JP2008522399A - Protection of surfaces exposed to charged particles - Google Patents

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Abstract

【課題】極紫外（ＥＵＶ）放射線を反射する光学システムに使用される多層ミラーの保護およびフォトリソグラフィチャンバ内に伝達されるＥＵＶが通る表面の保護を行う方法および装置を提供することにある。
【解決手段】ＥＵＶ放射線は、ＥＵＶ放射線および荷電粒子の両方を放出するプラズマから発生される。チャンバには有機分子が供給され、該有機分子はＥＵＶ放射線と相互作用して、ミラー表面上に炭質デポジットのコーティングを形成する。プラズマから放出された荷電粒子はデポジットと衝突して、ミラー表面からデポジットをスパッタリングする。ミラー表面上へのデポジットのデポジション速度およびミラー表面からのデポジットの除去速度の少なくとも一方を制御することにより、コーティングの厚さが能動的に制御され、ミラー表面上への荷電粒子の直接衝突が防止されかつコーティングの形成によるミラー表面の反射率の低下を最小限にすることができる。
【選択図】図１A method and apparatus for protecting multi-layer mirrors used in optical systems that reflect extreme ultraviolet (EUV) radiation and protecting surfaces through which EUV transmitted in a photolithography chamber passes.
EUV radiation is generated from a plasma that emits both EUV radiation and charged particles. The chamber is supplied with organic molecules that interact with EUV radiation to form a coating of carbonaceous deposits on the mirror surface. The charged particles emitted from the plasma collide with the deposit and sputter the deposit from the mirror surface. By controlling at least one of the deposition rate of the deposit on the mirror surface and the removal rate of the deposit from the mirror surface, the coating thickness is actively controlled, and the direct impact of charged particles on the mirror surface is prevented. It can be prevented and the reduction of the mirror surface reflectivity due to the formation of the coating can be minimized.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、高荷電粒子に露出される表面の保護技術に関する。本発明は、極紫外（extreme ultra violet：ＥＵＶ）放射線を反射する光学システムに使用される多層ミラーの保護、およびＥＵＶを通過させてフォトリソグラフィチャンバ内に伝達する表面の保護に特定用途を見出すものである。   The present invention relates to a technology for protecting a surface exposed to highly charged particles. The present invention finds particular application in the protection of multilayer mirrors used in optical systems that reflect extreme ultra violet (EUV) radiation, and the protection of surfaces that pass through EUV into a photolithography chamber. It is.

フォトリソグラフィは、半導体デバイス製造における重要な加工工程である。概略的に、フォトリソグラフィでは、回路デザインは、ウェーハ表面上にデポジットされたフォトレジスト層上にイメージングされたパターンを通してウェーハに転写される。次にウェーハは、新しいデザインがウェーハ表面に転写される前に、種々のエッチング加工およびデポジション加工を受ける。この周期的加工が続けられて、半導体デバイスの多層が形成される。   Photolithography is an important processing step in semiconductor device manufacturing. In general, in photolithography, the circuit design is transferred to the wafer through a pattern imaged on a photoresist layer deposited on the wafer surface. The wafer is then subjected to various etching and deposition processes before the new design is transferred to the wafer surface. This periodic processing is continued to form multiple layers of semiconductor devices.

半導体デバイスの製造に使用されるリソグラフィック加工では、光学的分解能を向上させてデバイスの非常に小さい特徴を正確に再現できるようにするため、非常に短い波長の放射線を使用するのが有利である。従来技術では種々の波長の単色可視光が使用されており、より最近では、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含むディープ紫外（deep ultra violet：ＤＵＶ）範囲の放射線が使用されている。光学的分解能をより改善するため、１３．５ｎｍの放射線を含む極紫外（ＥＵＶ）範囲の放射線を使用することが提案されている。   In lithographic processing used in the manufacture of semiconductor devices, it is advantageous to use radiation with very short wavelengths in order to improve the optical resolution so that the very small features of the device can be accurately reproduced. . The prior art uses monochromatic visible light of various wavelengths, and more recently, radiation in the deep ultra violet (DUV) range including 248 nm, 193 nm and 157 nm. In order to further improve the optical resolution, it has been proposed to use radiation in the extreme ultraviolet (EUV) range including 13.5 nm radiation.

リソグラフィにＥＵＶ放射線を使用することは、例えば、リソグラフィツールの光学素子およびツールにＥＵＶ放射線を供給する装置の両方に、多くの新たな困難性をもたらしている。   The use of EUV radiation in lithography presents many new difficulties, for example, both in the optics of lithography tools and in devices that supply EUV radiation to the tool.

１つの問題は、ＥＵＶ放射線は、大気圧での殆どのガスを通る透過性が低く、従って、リソグラフィ加工に包含される多くの機械的機器、電気的機器および光学的機器を高純度真空環境内で作動させなくてはならない。他の問題は、ＤＵＶリソグラフィの放射線の投影およびフォーカシング（合焦）に使用されるレンズ材料、例えばフッ化カルシウムは、ＥＵＶ放射線には適していないため、通常、透過性光学デバイス（レンズ）の代わりに反射性光学デバイス（ミラー）を使用する必要がある。これらのミラーは、一般に、モリブデンおよびシリコンの交互層（各層の厚さは、一般に５−１０ｎｍ）から形成され、かつ一般にシリコンの層またはルテニウムまたは他の金属種の層に終端している。   One problem is that EUV radiation is less permeable through most gases at atmospheric pressure, and thus many mechanical, electrical, and optical equipment involved in lithographic processing can be placed in a high purity vacuum environment. Must be operated with. Another problem is that lens materials used for radiation projection and focusing in DUV lithography, such as calcium fluoride, are not suitable for EUV radiation and are therefore usually a substitute for transmissive optical devices (lenses). It is necessary to use a reflective optical device (mirror). These mirrors are typically formed from alternating layers of molybdenum and silicon (each layer is typically 5-10 nm thick) and are typically terminated to a layer of silicon or a layer of ruthenium or other metal species.

