JP2009064313A - 2線式伝送器 - Google Patents

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Abstract

【課題】2線式伝送器に関し、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を提供することである。
【解決手段】物理量検出部により物理量を検出し、この物理量に対応した伝送電流が供給される2線式伝送器において、前記伝送電流の一部である余剰電流の変化を検出した変化検出信号を出力する余剰電流変化検出部と、前記物理量を積算した積算データを前記変化検出信号に基づいて記憶部へ格納する演算制御部と、を備えたことを特徴とするもの。
【選択図】図1

Description

本発明は、2線式伝送器に関し、特に、2線式伝送器への供給電源電圧が低下または遮断したときの物理量の積算データバックアップに関するものである。
積算データをバックアップする2線式伝送器の例を図4および図5に表す。なお、図4と同様の構成は特許文献1の図6に、図5および図6と同様の構成などは特許文献2の図1および図2に示されている。
2線式伝送器は、物理量(プロセス量)である流量、圧力または温度などを検出および演算して、コントローラへ演算値を電流信号として伝送する。このような2線式伝送器について図4を用いて説明する。
図4において、2線式伝送器12は、電流伝送部20、電圧出力部9、物理量検出部19を備えている。
直流電源10の正極(+)は、伝送線L1を介して2線式伝送器12の端子T1に接続され、負極(−)は、負荷抵抗11および伝送線L2を介して2線式伝送器12の端子T2に接続される。
伝送電流Ioは、直流電源10の正極(+)から端子T1を介して2線式伝送器12の内部へ流れ、端子T2を介して直流電源10の負極(−)へ流れる。これにより、2線式伝送器12は、端子T1、T2間電圧Vo1および伝送電流Ioの電力供給を直流電源10から受ける。
電圧出力部9の出力電圧V1は、DC/DC変換部16の入力端子T3および増幅器13、14に加えられ、DC/DC変換部16の直流電圧Vd1は物理量検出部19に加えられる。
物理量検出部19において、例えば渦流量計の場合、センサ18は、測定流体の流れにより発生するカルマン渦を電気信号として検出する。このカルマン渦の数は測定流体の流速に対応しており、信号処理回路17は、このカルマン渦の数を計数した値に基づいて測定流体の流量を演算する。
信号処理回路17の出力は、絶縁回路15および増幅器14を介して増幅器13へ伝達され、増幅器13は、伝送電流Ioに対応した帰還電圧Vf1と増幅器14の出力電圧とが一致するように、トランジスタQ1のベース電流およびコレクタ電流を変化させる。これにより、伝送電流Ioは、演算された流量値に対応した電流値となり、例えば、伝送電流Ioは4mAから20mAの範囲となる。
このとき、2線式伝送器12の内部回路の消費電流Iconを伝送電流Ioから差し引いた余剰電流IQ1が、トランジスタQ1のコレクタ電流として流れる。
つぎに、直流電源10の出力電圧が低下または遮断したとき、例えば、2線式伝送器12が流量値の積算データをバックアップする動作について、図5を用いて説明する。図5は、物理量検出部19、マイクロプロセッサ27および電圧低下検出部29などを表したブロック図である。
センサ18により検出されたカルマン渦の数は、変換回路21を介して外部カウンタ22により計数され、マイクロプロセッサ27は、計数値を受け取り流量を演算し、演算された流量値を積算する。
そして、直流電源10の出力電圧が低下または遮断したとき、電圧出力部9の出力電圧V1が低下するとともに、DC/DC変換部16の直流電圧Vd1も低下する。その後、直流電圧Vd1が所定電圧以下になったとき、電圧低下検出部29において、電圧低下検出信号NMI(ノンマスカブル割込み信号)の電圧が変化する。
マイクロプロセッサ27は、電圧低下検出信号NMIの電圧変化を検出したとき、積算データを記憶部EEPROM24へ格納してバックアップを行う。なお、マイクロプロセッサ27および記憶部EEPROM24などのデジタル回路は、DC−DC変換部16の直流電圧Vd1から電力供給を受けている。
さらに、この動作について、図6のタイミングチャート図を用いて説明する。
図6(a)に示すように、DC/DC変換部16の直流電圧Vd1は、時刻t1以後低下し始めて、時刻t2において電圧Ethとなり、時刻t3において電圧Eenaとなり、その後ゼロボルトとなる。
電圧Ethは、(R1+R2)xEs/R2であり、電圧Eenaは、マイクロプロセッサ27および記憶部EEPROM24の動作可能電圧である。
