JP2009072779A - Purifying device for compounds in liquid-phase state - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、広く精製システムに係り、特に、金属不純物を含む腐食性の液化ガスの精製方法に関する。 The present invention relates generally to purification systems, and more particularly to a method for purifying corrosive liquefied gas containing metal impurities.
HClなどの電子工業用仕様のガスについて、気相状態での不純物の精製に関しては知られている。これらの方法は、平衡状態図から予想されるガス精製方式を利用している。付加的な方法としては、例えば、下記の様なものがある、気相状態の不純物の化学吸着(Tsvetn. Met, (2), 67-71, 1995 )、有機化合物の溶剤抽出(Solvent Extr. Ion Exch. 11(1), 239-57, 1993 )、及び活性化炭素を使用するC1−C3塩素化炭化水素の除去(Japan Kokai Tokkyo Koho, JP 03265503 A2 )。 Gases for electronic industry specifications such as HCl are known for the purification of impurities in the gas phase. These methods utilize the gas purification system expected from the equilibrium diagram. Additional methods include, for example, chemical adsorption of impurities in the gas phase (Tsvetn. Met, (2), 67-71, 1995), solvent extraction of organic compounds (Solvent Extr. Ion Exch. 11 (1), 239-57, 1993), and removal of C1-C3 chlorinated hydrocarbons using activated carbon (Japan Kokai Tokkyo Koho, JP 03265503 A2).
例えば、集積回路(IC)の様なVLSI技術の分野におけるトレンドの一つとして、半導体のバルク内に拡散した不純物に起因するICの欠陥を減らすため、化学反応プロセスにおいて使用される試薬に対して非常に高いクリーン度が要求されている。この様な純度のレベルに対する増大する要求は、一段と厳しくなっており、ある場合には、金属不純物について、十億分の一(ppb)程度の非常に小さなレベルが要求されている。これらの金属不純物は、例えば、アルミニウム、カルシウム、コバルト、ナトリウム、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、マンガン、マグネシウム、及び砒素などであるが、これらに限定されるものではない。 For example, one of the trends in the field of VLSI technology such as integrated circuits (ICs) is to reduce the defects in ICs caused by impurities diffused in the bulk of the semiconductor, in order to reduce reagents used in chemical reaction processes. Very high cleanliness is required. Increasing demands on such levels of purity are becoming more stringent, and in some cases, very small levels on the order of parts per billion (ppb) are required for metal impurities. Examples of these metal impurities include, but are not limited to, aluminum, calcium, cobalt, sodium, zinc, iron, nickel, chromium, molybdenum, copper, manganese, magnesium, and arsenic.
半導体製造プロセスは、BCl3、HBr、HCl、CL2などの超高純度の腐食性の液化ガスを、ドライエッチング及び洗浄の際に使用する様になっている。これらのガスは、典型的には、内面に燐化ニッケルでコーティングが施された鋼製もしくはステンレス製のシリンダもしくはコンテナの中に、腐食性ガスが液化されて充填された状態で、ユーザーに供給される。半導体製造業者は、上記腐食性ガスが金属系不純物を実質的に含有していないことを要求し、その結果、気相状態及び液相状態のいずれの状態においても高純度が要求される。 In the semiconductor manufacturing process, an ultra-high purity corrosive liquefied gas such as BCl 3 , HBr, HCl, or CL 2 is used for dry etching and cleaning. These gases are typically supplied to the user with the corrosive gas liquefied and filled in a steel or stainless steel cylinder or container that is coated with nickel phosphide on the inside. Is done. A semiconductor manufacturer requires that the corrosive gas does not substantially contain metal impurities, and as a result, high purity is required in both a gas phase state and a liquid phase state.
腐食性ガスは、通常、液相状態でシリンダ内にあるときに、より高いレベルで金属不純物を含有していることが知られている。これは、下記の文献に記載されている;「金属汚染に対する塩化水素の解析」(Institute of Environmental Sciences 1996, proceeding by BOC )、「電子工業用仕様ガスの保存有効期限とは?」(Institute of Environmental Sciences 1996, Proceeding by Air Products and Chemicals, Inc.)。その原因は、腐食性の液化ガスの中に含有されている多くの金属化合物系の不純物は、そのガス分圧が、腐食性のマトリックスガスと比べて低いことにある。金属類は、上記ガスが液化された状態においては、パーティクル状態あるいは解離した状態をとれる。これらの金属不純物のあるものは原料に由来し、また、あるものは充填システムまたは貯蔵中のシリンダもしくはコンテナに由来している。 It is known that corrosive gases usually contain higher levels of metal impurities when in the cylinder in the liquid phase. This is described in the following literature: “Analysis of hydrogen chloride against metal contamination” (Institute of Environmental Sciences 1996, proceeding by BOC), “What is the shelf life of specification gas for electronic industry?” (Institute of Environmental Sciences 1996, Proceeding by Air Products and Chemicals, Inc.). The cause is that the gas partial pressure of many metal compound impurities contained in the corrosive liquefied gas is lower than that of the corrosive matrix gas. Metals can take a particle state or a dissociated state when the gas is liquefied. Some of these metal impurities are derived from raw materials and some are derived from filling systems or cylinders or containers in storage.
通常、高純度の腐食性液化ガスは、何らかの不純物を除去すべく伝統的な蒸留方法によって精製され、金属ベースの貯蔵タンク内に貯蔵され、製造施設において、この貯蔵タンクから最終のシリンダもしくはコンテナへ液相状態で移送される。しかし、この様に最終のシリンダもしくはコンテナへ液相状態で充填することによって、金属系不純物を製造施設から最終のシリンダ等へ持ち込むことになる。 Typically, high purity corrosive liquefied gas is purified by traditional distillation methods to remove any impurities, stored in a metal-based storage tank, and from the storage tank to the final cylinder or container at the manufacturing facility. Transported in liquid phase. However, by filling the final cylinder or container in a liquid phase in this manner, metal impurities are brought from the manufacturing facility to the final cylinder or the like.