ＥＵＶ放射線源は、一般に、リソグラフィツールに隣接して配置されるチャンバ内に収容される。放射線源を超清浄リソグラフィツールから隔絶するため、窓（該窓を通ってＥＵＶ放射線がリソグラフィツール内に透過される）として、しばしばスペクトル純度フィルタ（spectral purity filter：ＳＰＦ）が使用される。一般に、ＳＰＦは、通常、ジルコニウム、ニッケルまたはシリコンから形成された非常に薄い箔からなる。   The EUV radiation source is generally housed in a chamber located adjacent to the lithography tool. In order to isolate the radiation source from the ultra-clean lithography tool, a spectral purity filter (SPF) is often used as the window (through which EUV radiation is transmitted into the lithography tool). In general, SPF usually consists of a very thin foil formed from zirconium, nickel or silicon.

ＥＵＶ放射線源は、錫、リチウムまたはキセノンの励起に基いて定められる。例えば、ＥＵＶ源にキセノンが使用される場合には、静電放電によりキセノンを誘発するか、強レーザ照射によりキセノンプラズマが発生される。プラズマ内の高荷電キセノン種Ｘｅ+10のＸｅ+11への電子遷移により、ＥＵＶ放射線が発生される。従って、ＥＵＶ放射線源はまた、高荷電粒子源としても機能する。これらの粒子は、チャンバ内に配置された多層ミラーおよびＳＰＦの表面上に衝突して、これらの表面から原子をスパッタリングさせる。これによりミラーの反射率が低下され、従ってリソグラフィツールに透過されるＥＵＶ放射線の強度が低下される。チャンバからのＥＵＶ放射線出力の強度が低下すると、ＥＵＶ放射線を用いたリソグラフィを受けるウェーハ上に形成されるパターンのクオリティに変動が生じる。これらのコンポーネンツは高価であるため、これらを交換することは大抵好ましいことではなく、多くの場合全く実用的でない。また、ＳＰＦに「孔」が発生すると、リソグラフィツールの汚染が引起こされる。 The EUV radiation source is defined on the basis of excitation of tin, lithium or xenon. For example, when xenon is used as an EUV source, xenon plasma is generated by inducing xenon by electrostatic discharge or by intense laser irradiation. EUV radiation is generated by electron transition of highly charged xenon species Xe +10 to Xe +11 in the plasma. Thus, the EUV radiation source also functions as a highly charged particle source. These particles impinge on the surfaces of the multilayer mirror and SPF placed in the chamber, causing atoms to be sputtered from these surfaces. This reduces the reflectivity of the mirror and thus the intensity of EUV radiation transmitted to the lithography tool. As the intensity of the EUV radiation output from the chamber decreases, the quality of the pattern formed on the wafer undergoing lithography using EUV radiation will vary. Because these components are expensive, it is often not preferred to replace them, and in many cases it is not practical at all. In addition, if “holes” occur in the SPF, contamination of the lithography tool is caused.

本発明の一態様によれば、荷電粒子の衝突による損傷から表面を保護する方法であって、表面が荷電粒子に露出されている間に、表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源を表面に供給する段階と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを能動的に制御する段階とを有する方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, a method of protecting a surface from damage due to impact of charged particles, the carbon source forming a carbonaceous deposit coating on the surface while the surface is exposed to charged particles. Providing a surface, and actively controlling the thickness of the coating by controlling at least one of a deposition rate of the deposit on the surface and a collision speed of the charged particles on the deposit. Provided.

表面上へのデポジットのデポジション速度およびその後の表面からのデポジットの除去速度（除去は、デポジット上への荷電粒子の衝突により行われる）の少なくとも一方を制御することにより、コーティングの厚さは所定厚さまたはほぼ所定厚さに能動的に制御され、これにより、表面上への荷電粒子の直接的衝突が防止されかつ表面の反射率または透過性の低下（低下はコーティングの形成により引起こされる）を最小限にできる。また、カーボン源の計画的な供給により、ミラー環境内に必然的に存在するバックグラウンドカーボン含有不純物の効果を消滅させることができる。このアプローチの他の利益は、このアプローチが炭質種の高ターンオーバー速度を有し、従って炭質種を、より高い反応性を有しかつ容易に除去できる化学的状態に維持できる。このことが行われない場合には、炭質デポジットのエージングにより炭質デポジットが黒鉛化し、光学的に有害で除去不可能な非常に安定した表面となってしまう。   By controlling at least one of the deposition rate of the deposit on the surface and the subsequent removal rate of the deposit from the surface (removal is effected by the impact of charged particles on the deposit), the coating thickness is predetermined Actively controlled to a thickness or nearly a predetermined thickness, which prevents direct impact of charged particles on the surface and reduces surface reflectivity or transmission (degradation is caused by the formation of a coating) ) Can be minimized. In addition, the planned supply of the carbon source can eliminate the effects of background carbon-containing impurities that inevitably exist in the mirror environment. Another benefit of this approach is that this approach has a high turnover rate of the carbonaceous species, so that the carbonaceous species can be maintained in a chemical state that is more reactive and can be easily removed. If this is not done, aging of the carbonaceous deposit will graphitize the carbonaceous deposit, resulting in a very stable surface that is optically harmful and cannot be removed.

表面でのカーボン源の分圧を制御することにより、デポジション速度を制御する１つの機構を提供できる。カーボン源の分圧を調節することにより、炭質デポジットの定常状態の有効範囲を許容レベルで調整できる。分圧は、表面へのカーボン源の供給速度を制御することにより、便利に制御できる。例えば水晶発振器または表面音波デバイスのような薄膜の形成に感応する適当なセンサを用いてコーティングの厚さをモニタリングすることにより、表面に供給されるカーボン源の流量を調節する質量流量コントローラに信号を供給できる。   By controlling the partial pressure of the carbon source at the surface, one mechanism for controlling the deposition rate can be provided. By adjusting the partial pressure of the carbon source, the steady state effective range of the carbonaceous deposit can be adjusted to an acceptable level. The partial pressure can be conveniently controlled by controlling the supply rate of the carbon source to the surface. Signaling a mass flow controller that regulates the flow rate of the carbon source supplied to the surface by monitoring the coating thickness using an appropriate sensor that is sensitive to the formation of a thin film, such as a crystal oscillator or surface acoustic wave device. Can supply.

