JP2009081267A - Positioning method for substrate conveyance position, substrate processing system, and computer-readable storage medium - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of setting a substrate conveyance position on the basis of actual operation temperature conditions of a processing device. <P>SOLUTION: A displacement sensor 39 disposed on a center axis RO of rotation of a conveyance arm unit 33 measures positions of a support pin 15, provided to a placement table 2b of a processing chamber 1b, at room temperature and in a heated state respectively to calculate the amount of displacement of the position of the support pin 15 in the heated state from the position of the support pin 15 at the room temperature. On the basis of the amount of displacement, position coordinates of the center O of the placement table 2b separately determined through teaching are corrected. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハなどの基板を搬送する基板搬送装置において基板搬送位置を位置合わせする基板搬送位置の位置合わせ方法、基板処理システムおよびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate transfer position alignment method, a substrate processing system, and a computer-readable storage medium for aligning a substrate transfer position in a substrate transfer apparatus for transferring a substrate such as a semiconductor wafer.

半導体装置の製造過程では、半導体ウエハなどの基板に対し、成膜やエッチングなどの種々の処理が繰り返し行われる。これらの処理を行う半導体製造装置には、複数の処理装置が組み合わされた基板処理システムが使用されている。このような基板処理システムには、複数の処理装置間を含むシステム内の基板の搬送および他の基板処理システムとの間で基板の受け渡しなどを行うために、一つないし複数の基板搬送装置を備えた基板搬送システムが設けられている。   In the manufacturing process of a semiconductor device, various processes such as film formation and etching are repeatedly performed on a substrate such as a semiconductor wafer. A semiconductor processing apparatus that performs these processes uses a substrate processing system in which a plurality of processing apparatuses are combined. In such a substrate processing system, one or a plurality of substrate transfer apparatuses are provided for transferring a substrate in a system including a plurality of processing apparatuses and transferring a substrate to and from another substrate processing system. A substrate transport system is provided.

基板搬送装置は、例えば伸縮、屈伸、旋回、昇降などの動作を行えるように構成された搬送アームと、この搬送アームの先端に設けられた保持部材とを有している。そして、基板搬送装置は、保持部材によって基板を保持することにより基板の搬送を行うようになっている。   The substrate transfer apparatus includes a transfer arm configured to be able to perform operations such as expansion, contraction, stretching, turning, and lifting, and a holding member provided at the tip of the transfer arm. The substrate transport apparatus transports the substrate by holding the substrate with the holding member.

基板処理システムにおいては、基板搬送装置によって基板を搬送し、処理装置において基板を載置する載置台などの適正な位置に正確に基板を受け渡す必要がある。このために、搬送アームに、基板の受け渡し位置を位置座標として覚えこませるティーチングという工程が行われる。ティーチングは、例えば基板搬送装置と載置台との間で基板の受け渡しを行う場合、以下のようにして行われる。まず、基板処理システム内のある位置の座標を基準位置として決め、この基準位置に対する載置台の中心の位置座標を装置の設計値に基づいて算出し、仮の位置座標として基板搬送装置の制御部に保存しておく。次に、仮の位置座標を目標に搬送アームを駆動させて保持部材が載置台に近づいたところで手動動作に切り替える。次に、例えば位置合わせ用基板を用いて載置台の適正位置から保持部材の適正位置へ基板を受け渡すことができるように手動で搬送アームの細かな位置合わせを行う。そして、正確に位置合わせがされた状態を載置台の中心の位置座標として基板搬送装置の制御部に記憶させる。   In a substrate processing system, it is necessary to transport a substrate by a substrate transport device and accurately deliver the substrate to an appropriate position such as a mounting table on which the substrate is mounted in the processing device. For this purpose, a teaching process is performed in which the transfer arm remembers the delivery position of the substrate as position coordinates. Teaching is performed as follows, for example, when transferring a substrate between the substrate transport apparatus and the mounting table. First, the coordinate of a certain position in the substrate processing system is determined as a reference position, the position coordinate of the center of the mounting table with respect to this reference position is calculated based on the design value of the apparatus, and the control unit of the substrate transport apparatus is used as a temporary position coordinate. Save to. Next, the transfer arm is driven with the temporary position coordinates as a target, and the operation is switched to manual operation when the holding member approaches the mounting table. Next, fine alignment of the transfer arm is performed manually so that the substrate can be transferred from the appropriate position of the mounting table to the appropriate position of the holding member using, for example, an alignment substrate. Then, the accurately aligned state is stored in the control unit of the substrate transfer apparatus as the position coordinates of the center of the mounting table.

上記ティーチングは、目視による確認を行いながら手動での搬送アームの微調整を伴うことから、常温により行われる。一方、処理内容にもよるが、例えば基板の加熱を伴う処理の場合、処理装置の壁の温度は150〜200℃、載置台の温度は500℃以上にも達する高温となる。このような高温条件では、処理装置の熱膨張により載置台の中心位置にずれが生じる。例えば処理装置の材料としてアルミニウムを使用した場合、500mm長のアルミニウム板は温度が200℃上昇すると約1mm熱膨張する。この場合、常温でティーチングを行って決定された載置台の中心の位置座標と、高温となる現実の処理状態での載置台の中心位置とは、1mm程度のずれが生じる。1mmの位置ずれは、基板搬送装置で許容される搬送誤差を上回るため、そのままでは信頼性の高い搬送動作が困難になる。   The teaching is performed at room temperature because manual adjustment of the transfer arm is performed while visually confirming. On the other hand, depending on the content of the process, for example, in the case of a process involving heating of the substrate, the temperature of the wall of the processing apparatus is 150 to 200 ° C., and the temperature of the mounting table is as high as 500 ° C. Under such a high temperature condition, the center position of the mounting table shifts due to thermal expansion of the processing apparatus. For example, when aluminum is used as the material of the processing apparatus, a 500 mm long aluminum plate thermally expands by about 1 mm when the temperature rises by 200 ° C. In this case, there is a deviation of about 1 mm between the position coordinates of the center of the mounting table determined by teaching at room temperature and the center position of the mounting table in the actual processing state at a high temperature. Since the 1 mm positional deviation exceeds the transport error allowed by the substrate transport apparatus, a highly reliable transport operation becomes difficult as it is.

従来は、この熱膨張による「ずれ」を予測してティーチングの結果に対して載置台の中心の位置座標の補正を行っていた。しかし、補正値は、高温状態で生じる現実の載置台の中心の位置のずれを測定して決定されたものではないため、上記補正後の位置座標が現実の処理条件での載置台の中心位置と整合しているという保障はなかった。補正値が不適正である場合には、基板を載置台の適正な載置位置に載置して処理を行うことができない。その結果、基板に対する処理の精度を低下させ、製品の歩留まりを低下させてしまうという問題があった。そして、従来は、処理内容の精度低下や製品の歩留まりの低下が発生して初めて、熱膨張による位置ずれの補正が不適切であったことが究明され、改めてティーチングをやり直していた。   Conventionally, a “deviation” due to this thermal expansion is predicted and the position coordinate of the center of the mounting table is corrected for the teaching result. However, since the correction value is not determined by measuring the deviation of the center position of the actual mounting table that occurs in a high temperature state, the corrected position coordinates are the center position of the mounting table under the actual processing conditions. There was no guarantee that it was consistent. If the correction value is inappropriate, it is not possible to perform processing by placing the substrate on an appropriate placement position on the placement table. As a result, there is a problem in that the processing accuracy for the substrate is lowered and the yield of the product is lowered. Conventionally, it was found that correction of misalignment due to thermal expansion was inappropriate only after the accuracy of processing contents and the yield of products were reduced, and teaching was performed again.

ところで、基板搬送装置によって信頼性の高い搬送動作を行うために、例えば特許文献1には、基板搬送装置に配備されたカメラにより搬送アーム部の伸長方向を静止画像として撮影し、予め記録されている搬送先の正常な静止画像と照合する技術が記載されている。この特許文献1のように、基板搬送装置にカメラなどの検知機構を設ける技術は知られている。しかし、熱膨張に起因する載置台の位置のずれを正確に把握する技術に関しては、これまで提案されていない。   By the way, in order to perform a highly reliable transfer operation by the substrate transfer device, for example, in Patent Document 1, the extension direction of the transfer arm unit is photographed as a still image by a camera provided in the substrate transfer device, and recorded in advance. A technique for collating with a normal still image of a transport destination is described. As in Patent Document 1, a technique for providing a substrate or the like with a detection mechanism such as a camera is known. However, no technology has been proposed so far for accurately grasping the position shift of the mounting table due to thermal expansion.

特開2005−175083号公報(特許請求の範囲など)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-175083 (Claims etc.)

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、処理装置の実際の稼動温度条件において、基板搬送位置の位置合わせを行う方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for aligning the substrate transfer position under the actual operating temperature condition of the processing apparatus.

上記課題を解決するため、本発明の第1の観点による基板搬送位置の位置合わせ方法は、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と
を備えている。
In order to solve the above-described problem, a substrate transfer position alignment method according to the first aspect of the present invention includes:
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A first measurement step of measuring the position of the measurement target member by the position measurement means in a state where the mounting table is at room temperature;
A second measurement step of measuring the position of the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the position measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
Correcting the position coordinates of the center of the mounting table stored in the control unit based on the displacement amount.

上記第1の観点の基板搬送位置の位置合わせ方法において、前記計測位置が、前記基板搬送装置の旋回中心軸上、または該旋回中心軸を基準として前記レーザ光の照射方向に直交する方向に所定の距離離れた位置であってもよい。   In the substrate transfer position alignment method according to the first aspect, the measurement position is predetermined on a turning center axis of the substrate transfer apparatus or in a direction orthogonal to the irradiation direction of the laser light with reference to the turning center axis. It may be a position separated by a distance.

また、上記第1の観点の基板搬送位置の位置合わせ方法において、前記計測対象部材が、基板の受け渡しの際に基板を支持するために前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた支持部材であってもよい。この場合、前記支持部材には、前記レーザ光を反射する平坦な反射面が設けられていてもよい。   In the substrate transport position alignment method according to the first aspect, the measurement target member is provided so as to be able to project and retract with respect to the surface of the mounting table in order to support the substrate when the substrate is delivered. It may be a support member. In this case, the support member may be provided with a flat reflecting surface that reflects the laser light.

また、上記第1の観点の基板搬送位置の位置合わせ方法において、前記計測対象部材が、前記レーザ光を反射する平坦な反射面を有し、前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた位置計測用部材であってもよい。   In the substrate transport position alignment method according to the first aspect, the measurement target member has a flat reflection surface that reflects the laser light, and is provided so as to be able to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table. The position measuring member may be used.

本発明の第2の観点による基板搬送位置の位置合わせ方法は、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材までの距離を計測する距離計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と
を備えている。
The substrate transfer position alignment method according to the second aspect of the present invention includes:
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
A distance measuring means for measuring a distance to a measurement target member provided on the mounting table by irradiating a laser beam from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A first measurement step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member by the distance measurement means in a state where the mounting table is at a normal temperature;
A second measurement step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the distance measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
Correcting the position coordinates of the center of the mounting table stored in the control unit based on the displacement amount.

本発明の第3の観点による基板搬送位置の位置合わせ方法は、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材までの距離を計測する距離計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記保持部材による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が加熱された状態で計測する工程と、
前記計測結果に基づき、加熱状態の前記載置台の中心の位置座標を決定する工程と、
加熱状態の前記載置台の中心の位置座標に基づき前記制御部に前記載置台の中心の位置座標を記憶させる工程と
を備えている。
The substrate transfer position alignment method according to the third aspect of the present invention includes:
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
A distance measuring means for measuring a distance to a measurement target member provided on the mounting table by irradiating a laser beam from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A control unit that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls conveyance of the substrate by the holding member;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member by the distance measurement unit in a state where the mounting table is heated;
Based on the measurement results, determining the position coordinates of the center of the mounting table in the heating state,
And storing the position coordinates of the center of the mounting table in the control unit based on the position coordinates of the center of the mounting table in the heating state.

