JP2004153414A - Low-pass filter - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-pass filter which has two attenuation poles with high design flexibility and can downsize the whole shape. <P>SOLUTION: This filter comprises a 1st ground electrode 5 on a lower surface of a 1st dielectric layer 1; a 2nd ground electrode 6 between a 2nd and a 3rd dielectric layers 2, 3; a 1st capacitor electrode 7 facing the 1st, 2nd ground electrodes 5, 6, respectively, between the 1st, 2nd dielectric layers 1, 2; a 2nd and a 3rd capacitor electrodes 8, 9 facing the 2nd ground electrode 6, respectively, between the 3rd and a 4th dielectric layers 3, 4; and 1st, 2nd coil electrodes 10, 11 on an upper surface of the 4th dielectric layer 4. Between one ends of the 1st, 2nd coil electrodes 10, 11 are connected to the 1st capacitor electrode 7, the other ends of the 1st coil electrode 10 is connected to the 2nd capacitor electrode 8 to be an input terminal, and the other end of the 2nd coil 11 is connected to the 3rd capacitor electrode 9 to be an output terminal. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に携帯電話や移動体通信のような電子機器の電子回路に1〜3GHz前後の周波数帯において使用されるローパスフィルタに関し、特にグランド電極・コンデンサ電極またはコイル電極が形成された複数の誘電体層を積層することによって構成されたローパスフィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話や移動体通信のような電子機器の電子回路に1〜3GHz前後の周波数帯において使用されるローパスフィルタについては、これが用いられる電子機器の小型化・高密度化・低価格化に対する要求が高まる中、同様に小型化・高密度化が要求されている。
【0003】
このようなローパスフィルタとして、例えば特開平7−273502号公報には、表面にマイクロストリップラインを有する誘電体基板と、表面にコンデンサ電極を有する誘電体基板とを、誘電体シートと表面にグランド電極を有する誘電体基板とで挟持して積層し、側面にそれらマイクロストリップライン・コンデンサ電極およびグランド電極を導通する外部電極を形成したローパスフィルタにおいて、マイクロストリップラインを有する誘電体基板と、コンデンサ電極を有する誘電体基板との間に、表面にグランド電極と導通したシールド電極を有する誘電体基板を挿入したローパスフィルタが開示されている。
【0004】
これによれば、マイクロストリップラインを有する誘電体基板とコンデンサ電極を有する誘電体基板の間に、表面にグランド電極と導通するシールド電極を挿入することにより、マイクロストリップラインの両端に発生する浮遊容量を低下させることができるため、ローパスフィルタを通過した後の高周波帯域の減衰量を高く保つことができ、不要な高調波を除去することができるというものである。
【0005】
また、コンデンサ電極とシールド電極との間で新たなコンデンサが発生し、コンデンサ電極とグランド電極との間のコンデンサに並列に付加されるため、コンデンサの総合静電容量が2倍になり、形状を変更することなくローパスフィルタの共振周波数を低下させることができ、また、共振周波数が一定の場合では、ローパスフィルタの形状を小型にすることができるというものである。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−273502号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平7−273502号公報に開示されたローパスフィルタでは、マイクロストリップラインの両端に発生する浮遊容量を低下させることができるため、ローパスフィルタを通過した後の高周波帯域の減衰量を高く保つことができ、不要な高調波を除去できるものの、形状を小型にするために、コンデンサ電極とシールド電極との間で新たなコンデンサを発生させ共振周波数を低下させることによりローパスフィルタの形状を小型化しているが、共振周波数をローパスフィルタ全体のコイル電極とコンデンサ電極とによって発生させているため、コイル電極とコンデンサ電極とをある程度大きくしないと共振周波数を低下させることが困難であるという問題点があった。
【0008】
また、共振周波数をローパスフィルタ全体のコイル電極とコンデンサ電極とによって発生させているため、任意の共振周波数を1つしか発現できないという問題点もあった。
【0009】
また、すべてのコンデンサの総合静電容量をコンデンサ電極とグランド電極との間、およびコンデンサ電極とシールド電極との間にて発生させているが、もっとも大きな容量すなわち小型化が必要とされるコンデンサ電極は、マイクロストリップライン同士が接続される部分に接続されるコンデンサ電極のみでよいのに対し、すべてのコンデンサ電極を同じ誘電体表面に並べているため小型化しにくいといった問題点があった。
【0010】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、共振周波数を低下させるとともに任意の共振周波数すなわち減衰極を2つ設けることができ、しかも全体の形状を小型化できる、1〜3GHz前後の高周波の周波数帯において好適に使用されるローパスフィルタを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のローパスフィルタは、順次積層された第1乃至第4の誘電体層と、前記第1の誘電体層の下面に形成された第1のグランド電極ならびに前記第2および第3の誘電体層間に形成された第2のグランド電極と、前記第1および第2の誘電体層間に形成され、前記第1および第2のグランド電極と対向した第1のコンデンサ電極と、前記第3および第4の誘電体層間に形成され、前記第2のグランド電極とそれぞれ対向した第2および第3のコンデンサ電極と、前記第4の誘電体層の上面に形成された第1および第2のコイル電極とを具備し、該第1および第2のコイル電極の一方端同士を接続するとともにこれら一方端間を前記第1のコンデンサ電極と電気的に接続し、前記第1のコイル電極の他方端を前記第2のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに入力端子とし、前記第2のコイル電極の他方端を前記第3のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに出力端子としたことを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明のローパスフィルタは、上記構成において、前記入力端子および前記出力端子を前記第1の誘電体層の下面に導出したことを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