衝突速度は、コーティングへの荷電粒子の供給速度を制御することにより制御できる。例えば、デポジットと衝突させる前に、荷電粒子をガスカーテンに通すことにより、幾分かの荷電粒子を選択的に中和できる。この場合、一定分圧のカーボン源と可変圧力のガスカーテンとを組合せて、コーティングの厚さを制御することができる。ガスカーテンの圧力は、カーボン源の分圧と同様な態様で制御できる。任意であるが、バッファガスを供給して、表面の近傍の圧力を一定に維持できる。バッファガスとカーボン源との混合物の最大許容全圧力は、ガス状種のＥＵＶ放射線の吸収断面に基いて定まり、一般に０．１ミリバールより低い。   The collision speed can be controlled by controlling the supply rate of charged particles to the coating. For example, some charged particles can be selectively neutralized by passing the charged particles through a gas curtain before impacting the deposit. In this case, the coating thickness can be controlled by combining a constant partial pressure carbon source and a variable pressure gas curtain. The pressure of the gas curtain can be controlled in the same manner as the partial pressure of the carbon source. Optionally, a buffer gas can be supplied to keep the pressure near the surface constant. The maximum allowable total pressure of the mixture of buffer gas and carbon source is determined based on the absorption cross-section of the gaseous species of EUV radiation and is generally below 0.1 mbar.

荷電粒子は、表面を収容するチャンバ内に配置される荷電粒子源から放出されるのが好ましい。好ましい実施形態では、荷電粒子源は、電磁放射線好ましくはＥＵＶ放射線を放出するためのチャンバ内で発生されるプラズマであり、この構成は、カーボン源と相互作用して炭質デポジットを形成する表面からの２次電子の放出を刺激することにより、表面上への炭質デポジットのデポジションを促進する。プラズマ源として、多数の異なる物質（例えば、リチウム、錫およびキセノンのうちの１つ）を使用できる。   The charged particles are preferably emitted from a charged particle source disposed in a chamber containing the surface. In a preferred embodiment, the charged particle source is a plasma generated in a chamber for emitting electromagnetic radiation, preferably EUV radiation, and this configuration is from a surface that interacts with the carbon source to form a carbonaceous deposit. Promotes the deposition of carbonaceous deposits on the surface by stimulating the emission of secondary electrons. A number of different materials (eg, one of lithium, tin and xenon) can be used as the plasma source.

表面は、チャンバからＥＵＶ放射線を放出する窓の表面、一般に例えばジルコニウム、ニッケルまたはシリコンから形成された箔で形成できる。或いは、表面は、多層ミラーの表面のような反射性表面で形成できる。このようなコンポーネンツの表面を実質的に一定厚さに維持することにより、窓の透過性およびミラーの反射率を実質的に一定レベルに維持でき、これにより、チャンバから放出されるＥＵＶ放射線の実質的に一定の強度を維持し、従ってリソグラフィツール用の安定したＥＵＶ放射線源を形成できる。   The surface can be formed of a window surface that emits EUV radiation from the chamber, typically a foil made of, for example, zirconium, nickel or silicon. Alternatively, the surface can be formed of a reflective surface such as the surface of a multilayer mirror. By maintaining the surface of such components at a substantially constant thickness, the transparency of the window and the reflectivity of the mirror can be maintained at a substantially constant level, thereby allowing a substantial amount of EUV radiation emitted from the chamber. A constant intensity and thus a stable EUV radiation source for a lithography tool.

カーボン源は、有機分子源が好ましい。カーボン源の選択は、表面上への解離化学吸着の確率および速度、２次電子による活性化のための充分な断面、重合に対する安定性、およびＥＵＶ放射線に対する気相吸着断面を含む多くの基準により決定される。カーボン源の例として、一酸化炭素、アルカン、アルキン、アルケン、アリール酸素化物、芳香族炭化水素、窒素含有種およびハロゲン含有種がある。   The carbon source is preferably an organic molecular source. The choice of carbon source depends on many criteria, including the probability and rate of dissociative chemisorption on the surface, sufficient cross-section for activation by secondary electrons, stability to polymerization, and gas-phase adsorption cross-section for EUV radiation. It is determined. Examples of carbon sources include carbon monoxide, alkanes, alkynes, alkenes, aryloxygenates, aromatic hydrocarbons, nitrogen-containing species and halogen-containing species.

第二態様では、本発明は、極紫外（ＥＵＶ）放射線および荷電粒子が発生されるチャンバ内に配置された表面を保護する方法であって、ＥＵＶ放射線の存在下で前記表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源をチャンバに供給する段階と、コーティングに荷電粒子を衝突させて表面からデポジットを除去する段階と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを所定値またはほぼ所定値に維持する段階とを有する方法を提供する。   In a second aspect, the present invention is a method for protecting a surface disposed in a chamber in which extreme ultraviolet (EUV) radiation and charged particles are generated, wherein a carbonaceous deposit on said surface in the presence of EUV radiation. Supplying a carbon source to form a coating into the chamber, bombarding the coating with charged particles to remove deposits from the surface, deposit deposition rate on the surface, and charged particle impact rate on the deposit Controlling at least one of the methods to maintain the coating thickness at or near a predetermined value.

第三態様では、本発明は、荷電粒子の衝突による損傷から表面を保護する装置であって、表面が荷電粒子に露出されている間に、表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源を表面に供給する手段と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを能動的に制御する手段とを有する装置を提供する。   In a third aspect, the present invention provides an apparatus for protecting a surface from damage due to impact of charged particles, wherein the carbon source forms a coating of carbonaceous deposit on the surface while the surface is exposed to charged particles. An apparatus having means for supplying to the surface and means for actively controlling the thickness of the coating by controlling at least one of the deposition rate of the deposit on the surface and the impact velocity of the charged particles on the deposit provide.

