JP2009038075A - Electronic component - Google Patents

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靖文 柴田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electronic component which suppresses the large growth of a whisker 15 from a plating layer 13 formed on the surface of a base material while employing a Pb-free plating material. <P>SOLUTION: The plating layer 13 is formed of the Pb-free plating material on the surface of the base material as a terminal 12. The surface is coated with a resin coating layer 14 for moisture proofing. At this time, the spring hardness of the resin coating layer 14 is 80 to 85°. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電子部品、特に防湿のための樹脂コーティング層を有する電子部品に関する。   The present invention relates to an electronic component, particularly an electronic component having a resin coating layer for moisture prevention.

近年、例えばICチップをリードフレームに搭載した半導体装置のような電子部品は一層の小型化が求められており、結果として、その端子間の間隔は数百μm程度まで狭くなってきている。半導体装置のような電子部品において、前記端子の母材には黄銅、銅合金、42アロイなどが用いられるが、素地のままでは端子表面が酸化して導通不良(はんだ付け不良等による)を引き起こす恐れがあるので、通常、めっき等により端子表面に保護膜が形成される。めっき層の材料としては、主に純SnやSn合金が用いられる。   In recent years, for example, electronic components such as a semiconductor device in which an IC chip is mounted on a lead frame have been required to be further reduced in size, and as a result, the distance between the terminals has been reduced to about several hundred μm. In an electronic component such as a semiconductor device, brass, copper alloy, 42 alloy, or the like is used as the base material of the terminal. However, if the base is left as it is, the terminal surface is oxidized to cause poor conduction (due to poor soldering or the like). Since there is a fear, a protective film is usually formed on the terminal surface by plating or the like. As a material for the plating layer, pure Sn or Sn alloy is mainly used.

めっき層の材料として、従来からPbを含む合金が用いられてきたが、近年、環境負荷を軽減する観点からPbフリー化が求められるようになり、めっき層材料にも、例えば、Sn、Sn−Cu、Sn−Ag、Sn−Biのように、Pbを含まない材料を使用することが求められている。しかし、Pbフリーの材料で電子部品の端子表面をめっき処理すると、ウィスカが発生することが知られており、前記のように端子間の間隔が数百μm程度と狭い場合には、発生したウィスカにより端子間ショートが発生する恐れがある。それを回避するために、ウィスカの発生原因を解明してウィスカの発生そのものを制御しようとする提案、ウィスカの発生を前提に発生したウィスカが端子間ショートを発生するような大きさにまで成長するのを抑え込もうとする提案、など多くの提案がなされている。   An alloy containing Pb has been conventionally used as a material for the plating layer. However, in recent years, Pb-free materials have been demanded from the viewpoint of reducing the environmental load. For example, Sn and Sn- It is required to use a material that does not contain Pb, such as Cu, Sn—Ag, and Sn—Bi. However, it is known that when a terminal surface of an electronic component is plated with a Pb-free material, whiskers are generated. As described above, when the distance between the terminals is as narrow as several hundred μm, the generated whisker is generated. May cause short circuit between terminals. In order to avoid this, the proposal to elucidate the cause of whisker generation and control the whisker generation itself, the whisker generated on the premise of whisker generation grows to a size that causes a short between terminals Many proposals have been made, such as proposals to suppress this.

後者の例として、特許文献1には、純SnあるいはSn系合金による電解めっき処理が施された電子部品において、そのめっき処理した領域にエポキシ樹脂等である樹脂皮膜層を形成することが記載されている。特許文献2には、液晶パネルにおけるパネル端子に形成したPbフリーめっき層の表面をアクリル系光硬化樹脂等である絶縁性樹脂によって被膜することが記載されている。前記特許文献1、2に記載のように、適宜の母材表面に純SnまたはSn系合金を用いたPbフリーめっき層を形成し、その表面に適宜の樹脂層を形成することにより、めっき層から発生したウィスカを樹脂層の内側に抑え込むことができ、ウィスカが端子間ショートを発生するような大きさにまで外部に向けて成長するのを抑制できることが期待できる。   As an example of the latter, Patent Document 1 describes that in an electronic component that has been subjected to electrolytic plating with pure Sn or an Sn-based alloy, a resin film layer made of epoxy resin or the like is formed in the plated region. ing. Patent Document 2 describes that the surface of a Pb-free plating layer formed on a panel terminal in a liquid crystal panel is coated with an insulating resin such as an acrylic photo-curing resin. As described in Patent Documents 1 and 2, a plating layer is formed by forming a Pb-free plating layer using pure Sn or a Sn-based alloy on an appropriate base material surface and forming an appropriate resin layer on the surface. It can be expected that whisker generated from the inside can be suppressed inside the resin layer, and the whisker can be prevented from growing outward to such a size as to cause a short circuit between terminals.

