JP2009043657A - X-ray generator, and its method - Google Patents
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Description
本発明は、X線発生装置に関し、特に遷移放射によるX線を発生させるX線発生装置及びその方法に関する。 The present invention relates to an X-ray generator, and more particularly to an X-ray generator and a method for generating X-rays by transition radiation.
X線を発生する方法に関しては、種々の方法が知られている。その一つに、高エネルギーの電子が誘電率の異なる物質の境界を通過するときに発生する遷移放射を用いたX線発生装置が知られている。例えば、下記特許文献1、3には、遷移放射を用いて、高い指向性の可変エネルギーのX線を出力可能なX線発生装置が開示されている。特許文献1、3には、図7に示したように、高エネルギーの電子ビームが、薄膜を多層に配列または異種材料薄膜を交互に積層したターゲットを通過するときに、電子ビームの進行方向に円錐状にX線が放射されることが開示されている。
Various methods are known for generating X-rays. For example, an X-ray generator using transition radiation generated when high-energy electrons pass through a boundary between substances having different dielectric constants is known. For example,
また、下記特許文献2には、遷移放射の発生効率が高い物資からなる薄膜(厚さ0.1〜10μm)と、X線の透過率が高い物質からなる薄膜とを交互に積層した構造のターゲットを開示している。この引用文献2には、従来技術として、複数の遷移放射の発生効率が高い物質を、ドーナツ状のスペーサ13を間に挟んで配置した構造のターゲットも開示されている。
しかし、上記の特許文献1〜3では、多層ターゲットの層に沿った表面に対してほぼ垂直に電子ビームを入射するので、遷移放射が発生する領域が狭く、用途によっては十分な強度のX線を得ることができない問題がある。即ち、図8に示したように、ターゲットTの極狭い領域(斜線で示した領域A)からのみX線が発生するに過ぎない。
However, in the
従って、本発明の目的は、従来よりも高強度のX線を発生することができるX線発生装置及びその方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an X-ray generation apparatus and method that can generate X-rays with higher intensity than before.
本発明の目的は、以下の手段によって達成される。 The object of the present invention is achieved by the following means.
即ち、本発明に係る第1のX線発生方法は、加速装置を用いて電子を加速して電子ビームを形成する第1ステップと、平板状のターゲットの表面から10nm以上100nm以下の距離で、前記ターゲットの表面に平行に、前記電子ビームを通過させる第2ステップとを含み、前記ターゲットの前記表面側の少なくとも表層部が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることを特徴としている。 That is, the first X-ray generation method according to the present invention includes a first step of accelerating electrons using an acceleration device to form an electron beam, and a distance of 10 nm to 100 nm from the surface of the flat target, A second step of allowing the electron beam to pass in parallel to the surface of the target, and at least a surface layer portion on the surface side of the target is easily polarized by interaction with the electron beam to generate transition radiation It is characterized by being formed by.
本発明に係る第2のX線発生方法は、加速装置を用いて電子を加速して電子ビームを形成する第1ステップと、平板状のターゲットの表面に対して3°以下の角度を成すように、前記ターゲットの表面に前記電子ビームを照射する第2ステップとを含み、前記ターゲットの前記表面側の少なくとも表層部が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることを特徴としている。 In the second X-ray generation method according to the present invention, an angle of 3 ° or less is formed with respect to the first step of accelerating electrons using an acceleration device to form an electron beam and the surface of the flat target. And a second step of irradiating the surface of the target with the electron beam, and at least a surface layer portion on the surface side of the target is a substance that easily generates transition radiation by being polarized by the interaction with the electron beam. It is characterized by being formed.
上記の第1または第2のX線発生方法において、前記ターゲットが、相互に所定の間隔で離隔されて配置された複数の薄膜を備え、前記薄膜が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることができる。 In the first or second X-ray generation method, the target includes a plurality of thin films arranged at a predetermined interval from each other, and the thin film is polarized by interaction with an electron beam. It can be made of a material that easily generates transition radiation.