図6(b)に示すように、電圧低下検出信号NMIは、時刻t2においてハイレベル電圧からローレベル電圧に変化する。そして、マイクロプロセッサ27は、この電圧変化を検出することにより積算データを記憶部EEPROM24へバックアップする。
このとき、積算データバックアップ許容時間t100は、時刻t2からt3までの時間である。マイクロプロセッサ27は、積算データバックアップ許容時間t100の間に、積算データを記憶部EEPROM24へバックアップする必要がある。
バックアップが積算データバックアップ許容時間t100の間に終了しない場合、DC/DC変換部16の直流電圧Vd1が電圧Eenaより低下することにより、マイクロプロセッサ27および記憶部EEPROM24は正常に動作せず、積算データがバックアップされないことがある。
なお、図6(c)に示すように、リセット信号RSTは、遅延回路28により、時刻t2から遅延時間tdだけ遅れ、時刻t4においてハイレベル電圧からローレベル電圧に変化する。その後、マイクロプロセッサ27は、リセット信号RSTにより、リセット状態となり動作を停止する。ここで、時刻t4は時刻t3より遅いので、リセット信号RSTは、マイクロプロセッサ27のバックアップ動作に影響を与えない。
特開平5−166093号公報 実公平7−33464号公報
2線式伝送器12の周囲温度が低温(例えば0℃以下)となった場合、マイクロプロセッサ27および記憶部EEPROM24などのデジタル回路の消費電力は高温時より増加するため、図6(a)に示すDC/DC変換部16の直流電圧Vd1の低下する時刻t2およびt3が早まる。
このため、積算データバックアップ許容時間t100は短くなり、マイクロプロセッサ27は、積算データを記憶部EEPROM24へバックアップできないことがある。
また、低温時に限らず、バックアップするデータ量が設計変更により増加した場合、マイクロプロセッサ27から記憶部EEPROM24へバックアップするために必要な時間が増加する。
このため、マイクロプロセッサ27は、積算データバックアップ許容時間t100の間に、積算データを記憶部EEPROM24へバックアップできないことがある。特に、マイクロプロセッサ27から記憶部EEPROM24へデータをシリアル転送する場合、転送時間が増加し、バックアップに必要な時間がより増加する。
また、2線式伝送器12への供給電圧(直流電源10の出力電圧)が低下または遮断するとともに、DC/DC変換部16の直流電圧Vd1が低下したとき、2線式伝送器12は、この低下または遮断情報を外部に発信しないため、ユーザーは、この情報を知ることができない。
本発明の目的は、2線式伝送器に関し、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を提供することである。また、2線式伝送器への供給電圧が低下または遮断した場合、これに関連する情報をユーザーに知らせることができる2線式伝送器を提供することである。
このような目的を達成するために、請求項1の発明は、
物理量検出部により物理量を検出し、この物理量に対応した伝送電流が供給される2線式伝送器において、
前記伝送電流の一部である余剰電流の変化を検出した変化検出信号を出力する余剰電流変化検出部と、
前記物理量を積算した積算データを前記変化検出信号に基づいて記憶部へ格納する演算制御部と、
を備えたことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の発明において、
前記演算制御部へ供給するクロックの周波数を前記変化検出信号に基づいて低くする分周部、
を備えたことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載の発明において、
前記物理量検出部および前記演算制御部へ供給する電力供給電圧を前記変化検出信号に基づき変化させる可変電圧出力部、
を備えたことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3に記載の発明において、
前記可変電圧出力部は、
第1基準電圧またはこの第1基準電圧より低い第2基準電圧を選択する選択部を備え、
前記電力供給電圧を、前記変化検出信号に基づき前記選択部で選択した選択基準電圧に対応した電圧に変化させる、
ことを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1から4のいずれか一項に記載の発明において、
前記変化検出信号に基づき警告メッセージを表示する表示部、