上記第3の観点の基板搬送位置の位置合わせ方法において、前記計測対象部材が、基板の受け渡しの際に基板を支持するために前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた複数の支持部材であってもよい。   In the alignment method of the substrate transfer position according to the third aspect, the measurement target member includes a plurality of protrusions that are provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table in order to support the substrate when the substrate is transferred. It may be a support member.

本発明の第4の観点による基板処理システムは、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶するとともに、前記位置計測手段により計測された、前記載置台が常温の状態と加熱された状態における前記計測対象部材の位置の測定結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算し、前記変位量に基づき、ティーチングにより記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えている。
A substrate processing system according to a fourth aspect of the present invention includes:
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
While storing the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, the mounting table measured by the position measuring means is in a room temperature state. Based on the measurement result of the position of the measurement target member in the heated state, the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state is calculated, and stored by teaching based on the displacement amount A controller that corrects the position coordinates of the center of the mounting table and controls the substrate transport by the substrate transport device;
It has.

本発明の第5の観点によるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせ方法が行われるように制御するものであり、
前記基板搬送位置の位置合わせ方法は、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と、
を備えたものである。
A computer-readable storage medium according to the fifth aspect of the present invention is provided.
A storage medium storing a control program that operates on a computer, wherein the control program includes:
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
In a substrate processing system comprising: a substrate transfer position is controlled so as to be performed by the substrate transfer apparatus;
The substrate transfer position alignment method is as follows:
A first measurement step of measuring the position of the measurement target member by the position measurement means in a state where the mounting table is at room temperature;
A second measurement step of measuring the position of the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the position measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
Correcting the position coordinates of the center of the mounting table stored in the control unit based on the amount of displacement;
It is equipped with.

本発明によれば、計測対象部材の位置等を載置台が常温の状態と載置台が加熱された状態について、それぞれ計測することにより、処理装置内で現実に行われるプロセス温度条件での載置台の中心の位置を正確に求めることができる。従って、基板搬送装置による基板の搬送動作例えば保持部材から載置台への基板の受け渡し動作や、載置台から保持部材への基板の受け取り動作を、高い信頼性をもって実施できる、という効果を奏する。   According to the present invention, the mounting table under a process temperature condition that is actually performed in the processing apparatus by measuring the position of the measurement target member in a state where the mounting table is at room temperature and a state where the mounting table is heated, respectively. The position of the center of can be accurately determined. Therefore, the substrate transfer operation by the substrate transfer device, for example, the substrate transfer operation from the holding member to the mounting table and the substrate receiving operation from the mounting table to the holding member can be performed with high reliability.

また、本発明における計測対象部材の位置等の計測は、真空状態で大気圧開放をせずに短時間に行うことができるという利点がある。このため、成膜やエッチングなどの処理に先立ち、本発明の基板搬送位置の位置合わせ方法を実施することにより、簡易に位置合わせができる。従って、処理内容によって様々な温度条件が採用される場合でも、個々の処理条件に応じて、処理装置内で行われる処理の精度を向上させることができる、という効果を奏する。   Further, the measurement of the position of the measurement target member in the present invention has an advantage that it can be performed in a short time without releasing the atmospheric pressure in a vacuum state. For this reason, prior to processing such as film formation and etching, the alignment can be easily performed by performing the substrate transfer position alignment method of the present invention. Therefore, even when various temperature conditions are adopted depending on the processing contents, there is an effect that the accuracy of the processing performed in the processing apparatus can be improved according to the individual processing conditions.

[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図1および図2を参照して本発明の実施の形態に係る基板処理システムについて説明を行う。図1は、例えば基板としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す)Wに対し、例えば成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行なうように構成された基板処理システム100を示す概略構成図である。図2は、図1の基板処理システム100の内部の構成を示す要部断面図である。この基板処理システム100は、マルチチャンバ構造のクラスタツールとして構成されている。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a substrate processing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG. FIG. 1 schematically shows a substrate processing system 100 configured to perform various processes such as a film forming process and an etching process on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W as a substrate, for example. It is a block diagram. FIG. 2 is a cross-sectional view of the main part showing the internal configuration of the substrate processing system 100 of FIG. The substrate processing system 100 is configured as a cluster tool having a multi-chamber structure.

基板処理システム100は、主要な構成として、ウエハWに対して各種の処理を行う4つの処理チャンバ1a,1b,1c,1dと、これらの処理チャンバ1a〜1dに対して、それぞれゲートバルブG1,G1,G1,G1を介して接続された真空側の搬送室3と、この真空側の搬送室3にゲートバルブG2,G2を介して接続された2つのロードロック室5a,5bと、これら2つのロードロック室5a,5bに対してゲートバルブG3,G3を介して接続されたローダーユニット7とを備えている。   The substrate processing system 100 includes, as main components, four processing chambers 1a, 1b, 1c, and 1d that perform various processes on the wafer W, and gate valves G1 and G1 for the processing chambers 1a to 1d, respectively. Vacuum-side transfer chamber 3 connected via G1, G1, G1, two load-lock chambers 5a, 5b connected to the vacuum-side transfer chamber 3 via gate valves G2, G2, and these 2 A loader unit 7 connected to the two load lock chambers 5a and 5b via gate valves G3 and G3 is provided.

4つの処理チャンバ1a〜1dは、ウエハWに対して例えばプラズマCVD処理、プラズマエッチング処理、プラズマアッシング処理などの処理を行う処理装置である。処理チャンバ1a〜1dは、ウエハWに対して同じ内容の処理を行うものであってもよいし、あるいはそれぞれ異なる内容の処理を行うものであってもよい。各処理チャンバ1a〜1d内には、それぞれウエハWを載置するための載置台2a,2b,2c,2dが配備されている。なお、符号Oは、各載置台2a,2b,2c,2dの中心を示している。   The four processing chambers 1a to 1d are processing apparatuses that perform processing such as plasma CVD processing, plasma etching processing, and plasma ashing processing on the wafer W, for example. The processing chambers 1a to 1d may perform the same processing on the wafer W, or may perform different processing. In each of the processing chambers 1a to 1d, mounting tables 2a, 2b, 2c, and 2d for mounting the wafer W are provided. The symbol O indicates the center of each mounting table 2a, 2b, 2c, 2d.

ここで、図2を参照しながら、処理チャンバ1a〜1dを代表して、処理チャンバ1bの概略構成について説明する。処理チャンバ1bは、気密に構成され、その中にはウエハWを水平に支持するための載置台2bが設けられている。載置台2bは、その中央下部に設けられた円筒状の支持部材11により支持された状態で配置されている。また、載置台2bには、抵抗加熱ヒーター13が埋設されている。抵抗加熱ヒーター13は、図示しない電源から給電されることにより、載置台2bに載置されたウエハWを所定の温度に加熱する。なお、加熱方法としては例えばランプ加熱が採用される場合もある。   Here, the schematic configuration of the processing chamber 1b will be described as a representative of the processing chambers 1a to 1d with reference to FIG. The processing chamber 1b is configured to be airtight, and a mounting table 2b for horizontally supporting the wafer W is provided therein. The mounting table 2b is arranged in a state where it is supported by a cylindrical support member 11 provided at the center lower part thereof. A resistance heater 13 is embedded in the mounting table 2b. The resistance heater 13 heats the wafer W mounted on the mounting table 2b to a predetermined temperature by being supplied with power from a power source (not shown). As a heating method, for example, lamp heating may be employed.

また、載置台2bには、ウエハWを支持して昇降させるための3本(2本のみ図示)の支持ピン(支持部材)15が載置台2bの載置面Sに対して突没可能に設けられている。これらの支持ピン15は連結支持板17に固定されている。各支持ピン15は、エアシリンダ等の駆動機構19により、連結支持板17を介して同期して上下に昇降変位する。そして、載置台2bの載置面Sよりも支持ピン15が突出した状態でウエハWの受け渡しが行われる。   In addition, on the mounting table 2b, three support pins (support members) 15 for supporting the wafer W to be moved up and down can be projected and retracted with respect to the mounting surface S of the mounting table 2b. Is provided. These support pins 15 are fixed to the connection support plate 17. Each support pin 15 is moved up and down in synchronization by a drive mechanism 19 such as an air cylinder via a connection support plate 17. Then, the wafer W is transferred with the support pins 15 protruding from the mounting surface S of the mounting table 2b.

また、処理チャンバ1bには、図示しないガス導入部材および排気口が設けられており(いずれも図示を省略)、それぞれガス供給源および真空ポンプに接続されている。   Further, the processing chamber 1b is provided with a gas introduction member and an exhaust port (not shown), both of which are not shown, and are connected to a gas supply source and a vacuum pump, respectively.

処理チャンバ1bの側壁には、真空側の搬送室3との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口21が形成されている。この搬入出口21を介して、ゲートバルブG1を開閉させてウエハWの搬入出が行なわれる。   A loading / unloading port 21 for loading / unloading the wafer W to / from the vacuum-side transfer chamber 3 is formed on the side wall of the processing chamber 1b. Via this loading / unloading port 21, the gate valve G1 is opened and closed to load / unload the wafer W.

真空引き可能に構成された真空側の搬送室3には、処理チャンバ1a〜1dやロードロック室5a,5bに対してウエハWの受け渡しを行う第1の基板搬送装置としての搬送装置31が設けられている。この搬送装置31は、基部32と、この基部32に連結され、互いに対向するように配置された一対の搬送アーム部33,33を有している。各搬送アーム部33,33は同一の回転軸32aを中心として、屈伸及び旋回可能に構成されている。また、各搬送アーム部33,33の先端には、それぞれウエハWを載置して保持する保持部材としてのフォーク35,35が設けられている。搬送装置31は、これらのフォーク35,35上にウエハWを載置した状態で、処理チャンバ1a〜1d間、あるいは処理チャンバ1a〜1dとロードロック室5a,5bとの間でウエハWの搬送を行う。また、真空側の搬送室3の底部には、真空側の搬送室3内を減圧排気するための排気口が設けられ、この排気口は真空ポンプに接続されている(いずれも図示を省略)。また、真空側の搬送室3の側部には、周囲の処理チャンバ1a〜1dおよびロードロック室5a,5bに対応する位置にそれぞれ搬入出口36が形成されている。各搬入出口36を介して、ゲートバルブG1,G2を開閉させてウエハWの搬入出が行なわれる。   The vacuum-side transfer chamber 3 configured to be evacuated is provided with a transfer device 31 as a first substrate transfer device that delivers the wafer W to the processing chambers 1a to 1d and the load lock chambers 5a and 5b. It has been. The transport device 31 includes a base 32 and a pair of transport arm portions 33 and 33 that are connected to the base 32 and arranged to face each other. Each of the transfer arm portions 33, 33 is configured to be able to bend and stretch and turn around the same rotation shaft 32a. Further, forks 35 and 35 as holding members for mounting and holding the wafer W are provided at the tips of the transfer arm portions 33 and 33, respectively. The transfer device 31 transfers the wafer W between the process chambers 1a to 1d or between the process chambers 1a to 1d and the load lock chambers 5a and 5b in a state where the wafer W is placed on the forks 35 and 35. I do. Further, an exhaust port for evacuating the inside of the vacuum-side transfer chamber 3 is provided at the bottom of the vacuum-side transfer chamber 3, and this exhaust port is connected to a vacuum pump (all not shown). . In addition, loading / unloading ports 36 are formed at positions corresponding to the surrounding processing chambers 1a to 1d and the load lock chambers 5a and 5b on the side of the vacuum-side transfer chamber 3, respectively. Through the loading / unloading ports 36, the gate valves G1 and G2 are opened and closed to load and unload the wafer W.

