JP2008542726A - 差圧センサを用いるライン圧測定 - Google Patents

Abstract

プロセス流体の圧力を感知するための圧力センサ組立体（５６）はプロセス流体圧力に接続するためにセンサ本体内に形成された空洞（１３２、１３４）を有するセンサ本体（２２０）を含む。空洞内の可撓ダイヤフラム（１００）は第１および第２プロセス流体圧力に応動して撓む。第１の１次電極（１４４）は空洞の壁（１２６）に結合し、第１の１次電極と可撓ダイヤフラムとの間に第１の１次コンデンサ（Ｍｘ）を形成する。第１の２次電極（１４６）は空洞の壁に結合し、第１の２次電極と可撓性ダイヤフラムとの間に第１の２次コンデンサ（Ｒｘ）を形成する。第２の１次電極（１４８）および第２の２次電極（１５０）は好ましくは上記第１の各電極に対向する空洞の壁（１２８）に結合される。プロセス流体のライン圧力は、１次コンデンサに対する２次コンデンサの変化に基づいて決定される。

Description

本発明は、プロセス流体の圧力測定に使用されるタイプの圧力センサに関する。さらに詳細には、本発明は、差圧ならびにライン圧の両方を測定するように構成された圧力センサに関する。

送信機は、工業プロセスの様々なプロセス変量を測定するためにプロセス監視および制御システムにおいて使用されている。送信機の１つのタイプはプロセスにおけるプロセス流体の圧力を測定するものであり、様々な技術がこのような送信機中に使用される圧力センサに使用されている。１つの周知の技術は可撓性ダイヤフラムを使用することである。静電容量はダイヤフラムに対して測定され、ダイヤフラムはコンデンサの容量プレートの１つを形成している。印加された圧力によりダイヤフラムが撓むと、測定される静電容量が変化する。このような構成では、圧力測定における不正確性の原因が多数存在する。

これらの不正確性に対処する１つの技術は、Ｆｒｉｃｋ等による２００１年１０月２日発行の米国特許第６，２９５，８７５号「誤差補償を改良したプロセス圧力測定装置（ＰＲＯＣＥＳＳ ＰＲＥＳＳＵＲＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ ＤＥＶＩＣＥＳ ＷＩＴＨ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＥＲＲＯＲ ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＯＮ）」に記載されており、この全開示内容は、参照により本明細書に組み込まれる。この特許は、測定の不正確性を低減するのに用いる追加電極を含む、差圧センサを開示している。しかし、いくつかの装置おいては、差圧測定に加えて絶対圧力（ライン圧またはゲージ圧）を測定することが望ましい。このような用途では、追加の圧力センサは一般にライン圧を測定することを要求される。

プロセス流体の圧力を感知する圧力センサ組立体は、内部に形成される空洞を有するセンサ本体を含む。空洞は第１のプロセス流体圧力に接続するように構成される。空洞内の可撓ダイヤフラムは第１のプロセス流体圧力に応動して撓む。第１の１次電極は空洞の壁に結合され、第１の１次電極と可撓ダイヤフラム間に第１の１次コンデンサを形成する。第１の２次電極は空洞の壁に結合され、第１の２次電極と可撓ダイヤフラムと間に第１の２次コンデンサを形成する。プロセス流体のライン圧は、第１のプロセス流体圧力によって変化する空洞のサイズに起因する、第１の１次コンデンサと第１の２次コンデンサの変化の関数として計算される。１つの方法もまた提供される。

本発明は多電極静電容量型圧力センサによってライン圧を測定する装置および方法を提供する。多電極静電容量型圧力センサにおける適切な静電容量の総和の比または比の総和を計算することにより、プロセス流体のライン圧を測定できる。

図１はプロセス測定システム３２の環境を全体的に示す。図１は、プロセス圧力を測定するプロセス測定システム３２に接続される、加圧流体を含むプロセス配管３０を示す。プロセス測定システム３２は配管３０に接続される衝撃管（インパルス パイプ）３４を含む。衝撃管３４はプロセス圧力送信機３６に接続されている。オリフィスプレート、ベンチュリ管、フローノズルなどといった主要素３３は、衝撃管３４の２本の管の間のプロセス配管３０内の位置でプロセス流体と接触する。主要素３３により、流体がこの主要素３３を通過するときに、流体の圧力変化が発生する。

