JP2009019193A - Insulating film forming material, insulating film and producing method thereof - Google Patents

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JP2009019193A JP2008124799A JP2008124799A JP2009019193A JP 2009019193 A JP2009019193 A JP 2009019193A JP 2008124799 A JP2008124799 A JP 2008124799A JP 2008124799 A JP2008124799 A JP 2008124799A JP 2009019193 A JP2009019193 A JP 2009019193A
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真由美 鳥枝
Akira Itaya
亮 板谷
Katsunori Funaki
克典 舩木
Kazuki Okamoto
和樹 岡本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an insulating film forming material capable of forming an insulating film useful for the production of a semiconductor, having high heat resistance and a very low relative dielectric constant, and ensuring less variation in the relative dielectric constant. <P>SOLUTION: The insulating film forming material contains two compounds A and B capable of forming a polymer having a hole structure by a reaction between functional groups, wherein at least one of the compounds A and B has a bridged alicyclic skeleton or aromatic ring skeleton as a central skeleton, at least one has a heat resistant skeleton comprising an aromatic ring-containing divalent organic group between the central skeleton and the functional group, and at least one has a flexible unit comprising an organic group containing at least an alkylene group or an ether bond within a molecule and having a total number of atoms of 2-20. The functional group of the compound A and the functional group of the compound B are a pair of functional groups which react with each other to form a heterocycle, or both are groups each containing an ethynyl group which may have a substituent. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体の製造等に用いる絶縁膜、特に耐熱性や機械的強度に優れ低い比誘電率を示す絶縁膜とその製造方法、該絶縁膜を得るために有用な重合性化合物、絶縁膜形成材料及び空孔構造を有するポリマーに関する。   The present invention relates to an insulating film for use in the production of a semiconductor, particularly an insulating film having excellent heat resistance and mechanical strength and exhibiting a low relative dielectric constant, a method for producing the same, a polymerizable compound useful for obtaining the insulating film, and an insulating film The present invention relates to a forming material and a polymer having a pore structure.

近年、回路パターンの微細化が進む半導体プロセスにおいて、層間絶縁膜の低誘電率化が求められている。層間絶縁膜の低誘電率化には空孔構造の構築が効果的であるとされており、酸化ケイ素系の層間絶縁膜では、発泡剤等を用いた空孔構造の導入が提案されている。しかし、この方法では、空孔の形成は可能なものの、空孔の結合(空孔の連続化)が避けがたいため、機械的強度、熱的安定性に難点があり、半導体の製造における配線プロセスにおいて、膜破壊が生じるなどの重大な問題を抱えていた。   2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor process in which circuit patterns are becoming finer, a lower dielectric constant of an interlayer insulating film is required. It is said that the construction of a hole structure is effective for lowering the dielectric constant of an interlayer insulating film. For silicon oxide-based interlayer insulating films, introduction of a hole structure using a foaming agent or the like has been proposed. . However, although this method can form vacancies, it is difficult to avoid linking of vacancies (continuation of vacancies), so there are difficulties in mechanical strength and thermal stability. The process had serious problems such as film breakage.

本発明者らは、多官能性の架橋性モノマーの重合により、分子レベルの空孔が形成された絶縁膜によれば、低誘電率化と高い機械的強度を両立しうることを見出した(例えば、特開2004−307804号公報参照)。しかし、前記の絶縁膜では、未反応末端が多く残存するため、誘電率がばらつきやすいという問題があった。また、半導体の高集積化が進行する現状においては、より一層の低比誘電率化が求められている。   The inventors of the present invention have found that an insulating film having pores at a molecular level formed by polymerization of a polyfunctional crosslinkable monomer can achieve both low dielectric constant and high mechanical strength ( For example, refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-307804). However, the insulating film has a problem in that the dielectric constant tends to vary because many unreacted terminals remain. Further, in the current situation where higher integration of semiconductors is progressing, there is a demand for further reduction in relative dielectric constant.

特開2004−307804号公報JP 2004-307804 A

本発明の目的は、半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない空孔構造を有するポリマー及び絶縁膜とその製造方法、これらを形成しうる絶縁膜形成材料及び重合性化合物を提供することにある。   An object of the present invention is to form a polymer and an insulating film having a high heat resistance and an extremely low relative dielectric constant useful for manufacturing semiconductors, and having a pore structure with little variation in relative dielectric constant, and a method for manufacturing the same. Another object is to provide an insulating film forming material and a polymerizable compound.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、互いに結合して複素環等を形成しうる2以上の官能基又は官能基群をそれぞれ有しており、該官能基又は官能基群の反応により空孔構造を有するポリマーを形成可能な2つの化合物であって、少なくとも一方が特定構造のフレキシブルユニットを有する2つの化合物を重合したり、或いは分子内に互いに反応して複素環等を形成しうる2以上の官能基又は官能基群を有しており、該官能基又は官能基群の反応により空孔構造を有するポリマーを形成可能な化合物であって、分子内に特定構造のフレキシブルユニットを有する化合物を重合すると、比誘電率が極めて低く且つ比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜が効率よく得られることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have two or more functional groups or functional groups that can be bonded to each other to form a heterocyclic ring, etc., and the functional groups or functional groups Two compounds capable of forming a polymer having a pore structure by a group reaction, at least one of which has a flexible unit of a specific structure is polymerized, or reacts with each other in the molecule to form a heterocycle, etc. A compound capable of forming a polymer having a pore structure by reaction of the functional group or functional group, and having a specific structure in the molecule. The inventors have found that when a compound having a flexible unit is polymerized, an insulating film having an extremely low relative dielectric constant and a small variation in relative dielectric constant can be efficiently obtained, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、それぞれの化合物の分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一方の化合物の官能基又は官能基群と他方の化合物の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な2つの化合物A及びB、及び/又は、分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な化合物Cを含む絶縁膜形成材料であって、前記化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(i)又は(ii)を満たすことを特徴とする絶縁膜形成材料を提供する。
(i)化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格と前記官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
(ii)化合物Cが、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
That is, the present invention has two or more functional groups or functional group groups in the molecule of each compound, and the functional group or functional group group of one compound and the functional group or functional group group of the other compound Having two or more functional groups or groups of functional groups in the molecule, and / or two compounds A and B that can be polymerized by bonding to form a polymer having a pore structure, and / or An insulating film forming material comprising a compound C capable of forming a polymer having a pore structure by polymerization by bonding of a functional group or a functional group with another functional group or a functional group, the compound A Provided is an insulating film forming material characterized in that the compound B and the compound C satisfy the following condition (i) or (ii).
(I) At least one of Compound A and Compound B has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and at least one of Compound A and Compound B is a central skeleton and the functional group or functional group group Having a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring, and at least one of compound A and compound B having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in the molecule A pair of functional groups or functional groups having a flexible unit composed of an organic group and capable of forming a heterocyclic ring by reacting the functional group or functional group group of compound A and the functional group or functional group group of compound B with each other. (Ii) Compound C has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and is a group that includes an ethynyl group that may have a substituent. Said one officer A heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring between the group or functional group and / or between the central skeleton and another functional group or functional group, A flexible unit comprising an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond between the functional group or the functional group of and / or between the central skeleton and another functional group or the functional group. And one functional group or functional group group of compound C and another functional group or functional group group are a pair of functional groups or functional groups capable of reacting with each other to form a heterocyclic ring, Or a group containing an ethynyl group which may have a substituent.

前記絶縁膜形成材料において、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有する中心骨格としての有橋脂環骨格又は芳香環骨格に係る有橋脂環又は芳香環は、下記式から選ばれる環、又はこれらが2以上結合した環であるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、rは0〜5の整数を示す) In the insulating film forming material, the bridged alicyclic ring or aromatic ring related to the bridged alicyclic skeleton or aromatic ring skeleton as the central skeleton of compound A or compound B or compound C is selected from the following formulae: It is preferably a ring or a ring in which two or more of these are bonded.
Figure 2009019193
(Wherein r represents an integer of 0 to 5)

また、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有する芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格が、下記式から選ばれる基、又はこれらが2以上結合した基であるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、sは0〜5の整数を示す) Further, the heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring included in at least one of Compound A and Compound B or Compound C is a group selected from the following formulas, or a group in which two or more of these are bonded. Is preferred.
Figure 2009019193
(In the formula, s represents an integer of 0 to 5)

また、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有するアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットが下記式から選ばれる基からなるフレキシブルユニットであるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、tは1〜19の整数を示し、uは1〜10の整数を示し、vは1〜3の整数を示し、wは1〜16の整数を示し、xは1〜14の整数を示す。y及びzは、それぞれ0〜6の整数を示す。但し、y及びzは同時に0となることはない) Moreover, the flexible unit consisting of an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least one of the compound A and the compound B or the alkylene group or ether bond of the compound C is a flexible unit comprising a group selected from the following formulae. Is preferred.
Figure 2009019193
(In the formula, t represents an integer of 1 to 19, u represents an integer of 1 to 10, v represents an integer of 1 to 3, w represents an integer of 1 to 16, and x represents 1 to 14) Y and z are each an integer of 0 to 6, provided that y and z are not 0 at the same time.

さらに、化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群が互いに反応して形成する複素環、又は化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が互いに反応して形成する複素環は、例えば、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環である。   Furthermore, the functional group or functional group of compound A and the functional group or functional group of compound B react with each other to form a heterocyclic ring, or one functional group or functional group of compound C and another functional group or function. The heterocyclic ring formed by the group group reacting with each other is, for example, a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, or a benzthiazole ring.

また、前記絶縁膜形成材料において、化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(iii)又は(iv)を満たすのが好ましい。
(iii)化合物Aが下記式(1a)

Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物、又は下記式(1b)
Figure 2009019193
[式中、Y1は、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物であり、化合物Bが下記式(2)
Figure 2009019193
[式中、X2は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W2はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z2は前記式(1a)又は(1b)におけるZ1と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(1a)又は(1b)におけるZ1が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R2は、水素原子又は炭化水素基を示す。m1は2〜4の整数を示し、m2は0〜2の整数を示す。m1+m2=2〜4である。iは0又は1を示し、kは0又は1を示す。分子内の複数のY2a、Y2b、W2、Z2、及び複数存在する場合のR2は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物である。 In the insulating film forming material, it is preferable that the compound A, the compound B, and the compound C satisfy the following condition (iii) or (iv).
(Iii) Compound A is represented by the following formula (1a)
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule, and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
Or a compound represented by the following formula (1b)
Figure 2009019193
[Wherein Y 1 represents a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group, Or the bivalent group which these groups couple | bonded two or more is shown. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. n shows the integer of 2-4. Plural Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different.
The compound B is represented by the following formula (2):
Figure 2009019193
[Wherein, X 2 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 2a and Y 2b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 2 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 2 represents a functional group or a group of functional groups that can form a heterocyclic ring by reacting with Z 1 in the formula (1a) or (1b), or a group containing an ethynyl group which may have a substituent (provided that Z 1 in formula (1a) or (1b) is limited to a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. m1 represents an integer of 2 to 4, and m2 represents an integer of 0 to 2. m1 + m2 = 2-4. i represents 0 or 1, and k represents 0 or 1. A plurality of Y 2a , Y 2b , W 2 , Z 2 in the molecule, and R 2 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
It is a compound represented by these.

(iv)化合物Cが下記式(3)

Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、互いに反応して複素環を形成しうる対となる官能基若しくは官能基群であるか、又はZ1、Z2のいずれもが置換基を有していてもよいエチニル基を含む置換基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物である。 (Iv) Compound C is represented by the following formula (3)
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are a functional group or a group of functional groups that can form a heterocycle by reacting with each other, or both Z 1 and Z 2 may have a substituent. A substituent containing a group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , R 1 in the case where there are a plurality in the molecule may be the same or different.
It is a compound represented by these.

前記式(1a)、式(3)におけるX1は、例えば、2〜4価の芳香族又は非芳香族環式基である。 X 1 in the above formulas (1a) and (3) is, for example, a divalent to tetravalent aromatic or non-aromatic cyclic group.

前記2〜4価の芳香族又は非芳香族環式基に係る芳香族性又は非芳香族性環は、下記式から選ばれる環、又はこれらが2以上結合した環であるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、rは0〜5の整数を示す) The aromatic or non-aromatic ring related to the divalent to tetravalent aromatic or non-aromatic cyclic group is preferably a ring selected from the following formula or a ring in which two or more of these are bonded.
Figure 2009019193
(Wherein r represents an integer of 0 to 5)

前記式(1a)、式(1b)、式(2)、式(3)におけるY1a、Y1b、Y1、Y2a、Y2bは、単結合、又は下記式から選ばれる基、若しくはこれらが2以上結合した基であるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、sは0〜5の整数を示す) Y 1a , Y 1b , Y 1 , Y 2a , Y 2b in the formula (1a), formula (1b), formula (2), and formula (3) are a single bond, a group selected from the following formulas, or these: Is preferably a group in which two or more are bonded.
Figure 2009019193
(In the formula, s represents an integer of 0 to 5)

前記式(1a)、式(1b)、式(2)、式(3)におけるW1、W、W2としては、下記式から選ばれる基からなるフレキシブルユニットであるのが好ましい。

Figure 2009019193
(式中、tは1〜19の整数を示し、uは1〜10の整数を示し、vは1〜3の整数を示し、wは1〜16の整数を示し、xは1〜14の整数を示す。y及びzは、それぞれ0〜6の整数を示す。但し、y及びzは同時に0となることはない) In the formula (1a), formula (1b), formula (2), and formula (3), W 1 , W, and W 2 are preferably flexible units composed of groups selected from the following formulas.
Figure 2009019193
(In the formula, t represents an integer of 1 to 19, u represents an integer of 1 to 10, v represents an integer of 1 to 3, w represents an integer of 1 to 16, and x represents 1 to 14) Y and z are each an integer of 0 to 6, provided that y and z are not 0 at the same time.

前記式(1a)又は式(1b)におけるZ1と式(2)におけるZ2とで形成される複素環、式(3)におけるZ1と式(3)におけるZ2とで形成される複素環は、例えば、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環である。 Heterocycle formed by Z 1 in Formula (1a) or Formula (1b) and Z 2 in Formula (2), Complex formed by Z 1 in Formula (3) and Z 2 in Formula (3) The ring is, for example, a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring.

前記式(1a)又は式(1b)におけるZ1と式(2)におけるZ2、又は式(3)におけるZ1と式(3)におけるZ2組合せとしては、一方がカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基であり、他方が3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基、4−アミノ−3−メルカプトフェニル基又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である(但し、一方が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合には、他方も置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である)のが好ましい。 Z 1 in formula (1a) or formula (1b) and Z 2 in formula (2), or Z 1 in formula (3) and Z 2 in formula (3) are either a carboxyl group or a substituted oxycarbonyl group. Group, a formyl group, a haloformyl group or a group containing an optionally substituted ethynyl group, the other being a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, a 4-amino-3 -Hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group, 4-amino-3-mercaptophenyl group or a group containing an optionally substituted ethynyl group (provided that one has a substituent) In the case where it is a group containing an ethynyl group which may be substituted, the other is also a group containing an ethynyl group which may have a substituent).

前記絶縁膜形成材料には、化合物A及び化合物B、及び/又は化合物Cが有機溶媒に溶解した溶液が含まれる。   The insulating film forming material includes a solution in which compound A and compound B and / or compound C are dissolved in an organic solvent.

本発明は、また、前記の絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマーを提供する。   The present invention also provides a polymer having a pore structure obtained by subjecting the insulating film forming material to a polymerization reaction.

本発明は、さらに、前記空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜を提供する。   The present invention further provides an insulating film made of a polymer having the pore structure.

本発明は、さらにまた、前記絶縁膜形成材料を基材上に塗布した後、重合反応に付して空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法を提供する。   The present invention further provides a method for producing an insulating film, comprising: applying an insulating film-forming material on a substrate; and then subjecting the material to a polymerization reaction to form an insulating film made of a polymer having a pore structure. I will provide a.

本発明は、また、下記式(7)

Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の芳香族又は非芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1は少なくともアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物を提供する。 The present invention also provides the following formula (7):
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent aromatic or non-aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule, and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
The polymerizable compound represented by these is provided.

前記Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 At least one of Y 1a and Y 1b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The corresponding divalent group is preferred.