図2に示したように、真空側の搬送室3の天板3aには、外部から搬送アーム部33の状態を視認できるように、例えば石英などからなる透過窓(ビューポート)37が設けられている。また、天板3aの外側には、位置計測手段(または距離計測手段)としての変位センサ39が配備されている。この変位センサ39の概略構成を図3に示した。変位センサ39は、例えば半導体レーザなどの発光素子101と、光位置検出素子103と、演算部105とを備えている。発光素子101から発せられたレーザ光200は図示しない投光レンズを通して集光され測定対象物300に照射される。測定対象物300から鏡面反射もしくは拡散反射された反射光201の一部は、図示しない受光レンズを通して光位置検出素子103上にスポットSPを形成する。測定対象物300の位置が変わるとスポットSPの位置も移動するため、スポットSPの移動位置から演算部105で測定対象物300の変位量を計算することができる。   As shown in FIG. 2, the top plate 3a of the transfer chamber 3 on the vacuum side is provided with a transmission window (viewport) 37 made of, for example, quartz so that the state of the transfer arm unit 33 can be visually recognized from the outside. ing. A displacement sensor 39 as a position measuring means (or distance measuring means) is provided outside the top plate 3a. A schematic configuration of the displacement sensor 39 is shown in FIG. The displacement sensor 39 includes, for example, a light emitting element 101 such as a semiconductor laser, an optical position detecting element 103, and a calculation unit 105. The laser beam 200 emitted from the light emitting element 101 is condensed through a light projecting lens (not shown) and applied to the measurement object 300. Part of the reflected light 201 that is specularly reflected or diffusely reflected from the measurement object 300 forms a spot SP on the optical position detecting element 103 through a light receiving lens (not shown). Since the position of the spot SP moves when the position of the measurement object 300 changes, the displacement of the measurement object 300 can be calculated by the calculation unit 105 from the movement position of the spot SP.

変位センサ39は、搬送装置31の搬送アーム部33の旋回中心軸(図2中、符号ROで示した)上に設置されている。この旋回中心軸RO上には、基板処理システム100の真空側の搬送室3における基準位置が決められている。つまり、変位センサ39は、基準位置が存在する旋回中心軸RO上から透過窓37を介してレーザ光を処理チャンバ1b内へ向けて照射し、計測を行うことができるように配備されている。照射されたレーザ光は、搬入出口36、開状態となったゲートバルブG1、搬入出口21を通過し、測定対象物300に到達する。また、変位センサ39は、図示しないスライド機構により、図中y方向にスライド移動可能に設置されている。   The displacement sensor 39 is installed on the turning center axis (indicated by reference sign RO in FIG. 2) of the transfer arm unit 33 of the transfer device 31. A reference position in the transfer chamber 3 on the vacuum side of the substrate processing system 100 is determined on the turning center axis RO. That is, the displacement sensor 39 is arranged so that measurement can be performed by irradiating laser light into the processing chamber 1b from the rotation center axis RO where the reference position exists through the transmission window 37. The irradiated laser light passes through the loading / unloading port 36, the opened gate valve G1, and the loading / unloading port 21, and reaches the measurement object 300. The displacement sensor 39 is installed so as to be slidable in the y direction in the figure by a slide mechanism (not shown).

図1に示したように、ロードロック室5a,5b内には、それぞれウエハWを載置する載置台6a,6bが設けられている。ロードロック室5a,5bは、真空状態と大気圧開放状態を切り替えられるように構成されている。このロードロック室5a,5bの載置台6a,6bを介して、真空側の搬送室3と大気圧に開放された搬送室53(後述)との間でウエハWの受け渡しが行われる。   As shown in FIG. 1, in the load lock chambers 5a and 5b, mounting tables 6a and 6b for mounting the wafers W are provided, respectively. The load lock chambers 5a and 5b are configured to be switched between a vacuum state and an atmospheric pressure release state. The wafers W are transferred between the vacuum-side transfer chamber 3 and a transfer chamber 53 (described later) opened to atmospheric pressure via the loading tables 6a and 6b of the load lock chambers 5a and 5b.

ローダーユニット7は、大気圧に開放された搬送室53と、この搬送室53に隣接配備された3つのロードポートLPと、搬送室53の他の側面に隣接配備され、ウエハWの位置測定を行なう位置測定装置としてのオリエンタ55とを有している。搬送室53には、ウエハWの搬送を行う第2の基板搬送装置としての搬送装置51が設けられている。   The loader unit 7 is disposed adjacent to the transfer chamber 53 opened to the atmospheric pressure, three load ports LP disposed adjacent to the transfer chamber 53, and the other side surface of the transfer chamber 53, and measures the position of the wafer W. And an orienter 55 as a position measuring device to be performed. In the transfer chamber 53, a transfer device 51 as a second substrate transfer device for transferring the wafer W is provided.

大気圧に開放された搬送室53は、例えば窒素ガスや清浄空気などの循環設備(図示省略)を備えた平面視矩形形状をなしており、その長手方向に沿ってガイドレール57が設けられている。このガイドレール57に搬送装置51がスライド移動可能に支持されている。つまり、搬送装置51は図示しない駆動機構により、ガイドレール57に沿って、図1中矢印で示す方向へ移動可能に構成されている。この搬送装置51は、上下2段に配置された一対の搬送アーム部59,59を有している。各搬送アーム部59,59は屈伸及び旋回可能に構成されている。各搬送アーム部59,59の先端には、それぞれウエハWを載置して保持する保持部材としてのフォーク61,61が設けられている。搬送装置51は、これらのフォーク61,61上にウエハWを載置した状態で、ロードポートLPのウエハカセットCRと、ロードロック室5a,5bと、オリエンタ55との間でウエハWの搬送を行う。   The transfer chamber 53 opened to the atmospheric pressure has a rectangular shape in plan view provided with a circulation facility (not shown) such as nitrogen gas or clean air, and a guide rail 57 is provided along the longitudinal direction thereof. Yes. The conveying device 51 is supported on the guide rail 57 so as to be slidable. That is, the transport device 51 is configured to be movable along the guide rail 57 in the direction indicated by the arrow in FIG. The transfer device 51 has a pair of transfer arm portions 59 and 59 arranged in two upper and lower stages. Each conveyance arm part 59 and 59 is comprised so that bending and extension and rotation are possible. Forks 61 and 61 as holding members for mounting and holding the wafer W are provided at the tips of the transfer arm portions 59 and 59, respectively. The transfer device 51 transfers the wafer W between the wafer cassette CR of the load port LP, the load lock chambers 5a and 5b, and the orienter 55 in a state where the wafer W is placed on the forks 61 and 61. Do.

ロードポートLPは、ウエハカセットCRを載置できるようになっている。ウエハカセットCRは、複数枚のウエハWを同じ間隔で多段に載置して収容できるように構成されている。   The load port LP can mount the wafer cassette CR. The wafer cassette CR is configured so that a plurality of wafers W can be placed and accommodated in multiple stages at the same interval.

オリエンタ55は、図示しない駆動モータによって回転される回転板63と、この回転板63の外周位置に設けられ、ウエハWの周縁部を検出するための光学センサ65とを備えている。光学センサ65は、ウエハWを載置した状態で回転板63を回転させながら、光源部(図示省略)からウエハWの周縁部に向けて帯状のレーザ光を照射する。そして、ウエハWによって部分的に遮られるレーザ光を検知部(図示省略)で検知する。このレーザ光の検知結果をもとに、回転板63の中心に対するウエハWの偏心量と偏心方向を計算する。また、光学センサ65は、回転するウエハWに形成されている切り欠き部分(ノッチあるいはオリエンテーションフラット)を認識することにより、ウエハWの方位を検出し、ウエハWを所定の向きに変更することができる。そして、搬送装置51は、光学センサ65で計算されたウエハWの偏心量と偏心方向を補正するように回転板63上のウエハWをフォーク61によって受け取る。   The orienter 55 includes a rotating plate 63 that is rotated by a driving motor (not shown), and an optical sensor 65 that is provided at the outer peripheral position of the rotating plate 63 and detects the peripheral edge of the wafer W. The optical sensor 65 irradiates a belt-shaped laser beam from the light source unit (not shown) toward the peripheral edge of the wafer W while rotating the rotating plate 63 with the wafer W placed thereon. Then, a laser beam partially blocked by the wafer W is detected by a detection unit (not shown). Based on the detection result of the laser light, the eccentric amount and the eccentric direction of the wafer W with respect to the center of the rotating plate 63 are calculated. The optical sensor 65 can detect the orientation of the wafer W by recognizing a notch (notch or orientation flat) formed in the rotating wafer W, and change the wafer W to a predetermined orientation. it can. Then, the transfer device 51 receives the wafer W on the rotating plate 63 by the fork 61 so as to correct the eccentric amount and the eccentric direction of the wafer W calculated by the optical sensor 65.

基板処理システム100の各構成部は、制御部70に接続されて制御される構成となっている。制御部70は、CPUを備えたコントローラ71と、このコントローラ71に接続されたユーザーインターフェース72および記憶部73を備えている。コントローラ71は、基板処理システム100において、例えば処理チャンバ1a〜1d、搬送装置31、搬送装置51などを統括して制御する。また、制御部70は、変位センサ39の演算部105とも接続され、変位センサ39によって計測された計測対象部材の位置データや距離データなどをコントローラ71が参照できるように構成されている。   Each component of the substrate processing system 100 is connected to and controlled by the control unit 70. The control unit 70 includes a controller 71 having a CPU, a user interface 72 connected to the controller 71, and a storage unit 73. In the substrate processing system 100, the controller 71 controls, for example, the processing chambers 1a to 1d, the transfer device 31, the transfer device 51, and the like. The control unit 70 is also connected to the calculation unit 105 of the displacement sensor 39 so that the controller 71 can refer to the position data and distance data of the measurement target member measured by the displacement sensor 39.

ユーザーインターフェース72は、工程管理者が基板処理システム100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システム100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。記憶部73には、基板処理システム100で実行される各種処理をコントローラ71の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース72からの指示等にて任意の制御プログラムやレシピを記憶部73から呼び出してコントローラ71に実行させることで、コントローラ71の制御下、基板処理システム100の処理チャンバ1a〜1d内で所望の処理や、基板処理システム100での所定の搬送動作などが行われる。なお、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体74に格納された状態のものを記憶部73にインストールすることによって利用できる。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体74としては、例えばCD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、DVDなどを使用できる。また、前記レシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。   The user interface 72 includes a keyboard on which a process manager manages command input in order to manage the substrate processing system 100, a display that visualizes and displays the operation status of the substrate processing system 100, and the like. The storage unit 73 stores a recipe in which a control program (software) for implementing various processes executed by the substrate processing system 100 under the control of the controller 71 and processing condition data are recorded. If necessary, an arbitrary control program or recipe is called from the storage unit 73 by an instruction from the user interface 72 and is executed by the controller 71, so that the processing chamber of the substrate processing system 100 is controlled under the control of the controller 71. A desired process or a predetermined transfer operation in the substrate processing system 100 is performed in 1a to 1d. The recipes such as the control program and the processing condition data can be used by installing the recipe stored in the computer-readable storage medium 74 in the storage unit 73. As the computer-readable storage medium 74, for example, a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, a DVD, or the like can be used. Further, the recipe can be transmitted from other devices as needed via, for example, a dedicated line and used online.

次に、基板処理システム100において実施される本発明の第1の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。まず、基板搬送位置の位置合わせ方法の説明に先立ち、真空側の搬送室3の搬送装置31に対するティーチングの概要について説明する。ここでは、処理チャンバ1bの載置台2bに対して搬送アーム部33のフォーク35を位置合わせする場合を例に挙げる。   Next, a substrate transfer position alignment method according to the first embodiment of the present invention that is performed in the substrate processing system 100 will be described. First, prior to the description of the alignment method of the substrate transfer position, an outline of teaching for the transfer device 31 in the transfer chamber 3 on the vacuum side will be described. Here, a case where the fork 35 of the transfer arm unit 33 is aligned with the mounting table 2b of the processing chamber 1b is taken as an example.