特開2005−302575号公報JP 2005-302575 A 特開2005−300824号公報JP-A-2005-300824

従来の、めっき層から発生するウィスカを樹脂層の内側に抑え込むことで、外部に向けて成長するのを抑制する技術では、前記特許文献1、2に記載のように、特別の樹脂被膜をめっき層の上に形成するようにしており、電子部品の製造工程数を多くしている。   In the conventional technology that suppresses whisker generated from the plating layer to the inside of the resin layer and suppresses outward growth, a special resin film is plated as described in Patent Documents 1 and 2 above. The number of manufacturing steps of the electronic component is increased.

本発明は、従来からの製造工程数を特に増やすことなく製造することのできる、ウィスカの成長を抑え込む樹脂被膜をめっき層表面に備えた電子部品を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide an electronic component provided with a resin film on the surface of a plating layer, which can be manufactured without particularly increasing the number of manufacturing steps, and suppresses whisker growth.

従来の電子部品において、防湿(耐腐食)の目的で電子部品全体または少なくとも端子部分を絶縁性樹脂でコーティングすることが行われている。本発明者らは、その樹脂コーティング層を活用することにより、電子部品の製造工程数を増やすことなく、ウィスカの成長を抑え込むことのできる樹脂被膜をめっき層の表面に形成できることを見出し、本発明をなすに到った。   In a conventional electronic component, the entire electronic component or at least a terminal portion is coated with an insulating resin for the purpose of moisture prevention (corrosion resistance). The present inventors have found that by utilizing the resin coating layer, a resin film capable of suppressing the growth of whiskers can be formed on the surface of the plating layer without increasing the number of manufacturing steps of the electronic component. It came to make.

すなわち、本発明による電子部品は、母材表面にSn系およびまたはZn系のPbフリーめっき層を有しかつめっき層を覆うようにして樹脂コーティング層が形成されている電子部品であって、前記樹脂コーティング層はスプリング硬さが80゜〜85゜であることを特徴とする。   That is, an electronic component according to the present invention is an electronic component having a Sn-based and / or Zn-based Pb-free plating layer on the surface of a base material and having a resin coating layer formed so as to cover the plating layer, The resin coating layer has a spring hardness of 80 ° to 85 °.

後の実施例に示すように、樹脂コーティング層のスプリング硬さを80゜以上とすることにより、めっき層から発生するウィスカが樹脂コーティング層を貫通して外部にまで成長するのを阻止することができる。しかし、スプリング硬さが85゜を超える場合には、電子部品の形状によっては樹脂コーティング層に割れが発生する場合がある。割れが発生すると、樹脂コーティング層が備えるべき本来の防水機能を喪失するので好ましくない。従って、本発明において、樹脂コーティング層はスプリング硬さが80゜〜85゜のものとされる。   As shown in the following examples, by setting the spring hardness of the resin coating layer to 80 ° or more, it is possible to prevent whiskers generated from the plating layer from growing through the resin coating layer to the outside. it can. However, when the spring hardness exceeds 85 °, the resin coating layer may crack depending on the shape of the electronic component. If the crack occurs, the original waterproof function that the resin coating layer should have is lost, which is not preferable. Therefore, in the present invention, the resin coating layer has a spring hardness of 80 ° to 85 °.

本発明において、めっき層を形成するSn系およびまたはZn系のPbフリー材料は、Sn系合金あるいはZn系合金を挙げることができる。純Snあるいは純Znであってもよい。好ましくはSn系合金であり、例として、Sn−Cu、Sn−Ag、Sn−Bi、Sn−Zn、Sn−In合金、等が挙げられる。母材は、従来の電子部品で用いられてきた金属材料をそのまま用いることができ、例として、黄銅、銅合金、42アロイなどが挙げられる。電子部品の種類に応じて、適宜選択する。   In the present invention, examples of the Sn-based and / or Zn-based Pb-free material forming the plating layer include Sn-based alloys and Zn-based alloys. Pure Sn or pure Zn may be used. Sn-based alloys are preferable, and examples thereof include Sn-Cu, Sn-Ag, Sn-Bi, Sn-Zn, and Sn-In alloys. As a base material, a metal material that has been used in a conventional electronic component can be used as it is, and examples thereof include brass, a copper alloy, and 42 alloy. It selects suitably according to the kind of electronic component.

