JP2009001601A - Thiophene group-containing polymer and method for producing the same - Google Patents

Thiophene group-containing polymer and method for producing the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thiophene group-containing polymer useful as a polymer material for a photoelectric conversion element having high hole transporting property and high durability, for a light emitting element having excellent emission property and high durability, and for an active layer of a thin film transistor, and a method for producing the polymer. <P>SOLUTION: The thiophene group-containing polymer has a constitutional unit represented by general formula (I), wherein Ar<SB>1</SB>-Ar<SB>4</SB>each independently represents a divalent group of a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は側鎖にチオフェン基を有する重合体およびその製造方法に関し、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の有機エレクトロニクス用素材として有用なπ共役重合体に関する。   The present invention relates to a polymer having a thiophene group in a side chain and a method for producing the same, and relates to a π-conjugated polymer useful as various organic electronics materials such as a photoelectric conversion element, a thin film transistor element, and a light emitting element.

有機材料の発光特性や電荷輸送特性を利用して、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の機能素子が提案されている。これらの有機材料を用いた素子により、軽量、安価、低製造コスト、フレキシブル等の有機材料を最大限に利用した素子の提供が期待される。
これら機能素子のなかで、光電変換素子とりわけ太陽電池および電子写真感光体用ホール輸送材として、低分子系材料および高分子系材料の様々な材料が報告されている。前者の低分子系材料においてはさらなる高効率化が求められており、また後者の高分子系材料においてはプリントの高速化ならびに耐久性が求められている。
Various functional elements such as a photoelectric conversion element, a thin film transistor element, and a light emitting element have been proposed by utilizing the light emission characteristics and charge transport characteristics of organic materials. The use of these organic materials is expected to provide devices that make maximum use of organic materials such as light weight, low cost, low manufacturing cost, and flexibility.
Among these functional elements, various materials such as low molecular weight materials and high molecular weight materials have been reported as hole transport materials for photoelectric conversion elements, particularly solar cells and electrophotographic photoreceptors. The former low molecular weight material is required to have higher efficiency, and the latter high molecular weight material is required to increase the printing speed and durability.

また発光素子用の材料として、低分子系材料の種々の積層構造体が採用されている。この低分子系材料における積層構造体は高効率化され、またコントロールされたドーピング法により耐久性の向上がされた報告がなされている。しかし、低分子系の集合体において、長時間経時した膜の状態の変化が生じることが報告され、膜の安定性において問題点がある。
一方、高分子系材料において、従来、主にPPV(poly-p-phenylenevinylene)系列やpoly-thiophene等について検討が行われてきた。しかしながら、これらの材料系は純度を上げることが困難であり、また本質的に蛍光量子収率が低いという問題点がある。よって高性能な発光素子は得られていないのが現状である。高分子系材料は、通常、ガラス状態が安定であると考えられ、高分子系材料において高蛍光量子効率を付与することができれば優れた発光素子の構築が可能となると考えられる。このため、この分野でさらなる改良が行われている。たとえば繰り返し単位としてアリールアミンユニットを含む高分子系材料を用いた発光素子の発明を挙げることができる(特許文献1〜4および非特許文献1参照)。
Further, various laminated structures of low molecular weight materials are adopted as materials for light emitting elements. It has been reported that the laminated structure of this low molecular weight material has been improved in efficiency and improved in durability by a controlled doping method. However, it has been reported that the state of the film changes over time in a low molecular weight aggregate, and there is a problem in the stability of the film.
On the other hand, in the polymer materials, conventionally, mainly PPV (poly-p-phenylenevinylene) series and poly-thiophene have been studied. However, it is difficult to raise the purity of these material systems, and there is a problem that the fluorescence quantum yield is essentially low. Therefore, the present condition is that the high performance light emitting element is not obtained. A polymer material is generally considered to have a stable glass state, and if a high fluorescence quantum efficiency can be imparted to the polymer material, an excellent light-emitting element can be constructed. For this reason, further improvements have been made in this area. For example, invention of the light emitting element using the polymeric material which contains an arylamine unit as a repeating unit can be mentioned (refer patent documents 1-4 and nonpatent literature 1).

また有機薄膜トランジスタ素子に、低分子系および高分子系の様々な材料を用いることが報告されている。例えば低分子系材料ではペンタセン、フタロシアニン、フラーレン、アントラジチオフェン、チオフェンオリゴマー、ビスジチエノチオフェンなどが挙げられる。また高分子系材料ではポリチオフェン、ポリチエニレンビニレンまた繰り返し単位としてアリールアミンユニットを含む高分子材料が挙げられる(たとえば特許文献5)。
上記した特許文献5は本発明者らが先に提案した発明である。この文献ではアリールアミンユニットを有する高分子材料などで示される高分子系材料において、有機エレクトロニクス用素材における特性値である移動度の向上は目覚しい。有機エレクトロニクス用素材、とりわけ有機FET素子への応用を考慮すると、さらなる高移動度の素材が望まれている。
また、安価に製造でき、充分な柔軟性と強度を有し、かつ軽量であること、大面積化が可能である有機材料を用いた素子の最大の特徴を活かすため、有機溶剤に対する充分な溶解性を有することが必要である。一般的に共役が伸張された構造のπ共役重合体では、構造が剛直であり、このため溶解性に乏しい。上記従来公知の重合体でも溶解性に乏しい高分子系材料が多く、これを回避すべく様々な分子設計の試行錯誤がされているのが現状である。
米国特許第5777070号明細書 特開平10−310635号公報 特開平8−157575号公報 特表2002−515078号公報 特開2005−240001号公報 Synth.Met.,84,269(1997)
In addition, it has been reported that various materials of low molecular weight and high molecular weight are used for the organic thin film transistor element. Examples of the low molecular weight material include pentacene, phthalocyanine, fullerene, anthradithiophene, thiophene oligomer, and bisdithienothiophene. Examples of the polymer material include polythiophene, polythienylene vinylene, and a polymer material containing an arylamine unit as a repeating unit (for example, Patent Document 5).
Patent Document 5 described above is an invention previously proposed by the present inventors. In this document, in a polymer material represented by a polymer material having an arylamine unit, the mobility, which is a characteristic value in a material for organic electronics, is remarkably improved. Considering application to organic electronics materials, especially organic FET devices, materials with higher mobility are desired.
In addition, it can be manufactured at low cost, has sufficient flexibility and strength, is lightweight, and can take advantage of the maximum characteristics of elements using organic materials that can be made large in area. It is necessary to have sex. In general, a π-conjugated polymer having a structure in which conjugation is extended has a rigid structure and therefore lacks solubility. There are many high molecular weight materials with poor solubility even in the above-mentioned conventionally known polymers, and the present situation is that various molecular design trials and errors have been made to avoid this.
US Pat. No. 5,777,070 Japanese Patent Laid-Open No. 10-310635 JP-A-8-157575 Japanese translation of PCT publication No. 2002-515078 JP 2005-240001 A Synth. Met. , 84, 269 (1997)

本発明は上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、高ホール輸送性と高耐久性を共に有する光電変換素子用の重合体、優れた発光特性と高耐久性の発光素子用の重合体、また、薄膜トランジスタの活性層用高分子材料として有用な重合体およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and is a polymer for a photoelectric conversion element having both high hole transportability and high durability, and a light emitting element with excellent light emission characteristics and high durability. It is an object of the present invention to provide a polymer, a polymer useful as a polymer material for an active layer of a thin film transistor, and a method for producing the same.