本発明は、さらに、下記式(8)

Figure 2009019193
[式中、Y1は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物を提供する。 The present invention further provides the following formula (8):
Figure 2009019193
[Wherein Y 1 represents a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. n shows the integer of 2-4. Plural Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different.
The polymerizable compound represented by these is provided.

前記Y1は、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 Y 1 represents a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring, or a divalent group corresponding to a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. Preferably there is.

本発明は、さらにまた、下記式(9)

Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有機基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、それぞれ、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物を提供する。 The present invention further provides the following formula (9):
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent organic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are each a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, 3,4-diaminophenyl group, 3-amino- 4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , R 1 in the case where there are a plurality in the molecule may be the same or different.
The polymerizable compound represented by these is provided.

前記Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 At least one of Y 1a and Y 1b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The corresponding divalent group is preferred.

また、前記Y2a、Y2bのうち少なくとも一方は、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 At least one of Y 2a and Y 2b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. It is preferably a divalent group corresponding to the body.

本発明の絶縁膜形成材料は、空孔構造を有するポリマーを形成しうる2つの化合物のうち少なくとも一方の化合物が、或いは空孔構造を有するポリマーを形成しうる1つの化合物が特定構造のフレキシブルユニットを有しているので分子鎖が動きやすく、重合の際、官能基又は官能基群同士の反応が確実に起こるため、誘電率が低くしかも誘電率のばらつきが少ない空孔構造を有するポリマー及び絶縁膜を得ることができる。こうして得られる絶縁膜は、また、高い耐熱性と機械的強度を有する。本発明の重合性化合物はこのように優れた特性を有する絶縁膜形成材料の構成成分(モノマー成分)として使用できる。   The insulating film forming material of the present invention is a flexible unit in which at least one of two compounds capable of forming a polymer having a pore structure or one compound capable of forming a polymer having a pore structure is a specific structure. Since the molecular chain is easy to move and the reaction between functional groups or groups of functional groups occurs surely during polymerization, the polymer and insulation having a pore structure with low dielectric constant and little variation in dielectric constant A membrane can be obtained. The insulating film thus obtained also has high heat resistance and mechanical strength. The polymerizable compound of the present invention can be used as a constituent component (monomer component) of the insulating film forming material having such excellent characteristics.

本発明の絶縁膜形成材料は、それぞれの化合物の分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一方の化合物の官能基又は官能基群と他方の化合物の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な2つの化合物A及びB、及び/又は、分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な化合物Cを含む絶縁膜形成材料であって、前記化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(i)又は(ii)を満たすことを特徴とする。
(i)化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格と前記官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
(ii)化合物Cが、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
The insulating film forming material of the present invention has two or more functional groups or functional group groups in the molecule of each compound, and the functional group or functional group group of one compound and the functional group or functional group of the other compound. Two compounds A and B that can be polymerized by bonding with a group of groups to form a polymer having a pore structure, and / or have two or more functional groups or groups of functional groups in the molecule An insulating film forming material comprising a compound C capable of forming a polymer having a pore structure by polymerizing by bonding of one functional group or functional group and another functional group or functional group, The compound A, the compound B, and the compound C satisfy the following condition (i) or (ii).
(I) At least one of Compound A and Compound B has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and at least one of Compound A and Compound B is a central skeleton and the functional group or functional group group Having a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring, and at least one of compound A and compound B having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in the molecule A pair of functional groups or functional groups having a flexible unit composed of an organic group and capable of forming a heterocyclic ring by reacting the functional group or functional group group of compound A and the functional group or functional group group of compound B with each other. (Ii) Compound C has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and is a group that includes an ethynyl group that may have a substituent. Said one officer A heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring between the group or functional group and / or between the central skeleton and another functional group or functional group, A flexible unit comprising an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond between the functional group or the functional group of and / or between the central skeleton and another functional group or the functional group. And one functional group or functional group group of compound C and another functional group or functional group group are a pair of functional groups or functional groups capable of reacting with each other to form a heterocyclic ring, Or a group containing an ethynyl group which may have a substituent.

なお、本明細書では、重合に関与する官能基又は官能基群を2つ有する場合を「2官能」、3つ有する場合を「3官能」、4つ有する場合を「4官能」と称することがある。   In this specification, the case of having two functional groups or groups of functional groups involved in polymerization is referred to as “bifunctional”, the case of having three, “trifunctional”, and the case of having four are referred to as “tetrafunctional”. There is.

一般に、空孔構造を有するポリマー(高分子量重合体)を2種の化合物X及びYにより形成する場合、該化合物XとYの組み合わせとしては、例えば、中心骨格に結合した複数(例えば2〜4個)の官能基又は官能基群が2次元構造又は3次元構造をなす化合物Xと、中心骨格に結合した複数(例えば2〜4個、好ましくは2個)の官能基又は官能基群が1次元構造(直線状)又は2次元構造(角度を有する直鎖状)をなす化合物Yとの組み合わせが挙げられる。この場合、化合物Xはポリマーの結節点又は架橋点(頂点)を形成し、化合物Yは該結節点又は架橋点をつなぐ連結部(辺)を形成する。いくつかの結節点又は架橋点といくつかの連結部に囲まれた部位に空孔が形成される。前記ポリマーは分岐構造(特に多分岐構造)を有する重合体(高分子架橋体)であってもよく、分岐を持たない鎖状のポリマー分子からなる重合体であってもよい。分岐を持たない鎖状のポリマー分子からなる重合体であっても、ポリマー分子鎖中のセグメント間の排除体積効果により、1ポリマー分子が存在する領域への他の分子鎖の貫通が抑制され、その結果、比較的疎な充填構造が形成される。このような構造も空孔構造に含まれる。   In general, when a polymer having a pore structure (high molecular weight polymer) is formed from two types of compounds X and Y, examples of the combination of the compounds X and Y include a plurality of (for example, 2 to 4) bonded to the central skeleton. A plurality of (for example, 2 to 4, preferably 2) functional groups or functional groups, each of which is a compound X having a two-dimensional structure or a three-dimensional structure. The combination with the compound Y which makes | forms a dimensional structure (linear form) or a two-dimensional structure (linear form with an angle) is mentioned. In this case, the compound X forms a nodal point or cross-linking point (vertex) of the polymer, and the compound Y forms a connecting portion (side) connecting the nodal point or cross-linking point. Holes are formed at sites surrounded by some nodes or bridge points and some connections. The polymer may be a polymer having a branched structure (particularly a multi-branched structure) (polymer crosslinked product), or may be a polymer composed of chain-like polymer molecules having no branch. Even in the case of a polymer composed of a chain-like polymer molecule having no branch, penetration of other molecular chains into a region where one polymer molecule exists is suppressed due to the excluded volume effect between segments in the polymer molecular chain, As a result, a relatively sparse filling structure is formed. Such a structure is also included in the pore structure.

本発明においては、前記化合物A及び化合物Bのうち少なくとも一方の化合物、及び化合物Cは中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有している。   In the present invention, at least one of the compound A and the compound B, and the compound C have a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton.

中心骨格としての有橋脂環骨格又は芳香環骨格に係る有橋脂環又は芳香環の代表的な例として、前記式(4a)〜(4o)で表される環、又はこれらが2以上(例えば2〜3個)結合した環が挙げられる。式(4j)中、rは0〜5の整数であり、好ましくは0〜2の整数である。   As representative examples of the bridged alicyclic ring or aromatic ring related to the bridged alicyclic skeleton or aromatic ring skeleton as the central skeleton, the rings represented by the formulas (4a) to (4o), or two or more of these ( For example, 2-3 rings) may be mentioned. In formula (4j), r is an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 2.

前記中心骨格としての有橋脂環骨格又は芳香環骨格の好ましい例としては、アダマンタン骨格、ビアダマンタン骨格、テトラフェニルアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、テトラメチルノルボルナン骨格、ノルボルネン骨格、テトラメチルノルボルネン骨格等の有橋脂環骨格;テトラフェニルメタン骨格、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格等の芳香環を含む芳香環骨格などが挙げられる。中心骨格部分の分子量は、例えば40〜1460、好ましくは60〜500程度である。   Preferred examples of the bridged alicyclic skeleton or aromatic ring skeleton as the central skeleton include adamantane skeleton, biadamantane skeleton, tetraphenyladamantane skeleton, norbornane skeleton, tetramethylnorbornane skeleton, norbornene skeleton, tetramethylnorbornene skeleton and the like. Examples include bridged alicyclic skeletons; aromatic ring skeletons including aromatic rings such as tetraphenylmethane skeleton, benzene skeleton, naphthalene skeleton, and biphenyl skeleton. The molecular weight of the central skeleton is, for example, about 40 to 1460, preferably about 60 to 500.

官能基としては、反応性を有するものであれば特に限定されないが、代表的な例として、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、ホルミル基、シラノール基、ハロゲン原子、カーボアニオン、置換基を有していてもよいエチニル基又はこれらを含有する基などが挙げられる。なお、これらの基は反応性の基に誘導体化されていてもよく、保護基で保護されていてもよい。反応性の基としては、例えばカルボキシル基においては、ハロホルミル基、酸無水物基(保護基で保護されたカルボキシル基としても分類できる)などが挙げられる。保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。例えば、保護基で保護されたカルボキシル基としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基などの置換オキシカルボニル基などが挙げられる。保護基で保護されたアミノ基としては、例えば、アセチルアミノ基等のアシルアミノ基、アルキリデン基やシクロアルキリデン基、ベンジリデン基等で保護されたアミノ基(イミン誘導体)、アルコキシカルボニル基やアラルキルカルボキシル基で保護されたアミノ基(カルバミン酸エステル誘導体)などが挙げられる。アミノ基の2つの水素原子のうち1つはメチル基等のアルキル基やフェニル基で置換されたモノ置換アミノ基であってもよい。保護基で保護されたヒドロキシル基としては、アセチルオキシ基等のアシルオキシ基、アルデヒドで保護されたヒドロキシル基(アセタール、ヘミアセタール誘導体)などが挙げられる。   The functional group is not particularly limited as long as it has reactivity, but representative examples include a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a mercapto group, a formyl group, a silanol group, a halogen atom, a carbanion, and a substituent. And an ethynyl group which may have a group or a group containing these. In addition, these groups may be derivatized into reactive groups and may be protected with a protecting group. Examples of the reactive group include a haloformyl group, an acid anhydride group (which can also be classified as a carboxyl group protected by a protecting group) and the like in the carboxyl group. As the protecting group, a protecting group conventionally used in the field of organic synthesis can be used. For example, examples of the carboxyl group protected by a protecting group include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl groups, and substituted oxycarbonyl groups such as benzyloxycarbonyl groups. Examples of the amino group protected with a protecting group include an acylamino group such as an acetylamino group, an amino group protected with an alkylidene group, a cycloalkylidene group, a benzylidene group, etc. (imine derivative), an alkoxycarbonyl group, and an aralkylcarboxyl group. Examples include a protected amino group (carbamic acid ester derivative). One of the two hydrogen atoms of the amino group may be a mono-substituted amino group substituted with an alkyl group such as a methyl group or a phenyl group. Examples of the hydroxyl group protected with a protecting group include acyloxy groups such as acetyloxy group, hydroxyl groups protected with aldehyde (acetal, hemiacetal derivatives), and the like.

互いに反応して化学結合を形成する官能基又は官能基群の組み合わせとしては、例えば、カルボキシル基とアミノ基との組み合わせ(アミド結合の形成)、カルボキシル基とヒドロキシル基との組み合わせ(エステル結合の形成)、カルボキシル基とメルカプト基との組み合わせ(チオエステル結合の形成)、ヒドロキシル基とヒドロキシル基との組み合わせ(エーテル結合の形成)、ヒドロキシル基とメルカプト基との組み合わせ(チオエーテル結合の形成)、炭素−炭素結合を形成可能な2つの官能基の組み合わせ、炭素−窒素結合を形成可能な2つの官能基の組み合わせ;1個のカルボキシル基と1,2位又は1,3位の炭素原子に結合した2個のアミノ基との組み合わせ(イミダゾール環等の2つの窒素原子を有する5員又は6員環の形成)、1個のホルミル基と1,2位又は1,3位の炭素原子に結合した2個のアミノ基との組み合わせ(酸素雰囲気等の酸化条件下で、イミダゾール環等の2つの窒素原子を有する5員又は6員環の形成)、1個のカルボキシル基と1,2位又は1,3位の炭素原子に結合したアミノ基及びヒドロキシル基との組み合わせ(オキサゾール環等の1つの窒素原子と1つの酸素原子を有する5員又は6員環の形成)、1個のカルボキシル基と1,2位又は1,3位の炭素原子に結合した1個のアミノ基及び1個のメルカプト基との組み合わせ(チアゾール環等の1つの窒素原子と1つのイオウ原子を有する5員又は6員環の形成)、1,2位又は1,3位の炭素原子に結合した2個のカルボキシル基と1個のアミノ基との組み合わせ(5員又は6員のイミド環の形成)、置換基を有していてもよいエチニル基同士の組合せなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of combinations of functional groups or functional groups that react with each other to form chemical bonds include, for example, a combination of a carboxyl group and an amino group (formation of an amide bond), a combination of a carboxyl group and a hydroxyl group (formation of an ester bond) ), Carboxyl group and mercapto group (thioester bond formation), hydroxyl group and hydroxyl group combination (ether bond formation), hydroxyl group and mercapto group combination (thioether bond formation), carbon-carbon A combination of two functional groups capable of forming a bond, a combination of two functional groups capable of forming a carbon-nitrogen bond; two bonded to one carboxyl group and the 1,2- or 1,3-position carbon atom In combination with an amino group (5- or 6-membered ring having two nitrogen atoms such as an imidazole ring) Formation) Combination of one formyl group and two amino groups bonded to the 1,2- or 1,3-position carbon atoms (under nitrogen conditions such as oxygen atmosphere, two nitrogen atoms such as imidazole ring) A 5-membered or 6-membered ring having a single group, a combination of one carboxyl group and an amino group and a hydroxyl group bonded to the 1,2- or 1,3-position carbon atom (one nitrogen atom such as an oxazole ring) And formation of a 5- or 6-membered ring having one oxygen atom), one carboxyl group and one amino group and one mercapto group bonded to the 1,2- or 1,3-position carbon atom (Formation of a 5- or 6-membered ring having one nitrogen atom and one sulfur atom such as a thiazole ring), two carboxyl groups bonded to the 1,2- or 1,3-position carbon atom and 1 Combination with 5 amino groups (5 or Formation of 6-membered imide ring), but like a combination of good ethynyl groups to each other may have a substituent, but is not limited thereto.

本発明では、化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群は、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である。また、化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である。   In the present invention, the functional group or functional group of compound A and the functional group or functional group of compound B are a pair of functional groups or functional groups that can react with each other to form a heterocyclic ring, or are substituted together. It is a group containing an ethynyl group which may have a group. Further, one functional group or functional group group of compound C and another functional group or functional group group are a pair of functional groups or functional group groups that can react with each other to form a heterocyclic ring, or both are substituents. Is a group containing an ethynyl group which may have

前記複素環の好ましい例として、例えば、ベンズイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンズチアゾール環が挙げられる。これらの中でも、ベンズイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環が好ましい。また、前記複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群の好ましい組合せとして、一方がカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基又はハロホルミル基であり、他方が3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基である組合せが挙げられる。置換オキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基等のC1-6アルコキシ−カルボニル基等が挙げられる。 Preferable examples of the heterocyclic ring include a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, and a benzthiazole ring. Among these, a benzimidazole ring and a benzoxazole ring are preferable. Further, as a preferred combination of a pair of functional groups or functional groups capable of forming the heterocyclic ring, one is a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, or a haloformyl group, and the other is a 3,4-diaminophenyl group, The combination which is 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group is mentioned. Examples of the substituted oxycarbonyl group include C 1-6 alkoxy-carbonyl groups such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl groups.

前記置換基を有していてもよいエチニル基を含む基としては、エチニル基、エチニルフェニル基などが挙げられる。前記ともに置換基を有していてもよいエチニル基の組合せとしては、エチニル基とエチニルフェニル基との組合せが特に好ましい。   Examples of the group containing an ethynyl group that may have a substituent include an ethynyl group and an ethynylphenyl group. As a combination of ethynyl groups which may have a substituent, a combination of ethynyl group and ethynylphenyl group is particularly preferable.

