JP2009079932A - 電磁探査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SQUIDを用いた電磁探査装置において、高周波ノイズの影響を除去する。
【解決手段】検出部2は、SQUIDを超電導状態に維持するための冷却媒体を格納する容器部24と、冷却媒体に浸漬されたSQUID20と、熱侵入を防ぐ蓋部28と、蓋部28を貫通しSQUID20と接続されたFLL回路22とを含む。容器部24および蓋部28は、代表的にガラスエポキシなどの非導電性の材料で構成されており、容器外部からの熱侵入を抑制するために、その外周には真空層26が形成されている。容器部24および蓋部28の外表面は、高周波ノイズを遮蔽するためのシールド部材30と、該シールド部材30を保護するための樹脂部材32とにより被覆される。シールド部材30は、銀ペーストを容器部24および蓋部28の外表面に塗布することにより形成される。
【選択図】図3
【解決手段】検出部2は、SQUIDを超電導状態に維持するための冷却媒体を格納する容器部24と、冷却媒体に浸漬されたSQUID20と、熱侵入を防ぐ蓋部28と、蓋部28を貫通しSQUID20と接続されたFLL回路22とを含む。容器部24および蓋部28は、代表的にガラスエポキシなどの非導電性の材料で構成されており、容器外部からの熱侵入を抑制するために、その外周には真空層26が形成されている。容器部24および蓋部28の外表面は、高周波ノイズを遮蔽するためのシールド部材30と、該シールド部材30を保護するための樹脂部材32とにより被覆される。シールド部材30は、銀ペーストを容器部24および蓋部28の外表面に塗布することにより形成される。
【選択図】図3
Description
この発明は、代表的に地質調査や地下資源探査などに用いられる電磁探査装置に関し、より特定的には超電導量子干渉素子(SQUID)を用いた構成に関する。
従来から、地質調査や地下資源探査などに用いられる電磁探査技術が実用化されている。この電磁探査技術では、代表的に地質の電気的物性(比抵抗)が測定される。このような地質の電気的物性を測定する方法として、地表面から地下の探査対象に向けて、周期的に変化する1次磁場を発生するとともに、この1次磁場によって発生する2次磁場を測定する方法が知られている(たとえば、特許文献1や非特許文献1)。
より詳細には、1次磁場が時間的に変動することによって、地表面にはその変動を妨げる方向に誘導電流が発生する。この誘導電流は、伝播経路にある地質の比抵抗の大きさに応じて減衰するが、この減衰に伴う誘電電流の時間的変化を妨げる方向に新たな誘導電流が発生する。このような誘導電流の発生プロセスが繰返されて、あたかも誘導電流が地下深部に伝播していくような現象を生じる。このような現象は「スモークリング」とも称されている。このような誘導電流は、伝播経路の比抵抗に応じて減衰するため、この誘電電流が発生する磁場を時間の関数として測定することにより、地下地質の比抵抗分布(主に断面図)を取得することができる。すなわち、誘導電流は、時間の経過とともに、その半径を広げながら深部方向に拡散する。送信ループに流していた一定電流を瞬間的に遮断した場合、深部方向に拡散する誘導電流の深度である拡散深度δは、電流を遮断してからの経過時間tを用いてδ=(2t/σμ)1/2(σ:地下の導電率、μ:地下の透磁率)と表すことができる。したがって、測定時間をより長くすることによって、より深部までの比抵抗分布を取得することができる。
従来、このような2次磁場の測定には、金属導線からなる受信コイルを用いた誘導コイル型磁力計が用いられてきた。この誘導コイル型磁力計は、原理的に、磁場の大きさではなくその時間微分を測定する。これに対して、超電導量子干渉素子(SQUID:Superconducting Quantum Interference Device;以下、「SQUID」とも称す)を用いて、磁場の大きさを直接測定する構成が提案されている。磁場の時間的変化は、磁場の時間微分の時間的変化に比較して緩やかであり、かつその値も大きい。さらに、SQUIDによれば、より微小な磁場を検出できるので、誘導コイル型磁力計よりもより遅い時間までデータを取得することができる。したがって、SQUIDを用いることにより誘導コイル型磁力計より深部についての比抵抗分布を取得することができる。
特開平7−110382号公報
内田 利弘、斎藤 章、「電磁法探査システムの開発動向」、物理探査、社団法人物理探査学会、第47巻 第6号、pp472−500
しかしながら、上述したように2次磁場の測定にSQUIDを用いた場合には、調査地域において高周波の電波が電磁気的なノイズとなってSQUID出力信号が不安定になるという問題がある。したがって、高周波ノイズによる誤検出を防止して高い検出精度を維持するためには、高周波ノイズの影響を除去する必要がある。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、高周波ノイズの影響を除去することができる電磁探査装置を提供することである。