また、上記の第1または第2のX線発生方法において、前記ターゲットが表面に回折格子構造を有し、前記第1ステップにおいて、前記回折格子構造を有する表面の近傍を前記電子ビームを通過させる、または前記回折格子構造を有する表面に前記電子ビームを照射することができる。 In the first or second X-ray generation method, the target has a diffraction grating structure on a surface, and in the first step, the electron beam is allowed to pass through the vicinity of the surface having the diffraction grating structure. Alternatively, the surface having the diffraction grating structure can be irradiated with the electron beam.
本発明に係る第3のX線発生方法は、加速装置を用いて電子を加速して電子ビームを形成する第1ステップと、平板状のターゲットの表面に、垂直に前記電子ビームを照射する第2ステップとを含み、前記ターゲットが、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成され、厚さ方向に貫通する、直径がナノオーダの複数の孔を有することを特徴としている。 A third X-ray generation method according to the present invention includes a first step of accelerating electrons using an acceleration device to form an electron beam, and a first step of irradiating the surface of a flat target vertically with the electron beam. The target is formed of a material that is easily polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation, and has a plurality of holes having a diameter of nano-order and penetrating in a thickness direction. It is said.
上記の第1〜第3のX線発生方法の何れかにおいて、遷移放射を発生し易い前記物質は、炭素、ダイヤモンド、酸化ベリリウムおよび酸化アルミニウムからなる群の中なら選択される1つの物質で形成されていることができる。 In any one of the first to third X-ray generation methods, the substance that easily generates transition radiation is formed of one substance selected from the group consisting of carbon, diamond, beryllium oxide, and aluminum oxide. Can be.
本発明に係る第1のX線発生装置は、電子を加速して所定の軌道を繰り返し周回させて電子ビームを生成する加速装置と、平板状のターゲットとを備え、前記ターゲットの表面から10nm以上100nm以下の距離で、前記ターゲットの表面に平行に、前記電子ビームを通過させ、前記ターゲットの前記表面側の表層部の一部の線状領域を、電子ビームとの相互作用により分極させて、遷移放射を発生させることを特徴としている。 A first X-ray generator according to the present invention includes an accelerator that accelerates electrons and repeatedly circulates a predetermined trajectory to generate an electron beam, and a flat target, and is 10 nm or more from the surface of the target. Passing the electron beam parallel to the surface of the target at a distance of 100 nm or less, and polarizing part of the linear region of the surface layer portion on the surface side of the target by interaction with the electron beam; It is characterized by generating transition radiation.
本発明に係る第2のX線発生装置は、電子を加速して所定の軌道を繰り返し周回させて電子ビームを生成する加速装置と、平板状のターゲットとを備え、前記ターゲットの表面に対して3°以下の角度を成すように、前記ターゲットの表面に前記電子ビームを照射させ、前記ターゲットの前記表面側の表層部の一部の線状領域を、電子ビームとの相互作用により分極させて、遷移放射を発生させることを特徴としている。 A second X-ray generator according to the present invention includes an acceleration device that generates electrons by accelerating electrons and repeatedly orbiting a predetermined trajectory, and a flat target, and the surface of the target is The surface of the target is irradiated with the electron beam so as to form an angle of 3 ° or less, and a part of the linear region of the surface layer portion on the surface side of the target is polarized by interaction with the electron beam. It is characterized by generating transition radiation.
本発明によれば、電子ビームを、ターゲット表面の近傍を平行に通過、または比較的小さい入射角でターゲット表面に入射させるので、遷移放射が発生する領域が従来よりも広くなり、従来よりも高強度のX線を発生させることができる。 According to the present invention, since the electron beam passes in the vicinity of the target surface in parallel or is incident on the target surface at a relatively small incident angle, the region where the transition radiation is generated becomes wider than before, and is higher than before. Intense X-rays can be generated.
また、積層構造のターゲットを用いて、電子ビームを、積層構造に略平行に照射することによって、さらに高強度のX線を発生させることができる。 Further, by using a target having a laminated structure and irradiating an electron beam substantially parallel to the laminated structure, X-rays with higher intensity can be generated.
また、ポーラスターゲットを用いて、その表面に略垂直に、電子ビームを照射することによって、さらに高強度のX線を発生させることができる。 Further, by using a porous target and irradiating an electron beam substantially perpendicularly to the surface thereof, it is possible to generate higher-intensity X-rays.