本発明では、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方は、中心骨格と前記官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有している。また、化合物Cは、中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有している。このように、絶縁膜形成材料を構成するモノマー成分が耐熱性骨格を有するので、耐熱性の高い絶縁膜を得ることができる。   In the present invention, at least one of the compound A and the compound B has a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring between the central skeleton and the functional group or functional group group. Compound C is composed of a divalent organic group containing an aromatic ring between the central skeleton and the one functional group or functional group group and / or between the central skeleton and another functional group or functional group group. Has a heat-resistant skeleton. Thus, since the monomer component constituting the insulating film forming material has a heat resistant skeleton, an insulating film having high heat resistance can be obtained.

化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が有する芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格、化合物Cが有する芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格の代表的な例として、前記式(5a)〜(5p)で表される基、又はこれらが複数(例えば2〜3個)結合した基が挙げられる。式中、sは0〜5の整数であり、好ましくは0〜2の整数である。また、これらのうちベンゼン環にヒドロキシル基が結合した基については、該ヒドロキシル基をメルカプト基に置き換えた基も好ましい。   As typical examples of a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring contained in at least one of Compound A and Compound B, and a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring contained in Compound C, Examples include groups represented by the above formulas (5a) to (5p) or a group in which a plurality of these groups (for example, 2 to 3) are bonded. In formula, s is an integer of 0-5, Preferably it is an integer of 0-2. Of these, a group in which a hydroxyl group is bonded to a benzene ring is also preferably a group in which the hydroxyl group is replaced with a mercapto group.

本発明では、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方は、分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有している。また、化合物Cは、中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有している。このように、絶縁膜形成材料を構成するモノマー成分が反応時(重合時)に動きやすいフレキシブルユニットを有しているので、官能基又は官能基群が確実に反応し、未反応の官能基が残存しにくいため、比誘電率の値をより低下できるとともに、比誘電率のばらつきを低減することができる。   In the present invention, at least one of the compound A and the compound B has a flexible unit composed of an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in the molecule. In addition, the compound C has a total number of atoms including at least an alkylene group or an ether bond between the central skeleton and the one functional group or functional group group and / or between the central skeleton and another functional group or functional group group. It has a flexible unit composed of 2 to 20 organic groups. Thus, since the monomer component constituting the insulating film forming material has a flexible unit that easily moves during the reaction (at the time of polymerization), the functional group or the functional group reliably reacts, and the unreacted functional group Since it is difficult to remain, the value of the dielectric constant can be further reduced, and variations in the dielectric constant can be reduced.

化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有するアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットの代表的な例としては、前記式(6a)〜(6j)で表される基からなるフレキシブルユニットが挙げられる。式中、tは1〜19の整数であり、好ましくは1〜10の整数である。uは1〜10の整数であり、好ましくは1〜5の整数である。vは1〜3の整数であり、好ましくは1〜2の整数である。wは1〜16の整数であり、好ましくは1〜8の整数である。xは1〜14の整数であり、好ましくは1〜7の整数である。y及びzは、それぞれ0〜6の整数であり、好ましくは0〜4の整数である。但し、y及びzは同時に0となることはない。   As a typical example of a flexible unit composed of an organic group having 2 to 20 atoms in total including at least one of the compound A and the compound B or the alkylene group or ether bond of the compound C, the above formulas (6a) to (6) And a flexible unit comprising the group represented by 6j). In formula, t is an integer of 1-19, Preferably it is an integer of 1-10. u is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 5. v is an integer of 1 to 3, and preferably an integer of 1 to 2. w is an integer of 1 to 16, preferably an integer of 1 to 8. x is an integer of 1-14, preferably an integer of 1-7. y and z are each an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 4. However, y and z are not 0 at the same time.

本発明の絶縁膜形成材料においては、化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(iii)又は(iv)を満たすのが好ましい。すなわち、(iii)化合物Aが前記式(1a)で表される化合物又は前記式(1b)で表される化合物であり、化合物Bが前記式(2)で表される化合物であるか、又は(iv)化合物Cが前記式(3)で表される化合物であるのが好適である。   In the insulating film forming material of the present invention, it is preferable that the compound A, the compound B, and the compound C satisfy the following condition (iii) or (iv). That is, (iii) Compound A is a compound represented by Formula (1a) or a compound represented by Formula (1b), and Compound B is a compound represented by Formula (2), or (Iv) It is preferable that the compound C is a compound represented by the formula (3).

式(1a)中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In the formula (1a), X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different.

1における2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基に係る有橋脂環又は芳香環としては、前記化合物A及びBの少なくとも一方、及び化合物Cの中心骨格としての有橋脂環式基又は芳香族環式基に係る有橋脂環又は芳香環として例示した式(4a)〜(4p)で表される環などが挙げられる。これらの中でも、有橋脂環、特にアダマンタン環[式(4a)で表される環]又はビアダマンタン環が好ましい。X1の価数としては、3価又は4価、特に4価が好ましい。 The bridged alicyclic or aromatic ring related to the divalent to tetravalent bridged alicyclic group or aromatic cyclic group in X 1 includes at least one of the compounds A and B, and a compound as a central skeleton of the compound C. Examples thereof include the rings represented by the formulas (4a) to (4p) exemplified as the bridged alicyclic ring or aromatic ring related to the bridging alicyclic group or aromatic cyclic group. Among these, a bridged alicyclic ring, particularly an adamantane ring [ring represented by the formula (4a)] or a biadamantane ring is preferable. The valence of X 1 is preferably trivalent or tetravalent, particularly tetravalent.

1a、Y1bにおける2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。2価の芳香族複素環式基に係る芳香族複素環としては、例えば、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環などが挙げられる。2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基としては、閉環により芳香族複素環式基を形成するような基が挙げられる。例えば、ベンズイミダゾール環の前駆体に相当する環としてアミノ基とアシルアミノ基とがベンゼン環の互いにオルトの位置に結合している環が挙げられる。また、ベンズオキサゾール環の前駆体に相当する環として、ヒドロキシル基とアシルアミノ基とがベンゼン環の互いにオルトの位置に結合している環が挙げられる。さらに、ベンズチアゾール環の前駆体に相当する環として、メルカプト基とアシルアミノ基とがベンゼン環の互いにオルトの位置に結合している環が挙げられる。 Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group for Y 1a and Y 1b include a phenylene group and a naphthylene group. Examples of the aromatic heterocyclic ring related to the divalent aromatic heterocyclic group include a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, and a benzthiazole ring. Examples of the divalent group corresponding to the precursor of the divalent aromatic heterocyclic group include groups that form an aromatic heterocyclic group by ring closure. For example, the ring corresponding to the precursor of the benzimidazole ring includes a ring in which an amino group and an acylamino group are bonded to the ortho position of the benzene ring. Further, examples of the ring corresponding to the precursor of the benzoxazole ring include a ring in which a hydroxyl group and an acylamino group are bonded to an ortho position of the benzene ring. Further, examples of the ring corresponding to the precursor of the benzthiazole ring include a ring in which a mercapto group and an acylamino group are bonded to the ortho position of the benzene ring.

1a、Y1bとしては、単結合のほか、前記化合物A及びBの少なくとも一方、及び化合物Cが有する芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格の代表的な例として記載した前記式(5a)〜(5p)で表される基が挙げられる。式中、sは0〜5の整数であり、好ましくは0〜2の整数である。また、これらのうちベンゼン環にヒドロキシル基が結合した基については、該ヒドロキシル基をメルカプト基に置き換えた基も好ましい。 Y 1a and Y 1b are described as typical examples of a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring in addition to a single bond, at least one of the compounds A and B, and the compound C. Examples include groups represented by formulas (5a) to (5p). In formula, s is an integer of 0-5, Preferably it is an integer of 0-2. Of these, a group in which a hydroxyl group is bonded to a benzene ring is also preferably a group in which the hydroxyl group is replaced with a mercapto group.

1におけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットとしては、前記化合物A及びBの少なくとも一方、及び化合物Cが有するアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットの代表的な例として記載した前記式(6a)〜(6j)で表される基からなるフレキシブルユニットが挙げられる。式中、tは1〜19の整数であり、好ましくは1〜10の整数である。uは1〜10の整数であり、好ましくは1〜5の整数である。vは1〜3の整数であり、好ましくは1〜2の整数である。wは1〜16の整数であり、好ましくは1〜8の整数である。xは1〜14の整数であり、好ましくは1〜7の整数である。y及びzは、それぞれ0〜6の整数であり、好ましくは0〜4の整数である。但し、y及びzは同時に0となることはない。 The flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total including at least an alkylene group or an ether bond in W 1 includes at least one of the compounds A and B and an alkylene group or an ether bond that the compound C has. The flexible unit which consists of group represented by the said Formula (6a)-(6j) described as a typical example of the flexible unit which consists of a 2-20 total atom organic group to contain is mentioned. In formula, t is an integer of 1-19, Preferably it is an integer of 1-10. u is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 5. v is an integer of 1 to 3, and preferably an integer of 1 to 2. w is an integer of 1 to 16, preferably an integer of 1 to 8. x is an integer of 1-14, preferably an integer of 1-7. y and z are each an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 4. However, y and z are not 0 at the same time.

1におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群としては、Z2と反応してベンズイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンズチアゾール環等を形成しうる官能基若しくは官能基群、例えば、Z2がカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基又はハロホルミル基である場合には、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基等が例示され、Z2が3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基である場合には、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基又はハロホルミル基などが挙げられる。置換オキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基等のC1-6アルコキシ−カルボニル基等が挙げられる。 The functional group or functional group that can form a heterocyclic ring by reacting with Z 2 in Z 1 includes a functional group or a functional group that can react with Z 2 to form a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, a benzthiazole ring, or the like. Group, for example, when Z 2 is a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group or a haloformyl group, 3,4-diaminophenyl group, 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3 -Hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group, 4-amino-3-mercaptophenyl group and the like are exemplified, and Z 2 is 3,4-diaminophenyl group, 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group In some cases, examples include a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, or a haloformyl group. Examples of the substituted oxycarbonyl group include C 1-6 alkoxy-carbonyl groups such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl groups.

1における置換基を有していてもよいエチニル基を含む基としては、エチニル基、エチニルフェニル基などが挙げられる。なお、Z2がエチニル基の場合は、Z1はエチニルフェニル基が好ましく、Z2がエチニルフェニル基の場合は、Z1はエチニル基が好ましい。 Examples of the group containing an ethynyl group which may have a substituent in Z 1 include an ethynyl group and an ethynylphenyl group. In the case Z 2 is ethynyl group, Z 1 is preferably ethynylphenyl group, if Z 2 is an ethynylphenyl group, Z 1 is an ethynyl group is preferred.

1における炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びこれらの結合した基などが含まれる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル、ドデシル基などの炭素数1〜20(好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜6)程度の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基;ビニル、アリル、1−ブテニル、3−メチル−4−ペンテニル基などの炭素数2〜20(好ましくは2〜10、さらに好ましくは2〜5)程度の直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基;エチニル、プロピニル、1−ブチニル、2−ブチニル基などの炭素数2〜20(好ましくは2〜10、さらに好ましくは2〜5)程度の直鎖状又は分岐鎖状アルキニル基などが挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group for R 1 include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group in which these are bonded. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include 1 to 20 carbon atoms (preferably 1 to 1) such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, pentyl, hexyl, decyl, and dodecyl groups. 10 or more preferably 1 to 6) linear or branched alkyl group; 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10) such as vinyl, allyl, 1-butenyl, 3-methyl-4-pentenyl group, etc. And more preferably about 2 to 5) linear or branched alkenyl group; ethynyl, propynyl, 1-butynyl, 2-butynyl group and the like having 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10, more preferably 2). -5) about a linear or branched alkynyl group.

脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などの3〜20員(好ましくは3〜15員、さらに好ましくは3〜12員)程度のシクロアルキル基、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル基などの3〜20員(好ましくは3〜15員、さらに好ましくは3〜10員)程度のシクロアルケニル基などの単環の脂環式炭化水素基;アダマンタン環、パーヒドロインデン環、デカリン環、パーヒドロフルオレン環、パーヒドロアントラセン環、パーヒドロフェナントレン環、トリシクロデカン環、トリシクロウンデカン環、テトラシクロドデカン環、パーヒドロアセナフテン環、パーヒドロフェナレン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環など2〜4環程度の有橋脂環などを有する有橋脂環式炭化水素基(橋かけ環炭化水素基)などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル、ナフチル基などの炭素数6〜20(好ましくは6〜14)程度の芳香族炭化水素基が挙げられる。   Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cycloalkyl group having about 3 to 20 members (preferably 3 to 15 members, more preferably 3 to 12 members) such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl groups. , Monocyclic alicyclic hydrocarbon groups such as cycloalkenyl groups of about 3 to 20 members (preferably 3 to 15 members, more preferably 3 to 10 members) such as cyclopropenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl and cyclohexenyl groups Adamantane ring, perhydroindene ring, decalin ring, perhydrofluorene ring, perhydroanthracene ring, perhydrophenanthrene ring, tricyclodecane ring, tricycloundecane ring, tetracyclododecane ring, perhydroacenaphthene ring, perhydro Phenalene ring, norbornane ring, norbol Such bridged alicyclic hydrocarbon group having such bridged alicyclic about 2-4 rings such as down ring (bridged ring hydrocarbon group). Examples of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon groups having about 6 to 20 (preferably 6 to 14) carbon atoms such as phenyl and naphthyl groups.

脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素基とが結合した炭化水素基には、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、2−シクロヘキシルエチル基などのシクロアルキル−アルキル基(例えば、C3-20シクロアルキル−C1-4アルキル基など)が含まれる。また、脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基とが結合した炭化水素基には、アラルキル基(例えば、C7-18アラルキル基など)、アルキル置換アリール基(例えば、1〜4個程度のC1-4アルキル基が置換したフェニル基又はナフチル基など)などが含まれる。 The hydrocarbon group in which an aliphatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group are bonded includes a cycloalkyl-alkyl group such as cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, 2-cyclohexylethyl group (for example, C 3-20 cycloalkyl- C 1-4 alkyl group and the like). The hydrocarbon group in which an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group are bonded to each other includes an aralkyl group (for example, a C 7-18 aralkyl group) and an alkyl-substituted aryl group (for example, about 1 to about 4). A phenyl group substituted with a C 1-4 alkyl group or a naphthyl group).

前記脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びこれらの結合した基は、置換基を有していてもよい。置換基としては反応や高分子架橋体の物性を損なわないものであれば特に限定されない。   The aliphatic hydrocarbon group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, and a group in which these groups are bonded may have a substituent. The substituent is not particularly limited as long as it does not impair the properties of the reaction and the crosslinked polymer.

式(1a)で表される化合物の中でも、前記式(7)で表される化合物が重要である。式(7)中、X1は2〜4価の芳香族又は非芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1は少なくともアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記Y1a、Y1bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 Among the compounds represented by the formula (1a), the compound represented by the formula (7) is important. In formula (7), X 1 represents a divalent to tetravalent aromatic or non-aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different. At least one of Y 1a and Y 1b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The corresponding divalent group is preferred.

式(7)で表される化合物は、公知化合物を出発原料として、縮合反応、置換反応、付加反応、酸化反応、環化反応等の公知の反応を利用して合成できる。   The compound represented by formula (7) can be synthesized using a known compound as a starting material and using a known reaction such as a condensation reaction, a substitution reaction, an addition reaction, an oxidation reaction, or a cyclization reaction.

式(1a)で表される化合物の代表的な例として、下記式で表される化合物が挙げられる。   Representative examples of the compound represented by the formula (1a) include compounds represented by the following formula.

Figure 2009019193
Figure 2009019193

式(1b)中、Y1は、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In formula (1b), Y 1 is a divalent divalent aromatic precursor, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, a divalent aromatic heterocyclic group precursor corresponding to a divalent precursor. Or a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. n shows the integer of 2-4. A plurality of Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different.

1における2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基は、前記Y1a、Y1bにおける2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基と同様である。 Divalent aromatic hydrocarbon group for Y 1, divalent aromatic heterocyclic group, a divalent divalent group corresponding to a precursor of the aromatic heterocyclic group, said Y 1a, the Y 1b This is the same as the divalent group corresponding to the divalent aromatic hydrocarbon group, the divalent aromatic heterocyclic group, and the precursor of the divalent aromatic heterocyclic group.

Wにおけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットは、前記W1におけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットと同様である。Z1は前記と同様である。 The flexible unit consisting of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 total atoms including at least an alkylene group or an ether bond in W is a divalent group having 2 to 20 total atoms including at least an alkylene group or an ether bond in W 1 . It is the same as that of the flexible unit which consists of. Z 1 is the same as described above.

式(1b)で表される化合物の中でも、前記式(8)で表される化合物が重要である。式(8)中、Y1は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記Y1は、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 Among the compounds represented by the formula (1b), the compound represented by the formula (8) is important. In Formula (8), Y 1 represents a divalent group corresponding to a divalent aromatic heterocyclic group or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. n shows the integer of 2-4. A plurality of Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different. Y 1 represents a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring, or a divalent group corresponding to a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. Preferably there is.

式(8)で表される化合物は、公知化合物を出発原料として、縮合反応、置換反応、付加反応、酸化反応、環化反応等の公知の反応を利用して合成できる。   The compound represented by formula (8) can be synthesized using a known compound as a starting material and using a known reaction such as a condensation reaction, a substitution reaction, an addition reaction, an oxidation reaction, or a cyclization reaction.

式(1b)で表される化合物の代表的な例として、下記式で表される化合物が挙げられる。   Representative examples of the compound represented by the formula (1b) include compounds represented by the following formula.

Figure 2009019193
Figure 2009019193

式(2)中、X2は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W2はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z2は前記式(1a)又は(1b)におけるZ1と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(1a)又は(1b)におけるZ1が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R2は、水素原子又は炭化水素基を示す。m1は2〜4の整数を示し、m2は0〜2の整数を示す。m1+m2=2〜4である。iは0又は1を示し、kは0又は1を示す。分子内の複数のY2a、Y2b、W2、Z2、及び複数存在する場合のR2は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In formula (2), X 2 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or aromatic cyclic group. Y 2a and Y 2b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 2 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 2 represents a functional group or a group of functional groups that can form a heterocyclic ring by reacting with Z 1 in the formula (1a) or (1b), or a group containing an ethynyl group which may have a substituent (provided that Z 1 in formula (1a) or (1b) is limited to a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. m1 represents an integer of 2 to 4, and m2 represents an integer of 0 to 2. m1 + m2 = 2-4. i represents 0 or 1, and k represents 0 or 1. A plurality of Y 2a , Y 2b , W 2 , Z 2 in the molecule, and R 2 when there are a plurality thereof may be the same or different.

2における2〜4価の有橋脂環式基、芳香族環式基は、前記X1における2〜4価の有橋脂環式基、芳香族環式基と同様である。Y2a、Y2bにおける2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基は、前記Y1a、Y1bにおける2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基と同様である。W2におけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットは、前記W1におけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットと同様である。 The divalent to tetravalent bridged alicyclic group and aromatic cyclic group in X 2 are the same as the divalent to tetravalent bridged alicyclic group and aromatic cyclic group in X 1 . The divalent group corresponding to the precursor of the divalent aromatic hydrocarbon group, divalent aromatic heterocyclic group, divalent aromatic heterocyclic group in Y 2a and Y 2b is Y 1a , This is the same as the divalent group corresponding to the divalent aromatic hydrocarbon group, divalent aromatic heterocyclic group, divalent aromatic heterocyclic group precursor of Y 1b . The flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in W 2 is a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in W 1 . It is the same as the flexible unit comprising the base.

2におけるZ1と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群としては、Z1と反応してベンズイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンズチアゾール環等を形成しうる官能基若しくは官能基群、例えば、Z1がカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基又はハロホルミル基である場合には、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基等が例示され、Z1が3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基である場合には、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基又はハロホルミル基などが挙げられる。置換オキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基等のC1-6アルコキシ−カルボニル基等が挙げられる。 The functional group or functional group that can form a heterocyclic ring by reacting with Z 1 in Z 2 is a functional group or functional group that can react with Z 1 to form a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, a benzthiazole ring or the like. Group, for example, when Z 1 is a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group or a haloformyl group, 3,4-diaminophenyl group, 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3 -Hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group, 4-amino-3-mercaptophenyl group and the like are exemplified, and Z 1 is 3,4-diaminophenyl group, 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group In some cases, examples include a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, or a haloformyl group. Examples of the substituted oxycarbonyl group include C 1-6 alkoxy-carbonyl groups such as methoxycarbonyl and ethoxycarbonyl groups.

2における置換基を有していてもよいエチニル基を含む基としては、エチニル基、エチニルフェニル基などが挙げられる。なお、Z1がエチニル基の場合は、Z2はエチニルフェニル基が好ましく、Z1がエチニルフェニル基の場合は、Z2はエチニル基が好ましい。 Examples of the group containing an ethynyl group that may have a substituent in Z 2 include an ethynyl group and an ethynylphenyl group. In the case Z 1 is ethynyl group, Z 2 is preferably ethynylphenyl group, if Z 1 is a ethynylphenyl group, Z 2 is an ethynyl group is preferable.

2における炭化水素基はR1における炭化水素基と同様である。 The hydrocarbon group for R 2 is the same as the hydrocarbon group for R 1 .

式(2)で表される化合物の中でも、式(9)で表される化合物が重要である。式(9)中、X1は2〜4価の有機基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、それぞれ、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記Y1a、Y1bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。また、Y2a、Y2bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基であるのが好ましい。 Of the compounds represented by the formula (2), the compound represented by the formula (9) is important. In formula (9), X 1 represents a divalent to tetravalent organic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are each a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, 3,4-diaminophenyl group, 3-amino- 4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , and R 1 in the case where a plurality exist in the molecule may be the same or different. At least one of Y 1a and Y 1b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The corresponding divalent group is preferred. In addition, at least one of Y 2a and Y 2b is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to is preferred.

式(9)で表される化合物は、公知化合物を出発原料として、縮合反応、置換反応、付加反応、酸化反応、環化反応等の公知の反応を利用して合成できる。   The compound represented by the formula (9) can be synthesized using a known compound as a starting material and using a known reaction such as a condensation reaction, a substitution reaction, an addition reaction, an oxidation reaction, or a cyclization reaction.

式(2)で表される化合物の代表的な例として、下記式で表される化合物が挙げられる。   A typical example of the compound represented by the formula (2) is a compound represented by the following formula.

Figure 2009019193
Figure 2009019193

Figure 2009019193
Figure 2009019193

式(3)中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、互いに反応して複素環を形成しうる対となる官能基若しくは官能基群であるか、又はZ1、Z2のいずれもが置換基を有していてもよいエチニル基を含む置換基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In Formula (3), X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or aromatic cyclic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are a functional group or a group of functional groups that can form a heterocycle by reacting with each other, or both Z 1 and Z 2 may have a substituent. A substituent containing a group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , and R 1 in the case where a plurality exist in the molecule may be the same or different.

1における2〜4価の有橋脂環式基、芳香族環式基、Y1a、Y1b、Y2a、Y2bにおける2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、W1、W2におけるアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニット、Z1、Z2、R1は前記に同じである。 2-4 valent bridged alicyclic group in X 1, aromatic cyclic group, Y 1a, Y 1b, Y 2a, 2 divalent aromatic hydrocarbon group for Y 2b, 2-valent aromatic heterocyclic A flexible group consisting of a divalent group corresponding to a precursor of a group, a divalent aromatic heterocyclic group, a divalent group having 2 to 20 atoms and at least an alkylene group or an ether bond in W 1 and W 2 The units, Z 1 , Z 2 and R 1 are the same as described above.

式(3)で表される化合物は、公知化合物を出発原料として、縮合反応、置換反応、付加反応、酸化反応、環化反応等の公知の反応を利用して合成できる。   The compound represented by the formula (3) can be synthesized using a known compound as a starting material and using a known reaction such as a condensation reaction, a substitution reaction, an addition reaction, an oxidation reaction, or a cyclization reaction.

式(3)で表される化合物の代表的な例として、下記式で表される化合物が挙げられる。   A typical example of the compound represented by the formula (3) is a compound represented by the following formula.

Figure 2009019193
Figure 2009019193

本発明の絶縁膜形成材料において、化合物Aと化合物Bとを含む場合、その割合(モル比)は、例えば、前者/後者=1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、より好ましくは20/80〜80/20程度であり、当量で用いることもできる。化合物A、化合物B、化合物Cは、それぞれ、単独で又は2以上組み合わせて使用できる。   In the insulating film forming material of the present invention, when compound A and compound B are included, the ratio (molar ratio) is, for example, the former / the latter = 1/99 to 99/1, preferably 10/90 to 90/10. More preferably, it is about 20 / 80-80 / 20, and can also be used in an equivalent amount. Compound A, Compound B, and Compound C can be used alone or in combination of two or more.

本発明の絶縁膜形成材料は、前記化合物A及び化合物B、及び/又は化合物Cが有機溶媒に溶解した溶液として用いることができる。   The insulating film forming material of the present invention can be used as a solution in which the compound A, the compound B, and / or the compound C are dissolved in an organic solvent.

有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド類;ジメチルイミダゾリジン、ジメチルイミダゾリジノン(ジメチルイミダゾリジン−ジオン)等の環状アミノアセタール類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;スルホン類;アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類;アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;ギ酸エステル、酢酸エステル、プロピオン酸エステル、安息香酸エステル、乳酸エチル、γ―ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)などのエステル類;ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)などのエーテル類;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類;ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素;ニトロメタンなどのニトロ化合物;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;これらの混合溶媒などが挙げられる。   Examples of the organic solvent include amides such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; dimethylimidazolidine, dimethylimidazolidinone (dimethylimidazolidine-dione), and the like. Cyclic aminoacetals; Sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; Sulfones; Nitriles such as acetonitrile, propionitrile and benzonitrile; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone; Formic acid Esters such as ester, acetate ester, propionate ester, benzoate ester, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME); alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, ethylene glycol, propylene glycol; dichloromethane, dichloroethane, Halogenated hydrocarbons such as chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene; nitro compounds such as nitromethane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and mesitylene; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane and methylcyclohexane; hexane, Aliphatic hydrocarbons such as heptane and octane; and mixed solvents thereof.

本発明の絶縁膜形成材料は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。このような成分として、化合物A、化合物B、化合物Cの合成に用いた原料成分などが挙げられる。また、他の添加成分として、重合や環化反応等を促進するための触媒を用いることもできる。触媒の代表的な例として、硫酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒、塩基触媒などが挙げられる。触媒の使用量は、化合物A、化合物B、化合物Cの総量に対して、例えば0〜10モル%、好ましくは0〜5モル%程度である。   The insulating film forming material of the present invention may contain other components as necessary. Examples of such components include the raw material components used for the synthesis of Compound A, Compound B, and Compound C. Further, as another additive component, a catalyst for promoting polymerization, cyclization reaction, or the like can be used. Typical examples of the catalyst include acid catalysts such as sulfuric acid, methanesulfonic acid, and p-toluenesulfonic acid, and base catalysts. The usage-amount of a catalyst is 0-10 mol% with respect to the total amount of the compound A, the compound B, and the compound C, Preferably it is about 0-5 mol%.

本発明の絶縁膜形成材料には、塗布性を改善するため、溶液の粘性を高める増粘剤を添加してもよい。増粘剤の代表的な例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコールなどのアルキレングリコール類やポリアルキレングリコール類などが挙げられる。増粘剤の使用量は、絶縁膜形成材料全体に対して、例えば0〜20重量%、好ましくは0〜10重量%程度である。さらに、本発明の絶縁膜形成材料には、重合後の分子量を調整するためのモノカルボン酸類、及び/又は重合後の架橋度を調整するためのジカルボン酸類を添加してもよい。モノカルボン酸類の代表的な例としては、アダマンタンカルボン酸、安息香酸などのモノカルボン酸;アダマンタンカルボン酸メチルエステル、安息香酸メチルエステルなどのモノカルボン酸誘導体などが挙げられ、ジカルボン酸類の代表的な例としては、テレフタル酸などのジカルボン酸;テレフタル酸ジメチルエステルなどのジカルボン酸誘導体などが挙げられる。モノカルボン酸類の使用量は、絶縁膜形成材料を構成するモノマー成分(化合物A、化合物B、化合物C)の総量に対して、例えば0〜10モル%、好ましくは0〜5モル%程度であり、ジカルボン酸類の使用量は、絶縁膜形成材料を構成するモノマー成分(化合物A、化合物B、化合物C)の総量に対して、例えば0〜100モル%、好ましくは0〜50モル%程度である。   In order to improve applicability, a thickener that increases the viscosity of the solution may be added to the insulating film forming material of the present invention. Typical examples of the thickener include alkylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol, and polyalkylene glycols. The usage-amount of a thickener is 0-20 weight% with respect to the whole insulating film forming material, for example, Preferably it is about 0-10 weight%. Furthermore, monocarboxylic acids for adjusting the molecular weight after polymerization and / or dicarboxylic acids for adjusting the degree of crosslinking after polymerization may be added to the insulating film forming material of the present invention. Representative examples of monocarboxylic acids include monocarboxylic acids such as adamantane carboxylic acid and benzoic acid; monocarboxylic acid derivatives such as adamantane carboxylic acid methyl ester and benzoic acid methyl ester, and the like. Examples include dicarboxylic acids such as terephthalic acid; dicarboxylic acid derivatives such as dimethyl terephthalate. The usage-amount of monocarboxylic acid is 0-10 mol% with respect to the total amount of the monomer component (Compound A, Compound B, Compound C) which comprises an insulating film formation material, Preferably it is about 0-5 mol%. The amount of dicarboxylic acids used is, for example, about 0 to 100 mol%, preferably about 0 to 50 mol%, based on the total amount of monomer components (compound A, compound B, and compound C) constituting the insulating film forming material. .

本発明の絶縁膜形成材料には、基板上に形成される絶縁被膜の基板密着性を高めるための密着促進剤を添加してもよい。密着促進剤の代表的な例としては、トリメトキシビニルシラン、ヘキサメチルジシラザン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレートなどが挙げられる。密着促進剤の使用量は、絶縁膜形成材料を構成するモノマー成分(化合物A、化合物B、化合物C)の総量に対して、例えば0〜10重量%、好ましくは0〜5重量%程度である。   You may add the adhesion promoter for improving the board | substrate adhesiveness of the insulating film formed on a board | substrate to the insulating-film formation material of this invention. Typical examples of the adhesion promoter include trimethoxyvinylsilane, hexamethyldisilazane, γ-aminopropyltriethoxysilane, aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate, and the like. The amount of the adhesion promoter used is, for example, about 0 to 10% by weight, preferably about 0 to 5% by weight, based on the total amount of monomer components (compound A, compound B, and compound C) constituting the insulating film forming material. .

モノマー成分(化合物A、化合物B、化合物C)及びその他の成分の有機溶媒への溶解は、モノマー成分等が酸化されない限度において、例えば空気雰囲気下で行ってもよいが、好ましくは窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行われる。モノマー成分等を溶解させる温度は、特に限定されず、モノマー成分等の溶解性や安定性、溶媒の沸点等に応じて加熱してもよく、例えば、0〜200℃、好ましくは10〜150℃程度である。   The dissolution of the monomer components (compound A, compound B, compound C) and other components in the organic solvent may be performed, for example, in an air atmosphere as long as the monomer components are not oxidized, but preferably nitrogen, argon, etc. In an inert gas atmosphere. The temperature at which the monomer component and the like are dissolved is not particularly limited, and may be heated according to the solubility and stability of the monomer component and the boiling point of the solvent, for example, 0 to 200 ° C., preferably 10 to 150 ° C. Degree.

絶縁膜形成材料中のモノマー成分(化合物A、化合物B、化合物C)の濃度は、モノマー成分の溶解性、塗布性、作業性等を考慮して適宜選択でき、例えば5〜70重量%、好ましくは10〜60重量%程度である。   The concentration of the monomer component (compound A, compound B, compound C) in the insulating film forming material can be appropriately selected in consideration of the solubility, coatability, workability, etc. of the monomer component, for example, 5 to 70% by weight, preferably Is about 10 to 60% by weight.