ティーチングは、処理チャンバ1bおよび真空側の搬送室3を大気圧開放し、それぞれの天井部に設けられた図示しない蓋部を開いた状態で行われる。まず、搬送アーム部33の旋回中心軸RO(図2参照)上に存在するある位置を、基板処理システム100の真空側の搬送室3における基準位置(x,y,z,θ)と定める。なお、以下の説明において、位置座標x、x…、位置座標y,y…および位置座標z,z…は、それぞれ図2に示したx軸方向、y軸方向およびz軸方向の座標であり、位置座標θ,θ…は、搬送アーム部の旋回方向の座標である。 Teaching is performed in a state where the processing chamber 1b and the transfer chamber 3 on the vacuum side are opened to atmospheric pressure, and lid portions (not shown) provided on the respective ceiling portions are opened. First, a certain position on the turning center axis RO (see FIG. 2) of the transfer arm unit 33 is set as a reference position (x 0 , y 0 , z 0 , θ 0 in the transfer chamber 3 on the vacuum side of the substrate processing system 100. ). In the following description, the position coordinates x 0 , x 1 ..., The position coordinates y 0 , y 1 ... And the position coordinates z 0 , z 1 ... are the x-axis direction, y-axis direction, and z shown in FIG. The position coordinates θ 0 , θ 1 ... Are the coordinates in the turning direction of the transfer arm unit.

次に、基準位置に対する処理チャンバ1bの載置台2bの中心Oの位置座標を基板処理システム100の設計値に基づいて算出する。この設計値に基づく座標を載置台2bの中心Oの仮の位置座標(x,y,z,θ)として制御部70の記憶部73に保存しておく。 Next, the position coordinate of the center O of the mounting table 2 b of the processing chamber 1 b with respect to the reference position is calculated based on the design value of the substrate processing system 100. Coordinates based on this design value are stored in the storage unit 73 of the control unit 70 as temporary position coordinates (x 1 , y 1 , z 1 , θ 1 ) of the center O of the mounting table 2b.

次に、仮の位置座標を目標に搬送アーム部33を駆動させてフォーク35を載置台2bの直近位置まで移動させる。ここで、予め載置台2bの中心Oに位置合わせ用基板の中心が重なるように正確に載置した後、支持ピン15を上昇させることにより、位置合わせ用基板をフォーク35との受け渡し位置まで上昇させておく。次に、搬送アーム部33を手動動作に切り替え、フォーク35の正規位置に前記位置合わせ用基板が載置されるように細かな位置合わせを行う。この位置合わせ作業は、作業者の目視により例えば位置合わせ用基板に形成されたフォーク35の輪郭線が実際のフォーク33の輪郭に一致するまで行われる。そして、正確に位置合わせされた状態の位置座標(x,y,z,θ)を、載置台2bの中心Oの位置座標として決定する。この位置座標(x,y,z,θ)により、仮の位置座標(x,y,z,θ)が書き換えられて、制御部70の記憶部73にティーチング位置座標として記憶させる。 Next, the transport arm unit 33 is driven with the temporary position coordinates as a target, and the fork 35 is moved to a position closest to the mounting table 2b. Here, after the substrate is accurately placed in advance so that the center of the alignment substrate overlaps the center O of the mounting table 2b, the support pin 15 is raised to raise the alignment substrate to the delivery position with the fork 35. Let me. Next, the transfer arm unit 33 is switched to manual operation, and fine alignment is performed so that the alignment substrate is placed at the normal position of the fork 35. This alignment operation is performed until the contour line of the fork 35 formed on the alignment substrate matches the actual contour of the fork 33 by the operator's visual observation. Then, the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) in the state of being accurately aligned are determined as the position coordinates of the center O of the mounting table 2b. The temporary position coordinates (x 1 , y 1 , z 1 , θ 1 ) are rewritten by the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ), and the teaching position is stored in the storage unit 73 of the control unit 70. Remember as coordinates.

以上のティーチングは、大気圧状態、常温で行われる。しかし、処理チャンバ1bで実際に成膜等のプロセスを行う場合には、載置台2bに埋設された抵抗加熱ヒーター13によって載置台2bの温度は500℃〜700℃にも達する。また、処理チャンバ1bの側壁の温度も150℃〜200℃程度まで上昇する。このため、処理チャンバ1bを構成する部材の熱膨張により、上記ティーチングによって決定された載置台2bの位置座標に「ずれ」が生じる。本実施の形態は、この「ずれ」を補正するための基板搬送位置の位置合わせ方法に関する。   The above teaching is performed at atmospheric pressure and at room temperature. However, when a process such as film formation is actually performed in the processing chamber 1b, the temperature of the mounting table 2b reaches 500 ° C. to 700 ° C. by the resistance heater 13 embedded in the mounting table 2b. Further, the temperature of the side wall of the processing chamber 1b also rises to about 150 ° C. to 200 ° C. For this reason, due to the thermal expansion of the members constituting the processing chamber 1b, a “deviation” occurs in the position coordinates of the mounting table 2b determined by the teaching. The present embodiment relates to a method for aligning the substrate transfer position for correcting this “deviation”.

図4は、第1の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順の概略を説明するフロー図である。また、図5は、変位センサ39を使用して計測対象部材としての支持ピン15の位置を計測している状態を説明する図面である。本実施の形態では、まずステップS1において、変位センサ39により処理チャンバ1bの載置台2bに設けられたいずれかの支持ピン15の位置P1を常温で計測する。すなわち、図5に示したように、真空側の搬送室3における基準位置が存在する搬送アーム部33の旋回中心軸RO上に設置した変位センサ39から任意の支持ピン15の側部へレーザ光200を照射し、計測を行う。計測に先立ち、駆動機構19により連結支持板17を上昇させ、支持ピン15が載置台2bの載置面Sに対して所定量突出するようにセットしておく。計測された支持ピン15の位置P1は、制御部70の記憶部73に保存される。なお、ステップS1の計測は、処理チャンバ1bおよび真空側の搬送室3を真空に維持した状態で行うことができる。   FIG. 4 is a flowchart for explaining an outline of the procedure of the substrate transfer position alignment method according to the first embodiment. FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the position of the support pin 15 as a measurement target member is measured using the displacement sensor 39. In the present embodiment, first, in step S1, the position P1 of any of the support pins 15 provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b is measured by the displacement sensor 39 at room temperature. That is, as shown in FIG. 5, the laser beam is transmitted from the displacement sensor 39 installed on the turning center axis RO of the transfer arm portion 33 where the reference position in the transfer chamber 3 on the vacuum side exists to the side portion of the arbitrary support pin 15. 200 is irradiated and measurement is performed. Prior to measurement, the connection support plate 17 is raised by the drive mechanism 19 and set so that the support pin 15 protrudes a predetermined amount with respect to the mounting surface S of the mounting table 2b. The measured position P1 of the support pin 15 is stored in the storage unit 73 of the control unit 70. Note that the measurement in step S1 can be performed in a state where the processing chamber 1b and the transfer chamber 3 on the vacuum side are maintained in vacuum.

次に、ステップS2では、載置台2bの抵抗加熱ヒーター13へ給電し、処理チャンバ1bで現実に行われる予定のプロセスに対応した温度条件まで載置台2bを昇温する。   Next, in step S2, power is supplied to the resistance heater 13 of the mounting table 2b, and the mounting table 2b is heated to a temperature condition corresponding to a process that is actually performed in the processing chamber 1b.

次に、ステップS3では、ステップS2で載置台2bが設定温度まで加熱された状態において、搬送アーム部33の旋回中心軸RO上に配備された変位センサ39によって再び支持ピン15(ステップS1で計測対象となったもの)の位置P2を計測する。なお、このステップS3の計測は、処理チャンバ1bおよび真空側の搬送室3を真空に維持した状態で行うことができる。計測された位置P2は、制御部70の記憶部73に保存される。   Next, in step S3, in the state where the mounting table 2b is heated to the set temperature in step S2, the support pin 15 (measured in step S1) is again measured by the displacement sensor 39 provided on the turning center axis RO of the transfer arm unit 33. The position P2 of the target) is measured. The measurement in step S3 can be performed in a state where the processing chamber 1b and the transfer chamber 3 on the vacuum side are maintained in vacuum. The measured position P2 is stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS4では、制御部70のコントロ−ラ71において、ステップS1で測定された支持ピン15の位置P1とステップS3で測定された位置P2に基づき、常温状態の支持ピン15の位置に対する加熱状態の支持ピン15の位置の変位量Dを算出する。この変位量Dは、制御部70の記憶部73に保存される。   Next, in step S4, the controller 71 of the controller 70 determines the position of the support pin 15 in the normal temperature state based on the position P1 of the support pin 15 measured in step S1 and the position P2 measured in step S3. A displacement amount D of the position of the support pin 15 in a heated state is calculated. This displacement amount D is stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS5では、変位量Dに基づき、別途ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を補正する。この工程では、コントローラ71が、記憶部73に保存された変位量Dと、載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)とを読み出し、これらをもとに演算処理して新たな位置座標を算出する。変位量Dは、熱膨張により生じた支持ピン15のx方向等への位置のずれを示している。一方、計測対象となった支持ピン15と、載置台2bの中心Oとの位置関係は、設計値によって決まっている。従って、支持ピン15の変位量Dが明らかになれば、載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)を、熱膨張により載置台2bの中心Oが位置ずれして生じた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)に修正することができる。例えば単純なモデルでは、熱膨張によって支持ピン15がx方向に距離α1だけ位置ずれしたと仮定した場合、変位センサ39によってこのα1が変位量として計測される。従って、加熱状態での載置台2bの中心Oのx座標は、x=x+α1となる。なお、上記場合には、y=y、z=z、θ=θである。また、熱膨張による位置ずれは、主にx方向に生じることが経験的にわかっているので、ステップS4で変位量Dをx方向についてだけ算出するようにしてもよい。 Next, in step S5, based on the displacement amount D, the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined separately by teaching are corrected. In this step, the controller 71 reads the displacement amount D stored in the storage unit 73 and the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b, and these are also stored. And calculating new position coordinates. The displacement amount D indicates a displacement of the position of the support pin 15 in the x direction or the like caused by thermal expansion. On the other hand, the positional relationship between the support pin 15 to be measured and the center O of the mounting table 2b is determined by the design value. Therefore, when the displacement amount D of the support pin 15 is clarified, the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b are converted into the center O of the mounting table 2b by thermal expansion. It can be corrected to the position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the heating state generated by the position shift. For example, in a simple model, when it is assumed that the support pin 15 is displaced by a distance α1 in the x direction due to thermal expansion, the displacement sensor 39 measures α1 as a displacement amount. Accordingly, the x coordinate of the center O of the mounting table 2b in the heated state is x 3 = x 2 + α1. In the above case, y 3 = y 2 , z 3 = z 2 , θ 3 = θ 2 . Further, since it is empirically known that the positional shift due to thermal expansion mainly occurs in the x direction, the displacement amount D may be calculated only in the x direction in step S4.

以上のように、本実施の形態の基板搬送位置の位置合わせ方法は、位置計測手段としての変位センサ39を用い、載置台2bが常温の状態と、載置台2bが加熱された状態でそれぞれ支持ピン15の位置計測を行う工程(ステップS1、S3)、各計測結果に基づき、常温状態の載置台2bの中心Oに対する加熱状態の載置台2bの中心Oの変位量Dを演算する工程(ステップS4)、この変位量Dに基づき制御部70に記憶された載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)を、加熱状態における正確な位置座標(x,y,z,θ)に補正する工程(ステップS5)を有する構成とした。 As described above, the substrate transport position alignment method according to the present embodiment uses the displacement sensor 39 as the position measurement means, and supports the mounting table 2b in the normal temperature state and the mounting table 2b in the heated state. A step of measuring the position of the pin 15 (steps S1 and S3), and a step of calculating a displacement D of the center O of the mounting table 2b in a heated state with respect to the center O of the mounting table 2b in a normal temperature state (steps S1 and S3) S4), based on the displacement D, the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b stored in the control unit 70 are converted into the accurate position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ).