第四態様では、極紫外（ＥＵＶ）放射線を発生させる装置であって、窓を備えたチャンバを有し、ＥＵＶ放射線が前記窓を通してチャンバから出力され、チャンバ内に配置されるＥＵＶ放射線および荷電粒子の源と、前記源からのＥＵＶ放射線を窓に向けてフォーカシングするための、チャンバ内に配置された少なくとも１つの反射面と、ＥＵＶ放射線の存在下で前記少なくとも１つの反射面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源をチャンバに供給する手段と、反射面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを所定値またはほぼ所定値に維持する手段とを有する装置を提供する。   In a fourth aspect, an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation having a chamber with a window through which EUV radiation is output from the chamber and disposed within the chamber. And a source of carbonaceous deposits on the at least one reflective surface in the presence of EUV radiation, and at least one reflective surface disposed in the chamber for focusing the EUV radiation from the source toward the window. A means for supplying a carbon source for forming the coating to the chamber, and controlling at least one of the deposition rate of the deposit on the reflecting surface and the impact velocity of the charged particles on the deposit, thereby setting the coating thickness to a predetermined value or And a device having means for maintaining substantially the predetermined value.

本発明の方法の態様に関連して上述した特徴は、装置の態様にも等しく適用でき、逆に装置の特徴も方法の特徴に適用できる。   Features described above in connection with the method aspects of the present invention are equally applicable to apparatus aspects, and vice versa.

以下、極紫外（ＥＵＶ）放射線を発生させる装置の一例を概略的に示す添付図面を参照して、本発明を例示する一実施形態を更に説明する。装置は、ＥＵＶ放射線源１２を収容するチャンバ１０を有している。放射線源１２は、放電プラズマ源またはレーザ生成プラズマ源で構成できる。放電プラズマ源では、２つの電極間の媒体中に放電が形成され、この放電から生じたプラズマがＥＵＶ放射線を放出する。レーザ生成プラズマ源では、ターゲットは、該ターゲット上にフォーカシングされた強レーザビームによりプラズマに変換される。キセノンプラズマが１３．５ｎｍの波長でＥＵＶ放射線を放射するので、放電プラズマ源およびレーザ生成プラズマ源のターゲットに適した媒体はキセノンである。しかしながら、ターゲット材料としてリチウムまたは錫等の他の物質を使用することもでき、従って本発明は、ＥＵＶ放射線の発生に使用される特定物質または機構に限定されるものではない。   In the following, an embodiment illustrating the present invention will be further described with reference to the accompanying drawings schematically showing an example of an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation. The apparatus has a chamber 10 that houses an EUV radiation source 12. The radiation source 12 can be a discharge plasma source or a laser-produced plasma source. In the discharge plasma source, a discharge is formed in the medium between the two electrodes, and the plasma generated from this discharge emits EUV radiation. In a laser-produced plasma source, the target is converted to plasma by a strong laser beam focused on the target. Since xenon plasma emits EUV radiation at a wavelength of 13.5 nm, a suitable medium for the targets of discharge plasma sources and laser-produced plasma sources is xenon. However, other materials such as lithium or tin can also be used as the target material, and thus the present invention is not limited to the specific material or mechanism used to generate EUV radiation.

チャンバ１０内で発生されたＥＵＶ放射線（参照番号１４で示す）は、チャンバ１０に光学的にリンクすなわち連結された他のチャンバ１６に供給され、この供給は、例えばチャンバ１０、１６の壁に形成された１つ以上の窓１８を介して行われる。チャンバ１６はリソグラフィツールを収容しており、該リソグラフィツールは、半導体ウェーハのような基板の表面上にフォトレジストを選択的に照射すべく、マスクまたはレチクル上にＥＵＶ放射線ビームを放出する。源１２により発生されたＥＵＶ放射線を窓１８の方向に向けるため、チャンバ１０は、多層ミラー（multi-layer mirrors：ＭＬＭ）２０により形成される複数の反射面を収容している。ＭＬＭ２０は複数の層を有し、各層は、底から順に、モリブデンの第一層とシリコンの第二層とからなる。ＭＬＭ２０の酸化抵抗を高めると同時に、ＭＬＭ２０上に入射する実質的に全てのＥＵＶを透過させるため、各ＭＬＭ２０の上面上には、一般にルテニウムから形成される金属層が形成される。窓１８はスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）により形成され、該ＳＰＦは、一般にジルコニウム、ニッケルまたはシリコンから形成された非常に薄い箔からなり、ＥＵＶ放射線をチャンバ１６内に透過させると同時に、汚染物質がチャンバ１０からリソグラフィツールチャンバ１６内に入ることを防止する。   EUV radiation (indicated by reference numeral 14) generated in the chamber 10 is supplied to another chamber 16 that is optically linked or connected to the chamber 10, this supply being formed on the walls of the chambers 10, 16, for example. Through one or more windows 18 formed. Chamber 16 contains a lithography tool that emits an EUV radiation beam onto a mask or reticle to selectively irradiate a photoresist onto the surface of a substrate, such as a semiconductor wafer. In order to direct the EUV radiation generated by the source 12 in the direction of the window 18, the chamber 10 contains a plurality of reflective surfaces formed by multi-layer mirrors (MLM) 20. The MLM 20 has a plurality of layers, and each layer is composed of a first layer of molybdenum and a second layer of silicon in order from the bottom. In order to increase the oxidation resistance of the MLM 20 and transmit substantially all EUV incident on the MLM 20, a metal layer generally made of ruthenium is formed on the upper surface of each MLM 20. The window 18 is formed by a spectral purity filter (SPF), which consists of a very thin foil, typically formed from zirconium, nickel or silicon, that transmits EUV radiation into the chamber 16 while contaminants are contained in the chamber. 10 is prevented from entering the lithography tool chamber 16.

殆どのガスを通るＥＵＶ放射線の透過性が低いため、チャンバ１０、１６内に真空を発生させるための真空ポンピングシステム（図示せず）が設けられている。両チャンバ内に多種類のガスおよび汚染物質が存在する虞れがあることを考慮して各チャンバのポンピングシステムには、例えば、荒引きポンプにより支援されたターボ分子ポンプのような低温真空ポンプおよび移送ポンプの両ポンプを設けることができる。   Due to the low transparency of EUV radiation through most gases, a vacuum pumping system (not shown) is provided to generate a vacuum in the chambers 10,16. Considering the possibility of multiple types of gases and contaminants in both chambers, each chamber pumping system may include a cryogenic vacuum pump, such as a turbomolecular pump assisted by a roughing pump, and Both pumps of the transfer pump can be provided.