本発明において、防湿のため樹脂コーティング層の厚さに制限はない。従来の電子部品における防湿のため樹脂コーティング層の厚さと同じであってよく、例えば、10μm〜300μmの範囲である。この範囲の厚さの樹脂コーティング層であれば、めっき層から発生したウィスカを樹脂コーティング層の内側に抑え込むことができる。   In the present invention, the thickness of the resin coating layer is not limited for moisture prevention. It may be the same as the thickness of the resin coating layer for moisture prevention in the conventional electronic component, for example, in the range of 10 μm to 300 μm. If it is the resin coating layer of the thickness of this range, the whisker generated from the plating layer can be suppressed inside the resin coating layer.

本発明において、対象となる電子部品も任意であり、例として、ECUに設置される半導体装置、抵抗チップ、コンデンサ等を含む電子部品が挙げられる。さらには、それら半導体装置等のリードフレームが上げられる。それらの電子部品の全体が前記防湿のため樹脂コーティング層で覆われていてもよく、母材表面におけるSn系およびまたはZn系のPbフリーめっき層が形成されている領域が少なくとも覆われていてもよい。より具体的には、防湿のため樹脂コーティング層で覆われる部位として、電子部品のリードフレームあるいはその端子部分が挙げられる。   In the present invention, the target electronic component is also arbitrary, and examples include an electronic component including a semiconductor device, a resistor chip, a capacitor, and the like installed in the ECU. Furthermore, lead frames such as those semiconductor devices are raised. The whole of these electronic components may be covered with a resin coating layer for moisture prevention, and at least the region where the Sn-based and / or Zn-based Pb-free plating layer is formed on the surface of the base material is covered. Good. More specifically, examples of the portion covered with the resin coating layer for moisture prevention include a lead frame of an electronic component or a terminal portion thereof.

本発明において、樹脂コーティング層を形成する樹脂には、前記の硬さ条件を満たすことを条件に、従来の電子部品で用いられている防湿のため樹脂をそのまま用いることができる。一例として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ受け端樹脂、アクリル樹脂、等を挙げることができ、例えば架橋剤添加量を調整する等により、それらの樹脂被膜の硬度を調整することができる。   In the present invention, as the resin for forming the resin coating layer, the resin can be used as it is for moisture prevention used in conventional electronic components, provided that the above-mentioned hardness condition is satisfied. Examples include thermosetting resins such as epoxy resins, polyolefin resins, poly-resin end resins, acrylic resins, etc. For example, the hardness of those resin coatings can be adjusted by adjusting the amount of crosslinking agent added. can do.

なお、本発明において、スプリング硬さとは、JIS K6253(ISO48)に従いスプリング硬さ(Hs)A型のデュロメータを使用して測定する値である。   In the present invention, the spring hardness is a value measured using a spring hardness (Hs) A type durometer according to JIS K6253 (ISO48).

本発明によれば、製造工程数を増やすことなく、Pbフリーの材料をめっき層に採用しながら、外部にまでウィスカが成長するのを阻止することのできる電子部品が得られる。   According to the present invention, it is possible to obtain an electronic component that can prevent whiskers from growing to the outside while adopting a Pb-free material for the plating layer without increasing the number of manufacturing steps.

本発明の実施の形態の一例を、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明による電子部品の一例である半導体装置10の一部を示している。   An example of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows a part of a semiconductor device 10 which is an example of an electronic component according to the present invention.

図1において、11はICパッケージであり、端子12を備えたリードフレームに搭載されている。リードフレームは、通常銅合金であり、厚さは100μm〜500μm程度である。端子15の母材表面にはPbフリー材料であるめっき層13が形成されており、めっき層は、純Sn、あるいは、Sn−Cu、Sn−Bi、Sn−Ag合金等の、1〜5%のCu、Bi、Agを含むSn系合金、またはZn系合金からなり、通常、めっき層13の厚さは5μm〜15μm程度である。   In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an IC package, which is mounted on a lead frame having terminals 12. The lead frame is usually a copper alloy and has a thickness of about 100 μm to 500 μm. A plating layer 13 which is a Pb-free material is formed on the surface of the base material of the terminal 15, and the plating layer is made of pure Sn or 1 to 5% of Sn—Cu, Sn—Bi, Sn—Ag alloy or the like. The plating layer 13 is usually about 5 μm to 15 μm thick.