上記ステップS1〜ステップS5の手順で得られた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)は、常温で行われるティーチング位置座標(x,y,z,θ)に比べて、処理チャンバ1b内で現実に行われるプロセス温度条件での載置台2bの中心Oの位置を正確に表している。従って、現実の搬送において、搬送装置31の搬送アーム部33によるウエハWの搬送動作例えばフォーク35から載置台2bへのウエハWの受け渡し動作や、載置台2bからフォーク35へのウエハWの受け取り動作を、より高い信頼性をもって実施できる、という効果を奏する。 The position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the heating state obtained by the steps S1 to S5 are the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , Compared with θ 2 ), the position of the center O of the mounting table 2b under the process temperature condition actually performed in the processing chamber 1b is accurately represented. Accordingly, in the actual transfer, the transfer operation of the wafer W by the transfer arm unit 33 of the transfer device 31, for example, the transfer operation of the wafer W from the fork 35 to the mounting table 2b, or the receiving operation of the wafer W from the mounting table 2b to the fork 35 is performed. Can be implemented with higher reliability.

また、変位センサ39による支持ピン15の位置計測は、真空側の搬送室3および処理チャンバ1bを真空にした状態で短時間に行うことができる。このため、処理チャンバ1bで行われる成膜やエッチングなどの処理に先立ち、本実施の形態の基板搬送位置の位置合わせ方法を実施することにより、簡易に位置合わせができる。従って、処理内容によって様々な温度条件が採用される場合でも、個々の処理条件に応じて、処理チャンバ1b内で行われる処理の精度を向上させることができる、という効果を奏する。   Further, the position measurement of the support pin 15 by the displacement sensor 39 can be performed in a short time in a state where the vacuum-side transfer chamber 3 and the processing chamber 1b are evacuated. For this reason, prior to processing such as film formation and etching performed in the processing chamber 1b, the alignment can be easily performed by performing the substrate transfer position alignment method of the present embodiment. Therefore, even when various temperature conditions are adopted depending on the processing contents, there is an effect that the accuracy of the processing performed in the processing chamber 1b can be improved according to the individual processing conditions.

本実施の形態では、変位センサ39として、支持ピン15の側面に対して斜め上方からレーザ光を照射して位置を測定することが可能なものを使用することが好ましい。このような変位センサ39としては、株式会社キーエンス製レーザ変位センサLK−Gシリーズ(商品名)などを用いることができる。なお、図示は省略するが、真空側の搬送室3内に、変位センサ39によるレーザ光を屈折させる屈折手段として例えば円錐状鏡面やプリズムなどを設けて、支持ピン15へのレーザ光の照射角度を調節することもできる。   In the present embodiment, it is preferable to use a displacement sensor 39 that can measure the position by irradiating the side surface of the support pin 15 with laser light obliquely from above. As such a displacement sensor 39, a laser displacement sensor LK-G series (trade name) manufactured by Keyence Corporation can be used. Although not shown, for example, a conical mirror surface or a prism is provided in the transfer chamber 3 on the vacuum side as a refracting means for refracting the laser beam by the displacement sensor 39, and the irradiation angle of the laser beam to the support pin 15 is provided. Can also be adjusted.

また、本実施の形態では、通常は円柱状(棒状)である支持ピン15の水平断面形状を、例えば図6に示したようにD字形に加工し、側部に平坦な反射面16を形成しておくことが好ましい。支持ピン15の側部に平坦な反射面16を形成しておくことにより、変位センサ39から照射されたレーザ光の拡散を抑え、測定精度を向上させることができる。   Further, in the present embodiment, the horizontal cross-sectional shape of the support pin 15 that is generally cylindrical (bar-shaped) is processed into a D shape as shown in FIG. 6, for example, and a flat reflecting surface 16 is formed on the side. It is preferable to keep it. By forming the flat reflecting surface 16 on the side portion of the support pin 15, the diffusion of the laser light emitted from the displacement sensor 39 can be suppressed and the measurement accuracy can be improved.

[第2の実施の形態]
次に、図7を参照しながら、本発明の第2の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。図7は、本実施の形態において、変位センサ39を利用して載置台2bの支持ピン15を計測する際の計測位置を示す説明図である。第1の実施の形態では、載置台2bの任意の1本の支持ピン15を計測対象としたが、本実施形態では、3本の支持ピン15について、それぞれ別個に計測対象とした。なお、説明の便宜上、図7では、3本の支持ピンをそれぞれ符号15a、15b、15cと区別して記載した。
[Second Embodiment]
Next, a substrate transfer position alignment method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a measurement position when measuring the support pin 15 of the mounting table 2b using the displacement sensor 39 in the present embodiment. In the first embodiment, any one support pin 15 of the mounting table 2b is set as a measurement target. However, in this embodiment, the three support pins 15 are set as measurement targets separately. For convenience of explanation, in FIG. 7, the three support pins are shown separately from the reference numerals 15a, 15b, and 15c.

本実施の形態では、真空側の搬送室3における基準位置が存在する搬送アーム部33の旋回中心軸RO上の計測位置Aと、この計測位置Aを基準にして、レーザの照射方向に対して直交するy方向に所定距離(±Ly)だけスライド移動させた計測位置A1,A2を変位センサ39による計測位置とする。つまり、変位センサ39をスライド移動させて、計測位置A、A1,A2の各位置から処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15a,15b,15cの位置を計測する。旋回中心軸RO上の計測位置Aに対する計測位置A1,A2のy方向の距離(±Ly)は、それぞれ支持ピン15aに対する支持ピン15b,15cのy方向の距離に等しくなるように設定する。なお、支持ピン15aに対する支持ピン15b,15cのy方向の距離は設計値から求めることができる。搬送アーム部33の旋回中心軸RO上には、真空側の搬送室3において絶対座標が定められている基準位置が存在する。従って、同じ旋回中心軸RO上に存在する計測位置Aを基準にすれば、計測位置A1,A2の位置座標も確定できる。   In the present embodiment, the measurement position A on the turning center axis RO of the transfer arm unit 33 where the reference position in the transfer chamber 3 on the vacuum side exists, and the laser irradiation direction with reference to the measurement position A Measurement positions A1 and A2 slid by a predetermined distance (± Ly) in the orthogonal y direction are set as measurement positions by the displacement sensor 39. That is, the displacement sensor 39 is slid to measure the positions of the support pins 15a, 15b, and 15c provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b from the measurement positions A, A1, and A2. The distances (± Ly) in the y direction of the measurement positions A1, A2 with respect to the measurement position A on the turning center axis RO are set to be equal to the distances in the y direction of the support pins 15b, 15c with respect to the support pin 15a, respectively. The distance in the y direction of the support pins 15b and 15c relative to the support pin 15a can be obtained from the design value. On the turning center axis RO of the transfer arm unit 33, there is a reference position for which absolute coordinates are determined in the transfer chamber 3 on the vacuum side. Therefore, if the measurement position A existing on the same turning center axis RO is used as a reference, the position coordinates of the measurement positions A1 and A2 can be determined.

各支持ピン15a、15b、15cに対して、第1の実施の形態のステップS1〜ステップS4の手順(図4)に従い、それぞれ常温状態と加熱状態での位置の測定を行う。各工程の内容については、第1の実施の形態と重複するので説明を省略する。そして、各支持ピン15a,15b,15cについて、常温状態で計測された位置P1に対する加熱状態で計測された位置P2から、それぞれ変位量D,D、Dを算出する。 For each of the support pins 15a, 15b, and 15c, the positions in the normal temperature state and the heated state are measured according to the procedure of Step S1 to Step S4 (FIG. 4) of the first embodiment. About the content of each process, since it overlaps with 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted. Each support pin 15a, 15b, for 15c, the position P2 measured in a heated state with respect to the position P1 measured by the room temperature condition, respectively displacement D a, D b, calculates the D c.

そして、変位量D,D、Dに基づき、別途ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を補正する。各変位量D,D、Dは、熱膨張により生じた支持ピン15a,15b,15cのx方向等への位置のずれを示している。計測対象となった各支持ピン15a,15b,15cと、載置台2bの中心Oとの位置関係は設計値によって決まっているから、各変位量D,D、Dに基づき、第1の実施の形態におけるステップS5と同様にコントローラ71で演算処理できる。このようにして、ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を変更し、載置台2bの中心Oが熱膨張により位置ずれして生じた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)に修正することが可能である。 Then, based on the displacement amounts D a , D b , and D c , the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined separately by teaching are corrected. Each displacement amount D a , D b , D c indicates a positional shift in the x direction or the like of the support pins 15a, 15b, 15c caused by thermal expansion. Since the positional relationship between each of the support pins 15a, 15b, and 15c to be measured and the center O of the mounting table 2b is determined by a design value, the first is based on the displacements D a , D b , and D c . Similar to step S5 in the embodiment, the controller 71 can perform arithmetic processing. In this way, the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined by teaching are changed, and the center O of the mounting table 2b is displaced due to thermal expansion. It is possible to correct the position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the generated heating state.

本実施形態では、3本の支持ピン15a,15b,15cについて、それぞれ変位センサ39による計測を行うため、高精度に加熱時の載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を算出することができる。なお、支持ピン15b,15cについては、変位センサ39を、旋回中心軸RO上の計測位置Aから所定距離(±L)にある計測位置A1,A2までスライド移動させて計測することにより、正確な位置の計測が可能になる。 In the present embodiment, since the three support pins 15a, 15b, and 15c are measured by the displacement sensor 39, the position coordinates (x 3 , y 3 , z) of the center O of the mounting table 2b at the time of heating are accurately measured. 3 , θ 3 ) can be calculated. The support pins 15b and 15c are accurately measured by sliding the displacement sensor 39 from the measurement position A on the turning center axis RO to the measurement positions A1 and A2 at a predetermined distance (± L y ). It is possible to measure various positions.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。また、第1の実施の形態と同様に、断面形状がD字形の支持ピン15を使用することも可能である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, similarly to the first embodiment, it is also possible to use the support pin 15 having a D-shaped cross section.

[第3の実施の形態]
次に、図8および図9を参照しながら、本発明の第3の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。図8は、本実施の形態で用いられる載置台2bの平面図であり、図9は載置台2bの要部断面図である。本実施形態では、支持ピン15に代えて、載置台2bの中央部に計測対象部材としての反射板(位置計測用部材)111を設けた。
[Third Embodiment]
Next, a substrate transfer position alignment method according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view of the mounting table 2b used in the present embodiment, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the main part of the mounting table 2b. In this embodiment, instead of the support pins 15, a reflection plate (position measurement member) 111 as a measurement target member is provided at the center of the mounting table 2 b.

反射板111は、水平断面が矩形をなし、側部に平坦な反射面111aを備えた板状部材である。反射板111は、例えば図示しない駆動機構により支持ピン15と同期して載置台2bの載置面Sに対して突没可能に設けられている。反射板111は平坦な反射面111aを有しているため、変位センサ39から照射されたレーザ光の拡散を抑え、測定精度を向上させることができる。本実施の形態では、反射板111を載置台2bの中央部に設け、その位置座標を載置台2bの中心の位置座標と略一致させることにより、ティーチング位置の補正が容易になる。なお、反射板111を設ける位置は、設計値から位置座標が把握できる位置であれば、載置台2bの中央部に限らない。   The reflecting plate 111 is a plate-like member having a rectangular horizontal cross section and a flat reflecting surface 111a on the side. The reflecting plate 111 is provided so as to be able to project and retract with respect to the mounting surface S of the mounting table 2b in synchronization with the support pin 15 by a driving mechanism (not shown), for example. Since the reflecting plate 111 has a flat reflecting surface 111a, it is possible to suppress the diffusion of the laser light emitted from the displacement sensor 39 and improve the measurement accuracy. In the present embodiment, the reflecting plate 111 is provided at the center of the mounting table 2b, and the position coordinates thereof are substantially matched with the position coordinates of the center of the mounting table 2b, thereby facilitating correction of the teaching position. The position where the reflecting plate 111 is provided is not limited to the central portion of the mounting table 2b as long as the position coordinates can be grasped from the design value.