のローパスフィルタによれば、順次積層された第1乃至第4の誘電体層と、第1の誘電体層の下面に形成された第1のグランド電極ならびに第2および第3の誘電体層間に形成された第2のグランド電極と、第1および第2の誘電体層間に形成され、第1および第2のグランド電極と対向した第1のコンデンサ電極と、第3および第4の誘電体層間に形成され、第2のグランド電極とそれぞれ対向した第2および第3のコンデンサ電極と、第4の誘電体層の上面に形成された第1および第2のコイル電極とを具備し、第1および第2のコイル電極の一方端同士を接続するとともにこれら一方端間を第1のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに、第1のコイル電極の他方端を第2のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに入力端子とし、第2のコイル電極の他方端を第3のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに出力端子としてローパスフィルタを構成したことから、第1のコイル電極(L1)と、第1のコイル電極(L1)の両端に接続されることとなる、第1のコンデンサ電極および第2のコンデンサ電極の間に形成されるコンデンサ(C4)とによる並列共振回路により発現する減衰極、および第2のコイル電極(L2)と、第2のコイル電極(L2)の両端に接続されることとなる、第1のコンデンサ電極および第3のコンデンサ電極の間に形成されるコンデンサ(C5)とによる並列共振回路により発現する減衰極を、コイル電極およびコイル電極の両端に接続されるコンデンサの大きさを変えることにより任意に設定できる。すなわち、コイル電極を大きくしたい場合はコンデンサ電極を小さくでき、またコンデンサ電極を大きくしたい場合はコイル電極を小さくできるため、コイル電極およびコンデンサ電極の大きさを適切に設定することにより、ローパスフィルタ全体のコイル電極およびコンデンサ電極を大きくすることなく減衰極を低下させることができる。
【0014】
また、このようにして並列共振回路を2つ直列に接続したことにより、2つの任意の減衰極を設けることができる。また、第1乃至第3の3つのコンデンサ電極のうち、一般的に用いられるバタワース型・ベッセル型およびチェビシェフ型等のローパスフィルタの構成上最も大きくなる第1のコンデンサ電極を第1および第2の誘電体層間に第1および第2のグランド電極と対向させて形成したことにより、第1のコンデンサ電極と第1および第2のグランド電極とを対向させて形成される接地容量C1の大きさを、1つのグランド電極のみに対向する際に必要とされる大きさの略半分とすることができる。また、積層方向から見た場合に、第1のコンデンサ電極と第2および第3のコンデンサ電極とを重ねることができるため、ローパスフィルタ全体を小型化できる。
【0015】
また、入力端子および出力端子を第1の誘電体層の下面に導出したときには、このローパスフィルタを表面実装型の電子部品として外部電気回路基板上に実装することが可能となる。
【0016】
以下、本発明のローパスフィルタについて図面を参照しつつ説明する。
【0017】
図1は本発明のローパスフィルタの実施の形態の一例を示す分解斜視図である。図1において、1は第1の誘電体層、2は第2の誘電体層、3は第3の誘電体層、4は第4の誘電体層、5は第1のグランド電極、6は第2のグランド電極、7は第1のコンデンサ電極、8は第2のコンデンサ電極、9は第3のコンデンサ電極、10は第1のコイル電極、11は第2のコイル電極、12は第1の貫通導体、13は第2の貫通導体、14は第3の貫通導体である。
【0018】
図1に示す例においては、第1の誘電体層1の下面に形成された第1のグランド電極5ならびに第2の誘電体層2および第3の誘電体層3間に形成された第2のグランド電極6と、第1の誘電体層1および第2の誘電体層2間に形成され、第1のグランド電極5および第2のグランド電極6と対向した第1のコンデンサ電極7との間に生じる接地容量をC1とし、第3の誘電体層3および第4の誘電体層4間に形成され、第2のグランド電極6とそれぞれ対向した第2のコンデンサ電極8および第3のコンデンサ電極9との間に生じる接地容量をそれぞれC2およびC3とし、第4の誘電体層4の上面に形成された第1のコイル電極10および第2のコイル電極11により生じるインダクタンスをそれぞれL1およびL2とし、第1のコンデンサ電極7と、第2の誘電体層2・第2のグランド電極6および第3の誘電体層3を介して第2のコンデンサ電極8および第3のコンデンサ電極9とが対向して形成される容量をそれぞれC4およびC5とする。
【0019】
そして、図1に示す例では、第1のコイル電極10および第2のコイル電極11の一方端同士を接続し、例えば第1の貫通導体12を介して接地容量C1を生じる第1のコンデンサ電極7と電気的に接続するとともに、第1のコイル電極10の他方端を例えば第2の貫通導体13を介して接地容量C2を生じる第2のコンデンサ電極8と電気的に接続して入力端子とし、また第2のコイル電極11の他方端を接地容量C3を生じる第3のコンデンサ電極9と例えば第3の貫通導体14を介して電気的に接続することによりローパスフィルタを構成している。ここで、第2の誘電体層2・第2のグランド電極6および第3の誘電体層3を介して第1のコンデンサ電極7と第2のコンデンサ電極8との間に生じる容量をC4とし、同じく第1のコンデンサ電極7と第3のコンデンサ電極9との間に生じる容量をC5とする。
【0020】
このような図1に示す本発明のローパスフィルタの例によれば、そのローパスフィルタの等価回路図は図2に示すようなものとなる。そして、第1乃至第3の誘電体層1〜3、第1および第2のグランド電極5・6および第1乃至第3のコンデンサ電極7〜9によって容量C1〜C5を調整し、また第1および第2のコイル電極10・11によってインダクタンスL1・L2を調整することにより、所望のローパス特性を有するローパスフィルタを得ることができる。
【0021】
また、入力端子および出力端子を第1の誘電体層の下面に第1のグランド電極5とは電気的に絶縁して導出することにより、このローパスフィルタを表面実装型の電子部品として外部電気回路基板上に実装することが可能となる。
【0022】
このように、図1に示す本発明のローパスフィルタの例においては、図2に等価回路図で示すように、第1のコイル電極10で形成されるインダクタンスL1と、第1のコイル電極10の両端に接続される第1のコンデンサ電極7と第2の誘電体層2・第2のグランド電極6および第3の誘電体層3を挟んで第2のコンデンサ電極8とが対向することよって形成される容量C4との並列共振回路を、また第2のコイル電極11で形成されるインダクタンスL2と、第2のコイル電極11の両端に接続される第1のコンデンサ電極7と第2の誘電体層2・第2のグランド電極6および第3の誘電体層3を挟んで第3のコンデンサ電極9とが対向することによって形成される容量C5との並列共振回路を形成しており、これらの並列共振回路の共振周波数をそれぞれ通過帯域の2倍および3倍の高調波に該当させることにより、ローパスフィルタに必要とされる通過帯域の2倍および3倍の高調波の除去を確実に行なうことができる。
【0023】
また、並列共振回路は、それぞれインダクタンスL1および容量C4、ならびにインダクタンスL2および容量C5にて形成され、各コイル電極10・11の長さや各コンデンサ電極7〜9の面積にて設定できるため、特開平7−273502号公報に開示されたもののように全体の形状を大きくすることなく共振周波数を低下させることができる。
【0024】
また、共振周波数の調整をインダクタンスL1およびL2にて行なう場合は、第1および第2のコイル電極10・11の長さや第4の誘電体層4の厚みを調整すればよい。さらに、共振周波数の調整を容量C4およびC5にて行なう場合は、第1のコンデンサ電極7と第2のコンデンサ電極8および第3のコンデンサ電極9との積層方向から見た重なる面積や、第1のコンデンサ電極7と第2のコンデンサ電極8および第3のコンデンサ電極9との積層方向から見た重なる面積を制限することとなる第2のグランド電極6の第1の貫通導体12の周りの開口部の面積や、第2および第3の誘電体層2・3の厚みを調整すればよい。このことより、本発明のローパスフィルタにおいては、減衰極すなわち並列共振回路の共振周波数を設定できるパラメータが多く、設計自由度の大きいものとなっている。
