JP2009049242A - Substrate with built-in electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品およびフィルタ回路部を内蔵する電子部品内蔵基板に関する。 The present invention relates to an electronic component built-in substrate that incorporates an electronic component and a filter circuit section.
近年、携帯電話や移動体通信に用いられる電子機器などの小型化に対する要求が高まる中、これらに搭載される電子部品の小型化のみならず、実装基板自体の小型化も切望されている。このような状況下、実装基板内部に導体パターンによって形成されたインダクタやキャパシタでフィルタを構成することにより、部品点数を減少させ、これにより小型化および高密度実装を実現することを企図した配線基板が提案されている(特許文献1参照)。また、半導体装置のような能動部品を基板内に内蔵する技術(特許文献2参照)や、半導体装置の内部にインダクタを形成する技術(特許文献3)なども提案されている。
かかる技術を用いて、例えば、1つのインダクタと2つのキャパシタを備えるπ型フィルタを形成する場合、一般に、インダクタの一端および他端に2つのキャパシタのそれぞれの一端を接続し、両キャパシタの他端を共通のグランド層に接続し、インダクタの一端を、半導体ICなどの電子部品の信号電極に接続する構造が考えられる。 For example, when a π-type filter including one inductor and two capacitors is formed using such a technique, generally, one end of each of the two capacitors is connected to one end and the other end of the inductor, and the other end of both capacitors is connected. Is connected to a common ground layer, and one end of the inductor is connected to a signal electrode of an electronic component such as a semiconductor IC.
しかしながら、このような構造では、共通のグランド層に2つのキャパシタのそれぞれの他端を接続したとしても、配線スペースの制約などによって細い配線の引き回しが不可避的に生じてしまい、それに起因して2つのキャパシタの他端が高周波的には同電位とならず、その間に浮遊インダクタンスが発生してしまう。この浮遊インダクタンスは、本来のフィルタを構成するインダクタに対して並列に現れ、その結果、フィルタ特性を劣化させるという問題がある。特に、半導体装置やインダクタを基板内に内蔵した場合には、配線の引き回しが不可避的に発生しやすく、この問題が顕著に起こる。またこの浮遊インダクタンスを予め予測して設計に反映させることも考えられるが、実際上、製品製造においては無視し得ない程度のばらつきが生じてしまい、この浮遊インダクタンス自体がばらついてしまって設計による対処は困難である。 However, in such a structure, even if the other ends of the two capacitors are connected to a common ground layer, a thin wiring is inevitably generated due to the limitation of the wiring space. The other ends of the two capacitors do not have the same potential in terms of high frequency, and stray inductance occurs between them. This stray inductance appears in parallel with the inductor that constitutes the original filter, and as a result, there is a problem that the filter characteristics deteriorate. In particular, when a semiconductor device or an inductor is built in a substrate, wiring is inevitably easily generated, and this problem occurs remarkably. In addition, it may be possible to predict this stray inductance in advance and reflect it in the design. However, in practice, there will be variations that cannot be ignored in product manufacturing, and this stray inductance itself will vary and be dealt with by design. It is difficult.
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、浮遊インダクタンスを低減することができ、これにより特性が改善されたフィルタ、および電子部品が内蔵された電子部品内蔵基板を提供することにある。 Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reduce the stray inductance, thereby improving the characteristics of the filter, and the electronic component built-in substrate in which the electronic component is built. Is to provide.
