JP2008524789A - 質量分析計 - Google Patents

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Abstract

直交加速式飛行時間質量分析器（１３）に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた質量分析計を開示する。前記質量分析計は、特定の親イオンが質量フィルターにより選択され、第１の軸方向エネルギーをもつように加速される、第１機器設定で操作される。そして、フラグメントイオンは、第１遅延時間の後直交方向に加速され、第１質量スペクトルデータが得られる。続いて、前記質量分析計は、親イオンの軸方向エネルギーを増加させ、その結果得られるフラグメントイオンが、短縮された遅延時間の後、直交方向に加速される、第２機器設定で操作される。そして、第２質量スペクトルデータが得られる。その後、第１および第２質量スペクトルデータを組み合わせ、最終的な複合質量スペクトルを提供する。
【選択図】図２

Description

本発明は、質量分析計および質量分析法に関するものである。
公知の質量分析計は、直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたマトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源を備えている。前記質量分析器内でイオンを直交方向に加速し、前記イオンの飛行時間を測定する。これにより、前記イオンの質量電荷比を求めることができる。直交加速式飛行時間質量分析器は、ＭＡＬＤＩイオン源と連結された場合、直交加速式飛行時間質量分析器の分解能、質量校正、および質量精度は、前記ＭＡＬＤＩイオン源からのイオン脱離速度のばらつきに実質的に影響されないという点で、軸方向またはインライン飛行時間質量分析器と比べて特に有利である。
直交加速式飛行時間質量分析器をＭＡＬＤＩイオン源と組み合わせて使用することのさらなる利点は、サンプルの厚みまたはＭＡＬＤＩターゲットプレートに印加される表面電位のばらつきが、その後の前記直交加速式飛行時間質量分析器の飛行またはドリフト領域におけるイオン飛行時間に直接影響を与えることがないという点である。
タイプの異なる２種類の機器が公知である。第１のタイプの機器は、軸方向および直交方向のイオンの運動エネルギーを直交加速式飛行時間質量分析器に適したレベルまで低下させる高周波衝突冷却ガスセルを利用するものである。このような機器は、飛行時間質量分析器を備えたインラインまたは軸方向ＭＡＬＤＩ質量分析計と比べると、より複雑で、より高価で、かつ効率が劣る。前記冷却ガスは、化学的背景を増加させ、信号対雑音を低下させるマトリックスクラスターの形成を促進するおそれがある。第２のタイプの機器は、気体衝突による減衰を採用しておらず、よって、より高い前駆イオンの運動エネルギーにより、高エネルギーの衝突誘起解離（ＣＩＤ）ＭＳ／ＭＳフラグメント化質量スペクトルの記録が可能となる。イオンはその軸方向速度を維持することができ、直交加速式飛行時間質量分析器の検出器は、より大きな軸方向エネルギー拡散によって生じるより大きなイオン角拡散に対応するため、大型化される必要がある。第２のタイプの機器の一例として、ハイブリッド磁場型直交加速飛行時間タンデムＭＳ／ＭＳ機器（非特許文献１）が挙げられる。当該機器は、ＭＡＬＤＩイオン源と、前駆イオンを高分解能で選択するための磁場型質量フィルターと、衝突誘起解離（ＣＩＤ）気体セルと、前記気体セル内で生成されるフラグメントまたは娘イオンを記録するための直交加速式飛行時間質量分析器とを備えている。
この機器においては、フラグメントまたは娘イオンは、元の親または前駆イオンの速度を維持しており、よって、その運動エネルギーはその質量に比例する。親または前駆イオンおよびこれに関連するフラグメントまたは娘イオンが直交加速式飛行時間質量分析器に到達すると、前記イオンは一定の電場によって加速され、押し出し領域から直交加速式飛行時間飛行管へと送られる。
直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた、上述の第２のタイプの機器に該当する従来の質量分析計には、前記質量分析器の直交加速領域に到達したイオンが広範囲にわたる軸方向エネルギーを有するという問題がある。よって、前記イオンを直交方向に加速した場合、イオン検出器は、比較的狭い、または小規模な範囲の質量または質量電荷比を有するイオンしか検出および記録できない。前記質量分析器内における直交方向のイオンの飛行または経路長さは限られており、かつ前記イオン検出器は大きさが制約されているため、これらの要因（詳細については後述する）により、直交方向に加速され、さらにその後、前記質量分析器のイオン検出器によって検出され得るイオンの質量または質量電荷比の範囲が制限される。
Bateman et al., Rapid Commun. Mass Spectrom. 9 (1995) 1227
したがって、改良された質量分析計および改良された質量分析法の提供が所望されている。
本発明の一態様によれば、
直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器を用意することと、
第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群が第１の軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第１遅延時間の後、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成することと、
第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群が第２の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第２遅延時間の後、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、第２の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の範囲の軸方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成することと、
前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成することとを含む質量分析法が提供される。
前記遅延時間とは、親または前駆イオンが、例えば、ＭＡＬＤＩターゲットプレートに向けてレーザーを発射することによって生成された時点と、イオンを直交方向に加速して前記飛行時間質量分析器のドリフトまたは飛行領域へと送るために、飛行時間質量分析器の直交加速領域に隣接して配置された押し出し電極（pusher electrode）に通電した時点との時間差であることが好ましい。
前記第１の範囲の軸方向エネルギーは、前記第２の範囲の軸方向エネルギーと実質的に同一であることが好ましい。また、前記第１遅延時間は、前記第２遅延時間とは実質的に異なることが好ましい。
好ましい実施形態によれば、第１電場領域と第１フィールドフリー領域を設けることが好ましい。前記第１フィールドフリー領域は、前記第１電場領域の下流に配置されることが好ましい。
第２電場領域を設けることが好ましく、さらに、第２フィールドフリー領域を設けることが好ましい。前記第２フィールドフリー領域は、前記第２電場領域の下流に配置されることが好ましい。
１以上の電極が、前記直交加速領域に隣接して配置されていることが好ましい。
前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。前記第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差は、前記第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる。
一実施形態によれば、前記第１の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される。
前記第１の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択してもよい。
前記第１遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第１の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第２の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
好ましい実施形態によれば、前記方法は、
第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群が第３の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第３フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第３フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第３遅延時間の後、前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンのうち、第３の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第３の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第３の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含むことが好ましい。
前記第１、第２、および第３の範囲の軸方向エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。前記第１、第２、および第３遅延時間は、実質的に異なることが好ましい。前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。前記第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差は、前記第１および／または第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なることが好ましい。
前記第３の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第３の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第３遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第３の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第３の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
複合質量スペクトルを形成する工程は、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、および前記第３の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含むことが好ましい。
前記方法は、
第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群が第４の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第４フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第４フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第４遅延時間の後、前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンのうち、第４の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第４の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第４の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含むことが好ましい。
前記第１、第２、第３、および第４の範囲の軸方向エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。前記第１、第２、第３、および第４遅延時間は、実質的に異なることが好ましい。
前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。
前記第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差は、前記第１および／または第２および／または第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なることが好ましい。
前記第４の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第４の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択してもよい。
前記第４遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第４の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第４の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される。
前記複合質量スペクトルを形成する工程は、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、および前記第４の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含むことが好ましい。
前記方法は、
第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群が第５の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第５フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第５フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第５遅延時間の後、前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンのうち、第５の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第５の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第５の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含むことが好ましい。