を備えたことを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1から5のいずれか一項に記載の発明において、
前記変化検出信号に基づき警告データを送信する通信部、
を備えたことを特徴とする。
請求項1の発明によれば、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき積算データのバックアップを行うことにより、積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
請求項2の発明によれば、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき演算制御部へ供給するクロックの周波数を低くすることにより、演算制御部の消費電力が小さくなり、内部電源電圧の低下する時間が遅くなる。これにより、さらに積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
請求項3または請求項4の発明によれば、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき物理量検出部および演算制御部への供給電力を小さくすることにより、内部電源電圧の低下する時間が遅くなる。これにより、さらに積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
請求項5または請求項6の発明によれば、2線式伝送器に関し、2線式伝送器への供給電圧が低下または遮断されて余剰電流が減少したとき、警告メッセージを表示または警告データを送信することにより、余剰電流が減少した情報をユーザーに知らせることができる2線式伝送器を実現できる。
[第1の実施例]
本発明を適用した2線式伝送器のブロック図である図1を用いて、第1の実施例を説明する。本実施例は、余剰電流Irの減少を検出した変化検出信号NMI50に基づいて積算データをバックアップするものである。
図1において、2線式伝送器100は、物理量(プロセス量)である流量、圧力または温度などを検出および演算して、コントローラ(図示しない)などに演算値を電流信号として伝送する。
図1に示す本発明を適用した2線式伝送器100は、物理量検出部30、演算制御部40、記憶部41、余剰電流変化検出部50および電流伝送部60を備えている。
2線式伝送器100の外部に設けられた直流電源110の正極端子(+)は、伝送線L100を介して2線式伝送器100の端子T100に接続され、負極端子(−)は、負荷抵抗Rs110および伝送線L101を介して2線式伝送器100の端子T101に接続される。
端子T100およびT101は、電流伝送部60に接続される。つぎに、電流伝送部60の構成について説明する。
端子T100は、トランジスタQ60のエミッタ端子に接続され、トランジスタQ60のベース端子は、トランジスタQ62のコレクタ端子に接続される。
トランジスタQ62のエミッタ端子は、抵抗R67およびダイオードD60を介して伝送電流検出抵抗Rs60の一端に接続され、伝送電流検出抵抗Rs60の他端は端子T101に接続される。
なお、ダイオードD60のカソード端子と伝送電流検出抵抗Rs60の一端との接続点の電圧は、共通電圧Vcomとする。
トランジスタQ60のコレクタ端子は、ダイオードD61のアノード端子に接続され、ダイオードD61のカソード端子は、電圧出力部70のトランジスタ(例えば、電界効果トランジスタ)Q70のドレイン端子に接続される。なお、ダイオードD61のカソード端子と共通電圧Vcomとの間には、定電圧ダイオードおよびキャパシターが並列に接続される。
トランジスタQ60のコレクタ端子とトランジスタQ62のベース端子との間には、抵抗R66および抵抗R65が直列に接続される。
演算制御部40の出力は、抵抗R60を介して演算増幅器A60の非反転入力端子(+)に接続され、演算増幅器A60の非反転入力端子(+)と共通電圧Vcomとの間に、キャパシターC60が接続される。なお、演算制御部40については後述する。
演算増幅器A60の出力端子は、抵抗R61を介して演算増幅器A61の反転入力端子(−)に接続されるとともに、演算増幅器A61の反転入力端子(−)は、抵抗R62を介して伝送電流検出抵抗Rs60と端子T101との接続点に接続され、抵抗R63を介して通信部45の出力に接続される。
演算増幅器A61の出力端子は、抵抗65と抵抗66との接続点に抵抗R64を介して接続される。
つぎに、電圧出力部70の構成について説明する。
トランジスタQ70のドレイン端子は、抵抗R70の一端、抵抗R72の一端およびDC/DC変換部46の入力に接続され、このドレイン端子の電圧は、電圧出力部70から出力される電力供給電圧V70である。
