JP2009055475A - 超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、超音波診断装置及び超音波顕微鏡 - Google Patents

Abstract

【課題】エレクトレットを具備することによりＤＣバイアス電圧の供給を不要としながら、小型化が可能な静電容量型の超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、超音波診断装置及び超音波顕微鏡を提供する。
【解決手段】基板上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に空隙部を隔てて配設された振動膜と、該振動膜に支持された第２の電極とを具備して構成される振動子セルと、電荷を保持し、前記電極間に電位差を与えるエレクトレット膜と、を具備した超音波トランスデューサにおいて、前記エレクトレット膜を、超音波の送信方向から見た場合に前記振動子セルとは離間した領域において、前記第１の電極に電気的に接続された第１の導電層と、該第１の導電層上に対向して配設され前記第２の電極に電気的に接続された第２の導電層との間に介装する。
【選択図】図５

Description

本発明は、エレクトレットを具備して構成される静電容量型の超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、超音波診断装置及び超音波顕微鏡に関する。

被検体に超音波を照射し、そのエコー信号から被検体の状態を診断する超音波診断法が普及している。この超音波診断法に用いられる超音波診断装置の１つに医療分野で用いられる超音波内視鏡がある。

超音波診断装置は、医療分野に限らず工業分野においても、被検体（試料）に生じた傷、割れ、空洞等の欠陥の存在の有無を診断するために使用されており、これらは非破壊検査装置や非破壊探傷装置として知られている。

また、超音波を被検体（試料）に照射して被検体の音響的特性を評価することにより、被検体の弾性的性質を定量化したり、薄膜の構造を評価する、いわゆるＶ（ｚ）曲線による解析法が知られている。このようなＶ（ｚ）曲線から被検体の性質を解析する装置として超音波顕微鏡が知られている。

これらの超音波診断装置や超音波顕微鏡には、電気信号を超音波に変換して送信し、また超音波を受信して電気信号に変換するための超音波トランスデューサが配設されている。

従来、超音波トランスデューサとして、セラミック圧電材ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）等の圧電素子が主に使用されてきたものであるが、近年、特表２００５−５１０２６４号公報に開示されているようなマイクロマシニング技術を用いて製造される静電容量型超音波トランスデューサ（Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer；以下、ｃ−ＭＵＴと称する）が注目を集めている。

ｃ−ＭＵＴは、空隙部を挟んで対向する一対の平板状の電極（平行平板電極）を具備して構成されるものであり、一方の電極を含む膜（メンブレン）の振動により超音波の送受信を行うものである。ｃ−ＭＵＴは、超音波の受信時においては、一対の電極間の静電容量の変化を基に超音波信号を電気信号に変換するため、特に受信時においては一対の電極間にＤＣバイアス電圧を供給しなければならない。

この問題を解決するために、ｃ−ＭＵＴの一対の電極間に電位差（ＤＣバイアス電圧）を与えるエレクトレットを設けることでＤＣバイアス電圧の供給を不要とした超音波トランスデューサが、特表２００５−５０６７８３号公報に開示されている。特表２００５−５０６７８３号公報に開示されている超音波トランスデューサは、エレクトレット化された膜が、一対の電極の直上、すなわち超音波の送信側に設けられている。また、エレクトレットが、一対の電極の直下、又は一対の電極間に配設される超音波トランスデューサも公知である。
特表２００５−５１０２６４号公報 特表２００５−５０６７８３号公報

ところで、膜状のエレクトレットが、長期間にわたって安定して電荷を保持するためには所定の厚さが必要である。このため、従来の超音波トランスデューサのように、エレクトレットと空隙部を挟んで対向する一対の平板状の電極とを、厚さ方向、すなわち超音波の送信方向に重ねて配設した場合、超音波トランスデューサが厚くなってしまうという問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、エレクトレットを具備することによりＤＣバイアス電圧の供給を不要としながら、小型化が可能な静電容量型の超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、超音波診断装置及び超音波顕微鏡を提供することを目的とする。

本発明に係る超音波トランスデューサは、基板上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に空隙部を隔てて配設された振動膜と、該振動膜に支持された第２の電極とを具備して構成される振動子セルと、電荷を保持し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電位差を与えるエレクトレット膜と、を具備した超音波トランスデューサであって、前記エレクトレット膜は、前記基板を前記振動膜が振動することにより発生する超音波の送信方向から見た場合に前記振動子セルとは離間した領域において、前記第１の電極に電気的に接続された第１の導電層と、該第１の導電層上に対向して配設され前記第２の電極に電気的に接続された第２の導電層との間に介装されたものであって、かつ、前記エレクトレット膜は、前記第１の導電層上に貼着されたものであることを特徴とする。

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図面１から図９を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は超音波内視鏡の概略構成を示す説明図である。図２は超音波内視鏡の先端部分の構成を示す斜視図である。図３は振動子アレイの斜視図である。

本実施形態では、超音波診断装置としての超音波内視鏡に本発明を適用した例を説明する。図１に示すように本実施形態の超音波内視鏡１は、体腔内に導入される細長の挿入部２と、この挿入部２の基端に位置する操作部３と、この操作部３の側部から延出するユニバーサルコード４とで主に構成されている。

前記ユニバーサルコード４の基端部には図示しない光源装置に接続される内視鏡コネクタ４ａが設けられている。この内視鏡コネクタ４ａからは図示しないカメラコントロールユニットに電気コネクタ５ａを介して着脱自在に接続される電気ケーブル５及び図示しない超音波観測装置に超音波コネクタ６ａを介して着脱自在に接続される超音波ケーブル６が延出されている。

前記挿入部２は、先端側から順に硬質な樹脂部材で形成した先端硬性部２０、この先端硬性部２０の後端に位置する湾曲自在な湾曲部８、この湾曲部８の後端に位置して前記操作部３の先端部に至る細径かつ長尺で可撓性を有する可撓管部９を連設して構成されている。また、前記先端硬性部２０の先端側には詳しくは後述する超音波を送受するための超音波送受部３０が設けられている。

前記操作部３には前記湾曲部８を所望の方向に湾曲制御するアングルノブ１１、送気及び送水操作を行うための送気・送水ボタン１２、吸引操作を行うための吸引ボタン１３、体腔内に導入する処置具の入り口となる処置具挿入口１４等が設けられている。

図２に示すように、先端硬性部２０には、観察部位に照明光を照射する照明光学部を構成する照明レンズ（図示せず）、観察部位の光学像を捉える観察光学部を構成する対物レンズ２１、切除した部位を吸引したり処置具が突出したりする開口である吸引兼鉗子口２２及び送気及び送水を行うための送気送水口（図示せず）が設けられている。