前記第１、第２、第３、第４および第５の範囲の軸方向エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。前記第１、第２、第３、第４、および第５遅延時間は、実質的に異なることが好ましい。
前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。
前記第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差は、前記第１および／または第２および／または第３および／または第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なることが好ましい。
前記第５の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第５の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第５遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第５の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第５の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
複合質量スペクトルを形成する工程は、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、前記第４の質量スペクトルデータ、および前記第５の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含むことが好ましい。
前記方法は、
第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群が第６の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第６フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第６フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
第６遅延時間の後、前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンのうち、第６の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第６の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第６の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含むことが好ましい。
前記第１、第２、第３、第４、第５、および第６の範囲の軸方向エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。前記第１、第２、第３、第４、第５、および第６遅延時間は、実質的に異なることが好ましい。
前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する工程は、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第６電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含むことが好ましい。
前記第６電場強度、電圧または電位は、前記第１および／または第２および／または第３および／または第４および／または第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なることが好ましい。
前記第６の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第６の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第６遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第６の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第６の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
複合質量スペクトルを形成する工程は、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、前記第４の質量スペクトルデータ、前記第５の質量スペクトルデータ、および前記第６の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含むことが好ましい。
一実施形態によれば、前記第１の軸方向エネルギーおよび／または前記第２の軸方向エネルギーおよび／または前記第３の軸方向エネルギーおよび／または前記第４の軸方向エネルギーおよび／または前記第５の軸方向エネルギーおよび／または前記第６の軸方向エネルギーは、互いに実質的に異なることが好ましい。一実施形態によれば、前記第１遅延時間および／または前記第２遅延時間および／または前記第３遅延時間および／または前記第４遅延時間および／または前記第５遅延時間および／または前記第６遅延時間は、互いに実質的に異なることが好ましい。一実施形態によれば、前記第１の直交方向エネルギーおよび／または前記第２の直交方向エネルギーおよび／または前記第３の直交方向エネルギーおよび／または前記第４の直交方向エネルギーおよび／または前記第５の直交方向エネルギーおよび／または前記第６の直交方向エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。
前記方法は、衝突、フラグメント化、または反応装置を用意することをさらに含むことが好ましい。
前記衝突、フラグメント化、または反応装置は、衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってイオンをフラグメント化するように構成されることが好ましい。
別の実施形態によれば、前記衝突、フラグメント化、または反応装置は、（i）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメント化装置、（ii）電子移動解離フラグメント化装置、（iii）電子捕獲解離フラグメント化装置、（iv）電子衝突または衝撃解離フラグメント化装置、（v）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメント化装置、（vi）レーザー誘起解離フラグメント化装置、（vii）赤外線誘起解離装置、（viii）紫外線誘起解離装置、（ix）ノズル−スキマー・インターフェースフラグメント化装置、（x）インソースフラグメント化装置、（xi）イオン源衝突誘起解離フラグメント化装置、（xii）熱または温度源フラグメント化装置、（xiii）電場誘起フラグメント化装置、（xiv）磁場誘起フラグメント化装置、（xv）酵素消化または酵素分解フラグメント化装置、（xvi）イオン−イオン反応フラグメント化装置、（xvii）イオン−分子反応フラグメント化装置、（xviii）イオン−原子反応フラグメント化装置、（xix）イオン−準安定イオン反応フラグメント化装置、（xx）イオン−準安定分子反応フラグメント化装置、（xxi）イオン−準安定原子反応フラグメント化装置、（xxii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応装置、（xxiii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応装置、（xxiv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応装置、（xxv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置、（xxvi）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応装置、および（xxvii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応装置からなる群から選択される。
反応装置とは、イオン、原子、または分子を再構成または反応させて新たな種のイオン、原子、または分子を形成する装置を含むものと解釈されるべきである。Ｘ−Ｙ反応フラグメント化装置とは、ＸとＹとを組み合わせて、後にフラグメント化する生成物を形成する装置を意味するものと解釈されるべきである。この装置は、生成物を最初に形成することなくイオンをフラグメント化させ得るフラグメント化装置自体とは異なるものである。Ｘ−Ｙ反応装置とは、ＸとＹとを組み合わせて生成物を形成し、かつ、前記生成物を必ずしもフラグメント化する必要がない装置を意味するものと解釈されるべきである。
イオンを自ずとフラグメント化させる工程は、ポストソース分解（「ＰＳＤ」）によってイオンをフラグメント化させることを含むことが好ましい。
前記方法は、静電エネルギー分析器および／または質量フィルターおよび／または特定の親または前駆イオンを選択するためのイオンゲートを用意することをさらに含むことが好ましい。前記質量フィルターは、磁場型質量フィルター、ＲＦ四重極質量フィルター、ウィーンフィルター、または直交加速式飛行時間質量フィルターを含むことが好ましい。
本発明の他の態様によれば、
直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器と、
（i）第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群が第１の軸方向エネルギーを有するようにし、
（ii）前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、
（iii）第１遅延時間の後、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、
（iv）第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群が第２の異なる軸方向エネルギーを有するようにし、
（v）前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、かつ
（vi）第２遅延時間の後、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速するように構成された制御システムと、
（i）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出し、
（ii）前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、第２の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出するように構成されたイオン検出器を備えた質量分析計であって、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の範囲の軸方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成するように構成された手段とをさらに備えた質量分析計が提供される。
前記第１の範囲の軸方向エネルギーは、前記第２の範囲の軸方向エネルギーと実質的に同一であることが好ましい。また、前記第１遅延時間は、前記第２遅延時間とは実質的に異なることが好ましい。
前記質量分析計は、第１電場領域と第１フィールドフリー領域をさらに備えていることが好ましい。前記第１フィールドフリー領域は、前記第１電場領域の下流に配置されることが好ましい。
前記質量分析計は、第２電場領域および第２フィールドフリー領域をさらに備えていることが好ましい。前記第２フィールドフリー領域は、前記第２電場領域の下流に配置されることが好ましい。
前記質量分析計は、前記直交加速領域に隣接して配置された１以上の電極をさらに備えていることが好ましい。
前記制御システムは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速するため、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持するように構成されていることが好ましい。
前記制御システムは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速するため、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持するように構成されていることが好ましい。
前記第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差は、前記第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なることが好ましい。
前記第１の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第１の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第１遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第１の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２の軸方向エネルギーは、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２の軸方向エネルギーは、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択されることが好ましい。
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の直交方向エネルギーを有するようにすることが好ましい。前記第２の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記質量分析計は、イオン源をさらに備えていることが好ましい。前記イオン源は、（i）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ii）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（iii）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（iv）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（v）レーザー脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（vi）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（vii）シリコン基板上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（viii）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ix）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（x）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（xi）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（xii）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（xiii）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（xiv）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（xv）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（xvi）ニッケル６３放射性イオン源、（xvii）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源、および（xviii）サーモスプレーイオン源からなる群から選択されることが好ましい。