本発明者らは鋭意検討した結果、特定の構成単位を含有する重合体により上記課題が解決されることを見出し、本発明に到った。
即ち、本発明は以下の(1)〜(6)である。
(1)下記一般式(I)で表される構成単位を含有する含チオフェン基重合体。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problems can be solved by a polymer containing a specific structural unit, and have arrived at the present invention.
That is, this invention is the following (1)-(6).
(1) A thiophene group polymer containing a structural unit represented by the following general formula (I).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

(上記一般式(I)中、Ar1〜Ar4はそれぞれ独立して、置換または無置換の芳香族炭化水素もしくは置換または無置換の芳香族複素環を含む二価基を表す。Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、xは1以上3以下の整数を表す。Rは、水素原子、置換または無置換のアルキル基、もしくは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。)
(2)前記一般式(I)で表される構成単位が下記一般式(II)で表される構成単位であることを特徴とする前記(1)に記載の含チオフェン基重合体。
(In the general formula (I), Ar 1 to Ar 4 each independently represents a divalent group containing a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring. R 1 represents , A halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, and x represents an integer of 1 to 3. R 2 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group.
(2) The thiophene group polymer as described in (1) above, wherein the structural unit represented by the general formula (I) is a structural unit represented by the following general formula (II).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

(上記一般式(II)中、Ar1、Ar、R、Rおよびxは前記一般式(I)と同じ意味であり、RおよびRは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、yおよびzはそれぞれ独立して、1以上4以下の整数を表し、yまたはzが2以上の場合、各RおよびRはそれぞれ独立に、同一でも異なっていてもよい。)
(3)前記一般式(II)で表される構成単位が下記一般式(III)で表される構成単位であることを特徴とする前記(2)に記載の含チオフェン基重合体。
(In the general formula (II), Ar 1 , Ar 2 , R 1 , R 2 and x have the same meaning as in the general formula (I), and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, A group selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, and y and z are each independently an integer of 1 or more and 4 or less And when y or z is 2 or more, each R 3 and R 4 may be independently the same or different.)
(3) The thiophene group polymer as described in (2) above, wherein the structural unit represented by the general formula (II) is a structural unit represented by the following general formula (III).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

(上記一般式(III)中、Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、uは1以上4以下の整数を表し、uが2以上の場合、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。)
(4)少なくとも一つの前記R1基は5位に結合していることを特徴とする前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の含チオフェン基重合体。
(5)前記(1)〜(4)のいずれかに記載の重合体の製造方法であって、下記一般式(IV)で表されるジアルデヒド化合物と下記一般式(V)で表されるジホスホン酸エステル化合物とを反応させることを特徴とする含チオフェン基重合体の製造方法。
(In the general formula (III), R 5 is a group selected from the group consisting of a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group. , U represents an integer of 1 to 4, and when u is 2 or more, R 5 may be the same or different.
(4) The thiophene group polymer according to any one of (1) to (3), wherein at least one R 1 group is bonded to the 5-position.
(5) A method for producing the polymer according to any one of (1) to (4) above, represented by a dialdehyde compound represented by the following general formula (IV) and the following general formula (V): A method for producing a thiophene-containing polymer comprising reacting a diphosphonic acid ester compound.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

(前記一般式(IV)中、Ar2〜Ar4、Rおよびxは前記一般式(I)と同じ意味である。)

Figure 2009001601
(In the general formula (IV), Ar 2 to Ar 4 , R 1 and x have the same meaning as in the general formula (I).)
Figure 2009001601

(前記一般式(V)中、Ar1およびRは前記一般式(I)と同じ意味であり、R’はアルキル基を表し、各R’は同一でも異なっていてもよい。)
(6)前記一般式(IV)で表されるジアルデヒド化合物において、少なくとも一つの前記R1は5位に結合していることを特徴とする前記(5)に記載の含チオフェン基重合体の製造方法。
(In the general formula (V), Ar 1 and R 2 have the same meaning as in the general formula (I), R ′ represents an alkyl group, and each R ′ may be the same or different.)
(6) In the dialdehyde compound represented by the general formula (IV), at least one R 1 is bonded to the 5-position. The thiophene group polymer according to (5), Production method.

本発明の重合体は、高いホール輸送性を有すると共に耐久性に優れた光電変換素子用の高分子材料として、優れた発光特性を有すると共に耐久性に優れた発光素子用の高分子材料として、また薄膜トランジスタの活性層用高分子材料として、特に有用である。   The polymer of the present invention is a polymer material for a photoelectric conversion element having high hole transportability and excellent durability, as a polymer material for a light emitting element having excellent light emission characteristics and durability, It is particularly useful as a polymer material for an active layer of a thin film transistor.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明の含チオフェン基重合体は、下記一般式(I)で表される構成単位を有する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
The thiophene group polymer of the present invention has a structural unit represented by the following general formula (I).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

上記一般式(I)中、Ar1〜Ar4はそれぞれ独立して、置換または無置換の芳香族炭化水素もしくは置換または無置換の芳香族複素環の二価基を表す。Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、xは1以上3以下の整数を表す。Rは、水素原子、置換または無置換のアルキル基、もしくは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。 In the general formula (I), Ar 1 to Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon or a divalent group of a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring. R 1 is a group selected from the group consisting of a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, and x is an integer of 1 or more and 3 or less Represents. R 2 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group.

前記一般式(I)のAr1〜Ar4における置換もしくは無置換の芳香族炭化水素を含む二価基としては単環基、多環基(縮合多環基、非縮合多環基)のいずれでもよく、芳香族炭化水素の二価基として以下のものを挙げることができる。例えばフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニル基、ピレニレン基、フルオレニレン基、アズレニレン基、アントリレン基、トリフェニレニレン基、クリセニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基どの二価の基、ジフェニルエーテル基、ポリエチレンジフェニルエーテル基、ジフェニルチオエーテル基及びジフェニルスルホン基等の単環式炭化水素化合物の二価基、あるいはビフェニレン基、ターフェニレン基などの単環を複数有するポリフェニレン基、ジフェニルアルキル基、ジフェニルアルケン基、ジフェニルアルキン基、トリフェニルメチル基、ジフェニルスチリル基、ジスチリルフェニル基、ジスチリルベンジル基、1,1−ジフェニルシクロアルキル基、ポリフェニルアルキル基、及びポリフェニルアルケン基、ポリフェニルアルキン基等の非縮合多環式炭化水素化合物の二価基、あるいは9,9−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物の2価基が挙げられる。 The divalent group containing a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon in Ar 1 to Ar 4 in the general formula (I) is any of a monocyclic group and a polycyclic group (a condensed polycyclic group or a non-condensed polycyclic group). However, examples of the aromatic hydrocarbon divalent group include the following. For example, bivalent groups such as phenylene group, naphthylene group, anthracenyl group, pyrenylene group, fluorenylene group, azulylene group, anthrylene group, triphenylenylene group, chrysenylene group, biphenylene group, terphenylene group, diphenyl ether group, polyethylene diphenyl ether group, diphenyl Bivalent groups of monocyclic hydrocarbon compounds such as thioether groups and diphenylsulfone groups, or polyphenylene groups having multiple monocycles such as biphenylene groups and terphenylene groups, diphenylalkyl groups, diphenylalkene groups, diphenylalkyne groups, triphenyl groups Methyl group, diphenylstyryl group, distyrylphenyl group, distyrylbenzyl group, 1,1-diphenylcycloalkyl group, polyphenylalkyl group, polyphenylalkene group, polyphenyl Diradical non condensed polycyclic hydrocarbon compounds such as Niruarukin group or divalent group ring assembly hydrocarbon compounds such as 9,9-diphenyl fluorene and the like.

芳香族複素環を含む二価基としては、好ましくは環を形成する炭素数が18個以下のもの、例えば、ペンタニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタニレン基、as−インダセニレン基、s−インダセニレン基、フルオレニレン基、アセナフチニレン基、プレイアデニレン基、アセナフテニレン基、フェナレニレン基、フェナントリレン基、アントリレン基、フルオランテニレン基、アセフェナントリレニレン基、アセアントリレニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、及びナフタセニレン基、およびチオフェン、ベンゾチオフェン、ジチエニルベンゼン、フラン、ベンゾフラン、カルバゾール、オキサジアゾール基(ジフェニルオキサジアゾール基を含む)等の二価の基が挙げられる。   The divalent group containing an aromatic heterocycle preferably has 18 or less carbon atoms forming the ring, for example, a pentanylene group, an indenylene group, a naphthylene group, an azlenylene group, a heptanylene group, an as-indacenylene group, s -Indasenylene group, fluorenylene group, acenaphthynylene group, preadenylene group, acenaphthenylene group, phenalenylene group, phenanthrylene group, anthrylene group, fluoranthenylene group, acephenanthryleneylene group, aceanthryllenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group Divalent groups such as thiophene, benzothiophene, dithienylbenzene, furan, benzofuran, carbazole, oxadiazole group (including diphenyloxadiazole group), and the like.