先端硬性部２０の先端に設けられた超音波送受部３０は、図３に示ように、振動子アレイ３１と駆動回路３４とＦＰＣ３５とを具備して構成されている。ＦＰＣ３５は、可撓性を有し両面に実装面が形成された配線基板（フレキシブル配線基板）であり、超音波送受部３０においては、該ＦＰＣ３５は先端硬性部２０の挿入軸と略平行な軸を中心軸として略円筒状に巻回されて配設されている。

円筒状のＦＰＣ３５の外周面上には、超音波振動子アレイである振動子アレイ３１が設けられている。振動子アレイ３１は、ＦＰＣ３５の外周面上に周方向に配列された本実施形態の超音波トランスデューサである複数の振動子ユニット３２を具備して構成されている。振動子ユニット３２は、ＦＰＣ３５の外周面の法線方向から見て略長方形状を有し、円筒状のＦＰＣ３５の外周面上において、短手方向を周方向として等間隔に配列されている。振動子アレイ３１は、例えば数十から数百個の振動子ユニット３２により構成されており、本実施形態の振動子アレイ３１は、１２８個の振動子ユニット３２を具備している。

詳しくは後述するが、本実施形態の振動子ユニット３２は、低抵抗のシリコン半導体からなるシリコン基板上にマイクロマシニング技術により形成された静電容量型の超音波トランスデューサであり、いわゆるMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）の技術範囲に属するものである。このようなマイクロマシニング技術により形成された静電容量型の超音波トランスデューサは、一般にｃ−ＭＵＴ（Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer）と称される。

本実施形態の振動子アレイ３１においては、一つの振動子ユニット３２が、超音波を送受信するための最小の駆動単位を構成している。振動子ユニット３２は、それぞれＦＰＣ３５の実装面の法線方向、すなわち円筒状であるＦＰＣ３５の径方向外向きに超音波を送信する。

一方、円筒状のＦＰＣ３５の内周面上、すなわち振動子アレイ３１が実装された実装面とは反対側の実装面上には、複数の駆動回路３４が実装されている。駆動回路３４は、振動子ユニット３２を駆動するためのパルサーや選択回路等の電気回路を有し、個々の振動子ユニット３２と電気的に接続されている。

また、駆動回路３４は、円筒状のＦＰＣ３５の外周面上に形成された、複数の信号電極３６及び接地電極３７に電気的に接続されている。信号電極３６及び接地電極３７は、超音波ケーブル６内を挿通されて一端が超音波コネクタ６ａに電気的に接続された、同軸ケーブルの他端が電気的に接続される。よって、駆動回路３４は、超音波観測装置に電気的に接続されるのである。

上述の構成を有する超音波送受部３０は、円筒形状のＦＰＣ３５の外周面上に配設された１次元の超音波振動子アレイである振動子アレイ３１によって、超音波を先端硬性部２０の挿入軸と略直交する平面上において放射状に送受信する、いわゆる電子式ラジアル走査を行うものである。

次に本実施形態の静電容量型の超音波トランスデューサである振動子ユニット３２の詳細な構成を、図４から図６を参照して以下に説明する。図４は、振動子ユニット３２を、超音波の送受信側から見た上面図である。すなわち図４において、紙面に直交しかつ紙面から離れる方向へ超音波が送信される。図５は、図４のV-V断面図である。図６は、振動子ユニット３２の等価回路図である。

図４に示すように、本実施形態の振動子ユニット３２は、複数の振動子エレメント３３が配列されて構成されている。図４において、破線で囲まれた細長の領域が、一個の振動子エレメント３３を示している。

振動子エレメント３３は、複数の振動子セル１００を具備して構成されている。また、振動子エレメント３３は、該振動子エレメント３３を構成する前記複数の振動子セル１００のそれぞれに電気的に接続されたエレクトレット膜１３０と、信号電極パッド３８と、接地電極パッド３９とを具備して構成されている。

エレクトレット膜１３０は、詳しくは後述するが、電荷を保持し、振動子セル１００にＤＣバイアス電圧を供給するものである。また、本実施形態の振動子ユニット３２においては、一つのエレクトレット膜１３０は、複数の振動子エレメント３３に電気的に接続され、それぞれの振動子エレメント３３を構成する複数の振動子セル１００にＤＣバイアス電圧を供給する。

本実施形態においては、振動子エレメント３３は、細長の領域の長手方向に直線状に配列された８個の振動子セル１００と、細長の領域の一端に配設され８個の振動子セル１００全てと並列に電気的に接続された１個のエレクトレット膜１３０とを具備している。

同一の振動子エレメント３３においては、振動子セル１００は、全て並列に電気的に接続されており、超音波観測装置からの駆動信号が信号電極パッド３８を介して入力されることにより、同時に同位相の超音波を送信する。

また、同一の振動子ユニット３２を構成する全ての振動子エレメント３３の信号電極パッド３８は互いに電気的に接続されており、したがって上述のように、一つの振動子ユニット３２が、超音波を送受信するための最小の駆動単位を構成する。

図５に示すように、本実施形態の振動子エレメント３３は、低抵抗のシリコン半導体からなるシリコン基板１０１上に半導体プロセス等を用いたマイクロマシニング技術により形成された積層構造を有する静電容量型の超音波トランスデューサである。

なお、以下の積層構造の説明において、各層の上下関係については、シリコン基板１０１の表面から法線方向に遠ざかる方向を上方向とする。例えば、図５の断面図において、上部電極１２０は下部電極１１０の上方に配設されている、と称するものとする。また、各層の厚さとは、シリコン基板１０１表面の法線方向についての各層の寸法を指す。また、以下の説明においては、便宜的に、シリコン基板１０１の表面のうち、振動子セル１００が形成される面をセル形成面、振動子セル１００が形成される面とは反対側の面を裏面と称する。

シリコン基板１０１は、導電性を有する低抵抗シリコンからなり、両表面にはそれぞれ電気絶縁性を有するシリコン酸化膜である第１絶縁膜１０２及び裏面絶縁膜１０９が形成されている。第１絶縁膜１０２及び裏面絶縁膜１０９は、シリコン基板１０１を熱酸化することにより形成される高温酸化膜である。なお、第１絶縁膜１０２及び裏面絶縁膜１０９はシリコン窒化膜であってもよい。

まず、振動子セル１００の構造について、以下に詳細に説明する。
振動子セル１００は、略円柱状の空隙部であるキャビティ１０７を介して対向する一対の平行平板電極である、下部電極１１０（第１の電極）及び上部電極１２０（第２の電極）を有して構成される。そして、該振動子セル１００を具備して構成される振動子エレメント３３は、振動子セル１００の上部電極１２０を含む弾性を有する膜状の構造体であるメンブレン１００ａ（振動膜）の振動により、超音波を送受信するものである。