半導体装置10の表面側は、ICパッケージ11および端子12を含む全面が、厚さ10μm〜300μm程度である防湿のため樹脂コーティング層14で被覆されている。なお、図では、分かりやすさのために、半導体装置10表面と樹脂コーティング層14との間に隙間が描かれているが、実際の製品では両者は密着している。この樹脂コーティング層14は、例えば、有機溶剤で希釈したコーティング剤を半導体装置10の表面に塗布乾燥させる等の手段により形成することができる。表裏面の全面に樹脂コーティング層14を形成してもよく、場合によっては、めっき層13を形成したリードフレームの端子12の領域のみに形成してもよい。   The entire surface of the semiconductor device 10 including the IC package 11 and the terminals 12 is covered with a resin coating layer 14 for moisture prevention having a thickness of about 10 μm to 300 μm. In the figure, for the sake of clarity, a gap is drawn between the surface of the semiconductor device 10 and the resin coating layer 14, but the two are in close contact with each other in an actual product. The resin coating layer 14 can be formed by means such as applying and drying a coating agent diluted with an organic solvent on the surface of the semiconductor device 10. The resin coating layer 14 may be formed on the entire surface of the front and back surfaces, and in some cases, it may be formed only in the region of the terminal 12 of the lead frame on which the plating layer 13 is formed.

前記樹脂コーティング層14の硬さは、前記したように、JIS K6253(ISO48)に従いスプリング硬さ(Hs)A型のデュロメータを使用して測定したときの値が80゜〜85゜の範囲である。この硬さとすることにより、Pbフリーのめっき層13から発生するウィスカ15は、そこを突き抜けて外部に飛び出すことはなく、図示されるように、樹脂コーティング層14の内側に抑え込まれる。また、端子12の角部のように応力が集中する個所において樹脂コーティング層14に割れが発生することもない。そのために、樹脂コーティング層14は、本来の防湿機能をそのまま維持することができる。   As described above, the hardness of the resin coating layer 14 ranges from 80 ° to 85 ° when measured using a spring hardness (Hs) A type durometer according to JIS K6253 (ISO48). . With this hardness, the whisker 15 generated from the Pb-free plating layer 13 does not penetrate through the plating layer 13 and does not jump to the outside, and is restrained inside the resin coating layer 14 as shown in the figure. Further, the resin coating layer 14 is not cracked at a location where stress is concentrated like the corner portion of the terminal 12. Therefore, the resin coating layer 14 can maintain the original moisture-proof function as it is.

以下、実施例により本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described by way of examples.

[実施例1]
[サンプルの作成]
ICのリードフレーム材料として使用されている、表面が平坦な40mm×15mm×1mm(厚さ)の42アロイ(Ni42wt%−Fe)に電解めっきによりSn−3wt%Cu材料からなる厚さ10μmのめっき層を形成してテストピースとした。防湿のためコーティング樹脂としてポリオレフィン系コーティング剤(HumiSeal IB51(Chase Corp.製))を用い、それを有機溶剤で希釈し、表1に示すように、架橋剤(トリエチレンテトラミン)の添加量を変えた5種のコーティング剤を調整した。各コーティング剤に前記テストピースを浸漬し、室温(25℃)で3秒間放置し、その後、100℃でコーティング剤を乾燥させた。それにより、めっき層表面に平均30μmの樹脂コーティング層を有する5種類のサンプルを作成した。各サンプルについて、スプリング硬さ(Hs)A型のデュロメータを用いてスプリング硬さを測定した。その結果を表1に示した。
[Example 1]
[Create sample]
Plating of 40 μm × 15 mm × 1 mm (thickness) 42 alloy (Ni 42 wt% -Fe), which is used as an IC lead frame material, with a thickness of 10 μm made of Sn-3 wt% Cu material by electrolytic plating A layer was formed as a test piece. A polyolefin-based coating agent (HumiSeal IB51 (manufactured by Chase Corp.)) is used as a coating resin for moisture prevention, diluted with an organic solvent, and the amount of crosslinking agent (triethylenetetramine) is changed as shown in Table 1. Five coating agents were prepared. The test piece was immersed in each coating agent and allowed to stand at room temperature (25 ° C.) for 3 seconds, and then the coating agent was dried at 100 ° C. Thereby, five types of samples having an average 30 μm resin coating layer on the plating layer surface were prepared. About each sample, spring hardness was measured using the spring hardness (Hs) A type durometer. The results are shown in Table 1.

[ウィスカ試験]
上記5種のサンプルについて、最もウィスカが発生しやすい条件の1つと考えられている、−40℃と80℃とにそれぞれ各30分放置するサイクルを2000回繰り返す冷熱サイクル試験を行い、樹脂コーティング層を貫通してウィスカが成長しているかどうかを目視により観察した。その結果を表1に示した。
[Whisker test]
The above five types of samples are considered to be one of the conditions where whiskers are most likely to occur, and a thermal cycle test in which a cycle of leaving for 30 minutes each at −40 ° C. and 80 ° C. is repeated 2000 times is performed. It was visually observed whether or not the whiskers were growing. The results are shown in Table 1.

