JP2009038610A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】観察用光束を受光する撮像素子の欠陥画素を適切に検出することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、撮影光学系からの光束であって主反射面で反射された光束である観察用光束をファインダ窓へと導くファインダ光学系と、観察用光束を受光して画像信号を生成する撮像素子と、撮像素子の近傍に設けられる測光センサと、撮像素子の露光画像を用いた撮像素子の欠陥画素の検出動作を制御する制御手段とを備える。制御手段は、測光センサによる測光値Vが所定のレベルLV1よりも小さいと判定される場合に、欠陥画素の検出動作(ステップSP3)を実行する。
【選択図】図8

Description

本発明は、デジタルカメラなどの撮像装置に関する。
一眼レフレックスタイプのカメラ(一眼レフカメラとも称する)において、ライブビュー機能(被写体に関する時系列の画像を順次に液晶表示部等に表示する機能、換言すれば被写体の画像を動画的態様で液晶表示部等に表示する機能)を搭載する技術が存在する。
例えば、特許文献1のカメラにおいては、撮像用(静止画像記録用)の撮像素子とは別個のライブビュー用の撮像素子がファインダー光学系の近傍に設けられている。また、接眼レンズ付近のファインダー光路中に当該光路に対して進退可能な可動反射ミラーが設けられている。そして、この反射ミラーがファインダー光路に対して進退することによって、被写体からの観察用光束が接眼レンズへ向かう状況と、被写体からの観察用光束がライブビュー用の撮像素子へ到達する状況とが選択的に切り換えられる。当該カメラにおいては、ライブビュー用の撮像素子へと導かれた光像を用いてライブビュー機能が実現される。
特開2001−133846号公報
ところで、静止画像記録用の撮像素子と同様に、観察用光束を受光する撮像素子(上述のようなライブビュー用の撮像素子等)においても、宇宙線等の影響による後天的な欠陥画素が発生し得る。このような欠陥画素は、ライブビュー画像等の劣化を引き起こすため望ましくない。
しかしながら、観察用光束を受光する撮像素子の欠陥画素対策に関しては未だ十分には考慮されていない。
そこで、この発明は、観察用光束を受光する撮像素子の欠陥画素を適切に検出することが可能な撮像装置を提供することを課題とする。
本発明の第1の側面は、撮像装置であって、撮影光学系からの光束であって主反射面で反射された光束である観察用光束をファインダ窓へと導くファインダ光学系と、前記観察用光束を受光して画像信号を生成する撮像素子と、前記撮像素子の近傍に設けられる測光センサと、前記撮像素子の露光画像を用いた前記撮像素子の欠陥画素の検出動作を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記測光センサによる測光値が所定のレベルよりも小さいと判定される場合に、前記欠陥画素の検出動作を実行する、撮像装置である。
本発明の第2の側面は、撮像装置であって、撮影光学系からの光束であって主反射面で反射された光束である観察用光束をファインダ窓へと導くファインダ光学系と、前記観察用光束を受光して画像信号を生成する撮像素子と、前記撮像素子の近傍に設けられる測光センサと、前記撮像素子の露光画像を用いた前記撮像素子の欠陥画素の検出動作を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記測光センサによる測光値が第1のレベルよりも小さいと判定される場合には、前記欠陥画素の検出動作を実行し、前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも大きく、且つ、前記第1のレベルよりも大きな第2のレベルよりは小さいと判定される場合にも、前記欠陥画素の検出動作を実行し、前記測光センサによる測光値が前記第2のレベルよりも大きいと判定される場合には、前記欠陥画素の検出動作を実行せず、前記測光センサによる測光値が前記第1のレベルよりも小さいと判定される場合には、前記露光画像内の画素のうち、第1の閾値より大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出し、前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも大きく、且つ、前記第2のレベルよりは小さいと判定される場合には、前記露光画像内の画素のうち、前記第1の閾値より大きな第2の閾値よりもさらに大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出する、撮像装置である。
本発明によれば、観察用光束を受光する撮像素子の欠陥画素を適切に検出することが可能である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
<1.第1実施形態>
<1−1.構成概要>
図1および図2は、本発明の第1実施形態に係る撮像装置1の外観構成を示す図である。ここで、図1は、撮像装置1の正面外観図であり、図2は、撮像装置1の背面外観図である。この撮像装置1は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラとして構成されている。
図1に示すように、撮像装置1は、カメラ本体部(カメラボディ)2を備えている。このカメラ本体部2に対して、交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)3が着脱可能である。
撮影レンズユニット3は、主として、鏡胴36、ならびに、鏡胴36の内部に設けられるレンズ群37(図3参照)及び絞り等によって構成される。レンズ群37(撮影光学系)には、光軸方向に移動することによって焦点位置を変更するフォーカスレンズ等が含まれている。
カメラ本体部2は、撮影レンズユニット3が装着される円環状のマウント部Mtを正面略中央に備え、撮影レンズユニット3を着脱するための着脱ボタン89を円環状のマウント部Mt付近に備えている。
また、カメラ本体部2は、その正面左上部にモード設定ダイヤル82を備え、その正面右上部に制御値設定ダイヤル86を備えている。モード設定ダイヤル82を操作することによれば、カメラの各種モード(各種撮影モード(人物撮影モード、風景撮影モード、およびフルオート撮影モード等)、撮影した画像を再生する再生モード、および外部機器との間でデータ交信を行う通信モード等を含む)の設定動作(切替動作)を行うことが可能である。また、制御値設定ダイヤル86を操作することによれば、各種撮影モードにおける制御値を設定することが可能である。