【0025】
なお、第1および第2のコイル電極10・11は、それぞれ第4の誘電体層4の上面に、例えば第2および第3のコンデンサ電極8・9と対向するように配置されて形成されるものであるが、図1に示した例におけるように、第1および第2のコイル電極10・11を、それぞれ第4の誘電体層4の上面のみならず内部にかけても形成してもよく、その場合は、第4の誘電体層4の上面に電子部品を実装したり配線を設けたりする領域を確保することができるようになるため、単なるローパスフィルタでなくモジュール基板の一部として構成することもできる。また、第1および第2のコイル電極10・11をそれぞれ第2および第3のコンデンサ電極8・9と対向するように配置することにより、第1乃至第3の貫通導体12〜14をほぼ垂直方向に配設することができその長さを最短とすることができ、貫通導体の不要なインダクタンス成分を少なくすることができるため、減衰特性のよいローパスフィルタとすることができる。
【0026】
また、第1乃至第3の3つのコンデンサ電極7〜9のうち、一般的に用いられるバタワース型・ベッセル型およびチェビシェフ型のローパスフィルタの構成上で最も大きくなる第1のコンデンサ電極7を第1のグランド電極5および第2のグランド電極6間に形成したことにより、第1のコンデンサ電極7と第1および第2のグランド電極5・6とを対向させて形成される接地容量C1の大きさを、1つのグラウンド電極のみに対向する際に必要とされる大きさの略半分とすることができるとともに、第1のコンデンサ電極7と第2のコンデンサ電極8および第3のコンデンサ電極9とを対向させて配置して積層方向より見た場合にオーバーラップさせているので、積層方向から見てローパスフィルタ全体の面積を小さくすることができ、全体を小型化することができる。
【0027】
図3は、図1に示す本発明のローパスフィルタの例における周波数特性を示す線図である。図3において、横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は信号通過量S(2,1)(単位:dB)を表わし、特性曲線はその周波数特性を示している。図3に示す結果より、本発明のローパスフィルタによれば、通過帯域(0.88GHzから0.915GHz)の2倍および3倍の周波数(1.76GHzから1.83GHzおよび2.64GHzから2.745GHz)において減衰極が発現しているとともに大きな減衰量が得られていることが分かる。
【0028】
なお、本発明のローパスフィルタは、例えば誘電体層がセラミックスから成る場合であれば、焼成後に各誘電体層となる誘電体セラミックグリーンシートに所定の孔開け加工を施すとともに各電極のパターン形状および貫通導体となる貫通孔やグリーンシートの側面等に導体ペーストを塗布し、これらを積層して焼成することによって製作される。あるいは、誘電体層がフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド樹脂のような樹脂基板を用い、その表面の銅箔をエッチングして各電極パターン形成を行ない、層間接続用ビア導体を形成して積層プレスするような樹脂基板によっても製作される。
【0029】
また、第1乃至第4の誘電体層1〜4を始めとする誘電体層には、アルミナセラミックス・ムライトセラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミック等の無機系材料、あるいは四フッ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE)・四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE)・四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。また、第1および第2のグランド電極5・6、第1乃至第3のコンデンサ電極7〜9、第1および第2のコイル電極10・11には、高周波信号伝送用の金属材料の導体層、例えばCu層・Mo−Mnのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Wのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Cr−Cu合金層・Cr−Cu合金層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・TaN層上にNi−Cr合金層およびAuメッキ層を被着させたもの・Ti層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの・またはNi−Cr合金層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの等を用いて、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法等により形成される。その厚みや幅は、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。
【0030】
次に、図4に本発明のローパスフィルタの実施の形態の他の例を、図1と同様の分解斜視図で示す。
【0031】
図4において、1aは第1の誘電体層、2aは第2の誘電体層、3aは第3の誘電体層、4aは第4の誘電体層、5aは第1のグランド電極、6aは第2のグランド電極、7aは第1のコンデンサ電極、8aは第2のコンデンサ電極、9aは第3のコンデンサ電極、10aは第1のコイル電極、11aは第2のコイル電極、12aは第1の貫通導体、13aは第2の貫通導体、14aは第3の貫通導体である。
【0032】
図4に示す例においては、第1の誘電体層1aの下面に形成された第1のグランド電極5aならびに第2の誘電体層2aおよび第3の誘電体層3a間に形成された第2のグランド電極6aと、第1の誘電体層1aおよび第2の誘電体層2a間に形成され第1のグランド電極5aおよび第2のグランド電極6aと対向した第1のコンデンサ電極7aとの間に生じる接地容量をC1とし、第3の誘電体層3aおよび第4の誘電体層4a間に形成され、第2のグランド電極2aとそれぞれ対向した第2のコンデンサ電極8aおよび第3のコンデンサ電極9aとの間に生じる接地容量をそれぞれC2aおよびC3aとし、第4の誘電体層4aの上面に形成された第1のコイル電極10aおよび第2のコイル電極11aにより生じるインダクタンスをそれぞれL1aおよびL2aとし、第1のコンデンサ電極7aと第2の誘電体層2a・第2のグランド電極6aおよび第3の誘電体層3aを介して第2のコンデンサ電極8aおよび第3のコンデンサ電極9aとが対向して形成される容量をそれぞれC4aおよびC5aとする。
【0033】
そして、図4に示す例では、第1のコイル電極10aおよび第2のコイル電極11aの一方端同士を接続し、例えば第1の貫通導体12aを介して接地容量C1aを生じる第1のコンデンサ電極7aと電気的に接続するとともに、第1のコイル電極10aの他方端を例えば第2の貫通導体13aを介して接地容量C2aを生じる第2のコンデンサ電極8aと電気的に接続して入力端子とし、また、第2のコイル電極11aの他方端を接地容量C3aを生じる第3のコンデンサ電極9aと例えば第3の貫通導体14aを介して電気的に接続することによりローパスフィルタを構成している。ここで、第1のコンデンサ電極7aと第2のコンデンサ電極8aとの間に生じる容量をC4aとし、第1のコンデンサ電極7aと第3のコンデンサ電極9aとの間に生じる容量をC5aとする。
【0034】