本実施の形態では、支持ピン15に代えて反射板111を計測対象部材として位置計測を行う以外は、第1の実施の形態におけるステップS1からステップS5(図4参照)と同様に実施できるので、説明を省略する。   In the present embodiment, it can be carried out in the same manner as steps S1 to S5 (see FIG. 4) in the first embodiment, except that the position measurement is performed using the reflector 111 as a measurement target member instead of the support pin 15. The description is omitted.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

[第4の実施の形態]
次に、図10および図11を参照しながら、本発明の第4の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。図10は、本実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順の概略を説明するフロー図である。図11は、本実施の形態において、変位センサ39を利用して載置台2bの支持ピン15を計測する際の計測位置を示す説明図である。第1の実施の形態では、載置台2bの支持ピン15の位置を計測したが、本実施形態では、真空側の搬送室3における基準位置がある搬送アーム部33の旋回中心軸RO上の計測位置Aから、いずれかの支持ピン15(図11では支持ピン15a)までの距離を計測する。
[Fourth Embodiment]
Next, a substrate transfer position alignment method according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. 10 is a flowchart for explaining the outline of the procedure of the substrate transfer position alignment method according to the present embodiment. FIG. 11 is an explanatory diagram showing a measurement position when measuring the support pin 15 of the mounting table 2b using the displacement sensor 39 in the present embodiment. In the first embodiment, the position of the support pin 15 of the mounting table 2b is measured. In the present embodiment, the measurement on the turning center axis RO of the transfer arm unit 33 having the reference position in the transfer chamber 3 on the vacuum side is performed. A distance from the position A to any one of the support pins 15 (support pin 15a in FIG. 11) is measured.

本実施の形態では、まずステップS11において、常温で、搬送アーム部33の旋回中心軸RO上の計測位置Aから変位センサ39によりレーザ光を照射し、計測位置Aの真下(旋回中心軸RO上)から処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15aまでの水平距離L1を計測する。なお、計測に先立ち、駆動機構19により連結支持板17を上昇させ、支持ピン15aが載置台2bの載置面Sに対して所定量突出するようにセットしておく。変位センサ39は、直接的には真空側の搬送室3の上方の計測位置A(変位センサ39の照射位置)から支持ピン15aの反射部位までの傾斜した光路の距離を計測するので、照射角度をもとに水平距離L1を算出する。計測された水平距離L1は、制御部70の記憶部73に保存される。   In the present embodiment, first, in step S11, laser light is irradiated from the measurement position A on the turning center axis RO of the transfer arm unit 33 by the displacement sensor 39 at room temperature, and directly below the measuring position A (on the turning center axis RO). ) To a support pin 15a provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b. Prior to the measurement, the connection support plate 17 is raised by the drive mechanism 19 and set so that the support pin 15a protrudes from the mounting surface S of the mounting table 2b by a predetermined amount. The displacement sensor 39 directly measures the distance of the inclined optical path from the measurement position A (irradiation position of the displacement sensor 39) above the transfer chamber 3 on the vacuum side to the reflection portion of the support pin 15a. Based on the above, the horizontal distance L1 is calculated. The measured horizontal distance L1 is stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS12では、載置台2bの抵抗加熱ヒーター13へ給電し、処理チャンバ1bで現実に行われる予定のプロセスに対応した温度条件まで載置台2bを昇温する。   Next, in step S12, power is supplied to the resistance heater 13 of the mounting table 2b, and the mounting table 2b is heated to a temperature condition corresponding to a process that is actually performed in the processing chamber 1b.

次に、ステップS13では、ステップS12で載置台2bが設定温度まで加熱された状態において、変位センサ39を使用して、再び計測位置Aの真下から処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15aまでの水平距離L2を計測する。このステップS13の計測は真空条件で行うことができる。計測された水平距離L2は、制御部70の記憶部73に保存される。   Next, in step S13, in the state where the mounting table 2b is heated to the set temperature in step S12, the support provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b again from directly below the measurement position A using the displacement sensor 39. The horizontal distance L2 to the pin 15a is measured. The measurement in step S13 can be performed under vacuum conditions. The measured horizontal distance L2 is stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS14では、制御部70のコントローラ71において、ステップS11で測定された水平距離L1とステップS13で測定された水平距離L2の差分L2−L1を算出する。この差分L2−L1は、制御部70の記憶部73に保存される。   Next, in step S14, the controller 71 of the control unit 70 calculates a difference L2-L1 between the horizontal distance L1 measured in step S11 and the horizontal distance L2 measured in step S13. The difference L2−L1 is stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS15では、差分L2−L1に基づき、別途ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を補正する。この工程では、コントローラ71が、記憶部73に保存された差分L2−L1と、載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)と、を読み出し、これらをもとに演算処理して新たな位置座標を算出する。差分L2−L1は、熱膨張により生じた支持ピン15aの位置のずれ(つまり、変位量)に他ならない。一方、計測対象となった支持ピン15aと、載置台2bの中心Oとの位置関係は、設計値によって決まっている。従って、差分L2−L1に基づき、載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)を、熱膨張により載置台2bの中心Oが位置ずれして生じた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)に修正することが可能である。例えば単純なモデルでは、熱膨張によって支持ピン15がx方向に距離α2だけ位置ずれしたと仮定した場合、熱膨張により生じた差分L2−L1=α2であり、加熱状態での載置台2bの中心Oのx座標は、x=x+α2となる。なお、上記場合には、y=y、z=z、θ=θである。なお、本実施の形態では、熱膨張による位置ずれの多くが、主にx方向に生じることを前提にしている。 Next, in step S15, based on the difference L2-L1, the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined separately by teaching are corrected. In this step, the controller 71 reads out the difference L2-L1 stored in the storage unit 73 and the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b, and these Based on the above, a new position coordinate is calculated. The difference L2−L1 is nothing but the displacement of the position of the support pin 15a caused by thermal expansion (that is, the amount of displacement). On the other hand, the positional relationship between the support pin 15a to be measured and the center O of the mounting table 2b is determined by the design value. Therefore, based on the difference L2−L1, the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b are generated due to the displacement of the center O of the mounting table 2b due to thermal expansion. It is possible to correct the position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the heating state. For example, in a simple model, when it is assumed that the support pin 15 is displaced by a distance α2 in the x direction due to thermal expansion, the difference L2−L1 = α2 caused by thermal expansion is obtained, and the center of the mounting table 2b in the heated state The x coordinate of O is x 3 = x 2 + α2. In the above case, y 3 = y 2 , z 3 = z 2 , θ 3 = θ 2 . In the present embodiment, it is assumed that most of the displacement due to thermal expansion occurs mainly in the x direction.

以上のように、本実施の形態の基板搬送位置の位置合わせ方法は、距離計測手段としての変位センサ39を用い、載置台2bが常温の状態と、載置台2bが加熱された状態でそれぞれ支持ピン15までの水平距離L1,L2の計測を行う工程(ステップS11、S13)、各計測結果に基づき、加熱状態の水平距離L2と常温状態の水平距離L1との差分L2−L1を演算する工程(ステップS14)、この差分L2−L1に基づき制御部70に記憶された載置台2bの中心Oのティーチング位置座標(x,y,z,θ)を、加熱状態におけるより正確な位置座標(x,y,z,θ)に補正する工程(ステップS15)を有する構成とした。 As described above, the substrate transfer position alignment method according to the present embodiment uses the displacement sensor 39 as a distance measuring unit, and supports the mounting table 2b at a normal temperature and the mounting table 2b heated. A step of measuring the horizontal distances L1 and L2 to the pin 15 (steps S11 and S13), and a step of calculating a difference L2-L1 between the horizontal distance L2 in the heated state and the horizontal distance L1 in the normal temperature state based on each measurement result. (Step S14), the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b stored in the control unit 70 based on the difference L2−L1 are more accurate in the heating state. position coordinates (x 3, y 3, z 3, θ 3) has a configuration having a step of correcting (step S15).

上記ステップS11〜ステップS15の手順で得られた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)は、ティーチング位置座標(x,y,z,θ)に比べて、処理チャンバ1b内で現実に行われるプロセスの温度条件での載置台2bの中心Oの位置を正確に表している。従って、搬送装置31の搬送アーム部33によるウエハWの搬送動作例えばフォーク35から載置台2bへのウエハWの受け渡し動作や、載置台2bからフォーク35へのウエハWの受け取り動作を、より高い信頼性をもって実施できる、という効果を奏する。 The position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the heating state obtained by the procedure of steps S11 to S15 are the teaching position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ). In comparison, the position of the center O of the mounting table 2b under the temperature conditions of the process actually performed in the processing chamber 1b is accurately represented. Accordingly, the transfer operation of the wafer W by the transfer arm unit 33 of the transfer device 31, for example, the transfer operation of the wafer W from the fork 35 to the mounting table 2 b and the receiving operation of the wafer W from the mounting table 2 b to the fork 35 have higher reliability. There is an effect that it can be carried out with sex.

また、変位センサ39による支持ピン15までの距離計測は、真空側の搬送室3および処理チャンバ1bを真空にした状態で短時間に行うことができる。従って、処理チャンバ1bで行われる成膜やエッチングなどの処理に先立ち、本実施の形態の基板搬送位置の位置合わせ方法を実施することにより、処理チャンバ1b内で行われる処理の精度を向上させることができる、という効果を奏する。   Moreover, the distance measurement to the support pin 15 by the displacement sensor 39 can be performed in a short time in a state where the vacuum-side transfer chamber 3 and the processing chamber 1b are evacuated. Accordingly, prior to the processing such as film formation and etching performed in the processing chamber 1b, the accuracy of the processing performed in the processing chamber 1b is improved by performing the substrate transfer position alignment method of the present embodiment. There is an effect that can be.

本実施の形態で使用する変位センサ39は、計測位置から支持ピン15までの距離を高精度に計測することが可能である。このような変位センサ39としては、レーザーフォーカス方式を採用したものが好ましく、例えば株式会社キーエンス製ブルーレーザーフォーカス型変位センサLT−9500Vシリーズ(商品名)などを用いることができる。   The displacement sensor 39 used in the present embodiment can measure the distance from the measurement position to the support pin 15 with high accuracy. Such a displacement sensor 39 preferably employs a laser focus method, for example, a blue laser focus displacement sensor LT-9500V series (trade name) manufactured by Keyence Corporation.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。また、第1の実施の形態と同様に、断面形状がD字形の支持ピンを使用することも可能であるし、第2の実施の形態と同様に3本の支持ピン15a,15b,15cについて、それぞれ距離の差分を求めてもよい。さらに、第3の実施の形態と同様に支持ピン15に代えて反射板111を計測対象部材として距離を計測することも可能である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment. Further, as in the first embodiment, it is possible to use a support pin having a D-shaped cross section, and the three support pins 15a, 15b, and 15c as in the second embodiment. The difference in distance may be obtained. Further, as in the third embodiment, it is also possible to measure the distance using the reflecting plate 111 as a measurement target member instead of the support pin 15.

[第5の実施の形態]
次に、図12および図13を参照しながら、本発明の第5の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。図12は、本実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順の概略を説明するフロー図である。図13は、本実施の形態において、変位センサ39を利用して載置台2bの支持ピン15を計測する際の計測位置を示す説明図である。第4の実施の形態では、載置台2bの任意の1本の支持ピン15を計測対象として距離を求めたが、本実施形態では、3本の支持ピン15a、15b、15cについて、それぞれ別個に計測対象とした。
[Fifth Embodiment]
Next, a substrate transfer position alignment method according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a flowchart for explaining the outline of the procedure of the substrate transfer position alignment method according to the present embodiment. FIG. 13 is an explanatory diagram showing a measurement position when measuring the support pin 15 of the mounting table 2b using the displacement sensor 39 in the present embodiment. In the fourth embodiment, the distance is determined by measuring any one support pin 15 of the mounting table 2b as a measurement target. However, in this embodiment, the three support pins 15a, 15b, and 15c are separately provided. Measurement target.