この発明のある局面に従う電磁探査装置は、探査対象に向けて磁場を発生する送信部と、SQUIDを含み、探査対象に応じて発生する磁場を検出する検出部と、検出部による検出結果を収集するデータ処理装置と、検出部の外表面を被覆するように配置され、探査対象に応じて発生する磁場の周波数よりも高周波領域における電磁波を遮蔽するためのシールド部材とを備える。
好ましくは、検出部は、SQUIDおよびSQUIDを冷却するための冷却媒体を格納する容器部および蓋部を含む。シールド部材は、容器部および蓋部の外表面に塗布された導体である。
より好ましくは、導体は、容器部の外表面に向けて吹き付けられた、導電性粉末を含む導体ペーストである。
この発明によれば、高周波ノイズの影響を除去することにより、高精度に電磁探査を行なうことができる。
この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中の同一または相当部分については、同一符号を付してその説明は繰返さない。
(全体構成)
図1は、この発明の実施の形態に従う電磁探査装置1の概略構成図である。
図1は、この発明の実施の形態に従う電磁探査装置1の概略構成図である。
図2は、この発明の実施の形態に従う電磁探査装置1を用いた電磁探査方法の概略を示す図である。
図1および図2を参照して、この発明の実施の形態に従う電磁探査装置1は、代表的に地質調査や地下資源探査などに用いられ、探査対象の電気的物性(比抵抗)の3次元分布などを測定することができる。
より具体的な構成として、電磁探査装置1は、検出部2と、データ処理装置3と、コントローラ40と、A/D(Analog to Digital)変換部42と、パルス発振部44と、送信機46と、送信ループコイル48とを含む。
送信機46は、パルス発振部44で発生するパルス信号(周期信号)に応じて、送信ループコイル48に所定の送信電流(交替直流)を流すことで、送信ループコイル48から探査対象に向けて磁場(以下、「1次磁場」とも称す)を発生する。送信ループコイル48への送信電流を瞬時に遮断することにより、地表面にはその変動を妨げる方向に誘導電流が発生する。この誘導電流は、伝播経路にある地質の比抵抗の大きさに応じて減衰するが、この減衰に伴う誘電電流の時間的変化を妨げる方向に新たな誘導電流が発生する。このような誘導電流の発生プロセスが繰返されて、あたかも誘導電流が地下深部に伝播していくような現象(スモークリング)を生じる。
地表付近に配置された検出部2は、このような誘導電流によって発生する2次磁場を検出し、その検出結果をA/D変換部42を介して、データ処理装置3へ出力する。この2次磁場は、誘導電流の減衰状態、すなわち伝播経路にある探査対象の比抵抗に応じた値を示す。また、2次磁場は誘導電流の伝播に伴って発生するので、2次磁場の時間的変化における経過時間は、深度に対応する。そのため、2次磁場の時間的変化に基づいて、比抵抗の地下方向のプロファイルを取得することができる。
検出部2は、超電導量子干渉素子(SQUID:Superconducting Quantum Interference Device;以下「SQUID」とも称す。)20と、FLL回路22とを含み、探査対象に応じて発生する磁場を検出する。検出部2からはSQUID20に入力する磁束に応じた電圧値が測定信号として出力される。なお、本実施の形態では、1個の検出部2を含む電磁探査装置1を例示するが、検出部2の個数は2個まで可能である。また、1個のSQUID20から構成される検出部2を例示するが、その検出面をたとえば水平方向と垂直方向とにそれぞれ向けた複数のSQUID20によって検出部を構成してもよい。
A/D変換部42は、検出部2で検出された電圧値(アナログ値)をデジット値に逐次変換して、データ処理装置3へ出力する。
データ処理装置3は、A/D変換部42から出力される検出部2における検出結果を収集する。特に、データ処理装置3は、後述するようなデータ処理を行なって探査結果を取得する。なお、取得された探査結果は、データ処理装置3のディスプレイなどに表示される。
パルス発振部44は、送信機46を駆動するための発振信号(代表的に、周期パルス信号)を出力し、データ処理装置3からの送信指令に応答して、周期、波形および信号強度などを変更可能に構成される。
送信機46と送信ループコイル48とは、探査対象に向けて磁場を発生する送信部であり、送信機46は、パルス発振部44からの発振信号を増幅し、送信ループコイル48に当該増幅した送信電流を流すとともに、送信ループコイル48はこの電流に応じて、1次磁場を発生する。
(検出部)
図3は、この発明の実施の形態に従う検出部2の一部断面側面図である。
図3は、この発明の実施の形態に従う検出部2の一部断面側面図である。