前記した芳香族炭化水素または芳香族複素環の二価基が置換基を有する場合、その置換基としては、例えば以下に示す置換基を挙げることができる。
(1)ハロゲン原子(F、Cl、Br、Iなど)、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、スルフィド(−SH)、スルフォン基など。
(2)炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルキル基、アルコキシ基(アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基(n−プロピル基、iso−プロピル基)、ブチル基(n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基)、ペンチル基(n−ペンチル基、iso−ペンチル基、tert−ペンチル基など)、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数1〜25の分岐していてもよいアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの脂環式アルキル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、トリフルオロメトキシ基等などの炭素数1〜25の脂肪族アルコキシ基、炭素数1〜25のベンジルオキシ基などの芳香族アルコキシ基が挙げられる。)。
(3)アリールオキシ基(アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するアリールオキシ基が挙げられる。これは、炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルキル基、炭素数1〜25の無置換もしくは置換のアルコキシ基、又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2 −ナフチルオキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4 −クロロフェノキシ基、6−メチル−2 −ナフチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。)。
(4)アルキルチオ基又はアリールチオ基(具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。)。
(5)アルキル置換アミノ基(具体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。)。
(6)アシル基(アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。)。
また、上記の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は前記した(1)〜(6)に示す置換基を有していてもよい。
When the above-described aromatic hydrocarbon or aromatic divalent divalent group has a substituent, examples of the substituent include the following substituents.
(1) Halogen atom (F, Cl, Br, I, etc.), trifluoromethyl group, cyano group, nitro group, sulfide (—SH), sulfone group, etc.
(2) C1-C25 unsubstituted or substituted alkyl group, alkoxy group (alkyl groups are methyl, ethyl, propyl (n-propyl, iso-propyl)), butyl (n-butyl) Group, iso-butyl group, tert-butyl group), pentyl group (n-pentyl group, iso-pentyl group, tert-pentyl group, etc.), hexyl group, heptyl group, octyl group, etc. And an alicyclic alkyl group such as an alkyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, and a t-butoxy group. , N-butoxy group, s-butoxy group, i-butoxy group, 2-hydroxyethoxy group, trifluoromethoxy group, etc. 5 aliphatic alkoxy group, an aromatic alkoxy group such as a benzyl group of 1 to 25 carbon atoms.).
(3) Aryloxy group (an aryloxy group having a phenyl group or a naphthyl group as the aryl group. Examples thereof include an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, or A substituted alkoxy group or a halogen atom may be contained as a substituent, specifically, a phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, 4-methylphenoxy group, 4-methoxyphenoxy group, 4-chlorophenoxy group, 6-methyl-2-naphthyloxy group, benzyloxy group, etc.).
(4) Alkylthio group or arylthio group (specifically, methylthio group, ethylthio group, phenylthio group, p-methylphenylthio group, etc.).
(5) alkyl-substituted amino group (specifically, diethylamino group, N-methyl-N-phenylamino group, N, N-diphenylamino group, N, N-di (p-tolyl) amino group, dibenzylamino) Group, piperidino group, morpholino group, euroridyl group, etc.).
(6) Acyl group (Specific examples of the acyl group include acetyl group, propionyl group, butyryl group, malonyl group, and benzoyl group).
Moreover, said aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group may have a substituent shown in above-mentioned (1)-(6).

また前記一般式(I)において、Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、xは1以上3以下の整数を表す。このようなRが、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基である場合の例としては、前記したArなどの置換基の項で説明したので、説明を省略する。 In the general formula (I), R 1 is a group selected from the group consisting of a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group. , X represents an integer of 1 or more and 3 or less. Examples of such a case where R 1 is a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group have been explained in the above-mentioned section of the substituent such as Ar 1 , Omitted.

また前記一般式(I)において、Rの一価基は、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換の芳香族炭化水素基からなる群より選択される基である。前記の置換または無置換のアルキル基としては、Rの置換基の項で説明したのと同様な置換基が挙げられる。
置換または無置換の芳香族炭化水素基の例としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などの1価の基、ジフェニルエーテル基、ポリエチレンジフェニルエーテル基、ジフェニルチオエーテル基及びジフェニルスルホン基等の単環式炭化水素化合物の1価基、あるいはビフェニル基、ターフェニル基などの単環を複数有するポリフェニル基、ジフェニルアルキル基、ジフェニルアルケン基、ジフェニルアルキン基、トリフェニルメチル基、ジスチリルフェニル基、ジスチリルベンジル基、1,1−ジフェニルシクロアルキル基、ポリフェニルアルキル基、及びポリフェニルアルケン基、ポリフェニルアルキン基等の非縮合多環式炭化水素化合物の1価基、あるいは9,9−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物の一価基が挙げられる。
In the general formula (I), the monovalent group of R 2 is a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group. Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include the same substituents as those described in the section of the substituent for R 1 .
Examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group include monovalent groups such as a phenyl group, a naphthyl group, a pyrenyl group, a fluorenyl group, an azulenyl group, an anthryl group, a triphenylenyl group, a chrycenyl group, a biphenyl group, and a terphenyl group. Groups, diphenyl ether groups, polyethylene diphenyl ether groups, monovalent hydrocarbon compounds such as diphenyl thioether groups and diphenyl sulfone groups, or polyphenyl groups having a plurality of monocycles such as biphenyl groups and terphenyl groups, diphenylalkyl Group, diphenylalkene group, diphenylalkyne group, triphenylmethyl group, distyrylphenyl group, distyrylbenzyl group, 1,1-diphenylcycloalkyl group, polyphenylalkyl group, polyphenylalkene group, polyphenylalkyne Monovalent groups of non-condensed polycyclic hydrocarbon compounds, or the monovalent radical of a ring assembly hydrocarbons compounds such as 9,9-diphenyl fluorene like equal.

さらに芳香族炭化水素の1価基としては、好ましくは環を形成する炭素数が18個以下のもの、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ヘプタニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル基、およびチオフェン、ベンゾチオフェン、ジチエニルベンゼン、フラン、ベンゾフラン、カルバゾール等の1価の基を挙げることができる。   Further, the monovalent group of the aromatic hydrocarbon preferably has 18 or less carbon atoms forming a ring, for example, a pentanyl group, an indenyl group, a heptanyl group, an as-indacenyl group, an s-indacenyl group, a fluorenyl group. Acenaphthynyl group, preadenyl group, acenaphthenyl group, phenalenyl group, phenanthryl group, anthryl group, fluoranthenyl group, acephenanthrenyl group, aceanthrylenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, and naphthacenyl group, And monovalent groups such as thiophene, benzothiophene, dithienylbenzene, furan, benzofuran, and carbazole.

このような一般式(I)で表される構成単位を有する重合体は、好ましくは、Arは−φ(R−であり、Ar4は−φ(R−で表される2価のフェニル基であることが好ましい。このような構成単位を直接表すと下記(II)で表される構成単位となる。
ただしφは置換基を有する2価のフェニレン基であり、Ar〜Arにおいて、RおよびRは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、yおよびzはそれぞれ独立に1以上4以下の整数を表し、yまたはzが2以上の場合、各基RおよびRはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
In the polymer having the structural unit represented by the general formula (I), Ar 3 is preferably —φ (R 3 ) y —, and Ar 4 is represented by —φ (R 4 ) z —. It is preferable that it is a divalent phenyl group. When such a structural unit is represented directly, it becomes a structural unit represented by the following (II).
Where φ is a divalent phenylene group having a substituent, and in Ar 3 to Ar 4 , R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group A group selected from the group consisting of a group and a substituted or unsubstituted alkylthio group, y and z each independently represent an integer of 1 or more and 4 or less, and when y or z is 2 or more, each group R 3 And R 4 may be the same or different.

Figure 2009001601
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これら置換基Ar1、Ar2およびR〜Rが、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基などのより具体的な説明は、前記したのと同様であるので説明を省略する。またこれらに有していてもよい置換基についても前記した置換基と同様であるので説明を省略する。 Since these substituents Ar 1 , Ar 2 and R 1 to R 4 are the same as those described above, such as an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylthio group, the description thereof is omitted. Further, since the substituents that may be contained in these are the same as the above-described substituents, the description thereof is omitted.

