JP2009032733A - Lead frame for light coupled semiconductor device, and method of manufacturing light coupled semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame for light coupled semiconductor device and a method of manufacturing the light coupled semiconductor device to form a highly accurate resin sealing part (light coupled semiconductor device) with good manufacturing yield by preventing leakage of sealing resin in view of reducing faults to be generated in the manufacturing processes. <P>SOLUTION: When a frame part 11 for a first element of the lead frame 10 for the first element and a frame part 21 for a second element of the lead frame 20 for the second element are overlapped with each other, a tie bar 12 for the first element is engaged with a groove part 25 of the frame part 21 of the second element. The tie bar 12 for the first element has a first convex part 16 opposing to the groove part 25 at a side surface in the side of the resin sealing part 30 and the groove part 25 has a concave part 26 to be engaged with the first convex part 16 at a side surface opposing to the tie bar 12 for the first element. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光素子および半導体受光素子を光結合させて樹脂封止することにより形成される光結合半導体装置に適用される光結合半導体装置用リードフレームおよびこのような光結合半導体装置用リードフレームを適用して光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame for an optically coupled semiconductor device applied to an optically coupled semiconductor device formed by optically coupling a semiconductor light emitting element and a semiconductor light receiving element and encapsulating the resin, and a lead for such an optically coupled semiconductor device. The present invention relates to an optically coupled semiconductor device manufacturing method for manufacturing an optically coupled semiconductor device by applying a frame.

電源回路などの高電圧の電子機器では、高い絶縁性を要求されることからフォトカプラ(光結合半導体装置)が適用されることが多い。電子機器の低価格化、高機能化に伴いフォトカプラへの要求も厳しくなり、低価格化、高信頼性が要求されるようになっている。   In a high-voltage electronic device such as a power supply circuit, a photocoupler (an optically coupled semiconductor device) is often applied because high insulation is required. The demand for photocouplers has become stricter as the price and functionality of electronic devices have been reduced, leading to demands for lower prices and higher reliability.

低価格化、高信頼性を実現するために、トランスファーモールド形式のフォトカプラが提案されている。トランスファーモールド形式のフォトカプラの製造には、トランスファーモールドに適合したリードフレーム(光結合半導体装置用リードフレーム)が提案されている。   In order to achieve low cost and high reliability, transfer mold type photocouplers have been proposed. In the manufacture of transfer mold type photocouplers, lead frames (lead frames for optically coupled semiconductor devices) suitable for transfer molds have been proposed.

図14ないし図19に基づいて、従来の光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。   A conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device will be described with reference to FIGS.

図14は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの端面図である。   14A and 14B are explanatory views for explaining a first element lead frame constituting a conventional optically coupled semiconductor device lead frame. FIG. 14A is a plan view, and FIG. 14B is an arrow B-B in FIG. FIG.

図15は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第2素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の側面図である。   FIGS. 15A and 15B are explanatory views for explaining a second element lead frame constituting a conventional optically coupled semiconductor device lead frame, wherein FIG. 15A is a plan view and FIG. 15B is a side view of FIG.

第1素子用リードフレーム110および第2素子用リードフレーム120は相対的なものであり、例えば第1素子用リードフレーム110に半導体受光素子を搭載した場合は第2素子用リードフレーム120には半導体発光素子を搭載することになる。また、第1素子用リードフレーム110に半導体発光素子を搭載した場合は第2素子用リードフレーム120には半導体受光素子を搭載することとなる。   The first element lead frame 110 and the second element lead frame 120 are relative to each other. For example, when a semiconductor light receiving element is mounted on the first element lead frame 110, the second element lead frame 120 includes a semiconductor. A light emitting element will be mounted. When a semiconductor light emitting element is mounted on the first element lead frame 110, a semiconductor light receiving element is mounted on the second element lead frame 120.

第1素子用リードフレーム110は、第1素子用フレーム枠部111と、第1素子用フレーム枠部111から交差方向に延伸された第1素子用タイバー112と、第1素子用タイバー112から延伸された第1素子用リード端子113の先端に配置され第1光半導体素子チップ(不図示)が搭載される第1素子用ヘッダ部114とを有する。   The first element lead frame 110 includes a first element frame frame 111, a first element tie bar 112 extending in a cross direction from the first element frame frame 111, and an extension from the first element tie bar 112. And a first element header portion 114 on which a first optical semiconductor element chip (not shown) is mounted.

また、第2素子用リードフレーム120は、第2素子用フレーム枠部121と、第2素子用フレーム枠部121から交差方向に延伸された第2素子用タイバー122と、第2素子用タイバー122から延伸された第2素子用リード端子123の先端に配置され第2光半導体素子チップ(不図示)が搭載される第2素子用ヘッダ部124とを有する。   The second element lead frame 120 includes a second element frame frame 121, a second element tie bar 122 extending from the second element frame frame 121 in the intersecting direction, and a second element tie bar 122. And a second element header portion 124 on which a second optical semiconductor element chip (not shown) is mounted.

第2素子用フレーム枠部121は、第1素子用フレーム枠部111および第2素子用フレーム枠部121を重ね合わせたときに第1素子用タイバー112が嵌め込まれる溝部125を有する。   The second element frame frame 121 has a groove 125 into which the first element tie bar 112 is fitted when the first element frame frame 111 and the second element frame frame 121 are overlapped.

また、第1素子用タイバー112は、第1素子用フレーム枠部111および第2素子用フレーム枠部121を重ね合わせたときに溝部125に嵌め込まれるように屈曲部115を形成してある。つまり、第1素子用タイバー112は、第2素子用フレーム枠部121の板厚に対応させて屈曲させてある。   Further, the first element tie bar 112 is formed with a bent portion 115 so as to be fitted into the groove portion 125 when the first element frame frame portion 111 and the second element frame frame portion 121 are overlapped. That is, the first element tie bar 112 is bent in accordance with the plate thickness of the second element frame frame 121.

図16は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームおよび第2素子用リードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図である。   FIG. 16 is a plan view showing a state in which a lead frame for a first element and a lead frame for a second element constituting a conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device are overlapped.

図17は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。   FIG. 17 is a plan view showing a state where a resin sealing portion is formed on a conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device.

例えば、半導体発光素子を搭載した第1素子用リードフレーム110と半導体受光素子を搭載した第2素子用リードフレーム120とを重ね合わせる。つまり、第1素子用リードフレーム110および第2素子用リードフレーム120で光結合半導体装置用リードフレームが構成される。   For example, a first element lead frame 110 on which a semiconductor light emitting element is mounted and a second element lead frame 120 on which a semiconductor light receiving element is mounted are overlapped. That is, the first element lead frame 110 and the second element lead frame 120 constitute an optically coupled semiconductor device lead frame.

第1素子用フレーム枠部111および第2素子用フレーム枠部121を重ね合わせた後、第1素子用ヘッダ部114(例えば半導体発光素子)および第2素子用ヘッダ部124(例えば半導体受光素子)が光結合状態となるように樹脂封止部130を形成する。樹脂封止部130を形成する封止樹脂は第1素子用タイバー112および第2素子用タイバー122で画定される樹脂充填領域Rfaで堰き止められ、樹脂封止部130を形成することが可能となる。   After the first element frame frame portion 111 and the second element frame frame portion 121 are overlapped, the first element header portion 114 (for example, a semiconductor light emitting element) and the second element header portion 124 (for example, a semiconductor light receiving element). The resin sealing portion 130 is formed so as to be in an optically coupled state. The sealing resin forming the resin sealing portion 130 is blocked by the resin filling region Rfa defined by the first element tie bar 112 and the second element tie bar 122, and the resin sealing portion 130 can be formed. Become.

樹脂封止部130を形成した後、光結合半導体装置用リードフレーム(第1素子用タイバー112、第2素子用タイバー122)を適宜切断し、樹脂バリ除去により、光結合半導体装置を形成することとなる。   After forming the resin sealing portion 130, the optically coupled semiconductor device lead frame (first element tie bar 112, second element tie bar 122) is appropriately cut, and the resin burrs are removed to form the optically coupled semiconductor device. It becomes.

図18は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成するときの樹脂漏れ経路の状態を示す説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。   18A and 18B are explanatory views showing a state of a resin leakage path when a resin sealing portion is formed with respect to a conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device. FIG. 18A is an enlarged plan view, and FIG. It is an end view which shows the end surface of the cross section by arrow BB of A).

図17に示した樹脂封止部130を形成したときの封止樹脂が樹脂充填領域Rfaから漏出する状態を説明する。   A state where the sealing resin leaks from the resin filling region Rfa when the resin sealing portion 130 shown in FIG. 17 is formed will be described.

第2素子用フレーム枠部121の溝部125に屈曲された第1素子用タイバー112が嵌め込まれることから、樹脂充填領域Rfaから漏出する封止樹脂の樹脂漏れ経路Rrsは、第2素子用フレーム枠部121および第1素子用フレーム枠部111が重ね合わされた領域で堰き止められる。   Since the first element tie bar 112 bent in the groove part 125 of the second element frame 121 is fitted, the resin leakage path Rrs of the sealing resin leaking from the resin filling region Rfa is the second element frame. The area 121 and the first element frame frame section 111 are dammed up.

