JP2009047934A - Electro-optical element and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To allow mass production of an electro-optical element at low cost. <P>SOLUTION: The electro-optical element has an electro-optical crystal 1, on-electro-optical-crystal electrodes 3, 3a formed respectively on one face 1a and the other face 1b of the electro-optical crystal 1, an insulator 5 having the first face 51 opposed to the other face 1b of an obverse and a reverse of the electro-optical crystal 1 in an angled position, and having the second face 52 opposed to one end face 1c of the electro-optical crystal 1, and an on-insulator electrode 7 formed on the first face 51. Only a volume of the ridge portion in a conventional electro-optical element is required as the electro-optical crystal, and the expensive electro-optical crystal is used efficiently thereby to reduce a cost. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学素子およびこれを量産できる製造方法に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical element and a manufacturing method capable of mass-producing the same.

電界による電気光学結晶の光学的性質の変化をレーザ光で検出する電気光学素子を用いることで、微弱な電界の変化を測定することができる。例えば、生体等の表面を伝送経路とする電界通信において、電気光学素子を用いて情報を伝達する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。   By using an electro-optic element that detects a change in optical properties of an electro-optic crystal due to an electric field with laser light, a slight change in the electric field can be measured. For example, in electric field communication using a surface of a living body or the like as a transmission path, a technique for transmitting information using an electro-optic element is known (for example, see Patent Document 1).

電界光学素子は、ミリメートルオーダーのサイズで比較的大きなものであることから、手作業によって、直方体の電気光学結晶からリッジを削りだし、この電気光学素子を製造していた。   Since the electro-optical element is a comparatively large element having a size on the order of millimeters, a ridge is shaved from a rectangular parallelepiped electro-optical crystal to manufacture the electro-optical element.

しかしながら、手作業によって加工した場合には、大量に生産することが困難であるという問題がある。また、加工しようとする電気光学結晶はミリメートルオーダーのサイズで、従来の半導体素子に比べて、パターンが大きいことから、ドライエッチングなどの高価な微細加工技術を用いることなく、低コストで加工することが望ましい。   However, when processed by hand, there is a problem that it is difficult to produce in large quantities. In addition, the electro-optic crystal to be processed has a size on the order of millimeters and has a larger pattern than conventional semiconductor elements, so it can be processed at low cost without using expensive fine processing techniques such as dry etching. Is desirable.

これらの改善を目的として、作製の再現性、効率化を図るために、ダイシング、劈開技術を用いた手法により、図17に示すようなリッジ20を薄型にした小型の電気光学素子の量産が可能となった(例えば、特許文献2参照)。
特開2005−277719号公報 特開2007−183517号公報
In order to improve the reproducibility and efficiency of production for these improvements, mass production of a small electro-optic element having a thin ridge 20 as shown in FIG. 17 is possible by a technique using dicing and cleavage techniques. (For example, see Patent Document 2).
JP 2005-277719 A JP 2007-183517 A

しかしながら、ダイシング、劈開技術を用いて、性能を維持して小型の電気光学素子を効率的に作製しても、台座部分が電気光学結晶で作られており、リッジの部分も電気光学結晶を削り出して製造するため、高価な電気光学結晶を効率的に使用しておらず、コストという観点からは、安価に製造できる見通しが十分ではなかった。   However, even if dicing and cleaving techniques are used to efficiently produce a small electro-optic element while maintaining the performance, the pedestal part is made of electro-optic crystal, and the ridge part is also shaved off the electro-optic crystal. Therefore, expensive electro-optic crystals are not used efficiently, and from the viewpoint of cost, the prospect of being inexpensively manufactured is not sufficient.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電気光学結晶の体積が少ない電気光学素子およびこれを量産できる製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an electro-optic element having a small volume of an electro-optic crystal and a manufacturing method capable of mass-producing the same.

上記の課題を解決するために、請求項1の本発明は、電気光学結晶と、前記電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに形成された電気光学結晶上電極と、絶縁体であって、前記絶縁体の角の位置に、前記電気光学結晶の表裏の他方の面に対向する第1面ならびに前記電気光学結晶の1つの端面に対向する第2面を有するものと、前記第1面に形成された絶縁体上電極とを有することを特徴とする電気光学素子をもって解決手段とする。   In order to solve the above problems, the present invention of claim 1 is directed to an electro-optic crystal and an electro-optic crystal formed on one surface of the electro-optic crystal, or on one surface and the other surface. An upper electrode and an insulator, the first surface facing the other surface of the electro-optic crystal at the corner of the insulator, and the second surface facing one end face of the electro-optic crystal And an electro-optic element characterized by comprising an electrode on an insulator formed on the first surface.

請求項2の本発明は、前記第2面に隣合う第3面を含む面内に前記一方の面が含まれ、前記第1面に隣合う第4面を含む面内に前記端面に対向する端面が含まれることを特徴とする請求項1記載の電気光学素子をもって解決手段とする。   According to a second aspect of the present invention, the one surface is included in a surface including a third surface adjacent to the second surface, and is opposed to the end surface in a surface including a fourth surface adjacent to the first surface. The electro-optical element according to claim 1 is used as a solving means.

請求項3の本発明は、前記第2面に隣合う第3面に形成された絶縁体上電極と、この絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極とに渡された導電性材料とを有することを特徴とする請求項1または2記載の電気光学素子をもって解決手段とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an insulator upper electrode formed on a third surface adjacent to the second surface, and a conductive material passed between the insulator upper electrode and the electro-optic crystal upper electrode. The electro-optical element according to claim 1 or 2 is used as a solving means.

請求項4の本発明は、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底にレジストを加える工程と、前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極に前記電気光学結晶の表裏の他の方の面を対向させる工程とを有することを特徴とする電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a step of forming a groove in the insulator, a step of adding a resist to the bottom of the groove, and a part of the insulator so as to leave one inner wall surface and the bottom of the groove. A step of separating, a step of forming an upper electrode on an insulator on a surface which was one inner wall surface of the groove, and an upper electrode of the insulator on the resist in this step is removed by removing the resist. Formed on the surface that was the inner wall surface of the groove, and the step of forming an electrode on the electro-optic crystal on one surface of the front and back surfaces of the electro-optic crystal, or on the one surface and the other surface. And a process for making the other surface of the electro-optic crystal face the electrode on the insulator.