第１絶縁膜１０２上には、上方から見て略円形状に、導電層である下部電極１１０が形成されている。下部電極１１０は、Ｍｏ（モリブデン）をスパッタリングにより成膜しパターニングすることで形成される。下部電極１１０は、上方から見て隣接する振動子セル１００の下部電極１１０同士が、下部電極配線１１１により電気的に接続されている。

なお、積層構造の下層部であり、かつシリコン酸化膜上に形成される下部電極１１０を構成する材料は、Ｍｏ以外に、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）等の高融点金属やその合金であることが望ましいが、その後の製造工程で高温の熱処理を避けることができるのであれば、材料はこれに限定されるものではなく、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等であってもよい。また、下部電極１１０は２種以上の導電性材料を積層した多層構造を有するものであってもよい。

上方から見て細長の形状を有する振動子エレメント３３の、エレクトレット膜１３０が配設された端部とは反対側の端部には、シリコン基板１０１を貫通して形成されたウェハ貫通配線１１２が、振動子エレメント３３単位に設けられている。ウェハ貫通配線１１２は、シリコン基板１０１とは電気的に絶縁されており、かつ下部電極１１０と裏面絶縁膜１０９上に形成された信号電極パッド３８とに電気的に接続されている。

すなわち、同一の振動子エレメント３３内の全ての下部電極１１０は、下部電極配線１１１、ウェハ貫通配線１１２を介して、シリコン基板１０１の裏面に形成された信号電極パッド３８に電気的に接続されている。

下部電極１１０上には、該下部電極１１０を被覆するように、電気絶縁性を有する第２絶縁膜１０３が形成されている。第２絶縁膜１０３は、本実施形態ではシリコン酸化膜であり、プラズマＣＶＤ法により成膜される。なお、第２絶縁膜１０３は、シリコン窒化膜、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、ハフニウム酸窒化物（ＨｆＯＮ）等であってもよいし、これら複数の材料からなる複数の層からなる膜であってもよい。

第２絶縁膜１０３上には、キャビティ１０７越しに電気絶縁性を有する第３絶縁膜１０４が形成されている。第３絶縁膜１０４は、本実施形態ではシリコン酸化膜であり、プラズマＣＶＤ法により成膜される。なお、第３絶縁膜１０４は、シリコン窒化膜であってもよいし、これら複数の材料からなる複数の層からなる膜であってもよい。

第２絶縁膜１０３と、第３絶縁膜１０４との間には、大気圧、加圧又は減圧状態の密閉された空隙層であるキャビティ１０７が形成されている。ここで、減圧状態とは、大気圧よりも圧力が低い状態を指し、いわゆる真空状態も含むものである。キャビティ１０７は、略円柱形状を有し、上方から見て下部電極１１０と略同心上に設けられている。

キャビティ１０７は、本実施形態では、公知の技術である犠牲層エッチングにより形成されるものであり、犠牲層エッチング時に使用されるキャビティ１０７内と第３絶縁膜１０４の上層とを連通するための犠牲層除去孔は、図示しないプラグにより封止されている。なお、キャビティ１０７は、機械的もしくは化学的な微細加工後のウェハ同士を接合する方法で形成されるものであってもよい。

第３絶縁膜１０４上には、上方から見て略円形状の導電層である上部電極１２０が形成されている。上部電極１２０は、上方から見て下部電極１１０と略同心上、すなわち下部電極１１０と対向する位置に設けられている。本実施形態では、上部電極１２０は、Ａｌをスパッタリングにより成膜しパターニングすることで形成される。

上部電極１２０は、上方から見て隣接する振動子セル１００の上部電極１２０同士が、上部電極配線１２１により電気的に接続されている。なお、上部電極１２０を構成する材料は、Ａｌ以外に、例えばＣｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ等の導電性を有するものであればよい。また、上部電極１２０は２種以上の導電性材料を積層した多層構造を有するものであってもよい。

上方から見て細長の形状を有する振動子エレメント３３の、エレクトレット膜１３０が配設された端部とは反対側の端部において、上部電極配線１２１は、貫通電極１２２に電気的に接続されている。貫通電極１２２は、第１絶縁膜１０２、第２絶縁膜１０３及び第３絶縁膜１０４を貫通して上部電極１２０及び上部電極配線１２１と同一の工程により形成されたものであり、該貫通電極１２２は、シリコン基板１０１にオーミックコンタクト領域１２２ａを介して電気的に接続されている。

また、裏面絶縁膜１０９上には接地電極パッド３９が形成されており、接地電極パッド３９は、オーミックコンタクト領域１２３ａを介してシリコン基板１０１に電気的に接続されている。

すなわち、同一の振動子エレメント３３内の全ての上部電極１２０は、上部電極配線１２１、貫通電極１２２、シリコン基板１０１を介して、シリコン基板１０１の裏面に形成された接地電極パッド３９に電気的に接続されている。

上部電極１２０上には、電気絶縁性を有する保護膜１０５が形成されている。保護膜１０５は、本実施形態ではシリコン窒化膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、保護膜１０５は、シリコン窒化物以外に、シリコン酸化膜、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、ハフニウム酸窒化物（ＨｆＯＮ）等により構成されてもよい。特に、ＨｆＮ及びＨｆＯＮは、高密度の膜が得られるため保護膜として好ましい。

また、保護膜１０５上には、耐水性、耐薬品性等を有し、生体適合性及び電気絶縁性に優れたパラキシリレン系樹脂膜１０６が形成されている。

振動子ユニット３２は、例えば半田接合、異方性導電フィルム接合、超音波接合等の公知の工法によりＦＰＣ３５上に実装される。これにより、上述した振動子エレメント３３の振動子セル１００は、信号電極パッド３８及び接地電極パッド３９を介して、ＦＰＣ３５の反対側に実装された駆動回路３４に電気的に接続される。

このように、本実施形態では、振動子セル１００を形成する基板を低抵抗のシリコン基板１０１とし、シリコン基板１０１を接地電位とすることにより裏面側から飛来するノイズを遮蔽し、よりＳ／Ｎ比の高い超音波画像を得ることが可能となる。また、振動子セル１００の裏面側に信号電極パッド３８及び接地電極パッド３９を設けることにより、実装面積を減少させることができる。このため、超音波内視鏡１の先端硬性部２０を小型に構成することができ、超音波内視鏡１の操作性が向上する。