ＥＵＶ放射線源１２は、荷電粒子源で構成することもできる。例えばＥＵＶ源としてキセノンプラズマが使用される場合には、ＥＵＶ源からＸｅ+10イオンを放出させることができる。これらのイオンはＳＰＦ１８の表面上およびチャンバ１０内に配置されたＭＬＭ２０の表面上に衝突して、これらの表面から原子をスパッタリングさせることができる。スパッタリングを続けることが許容されるならば、これによりＭＬＭ２０の反射率が低下され、従ってチャンバ１６に透過されるＥＵＶ放射線の強度が低下されかつＳＰＦ１８に「孔」が発生して、チャンバ１６の汚染が引起こされる。 The EUV radiation source 12 can also be a charged particle source. For example, when xenon plasma is used as the EUV source, Xe +10 ions can be emitted from the EUV source. These ions can strike the surface of the SPF 18 and the surface of the MLM 20 disposed in the chamber 10 to sputter atoms from these surfaces. If allowed to continue sputtering, this reduces the reflectivity of the MLM 20, thus reducing the intensity of EUV radiation transmitted to the chamber 16 and creating “holes” in the SPF 18, resulting in contamination of the chamber 16. Is caused.

ＥＵＶ放射線の存在下で、ＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面内から２次電子が放出され、該２次電子は前記表面上に存在する種と相互作用する。より詳しくは、吸着された炭化水素汚染物質のクラッキングにより、ＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０に付着するグラファイト形カーボン層が形成される。例えば、ＣXＨYの一般式をもつ炭化水素は、ＥＵＶ放射線の存在下で、次式（１）に従って解離する。

CXHY＋ｅ-→CXHY-1＋H(a)＋ｅ-→CXHY-2＋H(a)＋ｅ-→→ｘC＋ｙH(a) （１）

ここで、ｘは、ＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面上のＣのデポジション（吸着）量である。 In the presence of EUV radiation, secondary electrons are emitted from within the surfaces of SPF 18 and MLM 20, and the secondary electrons interact with species present on the surface. More specifically, cracking of adsorbed hydrocarbon contaminants forms a graphite-type carbon layer that adheres to SPF 18 and MLM 20. For example, a hydrocarbon having the general formula C X H Y dissociates according to the following formula (1) in the presence of EUV radiation.

C X H Y + e − → C X H Y−1 + H (a) + e − → C X H Y−2 + H (a) + e − →→ x C + y H (a) (1)

Here, x is the deposition (adsorption) amount of C on the surfaces of the SPF 18 and the MLM 20.

ＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面上のカーボンの層は、通常は好ましくないことは明らかである。すなわち、ＳＰＦ１８の表面上にカーボンコーティングが存在するとＳＰＦ１８の透過性を低下させ、一方、ＭＬＭ２０の表面上のカーボンコーティングはＭＬＭ２０の反射率を低下させる。しかしながら、Ｘｅ+10のような高荷電イオンが存在する場合には、装置のこれらのコンポーネンツの表面上に形成されたカーボンコーティングが、イオンとコンポーネンツの表面との衝突によるスパッタリングからこれらの表面を保護するように機能する。この観点から、ＥＵＶ放射線の下でのＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面上の炭質デポジットの制御されたデポジションを行うカーボン源が、供給源２２からチャンバ１０内に導入される。カーボン源の計画的な供給により、チャンバ１０内に必然的に存在するバックグラウンドカーボン含有不純物の効果を消滅させることができる。 Obviously, layers of carbon on the surface of SPF 18 and MLM 20 are usually not preferred. That is, the presence of a carbon coating on the surface of SPF 18 reduces the permeability of SPF 18, while the carbon coating on the surface of MLM 20 decreases the reflectivity of MLM 20. However, when highly charged ions, such as Xe +10 are present, carbon coating formed on the surface of these components of the device, protect these surfaces from sputtering by collision between the ions and the components of the surface To function. From this point of view, a carbon source is introduced into the chamber 10 from a source 22 that provides controlled deposition of carbonaceous deposits on the surfaces of the SPF 18 and MLM 20 under EUV radiation. The planned supply of the carbon source can eliminate the effects of background carbon-containing impurities that inevitably exist in the chamber 10.

カーボン源は、一酸化炭素、アルキン、アルケン、アリール酸素化物、芳香族炭化水素、窒素含有種およびハロゲン含有種からなる群から選択するのが好ましい。適当な酸素化物（oxygenates）の例として、アルコール、エステルおよびエーテルがある。適当な窒素含有化合物の例として、アミン、ピロールおよびその誘導体、ピリジンおよびその誘導体がある。適当なハロゲン含有化合物の例として、飽和アリール水素化物、不飽和アリール水素化物、飽和アルキル水素化物および不飽和アルキル水素化物がある。好ましい一例では、カーボン源はエチン（Ｃ2Ｈ2）である。 The carbon source is preferably selected from the group consisting of carbon monoxide, alkynes, alkenes, aryl oxygenates, aromatic hydrocarbons, nitrogen-containing species and halogen-containing species. Examples of suitable oxygenates are alcohols, esters and ethers. Examples of suitable nitrogen-containing compounds are amines, pyrrole and its derivatives, pyridine and its derivatives. Examples of suitable halogen-containing compounds are saturated aryl hydrides, unsaturated aryl hydrides, saturated alkyl hydrides and unsaturated alkyl hydrides. In a preferred example, the carbon source is ethyne (C 2 H 2).