[実施例2]
[割れ試験]
前記図1に示したような形状の端子部を持つ実際のICのリードフレーム(厚さ0.15mmの42アロイ(Ni42wt%−Fe)、1つの端子の幅0.4mmで2つの90゜の曲がり部を持つ)に、実施例1と同様、電解めっきによりSn−3wt%Cu材料からなる厚さ10μmのめっき層を形成してテストピースとした。それを、実施例1と同じ5種のコーティング剤を浸漬し、室温(25℃)で3秒間放置した後に引き上げて、室温(25℃)で1時間放置し、乾燥させた。乾燥後に、めっき層表面に形成された樹脂コーティング層に割れ発生しているかどうかを目視により観察した。表1に示すように、スプリング硬さが85゜以下のもの(サンプル1〜5)では割れの発生は観察されなかったが、スプリング硬さが88゜であるサンプル5では、主に端子の曲がり部の近傍に割れが観察された。
[Example 2]
[Crack test]
The lead frame of an actual IC having a terminal portion shaped as shown in FIG. 1 (42 alloy (Ni 42 wt% -Fe) with a thickness of 0.15 mm), two 90 ° widths with a terminal width of 0.4 mm. In the same manner as in Example 1, a plating layer having a thickness of 10 μm made of Sn-3 wt% Cu material was formed by electrolytic plating in the same manner as in Example 1 to obtain a test piece. It was immersed in the same five coating agents as in Example 1, left at room temperature (25 ° C.) for 3 seconds, then pulled up, left at room temperature (25 ° C.) for 1 hour, and dried. After drying, whether the resin coating layer formed on the plating layer surface was cracked was visually observed. As shown in Table 1, no cracking was observed in samples with a spring hardness of 85 ° or less (samples 1 to 5), but in sample 5 with a spring hardness of 88 °, the terminal was bent mainly. Cracks were observed in the vicinity of the part.

Figure 2009038075
Figure 2009038075

[考察]
表1に示すように、スプリング硬さが75゜以下では樹脂コーティング層を貫通するウィスカが発生しており、ウィスカ抑制の観点からは樹脂コーティング層のスプリング硬さ80゜以上であることが望ましい。一方、スプリング硬さが85゜を超えると、実機に近い製品の樹脂コーティング層に割れが発生しており、樹脂コーティング層本来の機能を損なうことから好ましくない。このことから、ウィスカの成長抑制と樹脂コーティング層の割れ防止を両立するための条件は、スプリング硬さが80゜〜85゜の範囲であることがわかる。
[Discussion]
As shown in Table 1, whiskers penetrating the resin coating layer are generated when the spring hardness is 75 ° or less, and the spring hardness of the resin coating layer is preferably 80 ° or more from the viewpoint of whisker suppression. On the other hand, if the spring hardness exceeds 85 °, the resin coating layer of the product close to the actual machine is cracked, which is not preferable because the original function of the resin coating layer is impaired. From this, it can be seen that the condition for achieving both suppression of whisker growth and prevention of cracking of the resin coating layer is that the spring hardness is in the range of 80 ° to 85 °.

本発明による電子部品の一例である半導体装置を断面で示す図。The figure which shows the semiconductor device which is an example of the electronic component by this invention in a cross section.

符号の説明Explanation of symbols

10…本発明による電子部品の一例である半導体装置、11…ICパッケージ、12…リードフレームの端子、13…Sn系およびまたはZn系のPbフリーめっき層、14…防湿のため樹脂コーティング層、15…ウィスカ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor device which is an example of the electronic component by this invention, 11 ... IC package, 12 ... Lead frame terminal, 13 ... Sn system and / or Zn system Pb free plating layer, 14 ... Resin coating layer for moisture prevention, 15 ... whisker

Claims (3)

母材表面にSn系およびまたはZn系のPbフリーめっき層を有しかつ少なくともめっき層を覆うようにして樹脂コーティング層が形成されている電子部品であって、前記樹脂コーティング層はスプリング硬さが80゜〜85゜であることを特徴とする電子部品。   An electronic component having a Sn-based and / or Zn-based Pb-free plating layer on a surface of a base material and having a resin coating layer formed so as to cover at least the plating layer, the resin coating layer having a spring hardness An electronic component characterized by an angle of 80 ° to 85 °. 前記樹脂コーティング層の厚さが10μm〜300μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 1, wherein a thickness of the resin coating layer is in a range of 10 μm to 300 μm. 電子部品が半導体装置等のリードフリームであることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is a lead freeme such as a semiconductor device.
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