また、カメラ本体部2は、正面左端部に撮影者が把持するためのグリップ部14を備えている。グリップ部14の上面には露光開始を指示するためのレリーズボタン11が設けられている。グリップ部14の内部には電池収納室とカード収納室とが設けられている。電池収納室にはカメラの電源として、例えばリチウムイオン電池などの電池が収納されており、カード収納室には撮影画像の画像データを記録するためのメモリカード90(図3参照)が着脱可能に収納されるようになっている。
レリーズボタン11は、半押し状態(S1状態)と全押し状態(S2状態)の2つの状態を検出可能な2段階検出ボタンである。レリーズボタン11が半押しされS1状態になると、被写体に関する記録用静止画像(本撮影画像)を取得するための準備動作(例えば、AF制御動作およびAE制御動作等)が行われる。また、レリーズボタン11がさらに押し込まれてS2状態になると、当該本撮影画像の撮影動作(撮像素子5(後述)を用いて被写体像(被写体の光像)に関する露光動作を行い、その露光動作によって得られた画像信号に所定の画像処理を施す一連の動作)が行われる。
図2において、カメラ本体部2の背面略中央上部には、ファインダ窓(接眼窓)10が設けられている。撮影者は、ファインダ窓10を覗くことによって、撮影レンズユニット3から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことができる。すなわち、光学ファインダを用いて構図決めを行うことが可能である。
なお、この実施形態に係る撮像装置1においては、背面モニタ12(後述)に表示されるライブビュー画像を用いて構図決めを行うことも可能である。また、光学ファインダによる構図決め動作とライブビュー表示による構図決め動作との切換操作は、操作者が切換ダイヤル87を回転させることによって実現される。
図2において、カメラ本体部2の背面の略中央には、背面モニタ12が設けられている。背面モニタ12は、例えばカラー液晶ディスプレイ(LCD)として構成される。背面モニタ12は、撮影条件等を設定するためのメニュー画面を表示したり、再生モードにおいてメモリカード90に記録された撮影画像を再生表示したりすることができる。また、操作者が光学ファインダによる構図決めではなくライブビュー表示による構図決めを選択した場合には、背面モニタ12には、撮像素子7(後述)によって取得された時系列の複数の画像(すなわち動画像)がライブビュー画像として表示される。
背面モニタ12の左上部には電源スイッチ(メインスイッチ)81が設けられている。電源スイッチ81は2点スライドスイッチからなり、接点を左方の「OFF」位置に設定すると、電源がオフになり、接点の右方の「ON」位置に設定すると、電源がオンになる。
背面モニタ12の右側には方向選択キー84が設けられている。この方向選択キー84は円形の操作ボタンを有し、この操作ボタンにおける上下左右の4方向の押圧操作と、右上、左上、右下及び左下の4方向の押圧操作とが、それぞれ検出されるようになっている。なお、方向選択キー84は、上記8方向の押圧操作とは別に、中央部のプッシュボタンの押圧操作も検出されるようになっている。
背面モニタ12の左側には、メニュー画面の設定、画像の削除などを行うための複数のボタンからなる設定ボタン群83が設けられている。
<1−2.機能ブロック>
つぎに、図3を参照しながら、撮像装置1の機能の概要について説明する。図3は、撮像装置1の機能構成を示すブロック図である。
図3に示すように、撮像装置1は、操作部80、全体制御部101、フォーカス制御部121、ミラー制御部122、シャッタ制御部123、タイミング制御回路124、およびデジタル信号処理回路50等を備える。
操作部80は、レリーズボタン11(図1参照)を含む各種ボタンおよびスイッチ等を備えて構成される。操作部80に対するユーザーの入力操作に応答して、全体制御部101が各種動作を実現する。
全体制御部101は、マイクロコンピュータとして構成され、主にCPU、メモリ、及びROM等を備える。全体制御部101は、ROM内に格納されるプログラムを読み出し、当該プログラムをCPUで実行することによって、各種機能を実現する。
例えば、全体制御部101は、後述する撮像素子7の欠陥画素検出動作等を実現する。また、全体制御部101は、AFモジュール20およびフォーカス制御部121等と協動して、フォーカスレンズの位置を制御する合焦制御動作を行う。全体制御部101は、AFモジュール20によって検出される被写体の合焦状態に応じて、フォーカス制御部121を用いてAF動作を実現する。なお、AFモジュール20は、ミラー機構6を介して進入してきた光を用いて、位相差方式等の合焦状態検出手法により被写体の合焦状態を検出することが可能である。
フォーカス制御部121は、全体制御部101から入力される信号に基づいて制御信号を生成しモータM1を駆動することによって、撮影レンズユニット3のレンズ群37に含まれるフォーカスレンズを移動する。また、フォーカスレンズの位置は、撮影レンズユニット3のレンズ位置検出部39によって検出され、フォーカスレンズの位置を示すデータが全体制御部101に送られる。このように、フォーカス制御部121および全体制御部101等は、フォーカスレンズの光軸方向の動きを制御する。
ミラー制御部122は、ミラー機構6が光路から退避した状態(ミラーアップ状態)とミラー機構6が光路を遮断した状態(ミラーダウン状態)との状態切替を制御する。ミラー制御部122は、全体制御部101から入力される信号に基づいて制御信号を生成しモータM2を駆動することによって、ミラーアップ状態とミラーダウン状態とを切り替える。
シャッタ制御部123は、全体制御部101から入力される信号に基づいて制御信号を生成しモータM3を駆動することによって、シャッタ4の開閉を制御する。
タイミング制御回路124は、撮像素子5等に対するタイミング制御を行う。
撮像素子(ここではCCDセンサ(単にCCDとも称する))5は、光電変換作用により被写体の光像を電気的信号に変換して、本撮影画像に係る画像信号(記録用の画像信号)を生成する。撮像素子5は、記録画像取得用の撮像素子であるとも表現される。
撮像素子5は、タイミング制御回路124から入力される駆動制御信号(蓄積開始信号および蓄積終了信号)に応答して、受光面に結像された被写体像の露光(光電変換による電荷蓄積)を行い、当該被写体像に係る画像信号を生成する。また、撮像素子5は、タイミング制御回路124から入力される読出制御信号に応答して、当該画像信号を信号処理部51へ出力する。また、タイミング制御回路124からのタイミング信号(同期信号)は、信号処理部51及びA/D(アナログ/デジタル)変換回路52にも入力される。
