JP2009027070A - Semiconductor apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体を封止した封止部と、基板上で間隔を異にした列に所定の間隔を置き配列されたランドに夫々独立に接続する複数本のリードとから形成された半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device formed of a sealing portion that seals a semiconductor, and a plurality of leads that are independently connected to lands arranged at predetermined intervals in rows with different intervals on the substrate. About.
通常、半導体装置を基板上に半田によって固定する場合は、半導体装置のリードを基板のランドに半田付けしている。 Usually, when a semiconductor device is fixed on a substrate by soldering, the lead of the semiconductor device is soldered to a land of the substrate.
ところが、同一機能の半導体に対して基板上のパターンが異なるものがある。このような異なる基板の夫々に同一機能の半導体を実装する従来技術として、図９、図１０及び図１１で示すものがある。以下、この従来技術について説明する。 However, there are semiconductors having the same function and different patterns on the substrate. As conventional techniques for mounting a semiconductor having the same function on each of such different substrates, there are those shown in FIG. 9, FIG. 10 and FIG. Hereinafter, this prior art will be described.
図９は大型パッケージ１１を実装する場合を示す。この場合は封止部を収めた大型パッケージ１１を適用した大型パッケージ用基板２１が用意されている。この大型パッケージ用基板２１には、間に大型パッケージ１１を配置する領域を置いた広い間隔の列Ａに、互いに間隔を大きく置いて第１ランド３１が複数個配列されている。そして、大型パッケージ１１に設けたリード１４が第１ランド３１に半田付けによって接続されている。 FIG. 9 shows a case where the large package 11 is mounted. In this case, a large package substrate 21 to which the large package 11 containing the sealing portion is applied is prepared. In the large package substrate 21, a plurality of first lands 31 are arranged in a wide interval row A with a region where the large package 11 is disposed therebetween with a large interval therebetween. The leads 14 provided on the large package 11 are connected to the first lands 31 by soldering.
また、図１０は中型パッケージ１２を実装する場合を示す。この場合は封止部を収めた中程度の大きさの中型パッケージ１２を適用した中型パッケージ用基板２２が用意されている。この中型パッケージ用基板２２には、間に中型パッケージ１２を配置する領域を置いた大型パッケージ１１の場合よりも狭い間隔の列Ｂに、互いに大型パッケージ１１の場合よりも狭い間隔を置いて第２ランド３２が複数個配列されている。そして、中型パッケージ１２に設けたリード１４が第２ランド３２に半田付けによって接続されている。 FIG. 10 shows a case where the medium package 12 is mounted. In this case, a medium-sized package substrate 22 to which a medium-sized medium-sized package 12 containing a sealing portion is applied is prepared. In this medium-sized package substrate 22, a second space is arranged with a narrower interval than in the case of the large package 11 in the row B having a smaller interval than that in the case of the large package 11 in which the region for disposing the medium package 12 is placed. A plurality of lands 32 are arranged. The leads 14 provided on the medium package 12 are connected to the second lands 32 by soldering.
更に、図１１は最も小さい小型パッケージ１３を実装する場合である。この場合は封止部を収めた小型パッケージ１３を適用した小型パッケージ用基板２３が用意されている。この小型パケージ用基板２３には、間に小型パッケージ１３を配置する領域を置いた最も狭い間隔の列Ｃに、互いに最も狭い間隔を置いて第３ランド３３が複数個配列されている。そして、小型パッケージ１３に設けたリード１４が第３ランド３３に半田付けによって接続されている。 Further, FIG. 11 shows a case where the smallest small package 13 is mounted. In this case, a small package substrate 23 to which the small package 13 containing the sealing portion is applied is prepared. In the small package substrate 23, a plurality of third lands 33 are arranged at the narrowest interval in a row C having the narrowest interval with an area for arranging the small package 13 therebetween. The lead 14 provided on the small package 13 is connected to the third land 33 by soldering.
これら第１ランド３１、第２ランド３２及び第３ランド３３は短辺と長辺とを有した長方形の形状である。そして、これらランド３１、３２、３３上に沿ってリード１４が配置されるようになっている。 The first land 31, the second land 32, and the third land 33 have a rectangular shape having a short side and a long side. The leads 14 are arranged along the lands 31, 32, and 33.