本実施の形態では、変位センサ39を用い、搬送アーム部33の旋回中心軸RO上の計測位置Aと、この計測位置Aから、レーザの照射方向に対して直交するy方向に所定量スライド移動させた計測位置A1,A2から、それぞれ処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15a,15b,15cまでの距離を計測する。計測位置Aに対する計測位置A1,A2のy方向の距離L,Lは、それぞれ支持ピン15aに対する支持ピン15b,15cのy方向の距離に等しくなるように設定する。支持ピン15aに対する支持ピン15b,15cのy方向の距離は設計値から求めることができる。搬送アーム部33の旋回中心軸RO上には、真空側の搬送室3において絶対座標が定められている基準位置が存在する。従って、同じ旋回中心軸RO上に存在する計測位置Aを基準にすれば、計測位置A1,A2の位置座標も確定できる。 In the present embodiment, the displacement sensor 39 is used to slide the measurement position A on the turning center axis RO of the transport arm 33 and a predetermined amount of slide movement from the measurement position A in the y direction perpendicular to the laser irradiation direction. The distances from the measured positions A1 and A2 to the support pins 15a, 15b and 15c provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b are measured. The distances L y and L y in the y direction of the measurement positions A1 and A2 with respect to the measurement position A are set to be equal to the distances in the y direction of the support pins 15b and 15c with respect to the support pin 15a, respectively. The distance in the y direction of the support pins 15b and 15c with respect to the support pin 15a can be obtained from the design value. On the turning center axis RO of the transfer arm unit 33, there is a reference position for which absolute coordinates are determined in the transfer chamber 3 on the vacuum side. Therefore, if the measurement position A existing on the same turning center axis RO is used as a reference, the position coordinates of the measurement positions A1 and A2 can be determined.

本実施の形態では、常温での支持ピン15a,15b,15cまでの距離の計測は行わない。まず、ステップS21では、載置台2bの抵抗加熱ヒーター13へ給電し、処理チャンバ1bで現実に行われる予定のプロセスに対応した温度条件まで載置台2bを昇温する。   In the present embodiment, the distance to the support pins 15a, 15b, 15c at normal temperature is not measured. First, in step S21, power is supplied to the resistance heater 13 of the mounting table 2b, and the mounting table 2b is heated to a temperature condition corresponding to a process that is actually performed in the processing chamber 1b.

次に、ステップS22では、ステップS21で載置台2bが加熱された状態において、変位センサ39を使用して、計測位置A,A1,A2の真下から、それぞれ処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15a,15b,15cまでの水平距離Lxa,Lxb,Lxcを計測する。変位センサ39は、直接的には真空側の搬送室3の上方の計測位置A,A1,A2(変位センサ39の照射位置)から支持ピン15aの反射部位までの傾斜した光路の距離を計測するので、照射角度をもとに各水平距離Lxa,Lxb,Lxcを算出する。このステップS22の計測は真空条件で行うことができる。支持ピン15a,15b,15cについてそれぞれ計測された水平距離Lxa,Lxb,Lxcは、制御部70の記憶部73に保存される。 Next, in step S22, while the mounting table 2b is heated in step S21, the displacement sensor 39 is used to provide the mounting table 2b of the processing chamber 1b from directly below the measurement positions A, A1, A2. The horizontal distances L xa , L xb , and L xc to the support pins 15a, 15b, and 15c are measured. The displacement sensor 39 directly measures the distance of the inclined optical path from the measurement positions A, A1, A2 (irradiation position of the displacement sensor 39) above the vacuum-side transfer chamber 3 to the reflection portion of the support pin 15a. Therefore, the horizontal distances L xa , L xb , and L xc are calculated based on the irradiation angle. The measurement in step S22 can be performed under vacuum conditions. The horizontal distances L xa , L xb and L xc measured for the support pins 15 a, 15 b and 15 c are stored in the storage unit 73 of the control unit 70.

次に、ステップS23では、支持ピン15a,15b,15cについてそれぞれ計測された水平距離Lxa,Lxb,Lxcに基づき、加熱状態の載置台2bの中心の位置座標を算出する。計測対象となった各支持ピン15a,15b,15cと、載置台2bの中心Oとの位置関係は設計値によって決まっている。例えば、本実施の形態では、載置台2bの各支持ピン15a,15b,15cを結ぶ三角形の中心と載置台2bの中心Oが一致するように設計されている。従って、位置座標が確定している計測位置A,A1,A2から、各支持ピン15a,15b,15cまでの水平距離Lxa,Lxb,Lxcが明らかになれば、加熱状態での載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を決定できる。 Next, in step S23, based on the horizontal distances L xa , L xb , and L xc measured for the support pins 15a, 15b, and 15c, the position coordinates of the center of the heated mounting table 2b are calculated. The positional relationship between each of the support pins 15a, 15b, and 15c to be measured and the center O of the mounting table 2b is determined by a design value. For example, in the present embodiment, the center of the triangle connecting the support pins 15a, 15b, and 15c of the mounting table 2b is designed to coincide with the center O of the mounting table 2b. Therefore, if the horizontal distances L xa , L xb , L xc from the measurement positions A, A1, A2 where the position coordinates are determined to the support pins 15a, 15b, 15c are clarified, the mounting table in the heated state The position coordinates (x 4 , y 4 , z 4 , θ 4 ) of the center O of 2b can be determined.

そして、ステップS24では、上記ステップS21〜S23で決定された加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)を載置台2bの中心Oの位置座標として設定する。すなわち、加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)を制御部70の記憶部73に搬送レシピの一部として保存し、この位置座標に基づいて載置台2bに対する搬送アーム部33の搬送制御が行われるようにする。 In step S24, the position coordinates (x 4 , y 4 , z 4 , θ 4 ) in the heating state determined in steps S21 to S23 are set as the position coordinates of the center O of the mounting table 2b. That is, the position coordinates (x 4 , y 4 , z 4 , θ 4 ) in the heating state are stored in the storage unit 73 of the control unit 70 as a part of the transfer recipe, and the transfer to the mounting table 2b based on the position coordinates. The conveyance control of the arm unit 33 is performed.

本実施形態では、変位センサ39を用い、3本の支持ピン15a,15b,15cについて、それぞれ距離を計測して直接載置台2bの中心Oの位置座標を設定(自動ティーチング)することにより、搬送装置31の搬送アーム部33に対する手動でのティーチングが不要になる。手動でのティーチングは、処理チャンバ1bの載置台2bおよび真空側の搬送室3を常温に戻し、大気圧に開放して行う必要がある。本実施の形態では手動でのティーチングが不要になるため、ティーチングに要する時間を大幅に短縮できる。   In this embodiment, the displacement sensor 39 is used to measure the distance of each of the three support pins 15a, 15b, and 15c and set the position coordinates of the center O of the mounting table 2b directly (automatic teaching), thereby conveying Manual teaching on the transfer arm unit 33 of the apparatus 31 is not necessary. Manual teaching needs to be performed by returning the mounting table 2b of the processing chamber 1b and the transfer chamber 3 on the vacuum side to room temperature and opening them to atmospheric pressure. In the present embodiment, manual teaching is not necessary, so that the time required for teaching can be greatly reduced.

また、本実施の形態では、現実に行われる予定のプロセス温度で載置台2bの中心Oの位置を計測できるので、熱膨張を考慮した補正を行う必要がなく、高い精度で搬送位置の位置合わせを行うことができる。   Further, in this embodiment, since the position of the center O of the mounting table 2b can be measured at a process temperature that is actually performed, it is not necessary to perform correction in consideration of thermal expansion, and the conveyance position is aligned with high accuracy. It can be performed.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第4の実施の形態と同様である。また、第1の実施の形態と同様に、断面形状がD字形の支持ピンを使用することも可能である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the fourth embodiment. Further, similarly to the first embodiment, a support pin having a D-shaped cross section can be used.

[第6の実施の形態]
次に、図14を参照しながら、本発明の第6の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法について説明する。図14は、本実施の形態において、変位センサ39を利用して載置台2bの支持ピン15を計測する際の計測位置を示す説明図である。第1の実施の形態では、載置台2bの任意の1本の支持ピン15を計測対象としたが、本実施形態では、変位センサ39として二次元レーザ方式の変位センサを用いることにより、3本の支持ピン15を同時に計測対象とした。なお、説明の便宜上、図14では、3本の支持ピンをそれぞれ符号15a、15b、15cと区別して記載した。
[Sixth Embodiment]
Next, a substrate transfer position alignment method according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram showing the measurement position when measuring the support pin 15 of the mounting table 2b using the displacement sensor 39 in the present embodiment. In the first embodiment, an arbitrary one support pin 15 of the mounting table 2b is set as a measurement target. However, in this embodiment, a three-dimensional laser type displacement sensor is used as the displacement sensor 39. The support pins 15 were simultaneously measured. For convenience of explanation, in FIG. 14, the three support pins are shown separately from reference numerals 15a, 15b, and 15c.

本実施の形態では、真空側の搬送室3における基準位置が存在する搬送アーム部33の旋回中心軸RO上の計測位置Aから、処理チャンバ1bの載置台2bに設けられた支持ピン15a,15b,15cへ向けて放射状(扇状)に二次元レーザ光を照射することにより、各支持ピン15a,15b,15cの位置を同時に計測する。   In the present embodiment, the support pins 15a and 15b provided on the mounting table 2b of the processing chamber 1b from the measurement position A on the turning central axis RO of the transfer arm unit 33 where the reference position in the transfer chamber 3 on the vacuum side exists. , 15c, the positions of the support pins 15a, 15b, 15c are simultaneously measured by irradiating the two-dimensional laser beam radially (fan-shaped).

本実施の形態では、3本の支持ピン15a,15b,15cに対して、3本同時に位置の測定を行う点を除き、各工程の内容については、第1の実施の形態と重複するので説明を省略する。つまり、第1の実施の形態のステップS1〜ステップS4の手順(図4)に従い、常温状態と加熱状態での支持ピン15a,15b,15cの位置を計測すればよい。そして、各支持ピン15a,15b,15cについて、常温状態で計測された位置P1に対する加熱状態で計測された位置P2から、それぞれ変位量D,D、Dを算出する。 In the present embodiment, the contents of each process are the same as those in the first embodiment except that the positions of the three support pins 15a, 15b, and 15c are measured simultaneously. Is omitted. That is, the positions of the support pins 15a, 15b, and 15c in the normal temperature state and the heated state may be measured according to the procedure of Step S1 to Step S4 (FIG. 4) of the first embodiment. Each support pin 15a, 15b, for 15c, the position P2 measured in a heated state with respect to the position P1 measured by the room temperature condition, respectively displacement D a, D b, calculates the D c.

そして、変位量D,D、Dに基づき、別途ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を補正する。各変位量D,D、Dは、熱膨張により生じた支持ピン15a,15b,15cのx方向等への位置のずれを示している。計測対象となった各支持ピン15a,15b,15cと、載置台2bの中心Oとの位置関係は設計値によって決まっているから、各変位量D,D、Dに基づき、第1の実施の形態におけるステップS5と同様にコントローラ71で演算処理できる。このようにして、ティーチングにより決定された載置台2bの中心Oの位置座標(x,y,z,θ)を変更し、載置台2bの中心Oが熱膨張により位置ずれして生じた加熱状態での位置座標(x,y,z,θ)に修正することが可能である。 Then, based on the displacement amounts D a , D b , and D c , the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined separately by teaching are corrected. Each displacement amount D a , D b , D c indicates a positional shift in the x direction or the like of the support pins 15a, 15b, 15c caused by thermal expansion. Since the positional relationship between each of the support pins 15a, 15b, and 15c to be measured and the center O of the mounting table 2b is determined by a design value, the first is based on the displacements D a , D b , and D c . Similar to step S5 in the embodiment, the controller 71 can perform arithmetic processing. In this way, the position coordinates (x 2 , y 2 , z 2 , θ 2 ) of the center O of the mounting table 2b determined by teaching are changed, and the center O of the mounting table 2b is displaced due to thermal expansion. It is possible to correct the position coordinates (x 3 , y 3 , z 3 , θ 3 ) in the generated heating state.