上記の課題を解決するため、本発明による電子部品内蔵基板は、複数の絶縁層を含む積層体を有する基体と、その基体に内蔵された電子部品と、電子部品の信号端子に一端が接続されたフィルタ回路部と、電子部品の接地端子に接続された第1接地層と、その第1接地層と別体に形成された第2接地層とを備えており、フィルタ回路部が、電子部品の信号端子に一端が接続され、かつ、複数の絶縁層のうち電子部品が収容された絶縁層を貫通する少なくとも1つ以上のビアによって形成されたインダクタと、電子部品の接地端子に接続された第1電極と、インダクタの他端に接続され、かつ、複数の絶縁層のうち少なくとも1層の絶縁層を介して第2接地層に対向配置された第2電極とを有するものである。 In order to solve the above problems, an electronic component built-in substrate according to the present invention has a base having a laminate including a plurality of insulating layers, an electronic component built in the base, and one end connected to a signal terminal of the electronic component. A filter circuit unit, a first ground layer connected to the ground terminal of the electronic component, and a second ground layer formed separately from the first ground layer. The filter circuit unit includes the electronic component. One end of which is connected to the signal terminal, and an inductor formed by at least one or more vias penetrating the insulating layer containing the electronic component among the plurality of insulating layers, and the ground terminal of the electronic component A first electrode and a second electrode connected to the other end of the inductor and disposed opposite to the second ground layer through at least one insulating layer among the plurality of insulating layers.
上記構成では、第1接地層と第2接地層とが別体に設けられており、換言すれば、電子部品内蔵基板に設けられた接地(手段)が、電子部品用の接地として機能する第1接地層と基板用の接地である第2接地層とに区分けされており、第1電極が電子部品の接地端子を通じて第1接地層に接続されている。この第1電極は、例えば、キャパシタに接続されるか、或いは、それ自身が電子部品の信号端子とフィルタ回路部の一端とを接続する導体パターンとの間でキャパシタンスを形成するキャパシタ電極を構成する。このように、第1電極、電子部品の接地端子および第1接地層が、細長く引き回された導体パターンを介在させることなく接続されているので、それら第1電極、電子部品の接地端子および第1接地層が一定電位に保持され、これにより、浮遊インダクタンスの発生が抑制される。またフィルタ回路部のインダクタを、電子部品が収容された絶縁層を貫通するビアによって形成したことにより、例えば電子部品内に誘電体の積層方向に磁束を発生し得る他のインダクタが内蔵されていたとしても、互いの磁束方向が異なるので、両者の磁気結合の発生が抑制され、フィルタ特性の劣化や電子部品の動作特性の劣化を抑制できる。さらに、電子部品が収容された絶縁層は、通常、他の絶縁層よりも厚くされているおり、そのような比較的厚い絶縁層を貫通するビアによってインダクタを形成することにより、他の絶縁層を貫通するビアを形成した場合に比してビア長を比較的長くすることができ、これにより、比較的大きなインダクタンスを得ることができる。なお、比較的薄い複数の絶縁層を貫通するようにビアを形成してビア長を長くすることも考えられるが、その場合には、ビア接続用のビアキャップ同士が容量性の結合を生じてしまい、フィルタ特性を悪化させるおそれがあり、また、ビア・オン・ビアの形成のために工数が余計に必要となってしまい、生産性の観点からも好ましくないのに対し、本発明の場合には、電子部品が収容された厚い絶縁層を利用しているので、そのような問題が生起されることを防止できる。 In the above configuration, the first ground layer and the second ground layer are provided separately. In other words, the ground (means) provided on the electronic component built-in substrate functions as a ground for the electronic component. A first ground layer is divided into a second ground layer which is a ground for the substrate, and a first electrode is connected to the first ground layer through a ground terminal of an electronic component. This first electrode is connected to a capacitor, for example, or constitutes a capacitor electrode that itself forms a capacitance between a signal pattern of an electronic component and a conductor pattern that connects one end of a filter circuit unit. . Thus, since the first electrode, the ground terminal of the electronic component, and the first ground layer are connected without interposing the elongated conductor pattern, the first electrode, the ground terminal of the electronic component, and the first ground layer are connected. One ground layer is held at a constant potential, thereby suppressing the occurrence of stray inductance. In addition, since the inductor of the filter circuit portion is formed by a via penetrating the insulating layer in which the electronic component is accommodated, for example, another inductor capable of generating a magnetic flux in the dielectric stacking direction is incorporated in the electronic component. However, since the magnetic flux directions are different from each other, the occurrence of magnetic coupling between the two is suppressed, and the deterioration of the filter characteristics and the deterioration of the operation characteristics of the electronic component can be suppressed. Furthermore, the insulating layer in which the electronic component is accommodated is usually thicker than the other insulating layers, and by forming an inductor with vias penetrating such a relatively thick insulating layer, the other insulating layers are formed. The via length can be made relatively long as compared to the case of forming a via that penetrates through, and thereby a relatively large inductance can be obtained. Although it is conceivable to form vias so as to penetrate a plurality of relatively thin insulating layers to increase the via length, in that case, via connection via caps cause capacitive coupling between them. However, the filter characteristics may be deteriorated, and more man-hours are required for forming via-on-via, which is not preferable from the viewpoint of productivity. Uses a thick insulating layer in which electronic components are accommodated, and can prevent such a problem from occurring.