この図4に示す例においては、第4の誘電体層4aの上面に形成された第1および第2のコイル電極10a・11aをそれぞれミアンダ形状にすることにより、第1および第2のコイル電極10a・11aを積層して形成し貫通導体を用いて電気的に接続する必要がないことから、図1に示す例に比べて、第4の誘電体層4aならびに第1および第2のコイル電極10a・11aの構成を簡単にすることができ、特性のばらつきの低減や製造コストの低コスト化の面において有利な構成となっている。
【0035】
このような図4に示す本発明のローパスフィルタの例によれば、その等価回路図は図5に示すようなものとなる。そして、容量C1a〜C5aおよびインダクタンスL1a・L2aを調整することにより、所望の特性を有するローパスフィルタを得ることができる。
【0036】
図6は、図4に示す本発明のローパスフィルタの例における周波数特性を示す図3と同様の線図である。図6に示す結果より、本発明のローパスフィルタによれば、図3と同様に通過帯域(0.88GHzから0.915GHz)の2倍および3倍の周波数(1.76GHzから1.83GHzおよび2.64GHzから2.745GHz)において減衰極が発現しているとともに大きな減衰量が得られていることが分かる。
【0037】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、本発明のローパスフィルタによれば、第1乃至第3の誘電体層1〜3の厚みを薄くしたり、これらに高誘電率材料を用いたり、第4の誘電体層4に磁性体を混ぜたりすることにより、さらなる特性の改善や小型化が可能となる。
【0038】
また、第4の誘電体層の上面にシールド電極を設けたり、第1乃至第3の貫通導体の代わりに、誘電体層の側面に各電極の接続用導体を形成して各電極間を電気的に接続してもよい。
【0039】
また、本発明のローパスフィルタは、フィルタ単体部品としてでなく、回路基板の一部として構成することも可能である。
【0040】
【発明の効果】
本発明のローパスフィルタによれば、順次積層された第1乃至第4の誘電体層と、第1の誘電体層の下面に形成された第1のグランド電極ならびに第2および第3の誘電体層間に形成された第2のグランド電極と、第1および第2の誘電体層間に形成され、第1および第2のグランド電極と対向した第1のコンデンサ電極と、第3および第4の誘電体層間に形成され、第2のグランド電極とそれぞれ対向した第2および第3のコンデンサ電極と、第4の誘電体層の上面に形成された第1および第2のコイル電極とを具備し、第1および第2のコイル電極の一方端同士を接続するとともにこれら一方端間を第1のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに、第1のコイル電極の他方端を第2のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに入力端子とし、第2のコイル電極の他方端を第3のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに出力端子としてローパスフィルタを構成したことから、第1のコイル電極(L1)と、第1のコイル電極(L1)の両端に接続されることとなる第1のコンデンサ電極および第2のコンデンサ電極の間に形成されるコンデンサ(C4)とによる並列共振回路により発現する減衰極、および第2のコイル電極(L2)と、第2のコイル電極(L2)の両端に接続されることとなる、第1のコンデンサ電極および第3のコンデンサ電極の間に形成されるコンデンサ(C5)とによる並列共振回路により発現する減衰極を、コイル電極およびコイル電極の両端に接続されるコンデンサの大きさを変えることにより任意に設定できる。すなわち、コイル電極を大きくしたい場合はコンデンサ電極を小さくでき、またコンデンサ電極を大きくしたい場合はコイル電極を小さくできるため、コイル電極およびコンデンサ電極の大きさを適切に設定することにより、ローパスフィルタ全体のコイル電極およびコンデンサ電極を大きくすることなく減衰極を低下させることができる。
【0041】
また、このようにして並列共振回路を2つ直列に接続したことにより、2つの任意の減衰極を設けることができる。また、第1乃至第3の3つのコンデンサ電極のうち、一般的に用いられるバタワース型・ベッセル型およびチェビシェフ型等のローパスフィルタの構成上最も大きくなる第1のコンデンサ電極を第1および第2の誘電体層間に第1および第2のグランド電極と対向させて形成したことにより、第1のコンデンサ電極と第1および第2のグランド電極とを対向させて形成される接地容量C1の大きさを、1つのグランド電極のみに対向する際に必要とされる大きさの略半分とすることができる。また、積層方向から見た場合に、第1のコンデンサ電極と第2および第3のコンデンサ電極とを重ねることができるため、ローパスフィルタ全体を小型化できる。
【0042】
また、入力端子および出力端子を第1の誘電体層の下面に導出したときには、このローパスフィルタを表面実装型の電子部品として外部電気回路基板上に実装することが可能となる。
【0043】
以上のように本発明によれば、通過帯域の2倍および3倍に減衰極を持ち、減衰極を多くのパラメータにて調整可能な、しかも全体の形状を小型化できる、1〜3GHz前後の高周波の周波数帯において好適に使用されるローパスフィルタを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のローパスフィルタの実施の形態の一例を示す分解斜視図である。
【図2】図1に示すローパスフィルタの例の等価回路図である。
【図3】図1に示すローパスフィルタの例の周波数特性を示す線図である。
【図4】本発明のローパスフィルタの実施の形態の他の例を示す分解斜視図である。
【図5】図4に示すローパスフィルタの例の等価回路図である。
【図6】図4に示すローパスフィルタの例の周波数特性を示す線図である。
【符号の説明】
1、1a・・・・・第1の誘電体層
2、2a・・・・・第2の誘電体層
3、3a・・・・・第3の誘電体層
4、4a・・・・・第4の誘電体層
5、5a・・・・・第1のグランド電極
6、6a・・・・・第2のグランド電極
7、7a・・・・・第1のコンデンサ電極
8、8a・・・・・第2のコンデンサ電極
9、9a・・・・・第3のコンデンサ電極
10、10a・・・・・第1のコイル電極
11、11a・・・・・第2のコイル電極
12、12a・・・・・第1の貫通導体
13、13a・・・・・第2の貫通導体
13、13a・・・・・第3の貫通導体
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a low-pass filter mainly used in an electronic circuit of an electronic device such as a mobile phone or mobile communication in a frequency band of about 1 to 3 GHz, and more particularly to a plurality of low-pass filters formed with a ground electrode, a capacitor electrode, or a coil electrode. And a low-pass filter formed by laminating the dielectric layers described above.
[0002]
[Prior art]
Regarding low-pass filters used in electronic circuits of electronic devices such as mobile phones and mobile communication in a frequency band of about 1 to 3 GHz, there is a demand for downsizing, higher density, and lower price of the electronic devices in which they are used. As they increase, miniaturization and densification are also required.