撮像素子5で取得された画像信号は、信号処理部51において所定のアナログ信号処理が施され、当該アナログ信号処理後の画像信号はA/D変換回路52によってデジタル画像データ(画像データ)に変換される。この画像データは、デジタル信号処理回路50に入力される。
デジタル信号処理回路50は、A/D変換回路52から入力される画像データに対してデジタル信号処理を行い、撮像画像に係る画像データを生成する。デジタル信号処理回路50は、黒レベル補正回路53、ホワイトバランス(WB)回路54、γ補正回路55及び画像メモリ56を備える。
黒レベル補正回路53は、A/D変換回路52が出力した画像データを構成する各画素データの黒レベルを基準の黒レベルに補正する。WB回路54は、画像のホワイトバランス調整を行う。γ補正回路55は、撮像画像の階調変換を行う。画像メモリ56は、生成された画像データを一時的に記憶するための、高速アクセス可能な画像メモリであり、複数フレーム分の画像データを記憶可能な容量を有する。
本撮影時には、画像メモリ56に一時記憶される画像データは、全体制御部101において適宜画像処理(圧縮処理等)が施された後、カードI/F132を介してメモリカード90に記憶される。
また、画像メモリ56に一時記憶される画像データは、全体制御部101によって適宜VRAM131に転送され、背面モニタ12に画像データに基づく画像が表示される。これによって、撮影画像を確認するための確認表示(アフタービュー)、および撮影済みの画像を再生する再生表示等が実現される。
また、この撮像装置1は、撮像素子5とは別の撮像素子7(図4も参照)をさらに備えている。撮像素子7は、いわゆるライブビュー画像取得用(動画取得用)の撮像素子としての役割を果たす。撮像素子7も、撮像素子5と同様の構成を有している。ただし、撮像素子7は、ライブビュー用の画像信号(動画像)を生成するための解像度を有していればよく、通常、撮像素子5よりも少ない数の画素で構成される。
撮像素子7で取得された画像信号に対しても、撮像素子5で取得された画像信号と同様の信号処理が施される。すなわち、撮像素子7で取得された画像信号は、信号処理部51で所定の処理が施され、A/D変換回路52でデジタルデータに変換された後、デジタル信号処理回路50で所定の画像処理が施され、画像メモリ56に格納される。
また、撮像素子7で取得され画像メモリ56に格納される時系列の画像データは、全体制御部101によって適宜VRAM131に順次に転送され、当該時系列の画像データに基づく画像が背面モニタ12に表示される。これによって、構図決めを行うための動画的態様の表示(ライブビュー表示)が実現される。
なお、特に、後述するように撮像素子5による撮影動作とともに撮像素子7の欠陥画素検出動作を行う場合には、処理の高速化を図るため、撮像素子5に関する画像処理と撮像素子7に関する画像処理とは並列的に処理されることが好ましい。そのため、ここでは、タイミング制御回路124、信号処理部51、A/D変換回路52、およびデジタル信号処理回路50等が、それぞれ、2系統の処理回路を有するものとし、両撮像素子5,7に関する画像処理が並列的に行われるものとする。ただし、これに限定されず、タイミング制御回路124、信号処理部51、A/D変換回路52、およびデジタル信号処理回路50等を、それぞれ、1系統のみ設けておき、撮像素子5に関する画像処理と撮像素子7に関する画像処理とを、この順序であるいは逆順に、順次に実行するようにしてもよい。
さらに、撮像装置1は、通信用I/F133を有しており、当該インターフェイス133の接続先の機器(例えば、パーソナルコンピュータ等)とデータ通信をすることが可能である。
また、撮像装置1は、フラッシュ41、フラッシュ制御回路42、およびAF補助光発光部43を備えている。フラッシュ41は、被写体の輝度不足時等に利用される光源である。フラッシュの点灯の有無および点灯時間等は、フラッシュ制御回路42および全体制御部101等によって制御される。AF補助光発光部43は、AF用の補助光源である。AF補助光発光部43の点灯の有無および点灯時間等は、全体制御部101等によって制御される。
<1−3.撮影動作>
<概要>
つぎに、この撮像装置1における構図決め動作を含む撮影動作について説明する。上述したように、この撮像装置1においては、ファインダ光学系等で構成される光学ファインダ(光学ビューファインダ(OVF)とも称される)を用いて構図決め(フレーミング)を行うことが可能であるとともに、背面モニタ12(後述)に表示されるライブビュー画像を用いて構図決めを行うことも可能である。なお、撮像素子7および背面モニタ12を利用して実現されるファインダ機能は、被写体の光像を電子データに変換した後に可視化するものであることから電子ビューファインダ(EVF)とも称される。
上述したように、操作者は切換ダイヤル87を操作することによって、光学ビューファインダ(OVF)を用いて構図決めを行うか、操作者が電子ビューファインダ(EVF)を用いて構図決めを行うかを選択することができる。
図4および図5は、撮像装置1の断面図である。図4は、OVFを用いた構図決め動作を示しており、図5は、EVFを用いた構図決め動作を示している。また、図6は、露光動作時(詳細にはOVF時)の状態を示す断面図である。
図4等に示すように、撮影レンズユニット3から撮像素子5に至る光路(撮影光路)上にはミラー機構6が設けられている。ミラー機構6は、撮影光学系からの光を上方に向けて反射する主ミラー61(主反射面)を有している。この主ミラー61は、例えばその一部または全部がハーフミラーとして構成され、撮影光学系からの光の一部を透過する。また、ミラー機構6は、主ミラー61を透過した光を下方に反射させるサブミラー62(副反射面)をも有している。サブミラー62で下方に反射された光は、AFモジュール20へと導かれて入射し、位相差方式のAF動作に利用される。
撮影モードにおいてレリーズボタン11が全押し状態S2にされるまで、換言すれば構図決めの際には、ミラー機構6はミラーダウン状態となるように配置される(図4および図5参照)。そして、この際には、撮影レンズユニット3からの被写体像は、主ミラー61で上方に反射され観察用光束としてペンタミラー65に入射する。ペンタミラー65は、複数のミラー(反射面)を有しており、被写体像の向きを調整する機能を有している。また、ペンタミラー65に入射した後の、観察用光束の進路は、上記の両方式(すなわちOVF方式およびEVF方式)のいずれを採用して構図決めを行うかに応じて異なっている。これについては後述する。操作者は、選択した所望の方式によって構図決めを行うことが可能である。