本発明の空孔構造を有するポリマー及び絶縁膜は、例えば、上記の絶縁膜形成材料を塗布液として基材上に塗布した後、さらに反応に付すことにより、より具体的には、例えば加熱(焼成)等により重合や環化反応させることにより得られる。前記基材としては、例えば、シリコンウェハー、金属基板、セラミック基板などが挙げられる。塗布方法としては、特に限定されず、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法などの慣用の方法を用いることができる。   More specifically, for example, the polymer and insulating film having a pore structure of the present invention may be heated (for example, by applying the above-described insulating film forming material as a coating liquid onto a substrate and then subjecting it to a reaction. It can be obtained by polymerization or cyclization reaction such as by baking. Examples of the base material include a silicon wafer, a metal substrate, and a ceramic substrate. The application method is not particularly limited, and conventional methods such as spin coating, dip coating, and spraying can be used.

加熱温度は、モノマー成分を高分子量重合体に転化できる温度であれば特に制限されないが、一般には25〜500℃(例えば100〜500℃)、好ましくは25〜450℃(例えば150〜450℃)程度である。加熱は一定温度で行ってもよく、段階的温度勾配を付けて行ってもよい。加熱操作は、形成される薄膜の性能に影響がない限り、例えば空気雰囲気下で行われてもよいが、好ましくは不活性ガス(窒素、アルゴンなど)雰囲気下、又は真空雰囲気下で行われる。   The heating temperature is not particularly limited as long as the monomer component can be converted into a high molecular weight polymer, but is generally 25 to 500 ° C (eg 100 to 500 ° C), preferably 25 to 450 ° C (eg 150 to 450 ° C). Degree. Heating may be performed at a constant temperature or a stepped temperature gradient. The heating operation may be performed, for example, in an air atmosphere as long as the performance of the thin film to be formed is not affected, but is preferably performed in an inert gas (nitrogen, argon, etc.) atmosphere or a vacuum atmosphere.

加熱によりモノマー成分が重縮合等により高分子量化して対応するポリマー(高分子量重合体)が生成する。また、モノマー成分が最終構造の前駆構造を有する化合物である場合には、通常モノマー成分の高分子量化とともに、環化反応等が進行して、所望の構造を有するポリマー(高分子量重合体)が生成する。モノマー成分が保護基を有する場合には、通常、保護基の脱離を伴って高分子量化や環化反応が進行する。環化反応により、それぞれの前駆構造から、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環などが形成される。   By heating, the monomer component becomes high molecular weight by polycondensation or the like, and a corresponding polymer (high molecular weight polymer) is generated. In addition, when the monomer component is a compound having a precursor structure of the final structure, a polymer having a desired structure (high molecular weight polymer) is usually obtained as the monomer component has a high molecular weight and a cyclization reaction proceeds. Generate. When the monomer component has a protecting group, usually a high molecular weight or cyclization reaction proceeds with elimination of the protecting group. By the cyclization reaction, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, or the like is formed from each precursor structure.

例えば、モノマー成分として4官能化合物を用いた場合には、中心骨格(例えば、アダマンタン骨格)を頂点(架橋点)として4方向に架橋した構造(3つの6角形が互いに2辺を共有してなるユニット)を持ち多数の空孔を有する網目状の高分子膜を形成することができる。モノマー成分として3官能化合物を用いた場合には、中心骨格(例えば、アダマンタン骨格)を頂点(架橋点)として3方向に架橋した構造(3つの6角形が互いに2頂点又は2辺を共有してなるユニット)を持ち多数の空孔を有する高架橋型高分子膜が形成される。モノマー成分として2官能化合物を用いた場合には、ポリマー分子鎖中のセグメント間の排除体積効果により、1ポリマー分子が存在する領域への他の分子鎖の貫通が制限されるため、モノマー混合物から直接高分子量重合体を得る場合と比べて疎な充填構造を有する空孔率の高い高分子膜を形成することができる。   For example, when a tetrafunctional compound is used as the monomer component, a structure (three hexagons sharing two sides with each other) crossed in four directions with a central skeleton (for example, adamantane skeleton) as a vertex (crosslinking point) A network-like polymer film having a unit) and a large number of pores can be formed. When a trifunctional compound is used as the monomer component, a structure in which three hexagons share two vertices or two sides with each other in three directions with a central skeleton (for example, an adamantane skeleton) as a vertex (crosslinking point). A highly crosslinked polymer film having a large number of pores. When a bifunctional compound is used as the monomer component, the exclusion volume effect between segments in the polymer molecular chain restricts the penetration of other molecular chains into the region where one polymer molecule exists, so that from the monomer mixture Compared with the case of directly obtaining a high molecular weight polymer, it is possible to form a polymer film having a sparse packing structure and a high porosity.

また、モノマー成分として、4官能化合物又は3官能化合物と2官能化合物とを組み合わせて用いた場合には、隣接する架橋点(又は結節点)同士の距離(辺)が長く大きい空孔が形成され、結果として極めて低い誘電率を達成することができる。より詳細には、4官能化合物は4方向へ分岐した3次元構造を有する架橋点を、3官能化合物は3方向へ分岐した3次元構造を有する架橋点をそれぞれ形成することにより、4官能化合物及び/又は3官能化合物と2官能化合物とが結合して疎な空孔構造からなるポリマーを生成することができる。なお、4官能化合物(3官能化合物)単独では、重合時に架橋点が多く形成されるため高密度化し、また、分子の自由度が減少するため未架橋点を生じ、比誘電率を上昇させる場合がある。このため、4官能化合物と3官能化合物とを組み合わせて用いることにより、互いに立体的な障害を生じて、2官能化合物との結合による重合反応により形成される空隙が大きく、低密度の疎な空孔構造を有するポリマーとなる点で有利ある。   Further, when a tetrafunctional compound or a trifunctional compound and a bifunctional compound are used in combination as a monomer component, a large void is formed with a long distance (side) between adjacent cross-linking points (or nodal points). As a result, a very low dielectric constant can be achieved. More specifically, the tetrafunctional compound forms a crosslinking point having a three-dimensional structure branched in four directions, and the trifunctional compound forms a crosslinking point having a three-dimensional structure branched in three directions. / Or a trifunctional compound and a bifunctional compound can combine to produce a polymer having a sparse pore structure. In addition, when tetrafunctional compound (trifunctional compound) is used alone, many crosslink points are formed at the time of polymerization, so the density is increased, and the degree of molecular freedom is reduced, resulting in uncrosslinked points and increasing the dielectric constant. There is. For this reason, when a tetrafunctional compound and a trifunctional compound are used in combination, a steric hindrance occurs, and a void formed by a polymerization reaction due to a bond with the bifunctional compound is large. This is advantageous in that the polymer has a pore structure.

また、モノマー成分として互いに反応する官能基を有する2種の3又は4官能化合物を用いた場合には、モノマー成分同士の立体障害により重合反応時に密度の低下を防ぐことができるため、巨大分子レベルの空孔構造を有するポリマーを得ることができる。すなわち、モノマー成分に用いる3又は4官能化合物は、中心骨格(例えば、アダマンタン骨格)を中心とする四面体(ほぼ正四面体)であって、立体的に嵩高い構造(容積の大きい構造)を有する大きな分子である。これらをモノマー成分とする重合反応においては、2つの四面体が、極めて大きい立体障害により互いの四面体構造の空間内部への貫入を防ぎ、さらに、伸長中のオリゴマー、ポリマー等の侵入も制限される。このため、両モノマー成分が本来有する四面体構造が保持され、これらの四面体の容積に対応するサイズの空孔が規則正しく配置された密度の低い構造を有するポリマーを形成することができる。   In addition, when two kinds of tri- or tetra-functional compounds having functional groups that react with each other are used as monomer components, the density can be prevented from decreasing during the polymerization reaction due to steric hindrance between the monomer components. A polymer having a pore structure of can be obtained. That is, the tri- or tetrafunctional compound used for the monomer component is a tetrahedron (substantially regular tetrahedron) centered on a central skeleton (for example, an adamantane skeleton), and has a three-dimensionally bulky structure (a structure having a large volume). It has a large molecule. In the polymerization reaction using these as monomer components, the two tetrahedrons prevent the penetration of each other's tetrahedral structure into the space due to extremely large steric hindrance, and the penetration of the growing oligomers, polymers, etc. is also restricted. The For this reason, the tetrahedral structure inherent to both monomer components is maintained, and a polymer having a low density structure in which pores having a size corresponding to the volume of these tetrahedra are regularly arranged can be formed.

このように形成されたポリマーからなる絶縁膜は内部に多数の分子レベルの空孔を均一に分散して有するため、空孔率が高く、それゆえ比誘電率が低い。また、架橋により十分な耐熱性及び機械的強度を有する上、配線からの銅の拡散が極めて少ないという利点を有する。また、少なくとも1つのモノマー成分がフレキシブルユニットを有しているため、官能基が動きやすく、官能基同士の反応が確実に行われる。そのため、未反応部位が減少し、アミノ基やカルボキシル基等による吸水性を低減でき、比誘電率(K値)のばらつきがなくなるとともに、絶縁性が向上する。また、誘電率測定において膜に交流電場を印加すると、電場の振動に応じて膜内の可動部位が電場に応答して動くことで、電場エネルギーを吸収する現象である誘電緩和が生じるとされている。従来の剛直な骨格のみからなる膜においては、未反応極性基が多く残存するため、誘電緩和の程度が大きく、同一膜内における比誘電率の測定値のバラツキが顕著であるが、本発明のフレキシブル部位を導入した膜においては、未反応の極性の高い部位の割合が低下することで、誘電緩和の程度がより抑制されて、比誘電率の測定値にばらつきの少ない均質な膜が得られる。   The insulating film made of the polymer thus formed has a large number of molecular-level vacancies uniformly dispersed therein, and thus has a high porosity and therefore a low dielectric constant. Moreover, it has the advantage that it has sufficient heat resistance and mechanical strength due to cross-linking and has very little copper diffusion from the wiring. Moreover, since at least one monomer component has a flexible unit, the functional group easily moves, and the reaction between the functional groups is reliably performed. Therefore, the number of unreacted sites is reduced, water absorption due to amino groups, carboxyl groups, and the like can be reduced, the variation in relative permittivity (K value) is eliminated, and the insulation is improved. In addition, when an alternating electric field is applied to the film in dielectric constant measurement, the movable part in the film moves in response to the electric field in response to the vibration of the electric field, and dielectric relaxation, which is a phenomenon of absorbing electric field energy, occurs. Yes. In a conventional film consisting only of a rigid skeleton, many unreacted polar groups remain, so the degree of dielectric relaxation is large, and the variation in measured values of relative permittivity within the same film is remarkable. In a film having a flexible part introduced, the proportion of unreacted highly polar parts is reduced, so that the degree of dielectric relaxation is further suppressed, and a homogeneous film with less variation in measured values of relative permittivity can be obtained. .

加熱により形成される絶縁膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定できるが、一般には50nm以上(50〜2000nm程度)、好ましくは100nm以上(100〜2000nm程度)、さらに好ましくは300nm以上(300〜2000nm程度)である。膜厚が50nm未満では、リーク電流が発生するなどの電気的特性に悪影響を及ぼしたり、半導体製造工程における化学的機械研磨(CMP)による膜の平坦化が困難となるなどの問題が生じやすいため、特に層間絶縁膜用途としては適さない。   The thickness of the insulating film formed by heating can be appropriately set depending on the application, but is generally 50 nm or more (about 50 to 2000 nm), preferably 100 nm or more (about 100 to 2000 nm), more preferably 300 nm or more (300 About 2000 nm). If the film thickness is less than 50 nm, problems such as adverse effects on electrical characteristics such as the occurrence of leakage current, and difficulty in planarizing the film by chemical mechanical polishing (CMP) in the semiconductor manufacturing process are likely to occur. Particularly, it is not suitable for use as an interlayer insulating film.

本発明の絶縁膜は、低誘電率且つ高耐熱性を示すため、例えば、半導体装置等の電子材料部品における絶縁被膜として使用することができ、特に層間絶縁膜として有用である。   Since the insulating film of the present invention exhibits a low dielectric constant and high heat resistance, it can be used, for example, as an insulating film in electronic material components such as semiconductor devices, and is particularly useful as an interlayer insulating film.

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。高分子膜の膜厚はエリプソメーターを用いて測定した。また、高分子膜の密度は、X線反射率測定の解析により求め、高分子膜の比誘電率は膜の表面にAl電極を形成して測定した。赤外線吸収スペクトルの測定はうす膜による透過法を採用した。赤外線吸収スペクトルデータにおける「s」、「m」、「w」は、それぞれ、「強い」吸収、「中程度の」吸収、「弱い」吸収を示す。重量平均分子量はポリスチレン換算の値である。密度は25℃の値である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. The film thickness of the polymer film was measured using an ellipsometer. The density of the polymer film was determined by analysis of X-ray reflectivity measurement, and the relative dielectric constant of the polymer film was measured by forming an Al electrode on the surface of the film. Infrared absorption spectrum was measured using a thin film transmission method. “S”, “m”, and “w” in infrared absorption spectrum data indicate “strong” absorption, “medium” absorption, and “weak” absorption, respectively. The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene. The density is a value of 25 ° C.

製造例1
式(2-1)で表されるアミノ基含有アダマンタン誘導体の合成
Production Example 1
Synthesis of amino group-containing adamantane derivative represented by formula (2-1)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

反応容器(3つ口フラスコ)に、上記式(2-4)で表される3,3’−ジアミノベンジジン77.68g(0.362mol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)307gを加えて溶解させた後、氷浴で0℃以下に保った。この反応容器へ、上記式(A)で表されるアダマンタンテトラキスベンズアルデヒド10.1g(0.018mol)をDMAc501gに溶解させた溶液を、滴下ロートを用いて6ml/minの速度で滴下した。滴下中、反応溶液内の液温が0℃を超えないように注意した。滴下終了後、滴下ロートをDMAc105gで洗浄し、これも反応容器内に滴下した。反応液に、テフロン(登録商標)チューブを用いて酸素濃度5モル%の酸素窒素混合ガスを導入しながら、反応容器をオイルバスにより加熱して液温を90℃に保ち、9時間反応させた。反応終了後、反応液を、別の容器中の水9.13kgへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。撹拌中、反応液は、アミンの酸化を防止するため窒素をバブリングさせた。生成した沈殿物を濾別し、反応容器に再度移し、水1.83kgを加えて窒素雰囲気下、加熱還流を30分施して熱水洗浄を施した。温度が下がらないうちに沈殿物を濾別した後、得られた濾過物を真空乾燥機で乾燥させた。
乾燥終了後、得られた沈殿を還流管を備えた反応容器へ移し、テトラヒドロフラン(THF)1.83kgを加え、窒素雰囲気下で加熱還流することによりTHF洗浄を施した。再度固形分を濾別し、真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトル、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、図1に示されるNMRスペクトルデータ及び図2に示される赤外線吸収スペクトルデータにより、上記式(2-4)で表されるアミノ基含有アダマンタン誘導体が形成されていることを確認した。アミノ基含有アダマンタン誘導体の収量は24.5g、収率は90%であった。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):2.32(12H<−CH2−>), 4.60(16H<−NH2>),6.62−6.97(12H<芳香環プロトン>), 7.53−7.78(12H<芳香環プロトン>),7.87(8H),8.24(8H) 12.85(4H)
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2933(−CH2−のC−H<伸縮振動>),1623(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香環<面内振動>),1280(芳香族−NH2<伸縮振動>)
In a reaction vessel (three-necked flask), 77.68 g (0.362 mol) of 3,3′-diaminobenzidine represented by the above formula (2-4) was placed, and 307 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was added. After addition and dissolution, the temperature was kept at 0 ° C. or lower in an ice bath. A solution prepared by dissolving 10.1 g (0.018 mol) of adamantanetetrakisbenzaldehyde represented by the above formula (A) in 501 g of DMAc was dropped into this reaction vessel at a rate of 6 ml / min using a dropping funnel. During dropping, care was taken that the liquid temperature in the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of the dropping, the dropping funnel was washed with 105 g of DMAc, and this was also dropped into the reaction vessel. The reaction vessel was heated by an oil bath while introducing a mixed gas of oxygen and nitrogen having an oxygen concentration of 5 mol% using a Teflon (registered trademark) tube, and the reaction temperature was kept at 90 ° C. for 9 hours. . After completion of the reaction, the reaction solution was added dropwise to 9.13 kg of water in another container, and a slurry consisting of a precipitate and a supernatant was stirred for about 1 hour after the completion of the addition. During the stirring, the reaction solution was bubbled with nitrogen to prevent amine oxidation. The produced precipitate was separated by filtration, transferred again to the reaction vessel, 1.83 kg of water was added, and the mixture was heated and refluxed for 30 minutes in a nitrogen atmosphere and washed with hot water. After the temperature was not lowered, the precipitate was filtered off, and the obtained filtrate was dried with a vacuum dryer.
After completion of drying, the resulting precipitate was transferred to a reaction vessel equipped with a reflux tube, and 1.83 kg of tetrahydrofuran (THF) was added, followed by heating under reflux in a nitrogen atmosphere for washing with THF. The solid content was again filtered, and the NMR spectrum and infrared absorption spectrum of the product dried by a vacuum dryer were measured. From the NMR spectrum data shown in FIG. 1 and the infrared absorption spectrum data shown in FIG. It was confirmed that the amino group-containing adamantane derivative represented by (2-4) was formed. The yield of the amino group-containing adamantane derivative was 24.5 g, and the yield was 90%.
[NMR spectral data]
1 H-NMR (DMSO-d6) δ (ppm): 2.32 (12H <—CH 2 —>), 4.60 (16H <—NH 2 >), 6.62-6.97 (12H <fragrance) Ring proton>), 7.53-7.78 (12H <aromatic ring proton>), 7.87 (8H), 8.24 (8H) 12.85 (4H)
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3419 (N—H <stretching vibration>), 2933 (—CH 2 —C—H <stretching vibration>), 1623 (—C═N— <stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic ring <in-plane vibration) >), 1280 (aromatic-NH 2 <stretching vibration>)