具体的には、電子部品の信号端子およびフィルタ回路部の一端を接続するように形成されており、かつ、複数の絶縁層のうち電子部品が収容された絶縁層を介して第2電極に対向配置された導体パターンを備えるものであると、インダクタと、これに並列接続されたキャパシタからなる並列共振回路が構成される。この場合、第1電極、電子部品の接地端子および第1接地層が一定電位に保持され、浮遊インダクタンスの発生が抑制されることに加え、キャパシタが追設されることにより、並列共振回路の特定の周波数においてより大きな減衰量を得ることができる。 Specifically, it is formed so as to connect the signal terminal of the electronic component and one end of the filter circuit unit, and faces the second electrode through an insulating layer in which the electronic component is accommodated among the plurality of insulating layers. When the conductive pattern is provided, a parallel resonant circuit including an inductor and a capacitor connected in parallel to the inductor is configured. In this case, the first electrode, the ground terminal of the electronic component, and the first ground layer are held at a constant potential, and in addition to suppressing the generation of stray inductance, the capacitor is additionally provided, thereby specifying the parallel resonant circuit. It is possible to obtain a greater attenuation at a frequency of.
また、インダクタが、複数の絶縁層のうち電子部品が収容された絶縁層を貫通する複数のビアと、それらの複数のビアを接続する接続導体とを含んでおり、かつ、複数の絶縁層の積層方向と交差する方向を軸とするスパイラルパターン(らせん構造)を有するものであると、十分なインダクタンスが得られるのでより好適である。かかる構成においては、インダクタに電流が流れると、絶縁層の積層方向と交差する方向に磁束が発生する。このとき、例えば電子部品内に誘電体の積層方向に磁束を発生し得るインダクタが内蔵されていたとしても、互いの磁束方向が異なるので、両者の磁気結合の発生が抑制され、フィルタ特性の劣化や電子部品の動作特性の劣化を抑制できる。 The inductor includes a plurality of vias penetrating an insulating layer in which an electronic component is accommodated among the plurality of insulating layers, and a connection conductor connecting the plurality of vias, and the plurality of insulating layers It is more preferable to have a spiral pattern (spiral structure) whose axis is the direction intersecting the stacking direction because sufficient inductance can be obtained. In such a configuration, when a current flows through the inductor, a magnetic flux is generated in a direction crossing the stacking direction of the insulating layers. At this time, for example, even if an inductor capable of generating magnetic flux in the dielectric stacking direction is incorporated in the electronic component, the magnetic flux directions are different from each other. And the deterioration of the operating characteristics of the electronic components can be suppressed.
本発明によれば、フィルタ回路部において、細長い導体パターンを介在させることなく、第1電極、電子部品の接地端子および第1接地層が接続されており、浮遊インダクタンスの発生を抑制・低減できることから、基体の内部に電子部品および優れた特性を有するフィルタが内蔵された電子部品内蔵基板を提供することが可能となる。 According to the present invention, in the filter circuit portion, the first electrode, the ground terminal of the electronic component, and the first ground layer are connected without interposing a long and narrow conductor pattern, and generation of stray inductance can be suppressed / reduced. It is possible to provide an electronic component built-in substrate in which an electronic component and a filter having excellent characteristics are built in the substrate.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右などの位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, positional relationships such as up, down, left and right are based on the positional relationships shown in the drawings unless otherwise specified. Furthermore, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. Further, the following embodiments are exemplifications for explaining the present invention, and are not intended to limit the present invention only to the embodiments. Further, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.