図19は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成したときの樹脂漏れ経路が短い場合の状態を示す説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。   FIG. 19 is an explanatory view showing a state in which a resin leakage path is short when a resin sealing portion is formed with respect to a conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device, (A) is an enlarged plan view, (B) ) Is an end view showing the end face of the cross section at arrow BB in (A).

低価格化を実現するために、光結合半導体装置用リードフレームにおいても単位面積あたりの取り数を増やすために小型化、サイズの縮小化が図られている。例えば、従来の光結合半導体装置用リードフレームの場合、第2素子用フレーム枠部121の幅Wfを縮小することが求められ、結果として溝部125の長さLgが短くなることがある。   In order to reduce the cost, the lead frame for an optically coupled semiconductor device is also reduced in size and size in order to increase the number of units per unit area. For example, in the case of a conventional lead frame for an optically coupled semiconductor device, it is required to reduce the width Wf of the frame frame portion 121 for the second element, and as a result, the length Lg of the groove portion 125 may be shortened.

溝部125の長さLgを短くした場合、樹脂充填領域Rfaから漏出した封止樹脂は、樹脂漏れ経路Rrsを介して第1素子用リードフレーム110(第1素子用フレーム枠部111)と第2素子用リードフレーム120(第2素子用フレーム枠部121)とが重ね合わされた領域へ回り込み、第1素子用タイバー112を超えて漏出樹脂領域Rtaを形成する恐れがある。   When the length Lg of the groove 125 is shortened, the sealing resin leaked from the resin filling region Rfa is connected to the first element lead frame 110 (the first element frame frame 111) and the second through the resin leakage path Rrs. There is a possibility that the element lead frame 120 (second element frame frame portion 121) may wrap around the area where the element lead frame 120 (second element frame frame portion 121) is overlapped to form the leakage resin region Rta beyond the first element tie bar 112.

また、第1素子用タイバー112と第2素子用フレーム枠部121の溝部125との間の間隙Giを封止樹脂の漏出を防ぐために狭くした場合、樹脂封止部130を形成するときに光結合半導体装置用リードフレームに熱を加えることから、光結合半導体装置用リードフレームが熱膨張し、溝部125に対する第1素子用タイバー112の嵌め込みが正常に実現できない状態となり工程不良を生じる恐れがある。   Further, when the gap Gi between the first element tie bar 112 and the groove part 125 of the second element frame frame 121 is narrowed to prevent leakage of the sealing resin, light is emitted when the resin sealing part 130 is formed. Since heat is applied to the lead frame for the coupled semiconductor device, the lead frame for the optically coupled semiconductor device is thermally expanded, and the first element tie bar 112 cannot be normally fitted into the groove portion 125, which may cause a process failure. .

つまり、理想的には、第1素子用タイバー112と溝部125の間には十分な余裕間隙があり、かつ封止樹脂が樹脂漏れ経路Rrsを介して漏出しないことが望ましい。   That is, ideally, it is desirable that there is a sufficient margin between the first element tie bar 112 and the groove portion 125 and that the sealing resin does not leak through the resin leakage path Rrs.

このような従来の問題を解決する方法としては、重ね合わせの領域を大きくして樹脂漏れ経路Rrsの距離を長くし、封止樹脂を樹脂漏れ経路Rrsの途中で止める方法がある。   As a method for solving such a conventional problem, there is a method of enlarging the overlapping region to increase the distance of the resin leakage path Rrs and stopping the sealing resin in the middle of the resin leakage path Rrs.

しかし、第2素子用フレーム枠部121の幅Wfを広くとった場合、製品取れ数が減少し、生産性が低下することから、生産効率の面から好ましいことではない。また、第2素子用フレーム枠部121の幅Wfを広くすることは、光結合半導体装置用リードフレームの無駄な部分を増やすこととなり、材料費が大きくなるという問題が生じる。   However, when the width Wf of the second element frame frame 121 is wide, the number of products that can be obtained decreases and the productivity decreases, which is not preferable in terms of production efficiency. Further, widening the width Wf of the second element frame frame 121 increases the number of useless portions of the lead frame for an optically coupled semiconductor device, which causes a problem of increased material costs.

なお、例えば特許文献1には、樹脂漏れ対策を施した光結合半導体装置用リードフレームの形状が開示してあるが、上述した問題までは解決することが困難である。また、光結合半導体装置用リードフレームとして特許文献2、特許文献3などが開示されている。
特開平6−237010号公報 特開平3−141677号公報 特開平6−132561号公報
For example, Patent Document 1 discloses the shape of a lead frame for an optically coupled semiconductor device in which measures against resin leakage are taken, but it is difficult to solve the above-described problems. Further, Patent Literature 2, Patent Literature 3, and the like are disclosed as lead frames for optically coupled semiconductor devices.
JP-A-6-237010 Japanese Patent Laid-Open No. 3-141677 Japanese Patent Laid-Open No. 6-132561

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、第1素子用フレーム枠部および第2素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに第1素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有する第2素子用フレーム枠部と、樹脂封止部側の側面に溝部に対向する第1凸部を有する第1素子用タイバーとを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部(光結合半導体装置)を形成することができる光結合半導体装置用リードフレーム提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and has a second groove portion into which the first element tie bar is fitted when the first element frame frame portion and the second element frame frame portion are overlapped. This is a case where the lead frame for the optically coupled semiconductor device is downsized by providing the element frame frame portion and the first element tie bar having the first convex portion facing the groove portion on the side surface on the resin sealing portion side. However, it is possible to provide a lead frame for an optically coupled semiconductor device that can prevent resin leakage of the encapsulating resin, reduce process defects, and form a highly accurate resin-encapsulated portion (optically coupled semiconductor device) with high yield. Objective.

また、本発明は、第1素子用リードフレームおよび第2素子用リードフレームを重ね合わせて第2素子用フレーム枠部が有する溝部に第1素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、第1素子用タイバーが樹脂封止部側の側面で溝部に対向して有する第1凸部と溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程とを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。   The present invention also provides a lead frame fitting step in which the first element lead frame and the second element lead frame are overlapped, and the first element tie bar is fitted into the groove of the second element frame frame, The lead frame for an optically coupled semiconductor device can be reduced in size by providing a pressing process for pressing the region extending between the first convex portion and the groove portion that the one-element tie bar faces the groove portion on the side surface on the resin sealing portion side. Even in the case of reducing the resin leakage path, it is possible to prevent leakage of the sealing resin in the resin sealing process, reduce process defects, and form a highly accurate resin sealing portion. It is another object to provide a method for manufacturing an optically coupled semiconductor device.

本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームは、第1素子用フレーム枠部と、該第1素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第1素子用タイバーと、該第1素子用タイバーから延伸された第1素子用リード端子の先端に配置され第1光半導体素子チップが搭載される第1素子用ヘッダ部とを有する第1素子用リードフレーム、および、第2素子用フレーム枠部と、該第2素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第2素子用タイバーと、該第2素子用タイバーから延伸された第2素子用リード端子の先端に配置され第2光半導体素子チップが搭載される第2素子用ヘッダ部とを有する第2素子用リードフレームを備え、前記第1素子用フレーム枠部および前記第2素子用フレーム枠部を重ね合わせて前記第1光半導体素子チップおよび前記第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成することで光結合半導体装置を形成する光結合半導体装置用リードフレームであって、前記第2素子用フレーム枠部は、前記第1素子用フレーム枠部および前記第2素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに前記第1素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、前記第1素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記溝部に対向する第1凸部を有することを特徴とする。   A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention includes a first element frame frame portion, a first element tie bar extending in an intersecting direction from the first element frame frame portion, and the first element tie bar. A first element lead frame having a first element header portion disposed at a front end of a first element lead terminal extended from the first element and having a first optical semiconductor element chip mounted thereon; and a second element frame frame portion A second element tie bar extending in a cross direction from the second element frame frame portion, and a second optical semiconductor element disposed at the tip of a second element lead terminal extended from the second element tie bar A second element lead frame having a second element header portion on which a chip is mounted; and the first optical semiconductor element is formed by overlapping the first element frame frame portion and the second element frame frame portion. Chi And a lead frame for an optically coupled semiconductor device that forms an optically coupled semiconductor device by forming a resin sealing portion so that the second optical semiconductor element chip can be optically coupled. The frame frame portion has a groove portion into which the first element tie bar is fitted when the first element frame frame portion and the second element frame frame portion are overlapped, and the first element tie bar is It has the 1st convex part which counters the above-mentioned slot on the side by the side of the above-mentioned resin sealing part.

この構成により、第2素子用フレーム枠部の幅を縮小して溝部の樹脂流出経路方向での長さを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部を形成することができる。   With this configuration, even when the width of the frame frame portion for the second element is reduced to reduce the length of the groove portion in the direction of the resin outflow path, the resin leakage path can be narrowed or lengthened. Even when the lead frame for a coupled semiconductor device is downsized, resin leakage of the sealing resin can be prevented, process defects can be reduced, and a highly accurate resin sealing portion can be formed with high yield.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部は、前記第1素子用タイバーに対向する側面に前記第1凸部と噛み合う凹部を有することを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the groove portion has a concave portion that meshes with the first convex portion on a side surface facing the first element tie bar.

この構成により、樹脂漏れ経路を確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。   With this configuration, the resin leakage path can be reliably narrowed or lengthened.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第1素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記第2素子用フレーム枠部に沿う第2凸部を有することを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the first element tie bar has a second convex portion along the second element frame frame portion on a side surface on the resin sealing portion side. Features.