製造例2
式(1a-1)で表されるエトキシカルボニルブチル基含有アダマンタン誘導体の合成
Production Example 2
Synthesis of adamantane derivative containing ethoxycarbonylbutyl group represented by formula (1a-1)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

反応容器(3つ口フラスコ)に、上記式(2-1)で表されるアミノ基含有アダマンタン誘導体1.51g(1.13mmol)と上記式(B)で表されるアルデヒド化合物1.07g(6.77mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)13.5gを加えて溶解させた後、反応液に、テフロン(登録商標)チューブを用いて空気を導入しながら、反応容器をオイルバスにより加熱して液温を90℃に保ち、6時間反応させた。別の容器中の水150mlへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。生成した沈殿物を濾別し、反応容器に再度移し、酢酸エチルで洗浄し、沈殿物を濾別し得られた濾過物を、真空乾燥機で乾燥させた。
真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトルを測定したところ、NMRスペクトルデータより、上記式(1a-1)で表される化合物が形成されていることを確認した。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):1.17(12H<−CH3>),1.63(8H<−CH2−>),1.83(8H<−CH2−>),2.35−2.37(20H<−CH2−>),2.85(8H<−CH2−>),4.06(8H<−NH2>),7.48−8.27(40H<芳香環プロトン>),12.26−12.98(8H<−NH−>)
In a reaction vessel (three-necked flask), 1.51 g (1.13 mmol) of an amino group-containing adamantane derivative represented by the above formula (2-1) and 1.07 g of an aldehyde compound represented by the above formula (B) ( 6.77 mmol), 13.5 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was added and dissolved, and then the reaction vessel was oiled while introducing air into the reaction solution using a Teflon (registered trademark) tube. The bath was heated to maintain the liquid temperature at 90 ° C. and reacted for 6 hours. It was dripped at 150 ml of water in another container, and the slurry which consists of precipitation and a supernatant liquid was stirred for about 1 hour after completion | finish of dripping. The produced precipitate was filtered off, transferred again to the reaction vessel, washed with ethyl acetate, and the filtrate obtained by filtering the precipitate was dried in a vacuum dryer.
When the NMR spectrum of the product dried by the vacuum dryer was measured, it was confirmed from the NMR spectrum data that the compound represented by the above formula (1a-1) was formed.
[NMR spectral data]
1 H-NMR (DMSO-d6) δ (ppm): 1.17 (12H <-CH 3 >), 1.63 (8H <-CH 2- >), 1.83 (8H <-CH 2- >) ), 2.35-2.37 (20H <-CH 2 ->), 2.85 (8H <-CH 2 ->), 4.06 (8H <-NH 2>), 7.48-8. 27 (40H <aromatic ring proton>), 12.26-12.98 (8H <-NH->)

製造例3
式(3-1)で表されるエトキシカルボニルブチル基及びアミノ基含有アダマンタン誘導体の合成
Production Example 3
Synthesis of adamantane derivative containing ethoxycarbonylbutyl group and amino group represented by formula (3-1)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

反応容器(1つ口フラスコ)に、上記式(2-1)で表される化合物1.42g(1.053mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)12.7gを加えて溶解させた後、氷浴で0℃以下に保った。この反応容器へ、上記式(B)で表されるエチル=5−ホルミルペンタンカルボキシラート0.37g(2.11mmol)をDMAc0.799gに溶解させた溶液を、シリンジを用いて滴下した。滴下中、反応溶液内の液温が0℃を超えないように注意した。滴下終了後、反応液に、テフロン(登録商標)チューブを用いて空気を導入しながら、室温で4.5時間反応後、反応容器をオイルバスにより加熱して液温を90℃に保ち、2.5時間反応させた。反応終了後、反応液を、5回窒素置換し、アルミホイルで遮光し、式(3-1)で表されるエトキシカルボニルブチル基及びアミノ基含有アダマンタン誘導体の溶液を得た。   In a reaction vessel (one-necked flask), 1.42 g (1.053 mmol) of the compound represented by the above formula (2-1) is added, and 12.7 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) is added and dissolved. After that, it was kept at 0 ° C. or lower with an ice bath. A solution prepared by dissolving 0.37 g (2.11 mmol) of ethyl = 5-formylpentanecarboxylate represented by the above formula (B) in 0.799 g of DMAc was added dropwise to the reaction vessel using a syringe. During dropping, care was taken that the liquid temperature in the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated at room temperature for 4.5 hours while introducing air into the reaction solution using a Teflon (registered trademark) tube, and then the reaction vessel was heated with an oil bath to keep the solution temperature at 90 ° C. The reaction was allowed for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was purged with nitrogen five times and shielded from light with aluminum foil to obtain a solution of an ethoxycarbonylbutyl group and amino group-containing adamantane derivative represented by the formula (3-1).

製造例4
式(1b-3)で表されるアミノ基含有化合物の合成
Production Example 4
Synthesis of an amino group-containing compound represented by the formula (1b-3)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

反応容器(3つ口フラスコ)に、上記式(2-4)で表される3,3’−ジアミノベンジジン35.8g(167mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)143.0gを加えて溶解させた後、氷浴で0℃以下に保った。この反応容器へ、オクタンジアルデヒド1.0g(6.68mmol)をDMAc50.4gに溶解させた溶液を、滴下ロートを用いて2.5ml/minの速度で滴下した。滴下中、反応溶液内の液温が0℃を超えないように注意した。滴下終了後、滴下ロートをDMAc10mlで洗浄し、これも反応容器内に滴下した。滴下終了後、反応液に、テフロン(登録商標)チューブを用いて空気を導入しながら、反応容器をオイルバスにより加熱して液温を60℃に保ち、4時間反応させた。反応終了後、別の容器中の水2000mlへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。撹拌中、反応液は、アミンの酸化を防止するため窒素雰囲気下にした。生成した沈殿物を濾別し、反応容器に再度移し、水700mlを加えて窒素雰囲気下、加熱還流を30分施して熱水洗浄を施した。温度が下がらないうちに沈殿物を濾別した。この操作を7回繰り返した。その後、沈殿物を濾別し得られた濾過物を、反応容器に再度移し、メタノールを加えて溶解し、別の容器中の水へ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、窒素雰囲気下、約1時間撹拌した。沈殿物を濾別し得られた濾過物を、真空乾燥機で乾燥させた。
真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトルを測定したところ、NMRスペクトルデータより、上記式(1b-3)で表される化合物が形成されていることを確認した。上記式(1b-3)で表される化合物の収量は2.0g、収率は54%であった。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):1.22(4H<−CH2−>),1.39(4H<−CH2−>),1.77(4H<−CH2−>),2.49(8H<−CH2−>),2.79(2H<−CH2−>),4.50(4H<−NH2>),6.56(2H<芳香環プロトン>),6.69(2H<芳香環プロトン>),6.84(2H<芳香環プロトン>),7.24(2H<芳香環プロトン>),7.35−7.54(4H<芳香環プロトン>),12.09(4H<−NH−>)
In a reaction vessel (three-necked flask), 35.8 g (167 mmol) of 3,3′-diaminobenzidine represented by the above formula (2-4) was placed, and 143.0 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was added. After addition and dissolution, the temperature was kept at 0 ° C. or lower in an ice bath. A solution prepared by dissolving 1.0 g (6.68 mmol) of octanedialdehyde in 50.4 g of DMAc was dropped into the reaction vessel at a rate of 2.5 ml / min using a dropping funnel. During dropping, care was taken that the liquid temperature in the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of the dropping, the dropping funnel was washed with 10 ml of DMAc, and this was also dropped into the reaction vessel. After completion of the dropping, the reaction vessel was heated with an oil bath while introducing air into the reaction solution using a Teflon (registered trademark) tube, and the reaction temperature was kept at 60 ° C. for 4 hours. After completion of the reaction, the mixture was added dropwise to 2000 ml of water in another container, and a slurry consisting of a precipitate and a supernatant was stirred for about 1 hour after the completion of the addition. During stirring, the reaction solution was placed in a nitrogen atmosphere to prevent amine oxidation. The produced precipitate was separated by filtration, transferred again to the reaction vessel, 700 ml of water was added, and the mixture was heated under reflux for 30 minutes in a nitrogen atmosphere and washed with hot water. The precipitate was filtered off before the temperature dropped. This operation was repeated 7 times. Thereafter, the filtrate obtained by filtering the precipitate is transferred again to the reaction vessel, dissolved by adding methanol, dropped into water in another vessel, and the slurry consisting of the precipitate and the supernatant in a nitrogen atmosphere. Stir for about 1 hour. The filtrate obtained by filtering the precipitate was dried with a vacuum dryer.
When the NMR spectrum of the product dried by the vacuum dryer was measured, it was confirmed from the NMR spectrum data that the compound represented by the above formula (1b-3) was formed. The yield of the compound represented by the formula (1b-3) was 2.0 g, and the yield was 54%.
[NMR spectral data]
1 H-NMR (DMSO-d6) δ (ppm): 1.22 (4H <—CH 2 —>), 1.39 (4H <—CH 2 —>), 1.77 (4H <—CH 2 —) >), 2.49 (8H <-CH 2 ->), 2.79 (2H <-CH 2 ->), 4.50 (4H <-NH 2>), 6.56 (2H < aromatic protons >), 6.69 (2H <aromatic ring proton>), 6.84 (2H <aromatic ring proton>), 7.24 (2H <aromatic ring proton>), 7.35-7.54 (4H <aromatic Ring proton>), 12.09 (4H <-NH->)

製造例5
式(1b-4)で表されるアミノ基含有化合物の合成
Production Example 5
Synthesis of an amino group-containing compound represented by the formula (1b-4)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

反応容器(3つ口フラスコ)に、上記式(2-4)で表される3,3’−ジアミノベンジジン62.3g(290mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)100mlを加えて溶解させた後、氷浴で0℃以下に保った。この反応容器へ、スクシンアルデヒド(Succinaldehyde)1.26g(14.5mmol)をDMAc100mlに溶解させた溶液を、滴下ロートを用いて2ml/minの速度で滴下した。滴下中、反応溶液内の液温が0℃を超えないように注意した。滴下終了後、滴下ロートをDMAc10mlで洗浄し、これも反応容器内に滴下した。滴下終了後、反応液に、テフロン(登録商標)チューブを用いて空気を導入しながら、反応容器をオイルバスにより加熱して液温を60℃に保ち、4時間反応させた。反応終了後、エバポレータで、反応液からDMAc100mlを留去した。別の容器中の水1000mlへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。撹拌中、反応液は、アミンの酸化を防止するため窒素雰囲気下にした。生成した沈殿物を濾別し、反応容器に再度移し、水700mlを加えて窒素雰囲気下、加熱還流を30分施して熱水洗浄を施した。温度が下がらないうちに沈殿物を濾別した。この操作を7回繰り返した。その後、沈殿物を濾別し得られた濾過物を、反応容器に再度移し、メタノールを加えて溶解し、別の容器中の水へ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、窒素雰囲気下、約1時間撹拌した。沈殿物を濾別し得られた濾過物を、真空乾燥機で乾燥させた。
真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトルを測定したところ、NMRスペクトルデータより、上記式(1b-4)で表される化合物が形成されていることを確認した。上記式1b-4)で表される化合物の収量は801.2mg、収率は46%であった。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):2.80(4H<−CH2−>),4.51(8H<−NH2>),6.57(2H<芳香環プロトン>),6.70(2H<芳香環プロトン>),6.85(2H<芳香環プロトン>),7.24(2H<芳香環プロトン>),7.35−7.55(4H<芳香環プロトン>),12.08(2H<−NH−>)
Into a reaction vessel (three-necked flask), 62.3 g (290 mmol) of 3,3′-diaminobenzidine represented by the above formula (2-4) was added, and 100 ml of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was added. After dissolution, it was kept below 0 ° C. in an ice bath. A solution prepared by dissolving 1.26 g (14.5 mmol) of succinaldehyde in 100 ml of DMAc was dropped into the reaction vessel at a rate of 2 ml / min using a dropping funnel. During dropping, care was taken that the liquid temperature in the reaction solution did not exceed 0 ° C. After completion of the dropping, the dropping funnel was washed with 10 ml of DMAc, and this was also dropped into the reaction vessel. After completion of the dropping, the reaction vessel was heated with an oil bath while introducing air into the reaction solution using a Teflon (registered trademark) tube, and the reaction temperature was kept at 60 ° C. for 4 hours. After completion of the reaction, 100 ml of DMAc was distilled off from the reaction solution with an evaporator. The solution was added dropwise to 1000 ml of water in another container, and a slurry consisting of a precipitate and a supernatant was stirred for about 1 hour after the completion of the addition. During stirring, the reaction solution was placed in a nitrogen atmosphere to prevent amine oxidation. The produced precipitate was separated by filtration, transferred again to the reaction vessel, 700 ml of water was added, and the mixture was heated under reflux for 30 minutes in a nitrogen atmosphere and washed with hot water. The precipitate was filtered off before the temperature dropped. This operation was repeated 7 times. Thereafter, the filtrate obtained by filtering the precipitate is transferred again to the reaction vessel, dissolved by adding methanol, dropped into water in another vessel, and the slurry consisting of the precipitate and the supernatant in a nitrogen atmosphere. Stir for about 1 hour. The filtrate obtained by filtering the precipitate was dried with a vacuum dryer.
When the NMR spectrum of the product dried by the vacuum dryer was measured, it was confirmed from the NMR spectrum data that the compound represented by the above formula (1b-4) was formed. The yield of the compound represented by the formula 1b-4) was 801.2 mg, and the yield was 46%.
[NMR spectral data]
1 H-NMR (DMSO-d6) δ (ppm): 2.80 (4H <—CH 2 —>), 4.51 (8H <—NH 2 >), 6.57 (2H <aromatic ring proton>) 6.70 (2H <aromatic ring proton>), 6.85 (2H <aromatic ring proton>), 7.24 (2H <aromatic ring proton>), 7.35-7.55 (4H <aromatic ring proton) >), 12.08 (2H <-NH->)

製造例6
式(1b-5)で表されるアミノ基及びヒドロキシル基含有化合物の合成
Production Example 6
Synthesis of an amino group- and hydroxyl group-containing compound represented by the formula (1b-5)