[0003]
As such a low-pass filter, for example, JP-A-7-273502 discloses a dielectric substrate having a microstrip line on the surface and a dielectric substrate having a capacitor electrode on the surface, and a dielectric sheet and a ground electrode on the surface. In a low-pass filter sandwiched and laminated with a dielectric substrate having a microstrip line and a capacitor electrode and a ground electrode formed on the side surface, a dielectric substrate having a microstrip line and a capacitor electrode are provided. There is disclosed a low-pass filter in which a dielectric substrate having a shield electrode electrically connected to a ground electrode is inserted between the dielectric substrate and the dielectric substrate.
[0004]
According to this, a stray capacitance generated at both ends of a microstrip line is inserted between a dielectric substrate having a microstrip line and a dielectric substrate having a capacitor electrode, by inserting a shield electrode conducting to a ground electrode on the surface. Therefore, the amount of attenuation in the high-frequency band after passing through the low-pass filter can be kept high, and unnecessary harmonics can be removed.
[0005]
In addition, a new capacitor is generated between the capacitor electrode and the shield electrode, and is added in parallel with the capacitor between the capacitor electrode and the ground electrode, so that the total capacitance of the capacitor is doubled and the shape is reduced. The resonance frequency of the low-pass filter can be lowered without any change, and when the resonance frequency is constant, the shape of the low-pass filter can be reduced.
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-7-273502
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the low-pass filter disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-273502, the stray capacitance generated at both ends of the microstrip line can be reduced, so that the attenuation in the high-frequency band after passing through the low-pass filter is kept high. Although unnecessary harmonics can be removed, a new capacitor is generated between the capacitor electrode and the shield electrode to reduce the resonance frequency in order to reduce the size of the low-pass filter in order to reduce the size. However, since the resonance frequency is generated by the coil electrode and the capacitor electrode of the entire low-pass filter, there is a problem that it is difficult to lower the resonance frequency unless the coil electrode and the capacitor electrode are increased to some extent. Was.
[0008]
Further, since the resonance frequency is generated by the coil electrode and the capacitor electrode of the entire low-pass filter, there is a problem that only one arbitrary resonance frequency can be generated.
[0009]
Although the total capacitance of all capacitors is generated between the capacitor electrode and the ground electrode and between the capacitor electrode and the shield electrode, the largest capacitance, that is, the capacitor electrode that requires miniaturization However, only the capacitor electrode connected to the portion where the microstrip lines are connected to each other is required. However, since all the capacitor electrodes are arranged on the same dielectric surface, there is a problem that it is difficult to reduce the size.
[0010]
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to reduce the resonance frequency and provide any two resonance frequencies, that is, two attenuation poles. An object of the present invention is to provide a low-pass filter that can be miniaturized and is preferably used in a high-frequency band of about 1 to 3 GHz.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The low-pass filter according to the present invention includes a first to a fourth dielectric layers sequentially laminated, a first ground electrode formed on a lower surface of the first dielectric layer, and the second and third dielectric layers. A second ground electrode formed between the layers; a first capacitor electrode formed between the first and second dielectric layers and facing the first and second ground electrodes; And second and third capacitor electrodes formed between the four dielectric layers and opposed to the second ground electrode, respectively, and first and second coil electrodes formed on the upper surface of the fourth dielectric layer. And connecting one end of the first and second coil electrodes to each other and electrically connecting the one end to the first capacitor electrode, and connecting the other end of the first coil electrode to the other end of the first coil electrode. The second capacitor electrode An input terminal while connecting, is characterized in that the other end of the second coil electrode and the output terminal with connecting the third capacitor electrode electrically.
[0012]
Further, in the low-pass filter according to the present invention, in the above-described configuration, the input terminal and the output terminal are led out to a lower surface of the first dielectric layer.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
According to the low-pass filter of the present invention, the first to fourth dielectric layers sequentially laminated, the first ground electrode formed on the lower surface of the first dielectric layer, and the second and third dielectric layers A second ground electrode formed between the layers, a first capacitor electrode formed between the first and second dielectric layers and facing the first and second ground electrodes, and a third and fourth dielectric layer. A second capacitor electrode formed between the body layers and facing the second ground electrode, and a first and a second coil electrode formed on the upper surface of the fourth dielectric layer; One ends of the first and second coil electrodes are connected to each other, the one end is electrically connected to the first capacitor electrode, and the other end of the first coil electrode is electrically connected to the second capacitor electrode. Input and input And the other end of the second coil electrode is electrically connected to the third capacitor electrode and a low-pass filter is configured as an output terminal. Therefore, the first coil electrode (L1) and the first coil electrode An attenuation pole which is connected to both ends of (L1) and which is developed by a parallel resonance circuit formed by a capacitor (C4) formed between the first capacitor electrode and the second capacitor electrode, and a second coil A parallel resonance circuit including an electrode (L2) and a capacitor (C5) formed between the first and third capacitor electrodes, which is connected to both ends of the second coil electrode (L2). Can be arbitrarily set by changing the size of the coil electrode and the capacitors connected to both ends of the coil electrode. In other words, the capacitor electrode can be made smaller if the coil electrode is to be made larger, and the coil electrode can be made smaller if the capacitor electrode is to be made larger.By appropriately setting the size of the coil electrode and the capacitor electrode, the entire low-pass filter can be made. The attenuation pole can be reduced without increasing the size of the coil electrode and the capacitor electrode.
[0014]
Further, by connecting two parallel resonance circuits in series in this manner, two arbitrary attenuation poles can be provided. Further, among the first to third capacitor electrodes, the first capacitor electrode which is the largest in the configuration of a commonly used low-pass filter such as a Butterworth-type, Bessel-type, or Chebyshev-type is used as the first and second capacitor electrodes. Since the first capacitor electrode and the first and second ground electrodes are formed between the dielectric layers so as to face the first and second ground electrodes, the magnitude of the ground capacitance C1 formed with the first capacitor electrode and the first and second ground electrodes facing each other is reduced. The size can be reduced to approximately half the size required when facing only one ground electrode. Further, when viewed from the stacking direction, the first capacitor electrode and the second and third capacitor electrodes can be overlapped, so that the entire low-pass filter can be reduced in size.
[0015]
Further, when the input terminal and the output terminal are led out to the lower surface of the first dielectric layer, the low-pass filter can be mounted on an external electric circuit board as a surface-mounted electronic component.