以上の様な問題点に鑑み、本発明の目的は、中間もしくは最終のシリンダもしくはコンテナに充填する際、液化ガスから金属不純物及び金属汚染を除去するための、より効果的な方法及び装置を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a more effective method and apparatus for removing metal impurities and metal contamination from a liquefied gas when filling an intermediate or final cylinder or container. There is to do.
また、本発明の他の目的は、最終のシリンダもしくはコンテナに高純度ガスを充填する直前に、腐食性の液化ガスから金属不純物を効果的に除去する経済的な方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide an economical method for effectively removing metal impurities from corrosive liquefied gas immediately before the final cylinder or container is filled with high purity gas.
上記の課題を解決すべく、本発明は、少なくとも一種類の不純物を含む液相状態の化合物の精製に使用される精製装置を提供する。この精製装置は、
少なくとも一種類の不純物を含有する液相状態の化合物を収容する第一の容器と;
精製された化合物を収容する第二の容器と;
前記第一の容器と前記第二の容器との間を連絡し、前記化合物が気相状態で前記第一の容器から前記第二の容器へ移送される第一の流体経路と;
温度制御機構と;を備える。
In order to solve the above problems, the present invention provides a purification apparatus used for purification of a compound in a liquid phase state containing at least one kind of impurities. This purification device
A first container containing a liquid-phase compound containing at least one impurity;
A second container containing the purified compound;
A first fluid path communicating between the first container and the second container, wherein the compound is transferred from the first container to the second container in a gas phase;
A temperature control mechanism;
この温度制御機構は、前記第一の容器と前記第二の容器とを互いに異なる温度で維持し、前記化合物を前記第一の容器から前記第二の容器へ移送する際に、前記化合物を気相状態で維持し、且つ、前記第二の容器の中で前記化合物を液化する。これによって、前記化合物が前記第一の容器から前記第二の容器へ気相状態で移送される際、前記少なくとも一種の不純物が、前記第一の容器から前記第二の容器へ移送されない様にする。 The temperature control mechanism maintains the first container and the second container at different temperatures, and the compound is removed when the compound is transferred from the first container to the second container. Maintain in phase and liquefy the compound in the second vessel. This prevents the at least one impurity from being transferred from the first container to the second container when the compound is transferred from the first container to the second container in a gas phase. To do.
また、別の態様において、本発明に基づく液相状態の化合物から少なくとも一種類の不純物を除去する充填方法は、
少なくとも一種類の不純物を含有する液相状態の化合物を、第一の容器の中で前記化合物の沸点以上の温度に加熱する工程と;
第二の容器を、少なくとも第一の流体経路を介して、前記第一の容器に連絡させる工程と;
前記化合物を、前記第一の容器から前記第一の流体経路を介して前記第二の容器へ、圧力差を利用して移送し、その結果、前記第一の容器から移送され前記第二の容器に収容された前記化合物中での不純物の濃度を、前記第一の容器内での濃度よりも減少させる工程と;
を備えたことを特徴とする。
In another aspect, a filling method for removing at least one impurity from a liquid phase compound according to the present invention comprises:
Heating a compound in a liquid phase containing at least one impurity in a first container to a temperature equal to or higher than the boiling point of the compound;
Communicating a second container to said first container via at least a first fluid path;
The compound is transferred from the first container to the second container via the first fluid path using a pressure differential, and as a result, transferred from the first container and the second container. Reducing the concentration of impurities in the compound contained in the container relative to the concentration in the first container;
It is provided with.
また、更に別の態様において、本発明に基づく液相状態の化合物から少なくとも一種類の不純物を除去する方法は、
少なくとも一種類の不純物を含有する液相状態の化合物であって、第一の容器内における前記化合物の気相の分圧が、第一の容器内における前記少なくとも一種類の不純物の気相の分圧よりも大きい化合物を、第一の容器内に収容する工程と;
前記化合物及び前記少なくとも一種類の不純物を、前記化合物の沸点よりも高い温度に維持することによって、前記化合物を気相状態に変える工程と;
気相状態の前記化合物を、圧力差を利用して第二の容器に移送する工程と;
を備えたことを特徴とする。
In yet another embodiment, the method for removing at least one impurity from a liquid phase compound according to the present invention comprises:
A compound in a liquid phase state containing at least one kind of impurities, wherein the partial pressure of the gas phase of the compound in the first container is a fraction of the gas phase of the at least one kind of impurities in the first container. Containing a compound greater than the pressure in the first container;
Changing the compound and the at least one impurity to a gas phase by maintaining the compound and the at least one impurity at a temperature higher than the boiling point of the compound;
Transferring the compound in a gas phase to a second container using a pressure difference;
It is provided with.
本発明は、以下の詳細な説明及び図面を参照することによって、より良く理解することができる。 The present invention may be better understood with reference to the following detailed description and drawings.
腐食性ガス中に含有される金属系不純物(これまでに使用された場合と同様に、ハロゲン化塩などの金属原子の塩を意味する)の大半は、腐食性ガスが液相状態のときに含有されていることが知られている。 Most of metallic impurities contained in corrosive gas (meaning salts of metal atoms such as halide salts as in the past) are in the liquid phase state. It is known to contain.