送信機３６は衝撃管３４を介してプロセス圧力を受けるプロセス測定デバイスである。送信機３６はプロセス差圧を感知し、この差圧をプロセス圧力の関数である標準化伝送信号に変換する。

プロセスループ３８は、制御室４０から送信機３６への電力信号および双方向性通信の両方を提供し、多くのプロセス通信プロトコルに従って構成できる。図示された例では、プロセスループ３８は２線ループである。２線ループを用いて、通常動作の間において、４〜２０ｍＡ信号により、送信機３６にすべての電力を伝送し、送信機３６との間のすべての通信を行う。モデム４４または他のネットワークインターフェースを介するコンピュータ４２または他の情報処理システムは、送信機３６と通信するために使用される。リモート電源４６は送信機３６に電力を供給する。

図２は圧力送信機３６の簡単化されたブロック図である。圧力送信機３６は、データバス６６を介して共に接続されているセンサモジュール５２および電子基板７２を含む。センサモジュール電子回路６０は、加えられた差圧５４を受ける圧力センサ５６に接続される。データ接続５８はセンサ５６をアナログ／ディジタル変換器６２に接続する。任意の温度センサ６３もまた、センサモジュールメモリ６４と共に図示されている。電子基板７２はマイクロコンピュータシステム７４、電子機器メモリモジュール７６、ディジタル／アナログ信号変換器７８およびディジタル通信ブロック８０を含む。

Ｆｒｉｃｋらの米国特許第６，２９５，８７５号に記載された技術によると、圧力送信機３６は差圧を感知する。しかし本発明はこのような構成に限定されない。

図３は、圧力センサ５６を示すセンサモジュール５２の１つの実施形態の簡単化された断面図である。圧力センサ５６は、空洞９２からプロセス流体を隔離する、隔離ダイヤフラム９０を介してプロセス流体に接続されている。空洞９２は衝撃管（impulse piping）９４を介して圧力センサモジュール５６に接続されている。実質的に非圧縮性充填流体は空洞９２および衝撃管９４を満たす。プロセス流体からの圧力がダイヤフラム９０に加えられると、圧力は圧力センサ５６に伝達される。

圧力センサ５６は２つの圧力センサの半分部分１１４および１１６から形成され、好ましくは脆性の、実質的に非圧縮性材料１０５で満たされる。ダイヤフラム１０６は、センサ５６内に形成される空洞１３２、１３４内に吊るされている。空洞１３２、１３４の外側壁１２６、１２８は、電極１４６、１４４、１４８および１５０を備えている。これらは一般に、１次電極１４４および１４８、ならびに２次または補助電極１４６および１５０と称される。これらの電極は可動ダイヤフラム１０６に対してコンデンサを形成する。また、コンデンサは１次および２次コンデンサと称される。

図３に示されているとおり、センサ５６内のそれぞれの電極は、電気接続１０３、１０４、１０８および１１０によってアナログ／ディジタル変換器６２に接続されている。さらに、可撓ダイヤフラム１０６は接続１０９を介してアナログ／ディジタル変換器６２に接続されている。

米国特許第６，２９５，８７５号で説明されているとおり、センサ５６に印加される差圧は電極１４４〜１５０を用いて測定できる。以下に説明されるとおり、これらの電極を用いて測定される静電容量を使用してもまた、圧力センサ５６に印加されるプロセス流体のライン圧を測定することができる。

図４は本発明の動作を説明するのに使用されるセンサ５６の簡単化された断面図である。図４は様々な容量値、電極１４４とダイヤフラム１０６間のＭ_Ｘ、電極１４８とダイヤフラム１０６間のＭ_Ｙ、電極１４６とダイヤフラム１０６との間のＲ_Ｘ、および電極１５０とダイヤフラム１０６間のＲ_Ｙを示す。