請求項5の本発明は、前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程であることを特徴とする請求項4記載の電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。   The present invention of claim 5 is characterized in that the step of providing the electrode on the electro-optic crystal is a step of providing the electrode on the electro-optic crystal by vapor deposition while rotating the electro-optic crystal. The electro-optic element manufacturing method is used as a solution.

請求項6の本発明は、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底の箇所にレジストを加える工程と、前記溝の底の幅方向における一方の端部で前記絶縁体の一部を切り離す工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟む工程とを有することを特徴とする電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a step of forming a groove in the insulator, a step of adding a resist to the bottom portion of the groove, and a part of the insulator at one end in the width direction of the bottom of the groove , A step of forming an electrode on the insulator on the surface that was one inner wall surface of the groove, and removing the electrode on the insulator on the resist in this step by removing the resist And a step of sandwiching a pre-prepared electro-optic crystal between the electrode on the insulator formed on the surface which was one inner wall surface of the groove and another pre-prepared electrode. The manufacturing method of the optical element is used as the solution.

本発明の電気光学素子によれば、電気光学結晶と、前記電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに形成された電気光学結晶上電極と、絶縁体であって、前記絶縁体の角の位置に、前記電気光学結晶の表裏の他方の面に対向する第1面ならびに前記電気光学結晶の1つの端面に対向する第2面を有するものと、前記第1面に形成された絶縁体上電極とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。   According to the electro-optic element of the present invention, an electro-optic crystal, an electrode on the electro-optic crystal formed on one surface of the front and back surfaces of the electro-optic crystal, or the one surface and the other surface, and an insulator The first surface facing the other surface of the electro-optic crystal and the second surface facing one end surface of the electro-optic crystal at the corners of the insulator; Since the electro-optic crystal has only the volume of the ridge portion in the conventional electro-optic element, the expensive electro-optic crystal can be efficiently formed. It can be used and the cost can be reduced.

また、第2面に隣合う第3面を含む面内に前記一方の面が含まれ、第1面に隣合う第4面を含む面内に前記端面に対向する端面が含まれることで、リッジがなくなり、よって、リッジの欠損を防止でき、取り扱いの容易な電気光学素子を提供できる。   Further, the one surface is included in a surface including a third surface adjacent to the second surface, and an end surface facing the end surface is included in a surface including the fourth surface adjacent to the first surface. Since the ridge is eliminated, the ridge can be prevented from being lost, and an electro-optic element that can be easily handled can be provided.

また、本発明の電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底にレジストを加える工程と、前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極に前記電気光学結晶の表裏の他の方の面を対向させる工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。   According to the method for manufacturing an electro-optic element of the present invention, the step of forming a groove in the insulator, the step of adding a resist to the bottom of the groove, and leaving one inner wall surface and the bottom of the groove A step of separating a part of the insulator, a step of forming an upper electrode on an insulator on a surface which was one inner wall surface of the groove, and an upper electrode of the insulator attached on the resist in the step A step of forming the electrode on the electro-optic crystal on one side of the front or back of the electro-optic crystal, or the one side and the other side, and one inner wall surface of the groove The other surface of the electro-optic crystal is opposed to the electrode on the insulator formed on the existing surface, so that the electro-optic crystal is a ridge portion of a conventional electro-optic element. Only needs about the volume, and therefore expensive A-optic crystal can be efficiently used, and the cost can be reduced.

また、溝を複数形成してそれを1つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。   In addition, by forming a plurality of grooves and dividing them into units containing one groove, and dividing the electro-optic crystal similarly without cutting out, a large number of electro-optic elements are produced at one time. Can be mass-produced at low cost.

以下、本発明の電気光学素子およびその製造方法の実施形態を図面を参照して説明する。   Embodiments of an electro-optical element and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view of an electro-optic element according to an embodiment of the present invention.

電気光学素子は、電気光学結晶1と、電気光学結晶1の表裏の一方の面1a(電気光学結晶面1aという)と他方の面1b(電気光学結晶面1bという)とにそれぞれ形成された電気光学結晶上電極3、3aと、絶縁体であって、その絶縁体の角の位置に、電気光学結晶面1bに対向する第1面51(絶縁体面51という)ならびに電気光学結晶1の1つの端面1c(電気光学結晶面1cという)に対向する第2面52(絶縁体面52という)を有するもの(絶縁体5という)と、絶縁体面51に形成された絶縁体上電極7とを有する。   The electro-optic elements are formed on the electro-optic crystal 1, the one surface 1 a (referred to as the electro-optic crystal surface 1 a) and the other surface 1 b (referred to as the electro-optic crystal surface 1 b) on the front and back sides of the electro-optic crystal 1, respectively. An optical crystal upper electrode 3, 3 a and an insulator, and at the corner of the insulator, a first surface 51 (referred to as an insulator surface 51) facing the electro-optic crystal surface 1 b and one of the electro-optic crystals 1 It has a second surface 52 (referred to as an insulator surface 52) facing the end face 1 c (referred to as an electro-optic crystal surface 1 c) (referred to as an insulator 5) and an insulator upper electrode 7 formed on the insulator surface 51.

ここでは、電気光学結晶面1bに電気光学結晶上電極3aが形成されているが、これは必須でなく、よって、これを考慮せず、上記のように絶縁体面51が電気光学結晶面1bに対向するというように表現したのである。   Here, the electro-optic crystal upper electrode 3a is formed on the electro-optic crystal surface 1b. However, this is not essential. Therefore, without considering this, the insulator surface 51 becomes the electro-optic crystal surface 1b as described above. It was expressed as facing each other.

また、絶縁体面52に隣合う絶縁体5の第3面53(絶縁体面53という)を含む面内に電気光学結晶面1aが含まれる。そして、絶縁体面51に隣合う絶縁体5の第4面54(絶縁体面54という)を含む面内に、電気光学結晶面1cに対向する端面1d(電気光学結晶面1dという)が含まれる。つまり、絶縁体5の角の部分が電気光学結晶1、電気光学結晶上電極3および3aで構成され、全体として凹凸がない。   In addition, the electro-optic crystal surface 1 a is included in a plane including the third surface 53 (referred to as the insulator surface 53) of the insulator 5 adjacent to the insulator surface 52. An end face 1d (referred to as electro-optic crystal face 1d) facing the electro-optic crystal face 1c is included in a plane including the fourth face 54 (referred to as insulator face 54) of the insulator 5 adjacent to the insulator face 51. That is, the corner portion of the insulator 5 is constituted by the electro-optic crystal 1 and the electro-optic crystal upper electrodes 3 and 3a, and there is no unevenness as a whole.