特に前記一般式(I)または(II)で表される構成単位において、前記Ar2の2価基が下記一般式(2)で表される基(置換基を有してもよいフェニレン基:−φ(R−)である化合物(III)であることが好ましい。 Particularly in the structural unit represented by the general formula (I) or (II), the divalent group of Ar 2 is a group represented by the following general formula (2) (a phenylene group which may have a substituent: -φ (R 5) u -) a is preferably a a compound (III).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

Figure 2009001601
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上記一般式(2)中、Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、uは1以上4以下の整数を表し、uが2以上の場合、2以上のRはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Rについても、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基などの基は前記したのと同様の基であるので説明を省略する。またこれらに有していてもよい置換基についても前記した置換基と同様であるので説明を省略する。 In the general formula (2), R 5 is a group selected from the group consisting of a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, u represents an integer of 1 or more and 4 or less, and when u is 2 or more, 2 or more of R 5 may be the same or different. Regarding R 5, the description of the group such as a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylthio group is omitted because it is the same group as described above. Further, since the substituents that may be contained in these are the same as the above-described substituents, the description thereof is omitted.

本発明の(I)、(II)およびこれらのAr2の2価基が一般式(2)、具体的には(III)で表される構成単位を有する重合体は、上述のように芳香環上に置換基を有するこができ、有機溶媒への溶解性向上の観点からアルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基などの置換基を有しているほうがより好ましい。これら置換基の炭素数が増加すれば溶解性はより向上するが、その反面、電荷輸送性等の特性は一般に低下してしまうため、溶解性が損なわれない範囲で所望の特性が得られるように置換基を選択することが好ましい。その場合の好適な置換基の例として、炭素数が1〜25のアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基が挙げられる。更に好適には、炭素数が2〜18のアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基が挙げられる。これら置換基は同一の基を複数導入してもよいし、異なる基を複数導入してもよい。また、これらのアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基はさらにハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基または炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。 The polymer having the structural unit represented by (I), (II) and the divalent group of Ar 2 in the present invention represented by the general formula (2), specifically, (III) is aromatic as described above. It is more preferable to have a substituent on the ring and to have a substituent such as an alkyl group, an alkoxy group or an alkylthio group from the viewpoint of improving the solubility in an organic solvent. If the number of carbons of these substituents increases, the solubility is further improved, but on the other hand, characteristics such as charge transportability generally decrease, so that desired characteristics can be obtained within a range where the solubility is not impaired. It is preferable to select a substituent. Examples of suitable substituents in that case include alkyl groups having 1 to 25 carbon atoms, alkoxy groups, and alkylthio groups. More preferable examples include an alkyl group having 2 to 18 carbon atoms, an alkoxy group, and an alkylthio group. As these substituents, a plurality of the same groups may be introduced, or a plurality of different groups may be introduced. In addition, these alkyl groups, alkoxy groups and alkylthio groups are further halogen atoms, cyano groups, phenyl groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, linear, branched or cyclic alkyl groups or alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, alkoxythio groups, alkylthio groups. A phenyl group substituted with a group may be contained.

また本発明の重合体は、前記一般式(I)、(II)または(III)で表される重合単位を有する重合体において、少なくとも一つのR1基は5位に結合している構成単位を有することが好ましい。
特に前記一般式(I)、(II)または(III)で表される重合単位を有する重合体において、少なくとも一つのR1基は5位に結合していることが好ましい。
The polymer of the present invention is a structural unit in which at least one R 1 group is bonded to the 5-position in the polymer having a polymer unit represented by the general formula (I), (II) or (III). It is preferable to have.
In particular, in the polymer having a polymer unit represented by the general formula (I), (II) or (III), it is preferable that at least one R 1 group is bonded to the 5-position.

本発明の重合体は、アルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基を有することにより、溶媒への溶解性が向上する。これらの材質において溶解性を向上させることは、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など製造の際、湿式成膜過程を含む製造においてその許容範囲が大きくなることから重要である。例えば湿式成膜の際に使用される塗工液において用いられる塗工溶媒の選択肢を拡大したり、溶液調製時における温度範囲を拡大したり、塗工液塗布後の乾燥時における温度と圧力範囲とが拡大することとなる。これらのプロセッシビリティー(Processibility)を高めることにより、高純度で均一性の高い高品質な薄膜が得られる。   Since the polymer of the present invention has an alkyl group, an alkoxy group, or an alkylthio group, the solubility in a solvent is improved. It is important to improve the solubility of these materials because the tolerance is increased in manufacturing including a wet film forming process when manufacturing a photoelectric conversion element, a thin film transistor element, and a light emitting element. For example, the choice of the coating solvent used in the coating liquid used in wet film formation is expanded, the temperature range during solution preparation is expanded, and the temperature and pressure range during drying after coating the coating liquid Will expand. By increasing these processability, high-quality thin films with high purity and high uniformity can be obtained.

次に本発明の一般式(I)で表される構成単位を有する重合体の製造法について説明する。
本発明の重合体の製造方法は、アルデヒドとホスホネートを用いたWittig−Horner反応、アルデヒドとホスホニウム塩を用いたWittig反応、ビニル置換体とハロゲン化物を用いたHeck反応、あるいはアミンとハロゲン化物を用いたUllmann反応などを利用して製造することができる。特にWittig−Horner反応およびWittig反応は、反応操作の簡便さから有効である。
Next, the manufacturing method of the polymer which has a structural unit represented by general formula (I) of this invention is demonstrated.
The polymer production method of the present invention uses a Wittig-Horner reaction using an aldehyde and a phosphonate, a Wittig reaction using an aldehyde and a phosphonium salt, a Heck reaction using a vinyl substituent and a halide, or an amine and a halide. It can be produced using the Ullmann reaction. In particular, the Wittig-Horner reaction and the Wittig reaction are effective because of the simplicity of the reaction operation.

本発明の重合体の製造方法は、例えばWittig−Horner反応を利用することができる。このようなWittig−Horner反応を利用した本発明の重合体の製造方法について、以下に説明する。
本発明における重合体は、一般的には以下に記載するスキーム1で示されるようにホスホン酸エステル化合物およびアルデヒド化合物(ジホスホン酸エステル化合物とジアルデヒド化合物)とを、化学量論的に略等しく存在する溶液とし、その2倍モル量以上の塩基の存在下に重合反応を進行させることができる。また、複数種のホスホン酸エステル化合物あるいはアルデヒド化合物を反応系内に添加することにより、ランダム共重合体を得ることもでき、このような手法を利用することにより、適宜、得られる重合体の諸特性を調整することも可能である。
The polymer production method of the present invention can utilize, for example, the Wittig-Horner reaction. A method for producing the polymer of the present invention using such Wittig-Horner reaction will be described below.
The polymer in the present invention generally has a phosphonic acid ester compound and an aldehyde compound (diphosphonic acid ester compound and dialdehyde compound) substantially stoichiometrically as shown in Scheme 1 described below. And the polymerization reaction can be allowed to proceed in the presence of at least twice the molar amount of the base. A random copolymer can also be obtained by adding a plurality of types of phosphonic acid ester compounds or aldehyde compounds to the reaction system. By using such a technique, various kinds of polymers can be obtained as appropriate. It is also possible to adjust the characteristics.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

本発明で用いられる前記一般式(IV)’ で表されるジアルデヒド化合物は、下記式(IV)の1例を挙げたものであり、一般式(V)’で表されるジホスホン酸エステル化合物は、下記式(V)の1例を挙げたものである。   The dialdehyde compound represented by the general formula (IV) ′ used in the present invention is an example of the following formula (IV), and is a diphosphonate compound represented by the general formula (V) ′. Is an example of the following formula (V).

Figure 2009001601
Figure 2009001601

前記一般式(IV)中、Ar2〜Ar4、Rおよびxは前記一般式(I)と同じ意味である。
また前記一般式(V)中、Ar1およびRは前記一般式(I)と同じ意味であり、R’は炭素数1〜50のアルキル基を表し、各R’は同一でも異なっていてもよい。
一般式(V)で表されるジホスホン酸エステル化合物の具体的な例としては、下記式(V-1)〜(V-13)で表される化合物を挙げることができる。
In the general formula (IV), Ar 2 to Ar 4 , R 1 and x have the same meaning as in the general formula (I).
In the general formula (V), Ar 1 and R 2 have the same meaning as in the general formula (I), R ′ represents an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, and each R ′ is the same or different. Also good.
Specific examples of the diphosphonate compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following formulas (V-1) to (V-13).