Figure 2009019193
Figure 2009019193

容器(三角フラスコ)に、ヘキサン−1,6−ジカルボン酸クロライド1.5g(7.11mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)307gを加えて溶解させた後、ドライアイス/メタノール浴で−20℃に冷却した。また、同様に、容器(三角フラスコ)に、上記式(2-4)で表される3,3’−ジヒドロキシベンジジン30.7g(142mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)307gを加えて溶解させた後、ドライアイス/メタノール浴で−20℃に冷却した。冷却装置で−18℃以下に保った反応容器へ、上記2液を、シリンジを用いて等速度で混合し、1.5時間攪拌した。反応終了後、エバポレータを用いて固形分濃度が15重量%になるまで溶媒を留去した。別の容器中のメタノール1000mlへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。生成した沈殿物を濾別し、フラスコに再度移し、得られた濾過物に固形分濃度が15重量%になるようにDMAcを加え溶解した。別の容器中のメタノール1000mlへ滴下し、沈殿と上澄みからなるスラリーを、滴下終了後から約1時間撹拌した。生成した沈殿物を濾別した。この7回繰り返した。最終的に得られた固形分を真空乾燥機で乾燥させた。
真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトルを測定したところ、NMRスペクトルデータにより、上記式(1b-5)で表される化合物が形成されていることを確認した。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):1.35(4H<−CH2−>),2.40(4H<−CH2−>),2.50(4H<−CH2−>),4.63(4H<−NH2>),6.57−7.05(10H<芳香環プロトン>),7.64(2H<芳香環プロトン>),9.10−9.78(6H)
In a container (conical flask), 1.5 g (7.11 mmol) of hexane-1,6-dicarboxylic acid chloride was added, and 307 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) was added and dissolved, and then a dry ice / methanol bath. At -20 ° C. Similarly, 30.7 g (142 mmol) of 3,3′-dihydroxybenzidine represented by the above formula (2-4) is placed in a container (erlenmeyer flask), and 307 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) is added. After addition and dissolution, the mixture was cooled to −20 ° C. in a dry ice / methanol bath. The above two liquids were mixed at a constant rate using a syringe into a reaction vessel kept at −18 ° C. or lower with a cooling device, and stirred for 1.5 hours. After completion of the reaction, the solvent was distilled off using an evaporator until the solid content concentration became 15% by weight. The solution was added dropwise to 1000 ml of methanol in another container, and a slurry consisting of a precipitate and a supernatant was stirred for about 1 hour after the completion of the addition. The produced precipitate was separated by filtration, transferred again to the flask, and DMAc was added to the obtained filtrate to dissolve it so that the solid content concentration became 15% by weight. The solution was added dropwise to 1000 ml of methanol in another container, and a slurry consisting of a precipitate and a supernatant was stirred for about 1 hour after the completion of the addition. The formed precipitate was filtered off. This was repeated 7 times. The solid content finally obtained was dried with a vacuum dryer.
When the NMR spectrum of the product dried by the vacuum dryer was measured, it was confirmed from the NMR spectrum data that the compound represented by the above formula (1b-5) was formed.
[NMR spectral data]
1 H-NMR (DMSO-d6) δ (ppm): 1.35 (4H <—CH 2 —>), 2.40 (4H <—CH 2 —>), 2.50 (4H <—CH 2 —) >), 4.63 (4H <-NH 2>), 6.57-7.05 (10H < aromatic protons>), 7.64 (2H <aromatic protons>), 9.10-9.78 (6H)

比較例1[(2-1)と(2-2)からの膜の作製(膜1)]
よく乾燥させた容器(ナス型フラスコ)に、前記式(2-2)で表されるカルボン酸化合物464mg(0.752mmol)及び前記式(2-1)で表されるアミン化合物1330mg(0.752mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)6.73g及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI) 6.73gを加えて溶解させた後、攪拌しながら真空ポンプを用いて脱気、窒素置換を3回繰り返した。遮光し、1時間攪拌後、攪拌を止め一晩放置した。この溶液を、0.2μm及び0.1μmPTFEろ紙でろ過後、1000rpm/20sec→3000rpm/20secの条件でシリコン基板上に塗布した。その後すぐに50℃→250℃(30min)→400℃(30min)の条件で焼成し、膜1を得た。膜1の膜厚は170.0nmであった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2933(−CH2−<伸縮振動>),1623(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香族<面内振動>),1280(芳香族−NH2<伸縮振動>),807(C−H<面外変角振動>)
Comparative Example 1 [Production of Film from (2-1) and (2-2) (Membrane 1)]
In a well-dried container (an eggplant-shaped flask), 464 mg (0.752 mmol) of the carboxylic acid compound represented by the formula (2-2) and 1330 mg (0. 752 mmol), 6.73 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) and 6.73 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) were added and dissolved, and then a vacuum pump was used while stirring. Then, deaeration and nitrogen substitution were repeated three times. After shielding from light and stirring for 1 hour, stirring was stopped and the mixture was allowed to stand overnight. This solution was filtered through 0.2 μm and 0.1 μm PTFE filter paper, and then applied onto a silicon substrate under the conditions of 1000 rpm / 20 sec → 3000 rpm / 20 sec. Immediately after that, the film was fired under the conditions of 50 ° C. → 250 ° C. (30 min) → 400 ° C. (30 min) to obtain a film 1. The film thickness of the film 1 was 170.0 nm.
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3419 (N-H <stretching vibration>), 2933 (-CH 2 - <stretching vibration>), 1623 (-C = N-<stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic <plane vibration>), 1280 (Aromatic —NH 2 <stretching vibration>), 807 (C—H <out-of-plane variable vibration>)

実施例1[(2-2)と(1b-3)からの膜の作製(膜2)]
よく乾燥させた容器(ナス型フラスコ)に、前記(2-2)で表されるカルボン酸化合物395mg(0.641mmol)及び前記(1b-3)で表されるアミン化合物680mg(1.28mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)3.49g及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI) 3.50gを加えて溶解させた後、攪拌しながら真空ポンプを用いて脱気、窒素置換を3回繰り返した。遮光し、1時間攪拌後、攪拌を止め一晩放置した。この溶液を、0.2μm及び0.1μmPTFEろ紙でろ過後、1000rpm/20sec→3000rpm/20secの条件でシリコン基板上に塗布した。その後すぐに50℃→250℃(30min)→400℃(30min)の条件で焼成し、膜2を得た。膜2の膜厚は214.7nmであった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3445(N−H<伸縮振動>),2930(−CH2−<伸縮振動>),1620(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香族<面内振動>),1280(芳香族−NH2<伸縮振動>),806(C−H<面外変角振動>)
Example 1 [Preparation of film from (2-2) and (1b-3) (film 2)]
In a well-dried container (eggplant type flask), 395 mg (0.641 mmol) of the carboxylic acid compound represented by (2-2) and 680 mg (1.28 mmol) of the amine compound represented by (1b-3) After adding 3.49 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) and 3.50 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and dissolving, it was removed using a vacuum pump while stirring. Ki and nitrogen substitution were repeated three times. After shielding from light and stirring for 1 hour, stirring was stopped and the mixture was allowed to stand overnight. This solution was filtered through 0.2 μm and 0.1 μm PTFE filter paper, and then applied onto a silicon substrate under the conditions of 1000 rpm / 20 sec → 3000 rpm / 20 sec. Immediately thereafter, the film was fired under the conditions of 50 ° C. → 250 ° C. (30 min) → 400 ° C. (30 min) to obtain a film 2. The film thickness of the film 2 was 214.7 nm.
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3445 (N-H <stretching vibration>), 2930 (-CH 2 - <stretching vibration>), 1620 (-C = N-<stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic <plane vibration>), 1280 (Aromatic —NH 2 <stretching vibration>), 806 (C—H <out-of-plane variable vibration>)

実施例2[(1b-1)と(2-1)からの膜の作製(膜3)]
よく乾燥させた容器(ナス型フラスコ)に、前記(1b-1)で表される1,4−フェニレンジプロピオン酸(1,4−phenylenedipropionic acid)0.401g(1.81mmol)及び前記(2-1)で表されるアミン化合物1.20mg(0.904mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)5.88g及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI) 5.88gを加えて溶解させた後、攪拌しながら真空ポンプを用いて脱気、窒素置換を3回繰り返した。遮光し、1時間攪拌後、攪拌を止め一晩放置した。この溶液を、0.2μm及び0.1μmPTFEろ紙でろ過後、1000rpm/20sec→3000rpm/20secの条件でシリコン基板上に塗布した。その後すぐに50℃→250℃(30min)→400℃(30min)の条件で焼成し、膜3を得た。膜3の膜厚は217.2nmであった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3420(N−H<伸縮振動>),2933(−CH2−<伸縮振動>),1620(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香族<面内振動>),1260(芳香族−NH2<伸縮振動>),810(C−H<面外変角振動>)
Example 2 [Production of film from (1b-1) and (2-1) (film 3)]
In a well-dried container (an eggplant-shaped flask), 0.401 g (1.81 mmol) of 1,4-phenylenedipropionic acid represented by (1b-1) and (2 -1) 1.20 mg (0.904 mmol) of the amine compound, N, N-dimethylacetamide (DMAc) 5.88 g and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) 5.88 g Then, deaeration and nitrogen substitution were repeated 3 times using a vacuum pump while stirring. After shielding from light and stirring for 1 hour, stirring was stopped and the mixture was allowed to stand overnight. This solution was filtered through 0.2 μm and 0.1 μm PTFE filter paper, and then applied onto a silicon substrate under the conditions of 1000 rpm / 20 sec → 3000 rpm / 20 sec. Immediately after that, the film was fired under the conditions of 50 ° C. → 250 ° C. (30 min) → 400 ° C. (30 min) to obtain a film 3. The film thickness of the film 3 was 217.2 nm.
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3420 (N-H <stretching vibration>), 2933 (-CH 2 - <stretching vibration>), 1620 (-C = N-<stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic <plane vibration>), 1260 (Aromatic-NH 2 <stretching vibration>), 810 (C—H <out-of-plane variable vibration>)

実施例3[(1a-1)と(2-1)からの膜の作製(膜4)]
よく乾燥させた容器(ナス型フラスコ)に、前記(1a-1)で表されるエステル化合物1.00g(0.531mmol)及び前記(2-1)で表されるアミン化合物0.707g(0.531mmol)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)7.2g及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI) 7.1gを加えて溶解させた後、攪拌しながら真空ポンプを用いて脱気、窒素置換を3回繰り3た。遮光し、1時間攪拌後、攪拌を止め一晩放置した。この溶液を、0.2μm及び0.1μmPTFEろ紙でろ過後、1000rpm/20sec→3000rpm/20secの条件でシリコン基板上に塗布した。その後すぐに50℃→250℃(30min)→400℃(30min)の条件で焼成し、膜4を得た。膜4の膜厚は211.1nmであった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2931(−CH2−<伸縮振動>),1623(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香族<面内振動>),1282(芳香族−NH2<伸縮振動>),805(C−H<面外変角振動>)
Example 3 [Preparation of film from (1a-1) and (2-1) (film 4)]
In a well-dried container (eggplant type flask), 1.00 g (0.531 mmol) of the ester compound represented by (1a-1) and 0.707 g (0) of the amine compound represented by (2-1) above. 531 mmol), 7.2 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) and 7.1 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) were added and dissolved, and then a vacuum pump was used while stirring. Degassing and nitrogen replacement were repeated 3 times. After shielding from light and stirring for 1 hour, stirring was stopped and the mixture was allowed to stand overnight. This solution was filtered through 0.2 μm and 0.1 μm PTFE filter paper, and then applied onto a silicon substrate under the conditions of 1000 rpm / 20 sec → 3000 rpm / 20 sec. Immediately after that, the film 4 was fired under the conditions of 50 ° C. → 250 ° C. (30 min) → 400 ° C. (30 min) to obtain a film 4. The thickness of the film 4 was 211.1 nm.
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3419 (N-H <stretching vibration>), 2931 (-CH 2 - <stretching vibration>), 1623 (-C = N-<stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic <plane vibration>), 1282 (Aromatic —NH 2 <stretching vibration>), 805 (C—H <out-of-plane variable vibration>)

実施例4[(3-1)からの膜の作製(膜5)]
製造例3で得た式(3-1)で表されるエトキシカルボニルブチル基及びアミノ基含有アダマンタン誘導体の溶液を、0.2μm及び0.1μmPTFEろ紙でろ過後、1000rpm/20sec→3000rpm/20secの条件でシリコン基板上に塗布した。その後すぐに50℃→250℃(30min)→400℃(30min)の条件で焼成し、膜5を得た。膜5の膜厚は114.7nmであった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2929(−CH2−<伸縮振動>),1620(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香族<面内振動>),1280(芳香族−NH2<伸縮振動>),810(C−H<面外変角振動>)
Example 4 [Production of film from (3-1) (film 5)]
The solution of the ethoxycarbonylbutyl group and amino group-containing adamantane derivative represented by formula (3-1) obtained in Production Example 3 was filtered through 0.2 μm and 0.1 μm PTFE filter paper, and then 1000 rpm / 20 sec → 3000 rpm / 20 sec. It apply | coated on the silicon substrate on condition. Immediately after that, the film 5 was baked under the conditions of 50 ° C. → 250 ° C. (30 min) → 400 ° C. (30 min). The film thickness of the film 5 was 114.7 nm.
[Infrared absorption spectrum data (cm −1 )]
3419 (N-H <stretching vibration>), 2929 (-CH 2 - <stretching vibration>), 1620 (-C = N-<stretching vibration>), 1420-1520 (aromatic <plane vibration>), 1280 (Aromatic-NH 2 <stretching vibration>), 810 (C—H <out-of-plane variable vibration>)

評価試験1
実施例1〜4及び比較例1で得られた膜について、同一膜内の任意の12箇所で比誘電率を測定した。その結果を図3及び図4に示す。横軸は測定箇所の番号、縦軸は比誘電率の値を示す。図から明らかなように、比較例1の膜では測定箇所により比誘電率に大きなばらつきが見られるが、実施例で得られた膜は、測定箇所による比誘電率のばらつきが少なく、均質な膜であった。
Evaluation test 1
About the film | membrane obtained in Examples 1-4 and Comparative Example 1, the dielectric constant was measured in arbitrary 12 places in the same film | membrane. The results are shown in FIGS. The horizontal axis represents the number of the measurement location, and the vertical axis represents the relative dielectric constant value. As is clear from the figure, the film of Comparative Example 1 shows a large variation in relative dielectric constant depending on the measurement location, but the film obtained in the example has a small variation in relative dielectric constant depending on the measurement location and is a homogeneous film. Met.

評価試験2
実施例1及び比較例1で得られた膜について、リーク電流を測定した。その結果を図5に示す。横軸は印加電界E(V/cm)、縦軸はリーク電流(A/cm2)を示す。図から明らかなように、実施例1の膜は比較例1の膜に比較して絶縁性に優れていた。
Evaluation test 2
About the film | membrane obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the leakage current was measured. The result is shown in FIG. The horizontal axis represents the applied electric field E (V / cm), and the vertical axis represents the leakage current (A / cm 2 ). As is clear from the figure, the film of Example 1 was superior to the film of Comparative Example 1 in insulation.

製造例1で得られたアミノ基含有アダマンタン誘導体のNMRスペクトルである。2 is an NMR spectrum of an amino group-containing adamantane derivative obtained in Production Example 1. 製造例1で得られたアミノ基含有アダマンタン誘導体の赤外線吸収スペクトルである。2 is an infrared absorption spectrum of an amino group-containing adamantane derivative obtained in Production Example 1. 実施例1及び比較例1で得られた膜の同一膜内で比誘電率のバラツキを示すグラフである。6 is a graph showing variations in relative permittivity within the same film obtained in Example 1 and Comparative Example 1. 実施例2、3及び4で得られた膜の同一膜内で比誘電率のバラツキを示すグラフである。It is a graph which shows the variation in a dielectric constant within the same film | membrane of the film | membrane obtained in Example 2, 3 and 4. 実施例1及び比較例1で得られた膜の印加電界とリーク電流との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the applied electric field and leakage current of the film | membrane obtained in Example 1 and Comparative Example 1.