絶縁体面53を含む面内に電気光学結晶面1aが含まれるか否か、絶縁体面54を含む面内に電気光学結晶面1dが含まれるか否かは、厳密に判断すべきものでなく、全体として凹凸がなければ、かかる条件を満たしていると判断すればよい。   Whether or not the electro-optic crystal surface 1a is included in the plane including the insulator surface 53 and whether or not the electro-optic crystal surface 1d is included in the plane including the insulator surface 54 should not be strictly determined. If there is no unevenness, it may be determined that such a condition is satisfied.

また、絶縁体上電極7は、絶縁体面51と絶縁体面54を覆うように形成されている。 絶縁体面54の上の絶縁体上電極7は、必須でないが、この絶縁体上電極7にリード線などを接続できるあったほうが好ましい。また、製造上でも都合がよい。   The insulator upper electrode 7 is formed so as to cover the insulator surface 51 and the insulator surface 54. The insulator upper electrode 7 on the insulator surface 54 is not essential, but it is preferable that a lead wire or the like can be connected to the insulator upper electrode 7. Moreover, it is convenient also in manufacture.

また、絶縁体面53に絶縁体上電極7aが形成され、絶縁体上電極7aと電気光学結晶上電極3の間を渡すように銀ペーストなどの導電性材料15が加えられ、これにより、電極間の導通が図られている。また、電気光学結晶1、電気光学結晶上電極3および3aが接着剤16により絶縁体5に固定されている。   Also, an insulator upper electrode 7a is formed on the insulator surface 53, and a conductive material 15 such as silver paste is added so as to pass between the insulator upper electrode 7a and the electro-optic crystal upper electrode 3, thereby Is conducted. Further, the electro-optic crystal 1 and the electro-optic crystal upper electrodes 3 and 3 a are fixed to the insulator 5 with an adhesive 16.

例えば、絶縁体5の幅は、例えば、1.5mmである。例えば、電気光学結晶1の幅、高さ、長さはそれぞれ0.2mm、0.5mm(または1.0mm)、7.0mmである。   For example, the width of the insulator 5 is 1.5 mm, for example. For example, the width, height, and length of the electro-optic crystal 1 are 0.2 mm, 0.5 mm (or 1.0 mm), and 7.0 mm, respectively.

この電気光学素子では、検出対象の電界変化が生じる場所を挟む一方の場所に電気光学結晶上電極3および絶縁体上電極7aが電気的に接続され、他方の場所に電気光学結晶上電極3aおよび絶縁体上電極7が電気的に接続され、これにより、電気光学結晶上電極3、3a間に電圧が印加される。すると、電気光学結晶1内の電界強度が電界変化に応じて変化し、電気光学結晶1の光学的特性が変化する。こうした電気光学結晶1の長手方向に垂直な一方の端面から、しかも電界の方向に垂直に入射したレーザ光21は、光学的特性の変化により変調され、他方の端面から出射する。この変調されたレーザ光を処理することにより、上記の検出対象の電界変化が検出される。   In this electro-optic element, the electro-optic crystal upper electrode 3 and the insulator upper electrode 7a are electrically connected to one place across the place where the electric field change to be detected occurs, and the electro-optic crystal upper electrode 3a and The insulator upper electrode 7 is electrically connected, whereby a voltage is applied between the electro-optic crystal upper electrodes 3 and 3a. Then, the electric field strength in the electro-optic crystal 1 changes according to the electric field change, and the optical characteristics of the electro-optic crystal 1 change. The laser light 21 incident from one end face perpendicular to the longitudinal direction of the electro-optic crystal 1 and perpendicular to the electric field direction is modulated by a change in optical characteristics and emitted from the other end face. By processing this modulated laser beam, the change in the electric field to be detected is detected.

次に、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing an electro-optic element according to an embodiment of the present invention will be described.

この製造方法は、絶縁体5に溝を形成する第1工程と、溝の底にレジストを加える第2工程と、溝の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体5の一部を切り離す第3工程と、溝の一方の内壁面であった絶縁体面51とレジストの上に絶縁体上電極7を形成する第4工程と、第4工程においてレジストの上に付いた絶縁体上電極7をレジストを除去することにより除去する第5工程と、電気光学結晶面1aに電気光学結晶上電極3を形成する第6工程と、絶縁体面51に形成された絶縁体上電極7に電気光学結晶面1bを対向させる第7工程とを有する。   In this manufacturing method, a first step of forming a groove in the insulator 5, a second step of adding a resist to the bottom of the groove, a part of the insulator 5 so as to leave one inner wall surface and the bottom of the groove. A third step of separating, a fourth step of forming the upper insulator electrode 7 on the insulator surface 51 and the resist, which was one inner wall surface of the groove, and an upper insulator electrode attached on the resist in the fourth step 5 is removed by removing the resist, a sixth step of forming the electrooptic crystal upper electrode 3 on the electrooptic crystal surface 1a, and an electrooptic on the insulator upper electrode 7 formed on the insulator surface 51. And a seventh step of making the crystal face 1b face each other.

第1工程、第2工程、第3工程、第4工程、第5工程では、図2に示すような矩形平板状の絶縁体5を処理加工していく。   In the first step, the second step, the third step, the fourth step, and the fifth step, the rectangular flat insulator 5 as shown in FIG. 2 is processed.

図3(a)は、図2の符号11の部分を示す図であり、図3(b)〜(d)、図4(a)、(b)は、その部分の製造過程での変化を示す図である。これら図を参照して行う説明に係る処理加工は、この部分だけでなく、他の部分にも適用される。   FIG. 3A is a diagram showing a portion denoted by reference numeral 11 in FIG. 2, and FIGS. 3B to 3D, FIGS. 4A and 4B show changes in the manufacturing process of that portion. FIG. The processing according to the description with reference to these drawings is applied not only to this part but also to other parts.