前記イオン源は、連続またはパルスイオン源を含んでいてもよい。
前記質量分析計は、衝突、フラグメント化、または反応装置をさらに備えていることが好ましい。
前記衝突、フラグメント化、または反応装置は、衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってイオンをフラグメント化するように構成されていてもよい。
あるいは、前記衝突、フラグメント化、または反応装置は、（i）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメント化装置、（ii）電子移動解離フラグメント化装置、（iii）電子捕獲解離フラグメント化装置、（iv）電子衝突または衝撃解離フラグメント化装置、（v）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメント化装置、（vi）レーザー誘起解離フラグメント化装置、（vii）赤外線誘起解離装置、（viii）紫外線誘起解離装置、（ix）ノズル−スキマー・インターフェースフラグメント化装置、（x）インソースフラグメント化装置、（xi）イオン源衝突誘起解離フラグメント化装置、（xii）熱または温度源フラグメント化装置、（xiii）電場誘起フラグメント化装置、（xiv）磁場誘起フラグメント化装置、（xv）酵素消化または酵素分解フラグメント化装置、（xvi）イオン−イオン反応フラグメント化装置、（xvii）イオン−分子反応フラグメント化装置、（xviii）イオン−原子反応フラグメント化装置、（xix）イオン−準安定イオン反応フラグメント化装置、（xx）イオン−準安定分子反応フラグメント化装置、（xxi）イオン−準安定原子反応フラグメント化装置、（xxii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応装置、（xxiii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応装置、（xxiv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応装置、（xxv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置、（xxvi）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応装置、および（xxvii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応装置からなる群から選択してもよい。
親または前駆イオンの少なくとも一部は、使用時に前記衝突、フラグメント化、または反応装置内でフラグメント化されるか、または反応させられ、フラグメント、娘、付加、または生成イオンを形成することが好ましく、前記フラグメント、娘、付加または生成イオンおよび／またはこれらに対応するあらゆる親または前駆イオンは、実質的に同じ速度で前記衝突、フラグメント化、または反応装置から離脱し、実質的に同時に前記直交加速領域に到達する。
前記質量分析計は、ポストソース分解（「ＰＳＤ」）によるイオンのフラグメント化を引き起こす、および／またはイオンをフラグメント化させるように構成された手段を備えていてもよい。
前記質量分析計は、静電エネルギー分析器および／または質量フィルターおよび／または特定の親または前駆イオンを選択するためのイオンゲートをさらに備えていてもよい。前記質量フィルターは、磁場型質量フィルター、ＲＦ四重極質量フィルター、ウィーンフィルター、または直交加速式飛行時間質量フィルターを含んでいてもよい。
本発明の他の態様によれば、
直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器を用意することと、
第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにすることと、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成することと、
第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の異なる直交方向エネルギーを有するようにすることと、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成することと、
前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成することとを含む質量分析法が提供される。
前記第１の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
前記第２の直交方向エネルギーは、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択されることが好ましい。
本発明の他の態様によれば、
直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器と、
（i）第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、
（ii）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにし、
（iii）第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、かつ
（iv）前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の異なる直交方向エネルギーを有するようにするように構成された制御システムと、
（i）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出し、
（ii）前記複数の第２のフラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出するように構成されたイオン検出器とを備えた質量分析計であって、
前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成するように構成された手段とをさらに備えた質量分析計が提供される。
前記好ましい実施形態によれば、イオン検出器の大きさまたは長さを増大させる必要なく、広範囲の質量または質量電荷比を有するフラグメントまたは娘イオンに関する質量スペクトルデータを得ることが可能となる。前記好ましい実施形態では、親または前駆イオンの軸方向運動エネルギーを、複数の別個の機器設定における一連の別個の工程において漸進的に増加させることが好ましい。レーザー発射によりイオンパルスを生成する時点と、直交方向にイオンを加速して直交加速式飛行時間質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送る（直交加速領域に隣接して配置された押し出し電極に電圧を印加することによって行われる）時点との間の遅延時間もまた、工程ごと、または後続の機器設定ごとに、漸進的に短縮されることが好ましい。
前記好ましい実施形態によれば、ある一定の範囲内の質量または質量電荷比を有するフラグメントまたは娘イオンは、軌道をたどり質量分析器の飛行またはドリフト領域を通過し、最後にイオン検出器によって検出されるように、適切なエネルギーを有するようにしておくことが好ましい。次に質量分析計は、第２およびそれ以降の機器設定で操作されることが好ましく、異なる質量または質量電荷比を有するフラグメントまたは娘イオンは、軌道をたどり質量分析器の飛行またはドリフト領域を通過し、最後にイオン検出器によって検出されるように、適切なエネルギーを有するようにしておくことが好ましい。最終的な複合質量スペクトルは、上述の様々な機器設定のそれぞれにおいて得られる質量スペクトルデータを組み合わせることによって生成されることが好ましい。
本発明の各種実施形態について、説明目的においてのみ示すその他の配置構成と共に、あくまでも例示を目的として、添付図面を参照しながら説明する。
図１は、直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた従来の質量分析計であって、磁場型質量フィルターと、イオンをフラグメント化するための衝突セルをさらに備えた質量分析計を示している。
図２は、直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた本発明の一実施形態に係る質量分析計であって、第１フィールドフリー領域と、第２フィールドフリー領域と、任意に衝突セルまたはフラグメント化セルとをさらに備えた質量分析計を示している。
図３は、後続の機器設定で親または前駆イオンの軸方向エネルギーを漸進的に増加させ、かつ、イオンパルスの生成と、イオンを直交方向に加速して前記質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送るために行われる飛行時間質量分析器の押し出し電極への通電との間の遅延時間を漸進的に短縮することによって本発明の実施形態で得られた５つの質量スペクトルを示している。
公知の質量分析計を、図１に示している。当該公知の質量分析計は、ターゲットプレート２とレーザー１とを備えたＭＡＬＤＩイオン源を備えている。レーザー１は、ターゲットプレート２に衝突するようにしてあるパルスレーザービームを放射するように構成されている。前記レーザーパルスは、ターゲットプレート２からイオンを脱離させる。
前記ＭＡＬＤＩイオン源は、イオンパルスを発生させ、前記イオンパルスは、前記イオン源の下流に配置された磁場型質量フィルター３に搬送される。磁場型質量フィルター３は、特定の質量電荷比を有する親または前駆イオンのみが質量フィルター３により前方に搬送されるように、前記イオン源から放出された親または前駆イオンを質量に基づいて濾過するように構成された高分解能質量フィルターを備えている。
質量フィルター３により前方に搬送される特定の親または前駆イオンは、次に、磁場型質量フィルター３の下流に配置された衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）気体セル４へと入るようにしてある。質量フィルター３により搬送される親または前駆イオンは、気体セル４内でフラグメント化され、複数のフラグメントまたは娘イオンが生じるようにしてある。この結果生じたフラグメントまたは娘イオンは、次に、気体セル４から直交加速式飛行時間質量分析器５の直交加速領域へと移動するようにしてある。直交加速式飛行時間質量分析器５は、気体セル４の下流に配置されている。
直交加速式飛行時間質量分析器５は、直交加速領域に隣接して配置された押し出し電極６を備えている。イオンはまず、直交加速領域を貫通する軸７に沿って質量分析器５へと入るようにしてある。また、軸７は、押し出し電極６の面と平行である。押し出し電極６は、押し出し電極６に電圧を印加することにより、一定周期で通電される。押し出し電極６への電圧パルスの印加により、軸７に直交する方向に電場が生じる。前記直交方向の電場により、直交加速領域に存在するイオンが直交方向に加速され、質量分析器５の飛行またはドリフト領域へと送られる。飛行またはドリフト領域は、フィールドフリー領域を備えており、飛行またはドリフト領域を通過するイオンが、その質量電荷比に応じて一時的に分離されるように構成されている。
マイクロチャネルプレート検出器を備えたイオン検出器８が飛行またはドリフト領域の端部に配置され、前記飛行またはドリフト領域を通過して到達したイオンを検出するように構成されている。さらにイオン検出器８は、前記イオンのイオン検出器８への到達時間の測定も行うように構成されている。そして、前記イオンが質量分析器５の飛行またはドリフト領域を通過するのに要する飛行時間から、前記イオンの質量電荷比を導き出すことができる。
直交加速式飛行時間質量分析器５は、操作モードにおいて、気体セル４内で生じたフラグメントまたは娘イオンの一部の質量電荷比を記録するように構成されている。しかしながら、イオン検出器８の大きさが制限されていることから、イオン検出器８は、比較的狭い範囲の質量または質量電荷比を有するフラグメントまたは娘イオンしか検出することができない。
気体セル４内で生じたフラグメントまたは娘イオンは、これらが由来する親または前駆イオンと本質的に同一の速度を保持している。したがって、前記フラグメントまたは娘イオンの運動エネルギーは、前記イオンの質量または質量電荷比に比例する。
直交方向に加速されて質量分析器５の飛行またはドリフト領域へと送られるイオンは角拡散の大きな異なる軌道に沿って移動するため、気体セル４内で生じた娘イオンのフラグメントを全て検出するためには、イオン検出器８を非常に大型または幅広にする必要がある。前記大きな角拡散は、直交方向に加速されて質量分析器５の飛行またはドリフト領域へと送られるフラグメントまたは娘イオンの軸方向運動エネルギーの拡散が大きいことに起因するものである。
下記式より、直交方向に加速されて質量分析器５の飛行またはドリフト領域へと送られるフラグメントまたは娘イオンは、質量分析器５へと入った当初にイオンが沿って移動する軸７に対し、広範囲の異なる角度αを成す軌道をとることが分かる。質量分析器５の飛行またはドリフト領域を通るフラグメントまたは娘イオンの軌道と、軸７とが成す角度αを図１に示しているが、これは、下記関係式から導き出すことができる。
Figure 2008524789
式中、Ｍｐはある親または前駆イオンの質量または質量電荷比、Ｍｄは前記親または前駆イオン由来のフラグメントまたは娘イオンの質量または質量電荷比、Ｅｏはイオンが持ち得ると共に、イオン検出器で検出し得る最大軸方向イオンエネルギー、Ｅｘは直交方向に加速されて質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送られる際にイオンに付与される直交方向エネルギーである。
Ｍｄを長さまたは幅が制限されたイオン検出器８で検出可能な最低質量または最低質量電荷比のフラグメントまたは娘イオンであると仮定すると、イオン検出器８の長さまたは幅Ｌｄは、下記式により求められる。
Figure 2008524789
