JP2009060376A - 増幅回路、これを用いたサンプルホールド回路及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器 - Google Patents
増幅回路、これを用いたサンプルホールド回路及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】消費電力を増大させることなく同相電圧を参照電圧に収束させて、かつ、出力電圧範囲の広い増幅回路を提供する。
【解決手段】正相入力信号をゲート端子で受け、逆相出力信号をドレイン端子から出力するトランジスタ101と;逆相入力信号をゲート端子で受け、正相出力信号をドレイン端子から出力するトランジスタ102と;第1の電源からトランジスタ101にバイアス電流を供給する電流源103と;第1の電源からトランジスタ102にバイアス電流を供給する電流源104と;正相出力信号及び逆相出力信号の同相電圧を検出する検出回路105と;同相電圧と参照電圧との電圧差を増幅し、増幅信号を出力する増幅器106と;第1及び第2のトランジスタのソース端子と、第2の電源との間に接続され、増幅信号をゲート端子で受け、線形領域で動作する第3のトランジスタ107と;を具備する。
【選択図】図1
【解決手段】正相入力信号をゲート端子で受け、逆相出力信号をドレイン端子から出力するトランジスタ101と;逆相入力信号をゲート端子で受け、正相出力信号をドレイン端子から出力するトランジスタ102と;第1の電源からトランジスタ101にバイアス電流を供給する電流源103と;第1の電源からトランジスタ102にバイアス電流を供給する電流源104と;正相出力信号及び逆相出力信号の同相電圧を検出する検出回路105と;同相電圧と参照電圧との電圧差を増幅し、増幅信号を出力する増幅器106と;第1及び第2のトランジスタのソース端子と、第2の電源との間に接続され、増幅信号をゲート端子で受け、線形領域で動作する第3のトランジスタ107と;を具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、差動増幅回路、これを用いたサンプルホールド回路及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器に関する。
一般に、サンプルホールド回路には、差動増幅回路が用いられ、サンプルモード時とホールドモード時とで上記差動増幅回路の接続を切り替える。具体的には、サンプルモード時には上記差動増幅回路は開ループで動作し、正相入力電圧Vinp及び逆相入力電圧VinmがキャパシタCsp及びCsmに充電される。一方、ホールドモード時には、上記キャパシタCsp及びCsmが上記差動増幅回路の入出力間に帰還素子として接続され、サンプルモード時に充電された差動入力電圧を増幅した正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmが負荷キャパシタClp及びClmに夫々出力される。
従来、非特許文献1では、サンプルホールド回路に用いられる増幅回路としてテレスコーピック型の増幅回路が用いられている。テレスコーピック型の増幅回路は、差動対を持ち、電源とグラウンドとの間に飽和領域で動作するトランジスタが3段縦積みされている。
一方、非特許文献2では、差動対を持たないソース接地型増幅回路を用いてサンプルホールド回路を実現している。ソース接地型増幅回路では入力信号を受けるトランジスタのソースをグラウンドに接地させており、テレスコーピック型の増幅回路に比べて飽和領域で動作させるトランジスタ数が1つ少ないため、出力電圧範囲を広く確保できる。
IEEE Journal of Solid-State Circuit Volume 38, Issue 12, pp. 2131-2139, Dec. 2003. "A 69-mW 10-bit 80-MSample/s Pipelined CMOS ADC" IEEE Journal of Solid-State Circuit Volume 38, No. 2, pp. 369-373, Feb. 2003. "A 10-b 30-MS/s Low-Power Pipelined CMOS A/D Converter Using a Pseudodifferential Architecuture."
IEEE Journal of Solid-State Circuit Volume 38, Issue 12, pp. 2131-2139, Dec. 2003. "A 69-mW 10-bit 80-MSample/s Pipelined CMOS ADC" IEEE Journal of Solid-State Circuit Volume 38, No. 2, pp. 369-373, Feb. 2003. "A 10-b 30-MS/s Low-Power Pipelined CMOS A/D Converter Using a Pseudodifferential Architecuture."