[0016]
Hereinafter, a low-pass filter of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0017]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of a low-pass filter according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a first dielectric layer, 2 is a second dielectric layer, 3 is a third dielectric layer, 4 is a fourth dielectric layer, 5 is a first ground electrode, 6 is A second ground electrode, 7 is a first capacitor electrode, 8 is a second capacitor electrode, 9 is a third capacitor electrode, 10 is a first coil electrode, 11 is a second coil electrode, and 12 is a first coil electrode. , 13 is a second through conductor, and 14 is a third through conductor.
[0018]
In the example shown in FIG. 1, a first ground electrode 5 formed on the lower surface of the first dielectric layer 1 and a second ground electrode 5 formed between the second dielectric layer 2 and the third dielectric layer 3 are formed. Between the first ground electrode 6 and the first capacitor electrode 7 formed between the first dielectric layer 1 and the second dielectric layer 2 and opposed to the first ground electrode 5 and the second ground electrode 6. A second capacitor electrode 8 and a third capacitor formed between the third dielectric layer 3 and the fourth dielectric layer 4 and opposed to the second ground electrode 6, respectively, where C1 is a ground capacitance generated therebetween. The ground capacitances generated between the first and second electrodes 9 and 11 are C2 and C3, respectively, and the inductances generated by the first coil electrode 10 and the second coil electrode 11 formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 4 are L1 and L2, respectively. And the first condition The second capacitor electrode 8 and the third capacitor electrode 9 are formed so as to face each other via the second dielectric layer 2, the second ground electrode 6, and the third dielectric layer 3. Are C4 and C5, respectively.
[0019]
In the example shown in FIG. 1, one end of the first coil electrode 10 and one end of the second coil electrode 11 are connected to each other, and a first capacitor electrode that generates a ground capacitance C1 via the first through conductor 12, for example. 7, and the other end of the first coil electrode 10 is electrically connected to the second capacitor electrode 8 which generates the ground capacitance C2 via, for example, the second through conductor 13 to serve as an input terminal. A low-pass filter is formed by electrically connecting the other end of the second coil electrode 11 to the third capacitor electrode 9 that generates the ground capacitance C3, for example, via the third through conductor 14. Here, the capacitance generated between the first capacitor electrode 7 and the second capacitor electrode 8 via the second dielectric layer 2 / second ground electrode 6 and the third dielectric layer 3 is C4. Similarly, the capacitance generated between the first capacitor electrode 7 and the third capacitor electrode 9 is C5.
[0020]
According to such an example of the low-pass filter of the present invention shown in FIG. 1, the equivalent circuit diagram of the low-pass filter is as shown in FIG. The capacitances C1 to C5 are adjusted by the first to third dielectric layers 1 to 3, the first and second ground electrodes 5.6 and the first to third capacitor electrodes 7 to 9, and By adjusting the inductances L1 and L2 with the second coil electrodes 10 and 11, a low-pass filter having desired low-pass characteristics can be obtained.
[0021]
In addition, the input terminal and the output terminal are led out to the lower surface of the first dielectric layer while being electrically insulated from the first ground electrode 5, so that this low-pass filter can be used as a surface-mounted electronic component as an external electric circuit. It can be mounted on a substrate.
[0022]
As described above, in the example of the low-pass filter of the present invention shown in FIG. 1, the inductance L1 formed by the first coil electrode 10 and the inductance of the first coil electrode 10, as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. The first capacitor electrode 7 connected to both ends and the second capacitor electrode 8 are formed with the second dielectric layer 2, the second ground electrode 6, and the third dielectric layer 3 interposed therebetween. A parallel resonance circuit with the capacitor C4, an inductance L2 formed by the second coil electrode 11, a first capacitor electrode 7 connected to both ends of the second coil electrode 11, and a second dielectric. A parallel resonance circuit is formed with a capacitor C5 formed by the third capacitor electrode 9 facing the third capacitor layer 9 with the layer 2, the second ground electrode 6 and the third dielectric layer 3 interposed therebetween. Both parallel resonance circuits By appropriate frequency doubling and triple harmonics of the respective pass bands, it can be reliably performed twice and three times the harmonic elimination of passband required for the low-pass filter.
[0023]
Further, the parallel resonance circuit is formed by the inductance L1 and the capacitance C4 and the inductance L2 and the capacitance C5, respectively, and can be set by the length of each of the coil electrodes 10 and 11 and the area of each of the capacitor electrodes 7 to 9. It is possible to lower the resonance frequency without increasing the overall shape as disclosed in JP-A-7-273502.
[0024]
When the resonance frequency is adjusted by the inductances L1 and L2, the lengths of the first and second coil electrodes 10 and 11 and the thickness of the fourth dielectric layer 4 may be adjusted. Further, when the resonance frequency is adjusted by the capacitances C4 and C5, the overlapping area of the first capacitor electrode 7, the second capacitor electrode 8, and the third capacitor electrode 9 as viewed in the laminating direction, Opening around the first through conductor 12 of the second ground electrode 6 which limits the overlapping area of the second capacitor electrode 7 and the second capacitor electrode 8 and the third capacitor electrode 9 as viewed in the laminating direction. The area of the portion and the thickness of the second and third dielectric layers 2 and 3 may be adjusted. Thus, in the low-pass filter of the present invention, there are many parameters that can set the attenuation pole, that is, the resonance frequency of the parallel resonance circuit, and the design flexibility is large.
[0025]
The first and second coil electrodes 10 and 11 are formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 4 so as to be opposed to, for example, the second and third capacitor electrodes 8 and 9. However, as in the example shown in FIG. 1, the first and second coil electrodes 10 and 11 may be formed not only on the upper surface of the fourth dielectric layer 4 but also on the inside thereof. In that case, a region for mounting electronic components or providing wiring can be secured on the upper surface of the fourth dielectric layer 4, so that the structure is not a simple low-pass filter but a part of the module substrate. You can also. In addition, the first and third coil electrodes 10 and 11 are arranged so as to face the second and third capacitor electrodes 8 and 9, respectively, so that the first to third through conductors 12 to 14 are substantially perpendicular. Direction, the length can be minimized, and unnecessary inductance components of the through conductor can be reduced, so that a low-pass filter having good attenuation characteristics can be obtained.
[0026]
Further, of the first to third three capacitor electrodes 7 to 9, the first capacitor electrode 7, which is the largest in the configuration of a commonly used Butterworth-type, Bessel-type, and Chebyshev-type low-pass filter, is replaced with the first capacitor electrode 7. Formed between the first ground electrode 5 and the second ground electrode 6, the size of the ground capacitance C1 formed with the first capacitor electrode 7 and the first and second ground electrodes 5 and 6 facing each other Can be reduced to approximately half the size required when facing only one ground electrode, and the first capacitor electrode 7, the second capacitor electrode 8, and the third capacitor electrode 9 Since they are arranged to face each other and overlap when viewed from the laminating direction, the area of the entire low-pass filter can be reduced when viewed from the laminating direction. It is possible to reduce the size of.