抵抗R70の他端は抵抗R71の一端に接続され、抵抗71の他端は共通電圧Vcomに接続されるとともに、抵抗R72の他端は定電圧ダイオードD70のカソード端子に接続され、定電圧ダイオードD70のアノード端子は共通電圧Vcomに接続される。
抵抗R70と抵抗R71との接続点は、演算増幅器A70の反転入力端子(−)に接続され、抵抗R72と定電圧ダイオードD70との接続点は、演算増幅器A70の非反転入力端子(+)に接続される。
演算増幅器A70の出力端子はトランジスタQ70のゲート端子に接続され、トランジスタQ70のソース端子は余剰電流検出抵抗Rs70の一端に接続されるとともに、余剰電流検出抵抗Rs70の他端は共通電圧Vcomに接続される。
DC/DC変換部46の出力は、物理量検出部30、演算制御部40、記憶部41、分周部42、クロック発生部43、表示部44、通信部45、比較部51および遅延部52などの電源端子に接続される。また、DC/DC変換部46、物理量検出部30、演算制御部40、記憶部41、分周部42、クロック発生部43、表示部44、通信部45、比較部51および遅延部52などの基準電圧端子は、共通電圧Vcomに接続される。
つぎに、物理量検出部30、余剰電流変化検出部50および演算制御部40を含めた周辺の構成について説明する。
物理量検出部30は、センサ(図示しない)を含み、流量、圧力または温度などの物理量を検出する。
演算制御部40は、物理量検出部30から出力される物理量検出信号を受け取り、物理量を演算する。
クロック発生部43から出力されるクロックCK(以下、「原クロック」という)は、分周部42へ入力され、分周部42は、原クロックCKを分周したクロックCLKを演算制御部40へ出力する。
演算制御部40は、分周部42へ分周比を設定する第1制御信号V42を出力し、記憶部41、表示部44および通信部45へ各データを出力する。
余剰電流変化検出部50は、比較部51、遅延部52および閾値電圧Es50(直流電圧)を備えている。比較部51には、トランジスタQ70のソース端子と余剰電流検出抵抗Rs70との接続点の信号(余剰電流検出信号Vs70)が入力されるとともに、閾値電圧Es50が入力される。
比較部51は、演算制御部40および遅延部52へ変化検出信号NMI50を出力し、遅延部52は、演算制御部40へリセット信号RST50を出力する。なお、演算制御部40は、変化検出信号NMI50をノンマスカブル割込み信号として、リセット信号RST50をリセット信号として受け取る。
つぎに、この2線式伝送器100の動作について説明する。まず、物理量検出部30および演算制御部40の動作について説明する。
物理量検出部30および演算制御部40は、流量、圧力または温度などの物理量を検出して演算する。
例えば電磁流量計の場合、物理量検出部30は、測定流体に磁界を与え、電磁誘導により測定流体中に発生する起電力を検出する。この起電力は、測定流体の流速に対応しているため、演算制御部40は、物理量検出部30から出力された物理量検出信号を受け取り、流速および流量を演算する。
また、流量測定は、渦式流量測定であってもよい。物理量検出部30は、圧力伝送器の場合には圧力を検出し、温度伝送器の場合には温度を検出する。
つぎに、電流伝送部60の動作について説明する。
演算制御部40は、演算値に対応した信号PWMを抵抗R60へ出力する。例えば、この出力信号PWMは、演算流量値に対応したデューティ比を有するパルス幅変調信号である。
演算増幅器A61の反転入力端子(−)には、演算増幅器A60の出力が抵抗R61を介して入力され、伝送電流検出抵抗Rs60と端子T101との接続点の電圧Vs60(伝送電流検出電圧)が抵抗R62を介して入力される。
演算増幅器A61の反転入力端子(−)の電圧が、ほぼ非反転入力端子(+)の電圧(共通電圧Vcom)に等しくなるように、演算増幅器A61の出力は、抵抗R64および抵抗R65を介してトランジスタQ62のベース電流を変化させ、この変化にともないトランジスタQ60のエミッタ電流(伝送電流Is)が変化する。
これにより、伝送電流Isが、直流電源110の正極端子(+)から端子T100を介して2線式伝送器100の内部に流入し、2線式伝送器100の内部から伝送電流検出抵抗Rs60、端子T101および負荷抵抗Rs110を介して直流電源110の負極端子(−)に流出する。
このように、2線式伝送器100の内部は、直流電源110から、一対の端子T100、T101間の電圧および伝送電流Isの供給を受けて動作する。
伝送電流Isの電流値は、電流伝送部60の動作により、演算制御部40で演算された物理量に対応(比例)する。