一方、レリーズボタン11が全押し状態S2にされると、ミラー機構6はミラーアップ状態となるように駆動され、露光動作が開始される(図6参照)。被写体に係る記録用静止画像(本撮影画像とも称する)を取得する際の基本的動作(すなわち露光の際の動作)は、上記の両方式(すなわちOVF方式およびEVF方式)による構図決めに共通である。
具体的には、図6に示すように、露光時には、ミラー機構6は、撮影光路から待避する。詳細には、撮影光学系からの光(被写体像)を遮らないように主ミラー61とサブミラー62とが上方に待避し、撮影レンズユニット3からの光がシャッタ4の開放タイミングに合わせて撮像素子5に到達する。撮像素子5は、光電変換によって、受光した光束に基づいて被写体の画像信号を生成する。このように、被写体からの光が撮影レンズユニット3を介して撮像素子5に導かれることによって、被写体に係る撮影画像(撮影画像データ)が得られる。
<光学ファインダによる構図決め動作(フレーミング動作)>
次に、構図決めの際の上記両方式の各動作についてそれぞれ説明する。
まず、OVF方式の構図決め動作について説明する。
図4に示すように、ミラー機構6の主ミラー61およびサブミラー62が、撮影レンズユニット3からの被写体像の光路上に配置されると、被写体像が主ミラー61とペンタミラー65と接眼レンズ67とを介してファインダ窓10へと導かれる。このように、主ミラー61とペンタミラー65と接眼レンズ67とを含むファインダ光学系は、撮影光学系からの光束であって主ミラー61で反射された光束である観察用光束をファインダ窓10へと導くことが可能である。
詳細には、撮影レンズユニット3からの光は、主ミラー61で反射されて上方に進路を変更し、焦点板63において結像し、焦点板63を通過する。その後、焦点板63を通過した光は、ペンタミラー65でその進路をさらに変更した後に接眼レンズ67を通ってファインダ窓10へ向かう(図4の光路PA参照)。このようにして、ファインダ窓10を通過した被写体像は撮影者(観察者)の眼へ到達して視認される。すなわち、撮影者はファインダ窓10を覗くことによって、被写体像を確認することができる。
ここにおいて、ペンタミラー65は、三角屋根状に形成された2面のミラー(ダハミラー)65a,65bと、当該ダハミラー(ダハ面)65a,65bに対して固定された面65cと、もう1つのミラー(反射面)65eとを有している。また、三角屋根状の2面のミラー65a,65bは、プラスチック成型により一体部品65dとして形成されている。主ミラー61で反射されて上方に進路を変更した光は、ダハミラー65a,65bで反射されて左右反転されて進行し、さらにミラー65eでも反射されることによって上下も反転されて撮影者の眼に到達する。このように、撮影レンズユニット3において左右上下が反転されていた光像は、ペンタミラー65でさらに左右上下が反転される。これにより、撮影者は、光学ファインダにおいて、その上下左右が実際の被写体と同じ状態で被写体像を観察することができる。
なお、ここでは、ファインダ光学系の一部である光学ユニットU1が撮像装置1内部の上部空間SUに設けられている。この光学ユニットU1は、接眼レンズ67とファインダ窓10とを有するととともに、駆動手段(不図示)によって開閉可能なアイピースシャッタ16をさらに有している。OVF方式の構図決め動作時においては、アイピースシャッタ16は開放されており、ペンタミラー65からの被写体像がファインダ窓10を通過するように構成されている。
また、主ミラー61を透過した光はサブミラー62で反射されて下方に進路を変更しAFモジュール20へと進入する。AFモジュール20およびフォーカス制御部121等は、主ミラー61およびサブミラー62を介して進入してきた光を用いて、AF動作を実現する。
<電子ファインダによる構図決め動作(フレーミング動作)>
次に、EVF方式による構図決め動作について説明する。
この場合にも、図5に示すように、ミラー機構6の主ミラー61およびサブミラー62が、撮影レンズユニット3からの被写体像の光路上に配置される。そして、撮影レンズユニット3からの光は、主ミラー61で反射されて上方に進路を変更し、焦点板63において結像し、焦点板63を通過する。
ただし、このEVF方式による構図決め動作においては、焦点板63を通過した光は、ペンタミラー65でその進路をさらに変更した後に、ビームスプリッタ71でさらにその進路を変更して結像レンズ69(結像光学系)を通過して撮像素子7の撮像面上で再結像する(図5の光路PB参照)。なお、主ミラー61で反射されて上方に進路を変更した光は、ダハミラー65a,65bで反射されて左右反転されて進行し、さらにミラー65eでも反射されることによって上下も反転され、さらに結像レンズ69で上下左右反転されて撮像素子7に到達する。
より詳細には、図4と比較すると判るように、図5においてはミラー65eの角度(カメラ本体部2に対する設置角度)が変更されている。具体的には、ミラー65eは、図4の状態から、その下端側の軸AX1を中心に矢印AR1の向きに所定角度α回動している。なお、ミラー65eは、切換ダイヤル87の操作に応じて回動する。
そして、このミラー65eの角度変更によって、ミラー65eで反射される光(観察用光束)の反射角度が変更され、当該ミラー65eによる反射光の進行経路が変更される。具体的には、図4の状態に比べて、ミラー65eへの入射角度θ1が比較的小さくなり、反射角度θ2も比較的小さくなる。その結果、ミラー65eの反射光は、接眼レンズ67に向かう光路からダハミラー65a,65b寄りの光路へとその進路を上方に変更してビームスプリッタ71に向かい、ビームスプリッタ71でさらにその進路を変更して結像レンズ69を通過して撮像素子7に到達する。なお、ビームスプリッタ71、結像レンズ69および撮像素子7は、接眼レンズ67よりも上方に配置されており、且つ、OVFの際にミラー65eから接眼レンズ67へと進行する光束を遮らない位置に配置されている。