図1及び表1に、いくつかの腐食性ガスの気相状態中及び液相状態中における鉄の濃度の相違を示す。問題となっている他の金属でも、これと同様な分布の傾向を示す。気相状態中及び液相状態中において金属の濃度に大きな相違があるので、腐食性ガスを気相状態から再凝縮することよって、凝縮後の液相中における金属系不純物の濃度を減少させることができる。更に、ポンプの様な機械的な移送手段を使用せずに、圧力差を用いて気相状態で移送することにより、本発明に基づく腐食性ガスの充填装置及び方法は、パーティクルあるいは金属不純物を実質的に発生させない。 FIG. 1 and Table 1 show the difference in iron concentration in the gas phase state and liquid phase state of several corrosive gases. Other metals in question show similar distribution trends. Since there is a large difference in the metal concentration in the gas phase and in the liquid phase, the concentration of metallic impurities in the liquid phase after condensation can be reduced by recondensing the corrosive gas from the gas phase. Can do. Further, the corrosive gas filling apparatus and method according to the present invention can transfer particles or metal impurities by transferring in a gas phase state using a pressure difference without using a mechanical transfer means such as a pump. Virtually does not occur.
表1. 鉄の濃度の比較
−−−−−−−−−−−−−−−−−−
ガス 気相中 液相中
−−−−−−−−−−−−−−−−−−
HCl 317 5623
Cl2 1 2000
HBr 200 5336
−−−−−−−−−−−−−−−−−−
(単位:ppb)
図2及び表2に、HCl、Cl2、HBrについて、液相中における金属系不純物レベルについて、原料と受入れコンテナ内の再凝縮液との間で比較した結果を示す。例えば、鉄の減少は、少なくとも数千ppbである。ただし、この数値は当初の原料に依存する。
Table 1. Comparison of iron concentration ------------------
Gas In gas phase In liquid phase ------------------
HCl 317 5623
HBr 200 5336
------------------
(Unit: ppb)
FIG. 2 and Table 2 show the results of comparison between the raw material and the recondensate in the receiving container regarding the level of metallic impurities in the liquid phase for HCl, Cl 2 , and HBr. For example, the iron reduction is at least several thousand ppb. However, this number depends on the original raw material.
表2. 鉄の濃度の比較
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
ガス 原料コンテナ中 充填コンテナ中
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
HCl 10000 400
Cl2 4369 200
HBr 5336 200
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
(単位:ppb)
次に、本発明に基づく装置の好ましい実施態様について、構成装置毎に、詳細に説明する。同時に、好ましい充填方法についても説明する。
Table 2. Comparison of iron concentration ---------------------
Gas In raw material container In filled container ---------------------
Cl 2 4369 200
HBr 5336 200
---------------------
(Unit: ppb)
Next, preferred embodiments of the apparatus according to the present invention will be described in detail for each component apparatus. At the same time, a preferred filling method is also described.
図3に、本発明に基づく気相状態での充填による腐食性ガスの精製に用いられる装置100の一例を示す。装置100は、液化ガスを収容するための原料コンテナ102、及び精製された腐食性ガスを受け入れるための受入コンテナ104を備える。腐食性ガスは、単独でも混合物でもよい。このプロセスは、任意の腐食性ガスに対して適用できるが、特に、HBr、Cl2、HCl、BCl3、NH3、WF6、あるいはこれらの混合ガスに適用した場合に効果が大きい。
FIG. 3 shows an example of an
原料コンテナ102には、ガスライン112が接続されている。原料コンテナ102からガスライン112を通って下流側のガスライン116へ送られる腐食性ガスの流量を選択的に調整するため、バルブ114を使用することができる。好ましくは、バルブ114は原料コンテナ102の付属バルブである。
A
バルブ114と下流側のバルブ118の間は、ガスライン116を介して接続される。ガスライン116からガスライン120を通って受入コンテナ104へ送られる腐食性ガスの流量を選択的に調整するため、バルブ118を使用することができる。好ましくは、バルブ118は受入コンテナ104の付属バルブである。
The
ガスライン116には、オプションとしてフィルタ122を設け、ガスライン116中を流れるガスから特定の不純物を除去することができる。もちろん、このフィルタは、不純物が更に発生することがない様に選定しなければならない。当業者にとっては当然であるが、フィルタ122は、ガスライン116中を流れるガスから目的とするサイズのパーティクルを除去する様に選定される。フィルタ122は、装置100に要求される仕様によって異なり、ガスライン116中を流れるガスから除去しようとするパーティクルのサイズよりも小さい有効な気孔サイズを有するフィルタが選定される。ただし、多くの腐食性ガスの場合、できればフィルタの使用は避けた方が良い。
The
装置100を、好ましくは、原料コンテナ102から受入コンテナ104へ流れる腐食性ガスが、受入コンテナ104に入るまで、気相状態のみで維持される様に構成する。ここで、出願人は次のことを発見した、即ち、上記の様に、原料コンテナ102から受入コンテナ104へ流れる腐食性ガスが、受入コンテナ104の中に入るまで、気相状態のみで維持される様にすることによって、受入コンテナ内での腐食性ガス中の金属系不純物の濃度を、原料コンテナ内での濃度と比較して、大幅に減少させることができる。前述の目的を達成する本発明に基づく装置の一実施態様が、図3に示されているが、もちろん、原料コンテナから受入コンテナへ流れる腐食性ガスが、受入コンテナの中に入るまで、気相状態のみで維持される様に構成された他の実施態様も、本発明の範囲に包含される。
The