この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。   With this configuration, the resin leakage path can be more reliably narrowed or lengthened.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第2素子用フレーム枠部は、前記樹脂封止部側の側面に前記第1素子用タイバーに沿う第3凸部を有することを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the frame frame portion for the second element has a third protrusion along the first element tie bar on a side surface on the resin sealing portion side. Features.

この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。   With this configuration, the resin leakage path can be more reliably narrowed or lengthened.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第1凸部は、第1素子用タイバーの板厚より薄くされた薄板部を有し、前記凹部は、第2素子用フレーム枠部の板厚より薄くされた薄板部を有し、前記第1凸部の前記薄板部および前記凹部の前記薄板部は、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the first convex portion has a thin plate portion made thinner than a plate thickness of the first element tie bar, and the concave portion is a frame frame for the second element. The thin plate portion of the first convex portion and the thin plate portion of the concave portion are disposed on opposite surfaces and are formed to be in contact with each other and overlap each other. It is characterized by being.

この構成により、第1凸部の薄板部および凹部の薄板部を当接させることから、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に遮断することが可能となる。   With this configuration, since the thin plate portion of the first convex portion and the thin plate portion of the concave portion are brought into contact with each other, the resin leakage path can be narrowed or lengthened, and leakage of the sealing resin through the resin leakage path can be achieved. It becomes possible to shut off reliably.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第1凸部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記凹部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記第1凸部の前記傾斜部および前記凹部の前記傾斜部は、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the side surface of the first convex portion has an inclined portion inclined from one surface to the other surface, and the side surface of the concave portion is one surface. An inclined portion inclined from one side to the other surface, and the inclined portion of the first convex portion and the inclined portion of the concave portion are arranged so as to face each other and are formed to overlap each other. It is characterized by.

この構成により、第1凸部の傾斜部および凹部の傾斜部を互いに対面させることから、双方の傾斜部を相互に近接させることが可能となり、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。   With this configuration, since the inclined portion of the first convex portion and the inclined portion of the concave portion face each other, both inclined portions can be brought close to each other, and leakage of the sealing resin through the resin leakage path is ensured. It becomes possible to suppress and prevent.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第1凸部は、第1素子用タイバーの板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記凹部は、第2素子用フレーム枠部の板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記第1凸部の前記段差部および前記凹部の前記段差部は、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the first convex portion has a stepped portion having a plurality of plate thicknesses thinner than the plate thickness of the first element tie bar, and the concave portion is A step portion having a plurality of thicknesses smaller than a plate thickness of the frame frame portion for the second element, and the step portion of the first protrusion and the step portion of the recess are arranged on opposite surfaces. And are formed so as to be engaged with each other.

この構成により、第1凸部の段差部および凹部の段差部を互いに噛み合わせることから、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。   With this configuration, the stepped portion of the first convex portion and the stepped portion of the recessed portion are engaged with each other, so that leakage of the sealing resin through the resin leakage path can be reliably suppressed and prevented.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部は、前記第2素子用フレーム枠部の板厚の途中に底面となる溝底部を有してあり、前記第1素子用タイバーの前記溝部に嵌め込まれる嵌合薄板部は、前記第1素子用タイバーの板厚より薄くしてあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the groove portion has a groove bottom portion serving as a bottom surface in the middle of the plate thickness of the second element frame frame portion, and the first element tie bar. The fitting thin plate portion fitted into the groove portion is made thinner than the plate thickness of the first element tie bar.

この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化することが可能となる。   With this configuration, the resin leakage path can be more reliably narrowed.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部および前記第1凸部にわたる領域にプレス加工を施してあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the region extending over the groove and the first protrusion is pressed.

この構成により、第2素子用フレーム枠部(溝部)と第1素子用タイバー(第1凸部)との間の位置合わせ余裕のための空間をプレス加工によって狭小化することが可能となることから、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化することができる。   With this configuration, it is possible to narrow the space for the alignment margin between the second element frame frame (groove) and the first element tie bar (first protrusion) by pressing. Thus, the resin leakage path can be more reliably narrowed.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第2素子用フレーム枠部は、前記溝部の近傍で貫通孔を備えることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the frame frame portion for the second element includes a through hole in the vicinity of the groove portion.

この構成により、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム(第2素子用リードフレーム)の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。   With this configuration, it is possible to absorb the thermal expansion of the optically coupled semiconductor device lead frame (second element lead frame) during resin sealing, and it is possible to absorb stress and improve fitting accuracy.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第1素子用フレーム枠部は、前記第1素子用タイバーの近傍で貫通孔を備えることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the first element frame frame portion includes a through hole in the vicinity of the first element tie bar.

この構成により、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム(第1素子用リードフレーム)の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。   With this configuration, it is possible to absorb the thermal expansion of the optically coupled semiconductor device lead frame (first element lead frame) during resin sealing, and it is possible to absorb stress and improve fitting accuracy.

また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部に前記第1素子用タイバーを嵌め込んだ状態では、前記樹脂封止部に対応する第1素子用タイバーおよび第2素子用タイバーは面一となるように形成してあることを特徴とする。   In the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, when the first element tie bar is fitted in the groove, the first element tie bar and the second element tie bar corresponding to the resin sealing part are provided. Is formed to be flush with each other.

この構成により、樹脂漏れ経路での樹脂漏れが少なく、高精度に歩留まり良く樹脂封止部を形成することが可能となる。   With this configuration, the resin sealing portion can be formed with high accuracy and high yield with less resin leakage in the resin leakage path.

また、本発明に係る光結合半導体装置製造方法は、第1素子用フレーム枠部および該第1素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第1素子用タイバーを備えた第1素子用リードフレームが有する第1素子用ヘッダ部に第1光半導体素子チップを搭載して第1素子用リードフレームを準備する第1リードフレーム準備工程と、第2素子用フレーム枠部および該第2素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第2素子用タイバーを備えた第2素子用リードフレームが有する第2素子用ヘッダ部に第2光半導体素子チップを搭載して第2素子用リードフレームを準備する第2リードフレーム準備工程と、前記第1素子用リードフレームおよび前記第2素子用リードフレームを重ね合わせて前記第2素子用フレーム枠部が有する溝部に前記第1素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、前記第1素子用タイバーを前記溝部に嵌め込んだ状態で前記第1光半導体素子チップおよび前記第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える光結合半導体装置製造方法であって、前記リードフレーム嵌合工程の後に、前記第1素子用タイバーが前記樹脂封止部側の側面で前記溝部に対向して有する第1凸部と前記溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程を備えることを特徴とする。   Further, the optically coupled semiconductor device manufacturing method according to the present invention includes a first element lead including a first element frame frame and a first element tie bar extending in a crossing direction from the first element frame frame. A first lead frame preparation step of preparing a first element lead frame by mounting a first optical semiconductor element chip on a first element header portion of the frame; a second element frame frame portion; and a second element frame portion A second optical semiconductor element chip is mounted on a second element header portion of a second element lead frame having a second element tie bar extending in a cross direction from the frame frame portion, and the second element lead frame is mounted. The second lead frame preparation step to be prepared, and the first element lead frame and the second element lead frame are overlapped with each other in the groove portion of the second element frame frame portion. A lead frame fitting step for fitting a tie bar for one element, and a state in which the first optical semiconductor element chip and the second optical semiconductor element chip can be optically coupled with the first tie bar for the element being fitted in the groove. And a resin sealing step for forming a resin sealing portion so that the first element tie bar is on the resin sealing portion side after the lead frame fitting step. And a pressing step of pressing the region extending between the first convex portion and the groove portion facing the groove portion on the side surface.

この構成により、リードフレーム嵌合工程の後に、溝部および第1凸部にわたる領域をプレス加工することが可能となることから、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することができる。   With this configuration, it is possible to press the region extending over the groove and the first convex portion after the lead frame fitting step, so even if the lead frame for an optically coupled semiconductor device is downsized, the resin Provided is a method for manufacturing an optically coupled semiconductor device capable of narrowing a leakage path to prevent leakage of a sealing resin in a resin sealing process, reducing process defects, and forming a highly accurate resin sealing portion. can do.

本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームによれば、第2素子用フレーム枠部は、第1素子用フレーム枠部および第2素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに第1素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、第1素子用タイバーは、樹脂封止部側の側面に溝部に対向する第1凸部を有することから、第2素子用フレーム枠部の幅を縮小して溝部の樹脂流出経路方向での長さを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部を形成することができるという効果を奏する。   According to the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present invention, the second element frame frame portion includes the first element tie bar when the first element frame frame portion and the second element frame frame portion overlap each other. Since the first element tie bar has a first convex part that faces the groove part on the side surface on the resin sealing part side, the width of the second element frame frame part is reduced to form the groove part. Even when the length of the resin in the direction of the resin outflow path is reduced, the resin leakage path can be narrowed or lengthened. Even if the lead frame for an optically coupled semiconductor device is downsized, sealing is possible. There is an effect that the resin leakage of the resin can be prevented, process defects can be reduced, and a highly accurate resin sealing portion can be formed with a high yield.