非特許文献1記載のテレスコーピック型の増幅回路では、電源とグラウンドとの間に飽和領域で動作するトランジスタを3段縦積みしていているため、出力電圧範囲を確保しづらい。更に近年、回路の低消費電力化への要請及びトランジスタの微細化等のため電源電圧の電位は低くなる傾向にあり、出力電圧範囲の確保がより困難となる。
通常、差動信号を増幅する増幅回路では、出力電圧が飽和しないように同相電圧を検出すると共に、上記同相電圧を参照電圧に収束させるコモンモードフィードバック(以下、単にCMFBと称する)回路が用いられる。
非特許文献2記載のソース接地型の増幅回路は差動対を持たないため、これを用いてサンプルホールド回路を構成すると、ホールドモード時にCMFB回路のループ利得が小さくなり、同相電圧を参照電圧に収束させにくい。また、上記ループ利得を増やすために利得段を増やせば消費電力が増大する。
従って、本発明は、消費電力を増大させることなく同相電圧を参照電圧に収束させて、かつ、出力電圧範囲の広い増幅回路を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る増幅回路は、第1及び第2の電源と;正相入力信号をゲート端子で受け、増幅された逆相出力信号をドレイン端子から出力する第1のトランジスタと;逆相入力信号をゲート端子で受け、増幅された正相出力信号をドレイン端子から出力する第2のトランジスタと;前記第1の電源と前記第1のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第1のトランジスタにバイアス電流を供給する第1の電流源と;前記第1の電源と前記第2のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第2のトランジスタにバイアス電流を供給する第2の電流源と;前記正相出力信号及び逆相出力信号の同相電圧を検出する検出回路と;前記同相電圧と参照電圧との電圧差を増幅し、増幅信号を出力する増幅器と;前記第1及び第2のトランジスタのソース端子と前記第2の電源との間に接続され、前記増幅信号をゲート端子で受けて線形領域で動作する第3のトランジスタと;を具備する。
本発明によれば、消費電力を増大させることなく同相電圧を参照電圧に収束させて、かつ、出力電圧範囲の広い増幅回路を提供できる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係る増幅回路は、NMOSトランジスタ101、102及び107、電流源103及び104、同相電圧検出回路105、増幅器106及びキャパシタ108を有する。同相電圧検出回路105、増幅器106及びNMOSトランジスタ107で形成されるループは、CMFB回路として動作する。
(第1の実施形態)
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係る増幅回路は、NMOSトランジスタ101、102及び107、電流源103及び104、同相電圧検出回路105、増幅器106及びキャパシタ108を有する。同相電圧検出回路105、増幅器106及びNMOSトランジスタ107で形成されるループは、CMFB回路として動作する。
NMOSトランジスタ101のゲート端子には正相入力信号Vinpが入力され飽和領域で動作し、ドレイン端子から逆相出力信号Voutmが取り出される。NMOSトランジスタ102のゲート端子には逆相入力信号Vinmが入力され飽和領域で動作し、ドレイン端子から正相出力信号Voutpが取り出される。また、NMOSトランジスタ101及び102のソース端子は後述するNMOSトランジスタ107のドレイン端子に共通に接続される。
電流源103及び104は夫々、NMOSトランジスタ101及び102に電源VDDから同量のバイアス電流Ibを供給する電流源である。
同相電圧検出回路105は、正相出力信号Voutp及び逆相出力信号Voutmの同相電圧Voutcを検出する。同相電圧検出回路105によって検出された同相電圧Voutcは増幅器106の非反転入力端子に入力される。
同相電圧検出回路105の一例について図2を用いて説明する。
図2に示すスイッチトキャパシタ回路のスイッチSW201、SW202、SW203、SW221、SW222及びSW223は、本実施形態に係る増幅回路を用いたサンプルホールド回路の動作モードに従ってON/OFFを切り替える。具体的には、サンプルモード時にはスイッチSW201、SW202及びSW203がON、スイッチSW221、SW222及びSW223がオフとなり、制御電圧VcがキャパシタC211及びC212の両端に印加される。一方、ホールドモード時にはスイッチSW221、SW222及びSW223がON、スイッチSW201、SW202及びSW203がOFFとなり、正相出力電圧Voutpと逆相出力電圧Voutmとの電位差はキャパシタC211及びC231と、キャパシタC212及びC232とで等分に分圧されるので、出力同相電圧Voutcは上記正相出力電圧Voutpと逆相出力電圧Voutmの同相成分、即ち、(Voutp+Voutm)/2となる。