図3に示された本発明の実施態様において、装置100は、原料コンテナ102と受入コンテナ104との間の気相の濃度勾配を維持する機構を備えることによって、前述の目的を達成する。具体的には、装置100は、原料コンテナ102と受入コンテナ104との間で温度差(従って圧力差)を維持する機構を備える。この機構は、ガスが原料コンテナ102から受入コンテナ104へ移送される際、腐食性ガスを気相状態のまま維持するとともに、受入コンテナ104の中において腐食性ガスを液化する。前述の目的を達成するため、この機構は、必要に応じて、更に、ヒーター、断熱材、冷却装置などを装置100に組み込む。
In the embodiment of the present invention shown in FIG. 3, the
図3に示された本発明の実施態様において、好ましくは、原料コンテナ102は、ヒーターもしくは加熱槽106の中に部分的に浸漬され、それにより、原料コンテナ102内における腐食性ガスの温度がその沸点以上の適当な温度に維持される。その温度は、好ましくは、約0°F(−17.8℃)から約100°F(37.8℃)までの範囲、より好ましくは、約50°F(10℃)から約90°F(32.2℃)までの範囲、更に好ましくは約70°F(21.1℃)である。ヒーターもしくは加熱槽106は、原料コンテナ102内における腐食性ガスの温度を測定し、維持し、制御するハードウエア及び/又はソフトウエアを備える。
In the embodiment of the present invention shown in FIG. 3, preferably the
図3に示された本発明の態様において、好ましくは、受入コンテナ104は、チラーもしくは冷却槽110の中に部分的に浸漬され、それにより、受入コンテナ104内における腐食性ガスの温度が、受入コンテナ104内に流れ込んだ後の腐食性ガスを液化するために適当な温度(固定値あるいは可変値)に維持される。その温度は、好ましくは、約14°F(−10℃)から約−112°F(−80℃)までの範囲、より好ましくは、約−22°F(−30℃)から約−76°F(−60℃)までの範囲、更に好ましくは約−40°F(−40℃)である。チラーもしくは冷却槽110は、受入コンテナ104内における腐食性ガスの温度を測定し、維持し、制御するハードウエア及び/又はソフトウエアを備える。重量計108は、原料コンテナ102内の液化ガスの重量を測定するために備えられている。重量計108によって、原料コンテナ102から受入コンテナ104へ腐食性ガスの充填が終了したことが検知される。
In the embodiment of the invention shown in FIG. 3, preferably the receiving
ガスライン112、116、及び120、バルブ114、118、及びフィルタ122(但し、使用された場合)は、好ましくは、これら構成要素の内部において腐食性ガスを気相状態のみで維持するために必要な温度で維持される。好ましくは、制御可能なヒーター(図示せず)、断熱手段(図示せず)、あるいはこれらの要素を大気中に曝すことなどが、これらの構成要素の内部を流れる腐食性ガスを気相状態のみで維持するために使用される。
当業者には容易に予想できる様に、先に示した温度範囲は、本発明に基づく装置を用いて精製されるガスの種類に応じて変わる。 As can be readily anticipated by those skilled in the art, the temperature ranges indicated above will vary depending on the type of gas being purified using the apparatus according to the present invention.
図3に示された本発明の実施態様では、更に、ガスライン116に接続されたガスライン124及びバルブ126が設けられている。バルブ126は、ガス供給源130からガスライン128を介してガスライン124へ流れる流体の流れを選択的に制御する。ガス供給源130は、後に説明する様に、好ましくは、濾過された窒素ガス(N2)の供給源である。
In the embodiment of the invention shown in FIG. 3, a
ガスライン116中の流体の圧力を測定して表示するために、好ましくは、圧力計132が設けられる。
In order to measure and display the pressure of the fluid in the
ガスライン134は、ガスライン116に接続され、二本の分岐ガスライン136、142を備えている。分岐ガスライン136は、ガスライン134とバルブ138の間を連絡する。バルブ138は、以下においてより詳細に説明する様に、真空排気装置140へ流れる流体の流れを選択的に制御する。分岐ガスライン142は、ガスライン134とバルブ144の間を連絡する。バルブ144は、以下においてより詳細に説明する様に、洗浄塔146へ流れる流体の流れを選択的に制御する。
The gas line 134 is connected to the
当業者にとっては当然のことであるが、装置100の全てのバルブは、手動で制御することも、自動制御システムあるいはコンピュータなどを用いて自動で制御することもできる。
As will be appreciated by those skilled in the art, all the valves of the
次に、本発明に基づいて金属系不純物を含有する腐食性ガスを精製する方法について、図3を用いて説明する。 Next, a method for purifying corrosive gas containing metal impurities based on the present invention will be described with reference to FIG.
原料コンテナ102は、加熱槽106の中に配置され、開始前は平衡状態になっている。好ましくは、加熱槽106の温度は、約70°F(21.1℃)に設定される。なお、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の温度を使用しても良い。受入コンテナ104も、冷却され、平衡状態になっている。好ましくは、冷却槽110の温度は、約−40°F(−40℃)に設定される。なお、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の温度を使用しても良い。
The
原料コンテナ102と受入コンテナ104は、ガスライン116を介して互いに接続される。ガスライン124は、窒素ガス供給源130に接続される。ガスライン134は、真空排気装置140及び洗浄塔146に接続される。バルブ138を開けることによって、装置100の内部を、数回、真空パージして、内部に混入している空気を完全に除去する。圧力は、圧力計132で測定される。次に、バルブ138を閉じて、バルブ144を開け、ガスの一部を洗浄塔146へ送り、装置100の内部の条件を整える。上記の手順が完了した後、バルブ144を閉じ、原料コンテナ102内で腐食性ガスを気化させて、ガスライン116に送る。腐食性ガスは、受入コンテナ104に入り、冷却されて受入コンテナ104内で再凝縮する。充填された腐食性ガスの量は、重量計108により測定される。
The
腐食性ガスの再凝縮の速度は、腐食性ガスの気化熱に依存する。これに加えて、原料コンテナ102と受入コンテナ104との間の圧力変化及び温度変化もまた、腐食性ガスの再凝縮の速度を支配する。充填が終了すると(あるいは、原料の約90%が充填されると)、バルブ114及びバルブ118が閉じられ、腐食性ガスを完全に除去するために、装置100の内部のガスは洗浄塔146に送られ、次いで、真空パージされる。
The rate of recondensation of the corrosive gas depends on the heat of vaporization of the corrosive gas. In addition, pressure and temperature changes between the
発明者らがこれまでに発見したところによると、金属不純物を伴わない気相状態での充填を行うための要件には、以下のものが含まれる。 According to what the inventors have discovered so far, the requirements for filling in a gas phase without metal impurities include the following.