[0027]
FIG. 3 is a diagram showing frequency characteristics in the example of the low-pass filter of the present invention shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents frequency (unit: GHz), the vertical axis represents signal passing amount S (2, 1) (unit: dB), and the characteristic curve represents the frequency characteristic. According to the results shown in FIG. 3, according to the low-pass filter of the present invention, the frequencies (1.76 GHz to 1.83 GHz and 2.64 GHz to 2.times.3) twice and three times the pass band (0.88 GHz to 0.915 GHz). It can be seen that an attenuation pole appears at 745 GHz) and a large amount of attenuation is obtained.
[0028]
The low-pass filter of the present invention, for example, when the dielectric layer is made of ceramics, performs predetermined perforation processing on a dielectric ceramic green sheet to be each dielectric layer after firing, and performs pattern formation of each electrode. It is manufactured by applying a conductive paste to the through holes serving as the through conductors, the side surfaces of the green sheets, and the like, laminating these and firing. Alternatively, using a resin substrate such as a fluororesin or glass epoxy resin / polyimide resin for the dielectric layer, etching the copper foil on the surface to form each electrode pattern, forming via conductors for interlayer connection, and laminating press It is also manufactured with a resin substrate as described below.
[0029]
The dielectric layers including the first to fourth dielectric layers 1 to 4 are made of a ceramic material such as alumina ceramic or mullite ceramic, an inorganic material such as glass ceramic, or an ethylene tetrafluoride resin (polyethylene). Tetrafluoroethylene; PTFE) / tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin (tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin; ETFE) / tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxyethylene copolymer resin (tetrafluoroethylene-perfluteroalkyl) Fluororesins such as vinyl ether copolymer resin (PFA) and resin materials such as glass epoxy resin and polyimide are used. The first and second ground electrodes 5 and 6, the first to third capacitor electrodes 7 to 9, and the first and second coil electrodes 10 and 11 are each provided with a conductive layer of a metal material for transmitting a high-frequency signal. For example, a Cu layer, a Ni-plated layer and an Au-plated layer deposited on a Mo-Mn metallized layer, a Ni-plated layer and an Au plated layer deposited on a W-metallized layer, Cr-Cu Alloy layer, Cr-Cu alloy layer with Ni plating layer and Au plating layer deposited, Ta 2 Ni-Cr alloy layer and Au plating layer deposited on N layer-Pt layer and Au plating layer deposited on Ti layer-Pt layer and Au plating on Ni-Cr alloy layer It is formed by a thick film printing method, various thin film forming methods, a plating method, or the like, using a material having a layer adhered thereto. The thickness and width are set according to the frequency of the high frequency signal to be transmitted, the application, and the like.
[0030]
Next, FIG. 4 shows another example of the low-pass filter according to the embodiment of the present invention in an exploded perspective view similar to FIG.
[0031]
In FIG. 4, 1a is a first dielectric layer, 2a is a second dielectric layer, 3a is a third dielectric layer, 4a is a fourth dielectric layer, 5a is a first ground electrode, and 6a is A second ground electrode, 7a is a first capacitor electrode, 8a is a second capacitor electrode, 9a is a third capacitor electrode, 10a is a first coil electrode, 11a is a second coil electrode, and 12a is a first coil electrode. , 13a is a second through conductor, and 14a is a third through conductor.
[0032]
In the example shown in FIG. 4, a first ground electrode 5a formed on the lower surface of the first dielectric layer 1a and a second ground electrode 5a formed between the second dielectric layer 2a and the third dielectric layer 3a are formed. Between the first ground electrode 6a and the first capacitor electrode 7a formed between the first dielectric layer 1a and the second dielectric layer 2a and facing the first ground electrode 5a and the second ground electrode 6a. The second capacitor electrode 8a and the third capacitor electrode formed between the third dielectric layer 3a and the fourth dielectric layer 4a and facing the second ground electrode 2a, respectively, where C2a and C3a, respectively, and the inductance generated by the first coil electrode 10a and the second coil electrode 11a formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 4a. L1a and L2a, respectively, the first capacitor electrode 7a, the second capacitor electrode 8a and the third capacitor via the second dielectric layer 2a, the second ground electrode 6a and the third dielectric layer 3a. Capacitors formed to face the electrode 9a are denoted by C4a and C5a, respectively.
[0033]
Then, in the example shown in FIG. 4, one end of the first coil electrode 10a and one end of the second coil electrode 11a are connected to each other, and for example, a first capacitor electrode that generates a ground capacitance C1a via the first through conductor 12a. 7a, and the other end of the first coil electrode 10a is electrically connected to a second capacitor electrode 8a that generates a ground capacitance C2a via, for example, a second through conductor 13a to serve as an input terminal. Further, the other end of the second coil electrode 11a is electrically connected to the third capacitor electrode 9a for generating the ground capacitance C3a via, for example, a third through conductor 14a, thereby forming a low-pass filter. Here, the capacitance generated between the first capacitor electrode 7a and the second capacitor electrode 8a is C4a, and the capacitance generated between the first capacitor electrode 7a and the third capacitor electrode 9a is C5a.
[0034]
In the example shown in FIG. 4, the first and second coil electrodes 10a and 11a formed on the upper surface of the fourth dielectric layer 4a are each formed in a meander shape, so that the first and second coil electrodes are formed. Since there is no need to electrically connect using a through conductor, the fourth dielectric layer 4a and the first and second coil electrodes are compared with the example shown in FIG. The configurations of 10a and 11a can be simplified, which is an advantageous configuration in terms of reduction in variation in characteristics and reduction in manufacturing cost.
[0035]
According to such an example of the low-pass filter of the present invention shown in FIG. 4, the equivalent circuit diagram is as shown in FIG. By adjusting the capacitances C1a to C5a and the inductances L1a and L2a, a low-pass filter having desired characteristics can be obtained.
[0036]
FIG. 6 is a diagram similar to FIG. 3 showing frequency characteristics in the example of the low-pass filter of the present invention shown in FIG. According to the results shown in FIG. 6, according to the low-pass filter of the present invention, as in FIG. 3, the frequencies (1.76 GHz to 1.83 GHz and 2.83 GHz) which are twice and three times the passband (0.88 GHz to 0.915 GHz) are used. It can be seen that an attenuation pole appears at a frequency range of 0.664 GHz to 2.745 GHz) and a large amount of attenuation is obtained.