第1工程では、まず、図3(b)に示すように、絶縁体3の上において全体的に、金属の電極材料による絶縁体上電極7を形成する。ここでは、スパッタリングで、例えば、CrとAuやCrとAlを蒸着させる。   In the first step, first, as shown in FIG. 3B, the insulator upper electrode 7 made of a metal electrode material is entirely formed on the insulator 3. Here, for example, Cr and Au or Cr and Al are deposited by sputtering.

次に、図3(c)に示すように、絶縁体上電極7の上に全体的にレジスト6を塗布するする。こうして、絶縁体上電極7を保護するのである。   Next, as shown in FIG. 3C, a resist 6 is entirely applied on the insulator upper electrode 7. Thus, the insulator upper electrode 7 is protected.

次に、図3(d)に示すように、例えば、0.22mm幅のダイシングブレード13を移動させ、かかるダイシングにより、図4(a)に示すように、レジスト6の上から絶縁体上電極7を分割するとともに、絶縁体5に溝9を形成する。図示しないものも含め、こうして形成される複数の溝1は平行であり、ピッチは例えば3.0mmである。   Next, as shown in FIG. 3D, for example, a dicing blade 13 having a width of 0.22 mm is moved, and by this dicing, an upper electrode on the insulator is applied from above the resist 6 as shown in FIG. 7 is divided and a groove 9 is formed in the insulator 5. The plurality of grooves 1 formed in this way, including those not shown, are parallel and the pitch is, for example, 3.0 mm.

なお、ダイシングに代えて、ワイヤーカット、レーザカット、マイクロドリルを用いてもよい。   In place of dicing, a wire cut, a laser cut, or a micro drill may be used.

続く第2工程では、まず、図4(b)に示すようにレジスト6Aを溝9に塗布する。   In the subsequent second step, first, a resist 6A is applied to the groove 9 as shown in FIG.

次に、図4(c)に示すように、例えば、0.22mm幅のダイシングブレード13を溝9の長さ方向に移動させ、かかるダイシングにより、図4(d)に示すように、溝9の底の箇所のレジスト6Aより上の部分のレジスト6Aを除去する。   Next, as shown in FIG. 4C, for example, the dicing blade 13 having a width of 0.22 mm is moved in the length direction of the groove 9, and by this dicing, as shown in FIG. The resist 6A in the portion above the resist 6A at the bottom of the substrate is removed.

続く第3工程では、図4(e)に示すように、ダイシングブレード13により、溝9の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体5の一部を一方の絶縁体上電極7およびレジスト6Aとともに切り離す。   In the subsequent third step, as shown in FIG. 4 (e), a part of the insulator 5 is removed by the dicing blade 13 so as to leave one inner wall surface and the bottom of the groove 9 and Separate with resist 6A.

実際には、図5に示すように、絶縁体5に絶縁体上電極7(図示せず)とレジスト6A(図示せず)を設けたものを複数得る。例えば、この絶縁体5の幅、高さ、長さは、それぞれ1.5mm、3.0mm、7.0mmである。   Actually, as shown in FIG. 5, a plurality of insulators 5 provided with an insulator upper electrode 7 (not shown) and a resist 6A (not shown) are obtained. For example, the width, height, and length of the insulator 5 are 1.5 mm, 3.0 mm, and 7.0 mm, respectively.

次に、得られた処理加工後の各絶縁体5を図6に示すように並べる。   Next, the obtained insulators 5 after processing are arranged as shown in FIG.

続く第4工程では、図7(a)に示すように、溝9の一方の内壁面であった絶縁体面51に絶縁体上電極7を形成する。ここでは、スパッタリングで、例えば、CrとAuやCrとAlを蒸着させる。これに伴い、溝9の底であった絶縁体面52に付いたレジスト6Aの上ならびに第3工程で絶縁体5の一部を切り離したときに現れた面である絶縁体面53の上にも絶縁体上電極7が形成される。絶縁体面53の上の絶縁体上電極7は、図1など絶縁体上電極7aと称しているものである。   In the subsequent fourth step, as shown in FIG. 7A, the insulator upper electrode 7 is formed on the insulator surface 51 which was one inner wall surface of the groove 9. Here, for example, Cr and Au or Cr and Al are deposited by sputtering. Along with this, insulation is performed on the resist 6A attached to the insulator surface 52 which is the bottom of the groove 9 and also on the insulator surface 53 which is a surface which appears when part of the insulator 5 is cut off in the third step. An on-body electrode 7 is formed. The insulator upper electrode 7 on the insulator surface 53 is referred to as the insulator upper electrode 7a in FIG.

続く第5工程では、図7(b)に示すレジスト6Aを融解して除去することにより、絶縁体面52に付いたレジスト6Aの上に付いた絶縁体上電極7の部分を、図7(b)に示すように除去し、洗浄する。つまり、除去される絶縁体上電極7の部分が支えを失って除去されるのである。これにより、図8に示すような、絶縁体5を処理加工して絶縁体上電極7、7aを設けたものが得られる。   In the subsequent fifth step, by melting and removing the resist 6A shown in FIG. 7B, the portion of the upper insulator electrode 7 attached on the resist 6A attached to the insulator surface 52 is changed to that shown in FIG. Remove and wash as shown in That is, the portion of the upper insulator electrode 7 to be removed loses its support and is removed. As a result, as shown in FIG. 8, the insulator 5 is processed and provided with the insulator upper electrodes 7 and 7a.

第6工程では、まず、例えば、図9(a)に示すように、Auの蒸着源17と、Cuの蒸着源18とを用いたスパッタリングにより、ZnTeまたは閃亜鉛鋼型を有する化合物半導体結晶(GaAs、InP、CdTeなど)またはシレナイト化合物(Bi12GeO20、Bi12SiO20、Bi12TiO20など)を材料とした平板状の電気光学結晶1の表面全体に金属の電極材料を蒸着させる。蒸着されたものがすなわち電気光学結晶上電極3,3aである。 In the sixth step, first, as shown in FIG. 9A, for example, a compound semiconductor crystal having a ZnTe or zinc flash steel type is formed by sputtering using a deposition source 17 of Au and a deposition source 18 of Cu. GaAs, InP, CdTe, etc.) or Shirenaito compound (Bi 12 GeO 20, Bi 12 SiO 20, Bi 12 TiO 20 , etc.) material as the depositing plate-like electro-optic metallic electrode material on the entire surface of the crystal 1. That is, the electrodes 3 and 3a on the electro-optic crystal are deposited.