式中、Ｌｘは直交方向の有効飛行または経路長さ、Ｅｏはイオンが持ち得ると共に、イオン検出器で検出し得る最大軸方向イオンエネルギー、Ｅｘは直交方向に加速されて質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送られる際にイオンに付与される直交方向エネルギーである。
イオン検出器８の物理的な長さまたは幅Ｌｄにより、イオン検出器８により検出可能な最低質量または最低質量電荷比のイオンが決定されることは明らかである。よって、当該公知の質量分析計によれば、比較的狭い、もしくは限られた範囲の質量または質量電荷比を有するイオンの質量スペクトルしか作成できないことが理解されるであろう。
直交方向の飛行または経路長さＬｘは、質量分解能を向上させるために最大限に延長してもよい重要なパラメータである。しかしながら、直交方向の飛行または経路長さＬｘを長くした場合には、イオン検出器８の長さもまた長くする必要がある。しかしながら、イオン検出器８の大きさまたは長さをある一定の実用限界を超えて増大し続けることは、実用上不可能である。また、イオン検出器８のコストは、イオン検出器８の大きさまたは長さに比例して増加することが理解されるであろう。さらに、イオン検出器８の大きさまたは長さＬｄが増大すれば、高質量分解能に必要な平面度公差（flatness tolerance）を維持することも非常に難しくなる。さらに、イオン検出器８によって質量または質量電荷比が比較的低いイオンを検出できるようにイオン検出器８の長さを延長した場合、このようなイオンが有する低い運動エネルギーにより、前記イオンは、望ましくない表面帯電効果によって生じるものなどの静電欠陥（electrostatic imperfections）に起因する、偏向またはデフォーカス効果の影響をより受けやすくなる。これらの効果は、低エネルギーイオンのイオン搬送を低下させ、感度に悪影響を及ぼす可能性がある。
したがって、当該公知の質量分析計には、気体または衝突セル４内で生成され得るフラグメントまたは娘イオンのうち、比較的少ない割合のイオンを質量分析することしかできないという問題があること、さらに、単にイオン検出器８をより大きく、幅広に、あるいは長くすることでこの問題の解決を図ることは実際的でないことが理解されるであろう。
図２は、本発明の一実施形態に係る質量分析計を示している。前記質量分析計は、直交加速式飛行時間質量分析器１３に連結されたマトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源を備えている。イオンは、前記イオン源の一部であるターゲットまたはサンプルプレート２より生成、放出、または脱離されることが好ましい。次に、前記イオンは、２つの別個の電場領域Ｌ1、Ｌ2を通過することが好ましい。電場領域Ｌ1、Ｌ2は、前記イオン源の内部および／または下流に配置することができる。
第１電場領域Ｌ1は、ターゲットまたはサンプルプレート２のすぐ隣に配置することが好ましい。第１電場領域Ｌ1全体にわたって電場が保持されることが好ましく、この電場は、少なくとも、生成されたイオンの好ましくは実質的に全てが第１電場領域Ｌ1を通過するまでの時間、実質的に一定であることが好ましい。第１電場領域Ｌ1全体にわたって保持される前記電場は、親または前駆イオンを実質的に一定のエネルギーまで加速するように構成されることが好ましい。次に、前記親または前駆イオンは、好ましくは第１電場領域Ｌ1の下流に配置されている第１フィールドフリー領域９に入るようにしておくことが好ましい。
第２電場領域Ｌ2は、第１電場領域Ｌ1の下流に配置されることが好ましい。しかしながら、好ましい操作モードにおいて、電場は実際には第２電場領域Ｌ2全体にわたって保持されてはいないが、好適性の低い実施形態では、このようにすることも可能である。第２フィールドフリー領域１０は、第２電場領域Ｌ2の下流に設けられることが好ましい。
好ましい実施形態によれば、第１フィールドフリー領域９、第２電場領域Ｌ2、および第２フィールドフリー領域１０は、単一のフィールドフリー領域を備えるものと考えてもよい。すなわち、これらの領域９、Ｌ2、１０に存在する全てのイオン光学部品の電位を、実質的に同一に保つことが好ましい。
前記質量分析計は、好ましくは特定の質量電荷比を有する親または前駆イオンを選択するように構成された質量フィルター（図示せず）をさらに備えていることが好ましい。前記質量フィルターは、磁場型質量フィルター、ＲＦ四重極質量フィルター、ウィーンフィルター、または直交加速式飛行時間質量フィルターを含んでいてもよい。
前記質量フィルターは、第１フィールドフリー領域９の上流に設けられてもよい。あるいは、より好ましくは、前記質量フィルターは、第１フィールドフリー領域９内、第２電場領域Ｌ2内、または第２フィールドフリー領域１０内に設けられてもよい。
飛行時間による質量選択は、ターゲットプレートから直交加速式飛行時間質量フィルターの直交方向抽出領域（図示せず）に至るまでのイオンの飛行時間を測定することによって行われることが好ましい。前記抽出領域に隣接して配置された抽出プレート（図示せず）が通電されると、前記抽出領域近傍のイオンのみが抽出されるか、または直交方向に加速される。前記抽出領域の通電の遅延時間は、親または前駆イオンの質量または質量電荷比の平方根に比例することが好ましい。これを省略した場合には、選択された親または前駆イオン、ならびにこれらと同一速度で移動するあらゆる関連フラグメントまたは娘イオンもまた、さらに下流に配置されることが好ましい直交加速式飛行時間質量分析器において、質量分析のために抽出される。
衝突またはフラグメンテーションセル１１、あるいはその他の衝突、フラグメント化、または反応装置を、第２フィールドフリー領域１０内または第２フィールドフリー領域１０の一部として、あるいは当該質量分析計内のその他の箇所に、任意に設けてもよい。衝突またはフラグメンテーションセル１１は、操作モードにおいて、第２フィールドフリー領域１０を通過するイオンの少なくとも一部が、衝突またはフラグメンテーションセル１１内でフラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化されるように構成してもよい。そして、このようにして得られたフラグメントまたは娘イオンは、これらに対応する親または前駆イオンのフラグメント化直前の移動速度と実質的に同じ速度で第２フィールドフリー領域１０の残りの部分を通過するか、または進み続けることが好ましい。
別の実施形態によれば、フラグメントまたは娘イオンをポストソース分解（「ＰＳＤ」）によって形成してもよく、その際、レーザー１を、短時間の経過後にフラグメントまたは娘イオンへと自発的にフラグメント化する準安定な親または前駆イオンが形成されるようなパワーで操作する。前記フラグメントまたは娘イオンは、これらに対応する親または前駆イオンの自発的フラグメント化直前の移動速度と実質的に同じ速度で質量分析計を通過し続ける。よって、親または前駆イオンおよびこれらに対応するあらゆるフラグメントまたは娘イオンは、直交加速式飛行時間質量分析器１３の抽出または直交加速領域に実質的に同時に到達することが好ましい。
質量分析器１３の抽出または直交加速領域にイオンが到達すると、イオンを抽出するか、または直交方向に加速して直交加速式飛行時間質量分析器１３の飛行またはドリフト領域へと送るため、好ましくは前記抽出または直交加速領域に隣接して配置された押し出し電極１２にパルスを発生させるか、そうでなければ押し出し電極１２に通電することが好ましい。
直交加速式飛行時間質量分析器１３は、イオンを反射するためのイオンミラーまたはリフレクトロン１４と、イオンを検出するためのイオン検出器１５を備えることが好ましい。リフレクトロンまたはイオンミラー１４は、直交方向エネルギーの集束状態を維持しながら質量分析器１３の有効経路長さを延長するために設けられることが好ましい。イオン検出器１５は、マイクロチャネルプレートイオン検出器を含むことが好ましい。ただし、好適性は劣るが、これ以外のタイプのイオン検出器を採用してもよい。
質量スペクトルは、イオン検出器１５によって記録された飛行時間データを使用して生成することが好ましい。一操作モードにおいて、前記質量スペクトルは、親または前駆イオンと、例えば、ポストソース分解によって、あるいは衝突またはフラグメンテーションセル１１内、あるいはその他の衝突、フラグメント化、または反応装置内での親または前駆イオンのフラグメント化による衝突誘起解離によって生じた対応するフラグメントまたは娘イオンを含んでいてもよい。
イオンは、飛行時間質量分析器１３の飛行またはドリフト領域へと注入された後、当該イオンの質量電荷比の平方根に反比例した時間にイオン検出器１５に到達する。そして、１以上の親または前駆イオン、ならびに対応親または前駆イオンのポストソース分解（「ＰＳＤ」）および／または対応親または前駆イオンの衝突またはフラグメンテーションセル１１内での衝突誘起解離によって生成または形成される、前記親または前駆イオンに対応するあらゆるフラグメントまたは娘イオンを含んでもよい質量スペクトルを生成することができる。さらに、衝突、フラグメント化、または反応装置内に、その他のメカニズムによって生じたフラグメント、娘、生成、または付加イオンが存在してもよい。
押し出し電極１２は、親または前駆イオンおよび／またはこれらに関連するフラグメントまたは娘イオンが押し出し電極１２に隣接する直交加速領域に到達した時に通電されることが好ましい。
好ましい実施形態における直交方向のイオンの有効経路または飛行長さＬｘは、押し出し電極１２に隣接する直交加速領域からイオンミラー１４までの飛行またはドリフト領域の長さと、イオンミラー１４内における有効経路長さと、イオンミラー１４からイオン検出器１５までの経路長さを含むように構成されることが好ましい。イオン検出器１５は、長さＬｄを有し、特定の機器設定において、特定範囲の質量電荷比を有するイオンのみを検出可能であるように制限されていることが好ましい。特定の機器設定において検出可能なイオンの質量電荷比の範囲は、イオンの軸方向エネルギーと、イオンに付与される直交方向エネルギーに依存する。
好ましい実施形態によれば、広範囲の質量電荷比を有するフラグメントまたは娘イオンを含む質量スペクトルを作成するため、前記質量分析計を、多数の異なる連続した機器設定で操作することが好ましく、さらに、別個の機器設定のそれぞれにおいて、質量スペクトルデータおよび／または別個の質量スペクトルを得ることが好ましい。
好ましい実施形態によれば、前記質量分析計を多数または一連の異なる機器設定で操作することにより、フラグメントまたは娘イオンの軸方向運動エネルギーを、効果的かつ漸進的に増加させることが好ましい。親または前駆イオンの軸方向運動エネルギーを、別個の後続の機器設定へと移るごとに漸進的に増加させることが好ましい。したがって、好ましくは衝突誘起解離またはポストソース分解のいずれかによって複数のフラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化する親または前駆イオンは、機器設定ごとに次第に大きくなる軸方向運動エネルギーを有するようにしておくことが好ましい。その結果、後続の機器設定へと移るごとに形成される同一種のフラグメントまたは娘イオンは、より大きな軸方向運動エネルギーを有するようになることが好ましい。
親または前駆イオンは、第１フィールドフリー領域９または第２フィールドフリー領域１０のいずれかにおいてフラグメント化するようにしておくことが好ましい。好ましい実施形態によれば、第１および第２フィールドフリー領域９、１０は、第１および第２フィールドフリー領域９、１０が単一のフィールドフリー領域として機能するか、あるいは単一のフィールドフリー領域を形成するように、機器設定ごとに実質的に同一の電位に保持することが好ましい。
親または前駆イオンの運動エネルギーは、当該親または前駆イオンのイオン電荷と、当該イオンを軸方向に加速するためにターゲットプレート２と第１フィールドフリー領域９および／または第２フィールドフリー領域１０および／または押し出し電極１２との間に印加される加速電圧との積に依存する。好適性の低い一実施形態によれば、第２フィールドフリー領域１０および／または押し出し電極１２の電位を、機器設定ごとに変更または増加させてもよく、一方、第１フィールドフリー領域９の電位は、機器設定ごとに一定に保ってもよい。
一実施形態によれば、ターゲットプレート２および／または第１フィールドフリー領域９の電位および／または第２フィールドフリー領域１０の電位および／または押し出し電極１２の電位は、機器設定ごとに一定に保持、変更、増加、または減少させてもよい。
いずれの特定の機器設定においても、低質量または低質量電荷比Ｍｌと高質量または高質量電荷比Ｍｈとの間にある質量または質量電荷比を有するイオンがイオン検出器１５によって検出されるように構成することができる。ある特定の機器設定においてイオン検出器１５によって検出し得る最高質量または最高質量電荷比のイオンＭｈは、軸方向運動エネルギーＥｏを有しているものと見なすことができる。
好ましい実施形態によれば、親または前駆イオンの軸方向運動エネルギーは、一機器設定から次の機器設定にかけて増加することが好ましい。好ましい実施形態では、親または前駆イオンは、当該親または前駆イオンのエネルギーが、好ましくはエネルギーＥｏから下記関係式で表されるエネルギーＥｐへと増加する軸方向運動エネルギーを有するようにしてあることが好ましい。
Figure 2008524789
式中、Ｍｐは親または前駆イオンの質量または質量電荷比、Ｅｐは親または前駆イオンの軸方向エネルギー（これは、新たな機器設定ではイオン検出器で検出されない。なぜなら、親または前駆イオンの運動エネルギーがあまりにも大きく、イオン検出器を飛び越えてしまうためである）、Ｅｏは前の機器設定においてイオン検出器によって検出され得る最高質量または最高質量電荷比のイオンの軸方向エネルギー、Ｍｈは新たな機器設定で検出され得る、最高質量または最高質量電荷比のイオンである。
新たな機器設定へと移るごとに親または前駆イオンの軸方向エネルギーを増加させると、前記親または前駆イオンの軸方向速度もまた増加することは明らかである。同様に、前記親または前駆イオンはフィールドフリー領域内でフラグメント化することが好ましいので、これらに対応するフラグメントまたは娘イオンの軸方向速度もまた、新たな機器設定において増加する。したがって、サンプルターゲットプレート２から、第１フィールドフリー領域９および第２フィールドフリー領域１０を経て、押し出し電極１２に隣接する直交加速領域へと到達するまでのイオンの飛行時間が短縮される。よって、好ましい実施形態によれば、イオンパルス生成と、イオンを直交方向に加速して質量分析器１３の飛行またはドリフト領域へと送るための押し出し電極１２の通電との間の遅延時間は、後続の新たな機器設定へと移るごとに相応に短縮されることが好ましい。
新たな機器設定へと移るごとに短縮される、イオンパルス生成と押し出し電極１２の通電との間の遅延時間Ｔｐは、下記の関係を満たすようにしておくことが好ましい。
Figure 2008524789
式中、Ｔｏはターゲットプレート２から押し出し電極１２に隣接する直交加速領域へと移動するまでの親または前駆イオン（質量分析計を前の機器設定で操作した際、軸方向エネルギーＥｏを有する）の飛行時間、Ｍｈは新たな機器設定で検出され得る最高質量または最高質量電荷比のイオン、Ｍｐは前記親または前駆イオンの質量電荷比である。
先に挙げた式２を並べ替えることにより、ある特定の機器設定においてイオン検出器で検出可能なイオンの質量または質量電荷比の範囲が下記式によって求められる。