また、従来は、下記の特許文献１で示すように、半導体装置の基板への実装において、実装面積を増大することなく多数のリードを実装する技術が公知となっている。この従来技術は、互いに絶縁されたリード層を形成し、リード層の一端を半導体の電極に夫々独立に接続し、リード端子の他端を基板上の異なる位置にあるランドに夫々独立に接続したものである。このように複数列のランドを設けた基板は公知である。 Conventionally, as shown in Patent Document 1 below, a technique for mounting a large number of leads without increasing the mounting area in mounting a semiconductor device on a substrate is known. In this prior art, lead layers that are insulated from each other are formed, one end of each lead layer is independently connected to a semiconductor electrode, and the other end of each lead terminal is independently connected to a land at a different position on the substrate. Is. Such a substrate provided with a plurality of rows of lands is well known.
更に、従来は、下記の特許文献２で示すように、半導体装置のリードの形状に改良を施した技術が公知となっている。この従来技術は、基板が加熱、冷却によって膨張、収縮を起こし、リードに応力を与えてリードの断線、半導体装置の樹脂割れなどを生じさせるので、これを解消するものである。そして、この事故の発生防止のために、従来技術はリードの形状を側方から見て階段状に折り曲げて応力を吸収する構成をとったものである。 Furthermore, conventionally, as shown in Patent Document 2 below, a technique in which the shape of a lead of a semiconductor device is improved is known. According to this conventional technique, the substrate expands and contracts due to heating and cooling, and stress is applied to the leads to cause disconnection of the leads and resin cracking of the semiconductor device. In order to prevent the occurrence of this accident, the prior art is configured to absorb the stress by bending the lead shape stepwise when viewed from the side.
しかしながら、図９〜図１１に示すような従来技術においては、ランドの位置が異なる基板に対応するパッケージを別個に用意しなければならない。そのため、コスト的に不利であるという問題点があった。このような問題点は、上記特許文献１及び上記特許文献２で示す従来技術を利用しても解決することができなかった。 However, in the prior art as shown in FIGS. 9 to 11, packages corresponding to substrates having different land positions must be prepared separately. Therefore, there is a problem that it is disadvantageous in terms of cost. Such a problem cannot be solved even if the conventional techniques shown in Patent Document 1 and Patent Document 2 are used.
そこで、本発明は、ランドの位置が異なる基板に同一機能の半導体を低コストで実装できる従来の問題点を解消した半導体装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device that solves a conventional problem that allows a semiconductor having the same function to be mounted at low cost on substrates having different land positions.
前記課題を解決するために、本願の請求項１に係る発明は、半導体を封止した封止部と、基板上で間隔を異にした列に所定の間隔を置き配列されたランドに夫々独立に接続する複数本のリードとから形成された半導体装置において、前記リードに、該リードを折曲して前記基板の面と平行な直線部（例えば、第１直線部４１、第２直線部４２、第３直線部４３）を複数個形成し、これら直線部を前記基板上の前記ランド（例えば、第１ランド３１、第２ランド３２、第３ランド３３）に夫々対向して位置させて形成したことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present application is independent of a sealing portion in which a semiconductor is sealed, and lands arranged at predetermined intervals in rows with different intervals on the substrate. In the semiconductor device formed of a plurality of leads connected to the first lead portion 41, the lead portion is bent to be parallel to the surface of the substrate (for example, the first straight portion 41 and the second straight portion 42). , A plurality of third straight portions 43) are formed, and these straight portions are formed so as to be opposed to the lands (for example, the first land 31, the second land 32, and the third land 33) on the substrate. It is characterized by that.
また、本願の請求項２に係る発明において、前記直線部は、夫々前記ランドの長手方向に沿って延在して形成されていることを特徴とする。 In the invention according to claim 2 of the present application, the straight portions are formed to extend along the longitudinal direction of the land.
本願の請求項1の発明に係る半導体装置によれば、前記リードには、前記基板上の異なる位置にあるランドに対応した直線部を備えたリードが設けられているので、必要に応じて直線部の繋部分を切断し、接続に供する直線部を先端として切り出し、該先端を所望のランドに接続することができる。そのため、同一機能の半導体装置をランドの位置が異なる基板に実装する際に、基板ごとに異なるパッケージを必要としないコスト的に有利な半導体装置を提供できる。 According to the semiconductor device of the invention of claim 1 of the present application, the lead is provided with a lead having a linear portion corresponding to a land at a different position on the substrate. It is possible to cut the connecting portion of the portions, cut out the straight portion used for connection as a tip, and connect the tip to a desired land. Therefore, when a semiconductor device having the same function is mounted on a substrate having different land positions, a cost-effective semiconductor device that does not require a different package for each substrate can be provided.