[0037]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes may be made without departing from the spirit of the present invention. For example, according to the low-pass filter of the present invention, the thickness of the first to third dielectric layers 1 to 3 can be reduced, a high dielectric constant material can be used for the first to third dielectric layers, , It is possible to further improve the characteristics and reduce the size.
[0038]
Also, a shield electrode may be provided on the upper surface of the fourth dielectric layer, or a connection conductor for each electrode may be formed on the side surface of the dielectric layer instead of the first through third through conductors, and electrical connection between the electrodes may be made. May be connected.
[0039]
Further, the low-pass filter of the present invention can be configured as a part of a circuit board, not as a filter single component.
[0040]
【The invention's effect】
According to the low-pass filter of the present invention, the first to fourth dielectric layers sequentially laminated, the first ground electrode formed on the lower surface of the first dielectric layer, and the second and third dielectric layers A second ground electrode formed between the layers, a first capacitor electrode formed between the first and second dielectric layers and facing the first and second ground electrodes, and a third and fourth dielectric layer. A second capacitor electrode formed between the body layers and facing the second ground electrode, and a first and a second coil electrode formed on the upper surface of the fourth dielectric layer; One ends of the first and second coil electrodes are connected to each other, the one end is electrically connected to the first capacitor electrode, and the other end of the first coil electrode is electrically connected to the second capacitor electrode. Input and input And the other end of the second coil electrode is electrically connected to the third capacitor electrode and a low-pass filter is configured as an output terminal. Therefore, the first coil electrode (L1) and the first coil electrode (L1) An attenuation pole developed by a parallel resonance circuit formed by a capacitor (C4) formed between the first capacitor electrode and the second capacitor electrode to be connected to both ends of the second capacitor electrode, and a second coil electrode (L2) and a capacitor (C5) formed between the first capacitor electrode and the third capacitor electrode, which is connected to both ends of the second coil electrode (L2). The developed attenuation pole can be arbitrarily set by changing the size of the coil electrode and the capacitors connected to both ends of the coil electrode. In other words, the capacitor electrode can be made smaller if the coil electrode is to be made larger, and the coil electrode can be made smaller if the capacitor electrode is to be made larger.By appropriately setting the size of the coil electrode and the capacitor electrode, the entire low-pass filter can be made. The attenuation pole can be reduced without increasing the size of the coil electrode and the capacitor electrode.
[0041]
Further, by connecting two parallel resonance circuits in series in this manner, two arbitrary attenuation poles can be provided. Further, among the first to third capacitor electrodes, the first capacitor electrode which is the largest in the configuration of a commonly used low-pass filter such as a Butterworth-type, Bessel-type, or Chebyshev-type is used as the first and second capacitor electrodes. Since the first capacitor electrode and the first and second ground electrodes are formed between the dielectric layers so as to face the first and second ground electrodes, the magnitude of the ground capacitance C1 formed with the first capacitor electrode and the first and second ground electrodes facing each other is reduced. The size can be reduced to approximately half the size required when facing only one ground electrode. Further, when viewed from the stacking direction, the first capacitor electrode and the second and third capacitor electrodes can be overlapped, so that the entire low-pass filter can be reduced in size.
[0042]
Further, when the input terminal and the output terminal are led out to the lower surface of the first dielectric layer, the low-pass filter can be mounted on an external electric circuit board as a surface-mounted electronic component.
[0043]
As described above, according to the present invention, attenuation poles are provided twice and three times the passband, the attenuation pole can be adjusted with many parameters, and the overall shape can be reduced in size. A low-pass filter suitably used in a high frequency band can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of an embodiment of a low-pass filter of the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of an example of the low-pass filter shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of an example of the low-pass filter illustrated in FIG. 1;
FIG. 4 is an exploded perspective view showing another example of the embodiment of the low-pass filter of the present invention.
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of an example of the low-pass filter shown in FIG.
FIG. 6 is a diagram illustrating frequency characteristics of the example of the low-pass filter illustrated in FIG. 4;
[Explanation of symbols]
1, 1a... First dielectric layer
2, 2a... Second dielectric layer
3, 3a... Third dielectric layer
4, 4a... Fourth dielectric layer
5, 5a... First ground electrode
6, 6a... Second ground electrode
7, 7a... First capacitor electrode
8, 8a... Second capacitor electrode
9, 9a... Third capacitor electrode
10, 10a... First coil electrode
11, 11a... Second coil electrode
12, 12a... First through conductor
13, 13a... Second through conductor
13, 13a... Third through conductor

Claims (2)

順次積層された第1乃至第4の誘電体層と、前記第1の誘電体層の下面に形成された第1のグランド電極ならびに前記第2および第3の誘電体層間に形成された第2のグランド電極と、前記第1および第2の誘電体層間に形成され、前記第1および第2のグランド電極と対向した第1のコンデンサ電極と、前記第3および第4の誘電体層間に形成され、前記第2のグランド電極とそれぞれ対向した第2および第3のコンデンサ電極と、前記第4の誘電体層の上面に形成された第1および第2のコイル電極とを具備し、該第1および第2のコイル電極の一方端同士を接続するとともにこれら一方端間を前記第1のコンデンサ電極と電気的に接続し、前記第1のコイル電極の他方端を前記第2のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに入力端子とし、前記第2のコイル電極の他方端を前記第3のコンデンサ電極と電気的に接続するとともに出力端子としたことを特徴とするローパスフィルタ。First to fourth dielectric layers sequentially stacked, a first ground electrode formed on the lower surface of the first dielectric layer, and a second ground electrode formed between the second and third dielectric layers. A ground electrode, a first capacitor electrode formed between the first and second dielectric layers, and facing the first and second ground electrodes, and a third capacitor layer formed between the third and fourth dielectric layers. And second and third capacitor electrodes respectively opposed to the second ground electrode, and first and second coil electrodes formed on the upper surface of the fourth dielectric layer. One ends of the first and second coil electrodes are connected to each other, the one end is electrically connected to the first capacitor electrode, and the other end of the first coil electrode is connected to the second capacitor electrode. Electrical connection and input terminal Low-pass filter and is characterized by the other end of the second coil electrode and the output terminal with connecting the third capacitor electrode electrically. 前記入力端子および前記出力端子を前記第1の誘電体層の下面に導出したことを特徴とする請求項1記載のローパスフィルタ。2. The low-pass filter according to claim 1, wherein said input terminal and said output terminal are led out to a lower surface of said first dielectric layer.
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