このとき、電気光学結晶1を回転させることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。また、低温で蒸着することで一層と効果が増す。   At this time, by rotating the electro-optic crystal 1, the stress can be made uniform, thereby preventing warping and cracking. Further, the effect is further increased by vapor deposition at a low temperature.

あるいは、図9(b)に示すように、平板状の電気光学結晶1を電解液19に浸す無電解メッキにより、電気光学結晶1の表面全体に金属の電極材料を付着させる。付着されたものがすなわち電気光学結晶上電極3,3aである。メッキでは、応力が発生しにくいので、反りや割れを発生しにくくできる。   Alternatively, as shown in FIG. 9B, a metal electrode material is attached to the entire surface of the electro-optic crystal 1 by electroless plating in which the flat electro-optic crystal 1 is immersed in an electrolytic solution 19. That is, the electrodes 3 and 3a on the electro-optic crystal are attached. In plating, stress is less likely to occur, so warpage and cracking are less likely to occur.

次に、電気光学結晶1に電気光学結晶上電極3,3aを形成したものを矩形にカットする。これがさらに分割されて、図1に示す電気光学結晶1に電気光学結晶上電極3,3aを形成したもの(電気光学結晶部品1Aという)が得られるのである。   Next, the electro-optic crystal 1 formed with the electro-optic crystal upper electrodes 3 and 3a is cut into a rectangle. This is further divided to obtain the electrooptic crystal 1 shown in FIG. 1 in which the electrooptic crystal upper electrodes 3 and 3a are formed (referred to as an electrooptic crystal component 1A).

ここでは、まず、図10に示すように、その分割前の電気光学結晶部品1Aにおける表裏の一方の面をスクライブ用のヘッドHでスクライブする。ここでは、同図に示すように、一方の100面である端面91に接する複数箇所のそれぞれから端面91に垂直に少しだけスクライブする。スクライブのピッチは電気光学結晶部品1Aの長さと同じなので、それは例えば、7.0mmである。また、端面91に対向する端面(100面)に接する複数の箇所からも同様にスクライブを行う。   Here, as shown in FIG. 10, first, one of the front and back surfaces of the electro-optic crystal component 1A before the division is scribed with a scribing head H. Here, as shown in the figure, scribing is performed slightly vertically from each of a plurality of locations in contact with the end surface 91 which is one of the 100 surfaces. Since the scribe pitch is the same as the length of the electro-optic crystal component 1A, it is, for example, 7.0 mm. In addition, scribing is similarly performed from a plurality of locations in contact with the end face (100 face) facing the end face 91.

次に、表裏のスクライブしていない面から劈開バー22により衝撃を与え、これにより、分割前の電気光学結晶部品1Aをスクライブの位置で劈開する。端面91とこの端面91に対向する端面以外の面は110面なので、この劈開は容易に行える。電気光学結晶部品1Aはさらに分割する必要があり、この状態でもまだ途中である。   Next, an impact is applied by the cleavage bar 22 from the front and back surfaces that are not scribed, whereby the electro-optic crystal component 1A before division is cleaved at the scribe position. Since the surfaces other than the end surface 91 and the end surface opposed to the end surface 91 are 110 surfaces, this cleavage can be easily performed. The electro-optic crystal component 1A needs to be further divided, and even in this state, it is still halfway.

次に、図11に示すように、この状態の電気光学結晶部品1Aの表裏でない端面のうちの互いに対向する端面(ここでは、劈開により現れた端面とこの端面に対向する端面)に反射防止のためのコート(Anti-Reflection Coatといい、以下、略して「ARコート」という)を施す。ARコートを施した端面の一方は、レーザ光の入射面となり、他方はそのレーザ光の出射面となるものである。   Next, as shown in FIG. 11, the anti-reflection is applied to the opposite end faces (here, the end face appearing by cleaving and the end face facing this end face) of the non-front and back end faces of the electro-optic crystal component 1A in this state. A coat (referred to as Anti-Reflection Coat, hereinafter referred to as “AR coat” for short) is applied. One of the end surfaces to which the AR coating is applied is a laser light incident surface, and the other is a laser light emission surface.

次に、図12に示すように、ARコートを施した端面に垂直に電気光学結晶部品1Aをダイシングして分割し、または劈開して分割し、図13に示すような電気光学結晶部品1A、すなわち、電気光学結晶1と電気光学結晶上電極3,3aとを含むものを複数得る。 なお、ARコートは、途中にでなく、このように複数得られたものに施してもよい。   Next, as shown in FIG. 12, the electro-optic crystal component 1A is diced and divided perpendicularly to the end surface to which the AR coating has been applied, or cleaved and divided, and the electro-optic crystal component 1A as shown in FIG. That is, a plurality of materials including the electro-optic crystal 1 and the electro-optic crystal upper electrodes 3 and 3a are obtained. The AR coating may be applied not to the middle but to a plurality of the AR coatings obtained in this way.

続く、第7工程では、図13に示すように、絶縁体面51に形成された絶縁体上電極7に電気光学結晶面1bを対向させる。そして、図1に示すように、導電性材料15を加え、これにより、電極間の導通を図る。また、接着剤16を加え、これを紫外線で凝固させ、電気光学結晶部品1Aを固定する。   In a subsequent seventh step, as shown in FIG. 13, the electro-optic crystal surface 1 b is opposed to the insulator upper electrode 7 formed on the insulator surface 51. And as shown in FIG. 1, the electroconductive material 15 is added and the conduction | electrical_connection between electrodes is aimed at by this. In addition, an adhesive 16 is added and solidified with ultraviolet rays to fix the electro-optic crystal component 1A.