また、本願の請求２の発明に係る半導体装置によれば、前記直線部が前記ランドの長手方向に位置するので、両者の接触範囲が大きくなり確実な接続を行うことができる。 Further, according to the semiconductor device of the second aspect of the present invention, since the linear portion is located in the longitudinal direction of the land, the contact range between the two becomes large and reliable connection can be performed.
本発明を実施するための最良の形態としては、以下に説明する実施例である。 The best mode for carrying out the present invention is the embodiment described below.
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明するが、従来技術と同一部分は同一符号を付してその説明を省略する。図１は本発明の実施例を示す半導体装置の平面図、図２は図１で示す半導体装置の側面図、図３は本発明の実施例における半導体装置を大型パッケージ用の基板に実装した状態を示す平面図、図４は図３で示す半導体装置を実装した状態を示す側面図、図５は本発明の実施例における半導体装置を中型パッケージ用の基板に実装した状態を示す平面図、図６は図５で示す半導体装置を実装した状態を示す側面図、図７は本発明の実施形態における半導体装置を小型パッケージ用の基板に実装した状態を示す平面図、図８は図７で示す半導体装置を実装した状態を示す側面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same parts as those in the prior art are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. 1 is a plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of the semiconductor device illustrated in FIG. 1, and FIG. 3 is a state in which the semiconductor device according to the embodiment of the present invention is mounted on a substrate for a large package. 4 is a side view showing a state in which the semiconductor device shown in FIG. 3 is mounted, and FIG. 5 is a plan view showing a state in which the semiconductor device according to the embodiment of the present invention is mounted on a substrate for a medium package. 6 is a side view showing a state in which the semiconductor device shown in FIG. 5 is mounted, FIG. 7 is a plan view showing a state in which the semiconductor device in the embodiment of the present invention is mounted on a small package substrate, and FIG. 8 is shown in FIG. It is a side view which shows the state which mounted the semiconductor device.
図１及び図２において、半導体装置１は、半導体素子を樹脂材により封止した封止部２と、封止部２の側方に取付けられた複数個のリード３とから構成されている。夫々のリード３は折曲され基板２１、２２，２３の面と平行に複数個の直線部４が形成されている。すなわち、リード３は上方及び側方から見て階段状になっている。また、これら直線部４は第１直線部４１、第２直線部４２、第３直線部４３を有している。これらの第１直線部４１、第２直線部４２、第３直線部４３との間には傾斜した繋部５である第１繋部５１、第１繋部５２が形成されている。 1 and 2, the semiconductor device 1 includes a sealing portion 2 in which a semiconductor element is sealed with a resin material, and a plurality of leads 3 attached to the side of the sealing portion 2. Each lead 3 is bent to form a plurality of linear portions 4 parallel to the surfaces of the substrates 21, 22, and 23. That is, the lead 3 is stepped when viewed from above and from the side. Further, these straight portions 4 have a first straight portion 41, a second straight portion 42, and a third straight portion 43. Between the first straight portion 41, the second straight portion 42, and the third straight portion 43, a first connecting portion 51 and a first connecting portion 52 that are inclined connecting portions 5 are formed.
リード３は上方から見て先端に向かって互いに離れるように形成されている。そして、夫々の直線部４は基板２１、２２、２３上の第１ランド３１、第２ランド３２、第３ランド３３の長手方向に沿って延在されている。すなわち、第１直線部４１は第１ランド３１に、第２直線部４２は第２ランド３２に、第３直線部４３は第３ランド３３に夫々の長手方向に沿って延在されている。 The leads 3 are formed so as to be separated from each other toward the tip as viewed from above. Each straight line portion 4 extends along the longitudinal direction of the first land 31, the second land 32, and the third land 33 on the substrates 21, 22, and 23. That is, the first straight portion 41 extends along the longitudinal direction of the first land 31, the second straight portion 42 extends along the longitudinal direction of the second land 32, and the third straight portion 43 extends along the longitudinal direction of the third land 33.
次に、上述した本発明の実施例の構成による半導体装置１を基板２１、２２、２３に実装する場合について説明する。 Next, the case where the semiconductor device 1 according to the configuration of the above-described embodiment of the present invention is mounted on the substrates 21, 22, and 23 will be described.