また、本発明に係る光結合半導体装置製造方法によれば、第1素子用リードフレームおよび第2素子用リードフレームを重ね合わせて第2素子用フレーム枠部が有する溝部に第1素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、第1素子用タイバーが樹脂封止部側の側面で溝部に対向して有する第1凸部と溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程とを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。   According to the optically coupled semiconductor device manufacturing method of the present invention, the first element tie bar is placed in the groove of the second element frame frame by overlapping the first element lead frame and the second element lead frame. A lead frame fitting step for fitting, and a pressing step for pressing a region extending between the first convex portion and the groove portion that the first element tie bar has on the side surface on the resin sealing portion side facing the groove portion. Even when the lead frame for an optically coupled semiconductor device is downsized, the resin leakage path is narrowed to prevent leakage of the sealing resin in the resin sealing process, and the process defects are reduced to provide a high-precision resin. There is an effect that it is possible to provide a method for manufacturing an optically coupled semiconductor device capable of forming a sealing portion.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<実施の形態1>
図1ないし図3に基づいて、本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。
<Embodiment 1>
The lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は、本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。   1A and 1B are explanatory views for explaining a lead frame for a first element constituting a lead frame for an optically coupled semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1A is a plan view, and FIG. It is an end view which shows the end surface of the cross section by arrow BB of).

図2は、本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第2素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の側面図である。なお、側面図では、第2素子用ヘッダ部は省略してある。   2A and 2B are explanatory views for explaining a second element lead frame constituting the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2A is a plan view, and FIG. FIG. In the side view, the second element header portion is omitted.

光結合半導体装置を形成する本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームは、第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20を備える。つまり、第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20で光結合半導体装置用リードフレームが構成される。   The lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present embodiment for forming the optically coupled semiconductor device includes a first element lead frame 10 and a second element lead frame 20. That is, the first element lead frame 10 and the second element lead frame 20 constitute an optically coupled semiconductor device lead frame.

従来技術について説明したとおり、第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20は相対的なものであり、例えば第1素子用リードフレーム10に半導体受光素子を搭載した場合は第2素子用リードフレーム20には半導体発光素子を搭載することになる。また、第1素子用リードフレーム10に半導体発光素子を搭載した場合は第2素子用リードフレーム20には半導体受光素子を搭載することとなる。   As described for the prior art, the first element lead frame 10 and the second element lead frame 20 are relative to each other. For example, when the semiconductor light receiving element is mounted on the first element lead frame 10, the second element A semiconductor light emitting element is mounted on the lead frame 20 for use. When a semiconductor light emitting element is mounted on the first element lead frame 10, a semiconductor light receiving element is mounted on the second element lead frame 20.

以下、第1素子用リードフレーム10に搭載される半導体素子を第1光半導体素子チップとし、第2素子用リードフレーム20に搭載される半導体素子を第2光半導体素子チップとする。なお、本発明は、光結合半導体装置用リードフレームに関するものであるので、半導体素子についての説明は、省略する。   Hereinafter, the semiconductor element mounted on the first element lead frame 10 is referred to as a first optical semiconductor element chip, and the semiconductor element mounted on the second element lead frame 20 is referred to as a second optical semiconductor element chip. Since the present invention relates to a lead frame for an optically coupled semiconductor device, description of the semiconductor element is omitted.

第1素子用リードフレーム10は、第1素子用フレーム枠部11と、第1素子用フレーム枠部11から交差方向に延伸された第1素子用タイバー12と、第1素子用タイバー12から延伸された第1素子用リード端子13の先端に配置され第1光半導体素子チップ(不図示)が搭載される第1素子用ヘッダ部14とを有する。   The first element lead frame 10 includes a first element frame frame 11, a first element tie bar 12 extending in the crossing direction from the first element frame frame 11, and an extension from the first element tie bar 12. The first element header portion 14 is disposed at the tip of the first element lead terminal 13 and has a first optical semiconductor element chip (not shown) mounted thereon.

また、第2素子用リードフレーム20は、第2素子用フレーム枠部21と、第2素子用フレーム枠部21から交差方向に延伸された第2素子用タイバー22と、第2素子用タイバー22から延伸された第2素子用リード端子23の先端に配置され第2光半導体素子チップ(不図示)が搭載される第2素子用ヘッダ部24とを有する。   The second element lead frame 20 includes a second element frame frame portion 21, a second element tie bar 22 extending from the second element frame frame portion 21 in the crossing direction, and a second element tie bar 22. And a second element header portion 24 on which a second optical semiconductor element chip (not shown) is mounted.

第2素子用フレーム枠部21は、第1素子用フレーム枠部11および第2素子用フレーム枠部21を重ね合わせたときに第1素子用タイバー12が嵌め込まれる溝部25を有する。したがって、溝部25は、第2素子用フレーム枠部21の板厚Tf方向で貫通させて形成してある。   The second element frame frame portion 21 has a groove 25 into which the first element tie bar 12 is fitted when the first element frame frame portion 11 and the second element frame frame portion 21 are overlapped. Therefore, the groove portion 25 is formed so as to penetrate the second element frame frame portion 21 in the plate thickness Tf direction.

また、第1素子用タイバー12は、第1素子用フレーム枠部11および第2素子用フレーム枠部21を重ね合わせたときに溝部25に嵌め込まれるように屈曲部15を形成してある。つまり、第1素子用タイバー12は、第2素子用フレーム枠部21の板厚に対応させて屈曲させてある(図1(B)参照)。   Further, the first element tie bar 12 is formed with a bent portion 15 so as to be fitted into the groove portion 25 when the first element frame frame portion 11 and the second element frame frame portion 21 are overlapped. That is, the first element tie bar 12 is bent in accordance with the thickness of the second element frame frame 21 (see FIG. 1B).

第1素子用リードフレーム10は、平面状の第1素子用フレーム枠部11に対して板厚分屈曲された平面状の第1素子用タイバー12を有する。また、第2素子用リードフレーム20は、平面状であり、第2素子用フレーム枠部21に第1素子用フレーム枠部11が重ねられる。したがって、第2素子用リードフレーム20は、第1素子用タイバー12と共に同一の平面を構成する状態となっている。   The first element lead frame 10 has a planar first element tie bar 12 bent by a plate thickness with respect to the planar first element frame frame portion 11. The second element lead frame 20 has a planar shape, and the first element frame frame portion 11 is overlaid on the second element frame frame portion 21. Accordingly, the second element lead frame 20 and the first element tie bar 12 are in the same plane.

なお、第1素子用ヘッダ部14および第2素子用ヘッダ部24は、第1光半導体素子チップおよび第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように適宜屈曲させて形成される。この点については、周知技術のとおりであるので、説明は省略する。   The first element header portion 14 and the second element header portion 24 are formed by being appropriately bent so that the first optical semiconductor element chip and the second optical semiconductor element chip can be optically coupled. Since this point is as known in the art, the description thereof is omitted.

図3は、本発明の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。   FIG. 3 is a plan view showing a state in which a resin sealing portion is formed on the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

例えば、半導体発光素子を搭載した第1素子用リードフレーム10(第1素子用フレーム枠部11)と半導体受光素子を搭載した第2素子用リードフレーム20(第2素子用フレーム枠部21)とを重ね合わせて、溝部25に第1素子用タイバー12を嵌め込む。   For example, a first element lead frame 10 (first element frame frame portion 11) on which a semiconductor light emitting element is mounted, and a second element lead frame 20 (second element frame frame portion 21) on which a semiconductor light receiving element is mounted; And the first element tie bar 12 is fitted into the groove 25.

溝部25に第1素子用タイバー12を嵌め込んだ状態では、樹脂封止部30に対応する第1素子用タイバー12および第2素子用タイバー22は面一となるように形成してある。したがって、樹脂漏れ経路Rrs(図4参照)での樹脂漏れが少なく、工程不良を抑制して、高精度に歩留まり良く樹脂封止部30を形成することが可能となる。   In a state in which the first element tie bar 12 is fitted in the groove 25, the first element tie bar 12 and the second element tie bar 22 corresponding to the resin sealing portion 30 are formed to be flush with each other. Therefore, there is little resin leakage in the resin leakage path Rrs (see FIG. 4), and it becomes possible to suppress the process defects and form the resin sealing portion 30 with high accuracy and high yield.

第1素子用フレーム枠部11および第2素子用フレーム枠部21を重ね合わせた後、第1素子用ヘッダ部14(例えば半導体発光素子)および第2素子用ヘッダ部24(例えば半導体受光素子)が光結合状態となるように周知の封止技術(トランスファーモールド)を適用して樹脂封止部30を形成する。   After the first element frame frame portion 11 and the second element frame frame portion 21 are overlaid, the first element header portion 14 (for example, a semiconductor light emitting element) and the second element header portion 24 (for example, a semiconductor light receiving element). The resin sealing portion 30 is formed by applying a well-known sealing technique (transfer mold) so as to be in an optically coupled state.

樹脂封止部30を形成する封止樹脂は第1素子用タイバー12および第2素子用タイバー22で画定される樹脂充填領域Rfaに堰き止められ、樹脂封止部30を形成することが可能となる。   The sealing resin forming the resin sealing portion 30 is blocked by the resin filling region Rfa defined by the first element tie bar 12 and the second element tie bar 22, and the resin sealing portion 30 can be formed. Become.