また、ミラー65eで反射された光束の進路は、ミラー65eの変更角度αに応じて、その2倍の大きさの角度β(=2×α)変更される。逆に言えば、反射光路の進行角度を角度β変更するために、ミラー65eの回転角度は、当該角度βの半分の角度αで済む。すなわち、ミラー65eの比較的小さな回転角度でミラー65eの反射光の進路を比較的大きく変更することが可能である。また、ミラー65eと撮像素子7とは光学的に比較的離れて配置されているため、ミラー65eの回転角度を小さく変更するだけで、ミラー65eによる2つの反射光を、互いに離れて配置された接眼レンズ67および撮像素子7へと確実に導くことが可能である。すなわち、ミラー65eの回転角度を小さく変更することによってミラー65eによる反射光の光束を良好に2つの光路に選択的に進行させることが可能である。したがって、ミラー65eの回転によるスペースの増大は最小限に止められる。
撮像素子7は、ミラー65eで反射され結像レンズ69を通過して撮像素子7に到達した被写体像に基づいて、ライブビュー画像を生成する。具体的には、微小時間間隔(例えば、1/60秒)で複数の画像を順次に生成する。そして、取得された時系列の画像は背面モニタ12において順次に表示される。これによって、撮影者は、背面モニタ12に表示される動画像(ライブビュー画像)を視認し、当該動画像を用いて構図決めを行うことが可能になる。
また、この場合も、OVFによる構図決めの際(図4参照)と同様に、主ミラー61とサブミラー62とを介してAFモジュール20に入射した光を用いてAF動作が実現される。
なお、EVF方式の構図決め動作時においては、ファインダ窓10からの光が上部空間SUへと入射しないように、アイピースシャッタ16が開じられてる。
以上のように、ミラー65eで反射した後の観察用光束の進路(詳細には主進路)は、ミラー65eの反射角度の変更によって、ミラー65eから接眼レンズ67およびファインダ窓10に向かう光路PA(図4)と、ミラー65eから結像レンズ69および撮像素子7に向かう光路PB(図5)との間で切り換えられる。換言すれば、当該観察用光束の進路は、ミラー65eの反射角度の変更によって、ミラー65eで反射されてファインダ窓10に向かう第1の光路PAと、ミラー65eで反射されて撮像素子7に向かう第2の光路PBとの間で切り換えられる。
<測光処理>
次に、EVFによる構図決め動作時の測光処理とOVFによる構図決め動作時の測光処理とについてそれぞれ説明する。
図7は、ペンタミラー65付近の内部構成を示す拡大断面図である。図7に示すように、光路PA上には接眼レンズ67とファインダ窓10とが設けられている。一方、光路PB上にはビームスプリッタ71と結像レンズ69と撮像素子7とが設けられている。
このビームスプリッタ71は、光の進行方向(換言すれば光の進行路(光路))を変更する光路変更機能を有している。具体的には、ビームスプリッタ71は、光路PB上に配置されており、光路PB上を進行してきた光(詳細には反射面65eで反射された光)の進路を約90度上方に変更する。当該ビームスプリッタ71による進行方向変更後の光路PB(PB2)上には、結像レンズ69と撮像素子7とが配置されており、ビームスプリッタ71による進行方向変更後の光束は、結像レンズ69を通過して撮像素子7上に結像する。
EVFによる構図決め動作時においては、反射面65eが位置P1に配置され、観察用光束の進路が光路PBとなる。このとき、光路PB上を進行しビームスプリッタ71および結像レンズ69を介して撮像素子7に結像した被写体像に基づいて、撮影画像が生成される。そして、当該撮影画像を用いてライブビュー表示が実行されるとともに、同じ撮影画像を用いて測光処理も実行される。例えば、撮像素子7による撮影画像を複数(例えば、8(横)×5(縦)=40個)の測光ブロックに分割して、各測光ブロックにおける受光量を算出する測光処理が実行される。また、この測光結果に基づいて、適切な明るさを実現する撮影パラメータ(絞り値、シャッタスピード等)を決定する処理(自動露光調整処理)が行われる。
一方、OVFによる構図決め動作時においては、反射面65eが位置P2(図7では破線で示される位置)に配置され、観察用光束の進路が光路PAとなる。このとき、ファインダ窓10を介して被写体像が視認されるとともに、光路PAの近傍に配置された測光センサ79を用いて測光処理が行われる。測光センサ79は、光路PAの近傍に配置されたビームスプリッタ71を透過する光束を、結像レンズ72を介して受光して、測光処理を行う。
測光センサ79は、焦点板63を睨んでおり、図7の破線で示す光路PEに従って進行した光、詳細には、光路PAの近傍を進行し且つビームスプリッタ71を透過した光を受光する。ここにおいて、ビームスプリッタ71は、光路PB上であるとともに光路PE上でもある位置に存在するが、光路PE上を進行する光束はビームスプリッタ71を通過して測光センサ79へと到達する。測光センサ79は、光路PEを進行する光束を受光することによって、光路PAを進行する観察用光束の被写体像と同様の被写体像(換言すれば撮影対象となる被写体像と同様の光像)、具体的には、ファインダ窓10を介して受光される被写体像に関する被写体を若干異なる角度から(若干斜めから)見た光像を受光する。
そして、測光センサ79での受光量に基づく測光処理が適切に実現される。例えば、測光センサ79内の複数(例えば40個)の測光単位のそれぞれにおける受光量を算出する測光処理が実行される。また、この測光結果に基づいて、適切な明るさを実現する撮影パラメータ(絞り値、シャッタスピード等)を決定する処理(自動露光調整処理)が行われる。
なお、OVFによる構図位置決め動作時においては、観察用光束の進路が光路PAとなるため、撮像素子7には適切な被写体像が結像されない。したがって、上記のような測光センサ79を設けない場合には、OVFによる構図位置決め動作時に適切な測光処理を実現することが困難である。
<1−4.撮像素子7における欠陥画素検出動作等>
この撮像装置1においては、以上のようにして撮影動作が行われる。
ところで、上述したように、撮像素子7において宇宙線等の影響による後天的な欠陥画素が発生し得る。そして、このような欠陥画素に基づく画像をそのまま表示するとライブビュー画像の劣化等が発生してしまう。
そこで、この実施形態においては、撮像素子7の欠陥画素を適切に検出し、撮像素子7によって取得される画像の劣化を抑制する技術についてさらに説明する。
まず、検出対象となる欠陥画素について説明する。撮像素子7の周囲が暗いときには、撮像素子7の各画素の画素値D(x,y)は、本来的には、非常に小さな値(理想的にはゼロ)になる。しかしながら、撮像素子7内の複数の画素の中には、異常な画素値(比較的大きな画素値)を有する画素(すなわち欠陥画素)が存在することがある。このような欠陥画素は、いわゆる「白キズ」と呼ばれるものである。この実施形態によれば、このような欠陥画素を適切に検出することが可能である。