(1)充填の前には、必ず、空気及び腐食性ガスに触れる全ての部分のクリーニングを行うこと、及び、
(2)ガスの流れの中でミストが実質的に発生しない様に、ガスライン116中での流量と温度、及び受入コンテナ104内での温度をコントロールすること。
(1) Before filling, be sure to clean all parts that come into contact with air and corrosive gas; and
(2) Control the flow rate and temperature in the
また、本発明の実施態様における、気相状態での充填の詳細な手順は、下記を含む。 The detailed procedure for filling in the gas phase state in the embodiment of the present invention includes the following.
(1)原料シリンダ(原料コンテナ)102は、好ましくは、内部の腐食のおそれがないこと。このことは、充填の際に移送される気相中の金属を分析することによって、チェックすることができる。 (1) The raw material cylinder (raw material container) 102 preferably has no risk of internal corrosion. This can be checked by analyzing the metal in the gas phase that is transferred during filling.
(2)バルブ114、118は、各バルブに起因する気相中への金属汚染を防止するため、オンボードクリーニング法(on-board cleaning method)を用いて洗浄を行う。オンボードクリーニング法に基づく適当な洗浄方法の一つは、米国特許5,591,273号(「汚染及びパーティクルを最小限にした超高純度ガスの供給プロセス」、Tsukamoto et al.、1997年1月7日発行)の中に開示されている。
(2) The
(3)充填の前には、必ず、原料シリンダ102のガスライン116への接続部は、適当な洗浄剤を用いて洗浄を行う。洗浄剤としては、例えば、上記のオンボードクリーニング法において使用されているものを挙げることができる。
(3) Prior to filling, the connecting portion of the
(4)受入シリンダ(受入コンテナ)104には、1kg/cm2 のマトリックスガスを用いて、好ましくは12時間以上、不動態化処理を施す。 (4) The receiving cylinder (receiving container) 104 is subjected to a passivating treatment with 1 kg / cm 2 of matrix gas, preferably for 12 hours or more.
(5)受入シリンダ104及びガスライン116には、ガスラインを接続する前に真空引きを施す。
(5) The receiving
(6)充填の際の流量は、各原料シリンダの容積に合わせて最適化する。例えば、10リットルのHBrの原料シリンダ102の場合、充填の際の流量は、3.5標準リットル/分(slm)未満にコントロールする。
(6) The flow rate at the time of filling is optimized according to the volume of each raw material cylinder. For example, in the case of a 10 liter
(7)ガスライン116を加熱して、その中を移送される腐食性ガスが、受入コンテナ104内に入るまで気相状態のみで維持されるのに十分な温度で保たれる様にする。
(7) The
(8)受入コンテナ104内における腐食性ガスの温度は、その中に充填される腐食性ガスが、受入コンテナ104内に入るまでは気相状態でのみ維持され、受入コンテナ104内で再凝縮される様に、最適化する。
(8) The temperature of the corrosive gas in the receiving
(9)原料コンテナ102内における液化ガスのガス化は、原料コンテナ102内の液化ガスが完全に無くなる前に終了させる。
(9) The gasification of the liquefied gas in the
評価用に金属不純物を含まないHBrを用意するため、それと同時に、生産設備規模の気相状態での充填の試験の第一歩として、受入コンテナの腐食に起因する金属の影響を取除くべくPTFE(ポリ四弗化エチレン)コーティングが施された300ミリリットルの圧力容器を受入コンテナとして使用して、気相状態での充填の試験を行った。本発明に基づく気相状態での充填を実施したところ、下記の様に、Feの濃度が10wt.ppb未満の高純度の液化HBrが得られた。 In order to prepare HBr that does not contain metal impurities for evaluation, PTFE is used as a first step in the filling test in the gas phase state of the production facility at the same time to remove the influence of metal due to corrosion of the receiving container. A 300 milliliter pressure vessel with a (polytetrafluoroethylene) coating was used as a receiving container to test the filling in the gas phase. When filling in a gas phase state according to the present invention, the Fe concentration was 10 wt. High purity liquefied HBr of less than ppb was obtained.
1.受入コンテナの選定及び評価
温度変化に曝されても少なくとも圧力20バールまで内部リークを起こさず、且つ、その内部の接液面からの金属の浸出が実質的に無い高圧用コンテナが、受入コンテナとして使用された。この受入コンテナとして、Taiatu Glass Co. Ltd. 社製の市販のコンテナが選ばれた。その理由は、このコンテナが、60/cm2 までの耐リーク性を備えていることによる。−80℃と室温との間の温度変化の後における耐リーク性を確認するため、冷却槽の中で−80℃まで冷却しながら、コンテナにCO2を充填して液化させた。次に、冷却槽を取り除くことにより、このコンテナの温度を上昇させ、その内部の圧力を測定した。上記の温度変化の後、50バールにおいてもリークは認められなかった。
1. Selection and evaluation of receiving container A high-pressure container that does not cause internal leakage up to a pressure of at least 20 bar even when exposed to temperature changes, and that is substantially free of metal leaching from its wetted surface is the receiving container. Used. A commercial container made by Taiatu Glass Co. Ltd. was selected as the receiving container. The reason is that this container has a leak resistance of up to 60 / cm 2 . In order to confirm the leak resistance after the temperature change between −80 ° C. and room temperature, the container was filled with CO 2 and liquefied while cooling to −80 ° C. in a cooling bath. Next, the temperature of the container was raised by removing the cooling bath, and the pressure inside the container was measured. After the above temperature change, no leak was observed even at 50 bar.