樹脂封止部30を形成した後、光結合半導体装置用リードフレーム(第1素子用タイバー12、第2素子用タイバー22)を適宜切断し、樹脂バリ除去により、光結合半導体装置を形成することとなる。   After forming the resin sealing portion 30, the optically coupled semiconductor device lead frame (first element tie bar 12, second element tie bar 22) is appropriately cut, and the resin burrs are removed to form the optically coupled semiconductor device. It becomes.

図4は、本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームの要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。   4A and 4B are explanatory diagrams for explaining the main configuration of the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, where FIG. 4A is an enlarged plan view and FIG. 4B is an arrow of FIG. It is an end elevation which shows the end surface of the cross section in BB.

上述したとおり、第2素子用フレーム枠部21は、第1素子用フレーム枠部11および第2素子用フレーム枠部21を重ね合わせたときに第1素子用タイバー12が嵌め込まれる溝部25を有する。また、第1素子用タイバー12は、樹脂封止部30側の側面に溝部25に対向する第1凸部16を有する。   As described above, the second element frame frame portion 21 has the groove 25 into which the first element tie bar 12 is fitted when the first element frame frame portion 11 and the second element frame frame portion 21 are overlapped. . Further, the first element tie bar 12 has a first convex portion 16 facing the groove portion 25 on the side surface on the resin sealing portion 30 side.

したがって、第2素子用フレーム枠部21の幅Wfを縮小して溝部25の樹脂漏れ経路方向での長さLgを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路Rrsを狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部30を形成することができる。   Accordingly, even when the width Wf of the second element frame 21 is reduced to reduce the length Lg of the groove 25 in the resin leakage path direction, the resin leakage path Rrs can be narrowed or lengthened. Thus, even when the lead frame for an optically coupled semiconductor device is downsized, it is possible to prevent the resin leakage of the sealing resin, reduce process defects, and form the resin sealing portion 30 with high yield and high accuracy. .

また、溝部25は、第1素子用タイバー12に対向する側面に第1凸部16と噛み合う凹部26を有する。したがって、樹脂漏れ経路Rrsを確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。なお、凹部26を設けない状態で、第1凸部16を溝部25に対向させた場合にも同様な作用が得られる。   Further, the groove 25 has a concave portion 26 that meshes with the first convex portion 16 on the side surface facing the first element tie bar 12. Therefore, the resin leakage path Rrs can be reliably narrowed or lengthened. In addition, the same effect | action is acquired also when the 1st convex part 16 is made to oppose the groove part 25 in the state which does not provide the recessed part 26. FIG.

樹脂漏れ経路Rrsを長距離化することが可能となることから、第1素子用タイバー12と溝部25との間隙Giを広くした場合でも、樹脂漏れ経路Rrsでの封止樹脂の漏出に対する抵抗は大きいことから、樹脂漏れを抑制、防止することが可能となる。   Since the resin leakage path Rrs can be extended, even when the gap Gi between the first element tie bar 12 and the groove 25 is widened, the resistance to leakage of the sealing resin in the resin leakage path Rrs is Since it is large, it becomes possible to suppress and prevent resin leakage.

光結合半導体装置用リードフレーム(第1素子用リードフレーム10、第2素子用リードフレーム20)としては、銅材料や、鉄材料が用いられるが、熱膨張が比較的大きい材質を用いた場合でも大きな効果を奏する。   As the lead frame for the optically coupled semiconductor device (the lead frame for the first element 10 and the lead frame for the second element 20), a copper material or an iron material is used, but even when a material having a relatively large thermal expansion is used. There is a big effect.

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームによれば、従来に比較して、生産効率を維持しつつ、樹脂漏れなどの工程不良を抑制、低減して生産性を向上させることが可能となる。   According to the lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the present embodiment, it is possible to improve productivity by suppressing and reducing process defects such as resin leakage while maintaining production efficiency as compared with the conventional case. It becomes.

<実施の形態2>
図5および図6に基づいて、本発明の実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第1素子用タイバー12、または、第2素子用フレーム枠部21に対して凸部を補助的に追加した実施の形態1に対する変形例である。
<Embodiment 2>
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The present embodiment is a modification of the first embodiment in which a convex portion is supplementarily added to the first element tie bar 12 or the second element frame frame portion 21.

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。   The basic configuration of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is the same as that of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the first embodiment. The different items will be described.

図5は、本発明の実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例1)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。   FIG. 5 is an enlarged plan view showing an essential configuration of a lead frame for optically coupled semiconductor devices (Modification 1) according to Embodiment 2 of the present invention.

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10が備える第1素子用タイバー12は、樹脂封止部30側の側面に第2素子用フレーム枠部21に沿う第2凸部17を有する。したがって、樹脂漏れ経路Rrsをさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となり、実施の形態1に比較してさらに優れた作用効果を得られる。   The first element tie bar 12 provided in the first element lead frame 10 according to the present embodiment has a second convex portion 17 along the second element frame frame portion 21 on the side surface on the resin sealing portion 30 side. Therefore, the resin leakage path Rrs can be further narrowed or lengthened more reliably, and a further excellent effect can be obtained as compared with the first embodiment.

図6は、本発明の実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例2)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。   FIG. 6 is an enlarged plan view showing an essential configuration of a lead frame for optically coupled semiconductor devices (modification 2) according to Embodiment 2 of the present invention.

図6に示した光結合半導体装置用リードフレームは、図5に示した光結合半導体装置用リードフレームと同様、樹脂漏れ経路Rrsを狭小化あるいは長距離化するものである。   The optically coupled semiconductor device lead frame shown in FIG. 6 narrows or lengthens the resin leakage path Rrs, similar to the optically coupled semiconductor device lead frame shown in FIG.

本実施の形態に係る第2素子用リードフレーム20が備える第2素子用フレーム枠部21は、樹脂封止部30側の側面に第1素子用タイバー12に沿う第3凸部27を有する。したがって、樹脂漏れ経路Rrsをさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となり、実施の形態1に比較してさらに優れた作用効果を得られる。   The second element frame frame portion 21 provided in the second element lead frame 20 according to the present embodiment has a third convex portion 27 along the first element tie bar 12 on the side surface on the resin sealing portion 30 side. Therefore, the resin leakage path Rrs can be further narrowed or lengthened more reliably, and a further excellent effect can be obtained as compared with the first embodiment.

<実施の形態3>
図7ないし図9に基づいて、本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第1素子用タイバー12、または、第2素子用フレーム枠部21に対して板厚方向での形状変更を加えた実施の形態1に対する変形例である。
<Embodiment 3>
Based on FIG. 7 thru | or FIG. 9, the lead frame for optically coupled semiconductor devices which concerns on Embodiment 3 of this invention is demonstrated. The present embodiment is a modification of the first embodiment in which the first element tie bar 12 or the second element frame frame 21 is modified in the thickness direction.

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態1、実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。   The basic configuration of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is the same as that of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the first and second embodiments. Is mainly described for different matters.

図7は、本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例3)の要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面を示す端面図である。   FIGS. 7A and 7B are explanatory diagrams for explaining the main configuration of a lead frame for optically coupled semiconductor devices according to Embodiment 3 of the present invention (Modification 3). FIG. 7A is an enlarged plan view, and FIG. It is an end view which shows the cross section in the arrow BB of A).

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10が有する第1凸部16は、第1素子用タイバー12の板厚Ttより薄くされた薄板部16hを有する。また、本実施の形態に係る第2素子用リードフレーム20が有する凹部26は、第2素子用フレーム枠部21の板厚Tfより薄くされた薄板部26hを有する。   The first convex portion 16 included in the first element lead frame 10 according to the present embodiment has a thin plate portion 16 h that is thinner than the plate thickness Tt of the first element tie bar 12. Further, the recess 26 of the second element lead frame 20 according to the present embodiment has a thin plate portion 26 h that is thinner than the plate thickness Tf of the second element frame frame portion 21.

さらに、第1凸部16の薄板部16hおよび凹部26の薄板部26hは、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してある。   Further, the thin plate portion 16h of the first convex portion 16 and the thin plate portion 26h of the concave portion 26 are arranged on opposite surfaces and are formed so as to be in contact with each other and overlapped.

つまり、第1凸部16の薄板部16hおよび凹部26の薄板部26hを当接させることから、樹脂漏れ経路Rrsを狭小化あるいは長距離化することが可能となり、樹脂漏れ経路Rrsを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。   That is, since the thin plate portion 16h of the first convex portion 16 and the thin plate portion 26h of the concave portion 26 are brought into contact with each other, the resin leakage path Rrs can be narrowed or lengthened, and sealing via the resin leakage path Rrs is performed. It is possible to reliably suppress and prevent resin leakage.

図8は、本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例4)の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例3と同様に構成することができるので図示を省略する。   FIG. 8 is an end view showing a cross section of the main part configuration of the lead frame for optically coupled semiconductor devices (Modification 4) according to Embodiment 3 of the present invention. Since the plan view can be configured in the same manner as in the third modification, the illustration is omitted.

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10が有する第1凸部16の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部16spを有する。また、本実施の形態に係る第2素子用リードフレーム20が有する凹部26の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部26spを有する。   The side surface of the first convex portion 16 included in the first element lead frame 10 according to the present embodiment has an inclined portion 16sp that is inclined from one surface to the other surface. Further, the side surface of the recess 26 included in the second element lead frame 20 according to the present embodiment has an inclined portion 26sp that is inclined from one surface to the other surface.