図３及び図４で示すように、第１ランド３１を有する大型パッケージ用基板２１に半導体装置１を実装する場合は、半導体装置１を大型パッケージ用基板２１上に置いて直線部４の最先端の第１直線部４１を夫々第１ランド３１上に位置させる。この状態で第１直線部４１は第１ランド３１の長手方向に沿って位置される。その後、半田付けによって第１直線部４１を第１ランド３１に接続することにより、半導体装置１が大型パッケージ用基板２１に実装される。 As shown in FIGS. 3 and 4, when the semiconductor device 1 is mounted on the large package substrate 21 having the first lands 31, the semiconductor device 1 is placed on the large package substrate 21 and the leading edge of the linear portion 4. The first straight portions 41 are respectively positioned on the first lands 31. In this state, the first straight portion 41 is positioned along the longitudinal direction of the first land 31. Thereafter, the semiconductor device 1 is mounted on the large package substrate 21 by connecting the first linear portion 41 to the first land 31 by soldering.
次に、図５及び図６で示すように、第２ランド３２を有する中型パッケージ用基板２２に半導体装置１を実装する場合は、図１、図２の鎖線Ｘ−Ｘで示す第１繋部５１の根本を切断する。その結果、第１直線部４１と第１繋部５１は除去される。その後、半導体装置１を中型パッケージ用基板２２上に置いて直線部４の第２直線部４２を夫々第２ランド３２上に位置させる。この状態で第２直線４２は第２ランド３２の長手方向に沿って位置される。このように第２直線４２を第２ランド３２上に位置させた後には、半田付けによって第２直線部４２を第２ランド３２に接続することにより、半導体装置１が中型パッケージ用基板２２に実装される。一方、第１直線部４１と第１繋部５１は除去されるので、これらの部分は他のランド、電子部品などに接触することがない。 Next, as shown in FIGS. 5 and 6, when the semiconductor device 1 is mounted on the medium package substrate 22 having the second lands 32, the first connecting portion indicated by the chain line XX in FIGS. 1 and 2. Cut the 51 root. As a result, the first straight part 41 and the first connecting part 51 are removed. Thereafter, the semiconductor device 1 is placed on the medium-sized package substrate 22, and the second straight portions 42 of the straight portions 4 are respectively positioned on the second lands 32. In this state, the second straight line 42 is positioned along the longitudinal direction of the second land 32. After the second straight line 42 is positioned on the second land 32 as described above, the semiconductor device 1 is mounted on the medium-sized package substrate 22 by connecting the second straight part 42 to the second land 32 by soldering. Is done. On the other hand, since the 1st linear part 41 and the 1st connection part 51 are removed, these parts do not contact another land, an electronic component, etc.
更に、図７及び図８で示すように、第３ランド３３を有する小型パッケージ用基板２３に半導体装置１を実装する場合は、図１、図２の鎖線Ｙ−Ｙで示す第２繋部７２の根本を切断する。第２繋部７２から先の部分は除去される。その後、半導体装置１を中型パッケージ用基板２３上に置いて直線部４の第３直線部４３を夫々第３ランド３３上に位置させる。このように第３直線部４３を第３ランド３３上に位置させた後には、半田付けによって第３直線部４３を第２ランド３３に接続することにより、半導体装置１が小型パッケージ用基板２３に実装される。一方、第２繋部５２から先の部分は除去されるので、これらの部分は他のランド、電子部品などに接触することがない。 Further, as shown in FIGS. 7 and 8, when the semiconductor device 1 is mounted on the small package substrate 23 having the third lands 33, the second connecting portion 72 indicated by the chain line YY in FIGS. Cut the root of the. The portion from the second connecting portion 72 is removed. Thereafter, the semiconductor device 1 is placed on the medium-sized package substrate 23, and the third straight portions 43 of the straight portions 4 are respectively positioned on the third lands 33. After the third straight portion 43 is positioned on the third land 33 in this way, the semiconductor device 1 is attached to the small package substrate 23 by connecting the third straight portion 43 to the second land 33 by soldering. Implemented. On the other hand, since the previous portions are removed from the second connecting portion 52, these portions do not come into contact with other lands, electronic components, or the like.