本実施形態では、3本の支持ピン15a,15b,15cについて、二次元レーザ方式の変位センサ39による計測を行うことによって、高精度に同時計測が可能になる。このような変位センサ39としては、株式会社キーエンス製レーザ変位センサLJ−Gシリーズ(商品名)などを用いることができる。   In the present embodiment, the three support pins 15a, 15b, and 15c are measured by the two-dimensional laser type displacement sensor 39, thereby enabling simultaneous measurement with high accuracy. As such a displacement sensor 39, a laser displacement sensor LJ-G series (trade name) manufactured by Keyence Corporation can be used.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。また、第1の実施の形態と同様に、計測対象として断面形状がD字形の支持ピン15を使用することも可能である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment. As in the first embodiment, it is also possible to use a support pin 15 having a D-shaped cross section as a measurement target.

以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、処理チャンバ1bに対する搬送装置31のティーチング位置の補正について説明したが、本発明の基板搬送位置の位置合わせ方法は、搬送装置31と他の処理チャンバ1a、1c,1dに対する搬送装置31のティーチング位置の補正にも適用できる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above embodiment, the correction of the teaching position of the transfer device 31 with respect to the processing chamber 1b has been described. However, the method for aligning the substrate transfer position according to the present invention includes the transfer device 31 and the other processing chambers 1a, 1c, and 1d. This can also be applied to the correction of the teaching position of the transport device 31 with respect to the above.

また、上記実施の形態では、真空側の搬送室に隣接した4つの処理チャンバを備えた基板処理システムを例に挙げて説明したが、本発明の基板搬送位置の位置合わせ方法は、異なる構成のクラスタツールや、単一の処理装置を備えた基板処理システムにも適用可能である。   In the above embodiment, the substrate processing system including four processing chambers adjacent to the vacuum-side transfer chamber has been described as an example. However, the substrate transfer position alignment method of the present invention has a different configuration. The present invention can also be applied to a cluster tool or a substrate processing system provided with a single processing apparatus.

また、本発明の基板搬送位置の位置合わせ方法は、例えば液晶表示装置、有機ELディスプレイ等に用いられる大型のガラス基板やセラミックス基板等を搬送する基板搬送装置にも適用できる。   The substrate transfer position alignment method of the present invention can also be applied to a substrate transfer apparatus that transfers a large glass substrate, a ceramic substrate, or the like used in a liquid crystal display device, an organic EL display, or the like.

基板処理システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a substrate processing system. 基板処理システムの内部構造を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the internal structure of a substrate processing system. 変位センサの概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of a displacement sensor. 第1の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the procedure of the alignment method of the board | substrate conveyance position which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態において変位センサによる計測を行っている状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which is measuring by the displacement sensor in 1st Embodiment. 支持ピンの断面形状を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the cross-sectional shape of a support pin. 第2の実施の形態における計測位置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the measurement position in 2nd Embodiment. 第3の実施の形態で用いられる載置台の平面図である。It is a top view of the mounting base used in 3rd Embodiment. 図8の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of FIG. 第4の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順の概略を説明するフロー図である。It is a flowchart explaining the outline of the procedure of the alignment method of the board | substrate conveyance position which concerns on 4th Embodiment. 第4の実施の形態に係る支持ピンの計測位置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the measurement position of the support pin which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施の形態に係る基板搬送位置の位置合わせ方法の手順の概略を説明するフロー図である。It is a flowchart explaining the outline of the procedure of the alignment method of the board | substrate conveyance position which concerns on 5th Embodiment. 第5の実施の形態に係る支持ピンの計測位置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the measurement position of the support pin which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施の形態に係る支持ピンの計測位置を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the measurement position of the support pin which concerns on 6th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1a,1b,1c,1d…処理チャンバ、2a,2b,2c,2d…載置台、3…搬送室、5a,5b…ロードロック室、6a,6b…載置台、7…ローダーユニット、11…支持部材、13…抵抗加熱ヒーター、15…支持ピン、17…連結支持板、19…駆動機構、21…搬入出口、31…搬送装置、33…搬送アーム部、35…フォーク、37…透過窓、39…変位センサ、51…搬送装置、53…搬送室、55…オリエンタ、57…ガイドレール、59…搬送アーム部、61…フォーク、63…回転板、65…光学センサ、70…制御部、71…コントローラ、72…ユーザーインターフェース、73…記憶部、100…基板処理システム、101…発光素子、103…光位置検出素子、105…演算部、200…レーザ光、201…反射光、CR…ウエハカセット、G1,G2,G3…ゲートバルブ、LP…ロードポート、Sp…スポット、W…半導体ウエハ(基板)   1a, 1b, 1c, 1d ... processing chamber, 2a, 2b, 2c, 2d ... mounting table, 3 ... transfer chamber, 5a, 5b ... load lock chamber, 6a, 6b ... mounting table, 7 ... loader unit, 11 ... support Members 13, resistance heaters 15, support pins, 17, connection support plates, 19 drive mechanisms, 21 carry-in / out ports, 31 transport devices, 33 transport arms, 35 forks, 37 transmission windows, 39 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Displacement sensor 51 ... Conveying device 53 ... Conveying chamber 55 ... Orientor 57 ... Guide rail 59 ... Conveying arm part 61 ... Fork 63 ... Rotating plate 65 ... Optical sensor 70 ... Control part 71 ... Controller, 72 ... User interface, 73 ... Storage section, 100 ... Substrate processing system, 101 ... Light emitting element, 103 ... Optical position detection element, 105 ... Calculation section, 200 ... Laser light, 201 It reflected light, CR ... wafer cassette, G1, G2, G3 ... gate valves, LP ... load port, Sp ... spot, W ... semiconductor wafer (substrate)

Claims (10)

基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と
を備えた基板搬送位置の位置合わせ方法。
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A first measurement step of measuring the position of the measurement target member by the position measurement means in a state where the mounting table is at room temperature;
A second measurement step of measuring the position of the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the position measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
And a step of correcting a position coordinate of the center of the mounting table stored in the control unit based on the amount of displacement.
前記計測位置が、前記基板搬送装置の旋回中心軸上、または該旋回中心軸を基準として前記レーザ光の照射方向に直交する方向に所定の距離離れた位置であることを特徴とする請求項1に記載の基板搬送位置の位置合わせ方法。   2. The measurement position according to claim 1, wherein the measurement position is a position on the turning center axis of the substrate transport apparatus or a predetermined distance away in a direction orthogonal to the irradiation direction of the laser light with reference to the turning center axis. 4. A method for aligning the substrate transfer position according to 1. 前記計測対象部材が、基板の受け渡しの際に基板を支持するために前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた支持部材であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板搬送位置の位置合わせ方法。   3. The measurement target member according to claim 1, wherein the measurement target member is a support member provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table in order to support the substrate during delivery of the substrate. A method for aligning the substrate transfer position as described. 前記支持部材には、前記レーザ光を反射する平坦な反射面が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板搬送位置の位置合わせ方法。   4. The substrate transport position alignment method according to claim 3, wherein the support member is provided with a flat reflection surface that reflects the laser light. 前記計測対象部材が、前記レーザ光を反射する平坦な反射面を有し、前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた位置計測用部材であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板搬送位置の位置合わせ方法。   The measurement object member is a position measurement member that has a flat reflecting surface that reflects the laser beam and is provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table. The alignment method of the board | substrate conveyance position of any one of Claim 3. 基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材までの距離を計測する距離計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と
を備えた基板搬送位置の位置合わせ方法。
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
A distance measuring means for measuring a distance to a measurement target member provided on the mounting table by irradiating a laser beam from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A first measurement step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member by the distance measurement means in a state where the mounting table is at a normal temperature;
A second measurement step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the distance measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
And a step of correcting a position coordinate of the center of the mounting table stored in the control unit based on the amount of displacement.
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材までの距離を計測する距離計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記保持部材による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせを行う基板搬送位置の位置合わせ方法であって、
前記距離計測手段により、前記計測位置から前記計測対象部材までの距離を前記載置台が加熱された状態で計測する工程と、
前記計測結果に基づき、加熱状態の前記載置台の中心の位置座標を決定する工程と、
加熱状態の前記載置台の中心の位置座標に基づき前記制御部に前記載置台の中心の位置座標を記憶させる工程と
を備えたことを特徴とする基板搬送位置の位置合わせ方法。
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
A distance measuring means for measuring a distance to a measurement target member provided on the mounting table by irradiating a laser beam from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A control unit that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls conveyance of the substrate by the holding member;
A substrate transport position alignment method for aligning a substrate transport position by the substrate transport apparatus in a substrate processing system comprising:
A step of measuring the distance from the measurement position to the measurement target member by the distance measurement unit in a state where the mounting table is heated;
Based on the measurement results, determining the position coordinates of the center of the mounting table in the heating state,
And a step of storing the position coordinates of the center of the mounting table in the control unit based on the position coordinates of the center of the mounting table in the heated state.
前記計測対象部材が、基板の受け渡しの際に基板を支持するために前記載置台の表面に対して突没自在に設けられた複数の支持部材であることを特徴とする請求項7に記載の基板搬送位置の位置合わせ方法。   8. The measurement object according to claim 7, wherein the measurement target members are a plurality of support members provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table in order to support the substrate when the substrate is delivered. Method for aligning the substrate transfer position. 基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶するとともに、前記位置計測手段により計測された、前記載置台が常温の状態と加熱された状態における前記計測対象部材の位置の測定結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算し、前記変位量に基づき、ティーチングにより記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システム。
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
While storing the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, the mounting table measured by the position measuring means is in a room temperature state. Based on the measurement result of the position of the measurement target member in the heated state, the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state is calculated, and stored by teaching based on the displacement amount A controller that corrects the position coordinates of the center of the mounting table and controls the substrate transport by the substrate transport device;
A substrate processing system comprising:
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、
基板を載置する載置台を有して基板に対して所定の処理を行う処理装置と、
基板を保持する保持部材を有して前記処理装置への基板の搬送動作を行う基板搬送装置と、
所定の計測位置から前記載置台へ向けてレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより前記載置台に設けられた計測対象部材の位置を計測する位置計測手段と、
前記保持部材と前記載置台との間で基板を受け渡す際の基準となる前記載置台の中心の位置座標を記憶して前記基板搬送装置による基板の搬送を制御する制御部と、
を備えた基板処理システムにおいて前記基板搬送装置による基板搬送位置の位置合わせ方法が行われるように制御するものであり、
前記基板搬送位置の位置合わせ方法は、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が常温の状態で計測する第1の計測工程と、
前記位置計測手段により、前記計測対象部材の位置を前記載置台が加熱された状態で計測する第2の計測工程と、
前記第1の計測工程の結果と前記第2の計測工程の結果に基づき、常温状態の前記載置台の中心に対する加熱状態の前記載置台の中心の変位量を演算する工程と、
前記変位量に基づき前記制御部に記憶された前記載置台の中心の位置座標を補正する工程と、
を備えたものであること、を特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
A computer-readable storage medium storing a control program that runs on a computer, wherein the control program is
A processing apparatus having a mounting table for mounting the substrate and performing a predetermined process on the substrate;
A substrate transfer device having a holding member for holding the substrate and performing a transfer operation of the substrate to the processing apparatus;
Position measuring means for measuring the position of a measurement target member provided on the mounting table by irradiating laser light from a predetermined measurement position toward the mounting table and detecting the reflected light;
A controller that stores the position coordinates of the center of the mounting table as a reference when the substrate is transferred between the holding member and the mounting table, and controls the transfer of the substrate by the substrate transfer device;
In a substrate processing system comprising: a substrate transfer position is controlled so as to be performed by the substrate transfer apparatus;
The substrate transfer position alignment method is as follows:
A first measurement step of measuring the position of the measurement target member by the position measurement means in a state where the mounting table is at room temperature;
A second measurement step of measuring the position of the measurement target member in a state where the mounting table is heated by the position measurement unit;
Based on the result of the first measurement step and the result of the second measurement step, calculating the displacement amount of the center of the mounting table in the heating state with respect to the center of the mounting table in the normal temperature state;
Correcting the position coordinates of the center of the mounting table stored in the control unit based on the amount of displacement;
A computer-readable storage medium characterized by comprising:
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