また、ターゲットの表面に回折格子構造を形成することによって、従来よりも高強度の単色X線を発生することができ、回折格子構造の周期を調整すれば、単色のEUV光を発生させることも可能である。 Also, by forming a diffraction grating structure on the surface of the target, it is possible to generate monochromatic X-rays with higher intensity than before, and by adjusting the period of the diffraction grating structure, it is possible to generate monochromatic EUV light. Is possible.
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態に関して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の実施の形態に係るX線発生装置のターゲット付近の概略構成を示す平面図である。本X線発生装置では、電子を加速して所定の軌道に沿って繰り返し周回させて電子ビームeを形成するシンクロトロンなどの加速装置(図示せず)と、電子ビームeが照射されるターゲットTと、ターゲットTを所定の位置に配置する支持手段(図示せず)とを備えて構成されている。本X線発生装置では、ターゲットTが電子ビームeの軌道の近傍に配置される。これによって、ターゲットTの表面のうち、電子ビームeが近傍を通過する部分で遷移放射が発生し、所定の方向にX線が放出される。 FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration in the vicinity of a target of an X-ray generator according to an embodiment of the present invention. In the present X-ray generator, an acceleration device (not shown) such as a synchrotron for accelerating and revolving around electrons along a predetermined trajectory to form an electron beam e, and a target T irradiated with the electron beam e And support means (not shown) for arranging the target T at a predetermined position. In this X-ray generator, the target T is disposed in the vicinity of the trajectory of the electron beam e. As a result, transition radiation is generated at a portion of the surface of the target T where the electron beam e passes in the vicinity, and X-rays are emitted in a predetermined direction.
図2は、図1のターゲットTを拡大して示す断面図である。なお、図2は概念図であり、縦横方向の比率は同じではなく、各方向において線形の比率で描画されているわけでもない(図3以降に関しても同様)。ターゲットTは、遷移放射が発生し易い物質、例えば、ゲルマニューム、ガリューム、シリコン、炭素、ダイヤモンド、ベリリウム、アルミニウム(アルミナ)などの、誘電率が比較的大きい誘電分極を生じ得る物質を用いて、所定の厚さの平板状に形成されている。ターゲットTの表面に沿って、その表面近傍、例えば、表面からの距離d1が10〜100nm(ナノメートル)である範囲を、電子ビームeを通過させる。このとき、ターゲットTの表層部(図2において、破線よりも上側の、表面から極薄い厚さの領域)において、電子ビームeが生成する電場による分極が発生し、X線が放射(遷移放射)される。従って、遷移放射によるX線を、ターゲット表面の、電子ビームeに沿った線状領域から発生させるので、従来のようにターゲット表面に垂直に電子ビームを照射する場合よりも強い強度の(光子数が多い)X線を生成することができる。 FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the target T of FIG. Note that FIG. 2 is a conceptual diagram, and the ratios in the vertical and horizontal directions are not the same, and are not drawn in a linear ratio in each direction (the same applies to FIG. 3 and subsequent figures). The target T is made of a material that easily generates transition radiation, for example, a material that can generate dielectric polarization having a relatively high dielectric constant, such as germanium, gallium, silicon, carbon, diamond, beryllium, and aluminum (alumina). It is formed in a flat plate shape with a thickness of. The electron beam e is allowed to pass along the surface of the target T in the vicinity of the surface, for example, a range where the distance d1 from the surface is 10 to 100 nm (nanometers). At this time, polarization due to the electric field generated by the electron beam e is generated in the surface layer portion of the target T (in FIG. 2, the region above the broken line and having a very thin thickness from the surface), and X-rays are emitted (transition radiation). ) Therefore, since X-rays by transition radiation are generated from a linear region along the electron beam e on the target surface, the intensity (photon number) is higher than that in the conventional case where the electron beam is irradiated perpendicularly to the target surface. X-rays can be generated.