Figure 2008524789
式中、Ｍｌは前記特定の機器設定において検出可能な最低質量電荷比のイオン、Ｍｈは前記特定の機器設定において検出可能な最高質量電荷比のイオン、Ｅｘは直交方向に加速されて質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送られた後にイオンに付与される直交方向エネルギー、Ｅｏは前記特定の機器設定においてイオン検出器で検出可能なイオンの最大軸方向運動エネルギー、Ｌｄはイオン検出器の長さまたは幅、Ｌｘは質量分析器の直交方向の有効飛行または経路長さである。
ある特定の機器設定においてイオン検出器１５で検出可能なイオンの最高質量電荷比に対する最低質量電荷比の比率は、直交加速電場およびイオン検出器１５の長さまたは幅Ｌｄが一定に保たれると想定されることから、いずれの特定の機器設定でも一定であることが好ましい。
好ましい実施形態では、多数の別個の機器設定で質量分析計を操作することにより、多数回の別個のデータ収集を行う。別個の機器設定のそれぞれにおいて、１以上の質量スペクトルまたは１以上の組の質量スペクトルデータを得ることが好ましい。そして、前記様々な別個の質量スペクトルまたは質量スペクトルデータの組を組み合わせ、最終的な複合質量スペクトルを形成することが好ましい。
好ましい実施形態によれば、フラグメントまたは娘イオンを含み、かつ、従来の質量分析計を用いて生成可能な質量スペクトルと比べて質量または質量電荷比の範囲が極めて広い最終的な複合質量スペクトルを生成してもよい。
好ましい実施形態を例証するため、質量電荷比がＭ０である親または前駆イオンを考慮してもよい。前記親または前駆イオンは、質量電荷比が異なる５種類の特定のフラグメントまたは娘イオンを含む、多数の異なるフラグメントまたは娘イオンを生じるようにフラグメント化するものと考えることができる。前記５種類の特定のフラグメントまたは娘イオンは、質量電荷比Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、およびＭ５を有し、Ｍ０＞Ｍ１＞Ｍ２＞Ｍ３＞Ｍ４＞Ｍ５であると考えることができる。あくまでも説明を容易にするという目的のため、前記親または前駆イオンおよび前記５種類の特定のフラグメントまたは娘イオンの質量電荷比は、次の関係を満たすものと考えることができる：Ｍ０／Ｍ１＝Ｍ１／Ｍ２＝Ｍ２／Ｍ３＝Ｍ３／Ｍ４＝Ｍ４／Ｍ５。
説明目的の前記例によれば、質量分析計は、５つの別個の連続した異なる機器設定で操作されるように構成してもよい。
第１機器設定では、Ｍ０からＭ１の範囲内にある質量電荷比を有するイオンを、イオン検出器１５によって検出および記録してもよい。第２機器設定では、イオン検出器１５は、Ｍ１からＭ２の範囲内にある質量電荷比を有するイオンを検出および記録することができる。第３機器設定では、イオン検出器１５は、Ｍ２からＭ３の範囲内にある質量電荷比を有するイオンを検出および記録することができる。第４機器設定では、イオン検出器１５は、Ｍ３からＭ４の範囲内にある質量電荷比を有するイオンを検出および記録することができる。第５機器設定では、イオン検出器１５は、Ｍ４からＭ５の範囲内にある質量電荷比を有するイオンを検出および記録することができる。
第１機器設定においては、質量電荷比Ｍ０を有する親または前駆イオンは、軸方向運動エネルギーＥ０を持つ、または有するようにしてある。
第２機器設定においては、質量電荷比Ｍ０を有する前記親または前駆イオンの軸方向運動エネルギーは、軸方向運動エネルギーＥ０から下記関係式で表されるより高い軸方向運動エネルギーＥ１へと増加することが好ましい。
Figure 2008524789
式中、Ｅ０は第１機器設定における親または前駆イオンの軸方向運動エネルギー、Ｅ１は第２機器設定における親または前駆イオンの増加した軸方向運動エネルギー、Ｍ０は親または前駆イオンの質量電荷比、Ｍ１は第１の特定のフラグメントまたは娘イオンの質量電荷比である。
押し出し電極１２の活性化または通電を正確な時刻に行うため、第２機器設定における押し出し電極遅延時間Ｔ１は、第１機器設定における押し出し電極遅延時間Ｔ０よりも短くなるようにしておくことが好ましい。前記２つの遅延時間は、下記式で表される関連性を有していることが好ましい。
Figure 2008524789
式中、Ｔ１は第２機器設定での押し出し遅延時間、Ｔ０は第１機器設定での押し出し遅延時間、Ｍ１は第１の特定のフラグメントまたは娘イオンの質量電荷比、Ｍ０は親または前駆イオンの質量電荷比である。
一般に、Ｍ０（親または前駆イオンの質量電荷比）とＭn（Ｍnは最低質量または最低質量電荷比のフラグメントまたは娘イオン）の間にある質量電荷比を有し、かつＭn-1／Ｍnの比率が各機器設定において一定のイオンを組み入れた質量スペクトルを作成するため、好ましくは、質量分析計をｎ個の別個の連続した機器設定で操作する構成とすべきである。
各機器設定ｎにおいて、親または前駆イオンの軸方向エネルギーをＥn-1に設定することが好ましく、また押し出し電極遅延時間をＴn-1に設定することが好ましい。
Figure 2008524789
Figure 2008524789
式中、Ｅn-1は第ｎ機器設定における親または前駆イオンの軸方向運動エネルギー、Ｅ０は第１機器設定における親または前駆イオンの軸方向運動エネルギー、Ｍ０は親または前駆イオンの質量電荷比、Ｍn-1は第ｎ機器設定で検出され得る最高質量電荷比のイオン、Ｍnは第ｎ機器設定において検出され得る最低質量電荷比のイオン、Ｔ０は第１機器設定における押し出し電極遅延時間、Ｔn-1は第ｎ機器設定における押し出し電極遅延時間である。
別個の機器設定のそれぞれにおいて質量スペクトルデータを獲得することが好ましく、また、質量スペクトルを任意に生成してもよい。
各機器設定において、レーザー１を繰り返し発射させ、同一の機器設定で得られた多数の収集データから、質量スペクトルまたは一組の質量スペクトルデータを構築または獲得するようにしてもよい。
次に、前記異なる連続した機器設定のそれぞれにおいて記録された質量スペクトルまたは質量スペクトルデータを合算するか、あるいは少なくとも部分的に重ねて、好ましくは広範囲の質量電荷比をカバーする最終的な複合質量スペクトルを作成することが好ましい。
前記最終的な複合質量スペクトルは、前記異なる連続した機器設定のそれぞれにおいて取得された前記種々の別個の質量スペクトルまたは質量スペクトルデータの組を組み合わせることによって形成してもよい。なぜなら、直交加速式飛行時間質量分析器の校正は、直交方向に加速されて質量分析器１３の直交加速領域へと送られる際のイオンの軸方向エネルギーに実質的に依存しないことが好ましいからである。
後続の機器設定へと移るごとに親または前駆イオンの軸方向イオンエネルギーＥｎを変更（例えば、増加）し、後続の機器設定へと移るごとにイオン生成と、これに続く押し出し電極１２の通電との間の押し出し電極遅延時間Ｔｎを変更（例えば、短縮または低減）し、さらに各機器設定において質量スペクトルデータを取得することにより、従来の配置構成と比較して、低質量電荷比のフラグメントまたは娘イオンの収量および搬送効率を実質的に向上させることができる。
好ましい実施形態のさらなる利点は、後続の機器設定へと移るごとにフラグメントまたは娘イオンの軸方向運動エネルギーを効果的に増加させることにより、前記フラグメントまたは娘イオンが、望ましくない表面荷電効果の影響を受けにくくなることである。後続の機器設定へと移るごとに運動エネルギーを増加させることにおける別の利点は、前記フラグメントまたは娘イオンの立体発散角（solid divergence angle）が小さくなることである。
好ましい実施形態によれば、質量分析計内にある種々の固定開口により、イオン搬送の実質的な増加を達成できることが好ましい。
好適性の低い一実施形態によれば、親または前駆イオンの軸方向エネルギーを機器設定ごとに低下させてもよく、また、押し出し電極遅延時間を機器設定ごとに延長してもよい。
親または前駆イオンの軸方向エネルギーおよび／または押し出し電極遅延時間を、非漸進的または非直線状に変化させることや、さらにはランダムに変化させることも考えられる。
好適性の低い一実施形態では、親または前駆イオンの軸方向エネルギーを後続の機器設定で変更または増加させる代わりに、押し出し電極１２に印加する電圧または電位を機器設定ごとに変更または変化させることによって、機器設定ごとに直交加速領域内のイオンに付与される直交方向エネルギーを変えてもよい。
この実施形態では、第ｎ機器設定でイオンに付与される直交方向エネルギーＥｘnは、前の機器設定でイオンに付与される直交方向エネルギーＥｘに対し、下記関係式で表される関連性を有することが好ましい。
Figure 2008524789
式中、Ｅｘnは第ｎ機器設定でイオンに付与される直交方向エネルギー、Ｅｘは第１または初期機器設定でイオンに付与される直交方向エネルギー、Ｍn-1は第ｎ機器設定で検出され得る最高質量電荷比のイオン、Ｍnは第ｎ機器設定においてイオン検出器で検出し得る最低質量電荷比のイオン、Ｍ０は親または前駆イオンの質量電荷比である。
この好適性の低い実施形態によれば、イオン生成と押し出し電極１２の通電との間の遅延時間は、一機器設定から次の機器設定にかけて、実質的に一定に保持してもよい。また、質量分析器１３の飛行またはドリフト領域を形成する電極および／またはイオンミラーまたはリフレクトロン１４の電極に印加する電圧も変更し、イオン検出器１５において空間的時間的収束（spatial time focusing）も確実に行えるようにすることにより、この好適性の低い実施形態をさらに改良することが考えられる。
本発明の一実施形態によれば、押し出し電極１２に印加する電圧を変えることにより、イオンに付与される直交方向エネルギーを後続の機器設定において変更してもよい。さらに、親または前駆イオンの軸方向イオンエネルギーも、後続の機器設定において変更、増加、または減少させてもよい。イオン生成と押し出し電極１５の通電との間の押し出し電極遅延時間もまた、後続の機器設定において変更、減少、または増加させてもよい。
本発明の一実施形態で得られた実験結果のいくつかを図３に示している。図３は、５つの異なる機器設定で獲得または取得した質量スペクトルデータから作成または取得した５個の質量スペクトルを示している。前記質量スペクトルデータは、直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた質量分析計を使用して獲得または取得されたものである。前記質量分析計は、図２に示す質量分析計と実質的に同様のものだった。
前記実験データを得るため、ＡＣＴＨ（ＭＨ＋２４６５．２）のペプチドサンプルを使用した。ＡＣＴＨペプチドイオンは、前記ＭＡＬＤＩサンプルプレートと前記飛行時間質量分析器の直交加速領域との間でポストソース分解（「ＰＳＤ」）によって解離するようにした。
図３に示す第１質量スペクトルに対応する第１機器設定では、親または前駆イオンが、２７５ｅＶの軸方向エネルギーを有するようにした。イオンパルスの生成と、前記イオンを直交方向に加速するための押し出し電極の通電との間の遅延時間は、５４．７μｓに設定した。第１機器設定では、測定対象イオンの最高質量電荷比を２４６５Ｄａに設定した。
図３に示す第２質量スペクトルに対応する第２機器設定では、親または前駆イオンが、５１１ｅＶの軸方向エネルギーを有するようにした。イオンパルスの生成と、前記イオンを直交方向に加速するための押し出し電極の通電との間の遅延時間は、４０．０μｓに設定した。第２機器設定では、測定対象イオンの最高質量電荷比を１３２７Ｄａに設定した。
図３に示す第３質量スペクトルに対応する第３機器設定では、親または前駆イオンが、９７２ｅＶの軸方向エネルギーを有するようにした。イオンパルスの生成と、前記イオンを直交方向に加速するための押し出し電極の通電との間の遅延時間は、２８．８μｓに設定した。第３機器設定では、測定対象イオンの最高質量電荷比を６９８Ｄａに設定した。
図３に示す第４質量スペクトルに対応する第４機器設定では、親または前駆イオンが、２０８５ｅＶの軸方向エネルギーを有するようにした。イオンパルスの生成と、前記イオンを直交方向に加速するための押し出し電極の通電との間の遅延時間は、１９．４μｓに設定した。第４機器設定では、測定対象イオンの最高質量電荷比を３２５Ｄａに設定した。
図３に示す第５質量スペクトルに対応する第５機器設定では、親または前駆イオンが、４０００ｅＶの軸方向エネルギーを有するようにした。イオンパルスの生成と、前記イオンを直交方向に加速するための押し出し電極の通電との間の遅延時間は、１３．７μｓに設定した。第５機器設定では、測定対象イオンの最高質量電荷比を１６９Ｄａに設定した。
この特定の例においては、前記別個の連続した機器設定のそれぞれにおいてイオンに付与された直交方向エネルギーＥｘは、実質的に一定に９５００ｅＶに保たれていた。直交方向の有効飛行または経路長さＬｘは０．８ｍであり、イオン検出器の長さＬｄは４０ｃｍであった。
図３は、前記５つの別個の連続した機器設定で獲得された５つの別個の質量スペクトルを示している。各機器設定での親または前駆イオンの軸方向エネルギーおよびイオン生成と押し出し電極への通電の間の対応遅延時間は、先に挙げた式８および９に概ね従って設定された。
この特定の説明目的の例においては、各機器設定においてイオン検出器によって検出された最低質量電荷比のイオンＭｌに対する最高質量電荷比のイオンＭｈの比率は、約２．１となるようにした。
親または前駆イオンの軸方向エネルギーの増加および押し出し電極遅延時間の短縮の正確な比率は機器設定ごとに若干異なっていたが、一般にこの比率は、各機器設定で取得または獲得された質量スペクトルデータ間にある程度の重複が見られるようにするため、通常２．１未満となるようにした。これにより、前記別個の機器設定のそれぞれにおいて獲得された質量スペクトルデータまたは質量スペクトルをより容易に組み合わせて最終的な複合質量スペクトルを形成できるようになった。
図３に示す第２、第３、第４および第５質量スペクトルより、好ましい実施形態に従って親または前駆イオンの軸方向エネルギーが増加され、押し出し電極遅延時間が短縮されるにつれて、後続の機器設定へと移るごとにフラグメントまたは娘イオンの質量または質量電荷の漸進的な低下が観察されたことが分かる。
本発明について、好ましい実施形態を参照しながら説明してきたが、添付の請求の範囲に記載されている本発明の範囲から逸脱しない限り、形態および詳細において種々の変更を行ってもよいことは、当業者には理解される。
直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた従来の質量分析計であって、磁場型質量フィルターと、イオンをフラグメント化するための衝突セルをさらに備えた質量分析計を示す図 直交加速式飛行時間質量分析器に連結されたＭＡＬＤＩイオン源を備えた本発明の一実施形態に係る質量分析計であって、第１フィールドフリー領域と、第２フィールドフリー領域と、任意に衝突セルまたはフラグメント化セルとをさらに備えた質量分析計を示す図 連続した機器設定で親または前駆イオンの軸方向エネルギーを漸進的に増加させ、かつ、イオンパルスの生成と、イオンを直交方向に加速して前記質量分析器の飛行またはドリフト領域へと送るために行われる飛行時間質量分析器の押し出し電極への通電との間の遅延時間を漸進的に短縮することによって本発明の実施形態で得られた５つの質量スペクトルを示す図

Claims (113)