例えば、演算流量値が1時間あたり0立方メートルの場合、演算制御部40の出力信号PWMのデューティ比は20%、伝送電流Isは4mAとなる。また、1時間あたり6立方メートルの場合、デューティ比は80%、伝送電流Isは20mAとなる。
つぎに、電圧出力部70の動作について説明する。
伝送電流Isは、トランジスタQ60のエミッタ、コレクタ端子およびダイオードD61を介して電圧出力部70に流れる。
電圧出力部70の出力である電力供給電流I70は、DC/DC変換部46を介して、物理量検出部30、演算制御部40、記憶部41、分周部42、クロック発生部43、表示部44、通信部45、比較部51および遅延部52などに流れる。
ここで、伝送電流Isと電圧出力部70の電力供給電流I70との差分を余剰電流Irとする。余剰電流Irは、伝送電流Isの一部であり、2線式伝送器100の内部回路の消費電流を伝送電流Isから引いたものである。
言い換えれば、余剰電流Irは、2線式伝送器100の内部回路の消費電流の余裕分(マージン)であり、トランジスタQ70のドレイン端子からソース端子および余剰電流検出抵抗Rs70を介して共通電圧Vcomへ流れる。
演算増幅器A70の反転入力端子(−)に入力される電圧Vdivと非反転入力端子(+)に入力される電圧Vr70とを等しくするように、演算増幅器A70の出力は、トランジスタQ70を介して余剰電流Irを制御する。
この制御により、電圧出力部70の電力供給電圧V70は、下記式(1)で表すことができる。
Figure 2009064313
なお、電圧Vdivは、抵抗R70および抵抗R71により電圧出力部70の電力供給電圧V70を分圧した電圧である。電圧Vr70は、定電圧ダイオードD70のツェナー電圧である。
DC/DC変換部46は、一定電圧V46を出力する。DC/DC変換部46の出力電圧V46、出力電流I46および電圧出力部70の電力供給電圧V70、電力供給電流I70の関係は、入出力電力の変換効率Tを用いて、下記式(2)で表すことができる。変換効率Tは、0から1の間の値である。
Figure 2009064313
電圧出力部70は、DC/DC変換部46を介して、物理量検出部30および演算制御部40などへ電力(DC/DC変換部46の出力電圧V46と出力電流I46との積)を供給する。
つぎに、余剰電流変化検出部50などを含め、演算制御部40の動作について、詳しく説明する。
演算制御部40は、分周部42からクロックCLKを供給されて、このクロックCLKに基づき物理量の演算などの動作を行う。なお、演算制御部40は、プログラムメモリ(図示しない)に記憶されたプログラムを読み出して各動作を行う。
直流電源110の出力電圧が低下または遮断したとき、演算制御部40は、比較部51の変化検出信号NMI50に基づいて、演算物理量を積算した積算データIDTを記憶部41へ格納する。
比較部51は、余剰電流検出信号Vs70と閾値電圧Es50とを比較し、余剰電流検出信号Vs70の電圧が閾値電圧Es50より低下したとき、比較部51の変化検出信号NMI50をハイレベル電圧からローレベル電圧とする。
遅延部52は、変化検出信号NMI50を所定時間遅らせたリセット信号RST50を出力する。
これらの動作について、タイミングチャート図である図3を用いて説明する。図3(a)は電圧出力部70の電力供給電圧V70、図3(b)は余剰電流検出信号Vs70、図3(c)はDC/DC変換部46の出力電圧V46、図3(d)は変化検出信号NMI50、図3(e)はリセット信号RST50のタイミングチャートである。
図3(a)において、時刻t11に、直流電源110の出力電圧が低下または遮断したとする。これにともない、電圧出力部70の電力供給電圧V70(a)は、時刻t11以後低下し始めて、時刻t13に電圧Edへ低下して、その後ゼロボルトまで低下する。ここで、電圧Edは、直流電源110の出力電圧が低下または遮断する以前のDC/DC変換部46の出力電圧V46(c)である。
時刻t11に、電圧出力部70の電力供給電圧V70(a)が低下するとともに、演算増幅器A70の反転入力端子(−)の入力電圧Vdivも低下することにより、演算増幅器A70の出力電圧が上昇し、余剰電流Irが減少する。
このため、図3(b)において、余剰電流検出信号Vs70は、時刻t11以後低下し始めて、時刻t12に閾値電圧Es50へ低下して、その後ゼロボルトまで低下する。なお、余剰電流検出信号Vs70は、余剰電流検出抵抗Rs70により余剰電流Irを電圧に変換した信号である。