また、図3は、図2と同じターゲットTを、電子ビームeがターゲットTの表面に対して所定の角度θを成して入射するように配置した断面図である。ここで、角度θは、0<θ<3(°)の範囲である。この場合にも、図2の場合と同様に、ターゲット表面のうち、電子ビームeが近接する部分から、遷移放射によるX線が発生する。入射角度θが十分に小さいので、電子ビームeとターゲット表面との距離が、遷移放射が生じる距離、即ち10〜100nmであるターゲット表面の線状領域(図3において斜線で示した領域)から、X線が発生するので、従来よりも強い強度のX線を生成することができる。 3 is a cross-sectional view in which the same target T as in FIG. 2 is arranged so that the electron beam e is incident on the surface of the target T at a predetermined angle θ. Here, the angle θ is in a range of 0 <θ <3 (°). Also in this case, as in the case of FIG. 2, X-rays due to transition radiation are generated from the portion of the target surface where the electron beam e is close. Since the incident angle θ is sufficiently small, the distance between the electron beam e and the target surface is such that the transition radiation is generated, that is, a linear region of the target surface that is 10 to 100 nm (the region indicated by hatching in FIG. 3), Since X-rays are generated, it is possible to generate X-rays with a stronger intensity than before.
なお、遷移放射は、ターゲットTの表層部で発生するので、ターゲットT全体が遷移放射を発生し易い物質で形成されている必要はない。例えば、厚さが1μm以下の薄いメンブレンの表面に、3nm以下の厚さで遷移放射を発生し易い物質の層(以下、遷移放射物質層とも記す)を形成してもよい。 Since transition radiation is generated in the surface layer portion of the target T, the entire target T does not have to be formed of a substance that easily generates transition radiation. For example, a layer of a material that easily generates transition radiation (hereinafter also referred to as a transition radiation material layer) having a thickness of 3 nm or less may be formed on the surface of a thin membrane having a thickness of 1 μm or less.
また、図4に示したように、遷移放射を発生し易い薄膜物質を複数平行に配置してターゲットT1を形成してもよい。図4の(a)は電子ビームに沿った断面図であり、(b)は(a)に垂直な断面図である。図4では、3層の遷移放射物質層Uが、両端部に形成されたスペーサSを間に挟んで、メンブレンBの上に形成されている。スペーサSによって、3層の遷移放射物質層Uの各々が、所定の間隔を空けて平行に配置されている。これが、電子の加速装置(例えばシンクロトロン)の中に配置された場合、3層の遷移放射物質層Uの間の2つの中間層Vは、真空層になる。ここで、遷移放射物質層Uは、上記と同様に、例えば、ゲルマニューム、ガリューム、シリコン、炭素、ダイヤモンド、ベリリウム、アルミニウム(アルミナ)などの、誘電率が比較的大きい誘電分極を生じ得る物質である。 Further, as shown in FIG. 4, the target T1 may be formed by arranging a plurality of thin film substances that are likely to generate transition radiation in parallel. 4A is a cross-sectional view taken along the electron beam, and FIG. 4B is a cross-sectional view perpendicular to FIG. In FIG. 4, three transitional radiation material layers U are formed on the membrane B with spacers S formed at both ends interposed therebetween. With the spacer S, each of the three transitional radiation material layers U is arranged in parallel at a predetermined interval. If this is arranged in an electron accelerator (for example a synchrotron), the two intermediate layers V between the three transition emitter layers U become vacuum layers. Here, the transitional radiation material layer U is a material that can cause dielectric polarization having a relatively large dielectric constant, such as germanium, gallium, silicon, carbon, diamond, beryllium, and aluminum (alumina), as described above. .
所定の広がりを有する電子ビームeが、遷移放射物質層Uに平行に入射すると、複数の遷移放射物質層Uの表面から、遷移放射によるX線が発生する。従って、図2、図3に示した場合よりも、より強い強度のX線を生成することができる。なお、中間層Vを真空層にする代わりに、遷移放射物質層Uと誘電率の差が大きい物質で形成してもよい。例えば、遷移放射物質層Uとして炭素を使用する場合、中間層Vには、鉛(Pb)、金(Au)、白金(Pt)、マグネシウム(Mg)、ガリウム(Ga)などを用いることができる。さらに、遷移放射によって発生する光のエネルギーを考慮して、遷移放射物質層Uおよび中間層Vを選定することが望ましい。例えば、光のエネルギーが100eVの遷移放射を想定し、遷移放射物質層Uとして炭素を使用する場合、中間層Vとしては、鉛(Pb)、マグネシウム(Mg)、ガリウム(Ga)よりも金(Au)、白金(Pt)が適している。 When an electron beam e having a predetermined spread is incident on the transition radiation material layer U in parallel, X-rays due to transition radiation are generated from the surfaces of the plurality of transition radiation material layers U. Accordingly, it is possible to generate X-rays with a stronger intensity than those shown in FIGS. Instead of forming the intermediate layer V as a vacuum layer, the intermediate layer V may be formed of a material having a large difference in dielectric constant from the transition radiation material layer U. For example, when carbon is used as the transition radiation material layer U, the intermediate layer V can be made of lead (Pb), gold (Au), platinum (Pt), magnesium (Mg), gallium (Ga), or the like. . Furthermore, it is desirable to select the transition radiation material layer U and the intermediate layer V in consideration of the energy of light generated by the transition radiation. For example, assuming transition radiation with a light energy of 100 eV and using carbon as the transition radiation material layer U, the intermediate layer V is more gold than lead (Pb), magnesium (Mg), and gallium (Ga). Au) and platinum (Pt) are suitable.