<第1実施形態>
図1は、本発明による電子部品内蔵基板の第1実施形態の構成を示す等価回路図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a first embodiment of an electronic component built-in substrate according to the present invention.
電子部品内蔵基板10は、電子部品1と、電子部品1の信号端子11aに接続されたフィルタ回路部2とを有する。フィルタ回路部2は、インダクタL1の両端に2つのキャパシタC1,C2のそれぞれの一端が接続されたものであり、インダクタL1に並列に接続されたキャパシタC3をさらに有している。このように、フィルタ回路部2は、インダクタL1、キャパシタC1、およびキャパシタC2を備えるπ型のローパスフィルタの一例であり、キャパシタC1,C2のキャパシタンスおよびインダクタL1のインダクタンスを調整することにより、所望のローパス特性を有するローパスフィルタが得られる。なお、図1において、Ls1、Ls2、Lg1、Lg2は、配線に起因してそれぞれの部位において生起され得る浮遊インダクタンスを示す。
The electronic component built-in
電子部品1の信号端子11aは、インダクタL1の一端に接続されている。一方、電子部品1の接地端子11bは、キャパシタC1の他端に接続されるとともに、さらに第1接地層31に接続されている。
The
また、フィルタ回路部2とは異なる他の回路部4が、インダクタL1の他端に接続されてもよい。回路部4は、電子部品内蔵基板10に内蔵される電子部品であってもよいし、外部の回路(部品)であってもよい。図示においては、回路部4は、電子部品内蔵基板10に内蔵されたものではなく、電子部品内蔵基板10の外部端子40cに、外付けで接続された形態のものを示す。
Further, another
さらに、キャパシタC2の他端は、第1接地層31とは別体に形成された基板用の第2接地層32に接続されている。このように、電子部品内蔵基板10においては、第1接地層31と第2接地層32とが互いに区分けされている。
Further, the other end of the capacitor C <b> 2 is connected to a
図2〜図8は、図1に示す等価回路を構成する電子部品内蔵基板10の各レイヤ(層)のパターンを示す平面図であり、図2が最上層のパターンを示し、図8が最下層のパターンを示す。すなわち、上層から順に、図2〜図8に示す各レイヤパターンが積層されている。
2 to 8 are plan views showing patterns of respective layers of the electronic component built-in
本実施形態に係る電子部品内蔵基板は、複数の絶縁層の積層体を有する基体を備えており、当該基体の内部に、図1に示す電子部品1およびフィルタ回路部2が内蔵されている。基本的には、図2〜図8に示すレイヤに示すパターンは、絶縁層上に形成される。
The electronic component built-in substrate according to the present embodiment includes a base body having a laminated body of a plurality of insulating layers, and the
図5に示すように、例えば半導体ICなどの電子部品1の外縁には、電子部品1に内蔵されているメモリや周辺回路などに接続された複数の端子11が形成されている。端子11は、信号端子11aおよび接地端子11b,11bを含む。接地端子11b,11bは、この例示では、信号端子11aの両側に配置されている。
As shown in FIG. 5, for example, a plurality of
さらに、電子部品1がRF回路を備える場合には、発振回路や整合回路に使用するインダクタ12が電子部品1上に形成される。この場合、インダクタ12は、電子部品1の端子面に垂直な軸を中心としたスパイラル状のコイルパターンを有し、電子部品1の端子面に垂直な方向、すなわち図2〜図8に示す各レイヤの積層方向に磁束を発生する。
Further, when the
電子部品1の接地端子11b,11bには、電極パターン24を介して第1電極21が接続されている。電極パターン24は、ビアV1を介して、下層の第1接地層31に接続されている。第1接地層31は、外部端子40aに接続されている。また、上述の如く、第1接地層31とは別体に構成された基板用の第2接地層32が形成されており、第2接地層32は、外部端子40bに接続されている。
A
インダクタL1は、接続導体25a,25b,25cとビアV2〜V5とから構成されている。ビアV2はインダクタの一端を構成し、ビアV5はインダクタの他端を構成する。インダクタの他端は、ビアV5を介して外部端子40cに接続されている。インダクタL1は、レイヤの積層方向と交差する(図示においてはレイヤの積層方向と実質的に直交する)軸Aを中心としたスパイラル状のコイルパターンを構成しており、軸Aの方向に磁束を発生する。
The inductor L1 includes