図2に示すスイッチトキャパシタ回路のスイッチSW201、SW202、SW203、SW221、SW222及びSW223は、本実施形態に係る増幅回路を用いたサンプルホールド回路の動作モードに従ってON/OFFを切り替える。具体的には、サンプルモード時にはスイッチSW201、SW202及びSW203がON、スイッチSW221、SW222及びSW223がオフとなり、制御電圧VcがキャパシタC211及びC212の両端に印加される。一方、ホールドモード時にはスイッチSW221、SW222及びSW223がON、スイッチSW201、SW202及びSW203がOFFとなり、正相出力電圧Voutpと逆相出力電圧Voutmとの電位差はキャパシタC211及びC231と、キャパシタC212及びC232とで等分に分圧されるので、出力同相電圧Voutcは上記正相出力電圧Voutpと逆相出力電圧Voutmの同相成分、即ち、(Voutp+Voutm)/2となる。
増幅器106は、非反転入力端子に入力される同相電圧Voutc及び反転入力端子に入力される参照電圧Vrefcの電圧差を増幅し、増幅信号Vampを出力する。ここで、CMFB回路のループ利得が十分大きければ、非反転入力端子と反転入力端子の電位差が0になるため、同相電圧Voutcは参照電圧Vrefcに収束する。
増幅器106の一例について図3を用いて説明する。
図3に示す増幅器では、NMOSトランジスタM301のゲート端子を非反転入力端子、NMOSトランジスタM302のゲート端子を反転入力端子としており、NMOSトランジスタM302のドレイン端子から増幅信号Vampが取り出される。PMOSトランジスタM303、M304、M305及びM306は能動負荷として動作し、NMOSトランジスタM307は、テール電流源として動作する。
図3に示す増幅器では、NMOSトランジスタM301のゲート端子を非反転入力端子、NMOSトランジスタM302のゲート端子を反転入力端子としており、NMOSトランジスタM302のドレイン端子から増幅信号Vampが取り出される。PMOSトランジスタM303、M304、M305及びM306は能動負荷として動作し、NMOSトランジスタM307は、テール電流源として動作する。
また、同相電圧検出回路105及び増幅器106は、図4に示すように1つの回路でまとめて構成してもよい。図4の回路では、NMOSトランジスタM401及びM402のゲート端子にて正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmのペアを受け、NMOSトランジスタM403のゲート端子で参照電圧Vrefcを受ける。
PMOSトランジスタM406及びM407はアスペクト比が等しく、カレントミラーを形成して同量のバイアス電流を電源VDDより供給する能動負荷回路である。NMOSトランジスタM404及びM405はアスペクト比が等しく、共通の電源Vbiasで駆動される。
NMOSトランジスタM401、M402及びM403のソース端子はグラウンド電源GNDに接地され、線形領域で動作する。また、NMOSトランジスタM401及びM402のアスペクト比は等しく、NMOSトランジスタM403のアスペクト比はこれらの2倍である。
NMOSトランジスタM401、M402及びM403のドレイン電流はゲート電位に比例するため、NMOSトランジスタM401及びM402のドレイン電流の合計は正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmの和、即ち同相電圧Voutcを2倍した電圧値に比例する。また、NMOSトランジスタM403のドレイン電流は参照電圧Vrefcを2倍した電圧値に比例する。
従って、正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmの和は、参照電圧Vrefcを2倍した電圧値に近づくと共に、これらの差に相当する電流がNMOSトランジスタM405のドレイン端子から取り出され、電流−電圧変換されて増幅信号Vampが出力される。
NMOSトランジスタ107は、増幅器106からの増幅信号をゲート端子で受け、線形領域で動作する。一般に、飽和領域に比べて線形領域で動作する方がドレイン−ソース間電圧を抑えられるので、図1の増幅回路はテレスコーピック型の増幅回路に比べて出力電圧範囲が広い。NMOSトランジスタ107のソース端子はグラウンド電源GNDに接地されている。
キャパシタ108は、位相補償用のキャパシタであり、本実施形態に係る増幅回路のどこに接続するかは特に限定しないが、例えば図1のようにNMOSトランジスタ107とグラウンド電源GNDとの間に接続する。図1の増幅回路におけるCMFB回路は、増幅器106及びNMOSトランジスタ107の2段アンプ構成になっているので、発振を防ぐために位相補償が必要となる。キャパシタ108は、増幅器106の帯域を十分低くすることで位相補償を行っている。
以下、図5A及び図5Bに示すソース接地型増幅回路と比較することにより、本実施形態に係る増幅回路の動作について更に詳しく説明する。
図5Aに示す増幅回路は、ソース接地型増幅回路の一例であり、NMOSトランジスタM501及びM502、PMOSトランジスタM503及びM504及び同相電圧検出回路505を含む。
図5Aに示す増幅回路は、ソース接地型増幅回路の一例であり、NMOSトランジスタM501及びM502、PMOSトランジスタM503及びM504及び同相電圧検出回路505を含む。
NMOSトランジスタM501及びM502のソース端子がグラウンド電源GNDに接地され、これらのゲート端子は正相入力電圧Vinp及び逆相入力電圧Vinmを夫々受け、これらのドレイン端子より逆相出力電圧Voutm及び正相出力電圧Voutpが夫々取り出される。