圧力センサ５６の動作中、導管９４を介して圧力センサに印加されるライン圧により、圧力センサ５６の本体２２０内に変形が生じることが見出されている。印加されるライン圧により、本体２２０内の圧力と圧力送信機の内部環境との間に圧力差が生じる。この圧力差により、本体２２０内に変形が生じる。図４に示されている例では、かなり誇張された変形が示されている。特に、印加されたライン圧により、本体２２０の外側壁２００および２０２は、２００’および２０２’の仮想線で示された位置に外向きに拡大される。本体が変形すると、空洞１３２、１３４の内壁１２６および１２８もまた、それぞれ、仮想線１２６’および１２８’に示された位置に外向きに拡大する。壁１２６および１２８が外側に移動すると、電極１４４、１４６、１４８および１５０もまたそれぞれ、１４４’、１４６’、１４８’および１５０’の仮想線で示されたとおり外向きの位置に移動する。電極１４４、１４６、１４８および１５０の位置におけるこの変化は結果として、Ｍ_Ｘ、Ｍ_Ｙ、Ｒ_ＸおよびＲ_Ｙで測定される静電容量値の変化をもたらす。本発明によれば、静電容量のこの変化を利用して、圧力センサ５６に印加されるライン圧を測定する。

ここで使用されるとおり、電極１４４および１４８とダイヤフラム１０６間の静電容量は「１次静電容量」と称され、電極１４６および１５０と中央ダイヤフラム１０６間の静電容量は２次静電容量と称される。本発明によれば、ライン圧は、１次コンデンサの静電容量および２次コンデンサの静電容量の関数として決定される。これらの静電容量値は、ライン圧の測定における誤差を低減する構成である、総和の比（ratio of sums）または比の総和（sum of ratios）において使用できる。

ライン圧（Ｐ）信号は上述の多電極静電容量型の差圧センサ５６から導き出すことができる。この測定は、適切な逆有効静電容量信号（inverse active capacitance signals） の総和の比または比の総和を計算することによりなされる。ここで使用されるとおり、有効静電容量は、センサ空洞に対する中央ダイヤフラム（ＣＤ）の移動に対応する静電容量であり、全ての浮遊容量を除外した静電容量である。有効静電容量の逆数は、比較的小さい距離で分離された２つの大きい面積の（１次）電極間の分離またはギャップに比例する。中央の１次電極およびリング２次電極を備える上述の構成を用いて、逆有効リング静電容量が逆有効１次静電容量により分割される場合の、ライン圧を測定又は決定することができる。より詳細には、ライン圧ＬＰは以下のとおり測定又は決定できる。
ＬＰ＝ｋ^＊（１／Ｒｘ＋１／Ｒｙ）／（１／Ｍｘ＋１／Ｍｙ） 式１
異なる、同様の有用な式は以下のようになる。
ＬＰ＝ｊ^＊（１／Ｒｘ）／（１／Ｍｘ）＋（１／Ｒｙ）／（１／Ｍｙ）＝ｊ^＊（Ｍｘ／Ｒｘ＋Ｍｙ／Ｒｙ） 式２
式中、Ｍは１次電極の有効静電容量であり、Ｒはリング電極の有効静電容量であり、ｘおよびｙは図４に示された差圧センサの低圧側および高圧側を指す。定数ｋおよびｊは比例定数である。ライン圧はまた信号の有効静電容量値を使用して決定できる。しかし、このような構成では、静電容量は特に、例えば温度変動により、誤差を受けやすい。対照的に、上述の比を使用すると、さらにより大きい信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が、例えば、単一有効静電容量を使用する場合に比べて１００倍向上することができる。

図５Ａは、逆静電容量を利用する、１次電極１４４、１４８とダイヤフラム１０６との間のギャップの総和に対する温度の影響を示す、ライン圧（ＰＳＩ）対１次総和実効ギャップ（μｍ）のグラフである。図５Ｂは逆リング静電容量を利用する同様のグラフである。図５Ａおよび５Ｂに示されるとおり、逆静電容量を用いてライン圧を測定することは、明らかに、温度の小さい変化に対してライン圧（ｙ−遮断）の大きな変化を伴う急勾配すなわち低いゲージ係数を提供する。図６Ａは様々な温度における式１によるライン圧対（リング総和／１次総和）のグラフであり、図６Ｂは式２によるライン圧対（リングギャップ／１次ギャップ）_Ｘ＋（リングギャップ／１次ギャップ）_Ｙのグラフである。図６Ａおよび６Ｂに示されているとおり、図５Ａおよび５Ｂとは対照的に、ＬＰ信号の勾配は大幅に低減され（より高いゲージ係数）、温度により引き起こされるｙ−遮断オフセットはＬＰスパンに対して小さい。図６Ａおよび６Ｂにおける生の温度誤差は同等のセンサと同様であり、少なくとも部分的に補正可能である。図５Ａ、５Ｂ、６Ａおよび６Ｂのグラフでは、データは差圧ゼロで収集された。