  1. 直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器を用意することと、
    第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群が第１の軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第１遅延時間の後、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成することと、
    第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群が第２の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第２遅延時間の後、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、第２の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の範囲の軸方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成することと、
    前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成することとを含む質量分析法。
  2. 前記第１の範囲の軸方向エネルギーが、前記第２の範囲の軸方向エネルギーと実質的に同一である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１遅延時間が、前記第２遅延時間とは実質的に異なる、請求項１または２に記載の方法。
  4. 第１電場領域を設けることをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 第１フィールドフリー領域を設けることをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記第１フィールドフリー領域が、前記第１電場領域の下流に配置される、請求項４または５に記載の方法。
  7. 第２電場領域を設けることをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 第２フィールドフリー領域を設けることをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記第２フィールドフリー領域が、前記第２電場領域の下流に配置される、請求項７または８に記載の方法。
  10. 前記直交加速領域に隣接して配置される１以上の電極を設けることさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項４〜１０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項４〜１１のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差が、前記第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる請求項１２に記載の方法。
  14. 前記第１の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記第１の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記第１遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
  18. 前記第１の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記第２の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
  20. 前記第２の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
  21. 前記第２遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
  22. 前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
  23. 前記第２の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記方法が、
    第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群が第３の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第３フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第３フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第３遅延時間の後、前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンのうち、第３の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第３の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第３の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含む、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の方法。
  25. 前記第１、第２、および第３の範囲の軸方向エネルギーが実質的に同一である、請求項２４に記載の方法。
  26. 前記第１、第２、および第３遅延時間が実質的に異なる、請求項２４または２５に記載の方法。
  27. 前記第３の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の方法。
  28. 前記第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差が、前記第１および／または第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる、請求項２７に記載の方法。
  29. 前記第３の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項２４〜２８のいずれか一項に記載の方法。
  30. 前記第３の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項２４〜２９のいずれか一項に記載の方法。
  31. 前記第３遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項２４〜３０のいずれか一項に記載の方法。
  32. 前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第３フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第３の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項２４〜３１のいずれか一項に記載の方法。
  33. 前記第３の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
  34. 前記複合質量スペクトルを形成する工程が、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、および前記第３の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含む、請求項２４〜３３のいずれか一項に記載の方法。
  35. 前記方法が、
    第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群が第４の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第４フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第４フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第４遅延時間の後、前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンのうち、第４の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第４の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第４の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含む、請求項２４〜３４のいずれか一項に記載の方法。
  36. 前記第１、第２、第３、および第４の範囲の軸方向エネルギーが実質的に同一である、請求項３５に記載の方法。
  37. 前記第１、第２、第３、および第４遅延時間が実質的に異なる、請求項３５または３６に記載の方法。
  38. 前記第４の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項３５〜３７のいずれか一項に記載の方法。
  39. 前記第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差が、前記第１および／または第２および／または第３電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる、請求項３８に記載の方法。
  40. 前記第４の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項３５〜３９のいずれか一項に記載の方法。
  41. 前記第４の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項３５〜４０のいずれか一項に記載の方法。
  42. 前記第４遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項３５〜４１のいずれか一項に記載の方法。
  43. 前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第４フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第４の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項３５〜４２のいずれか一項に記載の方法。
  44. 前記第４の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項４３に記載の方法。
  45. 前記複合質量スペクトルを形成する工程が、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、および前記第４の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含む、請求項３５〜４４のいずれか一項に記載の方法。
  46. 前記方法が、
    第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群が第５の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第５フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第５フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第５遅延時間の後、前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンのうち、第５の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第５の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第５の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含む、請求項３５〜４５のいずれか一項に記載の方法。
  47. 前記第１、第２、第３、第４および第５の範囲の軸方向エネルギーが実質的に同一である、請求項４６に記載の方法。
  48. 前記第１、第２、第３、第４、および第５遅延時間が実質的に異なる、請求項４６または４７に記載の方法。
  49. 前記第５の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項４６〜４８のいずれか一項に記載の方法。
  50. 前記第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差が、前記第１および／または第２および／または第３および／または第４電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる、請求項４９に記載の方法。
  51. 前記第５の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項４６〜５０のいずれか一項に記載の方法。
  52. 前記第５の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項４６〜５１のいずれか一項に記載の方法。
  53. 前記第５遅延時間は、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項４６〜５２のいずれか一項に記載の方法。
  54. 前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第５フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第５の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項４６〜５３のいずれか一項に記載の方法。
  55. 前記第５の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項５４に記載の方法。
  56. 前記複合質量スペクトルを形成する工程が、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、前記第４の質量スペクトルデータ、および前記第５の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含む、請求項４６〜５５のいずれか一項に記載の方法。
  57. 前記方法が、