チャンバ内のカーボン源の分圧、従ってＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面上の炭質のデポジション速度を制御することにより、炭質デポジションと、ＥＵＶ放射線源１２から放射されるイオンとの衝突による炭質デポジットの除去との間に平衡が達成され、この後は、コーティング厚さは実質的に一定に維持される。コーティングの厚さは、例えば水晶発振器または表面音波デバイスのように１つの表面上のコーティングの形成に感応するセンサ２４を用いてモニタリングされ、センサ２４は、カーボン源およびＥＵＶ放射線にもＭＬＭ２０と同様な露出が得られるように戦略的に配置される。センサ２４は、該センサ上に形成されたコーティングの厚さを表示する信号をコントローラ２６に出力し、該コントローラ２６は、受信した信号に応答して、制御信号を、カーボン供給源２２から入口３０を介してチャンバ１０にカーボン源を供給する流量を制御する質量流量コントローラ２８に出力する。チャンバ１０へのカーボン源の供給速度を変えることにより、チャンバ１０内のカーボン源の分圧が入念に制御され、これにより、ＭＬＭ２０およびＳＰＦ１８上のコーティングの形成速度を制御して、コーティングの厚さを所定値またはほぼ所定値に維持できる。   By controlling the partial pressure of the carbon source in the chamber, and hence the deposition rate of the carbonaceous material on the surfaces of SPF 18 and MLM 20, removal of the carbonaceous deposit by collision of the carbonaceous deposition with ions emitted from the EUV radiation source 12 Is achieved after which the coating thickness remains substantially constant. The thickness of the coating is monitored using a sensor 24 that is sensitive to the formation of the coating on one surface, such as a crystal oscillator or surface acoustic wave device, which is similar to the MLM 20 for carbon source and EUV radiation. Arranged strategically to obtain exposure. The sensor 24 outputs a signal to the controller 26 indicating the thickness of the coating formed on the sensor, and the controller 26 sends a control signal from the carbon source 22 to the inlet 30 in response to the received signal. To the mass flow controller 28 for controlling the flow rate of supplying the carbon source to the chamber 10. By changing the feed rate of the carbon source to the chamber 10, the partial pressure of the carbon source in the chamber 10 is carefully controlled, thereby controlling the rate of formation of the coating on the MLM 20 and SPF 18 to increase the coating thickness. Can be maintained at a predetermined value or almost a predetermined value.

ＳＰＦ１８およびＭＬＭ２０の表面上に炭質デポジットが形成される速度を制御する代わりに、またはこの制御に加えて、装置は、ＥＵＶ放射線源１２から放出されるイオンによりこれらの表面からデポジットが除去される速度を制御するように構成できる。例えば、ＥＵＶ放射線源１２とＭＬＭ２０との間にガスカーテンを形成すべく、ガス源からガスをチャンバ１０内に導入できる。例えば、ガス供給源２２は、ガスカーテンを形成するためのガス源に置換できる。ＥＵＶ放射線源１２から放射されるイオンの幾分かはガスカーテン中のガスと衝突して中和され、これによりイオンがコーティングに衝突する量が低減される。源から放出されるＥＵＶ放射線がガスにより吸収されてしまうため、比較的濃密なガスカーテンは好ましくなく、比較的一定のコーティング厚さを維持するには可変の比較的低密度のガスカーテンが有益である。カーボン源の供給速度の制御と同様に、ガスカーテンを形成するガスの供給速度は、センサ２４上に形成されるコーティングの厚さに応答してコントローラ２６から出力される信号を用いて、質量流量コントローラ２８により制御される。供給源２２を、ガスカーテンを形成するガス源に置換するのではなく、ガスカーテン用ガス供給源を、別の入口を介してガスをチャンバ内に供給する供給源２２に対向または隣接して設けることができ、この場合、コントローラ２６は、ガスカーテンを形成するガスの供給速度を制御する制御信号を別の質量流量コントローラに供給する。   Instead of or in addition to controlling the rate at which carbonaceous deposits are formed on the surfaces of SPF 18 and MLM 20, the apparatus is capable of removing deposits from these surfaces by ions emitted from EUV radiation source 12. Can be configured to control. For example, gas can be introduced from the gas source into the chamber 10 to form a gas curtain between the EUV radiation source 12 and the MLM 20. For example, the gas supply 22 can be replaced with a gas source for forming a gas curtain. Some of the ions emitted from the EUV radiation source 12 collide with the gas in the gas curtain and are neutralized, thereby reducing the amount of ions that impinge on the coating. A relatively dense gas curtain is not preferred because EUV radiation emitted from the source is absorbed by the gas, and a variable, relatively low density gas curtain is beneficial to maintain a relatively constant coating thickness. is there. Similar to the control of the carbon source supply rate, the gas supply rate forming the gas curtain is determined by the mass flow rate using a signal output from the controller 26 in response to the thickness of the coating formed on the sensor 24. It is controlled by the controller 28. Rather than replacing the source 22 with a gas source that forms a gas curtain, a gas source for the gas curtain is provided opposite or adjacent to the source 22 that supplies gas into the chamber via another inlet. In this case, the controller 26 supplies another mass flow controller with a control signal that controls the supply rate of the gas forming the gas curtain.

要約するならば、極紫外（ＥＵＶ）放射線に露出されるチャンバ内に配置されるミラーの表面の保護方法を説明した。ＥＵＶ放射線は、ＥＵＶ放射線および荷電粒子の両方を放出するプラズマから発生される。チャンバ内には有機分子が供給され、該有機分子はＥＵＶ放射線と相互作用して、ミラー表面上に炭質デポジットのコーティングを形成する。プラズマから放出される荷電粒子はデポジットに衝突して、デポジットをミラー表面からスパッタリングする。ミラー表面上のデポジットのデポジション速度およびミラー表面からのデポジットの除去速度の少なくとも一方を制御することにより、コーティングの厚さを能動的に制御して、荷電粒子がミラー表面に直接的に衝突することを防止し、かつコーティングの形成によるミラー表面の反射率の低下を最小限にする。本発明の方法はまた、チャンバからのＥＵＶ放射線を透過させるのに使用される窓の表面を保護するのにも適している。   In summary, a method for protecting the surface of a mirror placed in a chamber exposed to extreme ultraviolet (EUV) radiation has been described. EUV radiation is generated from a plasma that emits both EUV radiation and charged particles. Organic molecules are fed into the chamber, which interacts with the EUV radiation to form a carbonaceous deposit coating on the mirror surface. Charged particles emitted from the plasma collide with the deposit and sputter the deposit from the mirror surface. By controlling at least one of the deposition rate of deposits on the mirror surface and the removal rate of deposits from the mirror surface, the thickness of the coating is actively controlled so that charged particles directly impinge on the mirror surface And minimizing the reduction in mirror surface reflectivity due to coating formation. The method of the present invention is also suitable for protecting the surface of windows used to transmit EUV radiation from the chamber.