PMOSトランジスタM503及びM504は、同相電圧検出回路505で検出される出力同相電圧Voutcに応じたバイアス電流を電源VDDよりNMOSトランジスタM501及びM502に夫々供給する電流源として動作する。
同相電圧検出回路505は、正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmの同相電圧Voutcが参照電圧Vrefcに近づくようにPMOSトランジスタM503及びM504のゲート電位を制御する。
図5Aの増幅回路の場合、CMFB回路は電流源として動作するPMOSトランジスタM503及びM504を利得段とする1段アンプである。従って、上記CMFB回路のループ利得はPMOSトランジスタM503及びM504のトランスコンダクタンスと出力抵抗の積である。
図5Aの増幅回路を用いてサンプルホールド回路を構成する場合、ホールドモード時にはNMOSトランジスタM501及びM502のゲート端子とドレイン端子とがキャパシタCsp及びCsmを介してダイオード接続されるため、PMOSトランジスタM503及びM504の出力抵抗はNMOSトランジスタM501及びM502のトランスコンダクタンスの逆数である。従って、NMOSトランジスタM501及びM502のトランスコンダクタンスをgm501、PMOSトランジスタM503及びM504のトランスコンダクタンスをgm503とすれば、上記CMFB回路のループ利得は以下の式で表される。
ここで、NMOSトランジスタM501及びM502と、PMOSトランジスタM503及びM504のバイアス電流は等しいので、数式(1)に示すループ利得は、これらのトランジスタのアスペクト比(ゲート幅/ゲート長)の平方根で決まる。一般に上記アスペクト比はあまり大きくなく、出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに収束させられない。
一方、図5Bに示す増幅回路は、図5Aの増幅回路の変形例であり、NMOSトランジスタM511及びM512、PMOSトランジスタM513及びM514、同相電圧検出回路515及び増幅器516を含む。
NMOSトランジスタM511及びM512のソース端子がグラウンド電源GNDに接地され、これらのゲート端子は正相入力電圧Vinp及び逆相入力電圧Vinmを夫々受け、これらのドレイン端子より逆相出力電圧Voutm及び正相出力電圧Voutpが夫々取り出される。
PMOSトランジスタM513及びM514は、増幅器516から出力される増幅信号Vampに応じたバイアス電流を電源VDDよりNMOSトランジスタM511及びM512に夫々供給する電流源として動作する。
同相電圧検出回路515は、正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmの出力同相電圧Voutcを検出し、この出力同相電圧Voutcを増幅器516の非反転入力端子に入力する。
増幅器516は、非反転入力端子に入力された出力同相電圧Voutc及び反転入力端子に入力された参照電圧Vrefcの電圧差を増幅し、増幅信号VampをPMOSトランジスタM513及びM514のゲート端子に出力する。
図5Bの増幅回路の場合、CMFB回路は電流源として動作するPMOSトランジスタM513及びM514と、増幅器516とを利得段とする2段アンプである。従って、上記CMFB回路のループ利得はPMOSトランジスタM503及びM504による利得と、増幅器516による利得との積である。
図5Bの増幅回路を用いてサンプルホールド回路を構成する場合、ホールドモード時にはNMOSトランジスタM511及びM512のゲート端子とドレイン端子とがキャパシタCsp及びCsmを介してダイオード接続されるため、PMOSトランジスタM513及びM514の出力抵抗はNMOSトランジスタM511及びM512のトランスコンダクタンスの逆数である。従って、NMOSトランジスタM511及びM512のトランスコンダクタンスをgm511、PMOSトランジスタM513及びM514のトランスコンダクタンスをgm513、増幅器516の利得をAとすれば、上記CMFB回路のループ利得は以下の式で表される。
ここで、NMOSトランジスタM511及びM512と、PMOSトランジスタM513及びM514のバイアス電流は等しいので、初段の利得は図5Aの増幅回路と同様にあまり大きくない。しかしながら、次段の利得Aは増幅器516の利得であるから十分に大きく、出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに収束させることが可能となる。
しかしながら、図5Bの増幅回路では出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに近づく際にバイアス電流の電流量及びNMOSトランジスタM511及びM512のトランスコンダクタンスが変化する。
図5Bの増幅回路を用いたサンプルホールド回路では、ホールドモード時にキャパシタCsp及びCsmに電荷が充電され、ホールドモード時にNMOSトランジスタM511及びM512のゲート−ドレイン間に接続される。キャパシタCsp及びCsmの一端は入力インピーダンスが非常に高いNMOSトランジスタM511及びM512のゲート端子に接続されるため、両端の電位差は一定である。従って、出力同相電圧VoutcがCMFB回路によって変化すればNMOSトランジスタM511及びM512のゲート電位も同様に変化する。NMOSトランジスタM511及びM512のソース端子は接地されているため、ゲート電位が変化すればゲート−ソース間電圧及びバイアス電流量が変化する。また、これによってNMOSトランジスタM511及びM512のトランスコンダクタンスが変化する。