図3を参照して、検出部2は、SQUID20を超電導状態に維持するための冷却媒体を格納する容器部24と、冷却媒体に浸漬されたSQUID20と、熱侵入を防ぐ蓋部28と、蓋部28を貫通しSQUID20と接続されたFLL回路22とを含む。
SQUID20としては、ニオブ化合物などからなる低温超電導体、もしくはセラミックスなどからなる高温超電導体のいずれで構成してもよいが、本実施の形態に従う電磁探査装置1では、高温超電導体を用いる場合について説明する。高温超電導体は、約77Kで超電導状態となるため、冷却媒体として液体窒素LN2(沸点:77.3K)が用いられる。なお、低温超電導体を用いる場合には、冷却媒体として液体ヘリウム(沸点:4.2K)を用いる必要がある。
容器部24は、代表的にガラスエポキシなどの非導電性の材料で構成されており、容器外部からの熱侵入を抑制するために、その外周には真空層26が形成されている。また、蓋部28も同様に、ガラスエポキシなどの非導電性の材料で構成されており、ネジなどによって容器部24と密着する。
検出部2は、さらに、容器部24および蓋部28の外表面を被覆するように配置されたシールド部材30と、シールド部材30の外表面に塗布された樹脂部材32とを含む。
シールド部材30は、代表的には銀などの導電性金属からなり、装置外部からの高周波ノイズを遮蔽する。本実施の形態では、シールド部材30は、たとえば、銀ペーストを容器部24および蓋部28に塗布することにより形成される。
より具体的には、樹脂に導電性粉末を含ませて成る導体ペースト(たとえば銀ペースト)をスプレーガンにより容器部24および蓋部28の外表面に吹き付けることにより、該外表面に銀ペーストが塗布される。これによれば、容器部24および蓋部28の外表面に凹凸がある場合であっても、作業性良く、該外表面に対して均一に銀ペーストを塗布することができる。その結果、所望のシールド性能を確保することができる。なお、容器部24および蓋部28に、真空蒸着、スパッタリング等により銀ペーストの被膜を形成するようにしてもよい。
シールド部材30の厚みは、高周波ノイズに対して良好なシールド性能を示すとともに、所望の周波数(100kHz程度)においてシールド部材30内部での渦電流の発生を抑制するように決定される。
樹脂部材32は、代表的にはエポキシ樹脂からなり、シールド部材30を被覆することにより、シールド部材30が外部との接触などによって剥離するのを防止する。なお、樹脂部材32の一部は開口されており、この開口部分を介してシールド部材30をFLL回路22のグランドに短絡させている。
図4は、SQUID20による磁場検出の原理を説明するための図である。
図5は、SQUID20へ入力する磁束と出力電圧との関係を示す図である。
図5は、SQUID20へ入力する磁束と出力電圧との関係を示す図である。
図4を参照して、SQUID20は、ループ状に形成された超電導材料からなり、そのループ上に2個のジョセフソン接合JJが形成される。このジョセフソン接合JJは、絶縁材料を2つの超電導材料で積層した構造を有し、他の部分に比較して超電導材料としての特性が低い。そのため、ジョセフソン接合JJは、SQUID20の中で、最も早く超電導状態から常電導状態に移行する。すなわち、ループを流れる電流が所定の制限値を超えると、SQUID20には常電導状態の部分が生じるが、この制限値はジョセフソン接合JJによって制限されることになる。
ところで、SQUID20は、超電導状態においては、自身を貫く磁束を排除するような現象(マイスナー効果)を生じる。より具体的には、外部からの磁束がSQUID20を貫通しようとすると、この磁束を打ち消すための遮蔽電流が流れる。そこで、ジョセフソン接合JJが超電導状態を維持できる制限値にほぼ等しいバイアス電流を外部から与えておくと、外部からの磁束を打ち消すための遮蔽電流が流れることで、ジョセフソン接合JJは常電導状態に部分的に移行し、電気抵抗が発生する。この電気抵抗は、遮蔽電流の大きさ、すなわち入力する磁束の大きさに依存するので、電気抵抗に起因して生じる出力電圧を測定することで、検出部2に生じる磁場を検出することができる。
このSQUID20に生じる磁束は、磁束量子φ0(=2.07×10−15Wb)の単位で量子化される。そのため、図5に示すように、入力する磁束に対するSQUID20の出力電圧は、磁束量子φ0の単位で同様の特性が繰り返し表れることになる。これは、マイスナー効果がSQUID20に侵入する磁束を排除するに作用する一方で、SQUID20内に一旦侵入すると、磁束量子φ0の単位でその磁束を閉じ込めるように作用するからである。
図5に示すように、同一の出力電圧に複数の磁束が対応することになるので、量子化状態が既知でなければ、SQUID20に入力する磁束の大きさを出力電圧に基づいて一意に決定することはできない。そこで、以下に述べるようなFLL(Flux Locked Loop)回路22を用いて、磁場を検出する。