なお、上述した構成では、下部電極１１０、上部電極１２０及びキャビティ１０７は、上方から見て略円形状を有するものであるが、これらの形状は本実施形態に限るものではなく、例えば正六角形や矩形等の多角形状やその他の形状であってもよい。メンブレン１００ａ及びキャビティ１０７の寸法は、観察時に使用する超音波の波長や出力により決定されるものである。

次に、本実施形態の超音波トランスデューサのエレクトレット膜１３０が配設された領域の構成について、以下に詳細に説明する。
本実施形態においては、電荷保持手段であるエレクトレット膜１３０は、上述の通り、上方から見て細長の形状を有する振動子エレメント３３の端部に常温で硬化する接着剤により貼着され配設される。エレクトレット膜１３０は、極性が正又は負の電荷を永続的に保持する機能を有するものである。

本実施形態のエレクトレット膜１３０は、有機膜からなり、具体的には一般的にＦＥＰと称されるフッ素樹脂をコロナ放電により帯電させることで形成されるものである。なお、エレクトレット膜１３０は、ＦＥＰ以外のフッ素樹脂や、ポリイミド、ポリプロピレン等の他の有機膜により構成されるものであってもよい。

また、本実施形態のエレクトレット膜１３０は、具体的には図５に示すように、厚さ方向の両表面上の少なくとも一部に下部導電層１３１及び上部導電層１３２が形成されて構成されている。下部導電層１３１及び上部導電層１３２は、例えば銅、金、アルミニウム等の導電性を有する金属膜であり、蒸着、ＣＶＤ、接着、インクジェット法等の公知の金属膜形成技術によりエレクトレット膜１３０の両表面上に配設されるものである。

そして、本実施形態の振動子エレメント３３においては、エレクトレット膜１３０の下側表面に形成された下部導電層１３１は、導電性を有する下部電極配線１１４（第1の導電層）を介して複数の振動子セル１００の下部電極１１０に電気的に接続される。一方、エレクトレット膜１３０の上側表面に形成された上部導電層１３２（第２の導電層）は、導電性を有する上部電極配線１２４を介して複数の振動子セル１００の上部電極１２０に電気的に接続される。上部電極配線１２４は、既存の低温膜形成技術によって形成された導電性を有する膜である。

すなわち、図６の等価回路図に示すように、単一の振動子エレメント３３内においては、エレクトレット膜１３０は、上記複数の振動子セル１００の下部電極１１０及び上部電極１２０に電気的に接続される。ここで、振動子セル１００の上部電極１２０は接地されているため、エレクトレット膜１３０は、振動子セル１００の一対の電極である下部電極１１０と上部電極１２０との間に電位差を与える。

したがって、振動子セル１００は、エレクトレット膜１３０によって下部電極１１０及び上部電極１２０間にＤＣバイアス電圧が供給された状態と電気的に同等とされるのであり、本実施形態の超音波トランスデューサである振動子ユニット３２は、ＤＣバイアス電圧を外部から供給することなく超音波の送受信を行うことが可能となる。すなわち、振動子セル１００を駆動する信号の電圧実効値を低くすることが可能となるのである。

よって、本実施形態の超音波トランスデューサである振動子セル３２を具備した超音波診断装置は、従来のｃ−ＭＵＴのようにＤＣバイアス電圧を供給するための回路や配線を必要とせず装置の小型化を図ることができる。また、振動子セル１００を駆動する駆動信号の電圧実効値を低く抑えられるため、駆動回路や配線を流れる電流値が小さくなり、消費電力を低くすることが可能である。このことは、駆動回路の更なる小型化を可能とし、また駆動回路の発熱による振動子セルの特性変動を防止することが可能となる。

また、エレクトレット膜１３０及び、その上方に配設されている上部導電層１３２及び上部電極配線１２４上には、振動子セル１１０部と同様に、パラキシリレン系樹脂膜１０６が形成されている。なお、パラキシリレン系樹脂膜１０６は、耐薬品性の高いフッ素（Ｆ）が含有されているものでればより好ましい。

上述した構成を有する、本実施形態の振動子ユニット３２の製造方法について、以下に図７から図９を参照して説明する。なお、以下の説明において、エレクトレット膜１３０が形成される領域以外の製造方法については、半導体プロセスにより行われる周知のものであるため、その説明は省略するか簡単に説明するものとする。

まず、図７に示すように、半導体プロセス及びいわゆるＭＥＭＳの技術分野において公知の技術である犠牲層エッチングにより、両表面にそれぞれシリコン酸化膜である第１絶縁膜１０２及び裏面絶縁膜１０９が形成された低抵抗のシリコン基板１０１上に、振動子セル１００を構成する一対の平行平板電極である下部電極１１０及び上部電極１２０と、この両電極間に介装されるキャビティ１０７を形成する。

具体的には、Ｍｏからなる導電層をパターニングして複数の下部電極１１０と、該複数の下部電極１１０に電気的に接続され振動子エレメント３３の端部に延出する下部電極配線１１４を形成する。次に、複数の下部電極１１０上に、第２絶縁膜１０３及び第３絶縁膜１０４を形成し、さらに犠牲層エッチングにより複数のキャビティ１０７を、第２絶縁膜１０３及び第３絶縁膜１０４間に形成する。

次に、複数の下部電極１１０に対してそれぞれキャビティ１０７を介して対向する位置に、Ａｌからなる導電層をパターニングして上部電極１２０を形成する。次に、該上部電極１２０上を被覆するように、電気絶縁性を有する保護膜１０５を形成する。

そして、保護膜１０５を厚さ方向に貫通し、上部電極１２０に電気的に接続されるビアホール１２４ａを、振動子エレメント３３のエレクトレット膜１３０が配設される端部側に形成する。

以上の工程が終了した状態において、シリコン基板１０１のセル形成面側では、振動子エレメント３３となる領域のエレクトレット膜１３０が配設される端部側において、下部電極１１０に電気的に接続された下部電極配線１１４と、保護膜１０５に形成され上部電極１２０に電気的に接続されたビアホール１２４ａとが、上方すなわち超音波の送信方向に露出している。ここで、下部電極配線１１４と、ビアホール１２４ａとは、シリコン基板１０１のセル形成面を上方から見た状態において、互いに離間した異なる領域に形成されている。

次に、図８に示すように、上述した半導体プロセスによりシリコン基板１０１上に積層構造を形成する工程とは別工程において形成したエレクトレット膜１３０を、下部電極配線１１４上に常温で硬化する接着剤により貼着する。

ここで、エレクトレット膜１３０は、上述の通り、ＦＥＰと称されるフッ素樹脂をコロナ放電により帯電させることで形成されたものであり、さらにその両表面上に金属膜である下部導電層１３１及び上部導電層１３２が形成されている。したがって、エレクトレット膜１３０を、下部電極配線１１４上に接着剤により貼着することにより、下部電極配線１１４と下部導電層１３１とが電気的に接続される。