なお、上記の説明では、図1に示すように、絶縁体面54を含む面内に電気光学結晶面1dを含めたが、図14に示すように、絶縁体面54を含む面内に電気光学結晶面1dを含めなくてもよい。また、上記の説明では、図1に示すように、絶縁体面53を含む面内に電気光学結晶面1aを含めたが、絶縁体面53を含む面内に電気光学結晶面1aを含めなくてもよい。つまり、電気光学結晶1は、図1に示すものより大きいものであってもよく、また、小さいものであってもよい。   In the above description, the electro-optic crystal surface 1d is included in the plane including the insulator surface 54 as shown in FIG. 1, but the electro-optic crystal is included in the plane including the insulator surface 54 as shown in FIG. The surface 1d may not be included. In the above description, as shown in FIG. 1, the electro-optic crystal surface 1 a is included in the plane including the insulator surface 53, but the electro-optic crystal surface 1 a may not be included in the plane including the insulator surface 53. Good. That is, the electro-optic crystal 1 may be larger than that shown in FIG. 1 or smaller.

なお、このような電気光学素子の製造方法は、上記の製造方法と同様なので、重複説明および製造過程の図示を省略する。   In addition, since the manufacturing method of such an electro-optic element is the same as that of said manufacturing method, duplication description and illustration of a manufacturing process are abbreviate | omitted.

また、上記の第6工程、第7工程に代えて、絶縁体面51に形成された絶縁体上電極7と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟んでもよい。   In place of the sixth and seventh steps, an electro-optic crystal prepared in advance may be sandwiched between the insulator upper electrode 7 formed on the insulator surface 51 and another electrode prepared in advance.

詳しくは、図15(a)に示すように、絶縁体5に絶縁体上電極7を形成し、絶縁体面53に突出部531を設けたものと、絶縁体30に電極31と溝32を設けたものとを用意する。   Specifically, as shown in FIG. 15A, the insulator 5 is formed with the insulator upper electrode 7, the insulator surface 53 is provided with the protrusion 531, and the insulator 30 is provided with the electrode 31 and the groove 32. Prepare things.

また、図15(b)に示すように、上記の製造方法と同様に製造した電気光学結晶1を用意する。   Further, as shown in FIG. 15B, the electro-optic crystal 1 manufactured in the same manner as the above manufacturing method is prepared.

そして、図15(c)に示すように、絶縁体上電極7と電極31とで電気光学結晶1を挟む。このとき、溝32に突出部531を挿入することで、絶縁体5と絶縁体30とが互いにずれないようし、接着剤16により固定する。   Then, as shown in FIG. 15 (c), the electro-optic crystal 1 is sandwiched between the insulator upper electrode 7 and the electrode 31. At this time, the protrusion 531 is inserted into the groove 32 so that the insulator 5 and the insulator 30 are not displaced from each other and are fixed by the adhesive 16.

次に、この電気光学素子の利用例を図16の模式図を用いて説明する。電界検出光学装置110は、レーザー光と電気光学素子100を用いた電気光学的手法により電界を検出するものであり、レーザダイオード121、フォトダイオード143a、143bおよび電気光学素子100を有する。電気光学素子100の電極30a、30bはそれぞれ、上記の説明における電気光学結晶1を挟む一方の電極、他方の電極であり、信号電極129、グランド電極131にそれぞれ接続されている。また、電気光学素子100の両端には、第一波長板135と第二波長板137が接続されている。電気光学素子100とレーザダイオード121の間には、コリメートレンズ133を有し、電気光学素子100とフォトダイオード143a、143bの間には、偏光ビームスプリッタ139、集光レンズ141a、141bを有する。   Next, an example of use of this electro-optical element will be described with reference to the schematic diagram of FIG. The electric field detection optical device 110 detects an electric field by an electro-optical technique using laser light and the electro-optical element 100, and includes a laser diode 121, photodiodes 143a and 143b, and the electro-optical element 100. The electrodes 30a and 30b of the electro-optical element 100 are one electrode and the other electrode that sandwich the electro-optical crystal 1 in the above description, and are connected to the signal electrode 129 and the ground electrode 131, respectively. A first wave plate 135 and a second wave plate 137 are connected to both ends of the electro-optical element 100. A collimator lens 133 is provided between the electro-optical element 100 and the laser diode 121, and a polarizing beam splitter 139 and condenser lenses 141a and 141b are provided between the electro-optical element 100 and the photodiodes 143a and 143b.

レーザダイオード121から出力されるレーザー光は、コリメートレンズ133、第一波長板135を介して電気光学素子100の電気光学結晶に入射する。入射したレーザー光は、信号電極129からの電界によって変調し、放射される。   Laser light output from the laser diode 121 enters the electro-optic crystal of the electro-optic element 100 via the collimator lens 133 and the first wavelength plate 135. The incident laser light is modulated and emitted by the electric field from the signal electrode 129.

電気光学素子100から放射されたレーザー光は、第二波長板137を介し、偏光ビームスプリッタ139によってP波成分およびS波成分に分離され、集光レンズ141a、141bで集光されてから、フォトダイオード143a、143bにおいて電気信号に変換される。   The laser light emitted from the electro-optical element 100 is separated into a P wave component and an S wave component by the polarization beam splitter 139 via the second wave plate 137, and is condensed by the condensing lenses 141a and 141b. It is converted into an electric signal in the diodes 143a and 143b.

したがって、本実施形態に係る電気光学素子によれば、電気光学結晶1と、電気光学結晶1の表裏の一方の面(1a)に形成された電気光学結晶上電極3と、絶縁体5すなわち角の位置に電気光学結晶1の表裏の他方の面(1b)に対向する第1面(51)ならびに電気光学結晶1の1つの端面(1c)に対向する第2面(52)を有するもの(5)と、第1面(51)に形成された絶縁体上電極7とを有することで、電気光学結晶1としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。   Therefore, according to the electro-optic element according to the present embodiment, the electro-optic crystal 1, the electro-optic crystal upper electrode 3 formed on one surface (1a) of the front and back surfaces of the electro-optic crystal 1, the insulator 5, that is, the corner Having a first surface (51) facing the other surface (1b) of the front and back surfaces of the electro-optic crystal 1 and a second surface (52) facing one end surface (1c) of the electro-optic crystal 1 ( 5) and the on-insulator electrode 7 formed on the first surface (51), the electro-optic crystal 1 requires only as much as the volume of the ridge portion in the conventional electro-optic element. Expensive electro-optic crystals can be used efficiently and cost can be reduced.