    第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群が第６の異なる軸方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第６フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第６フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    第６遅延時間の後、前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速することと、
    前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンのうち、第６の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    複数の第６フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第６の範囲の軸方向エネルギーを有する娘イオンのフラグメントに関する第６の質量スペクトルデータを生成することとをさらに含む、請求項４６〜５６のいずれか一項に記載の方法。
  58. 前記第１、第２、第３、第４、第５、および第６の範囲の軸方向エネルギーが実質的に同一である、請求項５７に記載の方法。
  59. 前記第１、第２、第３、第４、第５、および第６遅延時間が実質的に異なる、請求項５７または５８に記載の方法。
  60. 前記第６の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速する前記工程が、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第６電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持することを含む、請求項５７〜５９のいずれか一項に記載の方法。
  61. 前記第６電場強度、電圧または電位が、前記第１および／または第２および／または第３および／または第４および／または第５電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる、請求項６０に記載の方法。
  62. 前記第６の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項５７〜６１のいずれか一項に記載の方法。
  63. 前記第６の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項５７〜６２のいずれか一項に記載の方法。
  64. 前記第６遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項５７〜６３のいずれか一項に記載の方法。
  65. 前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第６フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第６の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項５７〜６４のいずれか一項に記載の方法。
  66. 前記第６の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項６５に記載の方法。
  67. 前記複合質量スペクトルを形成する工程が、前記第１の質量スペクトルデータ、前記第２の質量スペクトルデータ、前記第３の質量スペクトルデータ、前記第４の質量スペクトルデータ、前記第５の質量スペクトルデータ、および前記第６の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることをさらに含む、請求項５７〜６６のいずれか一項に記載の方法。
  68. 前記第１の軸方向エネルギーおよび／または前記第２の軸方向エネルギーおよび／または前記第３の軸方向エネルギーおよび／または前記第４の軸方向エネルギーおよび／または前記第５の軸方向エネルギーおよび／または前記第６の軸方向エネルギーが互いに実質的に異なる、請求項１〜６７のいずれか一項に記載の方法。
  69. 前記第１遅延時間および／または前記第２遅延時間および／または前記第３遅延時間および／または前記第４遅延時間および／または前記第５遅延時間および／または前記第６遅延時間が互いに実質的に異なる、請求項１〜６８のいずれか一項に記載の方法。
  70. 前記第１の直交方向エネルギーおよび／または前記第２の直交方向エネルギーおよび／または前記第３の直交方向エネルギーおよび／または前記第４の直交方向エネルギーおよび／または前記第５の直交方向エネルギーおよび／または前記第６の直交方向エネルギーが実質的に同一である、請求項１〜６９のいずれか一項に記載の方法。
  71. 衝突、フラグメント化、または反応装置を用意することをさらに含む、請求項１〜７０のいずれか一項に記載の方法。
  72. 前記衝突、フラグメント化、または反応装置が、衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってイオンをフラグメント化するように構成される、請求項７１に記載の方法。
  73. 前記衝突、フラグメント化、または反応装置が、（i）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメント化装置、（ii）電子移動解離フラグメント化装置、（iii）電子捕獲解離フラグメント化装置、（iv）電子衝突または衝撃解離フラグメント化装置、（v）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメント化装置、（vi）レーザー誘起解離フラグメント化装置、（vii）赤外線誘起解離装置、（viii）紫外線誘起解離装置、（ix）ノズル−スキマー・インターフェースフラグメント化装置、（x）インソースフラグメント化装置、（xi）イオン源衝突誘起解離フラグメント化装置、（xii）熱または温度源フラグメント化装置、（xiii）電場誘起フラグメント化装置、（xiv）磁場誘起フラグメント化装置、（xv）酵素消化または酵素分解フラグメント化装置、（xvi）イオン−イオン反応フラグメント化装置、（xvii）イオン−分子反応フラグメント化装置、（xviii）イオン−原子反応フラグメント化装置、（xix）イオン−準安定イオン反応フラグメント化装置、（xx）イオン−準安定分子反応フラグメント化装置、（xxi）イオン−準安定原子反応フラグメント化装置、（xxii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応装置、（xxiii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応装置、（xxiv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応装置、（xxv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置、（xxvi）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応装置、および（xxvii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応装置からなる群から選択される、請求項７１に記載の方法。
  74. 前記イオンを自ずとフラグメント化させる工程が、ポストソース分解（「ＰＳＤ」）によってイオンをフラグメント化させることを含む、請求項１〜７３のいずれか一項に記載の方法。
  75. 静電エネルギー分析器および／または質量フィルターおよび／または特定の親または前駆イオンを選択するためのイオンゲートを用意することをさらに含む、請求項１〜７４のいずれか一項に記載の方法。
  76. 前記質量フィルターが、磁場型質量フィルター、ＲＦ四重極質量フィルター、ウィーンフィルター、または直交加速式飛行時間質量フィルターを含む、請求項７５に記載の方法。
  77. 直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器と、
    （i）第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群が第１の軸方向エネルギーを有するようにし、
    （ii）前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、
    （iii）第１遅延時間の後、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、
    （iv）第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速し、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群が第２の異なる軸方向エネルギーを有するようにし、
    （v）前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、かつ
    （vi）第２遅延時間の後、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速するように構成された制御システムと、
    （i）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出し、
    （ii）前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、第２の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出するように構成されたイオン検出器とを備えた質量分析計であって、
    前記質量分析計が、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の範囲の軸方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の範囲の軸方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
    前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成するように構成された手段とをさらに備えた質量分析計。
  78. 前記第１の範囲の軸方向エネルギーが、前記第２の範囲の軸方向エネルギーと実質的に同一である、請求項７７に記載の質量分析計。
  79. 前記第１遅延時間が、前記第２遅延時間とは実質的に異なる、請求項７７または７８に記載の質量分析計。
  80. 第１電場領域をさらに備えている、請求項７７〜７９のいずれか一項に記載の質量分析計。
  81. 第１フィールドフリー領域をさらに備えている、請求項７７〜８０のいずれか一項に記載の質量分析計。
  82. 前記第１フィールドフリー領域が、前記第１電場領域の下流に配置される、請求項８０または８１に記載の質量分析計。
  83. 第２電場領域をさらに備えている、請求項７７〜８２のいずれか一項に記載の質量分析計。
  84. 第２フィールドフリー領域をさらに備えている、請求項７７〜８３のいずれか一項に記載の質量分析計。
  85. 前記第２フィールドフリー領域が、前記第２電場領域の下流に配置される、請求項８３または８４に記載の質量分析計。
  86. 前記直交加速領域に隣接して配置された１以上の電極をさらに備えている、請求項７７〜８５のいずれか一項に記載の質量分析計。
  87. 前記制御システムが、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速するため、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持するように構成されている、請求項８０〜８６のいずれか一項に記載の質量分析計。
  88. 前記制御システムが、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を加速するため、前記第１電場および／または前記第１フィールドフリー領域および／または前記第２電場および／または前記第２フィールドフリー領域および／または前記１以上の電極を、第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差に保持するように構成されている、請求項８０〜８７のいずれか一項に記載の質量分析計。
  89. 前記第２電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差が、前記第１電場強度、電圧もしくは電位、または電圧もしくは電位差とは、少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％、１１０％、１２０％、１３０％、１４０％、１５０％、１６０％、１７０％、１８０％、１９０％、２００％、２１０％、２２０％、２３０％、２４０％、２５０％、２６０％、２７０％、２８０％、２９０％、３００％、３５０％、４００％、４５０％、または５００％異なる、請求項８８に記載の質量分析計。
  90. 前記第１の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項７７〜８９のいずれか一項に記載の質量分析計。
  91. 前記第１の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項７７〜９０のいずれか一項に記載の質量分析計。
  92. 前記第１遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項７７〜９１のいずれか一項に記載の質量分析計。
  93. 前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項７７〜９２のいずれか一項に記載の質量分析計。
  94. 前記第１の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項９３に記載の質量分析計。
  95. 前記第２の軸方向エネルギーが、（i）＜２０ｅＶ、（ii）２０〜４０ｅＶ、（iii）４０〜６０ｅＶ、（iv）６０〜８０ｅＶ、（v）８０〜１００ｅＶ、（vi）１００〜１２０ｅＶ、（vii）１２０〜１４０ｅＶ、（viii）１４０〜１６０ｅＶ、（ix）１６０〜１８０ｅＶ、（x）１８０〜２００ｅＶ、（xi）２００〜２２０ｅＶ、（xii）２２０〜２４０ｅＶ、（xiii）２４０〜２６０ｅＶ、（xiv）２６０〜２８０ｅＶ、（xv）２８０〜３００ｅＶ、（xvi）３００〜３２０ｅＶ、（xvii）３２０〜３４０ｅＶ、（xviii）３４０〜３６０ｅＶ、（xix）３６０〜３８０ｅＶ、（xx）３８０〜４００ｅＶ、（xxi）４００〜４２０ｅＶ、（xxii）４２０〜４４０ｅＶ、（xxiii）４４０〜４６０ｅＶ、（xxiv）４６０〜４８０ｅＶ、（xxv）４８０〜５００ｅＶ、（xxvi）５００〜５５０ｅＶ、（xxvii）５５０〜６００ｅＶ、（xxviii）６００〜６５０ｅＶ、（xxix）６５０〜７００ｅＶ、（xxx）７００〜７５０ｅＶ、（xxxi）７５０〜８００ｅＶ、（xxxii）８００〜８５０ｅＶ、（xxxiii）８５０〜９００ｅＶ、（xxxiv）９００〜９５０ｅＶ、（xxxv）９５０〜１０００ｅＶ、および（xxxvi）＞１ｋｅＶからなる群から選択される、請求項７７〜９４のいずれか一項に記載の質量分析計。