図5Bの増幅回路を用いたサンプルホールド回路は、ホールドモード時に負荷キャパシタClp及びClmに正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmを夫々充電することになる。この充電速度は、NMOSトランジスタM511及びM512のトランスコンダクタンス及びバイアス電流量によって決まる。出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに近づける際に上記トランスコンダクタンス及びバイアス電流量が小さくなれば、充電速度が低下し、サンプルホールド回路は所望の動作速度を達成できなくなる。従って、図5Bの増幅回路では上記充電速度の低下を見込んで、バイアス電流量に余裕を持たせる必要がある。
ここで、gm101はNMOSトランジスタ101及び102のトランスコンダクタンス、ro107lはNMOSトランジスタ107の線形領域における出力抵抗とする。
数式(3)より、図1の増幅回路を用いたサンプルホールド回路のホールドモード時において、NMOSトランジスタ107のゲート電位に対するNMOSトランジスタ101及び102のドレイン電位の利得は、以下の式で表される。
ここで、gm107lはNMOSトランジスタ107の線形領域におけるトランスコンダクタンスとする。同じドレイン電流が流れる場合、飽和領域に比べて線形領域で動作するトランジスタのトランスコンダクタンスは小さいため、gm107l/2gm101は0デシベル以下である。また、線形領域のトランジスタの出力抵抗は飽和領域のトランジスタのトランスコンダクタンスの逆数程度の大きさである。従って、数式(4)で求められる利得は、出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに収束させられるほど大きな値でない。
前述したように、NMOSトランジスタ107による利得はあまり大きくないが、増幅器106の利得Aは十分大きな値であるため、図1の増幅回路におけるCMFB回路によれば出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに収束させることが可能となる。
図1の増幅回路では、電流源103及び104が供給するバイアス電流Ibは一定であるため、図5Bの増幅回路とは異なり、NMOSトランジスタ101及び102のトランスコンダクタンスは変化しない。従って、ホールドモード時において負荷キャパシタClp及びClmへの充電速度が低下しないため、バイアス電流に余裕を持たせる必要が無く、消費電力は増大しない。
以上説明したように、本実施形態に係る増幅回路ではバイアス電流量を一定にして、線形領域で動作するソース接地のトランジスタと増幅器との2段アンプでCMFB回路を構成している。従って、本実施形態に係る増幅回路を用いてサンプルホールド回路を構成すれば、ホールド時においても出力同相電圧を参照電圧に収束させられると共に、広い出力電圧範囲及び消費電力の低減を期待できる。
(第2の実施形態)
図6に示すように、本発明の第2の実施形態に係る増幅回路は、NMOSトランジスタ101、102及び107、電流源103及び104、同相電圧検出回路105、増幅器107、キャパシタ611及び612を有する。図6の増幅回路は図1の増幅回路からキャパシタ108を取り除き、新たにキャパシタ611及び612を設けている。以下の説明では、図6において図1と同一部分には同一符号を付して示し、異なる部分を中心に述べる。
図6に示すように、本発明の第2の実施形態に係る増幅回路は、NMOSトランジスタ101、102及び107、電流源103及び104、同相電圧検出回路105、増幅器107、キャパシタ611及び612を有する。図6の増幅回路は図1の増幅回路からキャパシタ108を取り除き、新たにキャパシタ611及び612を設けている。以下の説明では、図6において図1と同一部分には同一符号を付して示し、異なる部分を中心に述べる。
キャパシタ611はNMOSトランジスタ107のゲート端子とNMOSトランジスタ101のドレイン端子との間に接続され、キャパシタ612はNMOSトランジスタ107のゲート端子とNMOSトランジスタ102のドレイン端子との間に接続される。
図6の増幅回路では、前述した数式(3)で求められる利得の値が0デシベル以下となるように調整しているものとする。尚、このような調整は例えばgm107lがgm101の1/5程度になるようにすることで実現できる。数式(3)で求められる利得の値を0デシベル以下となるようにすれば、ホールドモード時にCMFB回路は実質的に1段アンプとなるから、位相補償が不要となる。
一方、図6の増幅回路を用いたサンプルホールド回路は、サンプルモード時には増幅回路が開ループで動作するため、NMOSトランジスタ101及び102の飽和領域における出力抵抗をro101とすれば、出力抵抗は以下の式で表すことができる。
数式(7)で求められる利得は0デシベルより十分大きい。従って、図6の増幅回路を用いたサンプルホールド回路におけるCMFB回路は、サンプルモード時には2段アンプとなるので、発振を防ぐために位相補償が必要となる。