この受け入れコンテナの内側容器を構成するPTFE(ポリ四弗化エチレン)からの、2%HNO3を用いた金属の浸出について調べた結果、1ppbを超える金属の浸出は認められなかった。 As a result of examining the metal leaching using 2% HNO 3 from PTFE (polytetrafluoroethylene) constituting the inner container of the receiving container, no metal leaching exceeding 1 ppb was observed.
以上の結果から、上記のコンテナは気相状態での充填に適当であると判断された。なお、これに代って、アンモニアを精製(充填)する場合を除いて、先に述べた燐化ニッケルで内面被覆を施したステンレス鋼製のシリンダを使用してもよい。なお、アンモニアを精製(充填)する場合には、アルミニウムで内面被覆を施したステンレス鋼製のシリンダを使用することができる。 From the above results, it was determined that the container was suitable for filling in a gas phase. Instead of this, except for the case of purifying (filling) ammonia, a stainless steel cylinder coated with nickel phosphide described above may be used. In addition, when refining (filling) ammonia, a stainless steel cylinder whose inner surface is coated with aluminum can be used.
2.ガスの充填の手順
原料シリンダ(10リットル、SS)のシリンダバルブのクリーニングを行った。原料シリンダをガス充填ラインに接続した後、それぞれのパージを行い、続いて濾過されたN2を用いてガライン全体のパージを行なった。受入コンテナとして使用される高圧コンテナ(Taiatu Glass Co. Ltd. 社製)については、ガスラインに接続する前に、別に、30分間、真空引きを行った。
2. Gas filling procedure The cylinder valve of the raw material cylinder (10 liters, SS) was cleaned. After connecting the raw material cylinder to the gas filling line, each purge was performed, followed by purging the entire galley with filtered N 2 . A high pressure container (made by Taiatu Glass Co. Ltd.) used as a receiving container was evacuated for another 30 minutes before being connected to the gas line.
全ての実験の際、受入コンテナをガスラインに接続するマニフォールドを、水とアセトンからなる洗浄液を用いて洗浄して、N2を用いて素早く且つ完全に乾燥させた。洗浄されたマニフォールドと真空引きされた受入コンテナとを互いに接続した後、受入コンテナを、−10℃(14°F)の冷却槽の中にその高さの半分まで浸漬した。ガスライン、マニフォールド及び受入コンテナのネック部におけるHBrの凝縮を防止するため、ガスライン及びマニフォールドを、35℃(95°F)まで加熱した。温度調整のため、受入コンテナのニードルバルブの裏側に熱電対を取り付けた。原料シリンダは、室温のままとした。 During all experiments, the manifold connecting the receiving container to the gas line was cleaned with a cleaning solution consisting of water and acetone and quickly and completely dried with N 2 . After connecting the washed manifold and the evacuated receiving container together, the receiving container was immersed in a -10 ° C (14 ° F) cooling bath to half its height. The gas line and manifold were heated to 35 ° C. (95 ° F.) to prevent condensation of HBr at the neck of the gas line, manifold and receiving container. A thermocouple was attached to the back of the needle valve of the receiving container for temperature adjustment. The raw material cylinder was kept at room temperature.
充填の際、最初は、受入コンテナを−70℃の冷却槽に浸漬した。この条件で、受入コンテナのニードルバルブを調整することにより、原料コンテナ(20バール)と受入コンテナ(1バール未満)との間に大きな圧力差を形成した。ニードルバルブ自身が次第に冷却されて行くので、ニードルバルブの調整を頻繁に行う必要が生じた。これによって、HBrの凝縮、即ち、ミストの発生が起こった。このため、ニードルバルブの内部で腐食が発生し易く、これに加えて、頻繁なニードルバルブの調整は、金属パーティクルを発生させて、気相状態のHBrの流れの中に混入させる原因となり易かった。従って、受入コンテナの温度を−10℃まで上昇させて、受入コンテナのニードルバルブの下流側の圧力を、8から10バール程度まで上昇させた。この条件によって、ニードルバルブの調整を頻繁に行う必要が無くなった。 During filling, the receiving container was first immersed in a −70 ° C. cooling bath. Under this condition, a large pressure difference was formed between the raw material container (20 bar) and the receiving container (less than 1 bar) by adjusting the needle valve of the receiving container. Since the needle valve itself is gradually cooled, it is necessary to frequently adjust the needle valve. This caused condensation of HBr, that is, generation of mist. For this reason, corrosion is likely to occur inside the needle valve, and in addition to this, frequent adjustment of the needle valve is likely to cause metal particles to be introduced into the gas phase HBr flow. . Therefore, the temperature of the receiving container was raised to −10 ° C., and the pressure downstream of the needle valve of the receiving container was raised to about 8 to 10 bar. This condition eliminates the need for frequent adjustment of the needle valve.
主ガスライン及びマニフォールドの真空引きを行った後、気相状態のHBrを原料シリンダから受入シリンダへ、0.5slmの流量で流した。一回で、100gから200g程度のHBrの充填が行われた。 After evacuation of the main gas line and the manifold, HBr in a gas phase was flowed from the raw material cylinder to the receiving cylinder at a flow rate of 0.5 slm. At one time, about 100 to 200 g of HBr was filled.