さて、このような欠陥画素の検出に際しては、撮像素子7の周囲が暗いことが要求される。撮像素子7の周囲を暗くするためには、例えば、主ミラー61をミラーアップ状態にするとともにアイピースシャッタ16を閉じることによって、上部空間SUを遮光状態にすることが考えられる。すなわち、撮像素子7の周囲を暗くするための動作(遮蔽動作とも称する)を撮像装置1自身が能動的に実行することが考えられる。しかしながら、撮像装置1自身が能動的な遮蔽動作を実行することは、「撮像素子7の周囲が暗い」という状態が実現されるために必須の事項ではない。
例えば、操作者が撮像装置1をカメラバッグの中に収容した状態においては、撮像装置1は「カメラバックの中」という暗所に配置されているため、撮像素子7の周囲も暗くなっている。あるいは、EVFモード(すなわちアイピースシャッタ16が閉じた状態)で撮影レンズユニット3にレンズキャップが装着されている場合などにおいても、撮像素子7の周囲は暗くなっている。このように、撮像装置1の環境によっては、撮像素子7の周囲が暗くなっていることがある。
そこで、この実施形態においては、撮像装置1は、撮像素子7の近傍に設けられる測光センサ79を利用して、撮像素子7の周囲の状況が当該撮像素子7の欠陥画素検出に適した状態であるか否かを判定する。測光センサ(AE用センサとも称される)79は、撮像素子7の近傍に(より詳細には、撮像素子7と同一空間(上部空間SU)内の近傍位置に)設けられており、撮像素子7の周囲の明るさを良好に検出することができる。
具体的には、測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも小さいと判定される場合に、撮像素子7の周囲の状況が当該撮像素子7の欠陥画素検出に適した状態であるとみなす。そして、この場合に、撮像素子7により取得される露光画像に基づいて、撮像素子7の欠陥画素の検出動作が実行される。
これによれば、撮像素子7の周囲の状況が当該撮像素子7の欠陥画素検出に適した状態であることを確認した上で、欠陥画素検出動作を実行することができる。したがって、撮像装置1による能動的な遮蔽動作を伴わない場合であっても、欠陥画素の検出動作を適切に実行することが可能である。なお、ここでは撮像装置1による能動的な遮蔽動作を伴わない場合を例示するが、これに限定されず、撮像装置1による能動的な遮蔽動作を伴うようにしてもよい。
図8は、電源スイッチ81のオフ操作後の撮像装置1の動作を示すフローチャートである。撮像装置1は、電源スイッチ81のオフ操作後に直ちに完全な電源オフ状態になるのではなく、少なくとも全体制御部101などに対する給電を相当期間にわたって継続する。そして、撮像装置1の全体制御部101は、電源スイッチ81のオフ操作が行われて所定期間が経過した後に、測光センサ79を用いて撮像素子7の周囲の状況を判定する。
そのため、まず、ステップSP1において、電源スイッチ81のオフ操作が行われてから所定期間TM1(例えば数分)が経過したか否かが判定される。
そして、所定期間TM1が経過したと判定されると、その後にステップSP2に進み、測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも小さいか否かが判定される。なお、レベルLV1は、撮像素子7の周囲が暗いか否かを判定するための基準となる値である。
その判定結果に基づいて、撮像装置1は、欠陥画素の検出動作を実行するか否かを決定する。ステップSP2において、測光値VがレベルLV1よりも小さいと判定されると、ステップSP3に進み、欠陥画素の検出動作を実行する。一方、ステップSP2において、測光値VがレベルLV1より大きいと判定されると、欠陥画素の検出動作を実行することなく、ステップS4に進む。
例えば、撮像装置1の操作者は、電源オフ操作後に、当該撮像装置1をカメラバックに収容することが考えられる。操作者は、電源オフ操作ごとに撮像装置1をカメラバックに収容するのではないとしても、電源スイッチ81のオン操作とオフ操作とを幾度か繰り返して撮影動作を行った後、最後の電源オフ操作を行って、当該撮像装置1をカメラバックに収容することがある。撮像装置1が、カメラバッグの中に収容されている状態においては、測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも小さくなる。測光値VがレベルLV1よりも小さくなることがステップSP2で判定されると、ステップSP3に進む。
ステップSP3では、測光センサ79による測光値がレベルLV1よりも小さいと判定されることを条件として、撮像素子7により取得される露光画像に基づいて撮像素子7の欠陥画素が検出される。
詳細には、ステップSP11において、まず、撮像素子7の電子シャッタを用いて適宜の露光時間が設定され、撮像素子7における露光動作が実現される。そして、当該露光動作において蓄積された電荷を読み出すことによって、撮像素子7の各画素(x,y)の画素値(階調値)D(x,y)が読み出される。
次のステップSP12においては、撮像素子7の露光画像における各画素の画素値D(x,y)が、それぞれ、白キズ判定用の閾値TH(ここではTH1)よりも大きいか否かが判定される。詳細には、当該露光画像内の画素のうち、その画素値D(x,y)が閾値THより大きな画素は欠陥画素(白キズ画素)と判定される。一方、当該露光画像内の画素のうち、その画素値D(x,y)が閾値THより小さな画素は正常画素と判定される。
ステップSP13においては、ステップSP12で検出された欠陥画素の画素値を補正するための補正データが生成されて保存される。例えば、当該欠陥画素に隣接する同色画素の画素値の平均値Daveが補正データとして算出され、当該平均値と当該欠陥画素の位置情報(アドレス情報)とが関連づけられて、撮像装置1の所定のメモリ(不揮発性メモリ(不図示)等)内の格納領域に保存される。また、当該補正データは、既にメモリ内に格納されている補正データを含む全補正データに対して追加されて当該メモリ内に保存される。データの読み出し効率を向上させるため、全補正データは、読み出しアドレス順にソートされた状態で格納されることが好ましい。なお、この補正データは、撮像素子7によるライブビュー画像生成時等において当該画像における欠陥画素の画素値を補正する際に用いられる。
ステップSP13の後、ステップSP4に進む。
ステップSP4では、電源オフ処理が実行され、撮像装置1は電源オフ状態にされる。ただし、この電源オフ状態は、完全な給電停止状態に限定されず、撮像装置1内の所定部分に対する給電が継続された状態であってもよい。