しかしながら、図1のように位相補償のためのキャパシタを接続すれば、位相補償が不要なホールドモード時にも増幅器106の負荷キャパシタンスが増えることになり、CMFB回路の帯域が狭くなる。帯域が狭くなれば、出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに収束させるまでの速度が遅くなるため、回路の動作スピードが低下する。
一方、増幅器106から見たキャパシタ611及び612のキャパシタンスは、NMOSトランジスタ107のミラー効果により実際よりも大きく見える。NMOSトランジスタ107のゲート電位に対するNMOSトランジスタ101及び102のドレイン電位の利得をAfとすれば、増幅器106から見たキャパシタ611及び612のキャパシタンスは、実際のキャパシタンスの(1+Af)倍に見える。
従って、サンプルモード時には数式(7)より利得Afは十分大きいため、増幅器106の負荷キャパシタンスは大きくなり、位相補償の効果が得られる。一方、ホールドモード時には利得Afは前述したように0デシベル以下に調整されているから、増幅器106の負荷キャパシタンスは、実際のキャパシタンスの高々2倍程度までしか大きくならないため、図1の増幅回路に比べて位相補償用のキャパシタのキャパシタンスを抑えられ、CMFB回路が広帯域化する。
以下、キャパシタ611及び612による位相補償の効果について図7を用いて説明する。
図7上段は、図6の増幅回路を用いたサンプルホールド回路(以下、単にサンプルホールド回路720と称する)のホールドモード時におけるCMFB回路の振幅特性701、図6の増幅回路からキャパシタ611及び612を除いた回路を用いたサンプルホールド回路(以下、単にサンプルホールド回路730と称する)のサンプルモード時におけるCMFB回路の振幅特性702及びサンプルホールド回路720のサンプルモード時におけるCMFB回路の振幅特性703を夫々示している。図7下段は、サンプルホールド回路720のホールドモード時におけるCMFB回路の位相特性711、サンプルホールド回路730のサンプルモード時におけるCMFB回路の位相特性712及びサンプルホールド回路720のサンプルモード時におけるCMFB回路の位相特性713を夫々示す。
図7上段は、図6の増幅回路を用いたサンプルホールド回路(以下、単にサンプルホールド回路720と称する)のホールドモード時におけるCMFB回路の振幅特性701、図6の増幅回路からキャパシタ611及び612を除いた回路を用いたサンプルホールド回路(以下、単にサンプルホールド回路730と称する)のサンプルモード時におけるCMFB回路の振幅特性702及びサンプルホールド回路720のサンプルモード時におけるCMFB回路の振幅特性703を夫々示している。図7下段は、サンプルホールド回路720のホールドモード時におけるCMFB回路の位相特性711、サンプルホールド回路730のサンプルモード時におけるCMFB回路の位相特性712及びサンプルホールド回路720のサンプルモード時におけるCMFB回路の位相特性713を夫々示す。
回路の発振の有無を確認するには、利得が0デシベル時の位相余裕を見ればよい。利得が0デシベル時の位相余裕が0度未満であれば回路は発振する。利得特性701の0デシベル時に対応する位相余裕は90度程度あり、サンプルホールド回路720のホールドモード時にCMFB回路は発振しないことを確認できる。また、利得特性703の0デシベル時に対応する位相余裕は60度程度あり、サンプルホールド回路720のサンプルモード時にCMFB回路は発振しないことを確認できる。
更に、サンプルホールド回路720は、サンプルモード時に比べてホールドモード時の方が主要極周波数が高く、出力同相電圧Voutcを参照電圧Vrefcに高速に収束させることができる。
一方、利得特性702が0デシベル時に対応する位相余裕は0度未満であり、サンプルホールド回路730のサンプルモード時にCMFB回路は発振してしまうことを確認できる。
以上説明したように、本実施形態に係る増幅回路を用いたサンプルホールド回路では、NMOSトランジスタ107のゲート端子とNMOSトランジスタ101及び102のゲート端子との間にキャパシタを夫々設けている。また、ホールドモード時において、NMOSトランジスタ107のゲート電位に対するNMOSトランジスタ101及び102のドレイン電位の利得が0デシベル以下となるよう調整している。従って、本実施形態に係る増幅回路を用いたサンプルホールド回路によれば、CMFB回路の発振を防ぐための位相補償用のキャパシタのキャパシタンスを抑えられるため、CMFB回路の発振を防いで出力同相電圧を参照電圧に収束させると共に、回路動作を高速化することができる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態に係るサンプルホールド回路は、増幅回路800として前述した第1または第2の実施形態に係る増幅回路が用いられる。
本発明の第3の実施形態に係るサンプルホールド回路は、増幅回路800として前述した第1または第2の実施形態に係る増幅回路が用いられる。
本実施形態に係るサンプルホールド回路は、サンプルモード時において、図8Aに示すように正相入力電圧Vinp及び逆相入力電圧Vinmが夫々キャパシタCsp及びCsmに充電され、増幅回路800は開ループで動作する。
