JP2008527696A - 電子デバイス用の閉じ込め構造 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2004年12月30日に出願された米国仮特許出願第60/640,557号明細書、および2005年6月28日に出願された米国仮特許出願第60/694,876号明細書の利益を主張し、これらそれぞれの開示全体が本明細書に援用される。
「a」または「an」の使用は、本発明の要素および成分を記述するために使用される。これは、単に便宜上のものであり、本発明の一般的意味を示すために使用される。この記述は、1つまたは少なくとも1つを含むものと読むべきであり、特に明記しない限り単数形は、複数形も包含するものとする。
Claims (20)
- 有機組成物のための閉じ込め構造であって、
アンダーカット層と、
上層とを含み、前記アンダーカット層および前記上層が、液体形態の前記有機組成物を収容するための容積を画定していることを特徴とする閉じ込め構造。 - 前記アンダーカット層が第1の高さを有し、前記上層が、前記第1の高さよりも実質的に高い第2の高さを有することを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記アンダーカット層によって画定される前記容積の一部が、前記有機組成物を乾燥させた後に前記有機組成物で完全に満たされるように、前記第1の高さがあらかじめ決定されていることを特徴とする請求項2に記載の閉じ込め構造。
- 前記アンダーカット層が、露光および現像の応答が異なるフォトパターニング性材料の複数の層から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記容積を画定する前記アンダーカット層および前記上層の表面が非濡れ性にされていることを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記容積の少なくとも一部が前記上層の壁によって画定され、前記液体組成物によって前記壁を濡らすことができるように前記壁が傾いていることを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 前記壁が、前記壁を非濡れ性にする表面処理を有することを特徴とする請求項6に記載の閉じ込め構造。
- 前記上層が、前記容積の一部を画定する壁を含み、前記壁が、前記アンダーカット層に対して正の勾配を有することを特徴とする請求項1に記載の閉じ込め構造。
- 伝導性ポリマーデバイスを形成する方法であって、
アンダーカット層を提供するステップと、
前記アンダーカット層および上層が、液体形態の有機組成物を収容するための容積を画定するように、前記アンダーカット層に上層を適用するステップと、
液体形態の前記有機組成物を前記容積内に導入するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記有機組成物が、乾燥すると、前記アンダーカット層によって画定された前記容積の一部を完全に満たすように、前記容積が画定されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記アンダーカット層が第1の高さを有し、前記第1の高さよりも実質的に高い第2の高さを有するように前記上層が適用されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記提供するステップが、露光および現像の応答が異なるフォトパターニング性材料の複数の層を適用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- フォトパターニング性材料の前記複数の層が堆積によって適用されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記容積を画定する前記アンダーカット層および前記上層の表面を非濡れ性にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記容積の少なくとも一部が前記上層の壁によって画定され、前記液体組成物によって前記壁を濡らすことができるように前記壁が傾いていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記上層が、前記容積の一部を画定する壁を含み、前記壁が、前記アンダーカット層に対して正の勾配を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 有機電子デバイスであって、
第1の高さを有するアンダーカット層と、
前記第1の高さより実質的に高い第2の高さを有し、前記アンダーカット層と隣接して配置される上層と、
前記上層中に形成された正の勾配を有する壁と、前記アンダーカット層の表面とによって画定された容積と、
液体形態にあるときに前記容積内に導入される有機組成物とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。 - 請求項1に記載の閉じ込め構造を含むことを特徴とする組成物。
- 請求項1に記載の閉じ込め構造を含む活性層を有することを特徴とする有機電子デバイス。
- 請求項1に記載の閉じ込め構造を含むことを特徴とする有機電子デバイスの製造に有用な物品。
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