以上のように、この第1実施形態における撮像装置1によれば、撮像素子7の近傍に設けられる測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも小さいと判定される場合に、撮像素子7により取得される露光画像に基づいて撮像素子7の欠陥画素が検出される。詳細には、撮像装置1の電源スイッチ81のオフ操作が行われて所定期間TM1が経過した後に、測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも小さいことが判定され、その判定結果に基づいて欠陥画素の検出動作を実行するか否かが決定される。したがって、撮像素子7の周囲の状況が当該撮像素子7の欠陥画素検出に適していること、を適切に判定し、当該状況において欠陥画素検出動作を実行することができる。
また、測光センサ79による測光値VがレベルLV1よりも大きいと判定される場合には、欠陥画素の検出動作が実行されない。したがって、不適切な状況下において欠陥画素検出動作が実行されることを回避できる。
<2.第2実施形態>
第2実施形態は、第1実施形態の変形例である。以下では、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
この第2実施形態においては、測光センサ79による測光値Vに関して、2つのレベルLV11,LV12(ただし、レベルLV12はレベルLV11よりも大きな値)との比較を行う。
図9および図10は、第2実施形態に係る欠陥画素検出を説明する概念図である。
具体的には、まず、図9に示すように、測光値VがレベルLV11よりも小さい場合には、撮像装置1は欠陥画素の検出動作を行う。このとき、撮像装置1は、撮像素子7の露光画像内の画素のうち、閾値TH11よりもさらに大きな画素値を有する画素を欠陥画素として検出する。十分に小さな値として設定されたレベルLV11を用いることによって、撮像素子7の周囲が十分に暗い状況であることを確認することができ、当該状況にて欠陥画素の検出動作を行うことが可能である。
また、図10に示すように、撮像装置1は、測光値VがレベルLV11よりも大きい場合であって且つ測光値VがレベルLV12(>LV11)よりも小さい場合(すなわち、LV11<V<LV12、の場合)にも、欠陥画素の検出動作を行う。ただし、このときには、撮像装置1は、撮像素子7の露光画像内の画素のうち、閾値TH11より大きな閾値TH12よりもさらに大きな画素値を有する画素を欠陥画素として検出するものとする。
これによれば、測光値Vが、LV11<V<LV12、の関係を満たす場合、例えば撮像素子7が薄暗い環境に存在するときには、比較的大きな閾値TH12を用いて欠陥画素が検出される。そのため、比較的小さな閾値TH11を用いる場合に比べて誤検出(過剰検出)を回避することができる。すなわち、欠陥画素検出の精度を高めることができる。なお、測光値VがレベルLV11よりも小さい場合には、比較的小さな閾値TH1を用いることによって、欠陥画素の検出漏れを抑制することが可能である。
この第2実施形態においては、より詳細には、図11に示すような動作が実行される。
ステップSP21はステップSP1(図8)と同様の動作である。
ステップSP22,SP23においては、測光値Vと2つのレベルLV12,LV2との関係が判定される。
測光値VがレベルLV11よりも小さいことが確認されると、ステップSP24に進み、閾値THが値TH11に設定されて、ステップSP26での欠陥画素の検出動作が実行される。ステップSP26の動作は、ステップSP3(図8)の動作と同様である。ただし、ステップSP26の欠陥検出動作(詳細にはステップSP12での欠陥判定動作)では、測光値Vに応じてステップSP24で設定された閾値TH11が、用いられる。
また、測光値VがレベルLV11以上且つLV12未満であることが確認されると、ステップSP25に進み、閾値THが値TH12に設定されて、ステップSP26での欠陥画素の検出動作が実行される。ただし、ステップSP26の欠陥検出動作(詳細にはステップSP12での欠陥判定動作)では、測光値Vに応じてステップSP25で設定された閾値TH12が、用いられる。
一方、測光値VがレベルLV12よりも大きいことが確認されると、欠陥検出動作の実行を伴わずに、ステップSP27に進む。
ステップSP27においては、ステップSP4と同様の処理(電源オフ処理)が実行される。
第2実施形態においては、以上のような動作が実行される。
なお、第2実施形態の動作は次のようにも表現される。
すなわち、測光センサ79による測光値Vが所定のレベルLV12よりも大きい場合には欠陥画素の検出動作は実行されず、一方、測光センサ79による測光値Vが所定のレベルLV12よりも小さいと判定される場合に欠陥画素の検出動作が実行される。また、測光値Vが、レベルLV12よりも小さなレベルLV11よりもさらに小さいと判定されるとき(図9参照)には、露光画像内の画素のうち、閾値TH1よりも大きな画素値を有する画素を欠陥画素として検出する。また、測光値VがレベルLV12よりも小さく、且つ、レベルLV11よりは大きいと判定されるとき(図10参照)には、露光画像内の画素のうち、閾値TH11より大きな閾値TH12よりもさらに大きな画素値を有する画素を欠陥画素として検出する。
<3.その他>
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
たとえば、上記第1実施形態等においては、ステップSP2において測光値VがレベルLV(LV1等)よりも小さいことが1回確認された場合に、ステップSP3等の欠陥検出動作を行う場合を例示したが、これに限定されない。具体的には、測光値VがレベルLV1よりも小さいことが所定時間(例えば数秒)間隔で数回連続して確認することにより、測光値VがレベルLV1よりも小さい状態が所定期間にわたって継続していることを確認するようにしてもよい。そして、当該状態の継続が確認されることを条件として、欠陥画素の検出動作を実行するようにしてもよい。
また、上記第1実施形態等においては、電源スイッチ81のオフ操作後、チェック動作(ステップSP1,SP2等)が常に実行される場合を例示したが、これに限定されない。例えば、撮像素子7に関する最後(前回)の欠陥画素検出動作から所定期間TM2(例えば、1ヶ月)が経過していると判定された場合にのみ、図8のステップSP1以降の処理(あるいは図11のステップSP21以降の処理)を実行するようにしてもよい。最後の欠陥画素検出動作から所定期間TM2が経過していないときには、ステップSP1〜SP4等の処理を実行しないことによれば、電力消費を抑制することができる。