一方、本実施形態に係るサンプルホールド回路は、ホールドモード時において、図8Bに示すように上記キャパシタCsp及びCsmが上記増幅回路800の入出力間に帰還素子として接続され、サンプルモード時に充電された差動入力電圧を増幅した正相出力電圧Voutp及び逆相出力電圧Voutmが負荷キャパシタClp及びClmに夫々出力される。
以上説明したように、本実施形態に係るサンプルホールド回路は前述した第1または第2の実施形態に係る増幅回路を用いている。従って、本実施形態に係るサンプルホールド回路によれば、従来のサンプルホールド回路に比べて広い出力電圧範囲、消費電力の低減及び回路動作の高速化を期待できる。
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態に係るアナログ−デジタル変換器(ADC)は、前述した第3の実施形態に係るサンプルホールド回路を用いて構成される。本実施形態に係るADCは、例えばパイプラインADCであり、図9に示すように、サンプルホールド(S/H)回路910、縦列接続された複数段の変換ステージ920及びエラー訂正ブロック930を有する。
本発明の第4の実施形態に係るアナログ−デジタル変換器(ADC)は、前述した第3の実施形態に係るサンプルホールド回路を用いて構成される。本実施形態に係るADCは、例えばパイプラインADCであり、図9に示すように、サンプルホールド(S/H)回路910、縦列接続された複数段の変換ステージ920及びエラー訂正ブロック930を有する。
図9に示すADCでは、サンプルホールド回路910によってサンプルホールドされたアナログ入力信号が複数段の変換ステージ920に入力され、変換ステージ920から出力されるデジタル信号がエラー訂正ブロック930でエラー訂正されかつ合成されることによって、デジタル出力信号が取り出される。
各変換ステージ920は、比較器921及び乗算型デジタル−アナログ変換器(MDAC)922を含み、比較器921で入力信号と基準信号の比較を行い、比較結果として1ビットのデジタル信号が出力される。これら1ビットのデジタル信号がエラー訂正ブロック930により合成されることによって、デジタル出力信号が取り出される。
このようなパイプラインADCは広く知られており、本実施形態ではサンプルホールド回路910として前述した第3の実施形態に係るサンプルホールド回路が使用される。従って、本実施形態に係るADCによれば、従来のサンプルホールド回路を用いたADCに比べて広い出力電圧範囲、消費電力の低減及び回路動作の高速化を期待できる。
なお、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また上記各実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、各実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。さらに、異なる実施形態に記載した構成要素を適宜組み合わせてもよい。
101・・・NMOSトランジスタ
102・・・NMOSトランジスタ
103・・・電流源
104・・・電流源
105・・・同相電圧検出回路
106・・・増幅器
107・・・NMOSトランジスタ
108・・・キャパシタ
505・・・同相電圧検出回路
515・・・同相電圧検出回路
516・・・増幅器
611・・・キャパシタ
612・・・キャパシタ
720・・・サンプルホールド回路
730・・・サンプルホールド回路
800・・・増幅回路
910・・・サンプルホールド回路
920・・・変換ステージ
921・・・比較器
922・・・乗算型デジタル−アナログ変換器
930・・・エラー訂正ブロック
102・・・NMOSトランジスタ
103・・・電流源
104・・・電流源
105・・・同相電圧検出回路
106・・・増幅器
107・・・NMOSトランジスタ
108・・・キャパシタ
505・・・同相電圧検出回路
515・・・同相電圧検出回路
516・・・増幅器
611・・・キャパシタ
612・・・キャパシタ
720・・・サンプルホールド回路
730・・・サンプルホールド回路
800・・・増幅回路
910・・・サンプルホールド回路
920・・・変換ステージ
921・・・比較器
922・・・乗算型デジタル−アナログ変換器
930・・・エラー訂正ブロック
Claims (9)
- 第1及び第2の電源と、
正相入力信号をゲート端子で受け、増幅された逆相出力信号をドレイン端子から出力する第1のトランジスタと、
逆相入力信号をゲート端子で受け、増幅された正相出力信号をドレイン端子から出力する第2のトランジスタと、
前記第1の電源と前記第1のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第1のトランジスタにバイアス電流を供給する第1の電流源と、
前記第1の電源と前記第2のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第2のトランジスタにバイアス電流を供給する第2の電流源と、
前記正相出力信号及び逆相出力信号の同相電圧を検出する検出回路と、
前記同相電圧と参照電圧との電圧差を増幅し、増幅信号を出力する増幅器と、
前記第1及び第2のトランジスタのソース端子と前記第2の電源との間に接続され、前記増幅信号をゲート端子で受けて線形領域で動作する第3のトランジスタと
を具備することを特徴とする増幅回路。 - 前記第3のトランジスタのゲート端子と前記第1のトランジスタのドレイン端子との間に接続される第1のキャパシタと、