また、第2面(51)に隣合う第3面(53)を含む面内に一方の面(1a)が含まれ、第1面(51)に隣合う第4面(54)を含む面内に端面(1c)に対向する端面(1d)が含まれることで、リッジがなくなり、よって、リッジの欠損を防止でき、取り扱いの容易な電気光学素子を提供できる。   In addition, one surface (1a) is included in the surface including the third surface (53) adjacent to the second surface (51), and the surface includes the fourth surface (54) adjacent to the first surface (51). Since the end face (1d) facing the end face (1c) is included therein, the ridge is eliminated, so that the loss of the ridge can be prevented and an electro-optical element that can be easily handled can be provided.

また、第2面(52)に隣合う第3面(53)に形成された絶縁体上電極7aと、この絶縁体上電極7aと電気光学結晶上電極3とに渡された導電性材料15とを有することで、これらの電極間の抵抗を小さくなり、正確な検出が行える。   Further, the insulator upper electrode 7a formed on the third surface (53) adjacent to the second surface (52), and the conductive material 15 delivered to the insulator upper electrode 7a and the electro-optic crystal upper electrode 3 are provided. The resistance between these electrodes is reduced, and accurate detection can be performed.

また、本実施形態に係る電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体5に溝9を形成する工程と、溝9の底にレジスト6Aをコートする工程と、溝9の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体5の一部を切り離す工程と、溝9の一方の内壁面であった面(51)に絶縁体上電極7を形成する工程と、この工程において溝9の底のレジスト6Aの上に付いた絶縁体上電極7をレジスト6Aを除去することにより除去する工程と、電気光学結晶1の表裏の一方の面に電気光学結晶上電極3を形成する工程と、溝9の一方の内壁面であった面(51)に形成された絶縁体上電極7に電気光学結晶1の表裏の他の方の面(1b)を対向させる工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。   In addition, according to the method of manufacturing the electro-optic element according to the present embodiment, the step of forming the groove 9 in the insulator 5, the step of coating the resist 6 </ b> A on the bottom of the groove 9, one inner wall surface of the groove 9, A step of cutting off a part of the insulator 5 so as to leave the bottom, a step of forming the upper electrode 7 on the surface (51) which was one inner wall surface of the groove 9, and the bottom of the groove 9 in this step A step of removing the upper electrode 7 on the resist 6A by removing the resist 6A, a step of forming the upper electrode 3 on the front and back surfaces of the electrooptical crystal 1, and a groove The other surface (1b) of the front and back of the electro-optic crystal 1 is opposed to the insulator upper electrode 7 formed on the surface (51) which is one inner wall surface of the electro-optic crystal 9. As a crystal, only the volume of the ridge portion in the conventional electro-optic element is required. Not, therefore, can use expensive electro-optical crystal efficiently, the cost can be reduced.

また、溝を複数形成してそれを1つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。   In addition, by forming a plurality of grooves and dividing them into units containing one groove, and dividing the electro-optic crystal similarly without cutting out, a large number of electro-optic elements are produced at one time. Can be mass-produced at low cost.

また、電気光学結晶上電極3を設ける工程は、電気光学結晶1を回転させながら電気光学結晶上電極3を蒸着により設ける工程であることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。   Further, the step of providing the electro-optical crystal upper electrode 3 is a step of providing the electro-optical crystal upper electrode 3 by vapor deposition while rotating the electro-optical crystal 1 so that the stress can be made uniform, thereby causing warping and cracking. Can be prevented.

また、他の電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体5に溝9を形成する工程と、溝9の底にレジスト6Aをコートする工程と、溝9の底の幅方向における一方の端部または該端部に至るまでの底の位置で絶縁体5の一部を切り離す工程と、溝9の一方の内壁面であった面(51)に絶縁体上電極7を形成する工程と、この工程において溝9の底のレジスト6Aの上に付いた絶縁体上電極7をレジスト6Aを除去することにより除去する工程と、溝9の一方の内壁面であった面(51)に形成された絶縁体上電極7と予め用意した他の電極31とで予め用意した電気光学結晶1を挟む工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。   In addition, according to another method of manufacturing an electro-optic element, the step of forming the groove 9 in the insulator 5, the step of coating the resist 6A on the bottom of the groove 9, and one end in the width direction of the bottom of the groove 9 A step of cutting off a part of the insulator 5 at the bottom position up to the end portion or the end portion, a step of forming the insulator upper electrode 7 on the surface (51) which was one inner wall surface of the groove 9, In this process, the upper insulator electrode 7 attached on the resist 6A at the bottom of the groove 9 is removed by removing the resist 6A, and the surface (51) which is one inner wall surface of the groove 9 is formed. In addition, the electro-optic crystal includes a step of sandwiching the electro-optic crystal 1 prepared in advance between the electrode 7 on the insulator and another electrode 31 prepared in advance. As the electro-optic crystal, the volume of the ridge portion in the conventional electro-optic element is about Only expensive, thus making expensive electro-optic crystals efficient Can be used, it is possible to reduce the cost.

また、溝を複数形成してそれを1つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。   In addition, by forming a plurality of grooves and dividing them into units containing one groove, and dividing the electro-optic crystal similarly without cutting out, a large number of electro-optic elements are produced at one time. Can be mass-produced at low cost.