また、上記各実施形態においては、電源オフ操作後に欠陥画素の検出動作を行う場合を例示したが、これに限定されない。その他の適宜のタイミングで欠陥画素の検出動作、および当該検出動作を実行すべきか否かの判定動作を実行するようにしてもよい。
また、上記各実施形態において各種の値の大小判定結果に応じて異なる動作を行うに際して、等号成立時には、いずれの判定結果に対応する動作を実行するようにしてもよい。
例えば、上記各実施形態の測光値Vと各レベルLV1,LV11,LV12との比較判定結果に応じた分岐動作において、等号成立時(例えばV=LV1など)には、いずれの判定結果に対応する動作を実行するようにしてもよい。より詳細には、測光値VがレベルLV1に等しい場合には、撮像素子7の欠陥画素の検出動作が実行されるようにしてもよく、あるいは逆に、撮像素子7の欠陥画素の検出動作が実行されないようにしてもよい。
また、上記各実施形態の画素値Dと各閾値TH1,TH11,TH12との比較を伴う動作においても同様である。たとえば、或る画素の画素値Dが閾値TH1に等しい場合には、「当該画素は欠陥画素である」と判定してもよく、あるいは逆に、「当該画素は欠陥画素でない(正常画素である)」と判定してもよい。
撮像装置の正面外観図である。 撮像装置の背面外観図である。 撮像装置の機能構成を示すブロック図である。 撮像装置の断面図(OVF方式の構図決め動作時)である。 撮像装置の断面図(EVF方式の構図決め動作時)である。 撮像装置の断面図(OVF方式の構図決め動作後の露光動作時)である。 ペンタミラー付近の一部拡大図である。 電源スイッチのオフ操作後の撮像装置の動作を示すフローチャートである。 欠陥画素検出を説明する概念図である。 欠陥画素検出を説明する概念図である。 第2実施形態に係る撮像装置の動作を示すフローチャートである。
符号の説明
1 撮像装置
2 カメラ本体部
5,7 撮像素子
10 ファインダ窓
16 アイピースシャッタ
61 主ミラー
71 ビームスプリッタ
72 結像レンズ
79 測光センサ
81 電源スイッチ
LV1,LV11,LV12 (測光値Vに関する)レベル
TH1,TH11,TH12 (画素値Dに関する)閾値

Claims (6)

  1. 撮像装置であって、
    撮影光学系からの光束であって主反射面で反射された光束である観察用光束をファインダ窓へと導くファインダ光学系と、
    前記観察用光束を受光して画像信号を生成する撮像素子と、
    前記撮像素子の近傍に設けられる測光センサと、
    前記撮像素子の露光画像を用いた前記撮像素子の欠陥画素の検出動作を制御する制御手段と、
    を備え、
    前記制御手段は、前記測光センサによる測光値が所定のレベルよりも小さいと判定される場合に、前記欠陥画素の検出動作を実行することを特徴とする撮像装置。
  2. 請求項1に記載の撮像装置において、
    前記制御手段は、前記撮像装置の電源スイッチのオフ操作が行われて所定期間が経過した後に、前記測光センサによる測光値が前記所定のレベルよりも小さいと判定される場合に、前記欠陥画素の検出動作を実行することを特徴とする撮像装置。
  3. 請求項1に記載の撮像装置において、
    前記制御手段は、前記測光センサによる測光値が前記所定のレベルよりも小さい状態が所定期間にわたって継続していることを条件として、前記欠陥画素の検出動作を実行することを特徴とする撮像装置。
  4. 請求項1に記載の撮像装置において、
    前記制御手段は、前記測光センサによる測光値が前記所定のレベルよりも大きいと判定される場合には、前記欠陥画素の検出動作を実行しないことを特徴とする撮像装置。
  5. 請求項1に記載の撮像装置において、
    前記所定のレベルは、第1のレベルであり、
    前記制御手段は、
    前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも小さな第2のレベルよりもさらに小さいと判定されるときには、前記露光画像内の画素のうち、第1の閾値よりも大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出し、
    前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも小さく、且つ、前記第1のレベルよりも小さな第2のレベルよりは大きいと判定されるときには、前記露光画像内の画素のうち、前記第1の閾値より大きな第2の閾値よりもさらに大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出することを特徴とする撮像装置。
  6. 撮像装置であって、
    撮影光学系からの光束であって主反射面で反射された光束である観察用光束をファインダ窓へと導くファインダ光学系と、
    前記観察用光束を受光して画像信号を生成する撮像素子と、
    前記撮像素子の近傍に設けられる測光センサと、
    前記撮像素子の露光画像を用いた前記撮像素子の欠陥画素の検出動作を制御する制御手段と、
    を備え、
    前記制御手段は、
    前記測光センサによる測光値が第1のレベルよりも小さいと判定される場合には、前記欠陥画素の検出動作を実行し、
    前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも大きく、且つ、前記第1のレベルよりも大きな第2のレベルよりは小さいと判定される場合にも、前記欠陥画素の検出動作を実行し、
    前記測光センサによる測光値が前記第2のレベルよりも大きいと判定される場合には、前記欠陥画素の検出動作を実行せず、
    前記測光センサによる測光値が前記第1のレベルよりも小さいと判定される場合には、前記露光画像内の画素のうち、第1の閾値より大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出し、
    前記測光センサによる測光値が、前記第1のレベルよりも大きく、且つ、前記第2のレベルよりは小さいと判定される場合には、前記露光画像内の画素のうち、前記第1の閾値より大きな第2の閾値よりもさらに大きな画素値を有する画素を前記欠陥画素として検出することを特徴とする撮像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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