図3(c)において、時刻t13以後、電圧出力部70の電力供給電圧V70(a)が電圧Edより低下するとともに、DC/DC変換部46の出力電圧V46(c)は、同様に低下し始めて、時刻t14に電圧Eenaへ低下して、その後ゼロボルトまで低下する。なお、電圧Eenaは、演算制御部40および記憶部41などが動作可能な電源電圧値である。
図3(d)において、時刻t12以後、余剰電流検出信号Vs70(b)の電圧が閾値電圧Es50より低下するため、これにともない時刻t12において、変化検出信号NMI50(d)は、ハイレベル電圧からローレベル電圧に低下して、以後ローレベル電圧を維持する。
そして、時刻t12において、演算制御部40は、変化検出信号NMI50(d)の電圧変化をノンマスカブル割込み信号として受信した後、演算物理量を積算した積算データIDTを記憶部41へ格納してバックアップする。
バックアップは、図3(d)に示す積算データバックアップ許容時間t200の間に行う必要がある。
積算データバックアップ許容時間t200は、時刻t12から時刻t14までの時間であり、バックアップ開始から、演算制御部40および記憶部41が動作可能な電源電圧(電圧Eena)に低下するまでの時間である。
このため、積算データバックアップ許容時間t200の間であれば、演算制御部40は記憶部41へバックアップすることができる。
そして、図3(e)において、バックアップが終了した後、遅延部52から出力されるリセット信号RST50は、時刻t15にハイレベル電圧からローレベル電圧に低下して、以後ローレベル電圧を維持する。なお、時刻t15は、変化検出信号NMI50(d)がローレベル電圧へ低下した時刻t12に遅延時間td50を加えた時間である。
リセット信号RST50(e)がローレベル電圧になるとともに、演算制御部40の動作は停止する。その後、DC/DC変換部46の出力電圧V46(c)がゼロボルトになっても、不揮発性メモリである記憶部41は、バックアップした積算データIDTを保持することができる。なお、記憶部41は、EEPROMのほかフラッシュメモリなどを使用することができる。
なお、図3(c)で示した積算データバックアップ許容時間t100は、図6(b)で示したものと同様の時間である。
ここで、図3(c)の積算データバックアップ許容時間t100と図3(d)の積算データバックアップ許容時間t200とを比較する。本実施例における図3(d)の積算データバックアップ許容時間t200は、余剰電流Irの変化検出信号NMI50に基づきバックアップを開始した時間分だけ、図3(c)の積算データバックアップ許容時間t100より長くなる。
なお、余剰電流変化検出部50は、図5の電圧低下検出部29と同様の構成とすることもできる。
また、余剰電流変化検出部50は、余剰電流検出信号Vs70をAD変換するAD変換部(図示しない)またはVF変換(電圧信号−周波数信号変換)するVF変換部(図示しない)を有し、これらの変換信号を比較部51へ入力してもよい。そして、余剰電流変化検出部50が、余剰電流Irの減少にともない、AD変換値または周波数値が所定値より小さくなったことを検出したとき、演算制御部40は、積算データIDTを記憶部41へ格納してバックアップすることができる。
本実施例によって、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき積算データのバックアップを行うことにより、積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
[第2の実施例]
第2の実施例を、図1および図3を用いて説明する。本実施例は、余剰電流Irの減少を検出した変化検出信号NMI50に基づいて演算制御部40に供給するクロックCLKの周波数を低くした後、積算データをバックアップするものである。以下に、第1の実施例と相違するクロックCLKの周波数を低くする点を中心に説明する。
図3(d)において、演算制御部40は、時刻t12に、変化検出信号NMI50の電圧変化をノンマスカブル割込み信号として受信した後、分周部42へ分周比を2倍に設定する第1制御信号V42を出力する。これにより、演算制御部40へ供給されるクロックCLKの周波数は1/2となる。
なお、分周比はN倍(Nは1を超える数)であってもよく、このときクロックCLKの周波数は1/Nとなる。
演算制御部40は、つぎに、演算物理量を積算した積算データIDTを記憶部41へ格納してバックアップする。
なお、クロックCLKの周波数は1/Nとなるため、演算制御部40の消費電力が小さくなる。これにより、図3(c)DC/DC変換部46の出力電圧V46の低下は遅くなるとともに、時刻t14が遅くなるため、図3(d)の積算データバックアップ許容時間t200が長くなる。