ライン圧信号はまた、式１または２で示された比のどちらかを標準差圧伝達関数と組み合わせることによって、差圧およびライン圧を重畳することで得られる。式１の場合、このような組み合わせの結果として、式１からの比および標準伝達関数（Ｍｘ−Ｍｙ）／（Ｍｘ＋Ｍｙ）の関数であるライン圧のデータを、３次元空間における平面に適合（fit）することができる。例えば、図７Ａおよび７Ｂはライン圧対１次伝達関数対リング総和／１次総和のグラフの図である。この例では、１９２個のデータポイントが、様々なライン圧および差圧値における標準圧力送信機を用いることにより平面に適合（fit）される。図７Ｂにおける軸の方向変更によりデータが平面に精密に適合されていることが分かる。

図８Ａはライン圧対リング総和／１次総和の図７Ａ、７Ｂからのデータのグラフである。図８Ｂは図８Ａにおける各ラインの勾配対公称１次伝達関数（ＴＦ）のグラフである。これらの図に示されているとおり、データは容易に、伝達関数により明確に分離される。図８Ｂにおけるプロットは、平面を曲げたりねじったりする高次影響がないこと、および比（ratio）／伝達関数／ライン圧の関係が単純であることを示している。

本発明では、加熱、冷却、加圧、減圧および過渡現象により生じる充填流体の誘電率の不安定性は、比較的大きい度合いまで打ち消される。これは、圧力セルのダイヤフラムの両側に１つ以上の電極を使用してライン圧信号を取得することにより達成される。

特定の実験では、データの精度は、信頼性レベル９５％で＋１−７０ＰＳＩライン圧の誤差帯域を実現することができる。この精度レベルは、ライン圧信号に基づいて差圧送信機出力を補正することにより、標準構成に比べて１０倍以上にまでゼロおよびスパンライン圧誤差を低減することができる。静電容量データだけを単独に操作することにより精度向上を実現でき、追加のライン圧センサは必要とされない。さらに、本発明を用いることにより、再度述べるが、追加のライン圧センサを使用することなく、測定静電容量値に基づいて有用なライン圧信号を導き出すことができる。より高度な構成では、ライン圧信号を、差圧と組み合わせて用いることにより、およびある構成においては温度と組み合わせることにより、マス流量（mass flow）計算を提供できる。

１つの例では、１次コンデンサの静電容量は、ライン圧が０から２０００ＰＳＩに変化すると、約０．２％変化する。同様に、リングコンデンサの静電容量はこのような範囲にわたって約０．７％変化する。静電容量の変化は、印加されるライン圧の変化に対してほぼ直線的である。２つの静電容量を用いて印加ライン圧を高精度で測定することができる。

本発明を好ましい実施形態に関して説明してきたが、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱することなく形態および細部を変更可能であることは認識されるであろう。いくつかの実施形態では、本発明は、加えられる差圧に基づいて計算されるライン圧を補正することを含む。本明細書で使用されるとおり、「１次」電極およびコンデンサおよび「２次」電極およびコンデンサは代替として、「主」および「副」と称することもできる。測定または計算されるライン圧は単独で使用することもでき、または、このライン圧を用いて、例えば、測定された差圧の誤差を補正することもできる。測定ライン圧は他の目的に使用できることも考えられる。