また、図5は、表面に略垂直な方向に貫通する多数の孔を有する平板状のターゲット(以下、ポーラスターゲットと記す)T2を示す図面であり、(a)は正面図、(b)は断面図である。図5の(a)の右下部分には、ポーラス部分の一部を拡大して示す。ポーラスターゲットT2は、直径がnmオーダーの大きさの貫通孔を有する、遷移放射を発生し易い物質で形成されている。ポーラス構造は、例えば、Alを酸性電解液中で陽極酸化することによって形成することができる。電子ビームが、ポーラスターゲットT2の表面に略垂直に、ポーラス部分に照射されると、図4と同様に、遷移放射によるX線が発生する。 FIG. 5 is a drawing showing a flat target (hereinafter referred to as a porous target) T2 having a large number of holes penetrating in a direction substantially perpendicular to the surface, where (a) is a front view and (b) is a front view. It is sectional drawing. In the lower right portion of FIG. 5A, a part of the porous portion is shown in an enlarged manner. The porous target T2 is formed of a substance that has a through-hole having a diameter of the order of nm and is likely to generate transition radiation. The porous structure can be formed by, for example, anodizing Al in an acidic electrolytic solution. When the electron beam is irradiated onto the porous portion substantially perpendicularly to the surface of the porous target T2, X-rays due to transition radiation are generated as in FIG.
以上では、発生するX線は連続スペクトルであるが、図6に示すように、ターゲットの表面に回折格子構造を形成することによって単色X線を発生することができる。図6では、ターゲットT3の表面に、一定の周期で平行な凹凸形状を形成している。電子ビームeを、ターゲットT3の凹凸形状が形成された表面近傍(10〜100nmの距離)を通過させると、凸部の表層部(図6において、破線よりも上側の、表面から極薄い厚さの領域)が分極し、遷移放射によるX線が発生する。このとき、隣接する凸部の間隔がλであれば、波長λの単色X線を発生することができる。例えば、λ=13.5(nm)であれば、波長が13.5nmの単色のEUV光を発生することができる。なお、図6において、図3と同様に、電子ビームeを、回折格子構造が形成された表面に、角度θ(0<θ<3(°))を成すように照射してもよい。 In the above, although the generated X-ray is a continuous spectrum, as shown in FIG. 6, a monochromatic X-ray can be generated by forming a diffraction grating structure on the surface of the target. In FIG. 6, parallel uneven shapes are formed on the surface of the target T3 at a constant period. When the electron beam e is allowed to pass through the vicinity of the surface of the target T3 where the concavo-convex shape is formed (distance of 10 to 100 nm), the surface layer portion of the convex portion (in FIG. 6, the thickness that is extremely thin from the surface above the broken line) Region) is polarized, and X-rays are generated by transition radiation. At this time, if the interval between adjacent convex portions is λ, a monochromatic X-ray having a wavelength λ can be generated. For example, if λ = 13.5 (nm), monochromatic EUV light having a wavelength of 13.5 nm can be generated. In FIG. 6, similarly to FIG. 3, the electron beam e may be applied to the surface on which the diffraction grating structure is formed so as to form an angle θ (0 <θ <3 (°)).
以上、実施の形態を用いて本発明を説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されず、種々の変更を加えて実施することができ、それらも本発明の技術的範囲に含まれる。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, this invention is not limited to above-described embodiment, It can add and implement various changes, These are also contained in the technical scope of this invention. It is.