添付図面は、極紫外（ＥＵＶ）放射線を発生する装置の一例を示す概略図である。The accompanying drawings are schematic diagrams illustrating an example of an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation.

Claims (37)

荷電粒子の衝突による損傷から表面を保護する方法において、表面が荷電粒子に露出されている間に、表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源を表面に供給する段階と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを能動的に制御する段階とを有することを特徴とする方法。   In a method for protecting a surface from damage due to charged particle collisions, a carbon source that forms a coating of carbonaceous deposits on the surface while the surface is exposed to the charged particles; And controlling the thickness of the coating actively by controlling at least one of the deposition rate of the deposit and the impact velocity of the charged particles on the deposit. 前記デポジション速度は、表面でのカーボン源の分圧を制御することにより制御されることを特徴とする請求項１記載の方法。   The method of claim 1, wherein the deposition rate is controlled by controlling the partial pressure of the carbon source at the surface. 前記カーボン源の分圧は、表面へのカーボン源の供給速度を制御することにより制御されることを特徴とする請求項２記載の方法。   The method according to claim 2, wherein the partial pressure of the carbon source is controlled by controlling a supply rate of the carbon source to the surface. 前記コーティングの厚さはモニタリングされ、カーボン源の分圧はコーティングの厚さに基いて変えられることを特徴とする請求項２または３記載の方法。   4. A method according to claim 2 or 3, wherein the thickness of the coating is monitored and the partial pressure of the carbon source is varied based on the thickness of the coating. 前記カーボン源は有機分子源であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the carbon source is an organic molecular source. 前記カーボン源は、一酸化炭素、アルカン、アルキン、アルケン、アリール酸素化物、芳香族炭化水素、窒素含有種およびハロゲン含有種からなる群から選択されることを特徴とする請求項５記載の方法。   6. The method of claim 5, wherein the carbon source is selected from the group consisting of carbon monoxide, alkanes, alkynes, alkenes, aryl oxygenates, aromatic hydrocarbons, nitrogen-containing species and halogen-containing species. 前記酸素化物は、アルコール、エステルおよびエーテルを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。   The method of claim 6, wherein the oxygenates include alcohols, esters and ethers. 前記窒素含有化合物は、アミン、ピロールおよびその誘導体、ピリジンおよびその誘導体を含むことを特徴とする請求項６または７記載の方法。   The method according to claim 6 or 7, wherein the nitrogen-containing compound includes amine, pyrrole and derivatives thereof, pyridine and derivatives thereof. 前記ハロゲン含有化合物は、飽和アリール水素化物、不飽和アリール水素化物、飽和アルキル水素化物および不飽和アルキル水素化物を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項記載の方法。   9. The method according to any one of claims 6 to 8, wherein the halogen-containing compound comprises a saturated aryl hydride, an unsaturated aryl hydride, a saturated alkyl hydride and an unsaturated alkyl hydride. 前記衝突速度は、コーティングへの荷電粒子の供給速度を制御することにより制御されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the collision speed is controlled by controlling a supply speed of charged particles to the coating. 前記荷電粒子の供給速度は、デポジットに衝突する前に荷電粒子の幾分かを選択的に中和することにより制御されることを特徴とする請求項１０記載の方法。   The method of claim 10, wherein the charged particle feed rate is controlled by selectively neutralizing some of the charged particles prior to impacting the deposit. 前記荷電粒子は、デポジットに衝突する前に荷電粒子をガスに通すことにより選択的に中和されることを特徴とする請求項１１記載の方法。   12. The method of claim 11, wherein the charged particles are selectively neutralized by passing the charged particles through a gas before impacting the deposit. 前記荷電粒子は、前記表面を収容するハウジング内に配置された荷電粒子源から放出されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項記載の方法。   13. A method according to any one of the preceding claims, wherein the charged particles are emitted from a charged particle source disposed in a housing that houses the surface. 前記荷電粒子源は、チャンバ内で発生されるプラズマであることを特徴とする請求項１３記載の方法。   The method of claim 13, wherein the charged particle source is a plasma generated in a chamber. 前記荷電粒子源により、前記表面上への炭質デポジットのデポジションを促進する電磁放射線も発生されることを特徴とする請求項１３または１４記載の方法。   15. A method according to claim 13 or 14, wherein the charged particle source also generates electromagnetic radiation that facilitates the deposition of carbonaceous deposits on the surface. 前記電磁放射線は極紫外放射線であることを特徴とする請求項１５記載の方法。   The method of claim 15, wherein the electromagnetic radiation is extreme ultraviolet radiation. 前記表面は、チャンバからＥＵＶ放射線を放出させる窓の表面であることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項記載の方法。   17. A method according to any one of claims 13 to 16, wherein the surface is the surface of a window that emits EUV radiation from the chamber. 前記表面は、反射面であることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the surface is a reflective surface. 前記反射面は多層ミラーの表面であることを特徴とする請求項１８記載の方法。   The method of claim 18, wherein the reflective surface is a surface of a multilayer mirror. 前記ミラーは複数の層からなり、各層は、モリブデンの第一層と、シリコンの第二層とを有することを特徴とする請求項１９記載の方法。   20. The method of claim 19, wherein the mirror comprises a plurality of layers, each layer having a first layer of molybdenum and a second layer of silicon. 極紫外（ＥＵＶ）放射線および荷電粒子が発生されるチャンバ内に配置された表面を保護する方法において、ＥＵＶ放射線の存在下で前記表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源をチャンバに供給する段階と、コーティングに荷電粒子を衝突させて表面からデポジットを除去する段階と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを所定値またはほぼ所定値に維持する段階とを有することを特徴とする方法。   