Figure 2009001601
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上記スキーム1に示す反応に使用される塩基はホスホネートカルボアニオン(=C-―PO(OR))が形成されるものであれば特に限定されず、塩基としては、金属アルコシド、金属ヒドリド、有機リチウム化合物等が挙げられ、例えばカリウムt−ブトキシド、ナトリウムt−ブトキシド、リチウムt−ブトキシド、カリウム2−メチル−2−ブトキシド、ナトリウム2−メチル−2−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムメトキシド、水素化ナトリウム、水素化カリウム、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、n−ブチルリチウム、s−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、フェニルリチウム、リチウムナフチリド、リチウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド等を挙げることができる。 The base used in the reaction shown in the above scheme 1 is not particularly limited as long as a phosphonate carbanion (= C —PO (OR) 2 ) is formed. Examples of the base include metal alcoside, metal hydride, organic Examples of the lithium compound include potassium t-butoxide, sodium t-butoxide, lithium t-butoxide, potassium 2-methyl-2-butoxide, sodium 2-methyl-2-butoxide, sodium methoxide, sodium ethoxide, and potassium. Ethoxide, potassium methoxide, sodium hydride, potassium hydride, methyl lithium, ethyl lithium, propyl lithium, n-butyl lithium, s-butyl lithium, t-butyl lithium, phenyl lithium, lithium naphthylide, lithium amide, lithium Diisopropylamide It can be mentioned.

反応に用いる塩基の量は、通常、ジホスホン酸エステル化合物の重合活性点に対して同量使用するが、塩基の量は過剰量用いてもよい。   The amount of base used in the reaction is usually used in the same amount relative to the polymerization active point of the diphosphonic acid ester compound, but an excessive amount of base may be used.

上記した塩基は固形状態や懸濁溶液の状態で反応系内に添加してもよい。得られる重合体の均質性が良好になる為に、特に均一溶液として添加するのが好ましい。均一溶液として用いられる溶媒としては、使用する塩基と安定な溶液を形成する溶媒を選択する。たとえばこのような塩基として、溶解度が高い塩基を選択し、この塩基は反応系で生成する高分子量化合物が反応溶媒に対する溶解性を損ねない(たとえば塩析などの効果の少ない)ものがよい。さらに前記した溶媒は、生成する高分子量化合物が良好に溶解する溶媒を選択するのがよく、用いる塩基と製造される高分子化合物の特性に応じて、一般に知られているアルコール系、エーテル系、アミン系、炭化水素系溶媒等から任意に選択される溶媒が挙げられる。   The above-described base may be added to the reaction system in a solid state or a suspended solution state. In order to improve the homogeneity of the resulting polymer, it is particularly preferable to add it as a homogeneous solution. As a solvent used as a homogeneous solution, a solvent that forms a stable solution with a base to be used is selected. For example, a base having a high solubility is selected as such a base, and this base is preferably one that does not impair the solubility of the high molecular weight compound produced in the reaction system in the reaction solvent (for example, less effective for salting out). Further, as the above-mentioned solvent, it is preferable to select a solvent in which the high molecular weight compound to be generated dissolves satisfactorily, and generally known alcohol-based, ether-based, Examples thereof include solvents arbitrarily selected from amine-based and hydrocarbon-based solvents.

塩基とそれを均一に溶解する溶媒の組み合わせとしては、例えばナトリウムメトキシドのメタノール溶液、ナトリウムエトキシドのエタノール溶液、カリウムt−ブトキシドの2−プロパノール溶液、カリウムt−ブトキシドの2−メチル−2−プロパノール溶液、カリウムt−ブトキシドのテトラヒドロフラン溶液、カリウムt−ブトキシドのジオキサン溶液、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液、メチルリチウムのエーテル溶液、リチウムt−ブトキシドのテトラヒドロフラン(THF)溶液、リチウムジイソプロピルアミドのシクロヘキサン溶液、カリウムビストリメチルシリルアミドのトルエン溶液等が挙げられ、これら種々の組み合わせの塩基−溶媒は、市販品として入手可能なものを選択することができる。温和な反応条件、取り扱いの容易さの観点から、好ましくは金属アルコキシドとアルコール系の塩基溶液、エーテル系、THF系などが挙げられ、生成する重合体の溶解性、取り扱いの容易さ、反応の効率性、生成する重合体の溶解性等の観点からより好ましくは金属t−ブトキシドのエーテル系、THF系、さらに好ましくはカリウムt−ブトキシドのテトラヒドロフラン(THF)溶液が挙げられる。   Examples of a combination of a base and a solvent for uniformly dissolving the base include, for example, a methanol solution of sodium methoxide, an ethanol solution of sodium ethoxide, a 2-propanol solution of potassium t-butoxide, and 2-methyl-2-methyl ester of potassium t-butoxide. Propanol solution, potassium t-butoxide in tetrahydrofuran, potassium t-butoxide in dioxane, n-butyllithium in hexane, methyllithium in ether, lithium t-butoxide in tetrahydrofuran (THF), lithium diisopropylamide in cyclohexane In addition, a toluene solution of potassium bistrimethylsilylamide, and the like, and those various combinations of base-solvents can be selected from commercially available products. From the viewpoint of mild reaction conditions and ease of handling, metal alkoxide and alcohol base solution, ether type, THF type and the like are preferable. Solubility of polymer to be produced, ease of handling, reaction efficiency From the viewpoints of solubility, solubility of the polymer to be produced, etc., a metal t-butoxide ether type, THF type, more preferably potassium t-butoxide solution in tetrahydrofuran (THF) is preferable.

上記重合反応はホスホン酸エステル化合物およびアルデヒド化合物(ジホスホン酸エステル化合物およびジアルデヒド化合物)の溶液と塩基溶液との添加の順序(接触方法)は、たとえば、この溶液に塩基溶液を添加してもよく、塩基溶液にホスホン酸エステル化合物およびアルデヒド化合物の溶液を加えてもよく、同時に反応系に加えてもよく、添加の順序に制約されない。
重合反応に要する重合時間は、用いられるモノマーの反応性、または重合体の分子量等に応じて適宜設定すればよく、たとえば0.2時間〜30時間が好ましい。
The polymerization reaction may be carried out by adding the base solution to the solution (base method) of the solution of the phosphonate ester compound and the aldehyde compound (diphosphonate ester compound and dialdehyde compound) and the base solution. The solution of the phosphonate ester compound and the aldehyde compound may be added to the base solution, and may be added simultaneously to the reaction system, and the order of addition is not limited.
What is necessary is just to set suitably the polymerization time required for a polymerization reaction according to the reactivity of the monomer used, or the molecular weight of a polymer, for example, 0.2 hours-30 hours are preferable.

上記重合反応時の反応温度は特に制御等はする必要はなく、室温(たとえば0〜30℃)において良好に重合反応が進行する。反応効率をより上げるために加熱したり、また、より温和な条件下に反応するように、冷却することも可能である。   The reaction temperature at the time of the polymerization reaction need not be particularly controlled, and the polymerization reaction proceeds well at room temperature (for example, 0 to 30 ° C.). Heating can be performed to increase the reaction efficiency, or cooling can be performed so as to react under milder conditions.

また上記した重合反応において、分子量を調節するために、分子量調節剤または末端修飾基として重合体の末端を封止あるいは修飾するための封止剤または停止剤を反応開始時、反応途中または反応後に添加することも可能である。従って、本発明のπ共役重合体には、その片末端または両末端に停止剤に基づく置換基が結合されていてもよい。   In the above polymerization reaction, in order to adjust the molecular weight, a molecular weight regulator or a blocking agent for blocking or modifying the end of the polymer as a terminal modifying group is used at the start of the reaction, during the reaction or after the reaction. It is also possible to add. Accordingly, the π-conjugated polymer of the present invention may have a substituent based on a terminator bonded to one end or both ends.