T、T1、T2、T3 ターゲット
U 遷移放射物質層
V 中間層
X X線
e 電子ビーム
T, T1, T2, T3 Target U Transition radiation layer V Intermediate layer X X-ray e Electron beam
Claims (8)
平板状のターゲットの表面から10nm以上100nm以下の距離で、前記ターゲットの表面に平行に、前記電子ビームを通過させる第2ステップとを含み、
前記ターゲットの前記表面側の少なくとも表層部が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることを特徴とするX線発生方法。 A first step of accelerating electrons using an accelerator to form an electron beam;
A second step of allowing the electron beam to pass in parallel to the surface of the target at a distance of 10 nm to 100 nm from the surface of the flat target,
An X-ray generation method, wherein at least a surface layer portion on the surface side of the target is formed of a substance that is easily polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation.
平板状のターゲットの表面に対して3°以下の角度を成すように、前記ターゲットの表面に前記電子ビームを照射する第2ステップとを含み、
前記ターゲットの前記表面側の少なくとも表層部が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることを特徴とするX線発生方法。 A first step of accelerating electrons using an accelerator to form an electron beam;
And a second step of irradiating the surface of the target with the electron beam so as to form an angle of 3 ° or less with respect to the surface of the flat target.
An X-ray generation method, wherein at least a surface layer portion on the surface side of the target is formed of a substance that is easily polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation.
前記薄膜が、電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のX線発生方法。 The target includes a plurality of thin films disposed at a predetermined interval from each other,
The X-ray generation method according to claim 1, wherein the thin film is formed of a material that is easily polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation.
前記第1ステップにおいて、前記回折格子構造を有する表面の近傍を前記電子ビームを通過させる、または前記回折格子構造を有する表面に前記電子ビームを照射することを特徴とする請求項1または2に記載のX線発生方法。 The target has a diffraction grating structure on its surface;
The said 1st step WHEREIN: The said electron beam is allowed to pass through the vicinity of the surface which has the said diffraction grating structure, or the said electron beam is irradiated to the surface which has the said diffraction grating structure. X-ray generation method.
平板状のターゲットの表面に、垂直に前記電子ビームを照射する第2ステップとを含み、
前記ターゲットが、
電子ビームとの相互作用により分極して遷移放射を発生し易い物質で形成され、
厚さ方向に貫通する、直径がナノオーダの複数の孔を有することを特徴とするX線発生方法。 A first step of accelerating electrons using an accelerator to form an electron beam;
A second step of irradiating the surface of the flat target with the electron beam perpendicularly,
The target is
It is made of a material that is easily polarized by interaction with the electron beam to generate transition radiation.
An X-ray generation method comprising a plurality of holes having a diameter of nano-order, penetrating in a thickness direction.
平板状のターゲットとを備え、
前記ターゲットの表面から10nm以上100nm以下の距離で、前記ターゲットの表面に平行に、前記電子ビームを通過させ、
前記ターゲットの前記表面側の表層部の一部の線状領域を、電子ビームとの相互作用により分極させて、遷移放射を発生させることを特徴とするX線発生装置。 An acceleration device for accelerating electrons and repeatedly orbiting a predetermined orbit to generate an electron beam;
With a flat target,
Passing the electron beam parallel to the surface of the target at a distance of 10 nm to 100 nm from the surface of the target;
An X-ray generator, wherein a part of a linear region of a surface layer portion on the surface side of the target is polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation.
平板状のターゲットとを備え、
前記ターゲットの表面に対して3°以下の角度を成すように、前記ターゲットの表面に前記電子ビームを照射させ、
前記ターゲットの前記表面側の表層部の一部の線状領域を、電子ビームとの相互作用により分極させて、遷移放射を発生させることを特徴とするX線発生装置。 An acceleration device for accelerating electrons and repeatedly orbiting a predetermined orbit to generate an electron beam;
With a flat target,
Irradiating the surface of the target with the electron beam so as to form an angle of 3 ° or less with respect to the surface of the target;
An X-ray generator, wherein a part of a linear region of a surface layer portion on the surface side of the target is polarized by interaction with an electron beam to generate transition radiation.
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