電子部品1の信号端子11aとインダクタL1の一端(ビアV2)は、導体パターン23により接続されている。導体パターン23は、その途中にキャパシタ電極を構成する幅広な部位を有する。また、インダクタの他端には、ビアV4を介して第2電極22が接続されている。
The
第1電極21とその下層の導体パターン23は、絶縁層を介して対向しており、これらからキャパシタC1が構成されている。また、導体パターン23とその下層の第2電極22は、絶縁層を介して対向しており、これらからキャパシタC3が構成されている。さらに、第2電極22とその下層の第2接地層32は、絶縁層を介して対向しており、これらからキャパシタC2が構成されている。
The
電子部品内蔵基板10の最上層(図2)には、例えば受動素子などの電子部品3が複数配置されており、電子部品内蔵基板10の最下層(図8)には、複数の外部端子40が配置されている。
A plurality of
このように構成された電子部品内蔵基板10によれば、電子部品用の第1接地層31と基板用の第2接地層32とが別体に設けられて区分け(分離)されており、第1電極21が電子部品1の接地端子11b,11bとともに第1接地層31に接続されている。よって、細長く引き回された導体パターンを用いることなく、第1電極21、電子部品1の接地端子11b,11bおよび第1接地層31を互いに接続できるので、第1電極21、電子部品1の接地端子11b,11bおよび第1接地層31を一定電位に接続・保持することができる。したがって、フィルタ回路部2において、浮遊インダクタンスの発生を抑制でき、フィルタ特性の劣化を防止することが可能となる。
According to the electronic component built-in
ここで、上記の本実施形態の電子部品内蔵基板10によって奏される効果の優位性の理解を更に容易にするために、以下に比較例の形態について説明する。図9〜図14は、当該比較例の形態に係る電子部品内蔵基板の各レイヤのパターンを示す平面図である。図2〜図8に図示したのと同様に、上層から順に、図9〜図14に示す各レイヤが積層される。
Here, in order to further facilitate the understanding of the superiority of the effects achieved by the electronic component built-in
この電子部品内蔵基板では、基板用の第2接地層32に第1電極21が接続されており、その第1電極21は、ビアV11を介して電子部品1の接地端子11b,11bに接続されている。各レイヤにおいて、電子部品1の周囲には多くのビアおよび導体パターンが存在するため、配置上の制約から、電子部品1から離れた場所に位置するビアV12,V13と第1電極21とは、細長く引き回された導体パターン26により接続されている。かかる構成により、第1電極21は、導体パターン26およびビアV12,V13を介して第2接地層32に接続されている。
In this electronic component built-in substrate, the
このように、第1電極21と第2接地層32との間に、細長い導体パターン26が介在しているので、図1の等価回路図に表れている浮遊インダクタンスLs3の発生量のさらなる増大を招いてしまう。
As described above, since the
図15は、第1実施形態に係る電子部品内蔵基板10におけるローパスフィルタの周波数特性D1と、比較例の形態に係る電子部品内蔵基板におけるローパスフィルタの周波数特性D2とを示すグラフである。
FIG. 15 is a graph showing the frequency characteristic D1 of the low-pass filter in the electronic component built-in
図15において、横軸は周波数(単位:GHz)を示し、縦軸は信号通過量(単位:dB)を示している。図15に示す結果より、本実施形態に係る電子部品内蔵基板10によれば、ローパスフィルタの通過帯域よりも高周波側(特に11GHz以上の領域)において、比較例の形態に係る電子部品内蔵基板に比して十分に大きな減衰量が得られることが判明した。
In FIG. 15, the horizontal axis indicates the frequency (unit: GHz), and the vertical axis indicates the signal passing amount (unit: dB). From the results shown in FIG. 15, according to the electronic component built-in
<第2実施形態>
第1実施形態とは異なるパターン例を用い、かつ斜視図および断面図を参照して、本発明の他の実施形態について以下に説明する。
Second Embodiment
Another embodiment of the present invention will be described below using a pattern example different from that of the first embodiment and referring to a perspective view and a sectional view.