本実施例によって、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき演算制御部へ供給するクロックの周波数を低くすることにより、演算制御部の消費電力が小さくなり、内部電源電圧の低下する時間が遅くなる。これにより、さらに積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
[第3の実施例]
第3の実施例を、本発明を適用した2線式伝送器のブロック図の他の例を示す図2を用いて説明する。図2のうち、図1と同一のものは、同一符号を付し説明を省略する。
本実施例は、余剰電流Irの減少を検出した変化検出信号NMI50に基づいて可変電圧出力部80の電力供給電圧V80を低くした後、積算データをバックアップするものである。以下に、第1の実施例と相違する可変電圧出力部80を中心に説明する。
平滑部82は演算制御部40からパルス幅変調信号を受け取り、平滑部82の出力V82は第2基準電圧として選択部81に入力される。また、抵抗R72と定電圧ダイオードD70との接続点の電圧VZは、第1基準電圧として選択部81に入力される。
選択部81において、第1基準電圧VZまたは第2基準電圧V82のいずれか一方を選択するための第2制御信号V81は、演算制御部40から選択部81に入力される。
選択部81は、第2制御信号V81に基づき選択した選択基準電圧Vr81を演算増幅器A70の非反転入力端子(+)へ出力する。
選択部81を含む可変電圧出力部80の動作について、図3も用いて説明する。
平滑部82は、例えば抵抗とキャパシターから構成されるローパスフィルタ(図示しない)であり、演算制御部40から受け取ったパルス幅変調信号を平滑して、ほぼ直流化された平滑信号を第2基準電圧V82として出力する。なお、第2基準電圧V82の直流電圧値は、第1基準電圧VZより低い。
余剰電流Irの減少を検出していない通常動作状態において、選択部81は、第2制御信号V81に基づき選択した第1基準電圧VZを選択基準電圧Vr81として出力する。
このとき、可変電圧出力部80から出力される電力供給電圧V80は、式(1)と同様に下記式(3)で表すことができる。
Figure 2009064313
図3(d)において、演算制御部40は、時刻t12に、変化検出信号NMI50の電圧変化をノンマスカブル割込み信号として受信した後、第2基準電圧V82を選択するための第2制御信号V81を選択部81へ出力する。これにより、選択部81は、第2制御信号V81に基づき選択した第2基準電圧V82を選択基準電圧Vr81として出力する。
このとき、可変電圧出力部80の電力供給電圧V80は、式(1)と同様に下記式(4)で表すことができる。
Figure 2009064313
演算制御部40は、つぎに、演算物理量を積算した積算データIDTを記憶部41へ格納してバックアップする。
第2基準電圧V82は第1基準電圧VZより低いため、式(4)で表す可変電圧出力部80の電力供給電圧V80は、式(3)で表す電力供給電圧V80より低くなる。このため、可変電圧出力部80の電力供給電圧V80が低くなることにともない、式(2)より、物理量検出部30および演算制御部40などへ供給する電力(DC/DC変換部46の出力電圧V46と出力電流I46との積)も小さくなる。なお、式(2)において、電圧出力部70の電力供給電圧V70および電力供給電流I70は、可変電圧出力部80の電力供給電圧V80および電力供給電流I80に置き換えることができる。
これにより、図3(c)DC/DC変換部46の出力電圧V46の低下は遅くなるとともに、時刻t14が遅くなるため、図3(d)の積算データバックアップ許容時間t200が長くなる。
なお、演算制御部40は、平滑部82へ出力するパルス幅変調信号のデューティ比を変更して、第2基準電圧V82および式(4)に表す可変電圧出力部80の電力供給電圧V80を任意に変化させることができる。
また、平滑部82はDA変換部(図示しない)としてもよく、演算制御部40は、DA変換部へデジタル信号を出力する。DA変換部は、DA変換(デジタル信号−アナログ信号変換)をして、変換電圧を第2基準電圧V82として出力する。
このほか、DC/DC変換部46を設けず、可変電圧出力部80は、直接、電力供給電圧V80および電力供給電流I80により、物理量検出部30および演算制御部40などへ電力供給してもよい。
本実施例によって、2線式伝送器に関し、余剰電流が減少したとき物理量検出部および演算制御部への供給電力を小さくすることにより、内部電源電圧の低下する時間が遅くなる。これにより、さらに積算データバックアップ許容時間が長くなり、周囲温度が低温になった場合またはバックアップするデータ量が設計変更により増加した場合においても、積算データをバックアップすることができる2線式伝送器を実現できる。