なお、帯電処理が行われた後のエレクトレット膜１３０に下部導電層１３１及び上部導電層１３２を形成する工程は、エレクトレット膜１３０が保持する電荷が失われない温度条件において行われる。例えば、本実施形態のようにエレクトレット膜１３０が、ＦＥＰと称されるフッ素樹脂に帯電処理を行ったものである場合、該エレクトレット膜１３０を１００℃以上に加熱すると、保持する電荷量が低下してしまう。したがって、本実施形態では、エレクトレット膜１３０に下部導電層１３１及び上部導電層１３２を形成する工程は、エレクトレット膜１３０の温度が１００℃以下である条件において行われる。

同様に、エレクトレット膜１３０を、下部電極配線１１４上に接着剤により貼着する工程も、エレクトレット膜１３０が保持する電荷が失われない温度条件において行われるのであり、本実施形態においては、エレクトレット膜１３０の温度が１００℃以下である条件において行われる。

また、エレクトレット膜１３０を、下部電極配線１１４上に配設する方法は、接着剤に限らず、下部電極配線１１４と下部導電層１３１とが電気的に接続され、かつエレクトレット膜１３０が保持する電荷が失われない温度条件において行われるものであればよい。

以上の工程が終了した状態において、シリコン基板１０１のセル形成面側では、振動子エレメント３３となる領域のエレクトレット膜１３０が配設される端部側において、上部電極１２０に電気的に接続されたビアホール１２４ａと、エレクトレット膜１３０上に形成された上部導電層１３２とが、上方すなわち超音波の送信方向に露出している。

次に、図９に示すように、保護膜１０５に形成したビアホール１２４ａと、上部導電層１３２とを電気的に接続するように、導電性を有する金属膜である上部電極配線１２４を形成する。

上部電極配線１２４は、本実施形態では公知の低温金属膜形成技術により形成されるものである。この工程により、上部電極１２０と、エレクトレット膜１３０上に形成された上部導電層１３２とが電気的に接続され、図６に示す等価回路図と同等の構成が形成される。

なお、保護膜１０５に形成されたビアホール１２４ａと上部導電層１３２とを電気的に接続する方法は本実施形態に限られるものではなく、上部電極配線１２４と上部導電層１３２とが電気的に接続され、かつエレクトレット膜１３０が保持する電荷が失われない温度条件において行われるものであればよい。例えば、ビアホール１２４ａに電気的に接続された電極パッドと、上部導電層１３２に電気的に接続された電極パッドとを、ワイヤボンディングやワイヤ溶接等の低温配線形成プロセスによって電気的に接続する形態であってもよい。また例えば、金属膜を接着剤により貼着する方法や、導電性のペーストをインクジェット法やディスペンス法により配線として描画する形態等であってもよい。

以上の図７から図９を参照して説明した工程の後に、さらに上層側にパラキシリレン系樹脂膜１０６を、スピンコート法や蒸着法等の低温のプロセスにより形成することにより、図５及び図６に示した本実施形態の振動子ユニット３２が形成される。なお、パラキシリレン系樹脂膜１０６の形成は、振動子ユニット３２がＦＰＣ３５上に実装された後に行われるものであってもよい。

以下に、上述した構成を有する本実施形態の超音波トランスデューサ及び超音波診断装置の効果を説明する。

本実施形態の振動子ユニット３２では、超音波の送信方向、すなわち振動子セル１００の一対の電極である下部電極１１０及び上部電極１２０の積層方向からみた場合に、エレクトレット膜１３０は、振動子セル１００と重ならない互いに離間した領域に配設されている。このため、本実施形態の振動子ユニット３２は、従来ｃ−ＭＵＴとエレクトレットとを厚さ方向、すなわち超音波の送信方向に積層した超音波トランスデューサに比して薄く構成することが可能となる。

ところで、エレクトレット膜１３０の厚さは、高密度の帯電電荷と十分な耐劣化性を持たせるため、数μm〜数10μmの厚さにすることが好ましい。一方、通常のｃ−ＭＵＴにおいて、十分な超音波の音圧及び感度を実現可能な電極間の静電容量を得るためには、電極間距離が１μｍ以下であることが好ましい。すなわち、エレクトレットを電極間に配設した従来のｃ−ＭＵＴでは必要な静電容量を得る電極間距離を確保することができず、十分な音圧及び感度により超音波を送受信することは不可能であった。

これに対し、本実施形態の振動子ユニット３２は、エレクトレット膜１３０の厚さと、下部電極１１０及び上部電極１２０間の距離（ギャップ）とを、それぞれ独立して設定することが可能である。すなわち、本実施形態によれば振動子ユニット３２の設計の自由度が向上するため、例えば従来に比して下部電極１１０及び上部電極１２０間の距離を小さくして両電極間の静電容量を大きくし、送信超音波の音圧及び受信超音波の感度を向上させるとともに、エレクトレット膜１３０の厚さを、該エレクトレット膜１３０が永続的に安定して電荷を保持することが可能な厚さまで厚くすることができる。そしてこの状態において、振動子ユニット３２を従来よりも薄く構成することが可能である。

したがって、本実施形態によれば、振動子ユニット２２は、従来よりも超音波の送信方向について薄く、より高い送信超音波の音圧及び受信超音波の感度を有するとともに、エレクトレット膜１３０の性能が安定していることにより、より長期間にわたって性能を維持することが可能である。

言い換えれば、本実施形態の振動子ユニット２２は、従来よりも高効率な超音波トランスデューサを実現するものであり、所定の送信超音波の音圧及び受信超音波の感度を発揮する場合においては、長期にわたって所期の性能を維持し、従来に比してより薄型であり、かつ低い電圧で駆動可能な超音波トランスデューサを実現するものである。

また、本実施形態によれば、薄型かつ低電圧による駆動が可能な振動子ユニット３２を具備して構成される超音波診断装置を、従来よりも長寿命かつ小型に構成することが可能である。例えば、図１に示すような超音波内視鏡１であれば、振動子アレイ３１の外径を従来よりも細径化することができ、より被検者にとって負担の少ない診断を実現することができる。

ところで、従来のｃ−ＭＵＴとエレクトレットとを厚さ方向、すなわち超音波の送信方向に積層した超音波トランスデューサの場合、エレクトレットに対する帯電処理の後に行われる製造工程における雰囲気の成分や湿度、温度の影響により、エレクトレットの性能が劣化してしまうという問題がある。