本発明により構成されたプロセス送信機を有するプロセス測定システムを示す。 図１の送信機の概略図である。 図１のプロセス送信機の一部の断面図を示す。 本発明の動作の説明に用いる圧力センサ５６の簡易化された断面図である。 ライン圧対１次総和実効ギャップのグラフである。 ライン圧対リング総和実効ギャップのグラフである。 ライン圧対リング総和／１次総和のグラフである。 ライン圧対（リングギャップ／１次ギャップ）_Ｘ＋（リングギャップ／１次ギャップ）_Ｙのグラフである。 ライン圧対１次伝達関数対リング総和／１次総和の３次元グラフである。 ライン圧対１次伝達関数対リング総和／１次総和の３次元グラフである。 様々な伝達関数におけるライン圧対リング総和／１次総和のグラフである。 スロープα対公称１次伝達関数のグラフである。

符号の説明

３２…プロセス測定システム、３６…プロセス圧力送信機、４０…制御室、５６…圧力センサ、１０６…ダイヤフラム、１２６、１２８…空洞の外側壁、１３２、１３４…空洞、１４４、１４６、１４８、１５０…電極、２００、２０２…本体の外側壁、２２０…本体。

Claims (24)

1. プロセス流体の圧力を感知するための圧力センサアセンブリであって、
   その内部に形成され、かつ第１のプロセス流体圧力に接続されるように構成された空洞を有するセンサ本体と、
   前記第１のプロセス流体圧力に応動して撓むように構成された前記空洞内の可撓ダイヤフラムと、
   前記可撓ダイヤフラムとの間に第１の１次コンデンサを形成するために前記空洞の壁に結合された第１の１次電極と、
   前記可撓ダイヤフラムとの間に第１の２次コンデンサを形成するために前記空洞の壁に結合された第１の２次電極と、
   前記第１のプロセス流体圧力からの前記空洞のサイズ変化に起因する、少なくとも前記第１の１次コンデンサおよび前記第１の２次コンデンサの変化の関数として前記プロセス流体のライン圧力を計算するように構成された、前記第１の１次コンデンサおよび前記第１の２次コンデンサに接続される回路と、
   を備える、圧力センサアセンブリ。
2. 前記第１の２次電極は少なくとも部分的リングを備える、請求項１に記載の装置。
3. 前記可撓ダイヤフラムはディスク形状である、請求項１に記載の装置。
4. 前記第１の１次電極は中央電極を備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記センサ本体の前記空洞は、第２のプロセス流体圧力に接続するように構成され、さらに前記可撓ダイヤフラムを基準として、前記第１の１次電極に対向する前記空洞の壁上に配置される第２の１次電極を含み、前記回路はさらに前記第１および第２のプロセス流体圧力による前記可撓ダイヤフラムの両側に加えられる差圧を測定するように構成されている、請求項１に記載の装置。
6. 前記差圧測定は前記計算されたライン圧に基づいて補正される、請求項５に記載の装置。
7. 前記センサ本体の前記空洞は、第２のプロセス流体圧力に接続するように構成され、さらに前記可撓ダイヤフラムを基準として、前記第１の１次電極および前記第１の２次電極に対向する前記空洞の壁に結合された第２の１次電極および第２の２次電極を含み、これにより前記第２の１次電極と前記可撓ダイヤフラムとの間に第２の１次コンデンサ、および前記第２の２次電極と前記可撓ダイヤフラムとの間に第２の２次コンデンサを形成する、請求項１に記載の装置。
8. 前記回路は前記第１および第２の１次および２次コンデンサに接続され、以下の式によってライン圧力を決定する、請求項７に記載の装置。
   ＬＰ＝ｋ^＊（１／Ｒｘ＋１／Ｒｙ）／（１／Ｍｘ＋１／Ｍｙ）
   ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
   ｋは定数であり、
   Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
   Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
   Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
9. 前記回路は前記第１および第２の１次および２次コンデンサに接続され、以下の式によってライン圧力を決定する、請求項７に記載の装置。
   ＬＰ＝ｊ^＊（Ｍｘ／Ｒｘ＋Ｍｙ／Ｒｙ）
   ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
   ｊは定数であり、
   Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
   Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
   Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
10. 前記センサ本体はセラミックまたはガラスからなる固形絶縁体で形成されている、請求項１に記載の装置。
11. 請求項１の前記圧力センサを含む前記プロセス流体の圧力を測定するためのプロセストランスミッタ。
12. プロセス流体のライン圧力を測定する方法であって、
    内部に形成された空洞を有し、該空洞内に可撓ダイヤフラムと、該ダイヤフラムとで第１の１次コンデンサを形成する第１の１次電極と、第１の第２コンデンサを形成する第１の２次電極とを含むセンサ本体に、前記プロセス流体の圧力を印加するステップと、
