に対応する第1の電源線の一端と接続された第1の演算増幅器と、
前記第2の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が奇数行の保持容量線に対応する第2の電源線の一端と接続された第2の演算増幅器と、
前記極性信号または反転極性信号に応じて、前記奇数行容量線電位検出線を前記第1の演算増幅器の反転入力端子と接続するか、前記第2の演算増幅器の反転入力端子と接続するかを切り替えるスイッチ回路と、を備え、
前記偶数行電圧歪み補正回路は、
前記第1の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が偶数行の保持容量線に対応する第1の電源線の一端と接続された第1の演算増幅器と、
前記第2の電位を非反転入力端子の入力とし、出力端子が偶数行の保持容量線に対応する第2の電源線の一端と接続された第2の演算増幅器と、
前記極性信号または反転極性信号に応じて、前記偶数行容量線電位検出線を前記第1の演算増幅器の反転入力端子と接続するか、前記第2の演算増幅器の反転入力端子と接続するかを切り替えるスイッチ回路と、を備える、
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
The odd row voltage distortion correction circuit includes:
A first operational amplifier having the first potential as an input of a non-inverting input terminal and an output terminal connected to one end of a first power supply line corresponding to an odd row of storage capacitor lines;
A second operational amplifier having the second potential as an input of a non-inverting input terminal and an output terminal connected to one end of a second power supply line corresponding to an odd row of storage capacitor lines;
According to the polarity signal or the inverted polarity signal, whether to connect the odd-numbered capacitor line potential detection line to the inverting input terminal of the first operational amplifier or to the inverting input terminal of the second operational amplifier. A switch circuit for switching,
The even row voltage distortion correction circuit includes:
A first operational amplifier having the first potential as an input of a non-inverting input terminal and an output terminal connected to one end of a first power supply line corresponding to a storage capacitor line in an even row;
A second operational amplifier in which the second potential is input to a non-inverting input terminal, and an output terminal is connected to one end of a second power supply line corresponding to an even-numbered storage capacitor line;
Whether to connect the even-row capacitor line potential detection line to the inverting input terminal of the first operational amplifier or to the inverting input terminal of the second operational amplifier according to the polarity signal or the inverted polarity signal. A switch circuit for switching,
The electro-optical device according to claim 2.
複数のデータ線及び走査線と、前記走査線の各々に対応して設けられた保持容量線と、前記データ線と前記走査線との交差箇所に対応して設けられると共に、画素電極と対向電極との間に電気光学材料を狭持してなる画素容量、一端が前記保持容量線と接続され他端が前記画素電極と接続された保持容量、前記走査線を介して供給される走査信号に応じて前記データ線と前記画素電極との接続/非接続を切り替えるスイッチング素子を有する画素とを備えた電気光学装置の駆動方法であって、
走査信号を順次供給することで各走査線を順次選択する通常表示モード時には、
選択された走査線の走査信号に同期して、当該選択された走査線の前行の走査線に接続された画素電位が負極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を高圧側の第1の電位から低圧側の第2の電位に遷移させ、前行の走査線に接続された画素電位が正極性であれば、前行の走査線に対応する保持容量線の電位を前記第2の電位から前記第1の電位に遷移させ、
走査信号を部分的に供給することで走査線を部分選択する部分表示モード時には、
全ての保持容量線の電位を前記第1の電位に維持する、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
A plurality of data lines and scanning lines, a storage capacitor line provided corresponding to each of the scanning lines, a pixel electrode and a counter electrode provided corresponding to the intersection of the data line and the scanning line A pixel capacitor having an electro-optical material sandwiched between them, a storage capacitor having one end connected to the storage capacitor line and the other end connected to the pixel electrode, and a scanning signal supplied via the scanning line A driving method of an electro-optical device including a pixel having a switching element that switches connection / disconnection between the data line and the pixel electrode in response.
In the normal display mode in which each scanning line is sequentially selected by sequentially supplying scanning signals,
In synchronization with the scanning signal of the selected scanning line, if the pixel potential connected to the scanning line of the previous row of the selected scanning line is negative, the storage capacitor line corresponding to the scanning line of the previous row is If the potential is changed from the first potential on the high-voltage side to the second potential on the low-voltage side and the pixel potential connected to the scanning line in the previous row is positive, the storage capacitor line corresponding to the scanning line in the previous row Transition from the second potential to the first potential,
In the partial display mode in which scanning lines are partially selected by partially supplying scanning signals,
Maintaining the potentials of all the storage capacitor lines at the first potential;
A driving method for an electro-optical device.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
JP2007254245A 2007-09-28 2007-09-28 Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus Withdrawn JP2009086171A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007254245A JP2009086171A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007254245A JP2009086171A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009086171A true JP2009086171A (en) 2009-04-23

Family

ID=40659698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007254245A Withdrawn JP2009086171A (en) 2007-09-28 2007-09-28 Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009086171A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013122574A (en) * 2011-11-08 2013-06-20 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013122574A (en) * 2011-11-08 2013-06-20 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7567228B1 (en) Multi switch pixel design using column inversion data driving
US8456400B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
US7808472B2 (en) Liquid crystal display and driving method thereof
US8325126B2 (en) Liquid crystal display with reduced image flicker and driving method thereof
US7696970B2 (en) Driving circuit, display device, and driving method for the display device
JP4415393B2 (en) Driving circuit, liquid crystal device, electronic apparatus, and driving method of liquid crystal device
US8035634B2 (en) Electro-optical device, driving circuit, and electronic apparatus
KR101285054B1 (en) Liquid crystal display device
US8378945B2 (en) Liquid crystal display device
US8072409B2 (en) LCD with common voltage driving circuits
KR20030066371A (en) Flat-panel display device
US20110193852A1 (en) Liquid crystal display and method of driving the same
KR101149942B1 (en) Liquid crystal display
US8249294B2 (en) Driving system, electro-optic device, and electronic device
JP2009086170A (en) Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus
KR101354356B1 (en) Liquid crystal display
JP2008233283A (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP2005250034A (en) Electrooptical device, driving method of electrooptical device and electronic appliance
KR101245912B1 (en) Gate drive circuit of LCD
KR20120118963A (en) Common voltage driver and liquid crystal display device including thereof
KR20120071743A (en) Active matrix display
JP2011013420A (en) Electro-optical device, method for driving the same, and electronic apparatus
JP2009086171A (en) Electro-optical device, method of driving electro-optical device, and electronic apparatus
KR101243439B1 (en) LCD and drive method thereof
JP2010044295A (en) Electrooptical apparatus, its driving method, and electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100820

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20111212