さらに、第1凸部16の傾斜部16spおよび凹部26の傾斜部26spは、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してある。   Further, the inclined portion 16sp of the first convex portion 16 and the inclined portion 26sp of the concave portion 26 are disposed so as to face each other and are formed to overlap each other.

つまり、第1凸部16の傾斜部16spおよび凹部26の傾斜部26spを互いに対面させることから、傾斜部16sp、26spを相互に近接させることが可能となり、樹脂漏れ経路Rrsを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。   That is, since the inclined portion 16sp of the first convex portion 16 and the inclined portion 26sp of the concave portion 26 face each other, the inclined portions 16sp and 26sp can be brought close to each other, and the sealing resin via the resin leakage path Rrs can be made. Leakage can be reliably suppressed and prevented.

図9は、本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例5)の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例3と同様に構成することができるので図示を省略する。   FIG. 9 is an end view showing a cross section of the main part configuration of the lead frame for optically coupled semiconductor devices (Modification 5) according to Embodiment 3 of the present invention. Since the plan view can be configured in the same manner as in the third modification, the illustration is omitted.

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10が有する第1凸部16は、第1素子用タイバー12の板厚Ttより薄い複数の板厚(Tt1<Tt2<Tt)で構成された段差部16stを有する。また、本実施の形態に係る第2素子用リードフレーム20が有する凹部26は、第2素子用フレーム枠部21の板厚Tfより薄い複数の板厚(Tf1<Tf2<Tf)で構成された段差部26stを有する。   The first convex portion 16 of the first element lead frame 10 according to the present embodiment has a step formed by a plurality of plate thicknesses (Tt1 <Tt2 <Tt) smaller than the plate thickness Tt of the first element tie bar 12. Part 16st. Further, the recess 26 of the second element lead frame 20 according to the present embodiment is configured with a plurality of plate thicknesses (Tf1 <Tf2 <Tf) that are thinner than the plate thickness Tf of the second element frame frame portion 21. A step 26st is provided.

さらに、第1凸部16の段差部16stおよび凹部26の段差部26stは、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してある。   Further, the step portion 16st of the first convex portion 16 and the step portion 26st of the concave portion 26 are disposed on opposite surfaces and are formed to be engaged with each other.

つまり、板厚Tt1に対して板厚Tf2を、板厚Tt2に対して板厚Tf1を対向させることにより、第1凸部16の段差部16stおよび凹部26の段差部26stを互いに噛み合わせることから、樹脂漏れ経路Rrsを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。   That is, by making the plate thickness Tf2 face the plate thickness Tt1 and the plate thickness Tf1 face the plate thickness Tt2, the step portion 16st of the first convex portion 16 and the step portion 26st of the concave portion 26 are engaged with each other. Thus, it is possible to reliably suppress and prevent leakage of the sealing resin through the resin leakage path Rrs.

<実施の形態4>
図10に基づいて、本発明の実施の形態4に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第1素子用タイバー12と第2素子用フレーム枠部21の溝部25とを相互に嵌め込む場合の板厚方向での形状変更を加えたものであり、実施の形態1に対する変形例である。
<Embodiment 4>
Based on FIG. 10, an optically coupled semiconductor device lead frame according to a fourth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the first element tie bar 12 and the groove portion 25 of the second element frame frame portion 21 are fitted to each other, and the shape is changed in the plate thickness direction. It is a modification with respect to.

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態1ないし実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。   The basic configuration of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is the same as that of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the first to third embodiments. Is mainly described for different matters.

図10は、本発明の実施の形態4に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例6)の要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面を示す端面図である。   10A and 10B are explanatory views for explaining the configuration of the main part of a lead frame for optically coupled semiconductor devices according to Embodiment 4 of the present invention (Modification 6). FIG. 10A is an enlarged plan view, and FIG. It is an end view which shows the cross section in the arrow BB of A).

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20の平面形状は、実施の形態2の変形例1(図5)と同様としてある。変形例1に対して、本実施の形態(変形例6)では、溝部25を第2素子用フレーム枠部21の板厚Tfの途中に底面となる溝底部25bをもたせた構成としてある。溝底部25bは、第2素子用フレーム枠部21を例えばハーフエッチすることにより形成することが可能である。   The planar shapes of the first element lead frame 10 and the second element lead frame 20 according to the present embodiment are the same as in the first modification of the second embodiment (FIG. 5). In contrast to the modified example 1, in the present embodiment (modified example 6), the groove part 25 is configured to have a groove bottom part 25b serving as a bottom surface in the middle of the plate thickness Tf of the frame frame part 21 for the second element. The groove bottom portion 25b can be formed by, for example, half-etching the second element frame frame portion 21.

つまり、溝部25は、第2素子用フレーム枠部21の板厚Tfの途中に溝底部25bを有してあり、第1素子用タイバー12の溝部25に嵌め込まれる嵌合薄板部12hは、第1素子用タイバー12の板厚Ttより薄くしてある。なお、嵌合薄板部12hは、溝底部25bに当接した状態で、第1素子用タイバー12と面一となるようにしてある。   That is, the groove portion 25 has a groove bottom portion 25b in the middle of the plate thickness Tf of the second element frame frame portion 21, and the fitting thin plate portion 12h fitted into the groove portion 25 of the first element tie bar 12 It is made thinner than the plate thickness Tt of the tie bar 12 for one element. The fitting thin plate portion 12h is flush with the first element tie bar 12 in contact with the groove bottom portion 25b.

したがって、変形例1に比較して樹脂漏れ経路Rrsをさらに確実に狭小化することが可能となる。   Therefore, the resin leakage path Rrs can be more reliably narrowed compared to the first modification.

<実施の形態5>
図11に基づいて、本発明の実施の形態5に係る光結合半導体装置用リードフレームおよびこのような光結合半導体装置用リードフレームを適用した光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置製造方法について説明する。
<Embodiment 5>
Based on FIG. 11, an optically coupled semiconductor device manufacturing method for manufacturing an optically coupled semiconductor device lead frame according to Embodiment 5 of the present invention and an optically coupled semiconductor device to which such an optically coupled semiconductor device lead frame is applied. explain.

本実施の形態は、実施の形態1(図4)で示した光結合半導体装置用リードフレームに対してプレス加工を加えた変形例である。   The present embodiment is a modification in which press working is applied to the lead frame for an optically coupled semiconductor device shown in the first embodiment (FIG. 4).

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態1ないし実施の形態4に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。   The basic configuration of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is the same as that of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the first to fourth embodiments. Is mainly described for different matters.

上述したとおり、本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームは、実施の形態1と同様な平面形状としてある。しかし、これに限らず、他の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対しても同様に適用することが可能である。   As described above, the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment has a planar shape similar to that of the first embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be similarly applied to a lead frame for optically coupled semiconductor devices according to other embodiments.

図11は、本発明の実施の形態5に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例7)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。   FIG. 11 is an enlarged plan view showing an essential configuration of the lead frame for optically coupled semiconductor devices (modification 7) according to the fifth embodiment of the present invention.

本実施の形態では、溝部25および第1凸部16にわたる領域(プレス加工領域Ps)にプレス加工を施してある。   In the present embodiment, press working is performed on the region extending over the groove 25 and the first convex portion 16 (press working region Ps).

したがって、第2素子用フレーム枠部21(溝部25)と第1素子用タイバー12(第1凸部16)との間の位置合わせ余裕のための空間をプレス加工によって狭小化することが可能となることから、樹脂漏れ経路Rrsをさらに確実に狭小化することができる。   Accordingly, it is possible to narrow the space for the alignment margin between the second element frame frame portion 21 (groove portion 25) and the first element tie bar 12 (first convex portion 16) by pressing. As a result, the resin leakage path Rrs can be more reliably narrowed.

また、上述したとおり、本実施の形態として本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームを適用した光結合半導体装置製造方法を併せて説明する。本実施の形態に係る光結合半導体装置製造方法は、他の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームを適用した場合にもプレス加工を施すプレス工程を除いて同様に適用することが可能である。   Further, as described above, an optically coupled semiconductor device manufacturing method to which the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is applied will also be described as the present embodiment. The method for manufacturing an optically coupled semiconductor device according to the present embodiment can be similarly applied to the optically coupled semiconductor device lead frame according to another embodiment, except for a pressing process in which pressing is performed. It is.

本実施の形態に係る光結合半導体装置製造方法は、第1リードフレーム準備工程と、第2リードフレーム準備工程と、リードフレーム嵌合工程と、プレス工程と、樹脂封止工程とを備える。   The optically coupled semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment includes a first lead frame preparation process, a second lead frame preparation process, a lead frame fitting process, a pressing process, and a resin sealing process.

第1リードフレーム準備工程では、第1素子用フレーム枠部11および第1素子用フレーム枠部11から交差方向に延伸された第1素子用タイバー12を備えた第1素子用リードフレーム10が有する第1素子用ヘッダ部14に第1光半導体素子チップ(不図示)を搭載して第1素子用リードフレーム10を準備する。   In the first lead frame preparation step, the first element lead frame 10 including the first element frame frame portion 11 and the first element tie bar 12 extending in the crossing direction from the first element frame frame portion 11 is included. A first optical semiconductor element chip (not shown) is mounted on the first element header portion 14 to prepare the first element lead frame 10.