前記第3のトランジスタのゲート端子と前記第2のトランジスタのドレイン端子との間に接続される第2のキャパシタと
を更に具備することを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記第1のトランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に第1の帰還素子が接続され、かつ、前記第2のトランジスタのゲート端子とドレイン端子との間に第2の帰還素子が接続されたときに、前記増幅信号に対する前記正相出力信号及び前記逆相出力信号の利得が0デシベル以下となるように前記第1、第2及び第3のトランジスタのトランスコンダクタンスが設定されることを特徴とする請求項2記載の増幅回路。
- 前記第3のトランジスタのゲート端子と前記第2電源との間に挿入されるキャパシタを更に具備することを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
- 第1及び第2の電源と、
正相入力信号をゲート端子で受け、増幅された逆相出力信号をドレイン端子から出力する第1のトランジスタと、
逆相入力信号をゲート端子で受け、増幅された正相出力信号をドレイン端子から出力する第2のトランジスタと、
前記第1の電源と前記第1のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第1のトランジスタにバイアス電流を供給する第1の電流源と、
前記第1の電源と前記第2のトランジスタのドレイン端子との間に接続され、前記第2のトランジスタにバイアス電流を供給する第2の電流源と、
前記正相出力信号及び逆相出力信号の同相電圧と参照電圧との電圧差を増幅し、増幅信号を出力する増幅器と、
前記第1及び第2のトランジスタのソース端子と前記第2の電源との間に接続され、前記増幅信号をゲート端子で受けて線形領域で動作する第3のトランジスタと
を具備することを特徴とする増幅回路。 - 前記増幅器は、
ソース端子が前記第2の電源に接続され、前記参照電圧をゲート端子で受けて前記増幅信号をドレイン端子より出力する第4のトランジスタと、
前記正相出力信号及び逆相出力信号のペアをゲート端子で受け、ソース端子が前記第2の電源に接地され、アスペクト比が前記第4のトランジスタの半分のトランジスタ対と、
前記第1の電源から、前記第4のトランジスタ及びトランジスタ対に同量のバイアス電流を供給する能動負荷回路と
を含むことを特徴とする請求項5記載の増幅回路。 - 請求項1乃至6のいずれか1項記載の増幅回路を用いたサンプルホールド回路。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載の増幅回路と、第1及び第2のキャパシタ対とを含むサンプルホールド回路において、
サンプルモード時には、前記増幅回路は開ループで動作し、前記正相入力信号及び前記逆相入力信号が前記第1のキャパシタ対に入力され、
ホールドモード時には、前記第1のトランジスタのドレイン−ゲート間及び第2のトランジスタのドレイン−ゲート間の夫々に前記第1のキャパシタが接続され、前記正相出力信号及び前記逆相出力信号が前記第2のキャパシタ対に入力されることを特徴とするサンプルホールド回路。 - 請求項7記載のサンプルホールド回路を用いた比較器。
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JP2007225886A JP2009060376A (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 増幅回路、これを用いたサンプルホールド回路及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010288266A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Canon Inc | 全差動増幅回路 |
JP2013102403A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-23 | New Japan Radio Co Ltd | 同相電圧帰還回路及び全差動演算増幅器 |
JP2014207524A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 三菱電機株式会社 | アクティブバラン |
KR20150007246A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 큰 공통 모드 입력 전압을 이용하는 차동 측정 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007225886A patent/JP2009060376A/ja active Pending
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KR20150007246A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 큰 공통 모드 입력 전압을 이용하는 차동 측정 |
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