  96. 前記第２の軸方向エネルギーが、（i）１．０〜１．２ｋｅＶ、（ii）１．２〜１．４ｋｅＶ、（iii）１．４〜１．６ｋｅＶ、（iv）１．６〜１．８ｋｅＶ、（v）１．８〜２．０ｋｅＶ、（vi）２．０〜２．２ｋｅＶ、（vii）２．２〜２．４ｋｅＶ、（viii）２．４〜２．６ｋｅＶ、（ix）２．６〜２．８ｋｅＶ、（x）２．８〜３．０ｋｅＶ、（xi）３．０〜３．２ｋｅＶ、（xii）３．２〜３．４ｋｅＶ、（xiii）３．４〜３．６ｋｅＶ、（xiv）３．６〜３．８ｋｅＶ、（xv）３．８〜４．０ｋｅＶ、（xvi）４．０〜４．２ｋｅＶ、（xvii）４．２〜４．４ｋｅＶ、（xviii）４．４〜４．６ｋｅＶ、（xix）４．６〜４．８ｋｅＶ、（xx）４．８〜５．０ｋｅＶ、（xxi）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xxii）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xxiii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xxiv）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xxv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xxvi）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xxvii）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xxviii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xxix）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xxx）９．５〜１０．０ｋｅＶ、および（xxxi）＞１０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項７７〜９５のいずれか一項に記載の質量分析計。
  97. 前記第２遅延時間が、（i）＜１μｓ、（ii）１〜５μｓ、（iii）５〜１０μｓ、（iv）１０〜１５μｓ、（v）１５〜２０μｓ、（vi）２０〜２５μｓ、（vii）２５〜３０μｓ、（viii）３０〜３５μｓ、（ix）３５〜４０μｓ、（x）４０〜４５μｓ、（xi）４５〜５０μｓ、（xii）５０〜５５μｓ、（xiii）５５〜６０μｓ、（xiv）６０〜６５μｓ、（xv）６５〜７０μｓ、（xvi）７０〜７５μｓ、（xvii）７５〜８０μｓ、（xviii）８０〜８５μｓ、（xix）８５〜９０μｓ、（xx）９０〜９５μｓ、（xxi）９５〜１００μｓ、（xxii）１００〜１００μｓ、（xxiii）１１０〜１２０μｓ、（xxiv）１２０〜１３０μｓ、（xxv）１３０〜１４０μｓ、（xxvi）１４０〜１５０μｓ、（xxvii）１５０〜１６０μｓ、（xxviii）１６０〜１７０μｓ、（xxix）１７０〜１８０μｓ、（xxx）１８０〜１９０μｓ、（xxxi）１９０〜２００μｓ、（xxxii）２００〜２５０μｓ、（xxxiii）２５０〜３００μｓ、（xxxiv）３００〜３５０μｓ、（xxxv）３５０〜４００μｓ、（xxxvi）４００〜４５０μｓ、（xxxvii）４５０〜５００μｓ、（xxxviii）５００〜１０００μｓ、および（xxxix）＞１０００μｓからなる群から選択される、請求項７７〜９６のいずれか一項に記載の質量分析計。
  98. 前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の直交方向エネルギーを有するようにする、請求項７７〜９７のいずれか一項に記載の質量分析計。
  99. 前記第２の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項９８に記載の質量分析計。
  100. イオン源をさらに備えている、請求項７７〜９９のいずれか一項に記載の質量分析計。
  101. 前記イオン源が、（i）エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源、（ii）大気圧光イオン化（「ＡＰＰＩ」）イオン源、（iii）大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）イオン源、（iv）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（v）レーザー脱離イオン化（「ＬＤＩ」）イオン源、（vi）大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源、（vii）シリコン基板上脱離イオン化（「ＤＩＯＳ」）イオン源、（viii）電子衝撃（「ＥＩ」）イオン源、（ix）化学イオン化（「ＣＩ」）イオン源、（x）電界イオン化（「ＦＩ」）イオン源、（xi）電界脱離（「ＦＤ」）イオン源、（xii）誘導結合プラズマ（「ＩＣＰ」）イオン源、（xiii）高速原子衝撃（「ＦＡＢ」）イオン源、（xiv）液体二次イオン質量分析（「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（xv）脱離エレクトロスプレーイオン化（「ＤＥＳＩ」）イオン源、（xvi）ニッケル６３放射性イオン源、（xvii）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源、および（xviii）サーモスプレーイオン源からなる群から選択される、請求項１００に記載の質量分析計。
  102. 連続またはパルスイオン源をさらに備えている、請求項１００または１０１に記載の質量分析計。
  103. 衝突、フラグメント化、または反応装置をさらに備えている、請求項７７〜１０２のいずれか一項に記載の質量分析計。
  104. 前記衝突、フラグメント化、または反応装置が、衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によってイオンをフラグメント化するように構成されている、請求項１０３に記載の質量分析計。
  105. 前記衝突、フラグメント化、または反応装置が、（i）表面誘起解離（「ＳＩＤ」）フラグメント化装置、（ii）電子移動解離フラグメント化装置、（iii）電子捕獲解離フラグメント化装置、（iv）電子衝突または衝撃解離フラグメント化装置、（v）光誘起解離（「ＰＩＤ」）フラグメント化装置、（vi）レーザー誘起解離フラグメント化装置、（vii）赤外線誘起解離装置、（viii）紫外線誘起解離装置、（ix）ノズル−スキマー・インターフェースフラグメント化装置、（x）インソースフラグメント化装置、（xi）イオン源衝突誘起解離フラグメント化装置、（xii）熱または温度源フラグメント化装置、（xiii）電場誘起フラグメント化装置、（xiv）磁場誘起フラグメント化装置、（xv）酵素消化または酵素分解フラグメント化装置、（xvi）イオン−イオン反応フラグメント化装置、（xvii）イオン−分子反応フラグメント化装置、（xviii）イオン−原子反応フラグメント化装置、（xix）イオン−準安定イオン反応フラグメント化装置、（xx）イオン−準安定分子反応フラグメント化装置、（xxi）イオン−準安定原子反応フラグメント化装置、（xxii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応装置、（xxiii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応装置、（xxiv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応装置、（xxv）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置、（xxvi）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定分子反応装置、および（xxvii）イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−準安定原子反応装置からなる群から選択される、請求項１０３に記載の質量分析計。
  106. 親または前駆イオンの少なくとも一部は、使用時に前記衝突、フラグメント化、または反応装置内でフラグメント化されるか、または反応させられ、フラグメント、娘、付加、または生成イオンを形成し、また、前記フラグメント、娘、付加または生成イオンおよび／またはこれらに対応するあらゆる親または前駆イオンは、実質的に同じ速度で前記衝突、フラグメント化、または反応装置から離脱し、実質的に同時に前記直交加速領域に到達する、請求項１０３〜１０５のいずれか一項に記載の質量分析計。
  107. ポストソース分解（「ＰＳＤ」）によりイオンのフラグメント化を引き起こす、および／またはイオンをフラグメント化させる手段をさらに備えている、請求項７７〜１０６のいずれか一項に記載の質量分析計。
  108. 静電エネルギー分析器および／または質量フィルターおよび／または特定の親または前駆イオンを選択するためのイオンゲートをさらに備えている、請求項７７〜１０７のいずれか一項に記載の質量分析計。
  109. 前記質量フィルターが、磁場型質量フィルター、ＲＦ四重極質量フィルター、ウィーンフィルター、または直交加速式飛行時間質量フィルターを含む、請求項１０８に記載の質量分析計。
  110. 直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器を用意することと、
    第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成することと、
    第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を用意することと、
    前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させることと、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の異なる直交方向エネルギーを有するようにすることと、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出することと、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成することと、
    前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成することとを含む質量分析法。
  111. 前記第１の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１１０に記載の方法。
  112. 前記第２の直交方向エネルギーが、（i）＜１．０ｋｅＶ、（ii）１．０〜１．５ｋｅＶ、（iii）１．５〜２．０ｋｅＶ、（iv）２．０〜２．５ｋｅＶ、（v）２．５〜３．０ｋｅＶ、（vi）３．０〜３．５ｋｅＶ、（vii）３．５〜４．０ｋｅＶ、（viii）４．０〜４．５ｋｅＶ、（ix）４．５〜５．０ｋｅＶ、（x）５．０〜５．５ｋｅＶ、（xi）５．５〜６．０ｋｅＶ、（xii）６．０〜６．５ｋｅＶ、（xiii）６．５〜７．０ｋｅＶ、（xiv）７．０〜７．５ｋｅＶ、（xv）７．５〜８．０ｋｅＶ、（xvi）８．０〜８．５ｋｅＶ、（xvii）８．５〜９．０ｋｅＶ、（xviii）９．０〜９．５ｋｅＶ、（xix）９．５〜１０．０ｋｅＶ、（xx）１０．０〜１０．５ｋｅＶ、（xxi）１０．５〜１１．０ｋｅＶ、（xxii）１１．０〜１１．５ｋｅＶ、（xxiii）１１．５〜１２．０ｋｅＶ、（xxiv）１２．０〜１２．５ｋｅＶ、（xxv）１２．５〜１３．０ｋｅＶ、（xxvi）１３．０〜１３．５ｋｅＶ、（xxvii）１３．５〜１４．０ｋｅＶ、（xxviii）１４．０〜１４．５ｋｅＶ、（xxix）１４．５〜１５．０ｋｅＶ、（xxx）１５．０〜１５．５ｋｅＶ、（xxxi）１５．５〜１６．０ｋｅＶ、（xxxii）１６．０〜１６．５ｋｅＶ、（xxxiii）１６．５〜１７．０ｋｅＶ、（xxxiv）１７．０〜１７．５ｋｅＶ、（xxxv）１７．５〜１８．０ｋｅＶ、（xxxvi）１８．０〜１８．５ｋｅＶ、（xxxvii）１８．５〜１９．０ｋｅＶ、（xxxviii）１９．０〜１９．５ｋｅＶ、（xxxix）１９．５〜２０．０ｋｅＶ、（xl）＞２０ｋｅＶからなる群から選択される、請求項１１０または１１１に記載の方法。
  113. 直交加速領域を備えた直交加速式飛行時間質量分析器と、
    （i）第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第１の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第１フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、
    （ii）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第１の直交方向エネルギーを有するようにし、
    （iii）第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへとフラグメント化するか、あるいは、前記第２の親または前駆イオンのパケットまたは群を、複数の第２フラグメントまたは娘イオンへと自ずとフラグメント化させ、かつ
    （iv）前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの少なくとも一部を直交方向に加速し、前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンの前記少なくとも一部が第２の異なる直交方向エネルギーを有するようにするように構成された制御システムと、
    （i）前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出し、
    （ii）前記複数の第２のフラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンを検出するように構成されたイオン検出器とを備えた質量分析計であって、
    前記質量分析計が、
    前記複数の第１フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第１の直交方向エネルギーを有するフラグメントまたは娘イオンに関する第１の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
    前記複数の第２フラグメントまたは娘イオンのうち、前記第２の直交方向エネルギーを有する前記フラグメントまたは娘イオンに関する第２の質量スペクトルデータを生成するように構成された手段と、
    前記第１の質量スペクトルデータと前記第２の質量スペクトルデータを使用する、組み合わせる、または部分的に重ねることによって複合質量スペクトルを形成するように構成された手段とをさらに備えた質量分析計。
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