上述した本発明の実施例によれば、封止部２に取付けられたリード３は、大型パッケージ用基板２１上の第１ランド３１に対向する位置に第１直線部４１を有し、中型パッケージ用基板２２上の第２ランド３２に対向する位置に第２直線部４２を有し、小型パッケージ用基板２３上の第３ランド３３に対向する位置に第３直線部４３を有しているので、大型パッケージ用基板２１に半導体装置１を実装する場合は第１直線部４１を用い、中型パッケージ用基板２２に半導体装置１を実装する場合は第２直線部４２を用い、小型パッケージ用基板２３に半導体装置１を実装する場合は第３直線部４３を用いればよい。 According to the embodiment of the present invention described above, the lead 3 attached to the sealing portion 2 has the first straight portion 41 at a position facing the first land 31 on the large package substrate 21, and the medium package. Since the second straight portion 42 is provided at a position facing the second land 32 on the substrate 22 and the third straight portion 43 is provided at a position facing the third land 33 on the small package substrate 23. When the semiconductor device 1 is mounted on the large package substrate 21, the first straight portion 41 is used, and when the semiconductor device 1 is mounted on the medium package substrate 22, the second straight portion 42 is used, and the small package substrate 23 is used. When the semiconductor device 1 is mounted on the third linear portion 43, the third linear portion 43 may be used.
第２直線部４２を用いる場合は、第１繋部５１を切断して第２直線部４２を最先端とし切出せばよい。また、第３直線部４３を用いる場合は、第２繋部５２を切断して第３直線部４３を最先端とし切出せばよい。 When using the 2nd straight part 42, the 1st connection part 51 should be cut | disconnected and the 2nd straight part 42 should just be cut out as the forefront. Moreover, when using the 3rd linear part 43, the 2nd connection part 52 should be cut | disconnected and the 3rd linear part 43 should just be cut out as the most advanced.
従って、封止部２のリード３には、繋部分を必要に応じて切断することにより異なる位置にランドが配された大型パッケージ用基板２１、中型パッケージ用基板２２、小型パッケージ用基板２３に半導体装置１を実装することができる。 Therefore, the lead 3 of the sealing portion 2 is made of a semiconductor in the large package substrate 21, the medium package substrate 22, and the small package substrate 23 in which lands are arranged at different positions by cutting the connecting portions as necessary. The device 1 can be implemented.
また、第１直線部４１は第１ランド３１の長手方向に沿って延在し、第２直線部４２は第２ランド３２の長手方向に沿って延在し、第３直線部４３は第３ランド３３の長手方向に沿って延在しているので、両者が接触する範囲が大きくなる。そのため、半田付けによる接続が確実に行える。 Further, the first straight portion 41 extends along the longitudinal direction of the first land 31, the second straight portion 42 extends along the longitudinal direction of the second land 32, and the third straight portion 43 includes the third straight portion 43. Since it has extended along the longitudinal direction of the land 33, the range which both contact will become large. Therefore, the connection by soldering can be performed reliably.
尚、上述した本発明の実施例にあっては、基板は大型パッケージ用基板２１、中型パッケージ用基板２２及び小型パッケージ用基板２３の３種類としたが、本発明はこれに限定されることなく２種類であってもよく、また４種類以上であってもよい。 In the above-described embodiment of the present invention, the substrate is three types, that is, the large package substrate 21, the medium package substrate 22, and the small package substrate 23. However, the present invention is not limited to this. There may be two types, or four or more types.
１ 半導体装置
２ 封止部
３ リード
４ 直線部
５ 繋部
２１ 大型パッケージ用基板
２２ 中型パッケージ用基板
２３ 小型パッケージ用基板
３１ 第１ランド
３２ 第２ランド
３３ 第３ランド
４１ 第１直線部
４２ 第２直線部
４３ 第３直線部
５１ 第１繋部
５２ 第２繋部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Sealing part 3 Lead 4 Straight line part 5 Connection part 21 Substrate for large packages
22 Medium-sized package substrate 23 Small package substrate 31 First land 32 Second land 33 Third land 41 First straight portion 42 Second straight portion 43 Third straight portion 51 First connecting portion 52 Second connecting portion
Claims (2)
前記リードに、該リードを折曲して前記基板の面と平行な直線部を複数個形成し、これら直線部を前記基板上の前記ランドに夫々対向して位置させて形成したことを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device formed from a sealing portion that seals a semiconductor and a plurality of leads that are independently connected to lands arranged at predetermined intervals in rows with different intervals on a substrate,
The lead is formed by bending the lead to form a plurality of linear portions parallel to the surface of the substrate, and the linear portions are respectively positioned facing the lands on the substrate. Semiconductor device.
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