本発明の重合体の好ましい分子量は数平均分子量(ポリスチレン換算)で、1000 〜1,000,000であり、より好ましくは2000〜500,000である。分子量が1000よりも小さすぎる場合にはクラックの発生等、成膜性が悪化し実用性に乏しくなる。また分子量が1,000,000よりも大きすぎると、有機溶媒への溶解性が悪くなったり、溶液の粘度が高くなって塗工などの加工特性等が困難になり、実用上、問題になる。   The preferred molecular weight of the polymer of the present invention is 1000 to 1,000,000, more preferably 2000 to 500,000 in terms of number average molecular weight (polystyrene conversion). When the molecular weight is less than 1000, the film formability such as the generation of cracks is deteriorated and the practicality becomes poor. On the other hand, if the molecular weight is larger than 1,000,000, the solubility in an organic solvent is deteriorated, the viscosity of the solution becomes high, and the processing characteristics such as coating become difficult, which is a practical problem. .

また、機械的特性を改良するため、重合時などに分岐化剤を少量加えることもできる。使用される分岐化剤は、重合反応活性基を3つ以上(同種でも異種でもよい)有する化合物を挙げることができる。これらの分岐化剤は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。   In order to improve mechanical properties, a small amount of a branching agent can be added during polymerization. Examples of the branching agent used include compounds having three or more polymerization reaction active groups (which may be the same or different). These branching agents may be used alone or in combination.

以上のようにして得られた重合体は、重合に使用した塩基、未反応モノマー、末端停止剤、又、重合中に生じた無機塩等の不純物を除去した後に使用される。これら精製操作はデカンテーション、再沈澱、カラムクロマト法、吸着法、ソックスレー抽出などを含む抽出、限外濾過、透析等など、従来公知の精製方法を使用できる。   The polymer obtained as described above is used after removing the base, unreacted monomer, terminal terminator used in the polymerization, and impurities such as inorganic salts generated during the polymerization. For these purification operations, conventionally known purification methods such as decantation, reprecipitation, column chromatography, adsorption, extraction including Soxhlet extraction, ultrafiltration, dialysis and the like can be used.

上記したような製造方法により得られた本発明の重合体は、スピンコート法、キャスト法、ディップ法、インクジェット法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、ディスペンス法等の公知の成膜方法により、クラックがなく、強度、靭性、耐久性等に優れた良好な薄膜を作製することが可能である。得られた薄膜を用いて、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の機能素子用材料として好適に用いることができる。   The polymer of the present invention obtained by the production method as described above is cracked by a known film formation method such as a spin coating method, a casting method, a dip method, an ink jet method, a doctor blade method, a screen printing method, or a dispensing method. Therefore, it is possible to produce a good thin film excellent in strength, toughness, durability and the like. The obtained thin film can be used suitably as a material for various functional elements such as a photoelectric conversion element, a thin film transistor element, and a light emitting element.

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。   The present invention will be described more specifically with reference to the following examples.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

〔実施例1〕
窒素ガスで置換した50mlフラスコ中に、上式(IV-1)で表されるジアルデヒド化合物0.662g(1.417mmol)、前記した(V−5)で示されるジホスホネート化合物0.880g(1.417mmol)とを脱水テトラヒドロフラン20mlに溶解し、カリウムt−ブトキシドの1.0moldm-3テトラヒドロフラン溶液4.2mlを室温下に徐々に滴下して加えた。滴下後室温で4.5時間撹拌した後、ベンズアルデヒド23mgを加え1.5時間攪拌し、ついで、ベンジルホスホン酸ジエチル45mgを加え1.5時間攪拌した後、酢酸で中和した。中和した内容物を水に滴下して粗ポリマーを得た。これをテトラヒドロフラン/メタノール、次いで、テトラヒドロフラン/アセトンで再沈させて精製をおこなった後、塩化メチレンに溶解し、イオン交換水でその洗浄液の導電率がイオン交換水と同等になるまで洗浄を繰り返した。洗浄後、メタノール中に滴下してオレンジ色の下式で示される本発明の重合体−1を0.33g得た。
[Example 1]
In a 50 ml flask substituted with nitrogen gas, 0.662 g (1.417 mmol) of the dialdehyde compound represented by the above formula (IV-1) and 0.880 g of the diphosphonate compound represented by the above (V-5) ( 1.417 mmol) was dissolved in 20 ml of dehydrated tetrahydrofuran, and 4.2 ml of a 1.0 moldm -3 tetrahydrofuran solution of potassium t-butoxide was gradually added dropwise at room temperature. After dropping, the mixture was stirred at room temperature for 4.5 hours, then 23 mg of benzaldehyde was added and stirred for 1.5 hours, and then 45 mg of diethyl benzylphosphonate was added and stirred for 1.5 hours, and then neutralized with acetic acid. The neutralized content was dropped into water to obtain a crude polymer. This was purified by reprecipitation with tetrahydrofuran / methanol and then tetrahydrofuran / acetone, then dissolved in methylene chloride, and the washing was repeated with ion-exchanged water until the conductivity of the washing liquid became equivalent to that of ion-exchanged water. . After washing, it was dropped into methanol to obtain 0.33 g of the polymer-1 of the present invention represented by the following orange formula.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

この重合体−1の元素分析値(%)は以下のとおりである。
ただし、実測値(計算値)として表す。
C:81.03(81.28) H:8.09(7.93) N:1.99(1.93) S:4.27(4.43)
またこの重合体−1のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフ)により測定したポリスチレン換算の数平均分子量は18,900であり、重量平均分子量は69,000であった。
この重合体−1の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜により測定)を図1に示す。
The elemental analysis value (%) of this polymer-1 is as follows.
However, it represents as an actual measurement value (calculated value).
C: 81.03 (81.28) H: 8.09 (7.93) N: 1.99 (1.93) S: 4.27 (4.43)
Moreover, the number average molecular weight of polystyrene conversion measured by GPC (gel permeation chromatograph) of this polymer-1 was 18,900, and the weight average molecular weight was 69,000.
The infrared absorption spectrum (measured with a NaCl cast film) of this polymer-1 is shown in FIG.

〔実施例2〕
窒素ガスで置換した50mlフラスコ中に、上式(IV-1)で表されるジアルデヒド化合物0.862g(1.843mmol)と、前記した(V−9)で示されるジホスホネート化合物1.170g(1.843mmol)とを脱水テトラヒドロフラン20mlに溶解し、カリウムt−ブトキシドの1.0mol・dm-3テトラヒドロフラン溶液5.6mlを室温下に徐々に滴下して加えた。滴下後室温で4.5時間撹拌した後、ベンズアルデヒド30mgを加え1.5時間攪拌し、次いで、ベンジルホスホン酸ジエチル59mgを加え1.5時間攪拌した後、酢酸で中和した。中和された内容物を水に滴下して粗ポリマーを得た。この粗ポリマーをテトラヒドロフラン/メタノール、次いで、テトラヒドロフラン/アセトンで再沈による精製をおこなった後、塩化メチレンに溶解し、イオン交換水でその洗浄液の導電率がイオン交換水と同等になるまで洗浄を繰り返した。洗浄後、メタノール中に滴下して黄色の下式で示される本発明の重合体−2、0.91gを得た。
[Example 2]
In a 50 ml flask substituted with nitrogen gas, 0.862 g (1.843 mmol) of the dialdehyde compound represented by the above formula (IV-1) and 1.170 g of the diphosphonate compound represented by (V-9) described above. (1.843 mmol) was dissolved in 20 ml of dehydrated tetrahydrofuran, and 5.6 ml of a 1.0 mol · dm −3 tetrahydrofuran solution of potassium t-butoxide was gradually added dropwise at room temperature. After dropping, the mixture was stirred at room temperature for 4.5 hours, 30 mg of benzaldehyde was added and stirred for 1.5 hours, and then 59 mg of diethyl benzylphosphonate was added and stirred for 1.5 hours, and then neutralized with acetic acid. The neutralized content was dropped into water to obtain a crude polymer. The crude polymer is purified by reprecipitation with tetrahydrofuran / methanol and then tetrahydrofuran / acetone, then dissolved in methylene chloride, and repeatedly washed with ion-exchanged water until the conductivity of the washing liquid is equivalent to ion-exchanged water. It was. After washing, it was dropped into methanol to obtain 0.91 g of polymer-2 of the present invention represented by the following formula of yellow.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

得られた重合体−2の元素分析値は以下のとおりであった。
元素分析値(%)実測値(計算値)
C:86.27(86.20) H:7.85(8.00) N:1.73(1.76) S:4.01(4.04)
重合体−2のGPCにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量は14,500、重量平均分子量は52,900であった。
重合体−2の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜)を図2に示す。
Elemental analysis values of the obtained polymer-2 were as follows.
Elemental analysis value (%) Actual measurement value (calculated value)
C: 86.27 (86.20) H: 7.85 (8.00) N: 1.73 (1.76) S: 4.01 (4.04)
The number average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC of polymer-2 was 14,500, and the weight average molecular weight was 52,900.
The infrared absorption spectrum (NaCl cast film) of Polymer-2 is shown in FIG.