[第4の実施例]
第4の実施例を、図1および図3を用いて説明する。本実施例は、余剰電流Irの減少を検出した変化検出信号NMI50に基づいて積算データをバックアップするとともに、2線式伝送器への供給電圧が低下または遮断されて余剰電流Irが減少したとき、余剰電流Irの減少を表す警告メッセージを表示または警告データを送信するものである。以下に、第1の実施例と相違する警告メッセージを表示または警告データを送信する点を中心に説明する。
図3(d)において、演算制御部40は、時刻t12に、変化検出信号NMI50の電圧変化をノンマスカブル割込み信号として受信した後、演算物理量を積算した積算データIDTを記憶部41へ格納してバックアップする。
演算制御部40は、つぎに、余剰電流Irの減少を表す警告メッセージDISを表示部44へ出力することにより、表示部44は、警告メッセージDISを表示する。
演算制御部40は、つぎに、余剰電流Irの減少を表す警告データCOMMを通信部45へ出力することにより、通信部45は、電流伝送部60を介してコントローラ(図示しない)へ警告データCOMMを送信する。
本実施例によって、2線式伝送器に関し、2線式伝送器への供給電圧が低下または遮断されて余剰電流が減少したとき、警告メッセージを表示または警告データを送信することにより、余剰電流が減少した情報をユーザーに知らせることができる2線式伝送器を実現できる。
また、2線式伝送器100、101は、フィールドバスに対応した2線式伝送器であってもよい。
なお、本発明は、前述の実施例に限定されることなく、その本質を逸脱しない範囲で、さらに多くの変更および変形を含むものである。
本発明を適用した2線式伝送器のブロック図である。 本発明を適用した2線式伝送器のブロック図の他の例である。 図1および図2における各部の信号波形のタイミングチャートである。 背景技術における2線式伝送器のブロック図である。 図4における物理量検出部19周辺のブロック図である。 図5における各部の信号波形のタイミングチャートである。
符号の説明
30 物理量検出部
40 演算制御部
41 記憶部
42 分周部
43 クロック発生部
44 表示部
45 通信部
46 DC/DC変換部
50 余剰電流変化検出部
51 比較部
52 遅延部
60 電流伝送部
70 電圧出力部
80 可変電圧出力部
81 選択部
100、101 2線式伝送器

Claims (6)

  1. 物理量検出部により物理量を検出し、この物理量に対応した伝送電流が供給される2線式伝送器において、
    前記伝送電流の一部である余剰電流の変化を検出した変化検出信号を出力する余剰電流変化検出部と、
    前記物理量を積算した積算データを前記変化検出信号に基づいて記憶部へ格納する演算制御部と、
    を備えたことを特徴とする2線式伝送器。
  2. 前記演算制御部へ供給するクロックの周波数を前記変化検出信号に基づいて低くする分周部、
    を備えたことを特徴とする請求項1に記載の2線式伝送器。
  3. 前記物理量検出部および前記演算制御部へ供給する電力供給電圧を前記変化検出信号に基づき変化させる可変電圧出力部、
    を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の2線式伝送器。
  4. 前記可変電圧出力部は、
    第1基準電圧またはこの第1基準電圧より低い第2基準電圧を選択する選択部を備え、
    前記電力供給電圧を、前記変化検出信号に基づき前記選択部で選択した選択基準電圧に対応した電圧に変化させる、
    ことを特徴とする請求項3に記載の2線式伝送器。
  5. 前記変化検出信号に基づき警告メッセージを表示する表示部、
    を備えたことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の2線式伝送器。
  6. 前記変化検出信号に基づき警告データを送信する通信部、
    を備えたことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の2線式伝送器。
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WO2017135211A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 ナブテスコ株式会社 計測装置

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