3.液相中の金属の分析
気相状態での充填の終了後、HBrを全て受入コンテナから300ccmで抜き取り、二つのPFAインピンジャー(PFA impinger:粒子の採取装置)へ送った。各インピンジャーは、既に、100ミリリットルのDI水で満たされている。受入コンテナの中で気化されたHBrは、全て、上記の二つの容器の中で合計200ミリリットルの水を用いて加水分解された。次いで、受入コンテナを構成するPTFE製の内側容器を、ステンレス鋼製の外側容器から取り外し、PTFE製の内側容器の中の残さを、50ccの2%HNO3を用いて洗浄した。
3. Analysis of metals in the liquid phase After completion of filling in the gas phase, all HBr was extracted from the receiving container at 300 ccm and sent to two PFA impingers (PFA impinger). Each impinger is already filled with 100 milliliters of DI water. All HBr vaporized in the receiving container was hydrolyzed with a total of 200 milliliters of water in the two containers. Next, the PTFE inner container constituting the receiving container was removed from the stainless steel outer container, and the residue in the PTFE inner container was washed with 50 cc of 2% HNO 3 .
200ミリリットルのHBrの加水分解溶液中の金属濃度、及び洗浄液中の残さの濃度を、それぞれ、グラファイトファーネス原子吸収分析器(GFAAS:graphite furnace atomic absorption spectroscopy )、誘導結合プラズマ質量分析器(ICPMS:inductively-coupled plasma mass spectroscopy)あるいは誘導結合プラズマ原子エミッション分析器(IPC AES:inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy )を用いて測定した。 The concentration of the metal in the hydrolysis solution of 200 ml of HBr and the concentration of the residue in the cleaning solution were respectively determined using a graphite furnace atomic absorption spectroscopy (GFAAS) and an inductively coupled plasma mass spectrometer (ICPMS). -coupled plasma mass spectroscopy (IPC) or inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy (IPC AES).
4.気相中の金属の分析
原料シリンダから採取されたサンプルガスの濾過を行い、GFAASを用いて金属の分析を行った。サンプリング用の膜フィルタ(PVDF,47mm)を濃縮された王水で洗浄し、クラス100のクリーンベンチの中で乾燥を行った。前洗浄されたフィルタを、ポリプロピレン製のフィルタホルダに装着した。気相状態のHBr中の特定の不純物をトラップした後、膜フィルタを、希釈された王水で洗浄し、洗浄溶液をGFAASを用いて分析した。
4). Analysis of metal in gas phase The sample gas collected from the raw material cylinder was filtered, and the metal was analyzed using GFAAS. A sampling membrane filter (PVDF, 47 mm) was washed with concentrated aqua regia and dried in a
以上の過程中において、受入コンテナをガスラインに接続するマニフォールドが、受入コンテナに対する取付け・取外しの際、空気及び水分によって汚染され易いことが判明した。従って、マニフォールド及び受入コンテナの双方のパージを、主充填ラインを介して、乾燥N2を用いて行った。しかしながら、これらの二つの部材は、大きな死空間(dead volume)を有しており、空気で汚染された場合には、簡単にパージすることができない。これらの二つの部材をそれぞれパージする際、残った水分及び空気は、これらの部品から主充填ラインの中に浸入する。更に、マニフォールドの付近のバルブ類及び継手類は、充填の後、大きく腐食される。従って、ガスラインからマニフォールドを取外して、アセトン及び水からなる洗浄溶液を用いて洗浄し、素早く且つ完全に乾燥する必要がある。洗浄が終ったマニフォールドは、ストックしている間、連続的にパージしておいた。マニフォールドについての上記の様な洗浄の手順は、後続する充填作業の際にも常に繰り返し行われた。受入コンテナについては、別途、各充填作業の前に、真空引き及びN2を用いたパージが行われた。 During the above process, it has been found that the manifold that connects the receiving container to the gas line is easily contaminated by air and moisture during mounting and removal from the receiving container. Therefore, both the manifold and receiving container were purged with dry N 2 via the main filling line. However, these two members have a large dead volume and cannot be easily purged when contaminated with air. When purging each of these two parts, the remaining moisture and air penetrates from these parts into the main fill line. Furthermore, valves and fittings near the manifold are greatly corroded after filling. It is therefore necessary to remove the manifold from the gas line, clean it with a cleaning solution consisting of acetone and water, and dry it quickly and completely. The manifold after washing was continuously purged while stocking. The above washing procedure for the manifold was always repeated during subsequent filling operations. The receiving container was separately evacuated and purged with N2 before each filling operation.
また、気相状態のみでの充填を確実に行うためには、原料シリンダから引き抜かれる流量の調整が非常に重要であることが判明した。50kgのHBrを収容する10リットルのシリンダから0.5slmのHBrを、問題となる様なミストの発生を伴わずに、容易に供給することができる。原料シリンダの容量、原料シリンダ中のHBrの量、及び温度調整の条件に応じて、流量を最適化する必要がある。 Further, it has been found that adjustment of the flow rate withdrawn from the raw material cylinder is very important in order to reliably perform filling only in the gas phase state. 0.5 slm of HBr can be easily supplied from a 10 liter cylinder containing 50 kg of HBr without causing any mist that causes problems. It is necessary to optimize the flow rate according to the capacity of the raw material cylinder, the amount of HBr in the raw material cylinder, and the temperature adjustment conditions.