〔実施例3〕
窒素ガスで置換した50mlフラスコ中に、上式(IV-1)で表されるジアルデヒド化合物0.766g(1.637mmol)と、前記した(V−13)で示されるジホスホネート化合物0.767g(1.637mmol)とを脱水テトラヒドロフラン20mlに溶解し、カリウムt−ブトキシドの1.0mol・dm-3(1.0M)テトラヒドロフラン溶液5.0mlを室温下で徐々に滴下して加えた。滴下後室温で3時間撹拌した後、ベンズアルデヒド27mgを加え1.5時間攪拌し、次いで、ベンジルホスホン酸ジエチル52mgを加え1.5時間攪拌した後、酢酸で中和した。中和された内容物を水に滴下して粗ポリマーを得た。これをクロロホルム溶液としてシリカゲルカラムにて処理した後、このポリマー溶液をイオン交換水でその洗浄液の導電率がイオン交換水と同等になるまで洗浄を繰り返した。洗浄後、この洗浄物をメタノール中に滴下してオレンジ色の下式で示される本発明の重合体−3、0.35gを得た。
Example 3
In a 50 ml flask substituted with nitrogen gas, 0.766 g (1.637 mmol) of the dialdehyde compound represented by the above formula (IV-1) and 0.767 g of the diphosphonate compound represented by (V-13) described above. (1.637 mmol) was dissolved in 20 ml of dehydrated tetrahydrofuran, and 5.0 ml of a 1.0 mol · dm −3 (1.0 M) tetrahydrofuran solution of potassium t-butoxide was gradually added dropwise at room temperature. After dropping, the mixture was stirred at room temperature for 3 hours, and then 27 mg of benzaldehyde was added and stirred for 1.5 hours, and then 52 mg of diethyl benzylphosphonate was added and stirred for 1.5 hours, and then neutralized with acetic acid. The neutralized content was dropped into water to obtain a crude polymer. This was treated with a silica gel column as a chloroform solution, and this polymer solution was washed with ion-exchanged water until the conductivity of the washing liquid became equivalent to that of ion-exchanged water. After washing, the washed product was dropped into methanol to obtain 0.35 g of polymer-3 of the present invention represented by the following orange formula.

Figure 2009001601
Figure 2009001601

得られた重合体−3の元素分析値は以下のとおりであった。
元素分析値(%)実測値(計算値)
C:80.02(80.34) H:6.98(7.22) N:2.12(2.23) S:10.05(10.21)
重合体−3のGPCにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量は2,800、重量平均分子量は4,800であった。
また重合体−3の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜)を図3に示す。
Elemental analysis values of the obtained polymer-3 were as follows.
Elemental analysis value (%) Actual measurement value (calculated value)
C: 80.02 (80.34) H: 6.98 (7.22) N: 2.12 (2.23) S: 100.05 (10.21)
The number average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC of polymer-3 was 2,800, and the weight average molecular weight was 4,800.
Infrared absorption spectrum (NaCl cast film) of polymer-3 is shown in FIG.

〔応用例1〕
Al電極が蒸着されたPET(ポリエチレンテレフタレート)基板上に、実施例1で得られた重合体−1の20wt%のテトラヒドロフラン溶液をブレード塗工し、膜厚16.2μmの薄膜を形成した。この薄膜の半導体フィルム上にさらに金電極を蒸着し、サンドイッチセルを作製した。このセルを用いて、タイムオブフライト法(TOF法)により有機半導体材料のキャリア移動度を測定したところ、2.46E+5 V/cm(2.46×10V/cm)の電界強度において2.22E−3 cmV−1s−1(2.22×10−3 cmV−1s−1)の高いキャリア移動度が観測された。
[Application Example 1]
On a PET (polyethylene terephthalate) substrate on which an Al electrode was deposited, a 20 wt% tetrahydrofuran solution of the polymer-1 obtained in Example 1 was blade-coated to form a thin film having a thickness of 16.2 μm. A gold electrode was further deposited on the thin semiconductor film to produce a sandwich cell. Using this cell, the carrier mobility of the organic semiconductor material was measured by a time-of-flight method (TOF method). As a result, it was found that the electric field strength was 2.46E + 5 V / cm (2.46 × 10 5 V / cm). A high carrier mobility of 22E-3 cm 2 V −1 s −1 (2.22 × 10 −3 cm 2 V −1 s −1 ) was observed.

〔応用例2〕
p−ドープされてゲートとして作用するシリコン基板表面を熱酸化してSiOの絶縁層を200nm形成した後、酸化膜を片面だけ除去し、除去した面にAlを蒸着してゲート電極とした。次に該SiOの絶縁層上に、実施例1で得られた重合体1の約1.0wt%のテトラヒドロフラン溶液をスピンコートして乾燥することにより有機半導体層を作製した。引き続きチャネル長30μm、チャネル幅10mmとなるようにソース・ドレイン電極のAu膜を蒸着した。
[Application 2]
The surface of the p-doped silicon substrate acting as a gate was thermally oxidized to form an SiO 2 insulating layer having a thickness of 200 nm, and then the oxide film was removed only on one side, and Al was evaporated on the removed side to form a gate electrode. Next, an about 1.0 wt% tetrahydrofuran solution of the polymer 1 obtained in Example 1 was spin-coated on the SiO 2 insulating layer and dried to prepare an organic semiconductor layer. Subsequently, an Au film of source / drain electrodes was deposited so as to have a channel length of 30 μm and a channel width of 10 mm.

また、以下の式を用いて有機半導体の電界効果移動度を算出した。
Ids=μCinW(Vg−Vth)/2L
ただし上式において、Cinはゲート絶縁膜の単位面積あたりのキャパシタンスであり、Wはチャネル幅であり、Lはチャネル長であり、Vgはゲート電圧であり、Idsはソース−ドレイン電流であり、μは移動度であり、Vthはチャネルが形成し始めるゲートの閾値電圧である。
上式を用いて移動度μを求めたところ、作製したTFTの移動度は6.4×10−5(cm/Vsec)であった。
またオン/オフ比(Vds=−20V、Vg=−40VにおけるIdsと、Vds=−20V、Vg=+20〜−40Vの範囲内で観測された最小のIdsとの比)は1.4×10であり、閾値電圧は−14.00Vであった。
Moreover, the field effect mobility of the organic semiconductor was computed using the following formula | equation.
Ids = μCinW (Vg−Vth) 2 / 2L
In the above equation, Cin is a capacitance per unit area of the gate insulating film, W is a channel width, L is a channel length, Vg is a gate voltage, Ids is a source-drain current, μ Is the mobility, and Vth is the threshold voltage of the gate where the channel begins to form.
When the mobility μ was determined using the above equation, the mobility of the fabricated TFT was 6.4 × 10 −5 (cm 2 / Vsec).
The ON / OFF ratio (ratio between Ids at Vds = −20V and Vg = −40V and minimum Ids observed within the range of Vds = −20V and Vg = + 20 to −40V) is 1.4 × 10. 4 and the threshold voltage was -14.00V.

〔応用例3〕
p−ドープされてゲートとして作用するシリコン基板表面を熱酸化してSiOの絶縁層を200nm形成した後、酸化膜を片面だけ除去し、除去した面にAlを蒸着してゲート電極とした。次に該SiOの絶縁層上に、実施例2で得られた重合体2の約1.0wt%のテトラヒドロフラン溶液をスピンコートして乾燥することにより有機半導体層を作製した。引き続きチャネル長30μm、チャネル幅10mmとなるようにソース・ドレイン電極のAu膜を蒸着した。
[Application Example 3]
The surface of the p-doped silicon substrate acting as a gate was thermally oxidized to form an SiO 2 insulating layer having a thickness of 200 nm, and then the oxide film was removed only on one side, and Al was evaporated on the removed side to form a gate electrode. Next, an about 1.0 wt% tetrahydrofuran solution of the polymer 2 obtained in Example 2 was spin-coated on the SiO 2 insulating layer and dried to prepare an organic semiconductor layer. Subsequently, an Au film of source / drain electrodes was deposited so as to have a channel length of 30 μm and a channel width of 10 mm.