    前記第１のプロセス流体圧力に応動して変化する前記空洞のサイズに起因する、少なくとも前記第１の１次コンデンサおよび前記第２のコンデンサの変化の関数として前記プロセス流体の前記ライン圧を計算するステップを備える、ライン圧力を決定する方法。
13. 前記センサ本体の前記空洞は、第２のプロセス流体圧力に接続するように構成され、さらに前記可撓ダイヤフラムを基準として、前記第１の１次電極に対向する前記空洞の壁上に配置される第２の１次電極を含み、さらに前記第１および第２プロセス流体圧力によって前記可撓ダイヤフラムの両側に加えられる差圧を測定することを含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記計算されたライン圧に基づいて前記差圧を補正することを含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記ダイヤフラムを基準として、前記第１の１次電極および前記第１の２次電極に対向する前記空洞の壁に接続された第２の１次電極および第２の２次電極を含み、それによって第２の１次電極と前記可撓性ダイヤフラムとの間に第２の１次コンデンサを、前記第２の２次電極と前記可撓性ダイヤフラムとの間に第２の２次コンデンサを形成する、請求項１２に記載の方法。
16. ライン圧力が、以下の式によって決定される計算を含む、請求項１５に記載の方法。
    ＬＰ＝ｋ^＊（１／Ｒｘ＋１／Ｒｙ）／（１／Ｍｘ＋１／Ｍｙ）
    ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
    ｋは定数であり、
    Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
    Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
    Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
17. ライン圧力が、以下の式によって決定される計算を含む、請求項１２に記載の方法。
    ＬＰ＝ｊ^＊（Ｍｘ／Ｒｘ＋Ｍｙ／Ｒｙ）
    ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
    ｊは定数であり、
    Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
    Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
    Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
18. 前記センサ本体は、セラミックまたはガラスからなる固形絶縁体で形成されている、請求項１２に記載の方法。
19. 請求項１２の方法を実行するように構成された前記プロセス流体の圧力を測定するためのプロセストランスミッタ。
20. 対向面に加えられた第１および第２の圧力を受けるように構成された可撓ダイヤフラムと、
    前記可撓ダイヤフラムとで、第１および第２の１次コンデンサを形成するように構成された第１および第２の１次電極と、
    前記可撓ダイヤフラムとで、第１および第２の２次コンデンサを形成するように構成された第１および第２の２次電極と、
    差圧を計算するように構成され、さらに、前記第１および第２の１次コンデンサおよび前記第１および第２の２次コンデンサの変化の関数としてライン圧を計算するように構成された回路と、
    を備える、圧力センサ。
21. 前記回路が、さらに、計算されたライン圧に基づいて差圧を補正するように構成された、請求項２０に記載の圧力センサ。
22. 前記回路が、以下の式によってライン圧を決定する、請求項２０に記載の圧力センサ。
    ＬＰ＝ｋ^＊（１／Ｒｘ＋１／Ｒｙ）／（１／Ｍｘ＋１／Ｍｙ）
    ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
    ｋは定数であり、
    Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
    Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
    Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
23. 前記回路が、以下の式によってライン圧を決定する、請求項２０に記載の圧力センサ。
    ＬＰ＝ｊ^＊（Ｍｘ／Ｒｘ＋Ｍｙ／Ｒｙ）
    ここで、Ｍｘは前記第１の１次コンデンサの静電容量であり、
    ｊは定数であり、
    Ｍｙは前記第２の１次コンデンサの静電容量であり、
    Ｒｘは前記第１の２次コンデンサの静電容量であり、および
    Ｒｙは前記第２の２次コンデンサの静電容量である。
24. 温度センサを含み、さらに前記回路が、差圧、ライン圧および温度の関数としてマス（質量）流量を計算するように構成された、請求項２０に記載の圧力センサ。

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