Claims (22)

それぞれの化合物の分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一方の化合物の官能基又は官能基群と他方の化合物の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な2つの化合物A及びB、及び/又は、分子内に2以上の官能基又は官能基群を有しており、一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群との結合により重合して空孔構造を有するポリマーを形成することが可能な化合物Cを含む絶縁膜形成材料であって、前記化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(i)又は(ii)を満たすことを特徴とする絶縁膜形成材料。
(i)化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、中心骨格と前記官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が、分子内にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
(ii)化合物Cが、中心骨格として有橋脂環骨格又は芳香環骨格を有し、中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間に芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格を有し、且つ中心骨格と前記一の官能基又は官能基群との間及び/又は中心骨格と他の官能基又は官能基群との間にアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットを有しているとともに、化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が、互いに反応して複素環を形成しうる一対の官能基又は官能基群であるか、又はともに置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である
Each compound has two or more functional groups or functional group groups in the molecule, and is polymerized by bonding between the functional group or functional group group of one compound and the functional group or functional group group of the other compound. Two compounds A and B capable of forming a polymer having a pore structure, and / or two or more functional groups or functional groups in the molecule, one functional group or functional groups And an insulating film forming material containing Compound C, which can be polymerized by bonding with other functional groups or functional groups to form a polymer having a pore structure, which includes Compound A, Compound B, and Compound C. Satisfies the following condition (i) or (ii).
(I) At least one of Compound A and Compound B has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and at least one of Compound A and Compound B is a central skeleton and the functional group or functional group group Having a heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring, and at least one of compound A and compound B having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond in the molecule A pair of functional groups or functional groups having a flexible unit composed of an organic group and capable of forming a heterocyclic ring by reacting the functional group or functional group group of compound A and the functional group or functional group group of compound B with each other. (Ii) Compound C has a bridged alicyclic skeleton or an aromatic ring skeleton as a central skeleton, and is a group that includes an ethynyl group that may have a substituent. Said one officer A heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring between the group or functional group and / or between the central skeleton and another functional group or functional group, A flexible unit comprising an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond between the functional group or the functional group of and / or between the central skeleton and another functional group or the functional group. And one functional group or functional group group of compound C and another functional group or functional group group are a pair of functional groups or functional groups capable of reacting with each other to form a heterocyclic ring, Or a group containing an ethynyl group which may have a substituent.
化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有する中心骨格としての有橋脂環骨格又は芳香環骨格に係る有橋脂環又は芳香環が、下記式から選ばれる環、又はこれらが2以上結合した環である請求項1記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、rは0〜5の整数を示す)
At least one of compound A and compound B, or a bridged alicyclic skeleton or aromatic ring skeleton as a central skeleton possessed by compound C is a ring selected from the following formula, or two or more of these 2. The insulating film forming material according to claim 1, wherein the insulating film forming material is a bonded ring.
Figure 2009019193
(Wherein r represents an integer of 0 to 5)
化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有する芳香環を含む2価の有機基からなる耐熱性骨格が、下記式から選ばれる基、又はこれらが2以上結合した基である請求項1記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、sは0〜5の整数を示す)
2. The heat-resistant skeleton composed of a divalent organic group containing an aromatic ring included in at least one of Compound A and Compound B or Compound C is a group selected from the following formulas or a group in which two or more of these are bonded. The insulating film forming material as described.
Figure 2009019193
(In the formula, s represents an integer of 0 to 5)
化合物A及び化合物Bの少なくとも一方、又は化合物Cが有するアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の有機基からなるフレキシブルユニットが下記式から選ばれる基からなるフレキシブルユニットである請求項1記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、tは1〜19の整数を示し、uは1〜10の整数を示し、vは1〜3の整数を示し、wは1〜16の整数を示し、xは1〜14の整数を示す。y及びzは、それぞれ0〜6の整数を示す。但し、y及びzは同時に0となることはない)
The flexible unit comprising an organic group having 2 to 20 atoms in total containing at least one of the compound A and the compound B or the alkylene group or ether bond of the compound C is a flexible unit comprising a group selected from the following formulae: 2. The insulating film forming material according to 1.
Figure 2009019193
(In the formula, t represents an integer of 1 to 19, u represents an integer of 1 to 10, v represents an integer of 1 to 3, w represents an integer of 1 to 16, and x represents 1 to 14) Y and z are each an integer of 0 to 6, provided that y and z are not 0 at the same time.
化合物Aの官能基又は官能基群と化合物Bの官能基又は官能基群が互いに反応して形成する複素環、又は化合物Cの一の官能基又は官能基群と他の官能基又は官能基群が互いに反応して形成する複素環がベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環である請求項1記載の絶縁膜形成材料。   A heterocyclic ring formed by the reaction of the functional group or functional group of compound A and the functional group or functional group of compound B with each other, or one functional group or functional group of compound C and another functional group or functional group The insulating film forming material according to claim 1, wherein the heterocyclic ring formed by reacting with each other is a benzimidazole ring, a benzoxazole ring, or a benzthiazole ring. 化合物A、化合物B、化合物Cが下記の条件(iii)又は(iv)を満たす請求項1記載の絶縁膜形成材料。
(iii)化合物Aが下記式(1a)
Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物、又は下記式(1b)
Figure 2009019193
[式中、Y1は、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1は下記式(2)におけるZ2と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(2)におけるZ2が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物であり、化合物Bが下記式(2)
Figure 2009019193
[式中、X2は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W2はアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z2は前記式(1a)又は(1b)におけるZ1と反応して複素環を形成しうる官能基若しくは官能基群、又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基(但し、式(1a)又は(1b)におけるZ1が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合に限る)を示す。R2は、水素原子又は炭化水素基を示す。m1は2〜4の整数を示し、m2は0〜2の整数を示す。m1+m2=2〜4である。iは0又は1を示し、kは0又は1を示す。分子内の複数のY2a、Y2b、W2、Z2、及び複数存在する場合のR2は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物である
(iv)化合物Cが下記式(3)
Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、互いに反応して複素環を形成しうる対となる官能基若しくは官能基群であるか、又はZ1、Z2のいずれもが置換基を有していてもよいエチニル基を含む置換基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される化合物である
The insulating film forming material according to claim 1, wherein the compound A, the compound B, and the compound C satisfy the following condition (iii) or (iv).
(Iii) Compound A is represented by the following formula (1a)
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule, and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
Or a compound represented by the following formula (1b)
Figure 2009019193
[Wherein Y 1 represents a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group, Or the bivalent group which these groups couple | bonded two or more is shown. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 is a group containing a functional group or a functional group capable of reacting with Z 2 in the following formula (2) to form a heterocyclic ring, or an ethynyl group optionally having a substituent (provided that the formula (2) In which Z 2 is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. n shows the integer of 2-4. Plural Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different.
The compound B is represented by the following formula (2):
Figure 2009019193
[Wherein, X 2 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 2a and Y 2b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. W 2 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 2 represents a functional group or a group of functional groups that can form a heterocyclic ring by reacting with Z 1 in the formula (1a) or (1b), or a group containing an ethynyl group which may have a substituent (provided that Z 1 in formula (1a) or (1b) is limited to a group containing an ethynyl group which may have a substituent. R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. m1 represents an integer of 2 to 4, and m2 represents an integer of 0 to 2. m1 + m2 = 2-4. i represents 0 or 1, and k represents 0 or 1. A plurality of Y 2a , Y 2b , W 2 , Z 2 in the molecule, and R 2 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
(Iv) Compound C is represented by the following formula (3):
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or an aromatic cyclic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are a functional group or a group of functional groups that can form a heterocycle by reacting with each other, or both Z 1 and Z 2 may have a substituent. A substituent containing a group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , R 1 in the case where there are a plurality in the molecule may be the same or different.
Is a compound represented by
式(1a)、式(3)におけるX1の2〜4価の有橋脂環式基又は芳香族環式基に係る有橋脂環、芳香環が下記式から選ばれる環、又はこれらが2以上結合した環である請求項6記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、rは0〜5の整数を示す)
In formula (1a), X 1 in formula (3), a divalent to tetravalent bridged alicyclic group or a bridged alicyclic ring related to an aromatic cyclic group, a ring in which the aromatic ring is selected from the following formulas, or The insulating film forming material according to claim 6, which is a ring in which two or more are bonded.
Figure 2009019193
(Wherein r represents an integer of 0 to 5)
式(1a)、式(1b)、式(2)、式(3)におけるY1a、Y1b、Y1、Y2a、Y2bが、単結合、又は下記式から選ばれる基、若しくはこれらが2以上結合した基である請求項6記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、sは0〜5の整数を示す)
Y 1a , Y 1b , Y 1 , Y 2a , Y 2b in formula (1a), formula (1b), formula (2), and formula (3) are a single bond or a group selected from the following formulas, or The insulating film forming material according to claim 6, which is a group in which two or more are bonded.
Figure 2009019193
(In the formula, s represents an integer of 0 to 5)
式(1a)、式(1b)、式(2)、式(3)におけるW1、W、W2が、下記式から選ばれる基からなるフレキシブルユニットである請求項6記載の絶縁膜形成材料。
Figure 2009019193
(式中、tは1〜19の整数を示し、uは1〜10の整数を示し、vは1〜3の整数を示し、wは1〜16の整数を示し、xは1〜14の整数を示す。y及びzは、それぞれ0〜6の整数を示す。但し、y及びzは同時に0となることはない)
The insulating film forming material according to claim 6, wherein W 1 , W, and W 2 in Formula (1a), Formula (1b), Formula (2), and Formula (3) are flexible units composed of groups selected from the following formulas: .
Figure 2009019193
(In the formula, t represents an integer of 1 to 19, u represents an integer of 1 to 10, v represents an integer of 1 to 3, w represents an integer of 1 to 16, and x represents 1 to 14) Y and z are each an integer of 0 to 6, provided that y and z are not 0 at the same time.
式(1a)又は式(1b)におけるZ1と式(2)におけるZ2とで形成される複素環、式(3)におけるZ1と式(3)におけるZ2とで形成される複素環がベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環である請求項6記載の絶縁膜形成材料。 A heterocycle formed by Z 1 in formula (1a) or formula (1b) and Z 2 in formula (2), a heterocycle formed by Z 1 in formula (3) and Z 2 in formula (3) The material for forming an insulating film according to claim 6, wherein is a benzimidazole ring, a benzoxazole ring or a benzthiazole ring. 式(1a)又は式(1b)におけるZ1と式(2)におけるZ2、又は式(3)におけるZ1と式(3)におけるZ2のうち一方がカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基であり、他方が3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基、4−アミノ−3−メルカプトフェニル基又は置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である(但し、一方が置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である場合には、他方も置換基を有していてもよいエチニル基を含む基である)請求項6記載の絶縁膜形成材料。 One of Z 1 in formula (1a) or formula (1b) and Z 2 in formula (2), or Z 1 in formula (3) and Z 2 in formula (3) is a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, formyl Group, a haloformyl group or a group containing an optionally substituted ethynyl group, the other being 3,4-diaminophenyl group, 3-amino-4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl Group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group, a 4-amino-3-mercaptophenyl group or a group containing an ethynyl group which may have a substituent (provided that one has a substituent) The material for forming an insulating film according to claim 6, wherein when the group is a group containing an ethynyl group, the other is a group containing an ethynyl group which may have a substituent. 化合物A及び化合物B、及び/又は化合物Cが有機溶媒に溶解した溶液である請求項1〜11の何れかの項に記載の絶縁膜形成材料。   The insulating film forming material according to any one of claims 1 to 11, which is a solution in which the compound A and the compound B and / or the compound C are dissolved in an organic solvent. 請求項1〜12の何れかの項に記載の絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマー。   A polymer having a pore structure obtained by subjecting the insulating film-forming material according to any one of claims 1 to 12 to a polymerization reaction. 請求項13記載の空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜。   An insulating film made of a polymer having a pore structure according to claim 13. 請求項12記載の絶縁膜形成材料を基材上に塗布した後、重合反応に付して空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。   A method for producing an insulating film, comprising: applying an insulating film forming material according to claim 12 on a base material; and subjecting the material to a polymerization reaction to form an insulating film made of a polymer having a pore structure. 下記式(7)
Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の芳香族又は非芳香族環式基を示す。Y1a、Y1bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1は少なくともアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。n1は2〜4の整数を示し、n2は0〜2の整数を示す。n1+n2=2〜4である。分子内の複数のY1a、Y1b、W1、Z1、及び複数存在する場合のR1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物。
Following formula (7)
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent aromatic or non-aromatic cyclic group. Y 1a and Y 1b are the same or different and represent a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group, or a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. And a divalent group in which two or more of these groups are bonded. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 represents a flexible unit composed of a divalent group having 2 to 20 atoms in total containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. n1 shows the integer of 2-4, n2 shows the integer of 0-2. n1 + n2 = 2-4. A plurality of Y 1a , Y 1b , W 1 , Z 1 in the molecule, and R 1 in the case where a plurality exist may be the same or different.]
A polymerizable compound represented by the formula:
1a、Y1bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基である請求項16記載の重合性化合物。 At least one of Y 1a and Y 1b corresponds to a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The polymerizable compound according to claim 16, which is a divalent group. 下記式(8)
Figure 2009019193
[式中、Y1は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を示す。Wはアルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2〜4価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1はカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。nは2〜4の整数を示す。分子内の複数のY1、Z1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物。
Following formula (8)
Figure 2009019193
[Wherein Y 1 represents a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W represents a flexible unit composed of a divalent to tetravalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 represents a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, a 3,4-diaminophenyl group, a 3-amino-4-hydroxyphenyl group, A 4-amino-3-hydroxyphenyl group, a 3-amino-4-mercaptophenyl group or a 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. n shows the integer of 2-4. Plural Y 1 and Z 1 in the molecule may be the same or different.
A polymerizable compound represented by the formula:
1が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基である請求項18記載の重合性化合物。 Y 1 is a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a divalent group corresponding to a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The polymerizable compound according to claim 18. 下記式(9)
Figure 2009019193
[式中、X1は2〜4価の有機基を示す。Y1a、Y1b、Y2a、Y2bは、同一又は異なって、単結合、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環式基、2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基、又はこれらの基が2以上結合した2価の基を示す。但し、Y1a、Y1bのうち少なくとも一方は、2価の芳香族複素環式基、又は2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基を含む基である。W1、W2は、同一又は異なって、アルキレン基又はエーテル結合を少なくとも含む全原子数2〜20の2価の基からなるフレキシブルユニットを示す。Z1、Z2は、それぞれ、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ホルミル基、ハロホルミル基、置換基を有していてもよいエチニル基を含む基、3,4−ジアミノフェニル基、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル基、4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル基、3−アミノ−4−メルカプトフェニル基又は4−アミノ−3−メルカプトフェニル基を示す。R1は、水素原子又は炭化水素基を示す。kは0又は1を示す。p1、p2は、それぞれ1〜3の整数を示し、p3は0〜2の整数を示す。p1+p2+p3=2〜4である。分子内に複数存在する場合のY1a、Y1b、Y2a、Y2b、W1、W2、Z1、Z2、R1は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい]
で表される重合性化合物。
Following formula (9)
Figure 2009019193
[Wherein, X 1 represents a divalent to tetravalent organic group. Y 1a , Y 1b , Y 2a and Y 2b are the same or different and are each a single bond, a divalent aromatic hydrocarbon group, a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent aromatic heterocyclic group. A divalent group corresponding to a precursor or a divalent group in which two or more of these groups are bonded to each other is shown. However, at least one of Y 1a and Y 1b is a group containing a divalent aromatic heterocyclic group or a divalent group corresponding to a precursor of a divalent aromatic heterocyclic group. W 1 and W 2 are the same or different and each represents a flexible unit comprising a divalent group having 2 to 20 atoms and containing at least an alkylene group or an ether bond. Z 1 and Z 2 are each a carboxyl group, a substituted oxycarbonyl group, a formyl group, a haloformyl group, a group containing an optionally substituted ethynyl group, 3,4-diaminophenyl group, 3-amino- 4-hydroxyphenyl group, 4-amino-3-hydroxyphenyl group, 3-amino-4-mercaptophenyl group or 4-amino-3-mercaptophenyl group is shown. R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group. k represents 0 or 1. p1 and p2 each represent an integer of 1 to 3, and p3 represents an integer of 0 to 2. p1 + p2 + p3 = 2-4. Y 1a , Y 1b , Y 2a , Y 2b , W 1 , W 2 , Z 1 , Z 2 , R 1 in the case where there are a plurality in the molecule may be the same or different.
A polymerizable compound represented by the formula:
1a、Y1bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基である請求項20記載の重合性化合物。 At least one of Y 1a and Y 1b corresponds to a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The polymerizable compound according to claim 20, which is a divalent group. 2a、Y2bのうち少なくとも一方が、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環又はベンズチアゾール環を含む2価の芳香族複素環式基、又は前記2価の芳香族複素環式基の前駆体に相当する2価の基である請求項20又は21記載の重合性化合物。 At least one of Y 2a and Y 2b corresponds to a divalent aromatic heterocyclic group containing a benzimidazole ring, benzoxazole ring or benzthiazole ring, or a precursor of the divalent aromatic heterocyclic group. The polymerizable compound according to claim 20 or 21, which is a divalent group.
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