応用例2と同様にして電界効果移動度、オン/オフ比および閾値電圧を求めたところ、作製したTFTの移動度は7.6×10−5(cm/Vsec)であり、オン/オフ比は1.1×10であり、閾値電圧は、−8.70Vであった。 The field effect mobility, the on / off ratio, and the threshold voltage were determined in the same manner as in Application Example 2. As a result, the mobility of the fabricated TFT was 7.6 × 10 −5 (cm 2 / Vsec), and the on / off The ratio was 1.1 × 10 5 and the threshold voltage was −8.70V.

〔応用例4〕
p−ドープされてゲートとして作用するシリコン基板表面を熱酸化してSiOの絶縁層を200nm形成した後、酸化膜を片面だけ除去し、除去した面にAlを蒸着してゲート電極とした。次にSiOの絶縁層上に、実施例3で得られた重合体3の約1.0wt%のテトラヒドロフラン溶液をスピンコートして乾燥することにより有機半導体層を作製した。引き続きチャネル長30μm、チャネル幅10mmとなるようにソース・ドレイン電極のAu膜を蒸着した。
[Application Example 4]
The surface of the p-doped silicon substrate acting as a gate was thermally oxidized to form an SiO 2 insulating layer having a thickness of 200 nm, and then the oxide film was removed only on one side, and Al was evaporated on the removed side to form a gate electrode. Next, an about 1.0 wt% tetrahydrofuran solution of the polymer 3 obtained in Example 3 was spin-coated on the SiO 2 insulating layer and dried to prepare an organic semiconductor layer. Subsequently, an Au film of source / drain electrodes was deposited so as to have a channel length of 30 μm and a channel width of 10 mm.

応用例2と同様にして電界効果移動度、オン/オフ比および閾値電圧を求めたところ、作製したTFTの移動度は1.7×10−5(cm/Vsec)であり、オン/オフ比は1.9×10であり、閾値電圧は、−1.43Vであった。 The field effect mobility, on / off ratio, and threshold voltage were determined in the same manner as in Application Example 2. As a result, the mobility of the fabricated TFT was 1.7 × 10 −5 (cm 2 / Vsec), and the on / off state was The ratio was 1.9 × 10 5 and the threshold voltage was −1.43V.

本発明の重合体は、高いホール輸送性を有すると共に耐久性に優れた光電変換素子用の高分子材料として、優れた発光特性を有すると共に耐久性に優れた発光素子用の高分子材料として、また薄膜トランジスタの活性層用高分子材料として、特に有用である。   The polymer of the present invention is a polymer material for a photoelectric conversion element having high hole transportability and excellent durability, as a polymer material for a light emitting element having excellent light emission characteristics and durability, Further, it is particularly useful as a polymer material for an active layer of a thin film transistor.

実施例1で得られた重合体−1の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜)であり、横軸は波数(cm−1)を表し、縦軸は透過度(%T:transmittance%)を表す。It is an infrared absorption spectrum (NaCl cast film) of the polymer-1 obtained in Example 1, the horizontal axis represents wave number (cm −1 ), and the vertical axis represents transmittance (% T: transmittance%). . 実施例2で得られた重合体−2の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜)であり、横軸は波数(cm−1)を表し、縦軸は透過度(%T:transmittance%)を表す。It is an infrared absorption spectrum (NaCl cast film) of the polymer-2 obtained in Example 2, the horizontal axis represents the wave number (cm −1 ), and the vertical axis represents the transmittance (% T: transmittance%). . 実施例3で得られた重合体−3の赤外吸収スペクトル(NaClキャスト膜)であり、横軸は波数(cm−1)を表し、縦軸は透過度(%T:transmittance%)を表す。It is an infrared absorption spectrum (NaCl cast film) of the polymer-3 obtained in Example 3, the horizontal axis represents the wave number (cm −1 ), and the vertical axis represents the transmittance (% T: transmittance%). .

Claims (6)

下記一般式(I)で表される構成単位を有する含チオフェン基重合体。
Figure 2009001601

(上記一般式(I)中、Ar1〜Ar4はそれぞれ独立して、置換または無置換の芳香族炭化水素もしくは置換または無置換の芳香族複素環を含む二価基を表す。Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、xは1以上3以下の整数を表す。Rは、水素原子、置換または無置換のアルキル基、もしくは置換または無置換の芳香族炭化水素基を表す。)
The thiophene group polymer which has a structural unit represented by the following general formula (I).
Figure 2009001601

(In the general formula (I), Ar 1 to Ar 4 each independently represents a divalent group containing a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic ring. R 1 represents , A halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, and x represents an integer of 1 to 3. R 2 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group.
前記一般式(I)で表される構成単位が下記一般式(II)で表される構成単位であることを特徴とする請求項1に記載の含チオフェン基重合体。
Figure 2009001601

(上記一般式(II)中、Ar1、Ar、R、Rおよびxは前記一般式(I)と同じ意味であり、RおよびRは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、yおよびzはそれぞれ独立して、1以上4以下の整数を表し、yまたはzが2以上の場合、各RおよびRはそれぞれ独立に、同一でも異なっていてもよい。)
The thiophene group polymer according to claim 1, wherein the structural unit represented by the general formula (I) is a structural unit represented by the following general formula (II).
Figure 2009001601

(In the general formula (II), Ar 1 , Ar 2 , R 1 , R 2 and x have the same meaning as in the general formula (I), and R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, A group selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group, and y and z are each independently an integer of 1 or more and 4 or less And when y or z is 2 or more, each R 3 and R 4 may be independently the same or different.)
前記一般式(II)で表される構成単位が下記一般式(III)で表される構成単位であることを特徴とする請求項2に記載の含チオフェン基重合体。
Figure 2009001601

(上記一般式(III)中、Rは、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、及び置換又は無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、uは1以上4以下の整数を表し、uが2以上の場合、基Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。)
The thiophene group polymer according to claim 2, wherein the structural unit represented by the general formula (II) is a structural unit represented by the following general formula (III).
Figure 2009001601

(In the general formula (III), R 5 is a group selected from the group consisting of a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, and a substituted or unsubstituted alkylthio group. , U represents an integer of 1 to 4, and when u is 2 or more, the groups R 5 may be the same or different.
少なくとも一つの前記R1基は5位に結合していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の含チオフェン基重合体。 The thiophene group polymer according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the R 1 groups is bonded to the 5-position. 請求項1〜4のいずれかに記載の含チオフェン基重合体の製造方法であって、下記一般式(IV)で表されるジアルデヒド化合物と下記一般式(V)で表されるジホスホン酸エステル化合物とを反応させることを特徴とする含チオフェン基重合体の製造方法。
Figure 2009001601

(前記一般式(IV)中、Ar2〜Ar4、Rおよびxは前記一般式(I)と同じ意味である。)
Figure 2009001601

(前記一般式(V)中、Ar1およびRは前記一般式(I)と同じ意味であり、R’はアルキル基を表し、各R’は同一でも異なっていてもよい。)
It is a manufacturing method of the thiophene group polymer in any one of Claims 1-4, Comprising: The dialdehyde compound represented by the following general formula (IV), and the diphosphonic acid ester represented by the following general formula (V) A method for producing a thiophene group polymer comprising reacting a compound.
Figure 2009001601

(In the general formula (IV), Ar 2 to Ar 4 , R 1 and x have the same meaning as in the general formula (I).)
Figure 2009001601

(In the general formula (V), Ar 1 and R 2 have the same meaning as in the general formula (I), R ′ represents an alkyl group, and each R ′ may be the same or different.)
前記一般式(IV)で表されるジアルデヒド化合物において、少なくとも一つの前記R1は5位に結合していることを特徴とする請求項5に記載の含チオフェン基重合体の製造方法。 6. The method for producing a thiophene-containing polymer according to claim 5, wherein in the dialdehyde compound represented by the general formula (IV), at least one R 1 is bonded to the 5-position.
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