図16は、第2実施形態に係る電子部品内蔵基板10の要部斜視図である。図17は、第2実施形態に係る電子部品内蔵基板10の要部断面図である。図18〜図21は、第2実施形態に係る電子部品内蔵基板10の各レイヤのパターンを示す平面図である。なお、図16〜図21では、理解を容易にするために、キャパシタC1,C2,C3およびインダクタL1を構成するパターンのみを図解し、それ以外の他の導体パターンの図示を省略した。
FIG. 16 is a perspective view of an essential part of the electronic component built-in
より具体的に、図18〜図21は、それぞれ、図17におけるE−E線、F−F線、G−G線、および、H−H線に沿う断面図である。 More specifically, FIGS. 18 to 21 are cross-sectional views taken along lines EE, FF, GG, and HH in FIG. 17, respectively.
電子部品内蔵基板10の基体5は、複数の絶縁層6の積層体により構成されており、その基体5中には、電子部品1が内蔵されている。図17に示すように、上層から順に第1電極21、導体パターン23、第2電極22、および第2接地層32が配置されている。これらの第1電極21、導体パターン23、第2電極22、および第2接地層32を含むパターンは、絶縁層6上に形成されており、パターン同士は、絶縁層6を貫通するビアにより接続されている。
The
また、図17に示すように、電子部品1の接地端子11b,11bに接続された第1電極21と、電子部品1の信号端子11aおよびインダクタL1の一端を繋ぐ導体パターン23とは、1層の絶縁層6を介して対向配置されており、これらからキャパシタC1が構成されている。
As shown in FIG. 17, the
さらに、電子部品1は、絶縁層6a中に収容(埋設)されている。導体パターン23と、インダクタL1の他端に接続された第2電極22とは、絶縁層6aを介して対向配置されており、これらからキャパシタC3が構成されている。またさらに、第2電極22と、第2接地層32とは、1層の絶縁層6を介して対向配置されており、これらから、キャパシタC2が構成されている。インダクタL1の他端は、第2接地層32に接続されている。
Furthermore, the
インダクタL1は、接続導体25d〜25fとビアV2a〜V5aとから構成されている。ビアV2aはインダクタの一端を構成し、ビアV5aはインダクタの他端を構成する。インダクタの他端は、ビアV5aを介して外部端子40cに接続されている。また、インダクタL1は、レイヤの積層方向と直交する軸Aを中心としたスパイラル状のコイルパターンを有しており、軸Aの方向に磁束を発生する。
The inductor L1 includes
かかる構成を有する電子部品内蔵基板10を製造するための方法としては、特に制限されず、例えば絶縁層6がセラミックスからなる場合であれば、キャビティ及びビア用の孔が形成された誘電体セラミックグリーンシートに導体ペーストを塗布して電極、導体パターン及びビアを形成して焼成した後、そのキャビティ内に電子部品を実装し、別工程にて電極、導体パターン及びビアが形成されて焼成されたセラミック基板をそのキャビティを覆うように張り合わせ、最後に基板表面に他の電子部品を実装することにより製作することができる。あるいは、絶縁層6がフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂のような樹脂からなる場合であれば、樹脂基板を用い、その表面に被着させた銅箔をエッチングして各電極パターンの形成を行い、ビア導体を形成して積層プレスすることによって製作してもよい。
A method for manufacturing the electronic component built-in
また、絶縁層6には、アルミナセラミックス、ムライトセラミックスなどのセラミック材料やガラスセラミックスなどの無機系材料、あるいは四フッ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン:PTFE)、四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂:ETFE)、四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂:PFA)などのフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂、ポリイミドなどの樹脂系材料が用いられる。
The insulating
また、導体パターン、電極材料には、例えば、Cu層、Mo−Mnのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの、Wのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの、Cr−Cu合金層、Cr−Cu合金層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの、Ta2N層上にNi−Cr合金層およびAuメッキ層を被着させたもの、Ti層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの、またはNi−Cr合金層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたものなどが用いられ、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法などにより形成される。 In addition, the conductor pattern and electrode material include, for example, a Cu layer, a Mo-Mn metallization layer coated with a Ni plating layer and an Au plating layer, and a W metallization layer with a Ni plating layer and an Au plating layer. , Cr—Cu alloy layer, Cr—Cu alloy layer with Ni plating layer and Au plating layer deposited thereon, Ta 2 N layer with Ni—Cr alloy layer and Au plating layer A thick film is used such as a deposited film, a deposited Pt layer and an Au plated layer on a Ti layer, or a deposited Pt layer and an Au plated layer on a Ni—Cr alloy layer. It is formed by a printing method or various thin film forming methods or plating methods.