以上において、本発明について実施態様を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、これらの範囲に限定されるものではない。当業者にとって明らかである様に、本発明の趣旨を逸脱することなく、様々な変更を加えてあるいは構成部品を同等なものと置き換えて、本発明を実施することができる。 Although the present invention has been described in detail above with reference to the embodiments, the present invention is not limited to these ranges. As will be apparent to those skilled in the art, the present invention may be practiced with various modifications or substitution of equivalent components without departing from the spirit of the present invention.
表3中に、原料シリンダ内及び受入シリンダ内の液相状態のHBr中の金属不純物の濃度を、それぞれ「充填前」及び「充填後」として示した。液相状態のHBr中のFeの濃度は、約2wt.ppbまで減少する。この値は、充填ラインを通る気相状態のHBr中のFeの濃度と実質的に同一である。この値は、気相状態での充填による金属不純物の除去についての究極的な能力を表している。 In Table 3, the concentrations of metal impurities in the liquid phase HBr in the raw material cylinder and in the receiving cylinder are shown as “before filling” and “after filling”, respectively. The concentration of Fe in the liquid phase HBr is about 2 wt. Decrease to ppb. This value is substantially the same as the concentration of Fe in the gas phase HBr passing through the filling line. This value represents the ultimate ability for removal of metal impurities by filling in the gas phase.
表3.金属不純物濃度の比較
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
元素 充填前 充填後
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
Al 12.60 0.09
Ca 35.40 1.81
Co 26.00 3.47
Cr 415.00 0.43
Cu N.D. 0.89
Fe 5320.00 1.87
Mn 15.30 7.71
Na 6.19 0.24
Ni 680.00 0.74
Zn 11.60 2.24
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
(単位:wt.ppb)
Table 3. Metal impurity concentration comparison ---------------------
Element Before filling After filling ---------------------
Al 12.60 0.09
Ca 35.40 1.81
Co 26.00 3.47
Cr 415.00 0.43
Cu N. D. 0.89
Fe 5320.00 1.87
Mn 15.30 7.71
Na 6.19 0.24
Ni 680.00 0.74
Zn 11.60 2.24
---------------------
(Unit: wt.ppb)
100・・・充填システム、102・・・原料シリンダ、104・・・受入シリンダ、106・・・加熱槽、108・・・重量計、110・・・冷却槽、112、116、120、124、128、134、136、142・・・ガスライン、114、118、126、138、144・・・バルブ、122・・・フィルタ、130・・・ガス供給源(N2ガス供給源)、132・・・圧力計、140・・・真空排気装置、146・・・洗浄塔。
DESCRIPTION OF
Claims (33)
精製された化合物を収容する第二の容器と、
前記第一の容器と前記第二の容器との間を連絡し、前記化合物が気相状態で前記第一の容器から前記第二の容器へ移送される第一の流体経路と、
前記第一の容器と前記第二の容器とを互いに異なる温度で維持し、前記化合物を前記第一の容器から前記第二の容器へ移送する際に、前記化合物を気相状態で維持し、且つ、前記第二の容器の中で前記化合物を液化する温度制御機構と、
を備えた液相状態の化合物の精製装置であって、
前記化合物が前記第一の容器から前記第二の容器へ気相状態で移送される際、前記少なくとも一種の不純物は、前記第一の容器から前記第二の容器へ移送されないことを特徴とする少なくとも一種類の不純物を含有する液相状態の化合物の精製装置。 A first container containing a liquid-state compound containing at least one impurity;
A second container containing the purified compound;
A first fluid path communicating between the first container and the second container, wherein the compound is transferred from the first container to the second container in a gas phase;
Maintaining the first container and the second container at different temperatures, and maintaining the compound in a gas phase when transferring the compound from the first container to the second container; And a temperature control mechanism for liquefying the compound in the second container;
An apparatus for purifying a compound in a liquid phase state comprising:
When the compound is transferred from the first container to the second container in a gas phase, the at least one impurity is not transferred from the first container to the second container. An apparatus for purifying a compound in a liquid phase state containing at least one kind of impurity.
第二の容器を、少なくとも第一の流体経路を介して、前記第一の容器に連絡させる工程と、
前記化合物を、前記第一の容器から前記第一の流体経路を介して、前記第二の容器へ圧力差を利用して移送し、その結果、前記第一の容器から移送され前記第二の容器に収容された前記化合物中での不純物の濃度を、前記第一の容器内での濃度よりも減少させる工程と、
を備えたことを特徴とする液相状態の化合物から少なくとも一種類の不純物を除去する方法。 Heating the liquid phase state compound containing at least one impurity to a temperature equal to or higher than the boiling point of the compound in the first container;
Communicating a second container to the first container via at least a first fluid path;
The compound is transferred from the first container via the first fluid path to the second container using a pressure difference, and as a result, transferred from the first container and the second container. Reducing the concentration of impurities in the compound contained in the container below the concentration in the first container;
A method for removing at least one kind of impurities from a compound in a liquid phase state.
前記化合物及び前記少なくとも一種類の不純物を、前記化合物の沸点よりも高い温度に維持することによって、前記化合物を気相状態に変える工程と、
気相状態の前記化合物を、圧力差を利用して第二の容器に移送する工程と、
を備えたことを特徴とする液相状態の化合物から少なくとも一種類の不純物を除去する方法。 A compound in a liquid phase state containing at least one kind of impurities, wherein the partial pressure of the gas phase of the compound in the first container is a fraction of the gas phase of the at least one kind of impurities in the first container. Containing a compound larger than the pressure in the first container;
Changing the compound to a gas phase by maintaining the compound and the at least one impurity at a temperature above the boiling point of the compound;
Transferring the compound in a gas phase state to a second container using a pressure difference;
A method for removing at least one kind of impurities from a compound in a liquid phase state.
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