例えば、ｃ−ＭＵＴとエレクトレットとを積層して構成する従来の超音波トランスデューサにおいては、エレクトレットの形成後に、さらに半導体プロセスを用いてシリコン酸化膜等の積層構造を形成する必要がある。すなわち、エレクトレット膜は、後の半導体プロセスにおいて、数百℃にまで加熱されてしまう。よって、従来の超音波トランスデューサにおいては、１００℃程度で保持する電荷が消失してしまうＦＥＰ等の有機膜をエレクトレットとして用いることが不可能である。

そこでエレクトレットが保持する電荷の消失の対策として、従来の超音波トランスデューサでは、より高温においても電荷を保持することが可能な例えばシリコン化合物からなる無機膜によりエレクトレットを構成していた。

しかしながら、シリコン化合物等の無機膜により構成されたエレクトレットは、帯電処理後の電荷の保持性が有機膜のものに比べて弱く、永続的に安定して電荷を保持することが困難であるという問題がある。すなわち、無機膜のエレクトレットを具備して構成された従来の超音波トランスデューサにおいては、送信超音波の音圧や受信超音波に対する感度等の特性が時間により変動してしまうのである。

一方、本実施形態においては、エレクトレット膜１３０は、振動子セル１００を形成する半導体プロセスとは異なる工程において作成され、振動子セル１００を構成する積層構造が全て形成された後に、振動子ユニット３２に貼着される。また、エレクトレット膜１３０は、保持する電荷が失われない温度条件において振動子ユニット３２に貼着され、さらに振動子セル１００の下部電極１１０及び上部電極１２０に電気的に接続される。言い換えれば、本実施形態においては、有機膜からなるエレクトレット膜１３０は、帯電処理後に、保持する電荷が減少又は消失する温度にまで加熱されることがない。

したがって、本実施形態の超音波トランスデューサである振動子ユニット３２は、従来の無機膜のエレクトレットを具備した超音波トランスデューサに対して、より長期間安定して電荷を保持することが可能な有機膜のエレクトレットを用いることが可能であることから、より長期にわたって特性を一定に保つことができるのである。

なお、超音波トランスデューサを具備して構成される超音波診断装置においては、外来ノイズを遮蔽しＳ／Ｎ比を向上させるために、超音波トランスデューサとは電気的に独立して接地された導電層であるシールド層により、該超音波トランスデューサを被覆することがある。

上述した実施形態に該シールド層を適用する場合において、例えばシールド層により振動子セル１００を被覆する工程が、エレクトレット膜１３０が保持する電荷量が低下してしまう温度において行われるものであるのならば、エレクトレット膜１３０を下部電極配線１１４上に配設する工程は、該シールド層が振動子セル１００上に形成された後に実施される。例えばシールド層により振動子セル１００を被覆する工程が、エレクトレット膜１３０が保持する電荷量が低下してしまう温度よりも低い温度において行われるものであるのならば、この限りではない。

また、上述した実施形態においては、エレクトレット膜１３０は、上部導電層１３２、上部電極配線１２４及び上部電極１２０を介して接地電位とされるシリコン基板１０１に電気的に接続されるものであるが、例えば、上部導電層１３２が直接シリコン基板１０１上に形成された電極パッドにワイヤボンディング等によって接続される構成であってもよい。

なお、本実施形態の振動子ユニットは、導電性のシリコン基板１０１を基材として構成されているものであるが、振動子ユニットは、電気絶縁性を有する石英、サファイヤ、水晶、アルミナ、ジルコニア、ガラス、樹脂等の絶縁性材料により構成された基材上に形成されるものであってもよい。

また、本実施形態の超音波内視鏡は、電子式のラジアル走査を行うものとして説明しているが、走査方式はこれに限られるものではなく、リニア走査、コンベックス走査、機械式走査等を採用したものであってもよい。

また、振動子アレイは、超音波を送受信するための最小の駆動単位を、２次元に配列した２次元アレイとして構成される形態であってもよい。そのような形態の例を、図１０に本実施形態の一変形例として示す。

本変形例では、円筒状のＦＰＣ３５の外周面上に、２次元の超音波振動子アレイである振動子アレイ４１が設けられている。振動子アレイ４１は、ＦＰＣ３５の外周面上に周方向に配列された複数の振動子ユニット４２を具備して構成されている。振動子ユニット４２は、ＦＰＣ３５の外周面の法線方向から見て略長方形状を有し、円筒状のＦＰＣ３５の外周面上において、短手方向を周方向として等間隔に配列されている。振動子アレイ４１は、例えば数十から数百個の振動子ユニット４２により構成されており、本実施形態の振動子アレイ４１は、１２８個の振動子ユニット４２を具備している。振動ユニット４２は、その長手方向に複数の振動子エレメント３３が配列されて構成されている。本変形例では、１つの振動子ユニット４２は、６４個の振動子エレメント３３が１次元に配列されて構成されている。

そして、本変形例の振動子アレイ４１においては、上述した実施形態とは異なり、振動子エレメント３３が超音波を送受信するための最小の駆動単位を構成している。すなわち、振動子エレメント３３が１次元に配列されて構成された振動子ユニット４２は、１次元の超音波振動子アレイを構成するものであり、該振動子ユニット４２が複数配列されることにより、２次元の超音波振動子アレイである振動子アレイ４１が構成される。

ＦＰＣ３５の内周面上に配設された複数の駆動回路４４は、個々の振動子エレメント３３と電気的に接続されている。また、駆動回路４４は、円筒状のＦＰＣ３５の外周面上に形成された、複数の信号電極４６及び接地電極４７に電気的に接続されている。なお、信号電極４６は、図１０においては一つの電極のように示しているものであるが、信号電極４６は、振動子エレメント３３の数に対応して分割されており、一つの振動子エレメント３３に対し一つの信号電極が配設される。

上述の構成を有する振動子アレイ４１を具備した超音波内視鏡は、超音波を先端硬性部２０の挿入軸と略直交する平面上において放射状に送受信する、いわゆる電子式ラジアル走査と、超音波を先端硬性部２０の挿入軸を含む平面上において放射状に送受信する、いわゆる電子式セクタ走査とを、同時又は交互に行うことが可能である。すなわち、本変形例の超音波内視鏡は、体腔内における３次元の超音波走査を行うことにより３次元の超音波画像を取得することが可能である。また、振動子アレイ４１を具備した超音波内視鏡は、電子式ラジアル走査と、該電子式ラジアル走査を行う平面を先端硬性部２０の挿入軸方向に移動させるリニア走査とを複合的に行う３次元の超音波走査を行うことにより、３次元の超音波画像を取得することも可能である。

なお、上述した変形例のような、超音波を送受信するための最小の駆動単位をアレイ状に配した形態だけではなく、該最小の駆動単位のみを用いた超音波トランスデューサの形態もまた本発明に含まれるものであることは言うまでもない。