第2リードフレーム準備工程では、第2素子用フレーム枠部21および第2素子用フレーム枠部21から交差方向に延伸された第2素子用タイバー22を備えた第2素子用リードフレーム20が有する第2素子用ヘッダ部に第2光半導体素子チップ(不図示)を搭載して第2素子用リードフレーム20を準備する。   In the second lead frame preparation step, the second element lead frame 20 including the second element frame frame portion 21 and the second element tie bar 22 extending in the intersecting direction from the second element frame frame portion 21 is included. A second optical semiconductor element chip (not shown) is mounted on the second element header to prepare a second element lead frame 20.

リードフレーム嵌合工程では、第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20を重ね合わせて第2素子用フレーム枠部21が有する溝部25に第1素子用タイバー12を嵌め込む。   In the lead frame fitting step, the first element tie bar 12 is fitted into the groove 25 of the second element frame frame 21 by overlapping the first element lead frame 10 and the second element lead frame 20.

リードフレーム嵌合工程(第1素子用リードフレーム10および第2素子用リードフレーム20を重ね合わせた状態)の後にプレス加工を施す。   After the lead frame fitting step (the state in which the first element lead frame 10 and the second element lead frame 20 are overlapped), press working is performed.

プレス工程では、第1素子用タイバー12が樹脂封止部30側の側面で溝部25に対向して有する第1凸部16と溝部25とにわたる領域(プレス加工領域Ps)にプレス加工を施す。   In the pressing step, the first element tie bar 12 presses a region (press processing region Ps) extending between the first convex portion 16 and the groove portion 25 which is opposed to the groove portion 25 on the side surface on the resin sealing portion 30 side.

プレス工程の後、周知のトランスファーモールド技術を適用した樹脂封止工程によって樹脂封止部30を形成する。   After the pressing step, the resin sealing portion 30 is formed by a resin sealing step to which a known transfer mold technique is applied.

樹脂封止工程では、第1素子用タイバー12を溝部25に嵌め込んだ状態で第1光半導体素子チップおよび第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部30を形成する。   In the resin sealing step, the resin sealing portion 30 is formed so that the first optical semiconductor element chip and the second optical semiconductor element chip can be optically coupled with the first element tie bar 12 fitted in the groove 25. Form.

本実施の形態に係る光結合半導体装置の製造方法では、リードフレーム嵌合工程の後に、溝部25および第1凸部16にわたる領域(プレス加工領域Ps)をプレス加工することから、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路Rrsを狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部30を形成することが可能となる。   In the manufacturing method of the optically coupled semiconductor device according to the present embodiment, the region extending over the groove 25 and the first convex portion 16 (pressed region Ps) is pressed after the lead frame fitting step. Even when the lead frame for use is downsized, the resin leakage path Rrs is narrowed to prevent leakage of the sealing resin in the resin sealing process, and the process defects are reduced and the high-precision resin sealing portion 30 is provided. Can be formed.

<実施の形態6>
図12、図13に基づいて、本発明の実施の形態6に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、実施の形態1ないし実施の形態5で示した光結合半導体装置用リードフレームに対して適用可能な変形例である。
<Embodiment 6>
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIGS. The present embodiment is a modification that can be applied to the lead frame for an optically coupled semiconductor device shown in the first to fifth embodiments.

本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態1ないし実施の形態5に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。   The basic configuration of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the present embodiment is the same as that of the optically coupled semiconductor device lead frame according to the first to fifth embodiments. Is mainly described for different matters.

図12は、本発明の実施の形態6に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例8)を構成する第2素子用リードフレームを示す平面図である。   FIG. 12 is a plan view showing a second element lead frame constituting the optically coupled semiconductor device lead frame (modification 8) according to the sixth embodiment of the present invention.

本実施の形態に係る第2素子用リードフレーム20では、第2素子用フレーム枠部21は、溝部25の近傍で貫通孔28を備える。   In the second element lead frame 20 according to the present embodiment, the second element frame frame portion 21 includes a through hole 28 in the vicinity of the groove portion 25.

したがって、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム(第2素子用リードフレーム20)の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。   Therefore, it is possible to absorb the thermal expansion of the optically coupled semiconductor device lead frame (second element lead frame 20) during resin sealing, and it is possible to absorb stress and improve fitting accuracy.

図13は、本発明の実施の形態6に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例9)を構成する第1素子用リードフレームを示す平面図である。   FIG. 13 is a plan view showing a lead frame for a first element constituting a lead frame for optically coupled semiconductor devices (Modification 9) according to Embodiment 6 of the present invention.

本実施の形態に係る第1素子用リードフレーム10では、第1素子用フレーム枠部11は、第1素子用タイバー12の近傍で貫通孔18を備えることを特徴とする。   In the first element lead frame 10 according to the present embodiment, the first element frame frame portion 11 includes a through hole 18 in the vicinity of the first element tie bar 12.

したがって、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム(第1素子用リードフレーム10)の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。   Therefore, it is possible to absorb the thermal expansion of the optically coupled semiconductor device lead frame (first element lead frame 10) during resin sealing, and it is possible to absorb the stress and improve the fitting accuracy.

本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。It is explanatory drawing explaining the lead frame for 1st elements which comprises the lead frame for optically coupled semiconductor devices which concerns on Embodiment 1 of this invention, (A) is a top view, (B) is an arrow of (A). It is an end view which shows the end surface of the cross section in BB. 本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第2素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の側面図である。It is explanatory drawing explaining the lead frame for 2nd elements which comprises the lead frame for optically coupled semiconductor devices which concerns on Embodiment 1 of this invention, (A) is a top view, (B) is a side view of (A). It is. 本発明の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which formed the resin sealing part with respect to the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態1に係る光結合半導体装置用リードフレームの要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。It is explanatory drawing explaining the principal part structure of the lead frame for optically coupled semiconductor devices which concerns on Embodiment 1 of this invention, (A) is an enlarged plan view, (B) is the arrow BB of (A). It is an end view which shows the end surface of a cross section. 本発明の実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例1)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which expands and shows the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 2 of this invention (modification 1). 本発明の実施の形態2に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例2)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which expands and shows the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 2 of this invention (modification 2). 本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例3)の要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面を示す端面図である。It is explanatory drawing explaining the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 3 of this invention (modification 3), (A) is an enlarged plan view, (B) is the arrow of (A). It is an end view which shows the cross section by the code | symbol BB. 本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例4)の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例3と同様に構成することができるので図示を省略する。It is an end elevation which shows the cross section in the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 3 of this invention (modification 4). Since the plan view can be configured in the same manner as in the third modification, the illustration is omitted. 本発明の実施の形態3に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例5)の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例3と同様に構成することができるので図示を省略する。It is an end elevation which shows the cross section in the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 3 of this invention (modification 5). Since the plan view can be configured in the same manner as in the third modification, the illustration is omitted. 本発明の実施の形態4に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例6)の要部構成を説明する説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面を示す端面図である。It is explanatory drawing explaining the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 4 of this invention (modification 6), (A) is an enlarged plan view, (B) is the arrow of (A). It is an end view which shows the cross section by the code | symbol BB. 本発明の実施の形態5に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例7)の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which expands and shows the principal part structure of the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 5 of this invention (modification 7). 本発明の実施の形態6に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例8)を構成する第2素子用リードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame for 2nd elements which comprises the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 6 of this invention (modification 8). 本発明の実施の形態6に係る光結合半導体装置用リードフレーム(変形例9)を構成する第1素子用リードフレームを示す平面図である。It is a top view which shows the lead frame for 1st elements which comprises the lead frame for optical coupling semiconductor devices which concerns on Embodiment 6 of this invention (modification 9). 従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの端面図である。It is explanatory drawing explaining the lead frame for 1st elements which comprises the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices, (A) is a top view, (B) is an end elevation in the arrow BB of (A). It is. 従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第2素子用リードフレームを説明する説明図であり、(A)は平面図、(B)は(A)の側面図である。It is explanatory drawing explaining the lead frame for 2nd elements which comprises the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices, (A) is a top view, (B) is a side view of (A). 従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第1素子用リードフレームおよび第2素子用リードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which overlap | superposed the lead frame for 1st elements and the lead frame for 2nd elements which comprise the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices. 従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which formed the resin sealing part with respect to the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices. 従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成するときの樹脂漏れ経路の状態を示す説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。It is explanatory drawing which shows the state of the resin leak path | route when forming a resin sealing part with respect to the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices, (A) is an enlarged plan view, (B) is an arrow of (A). It is an end view which shows the end surface of the cross section by reference BB. 従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成したときの樹脂漏れ経路が短い場合の状態を示す説明図であり、(A)は拡大平面図、(B)は(A)の矢符B−Bでの断面の端面を示す端面図である。It is explanatory drawing which shows a state in case the resin leak path | route when forming a resin sealing part with respect to the conventional lead frame for optical coupling semiconductor devices is short, (A) is an enlarged plan view, (B) is (A). It is an end view which shows the end surface of the cross section by arrow BB of).