In a method for protecting a surface disposed in a chamber where extreme ultraviolet (EUV) radiation and charged particles are generated, a carbon source is provided in the chamber that forms a coating of carbonaceous deposits on the surface in the presence of EUV radiation. Controlling the thickness of the coating by controlling at least one of the following steps: bombarding the coating with charged particles to remove deposits from the surface; and deposit deposition rate on the surface and charged particle impact rate on the deposit. Maintaining the thickness at a predetermined value or substantially a predetermined value. 荷電粒子の衝突による損傷から表面を保護する装置において、表面が荷電粒子に露出されている間に、表面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源を表面に供給する手段と、表面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを能動的に制御する手段とを有することを特徴とする装置。   In an apparatus for protecting a surface from damage due to impact of charged particles, means for supplying the surface with a carbon source that forms a coating of carbonaceous deposit on the surface while the surface is exposed to charged particles; And means for actively controlling the thickness of the coating by controlling at least one of the deposition rate of the deposit and the impact velocity of the charged particles on the deposit. 前記制御手段は、表面でのカーボン源の分圧を制御する手段を有していることを特徴とする請求項２２記載の装置。   23. The apparatus of claim 22, wherein the control means comprises means for controlling the partial pressure of the carbon source at the surface. 前記分圧制御手段は、反射面へのカーボン源の供給速度を制御する手段を有していることを特徴とする請求項２３記載の装置。   24. The apparatus according to claim 23, wherein the partial pressure control means includes means for controlling a supply speed of the carbon source to the reflecting surface. 前記コーティングの厚さをモニタリングし、モニタリングした厚さを表す信号を分圧制御手段に出力する手段を有し、分圧制御手段は、モニタリングした厚さに基いて、表面でのカーボン源の分圧を調節するように構成されていることを特徴とする請求項２３または２４記載の装置。   The coating thickness monitoring means has a means for outputting a signal representing the monitored thickness to the partial pressure control means, and the partial pressure control means is configured to analyze the carbon source on the surface based on the monitored thickness. 25. An apparatus according to claim 23 or 24, wherein the apparatus is configured to regulate pressure. 前記カーボン源は有機分子源であることを特徴とする請求項２２乃至２５のいずれか１項記載の装置。   The apparatus according to any one of claims 22 to 25, wherein the carbon source is an organic molecular source. 前記カーボン源は、一酸化炭素、アルカン、アルキン、アルケン、アリール酸素化物、芳香族炭化水素、窒素含有種およびハロゲン含有種からなる群から選択されることを特徴とする請求項２６記載の装置。   27. The apparatus of claim 26, wherein the carbon source is selected from the group consisting of carbon monoxide, alkanes, alkynes, alkenes, aryloxygenates, aromatic hydrocarbons, nitrogen-containing species, and halogen-containing species. 前記酸素化物は、アルコール、エステルおよびエーテルを含むことを特徴とする請求項２７記載の装置。   28. The apparatus of claim 27, wherein the oxygenate includes alcohol, ester and ether. 前記窒素含有化合物は、アミン、ピロールおよびその誘導体、ピリジンおよびその誘導体を含むことを特徴とする請求項２７または２８記載の装置。   The apparatus according to claim 27 or 28, wherein the nitrogen-containing compound includes amine, pyrrole and derivatives thereof, pyridine and derivatives thereof. 前記ハロゲン含有化合物は、飽和アリール水素化物、不飽和アリール水素化物、飽和アルキル水素化物および不飽和アルキル水素化物を含むことを特徴とする請求項２７乃至２９のいずれか１項記載の装置。   30. The apparatus according to any one of claims 27 to 29, wherein the halogen-containing compound comprises a saturated aryl hydride, an unsaturated aryl hydride, a saturated alkyl hydride and an unsaturated alkyl hydride. 前記表面は、荷電粒子源を収容するチャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項２２乃至３０のいずれか１項記載の装置。   31. An apparatus according to any one of claims 22 to 30, wherein the surface is disposed in a chamber containing a charged particle source. 前記荷電粒子源はプラズマであることを特徴とする請求項３１記載の装置。   32. The apparatus of claim 31, wherein the charged particle source is a plasma. 前記荷電粒子源は、前記表面上への炭質デポジットのデポジションを促進する電磁放射線源でもあることを特徴とする請求項３１または３２記載の装置。   33. The apparatus of claim 31 or 32, wherein the charged particle source is also an electromagnetic radiation source that facilitates the deposition of carbonaceous deposits on the surface. 前記電磁放射線は極紫外放射線であることを特徴とする請求項３３記載の装置。   34. The apparatus of claim 33, wherein the electromagnetic radiation is extreme ultraviolet radiation. 前記表面は、多層ミラーの表面であることを特徴とする請求項２２乃至３４のいずれか１項記載の装置。   35. Apparatus according to any one of claims 22 to 34, wherein the surface is the surface of a multilayer mirror. 前記ミラーは複数の層からなり、各層は、モリブデンの第一層と、シリコンの第二層とを有することを特徴とする請求項３５記載の装置。   36. The apparatus of claim 35, wherein the mirror comprises a plurality of layers, each layer having a first layer of molybdenum and a second layer of silicon. 極紫外（ＥＵＶ）放射線を発生させる装置において、窓を備えたチャンバを有し、ＥＵＶ放射線が前記窓を通してチャンバから出力され、チャンバ内に配置されるＥＵＶ放射線および荷電粒子の源と、前記源からのＥＵＶ放射線を窓に向けてフォーカシングするための、チャンバ内に配置された少なくとも１つの反射面と、ＥＵＶ放射線の存在下で前記少なくとも１つの反射面上に炭質デポジットのコーティングを形成するカーボン源をチャンバに供給する手段と、反射面上へのデポジットのデポジション速度およびデポジット上への荷電粒子の衝突速度の少なくとも一方を制御して、コーティングの厚さを所定値またはほぼ所定値に維持する手段とを有することを特徴とする装置。   An apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation having a chamber with a window through which EUV radiation is output from the chamber and disposed in the chamber; and from the source At least one reflective surface disposed in the chamber for focusing the EUV radiation toward the window, and a carbon source forming a coating of carbonaceous deposit on the at least one reflective surface in the presence of EUV radiation. Means for supplying to the chamber and means for controlling at least one of the deposition rate of the deposit on the reflecting surface and the collision speed of the charged particles on the deposit to maintain the coating thickness at a predetermined value or substantially a predetermined value A device characterized by comprising:
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