本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。1 is a perspective view of an electro-optic element according to an embodiment of the present invention. 電気光学素子で使用される絶縁体の斜視図である。It is a perspective view of the insulator used with an electro-optical element. 絶縁体の加工処理の過程の一部での1部分の変化の様子を示す正面図である。It is a front view which shows the mode of the change of 1 part in a part of process of the process of an insulator. 絶縁体の加工処理の残りの過程での1部分の変化の様子を示す正面図である。It is a front view which shows the mode of change of 1 part in the remaining processes of the process of an insulator. 分割により処理加工途中の絶縁体を複数得るときの様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode when obtaining two or more insulators in the middle of processing by division. 複数の絶縁体を継続して処理加工するときの様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode when a several insulator is processed continuously. 継続して処理加工される1つの絶縁体の変化の様子を示す正面図である。It is a front view which shows the mode of the change of one insulator processed and processed continuously. 処理加工を終えた絶縁体の斜視図である。It is a perspective view of the insulator which finished processing. 電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the electrode on an electro-optic crystal is formed in an electro-optic crystal. 分割前の電気光学結晶部品が分割される様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the electro-optic crystal component before a division | segmentation is divided | segmented. 電気光学結晶部品にARコートを施す様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that AR coating is given to an electro-optic crystal component. ダイシングされた電気光学結晶部品の斜視図である。It is a perspective view of the electro-optic crystal component diced. 絶縁体に電気光学結晶部品を組み合わせる様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that an electro-optic crystal component is combined with an insulator. 変形例に係る電気光学素子の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of an electro-optical element according to a modification. 他の変形例に係る電気光学素子の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of an electro-optical element according to another modification. 電気光学素子の利用例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the usage example of an electro-optical element. 従来の電気光学素子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conventional electro-optical element.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学結晶
1A…電気光学結晶部品
1a、1b、1c、1d…電気光学結晶面
3、30…絶縁体
3,3a…電気光学結晶上電極
5…絶縁体
6…レジスト
6A…レジスト
7、7a…絶縁体上電極
9、32…溝
15…導電性材料
16…接着剤
17、18…蒸着源
19…電解液
20…リッジ
21…レーザ光
22…劈開バー
30…絶縁体
30a、30b、31…電極
51…絶縁体5の第1面(絶縁体面)
52…絶縁体5の第2面(絶縁体面)
53…絶縁体5の第3面(絶縁体面)
54…絶縁体5の第4面(絶縁体面)
91…電気光学結晶の100面
100…電気光学素子
110…電界検出光学装置
121…レーザダイオード
129…信号電極
131…グランド電極
133…コリメートレンズ
135…第一波長板
137…第二波長板
139…偏光ビームスプリッタ
141a…集光レンズ
143a…フォトダイオード
531…突出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optic crystal 1A ... Electro-optic crystal components 1a, 1b, 1c, 1d ... Electro-optic crystal surface 3, 30 ... Insulator 3, 3a ... Electro-optic crystal upper electrode 5 ... Insulator 6 ... Resist 6A ... Resist 7, 7a ... Electrode on insulator 9, 32 ... Groove 15 ... Conductive material 16 ... Adhesive 17, 18 ... Vapor deposition source 19 ... Electrolytic solution 20 ... Ridge 21 ... Laser light 22 ... Cleave bar 30 ... Insulator 30a, 30b, 31 ... Electrode 51 ... First surface (insulator surface) of insulator 5
52 ... 2nd surface (insulator surface) of the insulator 5
53. Third surface of insulator 5 (insulator surface)
54 ... 4th surface (insulator surface) of the insulator 5
DESCRIPTION OF SYMBOLS 91 ... 100 surface of electro-optic crystal 100 ... electro-optic element 110 ... electric field detection optical apparatus 121 ... laser diode 129 ... signal electrode 131 ... ground electrode 133 ... collimating lens 135 ... first wavelength plate 137 ... second wavelength plate 139 ... polarization Beam splitter 141a ... Condensing lens 143a ... Photodiode 531 ... Projection

Claims (6)

電気光学結晶と、
前記電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに形成された電気光学結晶上電極と、
絶縁体であって、前記絶縁体の角の位置に、前記電気光学結晶の表裏の他方の面に対向する第1面ならびに前記電気光学結晶の1つの端面に対向する第2面を有するものと、
前記第1面に形成された絶縁体上電極と
を有することを特徴とする電気光学素子。
An electro-optic crystal;
An electrode on the electro-optic crystal formed on one surface of the front and back surfaces of the electro-optic crystal, or the one surface and the other surface;
An insulator having a first surface opposed to the other surface of the electro-optic crystal and a second surface opposed to one end surface of the electro-optic crystal at a corner of the insulator; ,
An electro-optic element comprising: an insulator upper electrode formed on the first surface.
前記第2面に隣合う第3面を含む面内に前記一方の面が含まれ、
前記第1面に隣合う第4面を含む面内に前記端面に対向する端面が含まれる
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学素子。
The one surface is included in a surface including a third surface adjacent to the second surface;
The electro-optic element according to claim 1, wherein an end surface facing the end surface is included in a plane including a fourth surface adjacent to the first surface.
前記第2面に隣合う第3面に形成された絶縁体上電極と、
この絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極とに渡された導電性材料と
を有することを特徴とする請求項1または2記載の電気光学素子。
An on-insulator electrode formed on a third surface adjacent to the second surface;
The electro-optic element according to claim 1, further comprising: an electrically conductive material passed to the insulator upper electrode and the electro-optic crystal upper electrode.
絶縁体に溝を形成する工程と、
前記溝の底にレジストを加える工程と、
前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、
この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、
電気光学結晶の表裏の一方の面、又は該一方の面と他方の面とに電気光学結晶上電極を形成する工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極に前記電気光学結晶の表裏の他の方の面を対向させる工程と
を有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
Forming a groove in the insulator;
Adding a resist to the bottom of the groove;
Separating a part of the insulator so as to leave one inner wall surface and the bottom of the groove;
Forming an electrode on insulator on a surface that was one inner wall surface of the groove;
Removing the on-insulator electrode attached on the resist in this step by removing the resist;
Forming an electrode on the electro-optic crystal on one surface of the front and back surfaces of the electro-optic crystal, or on the one surface and the other surface;
And a step of making the other surface of the electro-optic crystal face the other electrode on the insulator formed on the surface which was one inner wall surface of the groove. .
前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程であることを特徴とする請求項4記載の電気光学素子の製造方法。   5. The method for manufacturing an electro-optic element according to claim 4, wherein the step of providing the electrode on the electro-optic crystal is a step of providing the electrode on the electro-optic crystal by vapor deposition while rotating the electro-optic crystal. 絶縁体に溝を形成する工程と、
前記溝の底の箇所にレジストを加える工程と、
前記溝の底の幅方向における一方の端部で前記絶縁体の一部を切り離す工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、
この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟む工程と
を有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
Forming a groove in the insulator;
Adding a resist to the bottom of the groove;
Separating a part of the insulator at one end in the width direction of the bottom of the groove;
Forming an electrode on insulator on a surface that was one inner wall surface of the groove;
Removing the on-insulator electrode attached on the resist in this step by removing the resist;
And a step of sandwiching an electro-optic crystal prepared in advance between the upper electrode formed on the surface which was one inner wall surface of the groove and another electrode prepared in advance. Method.
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