本実施形態に係る電子部品内蔵基板10によれば、電子部品1の信号端子11aおよびインダクタL1の一端を接続する導体パターン23と、第2電極22とが、電子部品1が収容された絶縁層6aを介して対向配置されているので、インダクタL1と、これに並列接続されたキャパシタC3からなる並列共振回路が構成される。このようにキャパシタC3が追設されているので、並列共振回路の特定の周波数における減衰量をより一層増大させることができる。
According to the electronic component built-in
また、本実施形態では、複数のビアV2a〜V5aと、接続導体25d〜25fとにより、複数の絶縁層6の積層方向と交差する軸Aを中心としたスパイラルパターンからなるインダクタL1が形成されている。これにより、インダクタL1に電流が流れると、絶縁層6の積層方向と交差する方向に磁束が発生する。このため、例えば電子部品1内に誘電体の積層方向に磁束を発生し得るインダクタ12が内蔵されている場合であっても、電子部品1内のインダクタ12と、インダクタL1との磁気結合を抑制できる。
Further, in the present embodiment, the inductor L1 having a spiral pattern centered on the axis A intersecting the stacking direction of the plurality of insulating
さらに、電子部品1が収容されている絶縁層6aは他の絶縁層6に比べて厚いことから、絶縁層6aを貫通する複数のビアV2a〜V5aを利用することにより、スパイラルの半径を大きくすることができ、より大きなインダクタンスを有するインダクタL1を形成することが可能となる。
Furthermore, since the insulating
なお、上述したとおり、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、上述した本実施形態では、フィルタ回路部2としてπ型のローパスフィルタの例について説明したが、π型以外のローパスフィルタや、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタを採用してもよい。また、第1電極21が絶縁層6を介して導体パターン23と対向することにより、キャパシタC1を構成する例に代えて、第1電極21に接続された別のキャパシタを設けてもよい。
In addition, as above-mentioned, this invention is not limited to said each embodiment, A various deformation | transformation is possible in the limit which does not change the summary. For example, in the present embodiment described above, an example of a π-type low-pass filter has been described as the
さらに、電子部品内蔵基板10の上層に設けられる電子部品3や、電子部品1の種類にも制限はなく、例えばインダクタ12を設けなくてもよい。またさらに、電子部品内蔵基板10は、電子部品1以外にも他の電子部品や回路を内蔵していてもよい。さらに、絶縁層6の厚さを変えたり、これらに高誘電率材料を用いたり、磁性体を混合しても構わない。
Furthermore, there is no restriction | limiting also in the kind of the
以上説明した通り、本発明の電子部品内蔵基板によれば、浮遊インダクタンスを低減することができ、これによりフィルタ特性を改善することができるので、電子部品およびフィルタ回路部を内蔵する電子部品内蔵基板、および、それらを備える携帯電話や移動体通信に用いられる電子機器、装置、システム、各種デバイス等、特に小型化および高性能化が要求されるものに広くかつ有効に利用することができる。 As described above, according to the electronic component built-in substrate of the present invention, the stray inductance can be reduced, and thereby the filter characteristics can be improved. Therefore, the electronic component built-in substrate incorporating the electronic component and the filter circuit unit. It can be used widely and effectively for mobile phones including them, electronic devices, apparatuses, systems, and various devices used for mobile communications, especially those that require miniaturization and high performance.