図6は、この発明の実施の形態に従うFLL回路22の概略の回路構成を示す図である。
図6を参照して、FLL回路22は、SQUID20を特定の量子化状態に維持するとともに、SQUID20の出力電圧を測定する。より具体的には、FLL回路22は、SQUID20の両端に発生する電圧を積分して出力するとともに、SQUID20に近接して配置されたフィードバックコイル21から、この積分電圧に応じたバイアス磁束をSQUID20に与える。このようなバイアス磁束によって、検出対象の磁束(磁場強度)に応じた測定信号を出力するとともに、SQUID20に入力する磁束を実質的にゼロに維持し、量子化状態の遷移による誤差発生を抑制する。
より具体的な構成として、FLL回路22は、SQUID20の両端に生じる電圧を差動増幅する差動増幅器221と、演算増幅器222,226と、コンデンサ223と、抵抗器224,225と、可変抵抗器227とを含む。
演算増幅器222とコンデンサ223とは積分器を構成し、演算増幅器222の増幅率およびコンデンサ223の容量によって定まる時定数τをもつ。この時定数τは、FLL回路としての応答速度(スルーレート)を定めるものであり、時定数τが小さいほど、その応答速度は高くなるが、安定性が低下するので、応答速度および安定性を考慮して適切に設定される。この積分器(演算増幅器222およびコンデンサ223)からSQUID20についての測定信号(電圧信号)が出力される。演算増幅器222の出力には、抵抗器224を介してフィードバックコイル21が接続されており、測定信号に応じた電流がフィードバックコイル21へ供給される。
また、抵抗器224とフィードバックコイル21との間には、電源ラインから可変抵抗器227、演算増幅器226、および抵抗器225が直列に接続されており、SQUID20の電圧出力のゼロレベルを調整するために、フィードバックコイル21へ供給される電流の微調整が可能になっている。
以上のような構成によって、検出部2は、1次磁場を受けて、検出対象に応じて発生する2次磁場の大きさを直接的に測定することができる。
そして、本構成において、検出部2の容器部24および蓋部28をシールド部材30で被覆することにより、高周波ノイズの影響が除去されるため、検出部2の動作が不安定になるのを回避することができる。
さらに、以下に述べるように、シールド部材30の有り無しによって電磁探査を行なった場合に取得されるデータに違いがないことが確認されている。
図7は、検出部2の検出結果におけるシールド部材の影響度を説明するための図である。図7(A)は、この発明の実施の形態に従う電磁探査装置1を用いて電磁探査を行なった場合の測定信号の時間波形である。図7(B)には、比較のために、検出部2がシールド部材30を有しない電磁探査装置を用いて電磁探査を行なった場合の測定信号の時間波形を示す。なお、いずれの時間波形も、送信ループコイル48のサイズを100m×100mとし、送信電流値を0.3A、送信周波数を25Hzとした場合に、検出部2から測定信号として取得されたものである。
図7(A)および(B)を比較して、測定信号の時間波形が略同じであることが分かる。特に、影響が懸念された早い時期での結果には、全く相違が観察されない。したがって、シールド部材30が高周波ノイズの影響を除去するのに有効であると言える。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 電磁探査装置、2 検出部、3 データ処理装置、20 SQUID、21 フィードバックコイル、22 FLL回路、24 容器部、26 真空層、28 蓋部、30 シールド部材、32 樹脂部材、40 コントローラ、42 A/D変換部、44 パルス発振部、46 送信機、48 送信ループコイル、221 差動増幅器、222,226 演算増幅器、223 コンデンサ、224,225 抵抗器、227 可変抵抗器、JJ ジョセフソン結合、LN2 液体窒素。
Claims (3)
- 探査対象に向けて磁場を発生する送信部と、
SQUIDを含み、前記探査対象に応じて発生する磁場を検出する検出部と、
前記検出部による検出結果を収集するデータ処理装置と、
前記検出部の外表面を被覆するように配置され、前記探査対象に応じて発生する磁場の周波数よりも高周波領域における電磁波を遮蔽するためのシールド部材とを備える、電磁探査装置。 - 前記検出部は、前記SQUIDおよび前記SQUIDを冷却するための冷却媒体を格納する容器部および蓋部を含み、
前記シールド部材は、前記容器部および蓋部の外表面に塗布された導体である、請求項1に記載の電磁探査装置。 - 前記導体は、前記容器部の外表面に向けて吹き付けられた、導電性粉末を含む導体ペーストである、請求項2に記載の電磁探査装置。
Priority Applications (4)
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