また、本実施形態の超音波診断装置は、光学観察窓を具備しない超音波プローブ型のものであってもよいし、カプセル型の超音波内視鏡でもよい。また、超音波診断装置は、被検体の体表面上から体腔内に向けて超音波走査を行ういわゆる体外式の超音波診断装置であってもよい。また、超音波診断装置は、工業分野において用いられる、いわゆる非破壊検査装置や非破壊探傷装置等であってもよい。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る振動子エレメントの断面図である。

第２の実施形態では、第１の実施形態の構成に対し、エレクトレット膜が配設される領域の構成のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。

本実施形態の振動子ユニットにおいては、振動子エレメント３３ａの一端に延出されて形成される下部電極配線１１４と、該下部電極配線１１４上に配設されるエレクトレット膜１３０との間には、空隙層１３３が介装される。

具体的には、下部電極配線１１４上に、エレクトレット膜１３０と下部電極配線１１４とを所定の間隔で離間するスペーサ１３４を形成し、該スペーサ１３４上にエレクトレット膜１３０を貼着する。

例えば、上述した第１の実施形態のように、エレクトレット膜１３０の表面上に直接導電層である下部導電層１３１や上部導電層１３２を配設した場合、エレクトレット膜１３０と導電層との界面に形成される帯電したトラップによりエレクトレット膜１３０の帯電状態が中和されてしまい、結果、エレクトレット膜１３０が保持する電荷量が低下したのと同等の状態となってしまうことがある。

しかしながら、本実施形態の振動子エレメントにおいては、エレクトレット膜１３０と、信号電圧が供給される下部電極１１０に電気的に接続された下部電極配線１１４との間に空隙層１３３を設けることにより、上述した導電層の界面に形成されるトラップの影響を除外することが可能となる。

すなわち、本実施形態によれば、エレクトレット膜１３０が保持する電荷を、振動子セル１００の下部電極１１０及び上部電極１２０間に供給する直流電圧成分として、より効率良く利用することが可能となり、より高い送信超音波の音圧及び受信超音波の感度を有する振動子エレメントを構成することができるのである。

（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について、図１２を参照して説明する。図１２は、本実施形態の超音波振動子アレイ２３１の上面図である。

上述した実施形態においては、一つのエレクトレット膜は、複数の振動子エレメントに電気的に接続され、振動子エレメントを構成する複数の振動子セルのそれぞれに直流電圧成分を供給する構成としているが、本実施形態は、一つのエレクトレットが複数の振動子ユニットに電気的に接続される構成としたものである。

図１２に示すように、本実施形態の超音波トランスデューサである超音波振動子アレイ２３１は、ＦＰＣ２３５の実装面上に、複数の振動子セル１００からなる複数の振動子ユニット２３２が実装されて構成されている。

単一の振動子ユニット２３２に着目した場合、該単一の振動子ユニット２３２を構成する全ての振動子セル１００の下部電極１１０に電気的に接続された下部電極配線２１４、下部電極パッド１３１ａ、信号電極配線２３６ａ及び信号電極パッド２３６が、ＦＰＣ２３５上に形成されている。

なお、これらの下部電極１１０に電気的に接続された下部電極配線２１４、下部電極パッド１３１ａ、信号電極配線２３６ａ及び信号電極パッド２３６のうち、下部電極配線２１４及び信号電極配線２３６ａはＦＰＣ２３５の下層側の導電パターンとして形成されるものであり、ＦＰＣ２３５の表面とは絶縁されている。一方、下部電極パッド１３１ａ及び信号電極パッド２３６は、ＦＰＣ２３５の実装面側の最上面に露出して形成された導電パターンである。

そして、複数の振動子セル２３２に対応して設けられた複数の下部電極パッド１３１ａ上には、単一のエレクトレット膜１３０ａが貼着され、電気的に接続されている。また、このエレクトレット膜１３０ａの、下部電極パッド１３１ａに貼着されて対向する面とは反対側の面上、すなわちＦＰＣ２３５とは反対側の面上には、下部電極パッド１３１ａの位置に対応して上部導電層１３２ａが形成されている。

該上部導電層１３２ａは、ワイヤボンディング等により形成された上部電極配線２２４を介して、単一の振動子ユニット２３２を構成する全ての振動子セル１００の上部電極１２０に電気的に接続されている。

また、エレクトレット膜１３０ａに形成された全ての複数の上部導電層１３２ａは、ＦＰＣ２３５の実装面側の最上面に露出して形成された共通接地電極パッド２３７に、接地電極配線２３７ａを介して電気的に接続されている。すなわち、本実施形態の振動子アレイ２３１においては、全ての振動子ユニット２３２の振動子セル１００の上部電極１２０は、共通接地電極パッド２３７に電気的に接続されている。

上述した構成を有する超音波振動子アレイ２３１においては、複数の振動子ユニット２３２は、単一のエレクトレット膜１３０ａに電気的に接続されており、一つの振動子ユニット２３２が、超音波を送受信するための最小の駆動単位を構成している。そして、エレクトレット膜１３０ａは、振動子ユニット２３２を構成する振動子セル１００の下部電極１１０と上部電極１２０との間に電位差を与えるのである。

上述した本実施形態によれば、チップ状に形成される振動子ユニット２３２と、該振動子ユニット２３２の振動子セル１００に電位差を与えるエレクトレット膜１３０ａとを、それぞれＦＰＣ２３５上の離間した異なる領域に配設することができる。

すなわち、第１の実施形態のように、振動子ユニット３２上にエレクトレット膜１３０を配設した場合に比べて、本実施形態によれば振動アレイ２３１全体の厚さをさらに薄くすることが可能となる。

また、第１の実施形態に比べて、エレクトレット膜１３０ａの大きさを大きく構成することが可能であるため、エレクトレット膜１３０ａの形成及び貼着の工程をより容易に行うことができる。

（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態について、図１３を参照して説明する。第４の実施形態は、上述した本発明の超音波トランスデューサを、超音波顕微鏡に適用したものである。図１３は、本実施形態の超音波顕微鏡の構成を説明する図である。

超音波顕微鏡３００は、高周波発振器３０１で発生した高周波信号を、サーキュレータ３０２を介して本発明に係る超音波トランスデューサ３０３に供給し、超音波に変換する。この超音波を音響レンズ３０４で収束し、その収束点には試料３０５を配置する。試料３０５はサンプルホルダー３０６により保持され、試料３０５と音響レンズ３０４のレンズ面との間には水等のカプラ３０７が充填される。試料３０５からの反射波は音響レンズ３０４を介してトランスデューサ３０３により受信され、電気的な反射信号に変換される。超音波トランスデューサ３０３から出力される受信超音波に対応した電気信号は、サーキュレータ３０２を介して表示装置３０８へ入力される。サンプルホルダー３０６は走査回路３０９により制御される走査装置３１０により水平面内をＸＹの２軸方向に駆動される。