符号の説明Explanation of symbols

10 第1素子用リードフレーム
11 第1素子用フレーム枠部
12 第1素子用タイバー
12h 嵌合薄板部
13 第1素子用リード端子
14 第1素子用ヘッダ部
15 屈曲部
16 第1凸部
16h 薄板部
16sp 傾斜部
16st 段差部
17 第2凸部
18 貫通孔
20 第2素子用リードフレーム
21 第2素子用フレーム枠部
22 第2素子用タイバー
23 第2素子用リード端子
24 第2素子用ヘッダ部
25 溝部
25b 溝底部
26 凹部
26h 薄板部
26sp 傾斜部
26st 段差部
27 第3凸部
28 貫通孔
30 樹脂封止部
Gi 間隙
Lg 長さ
Ps プレス加工領域
Rfa 樹脂充填領域
Rrs 樹脂漏れ経路
Tf、Tf1、Tf2 板厚
Tt、Tt1、Tt2 板厚
Wf 幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 1st element lead frame 11 1st element frame frame 12 1st element tie bar 12h Fitting thin plate part 13 1st element lead terminal 14 1st element header part 15 Bending part 16 1st convex part 16h Thin plate Part 16sp Inclined part 16st Step part 17 Second convex part 18 Through hole 20 Second element lead frame 21 Second element frame frame part 22 Second element tie bar 23 Second element lead terminal 24 Second element header part 25 Groove portion 25b Groove bottom portion 26 Recess portion 26h Thin plate portion 26sp Inclined portion 26st Stepped portion 27 Third convex portion 28 Through hole 30 Resin sealing portion Gi Gap Lg Length Ps Press working region Rfa Resin filling region Rrs Resin leakage path Tf, Tf1, Tf2 Plate thickness Tt, Tt1, Tt2 Plate thickness Wf Width

Claims (13)

第1素子用フレーム枠部と、該第1素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第1素子用タイバーと、該第1素子用タイバーから延伸された第1素子用リード端子の先端に配置され第1光半導体素子チップが搭載される第1素子用ヘッダ部とを有する第1素子用リードフレーム、および、第2素子用フレーム枠部と、該第2素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第2素子用タイバーと、該第2素子用タイバーから延伸された第2素子用リード端子の先端に配置され第2光半導体素子チップが搭載される第2素子用ヘッダ部とを有する第2素子用リードフレームを備え、前記第1素子用フレーム枠部および前記第2素子用フレーム枠部を重ね合わせて前記第1光半導体素子チップおよび前記第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成することで光結合半導体装置を形成する光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第2素子用フレーム枠部は、前記第1素子用フレーム枠部および前記第2素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに前記第1素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、
前記第1素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記溝部に対向する第1凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A first element frame frame, a first element tie bar extending in a cross direction from the first element frame frame, and a first element lead terminal extending from the first element tie bar; A first element lead frame having a first element header portion on which the first optical semiconductor element chip is mounted, a second element frame frame portion, and an intersecting direction from the second element frame frame portion A second element tie bar extended to the second element tie bar, and a second element header portion disposed on the tip of the second element lead terminal extended from the second element tie bar and mounted with the second optical semiconductor element chip. The first optical semiconductor element chip and the second optical semiconductor element chip can be optically coupled by overlapping the first element frame frame portion and the second element frame frame portion. Na An optical coupling semiconductor device lead frame for forming the optical coupling semiconductor device by forming a resin sealing portion so on purpose made,
The second element frame frame portion has a groove portion into which the first element tie bar is fitted when the first element frame frame portion and the second element frame frame portion are overlapped with each other.
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the first element tie bar has a first convex portion facing the groove on a side surface on the resin sealing portion side.
請求項1に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部は、前記第1素子用タイバーに対向する側面に前記第1凸部と噛み合う凹部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
The lead frame for an optically coupled semiconductor device according to claim 1,
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the groove portion has a concave portion that meshes with the first convex portion on a side surface facing the first element tie bar.
請求項1または請求項2に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第1素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記第2素子用フレーム枠部に沿う第2凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to claim 1 or 2,
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the first element tie bar has a second convex portion along the second element frame frame portion on a side surface on the resin sealing portion side.
請求項1または請求項2に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第2素子用フレーム枠部は、前記樹脂封止部側の側面に前記第1素子用タイバーに沿う第3凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to claim 1 or 2,
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the second element frame frame portion has a third convex portion along the first element tie bar on a side surface on the resin sealing portion side.
請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第1凸部は、第1素子用タイバーの板厚より薄くされた薄板部を有し、前記凹部は、第2素子用フレーム枠部の板厚より薄くされた薄板部を有し、前記第1凸部の前記薄板部および前記凹部の前記薄板部は、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The first convex portion has a thin plate portion made thinner than the plate thickness of the first element tie bar, and the concave portion has a thin plate portion made thinner than the plate thickness of the second element frame frame portion, The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the thin plate portion of the first convex portion and the thin plate portion of the concave portion are disposed on opposite surfaces and are overlapped with each other.
請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第1凸部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記凹部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記第1凸部の前記傾斜部および前記凹部の前記傾斜部は、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The side surface of the first convex portion has an inclined portion inclined from one surface to the other surface, and the side surface of the concave portion has an inclined portion inclined from one surface to the other surface, The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the inclined portion of the first convex portion and the inclined portion of the concave portion are arranged so as to face each other and overlap each other.
請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第1凸部は、第1素子用タイバーの板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記凹部は、第2素子用フレーム枠部の板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記第1凸部の前記段差部および前記凹部の前記段差部は、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The first convex portion has a stepped portion having a plurality of plate thicknesses thinner than the plate thickness of the first element tie bar, and the concave portion has a plurality of plates thinner than the plate thickness of the second element frame frame portion. A step portion having a thickness, wherein the step portion of the first convex portion and the step portion of the concave portion are arranged on opposite surfaces to be engaged with each other. A lead frame for an optically coupled semiconductor device.
請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部は、前記第2素子用フレーム枠部の板厚の途中に底面となる溝底部を有してあり、前記第1素子用タイバーの前記溝部に嵌め込まれる嵌合薄板部は、前記第1素子用タイバーの板厚より薄くしてあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
The groove portion has a groove bottom portion serving as a bottom surface in the middle of the plate thickness of the second element frame frame portion, and the fitting thin plate portion to be fitted into the groove portion of the first element tie bar is the first thin film portion. A lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the lead frame is thinner than the thickness of the element tie bar.
請求項1ないし請求項8のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部および前記第1凸部にわたる領域にプレス加工を施してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 8,
A lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein a region of the groove and the first convex portion is pressed.
請求項1ないし請求項9のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第2素子用フレーム枠部は、前記溝部の近傍で貫通孔を備えることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 9,
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the frame frame portion for the second element includes a through hole in the vicinity of the groove portion.
請求項1ないし請求項10のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第1素子用フレーム枠部は、前記第1素子用タイバーの近傍で貫通孔を備えることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 10,
The lead frame for an optically coupled semiconductor device, wherein the first element frame frame portion includes a through hole in the vicinity of the first element tie bar.
請求項1ないし請求項11のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部に前記第1素子用タイバーを嵌め込んだ状態では、前記樹脂封止部に対応する第1素子用タイバーおよび第2素子用タイバーは面一となるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
A lead frame for an optically coupled semiconductor device according to any one of claims 1 to 11,
The first element tie bar and the second element tie bar corresponding to the resin sealing part are formed so as to be flush with each other in a state in which the first element tie bar is fitted in the groove part. A lead frame for an optically coupled semiconductor device.
第1素子用フレーム枠部および該第1素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第1素子用タイバーを備えた第1素子用リードフレームが有する第1素子用ヘッダ部に第1光半導体素子チップを搭載して第1素子用リードフレームを準備する第1リードフレーム準備工程と、第2素子用フレーム枠部および該第2素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第2素子用タイバーを備えた第2素子用リードフレームが有する第2素子用ヘッダ部に第2光半導体素子チップを搭載して第2素子用リードフレームを準備する第2リードフレーム準備工程と、前記第1素子用リードフレームおよび前記第2素子用リードフレームを重ね合わせて前記第2素子用フレーム枠部が有する溝部に前記第1素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、前記第1素子用タイバーを前記溝部に嵌め込んだ状態で前記第1光半導体素子チップおよび前記第2光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える光結合半導体装置製造方法であって、
前記リードフレーム嵌合工程の後に、前記第1素子用タイバーが前記樹脂封止部側の側面で前記溝部に対向して有する第1凸部と前記溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程を備えることを特徴とする光結合半導体装置製造方法。
A first optical semiconductor is provided in a first element header portion of a first element lead frame having a first element frame frame portion and a first element tie bar extending in a crossing direction from the first element frame frame portion. A first lead frame preparation step for preparing a first element lead frame by mounting an element chip; a second element frame frame portion; and a second element frame frame portion extending from the second element frame frame portion in a crossing direction A second lead frame preparation step of preparing a second element lead frame by mounting a second optical semiconductor element chip on a second element header portion of a second element lead frame having a tie bar; and the first element A lead frame fitting in which the first element tie bar is fitted into a groove portion of the second element frame frame by overlapping the lead frame for the second element and the lead frame for the second element The resin sealing portion is formed so that the first optical semiconductor element chip and the second optical semiconductor element chip can be optically coupled with the first element tie bar fitted into the groove. A method of manufacturing an optically coupled semiconductor device comprising a resin sealing step,
After the lead frame fitting step, a pressing step is performed in which the first element tie bar presses a region extending between the first convex portion and the groove portion that the side surface on the resin sealing portion side faces the groove portion. An optically coupled semiconductor device manufacturing method comprising:
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