1…電子部品、2…フィルタ回路部、3…電子部品、4…回路部、5…基体、6…絶縁層、6a…絶縁層、10…電子部品内蔵基板、11…端子、11a…信号端子、11b…接地端子、12…インダクタ、21…第1電極、22…第2電極、23…導体パターン、24…電極パターン、25a,25b,25c,25d,25e,25f…接続導体、26…導体パターン、30…接地層、31…第1接地層、32…第2接地層、40,40a,40b,40c…外部端子、A…軸、C1…キャパシタ、C2…キャパシタ、C3…キャパシタ、L1…インダクタ、Ls1,Ls2,Ls3,Lg1,Lg2…浮遊インダクタンス、V1,V2,V2a,V3,V3a,V4,V4a,V5,V5a,V11,V12,V13…ビア。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記基体に内蔵された電子部品と、
前記電子部品の信号端子に一端が接続されたフィルタ回路部と、
前記電子部品の接地端子に接続された第1接地層と、
前記第1接地層と別体に形成された第2接地層と、
を備え、
前記フィルタ回路部は、
前記電子部品の信号端子に一端が接続され、かつ、前記複数の絶縁層のうち前記電子部品が収容された絶縁層を貫通する少なくとも1つ以上のビアによって形成されたインダクタと、
前記電子部品の接地端子に接続された第1電極と、
前記インダクタの他端に接続され、かつ、前記複数の絶縁層のうち少なくとも1層の絶縁層を介して前記第2接地層に対向配置された第2電極と、
を有するものである、
電子部品内蔵基板。 A substrate having a laminate including a plurality of insulating layers;
An electronic component built in the substrate;
A filter circuit unit having one end connected to a signal terminal of the electronic component;
A first ground layer connected to a ground terminal of the electronic component;
A second ground layer formed separately from the first ground layer;
With
The filter circuit unit is
An inductor having one end connected to a signal terminal of the electronic component and formed by at least one or more vias penetrating an insulating layer in which the electronic component is accommodated among the plurality of insulating layers;
A first electrode connected to a ground terminal of the electronic component;
A second electrode connected to the other end of the inductor and disposed opposite to the second ground layer via at least one insulating layer of the plurality of insulating layers;
Having
Electronic component built-in substrate.
請求項1記載の電子部品内蔵基板。 It is formed so as to connect the signal terminal of the electronic component and one end of the filter circuit unit, and faces the second electrode through an insulating layer containing the electronic component among the plurality of insulating layers. With disposed conductor patterns,
The electronic component built-in substrate according to claim 1.
請求項1記載の電子部品内蔵基板。 The inductor includes a plurality of vias that pass through an insulating layer in which the electronic component is accommodated among the plurality of insulating layers, and a connection conductor that connects the plurality of vias, and the plurality of insulating layers Having a spiral pattern with the direction intersecting the stacking direction of
The electronic component built-in substrate according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007214945A JP2009049242A (en) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | Substrate with built-in electronic component |
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JP2007214945A JP2009049242A (en) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | Substrate with built-in electronic component |
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Family
ID=40501184
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Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011077841A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Renesas Electronics Corp | Electronic device |
-
2007
- 2007-08-21 JP JP2007214945A patent/JP2009049242A/en not_active Withdrawn
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