以上のように構成された超音波顕微鏡３００は、超音波を試料３０５に照射して試料３０５の音響的特性を評価することにより、試料３０５の弾性的性質を定量化したり、薄膜の構造を評価することが可能である。

上述した実施形態に基づいて、以下の構成を提案することができる。すなわち、
（付記１）
静電容量型の超音波トランスデューサにおいて、
該超音波トランスデューサは、多数の振動子セルから構成され、振動子セルは、
少なくとも上部電極及び絶縁膜からなる振動膜（メンブレン）と、
振動膜に接した空隙部と、
下部電極と、
から構成され、振動子セル群端部には、電荷を保持したエレクトレット膜が存在し、
該エレクトレット膜の上下には振動子セルと電気的に接続された両電極が配置された構成であることを特徴とする静電容量型の超音波トランスデューサ。

（付記２）
上記エレクトレット膜には、複数の対向する電極が配置された構成であることを特徴とする付記１に記載の静電容量型の超音波トランスデューサ。

（付記３）
上記エレクトレット膜は、少なくとも一つの面に空隙部を介して両電極に挟まれたことを特徴とする付記１又は２に記載の静電容量型の超音波トランスデューサ。

（付記４）
上記エレクトレット膜は、有機膜であることを特徴とする付記１から３のいずれか一項に記載の静電容量型の超音波トランスデューサ。

（付記５）
マイクロマシンプロセスを用いた超音波トランスデューサであることを特徴とした超音波トランスデューサ、及び該超音波トランスデューサを具備した超音波内視鏡。

（付記６）
エレクトレット膜を有する静電容量型の超音波トランスデューサにおいて、
エレクトレット膜をディスクリートにシリコンプロセスとは別工程で作成し、（ポストプロセスに数百℃以上の温度になることがない工程で、）エレメント単位で引き出された超音波トランスデューサの外部配線パッド上に載置し、
さらに低温プロセスで、上部接地電極を形成したことを特徴とする静電容量型の超音波トランスデューサの製造方法。

なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、超音波診断装置及び超音波顕微鏡もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

超音波内視鏡の概略構成を示す説明図である。 超音波内視鏡の先端部分の構成を示す斜視図である。 振動子アレイの斜視図である。 振動子ユニットを超音波の送信方向からみた上面図である。 図４のV-V断面図である。 振動子ユニットの等価回路図である。 振動子ユニットの製造工程を説明する図である。 振動子ユニットの製造工程を説明する図である。 振動子ユニットの製造工程を説明する図である。 第１の実施形態の変形例の振動子アレイの斜視図である。 第２の実施形態の振動子ユニットの断面図である。 第３の実施形態の振動子アレイの上面図である。 超音波顕微鏡の概略構成を示す説明図である。

符号の説明

１００ 振動子セル、 １００ａ メンブレン、 １０１ シリコン基板、 １０２ 第１絶縁膜、 １０４ 第２絶縁膜、 １０５ 保護膜、 １０７ キャビティ、 １０９ 裏面絶縁膜、 １１０ 下部電極、 １１１ 下部電極配線、 １１４ 下部電極配線、 １２０ 上部電極、 １２１ 上部電極配線、 １２４ 上部電極配線、 １３０ エレクトレット膜、 １３１ 下部導電層、 １３２ 上部導電層

Claims (9)

1. 基板上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に空隙部を隔てて配設された振動膜と、該振動膜に支持された第２の電極とを具備して構成される振動子セルと、
   電荷を保持し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電位差を与えるエレクトレット膜と、
   を具備した超音波トランスデューサであって、
   前記エレクトレット膜は、前記基板を前記振動膜が振動することにより発生する超音波の送信方向から見た場合に前記振動子セルとは離間した領域において、前記第１の電極に電気的に接続された第１の導電層と、該第１の導電層上に対向して配設され前記第２の電極に電気的に接続された第２の導電層との間に介装されたものであって、
   かつ、前記エレクトレット膜は、前記第１の導電層上に貼着されたものであることを特徴とする超音波トランスデューサ。
2. 複数の振動子セルのそれぞれに対応して設けられた複数の第１の導電層を具備し、
   単一の前記エレクトレット膜が、該複数の第１の導電層上に貼着されることを特徴とする請求項１の記載の超音波トランスデューサ。
3. 前記エレクトレット膜と前記第１の導電層との間、又は前記エレクトレット膜と前記第２の導電層との間には、空隙部が介装されることを特徴とする請求項１又は２に記載の超音波トランスデューサ。
4. 前記エレクトレット膜は、樹脂膜からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の超音波トランスデューサ。
5. 基板上に形成された第１の電極と、該第１の電極上に空隙部を隔てて配設された振動膜と、該振動膜に支持された第２の電極とを具備して構成される振動子セルと、
   電荷を保持し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定の電位差を与える有機膜からなるエレクトレット膜と、
   を具備する超音波トランスデューサの製造方法であって、
   前記基板上に前記振動子セルを形成する工程と、
   前記振動子セルの第１の電極に電気的に接続され、前記基板上において前記振動子セルとは異なる領域に延出した第１の導電層を形成する工程と、
   前記振動子セル及び第１の導電層を形成する工程とは別に前記エレクトレット膜を形成する工程と、
   前記エレクトレット膜を、前記基板上の前記振動子セルとは異なる領域において前記第１の導電層上に貼着する工程と、
   前記エレクトレット膜の前記第１の導電層と対向する面とは反対側の面上に第２の導電層を形成する工程と、
   前記第２の導電層を前記第２の電極と電気的に接続する工程と、
   を具備することを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
6. 前記エレクトレット膜を、前記第１の導電層上に貼着する工程と、前記第２の導電層を形成する工程と、前記第２の導電層を前記第２の電極と電気的に接続する工程とは、前記エレクトレットの温度が、前記エレクトレットが保持する電荷量の低下が発生する所定の温度以下において実施されることを特徴とする請求項５に記載の超音波トランスデューサの製造方法。
7. 前記所定の温度は、１００℃以下であることを特徴とする請求項６に記載の超音波トランスデューサの製造方法。
8. 請求項１から４のいずれか一項に記載の超音波トランスデューサを具備することを特徴とする超音波診断装置。
9. 請求項１から４のいずれか一項に記載の超音波トランスデューサを具備することを特徴とする超音波顕微鏡。

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